TWI239798B - Photo electric wiring substrate, mounted substrate, and the manufacture method of the photo electric wiring substrate - Google Patents

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Takehito Tsukamoto
Takao Minato
Kenta Yotsui
Daisuke Inokuchi
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Description

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1239798 A7 __^___ 五、發明說明(/) [技術之領域] 本發明有醐於具有光配線層和電氣配線混合存在之光 •電氣配線基板及其製造方法,和將光零件或電氣零件 實裝在該光·電氣配線基板之實裝基板。 [背景技術] 近年來在半導髑大型積體電路(LSI)等之電氣元件中 ,將電晶體之密集度提高。其中存在有時鐘頻率為1GHZ 之動作速度者。 為著要將該高密集化之電氣元件實裝在電氣配線基板 •所 K 開發有 BGA(B&11 Grid Array)和 CSP(Chip Size Package)等之套裝軟鱷,而且巳實用化。 但是,通常随著電氣元件内部之時鏟頻率之變高,電 氣元件外部之元件間信號速度亦變為高速。該元件間信 號之高速化·由於用Μ連接各元件間之電氣配嬢之形狀 不良,會產生反射等之雜訊或串擾之影響。另外,電氣 配線會產生更多之電磁波,會有對周画造成不良影響之 問題發生。因此,在目前所構建之糸統是使用電氣元件 間之信號速度降低到不會發生該等問鼸之程度。但是, 在此種方式中畲有不能充分產生高密集之電氣元件之功 能之問題。 為著解決此種問題,使用光纖或光導波路之光配線用 來替換在印刷基板上之使用鋦之電氣配繚之一部份,利 用光信號用來代替電信號。在光信號之情況時,可Κ抑 制雜訊和電磁波之發生。 -3 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ---------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一·^I ^ ^ ϋ .1 ϋ -I ϋ I I I I I ^ 11 I I I ϋ I I ϋ ϋ I I — — — — — A7 1239798 __B7_ 五、發明說明(2 ) 另外,從高密度實裝和小型化之觀點來看,最好製作 具有電氣配線和光配線積層在同一基板上之光·電氣配 線基板,但是習知之光•電氣配線基板,當實裝雷射發 光元件和受光元件等之光零件時,光零件之光軸和光配 線之光軸很難光學性地一致,假如不依賴熟練之工作者 ,不能獲得一致。因此·當與可Μ利用反射爐自動銲接 之電氣零件比較時,要將光零件實裝在光•電氣配鐮基 板,變成要非常之高價格為其缺點。 [發明之揭示] 本發明針對習知技術之缺點,其目的是提供可Μ高密 度實裝和小型化,Κ良好之精確度實裝光零件或霄氣零 件之光。電氣配線基板和其製造方法,和將光零件或電 氣零件實裝在該光•電氣配線基板後之實裝基板。 本發明之一態樣是一種光•電氣配線基板,具備有: 電氣配線基板,具有電氣配線;和光配線層•積層在該 電氣配線基板,在其一方之面實裝光零件;其特徵是該 光配線層具有:芯子,用來傅播光;包蓋,包夾該芯子 ;和鏡,用來將在芯子傅播之光反射向被實裝在光配線 層之光零件,或將來自該光零件之光反射到該芯子中; 該電氣配線基板具有·•導電性設置裝置•依積層方向穿 通該光配線曆,在其一方之端再設置該實裝之光零件, 成為導電體之柱,用來獲得該實裝光零件和電氣配線之 電導通。 另外,本發明之另一態樣是將光零件或電氣零件實裝 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ---------^--------I --------I-------------- A7 1239798 ___B7_ 五、發明說明(3 ) 在該光•電氣配線基板後之實裝基板。 另外,本發明之另一形態是一種光•電氣配線基板之 製造方法,其特徵是所包含之工程有:在電氣配線基板 之指定之電氣配線上形成導電性設置裝置·,在該電氣配 線基板上塗布第1包蓋層;在該第1包蓋層上塗布芯子 層;在該第1包蓋曆之一部份和該芯子層望布第2包蓋 層,藉Μ獲得光配線層;使該導電性設置裝置之一方之 端面從該光配線層露出;在該光配線曆上形成電氣配線 ;和在該光配線層之指定之位置,利用穿孔形成鏡。 依照此種檐造時,可Μ提供能夠高密度實裝置和小型 化,可ΜΜ良好之精確度實裝光零件或電氣零件之光· 電氣配線基板和及製造方法•及將光零件或電氣零件實 裝在該光•電氣配線基板後之實裝基板。 另外,在本發明之實施形態中包含各種階段之發明· 利用所揭示之多個構成構件之適當之組合可Μ獲得各種 之發明。例如,從實施形態所示之全體構成元件中,經 由省略數個構成元件,用來抽出發明時,在實施該被抽 出之發明之情況,可ΜΜ習知之技術用來適當的補充該 省略部份。 [圖面之簡單說明] 第1圖表示從光零件實裝看第1實施形態之光•電氣 配線基板10之上面圖。 第2圖表示沿著第1圈之C-C方向之剖面圖。 第3圖和第4圖表示將光零件實裝在第1實施形態之 -5 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -f --------t----------1^ — Awi----------------------- 1239798 A7 ________B7__ 五、發明說明(4 ) 光·電氣配線基板10後之實裝基板。 第5A麵〜第50圖表示光·電氣配線基板10之製造方法 之各個工程。 第6圖表示利用第2製造方法所獲得之光•電氣配嬢 基板10之實裝光零件之部份之平面圏。 第7A圖表示沿蕃第6圖之C-C之剖面_。 第7B圖表示將光零件實裝在第1實施形態之光•電氣 配線基板10後之實裝基板。 第7C圈表示第1實施形態之光•電氣配線基板1〇之另 一實例。 第8A圖〜第8E圓表示光配線層11之製造方法之各個工 第9A圖〜第9E圖表示電氣配線基板12之製造方法之各 個工程。 第10A圖〜第10E圖表示將光配線層11積曆在電氣配線 基板12之方法之各個工程。 第11園表示從光零件實裝看第2實施形態之光•電氣 配線基板10之上面圈。 第12A圖表示沿著第111之C-C方向之剖面·。 第12B 第12C圖是表示凹部51近傍之攘大·。 第13圖表示從光零件實裝側看第2實施形態之光•電 氣配線基板10之上面圖。 第14A_〜第14E圖表示光配線層11之製造方法之各個 工程。 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 I I I I I I I 1111 — ^^ -^^^1 — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — A7 1239798 __B7 五、發明說明(5 ) 第15A圖〜第15E圖表示電氣配線基板12之製造方法之 各個工程。 第16A圖〜第16E圖表示將光配線層11積曆在電氣配線 基板12之方法之各個工程。 第17圖表示從光零件實裝看第3實施形態之光•電氣 配線基板62之一實例之上面圖。 第18圖是沿著第17_之OC方向之剖面圖。 第19圖表示從光零件實裝在第3實施形態之光•電氣 配線基板62後之實裝基板。 第20A圖〜第20E_表示光配線層11之製造方法之各個 工程。 第21A圖〜第21E圓表示電氣配線基板12之製造方法之 各個工程。 第22A臛〜第22E圈表示將光配線層11積曆在電氣配線 基板12之方法之各個工程。 第23圖表示從光零件實裝看第4實施形態之光•電氣 配線基板64之上面画。 第24圃是沿著第231之C-C方向之剖面_。 第25圖表示實裝雷射發光元件22後之光•電氣配線基 板64 〇 第26A圖〜第26E圖表示光配線雇11之製造方法之各個 工程0 第27A圓〜第27J圖用來說明電氣配線基板12之製造方 法,和使用導電性突起部將光配線層11積層在電氣配線 -7 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公釐) ---------10 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ϋ ·ϋ ϋ ^OJ ϋ n I ^ n ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ ^1 ϋ ^1 ϋ ϋ ^1 ϋ I ϋ - A7 1239798 B7_ 五、發明說明(6 ) 基板1 2之積層方法。 [用K實施本發明之最佳形態] 下面將依照圖面用來順序的說明用Μ實施本發明之最 佳之四個形態。另外,在Μ下之說明中,在具有大致相 同功能和構造之構成元件附加相同之符號,和只在需要 之情況進行重複之說明。 (第1實施形態) 表示第1實施形態之光•電氣配線基板之重點是成為 積層構造,積層有:光配線,用來實裝光零件(光元件) ;和基板,具有電氣配線。 第1圖表示從光零件實裝看第1實施形態之光•電氣 配線基板10之看到之上面圖。 第2圖表示沿著第1圖之C-C方向之剖面圖。 