KR101308163B1 - 표시장치의 화소 전극 구조 - Google Patents

표시장치의 화소 전극 구조 Download PDF

Info

Publication number
KR101308163B1
KR101308163B1 KR1020060060207A KR20060060207A KR101308163B1 KR 101308163 B1 KR101308163 B1 KR 101308163B1 KR 1020060060207 A KR1020060060207 A KR 1020060060207A KR 20060060207 A KR20060060207 A KR 20060060207A KR 101308163 B1 KR101308163 B1 KR 101308163B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pixel
pixel electrodes
sub
boundary
width
Prior art date
Application number
KR1020060060207A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20080001836A (ko
Inventor
심환수
송무형
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020060060207A priority Critical patent/KR101308163B1/ko
Priority to CN2006101452603A priority patent/CN101097307B/zh
Priority to GB0623868A priority patent/GB2439587B/en
Priority to US11/637,109 priority patent/US8810763B2/en
Publication of KR20080001836A publication Critical patent/KR20080001836A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101308163B1 publication Critical patent/KR101308163B1/ko
Priority to US14/333,331 priority patent/US9488876B2/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133707—Structures for producing distorted electric fields, e.g. bumps, protrusions, recesses, slits in pixel electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134345—Subdivided pixels, e.g. for grey scale or redundancy
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134372—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for fringe field switching [FFS] where the common electrode is not patterned
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

표시장치의 화소 전극 구조가 개시되어 있다. 표시장치의 화소 전극 구조는 영상을 표시하기 위한 횡 전계가 인가되는 제1 화소 영역 및 제2 화소 영역으로 이루어진 화소영역을 갖는 화소전극을 포함하며, 화소전극은 제1 화소 영역 병렬 배치되며 제1 및 제2 화소영역들의 경계로부터 멀어질수록 각각 증가되는 폭 및 경계로부터 멀어질수록 각각 증가되는 간격을 갖는 제1 서브 화소 전극들 및 제2 화소 영역 병렬 배치되며 제1 및 제2 화소영역들의 경계로부터 멀어질수록 각각 증가되는 폭 및 경계로부터 멀어질수록 각각 증가되는 간격을 갖는 제2 서브 화소 전극들을 포함한다.

