TWI304162B - Method of measurement, method for providing alignment marks, and device manufacturing method - Google Patents
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Description
1304162 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於微影設備及方法。 【先前技術】 何可用於將圖宰化 構,,應廣泛地理解為涉及任 宰化πΓ 面賦予入射輻射光束之結構或場, 宏固案化k截面對應於將在基板之目標部分中創 顯示用::文中。應瞭解,圖案化* 或声(如使用預:成手’全不同於最終轉移至(例如)其基板 或層(如使用預偏置特徵、料近接校正特徵、相位和/或偏 技術,和/或多重曝光技術處)之圖案。通常此圖案將 對應於將在目標部分中創建之諸如積體電路或其他裝置 (見下圖)之裝置的特定功能層。圖案化結構可為反射性和/ 或透射性的。圖案化結構之實例包括·· 光罩。在微影技術中光罩之概念已為吾人熟知,且其包 括諸如二元型、交變相移型及衰減相移型的光罩類型,以 及各種混合光罩類型。在輻射光束中置放此光罩導致撞擊 光罩之軺射根據光罩上之圖案而選擇性透射(在透射型光 罩的狀況下)或反射(在反射型光罩的狀況下)。在光罩之狀 況下,支撐結構通常將成為光罩台,其確保光罩可固定於 入射輻射光束中之所需位置,且若需要則其可相對於光束 移動。 可程式化鏡面陣列。此裝置之一實例為具有黏彈性控制 層及反射表面之矩陣可定址表面。此設備之基本原則在於 98098.doc 1304162 (例如):反射表面之定址區域反射入射光作為繞射光,而未 疋址區域反射入射光作為非繞射光。使用合適之過濾器, 可從反射光束中過濾出非繞射光,僅留下繞射光;以此方 式,光束根據矩陣可定址表面之定址圖案而圖案化。亦可 以相應方式使用格柵光閥(GLV)陣列,其中每一 GLV可包括 可相對於彼此變形(如藉由應用電位)以形成反射入射光作 為繞射光之格栅的複數個反射帶。可程式化鏡面陣列之另 一替代實施例使用非常小(可能為微觀的)之鏡面的矩陣排 列,可藉由施加合適之區域化電場或藉由使用壓電致動構 件而使其每一個別地關於軸傾斜。舉例而言,鏡面可為矩 陣可定址的,使得定址鏡面將以不同於未定址鏡面之方向 反射入射之輻射光束·,以此方式,反射光束根據矩陣可定 址鏡面之定址圖案而圖案化。可藉由使用合適之電子構件 來執行所需之矩陣定址。在上述情況中,圖案化結構可包 含一或多個可程式化鏡面陣列。可自例如美國專利申請案 第5,296,891號與第5,523,193號,及PCT專利申請案w〇 98/38597^ WO 98/33096 φ?|] 的更多資訊,該等文獻以引用方式併入本文中。在可程式 化鏡面陣列的狀況下’支撐結構可實施為(例士口)根據需要可 為固定的或可移動的框架或台。 可程式化LCD面板。在美國專利申請案第5,229,872號中 給出此構造之一實例,該文獻以引用方式併入本文中。如 上所述’在此狀況下,支樓結播可每A & 、 文7牙、口稱了灵轭為(例如)根據需要可 為固定的或可移動的框架或台。 98098.doc 1304162 為簡單說明之目的,本文之其餘部分會在特定位置特定 地針對其涉及光罩(或”主光罩”)及光罩台(或"主光罩台”)之 貫例,然而,應在如上文所述的圖案化結構之更廣泛之範 圍中見到此等實例中論述之一般原則。 微影設備可用以將所需圖案應用於表面(如基板之目標 部分)上。可在(例如)積體電路(IC)製造中使用微影投影設 備。在此狀況下,圖案化結構可產生對應於IC之個別層相 應的電路圖案,且此圖案可成像於已塗覆有輕射敏感材料 (如抗蝕劑)層之基板(如矽或其他半導體材料晶圓)上之目 标邛刀(如包含其一或多個晶粒和/或部分)上。通常單個晶 圓將含有經由投影系統而連續輻射(如一次一個)之相鄰目 標部分的整個矩陣或網路。 在藉由光罩臺上之光罩而使用圖案化之當前設備中,在 兩種不同類型之機器間會存在差異。