TWI320961B - Semiconductor structure, semiconductor device and the method for fabricating thereof - Google Patents
Semiconductor structure, semiconductor device and the method for fabricating thereof Download PDFInfo
- Publication number
- TWI320961B TWI320961B TW095137342A TW95137342A TWI320961B TW I320961 B TWI320961 B TW I320961B TW 095137342 A TW095137342 A TW 095137342A TW 95137342 A TW95137342 A TW 95137342A TW I320961 B TWI320961 B TW I320961B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- station
- phase difference
- signal
- phase
- stations
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 14
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 4
- 239000004165 Methyl ester of fatty acids Substances 0.000 claims description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims description 2
- 241000255925 Diptera Species 0.000 claims 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 claims 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 claims 1
- 238000003708 edge detection Methods 0.000 claims 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims 1
- 239000011150 reinforced concrete Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 4
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 235000017166 Bambusa arundinacea Nutrition 0.000 description 1
- 235000017491 Bambusa tulda Nutrition 0.000 description 1
- 241001330002 Bambuseae Species 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100346656 Drosophila melanogaster strat gene Proteins 0.000 description 1
- 229910001200 Ferrotitanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000238631 Hexapoda Species 0.000 description 1
- 235000015334 Phyllostachys viridis Nutrition 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011425 bamboo Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000005433 ionosphere Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000008685 targeting Effects 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/6656—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET using multiple spacer layers, e.g. multiple sidewall spacers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66568—Lateral single gate silicon transistors
- H01L29/66636—Lateral single gate silicon transistors with source or drain recessed by etching or first recessed by etching and then refilled
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7833—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with lightly doped drain or source extension, e.g. LDD MOSFET's; DDD MOSFET's
- H01L29/7834—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with lightly doped drain or source extension, e.g. LDD MOSFET's; DDD MOSFET's with a non-planar structure, e.g. the gate or the source or the drain being non-planar
