TWI307170B - Liquid crystal display panel and manufacturing method of the same - Google Patents

Description

130717ο . 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種顯示裝置，特別係關於一種液晶顯示面板 及其製造方法。雖然本發明具有廣泛之應用，但特別適用於改善 影像品質。 【先前技術】 —般而言，液晶顯示裝置透過電場來控制液晶之光線透射， 進而顯示晝面。液晶齡裝置包含—減顯示面板以及—驅動電 路’液晶顯示面板中容納以矩_式制之液晶單元，驅動電路 用以驅動此液晶顯示面板。液晶 晶體陣列基板與彩色濾光片基板 液晶顯示面板包含相對設置之薄膜電 基板、間隔粒以及液晶，其中間隔粒 間隊’液晶填充於此單元間隙中。 用以保持薄膜電晶體陣列基板與彩色濾光片基板之間之固定單元 薄膜電晶體陣舰板包含_線與資料線、 、~薄膜雷黑體、

線’共用電極用以共 用地提供一參考電壓至液晶單元。 顯示面板之製造 =瞻0體_絲舰_ _絲解獨製造，然 2 口-起。液日日日被注人薄膜電晶體陣列基板與彩色濾光片陣列 土板之崎湖中，並且然彳_單元難，進而完成液晶 「…「第1圖」為習知技術之薄膜電晶體陣列基板之平面圖，以 及「弟2、圖」為「第1圖」所示之薄膜電晶體陣列基板沿Η， 方向之4視圖帛1圖」與「第2圖」所示之薄膜電晶體陣列基 板包含一·線2與—線4，係形成於下基板42上並互相交 叉且具有-閘極絕緣膜44位於閘極線2與資料線4之間。一薄 膜電晶體6係連接至線2及資料線4，以及—晝素雜μ在 間極線2與資料線4歌義之晝素私中連接至薄膜電晶體&並 且’薄膜電晶體陣列基板包含—儲存電容器2Q及前級的閑極線 2，其中儲存餘H 2〇錢翁晝素雜18，前級的雜線2為 相鄰晝素單元之閘極線。 薄膜電晶體6包含-閑極8、_源極1()、—汲極12以及一主 動層Η ’於此’ f雜8係連接域極線2，源極K)係連接至資料 線4汲極12連接至晝素電極18，主動層14覆蓋閑極8並於源 極’、;及極12之間开》成-通道。主動層讨被資料線4、源極川 以及及極12後盍。歐姆接觸層48係形成於主動層μ與每個資料 線4和源極1〇之間’以形成歐姆觸點於主動層14與每個資料線4 1307170 . 及源極Η)之間。薄膜電晶體6依照提供至閘極線 而=一晝素電壓訊號由資料線4至晝素電極18。㈣喊，進 ^電極18麵過—細16恤義蝴 12 ’接觸孔16穿透祐叙瞭音主不上 /及極 位m # 素電極18與共用電極產生-雷 -電極形成於具有晝素之彩色濾光 (圖未示）上。電位差導致位於薄膜電晶體陣 =板 =基，間之液晶分子藉由光學各向異性而旋轉 "、〜過I素電極與彩色縣片陣列基板以透射光線。 儲存電容器20由覆蓋前級之閘極線2之畫素電極 閘極絕緣膜44與被動膜50位於閘極線2與晝素電極18 : 存電容器20維持晝素電壓於晝素電極18上，直至下一個 施加。 旦I破 「/第3Α圖」、「第3Β圖」、「第3C圖」及「第沁圖」為顯示 W圖」所示之薄臈電晶體陣列基板之製造方法之剖視圖。首 先’在藉由沈積方法，例如賤鑛方法形成閘極金屬層於下基板A 上之後’透過光刻製程及勤懷程圖案化一閑極金屬層，以形成 具有閑極線2與間極8之閘極圖案，如「第3A圖」所示。 透過沈積方法，例如電漿增強化學氣相沈積法（PECVD)形 成閑極絕緣膜44於具有閘極圖案之下基板上。非晶石夕層、捧雜非 晶石夕層（n+a-Si)以及-·及極金屬層依次形於 膜44之下基板-上。