TW483930B - Anti-smudge agent containing an organosilicon compound - Google Patents

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483930 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 1 ) Ί 發 明 景 1 1 I 本 發 明 是 關 於 一 種 在 各 種 待 處 理 而 且 需 要 防 污 跡 性 質 I 1 1 的 基 質 (下文簡稱基質） 表 面 上 用 於 形 成 為 防 污 跡 層 的 防 請 先 1 J 污 跡 劑 > Μ 及 利 用 此 種 防 污 跡 劑 形 成 防 污 跡 層 的 方 法 0 閱 讀 背 1 此 外 f 本 發 明 關 係 種 抗 反 射 光 學 元 件 > 其 為 適 用 於 光 I& 之 1 I 學 元 件 ( 其 如 抗 反 射 膜 濾 光 器 光 學 透 鏡 眼 m 光 注 意 事 1 1 束 分 離 器 稜 鏡 反 射 ΔΑ m 等 ) 和 裝 置 ( 其 如 液 晶 顯 示 器 1 再4 1* I 1 、 CRT (陰極射線管） 顯 示 器 投 影 電 視 電 漿 顯 示 器 填賈 寫 本 裝 EL (電致發光） 顯 示 器 等 ) > 用 於 光 學 功 能 元 件 9 和 用 於 頁 '—^ 1 1 顯 示 裝 置 5 在 其 中 > 此 種 光 學 功 能 元 件 被 黏 著 至 顯 示 裝 1 I 置 的 顯 示 屏 表 面 上 〇 1 1 I 光 學 元 件 之 如 抗 反 射 膜 、 濾 光 器 Λ 光 學 透 鏡 Λ 眼 鏡 訂 光 束 分 離 心 稜 m Λ 反 射 鏡 等 9 在 被 操 作 人 使 用. 時 易 I 從 指 印 皮 膚 脂 肪 汗 水 化 粧 品 等 所 產 生 的 污 跡 所 沾 1 1 污 0 一 旦 這 些 元 件 被 這 些 污 跡 沾 污 f 即 很 難 清 除 0 尤 苴 /、 1 I 是 備 有 抗 反 射 塗 層 的 光 學 元 件 9 黏 著 於 抗 反 射 塗 層 的 斑 ί wL 點 從 塗 層 突 起 9 因 而 造 成 問 題 〇 1 同 時 9 通 常 大 部 份 顯 示 裝 置 是 被 使 用 於 外 來 光 線 從 室 1 1 内 及 室 外 白 由 進 入 顯 示 屏 的 狀 況 之 下 0 ί I 如 此 外 來 光 線 的 入 射 光 被 顯 示 屏 表 面 K 鏡 面 反 射 9 於 1 r 是 造 成 反 射 影 像 和 顯 示 影 像 之 間 的 影 像 混 合 5 Κ 致 顯 示 1 I 品 質 劣 化 而 顯 示 影 像 模 糊 〇 1 1 1 尤 其 近 來 由 於 隨 著 辦 公 白 動 化 的 進 步 而 使 用 電 腦 1 1 的 頻 率 増 加 ， 因 而 使 用 人 在 注 視 於 顯 示 屏 的 時 間 邇 近 亦 1 I -3 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 483930 A7 __B7 五、發明説明（2 ) 已增加，由於反射影像所引起的顯像品質劣化，現在被 視為一種發生諸如眼睛疲勞之健康危險原因。 再者，隨著近年戶外生活更加普遍化，使甩各種戶外 顯示裝置的機會目前亦已增多。因此，現在希望改善顯 示器品質，使能夠更為清晰辨認顯示影像。 為了適應這些要求，習常已經提出附加一種防止反射 的光學元件置於顯示屏表面之主張，這種抗反射光學元 件能夠防止可見光定廣範圍內的光反射。這種抗反射光 學元件之一種實例，其如一種層積膜，在一透明基質表 面上層積一高折射率層和一低折射率層而構成，雨層皆 含金屬氧化物。已知亦有一種抗反射的光學元件，是由 含有透明基質而在表面積有一低折射率層所構成之層積 膜，層中含有一種無機或有機氟化物。 另一方面，也已知一種具有相同效果之抗反射光學元 件，可以得自一種不規則的反射膜，由一透明羞膠膜基 質構成，表面塗有一層含有透明微小粒子的塗層，形成 粗糠表面，使外來光線被粗糙面作不規則的反射。 然而，上述各種抗反射光學元件易於操作者在使用備 有此種抗反射光學元件之顯示裝置時，受源自指印、皮 脂、汗水、化粧品等污跡所污染。尤其，因為抗反射膜 的表而能量通常大達6 0 J / m 2 (焦耳/平方米）左右，抗反 射膜更容易被此等污跡所污染。另外，因為抗反射膜表 而若由微细粗化面所構成，一旦在抗反射膜上沾附污跡 ，則非常難予除去。再者，遷有一項問題，如果一部份 -4 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -口 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 483930 A7 B7 五、發明説明（> ) 、 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 抗反射膜的部位沾附此等污跡，則被污染部位更為反射 ，因而使受污染部位從其他部位突顯出來。 鑒於在杭反射光學元件表面的污跡問題有待解決，迄 今已有多種形成防污跡層技術被提出，其為能夠防止斑 點附於其上而不能夠易於除去沾附的污跡者。 曰本公開專利昭64-86 101教示一種具有污跡點和耐磨 性質之抗反射物件，.於其中在基質表面上複以一抗反射 膜，主要含有二氧化矽，而且所成表面再用含有一種有 機矽取代基的化合物予以處理。日本公開專利平4-338901 教示一種具有防污跡而耐磨的CRT濾光器，其基質表面 被覆以有矽醇終端之有機聚矽氣烷。日本專利公告平 G - 2933 2教示一種污跡點/低反射塑膠，在其表面複以 含有多氟烷基之單-和雙-矽烷化合物，和一種經矽 烷化之_素、烷基或烷氧基化合物。再又，日本公開 專利平7 - 1 6 9 4 0教示一種由含有二氣化矽的光學薄膜所 構成的光學元件，在其上形成一共聚物，含有（甲基）丙 烯酸全氟烷酯和具有烷氣基矽烷基化合物之單體。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然而，根據這些習知方法所製成之防污跡層不具充份 的防污跡性，未能易於從中除去諸如指印、皮脂、汗水 、化粧品等污跡，而且在重複使用時之耐久性不佳，明 顯喪失其防污跡性質。因此，於今渴望發展一種防污跡 層，有優良的防污跡性質，而且具有耐久旳防污跡性質。 發明概述 本發明已經克復以上習見之各項問題，因此，本發明 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 483930 A7 B7 五、發明説明（4) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 之一項目的為提供一種防污跡劑，其為能夠在如抗反射 膜之光學元件表面上防止沾著指印、皮脂、汗水、化粧 品等所形成之污跡，並且即使此等污跡沾著於光學元件 上，也能夠易於將其除去。 本發明之另一目的為提供一種形成一種防污跡層的方 法，使該曆具有優異之防污跡性，而且防污跡性着耐久 性0 本發明之再一目的為提供一種光學元件，備有上述之 防污跡層。 本發明之再又一目的為提供一種抗反射光學元件，備 有上述之防污跡層。 本發明之另一目的為提供一種光學功能元件，備有上 述之防污跡層。 本發明之再另一目的為提供一種顯示裝置，其顯示屏 表而由上述光學功能元件所構成。 根據本發明，提供一種含有K下列通式0)所表示有機 矽化合物之防污跡劑，

