593632 A7 B7 五、發明説明（1 ) 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於作爲電腦等儲存裝置所使用之磁碟製造 時所使用之磁碟用基板之硏磨用組成物及使用使用該組成 物的硏磨方法。 【先前技術】 電腦或家電機器等所使用之儲存硬碟（memory hard disk)等之磁碟，年年逐漸走向小型化、高容量化及低價格 化。現在，製作此磁碟時所使用之磁碟用基板（以下，稱 爲基板，substrate)係以鋁等之金屬材料所製作之基板（基 材blank)上，將無電解Ni - P電鍍等電鍍成膜所製作而成。 此時，沿著形成基材時所產生之表面波紋或刮痕等之 基材表面的凹凸而電鍍成膜，所以於基板表上，可能仍殘 留表面波紋或凹凸。爲除去表面波紋或凹凸，使基板表面 平滑，而使用磁碟用基板之硏磨用組成物（以下，僅稱爲 硏磨用組成物），進行基板之硏磨加工。 近年來，隨著磁碟之高容量化，對於硏磨加工後之基 板表面所要求的表面品質亦日趨嚴格，雖然表面粗度係因 磁碟等級而異，現況係以探針式表面粗度計之AFM ( Digital 11^1*1111161115社（美國）製）測定表面粗度，已達1^=1〇八以 下。 因此，對於硏磨加工後基板表面所要求的精度極爲嚴 格，因而要求能得到更平滑硏磨面之硏磨用組成物。 爲達上述之目的，以往係以含有氧化鋁或其他各種硏 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 33本紙張尺度適用中國國家標準（〇奶）八4規格（21(^297公釐）-4- 593632 A7 B7 五、發明説明（2 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 磨材料、水及各種硏磨促進劑之硏磨用組成物進行硏磨。 例如，於特開昭61 - 278587號公報及特開昭62 — 25 1 87號公 報揭示，於水及氫氧化鋁中，添加作爲硏磨促進劑之硝酸 鋁、硝酸鎳或硫酸鎳等，混合成漿狀之儲存硬碟之硏磨用 組成物。 另外，於特開平2 - 84485號公報揭示，水及氧化鋁材 料硏磨微粉中，作爲硏磨促進劑之葡糖酸或乳酸，以及表 面改質劑之膠態氧化鋁所形成之酸性鋁磁碟之硏磨用組成 物，於特開平7 - 1 33477中揭示含有氧化鋁硏磨材料、膠態 氧化鋁以及亞硫酸鹼性鹽之水系硏磨用組成物，另外，於 特開平9 - 316430揭示含有水、α氧化鋁及硏磨促進劑所成 之組成物，該硏磨促進劑係以草酸鋁所形成爲特徵之磁碟 基板硏磨用組成物。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另外，亦已知有特開平7 - 21 6345號公報及特開2000 -1 665號公報所揭示之構成者。前者之硏磨用組成物係含有 水、氧化鋁質硏磨材料以及由鉬酸鹽及有機酸所形成之加 工促進劑。另一方面，後者之硏磨用組成物係含有至少1種 選自氧化鋁、二氧化矽、氧化鈽、氧化鉻、氧化鈦、氮化 矽及二氧化錳之硏磨材料及水，另外，含有溶存於該組成 物中琥珀酸或其鹽類。 這些以往所構成之硏磨用組成物均硏磨速度大，使用 各硏磨用組成物進行基板的硏磨加工，可抑制基板表面發 生微小突起及微細的凹痕等之表面缺陷。 另一方面，爲對應儲存硬碟之高容量化，要求硏磨面 434本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（ 210X297公釐）-5- 五、發明説明（3 ) 更加平滑化以及有效地利用儲存用硬碟之外緣部份（邊緣 部份）以擴大儲存面積，增加儲存容量。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 【發明內容】 〔發明所欲解決之課題〕 然而，於以往構成之硏磨用組成物，使用各硏磨用組 成物進行基板之硏磨加工時，基板之邊緣部份會發生平面 下垂，因此，造成無法有效地利用儲存硬碟邊緣部份之問 題。邊緣部份發生平面下垂之基板，因爲難以一定地維持 進行儲存資料之讀取及寫入之磁頭，與高速回轉基板之間 隔（懸浮高度），於其邊緣部份不可能儲存資料，因此造 成儲存資料的領域變少的問題。 本發明係著眼於上述存在於以往技術之問題點而進行 。