TWI281597B - Chemically amplified positive resist composition - Google Patents

Chemically amplified positive resist composition Download PDF

Info

Publication number
TWI281597B
TWI281597B TW091134911A TW91134911A TWI281597B TW I281597 B TWI281597 B TW I281597B TW 091134911 A TW091134911 A TW 091134911A TW 91134911 A TW91134911 A TW 91134911A TW I281597 B TWI281597 B TW I281597B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
group
compound
chemically amplified
amplified positive
photoresist composition
Prior art date
Application number
TW091134911A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200300865A (en
Inventor
Junji Nakanishi
Katsuhiko Namba
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Co filed Critical Sumitomo Chemical Co
Publication of TW200300865A publication Critical patent/TW200300865A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI281597B publication Critical patent/TWI281597B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D498/00Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and oxygen atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D498/02Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and oxygen atoms as the only ring hetero atoms in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D498/04Ortho-condensed systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0395Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having a backbone with alicyclic moieties

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)
  • Graft Or Block Polymers (AREA)

Description

1281597 ---------------------______—--- 五、發明說明(1) [發明所屬之技術領域] , 本發明係有關適用於藉紫外光(包括g射線、i射線、 激發雷射等)、電子射線、X光或輻射光等具有高能量之輻 射線之作用而達成光刻照相等用途之光阻組成物,特別是 適合於g射線、i射線之曝光用光阻%成物。 [,先前技術] 製造半導體高集成電路或液晶_示元件之際,一般係 採用將塗布於基板上之感光性光阻纟且成物之薄膜藉曝光於 紫外光、電子線、X光或輻射光等具有高能量之輻射光, (声經顯像而形成所定之光阻圖案,亦即採用一般所謂之 光刻照相術。因此,在製造液晶顯示元件之際,特別希望 具備有高感度和高解像度。 然而,在製造液晶顯示元件時所使用之由酚醛清漆樹 脂和萘醌二疊氮化物系感光劑所構成之已往之光阻組成 •物’一般很難同時兼顧感度和解像度之提升,例如在提升 感度時解像度有容易降低之缺點存在。 又,在光刻照相之曝光過程中,由於受到來自基板之 反射光之影響,往往造成尺寸上之平面均一性劣化等之問 題。 匕明之概要] 本發明之目的在提供具備奩異感度和解像度而且不易 受到來自基板之反射光之影響,可賊與尺寸變動較少之光 阻圖案之化學放大型正光阻組成物。 ' 亦即,本發明包括下列之發明:
1281597 五、發明說明(4) < 8 >如< 7 >項所記載之組成物,其中,該氫氣化有機銨 化合物係下式(11 I )所示化合物者: R6 R5—N—R7
0H (III) (上式中,R 5至R各自獨立,示碳化氫基,或R和R沄 碳化氫基,R和R味分別與其所結合之氮原子一起形成環 狀之雜環基。其中,R 5至R呼之氫原子之至少一個可被羥 基、硝基、氰基、烷胺基、Ν,Ν’ -二烷基胺基、烷氧基、 環烷基氧基、芳氧基、烷基羰基、環烷基羰基、芳基羰 基、烧基羰基氧基、環烷基羰基氧基、芳基羰基氧基、烷 氧基幾基、環烷基氧基羰基、芳氧基羰基或鹵素原子所取 代。又’上述碳化氫基中之—CH2—基可被—c〇_基所取代)。 < 9 >如< 8 >項所記載之組成物,其中,式(I I I )戶斤示氫 氧化有機銨化合物係一種以上選自氫氧化四甲基銨、氫氧 化四正丁基叙、氫氧化四正己基敍、氫氧化四正辛基敍、 氯氧化苯基三甲基銨、氫氧化3 -(三氟甲基)苯基三曱基銨 以及膽驗所構成組群中之化合物者。 < 1 0 >如< 1 >至< g〉中任意一項所記載之組成物,其中’ (D)成分係下式(I V )所示化合物者:
314227.ptd 第11頁 1281597__ 五、發明說明(5) (上式中,R和R 10各自獨立,示芳基,該芳基上之氫原 子之一部分或全部可被羥基、烷基、烷氧基或烷氧基羰基 所取代。R11 至R 16各自獨立,示氫原子或烷基。)。 〈11 >如< 1 >至〈9〉中任意一項所記載之組成物,其中, -(D)成分係下式(V)所示之化合物者: r1 8 R17—(^C—R20 (V) ;19 (上式中,R 1味芳基,該芳基上之氫原子之一部分或 1 ' 1卩可被經基、烧基、烧氧基、烧氧基戴基或N,N -二烧基 胺基所取代。R1昧氫原子或烷基,R1和R 2^自獨立,示氫 原子、烷基、烷氧基、烷氧基羰基、氰基或苯曱醯基)。 < 1 2 >如< 1 0 >項所記載之組成物,其中,(D )成分係 1,7-雙-(3-甲氧基-4-羥基苯基)- 1,6-庚二烯-3, 5-二酮 -者。 < 1 3 >如< 1 1 >項所記載之組成物,其中,(D )成分係式 (V)中R]沄3 _曱氧基-4-羥基苯基,R1昧氫原子,R1如R 2昧 乙氧基幾基之化合物者。 < 1 4 >如< 1 1 >項所記載之組成物,其中,(D )成分係式 、))中,R1味3-甲氧基-4-羥基苯基,R1昧氫原子,R%氰 基,R2味異丙氧基羰基之化合物者。 [發明内容] 本發明詳述如下: 本發明中之(B)成分係本身為不溶或難溶於鹼性水溶
314227.ptd 第 12 頁 1281597 五、發明說明(6) 液中,但經酸之作用而起化學變化成為可溶於鹼性水溶液 之樹脂。該樹脂通常係具有酚骨架之樹脂,或具有(甲基) 丙烯酸骨架之樹脂等之鹼可溶性樹脂經導入藉酸之作用而 能裂解之保護基者。 該保護基之例舉如第三丁基、第三丁氧基羰基、第三 丁氧基羰基曱基等四級碳原子結合於氧原子所成之基;四 氫- 2 -口比σ南基、四氫- 2 -咲喃基、1-乙氧基乙基、1 -(2 -甲 基丙’氧基)乙基、1-(2-曱氧基乙氧基)乙基、1-(2-乙醯氧 基乙氧基)乙基、1-[ 2-(1-金剛烷基氧基)乙氧基]乙基、 卜[2-U-金剛烷羰基氧基)乙氧基]乙基等之縮醛型之基; 3-氧基環己基、4-曱基四氫-2-〇比喃酮-4-基(由甲羥戊酸 内酯所衍生)、2_曱基-2-金剛烷基、2-乙基-2-金剛烷基 等之非芳香族環狀化合物等之殘基(非芳香族環狀基)等。 上述基中,就脫保護反應之活化能量低、曝光後烘焙 時光阻圖案之尺寸受溫度之影響小等之觀點而言,以縮醛 型之基為較佳。縮;醛型之基中,就易取得原料之觀點而 言,以卜乙氧基乙基、1 -乙氧基丙基和2 -四氫吡喃基為較 佳。 (B )成分以具有酚性羥基以及該酚性羥基被卜乙氧基 乙基、1-乙氧基丙基或2 -四氮卩比喃基所保護之樹脂為佳。 例如聚乙烯酚之羥基之一部分為1 -乙氧基乙基、1 -乙氧基 丙基或2 -四氫吡喃基所保護之樹脂、或酚酸清漆樹脂之羥 基之一部分為卜乙氧基乙基、卜乙氧基丙基或2-四氳吡口南 基所保護之掛脂為佳。
314227.ptd 第13頁 1281597 五、發明說明(7) 上述保護基係由例如酚性羥基之氫原子或羧基之氫原 _子被取代而成。該保護基可藉周知之保護基導入反應而導 入至具有酸性經基或魏基之驗可溶性樹脂而成。另外,也 可以將具有保護基之不飽和化合物做為單體之一而藉共聚 •合反應製成(B)成分。 本發明之化學放大型正光阻組成物中,在不喪失本發 明之功能範圍内,除了( B)成分之外,尚可含有其他鹼可 溶性樹脂做為黏接劑成分。該驗可溶性樹脂可例舉如驗· 清漆樹脂等。 丨該酚醛清漆樹脂,一般在酸觸媒之共存下由酚系化合 物和酸類縮合而製成。 上述製造酚醛清漆樹脂時所使用之酚系化合物可例舉 I — 如紛、鄰-、間-或對-甲紛、2,3-、2,5-、3,4 -或3,5 -二 曱紛、2,3,5-三甲基酉分、2_、3-或4-第三丁基紛、2-第三 .丁基-4-或5-曱基酚、2-、4-或5-甲基間苯二酚、2-、3-或4-甲氧基酚、2, 3-、2, 5-或3, 5-二曱氧基酚、2-甲氧基 間苯二酚、4-第三丁基鄰苯二酚、2-、3-或4-乙基酚、2, 5 -或3,5 -二乙基齡、2,3,5 -三乙基盼、2 -蔡紛、1,3 -、1, 5-或1,7-二羥基萘、二甲苯酚和羥基苯曱醛縮合而得之聚 &基三苯基甲烷系化合物等。上述酚系化合物分別單獨使 用,或二種以上調配使用。 製造酚醛请漆樹脂時所使用之醛類可例舉如曱醛、乙 醛、丙醛、正丁醛、異丁醛、丙烯醛、丁烯醛等脂肪族酸 類;環己醛、環戊醛、呋喃醛、呋喃基丙烯醛等脂環狀醛
314227.ptd 第14頁 1281597 五、發明說明(8) 類;苯曱醛、鄰-、間-或對-甲基苯曱醛、對-乙基苯曱 酸、2,4-、2,5-、3,4 -或3,5 -二甲基苯甲駿、鄰-、間-或 對-羥基苯曱醛等之芳香族醛類;苯基乙醛、肉桂醛等之 芳香脂肪族醛類等。該醛類可分別單獨使用,或二種以上 調配使用。該醛類中,就工業上容易取得之觀點而言,以 使用曱酸為較佳。 酚系化合物和醛類間之縮合反應中所使用之酸觸媒可 例舉如鹽酸、硫酸、過氯酸、磷酸等之無機酸;甲酸、乙 酸、草酸、三氣乙酸、對-甲苯石黃酸等有機酸;乙酸辞、 氣化鋅、乙酸鎂等之二價金屬鹽等。該酸觸媒可分別單獨 使用或二種以上調配使用。該縮合反應可按照一般方法進 行,例如在6 0至1 2 0°C下反應2至3 0小時左右。 縮合反應所得酚醛清漆樹脂可藉例如分餾等操作去除 低分子量成分,或使分子量分布範圍縮小而成為高分子量 成分為主體者。由於酚醛清漆樹脂成本低廉,可降低本發 明之化學放大型正光阻組成物之生產成本。 關於本發明之化學放大型正光阻組成物中之(A )成 分,該物質本身或含該物質之光阻組成物以光或電子線等 輻射線作用即能分解而產酸。由(A )成分所產生的酸作用 在(B)成分,使存在於(B)成分之酸中不安定之基裂解。 (A)成分可例舉如鎰鹽化合物、S-三畊系有機鹵化合 物、楓化合物、續酸鹽化合物等。 其中,針對在43 6 n m (g射線)和3 6 5 n m (i射線)附近具有 強大吸收,光阻組成物之感度、顯像性、塗布後或曝光後
314227.ptd 第 15 頁 1281597 五、發明說明(9) 之處理耐性等之觀點而言,以下式(I )所示化合物為宜: R1
(上式中,R 1至R各自獨立,示氫原子或碳化氫基,R 4 示碳化氫基。但是R 1至R所示碳化氫基中之氫原子之至少 二個可為經基、硝'基、氰基、烧胺基、N,N ’-二烧基胺 基、烧氧基、環烧基氧基、芳氧基、烧基魏基、環烧基罗炭 #丨、芳基羰基、烷基羰基氧基、環烷基羰基氧基、芳基羰 基氧基、烷氧基羰基、環烷基氧基羰基、芳基氧基羰基或 鹵素原子所取代。又,上述碳化氫基中之-CH 2-基之至少一 個可為-C0-基所取代。) 上式(I )中之R1所示碳化氫基以C6^遂基為佳。R和R衔 示之基以氫原子、Ch疵基等為佳。又,R所示碳化氫基以 Ch痰基、Ch芳基等為佳。 當R 1至R4為鹵素原子所取代之碳化氫基時,該鹵素原 子可例舉如氟、氯、溴等原子。 式(1 )所示化合物可例舉如式(1 )中之R昧2 -曱苯基、 μ,R%氫原子、R4^正丙基、正丁基、正辛基、甲苯醯 基、2,4,6-三甲苯基、2,4,6 -三異丙苯基、4-十二烧基苯 基、4-曱氧基苯基、2-萘基、苯曱基或下式(I I )所示基 (但是,R 1至R衔示上述基中之