在一類微影投影設備 中,藉由一次將整個光罩圖案曝光於目標部分而輻射每一 目標部分;此設備通常指的是晶圓步進器。在一替代設備 中一一通常指的是,,步進及掃描,,設備——藉由以給定參考 方向掃描”方向)逐漸掃描在投影光束下之光罩圖案,同時 以平行或反平行此方向之方向同步掃描基板台而輻射每一 目‘部分;由於投影系統通常具有放大因子(通常小於丨), 掃描基板台之速度v將為掃描光罩台之速度的因子撾倍。掃 描型設備中之投影光束可具有在掃描方向上具有狹縫寬度 的狹縫。可自例如美國專利申請案第M46,792號收集關於 本文所述之微影裝置的更多資訊,該文獻以引用方式併入 98098.doc 1304162 本文中。 在使用微影投影設備之製造過程中,圖案(如光I中的圖 案)成像於至少部分覆蓋有輕射敏感材料(如抗敍劑)声之基 板上。在此成像程序之前,基板可經受各種其它程序,例 如上底漆、塗覆抗㈣和/或軟料。曝域,基板可經受 其他程序,例如後曝光烘烤_)'顯影、硬供烤和/或成 像特徵測量/檢測。此組程序可用作圖案化裝置(如⑹之個 別層的基礎。舉例而言,此等轉移程序可在基板上產生經 圖案化之抗姓劑層。隨後可進行一或多個圖案化過程,例 如沉積、韻刻、離子植入(捧雜)、金屬化、氧化、化學機械 研磨等等,所有此等過程意欲創建、修正或完成個別層。 若需要若干層,料對每—新層重複整個程序或其變體。 最,’將在基板(晶圓)上存在裝置之陣列。然後,藉由諸如 分割或鋸切而將此等裝置彼此間隔,由此可將個別裝置安 裝於載體上、連接至插腳等等。彳自例如Peter 書《MiCrochip Fabricati〇n: A 卜⑽㈣㈤心 t〇 Semiconductor Processing》第三版,仏心㈣ mil puMishing C〇·’ 1997, ISBN 0_07_067250_4獲得關於此等過程之另外的 資訊。 可在曝光前或曝光後,以(例如)執道(通常將抗蝕劑層應 用於基板且顯影經曝光之抗蝕劑的工具)或計量或檢測工 具來處理本文所涉及之基板。可應用時,可將本文所揭示 之内容應用於此基板處理工具及其他基板處理工具。另 外,可將基板處理一次以上(例如以創建多層IC),使得本文 98098.doc 1304162 斤使用之術5吾基板亦可指已含有多個經處理之層的基板。 術^技影系統”應廣泛地理解為包含各種類型之投影系 ^包括例如折射光學器件、反射光學料、反射折射混 系先及f I粒子光學器件。可基於諸如所使用之曝光輻 射類型、曝光路徑中之任何浸沒流體錢體填充區域、是 :在曝光路徑之全部或部分中使用真空等因素來選擇特定 H统。為簡單說明起見’下文中投影I统稱為π透鏡,、 幸田射系統亦可包括根據任何此等設計類型而對導向、成 形減小、擴大、圖案化和/或另外控制輕射之投影光束進 >喿作的、、且件且下文中此等組件亦可共同或單個地稱為” 透鏡’’。 、另外彳放衫5又備可為具有兩個或兩個以上之基板台(和/ 或兩個或兩個以上之光罩台)的類型。在此等”多平台”裝置 中,可平行使用更多台子,或可在一或多個台子上進㈣ 備步驟’同時將—或多個其他台子歸曝光。在例如美國 專利案5,969,441及PCT申請案W0 98/40791中描述了雙平 臺微影設備,該等文獻以引用方式併入本文中。 微影设備亦可為其中基板浸沒於具有相對較高之折射指 數(如水)之液體中,以填充投影系統之最終元件與基板之間 之空間的類型。浸沒液體亦可應用於微影設備中之其他空 門例如光罩與投影系統之第一元件之間之空間。使用 浸沒技術來增加投影系、统之有岁文數值孔徑纟此項技藝中是 已知的。 在本文中術浯輻射及”光束,,用於包含所有類型的電磁 98098.doc -10- 1304162 幸备射或粒子通量,包括:紫外輻射(如具有365、248、193、 157或126 nm之波長)、EUV(如具有波長在5至20 nm範圍内 之極i%紫外輕射)及X射線’以及粒子束(如離子或電子束)。 雖然本文已詳細參考1C製造中之微影設備的使用,但是 應明確瞭解,此設備具有許多其它可能之應用。舉例而言, 其可用於積體光學糸統、磁_記憶體之導引及偵測圖案、 液晶顯示面板、薄膜磁頭、DNA分析裝置等的製造。