如第1圖和第2圖所示,光·電氣配線基板10成為在 基板12上積層光配線曆11之構造。 首先,根據第1圖和第2圖用來順序的說明光•電氣 配線基板10之嫌造,和光配線系統,電氣配線糸統· Μ 及實裝在光配線層11上之光零件等和電氣配線系統之間 取得電連接之連接裝置。 光配線層11之構成包含有:芯子111 ,用來傳輸光信 號;和包蓋11 3 ,用來閉合該芯子111 。該芯子111之 型樣如後面所述,Μ光刻技術形成。其位置可ΚΜ形成 在支持基板上調正檷記(圖中未顬示)決定。經由使形 成芯子111之材料之折射率比包蓋113者高,用來使光 -8 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 '1·------- — 訂--------U 線!----------------------- 1239798 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(8 ) 獲得光零件(雷射發光元件或受光元件)等與電氣配線 120 ,121 , 122 , 123之電連接。光零件等直接銲接 在該導電性突起部14, 15, 16, 17之光配線層11側之端 面14a , 15a , 16a , 17a(參照第1圓)。這時,亦可 Μ依照需要在端面14a · 15a , 16a , 17a施加電鍍Ni / Au等之表面處理。 本發明之光·電氣配線基板不只是光零件,而且也實 裝1C等之電氣零件。在這種倩況,電氣零件和基板12上 之電氣配線1 20 , 121 , 1 22 · 123經由導電性突起部 14, 15 , 16 , 17進行電連接。 另外,各個導電性突起部K光刻技術和電鍍技術形成 。因此,其形成位置可Μ利用形成在基板上之調正禰記 (圖中未顯示)進行決定。另外,導電性突起部之數目 一般是與光零件等之連接端子221對應,但是亦可以依 照需要增加或減少。 第3圖是在導電性突起部之端面14a , 15a , 16a , 17a之上,利用銲劑2 4銲接半導體雷射等之雷射發光元 件22之引線221時之剖面圖。如第3圓所示,從雷射發 光元件22之雷射發光面220放出之雷射光21,被鏡115 反射,在芯子111傅輪。 第4圖是在導電性突起部之端面14a , 15a, 16a , 17a上,利用銲劑24銲接光電二極體等之受光元件23之 引線231時之剖面圖。如第4圖所示,在光配線層11傅 輸之雷射光31被鏡115反射,射入到受光元件23之受光 -1 0 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------^--------屋 ----------------------- 1239798 Α7 Β7 五、發明說明() 面 230 0 依照上逑之方式,Μ圖中未顯示之讕正標記作為基準 ,用來決定光配線曆11之光配線芯子111 ,和用Μ裝載 光零件之導電性突起部14, 15, 16, 17(或端面14a · 15a , 16a , 17a ),及鏡115之間之相對位置鼷係。 因此,可KK極高之精確度使光軸一致。另外,只需要 將光零件之引線配置成與導電性突起部之端面14a · 15a , 16a , 17a配合,就可Μ使該光零件之光輸和光 配線層11之芯子111之光袖成為光學式的一致。另外, 刺用反射《等可Μ自動的而且簡單的銲接光零件。 另外,在光配線層11之上,亦可Μ新設用Μ銲接電氣 零件之導電性突起部。另外,亦可Μ在光配線層11上新 設電氣配線。該電氣零件用之導電性突起部之構造,亦 可Κ與上述之光零件用之導電性突起部相同。 另外,亦可Μ依照需要構建成在光配線靥11上形成新 的電氣配線用來進行光零件或電氣零件與導電性突起部 之電連接。 〈光•電氣配線基板之第1製造方法〉 下面將說明本發明之光•電氣配線基板之第1製造方 法。 本發明之光•電氣配線基板之製造方法之概略如下所 逑〇 首先,利用光刻技術和電鍍技術在具有電氣配線120 ,121 , 122 , 123之基板12上,形成導電性突起部14 一 11- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ---,1· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 I f !| 訂·ίι!!ι:線 ------— II------------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1239798 A7 __B7_ 五、發明說明(1G ) ,15, 16· 17 〇 從上面塗布包蓋層11 3a,和塗布芯子曆111a。 其次,使用光刻技術和電鍍技術使芯子曆111a成為指 定之形狀藉Μ形成作為光配線之芯子111 。 然後,在芯子111上塗布包蓋層113b用來形成包蓋 113藉Μ獲得光配線層11。 然後,除去導電性突起部14, 15, 16, 17之端面14a ,15a , 16a , 17a上之包蓋113之一部份,使光配線 曆表面露出。 然後,使用光刻技術和電鍍,蝕刻技術形成電氣配線 和鏡115加工用之金靨遮罩開口部,利用乾式蝕刻用來 形成鏡115 。 此種製造方法之特別重要之一點是在具有導電性突起 部之電氣配線基板12上,直接實裝包蓋113 ,芯子111 等,用來形成光配線層11。利用此種想法,可Μ使工程 簡化藉Κ提高製造效率。 下面將依照圖面用來說明有闞於第2Α圖所示之光•電 氣配線基板10之更詳细之製造方法。特別是用來與基板 12上之電氣配線1 20 , 121 , 1 22 , 1 23電連接之光零 件裝載用之導電性突起部14, 15, 16, 17作重點,同時 參照第5Α圖〜第5〇醒進行說明。 第5Α圖〜第50圖表示光·電氣配線基板50之製造方法 之各個工程,依照實行顒序排列。 首先,如第5Α圓所示,在具有綢配線層13之綱聚醢亞 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -------^--------線—----------------------- 1239798 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 -π--- 五、發明說明() 胺多層基板12上,利用濺散法形成由Cr和銅構成之金靨 薄膜層1 8。 如第5B圖所示,利用滾動塗膜形成40/ziii之作為光抗 蝕劑19之PMER (東京應化(股)公司製)。然後,進行曝 光,顯像處理,用來形成直徑1〇〇>ubi之開口部20。 其次,以金靥薄膜層18作為陰極,在硫酸銅溶中,以 常溫進行電鍍至光抗蝕劑之膜厚程度,然後,利用無電 解電鍍,形成Ni Au 0·005//βι,如第5C圖所示, 製成導電性突起部14, 15,16, 17(但是,第14和16圖 中未顯示)。 如第5D圖所示,利用專用之剝離液除去光抗蝕劑19。 如第5 Ε画所示,以蝕刻液除去,金颶薄膜層1 8。 如第5F圖所示,作為包蓋層113a者,旋轉塗膜聚_亞 胺0PI-N1005 (日立化成工業(股)公司製),以350 °C使 其醯亞胺化。這時之膜厚為15//B。 如第5G圖所示,作為芯子層111a者,同樣的旋轉塗膜 聚醯亞胺化OPI-N1305 (日立化成工業(股)公司製), 以350 °C使其醯亞胺化。這時之膜厚為 在芯子層111 a之表面蒸著A1,用來形成光抗蝕劑之指 定之圖型,利用蝕刻液進行A1之金颶遮罩之形成。然後 ,使用氣氣,以反應性離子蝕刻對芯子層1 1 la進行蝕刻 ,蝕刻除去A 1膜藉以形成芯子1 1 1 。 如第51圖所示,同樣的從上面塗膜作為包蓋層113b之 OPI-N1005,使其醯亞胺化^這時之包蓋層113b之膜厚 -1 3- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1239798 A7 ___B7_ 五、發明說明(12 ) 在芯子111上為1 5 iU in。 如第5J圖所示,同樣的對本基板最表面進行乾式蝕刻 ,用來使各個導電性突起部之端面14a , 15a · 16a , 17a (但是,14a和16a圖中未顯示)露出。 在第5K圖所示,在被乾式蝕刻後之最表面,利用濺散 法形成Cr和銅之金靥薄膜30。 如第5L圖所示,作為光抗蝕劑31者,使用PMER,形成 開口部用Μ形成電氣配線33,經由電鍍銅用來形成電氣 配線33。 在利用專用之剝離液除去光抗蝕劑31之後,如第5Μ圖 所示,再度的利用旋轉塗膜,塗布2/im之光抗蝕劑34, 形成開口部34藉从對底層之金羼薄膜30施加蝕刻加工。 如第5N圖所示,利用蝕刻液進行圖型36之形成用K形 成金羼薄膜30之鏡,利用專用之剝離液除去光抗蝕劑。 然後,使基板12傾斜為45° ,使用氧氣Μ反應性離子蝕 刻進行穿孔加工,用來形成鏡115 。 如第50圖所示,蝕刻除去金願薄膜30,藉以獲得本發 明之光•電氣配線基板10。 另外,依上述方式獲得之光·電氣配線基板10,特別 是在各個導電性突起部之各個端面,使用銲接用來固定 光零件(雷射,光電二極體等)和電氣零件(CPU ,記 憶器等),可以獲得實裝基板。 依照上述之構造時可Μ獲得下面所述之效果。 第1 ,因為在具有電氣配線1 20 , 1 21 , 1 22 , 1 23 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · -------^-------------------------------- 1239798 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(13 ) 之基板12之上設置光配線層11,所以具有可Μ高密度實 裝和小型化之效果。 