TW595037B - Radio-frequency composite element - Google Patents

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發明領域 元件基板：u:種高頻用複合元#，該複合元件可在 和不可逆電路元件。 a / 1^汛衣置之鬲效率放大器 習知技術： 圖2 8為智知之高頻電路裝置。 在圖 28Φ ，9〇n/ii + > - 端機以無線電為代矣产員電路裝置，習知之可攜式終 電之發信部的—H此雨頻電路襄置構成使用於無線 大哭，204a代矣^ 代表絕緣體，204代表高效率放 本；204a的ΪΪ:效率放大器2〇4的本體，鳩代表覆蓋 器204的偉WW 2〇6代表連接絕緣體202和高效康放大 Φ吟V 厂/，2 0 8代表電路基板，雖然未顯示於圖 绩改放大器204和絕緣體202之外，會隨著傳送 線路的不同而連接各種不同的電路零件。 f動型通戒裝置等和天線的狀態無關，若要使高效率 敌大器204有效率地運作，可使用代表絕緣體2〇2的不可逆 電路元件。 一攸同效率放大器2 0 4的輸入端子（未顯示於圖中）所 輸入的信號於高效率放大器204放大，放大的信號經由傳 送線路20 6、絕緣體2〇2，從絕緣體2〇2的輸出端子（未顯 示於圖中）輸出。若要首先被絕緣體2〇2的輸出端子反射 的反射波於絕緣體2 0 2被遮斷，由於高效率放大器2 〇 4無法 恢復原狀，高效率放大器2 0 4可以保持穩地的高效率運

2118-3601-PF'〇td 第5頁 五、發明說明（2) 作。 發明欲解決的課題： 可攜式終端機近玍炎 ^ 化、輕量化漸、、新樹杰讲旅朝小型量和輕量化發展5小型 於可#式A 〇/新交成研t可攜式終端機的重要要素。有助 機小型化和輕量化的零件是電池，將電池小 將可攜式終端機小型化和輕量化。 |的带炎，疋將電池小型化並不能滿足確保一定通話時間 !的而尽，所以必須侍減小 !掉高效态各 a 、 攜式終端機消耗電力的電路零 ;忏问从丁化。在 姑大哭，仏 电路令件中佔有大量消耗電力比例的是 一妒，古上… 态同政率化開始變得重要。 人阻抗=效率放大器204的輸出阻抗及絕緣體202的輸 入I見机马5 〇 Q，所以其間值 Ω來配合，才於请丨;^傳迗線路206的特性阻抗亦以5〇 少古μ承炉+匕'口傳运線路20 6所導致的損失，並減 )问奴午放大器204的消耗電力。 但5隨著可攜式终端趟 — 氺右織结ΛΑ β1而機的溥型化、小型化，電路基板 5 0 Ω，則欠(t、- Υ、。，右將傳送線路2 0 6的特性阻抗維持在 抗變得稀蘇^ t路2〇6的振幅亦變小，傳送線路的特性阻 缘體20 2於入H且遇上高效率放大器204輸出阻抗、絕 丈，2雨入阻抗的稀疏零^無法進行恰當的阻抗整 二了傳送時的損耗，情況變成難以減少高效產 放大Is 204電力的消耗。 & 7 ^； =，此，雖然可以使用最簡單的處理方法， 有南效率放大器2〇4、絕緣體2〇2及傳 各 板208的規格上留下一歧餘 路基 —铢裕，但結果只會產生提高成本 州〇37 五、發明說明（3) I的問題。 丨的正：：抗計人員必須設計出傳送線路 *⑻間題題。 專利公報的發明，將内建有阻；^^開平10-327003號 發信電力放大器内，發信電 二二電路的絕緣體内建於 出端子和絕緣胃TO的輪出放大元件的輸 丁 7、七緣體連接於低阻抗的傳送線敗μ — 和電路基板薄型化不相干的情、兄路上，減’可在 失」 -不良的清况铰，便可避免掉傳送中的損

使用：是Ϊ = = :的，發信電路放大器的電路基板 不相干的情況下擴大微帶狀線路，但敗存^化 使電路基板平面面積變小的阻礙要因。、{難成為 奶再者，絕緣體安裝於發信電力放大器的電路基板^ :緣?的向度在電路重要零件中算是較高的，若降低此古 :’絕緣體的特性會劣化，所以無法降低多少高度。於阿 『’以Θ It方式將絕緣體酉己置於發信電力纟大器的 板上，要使發信電力放大器薄型化會有困難。 基 % 本發明為了解決上述的問題，提供一種效率高頻 =兀件，其第一目的為小型化且使厚度變薄，容易安裝 電路基板上，冑格便宜，可和放大器、不可逆電路ς ς二 體成型。 十一 此外，附帶一提的是，作為可攜式終端機的行動電話

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對於小型化有很高的需求，當然，對於薄型化也是一樣。 以曰本生產的行動電話為例，目前已有厚度在1 5mm以下的 機種’每推出一次新產品，就減少1 mm，向薄型化邁進。 I於是’對於構成行動電話各個零件薄型化的需求也跟著強j !大起來。在安裝於行動電話内的電子零件中，其中一個較 厚的零件便是絕緣體。目前的絕緣體，厚度為2mm左右/ 若不想要降低絕緣體的電氣特性，厚度需要求在〇 1_以 下。 | 此外’在特開平9-270 6 08號專利公報記載著一種電 |路’該電路在受信裝置中於放大器輸出側設有絕緣體。 ί 又’特開平2000-58977號專利公報記載，一種^明可 以在光❸高頻通訊單位的其中一個封包中，將低速^控制 信號電路和高頻信號電路設置於各自的基板上，在各^路 基板上設有屏蔽以防止干涉作用產生，並可找到高頻信费 電路的特性阻抗的最佳化設計來提高傳送特性。、°儿 I 再者，特開平9 —8584號專利公報記載，一種發明可在

i多層基板的導電模板或晶片零件上構成行動電話^的 用慮波裔及分波電路的各個電路元件，在受作用 W 面可使用SAW濾波器且安裝於多層基板上。° 〜砹斋方 解決課題的手段： I 本發明之高頻用複合元件包括：放大用元件5呈右太 丨體和覆蓋本體之覆蓋體，其中本體又具有多層基板及配置丨 丨於多層基板上之半導體元件；不可逆電路元件，呈 j |體、複數個配置於磁性體周圍以絕緣彼此的電