如「第则」所示，透過一使用二 1307170 · 之光刻製程以及一蝕刻製程，形成半導體圖案45與源/汲極圖案 4/10/12於半導體圖案45上，其中半導體圖案45包含歐姆接觸層 :48與主動層14，源/没極圖案4/10/12包含資料線4、源極10、没 « „極12。另一方面，半導體圖案45可藉由一單獨的光罩製程而與源 /汲極圖案4/1 om分離開。 透過沈積方法’例如電漿增強化學氣相沈積法（PECVD)形 成一被動膜50於下基板42之表面上，其中下基板42表面上包含 _有半導體圖案45與源/汲極圖案4/10/12。然後於形成被動膜5〇之 後’透過光刻及姓刻製程圖案化主動膜5〇,進而形成一接觸孔μ， 如「第3C圖」所示。所形成接觸孔16穿透被動膜5〇，因此暴露 出汲極12。 透過沈積方法，例如雜形成一透明沈積材料於被動膜5〇之 整個表面上。織藉由細及侧製糊案化此透明電極材料， 鲁以形成晝素電極Μ，如「第犯圖」所示。晝素電極ls係透過接 觸孔16電性連接於汲極12。此外，形成之晝素電極18覆蓋前級 ,閘極線2，且閘極絕緣膜Μ與被動膜5〇位於晝素電極18與前級 鬧極線2之間，進而形成一儲存電容器2〇。 「第4圖」為依照共用電壓位置產生之電壓降與施加至液晶 顯示面板之電壓之波形圖。在薄膜電晶體陣列基板中，如「第: 圖」所示’大於-臨界值電壓之閘電壓Vg被施加至薄膜電晶體6 之閑極8 ’以及-資料電壓vd被施加至源極1〇。此外，一直流電 8 1307170 · 共用電壓Vc〇m被施加至共用電極，此共用電極係位於扭轉向列 式液晶顯示面板之彩色濾光片陣列基板或者是液晶顯示面板之平 面切換式蝴崎纖±。㈣，—糊賴膜電晶 體6之源極1〇與汲極12之間，並且透過薄膜電晶體6之源極10 及汲極12釋放資料電屢Vd至儲存電容器如中。 之畫素單元更遠離共用電驗應器時，施加至共用電極 _ V_之大小隨著線性電阻的增加而減小。因此，電 屋偏差（d)產生; ,.U生於有效共用電壓值（A)與-有效共用賴值 卵雁^間，其中有效共用霞值⑷係表示提供至靠近共用電 土，、應欲晝素單元之共用賴，有效共用電壓值⑻係表 ^至遠離共用龍供應器之晝素單元之共用電壓。例如 ”包玲仗液晶顯示面板外部之導體越過彩色濾光片陣列 ^整:表面而形成，進而當有效共用龍從液晶顯示面板之外部 二液曰日顯7F®板巾央前進時，有效共用電壓細隨之變小 "用電壓的不—致性，各個位置的畫面偏差會產生 面 板⑽中，這將導致殘留影像及/或閃爍的出現。 如面 【發明内容】

馨於以上的問題’本發明旨在提供一鐘游a觀._ I 一、 +较a曰隹扠併種液日日頌不面板及其製 /，藉以充分避免由於習知技術之侷限及缺點 多個問題。 叮♦绞之1 9 1307170 本發明之一目的在於提 以透過減少殘晴_购:啦纖方法， 本發明之另-目的在於提供 法，以透過減少閃燦來改善影像品質。液阳顯不面板及其製造方 雜贿爾了繼明中得 湖月亚且本領域具有一般技術之技藝 上、 驗顯然瞭解本發明的部分赖 ^ 。路之忒 .^ 者透過貫踐本發明而學習之。 «本發編㈣咖,軸^糾物 以及圖式制指㈣構架而實現和獲得。 面叙，為耻述目的及其它優點，本發明所揭露之液晶顯示 ，”互相交又之閉極線與資料線定義之晝素單元以矩陣开, 式設置於液晶顯示面料，射各健素單元包括有：—薄膜二 晶體、一晝素雜以及—突出部；概，此薄膜電晶體係位於二 極線與資㈣之交又部，畫素電極係逹接至薄膜電晶體，突出部 係連接至晝素電極，並覆蓋_電晶體之—赚，以連同間極形 成寄生電谷裔，其中位於液晶顯示面板之各個晝素單元中之各 個突出部具有-面積，此面積係依照液晶顯示面板之晝素單元位 置決定。 