Description

표시장치의 화소 전극 구조{STRUCTURE OF PIXEL ELECTRODE FOR DISPLAY APPARATUS}
도 1은 종래 횡전계 방식 액정표시장치에 적용되는 화소 전극의 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 의한 표시장치의 화소 전극 구조를 도시한 평면도이다.
도 3은 도 2의 I-I' 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 화소 전극 구조를 도시한 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10: 기판 20: 절연막
30: 공통전극 35: 화소영역
55: 서브 화소 전극
본 발명은 표시장치의 화소 전극 구조에 관한 것이다.
최근 들어, 방대한 데이터를 처리하기 위한 정보처리장치의 개발과 함께 정 보처리장치에서 처리된 데이터를 영상으로 표시하기 위한 표시장치의 개발이 급속히 진행되고 있다.
정보처리장치에서 처리된 데이터를 영상으로 표시하기 위한 표시장치는 액정표시장치(liquid crystal display device, LCD), 플라즈마 표시패널(Plasma Display Panel, PDP), 유기 광 발생 장치(Organic Light Emitting Device, OLED)등이 대표적이다.
액정표시장치의 한 종류인 TN(Twisted Nematic) 모드 액정표시장치는 응답속도가 빠르며 구동전압이 낮다는 장점을 갖는 반면, TN 모드 액정표시장치는 상하로 형성된 전기장에 의해 액정분자가 수직으로 배향되기 때문에, 액정분자의 굴절률 이방성에 의해 시야각 특성이 우수하지 못한 단점을 갖는다.
이와 같은 TN 모드 액정표시장치의 단점을 극복하기 위하여 최근 횡전계 방식 액정표시장치가 개발된 바 있다.
횡전계 방식 액정표시장치는 기판과 평행한 수평 방향으로 액정에 횡전계를 인가하여 TN 모드 액정표시장치 대비 우수한 시야각 특성을 얻을 수 있는 장점을 갖는다. 횡전계 방식 액정표시장치로부터 기판과 평행한 수평 방향으로 전계를 형성하기 위해서 횡전계 방식 액정표시장치는 빗(comb) 형상을 갖는 화소 전극을 갖는다.
도 1은 종래 횡전계 방식 액정표시장치에 적용되는 화소 전극의 평면도이다.
도 1을 참조하면, 기판(1)에는 공통전극(3)이 형성된다. 공통전극(3)은, 예를 들어, 투명하면서 도전성인 투명 도전막 일 수 있다.
공통전극(3)의 상면에는 도시되지 않았지만 공통전극(3)을 덮는 절연막이 배치되고, 절연막 상면에는 화소 전극(5)이 배치된다. 화소 전극(5)은 공통전극(3)과 대응하는 절연막 상에 복수개가 병렬 타입으로 나란하게 배치된다. 절연막 상에 배치된 화소 전극(5)들은, 예를 들어, 투명하면서 도전성인 투명 도전막 일 수 있다.
종래 횡전계 방식 액정표시장치에 적용되는 인접한 화소 전극(5)들은 각각 동일한 폭(W)을 갖고, 동일한 폭(W)을 갖는 화소 전극(5)들은 각각 동일한 간격(L) 으로 절연막 상에 배치된다. 이와 같이 등 폭 및 등 간격을 갖는 화소 전극(5)은 횡전계 방식 액정표시장치인 IPS(In-Plan Swinching) 모드 액정표시장치 및 FFS(Fringe Field Switching) 모드 액정표시장치에 공통적으로 사용될 수 있다.
일반적으로, IPS 모드 액정표시장치 및 FFS 모드 액정표시장치에서 영상의 표시품질은 화소 전극(5)의 간격(L) 및 폭(W)에 의하여 결정된다. 예를 들어, IPS 모드 액정표시장치 및 FFS 모드 액정표시장치에서 화소 전극(5)의 간격(L) 및 폭(W)의 균일성이, 도 1의 실선으로 도시된 바와 같이, 높을 경우 영상의 표시품질은 향상된다. 반면, IPS 모드 액정표시장치 및 FFS 모드 액정표시장치에서 화소 전극(5)의 간격(L) 및 폭(W)의 균일성이, 도 1의 점선으로 도시된 바와 같이, 감소 될 경우 심각한 영상의 품질 저하가 발생 된다.
따라서, 본 발명은 이와 같은 종래 기술의 문제점을 감안한 것으로서, 본 발명의 목적은 화소 전극들 사이의 간격 및 폭이 변경되더라도 영상의 표시품질 저하를 방지할 수 있는 표시장치의 화소 전극 구조를 제공한다.
