TWI257496B - Display device and method of manufacturing the same - Google Patents

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TWI257496B
TWI257496B TW091108121A TW91108121A TWI257496B TW I257496 B TWI257496 B TW I257496B TW 091108121 A TW091108121 A TW 091108121A TW 91108121 A TW91108121 A TW 91108121A TW I257496 B TWI257496 B TW I257496B
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display
auxiliary wiring
display device
disposed
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TW091108121A
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Michiya Kobayashi
Kazushige Yamamoto
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Toshiba Corp
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Description

A7 B7 1257496 五、發明説明（彳） 發明背景 本發明係有關有機電致發光（E L )顯示裝置等之平面顯 示裝置及其製造方法，尤其是有關在各顯示元件上設有切 換元件之主動矩陣型平面顯示裝置及其製造方法。 與陰極射線管（CRT )顯示器比較，具有厚度薄、重量 輕、耗電低之特性之液晶顯示裝置等平面顯示裝置的需求 急遽提高。其中，在各顯示元件上設有切換元件之主動矩 陣型平面顯示裝置，由於可獲得鄰接之顯示元件間無串音 的良好顯示品質，因此利用於攜帶資訊機器等各種顯示器 上。 近年來，與液晶顯示裝置比較，可快速反應及視野廣角 化之自動發光型顯示器，正積極進行開發的有有機電致發 光（EL)顯示裝置。有機EL顯示裝置包含有機EL面板與 驅動有機EL面板之外部驅動電路。有機EL面板包含：顯 示區域，其係在玻璃等支撐基板上，將顯示元件配置成矩 陣狀；及驅動電路區域，其係依據來自外部驅動電路之信 號驅動各顯示元件。顯示元件包含：第一電極；與第一電 極相對配置之第二電極；及配置於此等電極間的有機發光 層。 將該有機EL顯示裝置之EL發光供給至外部之方式包 含：經由支撐基板，供給至外部的下面發光方式；與自與 支撐基板相對之侧供給至外部之上面發光方式。主動矩陣 型之下面發光方式之有機EL顯示裝置，具有在有機發光 層下部配置有阻止發光透過之薄膜電晶體（TFT )等電路的 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 1257496 A7 B7 五、發明説明（2 ) 構造。因此，不易確保足夠之開口率，光利用效率之提高 上有問題。反之，上面發光方式之有機EL顯示裝置具有 配置於支撐基板侧之電路上可無限制地決定開口率之構 造。因此可確保高度光利用效率。 然而，平面顯示裝置之配置於供給光侧之光供給侧電極 須藉由光透過性之導電膜形成。上面發光方式採用主動矩 陣型的情況下，須以光透過性之導電膜形成配置於供給光 侧之共用電極。不過已知，一般而言，具有光透過性之透 明導電材料與一般金屬材料比較，電阻率約高2 - 3位數。 因此，光供給側電極之畫面面内產生電極電壓不均一， 而導致顯示品質降低。此種情況於畫面尺寸愈大愈明顯。 因此，亦可能產生畫面尺寸受限制的問題。 因此，先前上面發光方式採用主動矩陣型有困難。 發明概述 本發明係針對上述技術問題而提出，其目的在提供一種 可抑制顯示面内產生顯示不均一，並提高顯示品質之顯示 裝置及其製造方法。 此外，本發明之目的在提供一種可提高畫面尺寸之自由 度的顯示裝置。 此外，本發明之目的在提供一種上面發光方式之主動矩 陣型顯示裝置及其製造方法。_ 再者，本發明之目的在提供# 一種不損及其生產性之顯示 裝置之製造方法。 