另外’本發日_提供了―觀晶顯示面板之製造方法，包含 形成複數似矩_式設置之絲單元，其中軸各個畫素單二 包含以下步驟：形成-闕案於_基板上，此閘職包含—閉極 10 1307170- 線與連接雜極線之1極；形成—轉體_、—資料線、一 源極以及-汲極’其中半導體 „ 閘極線且具有一閘極絕緣 體I朗極線之間，資科線與_線交叉，源極位 圖案上，與_相對;形成一被動層，此被動層1 有-接觀以絲纽n及形m電触 接中至晝過接觸孔連接於汲極，突出部形狀狼紅並連 門，二:二广極絕緣膜與鶴層位於_咖極線之 間以开>成一寄生電容器。 再者，本發明提供了一種液晶顯示面板，由互相交叉之閘極 定義之晝素單元以矩陣形式設置於液晶顯示面板中， :固旦素早凡包括有··一薄膜電晶體、一畫素電極以及-突 ，於此，薄膜電晶體係位於閑極線與資 ^晶體具有-閘極、-以及—源極，晝素電極 = 键’突細連接至t錢極，且朗_成—寄生電容 為，並且直接定位於薄膜電晶體與一前級晝素電極之間。 【實施方式】 有關本發日爾徵與實作’賊合圖式作最佳實施例詳細說 明如下。 第5圖」為根據本發明之一實施例之液晶顯示面板之方塊 圖。如「第5圖」所示’-液晶顯示裝置包含-液晶顯示面板160、 一資料驅動器162、-閘極驅動器164以及—計時控制器⑽；於 11 1307170 此’液晶顯示面板160具有m個資料線D1至Dm以及η個閘極 線G1至如並以矩陣形式排列，資料驅動器IQ用以提供一資料 電壓至液晶顯示面板160之資料線1)1至1)111，閘極驅動器164則 用以提供一閘電壓至閘極線G1至Gn，計時控制器168則用以控 制資料驅動器162及閘極驅動器164。資料驅動器162依照計時控 1 68之控制訊號轉換數位影像資料為類比影像資料電壓，並 提供此類比影像資料電壓至資料線m至此。閘極驅動器164依 照計時控 168之控偷號，依次提側龍Vgh至卩雜線G1 至Gn，閘電壓Vgh與類比影像資料電壓同步，以選擇提供有類比 影像資料麵之液晶顯示面板之水平線。計時控麵⑽利 用一垂直/水平同步訊號以及—時鐘訊餘生控伽號，以控制閉 極驅動器164及資料驅動器162。 液晶顯示面板⑽包含_電晶體_基板與彩色濾光片陣

列基板，板㈣設置且兩者之·人有液晶。液晶顯示面板 之各個晝素單元（P)包含一液晶單元⑶、一薄膜電晶體咖 以及-錯存電容器Cst，其中薄膜電晶體舰形成於資料線切至 二之其中之一與間極線⑺至㉛之其中之—的交又部，儲存電 谷态Cst用以儲存施加至液晶單元qc之電屋。 弟6圖」為依照厂第5圖」之晝素單元之薄膜電晶體陣列 基板之平面圖，以及「第7圖」為「第6圓」所示之薄膜電 陣列基板沿U-H，及瓜_瓜，方向之剖視圖。為了便於轉，於曰厂曰第 12 1307170 6圖」及f 7圖」中僅顯示及說明一個晝素單元，其能夠實現紅、 綠色彩之其中一色彩。 第6圖」及「第7圖」所示之薄膜電晶體陣列基板包含一 閘極線102與-貧料線1〇4，一薄膜電晶體1〇6，一晝素電極⑽， 一儲存電容器120，以及一突出部135 ;於此，閘極線搬及資料 線刚係職於下基板142上，並且之間具有—酿絕緣膜⑷， 薄膜電aa體106形成於閘極線搬與資料線辦之交叉部，晝素 電極m位於由閘極線1()2與資料線1〇4所定義之晝素單元+。 儲存電容器12G由部份晝素電極118覆蓋前級的·線皿而形 成’其中前級的閘極線1〇2為相鄰晝素單元之閘極線。突出部改 形成於晝素電極118上與薄膜電晶體1()6之閘極⑽形成一寄生 電容=，並直接位於薄膜電晶體廳與一前級晝素電極ιΐ8之間， 其中前級晝素賴118為相鄰晝素單元之晝素電極。 薄膜電晶體106包含一閘極 mm no …，—汲極112以 及主動層114，其中源極110係連接至資料線104，沒極112係連 接至晝素電極118，主動層114覆蓋閘極⑽並形成—通道於源極 110姐極112之間。