JP2721306B2 - 集中定数型非可逆回路素子 - Google Patents

集中定数型非可逆回路素子

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JP2721306B2 JP15800394A JP15800394A JP2721306B2 JP 2721306 B2 JP2721306 B2 JP 2721306B2 JP 15800394 A JP15800394 A JP 15800394A JP 15800394 A JP15800394 A JP 15800394A JP 2721306 B2 JP2721306 B2 JP 2721306B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、VHF、UHF、マイ
クロ波帯などにおいて用いられる集中定数型非可逆回路
素子に関し、特に1GHz以上の高周波で使用される集
中定数型非可逆回路素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の集中定数型非可逆回路素子の一例
として集中定数型アイソレータの一例の分解斜視図を図
6に示す。この従来例は、下ケース65上にパターン電
極の形成されたセラミック基板63を配置し、ガーネッ
ト64と互いに絶縁状態で重ね合わされた中心導体66
とからなる中心導体部をセラミック基板に形成された穴
に配置し、各中心導体とセラミック基板上の所定のパタ
ーン電極とを接続し、磁石67の装着された上ケース6
8をかぶせて構成されている。このセラミック基板63
の69はダミー抵抗であり、70はアース電極である。
この従来例の中心導体の平面図を図7に示す。この図7
に示すように、円形のシールド板61から放射方向に、
120度間隔で3つの中心導体端子62が突出してい
る。そして、この中心導体端子62は、2本で構成され
ている。この円形のシールド板61上にガーネット64
を配置し、そのガーネット64上に各中心導体端子62
を折り重ねて、中心導体部を構成している。この折り重
ねられる中心導体端子62間にはポリイミドシート等の
絶縁板をはさんで、絶縁している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来の集中定数型非可
逆回路素子では、中心導体の端子部は2本で構成され、
この端子の幅等を変化させ、所望のインダクタンス値を
得ていた。しかしながら、この従来技術により1GHz
以上(特に、1.4〜3GHz用)の集中定数型非可逆
回路素子を構成しようとしたところ、所望のインダクタ
ンスを得ることができなく、アイソレータ、サーキュレ
ータとしての機能を満足することができなかった。本発
明は、上記の事を鑑みて、1GHz以上(特に、1.4
〜3GHz用)として十分満足できる集中定数型非可逆
回路素子を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、円形のシール
ド板から放射方向に3つの中心導体が突出し、該円形の
シールド板上にガーネットを配し、該ガーネット上に前
記3つの中心導体を互いに絶縁状態で折り込んで中心導
体部を構成する集中定数型非可逆回路素子において、前
記3つの中心導体のうち、2つの中心導体は4本の端子
構造であり、1つの中心導体は2本の端子構造となって
いるものである。また、本発明は、3つの中心導体のう
ち、2つの中心導体を4本以上の端子構造とし、かつそ
の中心導体の円形のシールド板の外周上での幅の角度
(a)を70度以下とし、1つの中心導体は2本の端子
構造となっているものである。
【0005】
【実施例】本発明に係る実施例のシールド板の平面図を
図1に示す。このシールド板は、円形のシールド板1か
ら放射方向に3つの中心導体2、3、4が突出してお
り、このうち中心導体2、3は、端子構造が4本となっ
ており、もう一つの中心導体4は、端子構造が2本とな
っている。このシールド板1及び中心導体2、3、4を
用いた実施例のアイソレータの構造図を図2に示す。こ
の実施例は、下ケース5上にアース板6が配設され、そ
の上に誘電体基板7が配設される。この誘電体基板7
は、中央に中心導体部が挿入される孔8を有し、又各中
心導体が導通される電極パターン9、10、11が形成
され、そのうちの一つの電極パターン11は、ダミー抵
抗12を介してアース電極13に接続され、このアース
電極13は、スルーホールにて裏面に形成されているア
ース電極と導通している。この誘電体基板7は、誘電率
εrが約21で、寸法は7mm×6mmで厚さ0.4m
mである。この誘電体基板7の中央の孔に、中心導体部
が挿入される。この中心導体部は、円形のシールド板1
の上に一枚のガーネット14を置き、各中心導体2、
3、4を折り曲げて構成される。尚、この重複する中心
導体間には絶縁板が挿入される。又、下ケース5の下側
にはプリント基板15が接合される。このプリント基板
15は、一面にアース電極16が形成されており、裏面
には端子電極が形成されている。そして、中心導体2、
3は、誘電体基板7の電極パターン9、10に接続され
た後、外側で折り曲げられ、プリント基板15の裏面の
端子電極に接続される。又、アース板6に形成された突