Rf2-(OC3F6)n2-〇-(CF2)m2_(CH2)12-z_(CH2)s2-si-(R2)3

I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中R f2是具有1至1 6個碳原子之線型或分支之全氟 烷基；R 2為一水解基；Z為-00CNH-或-0-； 112為1至 5 0之一整數；οι 2為0至3之一整數；見2為0至3之一 整數；而s 2為1至6之一整數，其條件是m 2和i 2符合 6 S m 2 + iZ 2 ；> 0 之條件。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 483930 A7 ______ 五、發明説明（5 ) 根據本發明，提供一種含有K下列通式（3)所表示有機 矽化合物之防污跡劑， [Rf2.(〇C3F6)n2-0-(CF2)Itl2-(CH2)i2-〇-(CH2)s2]c (〇R3)a \ / :

Si / \ [Rf2-(OC3F6)n2-0-(CF2)In2-(CH2)i2-〇]b 1 · · · ( 3) 其中R f 2是具有1至〗6個碳原子之線型或分支的·全氣 烷基；R3是具有1至1〇個碳原子之烷棊；X為s素原 子；n2為1至50之一整數；m2為0至3之一整數；£2是 0至3之一整數；而S2為1至6之一蝥數；a為0至3 之一整數；b是0至3之一整數；c為0或1 ; d$0 或1 ;其中之條件是m 2、2 2、a、b、c和d符合 6Sm2+f2>0, a+b=3，而 c+d=l。 根據本發明，另再提供一種形成含有上述防、污跡劑之 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ;裝 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 之 之 所 之 一 劑 劑件件 ， 跡跡 元元中 污 污 學能載 防防 光功記 述述 射學之 上上 反光後 含含抗 述 _ 由由 述上於 有 有。上 有 明 備 備件由 備 說 Usui δΕ - c §F- 0B 種 種7t種 種 將 一 一學一 一 點 供。供光供 供 優 提件提射提。提 與 再元再反再件再 的 。 另 學 另抗 另元另 目 法 ，光 ，之 ，能， 他 方明成明成袖功明 其 之發所發所發學發。之 層本曆本層本光本置明 跡據跡據跡據之據裝發 污根污根污根成根示本 防 防防搆 顯 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） 483930 A 7 B7 五、發明説明（t ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 剖份是從記載中明顯可見，或可從發明的實施中得知。 本發明之各項目的與優點可以利用隨後所特別陳明之手 段與結合而明瞭並獲得。 圖式簡單説明 所附各圖，用於配合構成本發明各較佳具體例之説明 與舉例，結合如上之一般說明和如下各較佳具體例之詳 細記載，作為發明原理之解釋。 第1 _是一橫剖而圏，表示根據本發明抗反射光學元 件之一項賁施例結構； 第2圖是一橫剖面圖，表示根據本發明光學功能元 件一項實施之例結構； 第3 A和3 B圖是根據本發明顯示裝置一項實施例結構之 示意圖； 第4圖是根據本發明構成防污跡劑之有機矽化合物之 F T - I R譜圖；和 第5 _是一横剖面圖，表示根據本發明抗反射光學元 件另一項實施例結構； 發明詳細説明 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 根_木發明之防污跡劑，其特徵在於含有一種特定的 有機矽化合物。所得結果，當利用此防污跡劑在所處理 基質表而上形成一防污跡層時，如果所處理基質是任何 一種光學元件，其如抗反射膜、濾光器、光透鏡、眼鏡 、光束分離器，稜鏡、反射鏡等，即可防止任何由指印 、皮脂、汗水、化粧品等所形成之污跡被沾著於這些元 -8 - 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 483930 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __B7五、發明説明（7 ) 件的表面上，甚且，易於除去沾著於這些光學元件上的 污跡而不致損及這些元件的光學性質。尤其，所用此種 防污跡劑所形成的防污跡層在性質上的耐久性優異。 因此，根據本發明之防污跡劑含有下列通式⑴所表示 的一種有機矽化合物， Rf2-(OC3F6)n2-〇-(CF2)in2-(CH2)l2-z-(CH2)s2-si-(R2)3...(1) 其中Rf2為具有1至16個碳原子之線型或分支的全氟 烷基；R2為一水解基；Z為-00CNH-或-0-; 以是1至 50之一整數；m2是0至3之一整數；¢2是0至3之一 整數；而s2是1至6之一整數，其間之條件是m2和义2 符合6 & m2 + £2 >0之條件。 被引入於R f 2線型或分支的全氟烷基之碳原子數較佳 在自1至1 6之範圍內，更佳在自1至3之範圍。因此， 最佳之實例為_CFs 、-C2 Fs 、-Cs F?等。· 被引入於R 2之水解基特定實例為-Cl、-Br、-I、 -OR11 - -00CR11 ^ -0C(R11)C = C(R12)2 ^ = C (R11 ) 2 、-0N = CR13 、一 N(R12)2 、-R^NOCR11 等；其中 R11 是具 有1至1 0個碳原子之脂肪族烴基，其如烷基；或具有6 至2 0個碳原子之芳香族烴，其如苯基；R 12為氫原子或 如烷基之具1至5個碳原子烴基；而R 13為如次烷基之 具有3至6個碳原子之二價脂肪族烴。 水解棊之最佳實例為-0 C Η 3 ·、- 0 C 2 Η 5 、- 0 0 C C Η 3 、 和 _ Ν Η 2 c, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· —訂 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 483930 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（8 ) S @水解S可Μ單獨或以兩或多種结合而被包含於構 成本發明防污跡劑之有機矽化合物之內。 上述通式0)中η 2較佳在1至3 0之範圍，更佳在5至2 0 之範圍。上逑通式⑴中之m 2較佳在i至2之範圍。在上 述通式⑴中之£2較佳應在1至2之範圍。在上述通式⑴ 中之s 2較佳應為1至3之範圍內。 在通式⑴中Z為-00CNH -之化合物，可以根據如下之 反應式製備： Rf2-(OC3F6)n2-〇.(CF2)m2-(CH2)12-OH OCN-（CH2)s2-Si(R2)3 i 催化劑 Rf2-(OC3F6)n2-〇-(CF2)m2-(CH2)12-OOCNH-(CH2)s2-Si(R2)3 更特別者，如下列通式（2 D )所代表之有機矽化合物可 Μ獲自Μ如下通式（2 A )所代表具有羥基之氟樹脂，與催 化劑和Μ如下通式（2 C)所代表Κ異氰酸酯為基礎之矽烷 交聯劑，在溶劑中反應。 Rf2-(0C3F6)n2-0-(CF2)m2-(CH2)12,0H ...(2A) OCN-(CH2)s2-Si(R2)3 …（2C) Rf2-(OC3F6)n2-〇-(CF2)in2-(CH2)i2-〇〇CNH-(CH2)s2-Si(R2)3 …（2D) 其中R f 2為具有1至1 6個碳原子之線型或分支全氟烷 基；R2為一水解基；n2為1至50之一整數；m2是0至 3之一整數；12是0至3之一整數；而s2為0至6之一 整數。 此反應可對每1莫耳含羥基之氟樹脂用0.001至0.01 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) :裝· —訂 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 483930 A7 __B7_ 五、發明説明（9 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 莫耳之C32 Η从0彳S η作為催化劑，與1莫耳至超量之以異 氰酸作為基礎之矽烷耦合劑，並Κ從室溫至溶劑迴流溫 度進行反應2至7 2小時為較有利。作為此種情形中合用 之溶劑，可Κ具有5至1 2個碳原子之習常全氟脂肪族烴 ,其如全氟己烷、全氟甲基環己烷、全氟-1，3 -二甲基 環己烷等；芳香族烴多氟化物，其如雙（三氟甲基）苯； 或脂防族烴多氟化物。 根據本發明之防污跡劑，依需要可以含有各種添加物 添加於上述通式⑴所代表之有機金屬化合物。例如，防 污跡劑可Κ含有促進通式⑴所代表有襪矽化合物之水解 或縮聚合作用，或促進被縮合之氨基甲酸酯鐽之形成。 作為本發明防污跡劑中所用之催化劑，可以用氫氯酸 、硝酸、硫酸、乙酸、氫氟酸、甲酸、磷酸、草酸、氨 、乙醯丙酮酸鋁、二月桂酸二丁基錫酯、辛酸錫化合物 、鈉、氫化鈉、甲烷磺酸酯、三氟甲烷磺酸酯、對甲苯 磺酸酯、三氟乙酸酯等。此等化合物可Κ被單獨使用或 Κ二或多種合併。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在通式⑴中ζ為-0-之化合物，可Κ根據如下反應式 製備：

