TW574555B - Active-matrix addressed reflective LCD and method of fabricating the same - Google Patents

Description

574555 五、發明說明（1) 【發明背景】 1. 發明領域 本發明係一般關於一種主動矩陣定址液晶顯示器 (LCD)，尤其關於具有反射電極的LCD，作為讀取源之周圍 光藉由反射電極反射而再次射出裝置。更精確言之，本發 明係關於一種製造此LCD之方法。 " 2 ·相關技藝之說明 LCD已經廣泛地應用於電子裝置中例如電視接收器、 】ί Ξ1固人數位助理（PDA)、行動電話終端機、圖案 1?，^1机等。其中，主動矩陣定址1^1)已被廣泛地使 關_杜°又有分別配給於像素電極之複數個主動元件（開 =牛），用以控制應用於其上的電壓。主 = 或金屬'絕緣體-金屬则二極體。主 動矩陣疋址LCD具有高解析度、 射等等之顯著特徵。叮又I視角、同對比、多重輻 式(背主光1::定rr—般分類為兩種類型：-類為透射 點，二；==式。雖然透射挪有許多優 LCD變得巨大且消耗相/所造成的問題。亦即，透射式 銷耗例如行動電話辣田大的功率。因而，在必需低功率 射式LCD。反射式Lc、; ：：：：*，目前的傾向為使用反 了增強反射率，共通眘^用於反射周圍光的反射電極。為 上。 務係提供細微粗糙度於反射電極 574555 五、發明說明（2) 本發= 最好參照圖1至2J簡略地說明與 射LCD圖:ίίίΓ使：單_偏極化板的主動矩陣定址反 一 豕京面積之不意剖面圖。圖1所示的LCD —般包含 二於二ί(/戈對面基板M、一下基板（TFT基板）7、以及一 一 2 / 土反1與7間之液晶層1 4。如圖所示，上基板1包含 化板2、一移相板3、一玻璃基板4、一濾色器5、以 及一透明電極（共用電極）6。另一方面，下基板7包含一 玻璃基板8、一形成於玻璃基板8上的薄膜電晶體9、一表 面上具有不平坦或不規則的第一絕緣層1 0、一形成於第一 絕緣層1 0上且由聚醯亞胺所形成的第二絕緣層11、以及一 反射電極（反射式層）1 3。薄膜電晶體9操作如同一開關元 件。典型地由鋁所形成的反射電極13耦合至一源極電極12 且除了反射周圍光以外功用如同一像素電極。兩基板1與7 間夾有一液晶層1 4。 如圖1所示，示意地由參考編號1 5標示之入射的周圍 光穿過上基板1、由粗链表面的反射層13反射、且返回外 界如參考編號16所顯示。 為了改善反射電極13處之反射率，重要的是使電極13 之上表面不平坦或不規則，以便有效地反射具有各種入射 角的入射光。反射電極13之表面上所出現之習知的不規則 係基於獨立且隨機地設置於玻璃基板8上的複數個小半球 而形成。 參照圖2A-2J，將說明前述習知的反射電極13之製造

574555 五、發明說明（3) 方法。 一閘極電極21形成於玻璃基板20上（圖2A)。隨後，一 閘極絕緣膜2 2、一半導體層2 3、以及一撸雜層2 4連續形成 於玻璃基板20上（圖2B)，隨後藉由圖案化摻雜層24與半導 體層23而形成一島25(圖2C)。繼而，在一金屬層沉積於圖 2C中所形成的層之表面上之後，藉由圖案化形成一源極電 極26與一汲極電極27(圖2D)。因此，獲得薄膜電晶體9。 隨後，如圖2E所示，一屬於丙烯酸酯型光阻（舉例而 吕）之光敏感有機絕緣層28沉積於圖2D之先前步驟中所獲 得的結果基板之表面上。繼而，藉由光刻術 (Photo 1 ithography)圖案化複數個突出部29於將形成反射 電極的面積上方（圖2F)，隨後突出部29受熱處理使得其角 部份平順’如圖2G所示。隨後，平順的突出部29由一有機 絕緣膜31所覆蓋，據此，此膜3丨之表面展現出平順的不規 則表面（圖2H)。然後，形成一接觸孔33(圖21)，隨後，如 圖2J所示，沉積反射電極34於由圖21之先前步驟所獲得的 〜果基板之表面上。因此，源極電極電連接至反射電極 34 °前述技術係揭露於日本專利公報第61__639 〇號。 然而’依據前述習知技術之主動矩陣定址反射LCD已 遭受到下列困難。 首先’由光刻術圖案化光敏感絕緣層28，在此例子中 典型上選擇低敏感光阻例如丙烯酸酯型以細微調整該不規 貝J ▲因而’習知技術遭受到曝照光之強度應增加且曝照時 間變長的問題’使得製造程序複雜且增加裝置之製造時