595037 I五、發明說明（5) | i ji述磁性體及中心電極施加磁場的磁石、具有輸入端子的丨 本體組合部及覆蓋該本體組合部的遮蔽部，其中本體組合 部的輸入端子可連接其中一個中心電極；及第一連接導 體’用來連接上述放大用元件之輸出端子和不可逆電路元 j件之輸入端子。根據此構造可使放大用元件小型化，且可 丨以鄰接的方式配置放大用元件知不可逆電路元件，使盆 j為一體。 V'‘ 再者，第一連接導體的特性阻抗不滿5 〇 Ω。藉由此種 ^ 在構成咼頻用複合元件時較不容易產生阻抗不整合 述介電 件和不 使向頻 再 蔽部形 一方面 另 或不可 底面的 高頻用 再 有不可 但可以 一步具備 基板的傳 可逆電路 用複合元 者，使放 成一體。 可保持元 外在介 逆電路元 其中一部 複合元件 者，於介 逆電路元 使高頻用 龟丞板 送電路 元件結 件的構 大用元 藉由此 件的曲 電基板 件和放 份埋設 薄型化 電基板 件和放 複合元 ’並於 合成一 造密實 件的覆 種構造 折剛性 上設有 大用元 於上述 0 上配置 大用元 件薄型 為將第一連接導體配置於上 上述介電基板上將放大用元 體，由於構造簡單，所以可 〇 蓋體和不可逆電路元件的遮 ’一方面使元件基板變薄， 〇 凹部’含有不可逆電路元件 俘兩者之本體或本體組合部 凹部。藉由此種構造，可使 有樹脂層，該樹脂層又埋設 件兩者。藉由此種構造，不 化’亦可提高高頻用複合元 發明說明（6: 件的曲折剛性= u 叩且’介電基板配置於不可逆雷％ -从i , 的側部。ϋ由此種構造，可使高頻用路：件：放大用元件 路元件和放大用元件的高度附合元件在不可逆電 和放f有複數個介電基板’配置於不可逆電路元件 =何-方的介電基板。藉由此置於上侧或下 ，合元件薄型化，亦可提高高：丄不：可以使高頻 性。 、用後合兀件的曲折剛 傳送線路的板帶狀線路。藉由此種構造， -體。藉子：第-連接導體形成 和放=元件的輸出端子連接子可直接 再者，望一、垂 个而要兀件基板。 高不可逆電路元導體為複數個。肖由此種構造，可提 又，和放大用元件之連接的機械強度。 件之本體組合$ 了 =樹脂構造部，其安裝有不可逆電路元 且放大用元二二太^，脂構造部延長於放大用元件一側， 構造，一方面^ ，安裝於樹脂構造部。藉由此種簡單的 面可提高曲折剛性=頻用複合元件小型化、薄型化，一方 'yrjp 使結合放大用元株路元件作為絕緣體。藉由此種構造，可 又，不可逆雷和絕緣體的高頻用複合元件構造緊實。 觅路元件作為循環器，且進一步具備終端

2il8-3601-PF'ptd 第10頁 595037 五、發明說明（7) 電阻及連接該終端電阻和該循環器的第二連接導體。藉由

i此種構造，可使結合放大用元件和循環器的高頻用複合元I

《件構适緊貫' : I \ i I 再者5終端電阻具有冷卻端，該冷卻端和遮蔽部接 觸。藉由此種構造，可構成散熱性佳的高頻用複合元件。 再者，檢波電路連接於第二連接導體上。藉由此種構 造，可測定反射電力。

I

I 亦進一步具備和第一連接導體連接的積體電路。藉由I |此種構造，可監控高頻用複合元件的輸出。 9 j 最佳實施型態之詳細敘述： (實施型態1 ·) 大 傳 傳 | 12 丨的 I 丨顯 丨上 基 此=施型態使得在多層基板上配置有半導體元件的 ==緣體相鄰接，和將這些設置於元件基板上的 么Λ路、接，而形成複合元件。 圖j.為此實施型態之複合元件的立體圖。 、吳H1巾’10代表作為高頻用複合元件的複合元件， 、作為放大用元件的高效率放絕緣體 輸出端子（未顯示於圖中）& ^率放大器14 示於圖中）相連接，值…括巴忒體2的輸入端子（未 。傳逆堍敗u ^傳迗線路丨6則配置於元件基板18 傳k線路1 6可為微帶狀線路， 向效率放大器14的輸入端具備了信號的輸入端子、 板18的厚声兔η 9 44. μ 兀了為共面線路。tl件 =為0.2mm，材料為環氧玻璃。

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五、發明說明（8) 接地端子及電源端子，而 地端子及電源端子。此剧出女而具有^號的輪出端子、接 輸入端子和接地端子，私二絕緣體1 2的輸入端具有信號的 端子。 雨出端具有信號的輪出端子和接地 在環氧玻璃、陶竟 無線發信部基板上，德人電路基板2 0例如可攜式終端機的 )連接的一個重要元件:=件1 〇為透過傳送線路（未記載 件連接，形成可攜式辣此傳迗線路上和其他的電路元 厚度為1mm。 機的無線發信部。電路基板20的 1% 則為絕緣體12的***立體圖。 形成，形物、，由磁-材料例如鐵所 中埋設了絕緣體本體龟^ A所形成之樹脂盒，該樹脂盒2 4 開平1 0-327003號專利、八S/26/絕緣體本體組合部26如特 置於中央的肥粒鐵⑴二所5載的眾所周知的事實，配 緣的情況來配置，由三個二寺：性體Λ和其周圍相互絕 極來施加磁場的磁石而構成了 一δ及以該磁性體為中心電 接在:Γ! I、電極中，—個和絕緣體的輸入端子相連 子相連接。 的輸出^子相連接，另—個則和終端塾 i辦太ΐ ί由'ϊ ί體本體組合部26和樹月旨盒24所構成之絕緣 丨體本體和F方軛形物22相向配置的上方軛形物3〇由和 丨軛彤物一樣的材料所形成。 圖3為圖2中沿m 一 111剖面的剖面圖。