이와 같은 본 발명의 목적을 구현하기 위한 표시장치의 화소 전극 구조는 영상을 표시하기 위한 횡 전계가 인가되는 제1 화소 영역 및 제2 화소 영역으로 이루어진 화소영역을 갖는 화소전극을 포함하며, 화소전극은 제1 화소 영역 병렬 배치되며 제1 및 제2 화소영역들의 경계로부터 멀어질수록 각각 증가되는 폭 및 경계로부터 멀어질수록 각각 증가되는 간격을 갖는 제1 서브 화소 전극들 및 제2 화소 영역 병렬 배치되며 제1 및 제2 화소영역들의 경계로부터 멀어질수록 각각 증가되는 폭 및 경계로부터 멀어질수록 각각 증가되는 간격을 갖는 제2 서브 화소 전극들을 포함한다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치의 화소 전극 구조에 대하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기의 실시예들에 제한되는 것은 아니며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 의한 표시장치의 화소 전극 구조를 도시한 평면도이다. 도 3은 도 2의 I-I' 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 기판(10)에는 공통전극(30)이 형성된다. 공통전극(30)은, 예를 들어, 투명하면서 도전성인 투명 도전막이고, 공통전극(30)은 화소영역(35)에 배치된다.
공통전극(30)의 상면에는 공통전극(30)을 덮는 절연막(36)이 배치되고, 절연 막(36) 상면에는 화소 전극(50)이 배치된다. 화소 전극(50)은 복수개가 병렬 타입으로 나란하게 배치된 서브 화소 전극(55)들을 포함한다.
절연막 상에 배치된 서브 화소 전극(55)으로 사용할 수 있는 물질의 예로서는 산화 주석 인듐, 산화 아연 인듐 및 아몰퍼스 산화 주석 인듐을 들 수 있다. 이와 다르게, 서브 화소 전극(55)으로 사용할 수 있는 물질의 예로서는 알루미늄 및 알루미늄 합금을 들 수 있다.
이와 같은 서브 화소 전극(55)들은, 평면상에서 보았을 때, 긴 라인 형상을 갖고, 서브 화소 전극(55)들의 가운데 부분은 둔각으로 구부러진 형상을 가질 수 있다. 이외에 서브 화소 전극(55)은 다양한 형태 및 각도로 절곡된 형상을 가질 수 있다.
이하, 설명의 편의상 화소 영역(35)의 일측 변에 참조부호 32를 부여하기로 하며, 화소 영역(35)의 일측 변과 대향하는 타측 변에 참조부호 34를 부여하기로 한다.
본 실시예에서는 절연막 상면에 배치된 화소 전극(50)에 포함된 각 서브 화소 전극(35)들의 폭 및 간격이 다양한 이유에 의하여 서로 다르게 형성되더라도, 이에 따라서 영상의 표시품질 감소가 발생 되지 않도록, 각 서브 화소 전극(55)들의 폭(L1) 및 인접한 서브 화소 전극(55)들 사이의 간격(W1)을 결정한다.
구체적으로, 본 실시예에서, 서브 화소 전극(55)들의 각 폭(W1)은 서로 다르게 형성될 수 있다. 예를 들어, 서브 화소 전극(55)들의 폭(W1)은 화소 영역(35)의 일측 변(32)로부터 화소 영역(35)의 타측 변(34)으로 갈수록 점차 증가 된다. 본 실시예에서, 서브 화소 전극(55)들의 폭(W1)은 좁게는 3㎛일 수 있고 넓게는 13㎛ 일 수 있으며, 서브 화소 전극(55)들의 폭(W1)은 3㎛ ~ 13㎛의 사이에서 변경될 수 있다.
또한, 화소 전극(50)에 포함된 인접한 서브 화소 전극(55)들 사이의 간격(L1)은 화소 영역(35)의 일측 변(32)으로부터 타측 변(34)으로 갈수록 점차 증가된다. 본 실시예에서, 서브 화소 전극(55)들 사이의 간격(L1)은 좁게는 3㎛일 수 있고 넓게는 13㎛ 일 수 있으며, 서브 화소 전극(55)들의 간격(L1)은 3㎛ ~ 13㎛의 사이에서 변경될 수 있다.
이와 같이 화소 전극(50)에 포함된 서브 화소 전극(55)들의 폭(W1) 및 간격(L1)을 서로 다르게 변경함에 따라서, 서브 화소 전극(55)의 배치가 예상치 못하게 변경되더라도 서브 화소 전극(55)의 배치의 변경에 따른 영상의 표시품질 저하를 방지할 수 있다.
본 발명에 의한 서브 화소 전극(55)의 폭(W1) 및 간격(L1)은 영상의 표시품질을 향상시키는 광 투과율, 영상의 표시품질을 감소시키는 무라(mura), 문턱 전압(Vth) 및 구동 전압(Vop)에 영향을 미친다.
