TW473875B - Formation of 5F2 cell with partially vertical transistor and gate conductor aligned buried strap with raised shallow trench isolation region - Google Patents

Description

473875 本案已向 國（地區）申請專利 美國us 申請曰期 案號 主張優先權 1999/05/13 09/311,471 有 有關微生物已寄存於 寄存曰期 寄存號碼 無

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發明範疇 f明大體而言係涉及到積體電路，更詳細地說係浐 _電晶體裝置連接至儲存裝置帶狀區之電晶體y 相關技藝說明 敕ί::體製造業中’·直電晶體用於縮小電晶體裝置的 二 寸，以便增加這類裝置的排列數量。但是，傳 » a曰體在形成帶狀區時實際上容易發生問題（傳導 連接該儲存裝置和電晶體的閑/汲極時）。 傳導 本發明藉由在部份垂直電晶體内形成自行排 克服這些問題，如下所述。 臧帶來 發明總結 * 本發明的目標為提供一種用於製造積體電路裝置的方法 和結構，包括在一基底上形成一儲存裝置，以光刻法在該 儲存裝置的基底上形成一閘開口，在該閘開口上形成第一 間隔物，在該基底上形成一帶狀開口，利用該第一間隔物 來排列該帶狀開口，在該帶狀開口上形成第二間隔物，利 用該第二間隔物排列該隔離開口，在該基底上形成一隔離 開口’以隔離材料填補該隔離開口，移除該第一間隔物和 一部份的該第二間隔物以便在該閘開口上形成一階梯，（ 其中該第二間隔物包括至少一傳導帶，電連接至該儲存裝 置）在鄰接該傳導帶的基底上形成一第一擴散區，在’該基 板和階梯之上形成一閘絕緣層，在該階梯上的一部份閘絕 緣層上形成一閘導體，在鄰接該閘導體的基底上形成一第

473875 五、發明說明（2) —擴散區， 隔離，其中 成一傳導區 另外，在 隔離開口的 方法也包括 離區。 該儲存裝 分該深溝渠 ，該帶狀開 垂直電晶體 以及在該擴散區上形成一接點 該閘導體上的電壓，在鄰接該 ，且該傳導區電連接該帶狀區 該基底上形成隔離開口以及以 方法’包括形成一第一部份的 形成狹長作用區，以形成一第 置的形成包括形成一深溝渠電 電谷的平面。另外，該閘開口 口車乂隔離開口要寬。該積體電 ’且該帶狀區為源極區，並且 ，並與該閘導體 階梯的基底上形 和該接點。 隔離材料填補該 作用隔離區。該 二部份的作用隔 容和該帶狀區平 較帶狀開口要寬 路裝置為部份的 該接點為汲極區 本發明也包括一種製造積 基底上形成 口内形成一 第一擴散區 的基底上形 内形成一第 在該基底上 ’在該基底 該帶狀開口 該第二間隔 口。該隔離 開口以及以 一具有至 第一導體 體電路 少一階梯的開 ’在該階 成一第二 二擴散區 形成一閘 上形成一 ，在該帶 物排列該 材料填補 隔離材料 ，在鄰 梯上形 導體， 。形成 開口， 帶狀開 狀開口 隔離開 隔離開 填補該 接該第一導體 成一閘 以及在 該開π 在該閘 口，利 上形成 口，在 口，以 隔離開 晶片的方法，包括在一 口 ’在該階梯之下的開 的基底内形成一 在鄰接該 第二導體 導體， 鄰接該 的步驟 開口上 用該第 第二間 該基底 及在該 口的方 閘導體 的基底 尚包括以光刻法 間隔物 來排列 隔物，以及利用 内形成一溱離開 基底上形成隔離 法’包括形成一 形成第一 一間隔物 473875 五、發明說明（3) 第一部份的作 ，以形成一第 一部份的第二 第二間隔物為 ，該帶狀開口 接該階梯的基 一導體和第二 該第一導體平 部份垂直電晶 體為汲極區。 用區隔離區，該方法尚包括形成狭長作用區 二部份的作用隔離區。移除該第一間隔物和 間隔物以便在該開口上形成該階梯，以及該 第一導體。另外，該閘開口較帶狀開口要寬 較隔離開口要寬。該閘導體上的電壓，在鄰 底上形成一傳導區，且該傳導區電連接該第 =體。該開口在一深溝渠電容上形成，以及 刀該深溝渠電容的平面。該積體電路裝置為 體’且該第一導體為源極區，並且該第二導 根據本發明 開口、該開口 體，一 第一導 在該階 導體， 該積 利用第 一間隔 包括填 一部份 一'部份 移除 上形成 開口較 梯上的 以及一 體電路 一間隔 物對準 滿該隔 的作用 作用隔 該第一 該階梯 帶狀開 的積體電 具有至少 鄰接該第 閘導體， 在鄰接該 晶片開口 物對準該 該帶狀開 離開口的 隔離區， 離區的狹 間隔物和 ’以及該 口要寬， 路晶片包括一基底 一階梯，一 一導體的基 第二導體的 包括一以光 閘開口的帶 口的隔離開 隔離材料， 以及該積體 長作用區。 一部份的第 第二間隔物 該帶狀開口 一在基底内的 之下開口内的 一擴散區，一 基底上之第二 第一擴散區。 的閘開口 ，一 以及一利用第 體電路晶片也 離材料包括第 尚包括形成第 二間隔物以便在奋開口 包括該第一導體。該閘 較隔離開口要寬。該閘 在該階梯 底内之第 閘導體的 基底内之 刻法形成 狀開口， 口。該積 以及該隔 電路晶片