本發明第一態樣之顯示裝置，係一種前述顯示元件配置 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） A7 B7 1257496 五、發明説明（3 ) 成矩陣狀之主動矩陣型平面顯示裝置，其特徵為包含： 數條掃描信號線，其係配置於基板上；數條影像信號 線，其係配置成與前述掃描信號線大致直交；切換元件， 其係配置於前述掃描信號線與前述影像信號線之交叉點附 近；及顯示元件，其係具有光活性層，該光活性層係在連 接於前述切換元件之第一電極、及與該第一電極相對配置 之第二電極之間形成獨立島狀； 且包含輔助配線’其係形成於與前述第一電極同層上’ 且與前述第一電極電性絕緣，與前述第二電極電性連接。 本發明第二態樣之顯示裝置之製造方法，係一種將顯示 元件配置成矩陣狀所構成之主動矩陣型平面顯示裝置之製 造方法，其特徵為包含： 光活性層，其係配置於形成在基板上之第一電極、及與 該第一電極相對配置之第二電極之間， 且包含： 前述第一電極及輔助配線形成步騾，其係藉由導電材 料，於相同步驟中形成； 絕緣膜形成步驟，其係包含露出前述第一電極及前述輔 助配線之區域； 前述光活性層形成步驟，其係形成於前述絕緣膜露出前 述第一電極之區域内；及 - 前述第二電極形成步驟，其係於大致整個前述基板上配 置光透過性導電膜，經由光活性層與前述第一電極相對， 並且電性連接於前述輔助配線。 ___^_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）
裝 訂
線 1257496
本發明第三態樣之顯示壯田 ， 成矩陳壯夕® #〜、衣且，係一種珂述顯示元件配置 成矩陣狀ϋ置，其特徵為包含： 數條知描仏號線，复彳 線，复係配置… 基板上；數條影像信號 /、係配置成與可述掃描信號線大致直& ;切 ， 其係配置於前述掃;^ % 田仏唬線與前述影像信號線之交叉點附 见，及顯TF兀件，並在0 士， 接於1、f + P _ :係/、有光活性層，該光活性層係在連 之第Θ::兴兀件〈第一電極、及與該第-電極相對配置 又罘二電極之間形成獨立島狀； ” ^第a極獨互形成於各個前述顯示it件上，前述 弟二電極共同形成於前述顯示元件上， ^
與如述弟一電極雷，卜4 P 、 、、、巴、、彖，且電性連接於前述第二電極 ，配線’於基板面内配置成中央部較周邊部密集。 尽發明第四熊；1¾ >翻-我切、 # g ¥ 、不裝置之製造方法，係一種將顯示 ==成㈣狀所構成之顯示裝置之製造方法，其特徵 極:：:生t ’其係配置於形成在基板上之陽極、及與該陽 極相對配置之陰極之間， 且包含： 補助Γ:形成步驟’其係藉由導電材料形成獨立島狀； :助配線形成步驟，其係藉由導電材料形成； =先活性層形成步驟，其係形成於前述陽極上·及 二形成步驟’其係於大致整個前述基板上配置光 ^ $膜，經由光活性層與前述陽極相對，並且電性 連4於則逑辅助配線。
1257496 A7 B7 五、發明説明（
發明的额外目的及優點將於接下來的說明書中提出並 且部份可從說明書得知，或可藉由實踐本發明學成。藉由 下文中具體指明的手段及組合’可實現及獲得本發明的目 的及優點。 圖式簡單說明 併入且建構說明書一部份的附圖顯示本發明的較佳且髀 實施例’並且與前面給定的一般說明及下文給定的詳細^ 明一起解說本發明的原理。 圖1係大致顯示本發明一種實施形態之有機E L顯示裝置 之構造的平面圖。 、 圖2係大致顯示圖i所示之有機EL顯示裝置之顯示區域 構造的一部分平面圖。 圖3係大致顯示沿著圖2所示之有機E L顯示裝置之a · a 線切斷之顯示區域一種構造的一部分剖面圖。 圖4係顯示金屬材料及透明導電材料之電阻率圖。 圖5 A至圖5 F係顯示本發明一種實施形態之辅助配線及 第一電極電源線一種配置的平面圖。 圖6 A至圖6 C係顯示.本發明一種實施形態之第一電極及 輔助配線一種配置的平面圖。 圖7係大致顯示沿著圖2所示之有機£ l顯示裝置之A 一 a 線切斷之顯示區域其他構造的一部分剖面圖。 圖8係大致顯示圖7所示之有機EL顯示裝置之顯示區域 之輔助配線一種配線的一部分平面圖。
