TWI281720B - Electronic part mounted body, method for manufacturing the same and optoelectronic device - Google Patents

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TWI281720B
TWI281720B TW094111059A TW94111059A TWI281720B TW I281720 B TWI281720 B TW I281720B TW 094111059 A TW094111059 A TW 094111059A TW 94111059 A TW94111059 A TW 94111059A TW I281720 B TWI281720 B TW I281720B
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bump
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conductor
exposed
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Munenori Kurasawa
Atsushi Saito
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Seiko Epson Corp
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(3) 1281720 板的凸塊的前端與導電焊墊之間產生樹脂殘渣，則有可能 凸塊與導電焊墊不會完全連接。於是，以往的技術在製造 電子零件安裝體時，爲了提高良品率及安裝效率，而必須 更加改善。 本發明是有鑑於上述情事而硏發者，其目的是在於提 供一種可容易且低成本及高電性可靠度來有效率地製造將 電子零件安裝於電路基板上而成的電子零件安裝體之方法 (用以解決課題的手段） 爲了解決上述課題，本發明之電子零件安裝體的製造 方法’係將具備作爲外部安裝端子的凸塊之電子零件安裝 於由熱可塑性樹脂所構成的基材， 其特徵係含： 凸塊埋設工程，其係對基材加熱推壓上述電子零件， # 藉此來將上述凸塊埋入上述基材，使上述凸塊的一部份露 出於與上述電子零件相反側的基材面；及 導電體形成工程，其係於上述凸塊的一部份露出的基 材面配置導電材料，藉此來形成與上述凸塊導電連接的導 電體。 若利用此製造方法，則首先會使電子零件的凸塊貫通 基材，而令凸塊的前端部露出於基材的相反面側，然後對 此露出後的凸塊形成所定平面形狀的導電體，因此可形成 一種可針對以任意的大小及間距所形成的凸塊來正確地對 -6- (4) 1281720 位之導電體，可使凸塊與導電體的導電連接構造之電性的 可靠度提高。 又，如先前專利文獻1所記載的技術，一邊對事先被 . 形成圖案的導電體進行對位，一邊進行凸塊的埋設時，導 電體或凸塊在狹間距化時，會有難以對位的問題，但在本 發明的製造方法中，由於基材與電子零件的對位不需要， 因此不會發生如此的對位問題。 φ 本發明的製造方法中，最好上述基材爲使用其厚度與 上述電子零件的凸塊之來自上述電子零件的表面的突出高 度同等或1 0 μηα以下厚度者，又，更理想是上述基材爲使 用其厚度與上述電子零件的凸塊之來自上述電子零件的表 面的突出高度同等或5 μπι以下厚度者。 在將上述基材的厚度形成上述範圍之下，對基材加熱 推壓電子零件時，基材會被熱溶著於形成於凸塊側的電子 零件的主動面，基材與電子零件的封接會更確實。 • 本發明之電子零件安裝體的製造方法，可在上述凸塊 埋設工程中，將上述凸塊埋入上述基材後，部份去除與上 述電子零件相反側的基材表面，藉此來使上述凸塊的一部 份露出於與上述電子零件相反側的基材面。 若利用此製造方法，則即使凸塊的突出高度或基材的 厚度產生不均，照樣可去除基材表面來使凸塊確實地露出 於基材面。並且，在加熱加壓狀態下，雖會因爲凸塊被壓 入’而使得在凸塊前端側的基材面產生凹凸，但藉由部份 去除基材表面，可使該凹凸平坦化，因此可提高凸塊與導 (5) 1281720 電體的連接構造的可靠度，且經由該基材來對其他電路基 板等的安裝也能以高可靠度來進行。 本發明之電子零件安裝體的製造方法中，最好部份去 除上述基材表面的工程爲化學硏磨工程或乾蝕刻工程。 若爲含該等處理的製造方法，則在去除基材的表面時 ，可高精度控制其去除量，因此可使凸塊的前端部良好地 露出於基材表面，且可容易控制成其露出高度不會過大。 0 本發明之電子零件安裝體的製造方法中，可在上述導 電體形成工程中，藉由金屬電鍍法來形成上述導電體。 藉由金屬電鍍法來形成導電體，可容易形成數μηι程 度的厚膜的導電體，因此處理速度及製造成本皆合適。 本發明之電子零件安裝體的製造方法中，可在上述導 電體形成工程之前，具有在含貫通上述基材而露出的凸塊 的一部份之基材面區域形成金屬基底膜的工程。 若利用此製造方法，則會因爲在凸塊與導電體之間介 # 在金屬基底膜，所以可提高凸塊與導電體的密著性，且上 述兩構件的材質的選擇範圍會擴大，因此導電體及凸塊的 低電阻化等的效果也可容易取得。此外，當複數個凸塊設 置於電子零件時，因爲會有金屬基底膜橫跨形成，所以凸 塊彼此形成短路的狀態，可有效防止在導電體形成工程中 的靜電所造成的電路破壊。 本發明之電子零件安裝體的製造方法中，可在上述金 屬基底Θ旲上藉由電解電鍍法來形成上述導電體，或藉由無 電解電鍍法來形成上述導電體。 (6) 1281720 導電體可藉由電解電鍍法或無電解電鍍法來形成，但 在具備上述金屬基底膜時，若藉由以該金屬基底膜作爲電 極使用的電解電鍍法來形成，則可提高導電體的形成效率 〇 本發明之電子零件安裝體的製造方法中，可在上述導 電體形成工程中包含： 在上述凸塊的一部份露出的基材面使光罩材形成圖案 φ 的工程；及 使用上述光罩材作爲光罩，在上述基材上選擇性配置 上述導電體的工程。 若利用此製造方法，則可容易形成具備所定平面形狀 的導電體。又’若將該光罩材形成於上述金屬基底膜上， 則可形成容易藉由以該金屬基底膜作爲電極的電解電鍍來 圖案化的導電體。 本發明之電子零件安裝體的製造方法中，可使上述光 # 罩材形成圖案的工程包含··在上述基材上配置光阻劑的工 程，及使該光阻劑曝光，顯像的工程； 且以貫通上述基材而露出的凸塊的一部份爲基準來進 行上述光阻劑的曝光。 若利用此製造方法，則因爲是對電子零件的凸塊來直 接進行對位’而來進行光罩材的形成，所以可極高精度形 成光罩材’因此所取得的導電體的位置精度亦佳。藉此， 可提高凸塊與導電體的連接構造之電性的可靠度。上述光 阻劑可使用塗佈於基材上的液狀者，或者在基材上當作疊 -9 - (7) 1281720 片使用的乾薄膜形態者。 本發明之電子零件安裝體的製造方法中，在進行上述 光阻劑的曝光時，爲了供以進行該曝光工程的對位，可以 設置於上述電子零件的基準凸塊作爲基準使用。 亦即，在貫通基材的凸塊中，可利用事先作爲基準凸 塊而設置的凸塊來進行曝光工程的對位。若利用如此的基 準凸塊’則在使連接導電體的凸塊形成微細化及狹間距化 時特別有效。亦即，機能相異的基準凸塊的尺寸或間距可 任意設定，因此可經常作爲對位的基準，成爲適當的基準 凸塊，進行高精度的對位。 本發明之電子零件安裝體的製造方法中，可使上述光 罩材形成圖案的工程包含：在上述基材上配置光阻劑的工 程，及使該光阻劑曝光，顯像的工程； 且以貫通上述基材而露出的凸塊爲基準來設置供以進 行上述光阻劑的曝光之基準標記。 亦即，只要曝光工程的對位基準是相對性地對凸塊進 行對位即可，因此可在離凸塊所配列的區域之位置設置基 準標記，對此來進行曝光的對位。 本發明之電子零件安裝體的製造方法，可在配置上述 光阻劑之前，具有形成保護構件的工程，該保護構件係覆 蓋貫通上述基材而露出的凸塊的一部份，且在含上述保護 構件的上述基材上形成上述光阻劑之後，具有去除上述保 護構件的工程； 且以藉由去除上述保護構件而露出的上述凸塊爲基準 -10- (8) 1281720 ，進行上述光阻劑的曝光。 此製造方法是事先藉由保護構件來遮蔽（masking ) 在光阻劑的曝光工程中作爲對位基準的凸塊’在塗佈光阻 劑之後剝離該保護構件而使凸塊露出’因此與對光阻劑的 下層側的凸塊進‘行對位時相較之下，可容易且高精度進行 對位作業。所以，若利用本製造方法，則可高精度形成上 述光罩材，進而能夠高精度形成導電體。 B 本發明之電子零件安裝體的製造方法中’最好在上述 凸塊埋設工程中，貫通上述基材而露出的凸塊的高度爲 1 μ m以上。 藉由使凸塊露出1 μηι以上的高度，可適於作爲先前 曝光工程的對位基準用。 其次，本發明是在於提供一種光電裝置的製造方法’ 其特徵爲直接或經由其他的電路基板來將藉由先前記載之 本發明的電子零件安裝體的製造方法所取得的電子零件安 # 裝體予以安裝於構成光電面板的基板上。 若利用此製造方法，則可容易製造一驅動電路等會以 高可靠度來安裝之光電裝置。 其次，本發明之電子零件安裝體，係於一面側具有導 電體的基材安裝有具備作爲外部安裝端子的凸塊之電子零 件，其特徵爲： 上述電子零件的凸塊爲貫通上述基材而露出至相反側 露出於上述基材表面的凸塊與上述導電體會經由金屬 -11 - (9) 1281720 基底膜來導電連接。 若利用此構成，則可提供一種能以高精度且高可靠度 來導電連接凸塊與導電體之電子零件安裝體。 . 其次，本發明可提供一種光電裝置’其特徵爲：先前 所記載之本發明的電子零件安裝體會直接或經由其他的電 路基板來安裝。 若利用此構成，則可提供一種具備具有可靠度佳的安 φ 裝構造的電子零件之光電裝置。 其次，本發明是在於提供一種具備先前記載之本發明 的電子零件安裝體，以及本發明的光電裝置之電子機器。 該電子機器可藉由對狹間距的凸塊高精度形成導電連接構 造之電子零件安裝體來取得高可靠度。具備該電子零件安 裝體’得以形成一具備由可實現高可靠度的光電裝置所構 成的顯示部。 # 【實施方式】 其次，參照圖面來説明本發明的實施形態。 在以下説明所參照的各圖面是表示本發明的各實施形 態的構成模式’其形狀或尺寸比爲適當變更顯示。 <電子零件安裝體的製造方法> 本發明之電子零件安裝體的製造方法，係將具備作爲 外部安裝端子的凸塊之電子零件安裝於由熱可塑性樹脂所 構成的基材’藉由連接基材表面的導電體與上述電子零件 -12- (10) 1281720 來取得電子零件安裝體之方法，其特徵係含： 凸塊埋設工程，其係一邊加熱上述電子零件的凸塊， 一邊推壓埋入上述基材’使該凸塊的一部份露出於上述基 材的相反側面；及 § 導電體形成工程’其係於上述凸塊的一部份露出的基 材面配置導電材料，藉此來形成與上述凸塊導電連接的導 電體。 φ 以下，說明本發明之電子零件安裝體的製造方法，但 在本說明書中是將本發明的製造方法分成前段的凸塊埋設 工程與後段的導電體形成工程來進行説明，在前段的凸塊 埋設工程的説明中是針對其第1實施形態〜第3實施形態 來進行說明，然後，在後段的導電體形成工程的説明中是 針對其第1實施形態及第2實施形態來進行說明。 (凸塊埋設工程；第1實施形態） φ 首先，參照圖1的剖面工程圖來說明有關本發明的實 施形態。以下，詳細說明有關本發明之電子零件安裝體的 製造方法中，凸塊埋設工程的第1實施形態。 