其目的係於硏磨加工中，抑制基板邊緣部份發生平面下 垂，而有效地利用儲存硬碟邊緣部份，確保更大的儲存領 域，可以大的硏磨速度加工基板，可抑制硏磨加工後磁碟 用基板發生表面缺陷，提供磁碟用基板之硏磨用組成物及 使用該組成物的硏磨方法。 經濟部智慧財產局®工消費合作社印製S-.S -4 〔課題之解決手段〕 本發明爲達成上述目的，（1 )以含有（a )至少一種 選自蘋果酸、乙醇酸、琥珀酸、檸檬酸、馬來酸、衣康酸 、丙二酸、亞胺乙酸、葡糖酸、乳酸、苦杏仁酸、巴豆酸 、煙酸、硝酸鋁、硫酸鋁及硝酸鐵（m )之化合物所形成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-6 - 593632 A7 _______B7_ 五、發明説明（4 ) 之加工促進劑，及（b)至少一種選自聚乙烯基吡咯烷酮、 聚環氧乙烷山梨糖醇酐脂肪酸酯及聚環氧乙烷山梨糖醇脂 肪酸酯之化合物所形成之平面下垂抑制劑，及（C )至少一 種選自氧化鋁、二氧化矽、氧化鈽、氧化鉻、氧化鈦、氮 化矽及碳化矽之硏磨材料，及（d )水爲特徵之磁碟用基板 之硏磨用組成物-。 另外，本發明係以（2 )於上述（1 )之（b )中，聚環 氧乙烷山梨糖醇酐脂肪酸酯及聚環氧乙烷山梨糖醇脂肪酸 酯係至少一種選自一月桂酸聚環氧乙烷山梨糖醇酐、一棕 櫚酸聚環氧乙烷山梨糖醇酐、一硬脂酸聚環氧乙烷山梨糖 醇酐、一油酸聚環氧乙烷山梨糖醇酐、三油酸聚環氧乙烷 山梨糖醇酐、一辛酸聚環氧乙烷山梨糖醇酐及四油酸聚環 氧乙烷山梨糖醇之化合物爲特徵之磁碟用基板之硏磨用組 成物。 經 濟 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 另外，本發明係以（3 )於上述（1 )之（b )中，聚環 氧乙烷山梨糖醇酐脂肪酸酯及聚環氧乙烷山梨糖醇脂肪酸 酯’相對於1分子之山梨糖醇酐或山梨糖醇之環氧乙烷附加 比率爲30以下爲特徵，另外，係以（4 ) ( b )中之聚乙烯 基吡咯烷酮之平均分子量爲2500至2900000爲特徵，另外， 係以（5 ) ( b )之含量爲相對於硏磨用組成物總重量之 0.001至2%爲特徵之磁碟用基板之硏磨用組成物。 另外，本發明係以（6 )上述（1 )之（a )之含量爲相 對於硏磨用組成物總重量之0.01至25%爲特徵之磁碟用基板 之硏磨用組成物，係以（7 )使用上述（1 )至（6 )所記載 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）- 593632 A7 B7 五、發明説明（5 ) 之任何硏磨用組成物硏磨磁碟用基板爲特徵之磁碟用基板 之硏磨方法。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 〔發明之實施型態〕 以下，係說明關於本發明之實施型態。 如上所述，·本發明之磁碟用基板之硏磨用組成物，含 有（a)至少一種選自蘋果酸、乙醇酸、琥珀酸、檸檬酸、 馬來酸、衣康酸、丙二酸、亞胺乙酸、葡糖酸、乳酸、苦 杏仁酸、巴豆酸、煙酸、硝酸鋁、硫酸鋁及硝酸鐵（ΠΙ ) 之化合物所形成之加工促進劑，及（b )至少一種選自聚乙 烯基吡咯烷酮、聚環氧乙烷山梨糖醇酐脂肪酸酯及聚環氧 乙烷山梨糖醇脂肪酸酯之化合物所形成之平面下垂抑制劑 ，及（c )至少一種選自氧化鋁、二氧化矽、氧化鈽、氧化 鍩、氧化鈦、氮化矽及碳化矽之硏磨材料，及（d )水。 成份（a )加工促進劑係作爲以化學作用蝕刻基板表面 ，而促進後述成份（c )硏磨材料的機械作用以進行基板硏 磨加工用之硏磨加工促進劑而含有之。 經濟部智慧財產局B(工消費合作社印製 成份（a )加工促進劑之具體例如上述之化合物，其中 ，可得到大的硏磨速度，並且可抑制細小凹痕及微小突起 等表面缺陷的發生。而以至少一種選自蘋果酸、乙醇酸、 琥珀酸及檸檬酸爲宜，以琥珀酸尤佳。 成份（a )加工促進劑，可單獨含有或含有2種以上之 組合。 另外，成份（a )加工促進劑之含量相對於硏磨用組成 437本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-8 - 593632 A7 __ B7 五、發明説明（6 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 物總重量係以0.01至25%爲宜，以0.1至20%尤佳，以0.2至 10%最好。