TWI320844B - Heat-transfer sheet, radiator, and method of using heat-transfer sheet - Google Patents
Heat-transfer sheet, radiator, and method of using heat-transfer sheet Download PDFInfo
- Publication number
- TWI320844B TWI320844B TW095108723A TW95108723A TWI320844B TW I320844 B TWI320844 B TW I320844B TW 095108723 A TW095108723 A TW 095108723A TW 95108723 A TW95108723 A TW 95108723A TW I320844 B TWI320844 B TW I320844B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- heat
- sheet
- heat sink
- bulk density
- generating body
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/20—Graphite
- C01B32/21—After-treatment
- C01B32/22—Intercalation
- C01B32/225—Expansion; Exfoliation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73253—Bump and layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Geology (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Paper (AREA)
- Fixing For Electrophotography (AREA)
Description
九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種熱傳導片,在要對使用於電腦的CPU等的 發熱體進行冷卻時,會使用熱沉等的散熱體。但是當發熱體與散 熱體之間的密合度不佳時,在兩者間熱傳導會變差,也會導致冷 卻效率的降低。為了要避免此種冷卻效率的減低,因此&置了4 片,其不但具有熱傳導性,更可提高在發熱體與散熱體兩者 密合度。 本發明即係關於此種夾在發熱體與熱沉等的散熱體之間所使 用的熱傳導片及其使用方法,以及具備此種熱傳導片的散埶構
It ° * ' 【先前技術】 就夾在發熱體與熱沉之間而使用的板片而言,習知技術係使 用石墨片。此石墨片係配置在發熱體與熱沉之間,並且安裝成由 發熱體與熱沉兩者夾持住並加壓的狀態。如此一來,存在於發熱 體與熱沉表面的凹凸就會被石墨片所嵌入,從而可使在發熱體g 石墨片之間,以及在石墨片與熱沉之間就沒有空隙,因此可減少 在接觸部分的熱阻抗,提昇冷卻效率。 藉由發熱體與熱沉而夾持住石墨片之力(的大小),係根據將 熱沉女裝於發熱體的力(的大小)而定。因為,如果對cpu加以 較大的應力的話,則由於内部晶片會變形,所以將熱沉安裝在發 熱體的力往往較低。習知技術約使用5Mpa左右的力,不過有時& 會降低到2MPa左右。而如果將熱沉安裝在發熱體的力減低的話, 存在於在發熱體或熱沉表面的凹凸就會無法充分地嵌入石墨片的 表面,因此就會產生在發熱體及熱沉兩者與石墨片之間留有許多 空隙的狀態下被安裝,導致熱阻抗增大,產生冷卻效率減低的問 題0 為了要解決此種問題’因此有人開發出一種熱傳導性板片(請 1320844 參考專利文件1),其具有:在常溫下為液態且在使用溫度範圍中 不會有相變的物質;以及石墨片。在此熱傳導性板片中,由於存 在於石墨片中的液體可自由移動,因此即使在安裝時的加壓力 小,仍然可在細微的凹凸處配置石墨片。而在5〜1〇〇/zm這種相 對比較大的凹陷部分,可以儲存以加壓力移動的液體。而且由於 可避免在熱傳導性板片與發熱體,以及熱沉之間形成空隙,因此 可藉由將熱阻抗抑制在最小程度的方式,而得到良好的熱傳導之 效果。 然而,在該熱傳導性板片中,由於在石墨片中存在有液體物 質’因此會妨礙將板片夾持在該發熱體與該熱沉之間時的壓縮 性,換句話說,也就是會妨礙石墨片與發熱體之間的密合度的提 昇’因此就無法降低該熱傳導性板片的熱阻抗。 而且,在將石墨片以液態物質予以浸泡的製程中,因為會留 下多餘的部分,因此導致生產效率差,並使成本提高。此外,也 會產生由於液態物質的惡化,以及液態物質會從石墨片釋放 來’使四周環境受到污染的問題。 【專利文件1】日本特開2004 —363432號 【發明内容】 發明所欲蟀法夕—韻 本,明^健社述航,其目的在於提供—斷使安 力v ’亦可提向鱗在發紐與賴體之間㈣合产 ^ 複利用的熱傳導片及其使用方法,以及且備^而且可重 構造體。 π H此絲傳導片的散熱 解決課題之丰段 之間本^ 1. OMg/m3。 寸彳又隹於體積密度小於 本申請案之第二發明的熱傳導片,其特徵係在於第一發明 _以上,:以4在:壓力進行加壓壓縮時’壓縮率在 將該體,係安裝於發熱體’用以 發熱體之間的板ΐ所及配置在該散熱體與該 項之熱傳導片。轉&該板片係申請專利範圍第1項或第2 ,.ίΓι ^ 1 料之使用方去’其特徵在於將體積密度小於 卢方向所始1傳¥片’配置於發熱體與散熱體之間,且係在從厚 又三^ 加之加壓力在2. 0Mpa以下的條件時使用。 