CN102770903B - 显示装置及具备该显示装置的电子书阅读器 - Google Patents
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Abstract
本发明的一个目的是提供一种能够减少由于施加到显示元件的电压变化而引起的显示质量降低以及防止切换显示时的低可见效率的显示装置。该显示装置包括显示控制器,该显示控制器被配置成通过切换具有第一图像信号的写入周期和第一图像信号的保持周期的第一静止图像显示周期与具有第二图像信号的写入周期和第二图像信号的保持周期的第二静止图像显示周期来使显示部分进行显示。该显示控制器被配置成使第一静止图像显示周期的写入周期的长度与第二静止图像显示周期的写入周期的长度彼此不同。
Description
技术领域
本发明涉及一种显示装置的驱动方法。本发明还涉及一种显示装置。此外,本发明还涉及一种具备显示装置的电子书阅读器。
背景技术
近几年,随着数字化技术的进步,可以提供报纸、杂志等文字信息和图像信息作为电子数据。通常,通过将这种电子数据的内容显示于电视、个人计算机、便携式电子终端等所具有的显示装置,来读取其内容。
诸如液晶显示装置等的显示媒体与报纸、杂志等纸媒体极为不同。显示媒体的特征之一是在显示装置的屏幕上切换页面,这与通常处理纸媒体的方式极为不同。这种处理方式的不同使得显示媒体有在文字读取、字句理解、图像识别等时可见效率较低的问题。
对于诸如液晶显示装置等的显示媒体而言,重要的是提高可见效率,以及降低功耗以便于常规使用。为此,公开了削减刷新速率即图像数据的重写次数而降低功耗的技术(参照专利文献1)。
[专利文献1]日本专利申请公开2002-182619号公报
发明内容在上述专利文献1中,通过在显示静止图像时削减刷新速率可以降低功耗。然而,在上述专利文献1的结构中使用非晶硅来形成用于像素的晶体管,所以有可能会因晶体管的截止状态电流而使施加到作为显示元件的液晶元件的电压降低。此外,在上述专利文献1中,因为图像重写所需的时间短,所以当通过在前后周期中供给不同的图像信号来切换不同的图像以进行显示时,图像被即刻刷新为新写入的图像,这与纸媒体不同。
由此本发明的一个实施方式的目的之一是提供一种能够降低由于施加到显示元件的电压变化而发生的显示质量降低、以及防止在改变显示时的低可见效率的显示装置。
本发明的一种实施方式是一种包括显示控制器的显示装置,该显示控制器被配置成通过切换具有第一图像信号的写入周期和第一图像信号的保持周期的第一静止图像显示周期与具有第二图像信号的写入周期和第二图像信号的保持周期的第二静止图像显示周期来使显示设备进行显示。并且,该显示控制器被配置成使第一静止图像显示周期的写入周期与第二静止图像显示周期的写入周期的长度彼此不同。
本发明的一种实施方式是一种包括显示控制器的显示装置。该显示控制器被配置成切换具有第一图像信号的写入周期和第一图像信号的保持周期的第一静止图像显示周期与具有第二图像信号的写入周期和第二图像信号的保持周期的第二静止图像显示周期来使显示设备进行显示。并且,该显示控制器被配置成使第一静止图像显示周期的写入周期与第二静止图像显示周期的写入周期的长度彼此不同。该显示控制器包括切换第一时钟信号和第二时钟信号并输出第一时钟信号或第二时钟信号的切换电路、以及显示模式控制电路。显示模式控制电路被配置成通过控制切换电路,来使第一静止图像显示周期的写入周期与第二静止图像显示周期的写入周期的长度彼此不同。
本发明的一种实施方式是一种包括显示控制器的显示装置,该显示控制器通过切换具有第一图像信号的写入周期和第一图像信号的保持周期的第一静止图像显示周期与具有第二图像信号的写入周期和第二图像信号的保持周期的第二静止图像显示周期来使显示设备进行显示。并且,该显示控制器使第一静止图像显示周期的写入周期与第二静止图像显示周期的写入周期的长度彼此不同。显示控制器包括:被配置成输出第一时钟信号的基准时钟产生电路、被配置成对第一时钟信号进行分频并输出第二时钟信号的分频电路、被配置成切换第一时钟信号和第二时钟信号并输出第一时钟信号或第二时钟信号的切换电路、以及显示模式控制电路。显示模式控制电路被配置成通过控制切换电路,来使第一静止图像显示周期的写入周期与第二静止图像显示周期的写入周期的长度彼此不同。
本发明的一种实施方式可以是一种显示装置,其中,第一静止图像显示周期中的第一图像信号与前一个第一静止图像显示周期中写入的第一图像信号相同,并且,第二静止图像显示周期中的第二图像信号与前一个第一静止图像显示周期中写入的第一图像信号、或者第二静止图像显示周期中写入的第二图像信号不同。
本发明的一种实施方式可以是一种显示装置,其中,第一静止图像显示周期的写入周期为16.6毫秒以下,并且,第二静止图像显示周期的写入周期为1秒以上。
本发明的一种实施方式可以提供一种能够降低由于施加到显示元件的电压变化而发生的显示质量降低以及防止改变显示时的低可见效率的显示装置。
附图说明
图1A至1C是示出作为本发明的一种实施方式的显示装置的操作的示意图;
图2A和2B是示出作为本发明的一种实施方式的显示装置的操作的时序图;
图3A是示出作为本发明的一种实施方式的显示装置的操作的示意图,而图3B是示出本发明的一种实施方式的显示装置的操作的时序图;
图4是示出作为本发明的一种实施方式的显示装置的框图;
图5是示出作为本发明的一种实施方式的显示装置的操作的流程图;
图6A至6C是示出作为本发明的一种实施方式的显示装置的示意图;
图7A至7D是示出作为本发明的一种实施方式的显示装置的截面图;
图8A1和8A2是示出作为本发明的一种实施方式的显示装置的平面图,而图8B是示出作为本发明的一种实施方式的显示装置的截面图;
图9是示出作为本发明的一种实施方式的显示装置的截面图;
图10A和10B是示出作为本发明的一种实施方式的显示装置的立体图;
图11A和11B是示出作为本发明的一种实施方式的电子书阅读器的图。
具体实施方式
下面,参照附图说明本发明的实施方式。但是,本发明可以以多个不同方式实施,而所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实,就是其方式及详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围的情况下可以被变换为各种各样的形式。因此,本发明不应该被解释为仅限定在本实施方式所记载的内容中。注意,在以下说明的本发明的结构中,在不同的附图之间共同使用相同的附图标记来标示相同的部分。
另外,有时为了明确起见而放大示出各实施方式的附图等所示的各结构的尺寸、层的厚度、信号波形或区域。因此,不一定局限于这些尺度。
另外,在本说明书中使用的“第一”、“第二”、“第三”至“第N(N为自然数)”的用语是为了避免构成要素的混淆,而不是用于在数目方面进行限制。
(实施方式1)
在本实施方式中,参照示意图、时序图、框图、流程图等而对显示装置的操作进行说明。
首先,图1A至1C示出显示装置的驱动方法的示意图。在本实施方式中,作为显示装置的示例,描述液晶显示装置。
本实施方式中的液晶显示装置的操作如图1A所示大致划分为第一静止图像显示周期101(也称为第一周期)和第二静止图像显示周期102(也称为第二周期)。
第一静止图像显示周期101是在其中显示一个图像的多个连续帧周期中显示一个静止图像的周期。在第一静止图像显示周期101中,以一致的刷新速率写入图像信号(下文中称为第一图像信号)。从而,在任一个第一静止图像显示周期101的一个帧周期中,连续设置写入与前一帧周期中的图像信号相同的第一图像信号的周期103。注意,在此,一个帧周期是指通过将图像信号依次写入到显示面板的多个像素中而显示的图像被刷新期间的周期。
第二静止图像显示周期102是其中设置显示与前一帧周期的图像信号的图像不同的图像的一个帧周期或多个连续帧周期、且显示静止图像的周期。在第二静止图像显示周期102中,如果在前一帧周期中写入的图像信号是第一图像信号,则写入不同的图像信号(第二图像信号)。从而,在作为第二静止图像显示周期102的一个帧周期且写入第二图像信号的周期104中,写入与前一帧周期的周期105不同的第二图像信号。注意,图1A的周期106与周期103的相同之处在于写入与前一帧周期(在此情形中为周期104)相同的图像信号。注意,在显示不同图像的帧周期连续地设置的情况下,第二静止图像显示周期的周期104连续地设置,以使写入与前一帧周期的第二图像信号不同的第二图像信号。
接着,参照图1B说明第一静止图像显示周期101中的周期103。对应于第一静止图像显示周期101的一个帧周期的周期103包括写入周期和保持周期。注意,在图1B中,周期103包括将第一图像信号写入到像素的写入周期W1(在图1B中以“W1”表示)以及保持写入像素中的第一图像信号的保持周期H1(在图1B中以“H1”表示)。在写入周期W1中,将第一图像信号从显示面板的像素的第一行依次写入到第n行。在写入周期W1中为了显示与前一写入图像相同的图像,所以优选在短时间内写入第一图像信号,以使观众在改变显示时不会感觉到低可见效率。具体而言,在第一静止图像显示周期101的第一图像信号的写入周期W1中,优选为以不发生闪烁的16.6毫秒以下的写入速度进行写入。此外,优选通过在保持周期H1中使晶体管截止来保持施加到液晶元件的第一图像信号。也就是说,优选在保持周期H1中利用由于晶体管的泄漏电流而发生的极小电压降,来保持第一图像信号。第一静止图像显示周期101中的第一图像信号的保持周期H1优选为1秒以上,因为这种长度的时间不会由于累积的流逝时间而导致施加到液晶元件的电压的降低而导致显示质量降低,而且这种长度的时间可使得眼睛的疲劳不那么严重。