473875 五、發明說明（4) 導體上的電壓’在鄰接該階梯的基底上形成一傳導區 該傳導區電連接該第-導體和第二導體。言亥開口在一深溝 渠電容上形成，以及該第一導體平分該深溝渠電容的平^ 。該第-導體包括一源極區以及該第二導體包括一汲極區 ，=及該積體電路晶片包括複數個垂直電晶體。 猎由減少光刻的階梯數，本發明避免光刻製程可能發生 ^問題\包括尺寸縮小問題和排列誤差。此外，本發明以 這類自行對準方式形成的階梯，使擴散區和垂直電晶體 f間的間隔十分精確。這可使裝置尺寸縮小（讓裝置的成 更低製程速度更快），並減少瑕症，因此相較於傳統 結構，整體來說產品品質較佳。 、'’ 。此外，本發明還形成用來平分該儲存裝置平面的帶狀 品該平面以更可靠的方式連接該儲存裝置與該帶狀區。 圖式簡單說明 明ί發明上述及其他目標、觀點、和優點將藉由以下本發 車父佳具體實施例詳細說明並參考附圖加以閣明，其中： 圖1為根據本發明的部份完成垂直電晶體之簡圖； 圖2為根據本發明的部份完成垂直電晶體之簡圖 圖3為根據本發明的部份完成垂直電晶體之簡圖 圖4為根據本發明的部份完成垂直電晶體之簡圖 圖5為根據本發明的部份完成垂直電晶體之簡圖 圖6為根據本發明的部份完成垂直電晶體之簡圖 圖7為根據本發明的部份完成垂直電晶體之簡圖 圖8為根據本發明的部份完成垂直電晶體之簡圖

第9頁 473875 五、發明說明（5) 圖9A和9B分別為根據本發明的部份完成 面簡圖和俯視簡圖； 罝電日日體之侧 圖1 〇為根據本發明的部份完成垂直電晶 圖11為說明本發明較佳具體實施例的流程圖。，以及 本發明較佳具體實施例之詳細說明 現在請參見附圖，特別是圖i，該圖說明根 一具體實施例之部份形成的電晶體。 国 第 =基底I在該基底上形成一第一絕緣體以= 墊）和一第二絕緣體12(譬如氮化矽墊）。 （a如虱化 ，用本行業專家所熟知的製程，一溝渠13在該 形^這類傳統製程可包括照相平版光：刻= 。溝渠U的上半部(例如上札5㈣對齊薄(例如 =術 的隔離環14(譬如氧化環）。該隔離環14凹入二ς30 二好位於該第-隔離層u之下。—傳導材料…慈^ 曰曰矽、金屬或合金）澱積在該溝渠13内，該結構利二 化學機械拋光或其他類似已知技術進行平面化。該 料1 6凹入該溝渠内，剛好位於該隔離層丨丨之下（例如 該溝渠13的20 0-6 0 0⑽處）。最後，附加絕緣體17(链如 化物或氮化物）在該溝渠14内形成，且該結構再次平u面化乳 如圖2所示’開口20(例如閘開口）利用譬如像光罩和蝕 刻等傳統技術形成。閘開口2〇在該溝渠13上形成，查凹入 該基底1 0，其位置可保留一部份絕緣體1 7。 接著，如圖3所示，在該基底1〇曝露區上形成（例如生