314227.ptd 第 16 頁 1281597 五、發明說明(ίο) h3c ch3
至少一個氫原子可為羥基、硝基、氰基、烷胺基、N,N-二 烷基胺基、烷氧基、環烷基氧基、芳氧基、烷基羰基、環 烷基羰基、芳基羰基、烷基羰基氧基、環烷基羰基氧基、 芳基羰基氧基、烷氧基羰基、環烷基氧基羰基、芳基氧基 羰基或鹵素原子所取代。)之化合物等。 式(I )所示化合物可和前述鏺鹽化合物、S-三畊系之 有基鹵化合物、楓化合物、其他之續酸鹽化合物等之其他 感輻射線性產酸劑等併用。該情況下,式(I )所示化合物 之含量宜佔感輻射線性產酸劑總量之1 0重量%以上為宜, 其中以25重量%以上為更佳。 上述鐵鹽化合物、S-三哄系有機鹵化合物、楓化合物 手口式(I)所示化合物以外之磺酸鹽化合物可例舉如下述化 合物: 二苯基碘鏺三氟曱烷磺酸鹽、4-曱氧基苯基苯基碘鎩 六氟銻酸鹽、4-甲氧基苯基苯基碘鐺三氟曱烷銻酸鹽、雙 (4 -第三丁基苯基)碘鍚四氟硼酸鹽、雙(4 -第三丁基苯基) 典鐵六敗填酸鹽、雙(4 _第三丁基苯基)埃鐵六it録酸鹽、 變(4 -第三丁基苯基)峨鐵三氟甲烧續酸鹽^ 三苯基鎏六氟磷酸鹽、三笨基鎏六氟銻酸鹽、三苯基 晷三氟曱烷磺酸鹽、4-曱苯基二苯基鎏全氟丁烷磺酸鹽、
S14227.ptd 第17頁 1281597 五、發明說明(11) 4-曱苯基二苯基鎏全氟辛烷磺酸鹽、4-甲氧基苯基二苯基 鎏六氟銻酸鹽、4-曱氧基苯基二苯基鎏三氟甲烷磺酸鹽、 對-甲苯基二苯基鎏三氟甲烷磺酸鹽、2, 4, 6-三曱基苯基 二苯基鎏三氟甲烷磺酸鹽、4-第三丁基苯基二苯基鎏三氟 曱烷磺酸鹽、4-苯基硫苯基二苯基鎏六氟磷酸鹽、4-苯基 硫苯基二苯基鎏六氟銻酸鹽、1 -( 2-萘甲醯基甲基)四氫噻 吩鎗六氟銻酸鹽、卜(2-萘甲醯基甲基)四氫噻吩鎗三氟甲 烷磺酸鹽、4 -羥基-卜萘基二甲基鎏六氟銻酸鹽、4 -羥基 -1 -萘基二曱基鎏三氟曱烷磺酸鹽, )2-曱基-4, 6-雙(三氣甲基)-1,3, 5-三畊、2, 4, 6-三個 (三氣甲基)-1,3, 5-三哄、2-苯基-4, 6-雙(三氣甲基)-1,3,5 -三D井、2 -( 4 -氣苯基)- 4,6 -雙(三氣曱基)-1,3,5 -三 畊、2-(4-甲氧基苯基)-4, 6-雙(三氯甲基)- 1,3, 5-三哄、 2-(4-甲氧基-卜萘基)-4, 6-雙(三氣甲基)-1,3, 5-三畊、 2-( 4-甲氧基-卜萘基)-4, 6-雙(三氯甲基)-1,3, 5-三畊、 2 -(笨.1并[d ] [ 1,3 ]二σ惡茂统-5 -基)- 4,6 -雙(三氣曱基)-1,3, 5-三畊、2-(4-甲氧基苯乙烯基)-4, 6-雙(三氣曱基)-1,3, 5-三畊、2-( 3, 4, 5-三甲氧基苯乙烯基)-4, 6-雙(三氣 曱基)-1,3, 5-三哄、2-(3, 4-二曱氧基苯乙烯基)-4, 6-雙 J氯甲基)-1,3, 5-三畊、2-(2, 4-二甲氧基苯乙烯基)-4, 6-雙(三氣曱基)-1,3, 5-三哄、2-(2-甲氧基苯乙烯基)-4, 6-雙(三氣曱基)-1,3, 5-三畊、2-(4-丁氧基苯乙烯基)-4, 6-雙(三氣甲基)-1,3, 5-三畊、2-(4-戊氧基苯乙烯基)-4, 6,雙(三氯曱基)-1,3, 5-三畊、1-苯甲醯基-1-苯曱基對-
14227.ptd 第18頁 1281597 五、發明說明(12) 甲苯磺酸鹽(一般稱為苯偶因甲苯磺酸鹽)、2 -苯甲醯基 -2-羥基-2-苯乙基對-曱苯磺酸鹽(一般稱為α -羥甲基苯 偶因甲苯磺酸鹽)、1,2,3 -苯基苯曱酸基三個甲磺酸鹽、 2,6 -二硝基苯甲基對-曱苯磺酸鹽、2 -硝基苯甲基對-甲 苯磺酸鹽、4 -硝基苯曱基對-曱苯磺酸鹽、二苯基二楓、 二-對-曱苯基二碾、雙(苯基磺醯基)二偶氮基甲烷、雙 (4-氣苯基磺醯基)二偶氮基甲烷、雙(對-甲苯基磺醯基) 二偶氮基曱烷、雙(2, 4-二甲苯基磺醯基)二偶氮基曱烷、 雙(環己基磺醯基)二偶氮基甲烷、(苯甲醯基)(苯基磧醯 基)二偶氮基甲烷、Ν-(苯基磺醯氧基)琥珀醯亞胺、Ν-(三 氟甲基磺醯氧基)琥拍醯亞胺、Ν-(三氟甲基磺醯氧基)酞 酉藍亞胺、Ν -(三氟曱基續氧基)-5 -正范烤基-2,3 -二魏基 亞胺、Ν -(三氟曱基確醯氧基)萘二甲醯亞胺、Ν-(ία-樟腦基磺醯氧基)苯二甲醯亞胺、4-曱氧基-α -[[[ (4-甲苯基)磺醯基]氧基]亞胺基]苯乙腈等。 本發明之化學放大型正光阻組成物中之驗性化合物 (C )可例舉如含氮鹼性化合物,例如氫氧化有機銨化合物 或胺類。 其中,可舉下式(I I I)所示氫氧化銨化合物: R6 R5—N—R7 OH" (III) R8 (上式中,R 5至R8各自獨立,示碳化氫基,或R和R味
314227.ptd 第19頁 1281597_ 五、發明說明(13) 碳化氫基,R和R與其所結合之氮原子一起形成環狀之雜 岸基。該時,R5至R呼之氫原子之至少一個可被羥基、硝 基、氰基、烷胺基、Ν,Ν’ -二烷基胺基、烷氧基、環烷基 氧基、芳氧基、烷基羰基、環烷基羰基、芳基羰基、烷基 •幾基氧基、環烷基羰基氧基、芳基羰基氧基、烷氧基羰 棊、環烷基氧基羰基、芳基氧基羰基或鹵素原子所取代。 又,上述碳化氫基中之-CH 2-基亦可被-C 0 -基所取代)。 一 上式(III)之R 5至R 8中之(取代)碳化氫基可例舉如曱 基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁 ,丨、正戊基、正己基、環己基、正辛基、2 -羥乙基、苯 基、3-(三氟曱基)苯基等。較佳之具體例舉為氫氧化四甲 銨、氫氧化四正丁銨、氫氧化四正己銨、氫氧化四正辛 銨、氫氧化苯基三甲銨、氫氧化3 -(三氟甲基)苯基三曱 銨、氫氧化三甲銨等。 R和R輿其所:結合之氮原子一起形成環狀之雜環基之 例舉如卩比洛。定環基、氧基卩比洛咬環基、四氫D比咬環基、π丫 庚因環基等,具體例舉如下列化合物:
n4227.ptd 第 20 頁 1281597
