TWI272566B - Semiconductor device and display device - Google Patents

Description

1272566 九、發明說明： 【發明.所屬之技術領域】 導體裝置中的電路配線 本發明是關於顯示裝置等之半 圖案之缺陷修復。 【先前技術】 屬於半導體裝置之一種的例如顯示裝置中，有— 各像素設有絲驅動顯示元件之薄膜電晶體（ThinF此種在 ―、以下稱為TFT)等的所謂主動矩陣型顯 已為眾所週知。其中，使用液晶作為顯示元件的主動矩 型液晶顯示裝置（以下稱為LCD)，已經運用在電 及電視螢幕等許多的高度精細顯示裝置中。這 = 型液晶裝置’從顯示品質之提升及產率提陣 看，各像素的TFT或顯示元件的元件本身、以及對丄 件供應電力/資料的配線等之電路配線圖案，最好是可以广 有缺陷的方式製得。 4又 然而，貫際上，隨著顯示器的更高度精細化以及大畫 面化，亚無法避免像素數量的增加及積體度的增大，因而 無法完全防止TFT或配線中缺陷的產生。如果要將一片基 板（一個面板）中的這些元件或配線等的配線圖案有產生缺 陷的面板全部丟棄，將會導致產率的顯著下降、以及製造 成本的顯著上升，因此須進行將缺陷修復成為良品的作業。 上述主動矩陣型液晶顯示裝置中的缺陷，在過去，是 於片基板形成原本要形成的幾乎所有電路元件之後，才 遥擇各像素進行顯示動作以判斷缺陷。 6 316159 1272566 但是，-個像素中包含有至少一個TFT、用來保 料的保持電容、以及像素電極等，只是觀察顯示元件田二 驅動之顯示情況、或是電極之電位，常常無法確定：: 陷的原因0而且，在姑dr ! , 、 I纟缺^域上，有時也會有因為已形成 其他电路而無法進行物理性修復的情況。 、因此，主動矩陣型液晶顯示裝置之製作，可考慮在完 成各像素之前，具體而言，在將液晶填入在兩片基板之： 亚將其貼合而構成LCD前的TFT基板完成時刻，檢查此 TFT基板上所形成的TFT 1及驅動/控制此抓的掃描 配線（閘極配線）、資料配線等中的斷線或短路等之缺陷， 並加以修復的方法。這種TFT基板缺陷的檢以修復，從 保護電路元件免於靜電影㈣的觀點來看，至少是在 膜覆蓋TFT中最上層的配線層之後才實施。 、、 化種TFT基板之斷線修復方法，可考慮所謂CVD修 復（C VD repair)的方法。cν〇修復是在如第丨〇圖⑷所示^之 原本^應錢接的配線斷線的情況下，於覆蓋配線的絕緣膜 、藉由CVD法遥擇性地沈積修復用導電性材料的圖案， ㈣接斷線部分°更具體而言，是如第10圖⑻所示，在 巴、彖層所復盍的g己線之斷線部分（缺損缺陷部分）前面，分 用田㈣成貫穿層間絕緣層的接觸孔，使配線露出在 氏=然後，如第10圖⑷所示，在原料氣體MG中，利 :田^光束知描接觸孔之間，也就是斷線部分，藉此描繪 出任意之修復配線圖案rl。 【發明内容】 316159 7 1272566 (發明所欲解決之課題） 採用上述CVD修復時，便可對TFT基板以高自由度 確實連接斷線部，但由於是使用與構成配線的導電材料不 同的修復用材料來形成修復圖案，因此在連接部分會產生 較大的電阻成分。而且，由於是在覆蓋配線的絕緣膜形成 接觸孔，並在絕緣膜上面形成修復用材料圖案，因此比起 沒有斷線的配線，至少會增加絕緣膜厚度的兩倍份量的配 線長度，因而配線電阻變大的情形難以避免。 此外，斷線之修復是利用修復用材料圖案僅連接斷線 的部分，而且係如上述方式在覆蓋配線的絕緣膜中形成接 觸孔，並在絕緣膜上形成修復用材料圖案，因此在修復部 位比起沒有斷線的配線部分就會在局部產生大凹凸部。 本發明係針對上述課題而提供一種可確實修復屬於缺 才貝缺陷的斷線且可抑制配線電阻增大的技術。 (用以解決課題之手段） 本叙明之半導體裝置，是在形成於同一基板上且彼此 設定成同一電位的複數個配線圖案的缺損缺陷部分中，使 ^損端部彼此間、以及與發生前述缺損缺陷的配線圖案相 鄰的配線圖案與前述缺損部分，藉由修復用導電材圖案相 互連接。 本發明之其他樣態，是在上述半導體裝置中，前述配 線圖案是對形成在前述基板上的複數個像素供應電流的配 線。 本發明之其他樣態，是在上述半導體裝置中，前述複 8 316159 1272566 臂 . 是由絕緣膜覆蓋，前述修復用導電材圖宰是 二由开/成在别述絕緣膜的接觸孔，而與露出在套案疋 底面的前述配線圖案電性連接。 μ妾觸孔之 本發明之其他樣態，是在上述半導體 =:材圖案是從前述絕緣膜上對前述缺損二= 的=== = 中…田雷射光束而形成於掃描執跡的圖案。 本發明之其他樣態的顯示裝置 ^ !：：;;：rr«；KA^ 缺：二!個配線圖案’在前述配線圖案的缺損 r的丙： 缺知端部彼此間、以及與發生前述缺損缺 ㈢的配線圖案相鄰的配線圖案與前 、、 的修復用導電材圖案而連接。 错由早- 個像素分別再：：Γ:，疋在上述顯示裝置中’前述複數 前、水有來使前述顯示元件動作的開關元件， 由二 =案是與對應的前述開關元件連接，且經 圈：：：：將電流供應至前述顯示元件的電流供應配線 =二h該電流供應配線圖案形成絕緣膜，而在該絕 、、彖胺上方配置有前述顯示元件。 元件2=他樣態’是在上述顯示裝置中，前述顯* 件疋具有有機層的有機電場發光元件。 本發明之其他樣態，是在上述半導體裝置及顯 中’前述純料電㈣案是由保護膜覆蓋。 本發明之其他樣態’是在上述裝置中，前述保護膜是 316159 9 1272566 * » 在沈積形成前述修復用導電材圖崇夕效^ 士 謂’之相續沈積形成 護膜。 1木 (發明之效果） 如以上所說明，根據本發明，對於形成在主動矩陣型 顯示裝置、及其他半導料置中的薄膜電晶體及這此裝置 所需的配線所產生的斷線(缺損、缺陷)，能以低配線電阻 並且維持上層的平坦性而形成修復用導電材圖案（修復配 線）〇

態（以 【實施方式】 以下’根據圖面來說明用以實施本發明之最佳形 下稱為實施形態）。 [實施形態1] 一本發明貫施形態！之顯示裝置特別適用在各像素且有_ 顯示元件及驅動此顯示元件的TFT的主動矩陣型顯示裝· 置，以下舉出於顯示元件中使用電場發光 (Electr〇luminescence ••以下稱為el)元件並且在各像素 具有有機EL元件及用來控制/驅動此有機EL元件的啊_ 的主動矩陣型EL顯示裝置為例子來加以說明。 又“在主動矩陣型顯示裝置中，使用EL元件，尤其使用 务光材料為有機材爿的有冑EL元件的主動矩陣型顯示裝 置士自發光形式，不需要光源，因此比起LCD等可實現更 為4型的顯7F裝置’目前研究正盛行。 。此有機EL兀件是一種所謂電流驅動型顯示元件，其 可因應在介著包含發光性有機材料之有機層而形成的陽極 10 316159 1272566 • , 間：流通的電流而發光。·，有機el顯示裝 用來將電流供應至設在各像素之有機肛元件的 :::〜用配線’比起例如交流驅動液晶的電壓驅動型液 ::、=置中供應至各像素的電流量在此電流供應用配線 量’仍為非常大的值。如上述，由於流通在配 、求9里大，因此即使配绩雷 M史配、，果电阻稍稍杨，也會發生很 =的电壓降’以致有機肛元件的發光亮度在像素間會產 =顯的不均。因此，即便修復了斷線，盡可能降低該斷 線修设部分之電阻，亦極為重要。 另外，在有機EL顯示裝置中，基於包含陽極與陰極 層間的發紐有機材料的有機層㈣薄，而且㈠久性還 有报大的問題等理由，有機層的形成表面必 且平滑狀態。 