接着,参照图1C说明第二静止图像显示周期102中的周期104。对应于第二静止图像显示周期102的一个帧周期的周期104包括写入周期和保持周期。注意,在图1C中,周期104包括将第二图像信号写入到像素的写入周期W2(在图1C中以“W2”表示)以及保持写入像素中的第二图像信号的保持周期H2(在图1C中以“H2”表示)。在写入周期W2中,将第二图像信号从显示面板中的像素的第一行依次写入到第n行。在写入周期W2中,为了显示与前一写入的图像不同的图像,与写入周期W1不同,允许观看者感到显示的改变,以使观看者不会感觉到像纸媒体情形中一样的改变显示时的低可见效率。由此,优选将第二图像信号写入像素的写入周期W2比写入周期W1长,以使观看者能感觉到显示的改变。具体而言,第二静止图像显示周期102中的第二图像信号的写入周期W2优选为观看者能够感觉到显示的切换的写入速度的1秒以上。此外,关于写入的第二图像信号,优选通过在保持周期H2中使晶体管截止来保持施加到液晶元件的电压。也就是说,优选在保持周期H2中,通过利用由于晶体管的泄漏电流而发生的极小电压降,来保持第二图像信号。第二静止图像显示周期102中的第二图像信号的保持周期H2优选为1秒以上,因为这种长度的时间不会因由于累积的流逝时间而引起的施加到液晶元件的电压的降低而导致显示质量降低,并且这种长度的时间能够使眼睛疲劳不那么严重。
接着,参照图2A和2B的各周期中的起始脉冲信号及时钟信号的示意图来说明第一静止图像显示周期101及第二静止图像显示周期102中的供给到驱动电路的信号。注意,图2A和2B所示的示意图中的各信号的波形是为说明而放大示出的。
如图2A所示,在第一静止图像显示周期101的周期103的第一图像信号的写入周期W1中,供给驱动用来将第一图像信号供给到显示面板的各像素的诸如移位寄存器电路等驱动电路的起始脉冲及时钟信号。根据上述写入周期的长度及显示面板上扫描的像素数目等来适当地设定起始脉冲及时钟信号的频率等。注意,使用通过使晶体管截止来保持施加到液晶元件的电压的结构,在第一静止图像显示周期101的周期103的第一图像信号的保持周期H1中,可以停止起始脉冲信号及时钟信号。因此,可以降低保持周期H1中的功耗。注意,可停止第一图像信号D1、以及起始脉冲信号及时钟信号的供给,以使在保持周期H1中,只通过保持在写入周期W1中写入的电压来显示图像。
如图2B所示,在第二静止图像显示周期102的周期104的第二图像信号的写入周期W2中,供给驱动用来将第二图像信号供给到显示面板的各像素的诸如移位寄存器电路等驱动电路的起始脉冲及时钟信号。根据上述写入周期的长度及显示面板上扫描的像素数目等来适当地设定起始脉冲及时钟信号的频率等。注意,使用通过使晶体管截止来保持施加到液晶元件的电压的结构,在第二静止图像显示周期102的周期104的第二图像信号的保持周期H2中,可以停止起始脉冲信号及时钟信号。因此,可以降低保持周期H2期间的功耗。注意,可停止第二图像信号D2以及起始脉冲信号及时钟信号的供给,以使在保持周期H2中,只通过保持在写入周期W2中写入的电压来显示图像。
注意,作为在第二静止图像显示周期102中供给到驱动电路的时钟信号,可使用通过分频在第一静止图像显示周期101中供给到驱动电路的时钟信号而产生的信号。通过该结构,可以产生多种频率的时钟信号,而无需多个用来产生时钟信号的时钟产生电路。注意,在此结构中,可应用的在第一静止图像显示周期101中供给到驱动电路的时钟信号的频率比在第二静止图像显示周期102中供给到驱动电路的时钟信号的频率大。
如上所述,所应用的结构是,在第二静止图像显示周期102的周期104的写入周期W2中,从第一行到第n行对像素进行扫描达1秒以上,并供给第二图像信号,从而观看者可以感觉到图像的切换。应用对应于纸媒体中切换页面时的感知的功能,以使防止改变显示时的低可见效率。
注意,在图1A至1C及图2A和2B中示出的第一静止图像显示周期101和第二静止图像显示周期102之间的切换,既可以利用通过操作等从外部输入的切换信号来进行,又可以通过根据图像信号判定是需要第一静止图像显示周期101还是需要第二静止图像显示周期102来进行。注意,除了第一静止图像显示周期101和第二静止图像显示周期102以外,还可以包括运动图像显示周期。
描述运动图像显示周期。图3A所示的周期301被示为运动图像显示周期的一个帧周期。对应于运动图像显示周期的一个帧周期的周期301包括将图像信号写入像素的写入周期W(在图3A中以“W”表示)。注意,运动图像显示周期除写入周期W以外还可以具有保持周期,但是该保持周期优选为短从而不发生闪烁。在写入周期W中,将图像信号从显示面板的像素的第一行依次写入到第n行。在写入周期W中,在连续的帧周期中将不同的图像信号输入到像素,并使观看者感知运动图像。具体而言,在运动图像显示周期的图像信号的写入周期W中,优选为以不发生闪烁的16.6毫秒以下的速度进行写入。在图3B中,为了与上述图2A和2B同样示出运动图像显示周期301中的供给到驱动电路的信号,示出各周期中的起始脉冲信号及时钟信号的示意图。如图3B所示,在对应于运动图像显示周期的周期301的写入周期W中,供给驱动用来将图像信号(Dn、Dn+1至Dn+3)供给到显示面板的各像素的诸如移位寄存器电路等驱动电路的起始脉冲及时钟信号。根据上述写入周期的长度及显示面板上扫描的像素数目等来适当地设定起始脉冲及时钟信号的频率等。
接着,参照图4的用于切换操作的液晶显示装置的框图说明图1A至1C及图2A和2B所示出的第一静止图像显示周期101及第二静止图像显示周期102。图4所示的液晶显示装置400包括显示面板401、显示控制器402、存储电路403、CPU 404(也称为运算电路)、以及外部输入设备405。
显示面板401包括显示部406和驱动电路部407。显示部406包括多条栅极线408(也称为扫描线)、多条源极线409(也称为信号线)、以及多个像素410。多个像素410的每一个包括晶体管411、液晶元件412、以及电容器413。驱动电路部407包括栅极线驱动电路414(也称为扫描线驱动电路)、以及源极线驱动电路415(也称为信号线驱动电路)。
注意,在晶体管411中,氧化物半导体优选包括在半导体层中。当氧化物半导体中的载流子的数目极少时,可以减小截止状态电流。因此,在像素中可以长时间地保持诸如图像信号等电信号,并且可以将写入间隔设置成更长。晶体管的结构可以是反交错型结构或交错型结构。替代地,可使用沟道区域分为多个区域并串联连接的双栅型结构。替代地,可使用栅电极设置在沟道区域上下的双栅型结构。此外,可以使用其中将半导体层分为多个岛状半导体层从而实现开关操作的晶体管元件。
注意,液晶元件412通过将液晶夹持在第一电极和第二电极之间来形成。液晶元件412的第一电极对应于像素电极。注意,液晶元件412的第二电极对应于对置电极。液晶元件的第一电极和第二电极可以具有多种开口图案。作为液晶元件中的由第一电极和第二电极夹持的液晶材料,可以使用热致液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、铁电性液晶、反铁电性液晶等。这些液晶材料根据条件而示出胆甾相、近晶相、立方相、手性向列相、各向同性相等。另外,还可以使用不使用取向膜的呈现蓝相的液晶。液晶元件412的第一电极由具有透光性的材料或者具有高反射率的金属形成。作为透光性材料的示例,可以举出氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)、掺杂有镓的氧化锌(GZO)等。作为具有高反射率的金属电极,使用铝、银等。注意,有时将第一电极、第二电极以及液晶材料统称为液晶元件。
注意,作为示例,电容器413由像素电极和另外隔着绝缘层设置的电容线构成。注意,当充分降低晶体管411的截止电流时,因为可以延长诸如图像信号等电信号的保持时间,所以可以省略有意设置的电容器。
注意,采用其中像素410包括液晶元件作为显示元件的液晶显示装置且描述了各元件;但是,该元件不局限于液晶元件而可以使用诸如EL元件或电泳元件等的各种显示元件。
从栅极线驱动电路414向栅极线408供给控制晶体管411的导通或截止的信号。从源极线驱动电路415向源极线409供给供给到液晶元件412的图像信号。注意,在图4中,优选的是,将显示部406设置在与栅极线驱动电路414及源极线驱动电路415相同的衬底上,但这并非是必需的。通过将栅极线驱动电路414及源极线驱动电路415设置在与显示部406相同的衬底上,由于可以削减与外部之间的连接端子数,可以减小液晶显示装置的大小。
显示控制器402包括基准时钟产生电路416、分频电路417、切换电路418、显示模式控制电路419、控制信号产生电路420以及图像信号输出电路421。
基准时钟产生电路416是配置成用来振荡恒定频率的时钟信号的电路。基准时钟产生电路416例如可以包括环形振荡器或晶体振荡器等。分频电路417是配置成用来使输入的时钟信号的频率变化的电路。分频电路417例如可包括计数器电路。切换电路418是用来切换来自基准时钟产生电路416的时钟信号(以下称为第一时钟信号)或者来自分频电路417的时钟信号(以下称为第二时钟信号)并输出第一时钟信号或第二时钟信号的电路。切换电路418可用晶体管控制导通或非导通。
显示模式控制电路419是受CPU 404的控制并且是配置成控制从切换电路418输出的时钟信号的切换的电路。利用该切换电路418的控制,可以切换上述第一时钟信号和第二时钟信号,并且,可以切换如上述图2A或2B所示的第一静止图像显示周期的模式及第二静止图像显示周期的模式。