본 실시예에서 서브 화소 전극(55)의 폭(W1) 및 간격(L1)이 점차 증가할수록 광의 투과율 및 구동 전압(Vop)는 증가하고, 서브 화소 전극(55)의 폭(W1) 및 간격(L1)이 점차 감소할수록 무라(mura)가 발생될 수 있고, 문턱 전압(Vth)은 감소한다.
한편, 본 실시예에서와 같이 서브 화소 전극(55)을, 평면상에서 보았을 때, 둔각으로 꺽인 형상으로 제조함으로써 멀티 도메인을 형성하는 것과 동일한 효과 즉, 시야각을 보다 개선 할 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 화소 전극 구조를 도시한 단면도이다.
도 4를 참조하면, 기판(10)에는 공통전극(30)이 형성된다. 공통전극(30)은, 예를 들어, 투명하면서 도전성인 투명 도전막이고, 공통전극(30)은 제1 화소 영역(38) 및 제2 화소 영역(39)을 포함하는 화소영역(35) 상에 배치된다.
공통전극(30)의 상면에는 공통전극(30)을 덮는 절연막이 배치되고, 절연막) 상면에는 화소 전극(50)이 배치된다. 화소 전극(50)은 복수개가 병렬 타입으로 나란하게 배치된 제1 서브 화소 전극(56) 및 제2 서브 화소 전극(57)들을 포함한다.
절연막 상에 배치된 제1 및 제2 서브 화소 전극(56,57)들로 사용할 수 있는 물질의 예로서는 산화 주석 인듐, 산화 아연 인듐 및 아몰퍼스 산화 주석 인듐을 들 수 있다. 이와 다르게, 제1 및 제2 서브 화소 전극(56,57)들로 사용할 수 있는 물질의 예로서는 알루미늄 및 알루미늄 합금을 들 수 있다.
제1 및 제2 서브 화소 전극(56,57)들은, 평면상에서 보았을 때, 각각 긴 라인 형상을 갖고, 서브 화소 전극(55)들의 가운데 부분은 둔각으로 구부러진 형상을 가질 수 있다. 이외에 서브 화소 전극(55)은 다양한 형태 및 각도로 절곡된 형상을 가질 수 있다.
제1 및 제2 서브 화소 전극(56,57)들의 절곡된 부분은, 평면상에서 보았을 때, 상호 마주보도록 배치되고 제1 및 제2 서브 화소 전극(56,57)들은 제1 화소 영역(38) 및 제2 화소 영역(39)의 경계를 중심으로 대칭된 형상을 갖는다.
따라서, 상대적으로 폭(W1) 및 간격(L1)이 좁은 제1 및 제2 서브 화소 전극(56,57)들은 제1 및 제2 화소 영역(38,39)들의 경계에 배치되고, 상기 경계로부터 먼 곳으로 갈수록 상대적으로 넓은 폭(W1) 및 간격(L2)을 갖는 제1 및 제2 서브 화소 전극(56,27)들이 배치된다.
구체적으로, 제1, 제2 서브 화소 전극(56,57)들의 폭(W1)은 제1, 제2 화소 영역(38,39)들의 경계로부터 멀어질수록 연속적으로 증가 된다. 본 실시예에서, 제1 및 제2 서브 화소 전극(56,57)들의 폭(W1)은 좁게는 3㎛일 수 있고 넓게는 13㎛ 일 수 있으며, 제1 및 제2 서브 화소 전극(56,57)들의 폭(W1)은 3㎛ ~ 13㎛의 사이에서 변경될 수 있다.
구체적으로, 제1, 제2 서브 화소 전극(56,57)들의 간격(L1)은 제1, 제2 화소 영역(38,39)들의 경계로부터 멀어질수록 연속적으로 증가 된다. 본 실시예에서, 제1 및 제2 서브 화소 전극(56,57)들의 길이(L1)은 좁게는 3㎛일 수 있고, 넓게는 13㎛ 일 수 있다. 제1 및 제2 서브 화소 전극(56,57)들의 간격(L1)은 3㎛ ~ 13㎛의 사이에서 변경될 수 있다.
상술된 바와 같이 폭(W1) 및 간격(L1)이 조절된 제1 및 제2 서브 화소 전극(56,57)들은 영상의 표시품질을 크게 향상시킬 수 있다.
또한, 이와 같이 화소 전극(50)에 포함된 제1, 제2 서브 화소 전극(56,57)들의 폭(W1) 및 간격(L1)을 서로 다르게 변경함에 따라서, 제1, 제2 서브 화소 전극(56,57)의 배치가 예상치 못하게 변경되더라도 제1 및 제2 서브 화소 전극(56,57)의 배치의 변경에 따른 영상의 표시품질 저하를 방지할 수 있다.
한편, 본 발명에 의한 제1 및 제2 서브 화소 전극(56,57)들의 폭(W1) 및 간격(L1)은 영상의 표시품질을 향상시키는 광 투과율, 영상의 표시품질을 감소시키는 무라(mura), 문턱 전압(Vth) 및 구동 전압(Vop)에 영향을 미친다.