另-一方面，主動矩陣型有機EL顯示裝置中，關於有 機EL兀件對於半導體製程的财受性也有許多問題，最好 在形成有機EL元件之前（有機EL元件的下層）先形成τρτ 及配線。而且’關於TFT及配線之缺陷的修復，也是在有 機EL元件形成前執行較為容易且確冑，以免形成在i上 層的配線或電極等成為修復的妨礙。因此，本實施形態是 在基板上形成TFT及配線之後，在有機EL元件形成前， 執行缺陷檢查及缺陷修復，藉此使產品的產率提升，但由 於在缺陷修復之後要在其上方形成有機EL元件，因此一必 須盡可能縮小缺陷修復部分的凹凸情形，並且使其上方的 有機EL元件的形成面成為平坦狀態。 316159 11 1272566 • ·. 第1圖是本實施形態之主動矩陣型有機EL顯示 , 的概略電路構成。第2圖是第丨_示之主動轉/ EL顯示裝置的-個像素中’與電源線124連接的第2薄膜 電晶體Tr2、以及與此薄膜電晶體加連接的有機el元件-的概略剖面構造。在玻璃等構成的透明基板1〇上开 - 有由複數個像素排列成矩陣狀的顯示部1〇〇，在夂像素八 別設有有機EL元件（EL)50;按各像素控制此有機扯元刀 50之發光所需的開關兀件（在此為薄膜電晶體：tft);以 及用來保持顯示貢料的保持電容C s c。 馨 第1圖的例子中，在各像素形成有第1及第2薄臈命 晶體Trl、Tr2，其巾Trl是連接於掃描線（間極線川*，= 加掃描訊號而受到0Ν控制時’因應施加於對應之資料線 122的顯示内容的電壓訊號就會經由τη施加於把的閘. 極，亚且由連接於Trl、+ p/r> n - 按、ri ir2之間的保持電容Csc保持一定 期間。繼之，Tr2會將因應由此保持電容Csc所保持而施 加於閘極的電壓的電流，從電源(Pvdd)供應線(以下 源線）m供應至與此加連接的有機EL元件的陽極（電洞· =入電極）20。有機EL元件5(^以因應於所供應之電流 里的冗度而發光’發光光線是通過IT〇等透明的第！電極 20及透明基板1 〇而射出至外部。 有機EL元件50在第1電極2〇與第2電極22之間具 有發光元件層30，第1電極20是由ITOdndium Thin 0xi/e、） 或<lZ0(Indlum Zlnc 0xide)等的透明導電材料構成，在此具 有电/同/主入功此。形成在此第J電極上的發光元件層 316159 12 1272566 發朵有^包3有機發光化合物的單層或多層構造，在此 嘰无7L件爲m μ . 2 ^ ^ 〇 ，/、上述第1電極20相對向而形成的第 來緩釦^疋由A1或A1合金等的金屬、或是這種金屬及用 呈右^子注人障”例如W等的積層構造構成，並且 具有電子注入功能。 W薄膜電晶體Trl在第2圖中省略圖#，但具有 ^回面所示之Tr2大致相同的構造，薄膜電晶體TH、Td 中都是在其主動層UG使用藉*雷射退火使非晶石夕 曰1匕的夕曰曰矽。而且本實施形態中，此薄膜電晶體τη 疋在復盍主動層11 〇而形成的閘極絕緣層丨丨2上方 具有閑極114的所謂頂部閘極型TFT，主動層1H)之閘極 14的下方區域則形成通道區域u〇c，在通道區域的 兩側形成有摻雜預定之導電型雜f的源極區域i i〇s及没 β區或11 Od。然而，亦可為閘極i丨4形成於主動層i 1 〇下 ，的底4閘極型TFT構成。而且，本實施形態中的問極絕 緣層112具有從主動層11〇側依序積層Si〇2/siN的積層構 ie此外’在主動層110與基板1 0之間，為了防止Na等 雜質從基板10進入主動層110,而形成有緩衝層1〇8，其 具有從與主動層110接觸之側依序為Si〇2/SiN的多層構 造0 在覆盍閘極114的基板之大致全面形成有例如從下層 側依序積層SiOVSiN的多層構造的層間絕緣層116，並且 經由在層間絕緣層116形成開口的接觸孔，於源極區域 110s、汲極區域110d的一方連接有電源線124，在另一方 13 316159 1272566 • » 連接有連接電極126。