TWI270120B - Illumination optical system and exposure apparatus - Google Patents

Illumination optical system and exposure apparatus Download PDF

Info

Publication number
TWI270120B
TWI270120B TW093133867A TW93133867A TWI270120B TW I270120 B TWI270120 B TW I270120B TW 093133867 A TW093133867 A TW 093133867A TW 93133867 A TW93133867 A TW 93133867A TW I270120 B TWI270120 B TW I270120B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
optical system
mirror
aperture
illumination optical
Prior art date
Application number
TW093133867A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200520055A (en
Inventor
Toshihiko Tsuji
Original Assignee
Canon Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Kk filed Critical Canon Kk
Publication of TW200520055A publication Critical patent/TW200520055A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI270120B publication Critical patent/TWI270120B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70225Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70075Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/702Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Light Sources And Details Of Projection-Printing Devices (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)
  • Lenses (AREA)

Description

1270120 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明大體上關於照明光學系統及使用其之曝光裝置 。更特別地,本發明關於使用曝照光、X光區的光、或波 長範圍在200 nm至10 nm之極度紫外光(EUV)區的光 ’以及使用其之曝光裝置,舉例而言,用以將例如用於半 導體晶圓之單晶基底或用於液晶顯示器之玻璃基底等工件 曝光。 【先前技術】 爲了符合裝置圖案的尺寸愈益縮小之需求,曝光裝置 中所使用之作爲曝照光的光之波長已愈來愈短。 近年來,已有很多使用極度紫外光(EUV )或X光作 爲曝照光之曝光裝置之提議(例如,日本公開專利申請公 告號1 0 - 7 0 0 5 8,對應於美國專利號 6 5 5 0 4,8 9 6 ;日本公開 專利申請公告號2 0 0 3 - 0 4 5 7 7 4,對應於公告的美國專利申 請公告號2003 /3 1 0 1 7 ;及日本公開專利申請公告號 2003 -〇45 7 84,對應於公告的美國專利申請公告號 2003/31017) ° 在使用EUV光或X光(特別是20 nm至5 nm的光) 的曝光裝置中,以來自於光源的光照明光罩(標線片)之 照明光學系統未包含透射型(透反射型)光學系統。一般 而言,使用具有反射多層膜的反射光學系統。 可以用於此反射光學系統中的多層膜鏡反射約爲6 7 -4 · (2) 1270120 %。爲了使來自光源的光之利用效率之降低最少,在照明 光學系統之內,構成照明光學系統的鏡之數目應更少。 但是,爲了良好照明,舉例而言,爲了良好地界定有 效光源’必須保持要設置孔徑光闌的空間(瞳平面),爲 達此目·的,構成照明光學系統的鏡數目必須增加。這會引 起照明光學系統的光利用效率下降之問題,亦即,整個系 統的透射率。 【發明內容】 因此本發明的目的是提供照明光學系統及/或具有其 之曝光裝置,以使用相當少量的鏡,其仍可確保良好照明 〇 根據本發明的態樣,提供照明光學系統,以來自光源 的光照明要被照明的表面,包括:具有反射表面的鏡;及 光闌,具有配置成垂直於或幾乎垂直於該鏡的反射表面之 孔徑表面。 根據本發明的另一態樣,提供照明光學系統,以來自 光源的光照明要被照明的表面,包括:具有反射表面的鏡 ;及光闌,配置成相鄰於(或接觸)該鏡的反射表面,其 中,來自光源的光會通過該鏡及該光闌的反射表面所界定 的開口。 在本發明的又一態樣中’以來自光源的光照明要被照 明的表面之照明光學系統’包括光學單元,該光學單元包 含具有反射表面之鏡、及配置成相鄰於或接觸該鏡的反射 -5- (3) 1270120 表面之光闌,其中’來自光源的光會受光闌限制,宛如受 光闌與鏡的反射表面所提供之光闌的虛像之組合所限制, 以及,其中,如此受限的光會從光學單元投射。 在本發明的又另一態樣中,以來自光源的光照明要被 — 照明的表面之照明光學系統,包括具有反射表面之鏡、及 — 具有開口的光闌,其中,光闌配置成相鄰於(或接觸)鏡 的反射表面,以致於光在入射於鏡上之前以及在由鏡反射 之後,可以從同側通過開口。 φ 在本發明的又另一態樣中,以來自光源的光照明要被 照明的表面之照明光學系統,包括鏡及光闌,其中,光闌 配置成相鄰於(或接觸)鏡的反射表面,以致於光在入射 於鏡上之前以及在由鏡反射之後,可以在光闌的同側被阻 隔。 在本發明的仍又另一態樣中,以來自光源的光照明要 ~ 被照明的表面之照明光學系統,包括鏡及光闌,光闌配置 成相鄰於(或接觸)鏡的反射表面,其中,光闌及鏡的反 φ 射表面所提供的光闌之虛像之組合會界定有效光源的分佈 形狀。