595037 I五、發明說明（9) ; 作為遮蔽都的上方軛形物30及下方軛形物22釦焊料μ j連接，形成磁性電路。 圖4為從絕緣體12背面觀看的仰視圖。圖4的上下方 相當於III-III剖面的方向。34代表絕緣體的輪入 ° 36代表絕緣體的輸出端子’37代表接地端子，絕緣體本體 28設至於從下方軛形物22突出於兩側的突出部。 取 圖5為圖1中高效率放大器14沿¥_^剖面的剖面圖。 f圖5中，40代表多層基板，厚度為〇 8mm，使用 料為環氧玻璃或玻璃陶瓷。40a代表多層基板4〇的配 層。42代表形成於多層基板4〇的電路元件' 電路元件42的半導體元件以其他方式形成，配置ς多:= 板40上。在此多層基板40和電路元件42上構成了作二二 體的高效率放大器本體44。46代表 : 覆盖該南效率放大器本體44而設。覆蓋體“的 广為 0.7_，覆蓋體46的厚度}11為〇.1_〜〇.15_。门度11為 傳送線路16通常具有50 Ω的特性阻抗 態中，設定為特性阻抗為不滿5〇 Ω， 貝施型 好設定在10〜20 Ω之間。 3〜3〇Ω ’甚至最 將傳送線路16的特性阻抗設在不滿5〇q 容易取侍馬效率放大器14的輸出阻抗和 1/抗時， 抗之間的整合’可以減少高效率放大器二緣體14的輸入阻 成於元件基板18之傳送線路16的規格餘;^緣體12及形 降低複合元件的價格。 度’於是得以 接下來就複合元件1〇的運作來作說明。 595037 、發明說明（ίο) …由高效率放大器1 4所放大的信號透過傳送線路丨6來 ，从經過絕緣體12，從輪出端子36輸出。由絕緣體12首先 土』的反射波《、纟巴緣體1 2的輪出端子3 6返回絕緣體1 2， 2^ 66 ^回絕緣體的輸人端子34，而經過絕緣體本體組合部 -、1:電極流向終端電阻’進而被消耗，反射波不返回 放大器14而由絕緣體12所遮斷。於是，冑效率放大 為1 4得以維持高效率的運作。 在此實施型態巾’高效率放大器本體44由高價配 =層4Ga立體構成，構造中益使用了和主導體元件—體成^ 1之多層基板40，得以縮小了高效率放大器44的表面積。 ，緣體12的高度為2mm，屬於可攜式終端機零件中高 :最高的零件。此外，絕緣體12的高度會大大影響其 5所以難以降低其高度。因此須在限制高效率放大哭Μ 的高度不得超過絕緣體12高度的情況下增加其高度，: 即使高效率放大器14使用多層基板4〇會增加一點厚度，使 :多層基板40卻可以使高效率放大器i 4得到平面積變小的 效果。 換句話說，此實施型態的複合元件1〇使絕緣體12和高 |效率放大器本體44在元件基板丨8上相鄰接5再連接於傳送 I線路，藉此，複合元件10的高度可在元件基板18厚度和絕f 緣體12高度的總高度内取得薄型化，而不致使絕緣體^的 特性劣化。而且，在高效率放大器丨4上使用多層基板4〇可 以減少其平面面積，複合元件10的佔據面積也跟著減少。 1 於是，習知範例的構造，在放大器的電路基板上以一 595037 五、發明說明（11) 丨内建絕緣體而無法取得的薄型化、小型化， 丨用代：：的化的高效率放大器14在元件基板38上使 丨用低阻抗的傳廷線路} 藉此，得以在钤袼，μ ㈣成稷合元件10， 各構成烫件ϊίΓ 下，輕易整合構成複合元件中 元件。 s的抗，構成廉價且在傳送損失小的複合 而且’不需要在組合複合元件10前先 杰1 4和絕緣體；[2之間侓镁綠 w间放率放大 和絕緣體12會根據該特二自，=性於^效率放大器“ 合元件10的特性散亂的問題自：而周;=得以控制住複 的效率。 名而k间複合元件1 0被使用 又’無線發信佈的設言+人g 14和絕緣體12之間的傳送線路16不二=計高效率放大器 部的研發時間。 於疋可以縮短無線發信 (實施型態2 ·) 此實施型態使元件基板變镇， 且將絕緣體的上方軛形物和高效件的厚度變薄， :，藉此，使元件基板變薄，以=的覆蓋體-體 折剛性。 在设合元件上降低的曲 ，為此實施型態之符合元 $圖6中，50代表複合元件 ：圖： 盍體。共同覆蓋體52所使周的材料W遮蔽部的共 1中上方軛形物30所使用的材料相枓基本上和實施型態 十相冋。符合元件50的構造 595037 五、發明說明（12) — =了將共同覆蓋體52和元件基板18變薄之外，其餘構、告 實施型態1相同。 ^、’、以才口 S外 ! # 在實施型態1中所使用的同一符號代表同一元件。此 在以下所有實施型態中，相同的符號代表相同的元 在此實施型態中5為實現複合元件50的薄型化，將元 件基板1 8變薄，於是元件基板丨8的的曲折剛性下^^ = 絕緣體本體28和高效率放大器本體44的傳送線路16有一部 伤呈現彎曲狀。為了防止這種現象發生，將鐵系材料所構 成1 =上方輛形物30和覆蓋體46 —體化，藉由元件基板18的 |變薄來補償降低的曲折剛性，於是複合元件5〇的傳送線路 |ΐδ得以保持該部分的曲折剛性。 、 此實施型態的複合元件50不但得以薄型化，還可保持 其曲折剛性，確保機械上的可信賴度。而且，該構造簡 單’價格亦低廉。 !(實施型態3·) 丨 此貫施型態於元件基板設置凹部，於該凹部埋設了含 令底面的絕緣體及局效率放大器之一部份，構成較薄的複 合元件。 圖7為此貫施型態之複合元件的***立體圖。 在圖7中，5 6代表複合元件，5 8代表設置於元件基板 j 1 8的凹部，絕緣體1 2的下方概形物2 2和絕緣體本體2 2下方 !的一部份以及高效率放大器本體44下方的一部份各自埋設 I有凹部58。 |