控制信号产生电路420是配置成用来根据所选的第一时钟信号或第二时钟信号而产生用于驱动栅极线驱动电路414及源极线驱动电路415的控制信号(起始脉冲GSP、SSP及时钟信号GCK、SCK)的电路。图像信号输出电路421是配置成用来根据所选的第一时钟信号或第二时钟信号而从存储电路403读取图像信号(数据Data)并将该图像信号输出至源极线驱动电路415的电路。注意,可以根据点反转驱动、源极线反转驱动、栅极线反转驱动、帧反转驱动等适当地使图像信号反转以输出至显示面板401。注意,虽然未图示,但是将电源电位(高电源电位Vdd、低电源电位Vss以及公共电位Vcom)也供给到显示面板401。
存储电路403是配置成用来储存要在显示面板401上显示的图像信号的电路。存储电路403可以包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、EEPROM、闪存等。
CPU404根据来自外部输入设备405等的信号来控制显示模式控制电路419等。外部输入设备405可以是输入按钮、输入键盘、或触摸屏。
接着,参照图5所示的流程图描述图4所示的框图中的各框之间的具体操作。注意,图5所示的流程图示出通过切换参照图1A至1C、图2A和2B所述的第一静止图像显示周期和第二静止图像显示周期来进行操作的结构。在图5所示的流程图中,说明从第一静止图像显示周期切换为第二静止图像显示周期的操作示例。
首先,描述图5的步骤501。在步骤501中,进行第一静止图像显示周期中的第一静止图像写入操作。步骤501对应于图2A中第一图像信号的写入周期W1的操作。此时,在图4中,显示模式控制电路419选择来自基准时钟产生电路416的第一时钟信号作为从切换电路418输出的时钟信号。利用该第一时钟信号,通过图像信号输出电路421从存储电路403读取第一图像信号、以及在控制信号产生电路420中产生控制信号。在显示面板401中,以观看者无法感知到写入的速度进行图像信号的写入。
接着,描述图5的步骤502。在步骤502中,进行第一静止图像显示周期中的第一静止图像保持操作。步骤502对应于图2A中第一图像信号的保持周期H1的操作。此时,在图4中,停止来自控制信号产生电路420的控制信号及来自图像信号输出电路421的图像信号向显示面板401的输出。此时,施加到液晶元件的第一图像信号可通过使其中将氧化物半导体用于半导体层的晶体管截止来保持。因此,可以通过停用控制信号产生电路420及图像信号输出电路421而降低功耗。注意,在由于累积的流逝时间而引起的施加到液晶元件的电压的降低不会导致图像质量降低的范围内使保持周期设定为1秒以上时,这种长度的时间可使眼睛疲劳不那么严重。
接着,描述图5的步骤503。在步骤503中,判定显示模式控制电路419是否改变切换电路418的操作。具体而言,根据切换电子书阅读器的页面的操作是否利用外部输入设备405的操作按钮等进行,决定CPU 404是否通过显示模式控制电路419改变切换电路418的操作。在步骤503所示的例子中,因为不操作外部输入设备405,CPU 404不控制显示模式控制电路419;由此,不改变从切换电路418输出的第一时钟信号。也就是说,保持步骤501的状态。另一方面,在执行外部输入设备405的操作,即操作由外部输入设备405的操作按钮等执行的情况下,CPU 404通过显示模式控制电路419改变切换电路418的操作。具体而言,从切换电路418输出的时钟信号切换为从分频电路417输出的第二时钟信号。
接着,描述图5的步骤504。在步骤504中,进行第二静止图像显示周期中的第二静止图像写入操作。步骤504对应于图2B中的第二图像信号的写入周期W2中的操作。此时,在图4中,显示模式控制电路419选择来自分频电路417的第二时钟信号作为要从切换电路418输出的时钟信号。利用该第二时钟信号,由图像信号输出电路421从存储电路403读取第二图像信号、并且在控制信号产生电路420中产生控制信号等。在显示面板401中,可以将写入速度设定为观看者能够感觉到图像的切换的速度。该功能对应于对纸媒体中切换页面的感知,并且防止改变显示时的低可见效率。
接着,描述图5的步骤505。在步骤505中,进行第二静止图像显示周期中的第二静止图像保持操作。步骤505对应于图2B中的第二图像信号的保持周期H2中的操作。此时,在图4中,来自控制信号产生电路420的控制信号和来自图像信号输出电路421的图像信号不被输出到显示面板401。此时,施加到液晶元件的第二图像信号可通过使将氧化物半导体用于半导体层的晶体管截止来保持。因此,可通过停用控制信号产生电路420及图像信号输出电路421而降低功耗。注意,在由于累积的流逝时间而引起的施加到液晶元件的电压的降低不会导致图像质量降低的范围内将保持周期设定为1秒以上时,这种长度的时间可使眼睛疲劳不那么严重。
注意,在如步骤501那样写入第一图像信号以供显示的情形中,可进行与步骤501及步骤502相似的处理。此外,在如步骤503那样显示模式控制电路419改变切换电路418的操作时,可进行与步骤504及步骤505相似的处理。
接着,参照图6A至6C的示意图描述由本实施方式的结构获得的优点。
图6A是纸质书籍的立体图,并示出关于随着时间翻页的情况。这不用图6A图示也是显而易见的,观看者在纸质书籍601上经过翻页的时间而看到下一页面的文字602。
另一方面,具备液晶显示装置的电子书阅读器如图6B所示具有操作按钮611和显示面板612。当采用如图6B所示的通过按下操作按钮611即刻改变显示的结构时,与图6A不同,观看者有可能会感觉到改变显示时的低可见效率。此外,有可能会发生在不知不觉地翻页时观看者也没有意识到这种改变。
与图6B的示意图中所示的结构不同,在本实施方式的结构中,如图6C所示,经由包括显示变化的区域621和显示不变化的区域622两者的显示而改变显示,因为图像信号的写入周期可长至足以重写在显示面板上显示的图像。使用本实施方式中的结构,通过使用来自基准时钟产生电路的第一时钟信号在写入操作中进行显示,并且在诸如切换页面那样地更新图像的写入操作中,通过使用来自分频电路的第二时钟信号来改变显示。结果,在翻页时逐渐写入数据,由此观看者可以看到翻页的状态。
如上所述,本发明的一种实施方式可以提供一种能够减少由于施加到显示元件的电压变化而发生的图像质量的降低、以及防止改变显示时的低可见效率的显示装置。
本实施方式可以与其他实施方式所记载的结构的适当组合来实现。
(实施方式2)
在本实施方式中,示出可以应用于本说明书所公开的显示装置的晶体管的示例。
图7A至7D各自示出晶体管的截面结构的示例。
图7A所示的晶体管1210是一类底栅结构晶体管,并且也称为反交错型晶体管。
晶体管1210在具有绝缘表面的衬底1200上包括栅电极层1201、栅绝缘层1202、半导体层1203、源电极层1205a、以及漏电极层1205b。绝缘层1207设置成覆盖晶体管1210并层叠于半导体层1203上。在绝缘层1207上设置有保护绝缘层1209。
图7B所示的晶体管1220具有一类称为沟道保护型(也称为沟道停止型)的底栅结构,并且也称为反交错型晶体管。
晶体管1220在具有绝缘表面的衬底1200上包括栅电极层1201、栅绝缘层1202、半导体层1203、设置在半导体层1203中的沟道形成区域上且用作沟道保护层的绝缘层1227、源电极层1205a、以及漏电极层1205b。保护绝缘层1209设置成覆盖晶体管1220。
图7C所示的晶体管1230是底栅型晶体管,该晶体管1230在具有绝缘表面的衬底1200上包括栅电极层1201、栅极绝缘层1202、源电极层1205a、漏电极层1205b、以及半导体层1203。绝缘层1207设置成覆盖晶体管1230并与半导体层1203接触。保护绝缘层1209设置在绝缘层1207上。
在晶体管1230中,栅极绝缘层1202设置成与衬底1200和栅电极层1201接触。源电极层1205a和漏电极层1205b设置成与栅极绝缘层1202接触。在栅绝缘层1202以及源电极层1205a、漏电极层1205b上设置有半导体层1203。
图7D所示的晶体管1240是一类顶栅结构晶体管。晶体管1240在具有绝缘表面的衬底1200上包括绝缘层1247、半导体层1203、源电极层1205a、漏电极层1205b、栅绝缘层1202、以及栅电极层1201。布线层1246a和布线层1246b设置成分别与源电极层1205a和漏电极层1205b接触,以分别电连接至源电极层1205a和漏电极层1205b。
在本实施方式中,作为半导体层1203使用氧化物半导体。
作为氧化物半导体,可以使用:作为四组分金属氧化物的In-Sn-Ga-Zn-O基金属氧化物;作为三组分金属氧化物的In-Ga-Zn-O基金属氧化物、In-Sn-Zn-O基金属氧化物、In-Al-Zn-O基金属氧化物、Sn-Ga-Zn-O基金属氧化物、Al-Ga-Zn-O基金属氧化物、Sn-Al-Zn-O基金属氧化物;作为二组分金属氧化物的In-Zn-O基金属氧化物、Sn-Zn-O基金属氧化物、Al-Zn-O基金属氧化物、Zn-Mg-O基金属氧化物、Sn-Mg-O基金属氧化物、In-Mg-O基金属氧化物;以及In-O基金属氧化物、Sn-O基金属氧化物、Zn-O基金属氧化物等。此外,上述金属氧化物的半导体也可以包括SiO2。在此,例如,In-Ga-Zn-O基金属氧化物是至少包括In、Ga、Zn的氧化物,并且,对其组成比没有特别的限制。此外,In-Ga-Zn-O基金属氧化物也可以包括In、Ga、Zn以外的元素。