在本發明的仍又另一態樣中,以來自光源的光照明要 被照明的表面之照明光學系統,包括鏡及光闌,光闌具有 開口及配置成相鄰於(或接觸)鏡的反射表面,其中,當 A 有效光源的分佈形狀相對於預定軸對稱地分割時,開口的 - 形狀與有效光源的分布形狀之一半幾乎相同。 考慮配合附圖之本發明之較佳實施例的下述說明,本 -6- (4) 1270120 發明的這些及其它目的、特點及優點將變得更加淸楚。 【實施方式】 現在參考附圖,說明本發明的較佳實施例。 〔實施例1〕 圓1 1係根據本發明的第一實施例之曝光裝置的主要部 份之視圖。圖1中1代表放電頭,2代表電漿發光點,其 0 可以發射EUV光。從電漿發光點發射的光會由聚光鏡4 聚集。5代表鏡4所收聚集的EUV光通量。6a是過濾器 ’用於從電漿移除散射的粒子(碎片),6b代表濾波器 ’用以移除具有EUV光以外的波長之光。7代表類針孔 孔徑’配置成相鄰於聚光鏡4的聚光點。這些構件係容納 於真空容器8中,且它們構成光源單元。有一連接器9, ' 用於將耦合光源單元及曝光設備的主要組件,並保持真空 狀態° · 接著,將說明照明光學系統的元件。1 〇 a及1 〇 b係平 行轉換光學系統(第一光學單元),包括凹面鏡及凸面鏡 ,且用以接收來自光源且已通過孔徑7的的EUV光以及 用以將其轉換成幾乎平行的光。1 0 c代表鏡。1 1代表具有 複數個圓柱反射表面的積分器。對於積分器的反射表面而 言,有孔徑闌1 5,孔徑闌1 5具有的孔徑表面配置成幾乎 垂直於積分器反射表面。此爲根據本發明的本實施例之照 明光學系統的重要特點。孔徑闌具有用於調節有效光源的 -7 - (5) 1270120 分佈形狀之功能,也具有調節要被照明的光罩(標線片) 1 6的表面上之每一點之光的角度分佈。 1 4 a及1 4 b係代表構成弧狀光學系統(第二光學單元 )之元件,其用於將來自積分器1 1的光聚集成弧狀。1 4 c 代表平面鏡,用於使弧狀光學系統的影像側光向上偏轉, 以致於光會以預定角度入射於反射型光罩。正好在反射型 光罩1 6之前,設有具有弧狀開口的狹縫1 2。上述這些構 件構成照明光學系統。 反射型光罩1 6係由光罩台1 6所固持。1 8代表投影 光學系統,包括複數個多層膜鏡。其係同軸系統,且係設 計成在物體上側爲非遠心的,而在影像側上爲遠心的。1 9 係塗著有感光材料之晶圓,且2 0係用於固持晶圓1 9的晶 圓台。2 1係代表真空容器,用於使整個光學系統維持在 真空中,藉以防止EUV光衰減。 由作爲電流供應源之脈衝功率源(未顯示)所激發的 脈衝大電流會被施加至放電頭1並由此放電。爲回應此能 量,會從電極之間的電漿介質之間產生高能量密度電漿2 。關於電漿媒體,舉例而言,可以使用氙氣。其會被導入 於放電頭1的電極之間,且流速會受控。導因於來自電漿 2的熱輻射,會產生約1 3 .5 nm的波長之EU V光。以如上 所述的電漿產生爲基礎的光源稱爲「放電激發電獎型 EUV光源」或是「放電產生電漿光源」。根據所使用的 放電激發之方法,有很多型式,例如Z間隔、電獎聚焦、 毛細管放電、等等。 -8- (6) (6)1270120 在本實施例中,氙氣是作爲電漿介質。但是,舉例而 言,可以使用錫(S η )流體作爲電漿介質’藉由此流體可 以提供具有約13.5 nm的增加之光輸出功率的EUV光源 〇 可以使用雷射激發電漿EUV光源以代替放電產生電 漿型,在雷射激發電漿EUV光源中,高功率脈衝EUV光 會被聚集及投投於電漿介質上以產生電漿。在本發明的範 圍之內,又另一選擇係使用波動器(undulator )作爲 EUV光源。 從電漿發光點2發射的EUV光會由聚光鏡4聚光, 因而選取EUV光,舉例而言,聚光鏡4包括旋轉的橢圓 鏡。藉由過濾器6a,從電漿直接散射且從其週圍向前散 射的散射粒子(碎片)會被移除。而且,於需要時,藉由 過濾器6b,移除對於EUV曝光不需要之不要的波長成份 。然後,在類尖孔孔徑7的位置處將光聚集,類尖孔孔徑 7係設在含有電漿光源的真空容器8與用於曝光設備主要 組件的真空容器2 1之間。光源的真空容器8與曝光設備 主要主件的真空容器21會藉由連接器9而彼此耦合,且 於需要時執行操作排氣。 已通過孔徑7的EUV光會由平行轉換光學系統轉換 成幾乎平行的光1 〇,,平行轉換光學系統包括凹面鏡i 〇a 及具有相當小的直徑之凸面鏡1 〇b,凹面鏡! 0a在其中心 部份具有開口。 此處,上述聚光鏡4及鏡]0a和1 Ob具有反射多層膜 -9- (7) 1270120 以用於有效率地反射EUV光。由於它們會吸收高溫電漿 2輻射的輻射能量之一部份,所以,在曝光期間它們的溫 度會變高。慮及此點,關於材料,舉例而言,使用具有良 好的熱導率之金屬,以及設置例如水冷等冷卻機構(未顯 示),以致於它們可以在冷卻期間被連續地冷卻。 > 雖然未特別說明,但是,光學系統中所使用的每一鏡 具有反射多層膜形成於其反射表面上,以有效率地反射 EUV光。於需要時,這些鏡可以由例如金屬等具有良好 · 導熱率的材料所製成,並設置用於其之冷卻機構。 已轉換成幾乎平行的光之EUV光1〇 -會由鏡l〇c偏 轉且其會入射於具有複數個圓柱鏡的積分器1 1上。入射 於積分器1 1上的E U V光會由圓柱鏡分光並因而發散。在 、 通過稍後說明的孔徑闌1 5之後,發散的光會被由弧狀光 學系統聚光成弧狀,弧狀光學系統具有鏡1 4 a和1 4 b,藉 由鏡1 4 a和1 4b,可以在弧狀狹縫1 2的開口處產生具有 均勻照明分佈的弧狀照明區。 _ 此處,將配合不同的圖,說明使用積分器1 1以均勻 地照明弧狀區的原理。 圖2A係槪圖及立體圖,顯示平行光入射於具有複數 個凸面的圓柱表面之反射型凸面(外表)圓柱表面積分器 U。上述幾乎平行的EUV光1 0 /會沿著所示方向投射於 其上。