並且，以大致覆蓋包含這些配線 124 126的基板全體的方^，形成有例如由樹脂等有機材 料（亦可為無機材料）構成的第1平坦化絕緣層130,在此平 化、巴緣層130的上方積層有有機EL元件的第！電極 並且以覆蓋第1電極2G端部的方式積層有第2平坦化 彖^ 140第1電極20是在貫穿第}平坦化絕緣層13〇 的接觸孔中與接觸電才亟126連接。在第i電極2〇上則有發 先兀件層30、第2電極22以此順序依序形成。 ^再者本只施形態中，是在第1平坦化絕緣層130與 弟]電極20之間形成有覆蓋後述缺陷之修復用配線圖案的 保又膜132。另外，顯示裝置所使用的有機el面板，是在 Ϊ明基，1Ό上形成上述的電路元件之後，在惰性氣體環境 k第2電極側將㈣基板接著在透明基板而完成。 此有機EL面板的檢查，從形成最上層之有機EL元件之 後，雖I觀察有機EL元件的發光狀態，但即使發光異常， …、法得知其原因是否為驅動有機元件的TFT(Trl、 二2夕等)或配線等之斷線及短路。因此，如上所述，不只是 夕層配、、泉構造或有機EL元件5()之耐受性問題的觀點來 ^為了要手握疋否為TFT或配線等所導致的缺陷以利修 復在基板上形成TFT並於此TFT形成用來供應資料訊 號、一電流的配線（資料線122、電源線124)之後，形成有機 元件50之第1電極2〇之前，也要進行、配線的檢 查，在發現缺陷時即修復該缺陷。 另外，其他例子是在形成IT〇之透明材料所構成的第 14 316159 1272566 ' l 1電極之後，利用使用該IT〇的檢查方法，進行像素内的 缺榀查。然後對所檢查出的缺陷部實施修復。此時，在 EN不良（畊線）的情況下，是利用雷射cVD進行配線（連 )在SHORT不& (短路）的情況下是利用雷射切斷而進 行修復。 汶呀在包極線與像素電極間的絕緣膜會產生凹凸情 形，因此在缺陷部修復以後，乃設置用以達成平坦化之層。 此層可同時兼絲作為第2平域絕緣層14()或是進行曰在 該膜上設置突起狀有機紅材料在蒸鍵時所使用的蒸鑛遮 罩支持用絕緣膜等。無法兼用的情況，則亦可設置另外具 有平坦性的膜。 〃 以下，以經由第2薄膜電晶體Tr2對有機此元件供 f電流的電源線124發生斷線的情況為例，針對本實施形 態之缺陷（在此，缺損缺陷：斷線）的修復方法加以說明。 =針對短路缺陷’是利用雷射等對於短路部分施以燒 辦荨處理。 本實施形態的第i例’是在形成層間絕緣層ιΐ6的資 4 122、電源線124及接觸電極126，並且覆蓋這些元件 ㈣成f 1平坦化絕緣層130之前，執行缺陷的檢查。另 夕如第1圖所不，在基板上之顯示部⑽内朝 列成條紋狀的電源線124异盥/ eg _加 ° 以、泉124疋與在心部HK)周圍相互連接 -用的笔源端子Pvdd連接。在此電源線124發 圖⑷所示斷線的情況下，本實施形態中，不只連接斷 为124dc，且如第3圖（b)所示地， J ”所線之電源線124d 316159 15 1272566 * t 兩側相鄰的電源線124nl、124n2連接而呈格子狀（十字狀 圖案。 如第4圖（a)所示，在電源線12 4之斷線距離短的情況 下，修復配線128並非呈第3圖（b)的格子圖案，亦可呈以 覆蓋斷線部分UAdc的寬度連接此斷線部分與相鄰電源線 124nl及I24n2的矩形圖案。當然，亦可為第3圖⑻的格 子狀。 