574555 五、發明說明（4) 間。 第 每一像素之 爍。為了增加儲存電容 係增加閘極線與反射電 然而，既然在主動矩陣 28與聚醯亞胺層丨丨之每 此，難以實現足夠的儲 第二’圖2G所示的 //m的直徑且約略從〇. 5 閘極絕緣層22上。據此 基板製程中，突出部2 9 反射電極34之表面上難 儲存電容值小，因此，易於引發閃 值’在實行透射式LCD時可想見地 極（亦即，像素電極）之重疊面積。 疋址反射LCD之例子中有機絕緣層 一個本質上具有相當大的厚度，因 存電容值。 突出部29典型上具有約略從1至2〇 至5 的高度，且獨立地形成於 ，在清洗、熱處理、膜沉積等等之 易於從閘極絕緣層22剝落。結果， 以達成所預期的不規則。 [發明概述】 因而，本發明之一目的在於提供一種主動矩陣型定址 LCD裝置，能克服前述先前技藝本質上的困難。 本發明之另一目的在於提供一種主動矩陣定址反射 LCD裝置之製造方法，藉以克服前述先前技藝本質上的困 難。 簡言之，此等目的係由下列技術所達成：其中為了改 善製造主動矩陣定址反射液晶顯示器之製程步驟，位於相 關於一液晶層的一側之一下基板設有彼此平行且平行於液 晶層的兩電極。此兩電極中之一個係電性耦合至分配至一 像素的開關元件之源極電極’且另一電極電性麵合至一固 第10頁 574555 五、發明說明（5)

At 月匕 定電位源。該兩電極中之每一個具有光反射 在圖案化設於電極上方的一絕緣層時降低曝 本發明之一態樣在於一種主動矩陣定址 顯示器），包含··一第一基板，其為透明的 板、一下絕緣膜，形成於該第二基板上、複 件’分別設於每一像素、一絕緣層，具有一 表面、以及一反射膜（7 〇 )，形成於該絕緣膜 决於4絕緣膜之不規則表面之不規則構造的 液晶層，設於該第一基板與該反射膜間，其 極，設於每一像素且位於一設有該反射膜的 電極係電連接至該開關元件之一源極電極； 極，設於該第二基板與該下絕緣膜間，該下 極形成一儲存電容。 率之特徵， 照光之強度 反射LCD(液 '一第二基 數個開關元 不規則構造的 上且具有一取 表面；以及一 特徵為一上電 區域中，該上 以及一下電 電極與該上電 曰曰

本發明之另一態樣在於一種主動矩陣定址反射L c d之 製造方法，包含下列步驟：（a)形成一反射層（62)於一基 板（5 6 )上；（b)形成一絕緣層（6 6)於該反射層上，隨後藉 由曝照圖案化該絕緣層以提供不規則於該絕緣層之表面 上；以及（c )形成一反射膜（7 0 )於該絕緣膜上，其中該絕 緣層係藉著由該反射層所反射的光之協助而圖案化 【較佳實施例之詳細說明】 從下文附有圖示之說明將可更明瞭本發明之特徵與優 點，其中類似的元件或部分係由類似的參考編號所表示。 茲將參照圖4至7 I說明本發明之較佳實施例。