314227.ptd 第21頁 1281597 五、發明說明(15) [上式中,R 2和R22各自獨立,分別示氫原子,較佳示c ,探基、C 5_!糫烷基、或C 6-1莕基。該烷基、環烷基或芳基 上之氫原子之至少一個可被胺基或C卜脘氧基所取代。另 外’上述胺基上之氫原子亦可被C卜提基所取代。 R 23、R 2和R 25各自獨立,分別示氫原子,較佳示c 1烷 奉、^5」樣燒基、Cw菸基、或(V抗氧基。該烷基、環烷 基、芳^或烧氧基上之氫原子之至少一個可被羥基、胺基 或c祝氧基所取代,另外,該胺基上之氫原子亦可被c η 烧基所取代。 )R2玖示C1-提基,或Ch躁烷基為較佳。該烷基或環烷 f上之氫原子之至少一個可被羥基、胺基或C1探氧基所取 代,該胺基上之氫原子可被c卜烷基所取代。 A較佳示C2_神烧基、M基、亞胺基、_s_基或_s_s-之烧基和院氧基可為直鍵狀或歧鍵狀 者。] 恭夕ί古可例ί如日本專利中特開平u~5 25 75號公報所記 載之具有四虱吡啶骨架之立體阻礙胺化人物 Μ Γΐ/ί 波長3〇0至Μ0"範圍之^線的莫耳吸光 I: 之化合物’其中以4000至50 0 00之 耗圍為較佳,尤以4〇〇〇至4〇〇〇〇範圍之化合物為更佳。 值ΐίίΓ及ί係數及指1莫耳之物質能吸收光線之數 值。虽某波長之光線經過π中含有乂莫耳之物 長)為b之物質屬之間’因吸收而光強度由ι屬、辦,依據斑 1281597 五、發明說明(16) 伯-比爾定律可成立下式所示之相關式: I = I 〇 X 1 0 -bck 莫耳吸光係數乃上式中以k所定義之值(參照「化學大 辭典8」,1 8 5頁,日本共立出版公司,1 9 8 4年3月1 5日縮 刷版) (D)成分以下式(IV)或(V)所示化合物為較佳。 R11 〇 R13 0 R16 R9—C=C—C—C——C——0==0—R10 (IV) l12 l14 L, r12 r14 r15 (上式中,R和R1G分別獨自示芳基,該芳基上之氫原子 之一部分或全部可為烧基、烧氧基或烧氧基幾基所取代。 R 11至R1吩別獨自示氫原子或烷基。) R18 R17—C=^C—R20 (V) R19 (上式中,R 1昧芳基,該芳基上之氫原子之一部分或 全部可被羥基、烷基、烷氧基、烷氧基羰基或N,Ν’ -二烷 基胺基所取代。R1昧氫原子或烧基,R1知R2^自獨立,分 別示氫原子、烷基、烷氧基、烧氧基羰基、氰基或苯甲醯 基。) 式(I V )或式(V )所示化合物中,以下列化合物為較 ί圭。 1,7-雙-(3-曱氧基-4-羥苯基)- 1,6-庚二烯-3, 5-二酮
114227.ptd 第23頁 1281597 五、發明說明(17) -(一般稱為薑黃素)、1,7-雙-(3-曱氧基-4-乙醯氧基苯基) -1,6-庚二烯-3, 5-二酮、1-(3-曱氧基-4-羥苯基)-7-(3-曱氧基-4-乙酸氧基苯基)-1,6 -庚二稀-3,5 -二_、1,7 -雙 -(3-曱基-4-羥苯基)- 1,6-庚二烯-3, 5-二酮、1,7-雙-(3--曱基-4-乙醯氧基苯基)-1,6-庚二烯-3, 5-二酮、卜(3-甲 基-4-經苯基)-7-(3 -甲基_4-乙酿氧基苯基)-1,6-庚二稀 -3, 5-二酮、1,7-雙-(3-曱氧基-4-羥苯基)-1,2, 6, 7-四甲 基-1,6-庚二烯-3, 5-二酮、1,7-雙-(3-甲氧基-4-乙醯氧 基苯基)-1,2, 6, 7-四曱基-1,6-庚二烯-3, 5-二酮、卜(3-,基-4-羥苯基)-7-(3-甲氧基-4-乙醯氧基苯基)-1,2, 6, 7-四甲基-1,6-庚二烯-3, 5-二酮、1,7-雙-(3-曱氧基 - 4-羥苯基)-4, 4-二曱基-1,6-庚二烯-3, 5 -二酮、1,7-雙 -(3-曱氧基-4-乙醯氧基苯基)-4, 4-二甲基-1,6-庚二烯 -3, 5-二酮、:ί-(3-曱氧基-4-羥苯基7-(3-甲氧基-4-乙 酿氧基苯基)- 4,4 -二甲基-1,6 -庚二稀-3,5 -二嗣’ α -氰基肉桂酸曱酯、α -氰基肉桂酸乙酯、α .-氰基 肉桂酸異丙酯、α -氰基肉桂被正丁酯、4-羥基-α -氰基 肉桂酸曱酯、4-經基-α -氰基肉桂酸乙酯、4-經基-α -氰 基肉桂酸異丙酯、4-羥基-α -氰基肉桂酸正丁醋、4-乙氧 k U -氰基肉桂酸曱S旨、4-乙氧基-α -氰基肉桂酸乙醋、 4-乙氧基-α -氰基肉桂酸異丙S旨、4-乙氧基-α -氰基肉桂 葭正丁酯、2, 4-二羥基-α -氰基肉桂酸甲酯、2, 4-二羥基 -α -氰基肉桂酸乙酯、2, 4-二羥基-α -氰基肉桂酸異丙 I旨、2, 4-二羥基-α -氰基肉桂酸正丁酯、3-甲氧基-4-羥
14227.ptd 第24頁 1281597 五、發明說明(18) 基-α -氰基肉桂酸甲酯、3-曱氧基-4-羥基-α -氰基肉桂 酸乙酯、3-甲氧基-4-羥基-α -氰基肉桂酸異丙酯、3-曱 氧基-4-羥基-氰基肉桂酸正丁酯、4-(Ν,Ν’ -二乙基胺 基)-α -氰基肉桂酸甲酯、4-(Ν,Ν’ -二乙基胺基)-α -氰基 肉桂酸乙酯、4-(Ν,Ν’ -二乙基胺基)-α -氰基肉桂酸丙 酯、4-(Ν,Ν’ -二乙基胺基)-α _氰基肉桂酸正丁酯、4-羥 基-α -乙氧基幾基肉桂酸曱S旨、4 -經基--乙氧基隸基肉 桂酸乙酯、4-羥基-α -乙氧基羰基肉桂酸異丙酯、4-羥基 -α -乙氧基羰基肉桂酸正丁酯、2, 4-二羥基-乙氧基羰 基肉桂酸甲酯、2, 4-二羥基-乙氧基羰基肉桂酸乙酯、 2, 4-二羥基-α -乙氧基羰基肉桂酸異丙酯、2, 4-二羥基-α -乙氧基羰基肉桂酸正丁酯、3-曱氧基-4-羥基-α -曱氧 基羰基肉桂酸甲酯、3-甲氧基-4-經基-α -乙氧基幾基肉 桂酸乙酯、3-甲氧基-4-羥基-α -乙氧基羰基肉桂酸異丙 酯、3-甲氧基-4-經基-α -乙氧基羰基肉桂酸正丁酯、2-經基-4_(Ν,Ν’ -二曱基胺基)- (2 -乙氧基毅基肉桂酸甲SI、 2-羥基-4-(Ν,Ν’ -二甲基胺基)-α -乙氧基羰基肉桂酸乙 酯、2-羥基-4-(Ν,Ν’ _二乙基胺基)-α -乙氧基羰基肉桂酸 曱醋、2-乙酿氧基-4~~(Ν,Ν’ -二乙基胺基-乙氧基罗炭基 肉桂酸乙酯、1,1-二氰基-2-(4-經苯基)乙烯、1-氰基-:1 -苯曱醯基-2-(3-曱氧基-4-經苯基)乙烯、1-氰基-1-甲氧 基幾基-2-(1 -萘基)乙稀、1 -氰基-1 -乙氧基戴基-2 - (1 -蔡 基)乙稀、1 -氰基-1-甲氧基羧基-2-(2-經基- 1 -萘基)乙 烯、1-氰基-1-乙氧基幾基-2-(2-羥基-1-萘基)乙稀等。