另外，如第5圖⑷所示，在與斷線之電源線12切相 鄰的電源線124η僅存在於斷線電源線12如之一側的情況 下，可如第5圖（b)所示地，形成使斷線部分i 24如連接 (128rl)，並且使此斷線部分124dc與相鄰之一個電源線 124η連接⑽r2)的T字形狀（包含倒τ字形狀）的圖案"、或 是形成如上述第4圖（b)的矩形圖案。 上述如第1G圖所示，藉由CVD的修正圖案描綠而僅 修復斷線部分的情況下，沈積圖案所產生的凹凸情況較 大，會對上層的平坦性造成影響。相對於此，本實施^態 是如第3圖（b)、第4圖（b)及第5_)所示，藉由形成使^ 斷線部分與斷線之配線的相鄰配線連接的圖案，可缓和局 部的凹凸程度。而且’由於可實際增加修復配線面積，因 此可降低修復圖案配線的電阻值。 第6圖是本實施形態之電源線124的斷線部的修復步 驟。以下參照第6圖及上述第2圖至第5圖來說明步驟： 在基板10形成所需的TFT，並且覆蓋此TFT而形成第ι 平坦化絕緣膜m，錢進行缺陷檢查，在與發現斷線的 316159 16 1272566 毛源、、泉124d之5亥斷線部分} 24dc相接的配線端部丨2化卜 124d2如第6圖（a)所示，從第1平坦化絕緣膜13〇上照 射脈衝雷射’去除此第i平坦化絕緣膜13〇而形成接觸孔 124h，使配線端部124dl、124d2的表面露出。並且如第3 圖（b)所示，在最靠近配置於斷線之電源線12切兩側（或一 側）的相鄰電源線124nl、124n2之斷線部分124如的位置 也從第1平坦化絕緣膜13〇上照射脈衝雷射，去除該第】 平坦化絕緣膜130而形成接觸孔124h，使相鄰電源線 124nl、124n2的表面露出。 本實施形態中，修復配線材料氣體是使用羧基 (carbonyl)的鎢絡合物氣體（w(c〇)6)，並且如第6土圖（^所 示在此（W(C0)6)氣體環境中，將cw(連續波）雷射分別照射 在接觸孔124h的形成區域，於接觸孔中形成接觸用鶴膜 128c。然後如第6圖⑷所示，以可儘量用最短距離（通常為 直線）連結斷線端部i 24d丨、d2間的方式掃描cw雷射光 束，在f 1平坦化絕緣膜130上描繪形成修復配線i28ri 的圖案。形成修復配線128rl之後，接下來以橫切此修復 配線128rl的方式與此配線128rl連接，並且使相鄰電源 線mnl、124n2與上述修復配、線mrl卩最短距離（通常 為直線）連結，同樣在W(C0)6氣體環境中掃描^雷射， 並描繪形成修復配線128r2。另外，修復配線128^及12心2 為了降低配線電阻，最好是形成使如上述連接的兩點間能 以最短距離連結的直、線，但士口果有必須迁迴不同電位之配 線等的情況下，當㈣可為曲線或在中途折彎的直線 316159 17 1272566 而且，為了使修復配線128rl及r2上面的平坦性提 升，最好如第6圖（d)所示，使修復配線rl與兩側相鄰電 源線124nl、124n2之間與修復配線r2連接，以免修復配 線128r2跨越至連接斷線端部124dl、们間的修復配線 128rl上。CW雷射在修復配線氣體材料中的掃描，可採用 :種藉由使載置於安装在平台上的基板保持具上的基板與 平台一起朝X、Y方向移動的方式實行，使基板移動而從 相鄰電源線124nl、n2的一方朝另一方逐漸描繪形成修復 配線128r2，並且例如以光學感測器等判斷是否與修復配 線128rl交叉，暫時停止cw雷射的照射，再使基板移動， 通過修復配線rl之後，再照射cw雷射，然後繼續修復配 線128r2之描繪等的方法。 如以上所述形成修復配線128之後，本實施形態是又 如第6圖（e)所示，覆蓋修復配線128而形成保護膜。 