TWI304997B - System and method for heating and cooling wafer at accelerated rates - Google Patents

Description

1304997 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明相關於半導體處理，尤其相關於用來製造積體 電路的晶圓的加熱及冷卻。 【先前技術】 微電子裝置是採用形成在合適的載體或基板上的多個 材料層而製成。微電子材料層中的許多層必須被準確地定 圖型及重合以產生精細尺寸。隨著電路密度及性能需求的 增加’圖型的公差及尺寸相應地變得較小。一般在實務上 是採用光石印技術來形成圖型於微電子材料層，其中要被 定圖型的材料層被塗覆以光敏漆或光抗蝕劑材料，然後曝 露於一光輻射圖型，以於光抗蝕劑材料形成圖型的潛像。 然後，此潛像被化學顯影，以形成圖型的光抗蝕劑蝕刻掩 模’然後其藉著加（additive)或減（subtractive)製程 例如蝕刻或其他類似製程而被轉移至在下方的材料層。 隨著積體電路製造中的特徵尺寸的趨近l〇〇nm (毫微 米），封裝密度的問題變得日益難以克服。主要的問題爲 用於光抗蝕劑的曝光的石印技術曝光工具解析度。光抗倉虫 劑及光抗蝕劑的操縱在此技術中爲已知，但是以下要簡要 敘述一些重要的課題。光抗蝕劑成爲薄膜塗覆層被施加於 合適的基板。在經塗覆的基板被光化（a c t i n i c )輻射影像 曝光時，經曝光與未曝光區域之間的可溶解率的差異在顯 影之後於基板上產生影像。然後，未被覆蓋的基板承受蝕 -5- 1304997 (2) 刻處理。此經常涉及電漿蝕刻，而抗蝕劑塗覆層對於此電 漿蝕刻必須充分穩定。對於正色調光抗蝕劑，塗覆層保護 在曝光期間被覆蓋的基板區域以使其與蝕刻劑隔離，因而 蝕刻劑只能蝕刻未被覆蓋的區域。光抗蝕劑塗覆層保護基 板的被覆蓋區域以使其與蝕刻劑隔離，因而蝕刻劑只能蝕 刻基板的未被覆蓋的區域。因此，可在基板上產生相應於 在顯影之前被用來在經塗覆的基板上產生選擇性的曝光圖 型的掩模或樣板的圖型的圖型。 重現非常小的尺寸的能力對於在矽晶片及類似組件上 製造大尺度積體電路而言極爲重要。隨著半導體裝置的積 體程度變得更高，所要求的光抗蝕劑膜圖型更精細。在此 種晶片上增加電路密度的一種方式是藉著增加抗蝕劑的解 析能力。 可最佳地獲得的微石印技術（microlithographic)解 析度基本上是由用於選擇性照射的輻射波長決定。但是， 可在傳統的深UV (紫外線）微石印技術之下獲得的解析 能力有其限制。爲了能充分地解析在光學上小的結構元件 ，例如〇 . 1 3微米及更小的特徵，具有前所未有的短的波長 (特別是l93nm )的輻射正與化學放大（chemical amplification)抗蝕劑膜一起被採用。 典型的化學放大光抗蝕劑膜包含聚合物，光酸產生劑 ’及其他選擇性的添加劑。聚合物必須可溶解在選用的顯 影劑溶液中，並且除了具有優異的抗蝕刻性之外，還具有 高熱穩定性及對於曝光波長的低吸收性。化學放大的光抗 -6- 1304997 (3) 鈾劑是根據化學放大的解段（deblocking )。以此機制， 光產生的酸的分子催化聚合物的保護基團中的鍵的斷開。 在解段過程期間，同一酸的另一分子產生成爲副產物，並 且繼續酸催化解段循環。 化學放大的抗蝕劑必須有一曝光劑量來產生潛酸及潛 像以及一熱劑量來驅動改變抗蝕劑在顯影劑中的可溶解性 的解段反應。因爲光產生的酸在其催化解段反應時擴散通 過抗蝕劑，所以酸會擴散至未曝光區域內，並且對抗蝕劑 中所產生的影像的品質有重大的衝擊。後曝光烘焙過程（ PEB )的一重要準繩爲擴散與反應過程的相對速率之間的 平衡的最佳化。