TW495630B - Thin film transistor, a method for producing the thin film transistor, and a liquid crystal display using a array substrate - Google Patents

Thin film transistor, a method for producing the thin film transistor, and a liquid crystal display using a array substrate Download PDF

Info

Publication number
TW495630B
TW495630B TW087119723A TW87119723A TW495630B TW 495630 B TW495630 B TW 495630B TW 087119723 A TW087119723 A TW 087119723A TW 87119723 A TW87119723 A TW 87119723A TW 495630 B TW495630 B TW 495630B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electrode
layer
film
transparent
thin film
Prior art date
Application number
TW087119723A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuhiro Nakamura
Masaru Yamada
Kazunori Inoue
Kazuyuki Sakata
Toru Takeguchi
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Advanced Display Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp, Advanced Display Kk filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Application granted granted Critical
Publication of TW495630B publication Critical patent/TW495630B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/45—Ohmic electrodes
    • H01L29/456—Ohmic electrodes on silicon
    • H01L29/458—Ohmic electrodes on silicon for thin film silicon, e.g. source or drain electrode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
    • H01L29/41733—Source or drain electrodes for field effect devices for thin film transistors with insulated gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
    • H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
    • H01L29/66765—Lateral single gate single channel transistors with inverted structure, i.e. the channel layer is formed after the gate
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Description

495630 五、發明說明（1) [發明之領域] 本發明係關於一種使用薄膜電晶體（Th i n F i 1 m Trans i stor,以下稱為TFT)及其製造方法及薄膜電晶體陣 列基板的液晶顯示裝置。 [發明之背景] 矩陣型液晶顯示裝置（matrix type liquid crystal display)上，裝設有TFT(通常自半導體薄膜（以下稱為半 導體膜）等變成）的TFT陣列基板及相對基板及液晶等顯示 材料係挟持在2片基板之間，面對該顯示材料，將電壓選 擇地施加在晝素等上而構成液晶顯示裝置。在相對基板上 裝設有相對電極、彩色濾光片（c 0 1 0 r f i 11 e r)及黑矩陣 (black matrix)，此種用TFT陣列基板的液晶顯示裝置 (Liquid Crystal Display，以下略記為 LCD)以下稱為 TFT -LCD。 TFT陣列基板係最少裝設有絕緣性基板（由玻璃轉變成） 上連同各素子以陣列狀排列的閘電極（g a t e e 1 e c t r 〇 d e )、 源電極（source electrode)、没電極（drain electrode) 及晝素電極（在TFT列自半導體膜轉變成的晝素電極）。此 外’既於配向膜或必要對應的蓄積容量等被裝設，又在各 晝素彼此之間，閘極配線（g a t e w i r i n g)或源極配線（ source wiri ng)等的信號線每個互相地且並行地裝設有各 數條’而構成顯示領域。另外，顯示領域的外侧處，對應 在各信號線而裝設有每個輸入端子或驅動TFT的驅動電路 等。
495630 五、發明說明（2) 此種使用T F T陣列基板的液晶裝置在製 板上製造陣列狀的TFT、閘極（閘極電極% 所謂單閘極）、源極/汲極（源極電極與源 謂單源極，此外所謂汲極電極的單汲極， 極及汲極的源極/汲極）及其他的共通配麟 示領域’在顯示領域的周邊處配置輸入綠 驅動電路等。此時，為了發現各別的機能 配設導電性薄膜（以下，稱為導電膜）或絕 下’稱為絕緣膜）。另外，在相對基板上 電極’又要裝設濾光片（c〇l〇r 、 matrix) ° 在製造TFT陣列基板及相對基板之後，) 間注入液晶材料，使其存有所欲求的間隙 周邊處將兩基板的貼合之後，將液晶材料 間隙，而製成LCD。 在LCD上被使用的TFT陣列基板或相對基 技術，且要裝設種種半導體裝置。在此半 成設置半導體膜或絕緣膜、導電膜，而為 氣連接，形成接觸孔（c〇ntact h〇le) 緣膜或半導體膜。 至於TFT-LCD，隨著大型化或高精細化后 止在閘極配線或源極/汲極配線上的信號5 製程的角度上希望主成分為純鋁或鋁合金 合金材料被使用。然而，產自ΙΤ0等（轉變 造時，在玻璃基 务閘極配線配合， 極配線配合，戶斤 其他，所表示源、 L ’ 一起當成為顯 丨子、預備配線及 必要地對應及 •緣性薄膜（以 ，既要裝設相對 黑底件（b 1 a c k 备在兩片基板之 的狀態，再在其 >主入兩片基板的 板上要利用薄膜 導體裝置上，形 了達致層間的電 觸孔貫穿層間絕 Θ演變’為了防 έ遲’自特性及 的電氣低阻抗的 成透明性的畫素 495630 五、發明說明（3) ------- 第2電極與產自那種純紹或铭合金的第1電極係被 田成接』（contact)，因為該接點電阻值變成1()><1〇1 1 · 0 X 1 Ο!2歐姆非常高，故不能獲得良好的接點特性。 因此，經由在絕緣膜上形成開口的接觸孔^⑽“。 h 1 e )，將第1電極（自純鋁或者自鋁合金製成）與第2電極 (產自ιτο等的透明性導電膜，該IT〇變成晝素電極）直接連 接，而不可能實現製成TFT陣列基板。 解決此問題的方法為，過去為了獲得良好的接點，第i 電極是2層構造，係在純鋁或鋁合金上形成鉻、鈦、鉬、 銅、鎳等膜，例如，請參閱特開平第4_253342 及8- 1 8 0 58號公報。 此種以前的製造方法中，第2電極（產自IT〇等）與第i電 極（產^純鋁或鋁合金）的接觸電極（c〇ntact resistance) 非常咼，有1X1 至1 X1 012歐姆，不能獲得良好的接觸電 阻。另外，為了獲得良好的接點，2層構造中材料上與第工 電極不同的情況下，不可能使用相同藥水及同時蝕刻、 (etching)，因有2種的藥水，必要進行2次的蝕刻步驟， 使得製程複雜化。本發明中，第2電極與第丨電極的接點部 ^contact portion)既能獲得良好的接觸電阻，又因用與 第1電極相同藥水，故能同時蝕刻出可能的2層構造，使用 低電阻值的鋁配線材料，產生成本降低，生產性提高，提 供高性能的TFT及其製造方法及液晶顯示裝置。 [發明之概述] 本發明的第1請求項係關於薄膜電晶體的製造方法，直