本=案之第五發明的熱料片之使用方法,係在第四 二2脹石墨為材質的熱傳導片之使用方法 ^ ==》fg/m3以下的熱傳導片配置於發熱體與散熱 且係在1厚度方向所施加之加壓力在15MPa以下的條件時使用。 此外,在本發明中,所謂的散熱體,並非限於僅指藉由輻射、 對、以及熱料等方式,對氣體或雜、其他的構件等,釋放 或供應熱傳導片上的熱的功能者,更包括具備吸收熱傳導片的熱 之吸熱功能者,以及同時具備散熱功能與吸熱功能者皆屬之。 發明之效旲 根據第一發明,由於體積密度低,因此將其夾持在發熱體與 散熱體之間加壓的話,即使加壓力小亦可使其輕鬆地被壓縮,而 提高與兩者間的密合度。因此,因為可縮小從發熱體到散熱體的 熱阻抗,所以具有提高冷卻發熱體的效果。 根據第二發明’由於具有優秀的壓縮恢復特性,因此即使使 用複數次’仍然能夠將體積密度保持在預定的密度以下,從而能 夠確保與發熱體或散熱體之間的密合度。因此,就算使用複數次, 仍然能夠使熱阻抗保持在低的水準,因而可提高其重複利用性。 由於可以重複利用,因此本發明的熱傳導片對於節省能源亦有貢 獻0 1320844 根據第三發明,由於板片的體積密度低,因此如果將板片夹 持在發熱體與散熱體之間並且加壓的話,即使加壓力小亦可使其 輕易地被壓縮,而提南與兩者間的密合度。因此,因為可縮小從 發熱體到散熱體的熱阻抗,所以具有提高冷卻發熱體的效果。 根據第四發明,由於即使使用複數次,仍可將熱傳導片的體 積#度保持在預定的密度以下,從而能夠確保與發執體或散轨體 之間的密合度。· ’就算使用複數次,仍絲^熱傳^的 熱阻抗保持在低的水準,因而可提高其重複利用性。而且由於可 以大幅度地降低以發熱體與散熱體夾持熱傳導片的力,換句話 說,也就是施加於發熱體的力,比習知技術所需的力更小,故可 抑制對於發熱體所施加的應力之負荷,從而抑制發熱體的損傷。 根據第五發明,可在維持重複利用性的同時,使熱導 發熱體及散熱體之間的密合度更高。 ”' 〃 其次,參照圖式詳細說明依據本發明的較佳實施形態。 本發明之熱傳導片係使用於用以冷卻電腦的⑽或行動電話 的基板,DVD錄放影機或伺服器等的發熱體。其特_於本發明之 熱傳導片係配置於發熱體與熱沉或風扇等的散熱體之間,而x且, 在由發熱體與散熱體予以鱗加_狀態下使用時,敎阻抗 小。也就是說,可使熱傳導性提高。 欠
一此外,所謂的熱阻抗,係指自發熱體接受熱的供應的構 以發熱體的發熱量除以分離的兩關溫度差而得之值。例 (B)中,係5亥當於將b點的溫度減去a點的溫度所得之 θ =發熱體的發熱量,去除以Α點與㈣兩者的溫度差之後所^ 本發明之熱傳導片’係將天然石墨與凝析石墨等, ^或罐酸等的液體之後,再以棚。c以上進行熱處 ^ 小於ii/ί 其厚度為05〜5. d咖,體積密度 膨脹石墨可以是毛蟲狀或是纖維狀,也就是說,其軸方向的 8 1320844 ms向的長度更長。例如,使軸方向的長度為i咖左 ΐ二ΐΐ向的長度為3師m左右。因此’在本發明的熱傳導 °上所述膨脹石墨彼此之間係相互纏附的。 亦可發明之熱傳導片’可如上述僅以膨脹石墨形成’但 成分等的⑽大概5%左右)酚(細。ι)樹脂或橡膠 法,二s述以膨脹石墨形成本發明之熱傳導片的方 前述’由賴石墨所形成的膨脹石墨片,隨著體 方向的熱傳導率會上升,同時會使柔軟性降 用决你发道1 服石墨片會根據其用途而調整體積密度。一般而言, 以,導熱片而使用的物質’都重視熱傳導性,而以使體積密 言在h 3Mg/m3以上)的方式構成。相對的,要作 ίϊίίΐ,,或電磁波的阻隔材質而使用者,必須要採取 積讀較低(例如在l.GMg/m3町)的方式構成。 而t本ϊΐϊί傳導片,重視其柔軟性更甚於其熱傳導性。一般 。糸用來作為隔熱材料或電磁波的遮蔽材質而使用。且特徵 度小於^g/m3的膨脹石墨片。^,雖然體積 m2 m以上的知脹石墨片其柔軟性減低,發埶體愈散埶 fol,密合Γ變差’但是如同後文所述,齡以在、 尤方式’可使發熱體與散熱體之間的密合度提高。 尤八疋較佳的情狀使體積密度在G 9Mg/m3町,其理由後述。 【實施方式】 其次,說明本發明之熱傳導片的使用方法。 翻圖係顯Γ本發明之熱傳導片1的制狀態—例之圖⑽ ,顯不在貫把例中進行溫度測定的位置之圖。在圖 ΐ'代ίίΓ 的發熱體,符號2則係表示作為散J的孰 ,儿,付唬F係代表安裝於熱沉2的散熱風扇。 9 44 祕圖!/斤示/本發明之熱傳導片1,係配置成被夾持於 卜儿2之間的狀態。因此,藉由夾頭等的固定構件s, 固定於發熱體H的話,熱傳導片1會成為處於被夾持於 發熱體ίί與熱沉2之間的狀態下被加壓。 、 發明之熱傳導片1,其體積密度小於丨.G_3,在藉由 1在Ϊ發熱體H與熱沉2夾持的狀態下加_方錢 j縮,如此-來’熱傳導片丨的厚度就會變薄,崎著 傳導片1與發熱則以及熱沉2之間的密合度就會提昇又。 石墨'就會侵入存在於發熱體嶋面ί 發熱體Η與熱傳導片1之間的熱阻抗,以及熱 〜、、、'儿2之間的熱阻抗兩者觸小。而且,由於孰傳導 么在^積密^小於h 0Mg/m3,而且在厚度方向的熱傳導率可轉 ,可使從發熱體H到熱沉2為止的熱阻抗 卻發熱體/的ϋ ,可藉由熱傳導片1與熱沉2,提昇冷 200wf厂士由於熱傳導片1在面方向的熱傳導率為50〜 導片厚度方向的熱傳導率更大,目此,可使孰傳 =1在面方向的溫度分布保持大致上均等。從而可避‘值 導片1與發熱體Η、熱沉2上形成熱點(heat sp〇t)。,'、、、 沉2 Ϊΐΐ: 1由於熱傳導片1僅配置成被夾持在_體H與埶 」之間的狀_ ’因此,當需要更換熱傳導 : 程序更為簡易,提昇作業效率。 η ^㈠更更換的 的狀夠將熱傳導片1夾持在發熱體Η與熱沉2之間 μ 黏劑4將熱傳導片1黏貼在熱沉2上。 U…傳導片1與熱沉2,即為在申請專利範圍中所提及之 1320844 散熱構造體。另外,將散熱構造體安裝於發熱體Η的具體順序如 下: '