圖9係顯示於圖5 a所示之有機e L顯示裝置，沿著β — B -8 · 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 x 297公釐) 1257496 五 發明説明（6 A7 B7 線測定之面板正面照度的測定結果圖。 圖1 0係顯示不配置輔助 班 ，、 亂、'果而構成 < 有機E L顯示裝 且’測定之面板正面照度的測定結果圖。 發明詳述 、以下’ Μ自動發光型顯示襞置，亦即有機EL顯示裝置 為例’作為本發明一錄音 栗^ ^ 種貝她形態之主動矩陣型平面顯示裝 置，並使用圖式詳細說明。 衣 圖1係#员她形怨〈王動矩陣型有機E [顯示裝置之大 致平面圖’圖2係放大顯示於圖！之顯示區域之一部分的 大致平面圖，圖3係沿著圖2之'—A線切斷時之剖 如圖1至圖3所示，主動矩陣型有機el顯示裝置^包含： 有機EL面板2、及驅動有機EL面板2之外部驅動電路3。 有機EL面板2包含分別發紅、綠、藍色光的三種顯示元件 P。該有機EL面板2包含數個顯示元件p配置成矩陣狀之 顯示區域1 0。 亦即，本實施形態顯示圖像之顯示區域10，如具有104 型（對角10.4吋）的尺寸。該顯示區域1〇内，在具有玻璃等 絕緣性足支撐基板1〇1上，影像信號線1〇9與掃描信號線 107配置成矩陣狀。該顯示區域1〇周邊配置有供給驅動信 號至掃描信號線1〇7之掃描信號線驅動電路Ydr、及供給驅 動信號至影像信號線109之影像信號線驅動電路Xdr。 顯示區域1 0内，於影像信號線109與掃描信號線ι〇7之 父叉部附近形成有作為切換元件SW1之η型TFT、影像信 -9- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 1257496
號電壓保持用電容器110、 作為驅動用遌制元件S W2之p型 、及有機E L顯示元件。嗯蓄㈤〗 一 〒驅動用控制兀件SW2與有機 ::示元件p串冑。此外，影像信號電壓保持用電容器 帅讀元件SW1串冑，且與驅動用控制元件SW2並 聯。 有機EL顯示元件p包含：第_電極117，其係藉由連接 二驅動用控制兀件SW2之光反射性導電膜所形& ;有機發 $層121 ’其係作為配置於第一電極ιΐ7上之光活性層，·及 弟二電極122,其係經由有機發光層121，與第一電極ιΐ7 n有機發光層121亦可由各色共用所形成 =孔輸送層、電子輸送層、及各色所形成之發光層的三層 武層所構成，亦可由功能性複合之兩層或單層構成。該有 f發光層121配置於第一電極117上，其係自包含分離各 〜、π元件P之黑色光阻材料之厚度為3 之隔壁12〇的開 口部120b露出。 及有機E L顯示裝置1係將第二電極（光供給侧電極）122 侧作為顯示面的上面發光方式。顯示元件p之第二電極 122由具有光透過性之導電膜構成。光透過性導電膜可使 用材料本身之透明度高之透明導電材料，或將透明度低之 材料減少厚度形成，使其具光透過性等而形成。此處係使 鎖（Ba)薄至光透過程度，如形成膜厚為i〇nm之膜，作為 透明導電膜，並在全部顯示元件上共同形成。該光透過性 導電膜之薄膜電阻約為1〇5 。 本發明之有機EL顯示裝置1具有與具有光透過性之第二 -10- 本紙張尺度適用巾國@家標準(CNS) A4規格(210X 297公爱) 1257496 五、 發明説明（ 一心122包性連接之辅助配線η $。 ” + 不’輔助配線118係形成 、’一。’如圖3所 由隔壁12。與第—電極電性電極⑴同層上，且藉 經由以露出輔助配線118之：：：此外’該辅助配線118 部12〇a，與第二電極122”二式設置於隔壁120上之接觸 格栅狀，包圍各海-- 接。該輔助配線118設置成 巴圏各顯不兀件p夕筮 ^ t 示區域10上相互連結。I弟—電極117’並在整個顯 由於此種有機EL顯示裝¥ 1卢敕 包含與第二電極122電性=：個顯示區域10内均等地 拙生丨止似 生連接又輔助配線118，因此，可 J光供給側電極，亦即第_ 的不穩定。 T尸弟—电極122之畫面面内之電位 另外’輔助配線118宜以兩ρ日，土 ^ 導電材料，更具體而言，宜 率之導電材料形成。由於萨⑽以下包阻 輔助配線⑴，因此可進、Λ电阻i導電材料形成此種 内的電位不穩定。-步卩牛低光供給側電極之畫面面 電 本圖4顯示選出可用作輔助配線⑴之主要金屬材料之電阻 = WCm)與透明導電材科之電阻率（Wcm)。特別是， “力配線藉由具有约1χ1〇,6 ‘〜6χΐ〇·6 Qcm之 阻率的導電材料形A。如辅助配線"8可為銀(電阻率 =他m)銅（1.7 wem)、銀、如銅合金（22 "Qcm) m ) 金（2.4 wcm)、鋁（3·0 wcm)、鋁、钕合金㈠7㈣c 、鈇（5.0 Wcm)、细（5.6 wcm)、赵（56 …⑽）等單 材料及合金、與堆疊此等之複合材料。 -11 - 本紙張尺度通财関家標準(CNS) A4祕(―公爱） ί257496 五 '發明説明（ τ施形態之輔助配線118以與第一電極ιΐ7相同的材科 _=，如堆叠铭⑷），Mo)及銦一锡—氧化物（ιτ〇)等 二曰而形成。該疊層體具有電阻率4χ1Π，形成薄膜 =為Η).、□。設置㈣目的在防止因Ιτ。