第10頁 473875 五、發明說明（6) " ----- 長）一附加絕緣體32，以延續先前形成的絕緣 體32 吏用的材料最好與絕緣體丨丨所使用 :、、 如—的二氧切）。但是，如本行業專家所 明之絕緣體32可能根據不同的應用而由不同的材 ' .另:隔離材料30層（譬如形成深度60 0 ¾的氮化矽）、且藉 在該結構之上。接著向該結構施加選擇性蝕刻（嬖又 =離子蝕刻RIE)，以移除僅保留間隔物3〇的大部；絕緣-體 川，如圖3-所示。侧壁間隔物3〇以各向異性方式回蝕該隔 離材料L可在例如低壓反應性離子蝕刻器内執行各向異性 蝕刻。這類蝕刻法以較蝕刻垂直面更快的速度（例如“倍） 來蝕刻水平面，可在蝕刻製程後仍保留側壁間隔物“。" 接著繼續進行選擇性蝕刻（例如過度蝕刻該結構），以形 成帶狀開口 33，該帶狀開口凹入以至該導體16曝露出來。 例如，該結構過度蝕刻約80 ，如圖3項目31所示。 本發明一項重要特徵為藉由形成帶狀開口 Μ，以便較閘 開口 20具有不同的深度和寬度，產生階梯34。此外，該帶 狀開口 33不需要光刻形成技術。因此，該帶狀開口 33 (以 及階梯34的位置）自動對準該閘開口 2〇，並受限於尺寸限 制或與光刻技術有關的校準問題。 接下來’如圖4所示，譬如像多晶矽、金屬或合金的傳 導材料40澱積在帶狀開口33之内。如圖3所示之製程，_ 選擇性餘刻僅用來移除一部份傳導材料4 〇，以形成德導間 隔物4 0。該結構利用各向異性選擇性姓刻再次過度银刻， 以开》成凹入基底10的較深的第一隔離區開口 。在一較佳

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五、發明說明（7) 具體實施例中，該基底1 0另凹入1 0 0 nm，位於傳導間隔物 40之下。 ,如上所述階梯34的形成，允許導體40(最後變成傳導帶） 精確地位於帶狀開口 33區31。此種精確配置能夠準確地控 制帶狀區和對應的源/汲極（如下所述，將於稱晚形成）， 而不必訴諸光刻技術。此流程增加傳導，帶4 〇定位的正確性 產生較向的製造良率，並允許裝置縮小尺寸，生產速度 增快並降低成本。 /接著’如圖5所示，絕緣體5 〇在該第一隔離區開口 4丨内 形成’且該結構進行平面化。該絕緣體5〇(結合如下所述 的附加絕緣體）將各個作用裝置隔開，並允許大幅簡化作 用區疋義的光罩（以下將詳細說明），這樣一來可減少瑕疵 :增加生產良率、並提高裝置可靠度。接著，如圖6所示 ’利用譬如熱磷酸蝕刻的選擇性蝕刻移除絕緣材料12和3〇 本行業專家可瞭解，根據本發明，可利用不同材料形成 ^所示的結構’因此可利用不同的選擇性姓刻方式移 =緣體12、3G，而仍能保留絕緣體u。在較佳具體實施 選擇性㈣包括—各向異性熱碟酸。㈣流程也 ==便保留未受支援的絕緣體5。，並且僅移除一部 /的傳導間隔物40(例如移除約300 _6〇〇 &的傳導間隔物 )，如圖6所不。此蝕刻流程的主要特 凹入，剛好在階梯34之下形成-薄層6Q /料心物4〇 此時也在鄰接該帶狀區4G的基底區内形成U散區