由保護膜132覆蓋修復配線128之後，藉由在其上方如第 2圖所示形成有機EL元件50等，在有機EL元件5〇形成 時，尤其在使元件之下層電極的第i電極2〇作為各像素的 個別電極的微影（photolithography)步驟時，可確實保護修 復配線128免於光阻劑剝離液等的進入。尤其，如上述實 施形態，鎢的修復配線128對於酸或鹼液容易引起變質，' 隶後會被光阻劑剝離液或顯影液姓刻去除，因此必須以保 護膜132覆蓋。而且，使有機EL元件5〇的第1電極 形成在此修復配線128的上層並不理想，因此必須藉由保 護膜132使修復配線128與第1電極20絕緣。 316159 18 1272566 、這種保護膜132可採用SiNx4 Si〇2等的絕緣膜，形 成方法並沒有特別限定，但可使用例如化學氣相成長（CVD) 來成膜，而且不會對下層的修復配、線128造成損傷而形 成。7且，根據本實施形態之構成，使用SiNx形成保護膜 132時，此保護膜132是如上述會使修復配線I”與第1 電極20絕緣，同時可作為防止水分從第ι平坦化絕緣膜 130侧進入有機EL元件5〇的水分阻擔層。有機豇元件 5〇的有機層的最大課題在於水分等所導致之劣化，但只要 在第ι平坦化絕緣膜130與元件50之間有保護膜132^便 可例如阻播水分從使用具有吸濕性之有機樹脂時的第^平 坦化絕緣膜130或其下層進入，對於元件5〇的可靠性、备 命之提升也有幫助。另外，為了防止水分進人，在將水: ，擋層=成於第1平坦化絕緣膜13。與元件5。之間的構成 t用本實施形態之斷線修復手法的情況下，藉由將水分阻 :層同時用來作為此保護膜132，便不需要特別追加保護 膜132的形成步驟便可獲得保護膜。 —其次，針對本實施形態之第2例加以說明。此例是如 =7圖所示，在形成第i平坦化絕緣膜13〇之前，以覆蓋 电源線124、接觸電極126、未圖示的資料線122等的方式， =圯成由例如SiNx等構成的絕緣膜134,與上述第！例不 :之處在於，並非在形成第1平坦化絕緣膜130之後，而 ^形成此絶緣膜134之後進行配線的缺陷檢查及缺陷修 理。如上所述’最好可防止水分從在對於分之耐受 低的有機EL元件5〇形成有TFT的基板側進入，只要如 316159 19 1272566 第7圖在第1平坦化絕緣膜i 3〇的下層形成由水分遮蔽性 能高的SiNx所構成的絕緣膜，便可防止水分進入有機el 凡件50。而且，鹼離子等來自基板側的雜質也會對有機 EL元件50造成不良影響，但絕緣膜亦可防止這些雜質的 進入。相反的，亦可防止水分或雜質從有機EL元件5〇進 入 TFT。 本貫施形態之第2例是在形成絕緣膜丨34之後，從絕 、、彖膜134上照射雷射，如上述使與電源線124之斷線部分 相接的端部丨24(12及相鄰電源線124nl、12知2的 表面露出，並且在修復配線用的氣體（w(c〇)0)環境中掃描 CW雷射—祕復配線m(mu、丨·)。使修復配線 圖案形成不僅連接斷線部分，亦與相鄰電源線124nl、 連接的圖案。此外，這些步驟與上述第6圖⑷至第6圖⑷ 相同。然而，第2例是在此修復配線128上形成第】平坦 ，絕緣膜130，並在其上方形成有機EL元件5〇。因此，一 藉由第i平坦化絕緣膜13〇，由於修復配線I”之存在， 所產生的凹凸情形得以更為確實平坦化，且可使有機扯 几件50的形成面更為平坦。 [實施形態2] 上述實施形態1是在覆蓋電源線124而形成第】平坦 化絕緣膜U0或絕緣膜134之後進行斷線之修復，而本: 施形態2是在電源線124形成後立即檢查缺陷，並且如^ =示/與電源、線124直接相接而形成用來修復斷線部 刀的修设配線⑽，然後形成第1平坦化絕_130。而且， 316159 20 1272566 只要在形成修復配線2 2 8後，形成由s丨Ν χ等所構成的保護· 膜138,再形成第1平坦化絕緣膜13〇，即使例如將鎢採^ - 於修復配線228,也可確實保護此修復配線228，以免後續 步驟所使用的抗蝕劑剝離液等進入。 