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7842—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate means for exerting mechanical stress on the crystal lattice of the channel region, e.g. using a flexible substrate
- H01L29/7843—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate means for exerting mechanical stress on the crystal lattice of the channel region, e.g. using a flexible substrate the means being an applied insulating layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Position Fixing By Use Of Radio Waves (AREA)
Description
九'發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於半導體裝置及其製作方法，特別是 有關於一種具有應力之通道的金屬氧化半導體裝置 (metal-0xide_semic〇nduct〇r; M〇s)及其製作方法。 【先前技術】
中超大尺寸積體化（very large scale _㈣i〇n; 乂⑶ 二路1縮小化是持續努力的目標。隨著積體電路尺寸者 只的縮小，且操作的速度也持續的加#，因此，元件寸 驅動電流的改善也變得更加重要。製作驅動電流改善# =種方式之中，例如f知形成應力的料道，由此增办 ::的移動性，以改善元件的驅動電流。應力也可稱竹 可增加電子與電洞的移動性。利用應力的表面 =增加金屬氧化半導體元件的效能。上述方式可在固
度且不需增加製作或設計元件的複雜度下， 改善半導體元件的效能。 -杜^應力的方式’也可以是藉由在金屬氧化半導體 兀 方，形成應力的接觸孔飯刻停止（C〇ntact etch stoP;CES)層。當沈積接觸孔㈣ =產止:與其下方的沈積層之間不同的接= 曰 平面内的應力，以在包含接觸孔蝕刻停 ^層與下方之沈積層的複合層之間達到能量守恒。在通 迢區域内’會產生—應力，以作為回應上述所提供的應 〇503-A332270WF/yungchieh 5 =此可加載子移動性。藉由接觸孔㈣停止异中 力與厚度可決定提供至通道區域内的應力：： 刻停止層之中的内含應力會隨著接觸孔餘 d h止層的厚度增加而增加。 然而’較厚的接觸孔㈣停止層適合用來製作應力 太厚的接觸孔侧停止層會引起例如填充層間 ^曰（瞻r-layer dielectric)之間隙之後續製程的困難 二所以，上述的方式並不適合用在高密度的電路設計。 2 ’使用接觸孔㈣停止層改善提供之應力之效率的 1乍方法已被揭露。美國專利（案號6,87〇,17稿示一種 在不需增加接觸I虫刻停止層的厚度下，以改善應力的努 作方法。如第1圖所示，形成間隙壁120之後。在严門 隙壁之邊緣的半導體基们04上，進行附加之凹槽^ 以形成-凹槽106。接著，形成一應力的接觸孔钱 亥^止層1G8。由於凹槽1G6，藉由接觸孔關停止層⑽ 提供於通道區域110之中的應力會增加。 對大尺寸元件而言，湘上述的方式改善驅動電流 具有顯著的效果。然而，料尺寸元件而言，特別是使 用65_及更小尺寸的技術製作的小尺寸元件，甚至是利 用改善在通道區域内之載子的移動性，其小尺寸元件驅 動電流的改善並不顯著。可能的原因是，當源/汲極區域 的凹槽化時，在大體上十分狹窄的區域ιΐ8引起電流 擁擠的效應，而降低元件的驅動電流。電流擁擠效應在 具有淺接合（shallow junction)的小尺寸元件特別嚴重。因 〇5〇3-A332270WF/yungchieh 6 此，會增加窄化的區域】18導致漏電流的可能性。 口此亟而種理想化提供應力至通道區域的製作 方法，其中上述通道區域已消除不利的擁擠電流效應及 漏電流，使得改善半導體元件的驅動電流。 【發明内容】 有4α於此本發明之較佳實施例係提供一種金屬氧 化半導體（metal_Gxide_semicQndu啊咖）衷置的結構 及其製作方法。在上述金屬氧化半導體裝置的通道之中 具有一理想化的應力。 根據本發明之-目的係提供—半㈣結構。上 導體結構包含-基底；—閘極，位於該基底上方；一非 石夕化區域’、鄰接於㈣極，且設置於部分該基底上；一 原/及極區域包含—凹槽，^該;原及極區域位於基底内。 上述半導體結構更包含—石夕化區域，位於該源/沒極 區域上，其中該矽化區域具有一頂部表面，其包含 部位，及介於該下部位與該㈣化區域之間的—上部 位.亥下^位的一頂部表面低於該上部位的一頂部表面 -個階梯咼度’其中該非矽化區域的寬度與該 的比例小於或等於3。 白邳问度 根據本發明之另—目的係提供—半導體 上述半導體裝置包含-間極，位於-基底上方； 化區域Λ3者閘極的邊緣、源，及極區域及在源/沒極區域上 方的石夕化區域’其中上述源/汲極區域具有1槽’上述 0503-A332270WF/yungchieh 201000956 •鏡頭20與第一鏡片41之間以及第二鏡片42與第三鏡片43 之間，用以控制光通量之大小及間隔相鄰兩光學元件。間 隔體50可為本領域常用之光圈或間隔環。 、鏡頭座60具有容置腔61，用於容納固定鏡筒ι〇及影 像感測器元件70。鏡頭座60具有第一基座部62及與第一 基座部62相連之第二基座部63。第一基座部62内壁設有 螺紋，其與鏡筒10之外壁之螺紋相配合，用於將鏡筒ι〇 固定於鏡頭座60。第二基座部63可用於與其它元件或裝置 相連，如連接於封裝有影像感測器元件之電路板。 影像感測器元件70可設於鏡筒1〇内，亦可設於鏡頭 座60本實細> 例影像感測器元件7〇收容於容置腔61，其 將從光孔101進入液體鏡頭2〇，並依次透過鏡片組之光 訊號轉換成電訊號，從而獲取數位圖像訊號。影像感測器 元件70可為電荷耦合元件或互補金屬氧化物半導體元件。 鏡頭模組100還可進一步包括套設於鏡頭座6〇之外表 、面之電磁遮罩套，以進一步遮罩外界電磁波對影像感測器 疋件7〇之幹擾，從而提升成像品質。該電磁遮罩套之材料 選自銅、鋁、銀、鎳、鈦及不銹鋼等之其令一種，其厚度 根據實際需要設計，優選為i微米至5〇微米。 