第2 ,芯子111之圖型,光零件裝載用之導電性突起 部之端面14a , 15a , 16a , 17a ,和鏡115之間之相 對之位置闞係,可MM極高之精確度與所希望者一致。 因此,光零件之光軸和作為光配線之芯子111之光_很 容易成為光學式的一致。其结果是具有可Μ簡單的實裝 光零件和電氣零件之效果。 第3 ,在銲接光零件或電氣零件時,因為直接連接在 Κ電鍍形成之導電性突起部14, 15, 16, 17,所以不會 受到銲接熔融熱之影響,可Μ提高連接之可靠度。同時 亦具有可以提高基板12上之各個電氣配線和光零件或電 氣零件連接之可靠度之效果。 第4 ,因為亦可Μ依照需要在光配線曆11之上設置電 氣配線,所Κ具有可Μ更進一步抑制電氣配線間之干擾 之效果。 〈光•電氣配線基板之第2製造方法〉 下面將說明本發明之光·電氣配線基板10之第2製造 方法。 第6圖表示在利用第2製造方法所獲得之光•電氣配 線基板10中,Μ實裝光零件之部份之平面圖。另外,第 7Α圖表示第6圖中之沿著OC (沿著芯子111 )之剖面 該第2製造方法之重點是個別的製造光配線層11和具 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · -------訂-------- 線 I ------------------------ A7 1239798 __B7_ 五、發明說明(14 ) 有導電性突起部之電氣配線基板12,經由接著層進行接 著用來製成光•電氣配線基板10。 下面將依照圈面用來詳细的說明第2製造方法之(0光 配線層之製造方法,(2)電氣配線基板之製造方法,(3)光 •電氣配線基板之製造方法之步驟。 ⑴光配線層之製造方法 利用Μ下所說明之第8 A圖〜第8E圖之步驟用來形成薄 膜狀之光配線層11。 如第8A圖所示,在矽晶圓40上塗布厚度20〜50am程 度之包蓋層U3a。包蓋層113a,在聚醢胺酸溶液之情況 時,為著醢亞胺化Μ 350度進行1〜2小時之燒成。另外 ,在環氧樹脂之情況,進行UV硬化或W 100〜200度進行 聚合物化。 其次,如第8Β圖所示,例如選擇氟素系聚醣胺酸溶液 或聚甲基丙烯酸酯樹脂溶液等在所欲導波之波長具有較 佳折射率之樹脂,Μ適當之方法,對作為光導波路之芯 子曆111a均一的進行8/i in之塗布。 其次,如第8 C圖所示,利用芯子層111 a形成芯子111 。該芯子111之形成方法依照芯子層111 a之感光性之有 無,例如可Μ分成下面之2種方式。亦即,在芯子層 Ula具有感光性之情況時,Μ光刻法進行圖型製作用來 形成芯子111 ,然後依照材料進行硬化反應。另外一方 面,當芯子層111a具有感光性之情況時,在硬化後形成 指定圖型之金颺遮罩,利用RIE乾式蝕刻用來形成芯子 -16- 本紙•張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐1 ~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 — — — — — — — ^-1 —------^ I --I------------------- 1239798 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(15 ) 111之圖型。 然後,使用與先前形成之包蓋層113a相同之材料,同 樣的塗布到厚度20〜50itzm程度,用來形成包蓋層111b, 藉K獲得包蓋層113 。 然後,如第8D圖所示,在由芯子111和包蓋113構成 之光配線層之指定之位置,形成穿通該光配線層之穿通 孔41。該孔41之形成可Μ經由具有指定之圖型之遮罩照 射受激準分子雷射而形成。 其次,如第8Ε圖所示,將光配線層11剝離矽晶圖40, 藉以形成包含穿通孔41之薄膜狀之光配線層11。 在上逑之製造方法中,在矽晶圓40上形成穿通孔41。 因此,可ΚΚ高精確度很容易的形成穿通孔41。另外· 在穿通孔41之形成後,將光配線層11剝離該矽晶圓40。 因此,穿通孔41之形成時所產生之氣體可Κ完全除去。 (2)電氣配線基板之製造方法 下面將參照第9Α圖〜9Ε圖用來說明電氣配線基板之製 造方法。 如第9Α圖所示,在玻璃環氧基板等適當之絕緣基板42 上,利用電鍍法或濺散法或蒸著法等,形成20/iin程度 之銅薄膜。然後,利用定法之光刻法形成所希望之金臑 配線43。利用濺散法形成金靥薄膜44用來形成導電性突 起部。 其次,如第9B圖所示,從金羼薄膜44之上塗布抗蝕劑 45,進行顯像藉Μ形成開口部46。 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) Ρ---- --------訂---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1239798 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(16 ) 其次,如第9C圖所示,Μ金靥薄膜44作為陰極進行鍍 銅,儘可能的Μ銅埋入開口部46。 其次,如第9D圖所示,將抗蝕劑45剝離。 其次,如第9Ε圖所示,利用蝕刻除去金羼薄膜44。其 結果是可Μ形成電氣配線120 , 121 · 1 22 , 1 23 ·和 被設在該各個電氣配線上之導電性突起部14, 15, 16, 17 (但是,電氣配線120和122 ,導電性突起部14和16 在圖中未顯示)。 另外,穿通各個導電性突起部之穿通孔4之形狀可Κ Κ圓柱型,4角柱型等遮軍選擇。另外,其高度可ΜΚ 抗蝕劑45之膜厚或電鍍之時間進行控制。依照本發明人 等之實驗,最好是直徑大約為50〜100/im,高度大約為 5 0〜1 0 0 /i m之程度。 (3)光•電氣配線基板之製造方法 下面將參照第10A圖〜第10E _用來說明使用導電性 突起部將光配線層積層在電氣配線基板12之方法。 首先,在第10A圖中,各個導電性突起部14, 15, 16 ,17被使用作為光配線層11和電氣基板12之積層時之調 正引導器。亦即,由導電性之金羼等形成之各個導電性 突起部,穿通光配線層11之穿通孔41, Μ此方式進行積 層。這時,最好在光配線層11之與電氣基板12接觸之側 ,塗布接著層47,用來使光配線層11和電氣基板12完全 接著和進行固定。因此,各個導電性突起部14, 15, 16 ,17具有作為上下基板(光配線曆11,電氣配線基板12) -18- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -- - - - ----^ 11111111 ----------.------------- 1239798 A7 B7 五、發明說明(17 ) 之支持引導器之功能,和具有使電氣配線120 , 121 , 122 , 123和被設在光配線層11上之光零件等進行電連 接之功能。 其次,如第10B圖所示,在積層後之光配線層11之表 面,利用濺散法用來形成金屬薄膜30。 其次,當在金靥薄膜30上塗布光抗蝕劑31後,如第10C 圖所示,進行光•顯像處理,用來形成鏡形成用之光抗 蝕劑開口部35。 其次,利用蝕刻在金羼薄膜30形成開口部36,藉K形 成鏡形成用之金羼遮罩。然後,如第10D圖所示,使基 板傾斜為45° ,利用RIE乾式蝕刻用來形成鏡115 。 然後,如第10E圖所示,利用溶解除去金羼遮軍,藉 Μ獲得本發明之光•電氣配線基板。 另外,第2製造方法因為是個別的製造光配線層11和 具有導電性突起部之電氣配線基板12,所Κ亦可以設置 如第7C圖所示之形狀之鏡115 。亦即,在獨立形成光配 線層11時,亦可Μ在第8Ε圈所示之工程之後,將該光配 線層11固定在指定之支持體,利用蝕刻等形成第7C_所 示之形狀之鏡115 。 ⑷實裝基板之製造方法 在依上述方式獲得之光·電氣配線基板10,特別是在 各個導電性突起部之各個端面,使用銲接用來固定光零 件(雷射,光電二極體等)和電氣零件(CPU ,記憶器 等),可Μ獲得實裝基板。 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 --------^---------I ----------------------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1239798 A7 __B7__ 五、發明說明(18 ) 第7B圖表示利用銲劑24將包含有發光用雷射之光零件 22之端子221銲接在導電性突起部14, 15, 16, 17之實 裝基板9 。 在第7B圖所示之實裝基板9中,利用導電性突起部14 ,15· 16 , 17之端面 14a , 15a , 16a , 17a (參照第 6圖)本身作為銲接點。依照上述之方式,導電性突起 部14, 15, 16, 17用來獲得半導體雷射等之光零件和電 氣配線1 20 , 1 2 1 , 1 22 , 1 23之電的導通,和用來確 保與鏡115之調正。因此,可Μ提高與光零件和光配線 層之光導波有闞之連接之可靠度。經由利用各個導電性 突起部之端面作為銲接點,可Μ確保高精確度之調正, 和利用銲接可Μ獲得自行調正之效果。 另外,作為另一較佳構造者,亦可Κ更使用光刻法, 在光配線層11上形成新的金靨銲接點用來與導電性突起 部14, 15, 16, 17進行導通。 