熟習 此項技術者將瞭解,在此替代應用之範圍内,本文中術語, 主光罩、’’晶圓”或”晶粒”的任何使用應認為分別被更通用 之術語”光罩”、,,基板”及,,目標部分,,(或,,曝光區域,,)替代。 需要於基板兩側形成圖案使得圖案校準。舉例而言,可 能需要在基板之一側上形成與基板之另一側上之功能特徵 準確校準之功能特徵。 【發明内容】 *根據本發明之-實施例之測量方法包括㈣自第一校準 =記之至少—部分射出之光’第-校準標記位於基板之第 —表面。基於㈣測’確^第―校準標記及第二校準標記 =相對位置,第二校準標記位於與第-基板相反之基板的 第一表面上。該方法亦包括自基板移除第一校準標記。 據本發明之另-實施例之測量方法包括偵測自第一校 準心。己之至夕_部分射出之光,i自基板移除第—校準標 :己’該第一校準標記位於基板之第-表面。在與第一表面 相反的基板之—側上之位置發生偵測。 根據本發明之J57 ΛΙ , / 卜的貫施例之測量方法包括在基板之 98098.doc 1304162 第一表面上提供臨時校準標記及第一校準標記,且翻轉基 板。該方法亦包括基於自臨時校準標記之至少—部分射出 且在與第—表面相反的基板之—側上之位置_的光而確 定基板之位置,且在不同於第一表面的基板之第二表面上 提供第二校準標記。 根據本發明m卜的實施狀基板包括:形成於基板 =第一表面的第一校準標記,及形成於基板之第一表面的 第二校準標記。第一校準標記形成於基板之第一層中,且 第二校準標記形成於基板之第二層中,第二層位於第_層 上。 曰 【實施方式】 本發明之實施例包括:例如可用以提供校準標記之方法 及設備’不限制其位置但仍可精確確定基板之前後侧之相 對校準。 圖1圖解描繪了根據本發明之—特定實_之微影投影 設備。該設備包含: 經組態以供應(如具#能夠供應之結構)輻射之投影光束 (如UV或EUVII射)的㈣系統。在此特定實例中,韓射系 統RS包含:H射源SQ、—光束傳遞系統bd及—包括用於 設定照明節點之調整結構AM的照明系統、—積分器以、及 一冷凝光學器件C 〇 ; 經組惑以支撐能夠圖素yf卜;JrQ·旦5 土土 —團茶化杈衫先東之圖案化結構的支撐 結構。在此實例中,第—物件台(光罩台)mt具有用於固定 光罩ΜΑ(如主光罩)之光罩固定器,且連接至用於相對於物 98098.doc -12- 1304162 體PL而精確定位光罩的第一定位結構pm ; 經組態以固定基板的第二物件台(基板台)。在此實例 中,基板台WT具有用於固定基板W(如塗覆有抗蝕劑之半導 體晶圓)之基板固定器,且連接至用於相對於物體PL而精確 疋位基板的第二定位結構p W,及經組態以相對於透鏡pl而 精確指示基板和/或基板台之位置的(如干涉)測量結構IF ; 及 經組態以投影圖案化光束的投影系統(”透鏡”)。在此實例 中,投影系統PL(如折射透鏡組、反射折射混合或反射系統 和/或鏡面系統)經組態以使光罩撾人之輻射部分成像於基板 W之目標部分c(如包含其一或多個晶粒和/或部分)上。或 者’投影系統可投影二次輻射源之影像,對於此而言,可 私式化圖案化結構之元件可充當擋板。投影系統亦可包括 U透鏡陣列(MLA)例如以形成二次輻射源且將微光點投影 於基板上。 如本文所描述的,該設備為透射型的(如具有透射光 罩)。然而,其亦可為例如反射型的(如具有反射光罩)。或 者,該設備可使用另一種圖案化結構,例如上文所指的可 程式化鏡面陣列類型。 輕射源so(如汞燈、準分子雷射器、電子槍、雷射產生電 漿源或放電電漿源,或包圍儲存環或同步加速器中之電子 束路徑而提供的波動器)產生輕射光束。此光束直接或橫越 調節結構或場後饋入照明系、统(照明器)il。舉例而言,光束 傳遞系統BD可包括合適的導向鏡面和/或光束放 98098.doc -13- 1304162 為IL可包含用於設定光束中強度分佈之外部徑向範圍和/ 或内部徑向範圍(通常分別稱作外部徑向範圍及σ内部徑 向範圍)的調整結構或場人“,其可影響藉由(例如)基板處之 投影光束傳遞之輻射能量的角分佈。此外,該設備通常將 包含各種其他組件,例如積分器…及聚光器C〇。以此方 式,撞擊於光罩ΜΑ上之光束ΡΒ在其橫截面上具有所需之均 勻性及強度分佈。 