作为氧化物半导体,可以使用表示为化学式InMO3(ZnO)m(m>0)的薄膜。在此,M表示选自Zn、Ga、Al、Mn及Co中的一种或多种金属元素。例如,M是Ga、Ga及Al、Ga及Mn或Ga及Co等。
注意,在本实施方式的结构中,氧化物半导体是通过从氧化物半导体去除是n型杂质的氢并以尽量不包括主要成分以外的杂质的方式进行高度提纯来实现本征(i型)或基本上本征型的。换言之,不是通过添加杂质来实现i型化,而是通过尽量去除氢、水等的杂质来实现高度提纯的i型(本征半导体)或近i型。另外,氧化物半导体的带隙为2.0eV以上,优选为2.5eV以上,更优选为3.0eV以上。因此,在氧化物半导体中,可以抑制起因于热激发的载流子的产生。结果,可以减少具有使用氧化物半导体构成的沟道形成区的晶体管的截止状态电流随着工作温度上升的增加量。
在高度提纯的氧化物半导体中,载流子极少(接近0)且载流子浓度为低于1×1014/cm3,优选低于1×1012/cm3,更优选低于1×1011/cm3。
因为在氧化物半导体中载流子极少,所以可以减小晶体管的截止电流。具体而言,在将氧化物半导体用于半导体层的晶体管中,可以将晶体管(每1μm的沟道宽度)的截止电流设定为10aA/μm(1×10-17A/μm)以下,优选为1aA/μm(1×10-18A/μm)以下,更优选为10zA/μm(1×10-20A/μm)。也就是说,在电路设计中,当晶体管处于截止状态时,可以将氧化物半导体用作绝缘体。此外,当晶体管处于导通状态时,可以期望氧化物半导体具有比由非晶硅形成的半导体层高的电流供应能力。
在将氧化物半导体用于半导体层1203的晶体管1210、1220、1230、1240的每一个中,可减小处于截止状态下的电流(截止状态电流)。因此,可以延长诸如图像数据等的电信号的保持时间以及写入间隔。因此,可以降低刷新速率,从而可以进一步降低功耗。
此外,将氧化物半导体用于半导体层1203的晶体管1210、1220、1230、1240的每一个作为使用非晶半导体的晶体管可以得到较高的电场效应迁移率;由此,晶体管可以高速运行。因此,可以实现显示装置的高功能性及高速响应。
尽管对可以用作具有绝缘表面的衬底1200的衬底没有大限制,但是该衬底需要至少高到足以耐受后面的热处理的耐热性。可以使用由钡硼硅酸盐玻璃、铝硼硅酸盐玻璃等制成的玻璃衬底。
当后面的热处理的温度高时,作为玻璃衬底,优选使用应变点为730℃以上的玻璃衬底。作为玻璃衬底,例如使用如铝硅酸盐玻璃、铝硼硅酸盐玻璃或钡硼硅酸盐玻璃等的玻璃材料。注意,也可以使用包括比氧化硼(B2O3)多的氧化钡(BaO)的玻璃衬底。
注意,也可以使用陶瓷衬底、石英衬底、蓝宝石衬底等的由绝缘体构成的衬底而代替上述玻璃衬底。替代地,也可以使用晶化玻璃等。也可以适当地使用塑料衬底等。
在底栅结构的晶体管1210、1220、1230中,也可以将用作基底膜的绝缘膜设置在衬底和栅电极层之间。基底膜具有防止杂质元素从衬底扩散的功能,并且该基底膜可以形成有包括氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜和/或氧氮化硅膜中的单层结构或叠层结构。
作为栅电极层1201,可以使用钼、钛、铬、钽、钨、铝、铜、钕、钪等金属材料或以这些金属材料为主要成分的合金材料的单层结构或叠层结构形成。
作为栅电极层1201的双层结构,以下分层结构的任一个是优选的:铝层和层叠在铝层上的钼层的双层结构、铜层和层叠在铜层上的钼层的双层结构、铜层和层叠在铜层上的氮化钛层或氮化钽层的双层结构、氮化钛层和钼层的双层结构。作为栅电极层1201的三层结构,以下结构是优选的:层叠钨层或氮化钨层、铝和硅的合金层或铝和钛的合金层以及氮化钛层或钛层。注意,也可以使用透光导电膜来形成栅电极层。透光性导电膜的示例为透光导电氧化物。
栅绝缘层1202可以通过使用等离子体CVD法或溅射法等并使用氧化硅层、氮化硅层、氧氮化硅层、氮氧化硅层、氧化铝层、氮化铝层、氧氮化铝层、氮氧化铝层或氧化铪层的单层或叠层形成。
栅绝缘层1202也可以具有从栅电极层一侧依次层叠氮化硅层和氧化硅层的结构。例如,通过溅射法形成厚度为50nm以上且200nm以下的氮化硅层(SiNy(y>0))作为第一栅绝缘层,在该第一栅绝缘层上层叠作为第二栅绝缘层的厚度为5nm以上且300nm以下的氧化硅层(SiOx(x>0)),从而形成厚度为100nm的栅绝缘层。栅绝缘层1202的厚度可根据晶体管所需的特性适当地设定,并且可以为350nm至400nm左右。
作为用作源电极层1205a、漏电极层1205b的导电膜,例如可以使用选自Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、W中的元素、以上述元素为成分的合金、组合上述元素的合金膜等。可以采用在Al、Cu等的金属层的下表面和上表面中的一方或者双方上层叠Cr、Ta、Ti、Mo、W等的高熔点金属层的结构。通过使用添加有防止在Al膜中产生小丘和晶须的诸如Si、Ti、Ta、W、Mo、Cr、Nd、Sc、Y等元素的Al材料,可以提高耐热性。
源电极层1205a和漏电极层1205b可以采用单层结构或两层以上的叠层结构。例如,源电极层1205a和漏电极层1205b可以具有:包含硅的铝膜的单层结构;在铝膜上层叠钛膜的双层结构;Ti膜、层叠在该Ti膜上的铝膜、在其上层叠的Ti膜的三层结构;等等。
用作连接到源电极层1205a和漏电极层1205b的布线层1246a、布线层1246b的导电膜也可以使用与源电极层1205a、漏电极层1205b相似的材料。
作为源电极层1205a和漏电极层1205b(包括使用与该源电极层1205a、漏电极层1205b相同的层形成的布线层)的导电膜也可以使用导电性的金属氧化物形成。作为导电性的金属氧化物,可以使用氧化铟(In2O3)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡、氧化铟氧化锌合金(In2O3-ZnO)或任何包含硅或氧化硅的金属氧化物材料。
作为绝缘层1207、1227、1247和保护绝缘层1209,优选使用氧化绝缘层、氮化绝缘层等的无机绝缘膜。
作为绝缘层1207、1227、1247,可以典型地使用诸如氧化硅膜、氧氮化硅膜、氧化铝膜、或氧氮化铝膜等的无机绝缘膜。
作为保护绝缘层1209,可以使用氮化硅膜、氮化铝膜、氮氧化硅膜、或氮氧化铝膜等的无机绝缘膜。
也可以在保护绝缘层1209上形成用来降低因晶体管引起的表面粗糙度的平坦化绝缘膜。作为平坦化绝缘膜,可以使用聚酰亚胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、聚酰胺或环氧树脂等的具有耐热性的有机材料。除了上述有机材料之外,还可以使用低介电常数材料(低k材料)、硅氧烷类树脂、PSG(磷玻璃)、BPSG(硼磷硅玻璃)等。注意,也可以通过层叠多个由上述材料形成的绝缘膜,来形成平坦化绝缘膜。
在本实施方式中,可以提供一种使用将氧化物半导体用于半导体层的晶体管的显示装置。
本实施方式可以与其他实施方式所记载的结构的适当组合来实现。
(实施方式3)
在本实施方式中,示出液晶显示装置的外观及截面等,并描述其结构。具体而言,在制造晶体管并且将该晶体管用于像素部、驱动电路时,可以制造具有显示功能的液晶显示装置。此外,通过使用晶体管,驱动电路的一部分或全部形成在形成有像素部的衬底上;从而可以获得面板上***(system-on-panel)。
注意,液晶显示装置包括:设置有连接器例如FPC(柔性印刷电路)的模块、TAB(带式自动接合)胶带、或TCP(薄膜封装)的模块;在TAB胶带或TCP的端部设置有印刷线路板的模块;利用COG(玻璃上芯片)方式将IC(集成电路)直接安装到显示元件的模块。
参照图8A1、8A2及8B描述液晶显示装置的外观及截面。图8A1和8A2是其中利用密封材料4005将晶体管4010、4011及液晶元件4013密封在第一衬底4001和第二衬底4006之间的面板的平面图。图8B是沿着图8A1、8A2的M-N的截面图。
以围绕设置在第一衬底4001上的像素部4002和扫描线驱动电路4004的方式设置密封材料4005。在像素部4002和扫描线驱动电路4004上设置有第二衬底4006。因此,像素部4002和扫描线驱动电路4004与液晶层4008一起由第一衬底4001、密封材料4005和第二衬底4006密封。在第一衬底4001上的与由密封材料4005围绕的区域不同的区域中安装有信号线驱动电路4003,该信号线驱动电路4003使用单晶半导体膜或多晶半导体膜形成在单独制备的衬底上。
注意,对单独形成的驱动电路的连接方法没有特别的限制,可以采用COG法、引线键合法或TAB法等。图8A1示出通过COG法安装信号线驱动电路4003的例子,而图8A2示出通过TAB法安装信号线驱动电路4003的例子。
设置在第一衬底4001上的像素部4002和扫描线驱动电路4004包括多个晶体管。在图8B中例示像素部4002所包括的晶体管4010和扫描线驱动电路4004所包括的晶体管4011。在晶体管4010、4011上设置有绝缘层4041a、4041b、4042a、4042b、4020、和4021。
作为晶体管4010、4011,可以使用将氧化物半导体用于半导体层的晶体管。在本实施方式中,晶体管4010、4011是n沟道晶体管。
导电层4040设置在绝缘层4021的一部分上,其与驱动电路用晶体管4011中的包括氧化物半导体的沟道形成区域重叠。导电层4040设置在与包括氧化物半导体的沟道形成区域重叠的位置上,从而可以减小BT(偏压温度)试验前后晶体管4011的阈值电压的变化量。导电层4040的电位与晶体管4011的栅电极层的电位相同或不同。也可以将导电层4040用作第二栅电极层。导电层4040的电位也可以为GND、0V、浮动状态。