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61。在較佳具體實施例中，該傳導材料4〇包括一雜質（例 如砷、磷等），當該結構受熱（例如超過8〇〇它）時，該雜質 從帶狀區40擴散至該基底内。 如圖7所示，利用例如氫氟酸形成狹長絕緣層丨丨、32。 接著在該基底曝露表面上形成（例如生長）一防蝕消耗層Μ 〔例如氧化物、氮化物等）。在此位置，可利用已知流程和 雜質進行裝置植入。 接著一絕緣層71 (較佳包括一氧化物、氮化物或氮氧化 物）殿積（較佳至厚度3 00埃）。接著，如圖8所示，利用濕 蝕刻（譬如像HF ' HF/丙三醇蝕刻溶劑）移除防蝕消耗層7〇 和絕緣體71。濕蝕刻溶解防蝕消耗層7〇，移除防蝕消耗層 70上絕緣體71的一部份，並允許絕緣體71保留在薄層6〇内 以隔離帶狀區4 0。 也如圖8所示，譬如像氧化物的閘絕緣材料8〇，利用例 如氧化生長的傳統形成技術，在曝露基底1〇表面上形成。 接下來，藉由澱積譬如像多晶矽、金屬或合金等傳導材料 ’形成一傳導閘層81。接著將該閘導體81平面化（再次利 用像化學機械拋光等傳統技術），以及利用如上討論的傳 統已知技術，澱積譬如像氮化矽墊的絕緣墊82，並加以 面化。 如圖9Α和9Β所示，藉由形成隔離區901定義電路作用區 裝置。圖9Β為圖9Α線段Α-Α結構的俯視圖。 更特言之’在沿著線段9 〇 〇的結構之上，以光刻法形成 作用區定義光罩，而該結構蝕刻成作用區。該作用區開口 473875 五、發明說明（9) 填入隔離材料901。該隔離材料901最好是高密度等離子氧 化物（或四乙基原矽酸鹽-TEOS)。本發明的重要好處為·· 作用區光罩90 0相較於傳統作用區光罩十分簡化，因為該 第一隔離區開口41(以及在其中的絕緣體5〇)形成第一部^分 的作用隔離區。因此，隔離材料9〇1第二部份的作用區可 沿著該結構形成簡單的狹長區，如圖9 B所示之俯視圖。 傳導帶40在圖9A中重新編號為帶狀區9〇3、9〇4，以便更 清楚地說明其與圖9B間的相對位置。圖⑽說明深溝渠儲存 裝置16，該隔離區50將帶狀區9〇3與帶狀區9〇4分隔開來。 帶狀區904連接至另一深溝渠儲存裝置9〇6，該裝置沒有 在圖9 A的側視圖中出現。此外，該垂直電晶體側壁9 〇 5如 和9B所不。圖9B中也顯示附加深溝渠儲存裝置⑽、 =該二置= ^ ^ t ^ ^ 、附加垂直部份，該部份類似電晶體905 的垂直部伤。圖9B也顯+ 广 區914。 ”、’、隔開帶狀區908和910的另一隔離 如圖9Β所示之本發明的2 908、91。沿著一平面开^另：優點為帶狀區903、_、 16、906、_㈣該平面平分各深溝渠健存裝置 、_、91〇從深溝渠儲存帶狀區⑽、904 儲存裝置的垂直壁垂直f置向外延伸，並略為與深溝渠 沿著深溝渠儲存裝置的二;對來說，傳統的帶狀區一般都 形成。本發明優於傳統帶业、按照深溝渠儲存裝置的形狀 平分深溝渠儲存裝置半品、區的原因是：本發明所具有可 面的創新帶狀區，該帶狀區能夠以 473875

更值得信賴的方式連接帶狀區和深溝渠儲存裝置。 形成隔離區901之後，保護蓋82被移除，利用允許隔離 =、延伸至導體81之上的钕刻，產生提高的嶋隔離 (RSTI)區。 接著，形成剩餘的閘堆疊結構，如圖丨0所示。更詳細地 說，附加閘導體材科100澱積在先前的閘導體材料81上。 第二閘導體材料100可以使用和先前閘導體81相同的材料 ，也可以不相同。接下去形成導體層，如矽化層（例如矽 化鎢^^1層），以減少閉導體81、1〇〇的阻抗。最後，利用 傳統已知方法形$蓋1()2層。例如蓋102可包㈣切塾材 料，厚度約2 0 0 〇 A 。 接著該閘導體堆疊利用傳統光刻和钱刻技術形成圖案， 以形成如圖10所示的結構。然後在由前述蝕刻流程所定義 的開口中形成間隔物103。更特言之，就是殿積隔離材料 (譬如氮化矽等），並以各向異性蝕刻移除所有水平面的隔 離材料103，並保持間隔物材料1〇3停留在垂直面上。 可在間隔物103形成之前或之後均可，在開口 1〇5上澱積 雜質以形成擴散區1 〇 6。根據所應用的不同電路，可能必 須遮蔽在植入雜質至開口1〇5之前尚未摻雜的開口。接著 開口 104、1〇5(以及其他選定的開口）填入傳導材料， 電路所需的不同接線。 表 圖11為說明本發明具體實施例的流程圖。更特言之，在 項目1100内形成儲存裝置15。閘開口20以光刻法在項目 1101中形成。在項目1102中，形成該第一間隔物3〇和帶狀