擴散前反應過程可能包含光酸的損失至環 境。擴散後反應過程較明確地說爲放大反應及酸損失反應 。因爲擴散率及反應率均與溫度有關，所以抗鈾劑的熱歷 史的小心操縱及監視對於積體電路的最終尺寸而言爲關鍵 。擴散過程，放大反應過程，及酸損失反應的每一個具有 不同的活化能量。擴散及放大反應的活化能量均高，而酸 損失反應的活化能量相較之下低。 因此，斜坡（ramp )或上升（rise )時間在稠密特徵 的形成中爲關鍵。被稠密地定位的線或其他特徵可在被稱 爲除渣（scumming )的過程中被結合在一起，而曝露於相 同的熱劑量的孤立的線或特徵會線性增加且被充分分解。 在烘焙開始時，酸損失反應在晶圓達到熱至足以驅動解段 反應的溫度之前淸除酸。在熱板溫度達到之後，酸損失， 擴散，及放大同時發生。延遲達到烘焙溫度可能在解段可 -7- (4) 1304997 開始之前導致大量的酸損失，促成前述的除渣過程。請參 考Mark D. Smith發表在SPIE的年報「抗蝕劑技術及處理 的發展 XVIII ( Advances in Resist Technology and Processing XVIII)」第 4345 期第 1013 至 1021 頁的名爲「 後曝光烘焙期間的熱歷史對化學放大抗蝕劑的石印技術性 能的衝擊的模擬（Modeling the impact of thermal history during post exposure bake on the lithographic performance of chemically amplified resists)」的文章以 獲得更多的資訊’此文章藉著參考整個結合於此。 圖1至3顯示用於矽晶圓的後曝光烘焙的習知技術爐。 圖1爲習知技術爐的分解圖’顯不頂部封殼20’氣體入口 22，噴淋頭24，晶圓28，具有近程銷34的熱板32，提升銷 3 6，及底部封殼4 〇。圖2爲圖1所示的習知技術爐於打開位 置的截面，其中晶圓28從熱板32及近程銷34的表面升尚。 圖3爲圖1所示的習知技術爐於關閉位置的截面’其中晶圓 2 8在熱板3 2的近程銷3 4上。噴淋頭2 4具有通道’以分佈從 氣體入口 22到達的氣體。此種爐的一例是由日本 Kumamoto的東京電子公司（ Toky〇 Electron corP〇ration (TEC ))製造。 一般而言，近程銷將晶圓28升高離開熱板32的表面大 約！ 〇〇至15 0微米。在實務上，無法在先前處理的期間使晶 圓28完全平坦或將晶圓28保持爲完全平坦’並且平坦程度 隨著晶圓的不同而不同。由於爐內的給垂溫度梯度，因此 甚至是平坦度的小變化也可能在橫越晶圓2 8的不同點處導 -8- 1304997 (5) 致溫度有相當大的不同。例如，如果晶圓凹入成使得端部 與中間相比離開熱板3 2較遠，則中間部分會比端部熱。此 變化可能會在習知技術設計中導致在晶圓的不同區域處的 相差兩倍的上升時間，並且因而對擴散及反應過程的精確 活化及控制有害。 【發明內容】 本發明的一方面爲一種用來改變晶圓的溫度的系統， 包含一第一溫度控制板。一第二溫度控制板具有近程銷， 並且晶圓位在第一與第二溫度控制板之間。晶圓離開第一 溫度控制板的距離是由近程銷保持。晶圓離開第二溫度控 制板的距離可以用任意數目的多種方式來保持，但是較佳 地是由第二熱板的近程銷來保持。一封殻環繞第一及第二 溫度控制板及晶圓，並且封殼包含氣體輸入及輸出。熱傳 導氣體從輸入流經晶圓且至該輸出。 本發明的另一方面涉及一種晶圓調整方法，用來在一 容室內調整具有第一側及第二側的晶圓。此方法包含從該 第一側加熱或冷卻晶圓；從該第二側加熱或冷卻晶圓；及 施加氣體至晶圓，該氣體係經由多個通道分佈，使得氣體 流動被控制且爲層流及在空間上被分佈。 