該含量若爲0.01 %未滿時，硏磨用組成物之硏磨 速度容易降低，另外，含量若超過25 %時，亦不能期待提 升超過該硏磨速度，反而因此增加硏磨加工的成本。 另外，關於成份（b )平面下垂抑制劑，爲不使上述加 工促進劑之化學作用及後述成份（c )硏磨材料的機械硏磨 作用降低，適度地緩和硏磨墊及基板間摩擦，作爲防止基 板邊緣部份被局部加工用之平面下垂抑制劑而含有之。 成份（b )平面下垂抑制劑之具體例如上述之化合物， 其中，從能更有效率地抑制基板發生平面下垂之觀點而言 ，關於聚乙烯基吡咯烷酮，其分子量係以2500至2900000爲 宜，以6000至4500000尤佳，以6000至80000最好。 經濟部智慈財產苟員工消費合作社印製·3·ί 另一方面，關於聚環氧乙烷山梨糖醇酐脂肪酸酯及聚 環氧乙烷山梨糖醇脂肪酸酯係至少一種選自一月桂酸聚環 氧乙烷山梨糖醇酐、一棕櫚酸聚環氧乙烷山梨糖醇酐、一 硬脂酸聚環氧乙烷山梨糖醇酐、一油酸聚環氧乙烷山梨糖 醇酐、三油酸聚環氧乙烷山梨糖醇酐、一辛酸聚環氧乙烷 山梨糖醇酐及四油酸聚環氧乙烷山梨糖醇之化合物爲宜， 另外，以至少一種選自一棕櫚酸聚環氧乙烷山梨糖醇酐、 一硬脂酸聚環氧乙烷山梨糖醇酐、一油酸聚環氧乙烷山梨 糖醇酐及四油酸聚環氧乙烷山梨糖醇，其中以一油酸聚環 氧乙烷山梨糖醇酐最好。 另外，關於聚環氧乙烷山梨糖醇酐脂肪酸酯及聚環氧 乙烷山梨糖醇脂肪酸酯，相對於1分子之山梨糖醇酐或山梨 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-9 - ~ 593632 Α7 Β7 五、發明説明（7 ) 糖醇之環氧乙烷附加比率係以30以下爲宜，以該附加比率 爲2 0尤佳。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 成份（b)平面下垂抑制劑，可單獨含有或含有2種以 上之組合。 成份（b)之含量相對於硏磨用組成物總重量係以0.001 至2%爲宜，以0:005至0.5%尤佳，以0.01至0.1%最好。 該含量若爲0.001%未滿時，難以抑制平面下垂，另外 含量若超過2%時，未能得到超過該平面下垂抑制效果，反 而容易使硏磨速度降低。 其次，成份（c )之至少一種選自氧化鋁、二氧化矽、 氧化鈽、氧化錐、氧化鈦、氮化矽及碳化矽之硏磨材料係 將經上述成份（a )加工促進劑鈾刻基板表面，以機械作用 硏磨加工用而含有之。 關於氧化銘，有α -氧化銘、6 -氧化錫、0 -氧化 鋁、/c -氧化鋁以及其他不同的型態者。另外，依製造法 亦有稱爲煙霧氧化鋁者。另外，關於二氧化矽亦有膠態二 氧化矽、煙霧二氧化矽以及存在多種其他不同的製造法或 性狀者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 關於氧化鈽，其氧化數爲3價者及4價者，另外，由結 晶系而言，有六方晶系、等軸晶系及面心立方晶系者。另 外，關於氧化鉻，由結晶系而言，有單斜晶系、正方晶系 及非晶質者。另外，依製造法亦有稱爲煙霧氧化鉻者。 關於氧化鈦，由結晶系而言，有一氧化鈦、三氧化鈦 、二氧化鈦以及其他。依製造法亦有稱爲煙霧氧化鈦者。 433本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）-10 - 593632 A7 B7 五、發明説明（8 ) 另外，氮化矽則有^ -氮化矽、Θ -氮化矽、無定形氮化 矽以及其他不同的型態者。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 關於碳化矽則有^ -碳化矽、石-碳化矽、無定形碳 化矽以及其他不同的型態者。 另外，本發明之硏磨用組成物係可將這些任意地因應 需要組合使用。·組合時，其組合方法或使用成份比率並無 特別的限制。 上述之硏磨材料係作爲磨粒以機械作用硏磨被硏磨面 者。