TWI299021B - - Google Patents

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1299021 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種藉由光照射而記錄資訊之光記錄媒體 及使用於其之光記錄材料。 【先前技術】 作為光記錄媒體，雖然CD-R(可寫一次型CD)或DVD-R (可寫一次型DVD)等光記錄碟片已廣泛普及，但為使記錄 密度進一步高密度化，而進行記錄/再生光之短波長化。例 如’ CD-R現行之記錄/再生波長為78〇 ηιη，於次世代之CD-R 或者〇乂〇-11中短波長化為635〜680]111[1。作為使用於用以對 應如此之短波長之光的光記錄媒體之色素，至今已知有使 用菁色素者等（例如，專利文獻丨）。 專利文獻1:日本專利特開平11-34499號公報 發明所欲解決之問題 光冗錄媒體除上述短波長化外，亦謀求對應於記錄速度 之兩速化。為實現高速化，而期望使用靈敏度較高之色素， 但存在隨著色素之高靈敏度化，再生信號之時間方向上之 波動（抖動）增加或者、保存穩定性降低的傾向。 本發明係鑒於上述情況而成者，其目的在於提供一種具 有良好之靈敏度，並且於抖動及保存穩定性方面亦具有充 分特性的光記錄媒體及其使用於其之光記錄材料。〃 【發明内容】 次本發明係-種光記錄材料，其使用於藉由光照射可記錄 資訊之光記錄媒體，含有以下述通式⑴表示之陽離子、及 114976.doc 1299021 以下述通式（2)表示之偶氮化合物與金屬之螯合物。 [化1] R、。 ^ R4

R5 R6

Ar1—N=N—Ar2 (2) 式（1)中’ R1及R2分別獨立表示以下述化學式（1〇)表示之 一價基、碳數1〜4之烷基、可含有取代基之苄基、或者互相 連結而形成3〜6員環之基，R3及R4分別獨立表示以下述化學 式（10)表示之一價基、碳數1〜4之烷基、或者互相連結而形 成3〜6員環之基’ R5及R6分別獨立表示可含有取代基之烧基 或者可含有取代基之芳基，R7表示氫原子、鹵素原子、氰 基、可含有取代基之烷基或者可含有取代基之芳基，Qi及 Q2分別獨立表示形成可含有取代基之苯環或者可含有取代 基之萘環之基’ R1、R2、R3及R4中至少一個係以下述化學 式（10)表示之一價基； [化2] CH2=CH—CH2-j— (10) 式（2)中，Ar1及Ar2分別獨立表示可含有取代基之芳基， Ar1及Ar2中至少任一者係含有可配位於金屬原子之取代基 的芳基，或者係由含有可配位於金屬原子之氮原子、可含 有取代基之含氮雜環芳香族環所構成的芳基。 本發明之光記錄材料及本發明之光記錄媒體所具有之光 記錄層，使用含有如上述之特定取代基之陽離子作為色 114976.doc 1299021 ”進而’於其中以上述特^比率組合上述螯合物，藉此 形成具有良好靈敏度，並且於抖動及保存穩定性方面亦具 有充分特性者。 又，較好的是本發明之光記錄材料係混合包含上述陽離 子及其抗衡陰離子之鹽與上述整合物而得|;較好的是本 發明之光記錄媒體所具有之光記錄層，含有將包含上述陽 離子及其抗衡陰離子之鹽與上述螯合物混合而獲得之混合 物。 因本發明之光記錄材料及光記錄媒體係僅混合兩種以上 之材料而獲得者，故可更有效地製造。藉由如此之混合而 獲得之光記錄材料及光記錄媒體，含有上述陽離子之抗衡 陰離子，進而，有時亦含有螯合物之抗衡陽離子，先前， 存在省等抗衡陰離子及抗衡陽離子作為損害光記錄材料之 。口夤穩定性的雜質而起作用之傾向。然而，於組合如上所 述之特疋色素的本發明之光記錄材料及光記錄媒體中，本 發明者們發現不易產生彼種弊端。 發明之效果 根據本發明，提供一種具有較好靈敏度，並且於抖動及 保存穩定性方面亦具有充分特性之光記錄媒體及使用於其 之光記錄材料。 【貫施方式】 以下’根據需要、參照圖式，就本發明之較好實施形態 加以詳細說明。但，本發明並不限定於以下實施形態。 圖1係表示本發明之光記錄媒體之一實施形態的剖面 114976.doc 1299021 圖。圖1所示之光記錄媒體〗00具有於基板10上以該順序積 層有第1記錄層20、半透明反射層3〇、間隔層4〇、第2記錄 層50、反射層60、接著層7〇及虛設基板8〇之積層結構。光 記錄媒體1 〇〇係可藉由630〜685 nm之短波長的光而記錄及 再生資訊之可寫一次型光記錄碟片。記錄及再生用之光自 基板10側（圖中下側）照射至光記錄媒體1〇()。 於記錄資訊時，相對於光記錄媒體1〇〇，記錄光自基板1〇 侧之外表面10a以脈衝狀照射。此時，藉由進行適當之聚 焦，而使第1記錄層20或者第2記錄層5〇之所期望之部分選 擇性地吸收光能，使該部分之光反射率產生變化。藉由該 光反射率之變化，而記錄資訊。 基板10及虛設基板80具有直徑為64〜2〇〇 mm左右、厚度 各為0.6 mm左右之碟片狀之形狀。較好的是基板1〇對記錄 光及再生光貫質上為透明，更具體而言，較好的是記錄光 及再生光相對於基板10之透過率為88%以上。作為基板1〇 及虛設基板80之材料，較好的是樹脂或者玻璃，其中，尤 其好的是聚碳酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、非晶質聚乙烯、 TPX、聚本乙烯糸樹脂等熱可塑性樹脂。再者，虛設基板 80無須透明。 於基板10之第1記錄層20側之面上，形成有追跡用之溝槽 12。較好的是溝槽12為螺旋狀之連續型溝槽，較好的是其 朱度為0·1〜〇·25 μιη、寬度為〇·2〇〜〇·5〇 μπι、溝槽間距為 0.6〜1·0 μιη。藉由如此構成溝槽，可不使溝槽之反射度降低 而獲得良好之追跡信號。溝槽12可於使用上述樹脂藉由射 114976.doc -9- 1299021 出成形等而形成基板1()時同時形成。或者，亦可藉由所謂 2Ρ法而形成形成有溝槽之樹脂層，2ρ法係指於平坦之基板 上自开y成有對應於溝槽之形狀的凹凸之樹脂壓模等轉印溝 槽之形狀，可將基板與該樹脂層之複合基板作為基板⑺。 第1記錄層20及第2記錄層5〇中至少一者，藉由含有以上 述通式（1)表示之陽離子（以下，有時稱作「三次曱基菁色素 陽離子」）及、偶氮化合物與金屬之螯合物的光記錄材料而 ❿ 構成。構成第1記錄層2〇及第2記錄層50之各光記錄材料之 組成相互既可相同亦可不同。 於式（1)中R及R分別獨立表示以上述化學式（丨0)表示 • 之一價基、碳數1〜4之烷基、可含有取代基之苄基、或者互 _ 相連結而形成3〜6員環之基，R3及R4分別獨立表示以上述化 • 學式（10)表示之一價基、碳數1〜4之烷基、I含有取代基之^ ί 、或者互相連結而形成3〜6員環之基。再者，三次甲基 菁色素陽離子於式（1)之結構與下述式（1，）之結構之間保持 • 平衡狀態。 [化3]