、 實施形態2並不需要實施形態丨中用來除去絕緣膜 (130、134)的雷射照射處理，而是如第9圖（a)所示，在修 復配線氣體（W(CO)6)的環境中，與所發現的斷線部分 124dc相接的電源線端部124dl、124d2之間，利用cw雷 射描繪，而形成修復配線228 ,使端部124dl、124d2彼此馨 間連接（第9圖（b))。 另外，實施形態2是在形成修復配線228之後，如第 8圖及第9圖（c)所示，必須經過第丨平坦化絕緣膜13〇的 形成步驟，因此可幾乎消除由於修復配線228之存在所致 的有機EL元件50形成面的凹凸，比起實施形態i的第工 例，可更為提高有機EL元件50形成面的平坦性。而且， 由於不用經由接觸孔而直接在電源線124上形成修復配線 228 ’因此比起實施形態}的第2例，不會有接觸孔所導致 的凹凸，而可使有機EL元件5〇形成面的平坦性提升。 而且，本貫施形態2是在依上述方式形成電源線124 之後，立即在該斷線部分形成修復配線228，因此不需要 =上述實施形態1那樣經由接觸孔將修復配線228圍繞在 :緣膜上’而且貫際配線長度不用太長，因此可縮小配線 私阻。再者，由於不需要接觸孔，因此可增加電源線124 與此修復配、線228貫際接觸的面積，而可降低電源線124 21 316159 1272566 與修復配線228之連接部的電 J包I且因此，本實施形態2中， 修復配線228不需要如眚綠π ^ ^ 貝知形怨1那樣除了斷線部分之外 還必須形成與其相鄰電泝蜱〗 外丨私妹線124連接的圖案。另外， 可將因修復配線228之存右而蚪认士 b 、 仔在而對於有機EL·元件50形成面 的平坦性所造成的上述影塑诘丨 士 〜咸）到極小，因此由此觀點看 來：也不需要亦與相鄰電源線124連接。因此，可採用僅 與k/f線部分124dc連接的圓安，士土 ^ 丧的圖案，比起實施形態1，修復配 f⑽的形成時間不用太長，而可使作業效率的提升。但 疋’為了使配線電阻的P备〆戌十 兒1曰〕I牛低或上層平坦性的更為提升等， 亦可採用實施形態1之第3圖⑻、第4圖⑻、第5圖(b) 所示的圖案。 此外，以上實施形態！及2的斷線修復後所 件是舉有機EL元件為例來做說明，但並不限於有機肛元 件，在例如使用無機EL元件的顯示裝置中，將交流電源 供應至各元件的電源線之斷線修復採用上述技術時，亦可 抑制配線電阻的上升而進行電壓降較少的修復。而且，亦 可確保修復配線之上層的平坦性。但是，有機el元件是 如上所述，強烈要求其形成面的平坦性，而且電壓降所導 致的亮度不均也很大’因此採用以上各實施形態的斷線修 復方法的效果非常大。再者，當然，本發明之斷線修復方 法亦可採用於液晶顯示裝置。主動矩陣型液晶顯示裝置是 多層配線構造’為了減少液晶分子之配向的紊亂，像辛電 極的上面最好為平坦狀’而且基於必須以低電壓正確控制 液晶’以及要求產率提升等理由，在形成用來驅動對向基 316159 22 1272566 板之電極間所構成之液晶電容的像素電極之前，以低的配 線電阻’並且減少上層凹凸來執行比該像素電極先形成的 TFT及该配線之缺陷修復的意義相當高。 (產業上的利用可能性） 本發明可利用在半導體裝置及顯示裝置之配線的斷線 修復。 【圖式簡單說明】 第1圖是本發明實施形態之有機虹顯示裝置 的概略電路構成圖。 第2圖是本發明實施形態i之有機肛顯示裝置的一 個像素内的部分剖視圖。 第3圖⑷及⑻是本發明實施形態j之斷線以及此斷線 之修復圖案的例示圖。 第4圖⑷及（b)是本發明實施形態、i之斷線以及此斷線 之修復圖案的其他例示圖。 