JP2003170349A - 磁気ディスク用基板の研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 研磨加工中に研磨パッドの目詰まりを抑制す
ることによって、研磨加工初期の研磨速度を維持すると
ともに、研磨加工後の磁気ディスク用基板における表面
欠陥の発生を抑制することができる磁気ディスク用基板
の研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法を提供する。 【解決手段】 磁気ディスク用基板の研磨用組成物に
は、（ａ）グリシン、グリセリン酸等から選択される少
なくとも一種の有機酸と、（ｂ）グリシン、リンゴ酸等
から選択される少なくとも一種であり、かつ成分（ａ）
とは異なる有機酸とを含有されている。又は、（ｅ）リ
ンゴ酸、グルコール酸等から選択される少なくとも一種
の有機酸と、（ｆ）クエン酸、イミノ二酢酸等から選択
される少なくとも一種の有機酸とを含有されている。そ
して、これら有機酸が組み合わせて含有されることによ
り、研磨加工促進作用と沈殿抑制作用とがバランスよく
発現されるようになっている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、コンピュータ等の
記憶装置として使用される磁気ディスクの製造において
用いられる磁気ディスク用基板の研磨用組成物及びそれ
を用いた研磨方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】メモリーハードディスク等の磁気ディス
クは、コンピュータや情報家電機器等に使用されてい
る。この磁気ディスクを製作するときに使用される磁気
ディスク用基板（以下、サブストレートともいう）は、
アルミニウム等の金属材料により製作された基板（ブラ
ンク材）に無電解Ｎｉ−Ｐメッキ等のメッキを成膜する
ことにより製作されている。

【０００３】この場合、ブランク材を製作するときに生
じたうねりやスクラッチ等のブランク材表面の凹凸に沿
ってメッキが成膜されるために、サブストレート表面に
は、うねりや凹凸が残る場合がある。このうねりや凹凸
を除去してサブストレート表面を平滑にするために、磁
気ディスク用基板の研磨用組成物（以下、単に研磨用組
成物ともいう）を用いてサブストレートの研磨加工が行
われている。

【０００４】ところで、近年の磁気ディスクの高容量化
に伴って、研磨加工後のサブストレート表面に求められ
る表面品質はますます厳しくなっており、表面粗さにつ
いては磁気ディスクのグレードにより異なるものの、現
在では、触針式表面粗さ計であるＡＦＭ（デジタル イ
ンストゥルメンツ社（米国）製）で測定される表面粗さ
でＲａ＝１０Å以下にまで及んでいる。このため、研磨
加工後のサブストレート表面に求められる精度は極めて
厳しいものとなっており、より平滑な研磨面が得られる
ような研磨用組成物が求められている。

【０００５】さらに、磁気ディスクには低価格化も求め
られているため、サブストレートの製造工程においても
コストダウンが図られている。このため、サブストレー
トの研磨加工中に研磨パッドが目詰まりすることなく、
長時間安定してサブストレートを研磨加工することがで
きる研磨用組成物が求められている。

【０００６】ここで、研磨パッドの目詰まりとは、サブ
ストレートの研磨加工中に研磨用組成物中の研磨材や廃
液中の切り粉（研磨加工により除去されたメッキ等の被
研磨物表面材質）が研磨パッド表面に堆積してしまうこ
とをいう。

【０００７】従来、この種の研磨用組成物としては、特
開平７−２１６３４５号公報（第１の従来構成）及び特
開２０００−１６６５号公報（第２の従来構成）に示す
ような構成のものが知られている。第１の従来構成の研
磨用組成物は、水と、アルミナ質研磨材と、モリブデン
酸塩及び有機酸とからなる研磨促進剤とを含有してい
る。一方、第２の従来構成の研磨用組成物は、酸化アル
ミニウム、二酸化ケイ素、酸化セリウム、酸化ジルコニ
ウム、酸化チタン、窒化ケイ素及び二酸化マンガンから
選択される少なくとも一種の研磨材と水とを含有し、さ
らにこの組成物中に溶存しているコハク酸又はその塩を
含有している。

【０００８】これら従来構成の研磨用組成物はいずれも
研磨速度が大きく、各研磨用組成物を用いてサブストレ
ートの研磨加工を行うことによって、サブストレート表
面の微小突起及び微細なピット等の表面欠陥の発生を抑
制することができるようになっている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところが、これら従来
構成の研磨用組成物においては、各研磨用組成物を用い
てサブストレートの研磨加工を行うときには、サブスト
レートの研磨加工中に研磨パッドの目詰まりが発生する
ことがあり、このため研磨速度が低下してしまい、一定
条件下で研磨加工を行うことが困難となるという問題が
あった。

【００１０】さらに、サブストレート表面にピット及び
微少突起等の凹凸やスクラッチ等の表面欠陥が発生しや
すくなるという問題が発生することがあった。従って、
ドレッシングと呼ばれる研磨パッドの洗浄を頻繁に行う
必要が生じるために、サブストレートの生産性が著しく
低下してしまう。

【００１１】本発明は、上記のような従来技術に存在す
る問題点に着目してなされたものである。その目的とす
るところは、研磨加工中に研磨パッドの目詰まりを抑制
することによって、研磨加工初期の研磨速度を維持する
とともに、研磨加工後の磁気ディスク用基板における表
面欠陥の発生を抑制することができる磁気ディスク用基
板の研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法を提供する
ことにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、請求項１に記載の発明の磁気ディスク用基板の研
磨用組成物は、磁気ディスク用基板の研磨加工で用いら
れる研磨用組成物であって、（ａ）グリシン、グリセリ
ン酸、マンデル酸、アスコルビン酸、グルタミン酸、グ
リオキシル酸、リンゴ酸、グリコール酸、乳酸、グルコ
ン酸、コハク酸、酒石酸、マレイン酸、イタコン酸、ク
ロトン酸及びニコチン酸から選択される少なくとも一種
の有機酸と、（ｂ）グリシン、リンゴ酸、乳酸、グルコ
ン酸、酒石酸、マレイン酸、イタコン酸及びクロトン酸
から選択される少なくとも一種であり、かつ前記（ａ）
とは異なる有機酸と、（ｃ）酸化アルミニウム、二酸化
ケイ素、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化チタ
ン、窒化ケイ素及び炭化ケイ素から選択される少なくと
も一種の研磨材と、（ｄ）水とを含有するものである。

【００１３】請求項２に記載の発明の磁気ディスク用基
板の研磨用組成物は、請求項１に記載の発明において、
成分（ｂ）の有機酸は、グリシン、リンゴ酸、乳酸及び
グルコン酸から選択される少なくとも一種の有機酸であ
る。

【００１４】請求項３に記載の発明の磁気ディスク用基
板の研磨用組成物は、請求項１又は請求項２に記載の発
明において、成分（ａ）の有機酸は、リンゴ酸、グリコ
ール酸及びコハク酸から選択される少なくとも一種の有
機酸である。