與接 二造成兩伽’具有該功能之其他金屬材料亦可採用： 鱿（Τι)、鎢（w)等。 、1上所逑，此處之第一電極117係發揮有機£[顯示元件 =極的功能，第二電極發揮陰極的功能。宜因應電極之 ^分別採用最適切之材料’同時形成輔助配線時，須選 :電阻之導電材料，且可良好地發揮電極功能的材料。 * 5Α至圖5F顯示第二電極電源線與輔助配線的—種配 .，圖6A至圖6C係放大圖5A至圖5C之顯示區域之— 分者。 Μ 圖 第 性 勺^述之實施形態，如圖5Α及圖6Α所示，輔助配線US =妥各顯示元件Ρ之第一電極117周圍，並以彼此連社之 均等地配置於顯示區域上，本例中可以無限種類的 成。亦即，輔助配線118至少可為輔助配線118與 、袭=極117電性分離，且輔助配線118與第二電極122電 例如，輔助配線118亦可密度不同地配置在面板内。亦 ::如圖5 Β及圖6 Β所示，輔助配線i 18亦可形成於包圍 顯不區域之矩形框狀之第二電極電源線1 19之内部，=在 距=弟二電極電源線丨19遠之中心部密集配置，在接近第 二電極電源線119之周邊部分疏散配置。 、 12 本紙張尺度適财㈣家標準(CNS) Α4規格( X 297公爱） 1257496
此外，辅助配線118亦可不配置成直線狀。㈣，如圖 5C至圖5E及圖6C所示，輔助配線丨18亦可在第一電極 1171周圍配置成z字形。 再者如圖5 F所π，輔助配線丨18亦可在第二電極電源 =9内侧形成帶狀。料，亦可以各色不同之方式形成 '、尺寸，設置對應於鄰接之第—電極間之距離，以決定 、J之輔助g己線118 ’卩因應畫面尺寸、像素數量等條件 適切採用最適當的圖案。 由於此種有機EL·顯示裝置丨係採用，第一電極ιι7設置 成獨立島狀，全部顯示元件p共同配置有第二電極〖Μ之 主動矩陣型，因此可在與第一電極117之同一平面上設置 鄰接之像素間連結之輔助配線1丨8。 此處，所謂同一平面上，除位於平坦面上者之外，其表 面上亦可有凹凸及階差，此外，形成有第一電極之層在層 方向亦可為邵分地不同材質。亦即，係指在疊層構造之厚 度方向位於同一層。 此外，藉由在鄰接之顯示元件P間設置有具有一定電位 之辅助配線118，可減輕像素間之電容耦合，可消除因串 音等造成顯示品質惡化的原因，可提供高品質的顯示裝 置。 ' 再者，上面發光方式，於經由-絕緣層116，在TFT (swi 及SW2 )上形成第一電極i丨7的情況下，可重疊於絕緣層 1 16下之TFT及配線上形成顯示元件p。因而可在τρτ等電 路上喪限制地決定開口率，可獲得高度光利用效率。 -13-
1257496
五、發明説明（ 、此外，上述之實施形態，係說明在形成顯示元件p之上 邵電極（第二電極）122之透明電極材料上採用膜厚薄的 鎖，不過’亦可選擇其他各種透明導電材料，並宜採用適 於有機發光層121之材料的材料。此外，第：電極122亦 可由數個4層膜構成’亦可於形成膜厚薄之顏、_心） =之後，堆疊IT0及氧化錫（Sn〇)來構成。此外，將第二 電極122作為陽極《情況了，可採用材料本身《透明度高 = ΙΤ0及銦鋅氧化物（IZ0，IndmmZine〇xide)作為透明 私極材料。形成顯示元件P之下部電極（第—電極川7之 金屬材料亦宜選擇適於有機發光層121之材料的材料，宜 選擇亦適於電極之極性的材料。 :以上說明，由於本實施形態在第二電極122上電性連 ，力配線118，因此可降低整個光供給側電極(第二電 Μ的電阻，可徹底抑制顯示面内之顯示不均一。 其次，說明上述有機EL面板2之製造方法。 藉由^壓化學〉飞相沉積（c VD )或電漿c VD，在具 玻=等絕緣性之支撐基板101上堆積氮化石夕膜及氧化珍
Hr成内塗層呢後’繼續在其上堆積非晶㈣。此 於TFTt臨限值控制，亦可在整個基板上 寺P型雜質。 v 理繼在非晶矽膜上照射卑分子雷射束，執行退火處 ^非晶石夕膜予以結晶化，以形成多晶石夕膜。繼續，在 膜上實施光阻塗敷—曝光—圖案化一姓刻等一連串 先刎處理，將多晶矽膜形成島狀。 — ________ - 14 -