本實施形態，首先，如圖1 ( a )所示，準備一具備 形成外部連接端子的複數個（圖示爲7個）凸塊1 1之1C 晶片（電子零件）1 〇，及由熱可塑性樹脂所構成的基材 1 3。此1C晶片1 0是藉由例如矽單結晶或化合物半導體單 結晶等的半導體基板，或於複數的陶瓷層之間夾著導體層 而積層的陶瓷基板等所構成，其凸塊Π形成面側爲形成 -13· (11) 1281720 具有電t電路構造的主動面。1C晶片〗〇的厚度，若:是半 導體基板’則爲1 0 0〜8 0 0 μ m程度’若是陶瓷基板，則爲 1〜5 m m程度。 凸塊1 1只要是由導電材料所形成者即可，但爲了推 壓埋入後述的基材1 3 ’$父理想是藉由具有充分強度的金 屬材料來形成。具體而言，可適用Cu，Ni，Au，Ag，Ai 等的金屬材料。或，亦可使用藉由電鍍法來形成由C u， φ Ni，A1等所構成的芯體，在此芯體的表面覆蓋au，Ag， S η等的薄膜之構成的凸塊1 1。凸塊1 1，例如寬度爲1 〇〜 20μηι程度，突出高度爲1〇〜25μηι程度，以15〜30μηι程 度的間距來形成於IC晶片1 0。並且，在設有凸塊1 1的 區域以外的I C晶片1 〇的主動面’由氧化矽或氮化矽等所 構成鈍化膜會以保護電路爲目的來形成。 基材1 3是由熱可塑性樹脂所構成，其構成材料可使 用聚酯樹脂，聚醯胺樹脂，芳香族聚酯樹脂，芳香族聚醯 Φ 胺樹脂，四氟乙烯’聚醯亞胺樹脂等。在本實施形態中， 基材13對凸塊11的突出高度而言是形成同等或稍微厚， 例如凸塊1 1的突出局度爲2 2 μ m時’最好爲2 2〜3 2 μ m的 範圍，更理想爲2 2〜2 7 ^m的範圍。在如此將基材1 3的 厚度形成與凸塊11的突出尚度同等或稍微厚之下’可使 凸塊1 1容易貫逋基材1 3 ’可有效率地進行後段的工程。 若基材1 3與凸塊1 1的突出高度同等或厚5 程度’則 熱可塑性樹脂的基材1 3會與1C晶片1 0的主動面溶著， 可使基材1 3與IC晶片1 〇的封接確實。 -14- (13) 1281720 〔凸塊埋設工程的第2實施形態〕 其次，參照圖2來説明凸塊埋設工 。在本實施形態中所使用的I C晶片（’ 材13是與圖1所示者大致同樣。本實 形態而言不同的地方是在於加熱推壓的 材面露出的露出方法。 首先，如圖2 ( a )所示，準備IC ，利用圖示省略的加熱推壓手段，如圓 1C晶片1 0對基材1 3推壓。如此一來， 1 3會被加熱至構成基材1 3的熱可塑性 ，因此凸塊11會被***基材13中。 本實施形態是針對上述實施形態的 使加熱温度降低所定量，以及使推壓時 此於加熱推壓後以基板能夠覆蓋凸塊之 其次，實施部份去除基材1 3之與 φ 側面（圖示下面）之處理。此處理可例 的化學硏磨法或使用電漿等的乾蝕刻法 等的方法，則可只以所望的量來去除基 藉由以上的工程，如圖2 ( d )所开 份會露出於基材1 3表面，在與基材面 於所定高度的階差1 1 a。由於本實施形 揷入後，藉由部份去除基材1 3的表面5 因此具有可高精度控制來自基材面之凸 的優點。又，若利用本實施形態的工程 程的第2實施形態 子零件）1 〇及基 施形態對上述實施 條件及自凸塊的基 晶片1 〇及基材13 3 2 ( b )所示，使 1C晶片10或基材 樹脂的軟化點以上 加熱推壓條件中， 間縮短所定量，藉 方式來加熱推壓。 1C晶片10呈相反 如藉由使用硏磨液 來進行，若利用該 材1 3的表面。 c，凸塊1 1的一部 之間，可形成控制 態是在凸塊1 1的 艮使凸塊1 1露出， 塊11的突出高度 ，則可有效防止因 -16- (14) 1281720 爲凸塊1 1的突出局度不均或基材丨3的厚度不均所造成凸 塊1 1的露出狀態不均。又，亦可實現圖案的高精度化。 又’由於凸塊1 1是藉由加熱推壓來***基材1 3，因 此有時被***凸塊1 1的周邊的基材1 3會大幅度變形，在 圖2 ( c )所示的狀態中，於基材1 3的下面產生仿效凸塊 1 1的凹凸，但如上述若部份去除基材1 3的表面，則可使 凸塊1 1露出’且可達成基材表面的平滑化，在後續的工 φ 程可容易且以高可靠度來導電連接凸塊11與導電體。 〔凸塊埋設工程的第3實施形態〕 其次，參照圖1來説明上述凸塊埋設工程的第3實施 形態。本實施形態中所使用的IC晶片（電子零件）1 0及 基材1 3是與圖1所示者同樣。本實施形態與第1實施形 態不同的點是在於先前第1實施形態所述的凸塊埋設工程 中更追加一藉由化學硏磨或乾蝕刻來部份去除基材表面的 • 工程。 本實施形態是藉由與圖1 ( a )〜（c )所示者同樣的 工程，對基材13***IC晶片1 0的凸塊1 1，使凸塊1 1 的前端部露出於基材1 3的相反側面（與1C晶片1 0呈相 反側的一面）。然後，實施部份去除露出凸塊Π的前端 部之基材1 3的表面的處理。此處理’可例如藉由使用硏 磨液的化學硏磨法或使用電漿等的乾餓刻法來進行’若利 用該等的方法，則可只以所望的量來去除基材1 3的表面 -17- (15) 1281720 由於凸塊l 1是藉由加熱推壓來***基材1 3 ’ 時被***凸塊π的周邊的基材1 3會大幅度變形’ (c )所示的狀態中，特別是在凸塊1 1的周邊會產 ，但若如上述部份去除基材1 3的表面，則可控制I 的露出高度，且可達成基材表面的平滑化，在後續 可容易且以高可靠度來導電連接凸塊11與導電體 ，先前的第2實施形態是藉由化學硏磨法或乾蝕刻 φ 未露出於基材1 3表面的凸塊1 1的前端部露出，但 形態是在事先使凸塊1 1的前端露出的狀態下進行^ 表面的部份去除，上述化學硏磨工程或乾蝕刻工程 時間與第2實施形態的方法相較之下可以短縮，進 謀求製造效率的提升。 