首先,將熱傳導片1放置於發熱體Η上,再在此熱傳導片i 之上放置熱沉2。然後,在設置有發熱體Η的構件,例如如果是 CPU的話,就以基板與固定構件S,將發熱體Η、熱傳導片卜熱 沉2夹持固定’即可將散熱構造體安裝於發熱體{^ … 另一方面,如果要提高散熱構造體的散熱效率的話,可在熱 沉2的上方安裝散熱風扇f即可。亦可藉由熱傳導片1、熱沉2''、 以及散熱風扇F構成散熱構造體。 此外,亦可使用只有散熱功能的元件,例如散熱風扇F等, 以代替熱沉2等同時具備散熱功能與吸熱功能兩者之元件。此外, 亦可將如同水冷卻套(jacket)等,僅具有吸熱功能者,與熱傳導 片1相組合,作為散熱構造體。 此外,如果將熱傳導片1調整成從厚度方向以34 3MPa的加 壓力首次對其加壓壓縮時,壓縮率在5〇%以上,且復原率在5% 以上的話,則即使進行複數次加壓壓縮,在去除壓力之後,體積 密度仍可保持在小於L 0Mg/m3的狀態。如此一來,即使使用了複 數次’當熱傳導片1被夾持在發熱體11與熱沉2之間的狀態下進 行加壓時,由於可確保發熱體H與熱沉2之間的密合度高了因此 即使使用數次’健可雜熱阻抗小,提昇其重複利用性。 & ίί是從厚度方向以34.3Mpa的加壓力首次對其加壓壓縮 目成壓縮率在55%以上,且復原率在6%以上的話, 二以Λ確實ί也在去除壓力之後’使體積密度保持在小於 dll狀悲、。例如保持在〇.9 Mg/m3的狀態。因此,可提昇其 重複利用率。 對宜加熱傳導片1從厚度方向以34.驗的加㈣首次 熱^導ΐ果壓縮率不滿5〇%的話,則其與發熱體1^ 砂㈣ai的密合度較差,因此並不適當。此外,當復原率 ’ ° 4 ’則由於再利用的時候無法確保發熱體{1及熱沉2 丄:5ZU844 之間的密合度高,g]此無法_重複,因次亦不適當。 〜此外,即使熱傳導片1的體積密度小於1. OMg/m3,如果藉由 固定構件S將熱沉2固定在發熱體η時,.施加於熱傳導片1的壓 =過大的話,巧在去除壓力之後,熱傳導片丨的體積密度可能會 變成在1. OMg/m3以上。而如果施加於熱傳導片1的壓力超過2. 〇MPa 的話,則施加於夾持熱傳導片i的發熱體H的應力負荷會增大, 同時並使熱傳導片1的重複利用性減低。 ,此’如果對熱傳導片1施加的壓力在2. OMPa以下,更佳的 情況是在1.5 MPa以下,將熱沉2.固定在發熱體η時,可在去除 壓力之後’使熱傳導片1的體積密度保持在小M1〇Mg/m3的狀態。 因此,可提昇熱傳導片1的重複利用性,並抑制發熱體{1受損的 情況。 、 然後,使用體積密度在〇. 9Mg/m3以下的熱傳導片1,且對熱 傳導片1所施加的壓力在1. 5 MPa以下,將熱沉2固定在發熱體H ,二在去除壓力之後,可使體積密度維持在〇· 9Mg/m3以下的^態, 提高熱傳導片1與發熱體Η以及熱沉2之間的密合度,且維持其 復原的效率。因此,可在維持熱傳導片丨的重複利用性的同時了 更加提高熱傳導片1與發熱體Η以及熱沉2之間的密合度,降低 熱阻抗。 尤其是在以固定構件S將熱沉2固定在發熱體η,使用體積密 度在0. 8Mg/m3以下的熱傳導片1,且對熱傳導片丨所施加的壓力 在1.0 MPa以下時,在去除壓力之後,可使體積密度保持在 0.8Mg/m3以下的狀態,並更為提高熱傳導片}與發熱體H以及熱 沉2之間的密合度,降低熱阻抗,且維持復原性能。 … 另外,如果對熱傳導片1施以處理,使其所含的硫磺或是鐵 質專的雜質的總1在lOppm以下,尤其是硫續在ippm以下的話, 即可更加有效地避免安裝在熱傳導片1的構件或裝置的惡化。° 除此之外,亦可在熱傳導片1與發熱體η之間,或熱^專導片i 與熱沉2之間,或者是在熱傳導片1與發熱體H及熱沉^之間, 12 苯二甲酸乙二醇(P〇lyethylene恤咖㈣你 安裝。如此一來’即可防止從熱傳導片1脫離 的膨脹石墨4,飛散到熱傳導片丨的四周。在此種情況下 =脂膜片,。在厚度方向的熱傳導率與熱傳導片丨大概相同,只 有疋具備1GG°C左右糾熱性者即可,並無制的限制。 實施例1 在此測試當對本發明之熱傳導片,從厚度方向以34•着a的 加麗力進行加麼屢縮時的壓縮率及復原率。 此測試的方式録厚度為巾,_認當體 密度^別被設為(U、〇. 5、0. 8、h 〇h 2、L 5、h 8 Mg/m3時、, 體,密f與壓縮率、復原率之間賴係。魏率細相對於加壓 ,縮之前的厚度,在加壓壓縮進行中的厚度的比例進行評價。而 復原率係以相對於加顏縮之前的厚度,以及在加壓壓縮後除去 加壓力之情況下的厚度’兩者的比例進行評價。 如圖2(A)所不,隨著體積密度變大,可確認壓縮率降低而復 原率提高。 在確§忍壓縮率與復原率之間的關係之後,整體而言,可確認 壓縮率愈大的話’復原率會降低,而當壓縮率超過_以上的話, 則復原率的^btb率就會減小。尤其是當魏率介於55%〜75% 之間時’無4·壓料的大小如何,復原率幾乎娜持在固定的狀 態。 因此,使熱傳導片之壓縮率保持在5〇%以上,尤其是介於55 %〜75%之間,的體積密度,也就是說,假如熱傳導片的體積密 度比1.0 Mg/m3更小時(請參照圖2(A)),即可在保持高壓縮率的 同時,使復原率保持在一定的範圍之内。 實施例2 ^為了要確認本發明之熱傳導片之熱傳導性與加壓力之間的關 係’於將本發明之熱傳導片夹持於cpu(lntel公司製造之Celer〇n 13 1320844
Processor 2GHz)與熱沉(lntel公司製造之^ !呂製)之間的狀態下’使CPU所進行的資訊處理 在固定的情況下運作,然後測量此時CPU的 盘 如圖1(B)所示,在距離20 _位置測量cpu 的溫度。用於測量的熱傳導片,其體積密度分別為Q Μ 5了〇、、^ 1. OMg/m3,厚度為0. 5 min。在各個體積密度的熱中施 的加壓力(對cpu安裝熱沉的壓力)分別為〇卜〇 5.0MPa,並測量其溫度差。 . ·υ &υ、