主動層114被資料線1〇4、源極⑽及汲極 112所覆A。主動層114之通道係位於源極】1〇與汲極山之間。 歐姆接觸層148係形絲主動層m與各個f料線_及源極^ 之間，以形成歐姆接繼於主動層114與各個資料線取及源極 110之間。於此’位於源極110與沒極112之間之通道係形成二 13 1307170. u形’進而改善電流之流動性。薄膜電晶體ι〇6之問極⑽可以 從閘極線皿沿垂直閘極線搬之方向延伸。或者，間極⑽可 以沿平行於閘極線搬之方向延伸，如「第6圖」所示。或者， 閘極線1〇2本身可以是閘極應。薄膜電晶體觸依照提供至問極 線102之閘訊號，轉換晝素電壓訊號由資料線1〇4至晝♦電極⑽。 儲存電容器12〇係透過晝素電極118覆蓋前級之間極線搬 而形成，閘極絕緣膜144與一被動膜15〇係定位於間極線搬斑 晝素電極118之間。齡電容H 12G轉4錢壓於晝素電極118 上直至下一晝素電壓被施加。 「第8圖」為依照晝素單元位置突出部之面積示意圖。如「第 8圖」所示，突出部135形成於各個晝素單元中，_當畫素單元 ’漸遠離於m個晝素單元之中間位置，突出部135之面積也隨之 咸J 〃中m個畫素單元係連接至相同數目之閘極線搬。突出 部135覆蓋薄膜電晶體1〇6之閘極刚，以形成寄生電容器來補償 施加至液晶顯示面板之共用電壓Vc〇m2偏差。 請參考習知技術之「第4圖」，在施加一直流共用電堡ν_ ，扭轉式液晶顯示面板之彩色濾光片陣列基板或者平面切換式液 曰曰顯不面板之薄膜電晶體陣列基板之共用電極的同時，—資料電 I vd及1電M Vg被施加至晝素單元。然而，由於間極線2 之線性電阻之緣故，施加至朗雜之共用賴值隨著液 晶顯示面板刷之位置而變化。隨著畫素單元遠離於一共用糕 14 ί3〇7ΐ7〇. 供=器，晝素單元之閘極線搬之線性電阻增加。因此，沿著共 用电極提仏至-位置之共用電壓Vc〇m值大小也變得不同。 第9圖」為表示最佳共用電壓依照晝素單元位置產生變化 之試驗龍轉圖。參考「第9圖」之試驗㈣，最大電壓v顏 出現於液晶顯示面板之中央，其要求出現最大電阻。然、而，提供 至各個旦素單①p之制電壓VeGm為直流，且不能被完全控制。 因此’本發明之實施例提出了—健應具有相同值之翻電屢的 ^法’係依照共用電壓供應器所提供之共用賴V_受到線性 電阻影響之程度’來控制各織素單it巾之較電容ϋ值。 -般而言’共用電壓Vc〇m具有一特性，即透過電壓AVp與 餽給成正比。利職特性，本翻之實施例透過形成—較大△外 於液晶顯示面板區域，在此區域内共用電壓需要為例如「第9圖」 所不之錢資料之別、，進喊小提供至各個 -咖之_偏差。財之，#晝料元p倾於液晶顯= 板中央的里素單元移至位於液晶顯示面板左右侧之晝素單元時， 使得連接至相同數目閘極線搬之複數個晝素單元P之Δνρ值降 低’進而依照液晶顯示面板之位置來補償共用電壓Vc〇mi偏差。 在本發明之實施例中，透過控制ΔΥρ值，提供突出部135以 補H、用電壓vcom之偏差。通常，值由下面的數學公式1 疋義· [數學公式1] AVP = (Cgs /(Cgs + Clc + Cst))A Vg 15 1307170· 為/成於顧電晶體之閘極與沒極之間 之間之寄生電容哭，Λν & & 「雜與源極 M AVg為一高閘電壓Vgh與—低雷 之偏差電壓，Cst為枝六+ ― '電t Vgi 容量。 為f_容請之電容，以㈣為液晶之電