本發明的另一方面爲一種用來控制晶圓的溫度的裝置 ，包含一溫度控制元件；及一氣體分佈系統，形成爲將氣 體繞晶圓的一表面分佈，該氣體分佈系統包含多個流動路 徑，而多個流動路徑的每一個包含一層流元件。在此裝置 -9 - (6) 1304997 內，晶圓位在氣體分佈系統與溫度控制元件之間。 本發明的其他方面及有利點從以下的敘述及圖式會·變 得明顯。 藉著參考圖式’本發明可被更佳地瞭解，並且可丨吏其 極多的特徵及有利點顯明。爲簡單及容易瞭解起見，#不 同圖式有相同元件的情況中，對元件採用相同的檩號。 【實施方式】 以下爲本發明的例示性實施例的詳細敘述。隨著參考 上述的圖式來敘述本發明的這些實施例，所敘述的方法及 /或特定結構的各種不同的修正或改變對於熟習此項技術 者而言很明顯。依賴本發明的教示且使本發明因而推進此 技術的所有的此種修正，改變，或變化均被視爲在本發明 的範圍內。因此，這些敘述及圖式不應被視爲有限制性的 含意，應瞭解本發明無論如何不受限於所示的實施例。 圖4顯示半導體處理室（SPC) 100的分解圖。SPC100 除了供應其他處理需求例如氣體分佈及蒸汽移除之外，還 可被用來加熱或冷卻矽晶圓或其他基板。SPC 1 00在矽晶 圓處理領域中有許多應用。此種應用之一爲先前所述的後 曝光烘焙過程。其他應用對於熟習此項技術者而言將會很 明顯。 矽晶圓126在上方殼體104與下方殼體134內被調整。 雖然SPC 1〇〇可被用來冷卻晶圓及加熱晶圓以及用其他方 式來調整晶圓，但是其可被稱爲爐。 -10- (7) 1304997 機械總成102驅動SPC100的打開及關閉，亦即機械總 成102將上方殻體104與下方殼體134帶在一起或分開，以 關閉或打開SPC100。氣體運輸管106a及l〇6b分別附著於 上方殼體104及蓋板110。氣體運輸管l〇6a及106b爲調整過 程中所用的進入氣體安排路線至由蓋板110及流動槽道板 1 1 2形成的流動歧管1 1 1。氣體經由歧管1 1 1而流動通過作 用成爲氣體分佈系統的一部分的上方熱（或激冷）板124 。施加的氣體一般而言爲氮，但是氣體分佈系統當然可運 輸任何氣體至晶圓126。彈簧108在容許SPC100的各種不 同組件包括晶圓I26有移動及尺寸變化的自由之下壓縮 SPC100的各種不同紅件。 晶圓126藉著近程銷133而被支撐在下方熱（或激冷） 板132上。近程銷133被定位成爲將晶圓126保持成爲均勻 地與下方熱板132的上表面分開。近程銷133可在下方熱板 1 3 2的表面上同心地配置或以任何其他圖型配置，以將晶 圓在加熱’冷卻’及調整處理過程期間的翹曲減至最小。 爲均勻地加熱，冷卻’或以其他方式調整晶圓〗26，晶圓 126的精確定位是關鍵。晶圓126與下方熱板132或上方熱 板124的錯誤對準或不正確分開會使晶圖的不同區域承 受不同溫度輪廓或梯度。晶圓在調整處理適程期間可能承 受的甚至是溫度輪廓的極小差異也可能對正形成在晶圓 1 26上/中的積體電路的線寬度及電路成形有大的影響。在 熱板1 3 2被用來加熱晶圓的情況中，熱板I 3 2內埋設有電加 熱元件。在熱板132被使用成爲激冷板來冷卻晶圓的情況 -11 - (8) 1304997 中，可採用熱電冷卻器或任何其他已知的機構’例如冷卻 液體通道。因此，所用的術語「熱板」被定義成爲可加熱 或冷卻其周圍的溫度控制板。 提升銷總成1 3 0被用來在晶圓被***時將晶圓1 2 6放置 在近程銷133上，以及在晶圓從SPC1 〇〇移去時將晶圓126 從近程銷1 3 3提升。 排氣環件128限制及控制SPC 100內從熱板132的邊緣 排出的排氣的流動。