片17も外側で折り曲げられ、プリント基板15の裏面
の端子電極に接続される。そして、永久磁石18が固定
された上ケース19を下ケース5に取り付けて、アイソ
レータを構成した。この実施例のアイソレータで、2.
2GHz用の7mm角集中定数型アイソレータを構成し
た。この実施例では、挿入損失0.5dB、アイソレー
ション20〜30dB、V.S.W.R1.2:1の特
性を得ることができた。
【0006】比較例 比較例のシールド板の平面図を図3に示す。この比較例
のシールド板は、円形のシールド板21から放射方向に
3つの中心導体22、23、24が突出し、そのうち中
心導体22、23は、端子構造が3本であり、その両側
の端子が湾曲している。残りの中心導体24は、端子構
造は2本となっている。このシールド板及び中心導体を
用いて、上記実施例の構造の2.2GHz用の7mm角
集中定数型アイソレータを構成した。この比較例のアイ
ソレータでは、アイソレータとしての機能が不十分であ
った。また従来例の端子構造が2本である中心導体を用
いた場合も、アイソレータとして、十分な特性は得られ
なかった。この実施例と比較例の各特性図を図4に示
す。この図4からも明らかなように、本発明により、大
幅に特性を改善したアイソレータを得ることができる。
また、上記実施例と同構造にて、1.9GHz用の7m
m角集中定数型アイソレータを構成した。この実施例と
比較例との特性図を図5に示す。この図5からわかると
おり、本発明により、大幅に特性を改善したアイソレー
タを得ることができる。本発明によれば、7mm角とい
った小型の2〜3GHz帯の集中定数型アイソレータを
構成することができた。このとき、中心導体の4端子構
造は、その4本の端子の1本の幅を0.3mmとし、4
本での幅を1.5mmとした。又、このときの円形のシ
ールド板の直径は、3.3mmであった。中心導体の端
子構造を4本というように多数にすることにより、特性
の改善が見られたが、中心導体の幅が広くなると、円形
シールド板の外周に占める中心導体の幅が広くなる。こ
れがあまり広くなり過ぎると、ガーネットを包むように
中心導体を折り曲げたとき、中心導体とガーネットの間
の空間が広がり、特性上好ましくない。従って、中心導
体の端子構造は、4本以上であって良いが、その中心導
体の幅は、図1の角度aとして、70度以下が良く、好
ましくは60度以下が良く、更に好ましくは55度以下
が良い。上記実施例の場合、約54度であった。また、
本発明は、20mm角以下の小型の集中定数型非可逆回
路素子に有効であり、特に10mm角以下、更に7mm
角以下において有効である。また以上ではアイソレータ
にて説明したが、サーキュレータも同一技術思想で達成
できるものである。
【0007】
【発明の効果】本発明によれば、1GHz以上(特に
1.4〜3GHz用)の集中定数型非可逆回路素子を安
定した特性で、しかも小型に構成することができ、移動
体通信分野等において非常に有用である。又、1.4〜
2.2GHz帯では、挿入損失の大幅な改良が得られ、
移動体通信分野等において非常に有用である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る実施例のシールド板の平面図であ
る。
【図2】本発明に係る実施例のアイソレータの構造図で
ある。
【図3】比較例のシールド板の平面図である。
【図4】2.2GHz帯用の実施例、比較例の各特性の
グラフである。
【図5】1.9GHz帯用の実施例、比較例の各特性の
グラフである。
【図6】従来例の分解斜視図である。
【図7】従来例のシールド板の平面図である。
【符号の説明】
1 円形シールド板 2、3、4 中心導体 5 下ケース 6 アース板 7 誘電体基板 8 孔 9、10、11 電極パターン 12 ダミー抵抗 13、16 アース電極 14 ガーネット 15 プリント基板 17 突片 18 磁石 19 上ケース

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 円形のシールド板から放射方向に3つの
    中心導体が突出し、該円形のシールド板上にガーネット
    を配し、該ガーネット上に前記3つの中心導体を互いに
    絶縁状態で折り込んで中心導体部を構成する集中定数型
    非可逆回路素子において、前記3つの中心導体のうち、
    2つの中心導体は4本の端子構造であり、1つの中心導
    体は2本の端子構造となっていることを特徴とする集中
    定数型非可逆回路素子
  2. 【請求項2】 円形のシールド板から放射方向に3つの
    中心導体が突出し、該円形のシールド板上にガーネット
    を配し、該ガーネットに前記3つの中心導体を互いに絶
    縁状態で折り込んで中心導体部を構成する集中定数型
    可逆回路素子において、前記3つの中心導体のうち、2
    つの中心導体は4本以上の端子構造であり、かつ該中心
    導体の前記円形のシールド板の外周上での幅の角度
    (a)が70度以下であり、1つの中心導体は2本の端
    子構造となっていることを特徴とする集中定数型非可逆
    回路素子
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