TWI280399B - Physical amount sensor and lead frame used therein - Google Patents

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1280399 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種測量磁或重力等物理量方位或方向之 物理量感應器，及其使用之引線框架。 本申請案基於2〇04年10月1日之專利申請2〇〇4-29〇472 號、2004年10月8曰之專利申請2004-296370號，以及2005 年3月25日之專利申請2005-87621號，主張優先權，並於此 引用其内容。 【先前技術】 近年來，行動電話等攜帶終端裝置中，已有產品具有顯 示使用者位置資訊之GPS(Gl〇bal P〇sitioning System，全球 定位系統）功能。除此GPS功能之以外，具備正確檢測出地 磁或加速度之功能，藉此即可檢測出用戶所攜帶之攜帶終 端裝置之三維空間内的方位或方向或者移動方向。

要使攜帶終端裝置具有上述功能，則攜帶終端裝置中必 須内置磁感應器、加速度感應器等物理量感應器。為使用 如此之物理量感應器檢測三維空間内之方位或加速度，物 理篁感應裔晶片必須搭載於傾斜之設置面上。 上述物理量感應器目前提供之產品各式各樣，例如作為 其中-種，眾所周去口’與上述構造不同之磁感應器，其於 未傾斜之設置面搭載有兩個磁感應器晶片。該磁感應器具 有兩方之磁感應器晶片’其中一方磁感應器晶片(物理量感 應器晶Μ載置於基板，感應於沿基板表面互相垂直之兩個 方向（x、Y方向）上外部磁場之磁性成分，他方磁感應器晶 104873.doc 1280399 片感應於垂直基板表面之方向财向）±外部磁場之磁性 成分。該磁感應器藉由此等一對磁感應器晶片所檢測出之 磁性成分，將地磁成分作為三維空間内之矢量而進行測定。 然而’該磁錢㈣將他方磁感應以#以相對於基板 表面垂直豎立之狀態載置，故存在厚度(相對於2方向之高 度）增3加之問題。因此，為儘量縮小該厚度，如上所述，將 物理Ϊ感應H晶片搭載於傾斜設置面’此於專利文獻i、2 及3中有所揭示。 抑例如專利文獻丨揭示有加速度感應器作為物理量感應 為口亥加速度感應器係單側光束構造，其預先將加速度感 應器晶片傾斜搭載於基板。因此，可較高地保持對應於傾 斜方向之特定軸方向感度，並降低包含沿基板表面方向之 其他軸方向的感度。 ^於先刚之物理量感應器，物理量感應器晶片因配 置於傾斜之設置面，故封裝須要足夠之面積或高度。因此， 用先如之封裝而緊密地内置於小型攜帶終端裝置内顯得 有限。 〔專利文獻1〕特開平9-292408號公報 〔專利文獻2〕特開20〇2_ 1 562〇4號公報 〔專利文獻3〕特開2〇〇4-128473號公報 [务明所欲解決之問題] 本务明係鑒於上述問題而開發完成者，其目的在於提供 "於小型且薄型之封包内傾斜收納物理量感應器晶片 之物理量感應器及其使用之引線框架。 104873.doc 1280399 【發明内容】 為解決上述問題，本获 且借· $ ^ ^月之包含金屬性薄板之引線框架 /、備·至少兩個平臺部，盆 -5- ^ ? 八衷载有物理量感應器晶片，J： 面積小於該物理量礒靡哭曰 ^ 勺圖“ 这應裔晶片之載置面；矩形框架部，1 包圍此等平臺部；複數 ^ Λ其自該框架部向上述平臺部 方向延伸，配置於上述平臺 加却Α… 卩之周圍，且包含連結上述框 木一 /、上述各平臺部之連纟士弓丨始.、 、、"引線，以及易變形部，其形成

=述連結引線’藉由變形而使上述平臺部傾斜，並且： 二量感應器晶片使其載置面於上述框架部之厚度方向 ”述平臺部及上述複數引線之—部分重疊而載置。 於本發明之引線框架中， 上述連結引線係排列於上述框 4部之一邊之上述引绩，·^兮、由2丄，， 運㈣線於该連結引線之中途部可形成易 變形部，其以基準軸線為中 τ 用以使上述平臺部相對於 上述框架部而傾斜。 、 當使用此構造之引線框架而將兩個以上物理量感應器晶 片相互傾斜時，物理量感應器晶片開始載置於各平臺部之 表面。物理量感應器晶片之載置面之—部分，自平臺部突 出’因此與複數引線之-部分重疊配置。繼而，以將框架 部固定之狀態按壓平臺部，藉此易變形部變形，可使平臺 部及物理量感應器晶片以基準軸線為中心，相對於框架部 而傾斜。 此處，由於易變形部形成於連結引線之中途部，因此較 之此易變形部位置而更靠***臺部侧之連結引線之前端 部，與平臺部共同傾斜。即，即使將該連結引線之前端部 104873.doc j28〇399 ::理：感應器晶片配置於引線框架厚度方向上相重疊之 觸)〆、可防止物理量感應器晶片與連結引線相互干擾(接 =’本發明之引線框架中，上述連結引線於通過上述 =中心之中心軸線之線對稱位置，自各平臺部突出一 且、結於上述框架部’並且具有可變形之扭曲部作為上 ::易變形冑’該扭曲部及上述平臺部亦可配置在相對於上 述引線於上述引線框架厚度方向偏離之位置。 依據此構造之引線框架，藉由於固定框架部之狀態下按 ^平臺部’並由於連結於各平臺部之—對連結引線於扭曲 部圍繞基準軸線而扭曲’ @此可使平臺部相對於框架部而 傾斜。 此時，扭曲部及平臺部配置於相對於引線於引線框架厚 度方向偏離之位置，因此即使使物理量感應器晶片於靠近 引線之方向與平臺部共同傾斜，亦可防止物理量感應器晶 片與引線接觸。因此，與物理量感應器晶片之尺寸相比， 可細小引線框架之尺寸’故可減小物理量感應器之尺寸。 於本發明之引線框架中，上述平臺部之表面亦可設置包 含電氣絕緣材料之片狀絕緣薄膜。 使用此構造之引線框架而製造物理量感應器時，物理量 感應器晶片經由絕緣薄膜載置於各平臺部之表面。繼而， 藉由打線接合，將物理量感應器晶片與引線電氣連接。其 後’於固定框架部之狀態按壓平臺部，藉此易變形部產生 變形，可使平臺部及物理量感應器晶片以基準轴線為中 104873.doc 1280399 心，相對於框架部而傾斜。 物理畺感應器晶片與平臺部藉由絕緣薄膜而電氣絕緣， 故物理量感應器晶片與連結於平臺部之連結引線電氣絕 緣。因此’於上述使用打線接合之物理量感應器晶片的電 氣連接中亦可使用連結引線。即，可增加與物理量感應器 晶片可電氣連接之引線數量，而不改變引線框架之尺寸。 於本發明之引線框架中，亦可將各上述平臺部配置於上 述引線框架内側區域中較之其他角部而更接近一個角部之 位置，磁感應器晶片亦可以僅與引線框架一邊所設置之複 數引線重疊的方式而配置。 利用此構造之引線框架製造物理量感應器時，物理量感 應器晶片載置於靠近引線框架之一個角部的平臺部之表 面自物理里感應器晶片之平臺部表面露出之載置面，其 於引線框架厚度方向，與設置於同一邊之複數引線中的一 部分重疊而配置。 此後，藉由打線接合，將物理量感應器晶片與引線電氣 連接。厚度方向上與物理量感應器晶片重疊之引線難以打 線接合。然而，於此構造中，與引線框架内側區域一邊之 中央部上配置平堂部之情形相比較，與物理量感應器晶片 重疊之引線數量減少。因此，可充分確保與物理量感應器 晶片可電氣連接之引線數量，而不改變相對於矩形框架之 引線配置。此電氣連接結束後，將連結引線變形，使平臺 部及物理董感應器晶片相對於引線框架而傾斜。 於此構造之引線框架中，上述引線框架形成為大致正方 104873.doc 1280399 形狀，並以上述兩個平臺部接近位於上述内側區域同一邊 上之兩個角部之方式而配置。 根據此種構造之引線框架，由於將平臺部靠近内側區域 同一邊上而配置，故位於對向於上述一邊之邊側之内側區 域成為剩餘區域，因此可於此剩餘區域重新設置平臺部， 用以載置其他物理量感應器晶片或信號處理LSI等。 再者，於將平臺部配置於引線框架内侧區域之角部之構 造中，上述兩個平臺部亦可配置於上述内側區域之對角線 上。 使用此構造之引線框架，藉由樹脂將平臺部、物理量感 ^器晶片以及引線一體成型時，使用金屬模具夾住框架 部，並且於金屬模具内之樹脂形成空間配置平臺部、物理 里感應器晶片以及引線，以樹脂填滿樹脂形成空間。此時， 矩形狀之内側區域中，熔化之樹脂自他方對角線上之一方 角部向他方角部流入上述樹脂形成空間，上述他方對角線 # 肖作為兩個平臺部排列方向之_方對角線交叉。由於平臺 邛或物理夏感應器晶片未位於該樹脂之流入路徑上，因此 可防止此等平臺部或物理量感應器晶片妨礙溶融樹脂之流 動。 再者，本發明之物理量感應器具有：平臺部，其載置物 理量感應器晶片；複數引線，其配置於該平臺部之周圍， 且包含與平臺部連結之連結引線；易變形部，其形成於上 述連結引線，藉由變形而使上述平臺部傾斜；物理量感應 器晶片，其載置於上述傾斜之平臺部，並使端部於上述引 104873.doc •10- 1280399 線之厚度方向上，與上述複數引線之一部分重疊而配置； 以及成型樹脂，其將上述平臺部、上述複數引線以及上述 物理量感應器晶片一體固定。 根據本發明之物理量感應器，可使物理量感應器晶片傾 斜’而不使引線與物理量感應器晶片相互接觸，因此可實 現物理量感應器之小型化。 [發明之效果] 根據本發明之引線框架，可使物理量感應器晶片於封包 内傾斜而收納之物理量感應器更加小型且薄型。 【實施方式】 (第1實施形態） 圖1至圖7表示本發明之第1實施例。本實施例之磁感應器 (物理里感應器）藉由互相傾斜之兩個磁感應器晶片，測定外 部磁場之方向與尺寸。此磁感應器使用引線框架製造而 成’该引線框架係對包含薄板狀銅材之金屬板實施沖壓加 工及蝕刻加工而形成。 引線框架1如圖1、2所示，具備兩個平臺部7、9，該等用 以配置形成為俯視矩形之板狀之磁感應器晶片（物理量感 應器晶片）3、5，以及框架部11，其支持平臺部7、9。此等 平臺部7、9與框架部U為一體形成。框架部丨丨包含矩形框 部13以及複數引線15、17，其中矩形框部13以包圍平臺部 7、9之方式形成為俯視為矩形之框狀，而複數引線1 $、17 由该矩形框部13向内側突出。引線15與磁感應器晶片3、5 之焊墊（未圖示）電氣連接。引線17(以下亦稱為連結引線Η) 104873.doc 11 1280399 用，將矩形框部13與平臺 氣連接之引線1 5中亦包含 部7、9相互連 自矩形框部13 發揮連結引線之作 結。再者，用於電 之角部突出的引線 兩個平臺部7、9沿矩形框部13之一邊排列配置，其表面 7a、9a分別載置有磁感應器晶片3 八 山 分十憂部7、9之一 端部7b、9b連結於複數連結引線17 发硬数連結引線17突 出於排列此等兩個平臺部7、9之方向。