另外’當㈤度差愈小的話’就代表熱傳導片的 好,換句話說,也就是意味著其熱阻抗愈小;而2 話,就代表熱傳導片的熱料性就愈差,換句話說,也就^意二 著其熱阻抗愈大。 如圖(3)所示’無論在哪個體積密度,都出現了當加壓 大’溫度差就隨之縮小的傾向。此外,亦可確認在特定的加壓力 以上時’溫度差即大致轉棚定。也就是說,可確認在溫度差 大致固定的加壓力以上,即使提高加壓力的話,也無法使溫度差 變小。 此外,在溫度差大致固定時,加壓力會隨著體積密度減小而 變低,如果在2. GMPa以上的話,可確認在所有的_密度中,溫 度差都大致固定。 此外,^體積谂度在0. 8Mg/m3以下時,如果將加壓力設定在 1. OMPa以上,尤其是1. 5MPa以上的話,可使所有的溫度差都大致 固定。 實施例3 在使加壓力維持固定的情況下,確認本發明之熱傳導片的體 積密度與熱傳導性之間的關係。熱傳導性的評價,係在距離2〇咖 的位置測量cpu内部溫度與熱沉的溫度(請參照圖1(B))。與實施 例2相同,藉由其溫度差進行測量。 、 14 熱沉之間,對敎傳導片^加度的熱傳導片,夾持在cpu與
Mg/m3 時的溫度财 U、0·5'0·8、1』、1·2、1.8、2.0 卜斗如ίί iAi所示’我們可以確認當即使熱傳導片的體積密度 在體積密度上升職8_3之前為止,溫度差並不會 -产iί ΐ J2:而當體積密度從〇. 8Mg/m3上升到1. 〇Mg/m3時, 1犬”、、'產生大幅度的變化。也就是說,將加壓力設定為 1. OMPa左右,體積密度在〇. 8M /m3 3 效率會產生激烈_化。 除此之=,我們可以預測,如果與實施例2的結果相比較之 下如果加壓力從1· 〇MPa開始減小時,該熱傳導的效率會產生激 烈的變化,體積密度也會減少。另—方面,即使當加壓力從i嶋 開始增大,該熱傳導的效率會產生激烈的變化,但是體積密度並 不會有太大的變化。 實施例4 在使加壓力為一定的情況下,可確認本發明的熱傳導片之體 積密度與熱傳導性之間的關係,是否會隨著加壓的次數而改變。 熱傳V性的δ平估,係在距離20麵之處,測定CPU的内部溫度以及 在熱沉中的溫度(請參照圖1(B)),而與實施例2相同,根據其溫 度差加以評價。 就測定的方式而言’係將厚度〇· 5咖,體積密度分別為〇. 1、 〇· 5、0. 8、1. OMg/m3的熱傳導片,夾持在CPU與熱沉之間,然後 再將其取下。重複這個過程四次,測定每次的溫度差。 如圖4(B)所示,在此可確認無論體積密度為何,溫度差每次 都顯示出幾乎相同的值。也就是說’我們可確認熱傳導片的熱傳 導性’會受到最先安裝於CPU與熱沉之間之前的體積密度,以及 安裝於CPU與熱沉之間時的加壓力而受到影響。 產業上利用性 15 丄: 【圖式簡單說明】 - ^ - 1(^)係顯不本發明之熱傳導片1的使用狀態一例之圖;(B) . 係顯示在實施例中進行溫度測定的位置之圖。 圖2(A)係顯示在本發明之熱傳導片中,從厚度方向以34. 3Mpa 的加壓力進行加壓壓縮時,壓縮率及復原率與體積密度的關係之 Φ 圖。(B)則係顯示壓縮率及復原率的關係之圖。 圖3(A)〜(D)係顯示在各個不同的體積密度時,本發明之熱傳 導片中熱傳導性與加壓力之間的關係圖。 圖4係顯示在對本發明之熱傳導片施加一定的加壓力時,(a) 係顯示體積密度與熱傳導性之間的關係之圖;而(B)係顯示加壓的 次數與熱傳導性之間的關係之圖。 【主要元件符號說明】 1熱傳導片 2熱沉 F散熱風扇 H發熱體 • S固定構件 16
Claims (1)
1320844 第95108723號專利申請案中文申請專利範圍修正本(無劃線版)
2.如申清專利乾圍第1項之熱傳導片 為 0.卜0. 8Mg/m3。 、 ’其特徵在於:體積密度 3·如申請專利範圍第1項之熱傳導片,其中,從 34.3MPa的加壓力進行加壓壓縮時,壓縮率在5()% ,二 率在5%以上。 且復原 4 · "— "Sir 士塞二止 ☆壯·>·人於 iL taoL
予以散資 所構成 5. —裡熱得導片之使用方法,該熱傳導片係以將浸泡在液 後之天然石墨或凝析石墨進行熱處理使其膨脹而成之膨脹石 構成,其特徵在於:將體積密度小於1. 〇Mg/m3的熱傳導片,配置 於發熱體與散熱體之間,且在從厚度方向所施加之加壓力在 2. OMPa以下的條件時使用。 6. 如申請專利範圍第5項之熱傳導片之使用方法’ i中,將 • 體積密度在〇· 9Mg/m3以下的熱傳導片配置於發熱體與散/熱體之 間,且在從厚度方向所施加之加壓力在1. 5MPa以下的條件時使用c 十一、圖式: 17
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005100622A JP4299261B2 (ja) | 2005-03-31 | 2005-03-31 | 伝熱シート、放熱構造体および伝熱シートの使用方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200638018A TW200638018A (en) | 2006-11-01 |
TWI320844B true TWI320844B (en) | 2010-02-21 |
Family
ID=37114943
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW095108723A TWI320844B (en) | 2005-03-31 | 2006-03-15 | Heat-transfer sheet, radiator, and method of using heat-transfer sheet |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090301697A1 (zh) |