第10圖」為為根據本發明之實施例使用突出部 電昼於各個位置之特性示意圖。如公式i能夠推導出，盥 Cgs值成比例。本發明之實施例依照「第9圖」顯示 二 位置之寄生電容器值大小，進而「第1G圖」所示= 知加一致的翻龍，而無論晝素單元之位 置如何。 請參考「第7圖」，本發明實施例之寄生電容器包含一第一寄 生電容器（Cgsl)與-第二寄生電容器（Cgs2)，其中第一寄生電 各器位於源/汲極110及112與閘極1〇8之間，第二寄生電容器位 於突出部135與間極1〇8之間。因此’與習知技術相比，本發明 之實施例更包含有位於突出部135與閘極⑽之間之第二寄生電 容器（Cgs2)。第二寄生電容器（Cgs2)係、透過控制各個晝素單元 中之突出部135之大小而控制，進而可以控制值用以各個位 置。換言之，突出部135連同薄膜電晶體1〇6之閘極線1〇2 一起 形成寄生電容器，並且可以透過控制突出部135之面積來控制寄 生電容器值。 正如「第8圖」所示，當晝素單元Ρ逐漸遠離液晶顯示面板 之中間晝素單元Ρ時，使得各個晝素單元ρ中之突出部面積逐漸 16 1307170 . 減小’或者晝素單元p從液晶顯示面板外部#近液晶顯示面板中 心位置時，使得各健素單元p巾之如部_逐漸增大，進而 補償共用電壓之偏差。 晝素單元中之Cgs與Δνρ可以如下面的數學公式2及3所示。 ： [數學公式2]

Cg,(l)<K <Cg，{(l/2)W-l}<C^{(l/2)w}>c^{(l/2)w + i}>K >C^(m) (1至m為連接至閘極線之晝素單元之個數） • [數學公式3] .AWi/zjm-i)<A^((l/2)m}>AFp{(l/2)w + i}. (1至m為連接至閘極線之畫素單元之個數） 依照本發明實關之液晶顯示面板設定位於_⑽與突出部 出之間之寄生電容器（Cgs2)值，即當晝素單元p從連接至相 同數目之_線之晝素單元P中之中央晝素單元向左或者向右移 動Γ設ί寄生電容器（Cgs2)值在此晝素單元中隨之減小，·或 者虽晝素皁7G P從左側或右側向位於中央的晝素單元p移動時， 設定寄峨H (贼）絲此辦元帽撕。因此，位 _素早7°p中之寄生電容器（Cgs)值與數學公式2具有相同的 ’糸，以及與數學公式3具有相同的 壓V«照液晶顯示面板之晝素單…位置成=電 17 1307170. 雖然當晝素單元p由m個晝素單元之左侧和右侧向中間移動 吩，畫素單元p中之突出部135面積會更小，但是能夠沿縱向調 疋犬出部135之面積。也就是說，突出部135之長度可以延伸或 、、'且，進而在保持突出部135之線性寬度不變的同時來控制其面 積。換言之’突出部135可以被更延伸為超出閘極線1〇2，或者延 伸小於閘極線102。

「第11A圖」、「第11B圖」、「第nc圖」及「第UD圖」為 顯不「第7圖」所示之薄膜電晶體陣列基板之製造方法之剖視圖。 少第11A圖」顯示，一閘圖案，包含閘極1〇8及閘極線1〇2， 係形成於下基板上。特別是，透過諸如缝之沈積方法形成一間 金屬層於下基板I42上。隨之，触-使用縣之光職程及一 钱刻製程圖案化閑金屬層，進而形成包含閘極⑽及閘極線搬 之閘圖案。閘金屬可以為單層賴或者雙層結構。此外，閘金屬 可以是路（C〇、|g (M。）、她金屬及其組合之其中之—。 如「第11B圖」顯示，閘極絕緣膜144、主動層ιΐ4、歐姆接 觸層148以及源/沒極圖案分別依次地形成於已具;t閘圖案之下基 板142上。透過沈積方法，例如電漿增強化學氣相沈 (PEC则’依次形成閘極絕緣膜144、非晶㈣非 (n a_Sl)以及—源/汲極金屬層於已具有閘圖案之下基板42上。 然後，透過-棚製程使用光罩形成—光_案於 屬層上。這時’光罩為—繞射曝光光罩，於薄膜電晶體之通道部 18 1307170. 具有-繞射曝光部，進而可製造通道部之光阻圖案比其他源/汲極 部具有較低的高度。