對於不同的處理應用可特製不同位準 的排氣限制。排氣環件128確保在形成於排氣環件128與熱 板1 3 2之間的環狀排氣開口的周圍的流動均勻性。在輸入 及排氣率被控制之下，SPC 100提供徑向調整，並且控制 在晶圓126的表面上的氣體流量。以下參考圖5進一步詳細 地敘述氣體的分佈。 圖5顯示歧管1 1 1的流動槽道板（FCP ) 1 1 2。蓋板1 1 〇 (未顯示）密封抵靠FCP 1 1 2的頂側。明確地說，蓋板1 1 0 與密封環113及平面狀接觸區域122直接接觸。或者， FCP 112與蓋板110之間可包含一額外的襯墊。氣體從氣體 運輸管l〇6a及106b經由蓋板110到達由爲FCP112的凹入部 分的分佈環件1 1 4及蓋板1 1 0所形成的環狀槽道內。 FCP112較佳地是藉著蝕刻一金屬件或金屬箔而形成，但 是也可採用許多其他已知的金屬加工方法。另外，雖然例 如爲鎳或不鏽鋼的金屬較佳，以避免晶圓受污染，但是可 採用此技術中任何其他已知的材料來形成歧管丨丨1。分佈 環件1 1 4相對於密封環1 1 3凹入。氣體經由分佈環件1丨4上 -12- 1304997 Ο) 的環狀槽道而流經不同的分佈槽道1 1 6至晶圓126 (未顯示 )的表面的不同區域。環狀槽道（分佈環件）114的寬度 是在從2mm (毫米）至2cm (公分）的範圍，而深度是在 從〇_2mm至5mm的範圍。分佈槽道116的每一個具有進給通 道1 1 7及層流通道（LFP ) 1 1 8。層流通道1 1 8確保在晶圓 的表面上有固定及均勻分佈的流動。LFP118被特製成爲 對於一範圍的應用將流動分佈最佳化。一般而言，分佈槽 道1 16的深度可在從大約50微米至大約800微米的範圍，且 較佳地爲150微米。請參考Renken等人的名爲「熱質量流 量計及控制器（Thermal Mass Flow Meter and Controller )」的美國專利第4,68 5,3 3 1號以獲得對層流通道的更多 資訊，此前案藉著參考整個結合於此。進給通道117將氣 體從分佈環件114運輸至LFP118。在每一分佈槽道的端部 處有氣體傳送空穴120。每一氣體傳送空穴12 0與通過上方 熱板124的一氣體通道對準。 例如可能在後曝光烘焙期間從晶圓1 26產生或蒸發且 行進通過上方熱板124的通道的存在於SPC100內的任何溶 劑或污染物會凝結及/或蓄積在氣體傳送空穴120中。如此 ，被製造成爲深度比層流通道大很多以收容凝結的污染物 的氣體傳送空穴12〇保護層流通道118不會有污染物以及因 而所導致的阻塞或流動阻礙。 FCP 11 2與上方熱板〗24直接接觸且緊密靠近。如此， FCP112處於與上方熱板！24幾近相同的溫度。取決於上方 熱（激冷）板是作用來加熱或冷卻晶圓，流經歧管1 1 1的 -13- 13049分歲牛:2玉：第92105381號專利申請案 中文說明書替換頁 ......民國97年7月1S日修正 (1〇) ψι 1 a ............... · _ · ·- · » ^ 氣體會被加熱或冷卻至與晶圓約略相同的溫度。另外’氣 體也直接通過上方熱板124的通道，因而進一步確保氣體 溫度到達非常接近在或靠近晶圓126的表面處的溫度的 SP C10 0的溫度。因爲有大的溫度控制表面面積用於氣體 運輸，氣體與溫度控制元件接觸的時間相當長，並且氣體 直接通過溫度控制元件，所以熱有效率地傳遞至氣體。在 具有例如〇 · 1 8微米及更小的線寬度的非常小的積體電路的 製造中，此爲優於習知技術的非凡有利點，因爲在晶圓表 面處的溫度精確控制直接衝擊擴散與反應過程之間的相對 速率，並且因而直接衝擊積體電路的線寬度。 圖6至8爲SPC 100於操作的不同階段的截面。