EP (1) | EP1865552B1 (zh) |
JP (2) | JP4299261B2 (zh) |
KR (3) | KR101068416B1 (zh) |
NO (1) | NO20075425L (zh) |
TW (1) | TWI320844B (zh) |
WO (1) | WO2006112211A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104221142A (zh) * | 2012-03-19 | 2014-12-17 | 松下电器产业株式会社 | 热传导体以及使用其的电子设备 |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4299261B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2009-07-22 | 東洋炭素株式会社 | 伝熱シート、放熱構造体および伝熱シートの使用方法 |
JP5069861B2 (ja) * | 2006-02-15 | 2012-11-07 | 株式会社カネカ | グラファイトフィルム、およびそれを用いた熱拡散フィルム、ならびにそれを用いた熱拡散方法。 |
JP2008199039A (ja) * | 2008-03-12 | 2008-08-28 | Toyo Tanso Kk | 放熱構造体および伝熱シートの使用方法 |
JP5818127B2 (ja) * | 2010-02-04 | 2015-11-18 | 株式会社リコー | 画像形成装置 |
TW201135429A (en) * | 2010-04-07 | 2011-10-16 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Heat sink |
CN102130232A (zh) * | 2010-12-29 | 2011-07-20 | 深圳市火天光电科技有限公司 | 发光芯片封装及发光芯片的封装方法 |
JP2013118313A (ja) * | 2011-12-05 | 2013-06-13 | Dexerials Corp | 電磁波吸収性熱伝導シート及び電磁波吸収性熱伝導シートの製造方法 |
CN102917574B (zh) * | 2012-10-24 | 2015-05-27 | 华为技术有限公司 | 导热垫、制造导热垫的方法、散热装置和电子设备 |
JP6043188B2 (ja) * | 2013-01-08 | 2016-12-14 | 株式会社カネカ | 層間熱接続部材および層間熱接続方法 |
JP6280875B2 (ja) * | 2013-01-28 | 2018-02-14 | 株式会社村田製作所 | はんだバンプの形成方法およびはんだバンプ |
TWI601249B (zh) | 2013-05-22 | 2017-10-01 | Kaneka Corp | Cooling structure |
WO2015045641A1 (ja) | 2013-09-26 | 2015-04-02 | 株式会社カネカ | グラファイトシート、その製造方法、配線用積層板、グラファイト配線材料、および配線板の製造方法 |
KR20160002427U (ko) * | 2013-11-05 | 2016-07-11 | 그라프텍 인터내셔널 홀딩스 인코포레이티드 | 흑연 물품 |
US9706684B2 (en) | 2013-12-26 | 2017-07-11 | Terrella Energy Systems Ltd. | Exfoliated graphite materials and composite materials and devices for thermal management |
US9700968B2 (en) | 2013-12-26 | 2017-07-11 | Terrella Energy Systems Ltd. | Apparatus and methods for processing exfoliated graphite materials |
WO2015137257A1 (ja) * | 2014-03-14 | 2015-09-17 | 株式会社カネカ | 電子端末機器及びその組立方法 |
JP6635941B2 (ja) | 2014-12-04 | 2020-01-29 | 株式会社カネカ | 高真空用層間熱接合性グラファイトシート |
WO2016167307A1 (ja) | 2015-04-15 | 2016-10-20 | 株式会社カネカ | イオンビーム荷電変換装置の荷電変換膜 |
US11840013B2 (en) | 2018-02-27 | 2023-12-12 | Matthews International Corporation | Graphite materials and devices with surface micro-texturing |
JP7345088B2 (ja) * | 2019-02-08 | 2023-09-15 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 熱伝導シートおよびこれを用いた電子機器 |
KR102183485B1 (ko) * | 2020-07-30 | 2020-11-26 | 주식회사 엔티에스 | 폐흑연을 이용한 방열 시트의 제조 방법 |
