TW583425B

TW583425B - Liquid crystal display

Info

Publication number: TW583425B
Application number: TW091112706A
Authority: TW
Inventors: Shinichiro Tanaka; Takashi Ikemoto; Yoshitaka Mori; Satoshi Morita; Osamu Kobayashi
Original assignee: Sanyo Electric Co; Tokyo Sanyo Electric Co
Priority date: 2001-08-02
Filing date: 2002-06-11
Publication date: 2004-04-11
Also published as: KR20040031786A; CN1537256A; CN1299157C; KR100679374B1; EP1429177A1; EP1429177A4; US20040169777A1; WO2003023508A1

Description

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【發明所屬的技術領域】本發明係關於一種在丨個像素内廣視野角之液晶顯示裝置。而設置複數個區域< 【为景技術】一般在液晶顯示裝置，電力之特徵，廣泛地利用在機為止。做為該液晶顯示裝 )型液晶顯示裝置，維持作質。但是，TN型液晶顯示震問題存在。因此，提議廣視 (Vertically aligned :垂 V A型液晶顯示裝置之狀態下介電係數異方性呈負值之液配置像素電極，在另一邊之在兩個玻璃基板上，層積垂外側，配置一對相互之透過著，在兩個電極間而並無產垂直配向膜而呈垂直地配列偏光之透過光，係仍然直接偏光板所遮蔽住。此外，在璃基板間之液晶分子係對於而進行水平配列，因此，通具有所謂薄型輕量化、低消耗可攜式終端機開始至大型電才見置’係經常使用TN (扭轉陣列為顯示裝置之高性能和高品置等，係有視角依附性大等之野角大於TN型之VA 直調正）型液晶顯示裝置。在 ’於一對玻璃基板間，密封入晶，在某一邊之玻璃基板上，玻璃基板上，配置共通電極。直配向膜，在兩個玻璃基板之軸之方向呈直交之偏光板。接生電場時，液晶分子係限制在 ’通過某一邊之偏光板之直線地通過液晶層，而被另一邊之兩個電極間而產生電場時，玻電場，沿著垂直方向呈傾斜，過某一邊之偏光板之直線偏光

583425 五、發明說明（2) 之透過光，係在通過液晶層時，進行複折射，而成為橢圓偏光之通過光’通過另一邊之偏光板。為了更加改善該VA型液晶顯示裝置之視野角，因此，提議在像素内設置突起或溝槽而在1個像素内形成複數個之區域之 MVA (Multi - domain Vertically Aligned :多區垂直調正）方式。這個係記載於例如日本專利第29473 50 號公報。在圖1 6，顯示該習知之MVA型液晶顯示裝置之像素構造。在呈平行地對向配置之一對玻璃基板中，於某一邊之玻璃基板上，形成像素電極100、掃描線101、訊號線1〇2 和TFT1 03，在另一邊之玻璃基板上，形成彩色濾光片、共通電極、和突起1 0 5。此外，並無圖示彩色濾光片和共通電極。複數個之掃描線1 0 1和訊號線1 0 2，係呈矩陣狀地配線於玻璃基板上，分別在該交差部分，配置TFT 103 ,在藉由掃描線101和訊號線102所包圍之區域内，配置像素電極 1 0 0。分別將T F T 1 0 3之閘極電極，連接在掃描線1 〇 1，將源極電極連接在訊號線1 0 2，將汲極電極連接在像素電極 1 0 0。符號1 0 4係形成在像素電極1 〇〇之縫隙，由玻璃基板之法線方向觀察時’複數個之突起1 05係形成為鋸齒狀，縫隙1 0 4係位處在該複數個之突起1 〇 5間，形成為大概平行於相鄰接之突起1 0 5。液晶分子係對於突起丨〇 5和縫隙 104，沿著90 °之方向呈傾斜，以突起1〇5或縫隙104，作為境界，沿著反方向呈傾斜。在一對玻璃基板之外側，配置呈直交之尼科爾稜鏡（Nicol)之一對偏光板，設定偏

2119-4811-PF(N);ahddub.ptd 第 6 頁 583425 五、發明說明（3) 光板之透過幸由和突起1〇5之方向Fb1之所形成之角度，成為 45 ，由偏光板之法線方向觀察時，以便於使得呈傾斜之液晶分子和偏光板之透過轴間之所形成之角度成為45 π。。Ϊ呈：t液晶分子和偏光板之透過軸間之角度成為 45時，此夠最有效率地由偏光板得到透過光。

但是，在習知之MVA型液晶顯示裝置，由於實際之液晶分子之傾斜狀態係並無成為理想之狀態，因&，無法得到最適當之顯不狀態。g〗7係呈示意地顯示習知之像素構造中之液晶分子之傾斜狀態之圖式。像素電極1〇〇内之點線，係顯不液晶分子之傾斜狀態之境界，在藉由點線和突起105或縫隙1G4所包圍之區域内，液晶分子係沿著大概相同之方向而進行傾斜。各個區域之箭號係顯示液晶分子之傾斜方向，附記在箭號附近之角度，係表示在由玻璃基板之法線方向觀察時而呈傾斜之液晶分子和突起1〇5、縫隙 1。04或像素電極1 〇〇之邊緣部間之所形成之角度。此外，箭號之方向，係表示在具有突起105之玻璃基板附近之液晶刀子呈傾斜時而該液晶分子之兩端中之由玻璃基板離開者之端部所朝向之方向。

藉由縫隙104或突起105所限制之液晶分子，係在像素電極1 0 0之中央部分，對於縫隙1 0 4或突起1 〇 5，不是沿著 9〇 °之方向，而是沿著大約95。之方向，進行傾斜。此外’在像素電極1〇〇之周邊部，對於縫隙1〇4或突起1〇5，沿著8 0 °或1 〇〇。等之更加遠離9 〇。之方面呈傾斜，其傾斜狀態也隨著場所而不同。為了最有效率地利用透過光，

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五、發明說明（4) 因此’在理想上，係液晶分子對於偏光板之透過轴，沿著 4 5 之方向，進行傾斜；這個係相當於液晶分子對於突起 1 0 5或縫隙1 〇 4沿著9 0。之方向進行傾斜之狀態。圖丨7中之區域E係液晶分子由理想之傾斜方向而偏離大約$。左右呈傾斜之部分，區域F係由理想之傾斜方向而偏離大約1〇。左右之部分，區域G係由理想之傾斜方向而偏離大約45。左右之部分。像素電極1〇〇之中央部分，係區域A變多，並且，在成為縫隙1 〇 4和突起1 0 5呈直交之部分或者像素電極 100之周邊部分時，區域B或區域c之比例係變多。

像這樣，在習知之縫隙104或突起1〇5之形狀中，由於像素電極1 〇〇之大部分之液晶分子，係沿著由理想之傾斜方向呈偏離之方向，進行傾斜，因此，無法效率良好地利用透過光。此外’在像素電極1 0 0内，存在複數個例如區域E、F、G —樣、對於理想之傾斜方向呈偏離之程度不同之區域時，由於各個區域中之透過率呈不同，因此，成為顯示不均。在此’就液晶分子之傾斜方向呈偏離之原因而進行研究時，在像素電極1〇〇之中央部分（對於突起i 05或縫隙 104呈大約95 °左右之傾斜之區域），由於受到在相鄰接之像素電極1 〇〇所產生之若干之電場影響，因此，認為由理想之傾斜方向呈大約5。左右之偏離。此外，在像素電極1 〇 0之周邊部分，對於像素電極丨〇〇之邊緣部，影響液晶分子’沿著9 0 °之方向呈傾斜，因此，由於像素電極丨〇〇之邊緣部、縫隙1 〇 4和突起丨〇 5之配置，而使得位處在該附

583425 五、發明說明（5) 並且近之液晶分子之傾斜狀態，成為各種不同之狀熊還大幅度地偏離理想之傾斜狀態。 μ 此外’在最f ’為了儘可能地得到像素之開口率，因此’有使用訊號線呈重複之程度之大像素電極之狀態發生。在該狀態下鄉還使得由於像素電極之狀態所造成之影響變大。【發明的概述本發明之能夠得到最適為了達成係具有：呈矩素電極上之縫基板上之帶狀理之配向膜、負值之液晶層呈垂直地配列突起所限制之晶顯示裝置，存在之延長方突起之部分係份量之方向而此外，本起所存在之延問題點，示裝置。明之液晶第一基板一基板、上且施加且介電係晶層時，時，沿著傾斜地進著大概平隙之輪廓分僅偏離而提供一種顯示裝置，、形成在像形成在第二垂直配向處數異方性呈液晶分子係藉由縫隙和行配列之液行於突起所中，面對著修正用角度目的，係有鑑於前述之當之顯示狀態之液晶顯前述目的，因此，本發陣狀地配置像素電極之隙、形成透明電極之第突起、層積在兩個基板以及夾住於兩個基板間 ’在並無施加電場至液，在施加電場至液晶層方向，使得液晶分子呈其特徵在於：縫隙係沿向而設置，同時，在縫沿著對於縫隙之延長部形成。係沿著大概平行於突在突起之輪廓中，面發明之特徵在於··縫隙長方向而設置，同時， 583425 五、發明說明（7) 勻，而減低顯此外，本置複數個之掃掃描線和訊號設置在藉由掃元件上之像素於像素電極而一基板和第二線之像素電極中，使得像素部之形狀。不之不均。 &明之液晶顯示裝描線和複數個之訊 '線之交差部上之轉描線和訊號線所包電極、呈對向地配酉己置彩色濾光片之基板間，其中，呈之邊緣部之至少一電極部位之輪廓，置係具有：呈矩號線之第一基板換（sw i tch i ng ) 園之部分同時連置在第一基板上第—基板、以及凹凸狀地形成面部分，在訊號線成為沿著像素電陣狀地配、配置在元件、接在轉換同時對應密封在第對著訊號之輪廓極之邊緣像這樣，可之至少一部分，電場影響。此外號線之輪廓，成由於來自訊號線不不均。以藉由呈凹凸狀地形成像素電極之邊緣部而緩和由邊緣部開始而施加至液晶分子之 ’還可以藉由使得鄰接在像素電極上之訊為沿著像素電極之邊緣部之形狀，而減低之影響所造成之像素電極之邊緣部上之顯此外’本發明係在涵蓋像素電極之長邊方向，使得像素電極之邊緣部和訊號線之輪廓，位處在大概相等之間隔此外在由第一基板之法線方向而進行觀察時，像素電極之邊緣部和訊號線係重疊在一起。此外，像凹凸狀部分係成為鑛齒狀。、此外，本發明之液晶顯示裝置，在第二基板，形數個之帶狀突起，在像素電極，形成位處在大概平行於