液晶元件4013所包括的像素电极层4030电连接到晶体管4010。液晶元件4013的对置电极层4031设置在第二衬底4006上。像素电极层4030、对置电极层4031以及液晶层4008彼此重叠的部分对应于液晶元件4013。注意,像素电极层4030和对置电极层4031分别设置有用作取向膜的绝缘层4032、4033,并且在像素电极层4030和对置电极层4031之间隔着绝缘层4032、4033夹有液晶层4008。
注意,作为第一衬底4001、第二衬底4006,可以使用透光衬底,诸如玻璃、陶瓷、塑料。作为塑料,可以使用FRP(玻璃纤维增强塑料)板、PVF(聚氟乙烯)薄膜、聚酯薄膜或丙烯酸树脂薄膜。
间隔物4035是通过对绝缘膜进行选择性蚀刻而得到的柱状间隔物,并且它是为控制像素电极层4030和对置电极层4031之间的距离(单元间隙)而设置的。注意,还可以使用球状间隔物。对置电极层4031电连接到在形成有晶体管4010的衬底上形成的公共电位线。通过使用公共连接部,对置电极层4031和公共电位线可通过配置在一对衬底之间的导电粒子来电连接。注意,可以将导电粒子包括在密封材料4005中。
替代地,还可以使用取向膜并非必要的呈现蓝相的液晶。蓝相是液晶相的一种,是指当胆甾相液晶的温度上升时即将从胆甾相转变到各向同性相之前出现的相。由于蓝相只出现在较窄的温度范围内,因此为了改善温度范围而将混合有5wt%以上的手性试剂的液晶组成物用于液晶层4008。由于包括呈现蓝相的液晶和手性试剂的液晶组成物的响应速度短,即为1m以下,并且它具有光学各向同性,因此不需要取向处理,从而视角依赖性低。
注意,也可以将本实施方式应用于透射型液晶显示装置、半透射型液晶显示装置。
本实施方式示出液晶显示装置的示例,其中衬底的外侧(可见一侧)设置偏振片,并且在内侧依次设置着色层、用于显示元件的电极层;替代地,也可以在衬底的内侧设置偏振片。偏振片和着色层的叠层结构也不局限于本实施方式,而可根据偏振片及着色层的材料或制造工序条件适当地设定。此外,在除显示部以外的部分中,还可以设置用作黑底的遮光膜。
在晶体管4011中,形成有用作沟道保护层的绝缘层4041a、覆盖包括氧化物半导体的半导体层的叠层的周边部(包括侧面)的绝缘层4041b。同样,在晶体管4010中,形成有用作沟道保护层的绝缘层4042a、覆盖包括氧化物半导体的半导体层的叠层的周边部(包括侧面)的绝缘层4042b。
覆盖氧化物半导体层的周边部(包括侧面)的作为氧化物绝缘层的绝缘层4041b、4042b可以使栅电极层与形成在该栅电极层的上方或周边的布线层(例如源布线层、电容布线层等)之间的距离增大,以使寄生电容降低。为了降低晶体管的表面的粗糙度,使用用作平坦化绝缘膜的绝缘层4021覆盖晶体管。在此,作为绝缘层4041a、4041b、4042a、4042b,通过例如溅射法形成氧化硅膜。
此外,在绝缘层4041a、4041b、4042a、4042b上形成有绝缘层4020。作为绝缘层4020,通过例如RF溅射法形成氮化硅膜。
作为平坦化绝缘膜,形成绝缘层4021。作为绝缘层4021,可以使用诸如聚酰亚胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、聚酰胺、环氧树脂等的具有耐热性的有机材料。除了上述有机材料以外,还可以使用低介电常数材料(低k材料)、硅氧烷类树脂、PSG(磷硅玻璃)、BPSG(硼磷硅玻璃)等。注意,也可以通过层叠多个由这些材料形成的绝缘膜,来形成绝缘层4021。
注意,硅氧烷类树脂对应于以硅氧烷类材料为起始材料而形成的包含Si-O-Si键的树脂。硅氧烷类树脂也可以使用有机基(例如烷基、芳基)、氟基团作为取代基。有机基也可以具有氟基团。
在本实施方式中,也可以由氮化物绝缘膜围绕像素部中的多个晶体管。作为绝缘层4020及栅绝缘层可使用氮化物绝缘膜,并且,如图8B所示至少围绕有源矩阵衬底的像素部的周边地设置绝缘层4020与栅绝缘层接触的区域。在该制造工艺中,可以防止水分从外部侵入。此外,甚至在完成作为液晶显示装置的装置后,也可以长期地防止水分从外部侵入,从而可以提高装置的长期可靠性。
对绝缘层4021的形成方法没有特别的限制,而可以根据其材料利用如下方法及设备:方法诸如溅射法、SOG法、旋涂、浸渍、喷涂、液滴喷射法(喷墨法、丝网印刷、胶版印刷等);设备诸如刮片、辊涂机、幕涂机、刮刀涂布机等。通过使绝缘层4021的焙烧工序兼作半导体层的退火,可以有效地制造液晶显示装置。
作为像素电极层4030、对置电极层4031,可以使用具有透光性的导电材料诸如包含氧化钨的氧化铟、包含氧化钨的氧化铟锌、包含氧化钛的氧化铟、包含氧化钛的氧化铟锡、氧化铟锡、氧化铟锌、添加有氧化硅的氧化铟锡等。
替代地,可以使用包含导电高分子(也称为导电聚合物)的导电组成物形成像素电极层4030、对置电极层4031。使用导电组成物形成的像素电极的薄层电阻优选为10000Ω/□以下,并且其波长为550nm时的透光率优选为70%以上。另外,导电组成物所包含的导电高分子的电阻率优选为0.1Ω·cm以下。
作为导电高分子,可以使用所谓的π电子共轭类导电高分子。例如,可以举出聚苯胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、或者苯胺、吡咯和噻吩中的两种以上的共聚物或其衍生物等。
供应到单独形成的信号线驱动电路4003、扫描线驱动电路4004或像素部4002的各种信号及电位是从FPC 4018供应的。
连接端子电极4015使用与液晶元件4013所具有的像素电极层4030相同的导电膜形成,并且端子电极4016使用与晶体管4010、4011的源电极层及漏电极层相同的导电膜形成。
连接端子电极4015通过各向异性导电膜4019电连接到FPC 4018所具有的端子。
注意,虽然在图8A1至8B中示出单独形成信号线驱动电路4003并将它安装在第一衬底4001上的例子,但是不局限于该结构。既可以单独形成和安装扫描线驱动电路,又可以仅单独形成和安装信号线驱动电路的一部分或扫描线驱动电路的一部分。
图9示出液晶显示装置的结构的示例。
图9示出液晶显示装置的示例。利用密封材料2602固定TFT衬底2600和对置衬底2601。在TFT衬底2600和对置衬底2601之间设置包括TFT等的像素部2603、包括液晶层的显示元件2604、以及着色层2605来形成显示区。在进行彩色显示时着色层2605是必需的。在RGB***中,对于各像素设置有分别对应于红色、绿色、蓝色的着色层。在对置衬底2601的外侧设置有偏振片2606。在TFT衬底2600的外侧设置有偏振片2607和漫散板2613。光源包括冷阴管2610和反射板2611。电路板2612利用柔性线路板2609与TFT衬底2600的布线电路部2608连接,并且包括诸如控制电路、电源电路等的外部电路。偏振片和液晶层之间可层叠有相位差板。
作为液晶显示装置的驱动方式,可以采用TN(扭曲向列;TwistedNematic)模式、IPS(平面内切换)模式、FFS(边缘电场切换)模式、MVA(多畴垂直取向)模式、PVA(垂直取向构型)模式、ASM(轴对称排列微胞)模式、OCB(光学补偿双折射)模式、FLC(铁电性液晶)模式、AFLC(反铁电性液晶)模式等。
通过上述工艺,可以制造液晶显示装置。
本实施方式可以与其他实施方式所记载的结构的适当组合来实现。
(实施方式4)
在本实施方式中,参照图10A和10B描述上述实施方式所述的液晶显示装置中的附加有触摸屏功能的液晶显示装置的结构。
图10A是本实施方式的液晶显示装置的示意图。图10A示出在作为上述实施方式的液晶显示装置的液晶显示面板1501上与该液晶显示面板1501层叠地设置触摸屏单元1502,并且利用外壳(盒)1503将液晶显示面板1501和触摸屏单元1502附连的结构。作为触摸屏单元1502,可以适当地使用电阻膜触摸传感器、表面型电容触摸传感器、投影型电容触摸传感器等。
如图10A所示,通过分别制造液晶显示面板1501和触摸屏单元1502并使它们层叠,可以降低制造具有触摸屏功能的液晶显示装置的制造成本。
图10B示出与图10A不同的具有触摸屏功能的液晶显示装置的结构。图10B所示的液晶显示装置1504包括多个像素1505,每个像素1505分别具有光传感器1506和液晶元件1507。因此,与图10A不同,不必与液晶显示面板1501层叠地制造触摸屏单元1502。由此可以实现液晶显示装置的薄型化。此外,栅线驱动电路1508、信号线驱动电路1509、光传感器用驱动电路1510与像素1505制造在同一衬底上。由此,可以实现液晶显示装置的小型化。注意,光传感器1506也可以由非晶硅等形成并层叠于包括氧化物半导体的晶体管之上。
本实施方式能以与其他实施方式所记载的结构的适当组合来实现。
(实施方式5)
在本实施方式中,将描述具备上述实施方式的任一个所述的液晶显示装置的电子设备的示例。
图11A是一种电子书阅读器(也称为E-book),可以包括外壳9630、显示部9631、操作键9632、太阳能电池9633、充放电控制电路9634。图11A所示的电子书阅读器可以具有:在显示部上显示各种各样的信息(静止图像、运动图像、文字图像等)的功能;将日历、日期、时间等显示于显示部的功能;对显示于显示部的信息进行操作或编辑的功能;利用各种各样的软件(程序)控制处理的功能;等等。注意,图11A示出设置有电池9635、DCDC转换器(下文中缩写为转换器9636)的结构作为充放电控制电路9634的示例。