Rf2-.(〇c3F6)n2-〇-(CF2)m2-(CH2)i2-〇H x-(ch2)s2-s1(r2)3 ^ 催化劑

Rf2-(OC3F6)n2-0-(CF2)m2_(CH2)12-0-(CH2)s2-Si(R2)3 更特別者，由如下通式（2 E )所代表之有機矽化合物， 可以獲自使如下通式（2 A )所代表具有羥基之氟樹脂，與 -1 1 一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 483930 A7 B7 五、發明説明（、° ) 催化劑和由通式（2B)所代表之鹵素基矽烷耦合劑，在溶 劑中作用。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) R£2-(OC3F6)n2-〇-(CF2)m2-(CH2)l2-〇H ···(2A) X-(CH2)s2-Si(R2)3 …（2B)

Rf2-(OC3F6)n2-〇-(CF2)ni2-(CH2) 12-°-(CH2)s2-si(R2 ) 3 -…（2E) 其中R.f2為具有1至16個碩原子之線型或分支之全氟 烷基；X為腐素原子.，· R2為水解基；n2為1至50之一 整數；m2為0至3之一整數；J12為0至3之一整數，而 S2為0至6之一整數。 此反應可對每1莫耳含羥基氟樹脂，用1至1.1莫耳過 量之NaH作為催化劑，並用1莫耳至過量之鹵素基矽烷作 為耦合劑，而在室溫至溶劑迴流溫度之溫度範圍内，進 行反應2小時至7 2小時而得順利進行。作為此種狀況中 之溶劑者，可以用含有5至12個碩原子之習常全氟脂肪族 烴，其如全氟己烷、全氟甲基璟己烷、全氟-1,3-二甲 基環己烷等；其芳香族烴聚氟化物，其如雙（三氟甲基） 苯；或脂肪族烴聚氟化物。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 根據本發明之防污跡劑，如有需要，可以含有各種添 加劑加入至通式⑴所代表之上述有機金屬化合物。例如 ，防污跡劑可以含有催化劑，用於促進通式⑴所代表有機 矽化合物之水解或縮聚合作用，或用於促進縮合醚鍵之 形成。 作為本發明防污跡劑中所用催化劑者，可用氫氛酸、 -1 2 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 483930 A7 B7 五、發明説明（ 11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 硝酸、硫酸、乙酸、氫氟酸、甲酸、磷酸、草酸、氨、 乙_丙酮酸鋁、二月桂酸二丁基錫酯、辛酸錫化合物、 納、氫化納、甲烷磺酸酯、三氟甲垸磺酸酯、對甲苯磺 酸酯、三氟乙酸酯等。這些化合物可以單獨使用或以二 或多種合併使用。 構成防污跡劑之有機矽化合物之另一實例為如通式（3) 所代表之一種有機矽化合物： [Rf2-(OC3F6)n2-〇-(CF2)m2-(CH2)i2-〇-(CH2)s2]c (0R3)a\ / Si/ \ [Rf2-(OC3F6)n2~〇-(CF2)m2-(CH2)l2-〇]b [(^2)82^3(1 • · · ( 3 ) 在其中R 是具有1至〗6個碳原子之線型或分支全氟 烷基；R3為具有1至10個碳原子之烷基；X為鹵素原 子；n2為1至50之一整數；m2為0至3之一整數；见2為 0至3之一整數；而s2為1至6之一整數；a為0至3 之一整數；b為0至3之一整數；c為0或1 ;d為0 或 1 ; m2、〔2、a、b、c和 d 等須符合 6Sm2+JZ2>0，a + b = 3 ，而c + d = ]等絛件。 被引入於R f2之線型或分支之全氟烷基之碳原子數較 佳在自1至1 6之範圍内，更佳在1至3之範圍。因此， f2

之最例為-CF -C 2

-C 等 被引入R 3之烷基，其碳原子數量較佳在1至1 〇之範 園內，更佳為1至3之範圍內。因此，R3之最佳例為

-CH C 2 Η - C 3 Η 7 等 -13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 483930 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 通式（3)所代表之化合物可Μ根撺如下之反應式製備： r£2.(〇c3F6)n2-〇-(CF2)m2-(CH2)i2-〇H .X-(CH2)82-Si(OR3)3 i 催化劑 tRf2.(〇C3F6)n2^-.(CF2)m2-(CH2)l2-〇-(CH2)s2]c (〇R3)a \ /

Si f2 / \ tRf2-(〇C3F6)n2-0-(CF2)m2-(CH2)i2-〇]b [(CH2)s2-X]d 更特別者，如下通式⑶所代表之有機矽化合物可以獲 自以如通式（3A)所代表含羥基之氟樹脂，與催化劑和如 下通式（3B)所代表之_素基矽烷耦合劑，在溶劑中之反 磨、〇

Rf2.(〇c3F6)n2-〇-(CF2)m2-(CH2)i2-〇H ··.(3A) X-(CH2)s2-Si(OR3)3 •••(3B) [Rf2-(OC3F6)n2-〇-(CF2)m2-(CH2)l2-〇-(CH2)82]c (〇R3)a \ / ，