2118-3601-FF-otd 第16頁 595037 五、發明說明（13) 絕緣體太體2 8 '高效率放大器本體4 4皆未於其側面土 設凹部58，而各自於兩側具有突出於側面的突出部“技、堙 44a，在該絕緣體本體28之突出部28a的下方設有輪入端 34 (未顯示於圖中）及輸出端子36 (未顯示於圖中）， 外，高效率放大器本體44之突出部44a的下方設有輪出另 =(未顯示於圖中），絕緣體太體28的輸入端子34及高效 半放大為本體44的輸出端子36和傳送線路16相接。 > 有關此實施型態之複合元件56的厚度，由於可以於 件基板18的凹部58埋設絕緣體12和高效率放大器“，所 即使兀件基板1 8較厚，複合元件5 6也不會變厚，於是元件 二厚产。々厚度可以得到一個充分維持曲折剛性及機械強度 緣體本#28件”的構造於疋件基板18設有凹部58，除了絕 沾:、尚效率放大器本體44的形狀改變以外，豆他 的構造和實施型態1相同。 1彳，、他 此實施型態> &人；屯 大器14埋科得二 由於將絕緣體12及高效率放 r _ 。又'衣，所以可構成較薄的複合元件，變薄的程 度”絕:則2及高效率放大器]4相同的厚^支/専的私 效率中，雖然於凹部58埋設了絕緣，和高 二,放大杰14兩者’亦可於凹部僅埋設兩者中之其中一 部28a又絕：ΐ=28、：效率放大器本體44設置突 以設置突出部2二!來

44a ;取代此處輸出入端子的設置，

^5037 九、發明說明（14) 〜 $緣體本體28和高效率放大器本體44的側部設置導線等輪 出入蟬子5至知其下方設置於元件基板的傳送線路W知’ i* ' -υ ?目谭 * °此外，凹部5 8可為貫通孔或具有底部的孔。 (實施型態4 ·) 此貫施型態使用循環器來代替絕緣體’透過傳送線 路’在不同於其輸出入端子的第三端子上連接終端電卩且， 在循環器以外設有終端電阻，為終端電阻散熱性良好 > 合元件。 勺设 % 圖8為此實施型態之複合元件的立體圖。此外圖9為 表示此複合元件之等價電路的電路圖。 …、 在圖8中，60代表複合元件，62代表作為不可逆電 凡件的循環器，64代表循環器本體，66代表作為第二路 導體的傳送線路，6 8代表終端電阻。 接 盾％為8 4的具體構造未顯示於圖中，其構造包括 置於中央的肥粒鐵等磁性體、和該磁性體絕緣配置1，配 個中心電極及以該磁性體為中心電極施加磁於三 本上ΐ實施型態1的絕緣體： u ，、疋不含終端電阻的構造。 个

It 在f個中心電極中，一個和循環器62的輸入端^ 4 J :―個和循環器⑵的輸出端子相連接，第一個：子相連 傳送線路66相連接，該傳送線 U =端子則和 循環器62由上方軛形物3〇 鳊電阻68。 物22構成，循環器本體64於突出於下；f體“及下方輕形 有輸出入端子。該輪出入端 軛形物22的部分設 置於元件基板18的傳送 595037 I五、發明1¾明（15) ~ j線路16相連接。循環器62和終端電阻68組合之後，具有和 |纟巴緣體相同的功能。 j 在實施型態1中5從絕緣體12的輪出端子3 6所輸出的 |反射電力遇到内建於絕緣體12的終端電阻而轉換成熱能\ 所以纟巴緣體1 2需要熱力學方面的设叶，雖然可針對限制其 小型化並降低其價格，但在此實施型態中，為了使從循環 杰6 2的輸出端子輸入循環器6 2反射電力於終端電阻$ 8處轉 !換成熱能，循環器62不需要熱力學方面的設計便可小型 i化。

I ! 圖10為作為此實施型態之變形例之複合元件的局部破 壞立體圖。 在圖10中’70代表複合元件，72代表作為遮蔽部的遮 蔽覆蓋體，遮蔽覆蓋體72為構成循環器62的磁性電路，以' I磁性材料如鐵系材料形成，且延伸至循環器本體64的 ;側。 ; 圖j l為圖〗·〇中複合元件70沿XI-XI剖面的剖面圖。 如圖11所示，由於終端電阻的冷卻端68a和遮蔽覆蓋 體72的接觸，終端電阻68的散熱性良好。 | 一圖1 2為一電路圖5表示本實施型態其他變形例支付人 元件的等價電路。 S· ! 在圖12中，74代表檢波電路。藉由於循環器62和終端 j電阻68之間和該檢波電路的連接，可測量出反射電力: 即’在終端電阻68和檢波電路？4之間設置電容器76 |使電力僧測量最佳化的結合部位，可進行檢波的程序作為 595037 五、發明說明（16) (實施型態5·) 一體遮蔽 蔽覆蓋體 得以改善 件的剖面 ，78代表 蓋向效率 合元件76 面和遮蔽 而且改善 〇 例的剖面 ’ 84代表 絕緣體和向效率 ，使絕緣體在和 0 圖。 金屬製的遮蔽覆 放大Is 1 4 (未顯 上，絕緣體1 2的 覆蓋體78以焊料 了絕緣體1 2和遮 圖。 設置於遮蔽覆蓋