第11頁 574555 五、發明說明（6) 1八圖3係沿著像素之中心線，亦即，沿著圖“之剖面線 元之大約一/象素面積之剖面圖，因此，圖3未圖示一開關 每例如一薄膜電晶體。圖3之像素面積形成依據本發明 只化例之主動矩陣定址反射LCD之一部分。 52、圖3所^的像素面積一般包含一下基板50、一上基板 、與一密封於基板5〇與52間的液晶層54。 電&^基板5〇包含一其上設有下電極58的玻璃基板56。下 镇聪+由一下絕緣膜60所覆蓋，該下絕緣膜6〇亦用作為 2電晶體（未圖示於圖3中）之間極絕緣膜。一上電極Μ L於下絕緣膜60上，且由一鈍化膜64所覆蓋。 下基板50更包含一第一絕緣層66，外表為圖3中之類 的形Ϊ ’具有實際上為隨機型網目狀構造，如圖4A與 不Li的ϋ緣層68沉積於第一絕緣層66上，具有展現 7。。應注意每一像以-反射電極(反射膜或層) 冢素面積汉有獨立的反射電極7〇(亦即， 未耦合於相鄰的像素面接+ 丄兩上、 J 1 上由高反射金屬例如射電極）。反射電極70典型 泉老编號72矣 1 成，且功用如同一像素電極。 參考編號72表不一資料(汲 於圖3中，但反射電極7〇 〒雖然未圖不 下絕緣膜60係由氧化鋁/至溥膜電曰曰體之源極電極。 〆丄々 乳化紹、氧化矽、或氮化矽。更且，飿仆 膜64係由氮化矽或氧化矽所形成。 更 鈍化 第一絕緣層6 6係由伞从—u / 且由已知的光刻術圖宰ί敏感祕脂(亦即，光阻)所形成， 負，並且，另-種用以形成層66之光阻得為正或 八係，得使用丙烯酸酯型光阻形成層

第12頁 574555 五、發明說明（7) 66。雖然第二絕緣層68可由聚醯亞胺所形成，但有 移除第二絕緣層68中對應於接觸孔之部份，故以使用於應 為較佳。雖然未圖示於圖3中，但一對準膜形 光阻 卜。 a、久射層 上基板52包含一玻璃基板74、一濾色器76、以及一 明電極78，其排列如如圖3所示。雖然未圖示於圖3中，^ 一對準膜形成於透明電極78之内表面上，並且如先前 $ 般亦提供一偏極化板與一移相板。濾色器76之 == 阻擋層80(黑矩陣）所替換。 刀你由光 下與上電極58與62分別設有每一像素。下電極“和 用一金屬例如鉻或鉬的閘極電極與閘極線於同一製程 同形成。目此’下電極58具有光反射率之特徵。下電極^ 可形成為從所指派的閘極線延伸至同一行上 如圖4Α與4Β所示。 州Jm京 另一方面，上電 極b 2可與薄 電極一體形成。下 ，且平行排列使得 方。據此，相較於 同並聯於液晶單元 一絕緣層（光阻）6 6 光反射層。亦即， 極62反射而再次照 光量。有鑒於此， 且使其上表面平坦 鉻或鉬的源極 質上平坦之層 於下電極58上 5 8與6 2功用如 文所述，在第 極6 2操作如同 曝照光被上電 度地降低曝照 作為上電極6 2 膜電晶體之使用 與上電極58與62 上電極62經由絕 一電容而言，下 的儲存電容。更 被圖案化的製程 已經穿過第一絕 射層6 6，藉以能 較佳者為使用高 化。 金屬例如 分別為實 緣層6 0位 與上電極 且，如下 中，上電 緣層6 6的 夠相當程 反射金屬 574555 五、發明說明（8) 鱼相鄰的m與乂，其中圖4a係由相鄰的資料(汲極)線72 = 知描)線82所環繞的-像素面積之下基板50 不w千面圖，且其中除了圖4人省略反 70以外圖4B等同於圖4A。 电m射層) ^圖4A與4B所示，閘極線82係平行排列且以直角交插 為平行排列的資料線72。一薄膜電晶體（tft)84位於 貝，與閘極線72與82之交叉點附件處eTFT 84之汲極電極 σ於=貝料線72，且閘極電極88耦合於閘極線82。源極 極9 0積合於上電極62 ^如圖所示，下電極58從上（在前 的）閘極線82延伸至像素面積。應注意上閘極線82設於上 像素（未圖示）。反射電極70(圖4Α)經由一接觸孔92麵合 至源極電極9 0。 σ 在反射式LCD之例子中，閘極線82與資料線72位於像 素顯示面積之外，據此，典型上提供光阻擋層8 〇 (黑矩陣） 於上基板52中位於線82與72上方之部份（參照圖3)。反射 電極70未形成於其上設有光阻擋層80之部份中。此意謂任 何像素之反射電極70對於相鄰的像素而言皆為獨立^供。 如圖4A所示，反射層70之上表面承載有突出部94，線 性地延伸以提供不規則（亦即，凸凹結構）於其上。突出部 9 4模仿形成於純化膜6 4上的第一絕緣層6 6之網目狀構造 (圖3)。亦即是說，突出部94反射出層66之存在。突出部 94並未設於汲極線72或閘極線82上方的面積上。更且，突 出部94展現出不規則圖案化的網目狀結構。 如前所述，下電極58與上電極62係實質上平坦且平行