314227.ptd 第25頁 1281597 五、發明說明(19) 上述化合物可單獨或二種以上調配使用。其中,以使 用1,7-雙-(3-甲氧基-4-羥苯基)-1,6-庚二烯-3, 5-二酮、 3-甲氧基-4-羥基-α -乙氧基羰基肉桂酸乙酯、3-曱氧基 -4-羥基-α -氰基肉桂酸異丙酯為較佳。 '本發明之化學放大型正光阻組成物中,對1 0 0重量份 之(Β)成分而言,以含有0 · 1至2 0重量份之(A)成分為宜。 又,對1 0 0重量份之(B )成分而言,以含有0 . 0 0 1至1 0 重量份之(C )成分為宜。 又,對1 0 0重量份之(B )成分而言,以含有0 . 0 0 1至2 0 、,份之(D)成分為宜。 本發明之化學放大型正光阻組成物中,必要時在不影 響本發明之功能範圍内,尚可含有增感劑、抑止溶解劑、 其他樹脂、界面活化劑、安定劑或染料等各種添加物。. 關於本發明之化學放大型正光阻組成物,通常係將上 ,述(A )至(D )之各成分以溶解在光阻溶劑中而成光阻液組成 物,可藉一般旋轉塗布法尊方法塗布在矽晶圓等之基體 上。所使用之光阻溶劑只要能溶解上述各成分、具有適度 之乾燥速度、當溶劑蒸散後能給與均一而平滑之塗膜者即 可。 )該光阻溶劑可例舉如乙基溶纖素乙酸酯、甲基溶纖素 乙酸酯或丙二醇單甲醚乙酸酯等之二醇醚醋類;乳酸乙 酯、乙酸丁酯、乙酸戊酯或丙二酸乙酯等之酯類;丙酮、 曱-異丁基酮、2 -庚酮、環己酮等之酮韻;r -丁内酯等之 環狀酯類;3-甲氧基-卜丁醇等之醇類等。上述光阻溶劑
314227.ptd 第26頁 1281597 五、發明說明(20) 可單獨或二種以上調配使用。 塗布在基體上經乾燥過之光阻膜通常係藉曝光處理施 與圖案化,繼之,為促進脫保護基反應而進行加熱處理 (PEB ),然後使用鹼性顯影劑顯影。所使用之鹼性顯影劑 為該領域中使用之各種鹼性水溶液,一般常用氫氧化四甲 基銨或氫氧化(2 -經乙基)三曱基銨(俗稱膽鹼)等之水溶 液。 [實施方式] 本發明藉實施例更具體說明如下,但是本發明不侷限 在該實施例範圍。又,實施例中所示含量或用量之%或份 量,如無特別說明皆以重量為基準。又,重量平均分子量 (M w )和多分散度(M w / Μ η )係以聚苯乙稀為標品,藉凝膠滲 透層析法測定而得。 合成例1 :聚羥基苯乙烯之一部分經1 -乙氧基乙基化 之化合物的合成 於5 Γ容量之四頸燒瓶中,放入4 0 0 g之聚(對-羥基苯乙 烯)(以對-羥基苯乙烯單位計3. 33莫耳)和63. 0mg (0. 333mmo 1 )之對-曱苯項酸-水合物,將其溶解於2 4 0 0 g之 甲、異丁基酮中。滴加249g( 3. 46莫耳)之乙基乙烯醚,於 2 7°C下反應孙時。 · 將該反應溶液用9 3 3 g之離子交換水洗滌。重複5次上 述水洗操作,減壓蒸餾去除大部分之曱-異丁基酮。繼 之,加入3 5 0 0 g之丙二醇單甲醚乙酸酯,再行減壓蒸餾, 藉丙二醇單甲醚乙酸酯之共沸作用去除水分和殘留之甲-
314227.ptd 第 27 頁 1281597 五、發明說明(21) 異丁基酮,而使其成為丙二醇單甲醚乙酸酯之溶液。 所得液體為聚(對-羥基苯乙烯)之羥基之一部分成為 1 -乙氧基***化樹脂之溶液。該樹脂以1H-NMR分析之結 果,顯示羥基之48%已被1_乙氧基***化。該樹脂稱為B1 樹脂。 合成例2 :去除低分子量部分之間-甲酚酚醛清漆樹脂 之合成 ' 於備有迴流管,攪拌裝置和溫度計之1 1容量之四頸燒 瓶中,放入218. 3g之間-甲酚,10. 2g之草酸二水合物, 〜)7g之90%乙酸以及2 0 3g之甲-異丁基酮。升溫至80°C , 以1小時時間滴加1 4 3 . 2g之3 7%之甲醛水溶液。然後升溫至 迴流溫度,在迴流狀態下保溫1 2小時。將所得反應液用甲 -異丁基酮稀釋,經水洗、脫水而得含3 6 . 8 %酚酸清漆樹脂 之甲-異丁基酮溶液。將該樹脂溶液6 1 2g放入5 1容量之燒 瓶中,用1119g之曱-異丁基酮稀釋,加入1 2 32g之正庚 紇;在6 (Tt下攪拌,靜置後再行分離,而得下層之粉醛清 黍樹脂溶液。 · 將該酚醛清漆樹脂溶液以丙二醇甲醚乙酸酯稀釋後進 汙濃縮,而得紛醛清漆樹脂之丙二醇單甲醚乙酸酯之溶 、>該樹脂稱為B2樹脂。 以聚苯乙稀為標準品,將上述樹脂進行凝膠滲透層析 (GPC)分析,刪除未反應之單體的面積,以面積計,分子 I:為1 0 0 0以下之範圍佔總面積之比率為3. 2 8 %。重量平均 泌子量為907θ〇
I14227.ptd 第 28 頁 1281597 五、發明說明(22) 其-人,除上述合成例所彳寸各樹脂之外,使用下述原料 調製得光阻組成物,並評估之。 ' (A1 )成分· (5-曱苯酿基磺醯基氧基亞胺基—5 H-塞吩 -2-丙啶)-(2-曱笨基)乙腈 (C1)成分··氫氧化四曱基銨 (D1)成分.1,7 -雙-(3 -曱氧基-4 -羥苯基)一 1,6 -庚二 烯-3,5-二S同(436n m波長處之莫耳吸光係數為182〇〇)。 (D2)成分:3-曱氧基-4-羥基-〇:—氰基肉桂酸異丙酯 (3 6 5 nm波長處之莫耳吸光係數為2 1 5 0 0。) 又,莫耳吸光係數乃使用DU 640型之儀器(Beckman Instruments公司製品),調整曱醇溶液成為(μ)成分和 (D 2 )成分之濃度為〇 · 〇 〇 〇 3至〇 · 〇 〇 〇 〇 4 m 〇 1 / 1範圍,於1 c m長 之光路容器中測定而得。 、 fAj列1至2和比較例 於Β 1樹脂和Β2樹脂各取6 . 7 5份(以固形物換襄)混合而 成之樹脂中,添加〇 · 1份之(Α丨)成分、〇 · 〇丨5份之(c丨)成分 之^驗性化合物,以及僅在實施例1和2中,分別添加〇. 25份 (實施例1時)之(D1)成分,和〇· 25份(實施例2時)之(D2)成 分[比較例1和2中,皆未添加(D1 )成分和(D2)成分之任意 成刀]。將上述成分丨谷解於4 2份之丙二酵早甲驗乙酸g旨 中。將這溶液以孔控為〇 · 5# m之氟樹脂製之過渡器過滤而 調製得光阻溶液。 於預先經過六曱基二甲矽烷處理之矽晶圓上,使用旋 轉塗布機將上述光阻溶液以乾燥後之膜厚成為表1中所示
314227.ptd