本實施型態使用遮蔽覆蓋體 放大器，以焊料接合絕緣體和遮 複合元件形成一體時的接合強度 圖1 3為本實施型態之複合元 在圖1 3中，7 6代表複合元件 蓋體，80代表焊料。 在圖13中，遮蔽覆蓋體78覆 示於圖中）和絕緣體1 2。在此複 上面為接地面，絕緣體1 2的接地 來接合，絕緣體1 2的接地良好， 激覆、體丨8之間的機械接合強度 圖1 4為本實施型態其他變形 在圖14中，82代表複合元件 體的開口。 在此複合元件8 2中，遮蔽覆蓋體7 8和絕緣體1 2之接合 !面^在的上面設有開口 84,故可透過該開口84用焊料接合 遮蔽覆蓋體78和絕緣體12的上面。藉由該開口 84的設置，

焊接作業不但變得容易，而且焊接後接合狀態的確認也變 得容易。 圖1 5為本實施型態其他變形例的剖面圖。 j 在圖15中，86代表複合元件。 | 在々複合元件86上，絕緣體12的下方及側面以焊料和 兀件基板18接合，於是使絕緣體12的接地良好，且改善了

五、發明說明（17) 絕緣體12和元件基板18之間 (實施型態6·,) 本實施型態以三板帶狀 率放大器的傳送線路。 圖1 6為本實施型態之複 在圖16中，90代表複合 作為設置於元件基板1 8上之 體電路。在使傳送線路16的 於使用微帶狀線路來連接， 寬度變小，於是複合元件9〇 再者，將積體電路94連 正高效率放大器1 4之輸出阻 二7反帶狀線路9 2之特性阻抗 (實施型態7·) 本實施型態將絕緣體的 大器的輸出端子，省略了設 的機械接合強度。 線路來構成連接絕緣體和高效 合元件的剖面圖。 元件5 9 2代表三板帶狀線路， 其中一個傳送線路。9 4代表積 特性阻抗固定的情況下，相較 三板帶狀線路的連接可使線路 得以小型化。 接於三板帶狀線路，可輕易修 抗、絕緣體1 2之輸入阻抗以及 的散亂情況。 輸入端子直接連接至焉效率放 置傳送線路的元件基板，於是 使複合元件的厚度變薄。 圖1 7為本實施型態之複合元件的側視圖。 在圖17中，96代表複合元件，98代表絕緣體的輸入端 子5其容易連接於高效率放大器本體44的上方所設置之高 效率放大器1 4的輸出電極（未顯示於圖中）上，從絕緣體 1 2的側面產生導線狀的突起。 100代表設置於高效率放大器1 4上之複合元件96的輸 |入端子，102代表設置於絕緣體12上之複合元件96的輸出

21!8-3601-FF-ptd 第21頁 595037 發明說明（18) 端=，兩者各自具有信號端子、電源端子及接地端子。 本實施型態中，輸入端子1〇〇及輸出端子1〇2各自於和言 率放大器1 4及絕緣體1 2底面相同的高度形成導線狀。门/ 在複合元件96上，絕緣體12的輸入端子98直接和言 率放大器14的輸出電極相連接，輸入端子98兼作傳送 且作為使絕緣體1 2和高效率放大器丨4 一體化的連接 所以不需要元件基板。 於是，複合元件96可只有元件基板的厚度那麼 0 緣體12和高效率放大器14的高度相同；所以 : 薄型化、輕量化。 及-千传以 、又，輸入端子98直接和高效率放大器14的輸出電極相 連接，絕緣體1 2和高效率放大器丨4相鄰接，所連 變短，減少傳送時的損耗。 逐接的線路 ! 再者，輸入端子100及輸出端子102各自位於和 放大器1 4及絕緣體1 2底面相同的高度，所以，在電^技 2〇上安裝複合元件96時，可進行正面安裝，可將安裝二 的程序機械化，於是安裝程序變得簡易，可以縮短: 圖1 8為本貫施型態其他變形例的平面圖。 在圖1 8中，絕緣體丨2的輸入端子不只構成了輸入传 的，子而已，它構成了接地端子等複數個端子，直接^ 到高效率放大器14的輸出電極的信號電極、接地電極等4 等。藉由此種構造，絕緣體丨2的輸入端子這邊機性 荷變小，機械強度提高，於是同時也提高了使用複 9 6時的機械信賴度。 595037 五、發明說明（19) 再者，除了通電的端子外，更將用來維持機械強度的 、遮蔽覆蓋體等一體化，使每一個*入端子的機 械負何變小，同時也提高了機械信賴度。 (實施型態8 ·) 本實施型態分別於絕緣體、高效率放大器的側面配置 了將絕緣體和高效率放大器一體化的連接材料，使複合 件薄型化。 口 一圖1 9為本實施型態之複合元件的侧視圖，圖2〇為複合 元件的俯視圖。 美板==中乂06代表複合元件，108代表作為介電 土板的保持基板，用來將絕緣體12和高效率放大哭Μ 一 化。1 6a代表傳送線路i 6的作許 魂 口口 的接地配線。 的υι線⑽代表傳送線路16 該複合元件1 06分別和絕緣體i 2及高效率放大哭14 板m接合’以形成一體的複合元；。此 ::保持基板108上具備傳送線路、電源電極、接地電 、在^實施型態中，由於將保持基板配置於侧面 複合兀件只有7〇件基板的厚度那麼薄， 及高效率放大IIH同高度，所以複合^為—口絕緣體12 (實施型態9.) 複^件得以薄型化。 本實施型態對配置於元件基板上 大器圍上一層樹脂層，以提高複合元^緣體和南效率放 圖2 1為本實施型態之複合元件 ':折剛性。 干的局部透視立體圖。

595037 五、發明說明（20) ' --—1 在圖21中，Π 0代表複合元件，11 2代表樹脂層。 複合元件11 0於元件基板1 8上以焊料和絕緣體1 2及高 效率放大器1 4接合，彼此經過設於元件基板丨8的傳送線路 1 6相連接，並且在絕緣體丨2和高效率放大器丨4的周圍圍上 層樹脂層11 2 ’該樹脂層1 1 2接合於基板上，所以元件基 板1 8不但可以儘可能地薄，而且圍繞在絕緣體丨2和高效率 放大恭1 4周圍的樹脂層11 2可以補償元件基板1 8因為變薄 而降低的曲折剛性。 / 在本實施型態中，絕緣體丨2和高效率放大器丨4的上方 未以樹脂層11 2覆蓋，若考慮不增加複合元件丨丨〇的厚度， I絕緣體12和高效率放大器14中高度較高者的上方可以不覆| |盖樹脂層112。 I 本實施型態之複合元件110可使複合元件薄型化，防 止1复合元件的機械曲折剛性降低，於是所構成的複合元件 既薄又具有機械強度，因而具有信賴度。 (實施型態10 ·)