本紙斤度相準(CNS) Α4規格(21G^i^iT 裝 η 線 1257496 A7 ___ _____________B / 五、發明説明（12 ) 繼續，藉由CVD在整個基板上形成氧化矽（51〇?〇膜，以 形成閘極絕緣膜103’來覆蓋多晶矽膜後，在該閘極絕緣 膜1〇3上堆積作為閘極金屬膜之鎢化鉬膜。繼續，在鎢化 鉬膜上實施光刻處理，形成p型TFT (SW2)部分的閘極 104。繼續摻雜硼（B)，在PsTFT (SW2)之多晶矽膜上形 成導電區域之源極區域丨〇5及汲極區域i〇6。 繼續在鎢化鉬閘極金屬膜上實施光刻處理，形成掃瞄信 號線107、與掃瞄信號線1〇7 一體之閘極1〇4、影像信號線 109之#为109a、景〉像信號電壓保持用電容器丨10之下部 電極圖案110a。 繼續，將閘極104或閘極形成時之光阻作為掩模，自上 部摻雜磷離子（P)，在11型叮丁（5〜1)之多晶矽膜上形成源 極區域1 11及沒極區域1丨2。 繼績，藉由CVD等，形成si〇x膜，以形成層間絕緣層 1 b，來覆盍整個基板後，形成貫穿層間絕緣層丨丨3 a及閘 極、纟巴緣膜10 j，而到達多晶矽膜之源極區域丨〇5及丨丨丨、汲 極區域10 6及1 12之接觸孔。 續’藉由錢射等，形成依序堆疊鉬/鋁/鉬之三層構造 的金屬膜後，實施光刻處理，形成連接於源極區域丨〇5之 源極113 '連接於汲極區域1〇6之汲極U4、與汲極114 一體 之有機E L電流供給線丨15、及-影像信號線1〇9之一部分 109b。 景> 像k號線之一邵分1 〇9b經由接觸孔與先前所形成之部 分109a電性連接，以構成影像信號線1〇9。此外，該影像 -15- 本紙張尺度適用中國國豕標準(CNS) A4規格(210 X 297公爱) 1257496 五、發明説明 13 A7 B7
k號線之一部分1 〇 9 b經由接結π & 二由接觸孔與η型TFT (SW1)之汲極 區域112電性連接，以構成沒極131。此外，經由接觸Μ 4TFT(SW1)之源極區域⑴電性連接之源極⑴，電性 連接於影像信號電壓保持用電容器ιι〇之下部電極圖案 110 a。 如此’分別形成構成切換元件SWr"tft及構成驅 J用控制70件SW2之P型TFT。且同時分別形成有組合此 γ 土 TFT及p 土 TFT而構成之驅動電路區域之影像信號線 驅動電路Xch.、及掃描信號線驅動電路Ydr。此外，將有機 EL電流供給線115作為上側電極，亦形成有影像信號電壓 保持用電容器110。 /繼續’藉由CVD’在整個基板上形成㈣膜，以形成絕 * b 116後形成到達驅動用控制元件SW2之源極113的 接觸孔。繼續’藉㈣射等，形成依序堆疊㈣目/ιτ〇之 二層構造的金屬膜後’實施光刻處理，形成構成顯示元件 光反射性之第一電極117、輔助配線ιΐ8、及於包圍顯 示區域ίο之矩形框狀内與輔助配線118—體所形成之第二 電極電源線119。 如此，輔助配線118及第一電極117係使用同一導電材 料’並在同-步驟中形成。因此，無須特別設置用於形成 輔助配線118之步驟，即可形成辅—助配線118。此外，顯示 元件Ρ之第一電極i 17係配置於絕緣層i 16上，並經由絕緣 層116與驅動用控制元件SW2之源極113連接。因此，可 重疊形成第一電極i 17與驅動控制元件SW2及切換元件 -16-:297公釐） 1257496
SW1，可增加第一電極117之面積。 繼續、，藉由CVD等，在整個基板上，以乾燥後膜厚為3 U m之方式塗敷黑色有機光阻材料。之後，藉由光刻處 理，形成隔壁120,其係包含露出第一電極117及辅助配線 118的區域。亦即，該隔壁12〇具有對應於第一電極η?之 位置上露出第一電極i〗7的開口部丨2 〇 b，並且具有對應於 輔助配線118之位置上露出輔助配線118之接觸部^如。 蔹隔壁120以包圍顯示元件p之方式形成，並分離各顯 示元件p。亦即，該隔壁120為求防止鄰接之顯示元件間 的E L光洩漏，罝以具有光遮蔽性之黑色材料形成。此 外，該隔壁120為求確實分離各顯示元件p ,宜且有盘有 機發光層12丨之膜厚相等以上的膜厚，第二電極122宜設 疋成在與輔助配線118之接觸部12如上避免形成階梯的形 狀及高度。 如本實施形‘態，以高分子材料形成有機發光層i2i之情 況下，如後述’以噴墨法形成有機發光層。因&，為求藉 由隔壁120分離有機發光層材料之液滴，隔壁Π0之厚度 宜在一…此外’以低分子材料形成有有機發光層 121之情況下’隔壁120之厚度須在有機發光層ΐ2ι之膜厚 以上’具體而言’宜在100 nm以上。此外，隔壁12〇之形 狀’，為避免第二電極丨22在與辅助配線118之接觸部12〇& 上形成階梯，其斜度角宜在8 〇。以下。 本實施形態係以沿著輔助配 與輔助配線118之接觸部i2〇a 線118連續之帶狀圖案形成 不過，亦可以設置成不連 -17- 1257496
五、發明説明（ 16 入下面發光方式比較，可提高開口率，並可實現高開口率 〈有機EL顯不裝置1，可使正面照度提高。此外，與下面 發光万式比較，亦可使為達成特定正面照度之耗電減少， 可延長有機£L元件的壽命。 、，再者，由於辅助配線118可以與第一電極117相同材料， 卫在相同步驟中形成，因此無須增設用於形成輔助配線 118又步驟，可防止步騾數量增加。 ㊉此外二王動矩陣型顯示裝置可實現以陰極材料形成共用 弘極之第一電極之上面發光方式之顯示面板。 其/人，說明有機E L顯示裝置丨之其他構造例。 兀即，如圖7及圖8所示，與第二電極122電性連接之辅 助配線118 ’係在與顯示區域1〇之各像素電性分離之隔壁 二20上配置成格柵狀。此外，各辅助配線在用於供給 电源至第二電極122之第二電極電源線"9上共同電性連 接’並在整個顯示區域丨〇上相互連結。 如圖8所示，該輔助配線118係以细（Mo)夹住銘（A1)之 MAM構造（鉬/鋁/鉬）形成。 電阻率約為3恤m。 一構―力配線118的 此種輔助配線118為求防止第-雷访 万此弟一弘極122局邵性之電壓下 成二宜以包園全部顯示元件p之各像素的方 面面、:之一二因第二電極122之電阻造成書 面面内又電壓不穩定。因而可在 一 内供給均-的電極電位。因此可抑二=的整個區域 仰制顯不不均一的發生並 -19-
1257496
五、發明説明（ 17 提向顯示品質。 '另外，上述之實施形態，如圖5A所示，輔助配線118係 以包圍全部像素之方式配置成格栅狀，不過，並不限定於 =例亦即，第二電極122之電阻，於遠離第二電極電源 線119 <顯示區域丨〇中央部，高於接近第二電極電源線 1 一 19又顯不區域]〇的周邊部時，如上述之圖至圖5丑所 示，即使將輔助配線118相對性密集配置於顯示區域1〇之 中央部，並相對性疏散配置於顯示區域丨〇之周邊部，仍 可獲得與上述實施形態同樣的效果。 一如此構造之有機£[顯示裝置，依序形成顯示元件ρ之第 一電極U7'隔壁12〇、隔壁12〇上之輔助配線ιΐ8後，在第 一電極117上形成有機發光層121。 这有機發光層形成步驟係採用噴墨法。此時，係成 在須形成有機發光層之第一電極117盘右 "卫 省Η 與有機發光材料之液 :筒間產生引力。此夕卜亦可控制成在其他第-電極117斑 液滴之間產生排斥力。再者，亦！ ^ ^ η , ^ _ , 因底、構仏來碉整辅助配 ，、杲118及各種配線之間的排斥力。 =:，可藉由排出有機發光材料之液滴之噴墨裝 角與輔助配線118之間、第一電極與噴嘴之間的勺条 有機發光材料之排出精度提高。 私野 亦即，係在第一電極117與輔-助配線 / Γ7 〇 X tnn* <間施加電壓 (-)。且同時，亦在第一電極 , .. f 1角 < 間施加電壓 (E1 + E2)。精此，分別使第一電極ιΐ7上帶正 助配線118及噴嘴上帶負電荷。另外，施加電二 -20«
A7 B7 1257496 五、發明説明（18 值，因自噴嘴排出之液滴大小、液滴之排出速度、自噴嘴 的之第笔極間之距離等的液滴塗敷條件而不同，可 依據該條件調整以決定最佳值。 藉此，由於噴嘴内之液滴亦帶正電，因此自喷嘴排出液 屬時’脫離自標的方向亦即朝向第一電極117之飛行軌 道而朝輔助配線118方向之液滴，藉由與輔助配線u 8 之排斥力而反彈，同時藉由與第一電極117之引力而靠 近。因此，可將自噴嘴排出液滴之飛行軌遒修正成朝向標 的之弟一電極ip的方向。 其次’說明有機E L顯示裝置1之面板正面照度之測定結 果。 亦即’圖9係具有圖5 A所示之圖案之輔助配線1丨8的有 機E L顯示裝置丨，沿著b 一 b軸上測定之面板正面照度的 描繪結果。另外，該面板照度係使用分光照度計測定。該 照度測定時，分光照度計之點徑係使用〇 /7 mm。因此，面 板正面知、度之空間分解能為q 7 mm。此外，驅動電流係調 整成使面板正面照度為200 Cd/m2。 如圖9所示，確認上述構造之有機e l顯示裝置1，沿著 B — B軸上的照度分布可將整個顯示區域1 〇抑制在2〇〇 cd/m2 ± 3cd/m2以内，可進行3 2灰階的顯示。 另外’作為比較例之無任何配-置而構成輔助配線U 8之 有機E L顯示裝置，同樣地測定面板正面照度。 圖1 〇係比較例之有機E L顯示裝置測定之面板正面照度 的描繪結果。測定條件與上述相同。如圖1 〇所示，確認 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(咖X 297公愛)