1281597 五、發明說明(23) '之值而進行塗布。塗布光阻液後之預烘烤係使用加熱板在 19 0°C下進行6 0秒鐘。於按照上述方法形成光阻膜之晶圓 上,實施例1和比較例1使用具有43 6nm(g射線)曝光波長之 縮小投影曝光機(Nikon公司製品之’’ NSR- 1 75 5g7A”,ΝΑ = 0· •5 4 ),實施例2和比較例2使用具有3 6 5nm (i射線)曝光波長 之縮小投影曝光機(Nikon公司製品之n NSR-2 0 0 5 i9Cn, N A = 0 . 5 7 ),將曝光量以梯度變化方式施與線條和空間圖案 之曝光。繼之,用加熱板在11 0°C下進行6 0秒鐘之曝光後 烘烤,然後以2. 38%之氫氧化四甲基銨水溶液(住友化學工 〜产司製品之顯影劑S0PD)進行60秒鐘之顯影處理。使用 掃描型電子顯微鏡觀察顯影後之圖案,並按照下述方法調 查實效感度、因膜厚變化所導致之尺寸變動、以及解像 度。其結果示於表1中。 實效感度: 首先,就實施例1和比較例1 (g射線)以膜厚為1. 54# m,實施例2和比較例2 ( i射線)以膜厚為1 · 4 9/z m進行評 估。以該時1. 0/z m之線條和空間圖案成為1 ·· 1之曝光量表 示之。 膜厚之變化所導致之尺寸變動: -)實效感度下之曝光量中,按照表1中之膜厚實施,以 改變膜厚時之尺寸表示之。 醉像度: 以實效感度之曝光量而分離之線條和空間圖案之最小 义寸表示之。
314227.ptd 第30頁 1281597 五、發明說明(24) 表 1 膜厚(// m) 曝光量 (msec) 尺寸(/z m) 解像度 (β m) 實施例 1 1.54 135 1.00 0.41 1.61 135 0.93 實施例 2 1.49 92 1.00 0.45 1.54 92 0.96 比較例 1 1.54 165 1.00 0.53 1.61 165 0.86 比較例 2 1.49 158 1.00 0.65 1.54 158 0.88 依據本發明之化學放大型正光阻組成物,可在維持高 感度及高解像度之情況下減少來自基板之反射光,而獲得 尺寸變動小的光阻圖案。 ^ -
314227.ptd 第31頁 1281597 圖式簡單說明 •本案無圖式 liiii 14227.ptd 第32頁

Claims (1)

1281597 修正 案號 91134911 六、申請專利範圍 1. 一種化學放大型正光阻組成物,其特徵為含有下列(A) 至(D )之四種成分: (A )感輻射線性產酸劑,其成分如下式(I )所示, R1
vrR4 (1) 〇 (上式中,R 1至R 3各自獨立,示氫原子或C眞C ^炭 化氫基(亦即C至C i捏基),R4示C至C ^炭化氫基,但 是,R 1至R衔示C戽C丨碳化氫基中之氫原子之至少一個 可被羥基、硝基、氰基、烷胺基、N,Ν’ -二烷基胺基、 烷氧基、環烷基氧基、芳氧基、烷基羰基、環烷基羰 基、芳基羰基、烷基羰基氧基、環烷基羰基氧基、芳 基羰基氧基、烷氧基羰基、環烷基氧基羰基、芳基氧 基羰基或鹵素原子所取代,又,上述C至C i碳化氫基中 之-CH2-之至少一個可被-C0-基所取代), (B )本身為不溶或難溶於鹼性水溶液,但經酸之作 用後能成為可溶於鹼性水溶液之樹脂, (C )驗性化合物,其係氫氧化有機銨化合物, (D)對於波長為3 0 0至45 Onm範圍之光線的莫耳吸 光係數在1 0 0至5 0 0 0 0範圍之化合物,其成分如下式 (I V )所示,
314227 修正版.ptc 第33頁 1281597 _案號91134911_邮年3月珥曰 修正 六、申請專利範圍 R9 oneΪ u CIR”11 RIC one 3 - 4 R1—。—^1 Γ15 R10 6 R1丨 C 6 c , 該烧立 ,、獨 基基自 C 被R1 產可直 C β( 1 部R 示全, 或代 分取 部所 自一基 1 之Μ ^子基 和原氧 R 氮院 之或 上基 基氧 烷 C 、 至基 中 式 立 獨 2 其味 R 物, 成子 且原 阻氫 光昧 R 正 型: 大, 放基 學苯 化甲 之2- 〇 R }第 基圍 烷範I) 或利(I 子專式 原請係 氮申, 示如中 和 苯氧 甲甲, I 三 4者 I 6 、基 4基之 2苯示 、基W 基⑨Iη 醯二(I 笨十式 I 甲4 下 、、或 基基基 $本甲 正基笨 、 丙 、 基異基 了一一一 i 正 6 2 、 4 、 基2基 丙、笨 正基基
(但是,R 1至R衔示上述基中之氫原子之至少一個 可被經基、破基、氰基、烧胺基、N,N _二烧基胺基、 院氧基、環烧基氧基、芳基氧基、烧基Μ基、環烧基 羰基、芳基羰基、烷基羰基氧基、環烷基羰基氧基、 芳基羰基氧基、烷氧基羰基、環烧基氧基羰基、芳基
314227 修正版.ptc 第34頁 1281597 n _案號911349Π_你年彡月9曰 修正_ 六、申請專利範圍 氧基羰基或鹵素原子所取代)。 3. 如申請專利範圍第1項之化學放大型正光阻組成物,其 中,(B )成分係具有S分性經基和紛性經基被1 -乙氧基乙 基、1-乙氧基丙基或2 -四氮π比喃基所保護之基的樹脂 者。 4. 如申請專利範圍第3項之化學放大型正光阻組成物,其 中,(B )成分係羥基之一部分被卜乙氧基乙基、:1 -乙氧 基丙基或2 -四氫吡喃基所保護之聚乙烯苯酚 (polyvinyl phenol)者 ° 5. 如申請專利範圍第3項之化學放大型正光阻組成物,其 中(B )成分係經基之一部分為1-乙氧基乙基、1-乙氧基 丙基或2 -四氫吡喃基所保護之酚醛清漆樹脂者。 6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之化學放大型正光 阻組成物,其中,該氫氧化有機銨化合物係下式(I I I ) 所示化合物者: R6 R5—N-R7 OH' (III) R8 (上式中,R 5至R 8各自獨立,示C至C丨碳化氫基, 或R和R味C至C ^炭化氫基,R和R味分別與其所結合 之氮原子一起形成環狀之雜環基,其中,R 5至R«t之氫 原子之至少一個可被羥基、硝基、氰基、烷胺基、 N,Ν’-二烷基胺基、烷氧基、環烷基氧基、芳基氧基、
314227修正版.ptc 第35頁 1281597 _案號91134911 年3月9日 修正_ 六、申請專利範圍 炫基幾基、環院基緩基、芳基魏基、院基獄基氧基、 環烷基羰基氧基、芳基羰基氧基、烷氧基羰基、環烷 基氧基羰基、芳基氧基羰基或鹵素原子所取代,又, 上述Ci薇化氫基中之-CH 2_基可被-C 0 -基所取代)。 7. 如申請專利範圍第6項之化學放大型正光阻組成物,其 中式(I I I)所示氫氧化有機銨化合物係一種以上選自氫 氧化四甲基銨、氫氧化四正丁基銨、氫氧化四正己基 錢、氫氧化四正辛基敍、氫氧化苯基三甲基按、氫氧 化3 -(三氟甲基)苯基三甲基銨以及膽鹼所構成組群中 之化合物者。 8. 如申請專利範圍第1項至第5項中任意一項之化學放大 型正光阻組成物,其中(D )成分係下式(V )所示化合物 者: R18 R17—0=0一R20 (V) R19 (上式中,R 1味芳基,該芳基上之氫原子之一部分 或全部可被羥基、烷基、烷氧基、烷氧基羰基或Ν,Ν’ -二烷基胺基所取代,R 1昧氫原子或烷基,R 1和R 2G各自 獨立,示氫原子、烷基、烷氧基、烷氧基羰基、氰基 或苯甲醯基)。 9. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之化學放大型正光 阻組成物,其中(D)成分係1,7-雙-(3-甲氧基-4-羥苯 基)-1,6 -庚二稀-3,5 -二酮者。