圖6顯示 打開的SPC1 00，其中晶圓126位於升高位置。晶圓126被 插在處於上方位置的提升銷總成130上。在圖7中，提升銷 總成130將晶圓126降低在下方熱板132上的近程銷133上。 上方熱板124以及歧管1 11的流動槽道板1 12及蓋板1 10均位 於上方位置。熱（激冷）板124及13 2之一或二者可在此階 段作用，以加熱或冷卻晶圓1 26。另外，氣體可流動或被 關斷。注意上方熱板124與晶圓126之間的間隙。 在圖8中，上方熱板124已經被降低至下方位置，使得 上方近程銷125與下方熱板132接觸。晶圓126的溫度可以 用許多方式來控制，並且spc 內的溫度梯度也可藉著 一起或獨立地調變熱板124及13 2而被調整。藉著啓動上方 熱板124及下方熱板132二者’ SPC100中的梯度與只具有 下方熱板的習知技術設計相比被大幅減至最小。另外’在 -14- 1304997 (11) 使用伸出的上方近程銷1 2 5之下，上方與下方熱板之間的 距離可在處理過程中被改變，以對溫度輪廓提供最大的彈 性及可調整性。熱板的溫度排程也可被程式規劃，以在任 何給定的溫度循環或輪廓期間隨時間個別地改變。一般而 言，與習知技術設計相比，至給定溫度的斜坡（r a m p )時 間在本發明的雙熱板設計下可減半。斜坡率與習知設計相 比也可被更爲精確地控制。 另外，因爲熱從兩側施加於晶圓，所以與例如圖1至3 的習知設計相比，可較佳地適應平坦性的變化（翹曲）。 例如，如果晶圓翹曲成使得晶圓的端部比晶圓的中心部分 離開下方熱板132較遠，則端部會較靠近上方熱板124。 200 mm晶圓的翹曲可能高達大約75微米。換句話說，上方 與下方熱板124與13 2之間的減小的熱梯度將不完美的晶圓 否則可能會承受的溫度差異減至最小。此又導致較精確的 積體電路成形。 氣體可在上方熱板124處於如在圖7及8中所見的上方 或下方位置之下施加於晶圓。並且，在圖6至8的截面中， 可看見通過上方熱板124的氣體通道127。當氣體流經歧管 1 1 1及氣體通道127時，氣體被加熱至上方熱板124的溫度 。如前所述，上方熱板124的溫度可被獨立地操縱。如此 ，所分佈的氣體的溫度也可被加熱或冷卻至選定的溫度， 以產生想要的效果。氣體的相當長的滯留時間及熱傳遞元 件的大表面面積與習知技術設計相比增加氣體的精確溫度 控制且因此而增加晶圓的精確溫度控制。另外，由分散成 -15- (12) 1304997 爲提供繞晶圓表面的均勻流動的層流通道所提供的控制產 生SPC 100內有較佳的溫度控制。 SPC1 00的精確溫度控制及快速動態回應在許多操作 中很有用。特別是，SPC 100可較佳地控制化學放大抗蝕 劑的重要轉變。如前所述，化學放大抗蝕劑要求不同的熱 輪廓及能量來活化擴散，放大反應，及酸損失反應。因此 ’精確溫度控制最爲重要，以使得任何反應不會無意地開 始或被影響。因爲光產生的酸在催化解段反應時擴散通過 抗蝕劑，所以酸可能擴散至未曝光區域內，並且對產生於 抗蝕劑的影像的品質有重大的影響。後曝光烘焙過程（ PEB )的一·重要準繩爲擴散與反應過程的相對速率之間的 平衡的最佳化。因爲擴散率及反應率均與溫度有關，所以 抗蝕劑的熱歷史的小心操縱及監視對於積體電路的最終尺 寸而言爲關鍵。本發明的雙加熱及冷卻系統以及精確氣體 分佈系統使此成爲可能。 雖然已經顯示及敘述本發明的實施例，但是在不離開 本發明的較寬廣方面之下，可對這些所示的實施例進行改 變及修正。因此，應該很明顯本發明有其他的實施例，其 雖然未在以上明確敘述，但是是在本發明的範圍內。因此 ’可瞭解附隨的申請專利範圍必然地涵蓋落在所述的本發 明的真實範圍內的所有的此種改變及修正，並且此範圍不 受限於呈現來闡明其範圍的舉例說明用的實施例。 