雜，姻此光關絲由—腿刻製程圖 案化此源/汲極金屬層，進而形成包含有資料線1G4、源極110、與 源極110結合為整體之沒極112之源級極圖案。之後，使用相同 的光阻職’利n糊製程__化摻雜非晶⑪層與非晶 石夕層。接著，在藉由-灰化製程移除光阻_之後，其中光阻圖 案於通道部具有娜低之高度，透過乾做燦程侧通道部之歐 姆接觸層M8無/汲極圖案。之後，透過一剝除製程除去保留在 源/汲極隨狀絲_。無觀騎料，例如氧舞或者氮化 石夕可用作閘概賴144之_。鉬、鈦、齡金、銅以及她 金屬其中之一可用作源/汲極金屬。 如「第11C圖」所示’透過沈積方法例如電聚增強化學氣相 沈積法（PECVD)，形成被動膜15〇於已形成有源/没極圖案之閑 極、、e緣膜144上。紐’藉由光刻製程制鮮與蝴製程圖案 化被動膜15〇 ’進而形成-接觸孔116以暴露出汲極112。無機絕 緣材料，例如_賴94，&者具有低介電f數之有機絕緣材料， 例如例如丙烯有機化合物、苯並環丁稀（BCB)或者過_丁烧 (PFCB)被用作被動膜15〇之材料。 如「第11D圖」所示，-透明電極圖案形成於被動膜％上。 特別地’透過諸如舰之沈積方法，沈積—透明電崎料於被動 膜150之整個表社。接著，透過使用光罩之光刻製程與侧製 19 ihUT電極材料’進而形成包含晝素電極118與突出部 、、 冑極_。晝素電極m係穿過接觸孔116電性連接至 ，極112，亚覆蓋前級之閘極線搬，以形成-儲存電容器12〇。 氧化銦錫（ITo、、/ 匕錫（το)或者氧化銦鋅（IZO)被用作透 明電極材料。 ，、^ 135係'疋位於薄膜電晶體106之附近，並與閘極108 成寄生電各盗’且被動膜15〇與閘極絕緣膜144位於其兩者之 a如上文所述’本發日月之液晶顯示面板及其製造方法形成突出 P此犬出與薄膜電晶體之閘極形成寄生電容器於鄰近各個晝 之各個薄膜電晶體的區域中。當晝素單元從位於中央的晝 不單7〇向左或向右移树，形成於晝素單元巾之突㈣面積也隨 咸】其中晝素單元係連接至相同數目之閘極線。因此，當晝 素早7L從連接至相隨目之雜線之晝素單元之巾央晝素單元向 左或向右移動時，使得位於閘極與突出部之寄生電容器（Cgs2) 逐漸減小，或者當晝素單元液晶顯示面板之左麻右懒中間晝 素單元移㈣，設定位於_與突出部之寄生f容器（Cgs2)逐 漸增大’進而控制各個晝素單元之Δνρ及Cgs大小。因此，提供 之共用電壓依照晝素單元位置難生之偏差能減少，進而透 過防止殘留影像及/或閃爍來改善影像品質。 雖然本發明以前述之較佳實施例揭露如上，然其並非用以限 20 1307170 =明’任刪姆_，在爾树 當可作些許之更動麵飾，本發明之專梅圍= 本5兄明書所附之申請專利鋼所界定者為準。 【圖式簡單說明】 "第1圖為§知技術液晶顯示面板之薄膜電晶體陣列基板之局 部平面圖； β 視圖， 第2圖為第i圖所示之薄膜電晶體陣列基板沿卜I ’ 方向之剖 —第3A圖、第犯圖、第3C圖及第犯圖為顯示第2圖所示 之薄膜電晶體卩翔基板之製造方法之剖視圖； 第4圖為健共践壓位置產生之電壓降與施加至液晶顯示 面板之電壓之波形圖； =5圖為根據本發明之一實施例之液晶顯示面板之方境圖； 弟6圖為依照第5圖之晝素單元之薄膜電晶體陣列基板之平 面圖； 第7圖為第6圖所示之薄膜電晶體陣列基板沿！[-: 方向之剖視圖； 第8圖為突出部依照晝素單元位置變化之面積示意圖； 第9圖為表示最佳共用電壓依照晝素單元位置產生變化之試 驗資料示意圖； 第10圖為根據本發明之一實施例藉由突出部優化之共用電 21 1307170 壓於各個位置之特性示意圖；以及 第11A圖、第11B圖、第11C圖及第11D圖為顯示第7圖 所示之薄膜電晶體陣列基板之製造方法之剖視圖。 : 【主要元件符號說明】 - 2 閘極線 4 資料線 6 薄膜電晶體 • 8 閘極 10 源極 12 沒極 14 主動層 16 接觸孔 18 晝素電極 20 儲存電容器 • 42 下基板 44 閘極絕緣膜 . 45 半導體圖案 , 48 歐姆接觸層 50 被動膜 - Vg 閘電壓 - Vd 資料電壓 22 1307170