關於圖1,應注意輻射源s〇可能位於微影投影設備之外 殼内(舉例而言,在輻射源8〇為汞燈時,通常是該案例), 但亦可遠離微影投影設備,其產生之輻射光束將引入設備 中(如藉助於合適的導向鏡);後一種情況通常是在輻射源 so為準分子雷射器時發生的案例。本發明及申請專利範圍 包含所有此等兩種情況。 隨後,光束PB與固定於光罩台MT上之光罩“八相交。横 越光罩MA(或者,由光罩馗八選擇性地反射),光束ρβ通過 將光束PB聚焦於基板W之目標部分c的透鏡pL。藉助於第 一定位結構PW(及干涉量測結構IF),可精確移動基板台 WT ’(例如)以定位光束pb之路徑中不同目標部分c。同樣 地例如,在光罩庫中機械檢索光罩MA後,或在掃描期間, 第一定位結構PM可被用於相對於光束PB之路徑,精確定位 光罩MA。通常,將藉助於長程模組(粗略定位)及短程模組 (精細定位)來實現物件台MT、WT之移動,其可形成結構 PM、pW之部分,而且圖1中未明確描繪。然而,在晶圓步 進為(與步進掃描設備相反)的案例中,光罩台Μτ僅可連接 98098.doc 14 1304162 至短程致動器(例如,在光軍方向及位置上進行精細調整) 或可為固定的。可使用朵里妗、、隹 罩枚準軚圮Ml、M2及基板校準標 記PI、P2來校準光罩MA及基板w。 、 所描述之設備可用於若干不同模式中·· 在步進模式中,光罩台町基本保持固定,且—次(即在 早個快閃”中)中將整個光罩影像投影於目標部分C上。然 後,基板m和…方向上轉換使得可藉由光束PB來 輛射不同目標部分C。在+ ;隹裙斗、 在步進杈式中,曝光場之最大尺寸可 限制成像於單個靜態曝光中的目標部分之尺寸; 2.在掃描模式中,基本應心相同情況,除給定目標部 分C未曝光於在單個,,快閃,,中外。實情為,料台Μ可在 給定方向(所謂的"掃描方向”,例如y方向)上以速度V移動, 使得投影光束PB掃描整個光罩影像。同時,基板台资同時 Mv之速度在相同或相反方向上移動,其中μ為透鏡pL 之放大率(通常,馗=1/4或1/5)。可藉由投影系統凡之放大 率、縮小率(減小率)和/或影像反轉特徵來確定基板台资相 =光罩台ΜΤ之速率和/或方向。以此方法,可在無須損害 解析度的狀況下曝光相對較大之目標部分c。在掃描模式 中’曝先場之最大尺寸可限制曝光於單個動態曝光中的目 標部分之寬度(在非掃描方向上的),而掃描動作之長度可確 定所曝光之目標部分的高度(在掃描方向上的); ^另^式中’光罩台财基本保持固定以固定可程式 、、化結構’且當將賦予投影光束之圖案投影於目標部 /刀上時,移動或掃描基板台WT。在此模式中,通常使用 98098.doc -15- 1304162 連只季田射脈衝之間的需要,而更新可 構。此操作模式易於應用於利用諸如如上所述之二 = 鏡面陣列類型的可程式化圖案化結構的無光罩微影/ :可使用上述使用模式之組合和/或變體或完全不同之 模式。 號中描述的校準方法及設備 在曝光基板前,可能需要正確校準基板,(例如 功能特徵之精確投影。圖1展示了分別存在於光罩及基板上、 之互補校準標⑽、%及基板標記&、&之實例。校準系 、先可用以(例如)翏考此等標記而㈣校準。校準系統之實例 包括習知透過透鏡㈣吵―。之校準系統,且也包括 同在申請中之歐洲專利申請案第0225144〇號及第〇225〇235 校準標記通常在基板之前側上,但亦可在基板之後側 上。例如當在基板兩側上均發生曝光時使用基板之後側上 的標記。在微電子機械系統(MEMS)或微光電子機械系統 (MOEMS)之製造中尤其容易發生此曝光。當基板標記&及 P2位於基板之後表面上時,其可藉由例如位於基板w側之 础後側杈準光學器件22而重新成像,以形成如隨附圖式之 圖2對P2所示之影像Pi(pi可藉由前後側校準光學器件之另 一分支而重新成像)。前後侧校準光學器件連同校準系統AS 一起,可用以確定基板前側上之標記對於基板後側上之標 記的相對位置。此確定會使曝光於基板前側之功能特徵與 曝光於基板後側之功能特徵正確地排列成為可能。 98098.doc -16- 1304162 可將前後側校準光學 需 要或必須將基板後側上之校準標記配置於諸如前後校準 光學器件之視場中的基板上之特定位置處。