本實施型態為了使元件基板變薄並提高複合元件的曲 j折剛性，在元件基板上將絕緣體及高效率放大器各自的上I |方和下方相互接合，使其為一體化。 j 圖22為本實施型態之複合元件的立體圖。 在圖2 2中’ 1 1 6代表複合元件，11 8代表上側元件基 絕緣體1 2及高效率放女哭、彳^ #人 q又午裒大為1 4接合，彼此經過設於元件基板

2 1 1 8-360 1-PF·ρ t d --------j 第24頁 本實施型態之複合元件丨16在元件基板18上以焊料和 595037

1 8的傳送線路1 6相連接，並以焊料接合 板11 8、絕緣體1 2、高效率放大器丨4各| 互連接。 另一片上侧元件基 的上方，使之相 =元件基板18變薄，曲折剛性會降低，但由於彈性 可輕易凹折，絕不容易斷裂。於是， 挺回了曲折剛性，確保了機械信賴度。 了曲折剛性的降低，於是複合元件得以薄型化 械信賴度高的複合元件。 (實施型態1 1 .) 型態由於絕緣體12及高效率放大器14各自的上 側元件基板118、元件基板18相互接合，形 成體化，所以一方面複合元件的厚度變薄，一方面防止 得到一機 I ^本實施型態於橫方向上延長了絕緣體的下面概形物、 I樹脂盒、上面軛形物，絕緣體本體組合部和高效娈放大哭 本體被安裝於樹脂盒子内且相鄰接，位於絕緣體本體組ς 部和高效率放大器本體之間的部分樹脂盒上設有傳送線 路，連接絕緣體本體組合部和高效率放大器本體，如此組 合成一體而形成複合元件。 ' 圖2 3為本實施型態之複合元件的***立體圖。 ! 在圖23中，120代表複合元件，122代表上方軛形物， j 124代表作為樹脂構造部的樹脂盒，i24a代表絕緣體用凹 槽，124b代表放大器用凹槽，絕緣體用凹槽12“和放大器 用凹槽124b之間以少許的間隔相鄰接，設置於樹脂盒上。 在絕緣體用凹槽124a上安裝著絕緣體本體組合部26，

2118-3601-PF.ptd 第25頁 595037 五、發明說明（22) 而在放大器用凹槽124b上安裝著高效率放大器本體44。在 絕緣體用凹槽124a和放大器用凹槽124b之間配置有傳送線 路126，連接高效率放大器本體44的輸出端子（未顯示於 圖中）和絕緣體本體組合部2 6的輸入端子（未顯示於圖中 )。因此’不需要元件基板便可使複合元件的厚度變薄。 放大器用凹槽1 2 4 b上設有開口 1 2 4 c。此外，在下方幸厂 形物1 2 8上和放大器用凹槽1 2 4 b相對應之位置上設有突起 部128a ’透過放大器用凹槽124b的開口 124c，接觸到$高效 率放大器本體44的下方，以焊料和高效率放大器本體^下 方的接地面接合。 圖24為圖23中沿XXIV-χχιν剖面的剖面圖。 圖24表示，高效率放大器本體44安裝在放大器用凹槽 124b上，下面輛形物128的突起部1283經 效率放大器本體44的下方接接觸。 IMc和同 、β此外，作為遮蔽部的上方輛形物122和下方輛形物128 以焊料1 30相連接，構成絕緣體這邊的磁性電路。 方本型態之複合元件的俯視圖’顯示除了上 方軛形物1 2 2除外的狀態。 声圖二知，樹脂盒124的長度比下方軛形物128的長 度還長，於兩側從下方軛形物128突出而構成。 圖2 6為該複合元件1 2 0的仰視圖。 在圖26中，132代表複合元铢】χ ^ 表複合元件120的輸出端子。八別、雨知子，134代 子134柯诞夕J 1 ^ J和輸入端子132及輸出端 于id4 一接之接地知子136及電湄姓 电摩、子1 3 8配置於從樹脂盒

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料日t i只鉍型態之複合元件120於絕緣體處延長所需要的 树月曰盒，不但安裝了絕緣體本體組斤而要的 本賴，還設置了傳送線織，因二及，元 使複合元件薄型化，於是構造簡 了二基板， 製造並降低其價格。 禝σ疋件可以小型$ 再者，上方軛形物122、樹脂盒124及下方軛形 伴2 ^ f連接絕緣體和高效率放大11的連接材料，所以。 保持複δ 7L件的曲折剛毅，提高其機械信賴度。 (實施型態12·) 本η %型恶在連接絕緣體和高效率放大 上設置了組合電路。 民峪 圖27為本實施型態之複合元件之等價電路的電路圖。 在圖27中，140代表複合元件，142代表容量，用來作 為設置於該複合元件的組合電路，和傳送線路1 6並列且相 連接點A。容量1 4 2的具體構造可並列2根配線來作為 各里142 ’亦可使用晶片零件作為容量M2。144代表複合 元件1 4 0的電力測定電路，可當成外部電路來設置，於連 接點B和容量1 4 2相接。 | 该複合元件丨40的具體構造亦可在實施型態1至11中任 !何一個中於傳送線路16上設置電容器。、