但是,光配線層11和鏡115實際上為數之幅度。 因此,需要使雷射光確實的聚光在該範圍。為著達成此 目的,可Μ使與光零件之端子221連接之作為金鼷銲接 點之端面14a , 15a , 16a , 17a構建成比周圍凹陷之 方式。 另外,亦可Μ在端面14a · 15a , 16a , 17a之周圍 新形成用M引導光零件之端子221之連接位置之引導器 。該引導器可Μ具有導電性,亦可Κ具有絕緣性,但是 要形成包圍導電性突起部14, 15, 16, 17 (亦即,端面 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ^-----------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 1239798 __B7_ 五、發明說明(19 ) 14a , 15a , 16a ,17a )之方式。 用以提高該等之雷射光和鏡之調正精確度之技術,將 於後面作為第2實施形態〜第4實施形態的進行詳细之 說明。 因此,依照上述之構造時可W獲得Μ下之效果。 第1 ,因為在具有電氣配線之基板上設置光配線層, 所Κ可Μ高密度的實裝和小型化。 第2 ,光配線層11之芯子111之圖型•光零件裝載用 之導電性突起部14, 15, 16, 17,和鏡115之間之相對 之位置覼係,可ΚΚ極高之精確度成為與所希望者一致 。因此,不霈要另外之調正工程,就可Κ很容易的使光 零件之光軸和光配線層11之光袖成為光學式之一致。另 外,可Μ同時的自動實裝光零件和電氣零件。 第3 ,在銲接光零件或電氣零件時,因為直接連接在 Μ電鍍形成之導電性突起部,所Μ不會受到銲接熔融熱 之影響,可Μ提高可靠度。同時亦具有可Μ提高基板12 上之電氣配線1 20 , 1 2 1 , 1 22 , 1 23和光零件或電氣 零件之連接之可靠度之效果。 第4 ,因為亦可Μ依照需要在光配線層11之上設置電 氣配線,所Κ具有可Μ更進一步抑制電氣配線間之干擾 之效果。 第5 ,可Μ分別製造光配線層11和電氣基板12。另外 ,經由作為引導器之導電性突起部,可以很容易Κ良好 之精確度將光配線層11積層在電氣基板12上。 -21- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 --------^---------^ I ----------------------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1239798 A7 __E7__ 五、發明說明(2〇 ) 第6 ,在電氣基板11之製造過程中,因為不會有氣體 殘留在用Μ形成導電性突起部之開口部41,所K光配線 層11和電氣配線基板12可以確實的電連接。 亦即,在用Μ形成導電性突起部之開口部41之形成時 ,例如,在利用雷射光照射用Μ形成開口部41和Μ電鍍 形成之方法中,會發生下面之問題。第1 ,在開口部41 之底部之金臑膜上或孔之側面,會附著由於電氣配線基 板之支持體之樹脂成分之被加熱破壞而產生之氣體,即 使經由各種洗淨工程亦不能完全除去。第2 ,因為該不 能除去之氣體,在覆蓋開口部41之側面之銅薄膜•會產 生導電性突起部和底層之金颺配線不能成為電導通。第 3 ,當導電性突起部之鍍鋦薄膜對應底層光配線層薄膜 之密著性降低,在銲接光零件之情況時,會發生由於加 熱而容易剝雛之問題。但是,假如使用上逑之構造時就 不會發生此種問題。 Κ上所述者是有闞於光•電氣配線基板之製造之二種 方法。該二種方法中之任何一種均可Κ用來製造下面所 述之第2 ,第3 ,第4實施形態之光配線基板和實裝基 板。 另外,從簡化說明之觀點來看,在第2 ,第3 ,和第 4實施形態中,只表示上述之第2製造方法之實例。 (第2實施形態) 下面將說明第2實施形態之光•電氣配線基板60。 該第2實施形態之光•電氣配線基板之重點是在端面 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------^---------^----------------------- 1239798 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 __B7_五、發明說明(21 ) 14a , 15a , 16a , 17a之周圍,新設置引導器用來引 導光零件之端子221之連接位置。利用該引導器,用來 使從光零件發射或射入到光學零件之雷射光,確實的聚 光在所希望之範圍。其結果是發光雷射之光軸和幅度為 數/im之鏡115之光軸可Μ良好之精確度成為一致和可 Μ強固的固定,如有需要可Μ與電氣配線基板12上之電 氣配線進行電導通。 第11圖表示從光零件實裝看第1實施形態之光•電氣 配線基板60之上面圖。 第12Α圖是沿著第11圖之C-C方向之剖面圖。 如第11圖和第12Α圖所示,光·電氣配線基板60被構 建成在第1實施形態所述之光配線層10之光配線層11上 ,新設有引導部48。該引導部48之形成是在用Κ實裝光 配線曆11之光零件等之面,形成凹部51, 53等。另外, 該凹部形成與各個導電性突起部對應。因此,圖中未顯 示者,光·電氣配線基板60具有凹部51, 53Μ外之凹部。 該凹部可Μ適當的收容光零件之端子,最好是形成可 以銲接之方式。另外,當凹部和光零件之端子之形狀相 似時,因為端子之可移動範圍被限制,所以可Μ達成目 的。另外,本實施形態之導電性突起部因為Μ光刻技術 和電鍍技術形成,所Μ其位置可ΚΚ形成在基板12上之 調正標記(圖中未顯示)決定。 另外,亦可以構建成在包圍各個凹部之側面和各個凹 部之上部周圍,施加Ni/ Au電鍍等之表面處理。 -23- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,1· 訂_丨 ϋ----------------------- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1239798 A7 __B7_ 五、發明說明(22 ) 第12B圖,第12C圖是表示凹部51之近傍之擴大圖。 尤其是第12C圖之實例是在凹部51之側面和周圍被施加 有Ni/Au電鍍等之表面處理。另外,第13圖所示之實例 是在光配線基板60實裝有雷射發光元件22。 如第13圖所示,雷射發光元件22之端子221之前端, 與被收容在各個凹部之各個導電性突起部之端面接觸, 和被銲接固定。因此,可Μ更進一步的提高該基板60和 光零件等之間之調正精確度。 另外,尤其是如第12C圖所示,經由對凹部之側面, 近傍等進行Ni/Au電鍍等之表面處理,可Μ確保具有更 寬廣之用Μ獲得電接觸之面積,可Κ提高裝置之可靠度。 〈光·電氣配線基板之製造方法〉 下面將依照圖面來詳细的說明第2實施形態之光•電 氣配線基板60之製造方法之0)光配線層之製造方法,(2) 電氣配線基板之製造方法,(3)光·電氣配線基板之製造 方法,⑷實裝基板之製造方法之步驟。 ⑴光配線層之製造方法 第14Α圖〜第14Ε圖表示光·電氣配線基板60之製造 方法之各個工程,依照實行步驟排列。 如第14Α圖所示,在矽晶圓40上塗布厚度20〜60am 程度之包蓋層113a (作為用Μ對光進行導波之光配線層 之支持媒體,使用作為氟素化聚醢亞胺系樹脂之前驅體 之氟素化聚醯胺酸或氟素化環氧糸樹脂等)。在聚醢胺 酸溶液之情況時為著醢亞胺化Μ 350度進行1〜2小時之 -24« 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂--- έφ----------------------- 1239798 A7 B7 五、發明說明(23 ) 燒成。在環氧樹脂之情況,進行UV硬化或Μ 100〜2 00度 進行聚合物化。 其次,如第14Β圖所示,例如選擇氟素糸聚醚胺酸溶 液或聚甲基丙烯酸酯樹腊溶液等在所欲導波之波長具有 較佳折射率之樹脂,以適當之方法,對作為光導波路之 芯子層111a均一的進行8/im之塗布。 其次,如第14C圖所示,在芯子層111a具有感光性時 ,K定法之光刻法進行圖型製作用來形成芯子111 ,然 後依照材料進行硬化反應。假如未具有感光性時,在硬 化後形成指定圖型之金鼷遮罩,利用RIE乾式蝕刻用來 形成導波路圖型。然後,使用與先前形成之包蓋層相同 之材料,同樣的塗布到厚度20〜10G a m程度。 其次,如第14D圖所示,在光配線層之所希望之位置 形成包含穿通孔41。亦即,經由具有指定之圖型之遮罩 ,照射受激準分子雷射用來形成孔。 其次,如第14E圖所示,從矽晶圓40剝離時,可Μ形 成形成包含穿通孔41之薄膜狀之光配線層12。在此種方 法中可Μ形成完全不會有氣體殘留之完全之穿通孔。 ⑵電氣配線基板之製造方法 下面將參照第15Α圖〜15Ε圖用來說明電氣配線基板12 之製造方法。 首先,如第15Α圖所示,在玻璃環氧基板等適當之絕 緣基板12上,使用電鍍法,或濺散法,或蒸著法等,形 成20// m程度之鋦薄膜。然後,利用一般之光刻法形成 -25- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------------;· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 — — — — — — — ^ « — — — — — — I— I — — — — — — — — — — — — — — — — — — — —__ 1239798 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(24 ) 所希望之金鼷配線43(亦即電氣配線120 , 121 · 122 ,123 )。