【００１５】請求項４に記載の発明の磁気ディスク用基
板の研磨用組成物は、請求項１から請求項３のいずれか
一項に記載の発明において、成分（ａ）及び成分（ｂ）
の含有量は、それぞれ０．０１〜１０重量％である。

【００１６】請求項５に記載の発明の磁気ディスク用基
板の研磨用組成物は、磁気ディスク用基板の研磨加工で
用いられる研磨用組成物であって、（ｅ）グリシン、グ
リセリン酸、マンデル酸、アスコルビン酸、グルタミン
酸、グリオキシル酸、リンゴ酸、グリコール酸、乳酸、
グルコン酸、コハク酸、酒石酸、マレイン酸、イタコン
酸、クロトン酸及びニコチン酸から選択される少なくと
も一種の有機酸と、（ｆ）クエン酸、イミノ二酢酸、マ
ロン酸、シュウ酸、アラニン及びプロピオン酸から選択
される少なくとも一種の有機酸と、（ｇ）酸化アルミニ
ウム、二酸化ケイ素、酸化セリウム、酸化ジルコニウ
ム、酸化チタン、窒化ケイ素及び炭化ケイ素から選択さ
れる少なくとも一種の研磨材と、（ｈ）水とを含有する
ものである。

【００１７】請求項６に記載の発明の磁気ディスク用基
板の研磨用組成物は、請求項５に記載の発明において、
成分（ｆ）の有機酸は、クエン酸及びイミノ二酢酸から
選択される少なくとも一種の有機酸である。

【００１８】請求項７に記載の発明の磁気ディスク用基
板の研磨用組成物は、請求項６に記載の発明において、
成分（ｆ）の有機酸はクエン酸である。請求項８に記載
の発明の磁気ディスク用基板の研磨用組成物は、請求項
５から請求項７のいずれか一項に記載の発明において、
成分（ｅ）の有機酸は、リンゴ酸、グリコール酸及びコ
ハク酸から選択される少なくとも一種の有機酸である。

【００１９】請求項９に記載の発明の磁気ディスク用基
板の研磨用組成物は、請求項５から請求項８のいずれか
一項に記載の発明において、成分（ｅ）の含有量は０．
０１〜１０重量％であるとともに、成分（ｆ）の含有量
は０．０１〜５重量％である。

【００２０】請求項１０に記載の発明の磁気ディスク用
基板の研磨用組成物は、磁気ディスク用基板の研磨加工
で用いられる研磨用組成物であって、（ｉ）イタコン酸
と、（ｊ）グリシン、グリセリン酸、マンデル酸、アス
コルビン酸、グルタミン酸、グリオキシル酸、リンゴ
酸、グリコール酸、乳酸、グルコン酸、コハク酸、酒石
酸、マレイン酸、クロトン酸、ニコチン酸、クエン酸、
イミノ二酢酸、マロン酸、シュウ酸、アラニン及びプロ
ピオン酸から選択される少なくとも一種の有機酸と、
（ｋ）酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、酸化セリウ
ム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、窒化ケイ素及び炭
化ケイ素から選択される少なくとも一種の研磨材と、
（ｌ）水とを含有するものである。

【００２１】請求項１１に記載の発明の磁気ディスク用
基板の研磨用組成物は、請求項１０に記載の発明におい
て、成分（ｊ）の有機酸は、少なくともクエン酸を含む
有機酸である。

【００２２】請求項１２に記載の発明の磁気ディスク用
基板の研磨用組成物は、請求項１１に記載の発明におい
て、成分（ｊ）の有機酸は、少なくともコハク酸を含む
有機酸である。

【００２３】請求項１３に記載の発明の磁気ディスク用
基板の研磨方法は、請求項１から請求項１２のいずれか
一項に記載の研磨用組成物を用い、磁気ディスク用基板
を研磨するものである。

【００２４】

【発明の実施の形態】（第１の実施形態）以下、本発明
の第１の実施形態について説明する。

【００２５】第１の実施形態の磁気ディスク用基板の研
磨用組成物には、（ａ）グリシン、グリセリン酸、マン
デル酸、アスコルビン酸、グルタミン酸、グリオキシル
酸、リンゴ酸、グリコール酸、乳酸、グルコン酸、コハ
ク酸、酒石酸、マレイン酸、イタコン酸、クロトン酸及
びニコチン酸から選択される少なくとも一種の有機酸
と、（ｂ）グリシン、リンゴ酸、乳酸、グルコン酸、酒
石酸、マレイン酸、イタコン酸及びクロトン酸から選択
される少なくとも一種であり、かつ前記（ａ）とは異な
る有機酸と、（ｃ）酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、
酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、窒化ケ
イ素及び炭化ケイ素から選択される少なくとも一種の研
磨材と、（ｄ）水とが含有されている。

【００２６】成分（ａ）の有機酸は、化学的作用によっ
てサブストレート表面をエッチングすることにより、後
述する研磨材の機械的作用によるサブストレートの研磨
加工を促進するための研磨加工促進剤として含有され
る。成分（ａ）の有機酸の具体例としては上述のものが
挙げられるが、これらの中でも、大きな研磨速度を得る
ことができることから、リンゴ酸、グリコール酸及びコ
ハク酸から選ばれる少なくとも一種の有機酸が好まし
い。成分（ａ）の有機酸は、単独で含有してもよいし、
二重以上を組み合わせて含有してもよい。

【００２７】続いて、成分（ｂ）の有機酸は、成分
（ａ）の有機酸の機能に加えて、化学的作用により研磨
用組成物中の研磨材及び廃液中の切り粉を分散させ、こ
れらが研磨パッド表面に堆積するのを抑制するための沈
降抑制剤として含有される。成分（ｂ）の有機酸の具体
例としては上述のものが挙げられるが、これらの中で
も、研磨材及び切り粉の分散効果が高いことから、グリ
シン、リンゴ酸、乳酸及びグルコン酸から選ばれる少な
くとも一種の有機酸が好ましい。成分（ｂ）の有機酸
は、単独で含有してもよいし、二重以上を組み合わせて
含有してもよい。

【００２８】成分（ａ）及び成分（ｂ）の各有機酸の含
有量は、それぞれ好ましくは０．０１〜１０重量％、さ
らに好ましくは０．０５〜５重量％、最も好ましくは
０．１〜３重量％である。０．０１重量％未満である
と、研磨用組成物の研磨速度が低下しやすくなり、１０
重量％を超えて含有しても、それ以上研磨速度は向上し
にくいために、研磨加工コストが増加しやすい。

【００２９】次に、成分（ｃ）の研磨材は、加工促進剤
としての成分（ａ）及び成分（ｂ）の有機酸がエッチン
グしたサブストレート表面を機械的作用により研磨加工
するために含有される。研磨材の具体例としては上述の
ものが挙げられるが、これらの中でも、安価で入手が容
易なことから、酸化アルミニウム又は二酸化ケイ素が好
ましい。