、使用本實施例之液體鏡頭模組100進行兩段式變焦以 、拍時，只需利用直流電壓供給器施加愿電結構31 一 個與壓電結構31極化方向相同且強度適當之直流電場即可 電結構31產生形變，以驅動與壓電結構31相連之擠 β °卩224產生相應之機械形變，從而改變光學部223形狀， 13 201000956 液體 222 鏡頭模組 100 鏡简 10 壓電驅動裝置 30 鏡片組 40 間隔體 50 鏡頭座 60 影像感測器元件 70 光孔 101 光學部 223 擠壓部 224 壓電結構 31 直流電壓供給器 32 第一鏡片 41 第二鏡片 42 第三鏡片 43 容置腔 61 第一基座部 62 第二基座部 63 15 201000940 常大之記憶體的情況下使用行動台12内部之記憶體。 為了進-步解釋本發明之態樣，提供―卫業實例。圖3 展不大芝加哥（greater Chieag。）區域之地圖。在此地圖 中，區域集合（在此圖中定羞為 τ疋義為0圈）被含有於稀疏預期使 用者高度資料庫1 6中。儘瞢此鲁^ w # ^ 慑S此實例針對涵盍區使用圓圈， 但涵盖區域可以任备曰 4 叮數目之涵盍形狀而變化。在此實例 中，選擇二個區域，具有一點五（15)公里之半徑的一區域 …具有四⑷公里之半徑的—第二區朗，及具有二十五 ⑽公里之半徑的一第三區域％。在此實例中，在第一圓 圈22内部，行動台可子g货 貝月位於四百加減220公尺（4〇〇±220 m)之4處，在第二圓圈24内部，行動台可預期位於二百 減、十a尺（280±80 m)之高程處，且在第三圓圈％ 内部：行動台可預期具有二百四十加減四十公尺(纖4〇 m)之兩程。使此等值適應於特定地理區域之預期使用者高 度上之偏差（針對建築物高度之範圍調整的地面高程）。幻 展不在大之加哥區域令針對以上實例的圓心之緯度及經 度、半徑、高度及高度不確定性。 表1
^圖4(展示—較佳過程之流程圖）中展示關於決定位置 方法或過程。一第_步驟為起始或開始系統(3〇)。系 、’先接著建立-預期使用纟高度$選定地形資料庫（η)，該 138746.doc 201006524 首先為選擇押注金額並啟動一遊戲機台進行遊 戲，該遊戲機台具複數滚輪，該滚輪為並列排列以構成產 生一牌組，且該牌組中的每一個滾輪都具有隨機出現的一 牌面； 接著藉一遊戲牌面判斷單元判斷該牌組的牌面是否 存在特定牌面的組合，當該牌組的牌面符合特殊要求 時，提供特定數量的紅利遊戲並藉該遊戲機台進行紅利 遊戲，若不符合則計算連線得分並統計累積分數後，進 ®行下一輪的遊戲； 接著轉動該遊戲機台的滾輪而進行紅利遊戲，且於 紅利遊戲中，該牌組的各滾輪可隨機出現一包含特殊牌 面組合中的特殊牌面； 接著藉一牌面蒐集單元記錄蒐集已出現的特殊牌 面，並計算連線得分以獲得分數； 再接著偵測是否剩餘紅利遊戲數量，若有則重覆轉 動該遊戲機台的滾輪以計算連線得分並藉該牌面蒐集 ^ 單元記錄蒐集新出現的特殊牌面，直至紅利遊戲數量消耗 完畢，最後藉由該牌面蒐集單元的記錄，依據已蒐集到的 特殊牌面，判斷其是否蒐集到特殊牌面組合的全部特殊牌 面，以決定是否額外獲得分數與增加紅利遊戲的數量。 7.如申請專利範圍第6項所述之可蒐集大牌的遊戲 方法，其中增加紅利遊戲的數量為產生至少一回合蒐集的 紅利遊戲，其藉由重覆轉動該遊戲機台的滾輪以計算連 線得分而額外獲得分數，並藉該牌面蒐集單元記錄蒐集 13 201000940 如衛星（已知其高於地平線，但尚未獲得其信號）之 P S里測搜尋窗定中心（此項技術中所熟知之概念）。^ 次=二τ亦可繼續’其中第二行動台::置用以再 ϋ 中之—項目，且㈣料庫^之高程估 二則重新計算該位置(48)。此反覆可繼續直至自資 料庫決定之高度估計及不確定性在諸反覆之間不改變，或 直至=達到預定最大反覆次數（例如，5次反覆）為止。 2 ’當僅三（3)個GPS量測與初始全球有效粗略高程輔 / (34)結合使用以決置估計時，應認識到 付之位置估計可具有經常為一公里或—公里以上之大的 程度不確定性，其對於終端使用者應用而言經常不足夠精 確。幸而，此位置通常足夠精確以用以在步驟4〇中查詢稀 I高度資料庫之-經改良的高度。當此位置在一居住區域 時’甚至此大不確定性之區域亦通常仍在高程資料庫項 者内且仍可如上文進行高度估計不確定性改 良。 在經估叶之行動台位置不在該資料庫中之項目所涵蓋的 任何區域内之狀況下’可用的高度輔助無法如以上所描述 超過全球有效粗略高程辅助(34)而經改良。在此狀況下， 本發明之態樣在改良精確性、良率及定位時間益處上的價 值限於全球有效高度輔助的使用。雖然此資料庫查詢故障 預期為在陸地區域之非常大之百分比中的實際狀況，但其 並不預期為在終端使用者狀況之一非常大之百分比中的實 際狀況’因為稀疏資料庫32經特別定目標以僅涵蓋行動台 138746.doc 201000940 大體上小於在全球地形高程資料庫中通常所使用之數以百 萬計的資料庫項目。 另外，諸如.zip及.jpg之任何通用壓縮方案可用於預期使 用者高度資料之-般壓縮。舉例而言，藉由將高度及,或 高度不確定性表示為黑白皿G影像中之不同強度像素之橋 格來編碼預期使用者高度資料（高度及不確定性）之栅格， 及使用JPEG壓縮/解壓縮用於資料之有效儲存可增強本發 明之態樣。此在一行動台上將為特別有效的，因為大部分 市售行動台已與用於其他目的（例如，相機使用）之高速 JPEG壓縮/解壓縮硬體及軟體一起供給。 可使用之壓縮高程資料之其他方法為緯度/經度/半徑圓 形涵蓋區域，及/或緯度/經度矩形轉角（Lat/L〇ng c〇mers of rectangles)、Voronio圖、具有内插之局部區域柵格，其 具有相關聯之高程及圍繞彼高程之不確定性。 待編碼之高程及/或地形高程為「陸上行動台之高程」， 其可經常被假設為等於地形高程地面位階或其可為自地面 位階之某一距離。舉例而言，當一人正於室外或在載具中 使用器件時，其通常可能高於地面位階丨公尺至丨5公尺。 在具有高建築物之區域中，應增加平均r陸上行動台高 程」及圍繞其之不確定性以考慮許多行動台可在該等建築 物中高於地面位階若干層處的事實。 圖5展示使用行動台之速度及兩個不同假設高度位階之 過程的另一實施例。該過程大體類似於圖4中之過程，其 中存在若干變化。在具有高建築物之區域中，預期使用者 138746.doc • 10- 201000940 比全球有效高度估計（64)精確。