구체적으로, 본 실시예에서 제1 및 제2 서브 화소 전극(56,57)의 폭(W1) 및 간격(L1)이 점차 증가할수록 광의 투과율 및 구동 전압(Vop)은 증가하고, 제1 및 제2 서브 화소 전극(56,57)의 폭(W1) 및 간격(L1)이 점차 감소할수록 무라(mura)가 발생될 수 있고, 문턱 전압(Vth)은 감소한다.
한편, 본 실시예에서와 같이 각 제1 및 제2 서브 화소 전극(56,57)들을, 평면상에서 보았을 때, 둔각으로 꺽인 형상으로 제조함으로써 4개의 멀티 도메인을 형성하는 것과 동일한 효과 즉, 시야각을 보다 개선할 수 있다.
이상에서 상세하게 설명한 바에 의하면, 화소 전극의 간격 및 폭을 조절하여 화소 전극의 크리티컬 디멘젼이 변경되어 영상의 표시품질이 감소되는 것을 방지한다.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (13)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 영상을 표시하기 위한 횡 전계가 인가되는 제1 화소 영역 및 제2 화소 영역으로 이루어진 화소영역을 갖는 화소전극을 포함하며,
    상기 화소전극은
    상기 제1 화소 영역에 병렬 배치되며 상기 제1 및 제2 화소영역의 경계로부터 멀어질수록 각각 증가되는 폭 및 상기 경계로부터 멀어질수록 각각 증가되는 간격을 갖는 제1 서브 화소 전극들; 및
    상기 제2 화소 영역에 병렬 배치되며 상기 제1 및 제2 화소영역의 경계로부터 멀어질수록 각각 증가되는 폭 및 상기 경계로부터 멀어질수록 각각 증가되는 간격을 갖는 제2 서브 화소 전극들을 포함하고,
    상기 제1 및 제2 서브 화소 전극들은, 평면상에서 보았을 때, 가운데 부분이 둔각으로 구부러진 형상을 가지고,
    상기 제1 서브 화소 전극들 및 상기 제2 서브 화소 전극들 각각은 서로 분리되고,
    상기 제1 및 제2 서브 화소 전극들은 상기 경계를 기준으로 대칭 형상을 가지며,
    상기 제1 및 제2 화소 전극들은 상기 경계로부터 멀어지는 방향으로 구부러진 것을 특징으로 하는 표시장치.
  8. 삭제
  9. 제7항에 있어서, 상기 제1 및 제2 서브 화소 전극들의 폭은 3㎛ ~ 13㎛ 인 것을 특징으로 하는 표시장치.
  10. 제7항에 있어서, 인접한 상기 제1 서브 화소 전극들 및 인접한 상기 제2 서브 화소 전극들 사이 상기 간격은 3㎛ ~ 13㎛인 것을 특징으로 하는 표시장치.
  11. 제7항에 있어서, 상기 제1 및 제2 서브 화소 전극들은 산화 주석 인듐, 산화 아연 인듐 및 아몰퍼스 산화 주석 인듐으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 표시장치.
  12. 제7항에 있어서, 상기 제1 및 제2 서브 화소 전극들은 알루미늄 및 알루미늄 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 표시장치.
  13. 삭제
KR1020060060207A 2006-06-30 2006-06-30 표시장치의 화소 전극 구조 KR101308163B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060060207A KR101308163B1 (ko) 2006-06-30 2006-06-30 표시장치의 화소 전극 구조
CN2006101452603A CN101097307B (zh) 2006-06-30 2006-11-24 显示器件的像素电极结构
GB0623868A GB2439587B (en) 2006-06-30 2006-11-29 Pixel Electrode Structure of Display Device
US11/637,109 US8810763B2 (en) 2006-06-30 2006-12-12 Pixel electrode structure of display device
US14/333,331 US9488876B2 (en) 2006-06-30 2014-07-16 Pixel electrode structure of display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060060207A KR101308163B1 (ko) 2006-06-30 2006-06-30 표시장치의 화소 전극 구조