通过采用图11A所示的结构,当将半透射型液晶显示装置用于显示部9631时,可以预期在较明亮的情况下使用电子书阅读器,在该情形中图11A所示的结构是优选的,因为太阳电池9633可以有效地发电以及电池9635可以有效地充电。注意,优选采用如下结构:为了进行电池9635的充电而将太阳电池9633设置在外壳9630的正面及背面上。注意,当作为电池9635使用锂离子电池时,可以获得小型化等的优点。
此外,参照图11B所示的框图描述图11A所示的充放电控制电路9634的结构及操作。图11B示出太阳电池9633、电池9635、转换器9636、转换器9637、开关SW1至SW3、显示部9631。充放电控制电路9634包括电池9635、转换器9636、转换器9637、开关SW1至SW3。
首先,描述在利用外部光使太阳电池9633发电时的操作的示例。利用转换器9636对太阳电池所发的电力进行升压或降压,以得到用来对电池9635进行充电的电压。当利用来自太阳电池9633的电力使显示部9631操作时,使开关SW1导通,并且利用转换器9637将其升压或降压到显示部9631所需的电压。当不进行显示部9631上的显示时,可使SW1截止并使SW2导通,由此对电池9635进行充电。
接着,描述在不利用外部光使太阳电池9633发电时的操作的示例。通过使SW3导通,利用转换器9637对电池9635所蓄的电力进行升高或降低。然后,当使显示部9631操作时,利用来自电池9635的电力。
注意,虽然作为充电单元的示例来描述太阳电池9633,但是也可以利用其他单元对电池9635进行充电。替代地,也可以组合另一充电单元进行充电。
本实施方式能以与其他实施方式所记载的结构的适当组合实现。
本申请基于2010年2月26日向日本专利局提交的日本专利申请S/N.2010-041987,该申请的全部内容通过引用结合于此。
Claims (12)
1.一种显示装置,包括:
包括多个晶体管的显示部;以及
显示控制器,其被配置成通过切换第一静止图像显示周期与第二静止图像显示周期来使所述显示部进行显示,
其中,所述第一静止图像显示周期包括写入第一图像信号的写入周期和保持所述第一图像信号的保持周期,
其中,所述第二静止图像显示周期包括写入第二图像信号的写入周期和保持所述第二图像信号的保持周期,
其中,所述第一图像信号与前一帧周期中的图像信号相同,而所述第二图像信号与前一帧周期中的图像信号不相同,
其中,所述显示控制器使所述第一静止图像显示周期的写入周期的长度与所述第二静止图像显示周期的写入周期的长度彼此不同,
其中,所述显示控制器包括切换电路以及显示模式控制电路,
其中,所述切换电路被配置成切换第一时钟信号和第二时钟信号并输出所述第一时钟信号或所述第二时钟信号,
其中,所述显示模式控制电路被配置成控制所述切换电路。
2.一种显示装置,包括:
包括多个晶体管的显示部;以及
显示控制器,其被配置成通过切换第一静止图像显示周期与第二静止图像显示周期来使所述显示部进行显示,
其中,所述第一静止图像显示周期包括写入第一图像信号的写入周期和保持所述第一图像信号的保持周期,
其中,所述第二静止图像显示周期包括写入第二图像信号的写入周期和保持所述第二图像信号的保持周期,
其中,所述第一图像信号与前一帧周期中的图像信号相同,而所述第二图像信号与前一帧周期中的图像信号不相同,
其中,所述显示控制器被配置成使所述第一静止图像显示周期的写入周期的长度与所述第二静止图像显示周期的写入周期的长度彼此不同,
其中,所述显示控制器包括基准时钟产生电路、分频电路、切换电路以及显示模式控制电路,
其中,所述基准时钟产生电路被配置成输出第一时钟信号,
其中,所述分频电路被配置成分频所述第一时钟信号并输出第二时钟信号,
其中,所述切换电路被配置成切换所述第一时钟信号和所述第二时钟信号并输出所述第一时钟信号或所述第二时钟信号,
其中,所述显示模式控制电路被配置成控制所述切换电路。
3.根据权利要求1或2所述的显示装置,其特征在于,
所述第一静止图像显示周期的写入周期为16.6毫秒以下,并且所述第二静止图像显示周期的写入周期为1秒以上。
4.根据权利要求1或2所述的显示装置,其特征在于,
所述多个晶体管中的至少一个包括氧化物半导体层。
5.根据权利要求1或2所述的显示装置,其特征在于,
所述多个晶体管中的至少一个的载流子浓度为低于1×1014/cm3。
6.根据权利要求1或2所述的显示装置,其特征在于,
所述多个晶体管中的至少一个的截止电流为1×10-17A/μm以下。
7.一种包括根据权利要求1或2所述的显示装置的电子书阅读器。
8.一种显示装置的驱动方法,包括如下步骤:
在第一静止图像显示周期中显示第一静止图像;以及
从所述第一静止图像显示周期切换为第二静止图像显示周期,由此在所述第二静止图像显示周期中显示第二静止图像,
其中,所述第一静止图像显示周期包括写入第一图像信号的写入周期和保持所述第一图像信号的保持周期,
其中,所述第二静止图像显示周期包括写入第二图像信号的写入周期和保持所述第二图像信号的保持周期,
其中,所述第一图像信号与前一帧周期中的图像信号相同,而所述第二图像信号与前一帧周期中的图像信号不相同,以及
其中,所述第一静止图像显示周期的写入周期的长度与所述第二静止图像显示周期的写入周期的长度彼此不同。
9.根据权利要求8所述的显示装置的驱动方法,其特征在于,
通过利用显示控制器来切换所述第一静止图像显示周期和所述第二静止图像显示周期,
其中,所述显示控制器被配置成通过切换所述第一静止图像显示周期和所述第二静止图像显示周期来使显示部进行显示,
其中,所述显示控制器被配置成使所述第一静止图像显示周期的写入周期的长度与所述第二静止图像显示周期的写入周期的长度彼此不同。
10.根据权利要求8所述的显示装置的驱动方法,其特征在于,
通过利用显示控制器来切换所述第一静止图像显示周期和所述第二静止图像显示周期,
其中,所述显示控制器被配置成通过切换所述第一静止图像显示周期和所述第二静止图像显示周期来使所述显示部进行显示,
其中,所述显示控制器被配置成使所述第一静止图像显示周期的写入周期的长度与所述第二静止图像显示周期的写入周期的长度彼此不同,
其中,所述显示控制器包括切换电路以及显示模式控制电路,
其中,所述切换电路被配置成切换第一时钟信号和第二时钟信号并输出所述第一时钟信号或所述第二时钟信号,
其中,所述显示模式控制电路被配置成控制所述切换电路。
11.根据权利要求8所述的显示装置的驱动方法,其特征在于,
通过利用显示控制器来切换所述第一静止图像显示周期和所述第二静止图像显示周期,
其中,所述显示控制器被配置成通过切换所述第一静止图像显示周期和所述第二静止图像显示周期来使所述显示部进行显示,
其中,所述显示控制器被配置成使所述第一静止图像显示周期的写入周期的长度与所述第二静止图像显示周期的写入周期的长度彼此不同,
其中,所述显示控制器包括基准时钟产生电路、分频电路、切换电路以及显示模式控制电路,
其中,所述基准时钟产生电路被配置成输出第一时钟信号,
其中,所述分频电路被配置成分频所述第一时钟信号并输出第二时钟信号,
其中,所述切换电路被配置成切换所述第一时钟信号和所述第二时钟信号并输出所述第一时钟信号或所述第二时钟信号,
其中,所述显示模式控制电路被配置成控制所述切换电路。
12.根据权利要求8所述的显示装置的驱动方法,其特征在于,
所述第一静止图像显示周期的写入周期为16.6毫秒以下,并且所述第二静止图像显示周期的写入周期为1秒以上。
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Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2624326A4 (en) * | 2010-09-29 | 2017-05-10 | Posco | Method for manufacturing a flexible electronic device using a roll-shaped motherboard, flexible electronic device, and flexible substrate |
US9030837B2 (en) | 2011-06-10 | 2015-05-12 | Scott Moncrieff | Injection molded control panel with in-molded decorated plastic film that includes an internal connector |
US9355585B2 (en) | 2012-04-03 | 2016-05-31 | Apple Inc. | Electronic devices with adaptive frame rate displays |
WO2014203564A1 (ja) * | 2013-06-20 | 2014-12-24 | シャープ株式会社 | マルチディスプレイシステム、ドライバ装置、およびマルチパネル表示装置の駆動方法 |
US10108305B2 (en) * | 2013-08-13 | 2018-10-23 | Samsung Electronics Company, Ltd. | Interaction sensing |