該方法接著使用第—次決 定之高度及高度不確定性（82)加上GPS量測（66)來第二次重 複位置及不確定性之計算(84)，以決定行動台位置之第 一、改良的估計（84)。該系統接著結束。 必要時，此過程亦可繼續，其中第二行動台位置㈣用 以再次查詢高度資料庫中之—項目，且若資料庫決定之高 程估計改變，㈣新計算該位置（88)。此反覆可繼續直二 自資料庫決定之高度估計及不確定性在諸反覆之間不改 變，或直至已達到預定最大反覆次數（例如，5次反覆）為 止0 m/s之垂直速度的估計（其可被認 高程輔助（64))來計算粗略使用者 可在步驟68中使用為〇 為係針對速度之全球有效 速度。 本文中所使用，行動台（MS)指代諸如蜂巢式或其他無 線通信器件、個人通信系統（pcs)器件、個人導航器件、 膝上型電腦或能夠接收並處理sps信號之其他合適行動器 件的$件* 5吾「订動台」亦意欲包括（諸如）藉由短程無 ' 卜線m連接或其他連接與個人導航器件（pnd) 通信(而不考慮衛星信號接收、輔助資料接收及/或位置相 關處理是發生在器件處還是發生在PND處）之器件。又， 「行動台」意欲包括所有器件，包括無線通信器件、電 腦、膝上型電腦等，其能夠(諸如)經由網際網路、侧或 =網路與伺服器通信，且不考慮衛星信號接收 料接收及/或位置相關處理是發生在器件處，發生在健 138746.doc 201000940 20 地形資 22 通信網 24 第二區 26 第三區 52 伺服器 料庫 路/區域/第一圓圈 域/第二圓圈 域/第三圓圈 或其他外部源/外部伺服器 138746.doc -16- 201000940 7. 如請求们之方法’其中該儲存 眘枓庙 驟匕έ .壓縮該地形 貝枓庫之該預定部分。 5办 8. 如請求項1之方法，其中該妯 含1…，、中為形資料庫之該預定部分包 ，識別一選定區域的至少-人口最密集部分。 9. 如請求項1之方法’其進一步 t # A ^- 匕3自該預期使用者高度 貧料庫決定一高度不確定性之步驟。 10. —種用於計算一行動台之一 罝之系統’该糸統包含： 用於在泫行動台中儲存一預期使 少一預定部分的構件； 使用&度貝料庫之至 用於提供一全球高程估計之構件； 用於基於該全球高程估計及至 星來估呻# >么厶 ^ 一個王球疋位系統衛 星术估叶該仃動台之一初始位置的構件； 用於基於5亥經估計之初始位置&丨4 M y 次祖逢t 識別該預期使用者高度 男枓庫的該所儲存之至少一預定 域的構件； 中之—弟一選定區 用於自該資料庫中之該第一選 件；及 决疋一咼度的構 用於計算該行動台之該位置的構件。 比如請求们〇之系統，其進一步包 置不確定性之構件。 用於计鼻-行動位 12.如請求項10之系統，其進一步包含·· 廑用於基於該經計算之位置識別該預期使 庫之該所儲存之至少一預定部分中I ^科 構件；及 —k疋區域之 138746.doc 201000940 18.如請求項17之 式產 ，其進一步包含用於引起一 行動位置不確定性之一計算的程式碼。 19.如請求項17之電腦程式產品，其進一步包人. 用於使得基於該經計算之位置而在 ^ 牡成預期使用者高度 資料庫之該所儲存的至少一預定部 刀τ蠘別一第二選定 區域的程式碼；及 用於引起該行動台之該位置之一重新 至啊。Τ异的程式碼。 20· —種用於計算一行動台之一位置 κ乃决’该方法包含以 下步驟： 在該行動台中儲存-預期使用者高度資料庫之至少一 預定部分； 提供一全球高程估計； 基於該全球高程估計及至少三個全球定位系統衛星來 估計該行動台之一初始位置及一速度； 基於該所估計之初始位置識別該預期使用者高度資料 庫的該至少-㈣存之預定部分中之—第—選定區域； 基於該所估計之速度提供至少一設定之行動台位階； 自該資料庫中之該第一選定區域及該提供之至少一行 動台位階決定一高度及高度不確定性；及 計算該行動台之該位置。 2!.如請求項20之方法，其中使用—零垂直速度假設決定針 對一第一設定行動台位階之該所估計的速度。 22.如請求項20之方法，其進一步包含以下步驟： 基於該經計算之位置識別該預期使用者高度資料庫的 138746.doc 201000940 該所儲存亡至少-預定部分中之一第二選定區域；及 重新計算該行動台之該位置及不確定性。一 23. 如請求項20之方法，其中該識別一第一選 包含：識別該地形資料庫之該至少一所儲存二5之步驟 中之-最小選定區域。 斤储存的預定部分 24. —種電腦程式產品，其包含： 電腦可讀媒體，其包含： 用於使得計算一行動台之一置 式碼包含： 程式碼，该電腦程 用於使得將-預期使用者高度資料庫之至少 分儲存於該行動台中的程式碼； 疋4 用於使得提供一全球高程估計之程式碼； 用於使得基於該全球高程估計及至少 統衛星而估計該行動台之-初始位置及— ： = : 碼；
用於使得基於該所估計之初始位置而識別該預期使用 者高度資料庫之該至少一所儲存之預定部分中的—第一 選定區域之程式碼； 至少一設定行動台 用於使得基於該所估計之速度提供 位階的程式碼； 用於使得自該資料庫中之該第一選定區域及該至少一 設定行動台位階決定-高度及高度不確定性的程式碼；及 用於使得計算該行動台之該位置之程式碼。 25.如請求項24之電腦程式產品，其中針對一第一設定行動 138746.doc 201000940 台位階之該所估計的速度包含一零垂直速度。 26.如請求項24之電腦程式產品，其進一步包含： 用者高度 二選定區 重新計算 用於使得基於該經計算之位置識別該預期使 資料庫之該所儲存的至少一預定部分中之—第 域的程式碼；及 用於引起該行動台之該位置及不確定性之— 的程式瑪。 138746.doc 201000939 成之線就是雙曲線。一對雙曲線之交叉點決定一物件之位置。該物件之位 置決疋於一對基地台之距離差(TDOA)。現代化後的LORAN系統採用GPS 之優點，或是將全部基地台都使用同步之原子鐘，而不必使用主一從 (master-slave)基地台的關係。 使用極低頻(veiy low frequency，VLF)訊號之OMEGA系統也被運用於 長程定位’其頻帶介於11至15 KHz，使用長波遠距播送。不同於l〇ran 系統，OMEGA系統運用兩個連續波形訊號之相位差決定位置。然而， OMEGA系統仍有位置精確性不足(偏差四海淫)的問題，這是因為如下理 由.1)遠距播送的波在歷經多個週期(cycle)造成之相位偏差。2)因電離層發 生多途徑(Path)的特性。3)平流層(strat〇phere)、海洋或陸地所反射之訊號會 干擾直線波。4)相隔遙遠之基地台所發生同步時差。 近來，E-911緊急援救專案開啟對於目標定位系統的新需求。美國聯 邦通訊委員會(Federal Communication Commission，FCC)規定行動電話業者 應提供大略位置之資訊給911呼救之執法單位。由於行動電話轉播塔的結 構，更便於定位系統建立在現有轉播台之基礎結構。轉播台之時間同步可 以由订動電話公司經由網絡或GPS進行。全球行動通訊***⑼遍 如^^❿胃咖咖沾⑽’防州行動電話採用到達時間叩八卜到達角度 (Angle-Of-Arrival , A〇A) '增強測量時間差 @nh_dObServed_Time_Difiference ’ E_OTD)、以及辅助全球衛星定位 (A-GPS)等專。分碼多工擷取(c〇de Divisi〇n編如&八⑶⑽，⑺遍)行動電