又，若利用本實施形態的製造方法，則可高精 來自基材面之凸塊11的突出高度，且可有效防止 塊1 1的突出高度不均或基材1 3的厚度不均所造 φ 1 1的露出狀態不均。又，亦可實現圖案的高精度化 (導電體形成工程；第1實施形態） 其次，參照圖3及圖4來說明有關本發明之電 安裝體的製造方法中，導電體形成工程的第1實施 圖 3(a)〜（f)，圖 4(a)〜（c)是表示連續 之剖面構成圖。 在以下的導電體形成工程中，使用一藉由圖1 所示工程取得的IC晶片1 0與基材1 3爲一體接合 因此有 在圖1 生凹凸 a塊11 的工程 。此外 法來使 本實施 g材1 3 的處理 而能夠 度控制 因爲凸 成凸塊 子零件 形態。 的工程 或圖2 的構件 -18- (16) 1281720 ，在本實施形態中是針對配置於1C晶片1 0的一面側的凸 塊1 1中，配置於圖示兩端的凸塊1 1 b，1 1 b爲不與後述的 導電體連接的虛擬凸塊來進行説明。此虛擬凸塊1 1 b亦於 基材1 3的表面露出其前端部，且在與基材面之間具有階 差 1 1 c 〇 首先，如圖3 ( a )所示，若藉由先前的凸塊埋設工 程來取得將1C晶片1 〇固定於基材1 3的構件，則會如圖 φ 3(b)所示，在露出凸塊11及虛擬凸塊lib的基材13的 表面（圖示上面）藉由濺鍍法或蒸鍍法來形成金屬基底膜 14。此金屬基底膜可使用 Cu，TiW，或Cr，Mo，MoW， Au，Ag等的金屬材料來形成。在後續的工程中，可發揮 使導電連接於凸塊1 1的導電體與凸塊1 1的密著性提高的 作用，且藉由電解電鍍法來形成導電體時可作爲電極用。 又，由於該金屬基底膜1 4會使凸塊1 1間形成短路，因此 在工程中即使發生靜電，照樣可以有效地保護1C晶片1 0 φ 的電路構造。 其次，如圖3 ( c )所示，以能夠覆蓋金屬基底膜14 之方式來塗佈光阻劑1 5。此光阻劑是形成在後續的工程 中用以將導電體形成圖案之光罩材。本實施形態中雖是針 對使用正片型的光阻劑時來進行説明，但亦可爲負片型的 光阻劑。 接著，如圖3 ( d )所示，對光阻劑1 5進行光罩曝光 ，而於光阻劑1 5中形成曝光部1 5 X。此曝光部1 5 X是形 成於包含凸塊Π上的區域之區域。 -19- (17) 1281720 在本實施形態的製造方法中，爲了形成光罩材，而對 光阻劑進行曝光時，會以突出於棊材1 3上的虛擬凸塊 1 1 b作爲曝光時的對位基準之基準凸塊使用。例如，只要 在虛擬凸塊1 1 b與基材1 3表面之間的階差1 1 c設定基準 點，而進行光阻劑1 5的光罩曝光，便可極高精度地形成 曝光部1 5x。藉此，可提高以圖案化的光阻劑1 5作爲光 罩材使用來形成導電體時之電性的可靠度。 φ 其次，如圖3 ( e )所示，對光阻劑1 5進行顯像，而 去除曝光部1 5x，在凸塊1 1上的區域形成開口部1 5a。此 刻，在凸塊1 1的位置，成膜於凸塊1 1上的金屬基底膜 14會露出。其次，如圖3 ( f)所示，利用電鍍法來對開 口部1 5a選擇性地配置Cu或Au，Sn等的金屬材料，形 成所定平面形狀的導電體16。在凸塊11上未形成有金屬 基底膜14時，基於與凸塊1 1的材質關係，導電體1 6的 形成材料的選擇範圍恐會有變窄之虞，但本實施形態中因 φ 爲設有金屬基底膜1 4，所以導電體1 6的形成材料可使用 各種的材料，且凸塊1 1與導電體1 6的連接構造之電性的 可罪度，亦不受限於兩者的構成材料，皆可提升。 其次，如圖4 ( a )所示，剝離光阻劑1 5，接著如圖 4 ( b )所示，從導電體1 6側來實施蝕刻處理，藉此來去 除基材13表面，及虛擬凸塊lib表面的金屬基底膜14。 其次’如圖4(c)所示，在導電體ι6的表面藉由電 解電鍍法等在保護絶緣膜以外的區域形成表面保護層^ 7 。只要在基材1 3上以既設的金屬基底膜1 4及導電體！ 6 -20- (18) 1281720 作爲電極來進行電解電鍍’便可在導電體1 6的表面選擇 性地將表面保護層1 7形成所望的膜厚。此表面保護層1 7 是藉由Au等的安定金屬材料來形成Ο.ΟΙμηι〜〇·5μηι程度 的厚度。又，若藉由具有良好的導電性的材料來形成該表 面保護層1 7，則可降低與導電體1 6 —起構成的配線等的 電阻。 其次，在包含藉由表面保護層I7所覆蓋的導電體16 ，及虛擬凸塊1 1 b的區域塗佈形成保護絶緣膜2 5，取得 本發明的電子零件安裝體10P。 此保護絶緣膜2 5是因應所需而設置者。就不設置保 護絶緣膜2 5的形態而言，例如有利用基材1 3來將電子零 件安裝體1 0P與其他電路基板等接合時。此情況，是使設 有導電體1 6的一側之基材1 3的表面部份軟化或溶融，而 使固著於其他的電路基板，藉此可容易將該電子零件安裝 體1 op接合於其他的電路基板，進而能夠極爲有效率地安 # 裝電子零件。 〔導電體形成工程的第2實施形態〕 其次，參照圖5及圖6來說明有關導電體形成工程的 第2實施形態。圖5(a)〜（f) ’圖6(a)〜（e)是 表示連續的工程之剖面構成圖。 在本實施形態的導電體形成工程中，亦與上述實施形 態同樣使用IC晶片1 〇與基材1 3爲一體接合的構件。因 此，配置於1C晶片1 〇兩端的凸塊1 1 b，1 1 b是作爲曝光 -21 · (19) 1281720 時的基準凸塊使用的虛擬凸塊。 在本實施形態的導電體形成工程中，首先如圖5 ( a )所示，準備一 IC晶片1 0與基材1 3會經由凸塊1 1來一 體接合的構件，其次如圖5 ( b )所示，形成分別覆蓋虛 擬凸塊1 1 b，1 1 b的保護構件1 8，1 8。此保護構件1 8是 例如以遮蔽帶等可容易剝離者來構成。當虛擬凸塊1 1 b爲 極微細者時，雖難以貼著遮蔽帶，但由於虛擬凸塊1 1 b與 φ 凸塊Η機能相異，因此即使凸塊1 1狹間距化時亦不必微 細化，只要在離凸塊1 1某程度的位置具有充分的尺寸大 小，便不會有問題。 