JP7074270B1 (ja) | 2022-01-19 | 2022-05-24 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB991581A (en) * | 1962-03-21 | 1965-05-12 | High Temperature Materials Inc | Expanded pyrolytic graphite and process for producing the same |
US3414381A (en) * | 1966-04-04 | 1968-12-03 | Dow Chemical Co | Method for producing low density graphite structures |
JPS5580711A (en) * | 1978-12-02 | 1980-06-18 | Teruhisa Kondo | Production of flexible graphite product |
US4471837A (en) * | 1981-12-28 | 1984-09-18 | Aavid Engineering, Inc. | Graphite heat-sink mountings |
FR2583864B1 (fr) * | 1985-06-25 | 1989-04-07 | Inst Francais Du Petrole | Dispositif d'echange thermique du type echangeur a plaques perforees presentant une etancheite amelioree. |
ES2021386B3 (es) * | 1986-06-16 | 1991-11-01 | Lorraine Carbone | Contacto termico de gran coeficiente de transferencia y aplicaciones en el enfriamiento de una estructura sometida a un flujo termico intenso. |
JPH0288415A (ja) * | 1988-09-26 | 1990-03-28 | Hitachi Chem Co Ltd | 低密度黒鉛成形体 |
JPH0370754A (ja) * | 1989-08-09 | 1991-03-26 | Bando Chem Ind Ltd | 高熱伝導性ゴム組成物 |
US5405171A (en) * | 1989-10-26 | 1995-04-11 | Union Oil Company Of California | Dual gasket lined pipe connector |
JPH06134917A (ja) * | 1992-10-28 | 1994-05-17 | Taenaka Kogyo Kk | 膨張黒鉛ラミネートシート、膨張黒鉛シート複合材、その製造方法 |
US5270902A (en) * | 1992-12-16 | 1993-12-14 | International Business Machines Corporation | Heat transfer device for use with a heat sink in removing thermal energy from an integrated circuit chip |
JP2645800B2 (ja) * | 1993-12-14 | 1997-08-25 | 日本ピラー工業株式会社 | 膨張黒鉛製シール素材およびその製造方法ならびにガスケット用シート |
US5503717A (en) * | 1994-06-13 | 1996-04-02 | Kang; Feiyu | Method of manufacturing flexible graphite |
US5846459A (en) * | 1997-06-26 | 1998-12-08 | Ucar Carbon Technology Corporation | Method of forming a flexible graphite sheet with decreased anisotropy |
EP0971407B1 (en) * | 1997-10-14 | 2004-07-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thermal conductive unit and thermal connection structure using same |
DE19828789A1 (de) * | 1998-06-27 | 1999-12-30 | Sgl Technik Gmbh | Packungsgarn aus Graphit- und Plastikfolie |
JP2000169125A (ja) * | 1998-12-04 | 2000-06-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | グラファイト材料およびその製造方法 |
DE10003927A1 (de) * | 2000-01-29 | 2001-08-02 | Sgl Technik Gmbh | Verfahren zum Herstellen von expandierbaren Graphiteinlagerungsverbindungen unter Verwendung von Phosphorsäuren |