固定基板後側 上之校準標記的位置會限制功能特徵之設計範疇(例如可 能無法在與基板後側上之校準光罩相同的位置處具有功能 特徵)’且會減少可裝在基板上之裝置的數目。此等限制亦 可防止藉由此過程來製造大規模積體電路及裝置。 以二氧化石夕覆蓋由石夕製成之基板W。可藉由(例如)化學氣 體沉積或熱氧化物成長來獲得此結果。如圖3所示,二氧化 矽臨時層31在整個基板兩側上應較薄(如約5_埃 (angStr°m))且均勻。除如上所述的用於處理操作外,抗敍 劑亦可形成保護層,以(例如) 楝J川方止基板之任—側的意外損 狄。可使用任何提供薄介電 、 气驊、〃接^ θ之方法,例如所說明之化學 乳體况積、電漿增強化學氣體沉積、濺鍍或 然本文所使用之實例為— 日日成長。雖 層或任何其他薄膜。尤其可使用介電薄為氮化石夕 敏感光阻(抗飯劑)層32應 、:气將輻射 層”。或者,抗鄉2可應用於基==蓋臨時 一另外的實例中 之兩個表面。在 梦1 : 叔子束或機械韻刻製程來心 然後,如圖4所示,將臨時校準標記曰代。 31中。此等臨時校準標記35以位 ^入二氧化石夕層 光學器件而固定之 ;猎由配置¥後側校準 後側校準光學器件之視場中為可2㈣準標記35將在前 光臨時校準標記之 °。在抗蝕劑層32中曝 之开乂狀。然[將所曝光 尤之先阻顯影且蝕 98098.doc 1304162 以產生特別乾淨的 可使用粒子束或機 刻下面的二氧切。此較佳為乾式餘刻 蝕刻,但亦可使用(例如)氫氟酸。或者, 械蝕刻製程來替代。 可藉由將基板設計為整體而 :;此配置可使製造大積體電路成為可能。=::: 基板設計為整體而控制永久校準標記40之位置Γ可 對於臨時校準標記35來測量其位置。疋目 基板W之邊緣或基板台WT :,可相對於諸如 點來測量此位置。 i之基耗㈣料其他參考 第:永久校準標⑽之形狀曝光於光阻中,且移除下面 :二切。然後可使用例如氫氧化鉀、電漿钮刻或任何 /、他5適的㈣方法來將校準標記㈣人砍中。圖5B展干 了臨時校準標記35及第—永久校準標記4〇之配置。此配: j未配置成直線之四個第—永久校準標記〜二維而不 疋單獨的維陣列的標記配置可使橫越基板w之整個二維 平面的基板能夠更好地校準。 然後翻轉基板,使得基板之迄今未蝕刻側在最上面,且 將抗蝕劑層應用於基板之較上表面。然後臨時校準標記h if於前後側校準光學器件之視場内,且因此可精確確定此 等位置。雖然第二永久校準標記45之位置係藉由將基板設 计為整體來控制,但是可相對於臨時校準標記”之已知位 置來測量該位置。因此,精確地知道第一及第二永久校準 標記40、45相對於彼此之位置,且知道基板之一側上之任 何功能元件相對於基板之另一側上之任何功能元件的位 98098.doc -18- 1304162 置。因此可達成小於100 nm之覆蓋精確度。雖然圖6所示之 永久校準標記被描繪為彼此直接地相反,但並非必須為此 狀況’且其可位於基板上之不同位置。使用例如上述之方 法來曝光第二永久校準標記且將其蝕刻入矽中。 然後移除抗蝕劑層32及二氧化矽臨時層3 1,以使基板僅 具有第一及第二永久校準標記。為在基板上曝光任何功能 元件可相對於當時在基板之頂部表面可見之校準標纪來 計算位置。因此有必要不進一步使用前後側校準光學器件 是可能的。 % 為獲得改良之結果,可能需要用以曝光校準標記之光罩 八有知-人序置放於光場中央之校準標記(例如以減少來自 成像透鏡系統之失真)。 。本文使用之術語”基板"包含待處理之物件(如半導體占 圓:以及可位於該物件上之任何層。物件之"形成於表面、 特徵為在表面中和/或接近表面(例如與物件之另—表 反)之特徵;此特徵可形成於表面中、形成於表面上 2而形成和/或形成於表面下。舉例而言,形 面層下的基板之第一表面層t之特徵及形 ^ 下面或接近第—表面層弟表面層 特徵。 寺徵白為基板之,'形成於表面,,的 準標二::施例包括在微影設備中製造之基板上提供 準標記之方法包括··提上提供 校準標記及第,在基板之表面上提供臨 丰祆d ,翻轉基板;使用校準設備中 98098.doc -19- 1304162 長:供之前後側校準光學哭件 板,及在與第一校準標記不 準標記。 而使用臨時校準標記來校準基 同的基板之表面上提供第二校 、第^準軚§己與臨時校準標記之相對位置,且 知道叫校㈣記㈣二校準標記之 可知道第一盥第-垆淮柄^ 〜田此亦 /、弟一杈丰^己之相對位置。