其次，如圖5 ( c )所示，以能夠覆蓋包含上述保護 構件1 8及凸塊1 1的基材1 3上之方式來形成金屬基底膜 1 4，接著以能夠覆蓋金屬基底膜1 4之方式來塗佈光阻劑 19。 其次，如圖5 ( d )所示，剝離虛擬凸塊1 1 b上的保 φ 護構件1 8。如此一來，積層於保護構件1 8上的金屬基底 膜1 4及光阻劑1 9的一部份會與保護構件1 8 —起被去除 ，露出虛擬凸塊lib，lib。 其次，如圖5 ( e )所示，以上述工程中所露出的虛 擬凸塊lib作爲基準凸塊用，進行光阻劑19的光罩曝光 ’在包含凸塊Π上的所定區域形成曝光部19x。本實施 形態是在虛擬凸塊1 1 b露出的狀態下進行利用其階差1 1 c 等的對位，因此與圖3所示先前實施形態的曝光工程相較 Z下’可局精度地定位曝光光罩，即使凸塊1 1是以狹間 -22 - (20) 1281720 距來配列，還是能夠在正確的位置形成曝光部1 9x < 其次，如圖5 ( f).所示，對光阻劑1 9進行顯 去除曝光部1 9x，在包含凸塊1 1上的區域形成開口 。藉由該曝光部1 9x的去除，在開口部1 9 a的底部 屬基底膜1 4。 其次，如圖6 ( a )所示，藉由電解電鍍法來 Cu等的金屬材料所構成的導電體20。之所以利用 φ 鍍法，那是因爲以金屬基底膜1 4作爲電極來成膜 容易形成對應於開口部1 9a的形狀的導電體20。 其次，如圖6 ( b )所示，去除光阻劑1 9，接 6 ( c )所示，去除基材1 3上的金屬基底膜1 4。金 膜1 4的一部份會殘留於導電體20的下層側，當作 1 1的密著層用。 其次，如圖6 ( d )所示，藉由電解電鍍法在 20的表面形成表面保護層2 1。此表面保護層2 1的 φ 與先前實施形態的表面保護層1 7同樣。如圖6 ( e ，在包含導電體16及虛擬凸塊11的基材13上的 成保護絶緣膜25，藉此取得本發明的電子零件安裝 〇 如以上詳細説明，本發明的製造方法，首先是 塊埋設工程中，使1C晶片1 0的仏塊1 1貫通於基才 使其前端部從基材1 3的表面突出，因此在後段的 成形工程的曝光處理時，能以從基材突出的凸塊1 基準來進行對位，因此可容易且高精度進行導電體 像，而 部19a 露出金 形成由 電解電 時，可 著如圖 屬基底 與凸塊 導電體 構成是 )所示 區域形 體1 0P 在其凸 才1 3， 導電體 1作爲 的選擇 -23- (21) 1281720 形成，藉此能以高電性可靠度來取得導通連接凸塊1 1與 導電體16的電子零件安裝體10P。 先前專利文獻1中所§己載的技術是針對基材中既設白勺 導電圖案對準凸塊來進丫了 ic晶片的安裝’因此當凸塊或 導電圖案被狹間距化時’該等對位的困難性會有顯著増加 的問題，但若利用本製造方法，則可針對露出於基材13 的表面的凸塊1 1以高位置精度來配置導電體1 6，即使凸 φ 塊1 1的配列間距狹窄’照樣能以充分的精度來配置導電 體16。 又，上述實施形態中，雖是說明有關以設置於1C晶 片1 〇的虛擬凸塊Η b作爲基準凸塊用來進行光阻劑的曝 光處理時，但當然亦可以和導電體1 6導電連接的凸塊1 1 的1個或複數個作爲基準凸塊用。又，亦可藉由雷射加工 等來將針對突出於基材1 3上的凸塊1 1對位的基準標記形 成於光阻劑1 5，針對該基準標記來進行曝光光罩的對位 <光電裝置> 其次，參照圖7〜圖1 1來說明有關本發明之光電裝 置的實施形態。 (第1構成例） 圖7是表示本發明之光電裝置的第1構成例的立體構 成圖，圖8是表示沿著圖7的B - B ’線之部份剖面構成圖 -24- (22) 1281720 圖7所示的.光電裝置〗〇 〇是具備藉由先前實施形態的 製造方法所取得的電子零件安裝體1 0 P。在此，電子零件 安裝體10P是最好在其電子構造區域包含一產生供以驅動 光電裝置的驅動信號之電路者（亦即，液晶驅動用1C晶 片的安裝體）。 本實施形態的光電裝置1 00爲液晶顯示裝置，如圖7 φ 及圖8所示，具備光電面板（液晶面板）π 〇，及安裝於 該面板的電路基板（可撓性配線基板）1 2 0。光電面板 1 1 〇是藉由密封材1 1 3來使由玻璃或塑膠等所構成的一對 基板1 1 1 1 1 2貼合，且在兩基板1 1 1與1 1 2之間封入液 晶（光電物質）1 1 4。在基板1 1 1的内面上，配列形成有 由ITO (銦錫氧化物）等的透光性導電材料所構成的複數 個畫素電極1 1 1 a，且於其上形成有配向膜1 1 1 b。此外， 在基板1 1 2的内面上形成有與上述同樣材料構成的透明電 φ 極112a，且於其上覆蓋配向膜112b。另外，雖圖示省略 ，但實際上可於基板Π 1及1 1 2的外面側配設偏光板或相 位差板。 另一方面，電路基板120具備在絶緣基材121的表面 (圖示下面）上由Cu等所構成的配線圖案1 2 1 a。絶緣基 材1 2 1是由環氧或聚醯亞胺等的熱硬化性樹脂，或聚酯， 聚醯胺，芳香族聚酯，芳香族聚醯胺，四氟乙烯，聚醯亞 胺等的熱可塑性樹脂所構成。配線圖案1 2 1 a是除了對光 電面板1 1 0之連接端子部1 2 1 b等的端子部份以外’藉由 -25- (24) 1281720 (第2構成例） 其次，參照圖9來說明有關本發明之光電裝置的第2 構成例。圖9是表示本構成例之光電裝置的部份剖面構成 圖，對光電裝置的全體構成而言，是相當於沿著圖7的 B-B’線之剖面構造。 光電裝置（液晶顯示裝置）200具有：光電面板210 φ ，及安裝於該面板的電路基板220。