裝 訂 1257496 A7 B7 五、發明説明（19 ) 該比較例之顯示區域的周邊部雖顯示約200 cd/m2的照 度，但是顯示區域之中央部的照度則減少至約160 cd/m2。 從此等測定結果可知，上面發光方式之有機E L顯示裝 置1可防止光供給侧電極，此處為第二電極（陰極）1 2 2之 局部性電壓下降，比先前可大幅減少畫面面内之電極電位 的不穩定。本實施形態，儘管係超過1 0型尺寸之畫面尺 寸，仍可將面内之照度分布抑制在± 3 cd/m2以内。因此 可實現顯示均一之高品質的顯示性能。 如上所述，該有機E L顯示裝置係在支撐基板上整合電 路元件，於該電路元件上配置顯示元件，並於與支撐基板 相對側配置具有透過性之電極，自該光透過性電極侧供給 EL發光。藉由採用此種上面發光方式，不論電路元件之 佔用面積為何，均可確保高的開口率。 因此，為求確保所需之面板正面照度，無須過度提高顯 示元件之驅動電流密度。因而可延長顯示元件之壽命，可 提高顯示裝置之性能的可靠性。 此外，藉由光透過性導電材料形成光供給侧電極（第二 電極：陰極）之情況下，其電阻率較一般金屬為高，在顯 示區域内可能發生局部性電壓下降。因而，至少在電阻高 的區域内配置電阻低於光透過性導電材料的輔助配線，電 性連接該輔助配線與第二電極。-該輔助配線電性連接於用 於供給電源至第二電極之第二電極電源線，輔助配線與第 二電極保持相同電位。因而可在整個顯示區域内抑制第二 電極之電位的不穩定，抑制顯示不均一之發生，可提高顯 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1257496 A7 B7 五、發明説明（2〇) 示品質。 另外’本發明並不限定於包含上述活性層之有機發光層 之有機EL顯示裝置，當然亦可適用於光活性層在各像素 獨立’並形成島狀之全部平面顯示裝置。 如以上說明’該顯示裝置可抑制顯示不均一之發生，以 實現顯示品質高之平面顯示裝置。此外，亦可不增加製造 步騾而達成上述平面顯示裝置。 精通此技藝的人士可輕易進行額外的好處與修改，因 此，在廣義來說本發明並未受限於此處所舔— 、 丨’不與說明的拍 定細節與代表領域，因此，在不悖離申請表 卜 、 寻利範圍及同 等項所定義的一般發明領域之精神與領域 八 改。 ^下可進行許多修 元件符號之說明
裝 1 :有機E L顯示裝置 2 :有機E L面板 3 :外部驅動電路 10 :顯示區域 101 :支撐基板 102 :内塗層 103 :閘極絕緣膜 104 :閘極 105 :源極區域 106 •沒極區域 107 •掃描信號線 訂
-23-
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) A7 B7 1257496 五、發明説明（21 ) 109 :影像信號線 109a :影像信號線之一部 109b :影像信號線之一部 110 :影像信號電壓供給用電容器 110a :影像信號電壓供給用電容器之下部電極圖案 111 :源極區域 112 :汲極區域 113 :源極 113a :層間絕緣膜 114 ··汲極 115 :電流供給線 116 :絕緣層 117 :第一電極（下部電極） 118 :輔助配線 119 :第二電極電源線 120 :隔壁 120a :接觸部 120b :開口部 121 :有機發光層 122 :第二電極（光供給側電極） 13 1 :汲極 _ - 132 :源極 P :顯示元件 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐）
裝 訂
線 A7 B7 1257496 五、發明説明（22
Ydr :掃瞄信號線驅動電路 Xdr :影像信號線驅動電路 SW1 :切換元件 SW2 :驅動用控制元件 -25- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

Claims (1)

  1. 號專利申請案 一·一’----------------中專利库色圍替換本(93年5月） .....— " ____ 々’申請專利範圍 8 8 8 8 AB c D 1. 一種顯示裝置，其特徵為： 其係包含數條掃描信號線（1 〇 7 )，其係配置於基板 上；數條影像信號線（109)，其係配置成與前述掃^信 號線大致直交；切換元件（SW1)，其係配置於前述:^ 信號線與可述影像信號線之交叉點附近；及驅動控制元 件（SW2)，其控制端子係經由前述切換元件連接到前述 影像信號線；及顯示元件，其係具有由有機發光材料形 成的光活性層（121)，該光活性層（121)係於由上述驅 動控制元件提供驅動電流之第一電極（丨丨7 )、及與該第 一電極相對配置之第二電極（丨2 2 )之間形成獨立島狀； 前述顯示元件配置成矩陣狀， 且包含輔助配線（1 1 8 )，其係形成於與前述第一電極 同一平面上，且與前述第一電極電性絕緣，與前述第二 電極電性連接。 2·如申請專利範圍第i項之顯示裝置，其中前述第一電極 及前述輔助配線係以同一材料形成。 