314227修正版.ptc 第36頁 1281597 Λ _案號91134911 和年3月9日 修正_ 六、申請專利範圍 1 0 .如申請專利範圍第8項之化學放大型正光阻組成物,其 中(D)成分係式(V)中R1沄3-甲氧基-4-羥苯基,R1昧氫 原子,R 1和R 2味乙氧基羰基之化合物者。 1 1.如申請專利範圍第8項之化學放大型正光阻組成物,其 中(D)成分係式(V)中R1沄3-甲氧基-4-羥苯基,R1昧氫 原子,R 1昧氰基,R 2味異丙氧基羰基之化合物者。
314227修正版.ptc 第37頁
TW091134911A 2001-12-11 2002-12-02 Chemically amplified positive resist composition TWI281597B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001376908A JP3918542B2 (ja) 2001-12-11 2001-12-11 化学増幅型ポジ型レジスト組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200300865A TW200300865A (en) 2003-06-16
TWI281597B true TWI281597B (en) 2007-05-21

Family

ID=19185003

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW091134911A TWI281597B (en) 2001-12-11 2002-12-02 Chemically amplified positive resist composition

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP3918542B2 (zh)
KR (1) KR100934109B1 (zh)
CN (1) CN100367110C (zh)
TW (1) TWI281597B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4000473B2 (ja) * 2002-08-09 2007-10-31 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料用の光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
KR101042667B1 (ko) * 2004-07-05 2011-06-20 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 조성물
JP4707987B2 (ja) * 2004-09-16 2011-06-22 東京応化工業株式会社 化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物
JP4757532B2 (ja) * 2005-05-10 2011-08-24 東京応化工業株式会社 電子線用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
WO2006120896A1 (ja) * 2005-05-02 2006-11-16 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
US9740097B2 (en) * 2015-03-31 2017-08-22 Sumitomo Chemical Company, Limited Resist composition and method for producing resist pattern

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2569705B2 (ja) * 1988-03-24 1997-01-08 日本合成ゴム株式会社 ポジ型ホトレジスト
JP2625206B2 (ja) * 1989-04-18 1997-07-02 富士写真フイルム株式会社 フオトレジスト組成物
ATE195590T1 (de) * 1994-06-22 2000-09-15 Ciba Sc Holding Ag Positiv-photoresist
JP3591672B2 (ja) * 1996-02-05 2004-11-24 富士写真フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物
JP3650981B2 (ja) * 1996-07-03 2005-05-25 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP3661721B2 (ja) * 1996-10-15 2005-06-22 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料
JPH10171112A (ja) * 1996-12-11 1998-06-26 Mitsubishi Chem Corp ポジ型感光性組成物
JP2998682B2 (ja) * 1997-03-13 2000-01-11 日本電気株式会社 化学増幅系レジスト
KR19980087522A (ko) * 1997-05-30 1998-12-05 마티네츠 길러모 신규한 중합체를 함유하는 방사선 감응성 조성물
JP3823449B2 (ja) * 1997-06-16 2006-09-20 住友化学株式会社 フォトレジスト組成物
JP3991459B2 (ja) * 1997-09-02 2007-10-17 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物