US6482520B1 (en) * | 2000-02-25 | 2002-11-19 | Jing Wen Tzeng | Thermal management system |
US6503626B1 (en) * | 2000-02-25 | 2003-01-07 | Graftech Inc. | Graphite-based heat sink |
JP2002088171A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-03-27 | Polymatech Co Ltd | 熱伝導性シートおよびその製造方法ならびに放熱装置 |
JP2003008263A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-10 | Sony Corp | 熱伝導部材および熱伝導部材を有する電子機器 |
KR100642923B1 (ko) * | 2002-06-18 | 2006-11-03 | 도요탄소 가부시키가이샤 | 가요성을 갖는 고순도 팽창 흑연시트와 그 제조방법, 및상기 시트를 이용한 카본 도가니의 내층 |
US6771502B2 (en) * | 2002-06-28 | 2004-08-03 | Advanced Energy Technology Inc. | Heat sink made from longer and shorter graphite sheets |
FR2849651B1 (fr) * | 2003-01-08 | 2008-02-15 | Carbone Lorraine Composants | Structures isolante comprenant des couches en particules de graphite expanse comprimees a des densites differentes, elements isolants thermiques realises a partir de ces structures |
JP4380226B2 (ja) * | 2003-06-06 | 2009-12-09 | パナソニック株式会社 | 熱伝導性シートとこれを用いた放熱構造体 |
DE10341255B4 (de) * | 2003-09-04 | 2005-06-16 | Sgl Carbon Ag | Wärmeleitplatten aus expandiertem Graphit sowie Verfahren zu ihrer Herstellung |
KR100529112B1 (ko) * | 2003-09-26 | 2005-11-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 다공성 열전달 시트를 갖는 디스플레이 장치 |
US20060070720A1 (en) * | 2004-09-17 | 2006-04-06 | Capp Joseph P | Heat riser |
JP4299261B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2009-07-22 | 東洋炭素株式会社 | 伝熱シート、放熱構造体および伝熱シートの使用方法 |
-
2005
- 2005-03-31 JP JP2005100622A patent/JP4299261B2/ja active Active
-
2006
- 2006-03-13 KR KR1020077022193A patent/KR101068416B1/ko active IP Right Grant
- 2006-03-13 KR KR1020097026420A patent/KR101061805B1/ko active IP Right Grant
- 2006-03-13 EP EP06715588.7A patent/EP1865552B1/en active Active
- 2006-03-13 KR KR1020097026421A patent/KR101052752B1/ko active IP Right Grant
- 2006-03-13 US US11/886,738 patent/US20090301697A1/en not_active Abandoned
- 2006-03-13 WO PCT/JP2006/304865 patent/WO2006112211A1/ja active Application Filing
- 2006-03-15 TW TW095108723A patent/TWI320844B/zh active
-
2007
- 2007-10-25 NO NO20075425A patent/NO20075425L/no not_active Application Discontinuation
-
2008
- 2008-03-12 JP JP2008062246A patent/JP5114255B2/ja active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104221142A (zh) * | 2012-03-19 | 2014-12-17 | 松下电器产业株式会社 | 热传导体以及使用其的电子设备 |