Si .--(3) ·· · · / tR«2.(〇C3F6)n2-〇-(CF2)in2-(CH2)l2-〇]b [(CH2)s；rXJd 其中R f 2是具有1至16個碩原子之線型或分支全氟烷 基；R3是具有1至10個磺原子之烷基；X為一 _素原 子；n2為1至50之一整數；m2是0至3之一整數；J12是 〇至3之一整數；而s2是1至6之一整數；a是0至3 之一整數；b是ϋ至3之一整數；C是〇或1 ; d是0 或】；其間m2、 J12、 a、b、c和d等須符合6¥扭2 +义2>0, a + b = 3，c + d=l等條件。 此反應可以對每1莫耳含羥基氟樹脂用1至1.1莫耳 過景之N a Η為催化劑和1莫耳至過量之商素基矽烷耦合 劑，在自室溫至溶劑迴流溫度之溫度範圍内進行2至 7 2小時。於此狀況作為可用之溶劑者，可以用具有5至 •1 2個碩原子之習常全氟脂肪族烴，其如全氟己烷、全氟 -1 4 - 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I €.IT"*- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 483930 A7 B7 五、發明説明（l3 甲基環己烷、全氟-1 , 3 -二甲基環己烷等；如雙（三氟甲 物 合 化 氟 多 烴 族 肪 脂 或 物 合 化 氟 多 烴 族 香 芳 之 苯 \1/· 基 使 獨 單 可 物 合 化 矽 機 有 之 表 代 所 式 通 述 上 由 些 這 若通 。 述 劑上 跡在 污則 防 ， 之用 明使 發被 本物 成合 構混 ,之 用物 使 合 併化 合烷 種矽 多等 或此 二種 W 多 或含 用有 物 加 。 添 同種 不各 為含 應包 值要 之需 等視 d 可 f劑 C跡 ’，污 b 防 ”之 ”’明 a發 之本 中據 ⑶根 式 跡機 污有 防之 如示 例表 。 所 中⑶ 物式 合通 化如 矽進 機促 有 Μ 述用 上劑 之化 示.催 表種 所一 ⑶有 式含 通 Κ 至 可 加劑 成用草 形利、 之Μ酸 鐽可磷 醚 ，、 合者酸 縮劑甲 進化、 促催酸 或為氟 ，作氫 用用 、 作所酸 合 ，乙 聚中、 縮劑酸 或跡硫 解污 、 水防酸 之明硝 物發、 合本酸 化在氯 矽 氣 丁酯獨 酸酸單 辛磺 Κ 、^可 、甲物 錫氟合 基三化 丁 、 些 二酯這 酸酸。 桂磺等 月烷酯 二甲酸 、 、 乙 IS& 氣 酸化三 酮氫、 丙、§§ 0.鈉酸 乙、磺 、 物苯 氨合甲 、 化 對 酸酯、 處常 而習 加於 施用 欲施 所 Κ 曆可 跡即 污亦 防 ， 之制 。 製限 用所之 使劑別 併跡特 合污何 種防任 多明無 或發並 二本 ， κ Μ 質 或於基 用對之 使 理 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) :裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 有膠 含塑 , 的 板明 璃透 玻如 如其 其 ， ,質 質基 基機 機有 無或 種 ； 一 板 ，璃 如玻 例 之 〇 層 件物 元合 學化 光機 之無 用作 採 。 被質 可基 均機 ，無 質之 基用 膠採 塑被 明要 透主 之是 層能 物可 合板 化璃 機玻 無 ， 有間 含 中 ， 此 質在 基 可氧,1 物、 合矽 化化 機氧 無二 之 ί 板 璃 玻 曆 物 合 ib t/.ϋ 機 無 有屬 含金 成種 構 一 於用 用採 為 Μ 矽 化 氧 如 其 物 化 氧 5 ΗΙΧ 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） 483930 A7 _ B7 五、發明説明（14 ) 化矽等），氧化鋁、氧化鎂、氧化钛、氧化錫、氧化锆 、氧化納、氧化鋅、氧化絪、氧化鉍、氧化釔、氧化鈽 、氯化鋅、I TO (氧化絪錫）等；或金屬鹵化物，其如 氟化鎂、氟化鈣、氟化鈉、氟化鑭、氟化鈽、氟化鋰、 氟化針等。 任何此等無機化合物所形成之無機基質或無機化合物 層可以是單層或多曆。無機化合物層之功能是作為一種 抗反射層，而且可从用任何習用方法形成，其如濕塗法 ,PVD (物理蒸鍍）法和c V D (光學蒸鍍）法。濕塗法 可以是浸塗法、旋塗法、流塗法、噴塗法·、輥塗法、影 印塗法等。作為P V D法，可K採用真空澱積法、反應蒸 汽澱積法、離子束協作法、淋濺法、離子鍍法等。 作為透明基膠基質，被用作受處理基質者，為.有機基 質之一項實例可K採用各種有機聚合物基質。用作光學 元件之各種材料，通常不僅光學性質如透明度、折射率 和擴散性等須要優良，而且其他物理性質如耐震、耐熱 和耐久性等亦須優良。鑑於此等需求，可用之有機聚合 物為聚烯烴樹脂（聚乙烯、聚丙烯等），聚酯樹脂（聚 乙烯對呔酸醅、聚乙烯萘酸酯等），聚釀胺樹脂（耐隆- 6 、耐隆-6 6等）。聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚醯亞胺、聚 乙烯醇、乙烯-乙烯醇共聚物，丙烯酸樹脂，纖维素 (三乙隨基纖維素、二乙藤基纖維素、賽璐芬等），或 用此等有機聚合物之共聚物。因此，這些聚合物也可K 用於本發明，作為構成受處理基質和透明塑膠基質。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝·