【００３０】研磨材の粒径は、研磨材が酸化アルミニウ
ム、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、窒
化ケイ素及び炭化ケイ素である場合には、レーザー回折
式粒度測定機ＬＳ−２３０（Ｃｏｕｌｔｅｒ社（米国）
製）によって測定される平均粒子サイズ（Ｄ５０）で好
ましくは２μｍ以下、さらに好ましくは０．０１〜１．
５μｍ、最も好ましくは０．０５〜１．０μｍである。

【００３１】また、研磨材が二酸化ケイ素である場合に
は、ＢＥＴ法によって測定された比表面積より換算され
る平均粒子サイズ（Ｄ５０）で好ましくは０．００５〜
０．５μｍ、さらに好ましくは０．０１〜０．３μｍ、
最も好ましくは０．０５〜０．２μｍである。

【００３２】これら研磨材の粒径は、０．０１μｍ（酸
化アルミニウム等）又は０．００５μｍ（二酸化ケイ
素）未満では、研磨速度が小さくなるため、所定の研磨
加工に長時間を要するとともに、サブストレートの外周
部が中央及び内周部の少なくとも一方に比べ多く研磨さ
れることによる面ダレが発生しやすい。さらに、所定の
研磨加工で消費される研磨用組成物の消費量が増大し、
研磨加工コストが増加しやすい。一方、２μｍ（酸化ア
ルミニウム等）又は０．５μｍ（二酸化ケイ素）を超え
ると、研磨加工後のサブストレートの表面粗さが増大し
たり、スクラッチが発生しやすくなる。

【００３３】さらに、研磨材は、研磨加工後のサブスト
レートにおける表面欠陥の発生を抑制し、かつ表面粗さ
を低減するために、粒径５μｍ以上の粗大粒子を含まな
いことが好ましい。

【００３４】研磨材の含有量は好ましくは０．１〜４０
重量％、さらに好ましくは１〜３０重量％、最も好まし
くは５〜２５重量％である。０．１重量％未満では、研
磨用組成物の機械的作用が弱くなるために研磨速度が小
さくなりやすい。一方、４０重量％を超えて含有する
と、研磨用組成物及び廃液の粘性が増大しやすくなるた
めに取扱が困難になりやすい。さらに、研磨パッドが目
詰まりしやすくなるとともに、研磨速度が低下し表面欠
陥が発生しやすくなる。

【００３５】ここで、研磨材の具体例として挙げた酸化
アルミニウム、二酸化ケイ素、酸化セリウム、酸化ジル
コニウム、酸化チタン、窒化ケイ素及び炭化ケイ素につ
いてさらに説明する。

【００３６】酸化アルミニウムの具体例としては、α−
酸化アルミニウム、δ−酸化アルミニウム、θ−酸化ア
ルミニウム、κ−酸化アルミニウム、非晶質酸化アルミ
ニウム等の形態的に異なるものが挙げられる。これらの
中でも、硬度が高いことから、α−酸化アルミニウム又
はα−酸化アルミニウムを主成分とするものが好まし
い。酸化アルミニウムの製造方法には、水酸化アルミニ
ウム等のアルミニウム化合物を焼結する方法や焼結した
ものをさらに溶融する方法等が挙げられる。

【００３７】続いて、二酸化ケイ素の具体例としては、
コロイダルシリカ、フュームドシリカ、沈殿法シリカ等
の製法や性状の異なるものが挙げられる。これらの中で
も、親水性が高く、スクラッチ等の表面欠陥が発生しに
くいことから、コロイダルシリカが好ましい。このコロ
イダルシリカの製造方法としては、例えばケイ酸ナトリ
ウムをイオン交換した超微粒子コロイダルシリカを粒子
成長させる方法や、有機ケイ酸化合物を湿式にて加熱分
解する方法がある。

【００３８】コロイダルシリカは、酸及びアルカリから
選択される少なくとも一方の添加又はコロイダルシリカ
のイオン交換によってそのｐＨが調整されることによ
り、高濃度でもコロイド状態を維持することができる。
市販されているコロイダルシリカには、単分散のもの、
いくつかの粒子が結合して会合比を有するもの、金属不
純物等の含有量を低減させた高純度のもの等が挙げられ
る。

【００３９】次に、酸化セリウムの具体例としては、酸
化数から３価のものと４価のもの、また結晶系から見て
六方晶系、等軸晶系及び面心立方晶系のもの等が挙げら
れる。また、酸化ジルコニウムの具体例としては、単斜
晶系、正方晶系、非晶質等の形態が異なるものや製造法
からフュームドジルコニアと呼ばれるもの等が挙げられ
る。さらに、酸化チタンの具体例としては、一酸化チタ
ン、三酸化二チタン、二酸化チタン等の形態が異なるも
のや製造法からフュームドチタニアと呼ばれるもの等が
挙げられる。

【００４０】窒化ケイ素の具体例としては、α−窒化ケ
イ素、β−窒化ケイ素等の形態が異なるものが挙げられ
る。尚、一般にα−窒化ケイ素は粉砕により微粒子が得
やすく、β−窒化ケイ素は硬度が高いとされている。窒
化ケイ素の製造方法には、酸化ケイ素と炭素粉末を窒素
ガス中にて還元する方法や、金属ケイ素を直接窒素ガス
中で加熱する方法、四塩化ケイ素とアンモニアの反応に
よる方法（イミド分解法）等が挙げられる。

【００４１】炭化ケイ素の具体例としては、α−炭化ケ
イ素、β−炭化ケイ素等の形態的に異なるものが挙げら
れる。尚、一般に研磨材として使用されているＧＣ（緑
色炭化ケイ素）、Ｃ（黒色炭化ケイ素）はα−炭化ケイ
素である。炭化ケイ素の製造方法には、酸化ケイ素を炭
素で還元する方法、金属ケイ素を炭素と直接反応させる
方法等が挙げられる。

【００４２】これら各化合物を研磨材として含有すると
きには、各化合物において、形態、製法及び性状の異な
るものの中から選択される一種を単独で含有してもよい
し、形態、製法及び性状の異なる二種以上のものを組み
合わせて含有してもよい。

【００４３】水は、有機酸の溶媒及び研磨材の分散媒と
して含有される。水は不純物をできるだけ含まないもの
が好ましく、具体的にはイオン交換水をフィルター濾過
したもの、あるいは蒸留水が好ましい。

【００４４】研磨用組成物のｐＨは好ましくは２〜７の
範囲である。ｐＨが２未満であると研磨機等の研磨加工
に用いる機械が腐食しやすくなる。又、ｐＨが７を超え
ると、研磨用組成物の研磨速度が低下しやすくなるとと
もに、研磨加工後のサブストレートの表面粗さが増大し
たり、スクラッチが発生しやすくなることがある。従っ
て、研磨用組成物のｐＨが２未満又は７を超えるときに
は、研磨用組成物に酸やアルカリを添加することによっ
て、研磨用組成物のｐＨを上述の範囲内に調整すること
が好ましい。