利用濺散法形成金羼薄膜44藉K形成導電性 突起部。 然後,如第15B圖所示,在金靥薄膜44上形成抗蝕劑 45,進行顯像藉Μ形成開口部46。 然後,如第15C圖所示,Μ金靥薄膜44作為陰極進行 銅之電鍍,可Κ在開口部46內只埋設銅。 如第15D圖所示,將抗蝕劑45剝離。 然後,如第15Ε圖所示,當蝕刻除去金靥薄膜44時, 可以在金靥配線上形成導電性突起部14, 15, 16, 17 (但是,導電性突起部14和16圖中未顯示)。其結果是 可Μ獲得電氣配線基板12。 另外,導電性突起部之形狀最好使所使用之遮罩之形 狀配合圓柱型,4角柱型等光零件之端子。另外,導電 性突起部之高度可ΜΜ抗蝕劑之膜厚或電鍍之時間進行 控制。依照本發明人等之實驗,最好是導電性突起部之 直徑為50〜500//ιη,高度為50〜200//m之程度。 (3)光•電氣配線基板之製造方法 下面將參照第16A圖〜第16E圖用來說明使用導電性 突起部將光配線層積曆在電氣配線基板12之方法。 首先,在第16A圖中,使用多個導電性突起部作為引 導器用來將光配線層11調正的積層在電氣基板12上。 亦即,由導電性之金牖等構成之柱,穿通光配線層11 之穿通孔46成為積層至薄膜之中間。最好之形態是在光 一 26- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) — — — — — — II — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — I. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1239798 A7 ___B7_ 五、發明說明(25 ) 配線層11之與電氣基板接觸之側,塗布接著劑14,用來 使光配線層11和電氣基板12完全的接著和固定。這時, 如第16A圖所示,光配線層11之膜厚和金靨引導器之高 度從薄膜表面凹陷,但是需要有收納光零件之端子之深 度,調整其一方或雙最好成為20〜200 /im。 其次,如第16B圖所示,在光配線層11之表面,利用 濺散法形成金靥薄膜30。 其次,如第16C圖所示,塗布光抗蝕劑31。然後,進 行光•顯像處理,用來進行鏡形成用之光抗蝕劑開口部 35形成。 其次,利用蝕刻在金屬薄膜30形成開口部36,用來進 行鏡形成用之金爵遮罩之形成。然後,使基板傾斜為45° ,如第16D圖所示,利用RIE乾式蝕刻用來形成鏡115。 然後,利用溶解除去金鼷遮罩,可Μ獲得第16E圖所 示之光•電氣配線基板60。 導電性突起部之另外一種製法是在光·電氣配線基板 之適當之位置,從光配線層側進行雷射光照射和乾式蝕 刻之方法。設在基板12之電氣配線成為阻擋層,至其深 度可Μ形成開口部36 (通孔)。然後繼鑛進行電鍍以金 靥埋入開口部36。假如調整電鍍時間,在光配線層11之 中途,中斷電鍍時,可Μ形成所希望之深度之凹部51。 使用此種方法時,可Κ使凹部深至電氣配線層。 ⑷實裝基板之製造方法 下面將說明將光零件實裝在第2實施形態之光•電氣 -27- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-— — — — — — I— ^ 11111111 — — — — — —----------------I 1239798 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(26 ) 配線基板60之實裝基板之製造方法(參照第13圖)。 首先,在光•電氣配線基板之各個凹部50等裝著銲劑 球,將光零件(雷射,光電二極體)之端子221輕輕的 ***。另外,凹部50, 51等之形狀,例如可KM半徑80 /im之圓形成為深度50/im。另外,例如使光零件之導通 用端子24之數目成為4個,形狀成為半徑75wm之圓形 。電氣零件(CPU,記憶器)用之端子設置在薄銲接之 金鼷銲接點上。 依照本發明人等之實驗,在溫度25 0度之反射爐靜置 10秒後使其冷卻時,光零件之端子被固定在由凹部之形 狀和熔融銲劑之表面張力所決定之平衡位置,可Μ確認 雷射之光軸被收束在鏡之中心位置之土 3am内。與電氣 零件同樣的,當在不是凹部之平坦之金羼銲接點上設置 光零件之端子時,光零件之固定位置不會穩定,會產生 士 50/im程度之誤差。凹部不僅可Μ確保電的導通,和 與光配線用之鏡之高精確度之調正,而且因為導電性突 起部之頂部直接作為銲接點,利用銲接用來與光零件導 通,所Μ可Κ提供連接之可靠度。 因此,依照上述之構造時可Μ獲得下面所述之效果。 第1 ,因為在具有電氣配線之基板12之上設置光配線 曆11 ,所Μ可W高密度的實裝和小型化。 第2 ,光配線層11之包含鏡115之芯子111之圖型和 光零件裝載用之各個導電性突起部之相對位置之闞係, 可ΜΜ極高之精確度成為與所希望者之一致。 一 2 8 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------^---------^ ------------------------ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1239798 7 Α7 Β7 五、發明說明(27 ) 第3 ,因為光零件之端子221可KM良好之精確度被 收容在光配線層11上之各個凹部,所以光零件之光軸和 光配線層11之光軸可K很容易光學性地一致,因此光零 件和電氣零件可以同時的自動實裝。 第4 ,在銲接光零件或電氣零件時,假如直接連接在 以電鍍形成之導電性突起部,則不會受到銲接熔融熱之 影響,可Μ提高連接之可靠度。同時,可K提高基板12 上之電氣配線和光零件或電氣零件之電連接之可靠度。 (第3實施形態) 下面將說明第3實施形態之光•電氣配線基板62。 該第3實施形態之光•電氣配線基板62之重點是構建 成使各個導電性突起部之端面14a , 15a , 16a , 17a 比光配線層11之實裝面突出至指定之高度,該突出之各 個導電性突起部之前端和光零件等之端子(最好是該端 子之形狀為凹狀,和與端面14a , 15a , 16a , 17a相 似)互相連接。 利用此種光零件等和導電性突起部之連接,用來將從 光零件發射,或射入到光學零件之雷射光,確實的聚光 在指定之範圍。其結果是與第2實施形態同樣的,可Μ Μ良好之精確度使發光雷射等之光軸和幅度為數// π»之 鏡115之光軸一致,和可K強固的固定,如有需要可Μ 與電氣配線基板12上之電氣配線進行電的導通。 第17圖表示從光零件實裝看第3實施形態之光•電氣 配線基板62之一實例之上面圖。 _29 一 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) L----- --------^---------^ l,^w.----------------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1239798 A7 ___Β7 _ 五、發明說明(28 ) 第18圖是沿著第17圖之C-C方向之剖面圖。 如第17圖和第18圖所示,光·電氣配線基板62是除了 第1實施形態所述之光·電氣配線基板10之構造外,被 構建成使各個導電性突起部14, 15, 16, 17從光配線層 11之實裝面突出至指定之高度。 各個導電性突起部14, 15, 16, 17最好為鋦等之金靥 。可Μ與形成在基板12之電氣配線120 , 121 · 122 , 123進行導通。但是,亦可Κ不需要導通,只作支持之 用。 如第18圖所示,從光配線層11突出之各個導電性突起 部14, 15, 16, 17被適當的收容在設於光零件22之端子 223之凹部,用來銲接導電性突起部之前端和光零件凹 部周邊。特別是當光零件之端子22 3之凹部之形狀與導 電性突起部之前端相似成為滦入時,可Μ限制光零件之 可移動範圍。因此,發光雷射22之光軸和幅度為數//m 之鏡115之光軸可KM良好之精確度成為一致,和可Μ 強固的固定。另外,亦可以依照需要使在光配線基板11 上之新設之電氣配線和各個導電性突起部14, 15, 16, 17進行電的導通。 光零件22之端子223之凹部利用撞凹形成等定法,利 用電鍍Μ良好之精確度形成。另外,在各個導電性突起 部14, 15, 16, 17之前端,施加Ni/Au電鍍等之表面處 理,可Μ用來提高電連接之可靠度。 第19圖未顯示者,亦可以依照霈要,將1C等之電氣零 -30 一 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---------^---------^ ------------------------ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1239798 A7 ___B7_ 五、發明說明(29 ) 件,與光零件同樣的,設在光配線層11上(或導電性突 起部上),經由導電性突起部形成與電氣配線120 , 121 ,122 , 123電連接。因為導電性突起部K光刻技術和 電鍍技術形成,所Μ可K利用形成在基板12上之調正標 記(圖中未顯示)用來決定其位置。 