光電面板210具有與 上述第1構成例的光電面板1 1 0大致同樣的構造’由於基 板211，212，畫素電極 211a，透明電極212a，配向膜 2 1 1 b，2 1 2 b，配線2 1 1 c，密封材2 1 3，液晶（光電物質） 2 1 4，及各向異性導電膜2 1 7是與第1構成例所述者同樣 的構件，因此省略説明。但，本構成例中，電路基板2 2 0 所導電連接的輸入配線2 1 1 d是與配線2 1 1 c另外形成。 又，由於電路基板220中，絶緣基材221，配線圖案 φ 221a，連接端子部221b，保護膜222，連接焊墊部223， 224，225，226，及，電子零件 227，228，229也是與第 1構成例所述者同樣的構件，因此省略説明。 此構成例的光電裝置2 0 0與先前的構成例不同的點是 在於構成光電面板2 1 0的一方基板2 1 1的表面上直接安裝 上述電子零件安裝體10P。亦即，電子零件安裝體10P是 與上述同樣地針對引出至基板2 1 1的基板突出部上的配線 2 1 1 c及上述輸入配線2 1 1 d在使導電體3 5，3 6導電連接 的狀態下直接安裝於基板2 1 1。基板2 1 1是以玻璃或塑膠 -27- (25) 1281720 等所構成，在本實施形態中是將電子零件安裝體1 OP配置 於基板2 1 1上，藉由加壓加熱狀態來使由熱可塑性樹脂所 構成的基材1 3的表層部軟化或溶融，藉此來對基板2 1 1 密著固定。 又，由於本發明的電子零件安裝體10P係1C晶片10 的凸塊11與導電體35，36爲高精度且高可靠度連接，因 此可寄與提升光電裝置200的可靠度。 φ 又，由於本發明的電子零件安裝體10P可直接安裝於 光電面板2 1 0的基板2 1 1上，因此可在不使用各向異性導 電膜的情況下進行安裝，可降低安裝成本，且能夠有效率 地進行安裝。 (第3構成例） 其次，參照圖1 0來說明有關本發明之光電裝置的第 3構成例。圖1 0是表示本構成例之光電裝置的部份剖面 φ 構成圖，對光電裝置的全體構成而言，是相當於沿著圖7 的B-B’線之剖面構造。 光電裝置（液晶顯示裝置）3 0 0具有：光電面板3 1 0 ，及安裝於該面板的電路基板320。光電面板310具有與 上述第1構成例的光電面板Π 〇大致同樣的構造’由於基 板311，312，透明電極311a，畫素電極312a，配向膜 3 1 1 b，3 1 2 b，配線3 1 1 c，密封材3 1 3，液晶（光電物質） 3 1 4，及各向異性導電膜3 1 7是與第1構成例所述者同樣 的構件，因此省略説明。 -28 - (26) 1281720 又，由於電路基板3 2 0中，絶緣基材3 2 1，配線圖案 32U，保護膜3 2 2，連接焊墊部3 23，3 2 5，3 26，及，電 子零件3 2 7，3 2 8也是與第1構成例所述者同樣的構件， 因此省略説明。 此構成例之光電裝置3 00的形態是在光電面板3 1 0的 配線3 1 1 c，及電路基板3 2 0的連接焊墊3 2 3安裝電子零 件安裝體1 〇 P，其結果，電路基板3 2 0會經由電子零件安 φ 裝體10P來連接至光電面板310。在圖示例中，電子零件 安裝體1 0P的一端是與先前的第1實施形態同樣直接安裝 於電路基板3 20上，另一端是經由各向異性導電膜317來 導電連接至配線3 1 1 c。但，當然亦可將電子零件安裝體 1 0P的導電體3 5直接連接至配線3 1 1 c。 又，由於本發明的電子零件安裝體10P係1C晶片1〇 的凸塊Π與導電體35，36爲高精度且高可靠度連接，因 此可寄與提升光電裝置3 00的可靠度。 (第4構成例） 其次，參照圖1 1來說明有關本發明之光電裝置的第 4構成例。圖1 1是表示本構成例之光電裝置的部份剖面 構成圖，對光電裝置的全體構成而言，是相當於圖7的 B-B’線之剖面構造。 本例的光電裝置（液晶顯示裝置）40 0具有：光電面 板4 1 0，及安裝於該面板的電路基板4 2 0。光電面板4 1 0 具有與上述第2構成例的光電面板2 1 0大致同樣的構造， -29- (27) 1281720 由於基板411，412，透明電極411a，畫素電極412a，配 向膜4 1 1 b，4 1 2 b，配線4 1 1 c，密封材4 1 3，液晶（光電 物質）4 1 4，及各向異性導電膜41 7是與第2構成例所述 者同樣的構件，因此省略説明。 又’由於電路基板4 2 0中，絶緣基材4 2 1，配線圖案 421a，連接端子部421b，保護膜422，連接焊墊部423， 424，425’ 426，及，電子零件427，428，429也是與第 馨 2構成例所述者同樣的構件，因此省略説明。 此構成例的光電裝置400與第1構成例不同的點是在 於構成光電面板410的一方基板411的表面上直接安裝上 述電子零件安裝體10P，在電子零件安裝體10P的1C晶 片側基材面與電路基板420連接的這點是與第2構成例不 同。 電子零件安裝體10P是與上述同樣地針對引出至基板 4 1 1的基板突出部上的配線4 1 1 c在使導電體3 5導電連接 φ 的狀態下直接安裝於基板4 1 1。基板4 1 1是以玻璃或塑膠 等來構成，在本實施形態中是將電子零件安裝體1 0P配置 於基板4 1 1上，藉由加壓加熱狀態來使由熱可塑性樹脂所 構成的基材1 3的表層部軟化或溶融，藉此來對基扳4 1 1 密著固定。 此外，在電子零件安裝體10P設有與設於基材13表 面的導電體3 6連接的連接焊墊部3 6E。在該連接焊墊部 3 6E導電連接電路基板420的連接端子部421b。本構成例 是在光電面板411的基板411上直接安裝電子零件安裝體 -30- (28) Ϊ281720 1 OP，且於此電子零件安裝體10P安裝電路基板42 0，因 此具有一次完成對光電面板4 1 0的安裝之優點。 