【００４５】研磨用組成物には、その他の添加成分とし
て、セルロース、カルボキシメチルセルロース、ヒドロ
キシエチルセルロース等のセルロース類、エタノール、
プロパノール、エチレングリコール等の水溶性アルコー
ル類、アルキルベンゼンスルホン酸ソーダ、ナフタリン
スルホン酸のホルマリン縮合物等の界面活性剤、リグニ
ンスルホン酸塩、ポリアクリル酸塩等の有機ポリアニオ
ン系物質、ポリビニルアルコール等の水溶性高分子（乳
化剤）類、ジメチルグリオキシム、ジチゾン、オキシ
ン、アセチルアセトン、グリシン、ＥＤＴＡ、ＮＴＡ等
のキレート剤、アルギン酸ナトリウム、炭酸水素カリウ
ム等の殺菌剤、硫酸アルミニウム、硫酸ニッケル、硝酸
アルミニウム、硝酸ニッケル、硝酸鉄、モリブデン酸ア
ンモニウム等の無機塩類、高級脂肪酸アミン類、スルホ
ン酸塩、防錆剤等を含む水性加工油等の水性加工油類を
含有してもよい。これらその他の添加成分の含有量は、
研磨用組成物の常法に従って決定される。

【００４６】研磨用組成物は、水以外の各成分を水に混
合分散することにより調製される。混合分散の具体例と
しては、翼式攪拌機による撹拌、超音波分散、ホモミキ
サー等による剪断撹拌等が挙げられる。また、水以外の
各成分の混合順序については、全てを同時に混合しても
よいし、いずれかを後から混合してもよい。

【００４７】ここで、磁気ディスクとしてのメモリーハ
ードディスクの製造方法及び研磨用組成物を用いた磁気
ディスク用基板の研磨方法について説明する。メモリー
ハードディスクを製造するときには、まずブランク材の
表面に無電解Ｎｉ−Ｐメッキ等のメッキの下地膜を形成
する。次に、研磨用組成物を用いてサブストレート表面
を研磨加工する。このときの研磨方法及び研磨条件につ
いては、サブストレートの研磨加工の常法に従う。さら
に、研磨加工に用いられる研磨機の具体例としては、片
面研磨機、両面研磨機等が挙げられ、研磨パッドの具体
例としては、スウェードタイプ、不織布タイプ、織布タ
イプ、植毛タイプ、起毛タイプ等が挙げられる。

【００４８】研磨加工の対象となるサブストレートの具
体例としては、Ｎｉ−Ｐディスク、Ｎｉ−Ｆｅディス
ク、ボロンカーバイトディスク、カーボンディスク等が
挙げられる。これらの中でも、安価で入手が容易なこと
から、アルミニウム、アルミニウム合金等からなるブラ
ンク材表面にＮｉ−Ｐの無電解メッキを成膜したＮｉ−
Ｐディスクが特に好ましい。

【００４９】続いて、ダイヤモンド微粉末等の研磨材
と、加工促進剤と、水等を含有するテクスチャー加工用
組成物を用いて、サブストレート表面にメモリーハード
ディスクの回転方向に沿った同心円上の筋目を形成する
ことにより、テクスチャー加工する。こうして筋目の形
成されたサブストレート表面に磁性膜及び保護膜を形成
してメモリーハードディスクが製造される。

【００５０】近年、メモリーハードディスクには一層の
高容量化が求められているため、サブストレート表面を
従来に増して平滑化することが求められている。このた
め、研磨加工も２段階に分けて行われることがあり、１
段目の研磨加工においては、サブストレートのうねりや
２段目の仕上げ研磨加工では除去できないようなサブス
トレート表面の大きなスクラッチや凹凸等の表面欠陥を
除去する目的で研磨加工が行われる。

【００５１】一方、２段目の研磨加工においては、所望
の小さな表面粗さに調整し、かつ１段目の研磨加工で発
生した表面欠陥や、１段目の研磨加工で完全に除去でき
なかったような表面欠陥を除去する目的で、仕上げ研磨
加工が行われる。また、場合によっては、研磨加工を３
段以上の工程に細分化して行われることもある。研磨用
組成物は、これらの研磨工程のいずれにおいても用いる
ことができる。例えば１段目の研磨加工において使用す
る場合は、比較的大きな粒径の研磨材を用い機械的作用
を高めることにより、研磨速度の速い研磨用組成物を調
製する。一方、２段目以降の仕上げ研磨加工では、比較
的小さな粒径の研磨材を用い機械的作用を抑え化学的作
用との調整を図ることにより、仕上げ研磨加工に適した
研磨用組成物を調製する。

【００５２】また、メモリーハードディスクの高容量化
を達成する目的で、サブストレート表面に形成する筋目
をより薄くしたライトテクスチャー加工が行われたり、
さらにはテクスチャー加工を行わずに筋目をつけないノ
ンテクスチャーのサブストレートを使用し、メモリーハ
ードディスクが製造されることもある。研磨用組成物
は、通常のテクスチャーもしくは上述のライトテクスチ
ャー加工が行われるサブストレートや、ノンテクスチャ
ー用のサブストレートのいずれを製造する場合にも使用
することができる。

【００５３】以上詳述した第１の実施形態によれば、次
のような効果が得られる。・ 第１の実施形態の磁気デ
ィスク用基板の研磨用組成物においては、前述の成分
（ａ）と、成分（ｂ）とが含有されている。このため、
研磨加工中に研磨パッドの目詰まりを抑制することによ
って、研磨加工初期の研磨速度を維持するとともに、研
磨加工後のサブストレートにおける表面欠陥の発生を抑
制することができる。

【００５４】これは、成分（ａ）の有機酸と成分（ｂ）
の有機酸との組み合わせにより、研磨加工促進作用と沈
殿抑制作用とがバランスよく発現されている。よって、
研磨組成物中の研磨材や廃液中の切り粉が研磨パッドの
表面に堆積することなく、分散した状態で研磨パッドか
ら排出される。従って、研磨加工初期の研磨速度が、加
工バッチを重ねた後にも維持される。

【００５５】さらに、各有機酸が研磨材及び切り粉の表
面に作用し、研磨材及び切り粉のサブストレート表面へ
の付着や引っ掻きが抑制されるとともに、ピットやスク
ラッチ等の表面欠陥の発生が抑制されるためと考えられ
る。 （第２の実施形態）次に、本発明の第２の実施形態につ
いて説明する。尚、第２の実施形態については、第１の
実施形態と異なる点を中心に説明する。