US5976770A (en) * 1998-01-15 1999-11-02 Shipley Company, L.L.C. Dyed photoresists and methods and articles of manufacture comprising same
JP3473410B2 (ja) * 1998-06-11 2003-12-02 住友化学工業株式会社 狭分散性重合体を用いたポジ型レジスト組成物
JP3876571B2 (ja) * 1998-08-26 2007-01-31 住友化学株式会社 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
JP3785846B2 (ja) * 1999-02-05 2006-06-14 住友化学株式会社 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
DE60015220T2 (de) * 1999-03-31 2006-02-02 Sumitomo Chemical Co. Ltd. Positiv arbeitender Resist vom chemischen Verstärkertyp
JP2001222110A (ja) * 2000-02-10 2001-08-17 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フォトレジスト組成物
CN1210623C (zh) * 2000-04-04 2005-07-13 住友化学工业株式会社 化学放大型正光刻胶组合物

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003177536A (ja) 2003-06-27
KR20030076192A (ko) 2003-09-26
CN1424625A (zh) 2003-06-18
CN100367110C (zh) 2008-02-06
JP3918542B2 (ja) 2007-05-23
TW200300865A (en) 2003-06-16
KR100934109B1 (ko) 2009-12-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4127941B2 (ja) フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び、半導体素子の製造方法
TWI236578B (en) Chemically amplified positive resist composition
TWI282907B (en) Chemical amplification type positive photoresist composition and resist pattern forming method using the same
US6783914B1 (en) Encapsulated inorganic resists
TWI294552B (en) Photoresist composition
JPH04219757A (ja) 感放射線性混合物
JP4269740B2 (ja) ポジ型化学増幅型レジスト組成物
TWI234567B (en) Cross-linker for photoresist, and photoresist composition comprising the same
Chen et al. Aqueous developable dual switching photoresists for nanolithography
TW200903164A (en) Positive resist composition and pattern forming method using the same
JP3849486B2 (ja) 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
TWI281597B (en) Chemically amplified positive resist composition
TW200832067A (en) Chemically amplified positive resist composition for thermal lithography and method for forming resist pattern
TWI331255B (en) Chemical amplification type positive photoresist composition and resist pattern forming method using the same
JP4475372B2 (ja) 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP4190834B2 (ja) レジスト組成物
JP3709657B2 (ja) 感放射線性組成物
JP4313611B2 (ja) 化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターンの形成方法
Asakura et al. Novel photoacid generators for chemically amplified resists
JP3700164B2 (ja) 感放射線性組成物
US7129023B2 (en) Photoresist polymer and photoresist composition containing the same
JPH09325473A (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP4023931B2 (ja) ポジ型感放射線性樹脂組成物
KR100680427B1 (ko) 포토레지스트 중합체 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물
KR100964480B1 (ko) 포지티브형 화학증폭형 레지스트 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
MK4A Expiration of patent term of an invention patent