平臺部7、9之表面7a、9a及自位於平臺部7、9侧之連社 引線Π之前端部17a至中途部為止之表面i7b被實施光學^ 刻加工。藉此，連結引線17之前端部17a及平臺部7、9之厚 度薄於連結引線17之基端部17c或下述突出片19、2ι。連結 引線17之前端部17a之表面17b，其與平臺部7、9之表面 9a共為同一平面，並載置磁感應器晶片3、5。 於互相對向之平臺部7、9之他端部7c、9c，分別形成突 出於平臺部7、9之背面7d、9d側的一對突出片19、21。此 等突出片19、21沿各平臺部7、9之寬度方向交互排列配置。 使突出片19、21對於平臺部7、9彎曲之突出片19、21的基 ^。卩亦貫施有上述光學餘刻加工，其厚度與平臺部7、9相 等。 即’突出片19、21之基端部以薄於其他部分之方式形成， 其可變形。因此，可高精度設定突出片丨9、2 1相對於平臺 部7、9之傾斜角度。 此等一對突出片19、21之中途部藉由肋部23而相互連結。 如圖3A及圖3B所示，各突出片19、21之表面19a、21 a位 1 〇4873.doc -12- 1280399 於與平臺部7、9之表面7a、9a同側’遍及其長度方向形成 有V字狀之槽25。此等肋部23及槽25提高突出片19、21之剛 性，當外力施加於突出片19、21前端時，防止突出片19、 21彎曲。 此等突出片19、如圖3A及圖3C所示，係於由金屬製薄 板形成引線框架1之穿孔加工中，由其背面丨9b、2丨b向表面 19a、21a穿通而形成。因此，突出片19、21之背面19b、2ib 側之前端部19c、21c帶有平滑圓弧。 其次，說明使用上述引線框架丨製造磁感應器之方法。 首先如圖1、圖2所示，於平臺部7、9之表面％接著 磁感應器晶片3、5。於此狀態下，各磁感應器晶片3、5以 其-邊與連結引線17長度方向正交之方式配置。各磁感應 器晶片3、5配置於自連結引線17之前端部17&至中途部之區 域，該區域藉由上述光學蝕刻加工形成較薄之厚度。 繼而，藉由導線（未圖示），將以均等間隔配置於磁感應 器晶片3、5表面之焊墊（未圖示）與連結引線17電氣連接。使 平臺部7、9傾斜時，由於自導線與磁感應器晶片3、5之接 合部分至導線與連結引線17之接合部分為止之距離產生變 化，故此導線之材質較好的是柔軟易彎曲。 繼而，形成將磁感應器晶片3、5、平臺部7、8、以及引 線15、17—體固定之樹脂成型部。 即，如圖4所示，於具有凹部以之金屬模具£之表面， _有引線框木1之矩形框部13。此時，矩形框部丨3内側之 引線15、17、平臺部7、9、磁感應器晶片3、5、突出片19、 104873.doc 1280399 21配置於凹部El之上方。於此狀態下，磁感應器晶片3、5， 平臺部7、9，突出片19、21自凹部E1侧朝向上方側依次配 置。 於突出片19、21之上方，設有具備平坦面F1之金屬模具 F，與上述金屬模具E共同夾住引線框架1之矩形框部丨3。於 此引線框架1與金屬模具F之間，***有薄片s，其用以防止 樹脂邊角料附著於引線15，並使金屬模具F與樹脂容易剝 離。

其次，如圖5所示，此等兩個金屬模具e、F夾住矩形框部 13。於是，各突出片19、21之前端部i9c、21c藉由金屬模 具F之平坦面！^而按壓。突出片19、21之剛性藉由肋部以 或V字狀之槽25而補強，故藉由此按壓可防止突出片19、2ι 彎曲。此時，突出片19、21之前端部與薄片8相互接觸，但 接觸之突出片19、21前端部19c、21c形成帶有圓孤之形狀， 因此可防止突出片19、21造成薄片S之破損。 當突出片19、21受到按壓時，連結於各平臺部7、9之連 結引線17之中途部17d產生變形。因此，平臺部7、9以基準 軸線L1為中心，向框架部丨傾斜，該基準軸線u將支持同一 磁感應器晶片3、5之連結引線17之中途部17d相互連接。連 結引線17之中途部17d藉由光學蝕刻形成較薄的厚度，成為 易變，，因此可使平臺部7、9容易傾斜。藉此，搭載於 平S。卩7、9之磁感應器晶片3、5相對於矩形框部13或平土曰 面F1 ’以特定角度傾斜。 〃後，於金屬模具？之平坦面F1按壓突出片19、21之前端 104873.doc -14- 1280399 部19c、21c的狀態下，溶融樹脂射出至金屬模具E、F内， 將磁感應器晶片3、5填入樹脂内部。藉此，如圖6、7所示， 磁感應器晶片3、5於相互傾斜之狀態下，固定於樹脂成型 部27之内部。較好的是，此處使用之樹脂為流動性較高之 材質’以便使磁感應器晶片3、5及平臺部7、9之傾斜角度 不因樹脂之流動而改變。 最後，將矩形框部13切落，分為各引線15、17，至此， 磁感應器30之製造結束。 ® 採用上述方式製造之磁感應器30中設置的磁感應器晶片 3、5，相對於樹脂成型部27之下面27a傾斜。又，相互對向 之磁感應器晶片3、5之一端部3b、5b朝向樹脂成型部27之 上面27c側。磁感應器晶片3之表面3a以磁感應器晶片5之表 面5 a為基準，呈銳角傾斜。即，相對於平臺部9，平臺部7 之角度Θ為銳角。 磁感應器晶月3分別感應於外部磁場之兩個方向的磁性 φ 成分。此等兩個感應方向係沿磁感應器晶片3表面3a相互垂 直之A方向及B方向。 又’磁感應器晶片5感應於外部磁場之兩個方向的磁性成 分。此等兩個感應方向係沿磁感應器晶片5之表面5a相互垂 直之C方向及D方向。 此處’ A及C方向與基準軸線L1平行，且方向互相相反。 B及D方向係與基準軸線L1垂直之方向，且方向互相相反。 包含沿表面3a之A及B方向之A-B平面，以銳角角度e與包 含沿表面5a之C及D方向之C-D平面交差。 104873.doc •15- 1280399 此角度Θ大於〇。，並為9〇◦以下，理論而言，若為大於〇。 之角度’即可測定三雒地磁方位。但實際上，較好的是角 度Θ為20。以上，更好的是3〇。以上。 用於將磁感應器晶片3及5電氣連接於外部之複數引線1 5 的底面15a，自樹脂成型部27之下面27a露出。此引線15之 一端部藉由金屬製導線29而電氣連接於磁感應器晶片3及 5 ’此連接部分填入樹脂成型部27之内部。 用於使平臺部7及9傾斜之連結引線17之中途部17d及前 端部17a，因與平臺部7、9共同傾斜，故被填入樹脂成型部 2 7内。僅連結引線17之基端部17 c之底面17 e由樹脂成型部 27之下面27a露出來。 該磁感應器30例如搭載於攜帶終端裝置内的基板。該攜 ▼終端裝置藉由磁感應器3 〇測定地磁方位，並將該方位顯 示於顯示面板。 上述引線框架1及磁感應器30中，用於傾斜平臺部7、9 之易變形部形成於連結引線17之中途部17d。因此，較之該 易變形部更加靠***臺部7、9側之連結引線17的前端部na 與平臺部7、9共同傾斜。因此，當將磁感應器晶片3及5配 置於該前端部17a並使該等傾斜時，磁感應器晶片3及5與連 結引線17無相互干擾（接觸）。即，可將前端部17&與磁感應 器晶片3、5配置於金屬製薄板厚度方向上重疊之位置:: 此，磁感應H3G可相應小型化。以此，可將磁感應器晶片3 及5傾斜收納於樹脂成型部27内部所規定之小型且薄型封 包内，故可容易實現磁感應器3〇之小型化。 104873.doc 16 1280399 又，磁感應器晶片3及5可恭罢认々τ 士 门汉）J戟置於各平臺部7及9之表面7a 及％’以及連結引線17之前端部17a之表面l7b，因此可將 磁感應器晶片3、5穩定载置於平臺部7、9之表面7&、 此外，藉由光學餘刻，可將平臺部7、9形成為較突出片 19 21更薄之厚度’並且藉由肋部23和乂字狀之槽乃而補強 突出片19、21之剛性’藉此可防止因使平臺部7、9及磁感 應器晶片3、5傾斜之按壓力所造成突出片19、21之臂曲。 因此’可防止由此幫曲所造成平臺部7、9傾斜角度之偏移。 又，藉由上述光學蝕刻，接著磁感應器晶片3、5之平臺 部7、9之表面7a、9a形成凹陷，因此可降低磁感應器晶片3、 5之配置，實現磁感應器3〇之薄型化。 再者，接觸於薄片S之突出片19、21之前端形狀形成為帶 有圓弧之形狀，故可防止突出片19、21造成薄片s破損，並 防止樹脂流出至金屬模具F。因此，可製造出具有正確外觀 形狀之磁感應器30。 