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583425 五、發明說明（8) -~"一"· 起之位置上之縫隙，在第一基板和第二基板間，夾住介電係數異方性呈負值之液晶層，其中，由第一基板之法線方向觀察時’像素電極之凹凸狀部分係形成為位處在突起和縫隙間。可以藉由這些構造，以便於也能夠在重疊訊號線和像素電極之狀態下，使得該重複部分成為最低限度，抑制像素電極之電壓變動，得到高亮度且良好之顯示。本發明之液晶顯示裝置係電極之第一基板、形成透明電基板上同時由第二基板之法線之邊緣部沿著傾斜方向呈交差極上同時對於相鄰接之突起呈兩個基板上且施加垂直配向處個基板間且介電係數異方性呈電場至液晶層時，液晶分子係至液晶層時，沿著藉由縫隙和晶分子呈傾斜地進行配列，其極之邊緣部之一部分，緩和由子之電場影響。特別是由於鋸隙間並且相接近之縫隙和邊緣以下之部分上，因此，可以藉晶分子之影響大之部分上，設地減低邊緣部之影響，得到良此外’在第二基板上，於具有：呈矩陣狀地配置像素極之第二基板、形成在第二方向觀察時而對於像素電極之帶狀突起、形成在像素電平行地配置之縫隙、層積在理之配向膜、以及夾住於兩負值之液晶層，在並無施加呈垂直地配列，在施加電場突起所限制之方向，使得液中呈錯齒狀地形成像素電邊緣部開始而施加至液晶分齒狀部分係設置在突起和縫部間之所形成之角度為9 0。由在由邊緣部開始而對於液置蘇齒狀部分，以便於有效好之顯示狀態。面對著像素電極之鋸齒狀部

583425 五、發明說明（9) 分之位置上，形成輔助用突起，因此，能夠於邊緣部對於液晶分子所造成之影響，使也減低由方向觀察時之像素内之實際之液曰土板之法線之傾斜狀態（對於透過軸呈45。…）間3想均。便用透過先同時，還能夠減低顯示之不【發明的最佳實施形態】以下，根據圓式，說明成為本發明之實施實施例。圖i係第丨實施例之像素部之俯視圖，圖^係沿第圖1之A-A’線之剖面圖。 ’、在該第一基藉由掃描線2 在該區域符说1係玻璃基板等之透明之第一基板板1上，呈矩陣狀地配置掃描線2和訊號線3 和訊號線3所包圍之區域，係相當於i個像素 > 极U 内，、配置像素電極4，在掃描線2和訊號線3之交"差"部U，形成成為連接像素電極4之轉換元件之TFT5。像素電極4之一部分，係透過絕緣膜，而重疊於相鄰接之掃描線2，該部分係作用為保持用電容。在像素電極4，形成複數個之後面所敘述之縫隙6。符號7係覆蓋像素電極4之配向膜，施加垂直配向處理。此外，在圖2 ,省略存在於像素電極4 方之絕緣膜。符號8係玻璃基板等之透明之第二基板，在第二基板8 上，形成黑色矩陣9，以便於劃分各個像素，對應於各個像素’而層積彩色濾光片1 〇。彩色濾光片j 〇係對應於各個

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五、發明說明（12) 形成縫隙6 ’並且’藉由光微影法而對於由例如丙烯酸樹月曰等所組成之阻劑’進行既定之圖案化，以便於形成突起 1 2。進行實驗，結果，得知突起丨2越高，則透過率更加地提升’在突起之高度成為丨· 5 以上時，得到高透過率。特別是在突起之高度成為16//m時，比起突起為13//m 者’還提1¾大約10%左右之透過率（透過率（突起為1·6 透過率（突起為1.3//m) -1·ΐ〇)，並且，在考量單元間隙等之時’於突起之高度成為大約丨· 6 β ^〜大約1.7vm時，可以得到作為顯示裝置之最適當之透過率。此外’比起藉由負型材料而形成突起12者，則藉由正型材料而形成犬起12者，係比較能夠提高透過率。這個係由於突起12之表面比較光滑而更加提高對於液晶分型材料1ί1之限制力之緣故，在根據實驗時，比起負上之透過率（透過料之突起12係還提高大約10 %以材料；突革0)(正型材料之突起）/透過率（負型大起1 2係跨越複數個部分係在μ - / 形成為㈣狀，其直線沿著45。4:;行之征法，方向觀察時，對於訊號線3 ’ 分，由某一邊之相鄰接去個像素之大概中央部曲90* ’而再一次地延長延伸之突起12a，係f 之相鄰接之像素開始延伸之办^接之像素為止，由另一邊為直角之突起l2a之直線部分’係呈平行於彎曲成之角落部附近。在突起12和進行配置，而位處於像素素電極4之交差部分，形成

583425 五、發明說明（13) 由突起1 2開始呈分歧而VL | 辅助用突起1 7a，減低由於來自”辛H之緣部呈延長之接之像素之電場對於液晶分"Vu像所素造電/之4景=緣部或相鄰，成縫隙6分別位處在複數個之突起j 2中間之位置 6 ’於各個像素電極4，形成3個之縫隙 ί 和突起心間’分別形成縫隙6a，在突起12a ΠΪΓ4:邊緣部間，形成縫隙⑽。縫隙6“系平行於鄰接其中心。線（圖】之一點鍵線）之突起12，對於訊號線成為45之方向。該縫隙6a之中心線，係相當於縫隙二t長：向。接者’在縫隙hi輪廓中，面對著突起12 Ϊ 端部分作為起點，而對於縫_之中心 ΐ係Ϊ = 左右’越靠近中央部分，則縫隙6a之幅县古\付更寬。此外’即使是縫隙6b，也是同樣地，其延於相鄰接之突起12a，縫隙6b之輪廓係以平線3之端部’作為起點，而對於其延長方向，偏隨ΪΓ展/Λ，進行延伸。即使在此’縫隙6b係型成為 =者，展至像素電極4之中央部分而使得其幅寬變寬。此卜於縫嶋之突起12a、其延長方向係在像素内， f曲成為直角，因此，縫隙6b之延長方向係也進行彎曲。 =號17b係沿著接近縫隙6b之像素電極4之邊緣部而設置之辅助用突起，相同於輔助用突起17a，減低由於來自像素電極4之邊緣部或相鄰接之像素之電場對於液晶分子所造成之影響。特別是藉由縫隙6b和像素電極4之邊緣口M/f包圍之部分係變窄’容易大幅度地受到由於縫隙^和 ϋπ·ι 2119.4811-PF(N)；ahddub.ptd 第17頁 583425 五、發明說明（14) ΐ緣=造ί之影響，因此’在減低由於該區域所造威顯7^不均’輔助用突起1 7a係有效地發揮。把成之接著’在像素電極4和透明電極液晶分子i 4沿著水平方向呈傾斜時，^吏產液生晶電八％ ^使^寻來自相鄰接之像素之電場影響，而對於縫隙6 ,刀VL +又到 95。之方向呈傾斜，縫隙6之輪廓也不會平行於=如向（對於透過軸呈45。<方向），成為若干之偏離/ 此，結果液晶分子14係能夠對於透μ 因 :向二行料，可以效率良好地利用通：液晶：Ϊ透之先。此外’還可以藉由輔助用突起17a、：:透過邊緣部中之液晶分子14之影響，二，w 以使仔像素内之實際之液晶分子14之傾還可斜方向（對於透過轴呈45。之）之^和理想之傾句，而減低顯示之不均。向）間之差異’變得均此外，在該實施例，使得縫隙6 _之延長方向（對於透過軸呈45。之方鏠左右，但是，也可以設定該修正用角度， t約5 :大：1 5左右。特別是正如藉由圖i 7所：析二’产可以得知：液晶分子14之傾斜方向；= :約5〜大約i。。左右時，則更加地：度：為者是在存在ίΐ 一正用角度，或配合其配置場所之終/ 縫隙6，使用 1琢尸/T I修正用角度等，以便於配合該傾斜方:

2119.4811-PF(N)；ahddub.ptd 第18頁 583425 五、發明說明（15) _ 之偏離傾向，而選擇縫隙6之修正用隙6之部分係並無限制液晶分州之傾外，由於縫增大縫隙6之修正用角产，式斜方向，因此，在 J大縫隙部分時，該：分“二：不縫均寬，寬而最好設定縫隙6之大小，成之原因。因此，接著，根據圖3,而說明第2實施^。不兮均4大^：或縫隙之形態不同於第1實施例，但是，其亥貝加例係突起同，就相同之構造而言，使、他構造係相圓3係呈示意地顯示第2實施例之；‘ 2 ，省略其說明。係之俯視圖；在像素電極18，形di和，起之位置關上，形成突起21。水9 ’在第二基板8 在第2實施例’在縫隙之輪廓中係平行於縫隙之延長方向，在突起之給产/大起之部分之部分係形成為對於突起 ' f中，面對著縫隙離。長方向呈大約5。左右之偏在圖3僅圖示1個像素份量，但 :，突起係跨越複數個之像素而形成為鑛目：：第1實施線部分之延長方向係對於偏光板i ”6 ，其大概直之方向。在i個像素之大概中央部分之透過—轴’成為45 接之像素開始延伸之突起20a，係弯曲9〇。某一邊之相鄰延長至相鄰接之像素為止，由另一邊而再—次地延伸之突起20b ’係呈平行於幫之相鄰接，像素開始二配置，ffij位處於像素之角落部附近' 1犬起2 〇a ’進於延長方向偏離大約5。左右而形大起2〇之輪廊係對化者由像素電極之 Η 第19頁 2119-48ll-PF(N)；ahddub.ptd 583425 五 ί*、發明說明（16) 邊緣部部位開始進展至中央部分’而使得其幅寬變得更窄。也就是說，在突起2 0 a之狀態下，對於由像素電極之邊緣部開始而彎曲成為直角之部分，突起2〇a之幅寬係逐漸地變窄，相反地，對於由像素電極1 8之中央部@附近'開^始而彎曲成為直角之部分，突起之幅寬係逐漸地變寬。I ° 外，突起20b係橫切像素電極18之2個邊緣部，但是，對於由某一邊之邊緣部開始至另一邊之邊緣部，突起之幅；寬係逐漸地變窄’相反地’對於由像素電極丨8上之 w 始’突起20b之幅寬係逐漸地變寬。該突起2〇之、歼分析習知之突起形狀中之液晶分子之傾斜狀態在實於、上，：：計液晶分子對於偏光板15、16之心之方向，進行傾斜。平/〇者45 在突起2 0和像素電極丨8之交差部開始分歧而沿著像素電極18之邊緣部進行延县f::起2 〇起…，沿*接近縫隙19b之像素電輔助用突 :用突起21b。可以藉由該輔助用m成輔二電極18之邊緣部或相鄰接之像=電而Λ低於履s日分子1 4所造成之影響。豕I之％ %對於分別在突起20a和φ 2〇:和像素電極18之邊緣部間曰形成形”隙19a，在突起存在於相同於相鄰接之、、隙19b。突起2〇a係板15、16之透過軸，成方向之方向，對於偏光廓中，面對著突起2〇之部分==。在該縫隙1 9a之輪向’成為大概平行四邊形之形狀。以：：延長方向之方 1使就縫隙1 9b而言， 583425 五、發明說明（17) 同ί ί ’其延長方向係平行於相鄰接之突起20a，縫隙1 9b 之輪廓、其面對著突起之部分，係平行於延長方向。、液曰^/^^^^^^^產生電場而使得办Γ Γ Γ σ者水平方向呈傾斜時，即使液晶分子η受到之像素之電場影響’而對於突起20，沿著例如 11呈傾斜，突起20之輪廓也不會平行於其 ”對於透過轴呈45。之方向），成為若 =方 =結果液晶分子14係能夠對於透㈣，因 Γ此ΓΓ，可以效率良好地利用通過液晶二：先此外’還可以藉由輔助用突起2 i a、2 像素電極1 8之邊緣部中之液曰八；〗而減低對於以使得像素内之實際之液晶二=離此：，還可 :狀態（對於透過轴…方向）:=和=傾勻，而減低顯示之不均。兵變侍均起20:: =實施例’使得突起2。之輪靡部分，對於突起20之延長方向（對於透于於犬 5^右，但是，也可以設定該修正用之角方产向偏離大約果，也可以得ί ·· 藉由圖12所得到之分析結約5。〜大約1〇。左右曰曰，刀因之傾斜凡方向之偏離係多達大為大約5。〜大約1〇。左右，而該修正用角度成外，也可以在例如單一之突起2〇其效果。此度’或者是在存在於單一之像素電極18 正用角 2〇，使用配合其配置場所之修正用角C之突起寻 U便於配合該 2119-4811-PF(N);ahddub.ptd ί^βΐ 第21頁 583425 五、發明說明（18) 傾斜方向之偏離傾向，而選擇突起2 0之修正用角度。此外，由於在突起20之部分，也限制液晶分子1 4之傾斜方向，因此，比起縫隙之狀態，即使突起之狀態係增大其幅寬，對於顯示不均之影響也變少。如果藉由實驗的話，則在縫隙或突起之幅寬成為大概相同條件之狀態下，比起在第1實施例而傾斜縫隙之輪廓，在第2實施例而傾斜突起之輪廓，係比較提高透過率大約1 2 %左右（透過率（第2實施例）/透過率（第1實施例）与丨·丨2 )。接著，根據圖4，說明第3實施例 t ^ -，，該實施例係採用第實施例之縫隙或第2實施例之突起，其他構造係相同於第 1實施例。因& ’就相同於第i實施例之構造而[使用相 ::符號，省略其說明。圖4係呈示意地顯示第3實施例之和Ϊ;之位置關係之俯視圖；在像素電極22，形成縫隙23 ’在第二基板8上，形成突起24。，第3實施例之突起24係成為_於第2實，形態；跨越複數個之像素而形成為鋸齒狀，直部分之延長方向係對於偏光板丨5 ，、权直線之方向。突起24a係在像素電極之透過押軸’成為45。角，突起24b係呈平行於彎曲成為、邛，彎曲成為直置’而位處於像素電極22之角落’畔之突起20a，進行配中’面對著縫隙23之部分係係形：為起24之輪麻向呈大約5。左右之偏離，各個外.、、9 f於突起24之延長方電極22之邊緣部開始，而對於犬 4、其幅寬係由像素符號25a係由突起24開如八&、部’逐漸地變窄。 σ刀歧而沿著像素電極22之邊

五、發明說明（19) =之輔助用突起’符號25“系沿著接近縫隙23b 之邊緣部而形成之輔助用突起。可以萨由咳辅助用突起25a、25b，而減低：乂 = j 部或相鄰接之像音之雷媼钭认、—木目彳豕京電極22之邊緣第3本液晶分子14所造成之影響。弟d貝％例之縫隙2 3係成為如ρη认铱彳叙l 之狀熊，报4、A Υ ^ 馮相同於第1實施例之縫隙6 狀〜、形成為分別位處在複數個突起24中間 !!；ff24M〇^24b" 5 Λ f素電極22之邊緣部間，設置成為其延長方向平行於相鄰接之突起24之各延個長縫:23，，形隙23之輪廓中，面對著突起2 ^ 、長方向偏離大約5。左右。係形成為對於其延 f八水平方向呈傾斜•，即使液晶刀子14觉到來自相鄰接之像素二： 24或縫隙23,沿著例如95、方向呈傾斜匕：對：：；子14係能夠對於透過軸’沿著大約4 :果液：刀斜，可以效率良好地利用通過液晶層之透=，：：傾 =藉由辅助用突_a、25b，而減低對以= 邊緣部中之液晶分子14之影響素電極2 2之之實際之该曰八工U七π „ 還可以使得像素内貫際之液Ba /刀子14之傾斜狀態和理想透過轴呈45。之方向）間之“，變得^斜2 =於之不均。』J 而減低顯不此外，可以設定縫隙23或突起24之輪廓又，成為大約3。〜大約15。左右，特別β刀/ 用角度成為大約5。〜大約10。左右時修正那更加地提升其 583425

效果:此外，可以藉由調整縫隙23或突起24之幅寬，而減少顯不之不均。如果藉由實驗的話，則在縫隙或突起之幅寬成為大概相同條件之狀態下，比起第丨實施例，第3實施例係比較提高透過率大約9%左右（透過率（第3實施例） /透過率（第1實施例）与丨· 〇 9 )。、接著，根據圖5，說明第4實施例。該實施例、其包含縫隙之像素電極之形態係不同於第丨實施例，但是，其他構造係相同於第1實施例；就相同之構造而言，使用相同之符號，省略其說明。圖5係呈示意地顯示第4實施例之像素電極和突起之位置關係之俯視圖；在像素電極26，形成縫隙27 ’在第二基板8上，形成突起28。突起28係跨越複數個之像素而形成為鋸齒狀，其直線部分係在由第二基板8之法線方向觀察時，對於偏光板 15、16之透過轴，沿著45。之方向，進行延長。在丨個像素之大概中央部分，由某一邊之相鄰接之像素開始延伸之突起28a ’係彎曲90。，而再一次地延長至相鄰接之像素為止，由另一邊之相鄰接之像素開始延伸之突起28b，係呈平行於彎曲成為直角之突起28a之直線部分，進行配置，而位處於像素之角落部附近。在突起28和像素電極26之交差部分上，形成由突起28 開始分歧而沿著像素電極26之邊緣部進行延長之輔助用突起29a，沿著接近縫隙27b之像素電極26之邊緣部，形成辅助用突起29b。可以藉由該輔助用突起2 9a、29b，而減低由於來自像素電極26之邊緣部或相鄰接之像素之電場對於