R1〜R4中至少一個係以上述化學式（1〇)表示之一價基（以 下稱作「芳基」）。較好的是：Ri為芳基，r2、汉3及化4為碳 數1〜4之烷基或者可含有取代基之苄基；或者r1&r2為芳 基，R3及R4為碳數1〜4之烷基或者可含有取代基之苄基；戋 者R1及R3為芳基，R2及R4為碳數卜4之烷基或者可含有取代 H4976.doc -10- 1299021 基之苄基’·或者Rl、R2及R3為芳基，R4為碳數丨〜4之烷基或 者可含有取代基之苄基。尤其好的是：R1為芳基，r2、r3 及R4為碳數1〜4之烷基或者可含有取代基之苄基；或者Rl 及R3為芳基，R2及R4為碳數i〜4之烷基或者可含有取代基之 节基。 R1〜R4為碳數1〜4之烷基之情形時，較好的是該等為甲 基、乙基或者正丙基。Ri〜R4為可含有取代基之苄基之情形 時，較好的是該等為含有以甲基或鹵素原子取代之苯環之 节基，或者無取代之节基。R1及R2、或者R3及R4為互相連 、、《而形成3〜6員裱之基之情形時，較好的是該等形成環丙烷 %、％ 丁烷ί哀、環戊烷環或者環己烷環。r1〜r4中，較好的 是選自非芳基之基之至少一個為可含有取代基之节基。藉 此進一步改善抖動。 R5及R6分別獨立表示可含有取代基之焼基或者可含有取 代基之芳基。RiR6為可含有取代基之烧基之情形時，從 提高對於形成記錄層時所❹之溶㈣溶解性之方面來 看，較好的是R5及至少—個為碳數卜5之烧基。作為r5 及R6之較好具體例，可列舉甲基、乙基、正戍基、異戍基、 新戊基、正己基、異己基、正庚基、5•甲基己基、正辛基、 K二甲基戍基、苯基等。該等之中，較好的是r^r6分別 獨立 7為甲基、乙基、正丙基、異丙基或者異戊基。 或者可含有取代基之芳基。 子、碳數1〜4之烷基、氰基、 R7表示氫原子、齒素原子、氰基、可含有取代基之烷基 車交好的是R7為氫原子、鹵素原 有取代基之苯基或者可含 114976.doc • 11 - 1299021 有取代基之苄基，該等之中，尤其好的是氫原子。 Q1及Q2分別獨立表示形成可含有取代基之芳香族環之 基。該芳香族環與Q1或者Q2所鍵結之環縮合。較好的是q1 及Q2形成可含有取代基之苯環或者可含有取代基之萃環。 作為Q1及Q2中之含有芳香族環之取代基，較好的是甲基、 乙基、異丙基、氟基、氯基、溴基、甲氧基、硝基或者氰 基。 較好的是更具體而言，三次甲基菁色素陽離子係以下述 通式（11)、（12)、（13)、（14)、（15)、（16)或者（17)表示者。 [化4]

於式⑼〜Π7)中，广仏仏广以“包含式⑴ 中之R R R、R4、尺5及r6之較好態樣，係相同意義者。 X表不鹵素原子、碗基、經基、可含有取代基之炫氧基（較 好的疋f氧基）、可含有取代基之芳基（較好的是苯基）或者 114976.doc -12- 1299021 乙基或三氟甲基），同 同。N表示1〜4(較好的 可含有取代基之烷基（較好的是甲基 一分子中之複數個X既可相同亦可^ 是1或者2)之整數。 作為以通式⑴)〜(17)分別表*之三:欠甲基菁色素陽離子 之幸乂好具體例’可列舉以下述化學式（T1)〜(T58)分別表示 者。該等可單獨使用或組合複數種使用。該等三次甲基菁 色素陽離子可使用含有特定取代基之化合物作為起始物

質，以眾所周知之方法合成。 [化5]

[化6] 114976.doc -13- 1299021

Cl

(T13)

(T15)

(T18)

[化7] 114976.doc -14 - 1299021

(T20) (T22) (T24) (T26) (T28) (T3〇) (T32)

(T21) (T23) (T25) (T27) (T29) (T31) (T33) [化8] 114976.doc -15- 1299021

(T34)

(T35)

F

(T36)

[化9] 114976.doc -16 - 1299021

(T45) (T47) (T49)

(T46) (T48) (T50) (T52)

(T54)

(T56) (T58) [化 10] 114976.doc -17- 1299021

(T59)

(T60) (T62) (T64)

該等三次甲基菁色素陽離子通常盥中 ㊉，、中和其正電荷之抗4

陰離子組合而使用。作為該抗衡陰離子，例如可列舉cKv 、化、PV及SbF6.等一價陰離子。或者，於上述螯合< 為陰離子之情料，可將其作為三次？基菁色素陽離子: 抗衡陰離子而形成鹽。該等之中，PFe-及SbF6-中至少一： 之陰離子於勻化率容易最佳化方面較好。 、—物係以上述式（2)表示之偶氮化合物與金屬配位而j 成之金屬螯合物，亦稱作偶氮系色素、偶氮系染料等。 於式（2)中，Ar1及Ar2分別獨立表示可含有取代基之芳

I 土’至少任一者係含有可配位於金屬原子之取代基的芳 基’或者係包含含有可配位於金屬原子之氮原子、可含有 114976.doc 1299021 取代基之含氮雜環芳香族環的芳基。較好的是，可配位於 金屬原子之取代基及可配位於金屬原子之氮原子存於可與 偶氮基一併配位於金屬之位置（例如，苯環之情形時為鄰位、) 上。

Ar及Ar2含有單環或者縮合多環或環集合之多環芳香族 環。作為如此之芳㈣環，可列舉苯環、萘環、吨咬環、 嘆唾環、苯幷㈣環、Μ環、苯㈣唾環、料環、味

唾環、対環、鱗環等，料之巾，尤其好的是苯環、 °比^定環、喹啉環及噻唑環。 作為可配位於金屬原子之取代基，可列舉含有活性氫之 基。作為含有活性氫之基，可列舉經基、疏基、胺基、竣 基、胺甲醯基、可含有取代基之胺續酿基、續酸基、續酿 細基等’ It等之中，《其好的是㈣、i級或2級之胺基或 者可含有取代基之料酿基。再者，AfI及A—進而可含有 可配位於金屬原子之取代基以外之取代基。 及Ar所含有之取代基既可相同亦可不同，於不同之 情形時’較好的是：A—含有選自由硝基、自素原子（例如 氯f t U子等）、㈣、4酸基、胺續醯基及烧基（較好 、2^人數1 4、更好的疋甲基）所組成之群中至少^種之基， Ar含有選自由胺基(較好的是總碳數為2〜8之二烷基胺 基例如可列舉二甲基胺基、二乙基胺基、甲基乙基胺基、 甲基丙基胺基、二丁基胺基1乙基甲基胺基等）、院氧基 乂好的是碳數為1〜4,例如可列舉甲氧基等）、烧基（較好的 是碳數卜4、更好的是甲基)、芳基(較好的是單環者，例如 114976.doc -19- 1299021 可列舉笨基、氯苯基等）、敌基及續酸基所組成之群中至少 1種之基。再者，於Ar1為可含有取代基之苯基之情形時， 較好的是其取代基相對於偶氮基存在於間位或者對位，更 好的是存在於間位上。 更具有而言，較好的是Ari及Ar2係以下述通式（2〇a)、 (2〇b)、（20c)、（20d)、（2〇e)、（2〇f)、（2〇g)、（2〇h)或者（2〇i) 表示之一價基。 [化 11]

(2〇a)

(20c)

(20b) (2〇d) (20f) (20e) 8t (2〇g) 〇35 (2〇h) (2〇«) Z5 於式（20a)中，Z1、Z2及z3分別獨立表示氫原子、鹵素原 子或者頌基，較好的是該等中至少一個為齒素原子或者硝 114976.doc -20- 1299021 基。 於式（20b)中，R”、R22、r23 久K为別獨立表示可含 代基之碳數2〜8之烧基或者可含有取代基之 心、以及R1R24各自可互相連結而形成環。 於式（20c)中，R25、R26、r27 22 23 24 及汉亦含有式（20b)中之、 R、R及R之較好態樣，係相同意義者。r29表示可含 取代基之烧基或者可含有取代基之芳基。較好的是r29“ 數卜4之烧基、三^基、五說乙基、2,2,2_三氟乙基、^ 含有取代基之苯基或者可含有取代基之节基4表示以 -S〇2-或者-co·表示之二價基，較好的是以s〇2表示之二價 基。 、 於式（2〇d)中’ R3°、R31、R32及R33亦含有式（2〇b)中之r21 R22、R23及R“之較好形態，係相同意義者。r34表示可含有 取代基之烧基或者可含有取代基之芳基，較好的是可含有 取代基之奴數1〜4之烷基或者可含有取代基之苯基。 :式（20e)及（2(h)中，24及Z5表*氫原子、由素原子或者 硝基’較好的是南素原子或者硝基。 作為偶鼠化合物之較好具體例，可 ⑷HAM)分別表示^ [化 12] 114976.doc -21 - 1299021

(A7) (A9) (A11) (A13) (A15) (A17)

(A1〇) (A12)

(A14) OH HO

(A16) CH3

OH HO

[化 13] 114976.doc -22- 1299021

(A19) (A21)

(A20) (A22)

(A23)

(A25)

(A27)

[化 14] 114976.doc -23 - 1299021

no2 C3HpQ-_^0 (A43) NH o’H C3H 广 so2

(A40) (A42) (A44)

(A45)

NH CF3—S’〇2

(A46)

(A48) [化 15] 114976.doc -24- 1299021

NOr,

(A57) (A59)

(A50) (A52) (A54) (A56) (A58) (A60) [化 16] 114976.doc -25- 1299021

作為構成螯合物之金屬（中心金屬），較好的是C〇、Mn、 Cr、Ti、V、Ni、Cu、Ζη、Mo、W、Rn、pe、pd、pt、A1 等過渡金屬。或者，可含有V、Mo、W作為各自之氧化物 離子之 V02+、v〇3+、Mo02+、m〇o3+、W03+等。該等之中， 尤其好的是Vo2+、Vo3+、Co、Ni及Cu。 於螯合物中，通常，如上所述之偶氮化合物作為2牙或者 3牙配位基，於與金屬之間形成配位鍵。再者，於偶氮化人 物具有含有活性氫之取代基之情形時，通常，其活性氣脫 離而成為2牙或者3牙配位基。 整合物有時全體為中性，有時為陰離子或者陽離子。聲 合物為陰離子之情形時，通常形成與其抗衡陽離子之鹽。 作為該抗衡陽離子，可列舉Na+、Li+、等金屬陽離子或 者叙、四烧基敍等。或者，如上所述，亦可將上述二次甲 基菁色素陽離子作為抗衡陽離子而形成鹽。 作為螯合物之較好具體例，可列舉：上述偶氮化合物以 表1所不之組合配位於中心金屬而形成之Nocl〜C49之螯 合物，該等可單獨或組合複數種使用。再者，於表1所示之 114976.doc • 26 - 1299021 螯合物中，相對於1個中心金屬之元素而配位有兩個偶氮化 合物。又，表中分別表示2種偶氮化合物及中心金屬者係表 示以1: 1之莫耳比率含有彼等者，以「V=0」表示中心金 屬者係表示使偶氮化合物配位於乙醯丙酮釩者。該等螯合 物可根據眾所周知之方法而合成（例如，參照古川， Anal.Chim.Acta·，140，ρ·289，1982年等）。 [表1]

No. 偶氮化合物 中心金屬 No. 偶氮化合物 中心金屬 Cl A1 Co C26 A10 Cu C2 A1 V=0 C27 A10 Ni C3 A2 Co C28 All Cu C4 A2 V=0 C29 All Ni C5 A3 Co C30 A12 Cu C6 A3 V=0 C31 A12 Ni C7 A1+A3 Co C32 A13 Co C8 A1+A2 Co C33 A14 Co C9 A2+A3 Co C34 A15 Co CIO A1 Co +V=0 C35 A16 Co Cll A2 Co +V=0 C36 A17 Co C12 A3 Co +V=0 C37 A18 Co C13 A4 Cu C38 A19 Co C14 A4 Ni C39 A20 Co C15 A4 Co C40 A21 Co C16 A5 Ni C41 A22 Co C17 A6 Ni C42 A23 Co C18 A7 Co C43 A24 Co C19 A7 Ni C44 A25 Co C20 A7 Cu C45 A26 Co C21 A8 Co C46 All Co C22 A8 Ni C47 A28 Co C23 A8 Cu C48 A31 Co C24 A9 Cu C49 A32 Co C25 A9 Ni

於光記錄材料中，較好的是以上述陽離子及螯合物之合 計量為基準，上述螯合物之含有比例為10〜70莫耳％。較好 114976.doc -27- 1299021 的是該含有比例為15〜50莫耳❶/。，更好的是2〇〜30莫耳❶/。。若 泫含有比例不足1 〇莫耳％，則存在光穩定性變得不充分之 傾向，若超過70莫耳％，則特別是於高速記錄時存在抖動 增大之傾向。

含有三次曱基菁色素陽離子及螯合物之光記錄材料，可 製成於包含三次甲基菁色素陽離子及其抗衡陰離子之鹽中 混合螯合物之混合物，或者於螯合物為陰離子之情形時， 可形成包含三次甲基菁色素陽離子及螯合物陰離子之鹽 (鹽形成色素）。或者，亦可使上述混合物及鹽形成色素共存。 較好的是將第1記錄層20及第2記錄層50之厚度設為 50〜300 nm。於該範圍以外，反射率降低，而難以進行對應 於DVD規格之再生。又，若將填充溝槽12之部分的第丨記錄 層2〇、及填充溝槽42之部分的第2記錄層5〇之膜厚設為議 nm以上，尤其130〜3〇〇 nm，則就調變度變得極大之方面而 言較好。 較好的是第1記錄層20及第2記錄層5〇相對於記錄光及再 生光之消光係數(複折射率之虛部!^為〇〜〇2〇。若消光係數 超過0.2G ’則存在無法獲得充分反射率之傾向。又，較好 的是該等記錄層之折射率（複射率之實部n)4i8以上。於折 射率不足1.8之情形時’存在信號之調變度變小之傾向。再 者，折射率之上限並無特別㈣，就有機色素之合成方面 而言，通常為2·6左右。 、第1記錄層20及第2記錄層5〇，例如，可藉由如下方法形 成：將使含有上述色素之光記錄材料溶解或者分散於溶劑 114976.doc -28- 1299021 二液塗佈於基板10或者間隔層4〇上，自塗膜除去溶 二作為混合液之塗佈方法’可列舉旋塗法、凹版印刷塗 作塗法、浸潰塗佈法等’於該等中較好的是旋塗法。 =合液之溶劑，可列舉醇系溶劑(含有_系、乙二 =早，基㈣等院氧基醇系）、脂肪族煙系㈣ 刈、酯系溶劑、醚系溶劑、 予/合 今笪“ 方㈣糸冷劑、卣烷系溶劑等， ^之中，較好的是醇系溶劑及脂肪族煙系溶劑。 作為醇系溶劑’較好的是烷氧基醇系 基醇季溶添1丨，#虹ΛΑ e J ~糸專。燒氧 :糸〜丨’較好的是燒氧基部分之碳原子數為 口户刀之碳原子數為卜5,更好的是2〜5， 知 數為3〜7。且俨較好的疋總碳原子 醇單乙1": 乙二醇單甲喊(甲基溶纖劑)或者乙- %早乙趟(亦稱作乙基溶纖劑、乙氧基 - 劑、2-異丙氧基-1-乙醇等乙-醇—者丁基〉谷纖 1-甲氧灵2 W 私專乙一私早院基喊（溶纖素）系或者 甲軋基-2-丙醇、卜甲氧基·2_丁醇、3_ 甲氧基-1-丁醇、K" I。 . T氧基-1_丁醇、4- 丙酮醇等。進而介 ▲丙醇等。作為蜩醇系可列舉雙 作=二可較好地使用2,2,3〜 作為月曰肪私烴系溶劑，較好正 聆 環己貌、乙基已燒、甲基 異丙基環己烧、第三丁基環己烧等，c辛燒、 環己烷、二甲基環己烷等。 ——較好的是乙基 又，作為酮系溶劑可列舉環己酮等。 於本實施形態中，尤其好的是 醇。又，較好的是乙二醇單烧基顿c等氣化 較好的是乙二醇甲氧基—2.^μ醇系，其中 内I 4氧基-2-丁 114976.doc -29- 1299021 醇等。溶劑可單獨使用1種，或者為2種以上之混合溶劑。 例如較好地使用乙二醇單***與1-甲氧基-2-丁醇之混合溶 劑。又’混合液除上述成分以外’可適當含有黏合劑、分 散劑、穩定劑等。

半透明反射層30對化錄光及再生光之光透過率為以 上，並且為具有適度之光反射率之層。半透明反射層3〇較 理想的是具有某種程度之耐蝕性。進而，為不使構成間隔 層4 0之材料滲透至第h己錄層2 0而侵钱記錄層，期望半透明 反射層30具有障蔽性。 作為半透明反射層30，例如可採用反射率較高之金屬或 合金之薄膜。例如，可使用An、A卜Ag、Cu、Ti、Cp Ni、

Ta Pd、Mg、Se、Hf、V、Nb、Ru、W、Mn、Re、Fe、 C〇、Rh、ΐΓ、Zn、Cd、Ga、ϊη、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn、 稀土類孟屬或者含有該等之合金作為半透明反射層30 材料其中Au、A1及Ag反射率較高而適合作為半透明反 射層3〇之材料。其中較好的是含有50%以上Ag之合金，例 g Bl "金。該情形時，合金中之Ag濃度較好的是設為 98〜99.5原子％。 、^透過率’半透明反射層30之厚度較好的是50nm Z ’更好的是3Gnm以下’進而較好的是以下。但， 為使第1記錄居9 Λ ㈢20不受間隔層40影響而必需某種程度之厚 度’故較好的熹1 、 nm以上’更好的是5 nm以上。 學玄妒》射層30’例如可藉由濺鑛法、離子電鑛法、化 子4心、真空蒸鑛法而形成。 H4976.doc -30 - 1299021 間隔層40為隔離半透明反射層3〇與第2記錄層5〇之透明 層。於間隔層40之第2記錄層5G側之面上，與基板1〇同樣形 成有用於第2記錄層50之溝槽42。為對於第〗記錄層2〇與第2 記錄層50分別使用聚焦伺服，而使間隔層4〇之厚度進行某 種程度之增厚，以確保兩記錄層間之距離。具體而言，間 隔層40•之膜厚較好的是5 μηι以上，更好的是i〇 以上。 但，若間隔層40過厚，則使聚焦伺服對準2層記錄層上，須 花費時間，又，物鏡之移動距離亦變長，進而，存在硬化 須花費時間、生產性降低等問題，故間隔層4〇之厚度較好 的是100 μιη以下。 間隔層40，例如藉由熱可塑性樹脂或者熱硬化性樹脂等 樹脂而形成。間隔層40既可為單層，亦可具有多層結構。 間隔層40，例如可藉由將未硬化之熱硬化性樹脂或者將其 溶解於溶劑之塗佈液塗佈於半透明反射膜3〇上後，乾燥塗 膜，根據須要進行加熱、曝光等而形成。此時，可藉由 法等而形成溝槽42。作為此時之塗佈方法，可列舉旋塗法、 澆鑄法、網版印刷等塗佈法等。 反射層60為反射記錄光及再生光而設置。作為反射層 60,例如可採用金屬或合金之薄膜。作為金屬及合金，可 列舉金（Au)、銅（Cu)、鋁（Α1)、銀（Ag)、AgCu等。較好的是 反射層60之厚度為1〇〜300 nm。反射層6〇可藉由蒸鍍、濺鍍 荨形成。 接者層為接者虛設基板80與反射層60之層。為保持充 分之接著力，並獲得充分之生產性，接著層7〇之膜厚通常 114976.doc •31- 1299021 μηι以上’更好的是5 μιη以上。接著層川藉由熱 紫外線硬化型接著劑、加熱硬化型接著劑、黏 、感壓式雙面膠帶等形成。

本發明之光記錄媒體並不限定於如上所述之構成◊例如 亦可於接著層70與反射層60之間’設置用以防止構成接著 層70之材料侵蝕反射層6〇之保護層。又，為提高反射率、 改善記錄特性、提高密著性等，亦可於半透明反射層3〇與 第1記錄層20之間，或者半透明反射層3〇與間隔層仂之間， 設置眾所周知之無機系或有機系之中間層、接著層等。記 錄層既可僅為1層，亦可為3層以上。 實施例 以下’列舉實施例及比較例對本發明加以更具體之說 明。但’本發明並不限定於以下之實施例。 (實施例1)

較好的是2 接著劑、 者型接著劑 準備如下混合液：將包含上述式（Τ2〇)之三次甲基菁色素 (以下稱作「色素Τ20」）與表1中之n〇.C5之螯合物（以下稱 作「色素C5」）之鹽的光記錄材料，以其濃度為ι.〇質量％之 方式溶解於2,2,3,3-四氟丙醇。將該混合液塗佈於形成有預 刻溝槽（深度〇·16 μιη、寬度〇·3〇 μιη、溝槽間距〇_74 μηι)之 聚碳酸酯樹脂基板上，乾燥而形成第1記錄層（厚度13〇 nm，以下稱作「L〇」）。繼而，於L〇上，藉由濺鍍法而形成 包含Ag-Bi合金之半透明反射層（厚度15 nm)，於半透明反射 層上，使用通常之接著劑，形成使用包含聚烯烴之透明樹 脂之壓模（深度0·17 μηι、寬度〇.3〇 μιη、溝槽間距0.74 μηι) 114976.doc -32- 1299021 而於表面上形成有溝槽之間隔層。繼而，於形成有溝槽之 間隔層上使用與L0相同之光記錄材料而形成第2記錄層（厚 度13〇咖，以下稱作「Ll」），於其上藉由濺鍍法而形成包 含Ag之反射層（厚度85 rnn)。繼而，於反射層上形成包含紫 外線硬化型丙烯酸樹脂之透明保護層（厚度5 μιη)，而獲得 具有2層記錄層之光記錄碟片。 相對於所獲得之光記錄碟片 使用波長655 nm之雷射光

而以線速3.84 m/s(相當於等倍速）記錄信號，測定於使用波 長650 nm之雷射光以線速3.84 m/s使該信號再生時之抖 動。此時，透鏡開口 NA設為〇.6〇。進而，為進行耐久性試 驗，將所獲得之光記錄碟片於80t：、濕度8〇%之環境下放置 100小時後’再次測定抖動。將結果總結於表2。 (實施例2) 除使用以質量比60 : 40混合色素T20與色素C5之鹽、及色 素T20之PF0·鹽的光記錄材料而形成L(^Li以外，與實施例} 同樣進行光記錄碟片之製作及其評估。 (實施例3) 使用以質量比60: 40混合色素T20與色素C5之鹽、及上述 式（T55)之三次甲基菁色素（以下稱作「色素T55」^之卩匕·鹽 的光記錄材料而形成L〇，使用以質量比7〇 ·· 3〇混合色素Τ2〇 與色素C5之鹽、及色素丁55之打6·鹽的光記錄材料而形成 L,，除此以外與實施例丨同樣進行光記錄碟片之製作及其評 估。 (實施例4) 114976.doc -33- 1299021 使用以質量比60 : 40混合色素T20與色素C5之鹽、及色素 T20之ρρό鹽的光記錄材料而形成“，使用以質量比65:35 4色素T20與色素C5之鹽、及色素T55之ppv鹽的光記錄 ；幵y成L1除此以外與實施例1同樣進行光記錄碟片之 製作及其評估。 ” (實施例5) 使用包含色素T20與色素C5之鹽之光記錄材料而形成 L〇,使用以質量比50: 50混合色素T55與色素C5之鹽、及色 素T20之PF6鹽的光記錄材料而形成Li，除此以外肖實施例^ 同樣進行光記錄碟片之製作及其評估。 (比較例1) 除使用包含以下述式⑽表示之三次甲基菁色素（以下稱 作色素T0」）與色素C5之鹽的光記錄材料而形成 以外，與實施例1同樣進行光記錄碟片之製作及1評估。 [化 17]

(T0) 除使用以質量比60: 40混合色素丁〇與色素C5之鹽、及色 素το之pf6•鹽的光記錄材料而形成L。及“以外，與實施例^ 同樣進行光記錄碟片之製作及其評估。 H4976.doc -34- 1299021 [表2]

如表2所示，使用含有芳基之三次甲基菁色素之實施例的 先記錄碟片顯示優良之抖動特性。又，可確認高濃熱條件 :之耐久性試驗後亦維持優良之抖動，保存穩定性亦優 良。相對於此，亦可認為，使用不含有芳基之三次甲基菁 色素的比較例之光記錄磾Μ扯翻 、 ΤS科動不良，於耐久性試驗後， 抖動顯著降低。即，可確句妒據 作〜根據本發明可提供一種具有 良好之靈敏度，並且於抖動及保存穩定性方面亦具有充分 特性之光記錄媒體。 【圖式簡單說明】 “圖1係表示本發明之光記錄媒體之光記錄碟片的-實施 形態之剖面圖。 【主要元件符號說明】 1〇 基板 12 ’ 42 溝槽 114976.doc -35- 1299021 20 第1記錄層 30 半透明反射層 40 間隔層 50 第2記錄層 60 反射層 70 接著層 80 虛設基板 100 光記錄媒體 -36- 114976.doc

Claims (1)

1299ΰίΓ :第095135897號專利申請案中文申賴ρ擬替換本(97年3月) 十、申請專利範圍： 竹年心正 1 · 一種光記錄材料，苴用於兹士止0Lr~—— ，、用於猎由先照射可記錄資訊之光記 錄媒體， 其含有以下述通式（1)表示之陽離子，及 以下述通式（2)表示之偶氮化合物與金屬之螯合物， [化1]

Ο) Ar1一N=N—Ar2 (2) [式⑴中， R1及R2分別獨立表示以下述化學式（1〇)表示之一價 基、碳數1〜4之烷基、可含有取代基之苄基、或者互相連 結而形成3〜6員環之基， R3及R4分別獨立表示以下述化學式（1〇)表示之一價 基、碳數1〜4之烷基、可含有取代基之苄基、或者互相連 結而形成3〜6員環之基， R5及R6分別獨立表示可含有取代基之烷基或者可含有 取代基之芳基， 7 R表示氫原子、鹵素原子、氰基、可含有取代基之烷 基或者可含有取代基之芳基， Q1及Q2分別獨立表示形成可含有取代基之苯環或者可 含有取代基之萘環之基， R1、R2、R3及R4中至少一個係以下述化學式（10)表示之 一價基； 114976-970321.doc 1299021

[化2] |〇H2=CH—CH2-j— (10) 式（2)中，Ar及Ar2分別獨立矣_ "蜀立表不可含有取代基之芳 基，Αι:1及Ar2中至少任一者係人女π ^ 係3有可配位於金屬原子之 代基的芳基，或者係由具有可配位於金屬原子之氮原子 且可含有取代基的含氮雜環芳香族環所構成之芳基]。 2.如請求項1之光記錄材料，其係混合包含上述陽離子及盆 抗衡陰離子之鹽與上述螯合物而獲得。 〃 3. -種具有記錄層之光記錄媒體，其藉由光照射可記錄資 訊， 、 該記錄層含有以下述通式（1)表示之陽離子，及 以下述通式（2)表示之偶氮化合物與金屬之螯合物， [化3]

(1) Ar1—N=N-Ar2 (2) [式（1)中， R1及R2分別獨立表示以下述化學式（10)表示之一價 基、碳數1〜4之烷基、可含有取代基之苄基、或者互相連 結而形成3〜6員環之基， R及R分別獨立表示以下述化學式（1〇)表示之一價 基、碳數1〜4之烷基、可含有取代基之苄基、或者互相連 結而形成3〜6員環之基， 114976.970321.doc

可含有 1299021 R5及R6分別獨立表示 取代基之芳基， R7表示氫原子、鹵素原子、氰基、可含有取代基之烷 基或者可含有取代基之芳基， Q1及Q2分別獨立表示形成可含有取代基之苯環或者可 含有取代基之萘環之基， R1、R2、R3及R4中至少一個係以下述化學式（10)表示之 一價基； [化4] | CH2=CH~CH2-j~- (10) 式（2)中，Ar1及Ar2分別獨立表示可含有取代基之芳 基，Ar1及Ar2中至少任一者係含有可配位於金屬原子之取 代基的芳基，或者係由具有可配位於金屬原子之氮原子 且可含有取代基之含氮雜環芳香族環所構成的芳基]。 4_如請求項3之光記錄媒體，其中上述記錄層含有混合包含 上述陽離子及其抗衡陰離子之鹽與上述螯合物而獲得之 混合物。 114976-970321.doc