〈光·電氣配線基板之製造方法〉 下面將依照圖面用來詳细的說明第3實施形態之光· 電氣配線基板62之製造方法之W光配線層之製造方法, ⑵電氣配線基板之製造方法,⑶光•電氣配線基板之製 造方法,⑷實裝基板之製造方法之步驟。 W光配線層之製造方法 第20Α圖〜第20Ε圖表示光·電氣配線基板60之製造 方法之各個工程,依照實行步驟排列。 如第20Α圖所示,在矽晶圓40上,塗布厚度20〜100 ium程度之包蓋曆113a (作為用Κ對光進行導波之光配 線層之支持媒體,使用作為氟素化聚醯亞胺条樹脂之前 驅體之氟素化聚醢胺酸或氟素化環氧系樹脂等)。在所 使用之材料為聚醚胺酸溶液之情況時,為著醢亞胺化以 3 50度進行1〜2小時之燒成。另外,在環氧樹脂之情況 ,進行UV硬化或M100〜200度進行聚合物化。 其次,如第20 B圖所示,例如選擇氟素系聚醢胺酸溶 液或聚甲基丙烯酸酯樹脂溶液等在所欲導波之波長具有 較佳折射率之樹脂,Μ適當之方法,對作為光導波路之 芯子層111a均一的進行8/i in之塗布。 -31- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) L----^ i I-----訂---------線 ----------------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1239798 A7 _B7_ 五、發明說明(^ ) 其次,如第20C圖所示,在S子層111a具有感光性時 ,Μ定法之光刻法進行圖型製作用來形成作為光導波路 之芯子111 ,然後依照材料進行硬化反應。另外一方面 ,假如芯子層111a未具有感光性時,在硬化後形成指定 圖型之金靥遮罩,利用RIE乾式蝕刻用來形成導波路圖 型〇 然後,如第20D圖所示,使用與先前形成之包蓋層 113a相同之材料,在包蓋層113a之一部份和芯子111 , 塗布20〜lOOwm程度之包蓋層113b。然後,在所希望之 位置形成穿通孔41。該穿通孔41之形成是經由具有指定 之圖型之遮罩,照射受激準分子雷射。 其次,如第20E圖所示,將薄膜狀之光配線層11剝離 矽晶圓40,可Μ獲得包含穿通孔41之光配線層11。 另外,在此種方法中,可Μ形成完全不會有氣體殘留 之完全之穿通孔41。 ⑵電氣配線基板之製造方法 下面將參照第21Α圖〜第21Ε圖用來說明電氣配線基板 1 2之製造方法。 首先,如第21Α圖所示,在玻璃環氧基板等適當之絕 緣基板12上,使用電鍍法,或濺散法,或蒸著法等,形 成20 am程度之銅薄膜。然後,利用定法之光刻法形成 所希望之金牖配線43 (亦即,電氣配線120 , 121 , 122 , 123 )。然後,為著形成多個支柱(導電性突起 部),利用濺散法形成金靥薄膜44。 -32一 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^ --------訂---------線 ------------------------ 1239798 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(31 ) 然後,如第21B圖所示,從金靥薄膜44之上張貼乾膜 抗蝕劑45,進行定法之曝光顯像藉Μ形成開口部46。 然後,如第21C圖所示,Κ金屬薄膜44作為陰極進行 銅之電鍍,儘可能Μ鋦埋設在開口部46之內部。 如第21 D圖所示,將抗蝕劑45剝離。 然後,如第21Ε圖所示,蝕刻除去金靥薄膜44,可以 在金屬配線43上形成導電性突起部14, 15, 16, 17(但 是,導電性突起部14和16在圖中未顯示)。 另外,與第2實施形態同樣的,導電性突起部之形狀 最好使所使用之遮罩之形狀配合圓柱型,4角柱型等光 零件之端子。另外,導電性突起部之高度可以Κ抗蝕劑 之膜厚或電鍍之時間進行控制。依照本發明人等之實驗 ,最好是導電性突起部之直徑為50〜500 /im,高度為50 〜2 0 0 /i m ° (3)光•電氣配線基板之製造方法 下面將參照第22A圖〜第22E圖用來說明使用導電性 突起部將光配線層11積層在電氣配線基板12之方法。 首先,在第22A圖中,使用各個導電性突起部用來進 行將光配線層11積層在電氣基板12時之調正。亦即,由 導電性之金靨等構成之導電性突起部,穿通形成在光配 線層11之穿通孔41成為突出之方式,用來將光配線層11 積層在電氣配線基板12。這時,最好塗布接著層47用來 使光配線層11和電氣基板12完全的接著和固定。 其次,如第22B圖所示,在積層後之光配線層11之表 -33- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---------^---------^ ------------------------ 1239798 A7 _B7_ 五、發明說明(32 ) 面,利用濺散法形成金羼薄膜30。 其次,如第22C圖所示,塗布光抗蝕劑31。然後,進 行光•顯像處理,用來進行鏡形成用之光抗蝕劑開口部 35之形成。 其次,如第22D圖所示,利用蝕刻在金靥薄膜30形成 開口部36,藉Μ進行鏡形成用之金羼遮罩之形成。然後 使基板傾斜為45° ,利用RIE乾式蝕刻用來形成鏡115。 然後,如第22Ε圖所示,利用溶解除去金靥遮罩,可 Κ完成本發明之光·電氣配線基板62。 另外,光•電氣配線基板之另外一種製法是建立 (build up)工法(參照第1實施形態)。此方法不是如 同第3實施形態所說明之將光配線層11和電氣配線基板 12分開製造再進行積層之方法。亦即,此種光·電氣配 線基板之製造方法是在電氣配線基板12上,直接對光基 板原材料進行圖型製作同時進行積層。如上所述,當利 用此種建立工法製造光·電氣配線基板62之情況時,導 電性突起部可W在建立光配線基板之前形成在電氣基板 ,亦可Μ從積層光基板起形成通孔,電鍍埋入而形成。 ⑷實裝基板之製造方法 下面將說明將光零件實裝在光·電氣配線基板62之實 裝基板之製造方法(參照第19圖)。 首先,在對各個端子223之凹部2 4進行薄銲接之後, 將各個導電性突起部之前端輕輕的***該端子223之凹 部。這時,例如端子223之凹部之形狀為半徑80am之 -34- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ---------"— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
— — — — — — — ^ ·11111111 —.^vi — — — — — — — — — — — — — — — — — — — —__I 1239798 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(33 ) 圓形,深度為50/im。另外,例如導電性突起部之總數 為4個,其剖面形狀為半徑75/im之圓形。另外,在設 有電氣零件(CPU,記憶器)用之端子之情況時,電氣 零件設置在薄銲接之金羼銲接點上。 依照本發明人等之實驗,在溫度2 50度之反射爐靜置 10秒後使其冷卻時,光零件之端子被固定在形狀和熔融 銲劑之表面張力所決定之平衡位置,可K確認雷射之光 軸被收束在鏡之中心位置之士 3//m內。另外一方面,與 電氣零件同樣的,當在不是凹部之平坦之金羼端和導通 用支柱之間以銲接連接之情況時,光零件之固定位置不 會穩定,確認具有士 50wm程度之誤差。其結果是凹部 不僅可Μ確保電的導通,和與光配線用之鏡之高精確度 之調正,而且支柱頂部作為銲接點,利用銲接形成用與 光零件之金屬端導通。因此,可以提高電連接之可靠度。 依照上述之構造時可Μ獲得下面所述之效果。 第1 ,因為在具有電氣配線之電氣配線基板12之上設 置光配線層11,所Μ可Κ高密度的實裝和小型化。 第2 ,光配線層11之包含鏡115之芯子111之圖型和 光零件裝載用之各個導電性突起部之相對位置之關係, 可ΜΚ極高之精確度成為與所希望者之一致。 第3 ,因為導電性突起部之前端可ΜΜ良好之精確度 被收容在光零件之端子之凹部,所Μ光零件之光轴和光 配線之光軸可Μ很容易光學式的一致,因此光零件和電 氣零件可Μ同時的自動實裝。 一 35- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · I--I---訂---------線 ------------------------ 1239798 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(34 ) 第4 ,在銲接光零件或電氣零件時,假如直接連接在 Μ電鍍形成之導電支柱時,則不會受到銲接熔融熱之影 響,可Μ提高連接之可靠度。同時,可Μ提高與基板上 之電氣配線連接之可靠度。 (第4實施形態) 下面將說明第4實施形態之光•電氣配線基板64。第 4實施形態之光•電氣配線基板之重點是在端面14a , 15a , 16a , 17a之周圍新設有微小之凸狀之引導器用 來引導光零件之端子221之連接位置。 第23圖表示從光零件實裝著第4實施形態之光•電氣 配線基板62之上面圖。第24圖是沿著第23圖之C-C方向 之剖面圖。第25圖表示實裝有雷射發光元件22之光•電 氣配線基板62。 第23圖,第24圖表示Μ設在各個端面14a , 15a , 16a , 17a之周圍之隔壁53作為凸狀引導器53之一實例。 另外,如第25_所示,光零件之端子221被適當的收 容在Μ隔壁53隔開之凹部,最好是在該凹部內與導電性 突起部之端面銲接。這時,隔壁53所形成之凹部之形狀 ,假如使隔壁與光零件之端子之形狀相似時,則可Μ限 制端子221之可移動範圍。