【圖式簡單說明】 -16- (13)1304997 圖1爲習知技術爐的分解圖。 圖2爲圖1所示的爐的截面。 圖3爲圖1所示的爐的截面。 圖4爲半導體處理室（SPC )的分解圖 圖5爲流動槽道板1 1 2的立體圖。 圖6爲SPC100於打開位置的截面。 圖7爲SPC 100於關閉位置的截面。 圖8爲SPC 100於關閉位置的截面。 【符號說明】 20 頂部 22 氣體 24 噴淋 28 晶圓 3 2 熱板 3 4 近程 3 6 提升 40 底部 100 半導 102 機械 1 04 上方 106a 氣體 106b 氣體 108 彈簧 封殼 入口 頭 銷 銷 封殼 體處理室（SPC ) 總成 殼體 運輸管 運輸管 -17- 1304997 (14) 110 蓋 板 111 歧 管 112 流 動 槽 道 板 ( FCP ) 113 密 封 rrn 壞 114 分 佈 T»»- 填 件 ， 壞 狀槽道 116 分 佈 槽 道 117 進 給 通 道 118 層 流 通 道 ( LFP ) 120 氣 體 傳 送 空 穴 122 平 面 狀 接 觸 丨品. 域 124 上 方 熱 ( 或 激 冷）板 125 上 方 近 程 銷 126 矽 晶 圓 127 氣 體 通 道 128 排 氣 壞 件 13 0 提 升 銷 總 成 13 2 下 方 熱 ( 或 激 冷）板 13 3 近 程 銷 13 4 下 方 殼 體

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Claims (1)

1304997 一 -..............-u—μ·*--*- 乃年？月/和修(更)正替换頁 拾、申請專利範圍 — 附件4 A : 第92 1 05 3 8 1號專利申請案 中文申請專利範圍替換本 民國9 7年7月18日修正 1 . 一種用來改變晶圓的溫度的系統，包含： 一第一溫度控制板； 一第二溫度控制板，包含近程銷，晶圓位在該第一與 第二溫度控制板之間，並且藉著該近程銷而與該第二溫度 控制板分開；及 一封殼，環繞該第一及第二溫度控制板及該晶圓，該 封殼包含氣體輸入及輸出，氣體從該輸入流經該晶圓且至 該輸出， 其中該第一溫度控制板另外包含近程銷，該近程銷形 成爲使該晶圓與該第一溫度控制板分開。 2. 如申請專利範圍第1項所述的用來改變晶圓的溫 度的系統，其中該近程銷可移動，以使得該第一及第二溫 /. 度控制板離開該晶圓的距離可被改變。 3. 如申請專利範圍第1項所述的用來改變晶圓的溫 度的系統，另外包含形成爲將氣體分佈在該晶圓上的一流 動分佈歧管。 4. 如申請專利範圍第3項所述的用來改變晶圓的溫 度的系統，其中該流動分佈歧管包含層流路徑，每一層流 路徑包含控制該層流路徑的流量的一層流元件。 1304997 5. 如申請專利範圍第4項所述的用來改變晶圓的溫 度的系統，其中該層流元件包含形成於一基板的一槽道。 6. 如申請專利範圍第4項所述的用來改變晶圓的溫 度的系統，其中該層流路徑的每一個另外包含一空穴，使 得可能存在於該封殼中且可能進入該層流路徑的任何污染 物或溶劑會蓄積在該空穴中而非在該層流元件中。 7. 如申請專利範圍第3項所述的用來改變晶圓的溫 度的系統，其中該流動分佈歧管與該第一溫度控制板接觸 ，並且被分佈的氣體處於與第一溫度控制板相同的溫度。 8. 如申請專利範圍第7項所述的用來改變晶圓的溫 度的系統，其中該第一溫度控制板包含流動槽道，並且氣 體從該歧管流動通過該槽道而至該晶圓。 9. 如申請專利範圍第1項所述的用來改變晶圓的溫 度的系統，另外包含一氣體輸出流動調節器。 