於上述實施例中，磁感應器晶片3、5僅被載置於連結弓丨 線17之前端部17a之表面17b，但並非僅限於此，即可將兩 者接著。 又，如圖8所示，平臺部7、9及連結引線17之前端部17a 力^配置於相對於連結引線17基端部17 c，而於金屬製薄板 厚度方向偏離之位置。於此構造中，基準軸線L1之位置亦 與平臺部7、9同樣地，配置於偏離金屬製薄板厚度方向之 位置。 採用此構造時，即使磁感應器晶片3、5配置於超出連結 104873.doc 17 1280399 引線17之前端部17a，進而於厚度方向與連結引線17之基端 部17c重疊之位置時，亦可於使磁感應器晶片3、5傾斜時， 防止磁感應器晶片3、5與連結引線π之基端部i7c之干擾 (接觸）。 再者，除此構造以外，藉由光學蝕刻等，將對向於磁感 應器晶片3、5之連結引線17之基端部i7c的表面切削，形成 凹部17f。根據此構造，可進一步確實防止磁感應器晶片3、 5接觸連結引線17之基端部17c。 •又，平臺部7、9於其表面7a、9a側實施光學蝕刻，形成 車父薄之厚度’但並非限於此。如圖9所示，亦可於平臺部7、 9之底面7d、9d侧實施光學蝕刻。於此構造中，較好的是於 自連結引線17之前端部l7a至中途部17d為止之底面ng及 犬出片19、21基端部之底面亦同樣地實施光學钱刻。 於此構造之情形下，由於連結引線17中途部17d之下面， 树月曰充填區域於厚度方向上增加，因此可確實將樹脂充填 _ 於此部分。又，中途部17d之易變形部填入樹脂成型部之内 部，因此連結引線1 7之邊角料不會自樹脂成型部27之下面 2 7a露出。 又，焊墊係例示於磁感應器晶片3、5之表面均等間隔配 置’但並非僅限於此。如圖1〇所示，焊墊28亦可配置於磁 感應器晶片3、5上基準軸線L1之附近。於基準軸線u之附 近，隨著磁感應器晶片3、5之傾斜而使各焊墊28之高度變 化減少。即，於此構造中，藉由導線29將引線15與焊墊Μ 電氣連接後，可減小使平臺部7、9傾斜時所產生之引線Μ 104873.doc 18 1280399 與焊墊28之相對位置之改變。因此，平臺部7、9傾斜時， 可抑制導線29所產生之張力變化，由此而防止導線29脫離 引線15或焊墊28，或者導線29斷線等現象。 (第2實施形態）

其次，參照圖11至13，說明本發明之第2實施例。再者， 此第2實施例之引線框架及磁感應器於框架部與平臺部連 結方面，與第丨實施例相異。此處，僅就框架部與平臺部之 連結部分加以說明，與引線框架！或磁感應器3〇之構成要素 相同之部分附以相同符號，省略該說明。 部13相互連結。此連結用引線丨6於通過平臺 軸線L2之線對稱位置，自各平臺部7、9突出 如圖11、12所示，於此引線框架2，藉由自矩形框部η 之角部突出之連結用引線（連結部）16將平臺部7、9與矩形框 部7、9之中心 一對。具體而 言，連結用引線16之一端部16a連結於位於各平臺部7、9一 端部7b、9b側之兩端的側端部’該等各平臺部7、$之—端 部7b、9b位於連結引線17側。 該—端部16a於其側面設有凹狀缺口，以細於連結用引線 16之其他部分之方式而形成。因此，使平臺部厂9傾斜時， 以連結-對端部16a之基準軸線L3為中心，—端部W成為 可fe易扭曲之扭曲部。 、室口R、9及連結用引線16之-端部16a，配置於相對於 連、…引線17之整體，偏離金屬製薄板之厚度方向之位置。 連結引線17之前端部17a與平臺部7、9之一端部几、％以厚 度方向重疊之方式配置。磁感應器晶片3、5，其自此平臺 104873.doc -19- 1280399 4 7、9之表面7a、9a露出於連結引線17側及突出片19、21 侧而配置，但於將平臺部7、9相對於框架部u傾斜以前之 狀態下，其不接觸連結引線17。 位於平臺部7、9底面7d、9d側之突出片19、21之基端部， 藉由光學蝕刻形成有凹狀槽18。突出片19、21之基端部的 厚度尺寸由於該槽1 8而比其他部分薄，容易變形。因此， 可高精度設定突出片19、21相對於平臺部7、9之傾斜角度。 對向於磁感應器晶片3、5之連結引線17之表面17b中，自 前端部17a至中途部17d之間，藉由光學蝕刻，於金屬製薄 板之厚度方向上形成凹陷之凹部20。 使用該引線框架2製造磁感應器時，藉由與第1實施例相 同之金屬模具按壓突出片19、21，使平臺部7、9及磁感應 器晶片3、5相對於框架部U而傾斜。此時，連結用引線16 之一端部16a圍繞基準軸線L3扭曲。又，此時如圖13所示， 對向於連結引線17表面17b之物理量感應器晶片3、5進入凹 砉p 20 。 根據上述引線框架2及磁感應器（物理量感應器）31，於平 臺部7、9傾斜前之狀態下，自平臺部7、9露出而配置之磁 感應器晶片3、5與連結引線17之表面i7b之間形成有縫隙。 因此，即使磁感應器晶片3、5與連結引線17於厚度方向上 重疊，亦可防止於平臺部7、9及磁感應器晶片3、5傾斜時， 磁感應器晶片3、5與連結引線17之干擾（接觸），並可實現磁 感應器3 1之小型化。 又，傾斜之磁感應器晶片3、5之一部分可進入形成於連 104873.doc -20- 1280399 結引線17表面17b之凹部20。因此，無需使平臺部7、9相對 於連結引線17,於金屬製薄板厚度方向偏移過大長度，而 可防止磁感應器晶片3、5與連結引線17之干擾，並可使磁 感應器晶片3、5相對於框架部n較大地傾斜。因此，可實 現磁感應器3 1之薄型化。 再者，於上述實施例中，係於連結引線17中，自前端部 17a至中途部17d為止之部分形成凹部2〇，但並非限於此。 例如，亦可於連結引線17之表面17b的整體形成凹部，即， 使連結引線17之厚度尺寸薄於其他部分。 又，平臺部7、9係連結於連結用引線16或連結引線”， 但並非限於此。如圖14所示，平臺部7、9亦可連結於至少 具有扭曲部之連結用引線〗6。即，平臺部7、9可不連結於 與磁感應器晶片3、5之厚度方向重疊之連結弓丨線17。其中， 為於此情形下，亦可防止與磁感應器晶片3、5之干擾，較 好的是於連結引線17形成自其表面17b凹陷之凹部U。 此外，連結用引線16之扭曲部係連結於平臺部7、9之一 ^ ^ ^ . 9H, # ^ ^ ^ 可°又置於較之一端部7b、9b更偏離突出片19、21側之位置。 P使平至邛7、9旋轉之基準軸線L3亦可自平臺部7、9之 女而邛7b、9b向突出片19、21側偏移。 又，於突出片19、21之基端部形成有凹狀槽“，但並非 :匕右至J使突出片19、21相對於平臺部7、9容易彎 曲即可。即，亦可於突出片19、21之基端部，形成切口， 取代槽1 8。 104873.doc •21 - 1280399 再者，於上述第1及第2實施例中，接觸於薄片s之突出片 、21的刖端部19c、21c係藉由衝壓加工而形成。此突出 片19、21之前端部19c、21c若形成帶圓弧之形狀即可。即， 如圖15所示，亦可於前端部實施彎曲加工，以使突出片、 21剷端部之底面側成為帶凸狀圓弧之形狀。此彎曲加工乾、 好的是，如圖16所示，於使用金屬模具使突出片19、21相 對於平臺部7、9彎曲之同時進行。 又，實施上述彎曲加工時，如圖Π、18所示，亦可於突 出片19、21之前端部19卜21c之表面19a、2U或底面 21b實施光學蝕刻，使前端部19c、21c之厚度尺寸形成為薄 於其他部分。於此構造下，即可輕易彎曲前端部19卜2^。 此外，突出片19、21係形成於相互對向之平臺部7、9之 他端部7c、9c，但並非限於此。突出片19、21若至少突出 於平臺部7、9之底面7d、9d侧即可。 即，如圖19、20所示，亦可形成於使突出片“至料相互 •，向之平臺部7、9之他端部7c、％以及平臺部7、9之側端 部7e、9f。形成於同一平臺部7(9)之突出片41、42(43、44) 以互為90。之角度突出。 又，如圖21、22所示，亦可設置一對突出片45至48，其 形成於平臺部7、9之側端部以、7f、9e、9f，並自侧端部7e、 7f、9e、9f向兩個平臺部7、9排列之方向延伸。較好的是， 將幵y成於相同側端部7e，9e(7f，9f)側之突出片C，47(46， 48) ’於平臺部7、9之寬度方向排列配置。 此外，如圖23至28所示，亦可將平臺部7、9切斷呈大致c 104873.doc -22- 1280399 子狀，於矩形缺口部實施彎曲加工，形成突出片49至56。 於此構造中，如圖23、24所示，突出片49、5〇可突出於 平室部7、9之他端部7c、9c側。又，如圖25、％所示，突 出片51、52亦可突出於平臺部7、9之一端部几、外側。 此外如圖27、28所示，或使形成於相同平臺部7(9)之 兩個突出片53,54(55,56)以互為9〇。之角度而突出。此處， 使-方之突出片53、55突出於平臺部7、9之他端部Μ， 並使他方之突出片54、56突出於平臺部7、9之 9f 〇 於此等構造時，由於突出片49至56未向平臺部7、9之外 方延伸而形成，因此即使磁感應器晶片3、5或平臺部7、9 之面積增大，亦可實現磁感應器之進一步小型化。 如上所述，利用突出片19、21、41至56使平臺部7、9傾 二’可基於作為目標之各平臺部7、9的傾斜角度，藉由 而決定平臺部7、9、突出片19、21、41至56之各部 尺寸。 (t/2 + h0)+L4sinei = L5sin(180〇-ei-e2)...