因此,因為可Μ限制光零件 之變動範圍,所Μ發光雷射22之光軸和幅度為數//m之 鏡115之光軸可以以良好之精確度成為一致,和可Μ強 固的固定,如有需要,可以與電氣配線產生電的導通。 另外,該凸狀之隔壁最好是成為可Μ恰好收容光零件 -36- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _ f --------^---------^ ------------------------ A7 B7 1239798 五、發明說明(35 ) 之端子221之形態,但是不一定要成為土堤狀,亦可Μ 成為寸斷狀。另外,為著提高光零件和各個導電性突起 部14, 15, 16, 17之電連接性,所Μ隔壁53被構建成具 有導電性。但是,在使用隔壁53之目的只是用來固定光 零件之位置之情況時,不一定要與導電性突起部進行導 通。另外,在這種情況時,設置之位置亦不一定要與各 個導電性突起部14, 15, 16, 17對應。 另外,例如光零件Κ外之電氣零件亦可以經由導電性 突起部形成與基板12上之電氣配線產生電連接。在該電 氣零件之實裝之情況時,因為光軸之精密之調正,所以 不一定要有凸狀之隔壁53。但是,從確保電連接之面積 等之觀點來看,亦可Μ依照需要的形成。因為利用光刻 技術和電鍍技術形成凸狀之隔壁53和導電性突起部•所 Μ可Μ依照需要利用形成在基板12上之調正標記(圖中 未顯示)用來決定其位置。 〈光·電氣配線基板之製造方法〉 下面將依照圖面用來詳细的說明第4實施形態之光· 電氣配線基板64之製造方法之W光配線層之製造方法, ⑵電氣配線基板之製造方法,(3)光•電氣配線基板之製 造方法,⑷實裝基板之製造方法之步驟。 (1)光配線曆之製造方法 第26Α圖〜第26Ε圖表示光·電氣配線基板64之製造 方法之各個工程,依照實行步驟排列。 如第26Α圖所示,在矽晶圓40上,塗布厚度20〜100 -37- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ------------ 费 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 I I I I--I · — I----II I — I--------------------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1239798 Α7 Β7 五、發明說明(36 ) u m程度之包蓋層113a (作為用Μ對光進行導波之光配 線層之支持媒體,使用作為氟素化聚醯亞胺糸樹脂之前 驅體之氟素化聚醯胺酸或氟素化環氧系樹脂等)。在所 使用之材料為聚醯胺酸溶液之情況時,為著醯亞胺化Μ 350度進行1〜2小時之燒成。另外一方面,在環氧系樹 脂之情況時,進行UV硬化或JW100〜200度進行聚合物化。 其次,如第26Β圖所示,例如選擇氟素糸聚醢胺酸溶 液或聚甲基丙烯酸酯樹脂溶液等在所欲導波之波長具有 較佳折射率之樹脂,Κ適當之方法,對作為光導波路之 子層Ilia均一的進tr8/iin之塗布。 其次,如第26C圖所示,在芯子層111a具有感光性時 ,Μ定法之光刻法進行圖型製作用來形成作為光導波路 33,然後依照材料進行硬化反應。另外一方面,假如未 具有感光性時,在硬化後形成指定圖型之金靥遮罩,利 用RIE乾式蝕刻用來形成導波路圖型。然後,使用與先 前形成之包蓋層相同之材料,塗布同樣之厚度20〜100 m ° 其次,如第26D圖所示,在所希望之位置形成穿通孔 41。亦即,該孔之形成是經由具有指定之圖型之遮罩, 照射受激準分子雷射。 其次,如第26E圖所示,經由從矽晶圓40剝離可Μ形 成包含穿通孔41之薄膜狀之光配線層11。 另外,在此種方法中,可Κ形成完全不會有氣體殘留 之完全之穿通孔41。 一 3 8 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------線—f 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1239798 A7 B7 五、發明說明(37 ) ⑵電氣配線基板之製造方法 下面將參照第27A圖〜第27E圖用來說明電氣配線基板 1 2之製造方法。 首先,如第27A圖所示,在玻璃環氧基板等適當之絕 緣基板12上,使用電鍍法,或濺散法,或蒸著法等,形 成20/ini程度之綢薄膜。然後,使用定法之光刻法形成 所希望之金麵配線43 (亦即,電氣配線120 , 121 , 1 22 , 1 23 )。然後,為著形成多個導電性突起部,利 用濺散法形成金靥薄膜44。 然後,如第27B圖所示,從金屬薄膜44之上塗布抗蝕 劑43,進行顯像藉用來形成開口部44。 然後,Μ金靨薄膜44作為陰極進行鋦之電鍍,儘可能 Μ銅埋設在開口部46。 如第27C圖所示,將抗蝕劑4 5剝離。 然後,如第27Ε圖所示,蝕刻除去金羼薄膜44,可Μ 在金靨配線43上形成導電性突起部14, 15, 16, 17。 另外,如Μ上已說明之方式,導電性突起部之形狀最 好使所使用之形狀配合圓柱型,4角柱型等光零件之端 子。另外,導電性突起部之高度可ΜΜ抗蝕劑之膜厚或 電鍍之時間進行控制。依照本發明人等之實驗·最好是 導電性突起部之直徑為50〜500/im,高度為20〜200/iffl。 (3)光•電氣配線基板之製造方法 下面將參照第27 F圖〜第27J圖用來說明使用導電性 突起部將光配線層11積層在電氣配線基板12之方法。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I ϋ I I ^ I I I I I ϋ I I I I I I I I ϋ I I I I I I I I ϋ I I ϋ I I I I I I . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1239798 Α7 Β7 五、發明說明(38 ) 首先,在第27 F圖中,使用多個導電性突起部14, 15 ,16, 17作為引導器用來獲得光配線層11和電氣基板12 之調正藉Μ進行積層。亦即,使多個導電性突起部14, 15, 16, 17穿通薄膜之各個穿通孔41達到光配線層11之 相反側之表面藉Μ進行積層。這時,最好在光配線層11 和電氣配線基板12之間塗布接著層47,用來將該光配線 層11和電氣基板12完全的接著和固定。 其次,如第27G圖所示,在積層後之光配線層11之表 面,利用濺散法形成金屬薄膜30。 其次,如第27Η圖所示,塗布光抗蝕劑31。然後,進 行定法之曝光•顯像處理,用來進行鏡形成用之光抗蝕 劑開口部35之形成。 其次,如第27 1圖所示,利用蝕刻用來在金靥薄膜30 形成開口部36,藉以進行鏡形成用之金羼遮罩之形成。 然後使基板傾斜為45° ,利用RIE乾式蝕刻用來形成鏡 1 15 〇 然後,如第27J圖所示,利用下面所述之步驟在所希 望之位置形成凸狀之隔壁53。首先,在密著厚度60//m 之感光性乾膜後,進行定法之曝光•顯像處理,進行框 形用之光抗蝕劑開口部之形成。其次,K金靥薄膜30作 為陰極進行銅之電銅處理,將抗蝕劑剝離。框之高度可 Μ Μ乾膜之厚度和電鍍時間進行控制。最後,利用溶解 除去薄金靥遮罩,可Κ完成具有凸狀之隔壁53之光•電 氣配線基板。 -40- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I I I I ^ ^ I -luOJ ϋ I I ^ ϋ I I I I ϋ I I ϋ I I I ϋ I I I ϋ I I I ϋ — — — — — — — 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1239798 A7 _ B7_ 五、發明說明(39 ) 另外,凸狀之隔壁53,除了電鍍法之金靥外,亦可Μ 使用生片(green sheet)之無機厚膜或耐熱性之光抗触 劑等。均為利用定法之光刻技術可Μ很容易形成者。框 之形狀最好配合光零件之端子之形狀。 另外,導電性突起部之另外一種製法是在光·電氣基 板之適當位置,從光配線層側進行雷射光照射和乾式蝕 刻之方法。依照此種製法時,設在金靥配線基板之銅配 線變成為阻擋層,通孔(開口部36)可Μ形成至該深度 。經由在該通孔進行電鍍處理Μ金屬埋入,可Κ製成導 電性突起部。 ⑷實裝基板之製造方法 下面將說明將内包含有發光用雷射之光零件實裝在光 •電氣實裝基板64之實裝基板之製造方法。 首先,實質上將裝著有銲劑球之光零件(雷射,光電 二極體)之端子22輕輕的***隔壁53。隔壁53之形狀是 幅度20um,半徑80/iin之圓形,深度50/im。另外•例 如光零件之導通用端子221之數目為4個,其形狀是半 徑75/im之圓形。另外,依照需要設置之電氣零件(CPU ,記憶器)用之端子亦可K配置在薄銲接之金屬銲接點 上〇 依照本發明人等之實驗,在溫度250度之反射爐靜置 10秒後使其冷卻時,光零件之端子被固定在由框之形狀 和熔融銲劑之表面張力所決定之平衡位置,可Μ確認雷 射之光軸被收束在鏡之中心位置之±3/iin内。另外一方 -41- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂-------It 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1239798 A7 ___Β7 五、發明說明(4G ) 面,與電氣零件同樣的,當在不是凹部之平坦之金臑銲 接點上設置光零件之端子時,光零件之固定位置不會穩 定,會產生士 50wm程度之誤差。