又’由於本發明的電子零件安裝體1 0P係1C晶片1 0 的凸塊11與導電體35，36爲高精度且高可靠度連接，因 此可寄與提升光電裝置4 0 0的可靠度。又，由於本發明的 電子零件安裝體10P可直接安裝於光電面板410的基扳 4 1 1上’因此可在不使用各向異性導電膜的情況下進行安 % 裝，可降低安裝成本，且能夠有效率地進行安裝。 <電子機器> 其次，參照圖1 2及圖1 3來說明有關本發明之電子機 器的實施形態。此實施形態是說明有關具備作爲顯示手段 的上述光電裝置（液晶裝置200 )之電子機器。 (第1構成例） # 圖12是表示本實施形態的電子機器之液晶裝置200 的控制系（顯示控制系）的全體構成的槪略構成圖。在此 所示的電子機器具有含顯示資訊輸出源29 1，顯示資訊處 理電路292，電源電路293，時序產生器294，光源控制 電路2 9 5的顯示控制電路2 9 0。並且，在與上述同樣的液 晶裝置2 0 0中設有驅動具備上述構成的液晶面板2 1 0的驅 動電路2 1 0D。此驅動電路2 1 0D是以上述直接安裝於液晶 面板2 1 0的電子零件安裝體1 0P的半導體1C晶片所構成 。但，驅動電路2 1 0D除了上述那樣的形態以外，亦可藉 -31 - (29) 1281720 由形成於面板表面上的電路圖案，或導電連接於液晶面板 的電路基板中所安裝的半導體I C晶片或電路圖案等所構 成。 顯示資訊輸出源291具備：ROM ( Read only memory )或R A Μ ( R a n d o m A c c e s s M e m ο ι· y )等所構成的記憶體’ 磁碟或光碟等所構成的儲存單元，及調諧輸出數位畫像信 號的調諧電路，且根據藉由時序產生器294所產生的各種 φ 時脈信號，以所定格式的畫像信號等的形式來供給顯示資 訊至顯示資訊處理電路292。 顯示資訊處理電路2 9 2具備：串列-並列變換電路’ 増幅 反轉電路，旋轉電路，加瑪補正電路，及箝位電路 等的習知各種電路，執行輸入後的顯示資訊的處理，然後 將該畫像資訊與時脈信號CLK 一起供應給驅動電路2 1 0D 。驅動電路2 1 0D包含掃描線驅動電路，信號線驅動電路 及檢查電路。並且，電源電路2 93會分別供應所定的電壓 礓^ 給上述各構成要素。 光源控制電路29 5會根據自外部導入的控制信號來將 由電源電路29 3所供給的電力供應給照明裝置2 8 0的光源 部28 1 (具體而言爲發光二極體等）。此光源控制電路 2 9 5會按照上述控制信號來控制光源部28 1的各光源的點 燈/非點燈。並且，可控制各光源的亮度。自光源部281 所放出的光會經由導光板2 8 2來照射至液晶面板2 1 0。 (第2構成例） -32- (30) 1281720 其次，圖1 3是表示本發明的電子機器之一實施形態 ，亦即行動電話的外觀。此電子機器1 3 0 0具有：顯示部 1 3 0 1，操作部1 3 0 2，受話部1 3 0 3，及送話部1 3 0 4，顯示 部1 3 0 1是藉由上述液晶裝置2 0 0來構成，因此具備與液 晶面板2 1 0連接的電路基板2 2 0。在顯示部1 3 0 1的表面 ’可視出藉由電路基板2 2 0上的IC晶片來驅動控制的液 晶面板2 1 0。 ^ 本發明並非僅限於上述圖示例，只要不脫離本發明的 主旨範圍，亦可實施各種的變更。例如，上述光電裝置除 了被動矩陣型以外，同樣可適用於主動矩陣型的液晶顯示 裝置（例如具備以TFT (薄膜電晶體）或TFD (薄膜二極 體）作爲開關元件的液晶顯示裝置）。又，並非限於液晶 顯示裝置’在電激發光裝置，有機電激發光裝置，電漿顯 示器裝置，電泳顯示器裝置，及使用電子放出元件的裝置 (Field Emittion Display 及 Surface-Conduction Electron-Φ Emitter Display )等各種的光電裝置中亦可同樣適用本發 明的電子零件安裝體，及光電裝置的製造方法。 【圖式簡單說明】 圖1是用以說明實施形態之凸塊埋設工程的剖面構成 圖。 圖2是用以說明同凸塊埋設工程之其他形態的剖面構 成圖。 圖3是用以說明實施形態之導電體形成工程的剖面構 -33- (31) 1281720 成圖。 圖4是用以說明實施形態之導電體形成工程的剖面構 成圖。 圖5是用以說明同導電體形成工程之其他形態的剖面 構成圖。 圖6是用以說明同導電體形成工程之其他形態的剖面 構成圖。 圖7是表示光電裝置之一構成例的^體構成圖。 圖8是表示沿著圖7的B-B’線的剖面構成圖。 圖9是表示光電裝置之第2構成例的剖面構成圖。 圖1 0是表示同第3構成例的剖面構成圖。 圖1 1是表示同第4構成例的剖面構成圖。 圖1 2是表示光電裝置的控制系的説明圖。 圖1 3是表示電子機器之一例的立體構成圖。 【主要元件符號說明】 1 0 :電子零件 1 1 :凸塊 1 1 a，1 1 c :露出部 j i b :基準凸塊 1 3 :基材 ! 4 :金屬基底膜 1 5，1 9 :光罩材 1 5 X，1 9 X ··曝光部 -34- (32) 1281720 15a 16， 17, 18: 25 ： ，1 9 a :開口部 20 :電路圖案（導電體） 21 :表面保護層 保護構件 保護絶緣膜（密封構件）
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Claims (1)

1281720 (1) 十、申請專利範圍 第94 1 1 1 059號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國95年7月20日修正 !· 一種電子零件安裝體的製造方法，係將具備作爲外 部安裝端子的凸塊之電子零件安裝於由熱可塑性樹脂所構 成的基材，