圖2B係槪圖及立體圖,顯示具有複數個凹面圓柱 表面的反射型凹面(內部)圓柱表面積分器,其具有類似 於圖2A的積分器之功能。圖1中所示的積分器1 1是例 -10 - (8) 1270120 如圖2A中所示之反射型凸面圓柱表面積分器。但是,其 可爲例如圖2B所示的反射型凹面圓柱表面積分器,或是 ,可爲這些積分器的組合。 圖3係槪圖及剖面視圖,顯示反射型凸面圓柱表面積 分器。圖4係用於說明在反射型凸面圓柱表面積分器的圓 柱表面之EUV光的反射。圖5係說明由反射型凸面圓柱 表面積分器的圓柱表面所反射的EUV光之角度分佈。在 這些圖中’代號U代表反射型凸面圓柱表面積分器。 如圖2A所示,當幾乎平行的EUV光1〇 /入射於具 有複數個圓柱表面的積分器1 1上時,會在相鄰於積分器 的表面處,產生直線形狀的次級光源,而且,從此次級光 源發射的EUV光之角度分佈具有角錐表面形狀。如此, 以焦點在次級光源位置的反射鏡來反射EUV光,以及, 照射與反射光罩共軛的反射光罩或表面,可以造成弧狀照 明。 爲了說明具有複數個圓柱表面之反射型積分器的功能 ,將參考圖4,首先說明如同平行光作用之反射光會入射 於單一圓柱表面。 此處,考慮平行光以一角度έ相對於垂直於圓柱表面 的中心軸之平面而入射。 假使入射的平行光之光線向量以下式表示:
Pl= ( 0?-cose5sine) 且與圓柱形的反射表面垂直之向量以下式表示時: -11 - (9) 1270120 則反射的光之光線向量爲: P2= ( -cosexsin2a5cosexsin2a5sine )。 藉由以相位空間來繪出反射光的光線向量,將可於X 一 y平面上取得如圖5所示的具有半徑C0SS的圓。亦即, 反射光是圓錐表面狀的發散光,且次級光源會存在於相鄰 於圓錐表面的頂點處。假使積分器的圓柱表面是凹面的, 則次級光源會以真實影像存在於反射表面的外部。假使其 爲凸面的,則次級光源會以虛像存在於反射表面的內部。 而且,如圖3所示般,假使反射表面受限地存在於一部份 圓柱表面中且其具有中心角度20,如圖5所示般,反射 光的光線向量P2的存在範圍是在X - y平面上中心角爲 40之弧。 接著,考慮焦距長度爲f之旋轉拋物鏡以其焦點配置 於位在次級光源的位置處,次級光源係因平行光入射於如 上所述的圓柱反射鏡而造成的,以及考慮要被照明的表面 配置在以f與此反射鏡相隔離的位置處。從次級光源發射 的光是圓錐表面形狀的發散光,且在由具有焦距長度f的 反射鏡反射之後,會被轉換成平行光。因此,反射光爲具 有弧狀剖面形狀之片狀光束,弧狀部面形狀具有半徑 fxcosfe以及中心角40。因此,如圖5所示般,僅有要被 照射的表面上之半徑fxcod及中心角40的弧狀區501可 以被照明。 雖然上述僅參考一圓柱反射鏡以作說明,但是,將配 合圖6及參考具有某光束直徑的平行光1 〇 /沿著圖1中 -12 - (10) 1270120 所示的方向而入射於具有寬廣區域及具有一些彼此平行配 置的圓柱表面之積分器1 1上之情形,於下作說明。 在圖6中,1 1代表上述積分器,14a及14b分別代表 具有球形或非球形表面的凸面鏡及凹面鏡,每一者均具有 形成於其上之反射的多層膜。鏡l4a及14b構成弧狀光學 系統(第二光學單元)。6 02代表影像平面(表面要被照 明),且此平面等於圖1的光罩1 6表面。弧狀光學系統 具有成像功能,以良好地適合投射光學系統1 8之方式, 在此平面上形成弧狀照明區。 弧狀光學系統是同軸系統,以幾乎配置在積分器11 的表面上之軸1 0ΑΧ作爲中心對稱軸。其配置成積分器1 1 上的光照射區之中心軸602 /與影像平面幾乎以彼此的傅 立葉表面關係配置。更特別地,位置602 /幾乎相當於影 像平面6 02的光瞳平面,且稍後要說明的孔徑闌1 5配置 於此位置。藉由此配置,當幾乎平行的EUV光1 〇 /如圖 式所不般入射於積分器1 1上時’其會被聚光成相鄰於影 像平面602的弧狀。 此處應注意此結構在影像側係非遠心的以及主射線 6 0 4對於影像平面6 0 2的入射角6 0 1 (亦即,主光線6 0 4 與弧狀光學系統的光軸1 〇 A X之間界定的角度)會被設定 成幾乎等於對應的投射光學系統1 8的物體側主射線相對 於光罩表面的法線之傾斜角度。換言之,弧狀光學系統的 光罩側主射線與光軸AX之間界定的角度,對應於反射型 光罩的照明區內的每一位置,會被設定成幾乎等於投射光 -13- (11) 1270120 學系統的光罩側主射線與光罩表面的法線之間界定的角度 。在本實施例的情形中,入射角設定爲約6度,且等於投 射光學系統的光罩側對應的主射線與光罩表面的法線之間 界定的角度。此外,對影像側上的模糊完成良好校正,以 及,在設計上,影像平面上的光點直徑會設定成不大於5 mm,更佳地,不大於1 mm。 構成弧狀光學系統之鏡14a和14b上EUV光主射線 的入射角度會設定爲低,更特別地,設定爲不大於20度 。相較於使用旋轉拋物面鏡或類似者以使入射角度高的結 構而言,此配置會使其確定降低當光被聚集於影像平面 6 02時會產生的模糊量,以致於光聚集於弧狀照明區的效 率會增進。這將能夠抑制因後述的弧狀狹縫1 2之遮光而 造成的光損耗,且照明系統效率會顯著增進。 在圖1中所示的弧狀光學系統中,結構係配置成當影 像側的光由平面鏡1 4 c向上偏轉朝向反射光罩1 6 c時,由 反射所形成的弧狀照明之弧的方向會反轉,且弧中心對齊 投射光學系統1 8的中心軸1 8 A X與反射光罩表面的交會 點。然後,以上述方式設定入射角 6 0 1,確保以反射光罩 1 6作爲反射表面時弧狀光學系統的影像側主射線6 04與 投射光學系統1 8的物體側光1 8 /之對應的主射線會彼此 對齊。 由具有大量彼此平行排列之圓柱表面的反射鏡所反射 的光之角度分佈與上述單一圓柱表面的情形沒有變化。如 此,入射於影像平面6 02上的單一點之光會從具有很多彼 -14 - (12) (12)1270120 此平行排列的圓柱表面之反射鏡上的整個照射區抵達該處 。此處,假使幾乎平行的EU V光1〇 /之光束直徑爲D時 ,且弧狀光學系統的焦距爲f時,則角度延伸(亦即聚光 NA) 603以a表示時,其爲a=D/f。 