磨粒大小係依磨粒種類、以及被加工面的種類或加工 條件，另外，基板所要求的仕樣而異，雖無特別的限制， 但二氧化矽之粒徑，係依據BET法所測定之表面積而求得之 平均粒子徑，以0.005至0.5// m爲宜，以0.01至0.3// m尤佳 〇 另外，氧化鋁、氧化鍩、氧化鈦、氮化矽及碳化矽之 粒徑，係以雷射繞射式粒度測定機LS — 230 ( Coulter社（美 國）製）所測定之平均粒子徑（D50)，以0.01至2// m爲宜 ，以0.05至1.5// m尤佳。 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 另外，氧化鈽之粒徑，係以掃描型電子顯微鏡所觀察 之平均粒子徑，以0.01至0.5/zm爲宜，以0.05至0.45// m尤 佳。 這些硏磨材料之平均粒子徑，若超過所表示的範圍時 ，所硏磨的表面有表面粗度變大，發生刮痕等問題之虞， 加工時需要注意。相反地，若比所表示的範圍小時，硏磨 速度變得非常小，不具有作爲硏磨用組成物之實用性。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-11 - 593632 A7 B7 五、發明説明（9 ) 成份（C)之含量相對於硏磨用組成物總重量，係以0.1 至40%爲宜，以1至25%尤佳。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 該含量若爲0.1%未滿時，硏磨用組成物之機械性加工 作用變弱而容易使硏磨速度變小。另一方面，含量若超過 40 %時，容易使硏磨用組成物及廢液粘性增大，因而使操 作困難。另外，硏磨墊容易阻塞，而且硏磨速度降低，容 易發生表面缺陷。 成份（d )水係作爲成份（a )加工促進劑，成份（b ) 平面下垂抑制劑以及成份（c )硏磨材料之分散媒而含有之 。水儘可能不含有不純物爲宜，具體上係以將離子交換水 以過濾器過濾者或蒸餾水爲宜。 硏磨用組成物之酸鹼値係以2至7之範圍爲宜。酸鹼値 若爲2未滿時，容易使硏磨機等使用於硏磨加工機械腐鈾。 另外，酸鹼値若超過7時，容易降低硏磨用組成物之硏磨速 度，而且增加硏磨加工後之基板表面粗度，容易發生刮痕 。因此，硏磨用組成物之酸鹼値若爲2未滿或超過7時，添 加酸或鹼於硏磨用組成物，以調整硏磨用組成物之酸鹼値 於上述範圍內爲宜。 經濟部智慧財4局員工消費合作社印製 硏磨用組成物中，可含有其他添加成份，纖維素、羥 甲基纖維素及羥乙基纖維素等之纖維素，乙醇、丙醇及乙 二醇等之水溶性醇類，烷基苯磺酸蘇打及萘磺酸之甲醛水 聚合物等之界面活性劑，木質磺酸鹽、聚丙烯酸鹽等之有 機聚陰離子系物質，聚乙烯醇等之水溶性高分子（乳化劑 )類，丁二酮肟、雙硫腙、8 -羥基喹啉、乙醯丙酮、甘氨 584本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-12- 593632 A7 B7 五、發明説明（1〇 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 酸、EDTA (二乙胺四乙酸）及NTA (三乙酸基氨）等之螯 合劑，褐藻酸鈉及碳酸氫鉀等之殺菌劑。這些其他添加成 份之含量係依照硏磨用組成物常法決定。 硏磨用組成物係將水以外之各成份，混合分散於水中 而調製。混合分散之具體例如槳狀攪拌機之攪拌、超音波 分散及勻化器等之切斷攪拌等。另外，關於水以外之各成 份之混合順序，可同時混合全部，亦可分前後混合。 在此說明關於作爲磁碟之儲存硬碟之製造方法以及使 用硏磨用組成物之磁碟基板硏磨方法。 製造儲存硬碟時，首先將基材表面，以無電解Ni-P電 鍍等形成電鍍之基底膜。其次，使用硏磨用組成物硏磨加 工基板表面。關於此時之硏磨方法及硏磨條件係依據基板 硏磨加工之常法。另外，硏磨加工所使用之硏磨機之具體 例如單面硏磨機及雙面硏磨機等，硏磨墊之具體例如絨布 型、不織布型、織布型、植毛型及起毛型等。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 成爲硏磨加工對象基板之具體例，如Ni- P碟、Ni- Fe 碟、碳化硼碟及碳碟等。其中，價廉且容易取得者爲鋁及 鋁合金等所形成之基材表面上以Ni - P無電解電鍍成膜之Ni 一 P碟爲宜。 接著，使用含鑽石微粉末等之硏磨材料、加工促進劑 及水等之刻紋（texture )加工用組成物，於基板表面，沿 著儲存硬碟之旋轉方向，形成同心圓紋理作刻紋加工。於 形成刻紋加工之基板表面上形成磁性膜及保護膜，而製造 儲存硬碟。 582本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-13 - 593632 A7 B7 五、發明説明（11 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 近年來，對於儲存硬碟，因爲要求更高容量化，所以 亦要求基板表面比以往更加平滑化。因此，硏磨加工亦可 分爲2階段進行，於第1階段之硏磨加工係以除去基板之表 面波紋，或於第2階段之完成硏磨加工所不能除去之基板表 面上大的刮痕或凹凸等之表面缺陷爲目的而進行硏磨加工 〇 . 另外，於第2階段之硏磨加工係以調整所需之表面粗度 ’以及除去於第1階段之硏磨加工所發生之表面缺陷，或於 第1階段之硏磨加工所未能完全除去之表面缺陷爲目的而進 行完成硏磨加工。 另外，依狀況亦可將硏磨加工細分爲3階段以上之步驟 進行。 本發明之硏磨用組成物係可使用於這些硏磨步驟之任 何一種。例如，使用於第1階段之硏磨加工時，爲使用較大 粒徑之硏磨材料以提高機械作用，調製硏磨速度大的硏磨 用組成物。另一方面，於第2階段以後之完成硏磨加工，爲 達成控制使用較小粒徑之硏磨材料之機械作用，與化學作 用之調整，調製成適合完成硏磨加工之硏磨用組成物。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另外，爲達成儲存硬碟之高容量化爲目的，而進行使 基板表面所形成的紋理更薄之刻紋加工，另外，使用不進 行刻紋加工，不賦予紋理之無刻紋加工之基板，亦可製造 儲存硬碟。本發明之硏磨用組成物係可使用於製造任何一 種經一般刻紋加工或上述之輕刻紋加工之基板，或無刻紋 加工之基板。 03本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-14- 593632 A7 B7 五、發明説明（12 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 另外，關於本發明之磁碟用基板之硏磨用組成物，首 先調製硏磨用組成物爲較高濃度之原液後，使用於硏磨加 工時，再以水稀釋使用亦可。如此構成時，可提升貯藏時 及輸送時之操作性。 【實施方式】 (實施例） 其次，將本發明之實施型態（以下，稱爲實施例）與 比較例對比，作具體的說明。 實施例與比較例試樣 表1係表示實施例1至28及比較例1至9之各硏磨用組成 物之含有成份。 各硏磨用組成物係如表1所示，分別將各加工促進劑、 平面下垂抑制劑及硏磨材料混合分散於離子交換水，調製 成硏磨用組成物。另外，其中所使用之硏磨材料係含有20 %之平均粒子徑爲0.8 // m之氧化鋁，各硏磨用組成物係調 製成總量爲100%。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 關於表1之各硏磨用組成物（實施例1至28及比較例1至 9)，測定酸鹼値後，進行關於下述項目之試驗及評價。其 結果如表2所示。 &4本紙張尺度適用中國國家標準（<^^)八4規格（210乂297公釐）-15- 593632 A7 B7 五、發明説明（13 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 表1 加工促進劑 平面下垂抑制劑 mm 添加量 (wt%) 觀 平均 分子量 環氧乙院 附加比率 添加量 (wt%) 實施例1 琥珀酸 0.5 單油酸聚羥乙烯基山梨糖醇酐 1200 20 0.06 實施例2 琥珀酸 1 單油酸聚羥乙烯基山梨糖醇酐 1200 20 0.02 實施例3 琥珀酸 1 單油酸聚環氧乙烷山梨糖醇酐 1200 20 0.06 實施例4 琥珀酸 1 單油酸聚環氧乙烷山梨糖醇酐 1200 20 0.2 實施例5 琥珀酸 1.5 單油酸聚環氧乙烷山梨糖醇酐 1200 20 0.06 實施例6 琥珀酸 1 單硬脂酸聚環氧乙烷山梨糖醇酐 1200 20 0.06 實施例7 琥珀酸 Γ 單棕櫚酸聚環氧乙烷山梨糖醇酐 1200 20 0.06 實施例8 琥珀酸 1 四油酸聚環氧烷山梨糖醇酐 1200 30 0.06 實施例9 蘋果酸 1 單油酸聚環氧乙烷山梨糖醇酐 1200 20 0.06 實施例10 檸檬酸 1 單油酸聚環氧乙烷山梨糖醇酐 1200 20 0.06 實施例11 乙醇酸 2 單油酸聚環氧乙烷山梨糖醇酐 1200 20 0.06 實施例12 馬來酸 1 單油酸聚環氧乙烷山梨糖醇酐 1200 20 0.06 實施例13 衣康酸 1 單油酸聚環氧乙烷山梨糖醇酐 1200 20 0.06 實施例14 丙二酸 1 單油酸聚環氧乙烷山梨糖醇酐 1200 20 0.06 實施例15 亞胺乙酸 1 單油酸聚環氧乙烷山梨糖醇酐 1200 20 0.06 實施例16 硝酸鋁 4 單油酸聚環氧乙烷山梨糖醇酐 1200 20 0.06 實施例17 琥珀酸 0.5 聚乙嫌基吡咯烷酮 6000〜15000 0.06 實施例18 琥珀酸 1 聚乙烯基吡咯烷酮 600CM5000 0.02 實施例19 琥珀酸 1 聚乙儲基吡咯烷酮 6000-15000 0.06 實施例20 琥珀酸 1 聚乙烯基吡咯烷酮 6000-15000 0.2 實施例21 琥珀酸 1.5 聚乙嫌基吡咯烷酮 6000-15000 0.06 實施例22 琥珀酸 1 聚乙烯基吡咯烷酮 40000〜80000 0.06 實施例23 琥珀酸 1 聚乙烯基吡咯烷酮 240000-450000 0.06 實施例24 琥珀酸 1 聚乙烯基吡咯烷酮 900000〜1500000 0.06 實施例25 琥珀酸 1 聚乙烯基吡咯烷酮 2000000〜2900000 0.06 實施例26 蘋果酸 1 聚乙烯基吡咯烷酮 6000〜15000 0.06 實施例27 檸檬酸 1 聚乙儲基吡咯烷酮 6000〜15000 0.06 實施例28 乙醇酸 2 聚乙嫌基吡咯烷酮 6000〜15000 0.06 比較例1 琥珀酸 1 比較例2 蘋果酸 1 比較例3 檸檬酸 1 比較例4 乙醇酸 1 比較例5 琥珀酸 1 聚丙烯酸鈉 40000〜80000 0.06 比較例6 琥珀酸 1 磺基琥珀酸月桂基二鈉 410 0.06 比較例7 琥珀酸 1 十二烷基苯磺酸鈉 350 0.06 比較例8 琥珀酸 1 椰子油脂肪酸二乙醇醯胺 300 0.06 比較例9 琥珀酸 1 聚氯化二甲基亞甲基哌啶鎗 50000 0.06 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
585本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-16 - 593632 A7 B7 五、發明説明（14 ) (1 ) 硏磨試驗 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 使用表1之各硏磨用組成物’使用作爲硏磨物之基板’ 進行硏磨試驗。硏磨條件如下所示° 硏磨條件 被硏磨物（基板）：0 3.5吋之無電解Ni-P電鍍碟 加工枚數：15枚 硏磨機：雙面硏磨機（定盤徑07〇〇mm) 硏磨墊：BELLATRIX N0048 (鐘紡株式會社製） 負重·· 100g/cm2 上定盤旋轉數：24rpm 下定盤旋轉數：16rpm 組成物稀釋率：1 : 3純水 硏磨用組成物供應量：150cc/min 基板加工量··互換量爲3//m (雙面） (進行預備試驗，關於表1中各行之硏磨用組成物，依 據下述（2 )之方法預先求出硏磨速度，以設定硏磨時間使 互換量成爲一定） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (2) 硏磨速度測定 洗淨、乾燥硏磨試驗後之基板，測定硏磨加工前後之 基板重量，以其重量差、無電解Ni - P電鍍比重、基板面積 以及加工時間測定硏磨速度。硏磨速度之判定基準如下所 述。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-17- 593632 A7 B7 五、發明説明（15 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ◎ : 0.70// m/min以上 〇：〇·65/ζ m/min以上，0.70// m/min未滿 △ : 0.60/z m/min以上，0.65// m/min未滿 χ · 〇·60/ζ m/min未滿 (3 ) 平面下垂測定 使用MicroXAM ( PhaseShift社（美國）製），於基板之 邊緣部份，測定於圖1位置所表示平面邊緣形狀之R〇11_〇ff (滑落）及Dub - Off。另外，圖1係表示基板邊緣部份斷面 ’水平方向係表示基板表面直徑軸，而垂直方向係表示基 板之厚度方向。 關於Roll-Off及Dub-Off之測定方法，測定位置及測定 方法並無一般定義，係依據各基板製造業者等之任意規定 者。 圖1係表示關於Roll-Off及Dub — Off之測定位置圖。 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 此次，發明者等人，於圖1之各點所測定之Roll-Off及 Dub - Off値爲依據，算出硏磨加工前後，其値改善多少而 評價平面下垂。此測定方法係評價於基板邊緣部份之平面 下垂，爲適當的且常用的方法。 其次，表2係表示關於各硏磨用組成物之平面下垂（ Roll-Off及Dub — Off)之試驗評價結果。 本發明之不含平面下垂抑制劑之硏磨用組成物（比較 例1)之Roll-Off及Dub - Off分別爲HR0及HD0，含有平面下 垂抑制劑之硏磨用組成物則分別爲HR及HD，依據下式求出 58?本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-18- 593632 A7 B7五、發明説明（16 ) 硏磨加工對於平面下垂之改善效果A(%)。 A ( % ) =〔 1— ( HR、HD) / ( HRO、HDO)； 另外，改善效果A ( % )之判定基準如下所述 ◎:改善效果A爲20%以上 〇：改善效果A爲10%以上，20%未滿 △:改善效·果A爲10%未滿 X :無改善效果 100 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝 -訂 經濟部智慧財產局®工消費合作社印製 本紙張尺度適用中_家標準（CNS ) A4規格（21GX297讀）· iy - 593632 A7 B7 五、發明説明（17 )表2 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 pH 平面下垂 硏磨速度 Roll-Off Dub-Off 實施例1 3.4 ◎ ◎ 〇 實施例2 3.4 ◎ ◎ ◎ 實施例3 3.4 ◎ ◎ ◎ 實施例4 3.4 ◎ ◎ ◎ 實施例5 3.4 ◎ ◎ ◎ 實施例6 3.4 ◎ ◎ ◎ 實施例7 3.4 ◎ ◎ ◎ 實施例8 3.4 ◎ ◎ ◎ 實施例9 2.9 ◎ ◎ 〇 實施例10 2.3 ◎ ◎ Ο 實施例11 2.8 ◎ ◎ 〇 實施例12 2.1 ◎ ◎ Δ 實施例13 2.8 ◎ ◎ Δ 實施例14 2.3 ◎ ◎ Δ 實施例15 2.7 ◎ ◎ Δ 實施例16 3.7 ◎ ◎ Δ 實施例17 3.4 . ◎ ◎ 〇 實施例18 3.4 ◎ ◎ 〇 實施例19 3.4 ◎ ◎ 〇 實施例20 3.4 ◎ ◎ 〇 實施例21 3.4 ◎ ◎ 〇 實施例22 3.4 ◎ ◎ 〇 實施例23 3.4 ◎ ◎ Δ 實施例24 3.4 ◎ ◎ Δ 實施例25 3.4 ◎ ◎ Δ 實施例26 2.9 ◎ ◎ △ 實施例27 2.3 ◎ ◎ Δ 實施例28 2.8 ◎ ◎ Δ 比較例1 3.4 X X ◎ 比較例2 2.9 X X 〇 比較例3 2.3 X X 〇 比較例4 2.8 X X 〇 比較例5 3.4 Δ Δ 〇 比較例6 3.4 X X 〇 比較例7 3.4 X X 〇 比較例8 3.4 X X 〇 比較例9 3.4 X X 〇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 準 標 家 國 國 中 用 適 度 尺 張 紙 本 釐 公 20 593632 A7 B7 五、發明説明（18 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如表2所示，實施例1至28中，關於Roll-Off及Dub— Off ，任何一項均有優異評價。另一方面，未含有本發明之平 面下垂抑制劑之硏磨用組成物（比較例1至4 )，或添加界 面活性劑而非本發明之平面下垂抑制劑之硏磨用組成物（ 比較例5至9)，關於Roll-Off及Dub— Off，均評價低。 另外，使用表1各行之硏磨用組成物進行硏磨加工之基 板表面，使用微分干擾顯微鏡（株式會社NIKON製，X 50 ) ，各觀察20處，均未觀察到有凹痕、微火突起及刮痕等之 表面缺陷。 發明之功效 本發明依據以上詳細敘述之本發明之實施型態，而得 到如下之效果。
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製5P 本發明之磁碟用基板之硏磨用組成物係含有上述成份 (b )抑制平面下垂劑，而可抑制硏磨加工時，基板邊緣部 份發生平面下垂，因此可有效地利用儲存硬碟之邊緣部份 ，而確保更大的儲存範圍。另外，因含有（a )加工促進劑 ，而可以大的硏磨速度加工基板，可抑制硏磨加工後之磁 碟用基板發生表面缺陷。 亦即，（1 )有關申請專利範圍第1項，本發明係含有 (a)至少一種選自蘋果酸、乙醇酸、琥珀酸、檸檬酸、馬 來酸、衣康酸、丙二酸、亞胺乙酸、葡糖酸、乳酸、苦杏 仁酸、巴豆酸、煙酸、硝酸鋁、硫酸鋁及硝酸鐵（m )之 化合物所形成之加工促進劑，及（b)至少一種選自聚乙烯 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-21- 593632 A7 B7 五、發明説明（19 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 基吡咯烷酮、聚環氧乙烷山梨糖醇酐脂肪酸酯及聚環氧乙 烷山梨糖醇脂肪酸酯之化合物所形成之平面下垂抑制劑， 及（C )至少一種選自氧化鋁、二氧化矽、氧化鈽、氧化鉻 、氧化鈦、氮化矽及碳化矽之硏磨材料，及（d)水之磁碟 用基板之硏磨用組成物，不使硏磨加工後之磁碟用基板發 生表面缺陷，可抑制硏磨加工時，基板邊緣部份發生平面 下垂。 (2)有關申請專利範圍第2項之本發明係依據上述（b )中，聚環氧乙烷山梨糖醇酐脂肪酸酯及聚環氧乙烷山梨 糖醇脂肪酸酯係至少一種選自一月桂酸聚環氧乙烷山梨糖 醇酐、一棕櫚酸聚環氧乙烷山梨糖醇酐、一硬脂酸聚環氧 乙烷山梨糖醇酐、一油酸聚環氧乙烷山梨糖醇酐、三油酸 聚環氧乙烷山梨糖醇酐、一辛酸聚環氧乙烷山梨糖醇酐及 四油酸聚環氧乙烷山梨糖醇之化合物，加上上述（1)之效 果，可更進一步抑制基板邊緣部份發生平面下垂。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (3 )有關申請專利範圍第3項之本發明係依據上述（b )中，聚環氧乙烷山梨糖醇酐脂肪酸酯及聚環氧乙烷山梨 糖醇脂肪酸酯，係以相對於1分子之山梨糖醇酐或山梨糖醇 之環氧乙烷附加比率爲30以下，另外，係以（4 )有關申請 專利範圍第4項之本發明係依據上述（b )中之聚乙烯基吡 咯烷酮之平均分子量爲2500，另外，係以（5 )有關申請專 利範圍第5項之本發明係依據成份（b )之含量爲相對於硏 磨用組成物總重量之0.001至2%，加上上述（1)之效果， 可更確實地進一步抑制基板邊緣部份發生平面下垂。 5ii本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）-22 - 593632 A7 B7 五、發明説明（20 ) 另外，（6 )有關申請專利範圍第6項之本發明係依據 上述（a)之含量爲相對於硏磨用組成物總重量之〇.01至25 %之磁碟用基板之硏磨用組成物，加上上述（1 )之效果， 可安定且增大硏磨速度。 (7 )有關申請專利範圍第7項之本發明係依據使用第1 項至第6項所記載之任何硏磨用組成物，硏磨磁碟用基板之 研1磨方法，不使硏磨加工後之磁碟用基板發生表面缺陷， 抑制基板邊緣部份發生平面下垂，而可製作優異的磁碟用 基板。 【圖式簡單說明】 圖1係表示評價平面邊緣下垂用之測定位置圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-23-