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583425 五、發明說明（21) 液晶分子1 4所造成之影響„ 分別在突起2 8 a和突起？ R h ，ττ>» 9Q ^ ^ , on 大^8b間形成縫隙27a ,在突起 2 8 a和像素電極2 6之邊緣部問，拟；、 .^ ^ , 您琢°丨間形成縫隙27b 〇縫隙27a係存在於相同於相鄰接之突把？ R证且 ,cl, 1β , 伐&大起28延長方向之方向，對於偏光板15、16之透過軸，成矣4^。++, * 二方向。在該縫隙之輪廓、者大之部分，係成為相同於延長方向之方 2 f為大概平行四邊形之形狀。即使就縫隙27b而言， ίΪ，其延長方向係平行於相鄰接之突起…，縫隙27b 之輪廓、其面對著突起28之部分，係平行於延長方向。、在該實施例，呈鋸齒狀地形成像素電極26之周邊部，其邊緣部係相互地抵銷及緩和由於像素電極26之邊緣部對於液晶分子14所造成之影響。此外，還可以在該周邊部，減少來自相鄰接之像素之電場影響，減低對於像素電極26 内之液晶分子1 4所造成之影響。鉅齒狀之部分係有利於設置在來自相鄰接之像素或像素電極26之邊緣部所造成之電場影響大之部分上，可以設置在位處於突起28或縫隙27間之位置^之邊緣部或像素電極26之長邊方向之邊緣部上。接著’在液晶分子1 4沿著水平方向呈傾斜時，可以藉由像素電極2 6之鋸齒狀之邊緣部，而減低由於來自相鄰接之像素之電場或像素電極26之邊緣部對於液晶分子14所造成之影響，像素電極26内之液晶分子丨4係能夠對於透過轴，沿著大約4 5。之方向，進行傾斜，可以效率良好地利用通過液晶層之透過光。此外，還可以藉由辅助用突起 2 9 a、2 9 b，而更加地減低對於像素電極2 6之邊緣部中之液

583425 五、發明說明（22) 晶分子14之料，此外，還可以使得像素内之和理想之傾斜狀態（對於透過轴呈二:9 之方向）間之差異’變得均勻，而減低顯示之不均。，外，果為能夠相互地抵銷由於像素電極之周邊所xe成之影β之形態的話，則周邊部之形狀係不僅限鋸齒，，也可以是例如在周邊部重複小圓弧之波狀。如J 藉由貫驗的話，則在縫隙或突起之幅寬成為大概相同條之狀態下’比起第1實施例’第4實施例係比較提高透過大約8%左右（透過率（第4實施例）/透過率（第〗實施例）与 1 · 0 8 )。接著，根據圖6，說明第5實施例。該實施例、其包含縫隙之像素電極之形態係不同於第1實施例，但是，其他構造係相同於第1實施例；就相同之構造而言，使用相同之符號，省略其說明。圓6係呈示意地顯示第5實施例之像素電極和突起之位置關係之俯視圖；在像素電極3〇，形成縫隙31，在第二基板8上，形成突起32。突起32係跨越複數個之像素而形成為鋸齒狀，其直線部分係在由第二基板8之法線方向觀察時，對於偏光板 1 5、1 6之透過軸，沿著4 5。之方向，進行延長。在1個像素之大概中央部分，由某一邊之相鄰接之像素開始延伸之突起32a ,係變曲90。，而再一次地延長至相鄰接之像素為止’由另一邊之相鄰接之像素開始延伸之突起3 2 b，係呈平行於彎曲成為直角之突起32a之直線部分，進行配置，而位處於像素之角落部附近。 1ΜΠΗ 2119-4811-PF(N)；ahddub.ptd 第26頁五、發明說明（23) 在突起32和像素電極3〇之交差開始分歧而沿著像素電極3〇之；二’：成由突起32 起33a，沿著接近縫隙 * /進仃延長之輔助用突助用突起33b。可之Λ素電極30之邊緣部，形成輔由於來自像素電極3。之邊緣部或起=像液晶分子14所造成之影響。鄰接之像素之電場對於存在於相同於相鄰之接 ^ 板15、16之透過軸，成為45。 ° ί於偏光中，面掛荖办扣μ f為之方向。在該縫隙之輪廓向忐泉士之邛分，係成為相同於延長方向之方 D為二概平行四邊形之形狀。即使就縫隙3ib而言，，ί延長方向係平行於相鄰接之突起32a，縫隙31b 之輪廓、其面對著突起32之部分，係平行於延長方向。在該貫施例中，於像素電極30之周邊部，形成針孔 34，，減低由於像素電極3〇之邊緣部對於液晶分子“所造成之影響。針孔34係形成為大概正方形，沿著像素電極3 〇之邊緣部，而分別各2個地形成在縫隙3丨和突起32間。在像素電極30形成縫隙31時，同時形成該針孔34，相同於縫隙 31，藉由光微影法等而除去像素電極3〇之一部分，形成針孔34。在針孔34部分，電場之方向呈散亂，相互地抵銷及緩和由於像素電極30之邊緣部等所造成之影響。接著’在液晶分子1 4沿著水平方向呈傾斜時，可以藉由像素電極3 0之針孔34，而減低由於來自相鄰接之像素之 2119-481l-PF(N)；ahddub.ptd 第27頁 583425 五、發明說明（24) 電場或像素電極30之邊緣部對於液晶分子14所造成之影響，像素電極3 0内之液晶分子1 4係能夠對於透過轴，沿著大約4 5 °之方向，進行傾斜，可以效率良好地利用通過液晶層之透過光。此外，還可以藉由輔助用突起33a、33b，而更加地減低對於像素電極3 0之邊緣部中之液晶分子丨4之影響，此外，還可以使得像素内之實際之液晶分子14之傾斜狀態和理想之傾斜狀態（對於透過軸呈4 5。之方向）間之差異’變得均勻，而減低顯示之不均。此外，如果為能夠相互地抵銷由於像素電極之周邊部所造成之影響之形態的話，則針孔34之形狀係不僅限定為大概正方形，也可以就形狀或個數而適當地進行變更。如果藉由實驗的話，則在縫隙或突起之幅寬成為大概相同條件之狀態下，比起第1實施例，第5實施例係比較提高透過率大約7%左右（透過率（第5實施例）/透過率（第1實施例）=1 · 0 7 )。接著’根據圖7 ’說明第6實施例。該實施例、其縫隙或突起之形態係不同於第1實施例，但是，其他構造係相同於第1實施例；就相同之構造而言，使用相同之符號，省略其說明。圖7係呈示意地顯示第6實施例之像素電極和突起之位置關係之俯視圖；在像素電極35，形成縫隙36，在第二基板8上，形成突起37。突起37係跨越複數個之像素而形成為鋸齒狀，其直線部为係在由第二基板8之法線方向觀察時，對於偏光板 15、16之透過軸，沿著45。之方向，進行延長。在1個像

2119-4811-PF(N);ahddub.ptd 第28頁 583425 五、發明說明（25) 素之大概中央部分，由某一邊 ^37a^,f^90〇，止由另一邊之相鄰接之像素開始延伸之突曲成為直角之突起37a之直線_之/1二係 ί起37==之角落部附近。符號39係幅寬更加窄於 ϊΓ像:ί=:致於相鄰接之突起37之第2突起，配置在像素電極3 5之邊緣部附近。在突起37和像素電極35之交差部分上 * =a分歧而二著近像素電極35之邊緣部進行延長之輔：用突助用突二b。Ϊ if二之//電極35之邊緣部，形成輔板15、16之透過輛。延長方向之方向，對於偏光中，面對著突起37成為45之方向。在該縫隙之輪廓向，成為大概平 > 之部分，係成為相同於延長方向之方同樣：ίΞΓ;:?形之形狀。即使就縫麵而言，之輪廓、其面對著突二千m妾之突起…，縫隙36b 號4〇係幅寬更加窄之^刀，係平行於延長方向。符至中央部為止之第2=、，隙36而由像素電極35之邊緣部開始進行配置。第2突如Qn隙，呈平行於相鄰接之第2突起3 9而每3 9和第2縫隙4 0係設置1對而形成在突 _ 2119-4811-PF(N)；ahddub.ptd

IH 第29頁 583425 五、發明說明（26) 起37和縫隙36間以及突起37知你主便於設置第2縫隙40位處在突起37、電之角落部間，以起39和第2縫隙4G係g&置在像♦雷大^39間。第2突方向所造成之影響。因此，分子14之傾斜延長至像素電極35之中央部：：止起39和第2縫隙4°係並無 …接/’在液晶分子14沿著水平方向呈傾斜時，可以萨突起39或第2縫隙4〇，而減低由於來自相鄰接：i; y =像素電極35之邊緣部對於液晶分子影素電=内之液晶分子14係能夠對於透過軸成沿景著 ,之：行傾斜’可以效率良好地利用通過液之透過光。此外’還可以藉由輔助用突起…、鳩， ^加地減低對於像素電極35之邊緣*中之液晶*子“之 =，此外，冑可以使得像素内之實際之液晶分子14之傾斜狀態和理想之傾斜狀態（對於透過轴呈45。之方向）間之差異’變得均勻，而減低顯示之不均。此外，如果為第2突起或第2縫隙之大小、形狀或者形成部位能夠相互地抵銷由於像素電極之周邊部所造成之影響之形態的話，則可以適當地進行變更，例如可以使得第 2突起和第2縫隙分別成為不同之大小。如果藉由實驗的話，則在缝隙或突起之幅寬成為大概相同條件之狀態下，比起第1實施例，第6實施例係比較提高透過率大約7 %左右（透過率（第6實施例）/透過率（第1實施例）与丨· 〇 7