(i) 如圖29所示，於該式（1)中 表千$部7、9之厚度尺寸， h0表不自平臺部7、9傾 η之底面7d、9d為止之二： 之平臺部Η厚度方向之偏:量相對於連結摩 二直=示自基，Μ沿平臺部7、9之表面心 I至犬出片19、21、41至56之基端部為止之 平臺部長声。τς主-aw 1 ^ ^ ^ pm 自突“ 19、2卜41至56之基端部至 】04873.doc -23- 1280399 月"而部為止之突出片長度。再者，式⑴中突出片19、21、 41至56之基端部，表示平臺部7、9之底面^％與突出片 19 21、41至56之底面19b、21b、41b至56b交差之位置。 此外，ei表示平臺部7、9之底面7d、別相對於連結引線 17之底面17e之傾斜角度。又，Θ2表示突出片19、21、41至 56之底面19b，21b，仙至56b相對於平臺部7、9之底㈣、 9d之彎曲角度。 於式（1)中，（t/2+ h0)表示金屬製薄板厚度方向上自連結 引線17之底面17e至基準軸線L1、L3為止之距離，但由於 _相對於L1足夠小（L1 : t= 1〇 : 〇，因此對傾斜角度㈠或 彎曲角度Θ2之值無影響。 使用該式（1)，由突出片長度L5、彎曲角度们計算平臺部 長度L4，結果如下所示。再者，如下所示值均為假設傾斜 角度Θ1為15。、偏移量h〇為〇 mm，平臺部7、9之厚度丨忽略 不計（t= 0 mm)之結果。 例如，於圖19所示之引線框架，其使形成於同一平臺部 7(9)之突出片41、42(43、44)以互為90〇之角度突出，突出 片長度L5為〇·5 mm且彎曲角度Θ2為90。時，平臺部長产L4 為 1 ·87 mm 〇 又’於圖21所示之引線框架中，其具有一對突出片“至 48’該對突出片45至48自平臺部7、9之側端部化、& %、 9f向兩個平臺部7、9排列之方向延伸，當突出片長度以為 〇.7mm，彎曲角度02為12〇。時，平臺部長度L4gi 9imm。 此外，於圖23所示之引線框架中，其具有設置於平臺部 104873.doc -24- 1280399 了、9之内，並突出於平臺部7、 49、5〇, m县…“ 而部7c、9c的突出片 田大出片長度L5為0.5 mm，蠻A & 平臺部長度L4為1.37 _。 度Θ2為120。時’ 再者，如圖19、27所示之引線框架 有複數突出片41至44、53至56，當突；各平堂部7、9設 之平臺部長度L4各不相同時1至44、53至56 之突“長度^ ^出各突“41至 於上述實施例中，平臺部7、 徊廿斗 办成為俯視之大致矩形， 仁並非限於此。平臺部7、9 M o , 至少可使磁感應器晶 接者於表面7a、9a即可。即，平表 士、乇仏 1 十室部7、9例如可形 成為俯視之圓形、橢圓形，亦可 孔洞或網眼形狀。 ^成為貫通於厚度方向之 ^外’平臺部7、9利用突出柄至44、W使其傾斜， :並非限於此。若至少於磁感應器製造結束^，兩個磁 感應裔晶片3、5相互傾斜即可。 再者，如上述構造，於磁感應、5較之基準軸線 L3更加路出於連結引線i 7側之情形下，當傾斜平臺部 7、9時’磁感應器、晶片3、5將向靠近連結引線17之方向移 因此較好的疋於此傾斜時，磁感應器晶片3、5不接 觸連結引線17之方式’調整平臺部7、9表面％處磁感 w器曰曰片3 5之配置，並調整自平臺部7、9之一端部％、 9b露出之磁感應器晶片3、5的長度。 、又，如圖30所示，當平臺部7、9之一端部7b、9b較之基 準軸線LI、L3更加靠近連結引線i 7側之情形下，使平臺部 104873.doc -25- 1280399 7、9傾斜時，一端部几、9b將向靠近樹脂成型部27之下面 27a侧之方向而移動。因此，於此傾斜時，較好的是以平臺 部7、9之一端部7b、9b不接觸下面2乃之方式，調整沿平臺 部7、9表面7a、9a自基準軸線L1、L3至一端部几、％為止 之平臺部7、9之長度。 再者，如上所述，對於自平臺部7、9一端部7b、9b露出 之磁感應器晶片3、5的長度調整，亦適用於磁感應器晶片 3、5與連結引線17於厚度方向不重疊之情形。即，例如， 於磁感應器晶片3、5較之基準軸線LI、L3更加露出於引線 15側之情形下，當傾斜平臺部7、9時，磁感應器晶片3、$ 將向靠近連結引線27下面側27a側之方向而移動。因此，較 好的是於此傾斜時，以磁感應器晶片3、5之端部3c、兄不 接觸樹脂成型部27之下面27a之方式，調整沿平臺部7、9之 表面7a、9a自一端部7b、9b露出之磁感應器晶片3、5的長 度。 又’於上述實施例中，以互相平行之基準軸線L1、乙3為 中^ 使兩個磁感應晶片3、5分別傾斜’但並非限於此。 例如’亦可以相互垂直之基準軸線為中心，使兩個磁感應 器晶片3、5分別傾斜。此時，兩個磁感應器晶片3、5之互 相垂直之兩個感應方向（例如圖6中之A、D方向）形成平行於 樹脂成型部27之下面27a之平面，因此可高精度測定沿下面 2 7 a之磁性。 (第3實施形態） 以下，說明本發明之第3實施例。 104873.doc -26- 1280399 如圖31、32所示，引線框架1〇1具備··兩個平臺部1〇7、 109，該等用於配置形成价視矩形板狀之磁感應器晶片（物 理量感應器晶片）1〇3、105 ;框架部11卜其支持平臺部1〇7、 109 ;以及連結部119、121，其將各平臺部1〇7、1〇9與框架 部111連結。此等平臺部107、1〇9、框架部lu及連結部119、 121形成為一體。框架部}丨丨具備：矩形框部丨丨3，其以包圍 平臺部107、109之方式形成為俯視之矩形框狀；以及複數 引線11 5、11 7 ’其自此矩形框部113向内側突出。連結部 119、121將各平臺部107、1〇9與引線117(本實施例每3個為 一組）連結。 引線115、117係與磁感應器晶片1〇3、ι〇5之焊墊（未圖示） 電氣連接者，該等互相分開配置。兩個平臺部丨〇7、1 〇9沿 矩形框部113之一邊排列配置。連結於平臺部107、109之引 線117於兩個平臺部1〇7、1〇9之排列方向延伸。連結於各平 臺部107、1〇9之引線in於相向之方向延伸。 各平臺部107、109及連結部119、121包含由各引線117之 前端延伸出來之複數延長引線123、125，各延長引線123、 125互相分開。於互相對向之延長引線123、125之前端，形 成有突出於平臺部107、1〇9之突出引線127、129。此等突 出引線127、129與連結於各平臺部107、109之引線117形成 為一體。又，於平臺部1〇7、1〇9載置有磁感應器晶片1〇3、 105之狀悲下’突出引線127、129與磁感應器晶片103、105 不重疊。 此等延長引線123、125及突出引線127、129之表面123a、 104873.doc -27· 1280399 125a、127a、129a經光學餘刻，平臺部IQ?、109及連結部 119、121之厚度形成為較之引線117或下述突出片更薄之厚 度。 各延長引線123、125之表面123a、125a中，於相當於各 平臺部107、109之位置，分別配置薄片狀絕緣薄膜131、ι33 各1片’即’各絕緣薄膜131、133跨複數延長引線123、125 而配置。此絕緣薄膜131、133由電氣絕緣材料而形成。 此絕緣薄膜13 1、13 3之表面及底面，預先形成有接著層 (未圖示）。此接著層形成於絕緣薄膜13卜133之兩面，用於 接著平臺部107、109及磁感應器晶片103、1〇5。接著層具 有下述功能中任一者：接著後可再次黏貼之臨時接著功 月匕’或者接著後不可再次黏貼之永久接著功能。各絕緣薄 膜131、133黏貼於平臺部107、丨〇9。於此狀態不，可將磁 感應器晶片103、105經由絕緣薄膜131、133而接著於平臺 部 107、109之表面 123a、125a。 於互相對向之突出引線127、129之前端，分別形成有突 出於各延長引線123、125之底面123d、125d侧之突出片 135、137 〇 為使突出片135、137相對於延長引線123、125或突出引 線^7、139而彎曲，突出片135、137之基端部經光學蝕刻， 與平臺部107、109成為同等厚度。即，突出片135、137之 基端部形成為薄於其他部分而可變形。因此，可高精度設 定大出片135、137相對於平臺部1〇7、1〇9之傾斜角度。 下述’參照圖35說明使用上述引線框架101製造磁感應器 104873 .doc -28- 1280399 之方法。 首先，將磁感應器晶片103、105經由絕緣薄膜131、Π3 而接著於平臺部1〇7、109之表面123a、。繼而，將導 線138連接，使配置於磁感應器晶片103、1〇5表面之焊墊（未 圖示）與引線115、117電氣連接。又，一方磁感應器晶片1〇3 之丈干墊與犬出引線129之表面129a之間同樣地經由導線138 而連接’該突出引線129位於配置有他方磁感應器晶片ι〇5 之平臺部9側。 此時’同一引線117與兩個磁感應器晶片103、1〇5電氣連 接’但該引線117例如作為接地電極等，兩個磁感應器晶片 103、105共用之電極而使用。 再者’於平臺部107、109傾斜之階段，自磁感應器晶片 1 03、1 05之接合部分至引線115、11 7之接合部分之距離產 生變化，因此較好的是，該導線138之材質柔軟易彎曲。 繼而’形成將磁感應器晶片1〇3、1〇5、平臺部1〇7、109、 以及引線115、117 —體固定之樹脂成型部。 