第7頁 11 495630 五、發明說明（4) 至少包含下列步驟： (1)在透明絕緣性基板上，使用純鋁及鋁合金之一 形1在閉極、源極及汲極中至少丨個的第丨電極的工程； 在产上、1電極的上層處添加不純物，該不純物衍生 二的Λ、工r及二,中至少一種，添加上述不純物的ΐ 第Γ二力^ 程； 上述基板，形成絕緣膜的成膜工 (4 )在該絕緣膜上形成圖 · 的工程； 成Ώ，形成接觸孔 赶緣膜上形成—種產自透明膜電極的第2電 :程經由該第2電極與約電極及上述接觸孔，；^接 ft ^ 1的*第2凊求項係關於薄膜電晶體，係至少包人· 成為第1電極的閘極、源才 3 · 上形成第1電極； '、及及極，在透明絕緣性基板 而ί ί膜丨覆盡在該第1電極及上述透明絕緣性基板上 層Γ第轉Ϊ:成=絕#緣膜上，上述第1電極是自第i 成的:層;該二層 T何生自鼠、氧、矽及碳的不純物 二口至> 生U明膜電㉟，上述第2電極與第^=2電極係衍 本發明的第3請求項係關薄膜電晶體’電乳連接。 ^ T 上述不純 495630 五、發明說明（5) 物的組成分佈圖是在上述盥 分佈。 〃、上迷弟2層的界面上連續 本發明的第4請求項係關於薄膜電晶 逑第2層係為可能同時進行㈣的層。體’上述第1層與上 本發明的第5請求項係關於薄膜 ;是衍生自氧化銦、氧化錫、氧化銦锡體及’二
本發明的第6請求項係關於液晶顯 陣列基板，該TFT陣列基板至少包含愈，至少有TFT ==明％緣性基板上形成-成為㈣極的閘； 成絕緣膜，其覆蓋該第i電極及上述透明絕緣性基板而形 在該絕緣膜上形成的第2電極。上述第丨電極是自 及第2層轉變成，第丨層係自純鋁或鋁合金之中—者曰 的:層；該第2〃層係於純鋁及鋁合金中之一者添加至少'、一 種衍生自氮、氧、矽及碳的不純物。上述第2電極係衍生 自透明膜電極，上述第2電極與第1電極是電氣連接。 上述第2層是氬加上氮的混合氣體被喷濺（sputtering) 而形成。 上述第2層是Ar +N2 +C02 & Ar +N2 +CF4中混合氣體的一 者被喷濺而形成。 上述第2層是至少衍生自純鋁及鋁合金之一者中的第1層 成膜後，佈植氮離子（N2 ion)而形成。
第9頁 495630
ΐ;ί2Λ是在上述⑷的工程後’佈植氣離子，形成在 上述第2層是在第1層形成後，在氮化物氣體氣氛中 退火（anneal ing)而形成。 订 上述第2層是在上述（4 )工程後，在氮化物氣體氣氛 火’形成在接點部表面上而製成。 上述第2層是在第1層形成後，依據氮電漿而形成。 對於上述第2層的不純物添加方法，係使用一含有氮 替氧的氣體，-含有石夕的氣體及一含有碳的氣體而衍變 形成而衍變 上述第2層是依據Ar + NH3的混合氣體喷濺 成0 上述第2層是在第丨層形成後，已形成該第丨層的透明 緣性基板浸潰在NHJH中，此後，實施退火處理而形成： 第1請求項中記載工程（3)的絕緣膜形成工程中，該絕 膜是氮化矽形成，依據擴散法第丨電極表面（係衍生自x ^鋁 及鋁合金中一者）上形成不純物矽及氮，而形成第2層、、。、 '使用上述絕緣膜的氮化矽膜，使用SiH4、&、 混合氣體’使用化學氣相成長法來成長，在第i層的表2面 上擴散矽及氮而形成第2層。 成為至少2層構造的上述絕緣膜的氮化矽，只要有利， 使用初段的氮化矽膜，使用ΜΙΙΑ及h+Ch衍生的 >昆合氣體’進行化學氣相成長法而形成。 第1請求項的工程（3)的絕緣膜形成工程中，該絕緣膜是
第10頁 495630 五、發明說明（7) 氧化石夕’依據擴散法，在第1電極表面（自純鋁及鋁合贪么 一者轉變成）上加上矽及氧不純物，而形成第2層。 第1請求項所記載的工程（5 )為自透明膜電極轉變成的第 2電極形成工程。該第2電極係依據至少含氬氣體使用噴滅 ，形成第1層，再依據Ar + 〇2的混合氣體使用喷濺法形成 第2層而形成，且該第2電極的第1層是電氣連接至上述第1 電極的第2層。 [圖式之簡單說明] 圖1顯示本發明第1形態實例的TFT部及端子部的構造的 剖面圖。 圖2顯不本發明第1形態實例的TFT部及端子部的.構造的 剖面圖。 圖3顯不本發明第1形態實例的TFT部及端子部的構造的 剖圖。 圖4顯示本發明第3形態實例的TFT部及端子部的構造的 剖面圖。 圖5顯不本發明第9形態實例的TFT及端子部的構造的剖 面圖。 圖6顯不本發明第1丨形態實例的TF τ及端子部的構造的剖 面圖。 [發明之詳細說明] 以下參照附圖詳細說明本發明的實施形態。 實施形態1 圖1、圖2及圖3係關於本發明的TF τ陣列基板的TF T部及
495630 五、發明說明（8) 端子部的製造工程的依序工程斷面說明圖。在圖丨、圖2及 圖3中，元件編號21是TFT部，22是端子部，1是透明性絕 緣基板’ 2是第1電極（TF T部的第1電極為閘極電極）的第j 層’ 3疋第1電極的第2層’ 4是閘極絕緣膜，5是半導體層 非晶石夕膜，6是半導體層n+非晶矽膜，7是第1電極（TFT部S 的第1電極是源極/汲極電極）的第丨層。8是第丨電極的第2 層，9是層間絕緣膜，10是接觸孔、u是第2電極（晝素電 極）。TFT部21是設置在TFT陣列基板上相互垂直相交的閘 極配線及源極配線（圖中一起顯示）的交差部附近，構成一 驅動液晶的切換元件（switching element)部份。端子 2 2 :伸在閘極配線’配置在顯示板的外側 極外部輸入信號。 】目W往电 用的製造順序。在透明性絕緣基板1上使 中=及閘極雷刻,液(，chant)進⑽ 1(0)。關:成為形成端子部（請參照圖 法（以下稱CVD)等，*Λ 述。其次使用化學氣相成長 自氮化石夕（Si Νχ)咬1 /度約4 0 00埃的閘極絕緣膜4，其 案化，依次形成rsl〇2)轉變成，將半導體層圖 阻的半導體層n+ f非曰曰石夕膜5(厚度約1500埃）、低電 非日日矽膜6(厚度約30 0埃）’請參照圖1 ^630
其他，使用喷潑、、土 銘合金（第】電極材料）膜再，—進次形円成/度約3_埃的純1呂或 部(channei p〇rd:圖案化，在電晶體的通道 ^ , , . _ ^ n)排處形成源極/汲極電極部。在此 處’成為下層膜的第1雷士 成為上層膜的第1電極（、// 汲極電極）的第1層7，與 m H , ^ . .電極（源極/汲極電極）的第2層8的2層結 稱疋本發明的特徼，彬士 +、丄>、 ^成方法祝明於下文（請參照圖2 () 孔“二接：f f :絕緣膜9之後，進行圖案化，形成接觸 . 閘極端子部及TFT的汲極電極部處形 而膝了曰間絕緣膜9能依據（例如）CVD法將氮化矽膜戋 透明性樹脂等之一者或兩者組合而形成(請夕 mi〇( ^ (第2電極）"，獲得m陣列基板丁。圖晝案素化電極开^ ::彖膜的接觸孔10，與閘極電極、源極/汲極電疋極； ，成）的各個上層膜（即是第1電極（閘極電㈤ 接弟層3、弟1電極（源極/汲極電極）的第2層8)電氣連 施，，使用噴濺法，使用W電極材料的純叙或 成閘極電極及端子部之時，首先使用純氬氣 ―形成厚度約2 0 0 0埃的第1電極的第2層2，其次連浐 之’使用Ar+h混合氣體，形成厚度約25〇埃的第丄電^的 495630 五、發明說明（ίο) 第2層3 ’此第2層的鋁膜，為了進行氮氣的反岸 =-膜’該膜添加有氮元素。源極/汲極電極 況 也用同樣的方法’成為純鋁或鋁合金 第1層7(約20 00埃），盘成為上㈣V層膜的第2電極的 2電極的第2層8(約50埃）被形成。 鼠疋素）的第 陳ίΐΓ形態所•適用的成膜條件顯示於表1，依此，在TFT 車板(依此氩造的）的接觸孔1〇上， Ϊ = 電極(自1T〇等的透明導膜轉變成)的 =表面部的電氣電阻值（接觸電阻值）在接觸表面部約5〇 被未/面積約為3 5 0歐姆，為低的良好值。 此^，在川陣列基板上進行25〇。〇 χ6〇分鐘的熱處理 二：同接觸電阻值約7 50歐姆…卜，進行3〇(rcx6〇分 的熱處理後，相同接觸電阻值約80(3歐姆。與以前技術 21^10〜1E12歐姆比較下，電阻值極低，具有優良的耐 熱性。 ;、彳對於表1的成膜條件的參數值（parameter)係依據 f置而本身各自最適化，不應限定此值。但是，對比於參 ^ $的接觸電阻值的傾向為，第2層的成膜壓力愈高，可 觀察到接觸電阻值傾向於變小。 此外’為了獲得良好的接觸電阻，在本實施形態中，第 1電極的第2層的膜厚為2 5 0埃，較好是限定在50至1 〇〇〇 埃。埃以下的範圍，要抑制氧原子在I TO與鋁的界面之 間擴散是很困難的，此外，1〇〇〇埃以上的範圍時，電極全 體的電阻值提高，若使用鋁的情況，不能享受配線具有低
第14頁 495630 五、發明說明（11) 電阻值的優點 埃。 (merit) 表1 此 外，比較好的厚度是100至500 喷濺成膜條件 -------- 成膜壓力（Pa) 第1層 〇727 _—____ 〇· 2 〜〇· 68 流量（s c c m ) 40 Ν 2 · 1 0 〜4 0 成膜功率（KW) 10 —~---— 1〜10 成膜溫度（°c) 175 175 — 成膜膜厚（A) 2000 〜3000 一———. 100 〜500 λ丄 > 上 八川不丄电徑材料 = :，在閘極電極及端子部排之位置形成源極/ 極電極之時，自使用氬氣體，形成第1層的膜，繼诗借 用Ar+l混合氣體，形成第2層的膜的2階段喷濺工程# 氬氣體當做初期的氣體，漸漸增加氮氣的添加量，=吏用、、^ 疋很好的方法。此情況下，愈朝向鋁 層部（與第2電極的接觸表面部），氮元素的添加量命大、 變成有連續組成分佈的膜。 被大 此外，鋁轉變成第1電極材料的主體，可使用純鋁，以 續圖案法形成 鋁當做主成份”,金。鋁合金中添加的元素能抑制：鎖 電阻不超過10// Qcm的程度後要抑止才好 (,Μ1 ^ 但是，本實 施形態，依據Ar + &混合氣體喷濺法，膜的
第15頁 495630 五、發明說明（12) 上層部處，部份地氮化鋁（A 1 Νχ )所形成的膜位置，加蓋（ capped )2層構造膜的情況下，可能同時進行蝕刻，使用純 紹的情況下能防止山鎖（hi 1 1 1 〇 c k )發生，此外，耐食性 提南而有顯著效果。為此，特別使用具有耐山鎖性優良的 銘a金’能貫現製出信賴性很高τ ρ τ陣列，是本實施形態 很大優點。 下文中，實施形態2- 1 〇是使用實施形態i，為了使第1電 極材料的紹膜與第2電極材料的丨τ〇膜具有低的接觸電阻， 除了形成第1電極鋁的第2層以外，亦都能達成實施形態i 相同的效果。因此，第i電極鋁的第2層的形成方法只 至此。 實施形態2 圖1、圖2及圖3的TFF陣列製造方法中，第j電極使用純 鋁或鋁合金使用喷濺法在純氬氣體中成膜後，使用離子摻 法或離子佈植法，將氮離子佈植，添加氮 的苐2層（即第1電極的第2層3及第2 f極的第2層被形 t，形成電極。而佈植劑量(d〇se)仍為MB〜 11 ί / cmd 〇 沒有比氮 此外，離子種類為硼離子、磷離子之情況下 離子更顯著且具有同樣的接觸降低效果。 實施形態3 係關：士實施形態的TFT部及端子部的構造 明圖。在圖4中，ί 2是右ω+ 4叫的構U的剖面言 1 ]曰右關於、有關於閘極電極上接觸部的第2層< 有 源極/汲極電極上接觸部的第2層，42及47是負
第16頁 495630
1電極，其他的符號與圖i相通用。 中，使用第1電極（用純鋁或鋁合金轉、 列—製^造方法 據噴濺法成膜後，形成圖案，再形 < 、、，氬氣體依 ι“)之形成開口的接觸孔10之；”吏=;=9,在圖 ，第2層在各個第i電極的接觸 =2層。因此，在本實施形態中，圖2所顯示= 子而 =的第2層（即，有關於閘極電極上接觸部的第2声12 關於源極/汲極電極上接觸部的第2層13)的構造丄 1 =部份的本體，該本體係連接至自{ τ〇膜轉變的晝素電極 實施形態4 在實施形態2及實施形態3的^丁製造方法中，第i電極 L自純鋁或鋁合金轉變成）的第2層不進行離子摻雜，而於 氮化氣體的氣氛中進行熱處理就形成。 、 熱處理在溫度3 0 〇至4 5 0 °C時間3 0至9 0分鐘的條件下進 行’在氮化氣體中，使用氮氣或氨氣，除此之外，亦能使 用甲基肼（methyl hydrazine)、肼（hydrazine)及乙基苯 胺（ethyl ani line)等氣體，在此情況下，利用低溫短時間 的熱處理有效率形成AINx的第2層亦可能形成。 實施形態5 在實施形態2及實施形態3的TF T製造方法中，第1電極 (自純紹或鋁合金轉變成）的第2層不進行離子摻雜，係依 據氮電漿處理（I plasma)而形成。電漿處理條件為在pe 模式或RIE模式下，功率（pOwer)500W、氮氣壓7-500Pa、
第17頁 五、發明說明（14) 處理時間1 5〜6 0秒。本成膜條件之參數值仍依據處理裝置 而具有本來最適化之值，而不應限定至上述數值。 复施形態6 在貫施形態2及實施形態3的TF T製造方法中，形成第1電 極（自純銘或銘合金製成）的第2層，將TFT陣列基板浸入氨 水gammon i a)中’以將第1電極浸入氨水而形成。此後，浸 入ll水中後’實施形態4的爐氮化氣體氣氛中進行熱處理 較好。 實施形態7 在實施形態1所顯示的TFT製造方法中，對於第1電極（自 純1呂或1呂合金轉變成）的形成係先使用純氬氣體，使用喷 濺法形成第1層的膜，其次，依據反應性喷濺法（使用Ar + NH3混合氣體，形成第2層的膜之後，進行圖案化，形成電 才系〇 其次，除此之外，在形成第2層的膜之時，要形成混合 氣體，在使用Ar +02，Ar +n2 +c〇2，Ar +n2 +CF4之情況口下 又再此種氣體中添加S i L的情形下，也可獲得低接觸電阻 效果。因此，在第2層的鋁中，將不純物氮、氧或氮+碳 +氧+矽添加進入情況下，能充分獲得本發明的效果。 實方^羞農^ 實施形態1所顯示的TFT製造方法中，依據使用純氬氣體 的喷濺法’在第1電極（自純鋁或鋁合金轉變成，閘極電 極、源極/汲極電極）上，當做閘極絕緣膜及層間絕緣膜是 形成在各種第1電極上，利用電漿CVD法使用siH4 +H2 +NH3
495630 五、發明說明（15) +〜奶合亂體’形成氮化矽膜，利用界面擴散、去 氮元素，而形成第極的第2層。，面擴放法添加石夕及 實施形態9 日 圖5疋關於本發明實施形態9的tft部及端子 明圖。1 4是閘極絕緣膜 ϋ 、』面祝 声，1 6是戶門绍从2 弟曰1 5疋閘極絕緣膜的第2 層1 6疋層間、、、邑緣膜的第 其”號與圖i至圖4共通用。 門、、邑緣膜的第2層， ，ί二中，在第1電極（自純銘或铭合金轉變成）上 ”…曰IT 於如圖5巾，成為2層以上，特別 Γ另：「膜，利用電簡法在SiH4+H肩+N“昆 ^二刹 _σ ^CF4的混合氣體中進行。攙入eh氣體之此 鼠兀”豆备成為化學上不安定的氮化石夕膜，因為 能形成閘極絕緣膜的第1層14及閘極絕緣膜的第2層16，矽 及氮元素的擴散更容易，效率更好，已添加矽及氮元素的 第1電極的第2層就能被形成。 實施形態1 0 實施形態8的FFT陣列製造方法中，氧化矽Si 02成為閘極 絕緣膜及層間絕緣膜，依據界面擴散法添加矽及氧元素， 形成第1電極的第2層，能獲得同樣的接觸電阻減低效果。 實施形態11 圖6係關於本發明實施形態11的TF T部及端子部的剖面說 明圖。18是自IT0轉變的晝素電極的第1層，19是自I TO轉 變的晝素電極的第2層。其他的符號是與圖1至圖5共同通 用。圖1中所顯示實施形態1的TFT陣列製造方法中，圖
第19頁 495630 五、發明說明（16) 1(c)的ΙΤ0膜的自透明性導電酸化膜轉變的第2電極（晝素 電極11)成為2層構造，使用畫素電極的第1層18使用純氬 氣體的喷濺法形成約50 0埃的膜，此後，使用Ar + 〇2氣體 的以前方法被使用，形成厚度約5 0 0埃的畫素電極的第2層 19 〇 這樣’接近第1電極（自純無或紹合金轉變成），按照稀 少進行的初期的ΙΤ0膜的氧元素量，依據氧元素擴散的第1 電極界面處的A1 x0y的形成能被抑制住，能實現獲得數百至 數千歐姆的低接觸電阻值。 第2電極（自ΙΤ0等轉變）的第1層的膜厚在至埃的 範圍是理想的。此為未滿100埃時，接觸減低效果不充 t &此外，氧元素少的1 το膜的比電阻很高，且為了使得
ItH數^ranSmiSSi〇n fact〇r)也低，要很厚的話，對 復。陣列’光的透射係數降低，特性也惡化地不能恢 的場人的：i11 ’第1電極材料使用純鋁或鋁合金 發明有關的效果不限於此說明如下’與本 ，可用•，而第2的電例如ς，第1的電極 之—者為主，使用1扯沾、泰口1n2〇3、Sn02、ΖηΟ等中 ，樣的效果明性氧化導電膜的場合亦能達 # =上說明之實例形態1至1 1中之一者# 被使用時’有對向.電極或彩 者所形成TFT陣列基板 …九片4的相對基板貼合至 495630 五、發明說明（17) —一· 其’另外，將液晶材料注入挾持，獲得TFT主動式矩陣型（ active matrix)液晶顯示裝置，即，若本實施形態者較好 的話，TFT陣列基板的配線或電極的低電阻配線採“用艇' 主成分鋁以外的金屬的別金屬層仍不被裝設，晝素電極 (自IT0透明膜轉變成）與鋁直接連接的構造存有之故，因 鬲開口率，具有高性能，且比起以前裝置，生產性更佳， 成本低，能獲得優良的液晶顯示裝置。 ’ 本發明的第1請求項係關於薄膜電晶體的製造方法，兑 至少包含下列步驟： /、 /(1)在透明絕緣性基板上，使用純鋁及鋁合金之一者， t成在閘極、源極及没極中至少1個的第1電極的工程； (^2)在^上述第1電極的上層處添加不純物，該不純物衍生 i虱、/氧、矽及碳之中至少一種，添加上述不純物的第2 θ的形成+工程，不添加上述不純物的第1層的形成工程； (3) 覆蓋上述第i電極及上述基板，形成絕緣膜的成膜工 程； ' (4) 在該絕緣膜上形成圖案，形成接觸孔的工程； (5) 在上述絕緣膜上形成一種產自透明膜電極的第2電 】尹經ί Ξ第2電極與第1電極及上述接觸孔，以完成連接 , 此只現與ιτο荨直接地低接觸電阻的薄膜電晶體， 也容易獲得，效果達到。 本發明的第2請求項係關於薄膜電晶體，係至少包含： 成為第1電極的閘極、源極及汲極，在透明絕 上形成第1電極； 土攸
第21頁 495630 五、發明說明（18) 絕緣膜，其覆蓋在該第1電極及上述透明絕緣性基板 而形成； 第2電極，其形成在該絕緣膜上。上述第1電極是自第工 層及第2層轉變成，第丨層係自純鋁或鋁合金之中一者轉織 成的下層；該第2層係於純鋁及鋁合金中之一者添加至少欠 一種衍生自氮、氧、矽及不純物。上述第2電極係衍生自 ，明膜電極，上述第2電極與第1電極是電氣連接。所獲 薄膜電晶體具有與IT0等直接連接的低接觸電阻，達成上、 述效果。 本發明的第3請求項係關於薄膜電晶體，其中，上述 ^物的組成分佈圖是在上述第丨層與上述第2層的界面上 佈，所獲得的薄膜電晶體具有與ΙΤ0等直接連接的低 接觸電阻，達成上述效果。 - ϋ·、if®'的第4請求項係關於薄膜電晶體，上述第1層盥上 =2層係為可能同時進行钕刻的層 電、曰 能使用^的*、包妾連接的低接觸電阻，達成上述效果。 (δύ ^ 且圖案化時的蝕刻問題1次就解決。成膜 =::=。減少)排處侧工程簡略化(-生= 極=!!=項係關於薄膜電晶體，上述透明膜電 者，所獲得的薄i電=錫、氧化銦錫及氧化亞雜中之一 電阻，容易读體具有與1τ〇等直接連接的低接觸 刃逐成上述效果。 冬發明的第6靖、卡s
明水項係關於液晶顯示裝置，其至少有TFT
第22頁 ^5630 五、發明說明（19) 一 ----- 2列基板，該TFT陣列基板至少包含有薄膜電晶體，其至 ^包έ有在透明絕緣性基板上形成一成為第1電極的閘 極、源極及汲極；絕緣膜，其覆蓋該第丨電極及上述透明 絕緣性基板而形成；在該絕緣膜上形成的第2電極。上述 第1電極是自第1層及第2層轉變成，第丨層係自純鋁或鋁合 金之中一者轉變成的下層；該第2層係於純鋁及鋁合金中 之一者添加至少一種衍生自氮、氧、矽及碳的不純物。上 ，第2^電極係衍生自透明膜電極，上述第2電極與第1電極 是電氣連接，所獲得的薄膜電晶體具有與丨τ〇等直接連接 的=接觸電阻、因高開口率具有高性能的顯示特性，且比 以別裝置生產性好，成本低，優良的液晶顯示裝置能達 效果。 上述第2層是依據灶+ &的混合氣體喷濺形成，故ΙΤ〇/ 鋁的低接觸電阻能獲得薄膜電晶體，能達成效果，另外， 使用同一噴濺裝置，只變化同一方法中氣體種類，形成本 發明的2層構造電極，簡略化製法步驟，生產性提高，獲 得效果。 上述第2層是Ar +N2 +C02 AAr +N2 +CF4中混合氣體的一 者被=濺而形成，故IT〇/鋁的低接觸電阻能獲得薄膜電晶 體’能，成效果，另外，使用同一喷濺裝置，只變化同一 方法中氣體種類，形成本發明的2層構造電極，簡略化製 法步驟，生產性提高，獲得效果。 上述第2層是至少衍生自純鋁及鋁合金之一者中的第1層 成膜後’佈植氮離子而形成，故ΙΤ0/鋁的低接觸電阻能獲
第23頁 495630
得薄膜電晶體，能達成效果。 上述第2層是在上述（4)的工程後，佈植氮離子，形成在 接點部表面上，故I T0/鋁的低接觸電阻能獲得薄膜電晶 上述第2層是在第1層形成後，在氮化物氣體氣氛中進行 退火（annealing)而形成，故ιτο /鋁的低接觸電阻能辑得 薄膜電晶體，能達成效果。 * 上述第2層是在上述（4)工程後，在氮化物氣體氣氛中退 火，形成在接點部表面上而製成，故IT〇/鋁的低接觸電阻 能獲得薄膜電晶體，能達成效果。 上述第2層是在第1層形成後，依據氮電漿法而形成，故 IΤ0/紹的低接觸電阻能獲得薄膜電晶體，能達成效果。 上述第2層是在上述（4)的工程後，依據氮電漿法而形成 在接點部表面上而製成，故I τ 0 /鋁的低接觸電阻能獲得薄 膜電晶體，能達成效果。 對於上述第2層的不純物添加方法，係使用一含有氮代 替氧的氣體，一含有矽的氣體及一含有碳的氣體而衍變 成，故ΙΤ0/鋁的低接觸電阻能獲得薄膜電晶體，能達成效 果。 上述第2層是依據Ar + NH3的混合氣體喷濺、形成而衍變 成’故IT 0 /紹的低接觸電阻能獲得薄膜電晶體，能達成效 果。另外，使用同一喷濺裝置，只變化同一方法中氣體的 種類’形成本發明的2層構造電極，簡略化製法步驟， 生產性提高，獲得效果。
第24頁 五、發明說明（21) 上述第2層疋在第1層形成後，已形 緣性基板浸潰在ΝΗ4〇ϋ中，此德，與#成该第1層的透明絕 二1:〇/銘的低接觸電阻能獲得薄J電：火處，而：成， 另外，使用同一喷濺裝置，只變化同—^丄:達成效果。 類，形成本發明的2層構造電極，簡制法中：體的種 性提高，獲得效果。 衣法V驟，生產 *第1請求項中記載工程（3)的絕緣膜形 膜是氮化矽形成，依據擴散法二味Τ絕緣 及叙合金中-者）上形成不純物石夕及氮表:(开；7^純链 I 丁〇/鋁的低接觸雷P日处從/曰— 而开/成弟2層，故 =接觸電阻錢得溥膜電晶體，能 混:緣膜的氮化石夕膜，使用叫4，叫及〜的 上擴i矽f用化學乳相成長法來成長，在第1層的表面 〜二虱而形成第2層。故IT0/鋁的低接觸電阻能獲 付溥膜電晶體，能達成效果。 成為至2層構造的上述絕緣膜的氮化石夕，只要有利， 二1 =段的氮化石夕膜，使用SiH4，Η2，ΝΗ3及\ +CF4衍生的 一疯1體進行化學氣相成長法而形成，故IT 0 /紹的低接 觸，阻t能獲得薄膜電晶體，能達成效果。 ^第1明求項的工程（3)的絕緣膜形成工程中，該絕緣膜是 氧化石夕/據擴散法，在第1電極表面（自純鋁及鋁合金之 一者轉變成）上加上矽及氧不純物，而形成第2層，故ΙΤ0/ #呂的低&接觸電阻能獲得薄膜電晶體，能達成效果。 第1請求項所記載的工程（5 )為自透明膜電極轉變成的第 2電極形成工程。該第2電極係依據至少含氬氣體使用喷濺 第25頁 17 495630 A_ 曰
案號 87119723 五、發明說明（22) 法形成第1層，再依據Ar+02的混合氣體濺法形成 第2層而形成，且該第2電極的第1層是電氣連接至上述第1 電極的第2層，故I T0/鋁的低接觸電阻能獲得薄膜電晶 體，能達成效果。 [元件編號之說明] 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 透明性絕緣基板 第1電極的第1層 第1電極的第2層 閘極絕緣膜 半導體層非晶矽膜 半導體層n+非晶矽膜 第1電極的第1層 第1電極的第1層 層間絕緣膜 接觸孔 第2電極（晝素電極） 閘極電極上接觸部的第2層 源極/汲極電極上接觸部的第2層 閘極絕緣膜的第1層 閘極絕緣膜的第2層 層間絕緣膜的第1層 層間絕緣膜的第2層 自I TO轉變的畫素電極的第1層 自I TO轉變的晝素電極的第2層
87119723.ptc 第26頁 495630
87119723.ptc 第27頁 17495630 案號871197^_年月 日 修正
\\326\2d-\91-05\87119723.ptc 第28頁

Claims (1)

  1. 495630
    案號 87119723 圍 年月曰
    ^ m. i 本·# j 1 · 一種薄膜電晶體的製造方法，係包含下列步驟: (1)在透明絕緣性基板上，使用純鋁及叙合金之一者 形成在閘極、源極及汲極中至少1個的第1電極的工程； (2) 在上述第1電極的上層處添加不純物，該不純物衍生 自氮、氧、矽及碳中之至少一種，並且，在上述之上層 處’形成該添加上述不純物的第2層的形成工程，以及， 該形成不添加上述不純物的第1層的形成工程； (3) 覆蓋上述第1電極及上述基板，形成絕緣膜的成膜工 程； (4) 在該絕緣膜上形成圖案，形成接觸孔的工程； (5 )在上述絕緣膜上形成一種產自透明膜電極的第2電 極’經由该第2電極與第1電極及上述接觸孔，以完成連接 之連接工程。 2. 一種薄膜電晶體，係包含： 成為第1電極的閘極、源極及汲極，係在透明絕緣性基 板上形成有第丨電極； 絕緣膜，係覆蓋在該第1電極及上述透明絕緣性基板上 而形成； ^ 2電極’係形成在該絕緣膜上；此外，上述第1電極是 自第\層及第2層轉變成，第1層係自純鋁或鋁合金之中一 者轉變成的下層；該第2層係於純鋁及鋁合金中之一者添 加至y 種柯生自氮、氧、石夕及碳的不純物，上述第2電 極係衍生自透明膜電極，上述第2電極與第1電極是電氣連 接0