US10042446B2 (en) | 2013-08-13 | 2018-08-07 | Samsung Electronics Company, Ltd. | Interaction modes for object-device interactions |
KR102288238B1 (ko) | 2013-09-03 | 2021-08-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 |
KR102104976B1 (ko) * | 2013-11-13 | 2020-04-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 로우 리프레쉬 레이트 구동이 가능한 표시장치와 그 구동방법 |
KR102128579B1 (ko) * | 2014-01-21 | 2020-07-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 게이트 구동 회로 및 이를 구비한 표시 장치 |
JP7034423B2 (ja) * | 2016-04-28 | 2022-03-14 | オムニヴィジョン ティーディーディーアイ オンタリオ リミテッド パートナーシップ | 駆動制御デバイス及び電子機器 |
JP7055592B2 (ja) * | 2016-12-08 | 2022-04-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置 |
KR102574596B1 (ko) | 2016-12-26 | 2023-09-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 구동방법 |
CN113920945B (zh) | 2021-09-14 | 2023-01-24 | 厦门天马显示科技有限公司 | 显示面板和显示装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1317779A (zh) * | 2000-04-11 | 2001-10-17 | 三洋电机株式会社 | 显示装置的驱动方法以及驱动电路 |
Family Cites Families (132)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7401286B1 (en) * | 1993-12-02 | 2008-07-15 | Discovery Communications, Inc. | Electronic book electronic links |
DE69635107D1 (de) | 1995-08-03 | 2005-09-29 | Koninkl Philips Electronics Nv | Halbleiteranordnung mit einem transparenten schaltungselement |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JPH11133921A (ja) * | 1997-10-28 | 1999-05-21 | Sharp Corp | 表示制御回路及び表示制御方法 |
US6335728B1 (en) * | 1998-03-31 | 2002-01-01 | Pioneer Corporation | Display panel driving apparatus |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4243035B2 (ja) | 2001-03-29 | 2009-03-25 | 三洋電機株式会社 | 表示装置の駆動方法及び駆動回路 |
US6611108B2 (en) * | 2000-04-26 | 2003-08-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and driving method thereof |
JP4137394B2 (ja) | 2000-10-05 | 2008-08-20 | シャープ株式会社 | 表示装置の駆動方法、それを用いた表示装置、およびその表示装置を搭載した携帯機器 |
JP4123711B2 (ja) * | 2000-07-24 | 2008-07-23 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学パネルの駆動方法、電気光学装置、および電子機器 |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
TW582000B (en) | 2001-04-20 | 2004-04-01 | Semiconductor Energy Lab | Display device and method of driving a display device |
JP2002323876A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Nec Corp | 液晶表示装置における画像表示方法及び液晶表示装置 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP3879484B2 (ja) * | 2001-10-30 | 2007-02-14 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
US7061014B2 (en) | 2001-11-05 | 2006-06-13 | Japan Science And Technology Agency | Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
JP3980910B2 (ja) * | 2002-03-12 | 2007-09-26 | 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 | 液晶表示装置 |
JP2003271099A (ja) | 2002-03-13 | 2003-09-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置および表示装置の駆動方法 |
US7049190B2 (en) | 2002-03-15 | 2006-05-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device |
JP2003280600A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-10-02 | Hitachi Ltd | 表示装置およびその駆動方法 |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
TWI359394B (en) | 2002-11-14 | 2012-03-01 | Semiconductor Energy Lab | Display device and driving method of the same |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP3762412B2 (ja) | 2003-03-31 | 2006-04-05 | キヤノン株式会社 | 情報機器と情報表示方法 |
US7196689B2 (en) | 2003-03-31 | 2007-03-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Information device |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
TW200517940A (en) * | 2003-09-02 | 2005-06-01 | Koninkl Philips Electronics Nv | An e-book with improved image quality |
JP2005140959A (ja) * | 2003-11-06 | 2005-06-02 | Rohm Co Ltd | 表示装置及びこれを用いた携帯機器 |
EP1737044B1 (en) | 2004-03-12 | 2014-12-10 | Japan Science and Technology Agency | Amorphous oxide and thin film transistor |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
KR100641146B1 (ko) | 2004-03-31 | 2006-11-02 | 엘지전자 주식회사 | 휴대용 단말기의 배터리 |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP4626222B2 (ja) * | 2004-08-27 | 2011-02-02 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置 |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP2005037962A (ja) * | 2004-09-08 | 2005-02-10 | Zenic Inc | パッシブマトリックス液晶パネルを駆動する方法 |