2119-4811-PF(N);ahddub.ptd 第30頁 583425 五、發明說明（27) |丨_ 接著，根據圖8，說明第7實施例。該實或突起之形態係不同於第〗實施例，但 1 、其縫隙同於第1實施例，·就相同之構造而言，一構造係相其說明。圖8係呈示意地顯示第：之符號，突起之位置關係之俯視圖，·在像素電極41 / 素電極和在第二基板8上，形成突起43。成縫隙42，突起43係跨越複數個之像素而形 1分係在由第二基板8之法線方向觀m其直線 15、16之透過轴，沿著45。之方對於偏光板素之大概中央部分，由草#進仃延長。在1個像突起43a，係二90。某而:邊上相鄰接之像素開始延伸之行像素開始延伸之突起43b ί 置之产線部分，進行配突起43而延長方6 一 6洛°卩附近。符號44係幅寬更加窄於 ^ . 向一致於相鄰接之突起43之第2突起，西？置在像素電極41之邊緣部附近。之第2犬起，配 43a和刀像别素在電大極It :突起“b間’形成縫隙仏，在突起存在於相同於相鄰接之緣突部起^’延形成縫隙42b、縫隙42a係板15、16之透過轴，成方向之方向，對於偏光中，面對著突起49夕ί為之方向。在該縫隙之輪廓向，# ” 之°卩分，係成為相同於延長方向之方二樣地：其：：=之形狀。即使就縫隙42b而言，之輪廓、其面斟：：行於相鄰接之突起43a，缝隙42b 、者大起43之部分，係平行於延長方向。第31頁 2119.4811.PF(N)；ahddub.ptd 583425

符號45係形成幅寬更加窄於縫隙42 邊緣部開始至中央部為止之第2縫隙，呈平=電鄰極接41 之之第2突起44而進行配置。第2突起44和第2縫隙45係設置i對，形成在突起44和縫隙45間以及突起43和像素電極41之角洛部間，以便於設置第2縫隙45位處在突起43和第2突起44 間。在相鄰接之第2突起4 4和第2縫隙4 5中，其中某一邊係在像素電極41之中央部部位，進行延長，沿著像素電極41' 之周邊部，按照該第2突起44和第2縫隙45之順序，進行替換。此外，第2突起44和第2縫隙45之端部形狀，係並非平行於像素電極41之邊緣部，而是分別垂直於其延長方向。第2突起44和第2縫隙45係配置在像素電極41之邊緣部附近，以便於減低由於像素電極41之邊緣部對於液晶分子j 4 之傾斜方向所造成之影響。因此，第2突起44和第2縫隙45 係並無延長至像素電極4 1之中央部分為止。接著’在液晶分子1 4沿著水平方向呈傾斜時，可以藉由第2突起44或第2縫隙45，而減低由於來自相鄰接之像^ 之電場或像素電極41之邊緣部對於液晶分子丨4所造成之影響，像素電極41内之液晶分子14係能夠對於透過軸，沿著大約45 ^之方向，進行傾斜，可以效率良好地利用通過液晶層之透過光。此外，如果為第2突起或第2縫隙之大小、形狀或者形成部位能夠相互地抵銷由於像素電極之周邊部所造成之影響^之形態的話，則可以適當地進行變更，例如可以使得第/ 2突起和第2縫隙成為相同之大小，或者是可以使得第2突

583425 五、發明說明（29) 起和第2縫隙之端部形狀，接著，根據圖9,說明第8 丁實、Λ素。\極每之邊緣部。楚 3實施例之縫隙和突起之形態以及第f Ue例係採用第第2縫隙，其他構造係相同於第i實”列之第2突起和言，使用相同之符號’省略其說明，：相同1構造而

ί8/?之像素電極和突起之位置關係：地：：素電極46，形成縫隙47和第2縫隙51，在第二圖，在像成突起48和第2突起50。土板8上 I 突=48係跨越複數個之像素而形成直線部分之延長方向係對於偏齒狀其大概 45。之方向。a/ 6之透過轴，成為 45之方白大起48a係在像素電極46之中為直角，突起48b係呈平行;^ & #48 、邛，著曲成傻音雷極4β之&奸如 > 起進行配置，位處於像素，極46之角洛部。在突起48之輪廓中部分係對於突起48之延長方向偏離大約5。左面右對縫隙二7,之各個突起48、其幅寬係由像素電極46 中央部逐漸地變窄。Μ ^46之中央部開始而對於符號49a係由突起48開始分歧而沿著像素電極46之邊緣部進行延長之輔助用突起，符號49b係沿著接近縫隙47b 之像素電極46之邊緣部而形成之輔助用突起。可以藉由該輔助用突起49a、49b，而減低由於來自像素電極46之邊緣部或相鄰接之像素之電場對於液晶分子丨4所造成之影響。縫隙47係形成為分別位處在複數個突起48中間之位置上，分別在突起4 8 a和突起4 8 b間，設置縫隙4 7 e，在突起 48a和像素電極46之邊緣部間，設置縫隙47b。各個縫隙47

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係形成為其延長方向平行於相鄰接之突起48之延長方向， f縫隙47之輪廓中，面對著突起48之部分，係形成為對於其延長方向偏離大約5。左右。符號50係幅寬更加窄於突起48而其延長方向一致於相鄰接之突起48之第2突起，符號51係幅寬更加窄於縫隙47 而呈平行於相鄰接之第2突起50進行配置之第2縫隙。第2 突起50和第2縫隙5 1係設置i對而形成在像素電極46之邊緣部附近、也就是在突起48和縫隙47間或者是突起48和像素電極46之角落部間。平方向呈傾斜時低由於來自相鄰於液晶分子14所例如由於這些所，沿著9(Τ以外對於透過軸，沿良好地利用通過用突起49a、49b 晶分子1 4之影響分子1 4之傾斜狀之方向）間之差，可以藉接之像素造成之影造成之電之方向呈著大約45 液晶層之，而減低，此外，態和理想異，變得

接著，在液晶分子14沿著水由第2突起50或第2缝隙51，而減之電場或像素電極4 6之邊緣部對響。此外，即使液晶分子1 4受到場影饗，而對於突起48或縫隙47 傾斜，結果，液晶分子1 4係能夠之方向，進行傾斜，可以效率透過光。此外，還可以藉由輔助對於像素電極46之邊緣部中之液還可以使得像素内之實際之液晶之傾斜狀態（對於透過軸呈4 5。均勻’而減低顯示之不均。此外，可以設定縫隙47或突起48之輪廓部分之修正用角度，成為大約3。〜大約15。左右，特別是在設定修正用角度成為大約5。〜大約1 〇。左右時，則更加地提升其

2119-4811-PF(N);ahddub.ptd 第34頁 583425 五、發明說明（31) f果。此外’可以藉由調整縫隙47或突起48 少顯示之不均。 ' 、接著’根據圖10，說明第9實施例。該實施例、其隙或突起之形態係不同於第J實施例，但造俜相同於第1實施例；就相同之禮i而山$ 他構1"係

號，省略其說明。圖二门呈之亍構二V::相M 電極和突起之位置關係：地=ί9/施例之像素隙53，在笛- 像素電極52，形成縫 I糸Μ 在第一基板8上，形成突起54。突起54係跨越複數個之像素而形成為鑛齒狀其直線邛为係在由第二基板8之法線方向觀察時，對於偏光板 15、16之透過轴’沿著45。之方向，進行延長。在 =概中Λ部分，由某一邊之相鄰接之像素開始延伸之 54a ’係.考曲90。，而再一次地延長至相鄰接之像素為二另一邊之相鄰接之像素開始延伸之突起54b # f平仃於彎曲成為直角之突起54a之直線部分，進'、 =’而位，於像素之角落部附近。符號55係由突起54 为歧而沿著像素電極52之周邊部進行延長之輔助 0 :以減低由於來自像素電極52之邊緣部或相鄰接=之電場對於液晶分子14所造成之影響。象素之分別在突起54a和突起54b間，形成縫隙53a，，和像素電極52之邊緣部間，形成縫隙53b。縫陈存在於相同於相鄰接之突起54延長方向之方向板15、16之透過軸，成為45。之方向。在該縫鈐$先中’面對著突起54之部分，係成為相同於延長方向第35頁 2119.4811-PF(N)；ahddub.ptd I- 五、發明說明（32) 向，成為大概平并 / 同樣地，其延县士邊形之形狀。即使就縫隙53b而言，之輪廓、其面對行於相鄰接之突起…，縫隙53b 接著，在液:;:.r行於延長… 由輔助用突起55，而ί j二平方向呈傾斜時，可以藉像素電極52之邊緣部對於液^ ^之像素之電場或之方向，進;子1 可4::;=r，沿著大約45。過光。此外，還可以使得ίί::;也之差異，樂對於透過抽呈45。之方向）間之差異，變侍均勻，而減低顯示之不均。此外，如果是減少由於像素電極52 影響之形態的話，則可以不在像素電極52之==^ 上，形成輔助用突起55 ,可以形成在限定由於像素電極52 之邊緣部所造成之影響呈最大之部位上。、接[根據圖式，說明第10實施例。該實施例係類似第4實施例，就相同之構造而言，使用相同之符號。實施例，使得像素電極4之鋸齒狀部分，形成為邊緣部= 一部分。此外，訊號線3和像素電極4間之絕緣膜，係成為二層，像素電極4之周邊部係重疊於訊號線3。圓丨丨係具^ 第1 0實施例之像素電極之第一基板之俯視圖；圏丨2係\沿著圖11之Β-Β’線之剖面圖，圖13係顯示突起和像素電極^縫隙間之關係之示意圖。 " 符號60係同時形成掃描線2之輔助電容用電極線，掃 _ ΙΒΙ 2119-481l-PF(N);ahddub.ptd 第36頁 583425 五、發明說明（33)