574555 五、發明說明（9) 一 設於反射層70下方。因而，鈍化膜64可形成為平坦（亦 即’無任何階梯），據此，第一絕緣層66可圖案化維持突 出部9 4實質上相等高度，藉以簡化曝照光強度之控制與遮 罩圖案之準備。 … 圖5A係顯示在平面顯示面積96内形成於下基板5〇上之 突出部94之複數個圖案，且圖5B係放大顯示突出部94之一 圖案。在圖5A與5B中，突出部94係由黑實線所表示，不像 圖4A與4B中係由白實線所表示。如圖5A與5B所示，突出部 94線性且不對稱地延伸，暗示著由突出部94所環繞的每一 凹部9 8係不規則地設於每一像素面積内。 從前文可知對應於突出部94的第一絕緣層66(圖3)係 連續圖案化於鈍化膜64上。因而可獲得極佳的圖案化絕緣 層6 6對鈍化膜6 4之黏附性，以致消除或降低層6 6從鈍化膜 6 4之剝落至一定程度。 參照圖6，顯示沿著圖4 A之剖面線B-B，穿過薄膜電晶 體84 ’大約一像素面積之下基板5〇之剖面圖。然而，在圖 6中’反射層70設於TFT 84上方，不同於圖4A與4B中所示 之例子。更且，在圖6中，省略圖3所示的鈍化膜64以求簡 化。如圖6所示，接觸孔92形成於第二絕緣層68中，源極 電極9 0·附近。既然反射電極7 〇填滿接觸孔9 2，因此，電性 搞合至源極電極9 〇與上電極6 2。圖6之剩餘部份已於前文 中提及，因而，為簡化說明書將省略其說明。從前文可 知’挺供反射層70於薄膜電晶體上方為一設計選擇。 接觸孔92之位置不限於源極電極9〇附近，如前所述。

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另種方式係’接觸孔92得形成於上電極62上方中電極62 :性耦合至源極電極90的任何位置。特別地，當第二絕緣 層68係使用正光阻而形成時，需要足夠的曝光以形成接觸 孔92。在此例子中，較佳者為形成接觸孔以於具有高光反 射率的上電極62上方。 *效將參照圖7A-71說明圖6之下基板5〇之製造方法。在 此等圖示中’為簡化圖示之故並未顯示鈍化膜64。 首先’如圖7 A所示，藉由濺鍍方法沉積厚度大約5 〇 rim的鉻（Cr)於玻璃基板56之整個表面上，隨後鉻層被圖案 化以形成下電極58、閘極電極88、以及閘極線（未圖示）。 繼而，如圖7B所示，使用電漿增強CVD(化學蒸氣沉 積）技術形成下絕緣膜6〇至大約4〇 〇 nm，該下絕緣膜6 〇亦 變成閘極絕緣膜。隨後，使用電漿增強CVD技術形成一半 導體層100至大約200 nm於下絕緣層60上，其中可允許層 100包括適合的摻雜層。隨後，如圖7C所示，圖案化半導 體層100以形成一通道面積1〇2。在通道面積1〇2形成後， 为別/儿積鉻層與ITO(銦錫氧化物）層至5〇 nm。隨後，如圖 7D所示’圖案化鉻與ιτο層以形成汲極電極86、源極電極 9 0、上電極6 2、以及沒極線（未圖示）。 繼而，如圖7E所示，形成約為3 //m的第一絕緣層66 於圖7D所獲得的基板之整個表面上，隨後，如圖7F所示， 藉由光刻術圖案化層6 6以獲得預定的突出部1 〇 4。第一絕 緣層66得為正或負光阻。典型上使用一具有相對低敏感度 的光阻。依據本發明之實施例，當圖案化第一絕緣層6 6