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= 上’從高效率放大器14傳送至絕緣 體1 2的二力中一疋比例的電力從連接點B輸出。藉由 |測定電路144來測定此電力，可監控高效率放大^14 出的電力量。 此外，在各實施型態中，雖然曾將傳送線路的阻抗定 為不滿50 Ω，但當作為50 Ω時，也有同樣效果。 發明效果： 本發明之高頻用複合元件由於具有以上說明之構造， I所以具有以下的效果。 本發明之鬲頻用複合元件包括：放大用元件，具有本 體和覆蓋本體之覆蓋體，其中本體又具有多層基板及配置 於多層基板上之半導體元件；不可逆電路元件，具有磁性 體、複數個配置於磁性體周圍以絕緣彼此的中心電極、在 i上述磁性體及中心電極施加磁場的磁石、具有輸入端子的 本體組合部及覆蓋該本體組合部的遮蔽部，其中本體組合 部的輸入端子可連接其中一個中心電極；及第一連接導 體，用來連接上述放大用元件之輸出端子和不可逆電路元 件之輸入端子。根據此構造可使放大用元件小型化，且可 以鄰接的方式配置放大用元件和不可逆電路元件，使其成 為一體’於是高頻用複合元件的厚度可以變薄且形成小型 I的構造。 再者’第一連接導體的特性阻抗不滿μ 〇。藉由此種 構造，在構成高頻用複合元件時較不容易產生阻抗不整合 的情形。可進一步構成傳送效路高的高頻用複合元件。 595037 五、發明說明（25) 進一步具備介電基板，作 述介電基板的傳送電路，並於上二連接V體配置於上 件和不可逆電路元件結合」1 〃基板上將放大用元 使高頻用複合元件的構造ί實體’由於構造簡單，所以可 再者’使放大用元件的覆葚鍊 蔽部形成-體。藉由此種構造：―方σ::逆：路元件的遮 -方面可保持元件的曲折剛性 基板變薄， 另外，在介電基板上設有凹部其機械信賴度。 或不可逆電路元件和放大用元斗 3有不可延電路兀件

底面的其中一部份埋設於上述凹部υτ或本體組合： 高頻枵複合元件薄型化。 ㈢由此種構造，矸使 有不；ί電=:f:t:置有樹脂層，該樹脂層又埋設 巧个路兀件和放大用元件 但可以使高頻用複合元件薄型化 二上種構f二 複合元件。 機械仏賴度高的高頻殉 且’介電基板配置於不可逆雷 -。藉由此錄播球，π冰* 件和放大用^ 件 而 的側部。囍由舲德接 ^ /=b _ %吩^件和放大用 耩由此種構造，可使高頻用複合亓杜产τ ^逆電 元件和放大用元件的高度附近薄型化。 泣 而且，具有複數個介電基板，配 件 和放大用元件的上侧和下侧，且傳=不可逆電路：Ϊ 側任付一方的介雷其纟 „ , W路配置於上侧威 ^ 扪，丨電基板。猎由此種構诰，丁/ 1夺蘋 用複合元件薄型化，亦可提高高頻一但可以使： 性。可進-步獲得薄型且機械信賴 ^件的西折^ 胡沒同的向頻用複合7〇

2118-3601-?F.ptd 第29頁 595037 五、發明說明（26) 件。 再者，傳送線路作為三板帶狀線 傳送線路的振幅可以# ^ m 猎由此種構仏， 又，X i 1 4 小，使呵頻用複合元件小型化。 逆電路TL件之輸入端子和一 -體。藉由此種構造 逆電 弟連接V體形成 知於女田-不可逆冤路兀件的輸入端子可直接 頻用複合元件小型化、+而要兀件基板，可使高 ^ 1化、潯型化、低價袼化。 再者，第一連接導體為複數個。 高不可逆電路元件和放大用元件夕、*精由此種構造，可提 一步蒋得媸#彳> 結 之連接的機械強度。可進 獲侍機械^賴度高的高頻用複合元件。 又’進一步具有樹脂構造部，复" 件之本體組合部，該樹脂構造部延;^ ^ 可2電路凡 且放大用^杜夕太触 ' 長於放大用元件一側’ 且放大用7L件之本體安裝於樹脂 構造’ -方面可使高頻用複合元:精 面可提高曲折剛性，獲得小塑化、丄V4f化，一方 高的高頻用複合元件。&外，構造“且;!故機械信賴度 又，不可逆電路元件作為絕緣:早2格便宜。 使結合放大用元件和絕緣體的高頻用複：：種構造，可 又，不可逆電路开此从& Γ Μ用複合70件構造緊實。 電阻及連接該終端電阻和該循：=第且步具備終端 此種構造，可使結合放大用元=μ的第一連接導體。藉由 件構造緊實。 和循環器的高頻用複合元 ，該冷卻端和遮蔽部接 性佳的高頻用複合元件 再者，終端電阻具有冷卻端 觸。藉由此種構造，可構成散熱

595037 --------- —__ 五、發明說明（27) ^ ______ 再者，檢波電路連接於第二連接 ^ 造，可獲得可測定反射電力的高頻用答人—。藉由此種構 亦進一步具傷和第一連接導&元件。 |造，可獲得……、八切电々叼鬲頻用 偁 進一步具備和第一連接導 凡仵。 合元件 圖式簡單說明： 此種構造，可獲得可監控高頻用複人 认體電路。藉由 。 复…牛輸出的高頻用複 輩說明： 圖1疋本發明之複合元件的立體圖。 圖2是本發明之絕緣板的***立體圖。 圖3是圖2中沿Π I - I I ί剖面的剖面圖 圖4是本發明之絕緣板的仰視圖。 圖5是圖1中高效率放大器沿ν-ν的剖面圖 圖6是本發明之複合元件的立體圖。 β 圖7是本發明之複合元件的***立體圖。 圖8是本發明之複合元件的立體圖。 圖9是顯示本發明之複合元件等價電路的電路。 圖1 0是本發明之複合元件的局部破壞立體圖。51 圖11是圖1 0中沿X I -X I剖開複合元件的剖面_。 圖12是顯示本發明之複合元件等價電路的電路圖 圖1 3是本發明之複合元件的剖面圖。 圖1 4是本發明之複合元件的剖面圖。 圖1 5是太發明之複合元件的剖面圖。 圖1 6是本發明之複合元件的剖面圖。 圖1 7是本發明之複合元件的側視圖。 圖1 8是本發明之複合元件的俯視圖。