JP2006084758A (ja) * | 2004-09-16 | 2006-03-30 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置用駆動回路及び方法、電気光学装置、並びに電子機器 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
WO2006043611A1 (en) * | 2004-10-22 | 2006-04-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
CA2708335A1 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Amorphous oxide and field effect transistor |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
AU2005302964B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor employing an amorphous oxide |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
EP1810335B1 (en) | 2004-11-10 | 2020-05-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI412138B (zh) | 2005-01-28 | 2013-10-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI569441B (zh) | 2005-01-28 | 2017-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
CN100592358C (zh) | 2005-05-20 | 2010-02-24 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置和电子设备 |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
JP2007018095A (ja) | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子表示装置 |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP5064747B2 (ja) * | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
EP1998375A3 (en) | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
KR101112652B1 (ko) | 2005-11-15 | 2012-02-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액티브 매트릭스 디스플레이 장치 및 텔레비전 수신기 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
TW200739507A (en) * | 2006-03-23 | 2007-10-16 | Toshiba Matsushita Display Tec | Liquid crystal display device |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
JP5049101B2 (ja) * | 2006-12-21 | 2012-10-17 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 液晶表示装置 |
US20080158217A1 (en) * | 2006-12-28 | 2008-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
JP2008241832A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Seiko Epson Corp | 液晶装置、画素回路、アクティブマトリクス基板、および電子機器 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
CN101663762B (zh) | 2007-04-25 | 2011-09-21 | 佳能株式会社 | 氧氮化物半导体 |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
US8803787B2 (en) * | 2007-09-18 | 2014-08-12 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display apparatus |
JP5213422B2 (ja) * | 2007-12-04 | 2013-06-19 | キヤノン株式会社 | 絶縁層を有する酸化物半導体素子およびそれを用いた表示装置 |
US8202365B2 (en) | 2007-12-17 | 2012-06-19 | Fujifilm Corporation | Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film |
US8704217B2 (en) | 2008-01-17 | 2014-04-22 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Field effect transistor, semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
JP2009217415A (ja) | 2008-03-10 | 2009-09-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
JP2009223169A (ja) * | 2008-03-18 | 2009-10-01 | Seiko Epson Corp | 表示装置 |
JP2009229961A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Seiko Epson Corp | 液晶表示制御装置及び電子機器 |
TW201004337A (en) * | 2008-07-02 | 2010-01-16 | Acer Inc | Device and method for producing electronic book by dynamic images |
US9600175B2 (en) * | 2008-07-14 | 2017-03-21 | Sony Corporation | Method and system for classification sign display |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
TWI419128B (zh) * | 2008-10-02 | 2013-12-11 | Lg Display Co Ltd | 液晶顯示裝置及其驅動方法 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
US20100156768A1 (en) * | 2008-12-22 | 2010-06-24 | Fletcher Ii James Douglas | Display media, method of forming display media, and printer for printing on display media |
KR101822353B1 (ko) * | 2009-12-18 | 2018-01-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치의 구동 방법 및 표시 장치 |
-
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2017
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Patent Citations (1)
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---|---|---|---|---|
CN1317779A (zh) * | 2000-04-11 | 2001-10-17 | 三洋电机株式会社 | 显示装置的驱动方法以及驱动电路 |
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