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 483930 A7 B7

五、發明説明（IS 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 紫燃 有層所 形基之片物的 化的性此任曲光 透種 、 阻 各射上 其膠狀如合別 機面合因的彎善 的一 劑、。之反如 於塑片或聚特。無表黏。成的改 異， 電劑中質抗與 關明似狀機無.佳與質的良造質 K 優如 靜化物基作， ，透或膜有並為質基間改所基可 有例 抗氧合理用上 質之膜種個度圍基善之所力膠其 層。 如抗聚處被面 基件如此多厚範明改層 Μ 壓塑使 塗可 其、機受層表 機元其。有的之透效物^/-等明以 硬即 ，料有明物的 有學，明含質米於有合被筆透所 要度 物色的發合質 或光此發或基毫設但化夠铅於， 只強 加、質本化基 質作因本曆膠 5 ,不機能受由止 ，械 添劑基作機機 基用，於單塑至層是無度止層防 制機 用滑機用無有 機被供用成明01塗件與坦防物效 限的 習潤有被，於 無。提被形透 ο 的絛質平效合有 別良 種、等於中積 的定而以被對在硬的基的有化被 特優 各劑此疊況澱 質限狀可可然應一層明面从機以。無和 入塑成重情被。基.別片也質雖仍插塗透表可無可度並度 配肋構層此Κ同理特或 ，基。度加硬進質上 ，也強料硬 Μ.、於物於可相處何膜質膠層厚Κ。 増基面者裂械材的 可劑入合。並形受任以基塑物而可間且是表再開機塗夠 也收加化上，情作無是膠明積然也之而因質。的的硬足 中吸，機質能之用並常塑透層.，間層，原基傷起件於 ， 其光IW無基功釋被，通明之之制其物度其在刮引元關性 外劑 機的解 狀質透狀曆限 合硬，，何而學 明 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） 483930 A7 B7 五、發明説明（^ ) 可以用離子輻射或紫外光等照射而硬化的被熟化樹脂， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 或者熱固性樹脂，均可採用。特別是紫外光照射硬化型 的丙烯酸樹脂，或有機矽樹脂和熱固性聚矽氣烷樹脂， 對形成硬塗層為較佳。此等樹脂的折射率更好是與透明 塑膠基質者相同或接近相同。 塗覆硬塗層的方法無任何限制，只求能夠形成均勻的 塗層即可。硬塗層的厚度如果以3徹米或其以上，能確 保充份強度即已足夠.。考慮及於塗層的透明性、塗覆準 確性和處理，則致塗層厚度的較佳範圍為5至7徹米。 具有0.01至3徹米平均粒徑之無機或有機徹粒也可以 混合並擴散於硬塗層内，因而達成光擴散處理或所謂抗 眩處理。關於此種無機或有機徹粒，雖然無恃別限制而 只求徹粒透明即可，但較佳為採用低折射率之材料〇尤 其，氧化矽和氟化鎂，基於其穩定性和耐熱性而恃別適 合。上逑之光擴散處理也可被視為粗化硬塗層之表面。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上述之受處理基質可以被用作本發明中抗反射元件中 的透明基質。尤其，受處理基質在表面上備有抗反射膜 者，可在本發明中被處理成為備有抗反射膜之透明基質。 根據本發明之抗反射光學元件，可以獲自以防污跡層澱 積於上述所得之透明基質的表面上。 作為形成防污跡層的方法，並無任何特別限制，因此 ，可以採用濕塗法或乾塗法。 此種濕塗法可以是浸塗法、旋塗法、流塗法、噴塗法 、锟塗法、影印塗法等等。 _ 1 8 _ 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 483930 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（丄7 ) 另一方面，乾塗法可能用例如真空澱積法，淋濺法或 C V D法。更特定而言，真空澱積法可K用電阻加熱法、 電子束法、高頻加熱法、離子束法等進行。C V D法可以 用電漿C V D法、光C V D法、熱C V D法等進行。 關於濕塗法所用之稀釋溶劑雖然並無任何特別限制， 較佳採用具有5至1 2個碳原子之全氟脂肪族烴，其如全 氟己烷、全氟甲基環己烷、全氟-1,3 -二甲基環己烷等； 芳香族烴聚氟化物如.雙（三氟甲基）苯；和脂肪族烴聚氟 化物。此等溶劑可K被單獨使用或K含二或多種此等溶 劑之混合物使用。 此種濕塗法之採用比較適合於受處理基質之表面區域 有複雜外形或較大者。 另一方面，乾塗法之採用，可Μ用稀釋溶劑進.行者為 較佳，使得在形成防污跡層時有較佳之工作環境，並使 防污跡層膜的厚度得到控制。就此而言，採用真空澱積 法為最佳。根據乾塗法可Κ精準控制防污跡層的膜厚度 至達埃（A n g s t「〇 m )之位階，這是先前技術迄今無法做到 的。因此，現在可Μ提供一種具備所需防污跡層的光學 元件。此外，現在可Μ輕易提供一種具備抗反射膜而有 防污跡性質之光學元件，不會在抗反射膜中於顏色難予 設定之處，造成干涉顔色的任何改變。 而且，在用乾塗法形成防污跡層之處，所形成之膜厚 隨防污跡劑之蒸發量而定。因此，如果要精準控制防污 跡層的膜厚，防污跡劑的蒸發量最好必須精確控制。 -19- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 訂 -1% 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2】0Χ 297公釐） 483930 A7 B7 五、發明説明（is ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在用乾塗法或濕塗法在受處理基質上澱積法防污跡層 之後，防污跡層可K視需要接受加熱、加濕、光照射、 電子照射等等。 特別是用多孔模塑體Μ真空澱積法而形成防污跡層， 也為較佳。 所用真空澱積法，包括之步驟如將多孔模塑體用本發 明之防污跡劑浸漬；在真空中加熱於經Κ防污跡劑浸濱 之多孔模塑_，使防.污跡劑蒸發而澱積於將被複Κ抗反 射膜之透明基質上。 構成多孔模塑髖（顆粒）之成份，在此方法所用者，可 Κ 採取 Si〇2 、T i 0 2 、ZrO 2 、MgO、A 1 2 〇 3 、CaSO 4 、C u、F e、A 1、不銹鋼、碳或其間之混合物。通常，此 等材料應被粉化至具有5至2 0微米範圍之粒徑。.此等經 過粉化之材料然後依習用方法製粒並予燒结，從而獲得 本發明所用之多孔模塑體。 顆粒之燒结通常進行於7 0 0至1 , 4 0 0 °C之溫度達1至1 〇 小時。隨原始粒子之粒徑、密度和燒结條件而定，所得 多孔模塑體具有自3 0至6 0 %不同程度之孔性範圍。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之防污跡劑被溶解於如全氟己烷之溶劑中而獲 得溶液，將多孔模塑體（顆粒）浸入溶液中，使多孔模塑 P完全被防污跡劑飽和。而後，將溶劑蒸發，於是獲得 經本發明防污跡劑浸漬之多孔模塑體。 然後，利用經過防污跡劑浸漬之此種多孔模塑體，在 受處理基質表面上，用真空澱積法，澱積一防污跡層。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 483930 A7 ___B7_ 五、發明説明（I9 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 作為加熱於多孔模塑體K蒸發防污跡劑之加熱方法，可 μ有敦使用電m加熱法、電子束加熱法、離子束加熱法 、高頻加熱法或光加熱法。 在完成受處理基質上澱積防污跡層之後，所得基質可 依需要接受加熱、加濕、光照射、電子束照射。 如上所說明，如果用乾塗法形成防污跡層，防污跡劑 的蒸發景最好予精準控制，使能精確控制防污跡層之膜 厚度。若用上述之多.孔模塑體，防污跡劑之蒸發量是K 防污跡劑在多孔模塑體中所浸漬之量和在形成防污跡層 時所用加熱絛件而決定，因此多孔模塑體之採用有利於 _厚度之搾制。採用多孔模塑體K用真空澱積法形成防 污跡層也有利於防止污跡劑因加熱而裂漏，以免污染儀具 内部，並目.減少防污跡劑的濺散。 雖然對於用本發明防污跡劑所形成之防斑點層之膜厚 度無仟何特別限制，然而膜之厚度較佳應在1 0至5 0 0埃 之範圍內，鑑於全光學元件之防污跡性質、耐磨性和光學 功能。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第1圖表示根據本發明抗反射光學元件一實施例之橫 剖而国。 參考第1圖，抗反射膜2被澱積於透明基質1之一面 。另外，一防污跡層3 ,根據本發明方法形成於此抗反 射膜2之上。 然後此根據本發明之抗反射光學元件被用適當接著方 法，如層積法者，黏著至如偏光板之功能光學元件上， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 483930 A7 B7 五、發明説明（2〇 ) 因而獲得本發明展現抗反射功能之光學功能元件。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第2圖表示根據本發明光學.功能元件一實施例之橫剖 面圖。 參考第2圖，抗反射膜2被澱積於透明基質1之一面 上。另外，一防污跡層3被根據本發明方法形成於此抗 反射膜2之上。又再，一作為功能光學元件之偏光板4 被形成於透明基質1之另一表面。 然後，此抗反射光學元件，或與此抗反射光學元件層 積之光學功能元件被黏著劑或壓感黏著劑接著於各種顯 示裝置（：液晶顯示器、C R T顯示器、抗射電視、電漿顯 示器、E L顯示器等）之前方面板上（玻璃板、塑膠板或 偏光板），因而獲得本發明之顯示裝置。 第3圖表示根據本發明之顯示裝置一實施例之示意圖 。第3 A圖所示液晶顯示器中，一 TFT (薄膜電晶體）基 質l〇a ，其一表面備有一對正膜11a ，面對一備有對正 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 膜1 ] b之玻璃基質1 0 b ,中間***一間隔物1 3。此外， 一液晶層12被保持延續於TFT基質10a和玻璃基質10b 之間。另外，TFT基質10a備有一顯示電極14 ,而玻璃 基質1 0 b餚有一滤色器1 5和一相對電極1 6。另外，一偏 光板1 7被形成於TFT基質1 0 a和玻璃基質1 0 b兩者之各 另一表而上。 一備有防污跡層之光學功能元件1 8 ,其為利用本發明 防污跡劑所形成者，於TFT基質10a上所成偏光板17之 表面上被形成。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 483930 A7 __B7 _ 五、發明説明（21 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第3B圖表示一 CRT顯示器之局部示意圖。如第3B圖所 示，一備有K本發明防污跡劑所成防污跡膜之光學功能 元件2 2 ,被形成於面板2 1之表面上。 在第3 A和3 B圖中所示，防污跡層是形成於光學功能元 件之表面上，使得K防止諸如指印、皮脂、汗水、化粧 品等污跡黏附至光學功能元件之表面。此防污跡層之耐 久件極佳，甚至若有污跡附黏於防污跡層上亦能輕易抹 除。因此，可K獲得在影像的辨識性上極佳之顯示裝置。 其次，本發明將另參考特定實施例說明，各實施例並 非用於限制本發明。 首先，製備如下一附著於抗反射膜之T A C (三乙釀基 纖維素）膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一單功能基丙烯酸樹脂被用微印刷法塗覆於一 T A C膜 (厚度：8 0微米）之表面上。然後，用從變鹵化物 (1^13113丨丨〇|0)燈（12〇\〇之光照射於所塗覆之層，距離2〇 厘米，經過1 0秒而形成一硬塗層。其後，一第一 T i 0 2 膜、一第一 S丨0 2膜、一第二T i 0 2膜和一膜第二S ί 0 2 膜，相繼被用電漿助鍍法澱積於硬塗層上，因而獲得抗 反射層。 各層之折射率” η ” ，幾何厚度” d ”和光學膜厚度” n d ” 被設定為” T A C臌η = 1 · 4 9 ),硬塗層（η = 1 · 5 1 , d =約5微 米），第一 Ti〇2 膜（η = 2·30, nd = 60nm(微毫米）），第一 S 】♦ 0 2 膜（η = 1 · 4 6 , n d = 4 0 n in ),第二 T i 0 2 膜（η = 2 · 3 0 , n d =110〇111)和第二$丨〇2膜（〇 = ].46,11€1 = 14〇11111)。光學膜厚 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 483930 A7 B7 五、發明説明（22 ) 度是用光學膜厚度監測器觀察，並在達到光的目標量時 ，成膜操作即被停止，因而獲得預定的光學膜厚度。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在如下各實施例和各比較例中，如此所得之附著抗反 射膜之T A C膜被用作受處理的基質或作為透明基質，K 備形成防污跡層。 實施例1 首先，用1 . 7 0克如下式⑷所代表具羥基之氟樹脂，溶 於7 . 1 3克之雙（三氟甲基）苯而製備一溶液。然後將所成 溶液置於一備有攪拌器、加液漏斗、迴流冷凝管及溫度 升之四口燒瓶中。 C3F7-(OC3F6)24-〇-(CF2)2-CH2OH ···(4) 然後，加入0 . 0 0 1 8克二月桂酸二丁基錫（催化劑）至在 燒瓶內之溶液中，再將所得混合物Μ充份攪拌保持1 〇 0 °C 之溻度。陳後，從滴液漏斗逐滴加入如下式(5)所代表之 異氰酸酯丙基三乙氧基矽垸至燒瓶內。 OCN(CH2)3-Si-(OC2H5)3 ---(5) 在完成滴入矽烷化合物之後，在加熱回流1 〇小時中使 反應，因而獲得有機矽化合物。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然後，將此有機矽化合物接受F T - I R (傅立葉轉移-紅 外線光譜）分析而獲F T - I R譜圖，如第4圖所示。 结果，所得化合物經確定為如下化學式（6)所代表之有 機矽化合物。 C3F7(OC3F6)24-0-(CF2)2-CH2-OOCNH(CH2)3-Si-(OC2H5)3 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 483930 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _ B7五、發明説明（23 ) 將如此所得有機矽化合物用全氟己烷稀釋至成0.1重 量％溶液，因而獲得本發明之防污跡劑。 然後，將Μ上所製備附有抗反射膜之T A C膜作為受處 理之基質，並將在此實施例中所得防污跡劑用浸塗法塗 於受處理基質之表面。然後，將經塗覆之基質於6 0 °C之 溻度加熱一分鐘使乾，因而形成一防污跡層，於是獲得 本實施例之抗反射光學元件。 第5圖表示如此所.得抗反射光學元件之橫剖面圖。如 第5圖所示，根據本實施例之抗反射光學元件，被構成 而使硬塗層5形成於透明基質1上，而抗反射膜2由一 含有第一 T i 0 2膜2 a ,第一 S i 0 2膜2 b ,第二T i 0 2膜2 c 和第二S i 0 2膜2 d等之積層结構所形成者，被澱積於硬 塗層5上。此光學元件之最上曆由Μ本發明防污跡劑所 形成之防污跡層3所構成。 比較例1 用全氟己烷將 CF3 (CF2 )7 (CH2 )2 Si (ΝΗ)3/2 (ΚΡ80 1Μ ； 信越化學工業公司）稀釋成0 . 1重量％溶液，因 而獲得一種防污跡劑。 然後，用此防污跡劑在一受處理基質上，K與實施例 1相同之情形，形成一防污跡層。 實施例2 在實施例1中所獲得·而由化學式（6)所代表之有機矽化 合物，被用全氟己烷稀釋成2 0重量X之溶液，因而獲得 本實施例之防污跡劑。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 【裝. 丨訂 d 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 483930 A7 B7 五、發明説明（ 然後，如上述所製備附有抗反射膜之TAC膜被用作受 處理之基質，而在本實施例所獲防污跡劑被用真空澱積 法（電阻加熱法）澱積於受處理基質之表面上，因而形成 防污跡層。 在此真空澱積法的實施之中，將5毫克防污跡劑（固 體物質）置於一蒸發皿之内，澱積儀器之内被抽真空至 達5 X】0<托耳或更低之真空度。其後，蒸發皿被加熱 至4 0 0 °C以蒸發防污跡劑。 比較例2 重複實施例2之相同程序，但用 CF3 (CF2 )7 (CH2 )2 Si(NH)3/2 (KP801M;信越化學 工業公司）作為防污跡劑，從而在受處理基質表面上 形成一防污跡層。 實施例3 ⑴多孔模塑體之製造 用粒徑為1至10徹米之A1203作為原料以油壓機製 成6毫米直徑，高4毫米之顆粒。然後，將顆粒於1 2 0 0 °C 之溫度經14小時而燒結。所成經燒結之物質（顆粒）具有 約為4 0 %之孔性。 ⑵防污跡劑之合成 首先，將氫化銷之油懸浮液置於一 1 0 0毫升之雙口茄 形瓶，其中備有滴液漏斗和迴流冷凝管，從而進行氮氣 置換。在置換之後，用正己烷在氮氣氛下情況，重複四 次，然後於真空下將正己烷蒸除，因而穫得氫化鈉 -26- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） IL· 批衣-----·ί1τ----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 483930 A7 B7 五、發明説明（25 ) (〇 · 〇 11 莫耳）。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 將如下化學式⑷所代表含羥基之氟樹脂0 · 0 1莫耳，溶 於5 0克雙（三氟甲基）苯中而製備一溶液。然後將所得溶 液K每秒1滴之速率於冰冷卻下緩慢滴入於瓶中。在完 成滴入操作之後，將反應混合物從冰浴中取出，並於室溫攪梓 1 0小時。加入0 . 1莫耳如下式⑺所代表之氯甲基三甲氧 基矽烷至醇鈉，於室溫攪拌所得混合物2小時。其後， 加熱於反應混合物，.並於維持加熱溫度於9 0 迴流7 2小 時。在完成迴流之後，未作用之氫化鈉和氯化鈉在真空 下被滹去，丨慮液經過充份水洗。另外，雙（三氟甲基）苯 和過量的氯甲基三甲氧基矽烷在真空中被蒸去，因而獲 得如下式⑻所代表之有機矽化合物。 C3F7-(〇C3f6 ) 24-0-(Cf2 ) 2"*Ch2-〇h · · · (4)