此處,來自積分器1 1的圓柱表面之光通量在相對於 沿著弧的方向彼此疊加,而在弧狀照明區中,完成均勻照 明。如此,藉由此配置,確保有效及均勻的弧狀照明。 接著,參考圖7及6,更詳細地說明由孔徑闌1 5及 積分器1 1構成的光學單元。圖7係顯示孔徑闌1 5及積分 器1 1的配置。在此圖中,代號1 0 /代表撞擊於積分器1 1 上的 EUV光之主射線的方向。在 6 02 /的位置幾乎在上 述弧狀光學系統的瞳平面之中心。以此點6 0 2作爲原點, 說明X — y - z座標系統。此處,z軸會與上述弧狀光學系 統的同軸10AX對齊,且其幾乎平行於積分器11表面的 圓柱表面之產生線。 孔徑闌1 5具有孔徑表面1 5 /,孔徑表面1 5 /配置成 幾乎垂直於積分器11的反射表面,其中,一些圓柱表面 排成行列。而且,孔徑表面配置成幾乎垂直於上述同軸 1 0ΑΧ。此外,孔徑闌的底側幾乎對齊積分器1 1的反射表 面。此處’圖式中詳述之孔徑闌係甩於標準照明模式的孔 徑之實施例,而非用於修改的照明之照明模式。在本實施 例中,如圖所示般’配置於瞳平面上的孔徑闌的開口之形 狀是半圓形。注意,此孔徑闌可拆卸地安裝於光路徑中。 此外’如同稍後說明般,當也要執行有效光源的分佈形狀 -15 - (13) (13)1270120 爲環狀或四極狀的修改照明時,可以配置孔徑闌,此孔徑 闌之開口的形狀幾乎同於有效光源分佈形狀的一半之分佈 形狀,如同相對於預定軸(對應於孔徑闌1 5的底側)對 稱地平分爲二。 接著,參考圖6,說明孔徑闌1 5如何限制部份光。 當幾乎平行的光1 0 /以相當高的入射角(例如7度)入 射於積分器1 1的反射表面上時,以部份光由孔徑闌1 5的 半圓開口阻擋之方式,限制入射光。另一方面,考慮相對 於上述反射表面之光1 0 /的虛像,其由圖式中的虛線表 示爲光1 0 〃 。可以說此光也受相對於積分器1 1反射表面 之孔徑闌1 5的虛像1 5 〃所限制。考慮孔徑闌1 5及其虛 像1 5 〃之組合,可見此配置等同於具有對應於所有有效 光源形狀之圓形開口的孔徑闌。換言之,在由孔徑開口 1 5對稱於積分器的反射表面回折而界定的一 1 5 〃與回折 之前由孔徑開口 1 5所界定的一 1 5 〃之組合中,要形成的 開口之形狀幾乎等於所需的有效光源分佈形狀。 或者,其被視爲光通量1 0 /的下半部1 0 / a被部份 地阻擋並因而在其撞擊於積分器1 1之前由孔徑闌1 5的光 源側(入射平面側)表面所限制,光通量1 〇 /的上半部 1 〇 / b會被部份地阻擋並因而僅在其由積分器1 1反射之 後由孔徑闌1 5的光源側表面所限制。 關於又另一可能,其被視爲光通量1 0 /的下半部 1 0 / a在入射於積分器1 1上之前,會從光源側入射於孔 徑_ 1 5的開口上,而光通量1 〇 /的上半部1 〇 -僅在其由 -16- (14) (14)1270120 積分器1 1反射之後,才從光源側入射於孔徑闌1 5的開口 〇 在本實施例中,孔徑表面1 5 /配置成垂直於積分器 1 1的反射表面垂直。但是,爲了精確調整有效光源分佈 ,孔徑表面1 5 /可以配置成相對於積分器反射表面小傾 斜,而非與其完全垂直。此外,爲了能夠調整有效光源分 佈或非遠心性,舉例而言,可以相鄰於孔徑闌1 5設置驅 動機構(未顯示),以調整孔徑闌1 5的孔徑表面相對於 鏡反射表面之角度。 如上所述,即使孔徑闌的開口之形狀爲半圓形時,以 圖7中所示的方式,使其相對於積分器的反射表面配置時 ’則有效光源分佈(亦即,投射光學系,統的瞳平面上或照 明光學系統的瞳平面上之光強度分佈)在弧狀照明區內部 的任意位置處爲圓形。圖8 A及8 B顯示此點。在這些圖 式中,8 0 0代表晶圓1 9表面上界定的弧狀照明區,而在 801及8 02的點分別說明弧的中心部份及端部之用於有效 光源的觀測位置。 特別地,圖8 A顯示未設置上述孔徑闌1 5的情形中 有效光源的形狀。雖然同於弧狀區的中心部8 〇 1處的8 0 5 ,分佈爲圓形,但是,由於沒有孔徑闌,所以,分佈會逐 漸地變形,以位置偏向弧狀區的端部。在弧狀區的端部 8 02 ’有效光源具有如8〇6所示的橢圓形。 從照明區中的任意點觀察到的有效光源分佈係代表以 某數値孔徑(N A )圓錐狀地入射於該點的光之角度分佈 -17 - (15) 1270120 。假使在例如8 0 6處是對稱的,則意指在曝光ΝΑ中f 對稱的。由於會對解析度性能造成不利影響之嚴重因毒 所以,這是絕不允許的。 另一方面,圖8 B顯示設置上述孔徑闌1 5的情形牛 效光源的形狀。在位置801及8 02,有效光源分佈具有 別如8 0 7及8 0 8處所示之完全圓形。如此,完成曝光 的均勻性。 有效光源分佈8 0 5 — 8 0 7中所示的歪斜線8 0 5 — 8 0 7 指積分器1 1所產生的次級光源包括大量的直線次級光 。這些線的間隔取決於排列在積分器1 1的反射表面上 圓柱表面的寬度。藉由窄化·上述線間隔,可以有效光源 密度更濃密,藉由使每一圓柱表面的寬度相對於積分器 寬度而窄化以增加圓柱表面的數目,而達成此點。 接著,說明如何改變相千因素或是如何根據切換孔 闌1 5以執行例如環區照明等變形照明。由於孔徑闌! 5 孔徑表面與投射光學系統1 8之瞳平面彼此係光學上共 的關係,所以,孔徑闌1 5的開口圖案,亦即,光的透 圖案,正好對應於形成在投射光學系統的瞳平面上之光 影像(亦即,有效光源分佈)。 圖9 A — 9 D係顯示要形成於孔徑闌1 5上的開口形 之實施例。圖9 A中所示的光闌具有半圓形且其相當於 準照明之大ό。圖9 B中所示的光闌具有半圓形的開口 半徑小於圖9Α之半徑,且其相當於標準照明之小ό。 9C中所不的光_具有開口,開口的形狀係由直線將環 不 |有 .分 ΝΑ 源 之 的 的 徑 的 軛 射 源 狀 標 圖 平 -18 - (16) (16)1270120 分爲二所界定,且開口相當於環狀區照明。圖9 D中所示 的光闌具有二圓形開□,且其相當於四極照明。 可容易瞭解,在任何孔徑闌中,假使其對稱於其底側 而被折回時,則開口的形狀相當於圓形爲基礎之一般孔徑 闌的形狀。 