即，首先如圖33所示，於具有凹部E101之金屬模具E之表 面E1 02，配置引線框架1 〇 1之矩形框部丨丨3。此時，矩形框 部113内側之引線115、117、平臺部1〇7、109、磁感應器晶 片103、105、突出片135、137配置於凹部E 1〇 1之上方。又， 自凹部E101側朝向上方，依次配置有磁感應器晶片103、 105，平臺部107、109，以及突出片135、137。 於突出片135、137之上方，配置有具備平坦面1^0!之金 屬模具F，與上述金屬模具E共同夾住引線框架1〇1之矩形框 104873.doc -29- 1280399 部 113。 如圖34所示，藉由此等上下一對金屬模具E、F夾住矩形 框部113時，金屬模具F之平坦面F101按壓各突出片135、137 之前端部135a、137a。此時，連結於各平臺部1〇7、1〇9之 連結部119、121產生變形，以將各連結部119、121相互連 接之基準軸線L101為中心，使平臺部1〇7、1〇9相對於各引 線117傾斜。此處，連結部119、121藉由光學蝕刻形成較薄 之厚度，成為容易變形之易變形部，因此平臺部丨〇7、i 〇9 傾斜。藉此，磁感應器晶片103、1〇5與平臺部107、1〇9共 同相對於矩形框部113或平坦面F101，以特定角度而傾斜。 其後，於金屬模具F之平坦面F101按壓突出片135、137 之前端部135a、137a的狀態下，溶融樹脂射出至金屬模具 E、E内’並將磁感應器晶片1 〇3、105填入樹脂内部。因此， 如圖35、36所示，磁感應器晶片1〇3、1〇5於相互傾斜之狀 態下，固定於樹脂成型部141之内部。 再者，此處使用之樹脂較好的是，使用流動性較高之材 質’以使磁感應器晶片103、105及平臺部1〇7、1〇9之傾斜 角度不因樹脂流動而改變。 最後，將矩形框部113切落，分為各引線115、117，使其 電氣分離，至此，磁感應器140之製造結束。 以如上方式所製造之磁感應器140中，如圖36所示，具有 與第1實施例中之說明相同的磁感應器晶片103、1 〇5之配置 關係。此外，磁感應器140具有與第1實施例同樣之功能。 此外’於上述引線框架101及磁感應器140，磁感應器晶 104873.doc -30- 1280399 片103、105與平臺部1〇7、i〇9之間設置有絕緣薄膜13][、 133 ’故磁感應器晶片1〇3、ι〇5與連結於平臺部1〇7、ι〇9 之引線11 7電氣絕緣。因此，不僅可使用引線丨丨5，亦可使 用構成平臺部1〇7、109之引線117，藉由上述打線接合而將 磁感應器晶片1 〇3、1 〇5電氣連接。即，可增加可與磁感應 器晶片103、105電氣連結之引線數量，而不會導致因增加 引線115之數量而使引線框架1 〇丨之尺寸增大。 即，於第1實施例中，與平臺部7、9連結所使用之引線17 可用於本實施例中與磁感應器晶片103、105之電氣連接。 因此，相對於磁感應器晶片3、5，可執行更多輸入輸出， 結果可提供高功能之磁感應器40。 又，亦無需於框架部111另外設置與平臺部1〇7、1〇9之連 結專用引線。與設置連結專用引線之情形相比，可縮小包 圍平臺部107、109之框架部ni的尺寸，故可實現磁感應器 4 0的小型化。 又，一方磁感應器晶片103之焊墊與突出引線129之表面 129a之間接合有導線138，可將同一引線117電氣連接於兩 個磁感應器晶片103、105，上述突出引線129位於搭载他方 磁感應器晶片105之平臺部1〇9。藉此，可減少用於與磁感 應器晶片103、105電氣連結之引線117之數量，故可實現磁 感應器140之進一步小型化。 此外，當平臺部107、1〇9及磁感應器晶片1〇3、1〇5以基 準軸線L101為中心，相對於框架部ln傾斜時，一方磁感應 器晶片103之一端部103b與他方磁感應器晶片1〇5側之突出 104873.doc -31 - 1280399 引線129間的距離不會產生太大變化。因此，可使連接於突 出引線129之導線138形成為較短，因此可降低磁感應器140 之製造成本。 又’由於將平臺部107、1〇9及連結部119、121以與引線 Π7同樣形狀之延長引線123、125而形成，故可簡化引線框 架101之形狀。因此，可減小引線框架101或降低磁感應器 140的製造成本。 I 此外，使用具有接著層之絕緣薄膜131、133，將磁感應 器晶片103、105接著於平臺部1〇7、ι〇9之表面123a、125a， 故與先前塗布接著劑之情形相比，可易於提高接著層之厚 度精度。因此，即可抑制由於接著劑之厚度不均，而造成 磁感應器晶片103、105相對於平臺部1〇7、1〇9之表面123a、 125a之傾斜。 又，於平臺部107、1〇9與磁感應器晶片1〇3、1〇5之接著 時使用液狀接著劑狀態下，液體可能會滴落而附著於引線 _ 117和突出引線127、129之表面127a、129a。本實施例中， 因使用具有接著層之絕緣薄膜131、133，故接著劑不會附 著於引線117或突出引線127、129之表面。因此，可易於製 造磁感應器4 0。 再者，於上述實施例中，例示有藉由導線38而將連接於 平臺部⑽之引線117與搭载於其他平臺部iq7之磁感應器 晶片1〇3電氣連接，但並非限於此。例如，亦可如圖37、％ 所示，藉由導線139將：搭截於夂巫吉如 ^ ?口戰於各千臺部107、109之磁感應 器晶片103、1 05，與自同一孚烏都 十至4延伸之各突出引線126、 104873.doc -32- 1280399 128之間電氣連接。此等突出引線126、128形成於各延長引 線123、125前端之與磁感應器晶片1〇3、ι〇5不重疊之區域。 於此構造中，藉由打線接合將各突出引線126、128與磁 感應器晶片103、105電氣連接後，使平臺部107、109相對 於引線117傾斜時，各延長引線123、125與各突出引線126、 128之位置關係無改變。因此，可確實防止磁感應器晶片 103、105與突出引線126、128之間所連接的導線139變形。 因此’可預先縮短此導線139之長度，故可降低磁感應器之 製造成本。 又，物理量感應器晶片103、1〇5可與構成平臺部107、109 之複數突出引線126、128電氣連接，故可進一步增加可與 磁感應器晶片103、105電氣連接之引線數量。即，由於將 連接於平臺部107、109之複數引線117用於與各磁感應器晶 片103、105之電氣連接，故可實現磁感應器之進一步小型 化。 又’於上述第3實施例中，延長引線123、125全部作為平 臺部107、109而發揮功能，但亦可設置不發揮平臺部1〇7、 109功能之延長引線。 即，例如圖37、3 8所示，引線框架146具有第1引線143(與 圖31所示引線117同等），其連結於形成平臺部1〇7、ι〇9之 延長引線123、125。再者，引線框架146具有第2引線144， 其與引線143共同沿基準軸線L1 〇1而排列。於引線144形成 有自其前端延伸之鄰接引線145。 鄰接引線145與延長引線123、125大致平行地間隔配置， 104873.doc -33- 1280399 長度大約等於延長引線123加上突出引線126之長度。於鄰 接引線145之前端，形成有與突出片135、Π7同樣之突出片 147，該突出片135、137形成於突出引線126、128前端。此 鄰接引線145與延長引線123、125同樣地，可以基準軸線 L1 01為中心，相對於各第2引線〗44而彎曲傾斜。即，鄰接 引線145可以相同方向及傾斜角度傾斜於延長引線η〕、 125 〇 使用此引線框架146製造磁感應器時，首先藉由打線接合 將磁感應器晶片103、1〇5與鄰接引線145電氣連接。其後， 以金屬模具按壓突出片147，藉此使延長引線123、US及鄰 接引線145傾斜於同一方向。此時，鄰接引線45與延長引線 23、25之相對距離保持固定。即，可使此導線148之長度形 成為較短，而並不使電氣連接磁感應器晶片ι〇3、1〇5與鄰 接引線145之導線148變形。目此，可降低磁感應器之製造 成本。 又’由於鄰接引線145可以相同傾斜角度傾斜於平臺部 U)7、Η)9,故可於平臺部1〇7、1〇9搭載大於磁感應器晶片 103、105之晶片。即，更大之晶片可藉由鄰接引線⑷而支 持。因此’無需對應於磁感應器晶片之尺寸而改變引線框 架146之設計’故此引線框架146可廣泛使用。此時，較好 的是於磁感應器晶片與連結引線145之間亦設置絕緣薄膜 131 、 133 〇 此外’連結引線145與延長引線123、125形狀相同，故此 引線框架4 6容易製造。 104873.doc -34- 1280399 又’於上述實施例之引線框架146中，以互相平行之基準 轴線U 01為中心’將兩個平臺部107、109傾斜地設計，但 並非限於此。例如，如圖3 9所示，亦可以互相垂直之基準 轴線L1 0 1、L102為中心，將兩個平臺部1〇7、；1〇9傾斜地設 汁。於此構造中’形成各平臺部107、109之引線117互相垂 直。此時，兩個磁感應器晶片1〇3、1〇5之互相垂直之兩個 感應方向（A方向與C方向）配置於與樹脂成型部ι41之下面 141a相平行之平面，因此可高精度地測定沿下面ΐ4ι&之磁 性。 又’於圖39所示構造中，兩個磁感應器晶片丨〇3、1 〇5沿 矩形框部113—方之對角線L1〇3而排列。