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080001836A KR20080001836A (ko) 2008-01-04
KR101308163B1 true KR101308163B1 (ko) 2013-09-12

Family

ID=37671550

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060060207A KR101308163B1 (ko) 2006-06-30 2006-06-30 표시장치의 화소 전극 구조

Country Status (4)

Country Link
US (2) US8810763B2 (ko)
KR (1) KR101308163B1 (ko)
CN (1) CN101097307B (ko)
GB (1) GB2439587B (ko)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5246782B2 (ja) 2008-03-06 2013-07-24 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 液晶装置および電子機器
CN102033369A (zh) 2009-09-25 2011-04-27 北京京东方光电科技有限公司 Ffs型tft-lcd阵列基板的像素结构
KR20120035490A (ko) * 2010-10-05 2012-04-16 삼성전기주식회사 디지털 저항막방식 터치패널
KR101894552B1 (ko) * 2011-08-03 2018-09-03 엘지디스플레이 주식회사 폭이 다른 화소전극이 형성된 액정표시소자
CN103513473A (zh) * 2012-06-25 2014-01-15 瀚宇彩晶股份有限公司 面内切换式液晶显示器之驱动电极结构
US20150177572A1 (en) * 2012-07-25 2015-06-25 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
CN102866543B (zh) * 2012-09-13 2015-05-06 京东方科技集团股份有限公司 像素单元、阵列基板以及液晶显示装置
TWI494672B (zh) * 2012-11-30 2015-08-01 Au Optronics Corp 液晶顯示面板之畫素結構
CN103969897A (zh) * 2014-04-18 2014-08-06 京东方科技集团股份有限公司 一种狭缝电极、阵列基板及显示装置
CN104166283B (zh) 2014-08-27 2016-03-30 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板及其阵列基板
CN104267549B (zh) * 2014-10-14 2017-04-12 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板及其阵列基板
CN109283754A (zh) * 2017-07-21 2019-01-29 京东方科技集团股份有限公司 一种像素结构、阵列基板及液晶显示装置
CN114397784A (zh) * 2018-08-02 2022-04-26 上海天马微电子有限公司 显示面板和3d打印***
US11415848B2 (en) 2020-03-16 2022-08-16 Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel
CN111258123A (zh) * 2020-03-16 2020-06-09 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板
CN111443533A (zh) * 2020-04-24 2020-07-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 像素单元及液晶显示装置
CN114253036B (zh) * 2021-12-27 2024-03-26 武汉华星光电技术有限公司 像素电极、阵列基板及显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020028477A (ko) * 2000-10-10 2002-04-17 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 프린지 필드 구동 액정 표시 장치
KR20040106506A (ko) * 2002-05-10 2004-12-17 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 액정 디스플레이 장치