可以製備數個例如上述之開口圖案並將其沿著單一線 排列,且可以藉由使用孔徑闌驅動系統(未顯示)以順序 地及可互換地選取它們,藉由孔徑闌驅動系統,可以選擇 所需的孔徑形狀。如此,可以以最適於每一光罩的照明模 式,照明不同型式的光罩。 再參考圖1,更詳細說明根據本實施例之曝光方法。 在圖1中,相鄰於弧狀狹縫1 1 2的開口所產生的弧狀照明 區會以光依所需的入射角度入射於光罩台1 7上所固持白勺 反射型光罩1 6上以在其上形成弧狀照明區之方式,來執 行反射型光罩1 6的弧狀照明。此弧狀照明區的曲率中心 幾乎與投射光學系統1 8的光軸1 8 AX對齊。 來自受弧狀照明的具有關於電路圖案資訊的反射型光-罩之EUV反射光,會由光學投射系統及以最適於曝光的 放大率投射於及成像於塗有感光材料的晶圓1 9上,因而 將電路圖案轉換於其上。 晶圓會被固定地固持於晶圓台2〇上,晶圓台2〇具有 如圖所視般垂直地及水平地移動之功能,且其動作會由例 如雷射干涉儀(未顯示)等量測裝置所控制。舉例而言, 假使投射光學系統1 8的放大率以Μ表示,則反射型光罩 -19 - (17) (17)1270120 1 6可以以速度v在平行於圖面之方向上掃描移動,另一 方面,晶圓19可以以速度v/M在平行於圖面之方向上 同步地掃描移動。整個表面掃描曝光可以由其完成。 投射光學系統1 8包括複數個多層膜反射鏡且設計成 相對於光軸中心1 8AX爲軸外的窄弧狀區會提供良好的成 像性能。其會配置成將反射型光罩1 6的圖案以縮小尺寸 投射於晶圓1 9表面上。在影像側上(晶圓側)其係非遠 心系統。至於物體側(反射型光罩側),其通常是非遠心 的以避免與要入射於反射型光罩之照B月光物理干涉。舉例 而言,在本實施例中,物鏡側主射線會相對於光罩1 6的 法線方法傾斜約6度。 接著,參考圖1 〇,詳細說明如何使甩弧狀狹縫丨2以 校正掃描曝光時的曝光非均勻性。在圖1 0中,1 〇 1 3代表 具有大量可移動邊緣部的陣列,可移動邊緣部係具有部份 地改變弧狀狹縫1 2的狹縫寬度1 〇 1之功能。1 〇 i 1係代表 用於界定弧狀照明區之狹縫開口,1 0 1 2係代表弧狀照射 區’其可由積分器1 1及先前所述的弧狀形成光學系統所 產生。從此弧狀照明,取出通過狹縫開口的光。 此處’在掃瞄曝光時及當反射型光罩16的電路圖案 以縮小的尺寸轉移至晶圓1 9時,假使在弧狀狹縫之內有 照明不均勻,則其會因掃描曝光而造成曝光不均勻。爲了 符合此問題,藉由使用驅動系統(未顯示)以部份地移動 可移動邊緣部份1 〇1 3,僅將照明相當強的此部份弧狀狹 縫之狹縫寬度稍微窄化。如此,在該部份以如同所需般降 -20 - (18) _ 1270120 低之最小減少光量來執行掃描曝光,由於遍佈整個曝光區 , 之積分,所以,可以以均勻強度完成曝光。當然,在掃瞄 曝光期間,弧狀狹縫1 2會被固持而相對於投射光學系統 1 8爲不動的。 在上述實施例中,已參考使用反射型積分器作爲鏡之 ~ 實施例,說明本發明。但是,當提供類似於本實施例的光 闌給相鄰於照明系統的瞳平面且具有平面反射表面的鏡時 5可以取得實質上相同的有利結果。在該情形中,光闌的 肇 孔徑表面可說明配置成幾乎垂直於入射至鏡的光之入射平 面與鏡反射平面之間的交會線。 此外,雖然在上述實施例中,考慮使用孔徑闌作爲光 闌的情形,但是,關於用於調節要被照明的表面上之照明 、 區的場闌,可以採用類似結構。 根據本發明的本實施例之照明光學系統,即使使用具 有相當少數的鏡(舉例而言,無光罩成像系統)之結構, 仍可取得良好效率及均勻的弧狀照明。如此,完成相當適 · 用於曝光設備的照明光學系統。因此,藉由具有此照明光 學系統之曝光設備,可以產生高解析度及穩定的影像,卻 不會降低總產能。 〔實施例2〕 接著,將說明使用上述第一實施例的曝光設備之裝置 製造方法的實施例。
圖1 1係流程圖,用於說明例如半導體晶片(例如1C -21 - (19) (19)1270120 或LSI)、液晶面板、或CCD等不同的微裝置之製造方 法。步驟1係用於設計半導體裝置的電路之設計流程。步 驟2是根據電路圖案設計以製造光罩的流程。步驟3是藉 由使用例如矽等以製備晶圓之製程。步驟4是稱謂前處理 之晶圓製程,其中,藉由如此製備的光罩及晶圓,根據微 影術,實際在晶圓上形成電路。後續之步驟5是稱爲後處 理的組裝步驟,其中,在步驟4中已被處理的晶圓會形成 爲半導體晶片。此步驟包含組裝(切片及打線)處理及封 裝(晶片密封)處理。步驟6是檢測步驟,其中,對於步 驟5所產生的半導體裝置執行操作檢查、耐久性檢查等等 。根據這些處理,製造半導體裝置,並將它們出貨(步驟 7 )。 圖1 2是流程圖,用於說明晶圓製程的細節。步驟丄i 是用於氧化晶圓表面之氧化製程。步驟1 2是用於在晶圓 表面上形成絕緣膜之CVD製程。步驟1 3是以汽相沈積來 形成電極之電極形成製程。步驟1 4是用於沈積離子至晶 圓之離子佈植製程。步驟1 5是用於施加光阻(感光材料 )至晶圓之光阻製程。步驟1 6是曝光製程,經由上述的 曝光設備’以曝光來將光罩的電路圖案印刷於晶圓上。步 驟1 7是顯影製程,用於將曝光過的晶圓顯影。步驟1 8是 蝕刻製程,用於移除經過顯影的光阻影像以外的部份。步 驟1 9是光阻分離製程,用於使接受蝕刻製程之後餘留在 晶圓上的光阻材料分離。藉由重覆這些製程,在晶圓上疊 加地形成電路圖案。 -22- (20) (20)1270120 根據這些製程,可以以更佳產能,製造高密度微裝置 〇 雖然已參考本發明之較佳實施例以說明本發明,但是 ’發明不限於這些實施例,在發明的範圍之內,可以有很 多修改及不同的改變。舉例而言,雖然已參考使用13.5 " nm的EUV光之照明系統及曝光設備以說明實施例,但是 ,本發明也可以應用於使用例如波長在2 0 0 n m至1 0 n m 的極限紫外光(EUV )或X光區的光等不同的光之照明光 · 學系統及曝光設備。特別地,關於2 0 n m至5 n m的光, 並無可以用於透射型(折射式)光學系統的玻璃材料,且 必須使用反射型光學系統。如此,本發明可以有效地應用 於使用此波長區的光之照明光學系統及曝光設備。 . 雖然已參考此處揭示結構以說明本發明,但是,本發 明不限於所揭示的細節,且本申請案係要涵蓋後附申請專 利範圍的改良目的或範圍之內的修改或改變。 