根據此構造，藉由 樹脂將平臺部107、1〇9、磁感應器晶片103、105以及引線 115、117—體成型時，溶融樹脂可順利流動。 即，使溶融樹脂流入藉由金屬模具E、F所形成之樹脂形 成空間’开> 成樹脂成型部14 i時，溶融樹脂自矩形框部1 i 3 之一方角部113a向他方角部113b側流入，因此平臺部1〇7、 109或磁感應器晶片1〇3、1〇5不會妨礙此溶融樹脂之流動， 上述矩形框部113位於與對角線L1〇3交叉之對角線L1〇4上。 因此，溶融樹脂可順利自一方角部丨13a到達他方角部 113b，故可確實防止樹脂充填之不良。又，亦可防止由於 溶融樹脂之流動，平臺部1〇7、109或磁感應器晶片ι〇3、1〇5 受到流體壓力，造成該等傾斜角度之變化。結果，亦可高 精度設定磁感應器晶片103、105之傾斜角度。 又’於此貫施例中’與形成平臺部1 〇7、1 之引線1工7 104873.doc -35- 1280399 共同排列之引線115之前端，可設置與圖37中說明之鄰接引 線145同樣的引線。 又，有例示使用表面及底面形成接著層之絕緣薄膜131、 133，但不考慮接著層厚度尺寸時不限於此，亦可使用接著 劑，將絕緣薄膜將平臺部107、1〇9及磁感應器晶片1〇3、1〇5 接著。 此外，突出片135、137、147並非限於形成於相互對向之 平臺部107、或鄰接引線145之端部，若至少突出於平臺 部107、109之底面123d、125d側即可。 又，平臺部107、109或鄰接引線145利用突出片135、137、 147而使其傾斜，但並非限於此。至少於磁感應器14〇製造 、、、口束之卩白#又，兩個磁感應器晶片1 、1Μ或隣接引線1Μ 採用其他方法而傾斜即可。 (第4實施形態） 自圖40至圖45表示本發明之第4實施例。此實施例之磁感 φ 應器（物理量感應器）與上述實施例同樣地，係藉由相互傾斜 之兩個磁感應器晶片而測定外部磁場之方向及尺寸者，並 且係使用引線框架製造而成者，該引線框架係對包含薄板 狀銅材等之金屬板實施壓制加工及蝕刻加工而形成。 引線框架201如圖40、41所示，具備··兩個平臺部2〇7、 2〇9,該等形成為俯視矩形板狀，用於配置磁感應器晶片（物 理量感應器）203、205;以及框架部2U，其支持平臺部2〇7、 209。此等平臺部207、209與框架部211形成為一體。框架 部2U包含··矩形框部213，其以包圍平臺部2〇7、2〇9之方 104873.doc -36- 1280399 式，形成為俯視大致正方形之框狀；複數引線215、216， 其自該矩形框部213之内側區域S201之各邊213a至2 13d垂 直突出於内側，以及連結引線（連結部）217，其自内側區域 S201之各角部213e至213h向内側突出。 引線215、216於内側區域S201之各邊213a至213d分別設 置複數根（圖中例示各7根）。引線2 1 5、216用於與磁感應器 晶片203、205之焊墊（未圖示）電氣連接而設。再者，為避免 此引線21 5、216與下述連結引線21 7之接觸，因此僅將其設 置於内側區域S201各邊213a至213d之中途部，而未設置於 各邊213a至213d之端部。内側區域S201之角部213e至213h 附近為未配置引線215、126之非設置區域S202至S205。 連結引線21 7係將平臺部207、209與矩形框部213連結之 吊線。連結引線217之一端部217a連結於位於各平臺部 207、209之一端部207a、209a之兩端的側端部。此處，各 平臺部207、209之側端部係指與排列兩個平臺部207、209 之方向相垂直之各平臺部207、209之端部。於連結引線217 之一端部217a，其側面設有凹狀缺口，形成為較之其他部 分更細。當各平臺部2〇7、209以軸線L201為中心彎曲傾斜 時’此缺口成為可易變形之扭曲部，上述軸線L2〇丨沿内側 區域S201相互平行之兩條邊213a、213c。 兩個平臺部207、209沿内側區域S201之一邊2 13d排列配 置。又，各平臺部207、209位於相對於引線215、216於金 屬製薄板（引線框）之厚度方向偏離之位置。平臺部2〇7、2〇9 之表面207b、209b以分別載置磁感應器晶片203、205之方 104873.doc -37- 1280399 式形成為俯視大致矩形狀。此等兩個平臺部207、209分別 配置於較之非設置區域S203、S204更加靠近非設置區域 S202、S205之位置，其表面207b、209b小於磁感應器晶月 203、205之載置面。 自鄰接於平臺部207、209—端部207a、209a之引線215之 前端部215a至中途部為止之表面215b上，藉由光學蝕刻形 成有凹部220。即，引線215之前端部215a形成之厚度薄於 位於矩形框部213側之引線215之基端部215c。 於平堂部207、209之他端部207c、209c，分別形成有突 出於平臺部207、209之底面207d、209d側之一對突出片 219、221。此專突出片219、221設為用以使平臺部207、209 傾斜。平臺部207之突出片219與平臺部209之突出片221相 互對向。為使各平臺部207、209穩定傾斜，較好的是增大 形成於各平臺部207、209之一對突出片219、221的相互間 隔。 又’為使各平臺部207、209之傾斜角度穩定，業者希望 增加一對突出片219、221之前端部之寬度。藉此，由於各 平臺部207、209傾斜時，受到按壓力之前端部面積變大， 因此應力緩和而可防止突出片219、221之變形，故平臺部 207、209之傾斜穩定。具體而言，若使一對突出片219、221 具有更寬之寬度即可，而非圖示之棒狀。或者亦可將各突 出片219、221之前端部彎折成矩形狀。 由於兩個平臺部207、209靠近内側區域同一邊 203d側而配置，因此位於與該邊2〇3d對向之邊2〇扑側之内 104873.doc -38- 1280399 側區域S201成為剩餘區域。於此剩餘區域，形成連結於連 結引線21 7之大致呈矩形狀之輔助平臺部223。 此輔助平臺部223如圖42所示，與平臺部207、209同樣 地，位於偏離金屬製薄板（引線框架201)厚度方向之位置。 輔助平臺部223形成有扭曲部217b以及一對突出部225，該 等用以使輔助平臺部223以與上述軸線L201垂直之軸線 L202為中心而傾斜。於此輔助平臺部223之表面223a，載置 有與上述相同之磁感應器晶片或加速度感應器晶片、溫度 感應器晶片、以及信號處理LSI等半導體晶片227。此半導 體晶片227與配置於其厨圍之引線216電氣連接。 其次，說明使用上述引線框架20 1製造磁感應器之方法。 如圖40至圖42所示，首先將磁感應器晶片203、205及半 導體晶片227接著於平臺部207、209及辅助平臺部223之表 面207b、209b、223a。各磁感應器晶片203、205以其各邊 平行於内側區域S201之各邊213a至213d之方式，靠近非設 置區域S202、S205而配置。又，各磁感應器晶片203、205 由平臺部207、209之表面207b、209b露出，但此露出部分 之配置方式為：，其與設置於内側區域S201之邊213a、213c 的複數引線215、216中，位於非設置區域S202、S205側之 複數引線21 5(圖中例示4根）重疊。如圖41所示，平臺部2〇7、 209相對於引線21 5偏離金屬製薄板（引線框架2〇1)之厚度方 向，因此磁感應器晶片203、205與引線21 5未接觸。 各磁感應器晶片203、205配置於自引線215前端部215a 至中途部之區域，該區域藉由上述光學蝕刻形成較薄之厚 104873.doc -39- 1280399 度。又，各磁感應器晶片203、205以與引線216不重疊之方 式配置，該引線216沿平臺部207、209之排列方向（邊213d) 而排列。 其次，將磁感應器晶片203、205及半導體晶片227之表面 所配置之烊墊（未圖示），以及與磁感應器晶片203、205不重 璺之引線216 ’藉由導線（未圖示）而電氣連接。再者，於使 下述平臺部207、209及辅助平臺部223傾斜之階段，磁感應 器晶片203、205及半導體晶片227之接合部分、以及引線216 之接合部分的位置關係會產生變化，故較好的是此接線材 質柔軟易彎曲。 繼而，形成將磁感應器晶片203、205、半導體晶片227、 平臺部207、209、辅助平臺部223以及引線215、216固定為 一體之樹脂成型部（封包）。 即，如圖43所示，於具有凹部E201之金屬模具E之表面 E202，配置引線框架201之矩形框部213。此時，矩形框部 2 13内側之引線21 5、216、平臺部207、209、磁感應器晶片 203、205、以及突出片219、221配置於凹部E201之上方。 即，於此狀態下，磁感應器晶片203、205，平臺部207、209， 突出片219、221自凹部E2〇l朝向上方側依次配置。 於突出片219、221之上方，配置有具有平坦面F2〇i之金 屬模具F，與上述金屬模具E共同夾住引線框架201之矩形框 部 2 1 3。 如圖44所示’若此等一對金屬模具£、ρ夾住矩形框部21 3 時’則金屬模具F之平坦面F201按壓各突出片219、221。藉 104873.doc -40- 1280399 由此按壓力，連結引線21 7之一端部217a以軸線L201為中心 扭距，而使平臺部2 〇 7、2 0 9傾斜。此時，對向於引線2 1 5 表面215b之磁感應器晶片203、205之一端部2〇3a、205a進 入凹部220。藉此，磁感應器晶片203、205與平臺部207、 209共同相對於矩形框部213或平坦面F2〇1，以特定角度傾 斜。 輔助平臺部223，其與平臺部207、209同樣地，因金屬模 具F之平坦面F2〇l按壓突出片225，故相對於矩形框部21 3 或平坦面F201，以特定角度傾斜。 其後，於金屬模具F之平坦面F201按壓突出片219、221 之狀態下’溶融樹脂射出至由金屬模具E、F之凹部E2〇 1及 平坦面F201所形成之樹脂形成空間。藉由此溶融樹脂，形 成將磁感應器晶片2 0 3、2 0 5填入樹脂内部之樹脂成型部。 當樹脂固化時，如圖45至47所示，磁感應器晶片203、205 於相互傾斜之狀態下，固定於樹脂成型部（封包）229之内 部。此處使用之樹脂較好的是流動性較高之材質，以便使 磁感應器晶片203、205及半導體晶片227之傾斜角度不會因 樹脂流動而變化。 最後’將矩形框部213切落，使引線215、216及連結引線 2 17各自分開，至此，磁感應器23〇之製造結束。 採用如上方法所製造之磁感應器23 0之樹脂成型部229， 其形成與上述矩形框部213同樣之俯視大致矩形狀。引線 215、216自内側區域S2〇1之各邊2293至229§向樹脂成型部 229之内側延伸，該内側區域S201藉由樹脂成型部229所劃 104873.doc •41 - 1280399 分。此等引線215、216未設置於位於内側區域S201之角部 之非設置區域S202至S205。 引線216之底面216a露出於樹脂成型部229之下面229a 側。此等引線216之一端部藉由金屬製導線（未圖示）而電氣 連接於磁感應器晶片203、205及半導體晶片227，彼等連接 部分及導線填入於樹脂成型部229之内部。 參照圖46可知，磁感應器晶片203、205及半導體晶片227 _ 相對於樹脂成型部229之下面229a傾斜。相互對向之磁感應 器晶片203、205之他端部203b、205b面朝向樹脂成型部229 之上面2 2 9 c側。磁感應器晶片2 0 3之表面2 0 3 a以磁感應器晶 片205之表面205a為基準，銳角傾斜。即，平臺部207相對 於平臺部2〇9之角度Θ為銳角。 因此，磁感應器晶片203、205之感應方向與使用圖7說明 之本發明第1實施例相同。此外，A_B平面相對於c_d平面 所形成之角度Θ，理論而言，若大於〇。且為9〇。以下，即可 _ 測定三維地磁方位，但實際上與第1實施例同樣地，較好的 是20。以上，更好的是3〇。以上。 此磁感應器330與第1實施例之磁感應器3〇同樣地，例如 可搭載於攜帶終端裝置内之基板，檢測出地磁方位。 根據上述引線框架201及磁感應器23〇，磁感應器晶片 203、205之一部分與引線215重疊配置，故可實現磁感應器 230之小型化。 又，磁感應器晶片203、205分別靠近内侧區域之一個角 部，即非設置區域S202、S205，僅與自内側區域82〇1之一 104873.doc •42- 1280399 邊213a、213c突出之引線15重疊配置。因此，與於内側區 域S201之一邊213a、213c之中央部配置平臺部2〇7、2〇9或 磁感應器晶片2 0 3、2 0 5之情形相比，與磁感鹿晶片2 〇 3、 205重疊之引線數量減少。因此，無需改變相對於矩形框架 213之引線215、216之配置’即可充分確保可與磁感應器晶 片203、205電氣連接之引線216之數量。因此，相對於磁感 應器晶片203、205，可進行眾多信號之輸入輸出，故可提 供高功能之磁感應器230。 此外，由於無需改變相對於矩形框部213之引線21 5、216 之配置’因此可容易製造低成本咼功能之磁感應器〇。 又’由於將兩個平臺部207、209或磁感應器晶片203、205 靠近於内側區域S201之同一邊213d、229g而配置，故可於 矩形框部2 13内側區域S201之剩餘區域另行配置辅助平臺 部223或半導體晶片227，因此可不改變矩形框部213或樹脂 成型部229之尺寸’即可提供更高功能之磁感應器23〇。 又’傾斜之磁感應器晶片203、205可填入形成於引線215 之表面2l5b之凹部220，故無需對引線215延長金屬製薄板 厚度方向上平臺部207、209偏移之長度，即可防止磁感應 器晶片203、205與引線21 5之接觸，以此可使磁感應器晶片 203、205相對於框架部211較大傾斜。因此，亦可實現磁感 應器23 0之薄型化。 再者’於上述實施形態中，係於輔助平臺部223設置突出 片225 ’但並非限於此。使辅助平臺部223至少於形成樹脂 成型部29之前，相對於框架部丨丨傾斜即可。 104873.doc -43- 1280399 又，輔助平臺部223當所載置之半導體晶片227係溫度感 應器晶片或信號處理LSI時，無需將其傾斜。此時，無需突 出片225及連結引線217。 其次，參照圖48,說明本發明之第5實施例。再者，此第 5實施例之引線框架及磁感應器與第4實施例相比，平臺部 及磁感應器晶片相對於框架部之位置不同。此處，僅就平 臺部與磁感應器晶片之配置加以說明，與引線框架2〇1或磁 感應器2 3 0之構成要素相同之部分附以相同符號，省略該說 明。 於此實施例之引線框架23 1及磁感應器中，兩假平臺部 207、209及磁感應器晶片203、205於内侧區域S201之對角 線L203上排列配置。各平臺部207、209靠近位於對角線L203 上之角部，即非設置區域S202、S204而配置。 使用此引線框架231製造磁感應器時，由與第4實施例同 樣之金屬模具夾住矩形框部213之狀態下，將溶融樹脂射出 至藉由金屬模具E、F之凹部E201及平坦面F201所劃分之樹 脂形成空間，形成將磁感應器晶片203、205填入樹脂内部 之樹脂成型部229。此溶融樹脂由閘門Μ射出，流向位於該 一方角部213h之對角的他方角部213 f側，該閘門Μ設置於矩 形框部213之一方角部21311，該矩形框部213位於矩形狀内 側區域S201中與一方對角線L2〇3交叉之他方對角線L204 上。 再者，上述樹脂形成空間相當於藉由樹脂成型部229所劃 分之内側區域S201。 104873.doc -44- 1280399 根據上述引線框架231及磁感應器，與第4實施例同樣 地，可實現磁感應器之小型化，並且可容易製造低成本高 功能之磁感應器。 又，由於平臺部207、209或物理量感應器晶片203、205 並未位於一方角部213h與他方角部213f之間，故於形成樹 脂成型部229時，可防止平臺部207、209及物理量感應器晶 片203、205妨礙溶融樹脂之流動。因此，樹脂形成空間内 難以形成無樹脂之部分。尤其，自閘門Μ流入樹脂形成空 間之樹脂，很容易即可由閘門Μ到達最遠位置之他方角部 S203 〇 此外’亦可防止由於流入樹脂形成空間内之樹脂流動， 使平臺部207、209或物理量感應器晶片203、205受壓，由 此造成該等傾斜角度之突然變化。因此，可高精度設定物 理篁感應器晶片2 0 3、2 0 5之傾斜角度。

再者，於上述第4、第5實施形態中，連結引線2丨7之扭曲 部連結於平臺部207、209之一端部2〇7a、2〇%侧，但並非 限於此。扭曲部亦可配置於較之一端部2〇乃、2〇%更偏移 突出片219、221側之位置。即，亦瓦说丁士 且 1 处可使平臺部207、209旋 轉之軸線L201由平臺部207、209之一姓都”，ΟΛΠ ^ ^ 〜 鸲部207a、209a向突 出片219、221側偏移。 此外，有例示將一對突出片2 1 9、μ ,…1 全 221形成於各平臺部 207、209，但並非限於此。即，亦 j於各平臺部207、209

僅形成一個突出片，使此突出片形成A 力乂马寬於平臺部207、209 之半幅寬度的同等寬度。於此構造中 T ’各平臺部207、209 104873.doc -45- 1280399 傾斜時，受到按壓力之突出片前端面之面積變大，故可防 止由於應力缓和所產生之突出片變形。因此，可穩定平臺 部207、209之傾斜角度。 此外，與第1及第2實施例中之說明同樣地，若突出片 219、221至少突出於平臺部207、209之底面207d、209d即 可。 進而，若平臺部207、209至少於形成樹脂成型部229之前 相互傾斜即可。 又，平臺部207、209例如可形成為俯視之圓形、橢圓形， 亦可形成為貫通於厚度方向之孔洞或網眼形狀。 此外，可將磁感應器晶片203、205、平臺部207、209及 引線21 5、2 16收納於作為封包之箱體内部，將其固定為一 又，兩個磁感應器晶片203、205亦可沿樹脂成型部229 之下面229a，以互相垂直之軸線為中心而傾斜。 進而，於上述第1至第5實施例中，係就檢測三維空間内 磁性方向之磁感應器作為物理量感應器進行說明，但並非 限於此。物理量感應器若係至少測定三維空間内之方位或 方向之感應器即可。即，物理量感應器亦可為例如加速度 感應器’其搭載有檢測加速度尺寸或方向之加速度感應器 晶片。 上述’參照圖式對本發明之實施例進行詳細說明，但具 體構造並非僅限於此等實施例，於不脫離本發明要旨之範 圍内，可進行設計變更。 104873.doc -46- 1280399 [產業上之可利用性；j 本發明可適用於測定磁及重力等物理量之方位及方向的 物理里感應器，並可實現該等物理量感應器之小型及薄型 化。 【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明之第1實施例之引線框架的平面圖。 ▲圖2係表示將磁感應器晶片搭載於圖丨所示引線框架之狀 態的側剖面圖。 圖3A係表示圖丨所示引線框架之突出片的放大側面圖。 圖3B係表示圖丨所示引線框架之突出片的放大剖面圖。 圖3C係表示圖！所示引線框架之突出片形成方法的放大 剖面圖。 圖4係表示於圖丨所示引線框架中，使平臺部傾斜之方法 的側剖面圖。 圖5係表示於圖丨所示引線框架中’使平臺部傾斜之方法 的側剖面圖。 圖6係表示使用圖m示引線框架所製造之磁感應器的平 面圖。 圖7係圖6所示磁感應器之側剖面圖。 圖8係表示本發明之第1實施例φ 貝她例中連結引線之變形例的側 剖面圖。 圖9係表示本發明之第i實施例中連結引線之其他變形例 的側剖面圖。 圖1〇係表示使用圖！所示引線框架所製造之磁感應器之 104873.doc -47- 1280399 其他例的平面圖。 圖11係表示本發明之第2實施例之引線框架的平面圖。 圖12係表示將磁感應器晶片搭載於圖11所示引線框架之 狀態的侧剖面圖。 圖丨3係表示使用圖^所示引線框架所製造之磁感應器的 側剖面圖。

圖14係表示使用本發明之第2實施例變形例之引線框架 之磁感應器的側剖面圖。 圖15係表示本發明之第1及第2實施例中突出片之變形例 的側剖面圖。 圖係表示圖15所示突出片之彎曲加工的側剖面圖。 圖17係表示本發明之第1及第2實施例中突出片之其他變 形例的側剖面圖。 圖8係表不本發明之第1及第2實施例中突出片之此外复 他變形例的側剖面圖。 一 ^ 系表示本發明之第丨實施例中突出片之第丨變形例的 圖2〇係表示將磁感應器晶片搭載於 狀態的側剖面圖。 圖19所示引線框架 之 變形例的 。^表示本發明之第1實施例中突出片之第2 平面圖。 圖22係表示將磁感應器晶片搭載 狀態的側剖面圖。 y線框力木之 之第3變形例的 圖23係表示本發明之第1實施例中突出片 104873.doc -48- 1280399 平面圖。 圖24係表7F將磁感應n晶片搭載於圖23所 狀態的侧剖面圖。 木之 圖25係表示本發明之第1實施例中突出片之第4變形例的 平面圖。 圖26係表不將磁感應器晶片搭載於圖25所示引線框架之 狀態的側剖面圖。 圖27係表示本發明之第1實施例中突出片之第5變形例的 平面圖。 圖28係表示將磁感應器晶片搭載於圖27所示引線框架之 狀態的側剖面圖。 圖29係表示本發明實施例之引線框架之各部尺寸的概略 側面圖。 圖Μ係表示本發明之實施例之磁感應器的側剖面圖。 圖31係表示本發明之第3實施例之引線框架的平面圖。 圖32係表示將磁感應器晶片搭載於圖3丨所示引線框架之 狀態的側剖面圖。 圖33係表示於圖3 1所示引線框架中，使平臺部傾斜之方 法的側剖面圖。 圖34係表示於圖31所示引線框架中，使平臺部傾斜之方 法的側剖面圖。 圖35係表示使用圖31所示引線框架所製造之磁感應器的 平面圖。 圖3 6係表示圖3 5所示磁感應器之側剖面圖。 104873.doc -49- 1280399 圖37係表示將磁感應器晶片搭載於本發明第3 變形例的引線框架之狀態的平面圖。 轭例之 圖38係圖37之G-G線箭頭方向剖面圖。 圖39係表示本發明p實施例之其他變形例之引線框加 的平面圖。 ^ 圖40係表示本發明第4實施例之引線框架及磁感應器的 平面圖。 圖41係圖40之G-G線箭頭方向剖面圖。 圖42係圖40之H-H線箭頭方向剖面圖。 圖43係表示於圖40所示引線框架中，使平臺部傾斜之方 法的側剖面圖。 圖44係表示於圖40所示引線框架中，使平臺部傾斜之方 法的側剖面圖。 圖45係表示使用圖40之引線框架所製造之磁感應器的平 面圖。 圖46係圖45之Ι·Ι線箭頭方向剖面圖。 圖47係圖45之J-J線箭頭方向剖面圖。 圖48係表示本發明第5實施例之引線框架及磁感應器的 平面圖。 【主要元件符號說明】 1 ’ 2，101，142， 引線框架 146 ， 201 ， 231 3，3，103，105， 磁（物理量）感應器晶片 203 ， 205 104873.doc -50-

1280399 7 ， 9 ， 107 ， 109 ， 207 ， 209 11 ， 111 ， 211 15 ， 115 ， 117 ， 215 ， 216 16 ， 17 ， 217 119 ， 121 30 ， 31 ， 140 ， 230 131 ， 133 平臺部 框架部 引線 連結引線 連結部 磁感應器（物理量感應器） 絕緣薄膜 104873.doc -51 -

Claims (1)

1280399 十、申請專利範圍： i 一種引線框架，其係包含金屬性薄板者，且具備： 至少兩個平臺部，其裝載有物理量感應器晶片，具有 小於上述物理量感應器晶片之載置面之面積； 矩形框架部，其包圍上述平臺部； 後數引線’其自上述框架部向上述平臺部方向延伸， 配置於上述平臺部之周圍，且包含連結上述框架部與上 述各平臺部之連結引線；及 易變形部’其形成於上述連結引線，藉由變形使上述 平臺部傾斜； 上述物理量感應器晶片使上述載置面於上述框架部之 厚度方向與上述平臺部及上述複數引線之一部分重疊而 載置。 且 2·如請求項丨之引線框架，其中上述連結引線係排列於上述 框架部之一邊之上述引線，於該連結引線之中途部形成 易變形部，其以基準軸線為中心，用以使上述平臺部相 對於上述框架部傾斜。 3.如請求項2之引線框架，其中上述連結引線具有位於上述 中途部至上述平臺部之間的前端部及較上述中途部離開 平臺部而設置的基端部，上述平臺部與上述前端部配^ 於相對於上述基端部而於上述金屬製薄板厚度方 * 偏離 之位置。 4. 如請求項2之引線框架，其中位於上述中途部至、、，士 / 上述平臺 部之間的上述連結引線之表面，與上述平喜 丁至哔之表面共 104873.doc 1280399 同形成同一平面。 5· ^青求項^之引線框架，其中上述連結引線於通過上述平 臺部中心之中心軸線之線對稱位置，自各平臺部突出一 對而連結於上述框架部，並且具有可變形之扭曲部作為 上述易變形部’該扭曲部及上述平臺部配置於相對於上 述引線於上述引線框架厚度方向偏離之位置。 6.如請求項5之引線框架，其中於上述平臺部表面載置有上 述物理量感應器晶片之狀態下，於對向於上述物理量感 應=阳片之上述引線之表面，形成有於上述金屬製薄板 之厚度方向凹陷之凹部。 如明求項1之引線框架，其中進而具有包含絕緣材料之薄 片狀、、、邑緣溥膜，其設置於載置上述物理量感應器晶片之 上述平臺部之表面。 8·如請求項7之引線框架，其中於上述至少兩個平臺部之一 方平室部’形成有朝向他方平臺部突出之突出引線。 9·如巧求項7之引線框架，其中上述平臺部及上述連結引線 匕έ延長引線’其自連結於上述平臺部之各引線之前端 延伸。 1〇·如請求項9之引線框架，其中 上述平臺部由複數上述延長引線所形成； 於上述延長引線之前端形成有突出引線，其配置於不 與上述物理量感應器晶片重疊之區域。 11.如請求項7之引線框架，其中 上述複數引線具備··第1引線，其經由上述連結引線連 104873.doc 1280399 結於上述平臺部；及第2引線，其與上述第⑶線共同排 列於沿上述基準軸線之方向； 於上述第2引線’形成有自其前端越過上述基準轴線而 延伸之鄰接引線； 上述鄰接引、線，其與上述平臺部並排酉己置於沿上述基 準軸線之方向，且可以上述基準軸線為中心，相對於I 述框架部傾斜所形成。 鲁12.如請求項7之引線框架，其中於上述絕緣薄膜之表面及背 面形成有接著層。 13.如請求項！之引線框架，其中各上述平臺部配置於上述引 線框架内側區域之較其他角部更接近一個角部之位置， 磁感應器晶片以僅與引線框架一邊所設置之複數引線重 疊的方式配置。 14·如請求項13之引線框架，其中 上 述矩形框架部形成為俯視大致正方形狀 • 上述兩個平臺部沿上述内側區域同一邊而配置。 15.如請求項13之引線框架，其中上述兩個平臺部配置於上 述内側區域之對角線上。 •封包，其形成為俯視大致 ’其傾斜固定於上述封包之 16· —種物理量感應器，其具備 矩形狀；物理量感應器晶片 内部，俯視大致矩形狀；及複數引線，其自由上述封包 所劃分之俯視大致矩形狀之内側區域的各邊向上述封包 内側突出，並且自上述封包之下面露出於外方；u 於上述内侧區域之角部，形成有不配置上述引線之不 104873.doc 1280399 設置區域； 上述物理量感應器晶片以其一邊沿上述内側區域之一 邊的方式，覆蓋於上述不設置區域，並於上述封包之厚 度方向，僅與排列於上述内側區域之一邊的上述引線重 疊而配置。 一種物理量感應器，其具有：平臺部，其載置物理量感 應器晶片；複數引線，其配置於上述平臺部之周圍，且 包含與上述平臺部連結之連結引線；易變形部，其形成 於上述連結引線，藉由變形而使上述平臺部傾斜；物理 量感應器晶片，其載置於傾斜之上述平臺部，並使端部 與上述複數引線之-冑分重疊而配置於上述引線之厚度 方向；及成型樹脂’其將上述平臺部、上述複數引線以 及上述物理重感應晶片一體固定。

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