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開口 33 ’如項目1103所不。在項目"〇4中，形成該第二間 隔物40和隔離開口41 ’如項目11〇5所示。該隔離開口㈣ 入隔離材料50 ’如項目11〇6所示。在項目11〇7中，移除該 第-間隔物30和一部份的第二間隔物4〇，以形成階梯34。 ϋ㈣611項目11()8中形成’並形成該閘絕緣體8〇 ，如項目1109所示。一閘導體1〇8和隔離溝渠1〇4在項目 mo中形成，並形成該第二擴散區106，如項gmi所示 。在項目111 2内形成接點1 〇 5。 操作時，當電壓施加至閘導體1〇8時，沿著擴散區1〇6、 107間的垂直電晶體部份9 0 5的基底1〇(例如一p型基底）， 變得可以導電’使開口1〇5内的導體與帶狀區9〇4電接觸， 該帶狀區如圖9B所示連接至儲存裝置9〇6。 如上所述，本發明藉由減少形成垂直（或部份垂直）電晶 體的光刻階梯數達成許多好處。更特言之，光刻流程僅形 成一單一開口20。後續帶狀開口33和第一隔離區開口以為 利用間隔物技術和過度餘刻自動調整。 藉由減少光刻的階梯數，本發明避免光刻製程可能發生 的問題，包括尺寸縮小問題和排列誤差等問題。此外，透 過本發明以這類自行對準方式形成階梯34，使得擴散區61 、1 0 6和垂直電晶體區9 0 5之間的間隔十分精確。這可使裝 置尺寸縮小（讓裝置的成本更低，製作速度更快），並減少 瑕疵，因此相較於傳統結構，整體來說產品品質較益。 此外，本發明還形成用來平分該儲存裝置平面16、9〇6 、909和91 2的帶狀區903、904、908和910，該平面以更可

473875 五、發明說明（12) 靠的方式連接該儲存裝置與該帶狀區。 本發明已利用較佳具體實施例加以說明，本行業專家將 發現本發明可有無窮變化，而仍不脫本發明申請專利範圍 的精神與範疇。

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Claims (1)

1. 473875 六'申請專纖® 麵 ----^ 〜 ^一種製造積體電路晶片的方法，包括： 在一基底上形成具有至少一階梯的開口； 在該階梯之下的開口内形成一第一導體； 在4接該第一導體的基底内和該階梯之下形成一第一 擴散區； 在該階梯上形成一閘導體； 在鄰接該閘導體的基底上形成_第二導體；以及 在鄰接該第二導體的基底内形成一第二擴散區。 2·如申請專利範圍第1項之方法，盆中該開口的形成， 包括： ’、^ 以光刻法在該基底上形成一閘開口； 在該閘開口内形成第一間隔物； 在該基底内形成一帶狀開口，利用該第/間隔物來排 列該帶狀開口； 、 在該帶狀開口内形成第二間隔物；以及 在該基底上形成一隔離開口，利用該第二間隔物來排 列該隔離開口。 3 ·如申請專利範圍第2項之方法，尚包括以隔離材料填 補該隔離開口，其中在該基底内形成隔離開口以及以隔離 材料填補該隔離開口的步驟包括形成一第一部份的作用隔 離區，該方法尚包括形成狹長作用區，以形成一第二部份 的作用隔離區。 〃 4·如申請專利範圍第2項之方法，尚包括移除該第一間 隔物和一部份的第二間隔物，以便在該開口内形成該階梯