第16頁 574555 五、發明說明（11) 時，穿過層66的光被上電極62反射且轉回朝向層66，藉以 能降低曝照光之量。舉例而言，可比未設有上電極6 2的例 子減少曝照光之量約一半。 在第一絕緣層66已經圖案化之後，在氮氣環境中以溫 度大約2 6 0 C對突出部1 〇 4 ( 6 6 )熱處理一小時，以使其形狀 平順’如圖7G所示。另外亦得使用適合的化學物質進行突 出部1 04( 66)之型塑。 繼而，如圖7H所示，大約1 的第二絕緣層68形成 於先前步驟（圖7G)所獲得的結果基板上，其中，為了使第 二絕緣層6 8具有一跟谴第一絕緣層丨〇 4 (6 6)之不規則表面 的表面’必須適當地選擇材料、厚度、以及層形成方法。 隨後’接觸孔92形成於最好係光阻層的絕緣層68處，以促 進接觸孔92之形成。 隨後’如圖71所示’厚度大約3〇〇⑽的鋁膜形成於圖 7H之製程中所獲得的基板上，然後圖案化而形成反射電極 70。在前述製程中’紹填入接觸孔92使得反射電極7〇電連 接至源極電極90與上電極62。舉例而言，鋁膜之圖案化係 受到使用加熱至溫度約60。(：的磷酸、醋酸、以及硝酸之混 合溶液濕蝕刻。因此，獲得下基板5 〇。 反射電極（或膜）70之表面上的水平位準（階梯）之最大 差異得約為1 # m。然而，此水平位準之最大差異並非僅 限於此。舉例而言，倘若水平位準之差異介於〇. 4至5 # m 間，則獲得良好的反射式特徵。如前所述，使反射膜70之 表面圖案不規則，用以達成增強的反射率。

第17頁 574555 五、發明說明（12) 恭右ί ί—T基板50與上基板52沉積成彼此面對並同時運 將兩基板5。與52結適合的黏附劑 由埠注入液晶，接著密封2邊下一液曰曰注入’，然後經 置。 在封該埠，因此，完成組裝LCD裝 在前述製造程序中，與如 > 第一絕緣膜H0係由氮化/所例// 緣膜（亦即， 曰#劝％ # + ^ >化矽所形成，且+導體層100係由非 ;化石夕膜係由電浆增強CVD方法所形成 η用矽烷與乳氣作為反應氣體，其中，舉例而言，氣 qnn 〇r广丄&虱）、、々為0· 1至0· 5、膜形成溫度約為200至 壓力為133 Pa、且電漿增強功率為20 0 W。另一方 =當氮化石夕膜由電聚增強CVD方法所形成時，使用石夕烷 二'乳，其中，舉例而言，氣體流率比（矽烧/氨〕約為0」 至·8、膜形成溫度約為25〇。(：、壓力為133 pa、且電漿增 強力率為20G W °更且’當非晶形碎膜經由電漿增強⑽方 法沉積時，使用矽烷與氫氣，其巾，舉例而言，氣體流率 比气烷/氫）約為〇·25至2·〇、膜形成溫度約為“ο至25〇 C、壓力為133 Pa、且電漿增強功率5〇 w。更且，當η型 非晶形矽膜係由電漿增強CVD方法所沉積時，使用矽烷與 碟S文氣體，其中，舉例而言，氣體流率比（石夕烧/填酸）約 為1.0至2.0、膜形成溫度約為2〇〇至250 °c、壓力為133 Pa、且電漿功率為50 W。 在則文中，當圖案化氮化石夕膜或非晶形石夕膜時，可使 用乾姓刻技術。在餘刻氮化矽膜例子中，蝕刻氣體為四氯