可僅使用當時在 暴板别面展示之校準樟今步 _ 、.隹^ 己來進订基板之校準。在前後側校 準光學器件之此初次使用饴甘_… 仅 人便用後,其可能不再必須,且可 臨時校準標記。因為(例如)可能需要向前後側校準光學器件 提供與存在分支之狀況相同數目的臨時校準標記,所以前 後側校準光學器件之每—分支之視場包含—個臨時校準伊 記。 下 此方法視情況可包含在基板之表面上提供臨時層的另外 的元件’臨時校準標記將敍刻入臨時層中。一旦完成臨時 校準標記之使用,則可(例如)容易地移除臨時層,藉此移除 臨時校準標記。臨時層可為介電質;特定而言,其可為氮 化物層或氧化物層。與臨時校準標記相反,第—及第二校 準標記可蝕刻入基板本身。 為獲得最佳結果,可能需要提供複數個第一及第二校準 私圯,以(例如)提供複數個位置來檢查校準。舉例而言,可 能需要提供三個或三個以上之第一校準標記,該等第一校 準標記不能全部配置於一直線上。此配置可使在基板之全 一維表面上更好地檢查校準成為可能。類似地,可能需要 提供二個或二個以上之第二校準標記,該等第二校準標記 98098.doc -20 - 1304162 直線上。在基板之任-侧上可能或不能 彼此直接相反地配置第一及第二校準护吃。 可藉由配置於基板上(或者,若存在:臨 二呆護基板之表面。然後,可在恰好移除臨 %層别移除保護層。 供明之一另外的實施例之裝置製造方法包括··提 〜、有臣品日守校準標記之基板;在與臨時校準標記相同的基 =面上提供第一校準標記;翻轉基板;使用校準系統 ^時校準標記來校準基板;在與第一校準標記不同 ^板之表面上提供第二校準標記;及在基板上形成處理 層之過程中使用第-及第二校準標記來校準基板。 T然上文已描述了本發明之特定實施例,應瞭解可以與 所“述不同的方式實施申請專利範圍所主張之本發明。舉 例而a ’该方法之實施例亦可包括經組態以控制一設備來 ,行本文所描述之方法的一或多個電腦、處理器和/或處理 早邏輯元件陣列)’或經組態以包括描述此方法之指令 (如可精由邏輯元件陣列執行的)的資料儲存媒體(如磁碟或 光碟或半導體記憶體,例如R0M(唯讀記憶體)、RAM(隨機 存取記憶體)或快閃RAM)。應明確注意,此等實施例之描 二不希2限制申凊專利範圍所主張之本發明的範鳴。 【圖式簡單說明】 圖1榣繪了根據本發明之一實施例的微影設備; 圖2描繪了前後側校準設備以及具有校準標記之習知美 板; 土 98098.doc -21 - 1304162 ’栺繪了處理前之基板; =栺繪了具有臨時校準標記之基板; m撝、、、a 了具有臨時校準標記及第一永夂校準標記之基 板的橫哉面圖; 圖5B為具有臨時校準標記及第—永久校準標 俯視圖; ϋ〜 ㈤田、、、9 了具有第一與第二永久校準標記及臨時校準標 記之基板;且 圖7描繪了圖6所示之移除了臨時層的基板。 在圖式中,相應參考符號指示相應部件。 【主要元件符號說明】 22 前後側校準光學器件 31 二氧化秒臨時層 32 抗钮劑層 35 臨時校準標記/第一 ^ 40 第一永久校準標記 45 第二永久校準標記 AM 調整結構 AS 校準系統 BD 光束傳遞系統 CO 聚光器 C 目標部分 IF 干涉量測結構 IL 照明器 98098.doc -22- 1304162 IN 積分器 Ml、M2 光罩校準標記 Ml、M2 互補校準標記 MA 光罩 MT 物件台 MT 光罩台 PI、P2 基板校準標記 PI、P2 基板標記 PB 光束 PL 透鏡 PM 第一定位結構 PW 第二定位結構 SO 輻射源 WT 基板台 W 基板 98098.doc -23 -
Claims (1)
- 號專利申請案 t申❺專利範圍替換本(97年9月) Γ--一~-一^J 十、申請專利範圍·· 丨則月 h 一種測量方法,言亥方法包含: 偵:'自基板之一第一校準標記之至少一部分射出之 、,該第一校準標記位於該基板之一第一表面; 基於該偵測,確定兮·笛 P、隹4® w β Μ標記錢基板之-第二 年乂率標記的一相斜# $ » » 、 置,该弟二校準標記位於與該第一 表面相反的該基板之一第二表面;及 自該基板移除該第-校準標記。 2. Τ請求項i之測量方法,其中該移除該第一校 自該基板移除-層之至少一部分。 括 月长員2之測里方法’其中該層基本上由—介電材料組 成0 、 4.如請求項2之測量方法,其中該層包括一氧化物及一氮化 物中之至少一種。 月长員1之測里方法’該方法進一步包含··在該第一校 準標記上形成一層。 6·如請求们之測量方法,該方法進一步包含:確定該第二 枝準‘ D己與一第二校準標記的—相對位置,言亥第三校準 標記位於該基板之該第一表面。 7.=:求項6之測量方法,其中該確定該第二校準標記與一 弟二校準標記的一相對位置包括:當該基板在一第一方 向時,確定該第三校準標記之一位置,且 /、中田5亥基板在一第二方向時,該確定該第一校準標 „己與一第二校準標記的一相對位置被執行,且 98098-970925.doc 1304162 ” 相對於在該第一方向之該基板而翻轉在該第二方 向之該基板。 ^明求項7之測量方法,其中該確定該第一校準標記與一 第:杈準標記的一相對位置包括:當該基板在該第二方 向時,偵測自該基板之該第一表面及該第二表面射出之 光0 9.如5月求項6之測量方法,其中該第一校準標記僅延伸入該 基板之一表面層中,且 其中該第二校準標記及該第三校準標記延伸入該表面 層下面之該基板之一部分中。 1〇,如明求項1之測量方法,該方法進一步包含:確定該第二 校準標記與複數個第三校準標記的一: 三校準標記位於該基板之該第一表面。 “第 ⑴如請求項1〇之測量方法,其中該等複數個第三校準標記 匕括Μ二個校準標記,該等三個校準標記之每一相對 於該等其他兩個校準標記被配置在不同之直線上。 12.如印求項1()之測量方法,其中該等複數個第二校準桿纪 之至少—個與該等複數個第三校準標記之至少—二 上彼此直接相反。 — 13· 二校準標記 少一個彼此 如請求項1G之測量方法,其中該等複數個第 之至少-個與該等複數個第三校準標記之至 不直接相反。 14.如請求項1之測量方法, 校準標記與複數個第二 該方法進一步包含:確定該第一 校準標記的一相對位置,該等第 98098-970925.doc 1304162 二校準標記位於與該第一表面相反的該基板之一第二表 面, 八中忒確疋忒第一校準標記與複數個第二校準標記的 相對位置係基於該偵測自一第一校準標記之至少一部 分射出之光。 15. 16. 17. 18. 19. 汝明求項14之測量方法,其中該等複數個第二校準標記 I括至少二個校準標記,該等三個校準標記之每一相對 於該等其他兩個校準標記被配置在不同之直線上。 月求項1之測里方法,該方法進一步包含:確定一第三 乂準‘。己之一位置,該第三校準標記位於該基板之該第 一表面, 其中該確定一第三校準標記之一位置包括偵測自該第 三校準標記之至少一部分射出之光,且 其中該偵測自該第三校準標記之至少一部分射出之光 發生於該基板與該第一表面相同側之一位置處。 如明求項1 6之測篁方法,其中該第一校準標記僅延伸入 該基板之一表面層中,且 其中該第三校準標記延伸入該表面層下面之該基板之 一部分中。 如明求項1之測量方法’該方法進一步包含:基於該偵測 而確定該基板之一位置。 如請求項1 8之測量方法,該方法進一步包含:基於該確 定該基板之一位置,以一輻射圖案化光束來曝光在該基 板上之一層之一輕射敏感部分。 98098-970925.doc 1304162 20 21 22 23 24. 25. 26. 如請求項19之測量方法,該方法進一步包含:基於該曝 光而在該基板上形成一處理層。 .如請求項19之測量方法,該方法進一步包含:在該基板 中自其移除該第-校準標記之位置處形成功能元件。 .一種測量方法,該方法包含: 偵測自一基板之一第一校準標記之至少一部分射出之 光,該第一校準標記位於該基板之一第一表面;及 自該基板移除該第一校準標記, 其中该偵測發生於與該第一表面相反的該基板之一側 上之一位置處。 如叫求項22之測量方法,該方法進一步包含: 偵測自另一第一校準標記之至少一部分射出之光,該 另外的第一校準標記位於一基板之一第一表面;及 自該基板移除該另外的第一校準標記, 其中该偵測自另一第一校準標記之至少一部分射出之 光發生於與該第一表面相反的該基板之一側上之一位置 處。 如請求項22之測量方法,該方法進一步包纟]貞測該第 一校準標記之一位置, 其中該㈣該第-校準標記之-位置係基於該铺測自 一第一校準標記之至少一部分射出之光。 如請求項22之測量方法,其中該移除該第—校準標記包 括自έ亥基板移除一層之至少一部分。 如請求項25之測量方法’其中該層基本上由一介電材料 98098-970925.doc -4- 1304162 組成。 27. 28. 29. 30. 31. 32. 33. 如請求項25之測量方法,其中該層包括一氧化物及一氮 化物中之至少一種。 如請求項22之測量方法,該方法進一步包含:在該第一 校準標記上形成一層。 如請求項22之測量方法,該方法進一步包含:確定該第 校準k ό己與一弟_校準標記的一相對位置,該第二校 準標記位於與該第一表面相反的該基板之一第二表面, 其中該確定該第一校準標記與一第二校準標記的一相 對位置係基於該偵測自一第一校準標記之至少一部分射 出之光。 如請求項29之測量方法’該方法進一步包含:確定該第 枚準k δ己與一第二校準標記的一相對位置,該第三校 準標記位於該基板之該第一表面。 如請求項30之測量方法,其中該第—校準標記僅延伸入 該基板之一表面層中,且 -中忒第一杈準標記及該第三校準標記延伸入該表面 層下面之該基板之一部分中。 如请求項29之測量方法,該方法進一步包含:確定該第 了杈準標記與複數個第三校準標記的一相對位置,該等 第二校準標記位於該基板之該第一表面。 如明求項32之測量方法,其中該等複數個第三校準標記 包括,少三個校準標記,該等三個校準標記之每一相對 於該等其他兩個校準標記被配置在一不同之直線上。 98098-970925.doc 1304162 如明求項22之測置方法,該方法進一步包含··確定該第 才父準仏s己與複數個弟二校準標記的一相對位置,該等 第一校準標圮位於與該第一表面相反的該基板之一第二 表面, 其中該確定該第一校準標記與複數個第二校準標記的 相對位置係基於該偵測自一第一校準標記之至少一部 分射出之光。 35·如請求項34之測量方法,該方法進一步包含:確定該第 一扠準標記與複數個第三校準標記的一相對位置,該等 第三校準標記位於該基板之該第一表面, 其中该等複數個第三校準標記包括至少三個 記,該等三個校準標記之# 一相對於該等其他兩個㈣ 標記被配置在一不同之直線上,且 其中該等複數個第二校準標記之至少一個與該等複數 個第三校準標記之至少_個彼此大體上直接相反。 如請求項34之測量方法,該方法進一步包含:確定該第 二校準標記與複數個第三校準標記的一相對位置,該等 第三校準標記位於該基板之該第一表面, ’、中孩等複數個第三校準標記包括至少三個校準標 記H個校準標記之每—相對於料料兩個校準 標記被配置在一不同之直線上,且 37· 其中該等複數個第 個第三校準標記之至 如請求項34之測量方法 一权準標記之至少一個與該等複數 少一個彼此未直接相反。 其中該等複數個第二校準標記 98098-970925.doc 1304162 包括至少三個校準標記,該等三個校準標記之每一相對 於該等其他兩個校準標記被配置在一不同之直線上。 38. 39. 40. 41. 42. 如請求項22之測量方法,該方法進一步包含:基於該偵 測而確定該基板之一位置。 如請求項38之測量方法,該方法進一步包含··基於該確 定該基板之一位置,而以一輻射圖案化光束來曝光該基 板上之一輻射敏感部分。 如明求項3 9之測量方法,該方法進一步包含:基於該曝 光而在該基板上形成一處理層。 一種測量方法,其包含: 提供-具有一臨時校準標記及一第一校準標記之基 板,該等標記位於一基板之一第一表面; 翻轉該基板; 丞於自該臨時校準標記 ,々π m ,且隹興 弟-表面相反的該基板之一側之一位置處所偵測的光 而確定該基板之一位置;及 在不同於該第一表面的該基板之一 姑夕一结 、 乐—表面提供钱 板之弟一校準標記。 如請求項之測量方法,該方法進一 ^ ^ rrJU . 匕3 ·自該基板 移除該6¾時校準標記。 98098-970925.doc
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