Jt^^(Advanced-Forward-Link-Triangulation » A FLT)之技術。分日守多工掏取(Time Divisi〇n施姐咖⑽s，TDMA)行動
Claims (1)
- 201000939 【發明内容】 有鐘於此’本發明的目的是提供一種運用廣播調頻訊號進行定位地理 位置之方法與系統。一實施例係接收FM立體聲訊號以及運用訊號之相位 差決定地理位置。由一個以上之接收器接收從三個？]^電台發出iFM立體 聲訊號’而每一立體聲訊號包括剛^腿的導引頻率；再由FM解調之導 引頻率的相位差決定每一接收器之地理位置。 為讓本發明之上述内容能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合 所附圖式，作詳細說明如下： 【實施方式】 本發明提供一運用廣播調頻(FreqUency M〇duiati〇n，FM)訊號進行尋位 (locating)、疋位(posltlonmg)之方法與系統。一實施例係關於運用廣播 合成訊號之多工導引頻率進行尋位與定位。廣播FM訊號可以包括商業用 廣播FM無線電訊號。權訊號之她，即導引頻率之相位係用於定位。因 此’現有之商用廣播FM訊號能夠用於尋位、定位與導航，其應用層面廣 泛’甚至還可以應用於室内。 在一實施例中’利用三個以上之FM立體聲電台之訊號，即現有之舰 廣播訊號。在下列實施例中，只用三座電台說明，但本發明之原、理可推廣 到更多練電台來定位。_«電細平均值可赌出更高的精準度。 例如使用四座電台，4C3 = 4，可以得到4蚊位。如果 5座電台，A = 201000939 因為FM電台之間，其導引頻率的相位並未同步化，所以用於導航定 位之前，需先用已知位置的參考台(reference stati〇n，以下簡稱rs)測量三座 FM電台之間的原始相位差。其後，諸多移動單元(咖此㈣，以下簡稱 MU)利用參考台之資訊，計算每一移動單元與參考台(或基地台)或者刚電 台之相對位置。 到參考站之實際相位差可以透過每一座FM電台距離參考台之實際距 離算出。藉_量她差減去實際她差，可以算出原始電台之相位差。 -旦得知原始電台之她差’將祕單元爾之相位差減去原始電台相位 差，可以推算出鶴單元之實際相位差，制該實際她差決定該移動單 元之位置。 第3圖繪示三座FM電台S1、S2、S3的導引頻率32之間的相位關係 3〇。電台S2相對於電台S1的相位為遲延(相位差為正值），電台幻相對於 電台si的相位為超前(相位差為負值）。因此，原始相位差可被界定在 度至180度之間。以19KHz導引辭鱗，原始相位錄夠分稱換成時 間範圍±26.32gS或距離範圍±7894 74公尺。以下說明提及的距離是做為相 位測量之用。 從固定參考台(reference迦ion，以下簡稱RS)或基地台(basestati〇n， 以下簡稱BS)至FM電台之距離已知，可以算出實際相位差(如同將FM電 201000939 本發明能_祕物減，包括B_MU數百公尺朗之園區定位 或室内定位。例如，本發明實補之室内尋料观齡醫院·，BS可 用來定位病患、醫療幹部或高價值翻；或者汽車商使細定位配有圖 之車輛或監視在鄰近街道之試駕等。表丨列出應賊例如下： 表1 ·應用範例 應用領域 效果 室内與園區定位 南精準度 GPS航位推算 高精準度 E-911之應用 精準 行動定位服務 精準 資產追蹤與派遣 精準 汽車防盜追蹤 需多參考站以維持精準度 大區域定位 需較多參考站以維持精準度 在此舉-實施例說明園區/室内定位系統。第6圖係本發明實施例之移 動單元(MU)60之功能方塊圖。MU 60包括天線61、FM立體接收器62、具 有高速計時器(timer)與運算放大器(operational amplifier)功能之微控制器 (microcontroller)64，以及地區性射頻(radio frequency，即)收發器 66(Rp 收 發器可用一 FMRDS收發器）。該高速計時器用來精確測量相位，而運算放 大|§將訊1號之正弦波轉換成方形波’以供相位邊緣偵測之用。 14 201000939 準度。另外’通常Adu、Δφ3數值很小，並會隨著mu與BS(0,0；)之間距離 增加而增加。在算出每一方格點相對於BS或RS之雙重相位差△山2, △山3之 後’將該值儲存於記憶體内，以供後來室内或園區定位之用。為了定出My 之位置’ f先以公式⑹依據队12_心12)、（5mi3U算出紙12、礼13，再 依本說明所述方法獲得MU之(x，y)座標。 就室内尋位系統而言，MU不須具備地圖或知道其自身位置。但是有些 應用之中，MU可能需要地圖或知道其自身位置。此時，前述之數位地圖可 以從BS下載至顧，或者BS也可以算出應位置，並於每一次位置定位 後’下載至MU。MU包括共用介面，以便從附近之BS或RS取得資訊/服 務。第7B圖係本發明之另一園區地圖75。此外，如第7C目中之園區地圖 77所不，當所在的區域内有強化水泥建築物或配備金屬架構之建築物時， 發自廣播電台S卜S2、S3之FM訊號可使用中繼器(repeater)78，使訊號穿 牆至室内之BS與MU。此時，導航中繼器78之附加相位差為—也， 1513(11-43。新乂12與％’13修正為乂’12 = 112 + 512與乂，13 =如 + §13。經修正 後，根據三個中繼器78所在之方格點上進行雙曲線三角測量。 其他在強化水泥建築物内部之實施例也能夠用第7C圖所示之地圖加 以說明。該實施例使用三個以上位於中繼器78之低功率m收發器來取代 FM訊號。典型低功率FM收發器之運作頻帶係屬無需執照(亦即，不需政 府之使職照)之FM神頻帶，這些FM功率頻帶是符合美國聯邦通訊委 員會(US· Federai Communication C_ission，FCC)第 15 號規則的規定 17
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/438,711 US7569896B2 (en) | 2006-05-22 | 2006-05-22 | Transistors with stressed channels |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200744156A TW200744156A (en) | 2007-12-01 |
| TWI320961B true TWI320961B (en) | 2010-02-21 |
Family
ID=38711239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW095137342A TWI320961B (en) | 2006-05-22 | 2006-10-11 | Semiconductor structure, semiconductor device and the method for fabricating thereof |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7569896B2 (zh) |
| CN (1) | CN100477269C (zh) |
| TW (1) | TWI320961B (zh) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7442619B2 (en) * | 2006-05-18 | 2008-10-28 | International Business Machines Corporation | Method of forming substantially L-shaped silicide contact for a semiconductor device |
| US8354718B2 (en) * | 2007-05-22 | 2013-01-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device including an arrangement for suppressing short channel effects |
| US7932542B2 (en) * | 2007-09-24 | 2011-04-26 | Infineon Technologies Ag | Method of fabricating an integrated circuit with stress enhancement |
| DE102008011814B4 (de) * | 2008-02-29 | 2012-04-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | CMOS-Bauelement mit vergrabener isolierender Schicht und verformten Kanalgebieten sowie Verfahren zum Herstellen derselben |
| JP5668277B2 (ja) * | 2009-06-12 | 2015-02-12 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
| US9076817B2 (en) * | 2011-08-04 | 2015-07-07 | International Business Machines Corporation | Epitaxial extension CMOS transistor |
| CN102956490B (zh) * | 2011-08-23 | 2015-11-25 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体器件及其制作方法 |
| US9847225B2 (en) * | 2011-11-15 | 2017-12-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US8629512B2 (en) * | 2012-03-28 | 2014-01-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Gate stack of fin field effect transistor with slanted sidewalls |
| CN105702582A (zh) * | 2014-11-27 | 2016-06-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 晶体管的形成方法 |
| KR102246880B1 (ko) | 2015-02-10 | 2021-04-30 | 삼성전자 주식회사 | 집적회로 소자 및 그 제조 방법 |
| CN108695161B (zh) * | 2017-04-07 | 2021-06-08 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体器件及其形成方法 |
| JP2021197474A (ja) * | 2020-06-16 | 2021-12-27 | 株式会社村田製作所 | 半導体装置 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4788160A (en) * | 1987-03-31 | 1988-11-29 | Texas Instruments Incorporated | Process for formation of shallow silicided junctions |
| EP0637074A3 (en) * | 1993-07-30 | 1995-06-21 | Sgs Thomson Microelectronics | Process for the production of active and isolated areas by split imaging. |