574555 五、發明說明（13) 化氟氣體與氧氣、反應壓力為0.665至39·9 Pa、且電聚功 率為100至3 00 W。更且，當蝕刻非晶形矽膜時，使用氯與 氫氣，反應壓力為0.665至39.9 Pa、且電漿功率為5〇至 2 0 0 W。更且，為了钱刻用於閘極電極的鉻層等等，可使 用過氯酸與第二硝酸銨鈽之混合溶液。 在前文中，雖然使用Cr形成源極與汲極電極，且使用 金屬Cr形成閘極電極，但本發明不限於此等材料。亦即， 此等電極之每一個得為由選自於Ti、W、Mo、Ta、Cu、 A1、Ag、ITO、ZnO、SnO等等之一元素所形成的單一膜或 者此等材料中兩個或更多元素之多層膜。 在下文中，參照圖8A-8C與圖9說明本發明之前述較佳 實施例之四個修改。既然上基板52在此等修改中維持不 變，故僅討論下基板5 〇。 參照圖8A，顯示本發明之較佳實施例之第一修改。圖 8 A之第一修改係使得上電極6 2並未整個設置於第一絕緣層 66之不規則形狀表面之下方。也就是說，上電極62並未設 於一部上（由參考編號110所標示）。否則，下基板5〇之結 構等同於圖3所示者。既然下電極58設於部no之下方，當 第一絕緣層66顯露時，穿過部no的光係有效地由下電極" 5 8所反射’藉以降低前述實施例中的曝照光之量及/或曝 照時間。 、 ^ t 參照圖8B與8C，顯示本發明之較佳實施例的第二與第 二修改三第二與第三修改中之每一個係使得上與下電極6 2 與5 8之母一個並未整個設於第一絕緣層6 6之不規則形狀表

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面之下方然而，為了達成有效降低前述實施例之曝照光 及/或曝照時間，較佳者為提供上與下電極62與58，使其 存在於超過第一絕緣層66之不規則形狀表面之一半之下 方。 圖9顯不本發明較佳實施例之第四修改。第四修改係 省略使第一絕緣層6 6之突出部平順的製程步驟（圖7 )。在 此例子中，反射層7〇之不規則形狀表面展現出尖角，如圖 9所示。毋庸贅§ ，第一至第三修改中之每一個皆可應用 於第四修改。 在前文中，第一與第二絕緣層66與68可由單一絕緣層 (光阻層）所替換。在此例子中，必需於此單一絕緣層上形 成一深孔洞’用於作為接觸孔92，以及複數個淺凹槽，用 於形成不規則表面（亦即，凸—凹結構）於反射層7〇上，因 此，較佳者為形成此深孔洞與淺凹槽使用所謂的半調曝照 方法。 參照圖1 0 A至1 〇 F，說明形成深孔洞（標記為丨丨8)與淺 凹槽（標記為119)於單一絕緣層中而非兩層66與68中之方 法（圖3，舉例而言）。在此例子中，假設亦使用已經參照 圖7 A至7 D所說明的製程，因此，下文之說明開始於假設上 電極62之圖案化已經完成（圖7D)。在完成圖71)所示的圖案 化之後所獲得的結果基板係於圖1 〇 A至1 〇 ρ中標記為1 2 0。 如圖10A所示，典型上為正型光阻的絕緣層122形成於 整個前述基板120上，厚度約為1至5 /zm。繼而，如圖10B 所不’對準設有透光面積126a與檜光面積i26b的第一光罩

574555 五、發明說明（15) 124，使得擋光面積126b位於對應於將形成的突出部之部 1 28上。隨後，絕緣層1 22受到具有低、均勻強度光照之曝 光。箭號係指示照射遮罩124與基板122的光線。 繼而，如圖10C所示，對準具有透光面積132a與擋光 面積132b的第二光罩130，使得透光面積132a位於將形成 深孔洞11 8的部上。隨後，絕緣層1 2 2受到高、均勻強度光 照之曝光。在此例子中，將形成深孔洞11 8之部應選擇成 位於上電極62之上方。接著，顯影基板丨22藉以完全移除 強曝光部分且部份移除弱曝光部分。在此例子中，較佳者 為控制施加至將形成凹槽的部分之光線量，使得殘留基板 122之整體厚度之大約40%。 繼而，如圖10E所示，於溫度約為2〇〇 °c中，對先前步 驟（圖10D)所獲得的基板進行熱處理大約分鐘之時間， 藉以熱形成圖1 0 D之層2 2，以展現平順外部形狀，如圖工〇 E 所示。隨後，藉由濺鍍與圖案化，厚度約為200 nm的鋁膜 沉積於在先前製程（圖10E)所獲得的結果基板上，藉以形、 成對應於反射電極70的反射電極134。 前文所述的反射電極（或膜）70之製造方法的特徵為： 可降低製造製程之數目，導致可降低下基板5〇之製程成 本。此方法可應用至圖9A至9C所示的例子中。 參照圖11A，顯示本發明前述實施例之第五修改，其 中前文已說明的部分係由相似的參考編號所標示。圖丨】A 係約為一像素面積之下基板50,之示意平面圖。在圖iia 中，為了簡化圖示反射層66未圖示，如圖4B中般。下美板