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100293811B1 (ko) * 1998-05-29 2001-10-26 박종섭 아이피에스모드의액정표시장치
JP2001194676A (ja) * 2000-01-07 2001-07-19 Hitachi Ltd 液晶表示装置
KR100520381B1 (ko) * 2000-05-31 2005-10-11 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 프린지 필드 구동 액정표시장치
TW583425B (en) * 2001-08-02 2004-04-11 Sanyo Electric Co Liquid crystal display
US6952252B2 (en) * 2001-10-02 2005-10-04 Fujitsu Display Technologies Corporation Substrate for liquid crystal display and liquid crystal display utilizing the same
JP3867851B2 (ja) 2002-05-21 2007-01-17 株式会社東海 着火器のフィルター構造
JP4342200B2 (ja) * 2002-06-06 2009-10-14 シャープ株式会社 液晶表示装置
TW594310B (en) * 2003-05-12 2004-06-21 Hannstar Display Corp Transflective LCD with single cell gap and the fabrication method thereof
KR100984345B1 (ko) * 2003-05-30 2010-09-30 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
JP4082683B2 (ja) * 2003-09-29 2008-04-30 株式会社 日立ディスプレイズ 半透過型液晶表示装置
JP4159446B2 (ja) * 2003-10-24 2008-10-01 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 Ｉｐｓ液晶表示素子の電極パターン
TWI321697B (en) * 2004-02-13 2010-03-11 Innolux Display Corp Liquid crystal display device
JP4223993B2 (ja) * 2004-05-25 2009-02-12 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
JP2007004126A (ja) * 2005-05-25 2007-01-11 Sanyo Epson Imaging Devices Corp 液晶装置及び電子機器
KR101296536B1 (ko) 2006-06-30 2013-08-13 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020028477A (ko) * 2000-10-10 2002-04-17 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 프린지 필드 구동 액정 표시 장치
KR20040106506A (ko) * 2002-05-10 2004-12-17 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 액정 디스플레이 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US8810763B2 (en) 2014-08-19
CN101097307B (zh) 2010-05-12
GB0623868D0 (en) 2007-01-10
US9488876B2 (en) 2016-11-08
US20140327867A1 (en) 2014-11-06
GB2439587B (en) 2008-12-17
GB2439587A (en) 2008-01-02
KR20080001836A (ko) 2008-01-04
CN101097307A (zh) 2008-01-02
US20080002122A1 (en) 2008-01-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101308163B1 (ko) 표시장치의 화소 전극 구조
KR100482468B1 (ko) 프린지 필드 구동 액정 표시 장치
US8471989B2 (en) Pixel unit of FFS type TFT-LCD array substrate
KR101323412B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조 방법
EP3067743B1 (en) Liquid crystal display apparatus
CN102692770A (zh) 液晶显示装置
US8854587B2 (en) Liquid crystal display device
KR20160072335A (ko) 액정 표시 장치
JP2009186869A (ja) 液晶表示装置
JP4449958B2 (ja) Ｆｆｓ方式の液晶表示パネル
JP5219444B2 (ja) 表示装置
KR20180126756A (ko) 액정표시장치
KR20090038685A (ko) 액정표시장치
JP2008164983A (ja) 液晶表示素子
KR20150017041A (ko) 표시 장치
TWI332094B (en) In plane switching liquid crystal display
JP5963564B2 (ja) 液晶表示装置
US8953134B2 (en) Liquid crystal display panel
US20050052602A1 (en) Liquid crystal display panel
KR20040061426A (ko) Ｆｆｓ 모드형식의 액정표시장치
KR100675935B1 (ko) 프린지 필드 구동 액정표시장치
KR20190001976A (ko) 표시 장치
JP2008051846A (ja) Ｆｆｓモードの液晶表示パネル
WO2011129247A1 (ja) 液晶表示装置
KR101894552B1 (ko) 폭이 다른 화소전극이 형성된 액정표시소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160816

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170816

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180816

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190814

Year of fee payment: 7