| US5516711A (en) * | 1994-12-16 | 1996-05-14 | Mosel Vitelic, Inc. | Method for forming LDD CMOS with oblique implantation |
| US5747373A (en) * | 1996-09-24 | 1998-05-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Nitride-oxide sidewall spacer for salicide formation |
| KR100344818B1 (ko) * | 1997-09-24 | 2002-11-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자및그의제조방법 |
| KR100302187B1 (ko) * | 1997-10-08 | 2001-11-22 | 윤종용 | 반도체장치제조방법 |
| US6329257B1 (en) * | 1997-12-19 | 2001-12-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for laterally peaked source doping profiles for better erase control in flash memory devices |
| US5972762A (en) * | 1998-01-05 | 1999-10-26 | Texas Instruments--Acer Incorporated | Method of forming mosfets with recessed self-aligned silicide gradual S/D junction |
| KR100298438B1 (ko) * | 1998-01-26 | 2001-08-07 | 김영환 | 박막트랜지스터및이의제조방법 |
| US6165880A (en) * | 1998-06-15 | 2000-12-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Double spacer technology for making self-aligned contacts (SAC) on semiconductor integrated circuits |
| US6368926B1 (en) * | 2000-03-13 | 2002-04-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of forming a semiconductor device with source/drain regions having a deep vertical junction |
| US6870178B2 (en) * | 2001-02-28 | 2005-03-22 | Levon V. Asryan | Semiconductor laser with reduced temperature sensitivity |
| JP2003100769A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-04 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP4029595B2 (ja) * | 2001-10-15 | 2008-01-09 | 株式会社デンソー | ＳｉＣ半導体装置の製造方法 |
| US6747373B1 (en) * | 2001-12-26 | 2004-06-08 | Abb Technology Ag | System and method for coordinated control of a switched power capacitor with an integrated resonance protection system |
| US6498067B1 (en) * | 2002-05-02 | 2002-12-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Integrated approach for controlling top dielectric loss during spacer etching |
| US6642122B1 (en) * | 2002-09-26 | 2003-11-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Dual laser anneal for graded halo profile |
| JP2004127957A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法と半導体装置 |
| US6870179B2 (en) | 2003-03-31 | 2005-03-22 | Intel Corporation | Increasing stress-enhanced drive current in a MOS transistor |
| US6911376B2 (en) * | 2003-10-01 | 2005-06-28 | Wafermasters | Selective heating using flash anneal |
| US7361973B2 (en) * | 2004-05-21 | 2008-04-22 | International Business Machines Corporation | Embedded stressed nitride liners for CMOS performance improvement |
| KR100639971B1 (ko) * | 2004-12-17 | 2006-11-01 | 한국전자통신연구원 | 리세스된 소스/드레인 구조를 갖는 초박막의 에스오아이모스 트랜지스터 및 그 제조방법 |
| JP4515305B2 (ja) * | 2005-03-29 | 2010-07-28 | 富士通セミコンダクター株式会社 | ｐチャネルＭＯＳトランジスタおよびその製造方法、半導体集積回路装置の製造方法 |