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   ’其中該第二間隔物包括該第一導體 二如Π專利範圍第2項之方法，其中該閑開口較該帶 狀開口要£，且該帶狀開口較該隔離開口要寬。 2申請專利範圍扪項之方法，丨中該間導體内的電 壓在鄰接該階梯的基底内形成1導區，該傳導區電連接 該第一導體和該第二導體。 7. 如申請專利範圍第i項之方法’其中該開口在一深溝 渠電谷上形成，該第一導體平分該深溝渠電容的平面。 8. 如申明專利範圍第1項之方法，其中該積體電路裝置 包括一部份垂直電晶體，該第一導體包括一源極區，且該 第二導體包括一汲極區。 9· 一種製造積體電路裝置的方法，包括： 在一基底上形成一儲存裝置； 以光刻法在該儲存裝置上的基底内形成一閘開口； 在該閘開口内形成第一間隔物； 在该基底内形成一帶狀開口，利用該第一間隔物來排 列該帶狀開口； 在該帶狀開口内形成第二間隔物； 在該基底内形成一隔離開口，利用該第二間隔物來排 列該隔離開口； 以隔離材料填補該隔離開口； 移除該第一間隔物和一部份的第二間隔物，以棱在該 閘開口内形成一階梯，其中該第二間隔物包括至少一傳導 帶電連接至該餘存裝置；

   第19頁 473875 六、申請專利範圍 在鄰接該傳導帶的基底内形成一第一擴散區； 在該基底和階梯上形成一閘絕緣層；' °° =階梯之上的-部份閘絕緣層上 ==導體的基底内形成一第二擴散區；以及 ί該擴散區上形成一接點並與該閑導體隔離， -傳導區，該傳導區電連接該基底内形成 10·如申—請專利範圍第9項之方 該隔離開口以及以隔離材料填補該ς U 土底内形成 成-第-部份的作用隔離區，該方法尚驟包括形 區，以形成-第二部份的作用隔離區：匕/、狹長作用 11.如申請專利範圍第9項之方法，直 成包括形成一深溝渠電容，嗲# Μ儲存裝置的形 平面。 电奋該▼狀區平分該深溝渠電容的 1 2 ·如申請專利範圍第9 甘士斗 狀開口要寬，且該帶狀門項：：法 '其中該閘開口較該帶 如申請專利範園離開口要寬。 包括-部份垂直電晶體，哕二其中該積體電路裝置 點包括一汲極區。 该$狀區包括一源極區，且該接 Η. -=體電路晶片，包括： 一基底； 一在該基底内的ρ气 一在該階梯之下;^ 口 ’該開口具有至少-階梯’； ..^ 開D内的第一導體； 一在鄰接該第-導體的基底内和該階梯之下的第一

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   擴散區； 一隹該階梯上的閘導體； 一在鄰接該閘導體的基底上的第二導體·、 一在鄰接該第二導體的基底内的第二擴=及 1 5 ·如申睛專利範圍第1 4項之積體電路、品 包括： 预篮€路日日片，其中該開 一以光刻法形成的閘開口； 一利用第一間隔物對準該閘開口的帶狀 一利用第二間隔物對準該帶狀開口的ς 口，以及 16·如申請專利範圍第15項之積體電路晶 :σ ° 滿該隔離開口的隔離材料，其中該隔離 ，尚包括填 份的作用隔離區，該積體電路晶片尚包括=括了第一部 作用隔離區的狹長作用區。 /成一第二部份 17. 如申請專利範圍第15項之積體電路晶片， 一間隔物和一部份的第二間隔物係移除以 _、中該/ , 成該階梯，其中該第二間隔物包括該第—導體該開口内形 18. 如申請專利範圍第15項之積體電路晶片，盆 開口較該帶狀開π要寬，且該帶狀開口較該隔離開口以/寬 19. 如申請專利範圍第14項之積體電路晶片，其 導體内的電壓在鄰接該階梯的基底内形成一傳導區，該^ 導區電連接該第一導體和該第二導體。 ， 20. 如申請專利範圍第14項之積體電路晶片，i中診 口在-深溝渠電容上形成，該第一導體平分該深溝渠電幵容

   473875 六、申請專利範圍 的平面。 21.如申請專利範圍第14項之積體電路晶片，其中該第 一導體包括一源極區，該第二導體包括一汲極區，且該積 體電路晶片包括一部份垂直電晶體。

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