Vcom

A

B : d .- 102 104 106 • 108 110 112 114 116 118 120 ❿ 135 142 144 148 150 160 162 共用電壓 有效共用電壓值 有效共用電壓值 電壓偏差 閘極線 資料線 薄膜電晶體 閘極 源極 没極 主動層 接觸孔 晝素電極 儲存電容器 突出部 下基板 閘極絕緣膜 歐姆接觸層 被動膜 液晶顯不面板 育料驅動益 23 1307170 164 閘極驅動器 168 計時控制器 GO、 Gl“.Gn 資料線 Dl··· Dm 閘極線 Cgsl 第一寄生電容器 Cgs2 第二寄生電容器 Cgs 寄生電容器 Cst 儲存電容器 Clc 液晶單元 24

Claims (1)

1307170 十、申請專利範圍： 1. I種液關涵板’由互被又之__龍線定義之畫素 單元以矩陣形式設置於該液晶顯示面板中，其中各個該晝 : 元包括有：' - —馳電晶體，係位於該閘極線與該資料線之交又部； —晝素電極，係連接至該薄膜電晶體；以及 -突㈣’係連接至該晝素電極，並覆蓋該細電晶體之 • 一閘極，以連同該閜極形成一寄生電容器， 其中位於該液晶顯示面板之各個該晝素單元中之各個突 出U Φ積’該面積係依照該液晶顯示面板之該晝素單元 位置決定。 2.如申請專利範圍第i項所述之液晶顯示面板，其中當各個該晝 =單元遠離倾各健晝素單元中央之―錄單元時，各個該 突出部之面積為不同，其中該畫素單元係連接至—資料線。 # 3. *申晴專利範圍fl項所述之液晶顯示面板，其中當各個該畫 素單元從錄各健晝素單元中央之—錄單柏左或者: 右私動¥，各個該突出部之面積變小，其中該晝素單元係連接 至一資料線。 4, 如申请專利範圍第i項所述之液晶顯示面板，其中該突出部係 由與該畫素電極相同之材料形成。 5. 如申請專利範圍第丄項所述之液晶顯示 與該間極形成之該寄生電容器之大小係依照該畫中素由= 25 U07170 6·如㈣專利範圍第1項所述之液晶顯示面板，其中當各個料 素早7G從倾錢該畫素單元巾紅_畫料 ^ 了，時’由該突出部細極形成之該寄生電容器之二： 小，其中該晝素單元係連接至一資料線。 7.如申請專利範圍第！項所述之液晶顯示面板，其 電 體包含有： ^θθ 一閘極； -半導體_’係覆蓋關極，並且具有—職絕緣膜位 於該半導體圖案與該閘極之間； 一源極’係位於該半導體圖案上，並從該資料線延伸；以 及 一汲極，係相對於該源極，並透過一接觸孔與該畫素電極 接觸，其中該接觸孔穿透一被動層。 如申明專利範圍苐7項所述之液晶顯示面板，其中該突出部局 邛地復蓋該閘極，且該閘極絕緣膜與該被動膜位於該突出部與 該閘極之間。 9·如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示面板，其中該突出部由 氧化銦錫（ΙΤΟ)形成。 10.如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示面板，其中該突出部由 氧化錫（ΙΤΟ)形成。 26 1307170 如申明專利範圍弟1項所述之液晶顯示面板，其中該該突出部 由氧化銦鋅（IZO)形成。 I2. -種液晶顯示面板之製造方法’额晶顯示面板係具有複數個 以矩陣形式設置之晝素單元’射形成各個該畫素單元包含以 下步驟： 形成-閘圖案於-基板上，該閘圖案包含一問極線與連接 至該閘極線之一閘極； 形成—半導體圖案、—資料線、-源極以及-汲極，其中 該半導體圖雜蓋制極線且具有—難絕、_位於該半導 體圖案與極線之間，該麵線與該_線交又，該源極位 於該半導體圖案上，該汲極與該源極相對； 形成-被動層’該被動層具有—接觸孔以暴露出紐極； 以及 形成-晝素電極與-突出部，其中該晝素電極透過該接觸 孔連接於紐極，該突出部形成於該間極線上並連接至該晝素 電極’且該閘極絕緣膜與該被動層位於該突出部與該閑極線之 間，以形成一寄生電容器。 13.如申請專利範圍第12項所述之潘曰猫- ，尸吓述（/夜日日顯不面板之製造方法，其 中位於該液晶顯示面板之各個該晝素單元中之各個突出部具 有-面積’該面積係依照該液晶顯示面板之該晝素單元位置： 定0 27 1307170 Μ.如申請專利範圍第12項所述之液晶顯示面板之製造方法，其 W各鏡畫素單元從位於各個該晝素單元中紅—晝素單 ，福左或者向右移動時，各個該突出部之面積為不同，其中該 晝素單元係連接至一資料線。 ' 15.如申請專利範圍第12項所述之液晶顯示面板之製造方法，其 中當各個該畫素單元從位於各個該晝素單元中央之一晝素單 元向左或者向右移動時，各個該突出部之面積變小，其中該晝 # 素單元係連接至一資料線。 16. 如申請專利範圍第12項所述之液晶顯示面板之製造方法，其 中由該突出部與關極形成之該寄生電容器、之大小係依照該 晝素單元之位置而不同。 17. 如申請專利範圍第12項所述之液晶顯示面板之製造方法，其 中當各個該晝素單元從位於各個該晝素單元中央之一晝素單 元向左或者向右移動時，由該突出部與該閘極形成之該寄生電 ® 谷盗之大小變小’其中該晝素單元係連接至一資料線。 18. 如申請專利範圍第12項所述之液晶顯示面板之製造方法，其 . 中該突出部局部地覆蓋該閘極，且該閘極絕緣膜與該被動膜位 . 於該突出部與該閘極之間。 19. 如申請專利範圍第12項所述之液晶顯示面板之製造方法，其 - 中該突出部由氧化銦錫（ITO)形成。 ， 20.如申請專利範圍第12項所述之液晶顯示面板之製造方法，其 28 1307170. 中該突出部由氧化錫（το)形成。 21.如申μ專利細第12項所述之液晶顯示面板之製造方法，其 中該該突出部由氧化銦鋅（ΙΖΟ)形成。 22· -種液晶顯示面板，由互相交叉之閘極線與資料線定義之金素 單元以矩陣形式設置於該液晶顯示面板中，其中各個該書素單 元包括有： 、 一薄膜電晶體，係位於該閘極線與該資料線之交又部，該 薄膜電晶體具有一閘極、一汲極以及一源極； ^ 一畫素電極’係連接至該薄膜電晶體；以及 -突出部，係連接至該畫素電極’且連_閘極形戍一寄 生電容器，並且直接定位於該薄膜電晶體與一前級晝素電極 間。 1 豇如申請專利範圍第22項所述之液晶顯示面板，其中由該突出 部與該閘_成之料生電U之大顿健該晝素單^ 位置而不同。 %如申請專利範圍第22項所述之液晶顯示面板，其中當各個該 晝素單元從位於各個該晝素單元中央之一晝素單产 向右移動時，由該突出部與該閘極形成之該寄生電容器之^小 變小，其中該晝素單元係連接至一資料線。 2S.如申請專利範圍第22項所述之液晶顯示面板，其中該寄生電 容器之大小係透過改變位於該閘極線上之該突出部之面積2 29 1307170 調整。 26.如申請專利範圍第22項所述之液晶顯示面板，其中該寄生電 容器之大小係透過增加位於該閘極線上之該突出部之長度來 改變。

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