| US7696537B2 (en) * | 2005-04-18 | 2010-04-13 | Toshiba America Electronic Components, Inc. | Step-embedded SiGe structure for PFET mobility enhancement |
| US7253481B2 (en) * | 2005-07-14 | 2007-08-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | High performance MOS device with graded silicide |
-
2006
- 2006-05-22 US US11/438,711 patent/US7569896B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-10-11 TW TW095137342A patent/TWI320961B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-11-07 CN CNB2006101380696A patent/CN100477269C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7569896B2 (en) | 2009-08-04 |
| CN100477269C (zh) | 2009-04-08 |
| CN101079443A (zh) | 2007-11-28 |
| US20070267694A1 (en) | 2007-11-22 |
| TW200744156A (en) | 2007-12-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI320961B (en) | Semiconductor structure, semiconductor device and the method for fabricating thereof | |
| Maghdid et al. | Seamless outdoors-indoors localization solutions on smartphones: Implementation and challenges | |
| JP5775449B2 (ja) | 最良のｗｌａｎ−ｐｓ導出解を選択することによるハイブリッド衛星／ｗｌａｎ測位システムを使用した位置を決定する方法及びシステム | |
| CN104837118B (zh) | 一种基于WiFi和BLUETOOTH的室内融合定位***及方法 | |
| CN103154764B (zh) | 使用参考点对齐位置信息对设备进行定位 | |
| US8682354B2 (en) | Method and apparatus for positioning mobile terminal's location | |
| US20020183069A1 (en) | Method and system for mobile station positioning in cellular communication networks | |
| EP2422213B1 (en) | A method of improved positioning | |
| EP1669774A1 (en) | AGPS system using NTP server and method for determining the location of a terminal using a NTP server | |
| US20100295943A1 (en) | Real-time rfid positioning system and method, repeater installation method therefor, position confirmation service system using the same | |
| JP2010169688A (ja) | 無線通信信号による衛星位置決めの強化 | |
| JP2001512240A (ja) | ハイブリッド手法を用いた移動電話位置測定のためのシステムと方法 | |
| US11486959B2 (en) | Scaled TDOA 3D positioning | |
| CN101594389A (zh) | 一种实时定位信息互动*** | |
| CN102202392A (zh) | 辅助gps定位*** | |
| US20180279251A1 (en) | Fingerprint Positioning For Mobile Terminals | |
| US20120280858A1 (en) | Method and System for Enhancing a Location Server Reference Database Through Round-Trip Time (RTT) Measurements | |
| Liu et al. | Research and development of indoor positioning | |
| CN106292264A (zh) | 一种基于gnss高精度增强***的广域精密授时*** | |
| JP2003339070A (ja) | 位置検出システムおよび携帯端末およびサーバ | |
| CN115767415A (zh) | 发送与接收信息的方法及通信装置 | |
| US11480646B2 (en) | Signaling of scaled 3D position information | |
| Wang et al. | Recent progress on 3GPP 5G positioning | |
| Takenga et al. | A low-cost fingerprint positioning system in cellular networks | |
| CN110519693B (zh) | 一种面向智能移动终端的融合定位方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |