TWI295666B - - Google Patents

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TWI295666B TW093118758A TW93118758A TWI295666B TW I295666 B TWI295666 B TW I295666B TW 093118758 A TW093118758 A TW 093118758A TW 93118758 A TW93118758 A TW 93118758A TW I295666 B TWI295666 B TW I295666B
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    • C22C5/00Alloys based on noble metals
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    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
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    • B22F9/24Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds starting from liquid metal compounds, e.g. solutions

Description

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五、發明說明(1) 【發明所屬之技術領域】 銀粉之製造方 銀粉為目的之 本發明疋有關於一種微粒銀粉及該微粒 法,特別是一種以提供不純物含量低之微粒 微粒銀粉及該微粒銀粉之製造方法。 【先前技術】 習知銀粉多採用溼式還原製程來製造,根 號所揭露,渔式還原製程係本先專以利 有:還Γΐϋΐ製備銀氨錯合物水溶液’再於其中添加 原y之方法。近年來,銀粉主要應用於曰 電黎顯示器面板等之電極與電路的形成。 '日日70 、 因此’該電極與電路中所形成之電路盥 化f求曰益增高,而隨著配線的高密度化1 =精: 可靠度的要求也日趨嚴袼。 回精度化,高 j而,以習知方法所獲得之銀粉的 之平均敖你Π 、S A 1 W 其一次粒子 仏Du通吊超過〇 . 6 ,以雷射〜 得之平均粒㈣5。超過h“m,其凝聚二'二佈」則定法所 化之電4:等⑽mi並不適用於目前微間距 另-κ .是製品產率大幅降低的主要原因。 方面,由銀粉之使用方法來看,屮拐τ 丁 η 碭。。一直以來,於使用銀膠之電路形成中,二問 3 0 0 °C以下的非隐从 > 中’以加熱溫度於 為了传到低結晶性之銀粉,於製造條件上不得 低、,w緙^〜非燒結、或低溫燒結型的用途較多,為了於 社恤又侍向的燒結性能,一般認 ,、、、;
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不採用還原快速之反應類, 只能獲得凝聚顯著的銀粉。 因此,提供習知所沒有 聚少之單分散的分散性、以 粉,即是目前的重要課題。 此外,減少銀粉中不純 即,銀粉係採用上述渥式還 用之還原劑等容易殘留於銀 採用習知之製造方法,此即 當銀粉中之不純物含量增加 氣阻抗也會隨之增加。 &果雖然得到低結晶性,但卻 的銀粉、且具備更接近粉粒凝 及具有良好低溫燒結性的銀 物含量之需求也日益增加。亦 原製程來製造,該製程中所使 卷之粉粒表面上。因此,既然 成為不可避免的問題。而且, ’使用銀粉所形成之導體的電 因此,業者不僅要求銀粉具有細小微粒、高分散性, 而且,減少不純物含量之要求也同時進行。 【發明内容】 因此,本發明人等以習知混合硝酸銀水溶液與氨水、 使其反應以得到銀氨錯合物水溶液,再於其中添加還原劑 以還原析出銀粒子’並進行過濾、清洗、乾燥的製造方法 為基本,對該製造方法加入新的創意,並進行研究改盖。 結果’不僅可製造出以習知方法所無法得到之等級的&粒 銀粉,且藉由顯著減少該微粒銀粉之不純物含量,而得到 習知所沒有的微粒銀粉。而且,本發明之製造方法亦可提 幵微粒銀粉之產率、並能穩定地形成。以下將本發明分為 「微粒銀粉」與「製造方法」兩部分來作說明。
五、發明說明(3) <微粒銀粉〉 首先,針對本發明之微粒銀粉來作說明。本發明之微 粒銀粉之主要特徵在於具備有下列a.〜d•之粉體特^性。在 此舉出的這些粉體特性,係目前粉體測量技術中最容易突 顯,發明之微粒銀粉之特徵、且同時成立的特性。以下針 對每個特性來作說明。 a.特性係指以掃描電子顯微鏡照相圖作影像分析所得 之一次粒子之平均粒徑Du為〇6#m以下。在此, 以 電子顯微鏡照相圖作影像分析所得之一次粒子‘平均 二象'm f用掃描電子顯微鏡(S E M )所觀察之銀粉 作影像分析所得之平均粒徑。本說明書 =1?鏡⑽)所觀察之微粒銀粉的影像解析,係: 用Asahi Englneering股份有限公司所製之 ’、木 以圓度閥值為10、重疊度為2〇來進行圓I ,並 J平均粒徑dia。由於藉由對微 觀” :求 夠確實地捕捉一次粒子之平均粒徑。依接,析而传’故能 察,本發明中所述之微粒銀粉 '落=人的觀 //in之範圍内,但是實1A成干洛於0·01 //in〜〇·6 此此處不敢斷定其下限值。13 、、、田微粒控的粒子,因 b ·特性係指由於本發明之 :具有的高分散性,故以「凝聚度;= 標。 」术作為此分散性之指 本說明書中所述之凝聚度係指以上述平均粒徑〜、與 1295666 五、發明說明(4) 雷射粒徑分佈測定法所得 值。在此,D孫蚀田兩Γ 5Q所表示的D5G/Du 為5 0。/味+ a 5Q係使用雷射粒徑分佈測定法所得之重量累籍 為50/。時之粒徑,此平均粒 里累積 粒子是”Λ平:粒:。這是因為實際的銀粉粉粒的每個 的凝聚狀態少,平均粒徑Ds。值小至 粉且右“為·25//ΙΠ〜0·80_,此微粒銀 外了本戈明:中2 : f所無法得到之平均粒徑^範圍。此 卜本°兒明書中之雷射粒徑分佈測定法係將0 t# 粉與離子交換水混合,以超立、㈣曾二將士0.2g之被粒銀 所製之USinnTH / 質機(日本精機製作所 測定儀ir τ二5 /刀鐘的分散後,再以雷射粒徑分佈 司製)進Π 量'a。RA 932°-X1°° 型(UedS+ N〇rthrup 公 r夕Π :謂、:以掃描電子顯微鏡照相圖作影像分析所 (Lmt'均粒徑、」係指對使用掃描電子顯微鏡 (S E Μ)所観察之銀粉的影像作影像分析所得之平均粒徑, 不需考慮其凝聚狀態,可確實地捕捉―次粒子 徑。 -結果,本發明人等以雷射粒徑分佈測定法所得之平均 粒徑D5。、與影像分析所得之平均粒徑〜所求出值 作為凝聚度。亦即,假設同一批之微粒銀粉能以同一精度 來測里D5。與D1A值’根據上述理論,於測量值中反應凝聚狀 第10頁 2213-6406-PF(N2).ptd 1295666
五、發明說明(5) 態之D5。值應比dia值還大。此時,D5。值幾乎呈現無微粒 之粉粒狀態、無限地接近DIA值,故凝聚度H1A值接近於% 1。當凝聚度等於1時’可說是完全無粉粒之凝聚 單 分散粉。 早 於 粒銀粉 體表面 由此可 微粒銀 度於1. 之表面 狀態愈 密度愈 此 值。— 故,理 真球, 疋,本發明人等探究了凝聚度、與以各凝聚度之 所製造之微粒銀粉漿料的黏度、燒結加工所得之暮 平滑性等之間的關係。結果得知其關係相當密切。 知,若能控制微粒銀粉之凝聚度,則可任意地控 粉所製造之微粒銀粉漿料的黏度。而且,若使凝铲 5以下,則可使微粒銀粉漿料之黏度、燒結加工後^ 平滑性等的變動縮小至狹窄的範圍中。此^卜,凝聚 ^,則對該氧化微粒銀粉進行燒結所得之導體的= 咼,進而降低所形成之燒結導體的電氣阻抗。 外,試著求出實際的凝聚度,有時會得到未滿i的 般認為這是因為將計算凝聚度之DIA假設為真球之緣 一上雖然不會出現未滿1的值,但由於實際上並非 故可獲得未滿1之值的凝聚度。 C.特性係晶粒粒徑於丨0nm以下,此晶粒粒徑與燒結起 始溫度間有相當密切之關係。亦即,以平均粒徑相當之銀 粉來比較,晶粒粒徑小者可於低溫進行燒結。因此,由於 如本發明之微粒銀粉般小的微粒,所以表面能量大,且具 有1 Onm以下之小的晶粒粒徑,因而可使燒結起始溫度低溫 化。在此並無設定晶粒粒徑之下限值,這是因為測量裝 置、測量條件等會產生一定的測量誤差之緣故。此外,要
1295666 五、發明說明(6) —-- 粒粒,小於10⑽之範圍的測量值具有高可靠性是相當 + α的,右一定要設定下限值的話,根據本發明人等研究 之結果,其約為2nm。 v d.特性係指有機不純物含量以含碳量換算於〇. 25wt0/〇 H1在此,使用碳之含量作為有機不純物含量之指標, ^為附著於銀粉粉粒之不純物量之基準。此時含碳量之 ^則定係使用堀場製作所之EMU —32〇v,並將微粒銀粉
中g、鶴粉1 · 5g與錫粉〇· 3g進行混合,其後將其置入坩堝 丄以燃燒-紅外線吸收法來進行測量。以習知製造方法 所知之銀粉之含碳量不管如何加強清洗,仍 〇· 25wt0/〇 〇 、Z為本發明之微粒銀粉具有上述a·〜d.之粉體特性, 故為4知所沒有的銀粉。而且,由燒結起始溫度之特性來 看ί發明之微粒銀粉,其可說是可於240 °c以下進行燒結 : 之微粒銀粉。另外,此處並無對此燒結起始溫度之下限值_ 作特別的規範,但依照本發明人等所進行之研究與一般的 技術常識,幾乎不可能獲得低於17 0°C之燒結起始溫度, 故可將其視為下限值。 ^ 再者’具備上述粉體特性之效果包括本發明之微粒銀 < 粉之,實填充密度可高達4· Og/cm3以上。在此所述之振實 1 填充密度係先精秤微粒銀粉20 0g,將其置入15〇cm3的量筒 中’於行程(stroke)40mm處反覆進行1 00 0次的落下、輕敲 之後’對微粒銀粉進行測量所得。此振實填充密度係如同 理論上具有微小的粒徑、且粉粒間無凝聚之高分散性之狀
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態般高的數值。比起振實填充密度未滿4. 〇g/cm3之習知銀 叙,本發明之微粒銀粉非常地微細,且呈有良好的分散 性。 八 五、發明說明(7) 〈微粒銀粉之製造方法> 本毛月之製造方法之主要特徵係於混合端酸銀水溶液 與^水、使其反應以得到銀氨錯合物水溶液,再將其與有 機還原劑接觸,使其反應以還原析出銀粒子,並進行過 f、凊洗、乾燥來製造銀粉之方法中,使用添加後成稀薄 浪度之還原劑量、硝酸銀量、氨水量。習知還原劑溶液盘 銀氨錯合物水溶液係於同一槽中進行混合,因此由於銀濃 度一般設定為10g/l以上,若添加多量的硝酸銀、還原劑 與氨水,則無法確保獲得對應設備規模的生產性。 本發明之製造方法之第1特徵在於銀氨錯合物水溶液 與有機還原劑接觸產生反應後的有機還原劑濃度低 少吸附殘留於生成之銀粉粉粒表面上、或於粉粒成2 中進入粉粒内部的有機還原材料。因此,此混合後 ^ :’相對於lg/卜6g/1的銀濃度,有機還原劑 好合: 持於lg/Ι〜3g/l。 取野維 在此,銀的濃度與還原劑量間成比例關係,者 度愈高,可獲得愈多的銀粉。然而,若此處之銀銀浪 6g/l的話,所析出之銀粒子會呈現大顆粒的傾向/辰度超過 與習知銀粉相同之粒徑,因而無法得到本發明所述而形成 高分散性的微粒銀粉。相對地,若此處之銀濃度^之具有 的話’雖然獲得非常細小之微粒銀粉,但因高1 g /1 q双過於細小使
1295666 五、發明說明(8) 吸油量增大,造成漿料黏度增加,因此必須增加有機載體 的塁’因而導致最終形成之燒結導體的膜密度降低、電氣 阻抗增加。而且,也無法滿足所需的工業生產性。 相對於上述lg/Ι〜6g/l的銀濃度,有機還原劑濃度維 持於lg/Ι〜3g/l,這是提升本發明之微粒銀粉的產率之最 佳條件。在此,將有機還原劑濃度設定為lg/1〜3g/l,是 因為此範圍是與銀氨錯合物水溶液之銀濃度間的關係中最 適合得到微粒銀粉之範圍。若有機還原劑濃度超過3 g / 1的 U舌’雖然對銀氣錯合物水》谷液添加之還原劑液量變少,但 疋還原析出之銀粉粉粒開始顯著地凝聚,包含於粉粒之不 純物量(於本說明書中不純物量係指含碳量)也開始急遽增 多。若有機還原劑濃度未滿1 g / 1的話,使用之還原劑的總 液量增加,廢水處理量也增大,因而無法滿足工業上之經 濟效益。 在此所述之「有機還原劑」係指對笨二齡、於驗酸、 葡萄糖等。其中,最好於有機還原劑中選擇性地使用對笨 二酚。於本發明中,對苯二酚比其他有機還原劑具有較佳 之反應性,可說是具備有最適於得到晶粒粒徑小之低結曰 性銀粉的反應速度。 " 此外,還可於與上述有機還原劑之組合中使用其他的 添加劑。在此所述之添加劑最好使用明膠等之膠類、胺類 高分子劑、纖維素等能使銀粉之還原析出製程穩定、且同 時能達到一定之分散劑之功能者,亦可因應有機還原劑、 製程種類等來作適當的選擇。
1295666 五、發明說明(9) ------ #丨μ i發明於使上述方法所得之銀氨錯合物水溶液與還原 背 發生反應以還原析出微粒銀粉的方法中,最好採 用t第1圖所不之方法,其係將銀氨錯合物水溶液S1以特 定奴徑(以上與以下將此稱為「第一流徑」)進行流動,於 此第一流徑a中途設置匯流之第二流徑b,藉由此第二流徑 b j吏有機還原劑與因應需要而使用之添加劑s 2流入第一 流徑a,於第一流徑a與第二流徑b之匯流點1}1進行接觸、混 合,以還原析出銀粒子(以下將此方法稱為「匯流混合方 才木用此匯流混合方式因為可於最短時間内將2個溶液 此合,且系統於均勻狀態下進行反應,故可形成具有均勻 f狀之粉粒。而且,以混合後整個溶液來看,有機還原劑 量低,其表示吸附殘留於還原析出之微粒銀粉之粉粒表面 上的有機還原劑量減少。如此,可降低過濾、乾燥後所得 之微粒銀粉的不純物附著。又由於此微粒銀粉之附著不純 量降低,故可降低以銀膠所形成之燒結導體的電氣阻抗”。 再者,當銀氨錯合物水溶液與氨水接觸、產生反應以 生成銀氨錯合物水溶液時,最好使用硝酸銀濃度為 2· 6g/l〜48gn的硝酸銀水溶液,以獲得銀濃度為 2g/l〜12gM之銀氨錯合物水溶液。在此,規範硝酸銀水、☆ 液之濃度與規範硝酸銀水溶液之液量是同義的,將銀氨二 合物水溶液之銀濃度設定為Zg/uggM,則於其中添加^ 氨水的濃度與液量也自然地確定。雖然現階段尚無法給 明確之技術上的理由,但藉由此處所述之硝酸銀濃度為2
m
2213-6406-PF(N2).ptd 第15頁
1295666 6g/l〜48g/l的硝酸銀水溶液,可獲得具有最優良之製造穩 定性、且品質穩定的微粒銀粉。 本發明之製造方法之第2特徵係於最後進行非常重要 的清洗^驟。此時之清洗步驟可使用水清洗與乙醇清洗之 組合,亦可僅使用乙醇清洗,主要是加強以乙醇進行清洗 時的清洗。亦即,對還原析出4 0 g之微粒銀粉’一般係以 約1 0 Om 1的純水來清洗,其後再以約5 Om 1的乙醇進行乙醇 清洗。而本發明於進行乙醇清洗時,以2 〇 〇 m 1以上的乙 醇,亦即相當於對1 kg的微粒銀粉以5L以上之過量的乙醇 來進行清洗。 一藉由=強清洗以降低不純物,亦是因為於銀氨錯合物 ίt Ϊ:原劑接觸反應而得到微粒銀粉之製程中,採用 原劑量的方法之緣故。 口傻您正個,合液的有機還 〈發明之效果〉 本發明之微粒銀粉係習知 精由上述製造方法, 率 / 散性高,且為習知之銀粉$ 形成之微粒,不僅分 ϋ cb μ #制、4 ' +存在之微細粉粒。而且, 提升本發明之微粒録之生產效 【實施方式】 以下同時比較對 態。 评細說明本發明之最佳實施形 【實施例1】 2213-6406-PF(N2).ptd 第16頁 1295666 五、發明說明(11) 本實施例中,對以上述製造方法 體特性進行測定。並且使用微粒銀粉製成銀;“立2的粉 測试電路,以進行導體阻抗與燒結起始溫度之測定-成 首先將63.3g之硝酸銀溶解於9·7升的純水中,以 =銀水,液’=其中添加濃度為2^%之氨水235mi2 撥拌’而付到銀氣錯合物水溶液。 门 其後,將此銀氨錯合物水溶液以15〇〇ml/sec的流 入第1圖所示之内徑為13_的第一流徑a 導 ! 5咖/咖的流量導入於第二流徑b,並使兩€/於^
於匯流點m產生接觸,以還原析出微粒銀粉。此時 之還原劑係採用以21g之對苯二酚溶解於丨〇升純水中 備之對苯二酚水溶液。因此,於混合結束時對苯二衣* 度約為1· 〇4g/l,係非常稀薄的濃度。 激 、、為了分離上述所得之4〇g的微粒銀粉,使用漏斗進行 ,濾,並以100ml的水與6〇〇ml的甲醇來清洗,然後進行小 時的乾燥,以得到微粒銀粉。第2圖即為上述所得之微粒 銀粉之掃描電子顯微鏡照相圖。 上述所得之微粒銀粉之粉體特性,與實施例2及對照 例中所得之銀粉的粉體特性一同列於表格1中。因此,在 此補充上述測定方法等說明中不清楚之部分。表格丨之燒 結起始溫度之測定係以天平精秤〇· 5g的微粒銀粉,以 21 /、c m的壓力進行1分鐘的重壓,以形成板狀,然後使用型 號為TMA/SS6000之Seiko Instruments公司所製的熱機械 分析裝置(TMA裝置),以空氣流量為2〇〇cc/分、升溫速度
1295666 五、發明說明(12) 為2 °C /分、停滯時間為〇分鐘的條件,於常溫〜9〇〇它的範 圍中進行測量。表格1中所列之導體阻抗的測定係先以各 銀粉製成銀膠,於陶瓷基板上形成電路,並利用於 1 8 0〜2 5 0 C的溫度中進行燒結加工所得之1 mm寬度的電路來 進行量測。此外,銀膠之組成為微粒銀粉85wt%、乙基纖 維素0.75wt%、與松烯醇14.25% 〇FIB分析係測量析出結晶 粒之大小,用於晶粒粒徑的測定。 【實施例2】 本實施例係對使用不同於實施例1之製造條件所製造 而得之微粒銀粉,進行粉體特性的測定。並且使用微粒銀 粉製成銀膠,進而形成測試電路,以進行導體阻抗與燒結 起始溫度之測定。 首先將63· 3g之硝酸銀溶解於3· !升的純水中,以製備 硝酸銀水溶液,於其中添加濃度為25wt%之氨水235mi 一同 稅拌’而得到銀氨錯合物水溶液。 +其後,-將此銀氨錯合物水溶液以15〇〇1111/3^的流量導 入第1圖所示之内徑為13_的第一流徑a,將還原劑以 15〇〇ml/sec的流量導入於第二流徑b,並使兩者於2〇。〇下 於,流點'產生接觸,以還原析出微粒銀粉。此時所使用 之還原j係採用以2 1 g之對苯二酚溶解於3 · 4升純水中所製 2之對苯二酚水溶液。因此,於混合結束時對苯二酚之‘ 度約為3· 〇g/1,係非常稀薄的濃度。 、# 一 t ϋ實知例1,將上述所得之40g的微粒銀粉使用漏斗 灯a L,並以l〇〇ml的水與6〇〇ml的甲醇來清洗,然後進
1295666 五 、發明說明(13) __ 行7 0 C x5小時的乾燥,以得到微粒銀粉。第 … 所得之微粒銀粉之掃描電子顯微鏡照相圖。w p為上述 粒銀粉之粉體特性,與實施例丨及對照例中达所得之微 粉體特性一同列於表格1中。 f之銀粉的 【對照例1】 本對照例中僅改變實施例丨之清洗條 複說明,在此僅說明清洗條件。 為了避免重 將實施例1中所得之微粒銀粉4 〇g使用漏斗 並以10〇ml的水與50ml的甲醇來清洗,然後' 過^慮, 時的乾燥,以得到微粒銀粉。第2圖即為上述=〇Cx5小 銀粉之掃描電子顯微鏡照相圖。上述 之所侍之微粒 體特性,與其他實施例及對照例中所得之==粉 一同列於表格1中。 m私的粉體特性 【對照例2】 本對照例中僅改變實施例2之清洗條 複說明’在此僅說明清洗條件。 ’、 為了避免重 將實施例2中所得之微粒 並以1 0〇ml的水與50ιη1的甲 2,使秋用漏斗進行過濾’ 時的乾燥,以得到微粒銀粉。 =彳進仃70 °Cx5小 銀粉之掃描電子顯微鏡照相圖 马上述所得之微粒 體特性’與其他實施例及對;例戶微粒銀粉之粉 一同列於表格1中。 、 斤件之銀粉的粉體特性 【對照例3】 本對照例係對使用 下列所示之製造方法 所製造而得之
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五、發明說明(14) 微粒銀粉,進行粉體特性的測定。並且使用微粒銀粉製成 銀膠,進而形成測試電路,以進行導體阻抗與燒結起二、、w 度之測定。 首先將6 3 · 3 g之硝酸銀溶解於1升的純水中,以製備确 酸銀水溶液,於其中添加濃度為25wt%之氨水235ml —同授 摔’而得到銀氣錯合物水溶液。 其後,將此銀氨錯合物溶液置入反應槽中,此時一同 添加以對苯二酚2 1 g溶解於1 · 3升的純水、作為還原劑之對 苯二紛水溶液,將溶液溫度維持於2 〇 X:進行攪拌、使其發 生反應,以還原析出銀粉。於混合結束時對苯二酚之^ ^ 約為14· 5g/l,係高濃度溶液。 /又 如同實施例1,將上述所得之微粒銀粉使用漏斗 過濾,並以100ml的水與5〇ml的甲醇來清洗,然後 Cx5小時的乾燥,以得到微粒銀粉。第4圖即為上 之微粒銀粉之掃描電子顯微鏡照相圖。 斤仔 粉之粉體特性,盥卜a每a , ^ ^行< Μ粒銀 的e转I π與上述實施例及第2對照例中所得之銀粉 的叔體特性一同列於表格】中。 、跟物 【對照例4】 微粒銀粉,進;^ ::歹:所:之製造方法所製造而得之 銀膠,進而形成測試電0、測疋。並且使用微粒銀粉製成 度之測定。 以電路’以進行導體阻抗與燒結起始溫 盲先將6 3 · 3 g之石肖酸夺、々 硝酸銀水溶液,於豆中六X/谷解於3 00nU的純水中,以製有 、八中添加濃度為25wt%之氨水2351]11一同
1295666 五、發明說明(15) 擾拌’而得到銀氨錯合物水溶液。 其後’將此銀氨錯合物溶液置入 添加以明膠3g溶解於200ml的純水所應槽^中’此時一同 對苯二酚21g溶解於700ml的純水、、之溶液、以及以 水溶液,將溶液溫度維持於2G t進.f原剤之對苯二酚 應,以還原析出銀粉。於混合結束二使其發生反 14· 5g/l,係高濃度溶液。 、本一酚之濃度約為 如同實施例1,將上述所得之微粒銀 過濾,並以100ml的水與50roi的甲醇 々使用漏斗進行 °Cx5小時的乾燥,以得到微粒銀粉 ^ =進行70 之微粒銀粉之掃描電子顯微鏡照 圖尸為/述所得 的粉體特性一同列於表格1中。 銀私 【對照例5】 本對照例係對使用下列所示之製造方法所製 =銀:而开進Γ'體特性之測定。並且使用微粒銀粉ϊί =測J而形成測試電路’以進行導體阻抗與燒結起始】 首先將20g之聚乙烯吡咯烷酮溶解於26〇mi 然後使其轉奶Or錢銀,㈣備錢銀切屯水中’ ,其中添加25g的硝酸一同進行授拌,而得 =溶液。於混合結束時於驗酸之濃度約為36 〇之^ 濃度溶液。 1 係鬲 另外還原劑之製作係將3 5 · 8 g之菸鹼酸溶解於5 〇 〇 m i 第21頁
2213-6406-PF(N2).ptd 1295666 五、發明說明(16) 的純水中,而配製成還原溶液。 其後,將此含銀之硝酸颛溶液置入反應 同添加上述還原溶液,將溶液溫度維持於2 5此時一 使其發生反應,以還原析出銀粉。 、 進行攪拌、 如同實施例1,將上述所得之微粒銀粉使 過濾,並以1 0 0 m 1的水與5 0 m 1的甲醇來清洗,然^斗進行 。㈤小時的乾燥’以得到微粒銀粉。:述所得?微進= 之粉體特性,與上述實施例及對照例中所得之 = 特性一同列於表格1中。 刀曰]物體 〈實施例與對照例之比較〉 請參照表格1,以進行上述各實施例與對照例的比 較。此外,由第2圖〜第5圖之掃描電子顯微鏡照相圖可明 確得知粉粒之一次粒子的粒徑。
1295666 — 五、發明說明(17) 表辂1 試料 粉體特性 _燒結導體 SSA m2/g 振霣塡 充密度 〇 g/cm Dso Dia D50/ Dia 晶粒 粒徑 nm 含碳 量 % 導體阻抗 μΩ· cm 燒結起 始溫度 °C μιη 賞施例1 2.54 4.2 0.31 0.30 1.03 7 0.15 4.6 160 富施例2 1.68 4.7 0.55 0.49 1.12 7 0.21 5.9 190 對照例1 2.89 4.3 0.29 0.28 1.04 7 0.28 8.5 160 對照例2 0.55 4.0 3.90 2.20 1.77 7 0.32 7.9 190 對照例3 1.18 4.3 1.78 1.02 1.75 9 0.88 無法測量 250 對照例4 0.55 4.0 3.90 2.20 1.77 8 0.89 無法測量 250 對照例5 0.62 4.0 3.03 1.20 2.53 38 0.30 無法測量 350 由表格1可得知,比較各個粉體特性值,上述實施例 中所得之微粒銀粉不僅比以習知製造方法所製造之銀粉粉 :二細分散性較高,也降低了不純物含量,係習妒銀 m:; ϊϊ粉所形成之電路不僅膜密度高,真電 :阻抗也降低。而各對照例因導體阻抗高,而無法進行測 產業上可利性: 本發明之微粒銀粉具有習 不僅粉粒之凝聚度低,而且比 性。此外,藉由本發明之微粒 知銀粉所沒有的微細粉粒, 習知銀粉具有更良好的分散 銀粉之製造方法,可降低微