    87119723.ptc 第29頁 495630 修正 θ i 號 871197乃 六、申請專利範圍 3.如申請專利範圍第2項之薄膜 純物的組成分佈圓是在上述第 日日 /、中，上述 連續分佈。 …述第1層與上述第2層的界面攻上不呈 4·如申請專利範圍第2項之薄膜電晶體，， 層與上述第2層係為可同時進行蝕刻的層。 ，上述第j 5. 如申言:專利範圍第2項之薄膜電晶； 明膜電極是衍生自氧化銦、氧化 ’上$ 中之一者。 A化錫、乳化銦錫及氣化〜、 6. —種液晶顯示裝置，係為具備有該 之TFT陣列基板之液晶_ ; #里 缚膜電 少包含有 而該薄膜電晶體，係至 在透明絕緣性基板上形成一成為 及汲極； 柯極、源極 絕緣膜，係覆蓋住該第！電極及上述透明絕 形成； $性基板而 在該絕緣膜上形成的第2電極，上述第丨電極 及第2層轉變成，第〗層係自純鋁或鋁合金之中一^ = 1層 的：層？第2層係於純銘及铭合金中之一者添加至轉少變—成 種何生自氮、氡、矽及碳的不純物，上述第2電極 自透明膜電極’上述第2電極與第丨電極是電氣連接、。’ 87119723.ptc 第30頁
TW087119723A 1998-03-31 1998-11-27 Thin film transistor, a method for producing the thin film transistor, and a liquid crystal display using a array substrate TW495630B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP08629298A JP4663829B2 (ja) 1998-03-31 1998-03-31 薄膜トランジスタおよび該薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW495630B true TW495630B (en) 2002-07-21

Family

ID=13882773

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW087119723A TW495630B (en) 1998-03-31 1998-11-27 Thin film transistor, a method for producing the thin film transistor, and a liquid crystal display using a array substrate

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6252247B1 (zh)
JP (1) JP4663829B2 (zh)
KR (1) KR100322377B1 (zh)
TW (1) TW495630B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI490360B (zh) * 2011-06-13 2015-07-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 鍍膜件及其製造方法
CN109565115B (zh) * 2016-08-17 2021-03-09 夏普株式会社 扫描天线用液晶单元及扫描天线用液晶单元的制造方法

Families Citing this family (99)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100303446B1 (ko) * 1998-10-29 2002-10-04 삼성전자 주식회사 액정표시장치용박막트랜지스터기판의제조방법
US6537427B1 (en) * 1999-02-04 2003-03-25 Micron Technology, Inc. Deposition of smooth aluminum films
KR100333273B1 (ko) * 1999-08-02 2002-04-24 구본준, 론 위라하디락사 박막트랜지스터형 액정표시장치의 어레이기판과 그 제조방법
JP4190118B2 (ja) * 1999-12-17 2008-12-03 三菱電機株式会社 半導体装置、液晶表示装置および半導体装置の製造方法
TW451447B (en) * 1999-12-31 2001-08-21 Samsung Electronics Co Ltd Contact structures of wirings and methods for manufacturing the same, and thin film transistor array panels including the same and methods for manufacturing the same
US6885064B2 (en) * 2000-01-07 2005-04-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Contact structure of wiring and a method for manufacturing the same
KR100344777B1 (ko) * 2000-02-28 2002-07-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막트랜지스터를 포함하는 소자 제조방법
JP2001281698A (ja) * 2000-03-30 2001-10-10 Advanced Display Inc 電気光学素子の製法
JP2001343659A (ja) * 2000-06-02 2001-12-14 Casio Comput Co Ltd アクティブマトリクス型液晶表示パネルおよびその製造方法
JP4777500B2 (ja) * 2000-06-19 2011-09-21 三菱電機株式会社 アレイ基板およびそれを用いた表示装置ならびにアレイ基板の製造方法
KR100751185B1 (ko) * 2000-08-08 2007-08-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
TW521352B (en) * 2000-09-11 2003-02-21 Hannstar Display Corp Method of preventing corrosion of metal wire
KR100783696B1 (ko) * 2000-12-27 2007-12-07 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR100843472B1 (ko) * 2001-03-20 2008-07-03 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그의 제조방법
KR100495702B1 (ko) * 2001-04-13 2005-06-14 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP4920140B2 (ja) * 2001-05-18 2012-04-18 ゲットナー・ファンデーション・エルエルシー 液晶表示装置及びその製造方法
KR100740937B1 (ko) * 2001-05-23 2007-07-19 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
US6525342B2 (en) * 2001-05-23 2003-02-25 International Business Machines Corporation Low resistance wiring in the periphery region of displays
JP2003017706A (ja) * 2001-07-02 2003-01-17 Idemitsu Kosan Co Ltd Ｔｆｔ基板、それを用いた液晶表示装置及びその製造方法
KR100473225B1 (ko) * 2001-12-31 2005-03-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 알루미늄 금속층과 투명도전성 금속층의 접촉구조와 그를 위한 제조방법
KR100786835B1 (ko) * 2002-01-21 2007-12-20 삼성에스디아이 주식회사 액정 표시 소자와 이의 제조 방법
TWI245071B (en) * 2002-04-24 2005-12-11 Mitsubishi Chem Corp Etchant and method of etching
JP3992569B2 (ja) * 2002-08-30 2007-10-17 株式会社アドバンスト・ディスプレイ 液晶表示装置
JP2006339666A (ja) * 2002-12-19 2006-12-14 Kobe Steel Ltd アルミニウム合金膜形成用スパッタリングターゲット
JP3940385B2 (ja) * 2002-12-19 2007-07-04 株式会社神戸製鋼所 表示デバイスおよびその製法
KR100904524B1 (ko) 2002-12-31 2009-06-25 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
TWI233178B (en) * 2003-01-16 2005-05-21 Chi Mei Optoelectronics Corp Gate layer having no hillock and its manufacturing method
US7598593B2 (en) * 2003-07-16 2009-10-06 Showa Denko K.K. N-type ohmic electrode for n-type group III nitride semiconductor, semiconductor light-emitting device with the electrode, and method for forming n-type ohmic electrode
JP2005062802A (ja) * 2003-07-28 2005-03-10 Advanced Display Inc 薄膜トランジスタアレイ基板の製法
CN1918672B (zh) 2004-03-09 2012-10-03 出光兴产株式会社 薄膜晶体管、薄膜晶体管基板、液晶显示装置、溅射靶、透明导电膜、透明电极及它们的制造方法
JP4660667B2 (ja) * 2004-03-09 2011-03-30 出光興産株式会社 Ｔｆｔ基板及びスパッタリングターゲット及び液晶表示装置及び画素電極及び透明電極及びｔｆｔ基板の製造方法
US7172913B2 (en) * 2004-03-19 2007-02-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
CN100417993C (zh) * 2004-03-25 2008-09-10 三井金属鉱业株式会社 薄膜电路的接合结构
KR100781434B1 (ko) * 2004-03-25 2007-12-03 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤 박막회로의 접합 구조
JP2005303003A (ja) 2004-04-12 2005-10-27 Kobe Steel Ltd 表示デバイスおよびその製法
JP4541787B2 (ja) * 2004-07-06 2010-09-08 株式会社神戸製鋼所 表示デバイス
KR101112538B1 (ko) 2004-07-27 2012-03-13 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
US7417249B2 (en) * 2004-08-20 2008-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a wiring including an aluminum carbon alloy and titanium or molybdenum
JP4330517B2 (ja) * 2004-11-02 2009-09-16 株式会社神戸製鋼所 Ｃｕ合金薄膜およびＣｕ合金スパッタリングターゲット並びにフラットパネルディスプレイ
KR20060042425A (ko) * 2004-11-09 2006-05-15 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR20060059565A (ko) * 2004-11-29 2006-06-02 삼성전자주식회사 다층 배선, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 박막트랜지스터
JP4579709B2 (ja) * 2005-02-15 2010-11-10 株式会社神戸製鋼所 Ａｌ−Ｎｉ−希土類元素合金スパッタリングターゲット
JP4117001B2 (ja) 2005-02-17 2008-07-09 株式会社神戸製鋼所 薄膜トランジスタ基板、表示デバイス、および表示デバイス用のスパッタリングターゲット
JP2006316339A (ja) * 2005-04-12 2006-11-24 Kobe Steel Ltd Ａｌ系スパッタリングターゲット
JP4542008B2 (ja) * 2005-06-07 2010-09-08 株式会社神戸製鋼所 表示デバイス
JP2007081385A (ja) * 2005-08-17 2007-03-29 Kobe Steel Ltd ソース−ドレイン電極、トランジスタ基板およびその製造方法、並びに表示デバイス
US7411298B2 (en) 2005-08-17 2008-08-12 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) Source/drain electrodes, thin-film transistor substrates, manufacture methods thereof, and display devices
US7683370B2 (en) 2005-08-17 2010-03-23 Kobe Steel, Ltd. Source/drain electrodes, transistor substrates and manufacture methods, thereof, and display devices
KR100796592B1 (ko) * 2005-08-26 2008-01-21 삼성에스디아이 주식회사 박막트랜지스터 및 그 제조 방법
JP2007109916A (ja) * 2005-10-14 2007-04-26 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 素子の製造方法
KR20070071324A (ko) * 2005-12-30 2007-07-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그의 제조방법
US7867636B2 (en) * 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
CN101395296B (zh) 2006-03-06 2012-03-28 陶斯摩有限公司 溅射靶
WO2007102988A2 (en) * 2006-03-06 2007-09-13 Tosoh Smd, Inc. Electronic device, method of manufacture of same and sputtering target
JP4728170B2 (ja) 2006-05-26 2011-07-20 三菱電機株式会社 半導体デバイスおよびアクティブマトリクス型表示装置
US7781767B2 (en) 2006-05-31 2010-08-24 Kobe Steel, Ltd. Thin film transistor substrate and display device
JP2008098611A (ja) 2006-09-15 2008-04-24 Kobe Steel Ltd 表示装置
JP4280277B2 (ja) * 2006-09-28 2009-06-17 株式会社神戸製鋼所 表示デバイスの製法
KR101043508B1 (ko) 2006-10-13 2011-06-23 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 박막 트랜지스터 기판 및 표시 디바이스
JP2008127623A (ja) * 2006-11-20 2008-06-05 Kobelco Kaken:Kk Ａｌ基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP4377906B2 (ja) 2006-11-20 2009-12-02 株式会社コベルコ科研 Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲット、およびその製造方法
JP4170367B2 (ja) 2006-11-30 2008-10-22 株式会社神戸製鋼所 表示デバイス用Ａｌ合金膜、表示デバイス、及びスパッタリングターゲット
JP4355743B2 (ja) 2006-12-04 2009-11-04 株式会社神戸製鋼所 Ｃｕ合金配線膜とそのＣｕ合金配線膜を用いたフラットパネルディスプレイ用ＴＦＴ素子、及びそのＣｕ合金配線膜を作製するためのＣｕ合金スパッタリングターゲット
WO2008099697A1 (ja) * 2007-02-13 2008-08-21 Mitsubishi Electric Corporation 表示装置およびその製造方法
JP4705062B2 (ja) * 2007-03-01 2011-06-22 株式会社神戸製鋼所 配線構造およびその作製方法
JP2009004518A (ja) 2007-06-20 2009-01-08 Kobe Steel Ltd 薄膜トランジスタ基板、および表示デバイス
JP2009010052A (ja) * 2007-06-26 2009-01-15 Kobe Steel Ltd 表示装置の製造方法
US20090001373A1 (en) * 2007-06-26 2009-01-01 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel Ltd.) Electrode of aluminum-alloy film with low contact resistance, method for production thereof, and display unit
JP2009008770A (ja) 2007-06-26 2009-01-15 Kobe Steel Ltd 積層構造およびその製造方法
JP5143649B2 (ja) 2007-07-24 2013-02-13 株式会社コベルコ科研 Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｓｉ系Ａｌ合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
CN101548343A (zh) * 2007-09-05 2009-09-30 株式会社村田制作所 透明导电膜及透明导电膜的制造方法
JP4611417B2 (ja) 2007-12-26 2011-01-12 株式会社神戸製鋼所 反射電極、表示デバイス、および表示デバイスの製造方法
JP4469913B2 (ja) 2008-01-16 2010-06-02 株式会社神戸製鋼所 薄膜トランジスタ基板および表示デバイス
JP5231282B2 (ja) * 2008-02-22 2013-07-10 株式会社神戸製鋼所 タッチパネルセンサー
US20110008640A1 (en) * 2008-03-31 2011-01-13 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel Ltd.) Display device, process for producing the display device, and sputtering target
JP5432550B2 (ja) * 2008-03-31 2014-03-05 株式会社コベルコ科研 Ａｌ基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP5139134B2 (ja) 2008-03-31 2013-02-06 株式会社コベルコ科研 Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｃｕ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP5475260B2 (ja) 2008-04-18 2014-04-16 株式会社神戸製鋼所 配線構造、薄膜トランジスタ基板およびその製造方法、並びに表示装置
KR20100127290A (ko) 2008-04-23 2010-12-03 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 표시 장치용 Ａｌ 합금막, 표시 장치 및 스퍼터링 타깃
CN102077323A (zh) 2008-07-03 2011-05-25 株式会社神户制钢所 配线结构、薄膜晶体管基板及其制造方法、以及显示装置
US20110158845A1 (en) * 2008-07-07 2011-06-30 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Al-Ni ALLOY WIRING ELECTRODE MATERIAL
JP4885914B2 (ja) * 2008-07-16 2012-02-29 三菱電機株式会社 表示装置
JP5393071B2 (ja) * 2008-07-16 2014-01-22 三菱電機株式会社 電子デバイス、及びその製造方法、並びに電子機器
JP2010065317A (ja) * 2008-08-14 2010-03-25 Kobe Steel Ltd 表示装置およびこれに用いるＣｕ合金膜
JP4567091B1 (ja) 2009-01-16 2010-10-20 株式会社神戸製鋼所 表示装置用Ｃｕ合金膜および表示装置
JP5355117B2 (ja) * 2009-02-02 2013-11-27 三菱電機株式会社 半導体装置及びその製造方法、並びに表示装置
WO2011013683A1 (ja) 2009-07-27 2011-02-03 株式会社神戸製鋼所 配線構造および配線構造を備えた表示装置
KR101746198B1 (ko) 2009-09-04 2017-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 전자기기
WO2011043218A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5445207B2 (ja) * 2010-02-17 2014-03-19 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP5096522B2 (ja) * 2010-05-27 2012-12-12 株式会社神戸製鋼所 表示デバイス
WO2013038646A1 (ja) * 2011-09-16 2013-03-21 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ基板及びそれを用いた表示装置
JP2013084907A (ja) 2011-09-28 2013-05-09 Kobe Steel Ltd 表示装置用配線構造
JP5411236B2 (ja) * 2011-11-15 2014-02-12 ゲットナー・ファンデーション・エルエルシー 液晶表示装置及びその製造方法
CN103700629B (zh) * 2013-12-30 2016-10-12 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
CN103779358A (zh) * 2014-01-27 2014-05-07 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
KR102223139B1 (ko) 2014-09-02 2021-03-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 표시 패널
CN105070727B (zh) 2015-08-21 2019-01-15 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管阵列基板、其制作方法及显示装置
CN109119762B (zh) * 2017-06-22 2021-10-22 群创光电股份有限公司 可调制微波装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01223750A (ja) * 1988-03-02 1989-09-06 Nec Corp 半導体装置
JPH01255829A (ja) * 1988-04-05 1989-10-12 Nec Corp アルミニウムとｉｔｏとの多層配線
US5162933A (en) * 1990-05-16 1992-11-10 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Active matrix structure for liquid crystal display elements wherein each of the gate/data lines includes at least a molybdenum-base alloy layer containing 0.5 to 10 wt. % of chromium
JPH04186838A (ja) * 1990-11-21 1992-07-03 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US5202274A (en) * 1991-06-14 1993-04-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of fabricating thin film transistor
US5495121A (en) * 1991-09-30 1996-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JPH05341323A (ja) * 1992-06-11 1993-12-24 Canon Inc 液晶表示装置
JP2733006B2 (ja) * 1993-07-27 1998-03-30 株式会社神戸製鋼所 半導体用電極及びその製造方法並びに半導体用電極膜形成用スパッタリングターゲット
JPH0777706A (ja) 1993-09-09 1995-03-20 Hitachi Ltd 薄膜トランジスタ基板、液晶表示パネルおよび液晶表示装置
KR950021758U (ko) * 1993-12-31 1995-07-28 튜너의 중간 주파수 변환회로
JPH07263447A (ja) * 1994-03-17 1995-10-13 Matsushita Electron Corp 半導体装置およびその製造方法
US5691782A (en) * 1994-07-08 1997-11-25 Sanyo Electric Co., Ltd. Liquid-crystal display with inter-line short-circuit preventive function and process for producing same
US5534462A (en) * 1995-02-24 1996-07-09 Motorola, Inc. Method for forming a plug and semiconductor device having the same
JPH0927493A (ja) * 1995-07-10 1997-01-28 Matsushita Electron Corp 半導体装置の製造方法
JPH09115906A (ja) * 1995-10-24 1997-05-02 Matsushita Electron Corp 半導体装置の製造方法
KR0186206B1 (ko) * 1995-11-21 1999-05-01 구자홍 액정표시소자 및 그의 제조방법
GB9610878D0 (en) * 1996-05-24 1996-07-31 Philips Electronics Nv Electronic device manufacture
JPH1079510A (ja) * 1996-09-02 1998-03-24 Sharp Corp 半導体装置およびその製造方法
GB9710514D0 (en) * 1996-09-21 1997-07-16 Philips Electronics Nv Electronic devices and their manufacture

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI490360B (zh) * 2011-06-13 2015-07-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 鍍膜件及其製造方法
CN109565115B (zh) * 2016-08-17 2021-03-09 夏普株式会社 扫描天线用液晶单元及扫描天线用液晶单元的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6252247B1 (en) 2001-06-26
KR19990076546A (ko) 1999-10-15
JP4663829B2 (ja) 2011-04-06
KR100322377B1 (ko) 2002-10-25
JPH11284195A (ja) 1999-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW495630B (en) Thin film transistor, a method for producing the thin film transistor, and a liquid crystal display using a array substrate
CN100499137C (zh) 源极/漏极电极、晶体管衬底及其制造方法和显示装置
CN1124641C (zh) 结晶半导体的制造方法
KR0147241B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법
KR101447342B1 (ko) 어레이 기판 및 그 제조 방법, 액정 패널, 디스플레이
CN104584200B (zh) 薄膜晶体管和显示装置
JP3302240B2 (ja) 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP2008536295A (ja) 銀被覆電極を有するｌｃｄ装置
JPH0750276A (ja) 異なる導電型の領域の間の接合に低抵抗コンタクトを製造する方法
TW200424650A (en) Thin film transistor and method for manufacturing same
US5989782A (en) Method for producing liquid crystal display device
KR20000072230A (ko) 액정디스플레이용 비정질 실리콘 박막 트랜지스터 제조 방법
KR20000040732A (ko) 박막트랜지스터 및 그의 제조방법
JP4472745B2 (ja) 薄膜トランジスタが含まれるｔｆｔアレイ基板を有する液晶表示装置およびその製法
JPH05235353A (ja) アクティブマトリックス基板とその製造方法
CN101452878A (zh) 半导体器件的阻挡层形成方法
JP4224661B2 (ja) 銅配線基板及びその製造方法並びに液晶表示装置
JP3535465B2 (ja) 半導体装置の作製方法
JPH0691257B2 (ja) アモルファスシリコン薄膜トランジスタ
JP4885914B2 (ja) 表示装置
JP3417182B2 (ja) 薄膜半導体装置の製造方法及び電子機器の製造方法
JP2010232682A (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
JP2008300791A (ja) 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP3473614B2 (ja) 薄膜半導体装置及び電子機器
JP2919583B2 (ja) 薄膜トランジスタの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MK4A Expiration of patent term of an invention patent