1 〇. —種用來控制晶圓的溫度的裝置，包含： 一溫度控制元件；及 一氣體分佈系統，形成爲將氣體分佈於繞晶圓的一表 面的不同點處，該氣體分佈系統包含多個流動路徑，該多 個流動路徑的每一個包含一層流元件， 其中晶圓位在該氣體分佈系統與該溫度控制元件之間 〇 11.如申請專利範圍第1 0項所述的用來控制晶圓的 溫度的裝置，其中該氣體分佈系統爲溫度控制式，因而橫 越晶圓的表面提供均勻的溫度分佈及氣體流動分佈。 -2- 1304997 1 2 .如申請專利範圍第1 0項所述的用來控制晶圓的 溫度的裝置，另外包含形成來調節氣體的排氣流量的一排 氣系統。 1 3 .如申請專利範圍第1 0項所述的用來控制晶圓的 溫度的裝置，其中該氣體分佈系統包含一或多個加熱及冷 卻元件。 1 4 .如申請專利範圍第1 1項所述的用來控制晶圓的 溫度的裝置，其中該氣體分佈系統及該溫度控制元件可被 調整至不同溫度，以改變該裝置內的溫度梯度。 1 5 . —種晶圓調整方法，用來在一容室中調整具有第 一側及第二側的晶圓，該晶圓調整方法包含： 從該第一側加熱或冷卻該晶圓； 從該第二側加熱或冷卻該晶圓； 施加氣體至該晶圓的該第一側，該氣體係經由多個通 道分佈，使得氣體流動爲層流。 1 6 .如申請專利範圍第1 5項所述的晶圓調整方法， 另外包含加熱或冷卻氣體，使得氣體被加熱或冷卻至與該 晶圓的該第一側相同的溫度。 17. —種後曝光烘焙室，包含： 一第一加熱板； 一第二加熱板； 該第一及第二加熱板形成爲加熱被放置在二者之間的 一晶圓，該晶圓藉著第一近程銷而與該第一加熱板間隔分 開，當該第二加熱板處於關閉位置時該第二加熱板係藉著 -3- 1304997 第二近程銷而與該第一加熱板間 時該第二加熱板係更遠離該第一 1 8 .如申請專利範圍第1 7 另外包含一流動控制系統，其具 節通過分佈氣體流動路徑的氣體 元件。 1 9 .如申請專利範圍第1 8 其中該流動控制系統與該第一力口 第一加熱板加熱。 20.如申請專利範圍第18 其中氣體從該流動控制系統通過 至晶圓。 2 1 .如申請專利範圍第1 8 其中該流動控制系統包含一流動 控制元件形成於該流動槽道板。 22. 一種晶圓調整室，包含 第一機構，用來在晶圓的第 第二機構，用來在晶圓的第 及 氣體分佈機構，用來將氣體 晶圓的第一或第二側上的多個位 構包含多個流動路徑，該多個流 流元件。 23. 如申請專利範圍第22 隔分開，當處於打開位置 加熱板。 項所述的後曝光烘焙室， 有分佈氣體流動路徑及調 流量的一或多個流動控制 項所述的後曝光供焙室， 熱板接觸，使得氣體被該 項所述的後曝光烘焙室， 該第一加熱板中的通道而 項所述的後曝光烘焙室， 槽道板，該一或多個流動 一側處改變晶圓的溫度； 二側處改變晶圓的溫度； 以一被控制的流量分佈在 置處，其中該氣體分佈機 動路徑的每一個包含一層 項所述的晶圓調整室，其 -4- 1304997 中氣體溫度是由用來改變晶圓的溫度的該第一或第二機構 操縱。 24.如申請專利範圍第23項所述的晶圓調整室，其 中該氣體分佈機構包含用來控制氣體的流量的流動控制機 構。 1304997 陸、（一）、本案指定代表圖為：第^_圖 (二）、本代表圖之元件代表符號簡單說明： 100 半導體處理室(SPC) 102 機械總成 104 上方殼體 106a 氣體運輸管 106b 氣體運輸管 108 彈簧 110 蓋板 111 歧管 112 流動槽道板(FCP) 124 上方熱(或激冷)板 126 石夕晶圓 128 排氣環件 130 提升銷總成 132 下方熱(或激冷)板 133 近程銷 134 下方殼體 柒、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式: 本案指定代表化學式為：第_化學式