【００５６】第２の実施形態の磁気ディスク用基板の研
磨用組成物には、（ｅ）グリシン、グリセリン酸、マン
デル酸、アスコルビン酸、グルタミン酸、グリオキシル
酸、リンゴ酸、グリコール酸、乳酸、グルコン酸、コハ
ク酸、酒石酸、マレイン酸、イタコン酸、クロトン酸及
びニコチン酸から選択される少なくとも一種の有機酸
と、（ｆ）クエン酸、イミノ二酢酸、マロン酸、シュウ
酸、アラニン及びプロピオン酸から選択される少なくと
も一種の有機酸と、（ｇ）酸化アルミニウム、二酸化ケ
イ素、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、
窒化ケイ素及び炭化ケイ素から選択される少なくとも一
種の研磨材と、（ｈ）水とが含有されている。

【００５７】成分（ｅ）の有機酸は、前述の成分（ａ）
の有機酸と同様の機能発現のために含有される。成分
（ｅ）の有機酸の具体例としては上述のものが挙げられ
るが、これらの中でも、大きな研磨速度を得ることがで
きることから、リンゴ酸、グリコール酸及びコハク酸か
ら選ばれる少なくとも一種の有機酸が好ましい。これら
成分（ｅ）の有機酸は、単独で含有してもよいし、二種
以上を組み合わせて含有してもよい。

【００５８】成分（ｅ）の各有機酸の含有量は、好まし
くは０．０１〜１０重量％、さらに好ましくは０．０５
〜５重量％、最も好ましくは０．１〜３重量％である。
０．０１重量％未満であると、研磨用組成物の研磨速度
が低下しやすくなり、１０重量％を超えて含有しても、
それ以上研磨速度が向上しにくいために、研磨加工コス
トが増加しやすい。

【００５９】続いて、成分（ｆ）の有機酸は、前述の成
分（ｂ）の有機酸と同様の機能発現のために含有され
る。成分（ｆ）の有機酸の具体例としては上述のものが
挙げられるが、これらの中でも、研磨材及び切り粉の分
散効果が高いことから、クエン酸及びイミノ二酢酸から
選ばれる少なくとも一種の有機酸が好ましく、クエン酸
であることが最も好ましい。これら成分（ｆ）の有機酸
は、単独で含有してもよいし、二重以上を組み合わせて
含有してもよい。

【００６０】成分（ｆ）の各有機酸の含有量は、好まし
くは０．０１〜５重量％、さらに好ましくは０．０５〜
３重量％であり、最も好ましくは０．１〜１重量％であ
る。０．０１重量％未満であると、研磨パッドの目詰ま
りが発生しやすくなり、５重量％を超えて含有しても、
それ以上研磨パッドの目詰まりを抑制しにくいために、
研磨加工コストが増加しやすい。 （第３の実施形態）次に、本発明の第３の実施形態につ
いて説明する。尚、第３の実施形態については、第１の
実施形態と異なる点を中心に説明する。

【００６１】第３の実施形態の磁気ディスク用基板の研
磨用組成物には、（ｉ）イタコン酸と、（ｊ）グリシ
ン、グリセリン酸、マンデル酸、アスコルビン酸、グル
タミン酸、グリオキシル酸、リンゴ酸、グリコール酸、
乳酸、グルコン酸、コハク酸、酒石酸、マレイン酸、ク
ロトン酸、ニコチン酸、クエン酸、イミノ二酢酸、マロ
ン酸、シュウ酸、アラニン及びプロピオン酸から選択さ
れる少なくとも一種の有機酸と、（ｋ）酸化アルミニウ
ム、二酸化ケイ素、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、
酸化チタン、窒化ケイ素及び炭化ケイ素から選択される
少なくとも一種の研磨材と、（ｌ）水とが含有されてい
る。

【００６２】成分（ｉ）のイタコン酸は、前述の成分
（ｂ）の有機酸の機能に加えて、化学的作用による研磨
用組成物中の研磨材及び廃液中の切り粉の分散性能を向
上させることにより、研磨パッドの目詰まりを特に抑制
する機能を発揮する。

【００６３】下記式（１）に示すイタコン酸は、水に溶
解されることによってカルボキシル基から水素イオンが
解離し、カルボキシル基のイオン（ＣＯＯ^-）を２つ含
有するイタコン酸イオンとなる。このイタコン酸イオン
は、廃液中の切り粉等に対してその電荷に直接作用した
りキレート剤として作用し、切り粉等が凝集するのを防
止することによって分散性能を向上させ、研磨パッドの
目詰まりを抑制するものと考えられる。

【００６４】

【化１】 イタコン酸の含有量は、研磨パッドの目詰まりを抑制す
るために、好ましくは０．０１〜５重量％、さらに好ま
しくは０．０５〜３重量％、最も好ましくは０．１〜１
重量％である。０．０１重量％未満では、研磨パッドの
目詰まりが発生しやすくなる。一方、５重量％を超えて
も、研磨パッドの目詰まりをそれ以上抑制しにくいため
に、研磨加工コストが増加しやすい。

【００６５】続いて、成分（ｊ）の有機酸は、前述の成
分（ａ）の有機酸と同様の機能発現のために含有され
る。成分（ｊ）の有機酸は、単独で含有してもよいし二
種以上を組み合せて含有してもよいが、前述の成分
（ａ）の有機酸の機能に加え、研磨用組成物中の研磨材
及び廃液中の切り粉の分散性能を向上させるために、少
なくともクエン酸を含有するのが好ましい。そして、こ
れらの機能に加え、研磨速度を特に向上させるために、
少なくともクエン酸とコハク酸とを含有するのがさらに
好ましい。

【００６６】下記式（２）に示すクエン酸は、水に溶解
されることによって、カルボキシル基のイオンを３つ含
有するクエン酸イオンとなる。そして、このクエン酸イ
オンと前述のイタコン酸イオンとが切り粉等に相乗的に
作用して切り粉等が凝集するのを防止することにより、
分散性能を向上させるものと考えられる。

【００６７】

【化２】 また、下記式（３）に示すコハク酸は、成分（ｊ）の他
の有機酸に比べてエッチング力が高い。そして、成分
（ｊ）の有機酸が、少なくともクエン酸とコハク酸とを
含有するときには、クエン酸とイタコン酸とがコハク酸
のエッチング力をさらに高めるために、研磨速度を向上
させることができると考えられる。このため、成分
（ｊ）の有機酸がクエン酸とコハク酸とを含有しないと
きに対して、研磨速度をより向上させることができる。

【００６８】

【化３】 成分（ｊ）の各有機酸の含有量は、研磨速度を向上させ
るために、好ましくは０．０１〜１０重量％、さらに好
ましくは０．０５〜５重量％、最も好ましくは０．１〜
３重量％である。０．０１重量％未満では、研磨速度が
低下しやすい。一方、１０重量％を超えて含有しても、
研磨速度をそれ以上向上させにくいために、研磨加工コ
ストが増加しやすい。