描線2和輔助電容用電極線6 〇係在第一基板}上，以大概相等之間隔而呈平行地進行配置。符號61係層積在掃描線2 或辅助電容用電極線6 0上之閘極絕緣膜，在閘極絕緣膜61 上，形成由A 1 (鋁）或鉻等所組成之訊號線3。該訊號線3 係呈直交於掃描線2地進行配置，藉由掃描線2和訊號線3 所包圍之區域，係相當於1個像素，對應於該1個像素，配置由ITO或IZO (Indium Zinc Oxide ··銦鋅氧化物）等所組成之像素電極4，在掃描線2和訊號線3之交差部，配置成為轉換用元件之TFT5。在該實施例中，對於1個像素，設置2個之訊號線3，在1個之像素電極4 ,連接2個之 TFT5。因此，即使是在製造中，某一邊之TFT5成為不良，也可以藉由另一邊之TFT5，而啟動像素電極4，提高良品率。

符號62係覆蓋訊號線3或TFT5之第一保護膜，符號63 係層積在第一保護膜62上之第二保護膜，像素電極4係形成在第二保護膜63上。例如該第二保護膜63係可以使得其表面呈平坦化而作用成為平坦化膜，並且，也可以藉由無機絕緣膜而形成第一保護膜62，藉由有機絕緣膜而形成第二保護膜63。於兩個保護膜62、63，在對應sTFT5之汲極電極之。卩为上，设置接點孔64，透過接點孔，而呈電氣地連接像素電極4和汲極電極。在閘極絕緣膜61上，於面對著輔助電容用電極線60之部分上，言史置島狀電極（並未圖示），該島狀電極係相同於訊號線3之材料並且同時形成的。島狀電極係透過形成於兩個保護膜62、63上之接點

583425 五、發明說明（36) ' """一隙68之延長方向成為大約135。部位之邊緣部（區域u )’形成直線狀部分。在藉由實驗時，得知：比起使得像素電極4之長邊方向之邊緣部全部成為鋸齒狀，僅使得由於邊緣部所造成之影響大之部分（區域c丨）成為鋸齒狀，係比較減少顯示之不均，得到良好之顯示狀態。此外，鋸，狀部分65係主要形成在像素電極4之長邊部分上，但疋’在該實施例中，於並無設置TFT5之短邊部分上，也形成一個部位。 y

、為了達到像素之開口率，因此，像素電極4之邊緣部係透過保護膜62、63而重複於訊號線3。即使是在例如藉由保護膜62、63而使得像素電極4和訊號線3呈·絕緣之狀態下，在像素電極4和訊號線3之間隔變窄時，也可以使得施加至訊號線3之電壓，傳達至像素電極4，或者是使得訊號線3和像素電極4之重複部分，作用成為電容。由於這些影響，而改變像素電極4之電壓，成為顯示不均之原因。為了減低該影響，因此，儘可能地增加保護膜62、63之厚产而增大像素電極4和訊號線3之間隔，但是，在藉由保護ς 62、63之厚度所達到之對策上，有設計上之限度存在，重複部分係一定作用成為電容。此外，由於設計上之理由，因此，需要訊號線3和像素電極4之重複部分。這個係因為由第二基板8之法線方向觀察時，在訊號線3和像素電極4 間而有間隙時，由該間隙部分發生光漏，導致反襯等之降低之緣故。因此，在製造訊號線3和像素電極4時，即使是在相互之位置發生少許之偏離而進行圖案化之狀態下，也

2119-4811-PF(N);ahddub.ptd 第40頁 583425 五、發明說明（37) 必須在訊號線3和像素電極4間，不產生間隙，因此，作為限度係必須有某種程度之重複部分。在本發明中，涵蓋像素電極4之長邊方向，設定像素電極4和訊號線3之重複部分’成為幾乎相同之幅寬，以重複部分作為最低限度，而減低顯示之不均。正如圖1 4所示’在訊號線3之輪廓中，

重複於像素電極4之部分，係對應於像素電極4之邊緣部，而成為僅離開等間隔之形狀’邊緣部為鋸齒狀之部分（區域C1 )係訊號線3之輪摩3 a也為錄齒狀，邊緣部為直線狀之部分（區域C2 )係訊號線3之輪廓3b也為直線狀。像這樣可以增大像素電極4，提高開口率，並且，還能夠減低在像素電極4之邊緣部中之顯示不均。於第二基 6 5之部分上，突起6 7之材料察時，對應於以上之幅寬。狀部分65係相應於各個鋸齒接之鋸齒狀部面而進行觀察之傾斜方向和向，係成為相造成之液晶分所限制之液晶

板8部位，在對應於像素電極4之鋸齒狀部^ 形成輔助用突起66。輔助用突起66係相同戈且同時形成，在由第二基板8之法線方向觀鋸齒狀部分65之部分係具有同等於訊號線3 在該實施例中，相鄰接之像素電極4之鋸齒互地形成在相鄰接之位置上，因此，形成$ 狀邓为6 5之辅助用突起6 6，統一對應於相多分65之辅助用突起66。在藉由圖^所示之名 3制：Ϊ I素電極4邊緣部之液晶分子14 輔助用突起66之液晶分子14之傾斜$ 子1 4 i傾比起邊緣部，藉由輔助用突起6 6月八孚1 4 Γ方向、其與接近邊緣部之縫隙6 刀傾斜方向間之偏離，係比較小。名

第41頁 M3425 L、發明說明（38) ^此由？輔助用突起66係設置成為面對著鋸齒狀部分65，曰八工^以藉由輔助用突起66而限制第二基板8部位之液 :4刀夕、嘉上頃斜方向，以便於能夠更加地減低由於像素電極4之邊，部對於液晶分子“所造成之影響。 ^在液晶分子14沿著水平方向呈傾斜時，可以藉於借备带，ί之鋸齒狀部分65或輔助用突起66，而減低由 ^ &之邊緣部對於液晶分子14所造成之影響，像 μ電極内之液晶分子14係可以對於透過轴14,沿著大約 ^:向呈傾斜’而效率良好地利用通過液晶層之透過二^夕，還可以使得像素内之實際之液晶分子Η之傾斜二理想之傾斜方向（對於透過轴呈45。之方向）間之差異，變得均勻，減低顯示之不均。 j外，如果不脫離本發明要旨之範圍的話，也可以是 ^實施例以外之形態。例如在該實施例，說明像素窃之、緣部或訊號線之輪廓成為凹凸狀中之鋸齒狀者， =疋，也可以不是鋸齒狀而成為波形。此外，可以涵蓋長邊方向，而使得像素電極之邊緣部，成為鋸齒狀，此時，訊號線之輪廟係也對應於邊緣部之形&，而成為鑛齒狀。此外，本發明係也有效於像素電極和訊號線並無重複時。在該狀態下’可以藉由使得像素電極和訊號線之間隔，成為等間隔，而特別抑制來自訊號線之電場影響。接著，藉由抑制來自訊號線而對於像素電極之不良影響，以便於成為顯示不均呈稀少之最適當之顯示狀態。

583425 五、發明說明（39) 【產業上的可利用性】本發明之液晶顯示裝置，係可以利用在可攜式終端機或大型電視機為首而具有顯示部之各種裝置上。

2119-4811-PF(N);ahddub.ptd 第43頁 583425 圖式簡單說明圖1係第1實施例之像素部之俯視圖。圖2係沿著圖1之A-A，線之剖面圖。圖3係呈示意地顯示第2實施例之像素電極和突起之位置關係之俯視圖。圖4係呈示意地顯示第3實施例之像素電極和突起之位置關係之俯視圖。圖5係呈示意地顯示第4實施例之像素電極和突起之位置關係之俯視圖。圖6係呈示意地顯示第5實施例之像素電極和突起之位置關係之俯視圓。圖7係呈示意地顯示第6實施例之像素電極和突起之位置關係之俯視圖。圖8係呈示意地顯示第7實施例之像素電極和突起之位置關係之俯視圖。圖9係呈示意地顯示第8實施例之像素電極和突起之位置關係之俯視圖。圖1 0係呈示意地顯示第9實施例之像素電極和突起之位置關係之俯視圖。之