2213-6406-PF(N2).ptd 第23頁 1295666 五、發明說明(18) 粒銀粉上所殘留的有機物,雖為微粒銀粉,但與原來的膜 密度之高度重疊、作用,因而有助於降低最終所獲得之導 體的電氣阻抗。
2213-6406-PF(N2).ptd 第24頁 1295666 圖式簡單說明 第1圖繪示銀氨錯合物水溶液與還原劑混合之示意 圖。 第2圖與第3圖係本發明之微粒銀粉之掃描電子顯微鏡 照相圖。 第4圖與第5圖係以習知方法所得到之微粒銀粉之掃描 電子顯微鏡照相圖。 符號說明: 51 :銀氨錯合物水溶液 52 ··添加劑 a :第一流徑 b :第二流徑 m :匯流點
2213-6406-PF(N2).ptd 第25頁

Claims (1)

  1. 93118758
    1 · 一種微粒銀粉,粉粒凝聚性低之銀粉 包括下列a ·〜d ·之粉體特性: a·以掃描電子顯微鏡照相圖作影像分析所得之〜 子之平均粒徑Du為〇· 6 μιη以下; 次极 b •以上述平均粒徑DIA、與雷射粒徑分佈測定法戶 平均粒徑I所表示之凝聚度D5q/Dia為丨,5以下; 得之 C .晶粒粒徑為1 Q nm以下·,及 d·有機不純物含量以含碳量換算於〇· 25以%以下。 2·如申請專利範圍第i項所述之微粒銀 榼 起始溫度為2 40 t:以下。 、甲^結 & 3· —種微粒銀粉之製造方法,由混合硝酸銀水溶液與 i ^,使ΐ反應得到銀氨錯合物水溶液,再於其中添加對 本一酚以還原析出銀粒子,並進行過濾、清洗、乾燥, 其特徵在於: ' 使對苯一酞與上述銀氨錯合物水溶液進行接觸、混 :输且仏合後〉谷液中之銀濃度為1 g/ 1〜6g/ 1、對苯二酚濃 ς :持於1 g/ 1 3 g/ 1,以還原析出銀粒子,並對該銀粒子 進仃過濾、水清洗、及過量的乙醇溶液清洗。
    4.如申請專利範圍第3項所述之微粒銀粉之製造方 ^1中當對苯二酚與上述銀氨錯合物水溶液進行接觸、 4,上述銀氨錯合物水溶液以特定流經(以下稱為 、古,一流徑」Ο流動,於該第一流徑中途設置匯流之第二 版=,错由該第二流徑使對苯二酚流入,於第一流徑與第 一 k徑之匯流點進行接觸、混合。
    第26頁 1295666 案號 93Π8758 修正 六、申請專利範圍 5. 如申請專利範圍第3項所述之微粒銀粉之製造方 法,其中使用硝酸銀濃度為2. 6 g / 1〜4 8 g / 1之硝酸銀水溶液 與氨水進行混合、反應、且銀濃度為2 g / 1〜1 2 g / 1之銀氨錯 合物水溶液。 6. 如申請專利範圍第3項所述之微粒銀粉之製造方 法,其中使用之對苯二驗中包含分散劑。 7. 如申請專利範圍第3項所述之微粒銀粉之製造方 法,其中乙醇係使用相當於對1 k g之銀粒子使用5 L以上之 乙醇的量來進行。
    2213-6406-PFl(N2).ptc 第27頁
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