ClCH2Si(OCH3)3 …（7) C3F7-(OC3F7)24"~〇-(CF2)2_CH2-〇-CH2Si(OCH3)3 • · · ( 8 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然後，用全氟己烷將上述式⑻所代表之有機矽化合物 5克稀釋為1 0重量％溶液，因而獲得一種防污跡劑。然 後，將上述多孔模塑體（顆粒）浸入防污跡劑溶液，使以 防污跡劑完全飽和多孔模塑體。隨後，從防污跡劑溶液 中取出多孔模塑體，將溶劑蒸發。结果，多孔模塑體 (顆粒）中含有約2重量％之防污跡劑。 ⑶形成防污跡曆 將顆粒置於I目皿上，用真空澱積法（電阻加熱法）使防 本纸張又度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 483930 A7 B7 五、發明説明（4 ) 污跡劑澱積於上述附有抗反射膜之T A C膜上，因而形成 一防污跡層。此時，澱積設備之内部被抽至5 X 1 托 爾之真空度或更低。其後，蒸發皿被加熱至4 Q 0 °C使防 污跡劑蒸發。 比較例3 重複實施例3之相同程序，但以 C h ( C F 2 ) 7 ( C Η 2 ) 2 S i ( N Η ) 3 / 2 ( K P 8 0 1 Μ ;信越化 學工業公司）被當作防污跡劑，因而在附有抗反射膜 之T A C膜之表面上形成防污跡層。 實施例4 ⑴多孔模塑體之製造 用與實施例3相同之程序製備具有約為40%孔性之顆 粒。 ⑵防污跡劑之合成 首先，以氫化鈉油懸浮液置於備有滴液漏斗和迴流冷 凝管之100毫升雙口茄形瓶中，進行氪氣置換。置換後 ，用正己烷在氮氣下重複洗滌四次，然後在真空中將正 己烷蒸除而獲得氫化鈉（0.011莫耳）。 將（K 0 1莫耳由如下化學式⑷所代表具有羥基之氟樹脂 溶於5 G克雙（三氟甲基）苯而製成一溶液^然後將所得溶 液在冰冷卻下小心注入瓶中，速率為每秒一滴。完成滴 入橾作之後，將反應混合物從冰浴取出，於室溫攪拌1 0 小時。以如下式⑺所代表之氛甲基三甲氧基矽烷加至醇 鈉中，並將所得混合物攪拌於室溫2小時。其後，加熱 -28- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） — ^wi ^-----、I1T------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 483930 A7 B7 五、發明説明（4 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 混合物迴流4 8小時，並保持加熱溫度於1 0 0 °C。迺流過 後，在真空下過濾未反應之氫化鈉和氯化鈉，濾液用水 充份清除。另外，雙（三氟甲基）苯和過量的氯甲基三甲 氧基矽烷在真空中蒸除，因而獲得如下式（9)所代表之有 機矽化合物。 C3F7-(0C3F6)24-0-(CF2)2-CH2-0H ...(4)

ClCH2Si(OCH3)3 ···(?) [C3F7-(0C3F7)24-0-(CF2)2-CH2-0-CH2】Si(0CH3)2【（CH2)2Cl】 然後，將5 g如上逑式⑼所代表之有機矽化合物用全氟 己烷稀釋成1 〇重量％之溶液而得一種防污跡劑。然後， 將上逑多孔模塑體（顆粒）浸入防污跡劑溶液，以防污跡 劑完全飽和多孔模塑體。繼而將多孔模塑體從防污跡劑 溶液中取出，讓溶劑蒸發。結果，多孔模塑體（顆粒）含 有2重量％之防污跡劑。 ⑶防污跡層之形成 利用與實施例3相同程序，在附有抗反射膜的T A C膜 的表面上形成一防污跡層。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 用以上各實施例和各比較例所得各防污跡層作為評估 如下各項性質之樣品。所得結果待整於如下之表1 。 (a )接觸角的測量：用接觸角計（C A- X :協和界面科 學公司），在乾燥條件下（2 0 °C , 6 5 % R Η (相對濕度））在 針尖製備官徑為1 . 8毫米之液滴。然後，使此液滴 與樣品表而（固體）接觸，因此在樣品表面上形成滴粒 一 2 9 - 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 483930 A7 B7 五、發明説明（W ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 。此接觸角是在固體之表面，與在固體和液體間接觸點 對液體表而的切線，兩者之間，所成的角度。因此，接 觸角被界定為一從液體接觸底部所量測的角度。所用液 體為蒸餾水和正十六烷。 (b )降落角的測量：利用降落角計（C A - X :協合界面 科學公司，在乾燥條件下（20°C，65UH)在針尖製備直 徑為3 . 0毫米之液滴。然後，使此液滴與水平樣品之表 而形成滴粒。當固體榛品逐漸傾斜時，滴粒因而逐漸變 形，且當樣品傾斜至某一角度時，造成滴粒向下流。因 此，此最後的傾斜角度被界定為降落角。所用液體為蒸 餾水和正十六烷。 (c )油筆的黏著性：用一油筆（標誌墨水：淡型5 0 0號） ，在一樣品表面割出長1厘米之直線，用肉眼決定所割 部位的黏著容易性和突出程度。其間的決定標準被界定 如下。 Ο ：油筆割寫部位成球形而被排斥，· X :油筆劃寫部位不被排斥而可劃而直線； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (d )油件墨水之抹拭容易性：黏箸於樣品表商之油性 墨水被用纖維素不織布（Pencot M-3;旭化成公司）拭去 ，用肉眼決定除去之容易性。其間的決定檫準被界定如 下。 〇：油性墨水可以完全拭去； △:抹拭後有油性墨水痕跡可以辨現； X:無法拭除油性墨水； .-30- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 483930 A7 B7五、發明説明（巧） (e )指印的黏著性：用手指壓於樣品表面數秒，因而 有指印黏於樣品表面，用肉眼決定指印的黏著性和突出 程度。決定之標準界定如下。 〇：指印的黏著最少，且指印痕跡不突顯； X :栺印的黏著可以辨現。 (f )抹拭指印的容易性：用纖維素不織布（P e n c 〇 t Μ - 3 ，旭化成公司）抹拭在樣品表而所黏著之指印，用肉眼決 定除去的容易性。其間的標準界定如下。 〇：栺印可被完全拭除； △:抹拭後有指印痕跡可被辨現； X :無法抹除指印。 (g)耐磨性：用纖維素不纖布（Pencot Μ-3，旭化成 公司）施加500克力之負載擦拭樣品表而100次，然後再 用以上（a )至（f )的性質評估。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 .I I I - n ** 會---I-i -31- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 4^3930 A7 B7 五、發明説明（3〇 ) 滿鐵»(。) ltii7j< IE+^S5裔銶渝(。) 狒鸛兴ΙΈ + 外游 7,2 (7·3) 6.5 (7·0) 〇 δ)ο δ) 〇 (〇)ο (〇) 〇 (〇) •Ο (〇) 〇 δ) 〇 (〇) (7 6 (6 (105·4) Π10 7Γ°5 73 (71·4) (72 3) 2 7) 0 1) 1 5) «諍衰一 繭語鸢ίο 11P5 113‘ 规一 :11^^3 1130 (ΠΓ°1) 71.00 (71.1) οο.οο (9·9) 00.5 (8·4) 〇 δ)ο (〇) 〇 (〇) 〇 (〇) 繭證室4 113·3 mr5) 72·8 sb 8·5 (9·8) 7·9 (8·4) 〇 (〇) 〇 (〇) 〇 (〇) 〇 (〇) tba 窆一 111·8 (11Ρ4) 70·5 S.4) 3Γ°2 S·。) 20,7 (2Γ°οο) X (X) D> ([>) χ (X) Δ ([>) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 tss 112·7 (110,1) 70.00 (70·7) 31.2 (33,1) 2r7 (230) Δ (Δ) Δ (Δ) X (X) Δ (Δ) tblrs3 112*00 (一一广一) 71·5 (71.2) 33·3 (330) 2Ρ8 (22·ει) χ (X ) [> ([>) χ (X) D> (Δ) 2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） 4^3930 A7 _ B7 五、發明説明（3丄） 括符內之值表示耐磨試驗後之结果。 從表1可見，根據實施例1至4與比較例1至3栢比 ，前者防污跡層對蒸餾水和正十六烷比較不易被濕著； 對指印和油垢較少黏著。再者，即使污跡黏附於防污跡 層，根據實施例1至4的防污跡層，污跡可輕易除去， 指示有良好防污跡性質。另外，如表1所示，各實施例 之樣品之防污跡性質能忍受耐磨試驗，因而顯示其防污 跡性質有優良的忍受.性。 用本發明防污跡劑在光學元件表面所形成之防污跡層 比習用防污跡劑所形成的防污跡層，能夠更為有效防止指 印、皮脂、汗水·、化粧品等所形成的污跡黏著於其表面 而不損光學元件之光學性質。即使污跡黏著於防污跡層 上，也能輕易除去污跡。同時，本發明之防污跡層之防 污跡性質的耐久性也很優異。 此外，若用本發明防污跡劑K濕塗法形成防污跡層， 可K施用於有複雜形狀和大面積的受處理表面，其為習 用乾塗法所無法施用者。另一方面，若用本發明防污跡 劑Μ乾塗法形成防污跡層，稀釋溶劑的蓮用使防污跡層 的形成得以施用；同時，防污跡層的膜厚度可Μ精準控 制。尤其，若用多孔模塑體作真空澱積法以形成防污跡 層，將更易於控制膜厚度，在防污跡層的形成中至為有 利〇 因為本發明之光學功能元件，其可Μ獲自以本發明光 學元件或抗反射光學元件與如徧光板之功能光學元件等 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） 1 * I -r I-----ϋ — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂Τ 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 483930 Α7 Β7 五、發明説明（32) 之厲積而成者，於其表面設置防污跡性質K及耐久性均 佳之防污跡曆，如果將此光學功能元件附著於各種顯示 裝置（其如液晶顯示器、c R T顯示器、投影電視、電漿 顯示器、E L顯示器等）之顯示屏之前面，則可Μ獲得影 像辨析性優異之顯示裝置。 對於熟悉此技術者將易於得到另外之優點與變更。因 此，就本發明比較寬廣之視野而言，並不受裉於在此所 示之各特別詳逑與代.表性之具體例。所Κ ,在不離所附 申請專利範圍各項與其對等者之概括創意之精神或範圍 ,可能出琨種種變更。 丨-L 批衣-------1T^------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） l83930 Α7 Β7 五、發明説明（33 ) 參考符號說明 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 透 明 基 質 2 抗 反 射 膜 2a 第 一 T i 〇 2 膜 2b 第 一 Si 〇 2 膜 2c 第 二 T 1 〇 2 膜 2d 第 二 Si 0 2 膜 3 防. 污 跡 曆 4 偏 光 板 5 硬 塗 餍 10a TFT (薄膜 電晶體）基質 10b 玻 璃 基 質 1 1 a 對 正 膜 lib 對 正 膜 12 液 晶 層 13 間 隔 物 14 顯 示 電 極 15 滹 色 器 16 相 對 電 極 17 偏 光 板 18 光 學 功 能元件 21 面 板 22 光 學 功 能元件 I I I I -I Hr —I- I i I I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、v 一口 -1¾ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ 297公釐）