574555 五、發明說明（16) 50’對應於圖4、5A、與5B之下基板50。依據第五修改，下 電極58’麵合至平行於閘極線82而延伸的共用電極15〇或與 其積合一體形成。換言之，下電極58，並未耦合至閘極線 82(或與其積合為一體），相反於圖5A與5B中所示的排列。 共用電極1 5 0耦合至一預定的電位源（亦即，接地）。否 =:第五修改實質上等同於已參照圖4、5A、5B等說明的 貫^例。據此’為簡化即時揭露，將更省略更詳細的含兒、 明。圖11B係沿著圖ΠΑ之剖面線C-C之示意剖面圖。 红 圖1 2A係具有圖3至8C所示的下基板50之液晶顯示 部分之等效電路，同時圖128係具有圖11 A與11B所示^之 基板50’之液晶顯示器之部份之等效電路。 的下 刖文說明顯示一較佳實施例與其之若干個修改。、 ^，熟悉此項技藝之人士明瞭不偏離本發明之範圍然 與種修改，該範圍僅由申請專利範圍所限制。因而，、其他 /、所說明的實施例與修改僅為例示，並非限制性。所系

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圖1係依據習知技術之大約 一像素面積之示意剖面 圖 面圖 圖2A至2J係顯示製造圖1 圖3係依據本發明實施例 之下基板之製程步驟； 之大約一像素面積之示 意剖 圖4A與4B係顯示圖3之大約一像素面 圖5A係顯示依據本發明實施例形圖， 的複數個不平坦圖案之示意圖； 十面顯不面積中 圖5'係放大顯示圖5A: 一圖案之示意0 ; 圖6係沿者穿過實施本發明膜 大約一像素面積之示意剖面圖； 曰艘之d面線的 圖7A至71係顯示依據本發明實施例之製 程步驟； 土低心表 圖8A至8C係顯不圖3至71中所示的實施例之修改； 圖9係顯示圖3至71中所示的實施例之另一修%文之示意 圖， 圖1 0A至1 OF係顯示依據本發明製造修改的下基板之製 程步驟； 圖11 A與11 B係顯示參照圖3至7丨所述的較佳實施例之 另一修改；以及 圖12A與12B係顯示依據本發明之lcd之等效電路。 【符號說明】 1 上基板

第23頁 574555 圖式簡單說明 2 偏極化板 3 移相板 4 玻璃基板 5 滤色器 6 透明電極（共用電極） 7 下基板（TFT基板） 8 玻璃基板 9 薄膜電晶體 10 第一絕緣層 11 第二絕緣層 12 源極電極 13 反射電極（反射式層） 14 液晶層 15 入射的周圍光 16 反射返回外界的光 20 玻璃基板 21 閘極電極 22 閘極絕緣層 23 半導體層 24 摻雜層 25 島 2 6 源極電極 2 7 >及極電極 28 絕緣層

第24頁 574555 圖式簡單說明 29 突出部 31 有機絕緣膜 33 接觸孔 34 反射電極 50 下基板 50， 下基板 52 上基板 54 液晶層 56 玻璃基板 58 下電極 58’ 下電極 60 下絕緣膜 62 上電極 64 鈍化膜 66 第一絕緣層 68 第二絕緣層 70 反射電極 72 資料（沒極）線 74 玻璃基板 76 濾色器 78 透明電極 80 光阻擋層 82 閘極（掃描）線 84 薄膜電晶體（TFT)