圖11係呈示意地顯示第1 〇實施例之像素電極和突位置關係之俯視圖。 X 圖12係沿著圖11之B-B’線之剖面圖。圖1 3係顯示第1 〇實施例之突起和像素雷极♦ ^ 係之示意圖。素電極之縫隙之關圖14係第10實施例之鋸齒狀部分之邊緣部之要部擴大 as 2119-4811-PF(N);ahddub.ptd 583425 圖式簡單說明圖。圖1 5係顯示第1 0實施例之鋸齒狀部分之邊緣部和突起之位置關係之要部擴大圖。圖1 6係顯示習知之Μ V A型液晶顯示裝置之像素構造之圖式。 .圖1 7係呈示意地顯示習知之像素構造中之液晶分子之傾斜狀態之圖式。【符號說明】 1〜第一基板； 2〜掃描線； 3〜訊號線； 3a〜輪廓； 3b〜輪廓； 4〜像素電極； 5〜TFT(薄膜電晶體）； 6〜縫隙； 6a〜縫隙； 6b〜縫隙； 7〜配向膜； 8〜第二基板； 9〜黑色矩陣； 1 0〜彩色濾光片； 11〜透明電極； 12〜突起； 1 2 a〜突起； 12b〜突起； 1 3〜配向膜； 1 4〜液晶分子（液晶層）； 1 5〜第一偏光板； 1 6〜第二偏光板； 17a〜輔助用突起； 17b〜輔助用突起； 1 8〜像素電極； 1 9〜縫隙； 1 9 a〜縫隙； 1 9b〜縫隙； 20〜突起； 2 0 a〜突起；

2119-481l-PF(N);ahddub.ptd 第45頁 583425 圖式簡單說明 2 0 b〜突起 2卜突起； 21a〜輔助用突起； 21b〜輔助用突起 22〜像素電極： 2 3〜縫隙； 2 3 a〜縫隙 y 23b〜縫隙 j 24〜突起； 24a〜突起 24b〜突起 2 5 a〜輔助用突起 25b〜輔助用突起； 2 6〜像素電極； 2 7〜縫隙； 27a〜縫隙 • 27b〜縫隙 28〜突起； 28a〜突起 • 贅 28b〜突起 9 2 9 a〜輔助用突起； 29b〜輔助用突起 3 0〜像素電極； ) 31〜縫隙； 3 la〜縫隙 j 3 lb〜縫隙 J 32〜突起； 32a〜突起 9 32b〜突起 9 33a〜輔助用突起 3 3 b〜輔助用突起； 34〜針孔； 3 5〜像素電極； } 3 6〜縫隙； 3 6 a〜縫隙 9 36b〜縫隙 37〜突起； 37a〜突起 J 37b〜突起 9 38a〜輔助用突起 38b〜輔助用突起； 39〜第2突起； 40〜第2縫隙； 41〜像素電 :極； 4 2〜縫隙； 4 2 a〜縫隙 4 2 b〜縫隙， 43〜突起；

2119-481l-PF(N);ahddub.ptd 第46頁 583425 圖式簡單說明 43a〜突起； 4 3 a〜突起； 44〜第2突起； 45〜第2縫隙； 4 6〜像素電極； 4 7〜縫隙； 4 7 a〜縫隙； 47b〜縫隙； 48〜突起； 48a〜突起； 48b〜突起； 49a〜輔助用突起； 49b〜輔助用突起； 50〜第2突起； 5 1〜第2縫隙； 52〜像素電極； 5 3〜縫隙； 53a〜縫隙； 53b〜縫隙； 54〜突起； 5 4 a〜突起； 54b〜突起； 55〜輔助用突起； 6 0〜輔助電容用電極線； 6 1〜閘極絕緣膜； 62〜第一保護膜； 6 3〜第二保護膜； 6 4〜接點孔； 6 5〜鋸齒狀部分； 66〜輔助用突起； 67〜突起； 67a〜突起； 67b〜突起； 6 8〜縫隙； 1 0 0〜像素電極； 1 0 1〜掃描線； 1 0 2〜訊號線； 103〜TFT (薄膜電晶體）； 1 0 4〜縫隙； 105〜突起； A〜區域； B〜區域； C〜區域； C卜區域； C2〜區域； E〜區域； F〜區域； G〜區域。

2119-481l-PF(N);ahddub.ptd 第47頁

Claims

5fF告

號 9111270ft 六、申請專利範圍 1 · 一種第一基第二基帶狀突某一者上；縫隙，液晶顯示板，呈矩板’形成起，形成

形成在前者上同時對應於前層積在配向膜理；以及液晶層負值，且在垂直地配列縫隙和前述行配列，其特徵前述縫向而設置，分係沿著對之方向而形 2· —種第一基第二基帶狀突某一者上；，夹住於並無施加 ’在施加突起所限在於：隙係沿著同時，在於前述縫成。液晶顯示板，呈矩板，形成起，形成裝置陣狀透明在前述第述突前述前述電場電場制之 ’包括：地配置像素電極；電極； ^ 述第一基板或俞、+、# ⑴迷第二基板中之基板或前述第起所形成；兩個基板上且 ‘基板中之另外施加垂直配向處兩個基板間且介带〆a ϋΥ、+、y*曰@ 電係數異方性呈主則述液晶層日主 ϋΥ、+，y a I 液晶分子係呈生則这液晶層日本 ,,.. 古a 士〜寻，沿著藉由前述万向，使得潘a 、之曰曰分子呈傾斜地進 :::行於前述突起所存在之延長方 =之輪廊中，面對著突起之部之延長部分僅偏離修正用角度份量裝置，包括：陣狀地配置像素電極；透明電極； ’ 在則述第一基板我前述第二基板中之

583425 案號 91112706 六、申請專利範圍縫隙，形成在前述第-基板或前述第一者上同時對應於前述突起所形成；叹r之为汁配向膜，層積在前述兩個基板上日理；以及 ^ ^ ^ ^ i 4 液晶層，夾住於前述兩個基板間且負值，且在並無施加電場至前述液晶電;^異方性呈垂直地配列’在施加電場至前述液晶;：：= 縫隙和前述突起所限制之方向，使 /σ者错由則述行配列， '曰曰为子呈傾斜地進其特徵在於： ^述縫隙係沿著大概平行於前述突起所向而设置，同時，在前述突起之輪子在之延長方之部分係沿著對於前述突起之延*從面對著前述縫隙份量之方向而形成。。刀僅偏離修正用角度 t 一種液晶顯示裝置，包括·· 板’呈矩陣狀地配置像素電極. f -基板’形成透明電極. 極， I狀突起，形成在前述第l其拓+ 某一者上；弟一基板或前述第二基板中之縫隙，形成在前述第ϋ ^、、一者上同時對應於前述突二反或則述第二基板中之另外配向膜，芦藉力5、+、斤形成；理；以及s積在刖迷兩個基板上且施加垂直配向處液曰曰層，夾住於前述兩個基板間且介電係數異方性呈 2119-4811-PFl(N).ptc 第49頁 583425 月修正曰 ««««91Π27〇6^ 六、申請專利範圍負值’且在並無施 , 垂直地配列，在施λ ^ %至前述液晶層時，液晶分子係呈縫隙和前述突起所3場至前述液晶層時，沿著藉由前述行配列，斤限制之方向’使得液晶分子呈傾斜地ί 其特徵在於：前述縫隙# y I i , , 向而設置，同日「c行於：述突起所存在之延長方角度份量之方向:：i縫隙之延κ分僅偏離第1修正用對著前述縫隙之％八#並且 4述突起之輪廓中，面離歸二突起之延長部分僅偏 5. —種液晶顯示裝置 . 糸相同之角度。喚 ^ L i，包枯· 弟一基板，呈矩陳办 ^ . 跑丨皁狀地配置像素電極；第一基板，形成透明電極；帶狀突起，形成在前述某一者上；义第基板或前述第二基板中之縫隙，形成在前述第— 乂、、一者上同時對應於前述突土反$刖述第二基板中之另外配向膜，層積二；；所形成；理；以及、 “個基板上且施加垂直配向處液晶層，夾住於前迷負值，且在並無施加電場兩個基板間 1前述液晶且介電係數異方性呈層時，液晶分子係呈

2119-4811-PFl(N).ptc 第50頁六月一修正曰 ---^邀虎 91imn[ 申請專利範圍 ______ ^直地配列，在施加θ — 、美隙和前述突起所限：，述液晶層時，沿著藉由前述仃配列，方向，使得液晶分子呈傾斜地進其特徵在於：在別述像素電極部施加至液晶分子；緣部，⑨置用以緩和由前述邊緣 6.如申請專利範=之影響之緩和用裝置。為剮述緩和用裴置項之液晶顯示裝置，其中，作部分7、係在像素電極之邊緣部，形成鑛齒狀為前述緩：用力轨：：5項之液晶顯示裝置，其中，作之邊=，成為鑛齒狀。〉、使得前述像素電極之長邊方向，其中，作形成複數個，其中，作形成第2縫為前述緩和用炉^範圍第5項之液晶顯示裴置之針孔。用襄置，係在像素電極之邊緣部，為前述緩和用穿置J辜&圍第5項之液晶顯示裝置隙。用破置，係在像素電極之邊緣部，_________ 隙’並且，在前述第電=:部，形成第2縫二突起，此外，前述第G二前述第2縫隙觀察時，大概平行於相鄰接之述第二基板之位處在别述像素電極之邊緣部附近。>4隙，同時， 583425 案號 91112706 年月曰修正六、申請專利範圍 11.如申請專利範圍第5項之液晶顯示裝置，其中，在由前述第二基板之法線方向觀察時，前述緩和用裝置係配置在前述突起和前述縫隙間。 1 2.如申請專利範圍第5項之液晶顯示裝置，其中，前述縫隙係沿著大概平行於前述突起所存在之延長方向而設置，同時，在前述縫隙之輪廓中，面對著突起之部分係沿著對於前述縫隙之延長部分僅偏離修正用角度份量之方向而形成。 1 3.如申請專利範圍第5項之液晶顯示裝置，其中，前述縫隙係沿著大概平行於前述突起所存在之延長方向而設置，同時，在前述突起之輪廓中，面對著前述縫隙之部分係沿著對於前述突起之延長部分僅偏離修正用角度份量之方向而形成。 1 4.如申請專利範圍第1、2、3或5項之液晶顯示裝置，其中，前述縫隙係形成在前述像素電極上，同時，前述突起係形成在前述第二基板上。 1 5.如申請專利範圍第1、2、3或5項之液晶顯示裝置，其中，前述修正用角度係設定為3°〜15°左右。 1 6.如申請專利範圍第1、2、3或5項之液晶顯示裝置，其中，前述縫隙、其幅寬係形成為像素電極之邊緣附近更加狹窄於像素電極之中央部附近。 1 7.如申請專利範圍第1、2、3或5項之液晶顯示裝置，其中，前述突起、其幅寬係形成為像素電極之邊緣附