因此,隔壁53可Μ用 來確保電的導通,和與光配線用之鏡之高精確度調正。 另外,隔壁53因為可Μ用來使導電性突起部與光零件之 導通之面積變為更寬廣,所Μ可Μ更進一步的提高電連 接之可靠度。 依照上述之構造時可Μ獲得下面所述之效果。 第1 ,因為在具有電氣配線之基板12之上設置光配線 層11,所Μ可以高密度的實裝和小型化。 第2 ,光配線層11之包含鏡115之芯子111之圖型和 光零件裝載用之各個導電性突起部之相對位置之闞係, 可Μ Κ極高之精確度成為與所希望者之一致。 第3 ,因為光零件之端子可ΜΚ良好之精確度被收容 在隔壁53所形成之凹部,所Κ光零件之光軸和光配線之 光軸可Μ很容易光學性地一致,因此光零件和電氣零件 可Μ同時的自動實裝。 第4 ,在銲接光零件或電氣零件時,假如直接連接在 Μ電鍍形成之導電性突起部,則不會受到銲接熔融熱之 影響,可以提高連接之可靠度。同時可Κ提高與基板上 之電氣配線連接之可靠度。 Μ上根據實施形態說明本發明,在本發明之精神之範 圍內,假如是本行業者當可想得到各種之變更例和修正 例,該等變化例和修正例亦靥於本發明之範圍内當可瞭 -42 一 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---------^---------^ IAW.----------------------- 1239798 A7 B7 五、發明說明(41) 解。例如,如下所示,在不變更其主旨之範圍内可以進 行各種變化。 在各個實施形態中,形成在光配線之鏡,和在該光配 線傳播之光之射入角是形成45度之方式。此種方式只是 為著說明之簡化,並不只限於該角度。因此,在形成使 射入角成為其他角度之鏡之情況時,可以依照該角度進 行設計(例如,適當的配合各個導電性突起部之位置等) ,用來任意的形成光之傳播路徑。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 號 之說 明 10 光 眷 電 氣 配 線基板 11 光 配 線 暦 12 基 板 14 〜17 導 電 性 突 起 部 14 a 〜1 7 a 端 面 22 雷 射 發 光 元 件 23 受 光 元 件 24 導 通 用 端 子 30 ,44 金 鼷 薄 膜 34 ,36 , 41,46 開 口 部 40 矽 晶 圓 43 金 羼 配 線 45 抗 蝕 劑 50 ,51 凹 部 53 隔 壁 -43一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -Γ · --------^---------^ ------------------------ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A7 1239798 B7 五、發明說明(42 ) 111 芯 子 113 包 蓋 115 鏡 120〜123 電 氣配線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) f · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -4 4 _
:象難 ϋ ϋ ϋ I ϋ ·ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ 1 i^i n ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ n ϋ I 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)

Claims (1)

12397^8 3日修正/更^^ 六、申請專利範圍 _ 第89 1 1 0428號「光·電氣配線基板、實裝基板及光·電氣配 線基板之製造方法」專利案 (93年12月27日修正) 六申請專利範圍: 1 · 一種光•電氣配線基板,具備有:電氣配線基板,其 具有電:氣配線;和光配線層,積層在該電氣配線基板 中,在其一方之面中實裝光零件;其特徵是該光配線 層具有: 芯子,用來傳播光; 包蓋,包夾該芯子;和 鏡,用來將芯子中傳播之光反射向被實裝在該光配 線層中之光零件,或使來自該光零件之光反射到該芯 子中; 該電氣配線基板依積層方向穿通該光配線層,在其 一方之端面設置有該實裝之光零件,成爲導電體之柱, 且具有導電性設置裝置,用來獲得該實裝光零件和該 電氣配線之電性導通。 2 .如申請專利範圍第1項之光•電氣配線基板,其中該 導電性設置裝置之數目,對應到該實裝光零件所具有 之電連接用之端子之數目。 3 .如申請專利範圍第2項之光·電氣配線基板,其中該 導電性設置裝置之位置,對應到該實裝光零件所具有 電連接用之端子之位置。 1239798 六、申請專利範圍 4 .如申請專利範圍第2項之光·電氣配線基板,其中更 具備有引導裝置,設在具有該實裝光零件之該各個導 電性設置裝置之一方之端面之周圍,經由限制該端子 之設置位置,用來限制該光零件之設置位置。 5 .如申請專利範圍第4項之光•電氣配線基板,其中該 引導裝置爲導電體,形成與該實裝光零件或該導電性 設置裝置產生電連接。 6 .如申請專利範圍第2項之光•電氣配線基板,其中在 該光配線層形成有孔部,用來使該各個導電性設置裝 置之該一方之端面露出; 經由將該端子收納在該孔部,用來限定設置該光零 件之位置。 7 .如申請專利範圍第4或6項之光•電氣配線基板, 其中該引導裝置或該孔部之深度爲20〜200 // ni。 8 .如申請專利範圍第2項之光•電氣配線基板,其中該 各個導電性設置裝置之該端面,從實裝該光配線之側 之該光配線層之面突出到指定之位置。 9 .如申請專利範圍第1項之光•電氣配線基板,其中該 導電性設置裝置之該端面之直徑爲50至500 // m。 1 〇 .如申請專利範圍第1項之光•電氣配線基板,其中 該電氣配線基板更具有: 導電性設置裝置,依積層方向穿通該光配線層,在 其一方之端面設置有該實裝之電氣零件,成爲導電性 1239798 六、申請專利範圍 之柱,用來獲得該實裝電氣零件和該電氣配線之電導 通。 11 ·如申請專利範圍第1 〇項之光•電氣配線基板,其中 在實裝有光零件之該一方之面上,具有用來與光零件 或電氣零件連接之電氣配線。 12.—種實裝基板,其特徵是具備有: 申請專利範圍第1項的光•電氣配線基板;和 光零件,被實裝在該光•電氣配線基板。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項之實裝基板,其中該光零件 具有與該導電性設置裝置之該端面之形狀對應之形狀, 和具有用來與該導電性設置裝置連接之端子。 14. 一種實裝基板,其特徵是具備有: 申請專利範圍第1項的光•電氣配線基板;和 電氣零件,被實裝在該光•電氣配線基板。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之實裝基板,其中該電氣零 件具有與該導電性設置裝置之該端面之形狀對應之形 狀,和具有用來與該導電性設置裝置連接之端子。 1 6 . —種光•電氣配線基板之製造方法,其特徵是所包含 之工程有: 在電氣配線基板之指定之電氣配線上形成導電性設 裝置; 在該電氣配線基板上塗布第1包蓋層; 在該第1包蓋層上塗布芯子層; 1239798 六、申請專利範圍 在該第1包蓋層之一部份和該芯子層上塗布第2包 蓋層,藉以獲得光配線層; 使該導電性設置裝置之一方之端面從該光配線層露 出; 在電氣配線基板相反側之該光配線層之一方的面上 形成金屬薄膜;和 在該金屬薄膜形成開口;及 使該基板傾斜而由該開口部的位置,利用穿孔形成 鏡。 17·—種光•電氣配線基板之製造方法,其特徵是所包含 之工程有: 在電氣配線基板之指定之電氣配線上形成導電性設置 裝置; 在支持基板中形成光配線層; 在該光配線層中形成穿通該導電性設置裝置之穿通孔; 將該光配線層剝離該支持基板,使該導電性設置裝 置穿通該穿通孔,用來將該光配線層積層在電氣配線 基板中, 在電氣基板相反側之該光配線層之一方的面上形成金 屬薄膜;和 在該金屬薄膜形成開口部;及 使該基板傾斜而由該開口部的位置,利用穿孔形成 鏡。 1239798 六、申請專利範圍 1 8 .—種光•電氣配線基板之製造方法,其特徵是所包含 之工程有: 在電氣配線基板之指定之電氣配線上形成導電性設置 裝置; 在支持基板中形成光配線層; 在該光配線層中形成穿通該導電性設置裝置之穿通孔; 在支持基板相反側之該光配線層之一方的面上形成金 屬薄膜;和 在該金屬薄膜形成開口部;及 使該基板傾斜而由該開口部的位置,利用穿孔形成 鏡; 將該光配線層剝離該支持基板,使該導電性設置裝 置穿通該穿通孔,用來將該光配線層積層在電氣配線 基板中。 1 9 .如申請專利範圍第1 7項或第1 8項之光•電氣配線基 板之製造方法,其中該導電性設置裝置以電鍍法製 造。
TW089110428A 1999-05-28 2000-05-26 Photo electric wiring substrate, mounted substrate, and the manufacture method of the photo electric wiring substrate TWI239798B (en)

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