【００６９】従って、第３の実施形態の磁気ディスク用
基板の研磨用組成物においては、前述の成分（ｉ）と成
分（ｊ）とが含有されているために、研磨加工中に研磨
パッドの目詰まりを特に抑制することができる。このた
め、研磨パッドのパッドライフを向上させることができ
る。さらに、研磨加工初期の研磨速度を維持することが
できるとともに、研磨加工後のサブストレートにおける
表面欠陥の発生を抑制することができる。

【００７０】なお、前記実施形態を次のように変更して
構成することもできる。 ・ 各実施形態の磁気ディスク用基板の研磨用組成物に
おいて、研磨用組成物を比較的高濃度の原液として調製
し、研磨加工に用いるときに水で希釈して使用するよう
にしてもよい。このように構成すれば、貯蔵時及び輸送
時の取扱性を向上させることができる。

【００７１】

【実施例】次に、実施例及び比較例を挙げて前記実施形
態をさらに具体的に説明する。 （実施例１〜３３及び比較例１〜１５）実施例１〜３３
では、表１に示す各有機酸をイオン交換水に混合分散さ
せて研磨用組成物をそれぞれ調製した。一方、比較例１
〜１５では、表２に示す各有機酸と各化合物をイオン交
換水に混合分散させて研磨用組成物をそれぞれ調製し
た。ここで、比較例１〜４においては、研磨用組成物及
び廃液の分散性向上ならびに表面欠陥の発生を抑制する
目的で、化合物としてコロイダルアルミナ又はモリブデ
ン酸アンモニウムを加えた。さらに、表１及び表２の各
行の研磨用組成物においては、研磨材として平均粒子径
０．８μｍの酸化アルミニウムを２０重量％配合し、各
研磨用組成物は全量で１００重量％になるように調製し
た。

【００７２】表１及び表２の各行の研磨用組成物につい
て、ｐＨを測定するとともに下記（１）の予備研磨を行
った後に、下記（２）〜（５）の項目に関し評価を行っ
た。下記（２）〜（５）において、サブストレートを研
磨加工するときには、表１及び表２の各行の研磨用組成
物を４倍量のイオン交換水で希釈したものを使用した。
その結果を表１及び表２に示す。

【００７３】（１）予備研磨 表１及び表２の各行の研磨用組成物を使用して、サブス
トレートの片面を５分間予備研磨加工した。研磨加工の
前後でサブストレートの重量を測定し、その差（重量
減）と無電解Ｎｉ−Ｐメッキの比重及びサブストレート
の面積ならびに加工時間より算出した研磨速度（Ｒ₀）
から、各例の研磨用組成物毎にサブストレートを１μｍ
研磨加工するのに必要な加工時間を求めた。尚、研磨加
工のその他の条件は以下の通りである。

【００７４】マシン：片面研磨機（定盤径φ３００ｍ
ｍ、宇田川鐵工社製） 被研磨物（サブストレート）：φ３．５“無電解Ｎｉ−
Ｐメッキディスク 研磨パッド：ＢＥＬＬＡＴＲＩＸ Ｎ００４８（カネボ
ウ社製） 荷重：９０ｇ／ｃｍ² 回転数：１００ｒｐｍ 研磨用組成物希釈率：５倍希釈（研磨用組成物：イオン
交換水＝１：４） 研磨用組成物供給量：４ｃｍ³／ｍｉｎ （２）研磨速度低下率 表１及び表２の各行の研磨用組成物を使用して、サブス
トレートを３００バッチ連続研磨加工した。ここで、研
磨されるサブストレートはバッチ毎に新しいものと取替
えられるとともに、各バッチでの加工時間は、上記
（１）の予備研磨で求められた加工時間で行った。加工
時間以外の研磨加工の条件は予備研磨と同じである。

【００７５】３００バッチ目において、上記（１）の予
備研磨同様、研磨加工によるサブストレートの重量減と
無電解Ｎｉ−Ｐメッキの比重及びサブストレートの面積
ならびに加工時間より、各行の研磨用組成物毎の研磨速
度（Ｒ₃₀₀）を算出した。そして、下式より研磨速度低
下率を求めた。

【００７６】〔研磨速度低下率〕（％）＝［１−Ｒ₃₀₀
／Ｒ₀］×１００ 上式により求められる研磨速度低下率が１０％未満のも
のを◎、１０％以上２０％未満のものを○、２０％以上
３０％未満のものを△、３０％以上のものを×と４段階
で評価した。尚、表１及び表２において、“研磨速度低
下率”を“低下率”と示す。

【００７７】（３）分散性 上記（２）において、２８０〜３００バッチの間に排出
された廃液を内径２．５ｃｍの比色管に各１００ｃｍ³
ずつ入れ、容器を振って廃液を均一に分散させてから静
置し、２時間経過後における廃液中の沈殿物の嵩高さを
測定した。廃液全体の液高さに対する沈殿物の嵩高さの
割合が６０％以上であったものを◎、５０％以上６０％
未満であったものを○、４０％以上５０％未満であった
ものを△、４０％未満であったものを×と評価した。

【００７８】（４）研磨パッドの目詰まり状況 上記（２）の連続研磨加工終了後の研磨パッド表面を目
視で観察した。研磨パッド表面の目詰まりが認められな
かったものを◎、研磨パッドのごく一部に目詰まりが認
められたもののほぼ問題とならないレベルのものを○、
研磨用組成物中の研磨材や切り粉が研磨パッド表面に堆
積し、研磨パッド全面に目詰まりが認められたものを×
と評価した。尚、表１及び表２において、“研磨パッド
の目詰まり状況”を“目詰まり”と示す。

【００７９】（５）表面欠陥 上記（２）の連続研磨加工終了後において、３００バッ
チ目のサブストレートを洗浄及び乾燥した後に、微分干
渉顕微鏡：ＯＰＴＩＰＨＯＴ ６６（ニコン社製、接眼
レンズ：１０倍、対物レンズ：５倍）を使用して、研磨
加工面の外周端部及び内周端部より５ｍｍのところを１
周観察して直径１０μｍ以上のピットの発生状況を観察
した。ピットの発生が認められなかったものを◎、ピッ
トの発生が認められたが問題となるレベルではなかった
ものを○、問題となるようなピットの発生が認められた
ものを×と評価した。

【００８０】

【表１】

【００８１】

【表２】 表１に示すように、実施例１〜３３においては、研磨速
度低下率、分散性、研磨パッドの目詰まり状況及び表面
欠陥については、いずれも優れた評価であった。一方、
表２に示すように、比較例３、４においては、研磨用組
成物中の研磨材及び廃液中の切り粉に対し沈降抑制剤と
して作用する有機酸が含有されていないために、研磨速
度低下率が３０％以上となった。

【００８２】また、比較例５〜１１においては、有機酸
が単独のみで含有されているために、研磨速度低下率、
分散性、研磨パッドの目詰まり状況又は表面欠陥におい
て低い評価であった。さらに、比較例１２〜１５におい
ては、各比較例の研磨用組成物に含有される有機酸の組
み合わせが各実施形態の研磨用組成物に含有される有機
酸の組み合わせと異なるために、研磨速度低下率、分散
性及び研磨パッドの目詰まり状況において低い評価であ
った。