Claims (1)

1. 483930 公告本 修正士 90·11· } 15 月 B 六、申請專利範圍 第88 1 01 405號「含有機矽化物之防污跡劑」專利案 (90年11月15日修正） 六申請專利範圍： 1 . 一種含有如下通式⑴所代表有機矽化合物之防污跡劑， Rf2-(〇。3?6)n2-〇-(CF2)m2-(CH2)12-2-(CH2)s2~si-(R2)3 • · · (1) 其中Rf2爲具有1至3個碳原子之線型或分支之 全氟烷基；R2爲一水解基；Z爲·00CNH-或n2 爲1至24之一整數；m2爲0至3之一整數；，2 爲〇至3之一整數；而s2爲1至6之一整數， 但m2和€ 2須符合6 g m2+，2> 0之條件。 2.如申請專利範圍第1項之防污跡劑，其中在該通式 ⑴中之該R2爲具有1至10個碳原子之烷氧基。 3· —種含有如下通式⑶所代表有機矽化合物之防污跡 劑， [Rf2-(OC3Fg )n2-°-(cf2 )ιπ2- (CH2) i2-°- (CH2)s2 ]c ( or3 ) a \ / Si [Rf2-(0C3F6)n2-0-(CF2 )^-(^2 )i2-〇]b [(CH2)S2-X]d ...(3) 其中Rf2爲具有1至3個碳原子之線型或分支之 全氟烷基；R3爲具有1至10個碳原子之烷基；X 爲圈素原子，n 2爲1至2 4之一*整數；πι 2爲0至3 之一整數；彳2是0至3之一整數；而s2爲1至6 申睛專利範圍 之一整數；a爲0至3之一整數；b爲0至3之 一整數；c爲〇或1 ; d爲0或1 ;但此等 m2、/2、a、b、c 和 d 須符合 6-m2+^2>0，a + b = 3, 和c + d=l之條件。 4.如申請專利範圍第3項之防污跡劑，其中該有機矽 化合物是由該通式（3)所代表之第一種有機矽化合物和 該通式（3)所代表之第二種有機矽化合物所形成，且該 通式⑶中之n a "、” b π、·，c π和n d π等之値，在第一種有 機矽化合物中與該第二種有機矽化合物中之間互不相 同。