3·如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中前述輔助配線 之電阻小於前述第二電極。 4·如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中前述第二電極 係藉由光透過性導電材料而形成。 5. 如申凊專利範圍第4項之顯示裝置，其中係經由前述第 二電極供給光至外部。 6. —種顯示裝置之製造方法，其特徵為： 其係將顯示元件配置成矩陣狀者，該顯示元件包含光 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（21〇 X 297公釐）
    六 電極、及與該 層’其係配置於形成在基板上之第 -電極相對配置之第二電極之間， 且包含： 其係藉由導電材 可述第-電極及輔助配線形成步驟 矸，於相同步驟中形成； 巴為$成步驟，其係由有機光 路出前述第一兩打π 1 何村所元成亚包含 * 弟極及两述輔助配線之區域； 則述光活性層形成步鄉， 前述第-電極之區域内;及形成於前述絕緣膜露出 配置朵：、兒極开7成步驟’其係於大致整個前述基板上 極相對，：丨生！''’經由前述光活性層與前述第-電 、、且兒性連接於前述輔助配線。 申:目專利範圍第6項之顯示裝置之製造方法，其中前 处光活性層形成步驟包含選擇性排出有機發光材料步 驟0 8. 一種顯不裝置，其特徵為： 其係包含：數條掃描信號線（1 〇 7 )，其係配置於基板 上；數條影像信號線（109)，其係配置成與前述掃描信 號線大致直叉；切換元件（s W 1 )，其係配置於前述掃描 k號線與前述影像信號線之交叉點附近；及顯示元件， 其係具有由有機發光材料形成的光活性層（丨2丨），該光 活性層係在連接於前述切換元件之第一電極（丨1 7 )、及 與該第一電極相對配置之第二電極（丨2 2 )之間形成獨立 島狀；前述顯示元件配置成矩陣狀， * 2 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公爱) 1257496 κ、申請專利範圍 j前::電極獨立形成於各個前述顯示元件上，前 吊一包極共同形成於前述顯示元件上， 與：述第—電極電性絕緣，且電性連接於前述第；電 7又辅助配線（u 8)，於基板 部密集。 回門配且成中央邵較阀邊 9·如申請專利範圍第8項之顯示 陪辟 -^ . 具中逐進一步包含 土 係分離各個前述顯示元件， 削述辅助配線係配置於前述隔壁上。 •種頰不裝置之製造方法，其特徵為： 元件包含光 及與該陽極 裝 其係將顯示元件配置成矩陣狀者，該顯 活性層，其係配置於形成在基板上之ϋ 相對配置之陰極之間， 且包含： 前述陽極形成步驟，其係藉由導 $ 狀； 柯却等兒材科形成獨立島 j助配線形成步㉟’其係藉由導電材料形成； 則述光活性層形成步驟，其係形成於前述 前述陰極形成步驟，其係於大致整 光透過性導電膜，經由光活性層與前=上= 電性連接於前述輔助配線。 柏对，並且 11.如申請專利範圍第10項之顯示裝置之製进 形成前述陽極後，進—步具有絕緣膜形成 含露出前述陽極之區域， 〜/、係包 並將前述輔助配線形成於前述絕緣膜上。 -3- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4«^^7297公董） 1257496 A 8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 置之製造方法，其中前 出步驟，係在排出有機 一電壓，於前述輔助配 配線與前述喷嘴之間產 下，自前述噴嘴向前述 12.如申請專利範圍第1 0項之顯示裝 述光活性層形成步驟包含液滴排 發光材料之液滴的喷嘴上施加第 線上施加第二電壓，使前述輔助 生排斥力，於帶特定電位之狀態 陽極上排出液滴。 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 1257496 第09110812丨號專利申請案 中文圖式替換頁(93年5月）
    圖3 金屬材料 電子 電阻率 1 (/i Qcm) 透明導電 材料 電子 電阻率 ("Ω cm) Ag 1.6 I TO 100〜1000 Cu 1.7 120 100〜1000 APC合金 2.2 Au 2.4 Al 3.0 A!-Nd合金 4.7 Ti 5.0 Mo 5.6 W 5.6
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