【００８３】尚、比較例１、２及び１１の研磨用組成物
については、研磨用組成物中の研磨材や廃液中の切り粉
が研磨パッド表面に堆積することによる研磨パッドの目
詰まりは観察されなかったが、研磨加工後においても研
磨用組成物及び廃液が研磨パッド上に多量に残存してい
た。分散性や研磨パッドの目詰まり状況が優れた評価で
あったにも拘わらず、研磨速度低下率が低い評価であっ
たのは、研磨パッド上に残存している研磨用組成物や廃
液によりサブストレートが浮いた状態となってしまい、
研磨パッドとサブストレート間に十分な加工力が生じな
かったためと考えられる。 （実施例３４〜５０及び比較例１６〜３０）実施例３４
〜５０では、表３に示す各有機酸をイオン交換水に混合
分散させて研磨用組成物をそれぞれ調製した。一方、比
較例１６〜３０では、表４に示す各有機酸と各化合物を
イオン交換水に混合分散させて研磨用組成物をそれぞれ
調製した。ここで、比較例１６〜１９においては、比較
例１〜４と同様に、研磨用組成物及び廃液の分散性向上
ならびに表面欠陥の発生を抑制する目的で、化合物とし
てコロイダルアルミナ又はモリブデン酸アンモニウムを
加えた。さらに、表３及び表４の各行の研磨用組成物に
おいては、研磨材として平均粒子径０．８μｍの酸化ア
ルミニウムを２０重量％配合し、各研磨用組成物は全量
で１００重量％になるように調製した。

【００８４】表３及び表４の各行の研磨用組成物につい
て、ｐＨを測定するとともに下記（６）の予備研磨を行
った後に、下記（７）〜（１０）の項目に関し評価を行
った。下記（７）〜（１０）において、サブストレート
を研磨加工するときには、表３及び表４の各行の研磨用
組成物を４倍量のイオン交換水で希釈したものを使用し
た。その結果を表３及び表４に示す。

【００８５】（６）予備研磨 表３及び表４の各行の研磨用組成物を使用し、上記
（１）の予備研磨と同様にして、各例の研磨用組成物毎
にサブストレートを１μｍ研磨加工するのに必要な加工
時間を求めた。尚、研磨加工のその他の条件は以下の通
りである。

【００８６】マシン：片面研磨機（定盤径φ３００ｍ
ｍ、宇田川鐵工社製） 被研磨物（サブストレート）：φ３．５“無電解Ｎｉ−
Ｐメッキディスク 研磨パッド：ＢＥＬＬＡＴＲＩＸ Ｎ００４８（カネボ
ウ社製） 荷重：１５０ｇ／ｃｍ² 回転数：１００ｒｐｍ 研磨用組成物希釈率：５倍希釈（研磨用組成物：イオン
交換水＝１：４） 研磨用組成物供給量：３ｃｍ³／ｍｉｎ （７）研磨速度低下率 表３及び表４の各行の研磨用組成物を使用し、上記
（２）の研磨速度低下率と同様にして各例の研磨速度低
下率を求めた。ここで、各バッチでの加工時間は、上記
（６）の予備研磨で求められた加工時間であり、加工時
間以外の研磨加工の条件は上記（６）の予備研磨と同じ
である。

【００８７】そして、研磨速度低下率が１０％未満のも
のを◎、１０％以上２０％未満のものを○、２０％以上
３０％未満のものを△、３０％以上のものを×と４段階
で評価した。尚、表３及び表４において、“研磨速度低
下率”を“低下率”と示す。

【００８８】（８）分散性 上記（７）の研磨速度低下率において、上記（３）の分
散性と同様にして各例の分散性を評価した。

【００８９】（９）研磨パッドの目詰まり状況 上記（７）の連続研磨加工終了後の研磨パッド表面にお
いて、上記（４）の研磨パッドの目詰まり状況と同様に
して、研磨パッドの目詰まり状況を評価した。尚、表３
及び表４において、“研磨パッドの目詰まり状況”を
“目詰まり”と示す。

【００９０】（１０）表面欠陥 上記（７）の連続研磨加工終了後において、上記（４）
の表面欠陥と同様にして、サブストレートの表面欠陥を
評価した。

【００９１】

【表３】

【００９２】

【表４】 表３に示すように、実施例３４においては、分散性及び
研磨パッドの目詰まり状況については優れた評価であっ
た。また、実施例３５〜５０においては、研磨速度低下
率、分散性、研磨パッドの目詰まり状況及び表面欠陥に
ついては、いずれも優れた評価であった。さらに、実施
例４７においては、初期研磨速度を示す研磨速度
（Ｒ₀）が他の実施例に比べて高い値となった。

【００９３】一方、表４に示すように、比較例１６〜１
９においては、研磨用組成物中の研磨材及び廃液中の切
り粉に対し沈殿抑制剤として作用する有機酸が含有され
ていないために、研磨速度低下率が３０％以上となっ
た。また、比較例２０〜２６においては、有機酸が単独
のみで含有されているために、研磨速度低下率、分散
性、研磨パッドの目詰まり状況又は表面欠陥において低
い評価であった。

【００９４】さらに、比較例２７〜３０においては、各
比較例の研磨用組成物に含有される有機酸の組み合わせ
が各実施形態の研磨用組成物に含有される有機酸の組み
合わせと異なるために、研磨速度低下率、分散性、研磨
パッドの目詰まり状況及び表面欠陥において低い評価で
あった。

【００９５】

【発明の効果】本発明は、以上のように構成されている
ため、次のような効果を奏する。請求項１及び請求項５
に記載の発明の磁気ディスク用基板の研磨用組成物によ
れば、研磨加工中に研磨パッドの目詰まりを抑制するこ
とによって、研磨加工初期の研磨速度を維持するととも
に、研磨加工後の磁気ディスク用基板における表面欠陥
の発生を抑制することができる。

【００９６】請求項２に記載の発明の磁気ディスク用基
板の研磨用組成物によれば、請求項１に記載の発明の効
果に加え、研磨加工中に研磨パッドの目詰まりをより抑
制することができる。

【００９７】請求項３及び請求項４に記載の発明の磁気
ディスク用基板の研磨用組成物によれば、請求項１又は
請求項２に記載の発明の効果に加え、研磨速度を速くす
ることができる。

【００９８】請求項６に記載の発明の磁気ディスク用基
板の研磨用組成物によれば、請求項５に記載の発明の効
果に加え、研磨加工中に研磨パッドの目詰まりをより抑
制することができる。

【００９９】請求項７に記載の発明の磁気ディスク用基
板の研磨用組成物によれば、請求項６に記載の発明の効
果に加え、研磨加工中に研磨パッドの目詰まりをさらに
抑制することができる。