【圖式簡單說明】 圖1係根據本發明的第一實施例之曝光裝置的視圖。 圖2 A係具有複數個凸面(外表的)圓柱表面之反射 型積分器的視圖。 圖2 B係具有複數個凹面(內部的)圓柱表面之反射 型積分器的視圖。 圖3係剖面視圖,顯示反射型積分器的剖面形狀。 -23 - (21) (21)1270120 圖4係視圖,用於說明圓柱表面所反射的光之角度分 布。 圖5係視圖,用於說明圓柱表面所反射的光所形成之 弧狀區。 圖6係視圖,用於說明平行光入射於反射型積分器的 情形。 圖7係視圖,用於說明反射型積分器與孔徑闌的配置 〇 圖8A係視圖,顯示當未設置孔徑闌時有效光源的形 狀。 圖8B係視圖,顯示當設置孔徑闌時有效光源的形狀 〇 圖9A、9B、9C及9D分別爲視圖,顯示用於改變照 明模式之孔徑闌的實施例。 圖1 〇係弧狀狹縫的視圖。 圖1 1係流程圖,用於說明裝置製程的順序。 圖1 2係流程圖’用於說明包含於圖1 1中的程式中之 晶圓製程的細節。 【主要元件符號說明】 1 :放電頭 2 :電漿放光點 4 :聚光鏡 5 : EUV光通量 (22) ^ (22) ^1270120 6 a :過 '應器 6 b :濾波器 7 :類針孔孔鏡 . 8 :真空容器 _ 9 :連接器 1 0 A X :光軸 1 0 a :平行轉換光學系統 1 〇 > a ··光通量1 〇,的下半部 φ 1 0 b :平行轉換光學系統 1〇 / b:光通量10’的上半部 10c :鏡 I 〇 / :平行光 . 10":光 II : 積分器 1 2 :狹縫 14a :鏡 ⑩ 14b :鏡 1 4 c :平面鏡 1 5 :孔徑闌 1 5 / :孔徑表面 ].5 〃 :虛像 16 :光罩 β 1 7 :光罩台 1 8 :投射光學系統 -25- (23) (23)1270120 1 8ΑΧ :中心軸 1 8 / :物體側光 1 9 :晶圓 ^ 2 0·· 晶圓台 2 1 :真空容器 5 0 1 :弧狀區 6 0 1 :入射角 6 0 2 :影像平面 _ 602 / :中心 6 0 3 :角度延伸 6 0 4 :主射線 8 0 0 :弧狀照明區 w 8 0 1 :觀測位置 8 02 :觀測位置 8 0 5 :圓形 8 0 6 :橢圓形 _ 8 0 7 :完全圓形 8 0 8 :完全圓形 1 0 1 1 :狹縫開口 1 0 1 2 :弧狀照射區 1 0 1 3 :可移動邊緣部份 -26-

Claims (1)

  1. 十、申請專利範圍 第93 1 3 3 867號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國95年6月28日修正 1 · 一種照明光學系統,以來自光源的光,照明要被 照明的表面’該照明光學系統包括: 鏡,具有反射表面; 光闌’具有配置成幾乎垂直於該鏡的反射表面之孔徑 表面;及 驅動機構’配置成調整該光闌的孔徑表面相對於該鏡 的反射表面之角度。 2 ·如申請專利範圍第1項之照明光學系統,其中, 該鏡是反射型積分器,藉由使用來自該光源的光以產生複 數個次級光源。 3 ·如申請專利範圍第2項之照明光學系統,又包括 第一光學單元及第二光學單元,該第一光學單元可操作以 將來自該光源的光轉換成幾乎平行的光以及將該幾乎平行 的光投射於該反射型積分器,以及,該第二光學單元可操 作以將來自該次級光源的光疊加於要被照明的表面上之照 明區域上。 4*如申請專利範圍第3項之照明光學系統,其中, 該反射型積分器具有沿著該第二光學單元的共軸配置之反 射表面。 5 ·如申請專利範圍第1項之照明光學系統,其中,
    該鏡會配置成要由來自該光源的光照明之其反射表面上照 明區的中心會處於預定平面,該預定平面與要被照明的表 面實質上爲傅立葉轉換關係。 6 ·如申請專利範圍第1項之照明光學系統,其中, 該光闌是用於調節有效光源的分佈形狀。
    7 ·如申請專利範圍第1項之照明光學系統,其中, 當該有效光源的分佈形狀相對於預定軸對稱地分割時,該 光闌具有形狀與有效光源的分佈形狀之一半的形狀幾乎相 同之開口。 8 ·如申請專利範圍第7項之照明光學系統,其中, 對應於該預定軸之該光闌的一部份配置成與該鏡的反射表 面對齊或幾乎對齊。
    9·如申請專利範圍第1項之照明光學系統,以來自 光源的光,照明要被照明的表面,該照明光學系統包括: 鏡’具有反射表面;及 光闌’配置成相鄰於該鏡的反射表面, 其中’來自於該光源的光通過該鏡的反射表面及該光 閲所界定的開口。 10· —種曝光設備,包括: 如申#專利範圍第1至9項中任一項的照明光學系統 ;以及 投射光學系統,用於將光罩的圖案投射於基底上。 η· 一種微裝置製造方法,包括下列步驟: 使用如申請專利範圍第1 〇項所述之曝光設備,將基 -2-
    底曝光;及 將該經過曝光的基底顯影。
    -3-
TW093133867A 2003-11-10 2004-11-05 Illumination optical system and exposure apparatus TWI270120B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003380075A JP2005141158A (ja) 2003-11-10 2003-11-10 照明光学系及び露光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200520055A TW200520055A (en) 2005-06-16
TWI270120B true TWI270120B (en) 2007-01-01

Family

ID=34431393

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW093133867A TWI270120B (en) 2003-11-10 2004-11-05 Illumination optical system and exposure apparatus