2119-4811-PFl(N).ptc 第52頁六、申請專利範圍 1狹窄於像素電極之中央部附近置，其·中如申1請專利範圍第1、2、3或5項之液晶顯示裝配置i前述i有酉甘己置在前述第一基板外側之第一偏光板和置兩個偏光tit卜侧之第二偏光板，呈相互直交地配軸和前述縫==，使得其中某-邊之偏光板之透過 λ ^ 延長方向，成為40。〜50。左右。置，其中，且^專利範圍第1、2、3或5項之液晶顯示裝配置：前述ί = ^前述第-基板外側之第-偏光板和置兩個偏光板：；5Γ第二偏光板’呈相互直交地配軸和前述突起之it使得其中某一邊之偏光板之透過〇π ^ 、長方向，成為40。〜50。左右。第Λ液晶顯示裝置，包括：縫隙土 t反1呈矩陣狀地配置像素電極；、ΐ =成在前述像素電極上；命狀突起，开^忐、凑η 隙而形成在前述^ j電極之第二基板、對應於前述縫义步一基板上；配向膜，層積在命、+、& , 理；、 ’述兩個基板上且施加垂直配向處液晶層，夾住於a 負值；；則述兩個基板間且介電係數異方性呈第一偏光板，酥罢—a 第二偏光板，配¥ ^:述第一基板外側；以及述第一偏光板之透、局▲ j述第二基板外側同時具有與前且在並無施加^二f f直關係之透過軸，野至則述液晶層時，液晶分子係呈垂

2119-4811-PFl(N).ptc 第53 頁修正月曰 -^Β_9Π12706 六、申請專纖® 直地配列，在於 “ 隙和前述突起^ ρρσ =場至前述液晶層時，沿著藉由前述縫配列，、之方向，使得液晶分子呈傾斜地進行其特徵在於：在前述縫隙 > 认# & 中某一邊之偏光括:ΐ中，面對著突起之部分係由對於其修正用角度份量之士、過軸呈45。方向開始，沿著僅偏離 91 仅里又方向而形成。 .一：種液晶顯示裝置，包括：縫陴ί 呈矩陣狀地配置像素電極；成在前述像素電極上，· f狀犬起，开^ 士隙而形成在前述第_ 7月電極之第二基板、對應於前述縫乐一基板上；配向膜，層積太义理；、則κ兩個基板上且施加垂直配向處液晶層，夾住认& 負值；；引兩個基板間且介電係數異方性呈 =-偏光板，配置第二偏光板，配番产义疋第—基板外側；以及述第一偏光板之透過輛呈垂弟了基板外側同時具有與前且在並無施加雷關係之透過軸，直地配列，在施加電場至夜晶層時，液晶分子係呈垂隙和前述突起所限制之方^液晶層時，沿著藉由前述縫配列， W ，使得液晶分子呈傾斜地進行其特徵在於：

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、申凊專利範圍在w述突起之輪廓中，面對著缝隙之邻八從山中某-邊之偏光板之透過二:者：刀係由對於其多正用角度份量之方向而形成。者僅偏離 22.如申請專利範圍第2〇或以項之中，=述修正用角度係設定為3。〜15。左右^置，其 .如申請專利範圍第！、2、3、5、顯不裝置，其中，前述突 XU項之液晶齒狀。之係涵盍稷數個像素而形成為鋸、2 0或2 1項之液晶设置沿著像素電極、/〇或21項之液晶 "又置沿著像素電極 =著前述像素電極 Ε* 〇晶 24·如申請專利範圍第1、2、3、5 置’其中’在前述第二基板上， <遣緣部所配置之輔助用突起。一 2 5 ·如申請專利範圍第1、2、3 ::裝置’其中，在前述第二基板上， 2緣部所配置之輔助用突起，並且之長邊方向之邊緣部之2 /3以上，=則迷像素電 2 6.如申請專利範圍第丨、2 =述輔助用突起顯示裝置，其中突起係由正型材料所形成0或21項之液 2 7 · —種液晶顯示裝置，包括：第一基板，呈矩陣狀地配置# f 之訊號線；之掃描線和複數個轉換（switching )元件，配署乂 °孔唬線之交差部上； — ⑴述掃描線和前述像素電極，設置在藉由前述掃据綠4 圍之部分同時連接在前述轉換元件上、、；ϋ前述訊號線所包

_η 曰修正丄 -----ΜΆ 91112708 、、申請專利範圍於前诚伤^板呈對向地配置在前述第一其妃P门士素電極而配置彩色遽光片；：基板上同時對應其特徵在於·· 第一基板和别述帛三基板間，部之=凸，地形成面對著前述訊電極部；在前述訊號線之輪廓中狀。卩位之輪廊，“沿著前述像素電極之素部和前述=、=:J邊：：：寻前述像素電極之邊緣 29·如申請專利找相專之間隔上。在由前述第一苐員之，夜日日顯不裝置，复巾極之1緣部和前述訊號線係重疊在：=:冬.述像素電前述圍第27項之液晶顯示袭置，龙中 3:素Λ之凹凸狀部分係成為鋸齒狀。中，在前4第Λ專利Λ圍第27項之液晶顯示裝置，复中步一基板，形成複數個之其中，成位處在大概平行於前述突起之位置，述像素電負值之液晶層，由前述黛一其又住；|電係數異方性呈像素電極之凹凸狀Α ^之法線方向觀察時，^ 隙間。分係形成為位處在前述突起上“； 32. —種液晶顯示装置，包括： 2119-4811-PF1(N).ptc 第56頁月曰 --案號 9111270^ 修正六、申請專利範圍第一基板，呈矩陣& 第-A抬，π λ、地配置像素電極；基板形成透明電椏； ▼狀突起，形成在前# 板之法線方向觀察時而對^ j二基板上同時由前述第二基斜方向呈交差；；前述像素電極之邊緣部沿著傾縫隙，形成在前述像呈平行地配置； ”電極上同時對於相鄰接之突起配向膜，層積在前理；以及、迷兩個基板上且施加垂直配向處液晶層，夾住於益、+、負值，且在並無施加電J至3板間且介電係數異方性呈垂直地配列，纟施加電場：$液晶層時，液晶分子係呈縫隙和前述突起所限制之=V液^層時，沿著藉由前述行配列，向’使得液晶分子呈傾斜地進其特徵在於： S錯齒狀地形成傻音 :狀部分係設置在位處於前述突起之-部，，前述鋸分：前述縫隙和邊緣部間之所形^隙間並且相接刀上。战之角度為90。以下之部 3 3 ·如申睛專利範圍第3 2 一在別述第二基板上，於面、液曰曰顯示裝置，其中，之位置上，积士、Μ 、者迷像素電極之姐告肿却\ ι上，形成辅助用突起。％ υ之鋸齒狀部分前、f3^·如申請專利範圍第32項之液曰月丨J 4縫隙之延長设日日顯不骏置，其中，、贡万向和刖述像素電極 1 ，、丁之邊、、本部，係以4 〇。 1 2119-4811-PF1(N), ptc 第57頁 583425 案號 9Π12706 曰修正六、申請專利範圍〜50°而進行交差。 3 5.如申請專利範圍第3 2項之液晶顯示裝置，其中，具有配置在前述第一基板外側之第一偏光板和配置在前述第二基板外侧之第二偏光板，呈相互直交地配置兩個偏光板之透過軸，由前述第二基板之法線方向觀察時，使得其中某一邊之偏光板之透過軸和前述縫隙之延長方向，成為 40 °〜50 °左右。 3 6.如申請專利範圍第3 2項之液晶顯示裝置，其中，在複數個之突起中，一部分之突起，係在像素内，彎曲為直角。 3 7.如申請專利範圍第1、2、3、5、2 0、2 1、3 1或3 2 項之液晶顯示裝置，其中，前述突起之高度係為1. 5 // m以 3 8.如申請專利範圍第1、2、3、5、20、21、27或32 項之液晶顯示裝置，其中，前述第一基板和前述第二基板之間隔，係為3. 0〜3 · 5 // m。

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