其特徵係含： 凸塊埋設工程，其係對基材加熱推壓上述電子零件， 藉此來將上述凸塊埋入上述基材，使上述凸塊的一部份露 出於與上述電子零件相反側的基材面；及 導電體形成工程，其係於上述凸塊的一部份露出的基 材面配置導電材料，藉此來形成與上述凸塊導電連接的_ 電體； 上述基材爲使用其厚度與上述電子零件的凸塊之來自上述 9^ 電子零件的表面的突出高度同等或10 μπι以下厚度者。 2·如申請專利範圍第1項的任一項所記載之電子零件 安裝體的製造方法，其中在上述凸塊埋設工程中，將上述 ^ 凸塊埋入上述基材後，部份去除與上述電子零件相反側的 ’ 基材表面，藉此來使上述凸塊的一部份露出於與上述電子 零件相反側的基材面。 3.如申請專利範圍第2項之電子零件安裝體的製造方 法，其中部份去除上述基材表面的工程爲化學硏磨工程或 乾蝕刻工程。 (2) 1281720 4.如申請專利範圍第1〜3項的任一項所記載之電子 零件安裝體的製造方法，其中在上述導電體形成工程中， 藉由金屬電鍍法來形成上述導電體。 5 ·如申請專利範圍第1〜3項的任一項所記載之電子 零件安裝體的製造方法，其中在上述導電體形成工程之前 ，具有在含貫通上述基材而露出的凸塊的一部份之基材面 區域形成金屬基底膜的工程。
6.—種電子零件安裝體的製造方法，係將具備作爲外 部安裝端子的凸塊之電子零件安裝於由熱可塑性樹脂所構 成的基材， 其特徵係含： 凸塊埋設工程，其係對基材加熱推壓上述電子零件， 藉此來將上述凸塊埋入上述基材，使上述凸塊的一部份露 出於與上述電子零件相反側的基材面；及 導電體形成工程，其係於上述凸塊的一部份露出的基 材面配置導電材料，藉此來形成與上述凸塊導電連接的導 電體； 在上述導電體形成工程之前，有在包含貫通前述基材而露 出的凸塊的一部份之基材面區域形成金屬基底膜的工程， 在上述金屬基底膜上藉由電解電鍍法來形成上述導電體。 7.—種電子零件安裝體的製造方法，係將具備作爲外 部安裝端子的凸塊之電子零件安裝於由熱可塑性樹脂所構 成的基材， 其特徵係含： -2- (3) 1281720 凸塊埋設工程，其係對基材加熱推壓上述電子零件， 藉此來將上述凸塊埋入上述基材，使上述凸塊的一部份露 出於與上述電子零件相反側的基材面；及 導電體形成工程，其係於上述凸塊的一部份露出的基 材面配置導電材料，藉此來形成與上述凸塊導電連接的導 電體； 藉由無電解電鍍法來形成上述導電體。
8 ·如申請專利範圍第1〜3項的任一項所記載之電子 零件安裝體的製造方法，其中在上述導電體形成工程中包 含·： 在上述凸塊的一部份露出的基材面使光罩材形成圖案 的工程；及 使用上述光罩材作爲光罩，在上述基材上選擇性配置 上述導電體的工程。 9 · 一種電子零件安裝體的製造方法，係將具備作爲外 ^ 部安裝端子的凸塊之電子零件安裝於由熱可塑性樹脂所構 成的基材， 其特徵係含： 凸塊埋設工程，其係對基材加熱推壓上述電子零件， * 藉此來將上述凸塊埋入上述基材，使上述凸塊的一部份露 出於與上述電子零件相反側的基材面；及 導電體形成工程，其係於上述凸塊的一部份露出的基 材面配置導電材料’藉此來形成與上述凸塊導電連接的導 電體； -3- (4) 1281720 於上述導電體形成工程，具有：在上述凸塊的一部份露出 的基材面使光罩材形成圖案的工程，與將前述光罩材做爲 遮罩使用，而選擇性將上述導電體配置於上述基材上之工 程； 使上述光罩材形成圖案的工程包含：在上述基材上配置光 阻劑的工程，及使該光阻劑曝光，顯像的工程，
以貫通上述基材而露出的凸塊的一部份爲基準來進行 上述光阻劑的曝光。 10·如申請專利範圍第9項之電子零件安裝體的製造 方法，其中在進行上述光阻劑的曝光時，以設置於上述電 子零件的基準凸塊爲基準來進行對位。 1 1 · 一種電子零件安裝體的製造方法，係將具備作爲 外部安裝端子的凸塊之電子零件安裝於由熱可塑性樹脂所 構成的基材， 其特徵係含： ^ 凸塊埋設工程，其係對基材加熱推壓上述電子零件， 藉此來將上述凸塊埋入上述基材，使上述凸塊的一部份露 出於與上述電子零件相反側的基材面；及 導電體形成工程，其係於上述凸塊的一部份露出的基 ^ 材面配置導電材料，藉此來形成與上述凸塊導電連接的導 電體； 於上述導電體形成工程，具有：在上述凸塊的一部份露出 的基材面使光罩材形成圖案的工程，與將前述光罩材做爲 遮罩使用’而選擇性將上述導電體配置於上述基材上之工 -4 - (5) (5)
1281720 程； 使上述光罩材形成圖案的工程包含：在上述基材上配置光 阻劑的工程，及使該光阻劑曝光，顯像的工程， 以貫通上述基材而露出的凸塊爲基準來設置供以進行 上述光阻劑的曝光之基準標記。 12.如申請專利範圍第1〜3項的任一項所記載之電子 零件安裝體的製造方法，其中在上述凸塊埋設工程中，貫 通上述基材而露出的凸塊的高度爲Ιμιη以上。 1 3 .如申請專利範圍第1 0或1 1項之電子零件安裝體 的製造方法，其中在配置上述光阻劑之前，具有形成保護 構件的工程，該保護構件係覆蓋貫通上述基材而露出的凸 塊的一部份，且在含上述保護構件的上述基材上形成上述 光阻劑之後，具有去除上述保護構件的工程， 以藉由去除上述保護構件而露出的上述凸塊爲基準， 進行上述光阻劑的曝光。 14· 一種光電裝置，係電子零件安裝體直接或者透過 其他電路基板被安裝而成的光電裝置，其特徵爲上述電子 零件安裝體於一面側具有導電體的基材安裝有具備作爲外 部安裝端子的凸塊之電子零件， 上述電子零件的凸塊 爲貫通上述基材而露出至相反側， 露出於上述基材表面的凸塊與上述導電體會經由金屬 基底膜來導電連接。 -5-
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