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20050105290A1 (zh)
EP (1) EP1530087A3 (zh)
JP (1) JP2005141158A (zh)
KR (1) KR20050045849A (zh)
TW (1) TWI270120B (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005235959A (ja) * 2004-02-18 2005-09-02 Canon Inc 光発生装置及び露光装置
TWI417649B (zh) * 2005-12-28 2013-12-01 尼康股份有限公司 十字標記運送裝置、曝光裝置、十字標記運送方法以及十字標記的處理方法
US7470033B2 (en) * 2006-03-24 2008-12-30 Nikon Corporation Reflection-type projection-optical systems, and exposure apparatus comprising same
TWI303115B (en) 2006-04-13 2008-11-11 Epistar Corp Semiconductor light emitting device
WO2007135587A2 (en) 2006-05-16 2007-11-29 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh A method of increasing the conversion efficiency of an euv and/or soft x-ray lamp and a corresponding apparatus
DE102006039655A1 (de) * 2006-08-24 2008-03-20 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage, Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem, Verfahren zur Herstellung eines mikrostruktuierten Bauelements mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie durch dieses Verfahren hergestelltes mikrostrukturiertes Bauelement
JP4989180B2 (ja) 2006-10-13 2012-08-01 キヤノン株式会社 照明光学系および露光装置
JP4986754B2 (ja) * 2007-07-27 2012-07-25 キヤノン株式会社 照明光学系及びそれを有する露光装置
JP5241270B2 (ja) * 2008-02-27 2013-07-17 キヤノン株式会社 照明光学系、これを用いた露光装置及びデバイス製造方法
JP5142892B2 (ja) 2008-09-03 2013-02-13 キヤノン株式会社 照明光学系及び露光装置
JP5534910B2 (ja) * 2009-04-23 2014-07-02 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
DE102017219179B3 (de) * 2017-10-26 2018-12-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Wiedererstellen eines Beleuchtungssystems für eine EUV-Anlage, Detektormodul sowie Verfahren zum Überwachen eines in einer EUV-Anlage eingebauten Beleuchtungssystems
CN107870417B (zh) * 2017-11-08 2020-12-22 北京仿真中心 一种背景辐射可控的红外点源目标模拟器

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5486919A (en) * 1992-04-27 1996-01-23 Canon Kabushiki Kaisha Inspection method and apparatus for inspecting a particle, if any, on a substrate having a pattern
US5861952A (en) * 1992-11-16 1999-01-19 Canon Kabushiki Kaisha Optical inspection method and apparatus including intensity modulation of a light beam and detection of light scattered at an inspection position
JP3211538B2 (ja) * 1994-01-13 2001-09-25 キヤノン株式会社 検査装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
JPH07209202A (ja) * 1994-01-21 1995-08-11 Canon Inc 表面状態検査装置、該表面状態検査装置を備える露光装置及び該露光装置を用いてデバイスを製造する方法
JP3183046B2 (ja) * 1994-06-06 2001-07-03 キヤノン株式会社 異物検査装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
JPH0815169A (ja) * 1994-06-28 1996-01-19 Canon Inc 異物検査装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造 方法