第25頁

574555 圖式簡單說明 86 汲極電極 8 8 閘極電極 9 0 源極電極 92 接觸孔 94 突出部 96 平面顯示面積 98 凹部 100 半導體膜 102 通道面積

104 突出部（第一絕緣層） 110 部 118 深孔洞 120 基板 122 絕緣層（基板） 124 第一光罩

126a 透光面積 126b 擋光面積 128 部 130 第二光罩 132a 透光面積 132b 擋光面積 134 反射電極 150 共用電極

第26頁

Claims (1)

1. 574555 f_ cT :赢號 91102736 年 j 月 >3 日_修正 77— T^V請專利範哥」 ρέ 9 1· 一種主動矩陣定址反射LCD(液晶顯示器）， 一透明的第一基板（74); —第二基板（56); —下絕緣 膜（60)，形成於該第二基板上；複數個開關元件（84)，分 別設於每一像素；一絕緣層（6 6，6 8 )，具有一不規則構造 的表面；以及一反射膜（70)，形成於該絕緣膜上，且具有 一取決於該絕緣膜之不規則表面之不規則構造的表面；以 及一液晶層，設於該第一基板與該反射膜間，其特徵為： 二上電極（62)，設於每一像素且位於一設有該反射膜 的區域中，該上電極係電連接至該開關元件之一源極 極；以及 下電極（58)，設於該第二基板與該下絕緣膜間 電極與該上電極形成一儲存電容 2:如申請專利範圍第1項之 該絕緣膜之不規則構造的表 出部，以及由線形突出部所 主動矩陣定址反射LCD，其中 面包含複數個實質上線形的突 環繞的複數個凹槽。 其中一申給\專利乾圍第1或第2項之主動矩陣定址反射LCD， 晶體之；ί電U = 一薄膜電晶體，該薄膜電 —閑極絕緣層，且it，閘極線，且該下絕緣層功用如同 線係分配至相鄰於；：=極轉合至-間極線，該閑極 、、、口疋的像素之一像素。

   第27頁 574555 修正 ^S911〇2736 六、申請專利範圍 該下絕緣膜之表面上於一設有該反射膜的區域中不具有階 梯。 5·如申請專利範圍第1項之主動矩陣定址反射LCD，其中 該絕緣層包含· 一第《一層，由光刻術圖案化以使其表面具 有不規則構造；以及一第二層，形成於該第一層上，以模 仿該第一層之不規則表面。 6.如申請專利範圍第1項之主動矩陣定址反射LCD，其中 該反射膜電係經由設於該絕緣層中的一接觸孔耦合至該上 電極或該源極電極。 7·如申請專利範圍第1項之主動矩陣定址反射LCD，其中 該源極電極電連接至該反射膜。 8· —種主動矩陣定址反射LCD之製造方法，包含下列步 驟： (a) 形成一反射層（62)於一基板（56)上； (b) 形成一絕緣層（6 6 )於該反射層上，隨後藉由曝照 圖案化該絕緣層以提供不規則於該絕緣層之表面上；以及 (c) 形成一反射膜（70)於該絕緣膜上’ 其中該絕緣層係藉著由該反射層所反射的光之協助而 圖案化。 Η 第28頁 574555

   六、申請專利範圍 9.如申請專利範圍第8項之主動矩陣定址反射lcd之製造 方法，其中該反射層（62)係形成為使得其表面平坦化。 1〇.如申請專利範圍第8或第9項之主動矩陣定址反射lcd 之製造方法’其中該反射層(62)係用作為建立於該反射式 LCD之每一像素中之一儲存電容之兩電極中之一個。 11.如申請專利範圍第8項之主動矩陣定址反射lcd之製造 方法，其中步驟（b)包含：

   藉由曝照圖案化一第一光阻層以形成一預定的不規則 性於該第一光阻層之一表面上；以及 形成一第二光阻層於該圖案化的第一光阻層上，藉以 形成不規則於該第二光阻層之一表面上。 12·如申凊專利範圍第8項之主動矩陣定址反射lcd之製造 方法，其中步驟（b)包含： 於低強度的曝照光下曝照一光阻層，以形成一預定的 不規則性於該光阻層上；以及 於高強度的曝照光下曝照該光阻層，以形成一接觸 孔0