【０１００】請求項８及び請求項９に記載の発明の磁気
ディスク用基板の研磨用組成物によれば、請求項５から
請求項７のいずれか一項に記載の発明の効果に加え、研
磨速度を速くすることができる。

【０１０１】請求項１０に記載の発明の磁気ディスク用
基板の研磨用組成物によれば、分散性を向上させること
によって研磨加工中に研磨パッドの目詰まりを特に抑制
し、研磨加工初期の研磨速度を維持するとともに、研磨
加工後の磁気ディスク用基板における表面欠陥の発生を
抑制することができる。

【０１０２】請求項１１に記載の発明の磁気ディスク用
基板の研磨用組成物によれば、請求項１０に記載の発明
の効果に加え、分散性をより向上させることができる。
請求項１２に記載の発明の磁気ディスク用基板の研磨用
組成物によれば、請求項１１に記載の発明の効果に加
え、研磨速度を速くすることができる。

【０１０３】請求項１３に記載の発明の磁気ディスク用
基板の研磨方法によれば、研磨加工中に研磨パッドの目
詰まりを抑制することによって、研磨加工初期の研磨速
度を維持するとともに、研磨加工後の磁気ディスク用基
板における表面欠陥の発生を抑制することができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉山 博保 愛知県西春日井郡西枇杷島町地領２丁目１ 番地の１ 株式会社フジミインコーポレー テッド内 (72)発明者 大脇 寿樹 愛知県西春日井郡西枇杷島町地領２丁目１ 番地の１ 株式会社フジミインコーポレー テッド内 Ｆターム(参考） 3C058 AA07 CB02 CB03 DA02 DA17

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁気ディスク用基板の研磨加工で用いら
   れる研磨用組成物であって、（ａ）グリシン、グリセリ
   ン酸、マンデル酸、アスコルビン酸、グルタミン酸、グ
   リオキシル酸、リンゴ酸、グリコール酸、乳酸、グルコ
   ン酸、コハク酸、酒石酸、マレイン酸、イタコン酸、ク
   ロトン酸及びニコチン酸から選択される少なくとも一種
   の有機酸と、（ｂ）グリシン、リンゴ酸、乳酸、グルコ
   ン酸、酒石酸、マレイン酸、イタコン酸及びクロトン酸
   から選択される少なくとも一種であり、かつ前記（ａ）
   とは異なる有機酸と、（ｃ）酸化アルミニウム、二酸化
   ケイ素、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化チタ
   ン、窒化ケイ素及び炭化ケイ素から選択される少なくと
   も一種の研磨材と、（ｄ）水とを含有することを特徴と
   する磁気ディスク用基板の研磨用組成物。
2. 【請求項２】 成分（ｂ）の有機酸は、グリシン、リン
   ゴ酸、乳酸及びグルコン酸から選択される少なくとも一
   種の有機酸である請求項１に記載の磁気ディスク用基板
   の研磨用組成物。
3. 【請求項３】 成分（ａ）の有機酸は、リンゴ酸、グリ
   コール酸及びコハク酸から選択される少なくとも一種の
   有機酸である請求項１又は請求項２に記載の磁気ディス
   ク用基板の研磨用組成物。
4. 【請求項４】 成分（ａ）及び成分（ｂ）の含有量は、
   それぞれ０．０１〜１０重量％である請求項１から請求
   項３のいずれか一項に記載の磁気ディスク用基板の研磨
   用組成物。
5. 【請求項５】 磁気ディスク用基板の研磨加工で用いら
   れる研磨用組成物であって、（ｅ）グリシン、グリセリ
   ン酸、マンデル酸、アスコルビン酸、グルタミン酸、グ
   リオキシル酸、リンゴ酸、グリコール酸、乳酸、グルコ
   ン酸、コハク酸、酒石酸、マレイン酸、イタコン酸、ク
   ロトン酸及びニコチン酸から選択される少なくとも一種
   の有機酸と、（ｆ）クエン酸、イミノ二酢酸、マロン
   酸、シュウ酸、アラニン及びプロピオン酸から選択され
   る少なくとも一種の有機酸と、（ｇ）酸化アルミニウ
   ム、二酸化ケイ素、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、
   酸化チタン、窒化ケイ素及び炭化ケイ素から選択される
   少なくとも一種の研磨材と、（ｈ）水とを含有すること
   を特徴とする磁気ディスク用基板の研磨用組成物。
6. 【請求項６】 成分（ｆ）の有機酸は、クエン酸及びイ
   ミノ二酢酸から選択される少なくとも一種の有機酸であ
   る請求項５に記載の磁気ディスク用基板の研磨用組成
   物。
7. 【請求項７】 成分（ｆ）の有機酸はクエン酸である請
   求項６に記載の磁気ディスク用基板の研磨用組成物。
8. 【請求項８】 成分（ｅ）の有機酸は、リンゴ酸、グリ
   コール酸及びコハク酸から選択される少なくとも一種の
   有機酸である請求項５から請求項７のいずれか一項に記
   載の磁気ディスク用基板の研磨用組成物。
9. 【請求項９】 成分（ｅ）の含有量は０．０１〜１０重
   量％であるとともに、成分（ｆ）の含有量は０．０１〜
   ５重量％である請求項５から請求項８のいずれか一項に
   記載の磁気ディスク用基板の研磨用組成物。
10. 【請求項１０】 磁気ディスク用基板の研磨加工で用い
    られる研磨用組成物であって、（ｉ）イタコン酸と、
    （ｊ）グリシン、グリセリン酸、マンデル酸、アスコル
    ビン酸、グルタミン酸、グリオキシル酸、リンゴ酸、グ
    リコール酸、乳酸、グルコン酸、コハク酸、酒石酸、マ
    レイン酸、クロトン酸、ニコチン酸、クエン酸、イミノ
    二酢酸、マロン酸、シュウ酸、アラニン及びプロピオン
    酸から選択される少なくとも一種の有機酸と、（ｋ）酸
    化アルミニウム、二酸化ケイ素、酸化セリウム、酸化ジ
    ルコニウム、酸化チタン、窒化ケイ素及び炭化ケイ素か
    ら選択される少なくとも一種の研磨材と、（ｌ）水とを
    含有することを特徴とする磁気ディスク用基板の研磨用
    組成物。
11. 【請求項１１】 成分（ｊ）の有機酸は、少なくともク
    エン酸を含有する有機酸である請求項１０に記載の磁気
    ディスク用基板の研磨用組成物。
12. 【請求項１２】 成分（ｊ）の有機酸は、少なくともコ
    ハク酸を含有する有機酸である請求項１１に記載の磁気
    ディスク用基板の研磨用組成物。
13. 【請求項１３】 請求項１から請求項１２のいずれか一
    項に記載の研磨用組成物を用い、磁気ディスク用基板を
    研磨することを特徴とする磁気ディスク用基板の研磨方
    法。