CN104221142B (zh) * | 2012-03-19 | 2017-05-10 | 松下知识产权经营株式会社 | 热传导体以及使用其的电子设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200638018A (en) | 2006-11-01 |
KR101068416B1 (ko) | 2011-09-29 |
JP2006286684A (ja) | 2006-10-19 |
KR20100017859A (ko) | 2010-02-16 |
KR20070118099A (ko) | 2007-12-13 |
JP2008153704A (ja) | 2008-07-03 |
WO2006112211A1 (ja) | 2006-10-26 |
EP1865552A1 (en) | 2007-12-12 |
JP4299261B2 (ja) | 2009-07-22 |
KR101052752B1 (ko) | 2011-07-29 |
JP5114255B2 (ja) | 2013-01-09 |
NO20075425L (no) | 2007-10-25 |
EP1865552A4 (en) | 2008-07-02 |
US20090301697A1 (en) | 2009-12-10 |
EP1865552B1 (en) | 2022-06-15 |
KR20100017858A (ko) | 2010-02-16 |
KR101061805B1 (ko) | 2011-09-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI320844B (en) | Heat-transfer sheet, radiator, and method of using heat-transfer sheet | |
Hong et al. | Anisotropic thermal conductive composite by the guided assembly of boron nitride nanosheets for flexible and stretchable electronics | |
US8081468B2 (en) | Memory modules including compliant multilayered thermally-conductive interface assemblies | |
JP5165017B2 (ja) | 電子機器の冷却構造 | |
TWI325752B (en) | Heat-radiating sheet and heat-radiating structure | |
TW549011B (en) | Dissipation of heat from a circuit board having bare silicon chips mounted thereon | |
US6639799B2 (en) | Integrated vapor chamber heat sink and spreader and an embedded direct heat pipe attachment | |
US20100321897A1 (en) | Compliant multilayered thermally-conductive interface assemblies | |
JP2011000884A (ja) | 適合型多層熱伝導性中間構体およびそれを具備するメモリモジュール | |
KR20170118883A (ko) | 열 전도 시트 및 전자 디바이스 | |
JP2008198917A (ja) | 熱拡散シート及びその製造方法 | |
US20070102147A1 (en) | Heat dissipation apparatus and method for manufacturing the same | |
TW200822321A (en) | Thermal management device for a memory module | |
JP2007184392A (ja) | 熱伝導構造体、それを用いた放熱部材及び電子機器 | |
Kang et al. | Metallic micro heat pipe heat spreader fabrication | |
CN101911270A (zh) | 散热装置及使用楔形锁***形成散热装置的方法 | |
JP2009111003A (ja) | 複合断熱体とそれを含む電子機器 | |
JP2005150249A (ja) | 熱伝導部材とそれを用いた放熱用構造体 | |
US10117355B2 (en) | Heat dissipation foil and methods of heat dissipation | |
CN108833646B (zh) | 一种保护套 | |
JP2003060141A (ja) | 超伝熱部材およびそれを用いた冷却装置 | |
WO2014134791A1 (zh) | 导热垫片及其应用 | |
TW201235823A (en) | Heat sink structure and method of improvement thereof | |
EP4133489A1 (en) | Thermal modules with solder-free thermal bonds | |
Chang et al. | Application of graphite nanoplatelet‐based and nanoparticle composites to thermal interface materials |