第5圖⑷及（b)是本發明實施形態i之斷線以及此斷線 之修復圖案的其他例示圖。 第6圖（a)至（e)是本發明貫施形態i之斷線的修復步驟 說明圖。 第7圖是本發明實施形態1之有機EL顯示裝置的一 個像素内的之部分剖面的其他例示圖。 第8圖是本發明實施形態2之有機EL顯示裝置的— 個像素内之部分剖面的其他例示圖。 第9圖（a)至（c)是本發明實施形態2之斷線的修復步驟 316159 23 1272566 說明圖。 意圖：目⑷至（C)是對於斷線部分之CVD修復方法的示 10 20 22 30 100 110 110c 112 116 124 主要元件符號說明】 透明基板 第1電極（電洞注入電極） 第2電極（電子注入電極） 50 有機EL元件 108 緩衝層 110s 源極區域 110d >及極區域 114 知線（閘極） 122 資料線 124d 斷線之電源線 124dc 斷線部分 124n 相鄰電源線 126 接觸電極 發光件層 顯示咅[5 主動層 通道區域 閘極絕緣層 層間絕緣層 電源線 124dl、124d2斷線配線端部 124h 接觸孔 124nl、124n2相鄰電源線 128c 鎢膜 128，128rl，128r2,228 修復配線圖案 130 第1平坦化絕緣層 132 保護膜 134 絕緣膜 140 第2平坦化絕緣層 Trl 第1薄膜電晶體 Tr2 第2薄膜電晶體 316159 24

Claims (1)

1. I2?2566 年$月0日修(更)正替換f 第93125754號專利申請案 申請專利範圍修正本 (95年9月13日） •:種=導體裝置，係在形成於同—基板上且彼此設定成 5笔位的複數個配線圖案的缺損缺陷部分中，使缺損 端部彼此間、以及與發生前述缺損缺陷的配線圖案相鄰 的配線圖案與前述缺損部分，藉由修復用導電材 互連接。 2. 2請專利第1項之半導體裝置，其中，前述配線 圖木是對形成在前述基板上的複數個像 配線。 ^專·圍第丨項之半導體I置’其中，前述複數 :西：：是由絕緣膜覆蓋;前述修復用導電材圖案是 、、二由形成在前述絕㈣的接觸孔，與^ 面的前述配線圖案電性連接。 接觸孔低 4. 如申請專利範圍第3項之半導體裝置，其 用導電材圖案是從前述絕緣膜上_ 月“X +心w + &深膜上對則返缺損端部照射 :射先而在則述絕緣膜形成開σ之後，在前述修復用導 電材的原料氣體中’掃描雷射光爽 圖案。 ^九束而形成於掃描軌跡的 5. 如申請專利範圍第】項至第4項中任—項之 置’其中，前述修復用導電材圖案是由^ 6. —種顯示裳置，是在基板上具有：分別具=设| 複數個像素；以及對於各像素供應電不兀件的 J ^源之電力的複 316159修正版 1272566 數個配線圖案， 在前述配線圖案的缺損缺陷部分中，使缺損端部彼 此間以及與發生刖述缺損缺陷的配線圖案相鄰的配線 圖案與前述缺損缺㈣分’藉由修復料電·案而相 互連接。 7·如申請專利範圍第6項之顯示裝置，其中，前述複數個 像素另刀別具有用來使前述顯示元件動作的開關元 件；前述複數個配線圖案係與對應的前述開關元件連 f，且經由該開關元件將電流供應至前述顯示元件的電 々•L t應配線圖案，且覆蓋該電流供應配線圖案而形成絕 緣膜；在該絕緣膜上方配置有前述顯示元件。 \如申請專利範圍帛7項之顯示裝置，其中，前述顯示元 疋在沈積形成前述修復用導電材圖案之後繼續沈積形 成的保護膜。

   件是具有有機層的有機電場發光元件。 •如申μ專利範圍第6項至第8項中任一項之顯示裝置， 其中’前述修復用導電材圖案是由保護膜覆蓋。 1〇·如申請專利範圍第9項之顯示裝置，其中，前述保護膜 2 316159修正版