2118-3601-PF-otd 第31頁 595037 五、發明說明（28) 圖1 9是本發明之複合元件的側視圖。 圖2 0是本發明之複合元件的俯視圖。 ! 圖21是本發明之複合元件的局部透視立體圖。 i 圖22是本發明之複合元件的立體圖。 i 圖23是本發明之複合元件的***立體圖。 圖24是圖23中沿XI-XI剖開複合元件的剖面圖。 圖2 5是本發明之複合元件的側視圖。 圖2 6是本發明之複合元件的仰視圖。 圖2 7是顯示本發明之複合元件等價電路的電路圖。 圖28是習知之高頻電路裝置。 i符號說明： 12、62〜不可逆電路元件； 18〜介電基板； 1 2 4〜樹脂構造部； 6 6〜第二連接導體； 142〜積體電路。 | 1 4〜放大用元件 16〜第一導電體 11 2〜樹脂層； 6 8〜終端電阻； 7 4〜檢波電路；

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Claims (1)

1. W5037 : --塞号虎8912糊8__— Β车f月jo日_條4 —---- /、申清專利範圍 紅代 I -種高頻用複合元件，包JV士綱修正硬胡试 一 放大用元件，具有本體和覆蓋本體之覆蓋體，其中本 體又具有多層基板及配置於多層基板上之半導體元件； :Γ; 不可逆電路元件，具有磁性體、複數個配置於磁性體 周圍以絕緣彼此的中心電極、在上述磁性體及中心電極施 2场的磁石、具有輸入端子的本體組合部及覆蓋該本體 I:且合部的遮蔽部，其中本體組合部的輸入端子可連接其中 Ip個中心電極； " 傳送線路，用來直接地連接上述放大用元件之輸出端 宇'和不可逆電路元件之輸入端子；以及 元件基板，具有互為對向之第1平面和第2平面，用以 述放大用元件、不可逆電路元件、及傳送線路配置於 丨、’〔第1平面上，上述元件基板透過上述第2平面而可以設 if於一電路基板上。 、、，2·如申請專利範圍第1項之高頻用複合元件，其中傳 送線路的特性阻抗不滿5 0 Ω。 ’ 3·如申請專利範圍第1項之高頻用複合元件，豆中使 2大用元件的覆蓋體和不可逆電路元件的遮蔽部形成一 體。 4.如申請專利範圍第1項之高頻用複合元件，其中在 疋件基板上設有凹部，含有不可逆電路元件或不可逆電路 疋件和放大用元件兩者之本體或本體組合部底面的其 部份埋設於上述凹部。 /、 一 5·如申請專利範圍第1項之高頻用複合元件，其中於 元件基板上配置有樹脂層，該樹脂層又埋設有不可逆電路

   2118-3601-pf2.ptc 第33頁 修正 月 曰 丄 -89124908 Λ申睛專利範圍 疋件和放大用元件兩者。 6· 一種高頻用複合元件，包括·· 體又件’具有本體和覆蓋本體之覆蓋體，其中本 ^可基板及配置於多層基板上之半導體元件； 周圍W Μ ^ ^路元件，具有磁性體、複數個配置於磁性體 力二此的中心電極、在上述磁性體及中心電極施 組合部的遮蔽邻具端子的本體組合部及覆蓋該本體 —個中心電極及ζ、中本體組合部的輸入端子可連接其中 子和用來直接地連接上述放大用元件之輸出端 十和不可圯電路元件之輸入 保持基板配置於不可读 部，用以與*可逆電 Ζ電路元件和放大用元件的側 述傳送線路係設置於= : = C牛形成-體化，上 7. 如申請專利範圍第二\基第=表！上。 土 其中元件基板更配置於逆次第』頂：南頻用複合疋件’ 側和下側，且傳送線 4圯電路兀件和放大用元件的上 基板上。 -置於上側或下側任何一方的元件 8. 如申請專利範圍 其中傳送線路作為=把德此貝或第6頂之高頻用複合元件’ 9. -種高頻用；Μ:線Γ 拎士田-从 ^ 口 ^件’包括·· 體又具有多層基板及配置於夕本體之覆蓋體，其中本 不可逆電路元件，1 士夕曰基板上之半導體元件； 丁 异有磁小4， 、知

   周圍以絕緣彼此的中心雷瑞/股、複數個配置於磁性體 IKMMW·麵---——在上性體及中心電極施 595037 -^--1^89124908_年月曰 铬 π： 六、申請專概圍 " — ^磁場的磁石、具有輸入端子的本體組合部及覆蓋誃 、-且合部的遮蔽部，其中本體組合部的輸入^由 -個m及 β接其中 連接導體，用來直接地連接上述放Α用元件 子和不可逆電路元件之輸入端子； ^中，不可逆電路元件之輸入端子和第一連接導體形成一 10·如申請專利範圍第9項之高頻用複合元件，复 一連接導體為複數個。 11· 一種高頻用複合元件，包括： 放大用元件，具有本體和覆蓋本體之覆蓋體，其中本 體又具有多層基板及配置於多層基板上之半導體元^ ; 不可逆電路元件，具有磁性體、複數個配置於磁性體 周圍以絕緣彼此的中心電極、在上述磁性體及中心電極施 加磁場的磁石、具有輸入端子的本體組合部及覆蓋該本體 組合部的遮蔽部，其中本體組合部的輸入端子可連接其中 一個中心電極； 傳送線路，用來直接地連接上述放大用元件之輸出端 子和不可逆電路元件之輸入端子；以及 樹脂構造部’用以一體化地構裝不可逆電路元件之本 體組合部和放大用元件之本體，且傳送線路係設置於樹脂 構造部之表面° 12 ·如申請專利範圍第1項或第11頂之高頻用複合元 件，其中不玎逆電路元件作為絕緣體。 13.如申請專利範圍第1項或第11頂之高頻用複合元

   2118-3601.pf2.ptc 第 35 頁 595037 _案號89124908_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 件，其中不可逆電路元件作為循環器，且進一步具備終端 電阻及連接該終端電阻和該循環器的第二連接導體。 1 4.如申請專利範圍第1 3項之高頻用複合元件，其中 檢波電路連接於第二連接導體上。

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