JPH09320952A (ja) * 1996-05-29 1997-12-12 Nikon Corp 露光装置
JP3706691B2 (ja) * 1996-08-26 2005-10-12 キヤノン株式会社 X線縮小投影露光装置及びこれを用いた半導体デバイス製造方法
JP3005203B2 (ja) * 1997-03-24 2000-01-31 キヤノン株式会社 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法
US6398374B1 (en) * 1998-12-31 2002-06-04 The Regents Of The University Of California Condenser for ring-field deep ultraviolet and extreme ultraviolet lithography
US6392742B1 (en) * 1999-06-01 2002-05-21 Canon Kabushiki Kaisha Illumination system and projection exposure apparatus
JP3919419B2 (ja) * 2000-03-30 2007-05-23 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを有する露光装置
DE10134387A1 (de) * 2001-07-14 2003-01-23 Zeiss Carl Optisches System mit mehreren optischen Elementen
TW594847B (en) * 2001-07-27 2004-06-21 Canon Kk Illumination system, projection exposure apparatus and method for manufacturing a device provided with a pattern to be exposed
AU2002354418A1 (en) * 2001-12-12 2003-06-23 Nikon Corporation Reflective illuminating optical element, reflective illuminating optical system, and duv to euv exposure device
JP3564104B2 (ja) * 2002-01-29 2004-09-08 キヤノン株式会社 露光装置及びその制御方法、これを用いたデバイスの製造方法
JP3720788B2 (ja) * 2002-04-15 2005-11-30 キヤノン株式会社 投影露光装置及びデバイス製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005141158A (ja) 2005-06-02
TW200520055A (en) 2005-06-16
EP1530087A3 (en) 2006-01-04
EP1530087A2 (en) 2005-05-11
US20050105290A1 (en) 2005-05-19
KR20050045849A (ko) 2005-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6238140B2 (ja) 投影露光装置のための照明光学ユニット
JP5142892B2 (ja) 照明光学系及び露光装置
EP1591833A2 (en) Exposure method and apparatus
JP2006216917A (ja) 照明光学系、露光装置およびデバイス製造方法
TWI270120B (en) Illumination optical system and exposure apparatus
JP3605055B2 (ja) 照明光学系、露光装置及びデバイス製造方法
JP2008153401A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
US7714987B2 (en) Exposure apparatus
JP3605053B2 (ja) 照明光学系、露光装置及びデバイス製造方法
US8149386B2 (en) Illumination optical system, exposure apparatus using the same and device manufacturing method
JP2002198309A (ja) 熱的な負荷の少ない照明系
KR100687655B1 (ko) 조명광학계 및 노광장치
JP6098950B2 (ja) 照明光学ユニット
JP5220136B2 (ja) 照明光学系、露光装置およびデバイス製造方法
JPH11121358A (ja) 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
CN111936933B (zh) 投射光刻***的光瞳分面反射镜、照明光学单元及光学***
JP2004140390A (ja) 照明光学系、露光装置及びデバイス製造方法
KR100626264B1 (ko) 조명광학계 및 노광장치
EP4386479A1 (en) Lithographic apparatus and associated method
JP2002025898A (ja) 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP2005005729A (ja) X線縮小投影露光方法、x線縮小投影露光装置及びこれを用いた半導体デバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees