TW469520B

TW469520B - Substrate processing apparatus

Info

Publication number: TW469520B
Application number: TW089110725A
Authority: TW
Inventors: Issei Ueda
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1999-06-01
Filing date: 2000-06-01
Publication date: 2001-12-21
Also published as: US6290405B1; JP2000348995A; KR100541218B1; KR20010020928A; JP3442686B2

Description

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 469520 A7 _ B7 五、發明說明（I ) 〔發明之背景〕本發明係有關例如對於半導體晶圓或液晶顯示器用之玻璃基板等之基板，要進行例如塗敷抗蝕液之塗敷處理或顯像處理等的基板處理裝置。在於半導體裝置之製造過程的光刻（照相平版印刷）技術，乃以塗敷抗蝕刻於半導體晶圓（以下簡稱爲晶圓）表面，並對該所塗敷之抗蝕刻進行曝光處理成所定圖案，進而實施顯像處理以形成所定圖案之抗蝕膜。而如此之一連串之處理係由連接有曝光裝置於塗敷/顯像裝置的系統 (系列）來實施。圖1 3係顯示如此之裝置的習知例平面圖。收容有基板，例如半導體晶圓2 5片之基板卡匣C，將被搬入於卡厘站100之卡匣（載置）台1 =而在卡匣站100，以塗敷設備（Block ) 1 1 0及顯像設備1 2 0之順序形成連接著。顯像設備12 0更藉轉接（Interface )站1 3 0被連接有曝光裝置1 4 0。前述卡匣台1上之卡匣C內之晶圓W，將由未圖示之轉移臂取出並藉轉移台1 0來送到塗敷設備1 1 0。而在塗敷設備110，將由塗敷單元11塗敷抗蝕刻於晶圓W 上，而後，晶圓W係以主臂A 1 -轉移台1 2 —顯像設備 1 2 0之主臂Α 2->轉移台1 3 —轉接站1 3 0 —曝光裝置140之搬入台14—轉移臂15—曝光部16之路線被搬運而被曝光。再者，在塗敷設備1 1 0則晶圓W會在塗敷抗蝕刻之前後，以網架單元1 7 a各別實施前處理及本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------裝.！ (請先M·讀背®·之注意事項广％寫本頁) 訂： -線- 4 - 469520 五、發明說明G ) 後處理。請先閱 I 面之 ii 意事項 ·? 填寫本頁曝光後之晶圓W，將藉曝光裝置1 4 0之搬出台1 8 以反向路線被搬運至顯像設備1 2 0，並在顯像單元1 9 進行顯像後，以主臂A2—轉移台1 2 —主臂A1—轉移台1 0-卡匣C之線路來搬運。而在顯像設備1 20，會在顯像處理之前後，以網架單元1 7 b各別進行前處理及後處理。然而，上述之塗敷/顯像裝置，由於曝光裝置1 4 0 之處理速度成爲有加快之情形，使得對於塗敷處理或顯像處理也要求著可處理1 5 0片程度以上之處理片數，爲此，檢討著具備有3部塗敷單元11、4部顯像單元19之同時，具備有做爲抗蝕刻塗敷之前處理之要進行形成反射防止膜的反射防止膜形成單元3部之系統。爲此，硏討在該狀態時，要配設前處理設備於卡匣站 1 0 0和塗敷設備1 1 0之間，並在該處，擬配置例如反射防止膜形成單元及要進行搬運晶圓W之主臂之情事。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製然而，在於上述之塗敷/顯像裝置，具有要確認主.¾) A1等等之動作或維護網架單元17a、17b，淸潔曝光裝置140之搬入台14或搬出台18，對於裝置內部之單元等工作者要進行工作等之狀況。另一方面，在於上述裝置’爲了企圖裝置之小型化，縮小佔有面積之目的，而儘可能地要消除各設備內部之單元間之空間。因此，設備（Block )並未確保有工作者維護用之空間，使得工作者必得從裝置外側進行上述工作，因而具有所謂工作困難，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -5- i 95 2 Ο A7 B7 五、發明說明0 ) 對於維護等會費時費工之問題。又如前述，將前處理設備配置於卡匣站1 0 0和塗敷設備1 1 0之間的佈置時，將會加長卡匣台1和曝光裝置 1 40之距離。而要搬運卡匣C至卡匣台1用之自動搬運機器人的搬運線路乃沿著卡匣台1形成著，且該搬運線路因在於淸潔室內，使得從卡匣台縱深爲長之佈置時.將會具有淸潔室（clean room )之利用效率形成惡化之問題。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製〔發明之摘要〕 Λ本發明係鑑於如此之情事而一種企圖處理站之小型化之同時理站內部的基板處理裝置者。爲此，本發明之基板處理裝納複數基板的基板卡匣用之載置置部之基板卡匣進行轉移基板用被連接於該卡匣站，要處理從前用之處理站，其特徵爲：前述處理站包括有：排列配交（垂直相交）於卡匣站之長度與構成前述第1處理單元之處理有複數之處理部的第2處理單元理單元之列的位置，而對於構成行轉移基板的第1基板搬運機構處理單元之列的位置，而對於構發明者，其目的係擬提供，可確保工作區域於該處置乃具有：包括要載置容部，和對於被載置於該載的轉移機構之卡匣站；及述轉移機構所搬運之基板設有複數之處理部於成正方向的第1處理單元；以部形成爲對向1來排列配設 :被配置成面臨於第1處第1處理單元之處理部進 ;及被配置成面臨於第2 成第2處理單元之處理部本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）諳閱讀_ 背面· 注意!裝頁訂線 -6- 469520 A7 B7 機構，域於前述第1處理單元和第站之區域。成爲包括有：排列配設有3 站之長度方向的第1處理單元之處理部形成爲對向之排 2處理單元；被配置面臨於成第1處理單元之處理部進基板搬運機構；及被配置面於構成第2處理單元之處理第2基板搬運機構。區域於第1處理單元和第2 之區域，使得工作者可進入內部之維護等之工作，因此經濟部智慧財產局員工消费合作杜印製五、發明說明供進行轉移基板前述處理 2處理單元之該時，前個以上之處理元；以與構成列配設有3個第1處理單元行轉移基板的臨於第2處理部進行轉移基如此之發處理單元之間於前述工作區，前述工作成又前述處第1基板搬運結構。而前述 .基板進行塗敷成爲具備有：而要進行轉移前述第1處理部；前述第2 曝光之基板進的第2基板搬運站形成有工作區間'的相鄰於卡匣述處理站也可構部於正交於卡匣前述第1處理單以上處理部的第之列，而對於構 2個以上之第1 單元之列，而對板的2個以上之明，因形成工作的相鄰於卡匣站域來進行處理站爲容易進行。理站也可構成爲機構和第2基板第1處理單元和液之塗敷處理用可與配設於前述基板於處理站和單元乃包括對於處理單元乃包括行顯像處理的處請先閱讀背面- 之注意事寫本頁具備有，要進行轉移基板於搬運機構之間用的轉移台之第2處理單元係例如要對於者，以具體例來說明時，構處理站之卡匣站的相反側》曝光裝置之間用之轉接站；基板塗敷處理抗蝕刻之處理對於在前述曝光裝置被實施理部：配設要對於基板之電本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -7- 46952 0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___B7___五、發明說明自) 路形成區域之外側周邊緣區域進行曝光用的周邊緣曝光^ 置於第1處理單元或第2處理單元的一區間的結構者°在於如此之狀態時\就可意圖轉接站之小型化。〔發明之實施形態〕以下，將說明有關適用本發明於基板的塗敷，顯像裝置之實施形態。圖1係透視該實施形態之內部來顯示之槪略圖，圖2係槪略平面圖。圖中S 1爲卡匣站，S 2爲對於晶圓W要進行抗蝕刻之塗敷處理顯像處理等用之處理站，S3爲轉接站，S4爲曝光裝置。卡匣站S 1乃具備有：要載置容納有複數之基板，例如2 5片之晶圓W的形成4個基板卡匣之晶圓卡匣（以下簡稱爲卡匣）2 2用之卡匣（載置）台2 1 ;及形成要進行轉移晶圓W於卡匣台2 1上之卡匣2 2和將後述之處理站S 2的轉移部之間用的轉移機構之轉移臂2 3。轉移臂 2 3乃被構成爲；升降自如，朝XY方向移動自如，繞著垂直軸成旋轉自如。處理站S 2乃具備有：例如3個的反射防止膜形成單元3 (3A、3B、3 C ):例如3個塗敷單元4 (4A 、4B、4 C ):例如4個的顯像單元5 (5A、5B、 5C、5 D ):具有多層之網架之例如4個之網架單元R R2、R3、R4):爲第1基板搬運機構的複數之例如2個的第1晶圓搬運機構M A 1及第2晶圓搬運機構MA2:爲第2基板搬運機構的複數之例如2個的第

請先-- 閱讀背面- 注意事訂 k -8- 469520 A7 ____B7___ 五、發明說明@ ) 閱讀背面- 注意事項 r~ 填寫本頁 3晶圓搬運機構MA3及第4晶圓搬運機構MA4;轉移晶圓W之轉移單元6 :及周邊緣曝光裝置7，並構成爲可進行轉移晶圓W於卡匣站S 1和轉接站S 3之間的同時，在該處理站S 2內，將實施形成反射防止膜晶圓之處理、塗敷抗蝕刻於晶圓W之處理、晶圓W之顯像處理及在於該等處理之前後，要進行加熱、冷卻晶圓W成所定之溫度之處理。說明有關該處理站S 2內之佈置的一例子時，於該處理站S 2內而從卡匣站S 1看在於左側之例如圖3所示者，乃配設有例如6個處理部以排列成3個X 2層來形成處理單元U 1 »前述處理部乃朝成正交於卡匣站S 1之長度方向來排列配設，而例如在於下層之處理部，以反射防止膜形成單元3 A作爲前面來分配3個反射防止膜形成單元 3A、3 B . 3C，在於上層則以塗敷單元4A爲前面來分配3個塗敷單元4A、 4B、 4C。經濟部智慧財產局員工消费合作社印製另一方.面，在於該處理站S 2內而從卡匣站S 1看在於右側方，以與前述第1處理單元U 1成對向來配置有第 2處理單元U 2。該第2處理單元U 2也排列配設有例如 6個處理部成3個X2層，例如圖4所示，在於上層之3 個處理部，以顯像單元5 A爲前面來分配3個顯像單元 5 A , 5B、5C，而在下層之卡匣站S1側之1個處理部·分配有顯像單元5 D。再者，在下層之例如從卡匣站 S 1看在於顯像單元之更裡面一側乃分配有周邊緣曝光裝置7。再者’在於以下之說明，以卡匣站一側者稱爲前面本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規輅（210 X 297公釐） -9- Α7 4 & 9 5 2 Ο Β7__ 五、發明說明Ρ ) 側’以曝光站S 4 —側者稱爲裡面側。而4個之網架R，和4個晶圓搬運機構ΜΑ (MA1 ' MA2、MA3、MA4)及轉移單元6，乃佈置成將藉任一之網架單元R之將後述之轉移部來進行轉移晶圓W 於卡匣站S 1及轉接站S 3之間，同時由任一之晶圓搬運機構MA來轉移晶圓W於網架單元R和反射防止膜形成單元3、塗敷單元4、顯像單元5之間，而在晶圓搬運機構 MA彼此之間，乃藉轉移單元6來進行轉移晶圓W。例如在於卡匣站S1朝裡面側展延之第1及第2之處理單元Ul、 U2間之區域，且在於相鄰於卡匣站S1而從卡匣站S1看在於第1處理單元U1左側配設有第1網架單元R 1 ’從卡匣站S 1看在於第2處理單元U 2左側配置有第3網架單元R 3，並在轉接站S 3 —側，從卡匣站S 1看在於第1處理單元U 1右側配置有第2網架單元 R2，從卡匣站S1看在於第2處理單元U2右側配置有第4網架R 4。至於第1及第2之晶圓搬運機構MAI、MA2，爲能各別轉移晶圓W於例如第1網架R 1和反射防止膜形成單元3A、 3B和塗敷單元4A、 4B之間，及第2網架 R2和反射防止膜形成單元3B、 3C和塗敷單元4B、 4 C之間，而在例如從卡匣站S 1看在於第1處理單元 IT 1之左側第1網架R 1之裡面側，以第1第1晶圓搬運機構ΜΑ 1爲前面來排列配設。又第3及第4晶圓搬運機構MA3、MA4，爲能各本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 111—— — — — — — — — — « — It — — — — ^ ·1[11111» (請先，閱讀背之注意事^%寫本頁) 一經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -10- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 46 95 2 0 A7 ____ B7 五、發明說明6 ) 別轉移晶圓W於例如第3網架單元R 3和顯像單元5 A、 5B、 5D之間，及第4網架單元R4和顯像單元5B, 5 C和周邊緣曝光裝置7之間，而在例如從卡匣站s 1看在於第2處理單元U 2之左側的第3網架R 3之裡面側，以第3晶圓搬運機構MA 3爲前面來排列配設。再者，在於被4個晶圓搬運機構MA所包圍之區域，配置有轉移單元6於該等晶圓搬運機構MA可進行存取之位置。前述網架單元R1(R2、 R3)係在圖5以網架單元R 1爲代表來顯示，成縱向排列有要加熱晶圓W用之加熱部2 4 ’要冷卻晶圓W用之冷卻部2 5，而在於網架 Rl、R2，配設有具備要與卡匣站SS1之間進行轉移用之轉移台之轉移部2 6，再者，配設有要對準晶圓W之位置用的對準部2 7於一方網架單元R 1。又網架單元 R 4係如圖6 A所示，形成縱向排列具有要進行轉移晶圓 W於加熱及冷卻用之CHP裝置5 0和轉接站S 3間的轉移台之轉移部51。前述加熱部2 4係形成以載置晶圓w於例如由加熱器所加熱之加熱板上’使得該晶圓W可加熱成所定溫度。又冷卻部2 5係形成以載置晶圓w於由冷媒之流通所冷卻之冷卻板表面，使得該晶圓W可冷卻至所定溫度。前述CHP裝置係例如圖6 B所示，在處理室5 2之內_部具備有：加熱晶圓W用之加熱板5 3 ;冷卻晶圓W用冷卻板5 4 ;及要移動冷卻板5 4於加熱板5 3之上方側位置和加熱板5 3相鄰位置之間用的搬運機構。該裝置係本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） --------------裝 i — (請先·閲讀背®-之注意事項广填寫本頁) -8 -11 - 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 6 95 2 0 A7 _B7__ 五、發明說明P ) 形成，首先載置晶圓1W於加熱板5 3來加熱成所定溫度之後，以未圖示之突出（突起）銷來提高晶圓以從加熱板 5 3表浮起，並使冷卻板5 4位於晶圓W之下方，且由突出銷和搬運機構5 5之協力合作來轉移晶圓W於冷卻板 5+ 4，由而可冷卻晶圓W至所定溫度。又可由以搬運機構 5 5所轉移晶圓於加熱板5 3和冷卻板5 4之間而控制加熱時間，因而，可防止過烘乾。有對於塗敷單元4，以例如依據圖7來說明時，4 1 爲杯狀物，而配設具有真空吸著功能之可旋轉自如的旋轉夾盤4 2於該杯狀物4 1。該旋轉夾盤4 2係由升降機構 4 3被構成爲升降自如，當位於杯狀物4 1之上方側時，會與前述晶圓搬運機構MA的將後述之臂間進行轉移晶圓 W。有關轉移晶圓W乙事，乃使旋轉夾盤4 2從其下方側成相對性地上升，以在杯狀物4 1之上方側接收臂上之晶圓W，又由其相反動作而從旋轉夾盤4 2交給於臂。4 4 爲吐出噴嘴（管嘴），4 5爲抗蝕液供應管，4 6係要成水平移動噴嘴用之支撐臂，而如此之塗敷單元4係從吐出噴嘴4 4滴下爲塗敷液之抗蝕液於旋轉夾盤4 2上之晶圓 W表面，並轉動旋轉夾盤4 2來使抗蝕液展延於晶圓W上，以進行塗敷（塗佈）。 •又反射防止膜形成單元3及顯像單元5,其結構雖與塗敷單元4大致相同，但顯像單元5係構成4吐出噴嘴 4 4爲例如朝晶圓W之直徑方向具有多數之供應孔的結構本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） -------------裝·丨I (請先M·讀背S-之注意事項P填寫本頁) 二ά --線- -12- 469520 五、發明說明（10 ) ，而從吐出噴嘴4 4吐出顯像液於旋轉夾盤4 2上之晶圓 W表面，且轉動旋轉夾盤4 2半迴轉來進行成顯像液於晶圓W上，以形成'顯像液之液膜。前述晶圓搬運機構MAI、MA2、MA3、MA4 係構成爲相同，例如圖8所示，具有：保持晶圓W用之臂 6 1 :支撐該臂6 1進退自如用之基台6 2 ;支撐該基台 6 2成升降自如的一對導軌6 3、6 4 :各別連結該等導軌63、64之上端及下端用之連結構件65、66:爲了驅動由導軌63、 64及連結構件65、 66所形成之框體朝垂直軸周圍成旋轉自如，安裝成一體於導軌下端的連結構件6 6之旋轉驅動部6 7 ;及配設於導軌上端之連結構件6 5的旋轉軸部6 8。臂6 1係構成可各別保持晶圓W之3層結構，並形成要載置晶圓W之周邊緣於各配設於其各層之例如3片之爪部6 9上。臂6 1之基端部乃形成可沿著配設於基台6 2 之長軸方向的導溝5 9滑動。而由該滑動而形成之臂6 1 之進退移動，係由未圖示之驅動機構來控制驅動。又基台 6 2之升降移動則由未圖示之另一驅動機構來控制驅動。因此，該等2部未圖示之驅動機構、導溝59,前述導軌 63、 64及前述旋轉驅動部67係構成要朝垂直軸周圍驅動臂61成旋轉自如且升降自如又進退自如用的驅動部。’再者，6 9 a係安裝有要偵測是否晶圓W於臂6 1上用之光學感測（察覺）器的感測器支撐構件，其乃被固定於基台6 2。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

請先閱· 讀背面--之注意事項 5裝本 · I 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -13- 46 95 2 0 A7 B7 五、發明說明¢1 前述晶圓運機構彼此之 4晶圓搬運機數例如3個之 6 0乃構成爲，具備不會使之程度的高度，予以降下臂轉移台6 0。成爲相同之結確保在於工作前述周邊做爲電路形成之周邊緣區域形成產生粒子圖1 Ο A及圖之框體7 1內之同時，配設 .成者。夾盤7 成爲朝垂直軸 7 6爲偵測晶例'如發光部7 過區域的上下在於如此轉移單元6係間，例如在於構Μ A 4之間晶圓轉移台6 在對應於板上晶圓搬運機構之複數的銷， 6 1，接著後再者，網架單構。轉移台6 區域s P 1和緣曝光裝置7 區域的裝置區具有殘留之抗之原因之虞而 1 Ο B所示，，配設例如要要曝光晶圓W 2係形成可由周圍成旋轉自圓W之周邊緣 6 A及受光部之行感測器（之裝置，晶圓經濟部智慧財產局員工消費合作社印製請先閱讀背面之注意事項寫本頁用以進行轉移晶圓W於晶圓搬第2晶圓搬運機構MA 2和第所用者1而例如圖9所示，複 0成縱向排列配設。該轉移台之晶圓W的大致中央部之位置 MA之臂61嚴重地產生衝擊而載置晶圓W於該等銷上之後退臂61，就可轉移晶圓W於元R之轉移部26、 51也構 0理想爲配置於上方。由而可 S P 2間之通道。係爲了在曝光站S 4進行曝光域後，倘若對於裝置區域外側蝕劑時，具有會在以後之過程要進行曝光者。該裝置係例如由在於具有晶圓W搬運口 7 0 真空吸著晶圓W用之夾盤7 2 之周邊緣用的曝光部7 3所形旋轉機構7 4及X機構7 5而如且可朝X方向移動。圖中用的周邊緣偵測部，並以配設 7 6 b成夾持晶圓W周邊緣通 line sensor)所形成者。 W將由第4晶圓搬運機構本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -14- A7 B7 6 9520 五、發明說明〇2 ) MA4之臂61來轉移給予框體71內之夾盤72，並由夾盤7 2來旋轉一迴轉。該時’就由周邊緣偵測部7 6來偵測晶圓W周邊’緣，亦即其輪廓。由於周邊緣偵測部7 6 和曝光部7 3之位置關係已形成一定’因而’控制部7 7 可依據所偵測之輪廓資料來掌握晶圓W對於曝光部7 3在於何種位置。亦即，可察明且掌握晶圓W之中心部對於曝光部7 3之曝光點位置在於怎樣之位置，例如可察明缺口 N在於何處。而缺口^係表示晶圓W之結晶方向用的V字狀之溝，而是替代取向平面（orientation flat )者。接著依據前述所偵測之資料，控制旋轉機構7 4及X機構7 5 來使曝光點能位於晶圓W之周邊緣區域（係在於從周邊緣朝內側進入少許之區域，而是在於裝置區域之外側區域），而後方進行前述周邊緣區域之曝光。而在處理站S2，將由第1晶圓搬運機構MA1來對於網架單元R1 ，和反射防止膜形成單元3A、3B、和塗敷單元4A、 4B及轉移單元6進行轉移晶圓W，由第經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2晶圓搬運機構MA 2來對於網架單元R 2，和反射防止膜形成單元3B、 3C，和塗敷單元4B、 4C及轉移單元6進行轉移晶圓W，由第3晶圓搬運機構MA3來對於網架單元R3，和顯像單元5A、5B、5D及轉移單元 6進行轉移晶圓W，由第4晶圓搬運機構MA 4來對於網架單元R4，和顯像單元5B、 5C,和轉移單元6及周邊緣曝光裝置進行轉移晶圓W。又在處理站S 2之第1處理單元u 1和第2處理單元本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚） -15- Λ69520 A7 B7 五、發明說明（|3 ) U 2間的區域’因配置有4個網架單元R於外側，而配置 4個晶圓搬運機構MA於內側，使得在於第1網架單元 R 1和第3網架’單元R 3之間的與卡匣站S 1相鄰之區域 ’及在於第2網架單元R2和第4網架單元R4之間的與轉接站S 3相鄰之區域，就會形成工作者可進入之工作區域 S P 1、s P 2。再者’第2處理單元U 2係與其他區域形成封閉之空間。亦即，左右爲裝置本體之外部覆蓋體之壁的部分，而在與配設有晶圓搬運機構MA之區域設有隔壁（隔牆） 200 (參照圖11)，再者，配置有過濾器單元F於天花板（頂）部，而構成爲潔淨空氣可經由過濾器單元F來進入於單元之結構。過濾器單元F係配設成例如覆蓋著處理站S 2之上方側。隔壁則形成有未圖示之晶圓轉移口。過濾器單元F乃具有：要潔淨空氣用之濾波器，爲了要除空氣中之鹼成分，例如氨成分或胺用而添加有酸成分的化學過濾器、吸風機（抽風機）及加熱機構或加濕機構等，而使空氣潔淨化、去除鹼成分，被調整成所定之溫度及濕度，並送出至下方側之處理空間內之結構者。例如做 .爲抗蝕液，當使用化學放大型之抗蝕劑時，由於需要防止鹼成分進入於顯像處理環境中，因而，使第2處理單元 U 2內形成封閉之空間，並使用化學過濾器以防止來自外部’之鹼成分的侵入。再者，化學放大型之抗蝕劑，當曝光時會生成酸，而該酸由於加熱處理而擴散來做爲觸媒（催化劑）產生作用本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）請先閲讀背 ®-' 注意事 ^ ' I裝頁訂經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 -1 ό ~ A7 B7 469¾20 五、發明說明（Μ ) ，以分解抗蝕劑材料之主成分的基底樹脂，或改變分子構造，使得溶化於顯像液者。因此，當使用該種類之抗蝕劑時，倘若從包含'空氣中之微量的氨或從壁上之塗料所產生之胺等的鹼成分與抗蝕劑表面部之酸接觸，就會抑制由酸所產生之觸媒反應，使得惡化圖型之形狀，故有需要去除鹼成分。又回到説明裝置整體時，在於相鄰於處理站S 2連接轉接站S 3，而在該轉接站S 3之裡面側連接著對於形成有抗蝕劑之晶圓W要實施曝光用之曝光裝置S 4。轉接站 S 3具備有要進行轉移晶圓W於處理站S 2和曝光裝置 S 4之間用的轉移臂8 1。該轉移臂8 1係配置於對前述第4網架R 4之轉移部5 1進行轉移晶圓W的位置，因此，轉接站S 3乃配設於第2處理單元U 2 —側，而且Y方向之長度形成較處理站S 2爲短，使得在於相鄰於處理站 S 2之第1處理單元U 1側的區域，可確保要使工作者進入之空間。又曝光裝置S 4具備有：要進行曝光晶圓W元件（裝置）區域用之曝光部8 2 ;要在與轉移臂8 1之間進行轉移晶圓W用之瘢入口 8 3及搬出台8 4 ;及要進行轉移晶圓W於搬入口 8 3或搬出台8 4和曝光部8 2之間用的轉移臂8 5。前述搬入台8 3及搬出台8 4乃配置於例如轉接站S 3之從卡厘站S 1觀看接近於左端之位置的靠近於處理站S 2和曝光裝置S 4間之空間位置。接著，說明有關上述之實施形態的作用。首先由自動 — — — — — — — — — — — — — — — — — — — I— « — — — — — It * . - (請先閲讀背面之注意事項#-4寫本頁) _ 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 95 2 0 A7 ___ B7五、發明說明0 ) 搬運機器人（或工作者）搬入容納有例如2 6片之晶圓W 之卡匣2 2於（載置）台2 1，而由轉移臂2 3從卡匣 2 2內取出晶圓W來載置於處理站S 2之網架單元R 1之轉移部2 6。接著，晶圓W由例如第1晶圓搬運機構 ΜΑ 1來搬運至反射防止膜形成單元3 A，並在該處形成反射防止膜=所以要如此地形成反射防止膜乃在使用化學放大型之抗蝕劑時，會在曝光時引起反射於抗蝕劑下側，因而，需要實施防止該反射之膜。其次，晶圓W乃以例如第1晶圓搬運機構ΜΑ 1—第 1網架單元R 1之加熱部2 4 —冷卻部2 5 —塗敷單元 4 B之路線被搬運，而在加熱部2 4被加熱至所定溫度爲止，又在冷卻部2 5被冷卻至所定溫度之後，將在塗敷單元4B塗敷抗蝕劑。接著，塗敷單元4B之晶圓W，將以例如第2晶圓搬運機構MA 2 —第2網架單元R 2之加熱部2 4-冷卻部2 5之路線被搬運，而在加熱部2 4被熱至所定溫度，又在冷卻部2 5被冷卻至所定溫度。然後，晶圓W，將以例如第2晶圓搬運機構Μ A 2 —轉移單元6 之轉移台6 0 —第4晶圓搬運機構MA 4 —第4網架單元 R4之轉移部51—轉接站S3之轉移臂81—曝光裝置 5 4之搬入台—轉移臂8 5 —曝光部8 2之路線被搬運，以進行元件區域之曝光。 ‘ 曝光後之晶圓W係以相反之路線，亦即，曝光部8 2 —轉移臂8 5 —搬出台8 4 —轉接站S 3之轉移臂8 1 — 第4網架單元R 4之轉移部5 1*-第4晶圓搬運機構「請先Mtl背面‘之注意事項114,寫本頁) .裝訂： -線. 本紙張尺度適用中S國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -18- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 46 95 2 0 Α7 ___一 Β7 五、發明說明（16 ) MA 4之路線被搬運至處理站S 2，並首先由第4晶圓搬運機構MA 4搬運至周邊緣曝光裝置7來進行曝光元件區域之周邊緣區域'接著，晶圓W係以例如第4晶圓搬運機構MA 4 —第4網架單元R 4之C Η P裝置之路線被搬運，並在該處被加熱至所定溫度之後，爲了抑制過烘乾而被冷卻至所定溫度。而後，晶圓W係以例如第4晶圓搬運機構ΜΑ 4 —顯像單元5 Β之路線被搬運，並在該（顯像）單元5 Β被實施顯像處理。然後，晶圓W係以例如第3晶圓搬運機構Μ A 3 —第 3網架單元R 3之加熱部2 4 —冷卻部2 5的路線被搬運，而被加熱至所定溫度之後，被冷卻至所定溫度。而後，晶圓W乃由第3晶圓搬運機構MA 3且藉第3網架單元 R 3之轉移部2 6來被送回例如原來之卡匣2 2內。在於處理站S 2，晶圓W係依序被送到第1網架單元 R 1之轉移部2 6，並以空（著）的反射防止膜形成單元 3 —空的加熱部2 空的冷卻部2 5 —空的塗敷單元4 —空的加熱部2 4 —空的冷卻部2 5之路線被搬運，又曝光後之晶圓W則以周邊緣曝光裝置7 —空的C Η P裝置 5 0 —空的顯像單元5 1—空的加熱部—空的冷卻部之路線被搬運。爲此，有可能形成需要在晶圓搬運機構ΜΑ彼此之間進行轉移晶圓W，但該時可藉轉移單元6來進行轉移·。上述實施形態，處理站S 2乃使第1處理單元U 1和第2處理單元U2配設成從卡匣站S1觀看朝左右各成相本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） II. I — — II----·1111111 — ·1111111 C-請先M-讀背办之ii意事項！寫本頁) ^ -19- 469520 A7 B7 五、發明說明〇7 ) 對向，並在該等第1及第2之處理單元Ul、 U2間之區域，並列配設2個之網架R和2個之晶圓搬運機構MAM 面臨於各處理單元Ul、 U2之列，使得裝置整體可縮短從卡匣站S 1往裡面之深度而可意圖小型化之同時，其結果，可擴大從卡匣站看之第1及第3之網架單元R 1、 R 3間之區域，及可擴大第2及第4之網架單元R 2、 R 3間之區域，因而，可確保該區域做爲工作（操作）區域SP1、 SP2。當可確保如此之廣闊工作區域時，因能使工作者進入於該區域以進行維護網架單元R或確認晶圓搬運機構MA之動作的工作，因而，較從裝置外面一側進行該等工作時，更可容易進行工作且可縮短工作時間。又處理站S 2乃配設晶圓搬運機構MA於面臨於第1 及第2之處理單元Ul、 U2各列之位置，使得不會在搬運晶圓W至曝光裝置S 4的往路，和從曝光裝置回行之回路之間，產生重疊搬運路線之下來進行搬運晶圓W。因此 *搬運路線並不會產生浪費（無用地）情形，且可在短時間內搬運晶圓W = 再者，以上述實施形態的佈置，如已所說明，處理站 S 2雖在Y方向之長度會變長，但X方向長度會變短。爲此，可縮短卡匣站S 1和曝光裝置S 4之距離，使得從卡匣站S 1往裡面之深度變短，因此，可增進淸潔室之利用效率。再者，在上述實施形態，將以往配設於轉接站S 3之周邊緣曝光裝置7容納於第2處理單元U 2，而以第4晶本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210x 297公釐）請先閱. 讀背面/ 之注意事項 | έ 本 · 頁訂線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -20- 46 95 2 0 A7 __ B7 五、發明說明08 ) 圓搬運機構MA 4來對於周邊緣曝光裝置進行轉移晶圓w ’又藉第4網架單元R4之轉移部5 1來與轉接站S 3間進行轉移晶圓W，使得形成僅設有轉移臂8 1於轉移站 S 3，由而，可令該轉接站S 3成爲小型化。又如習知者，配設周邊緣曝光裝置7於轉接站S 3之結構時，有需要在該轉接站S 3配設供予周邊緣曝光裝置用之轉移臂及爲了增大總計之搬運容量來進行高速處理而配設之與曝光裝置S 4之間專用的轉移臂，以致轉接站S 3會成爲大型化〇以如上所述，本發明因可確保工作者可進入於處理站 S 2之第1處理單元U 1和曝光裝置S 4間之區域用的工作區域，而在進入於該區域時，因可靠近於曝光裝置S 4 的搬入台8 3及搬出台8 4，使得可容易地進行擦拭該等 (載置）台之工作。當不具有如此之工作區域時，爲了擦拭前述搬入及搬出用（載物）台8 3、8 4，有需要拉出轉接站S 3來形成工作區域於相鄰於曝光裝置S 4的區域，使得需要頻繁的進行前述之工作，而成爲麻煩。將顯示本發明之其他實施例於圖1 2。在同圖所示之實施形態乃以軸固定部91使卡匣站S1和處理站S2之間的一方側支承，以令卡匣站S 1對於處理站成門狀可接觸分離，由而，可容易地實施存取至工作區域。又在於本實施形態，尤其，由省略圖示之控制部的控制來使卡匣站 S 1從處理站S 2分離時，轉移臂2 3會成爲移動至軸固定部9 1側。由而，可大幅度地減少工作者在維護時由於本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐）請先-閱讀背面.* 之注意事項 % 1 寫裝本$ 頁訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -21 - 4 S 9 5 2 0 A7 B7 五、發明說明〇9 ) 接觸於轉移臂2 3而產生之不適當。於本發明，要容納反射防止膜形成單元3或塗敷單元 4的第1處理單元U1，或要容納顯像單元5之第2處理單元ϋ 2並未僅限定於2層而已，也可重疊成3層或4層，也可排列配設3個以上之處理部於每一層。又配合該狀態而使晶圓搬運機構ΜΑ之數量成爲4個以上，並也可在面臨於各別之處理單元的列之位置配置成2個以上。再者，網架單元R之加熱部2 4或冷卻部2 5、 CHP裝置5 0之數量並不限定於上述之實施例而已，也可配設CHP裝置5 0於第1、第2、第3之網架單元 Rl、R2、R3，並構成形成反射防止膜之後或塗敷抗蝕劑後，在C Η Ρ裝置5 0進行晶圓W之加熱及冷卻，又轉移單元6之轉移台6 0並不限定於3個，也可1個或複數個。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 ---—— — — — III — - I I (請先閱讀背¾.之注意事項t^寫本頁> --線· 又在上述之實施例，將處理站S 2和轉接站S 3間之轉移晶圓W係以第4晶圓搬運機構ΜΑ 4且藉第4網架單元R4之轉移部5 1來進行，但也可配設要在處理站S 2 和轉接站S 3間進行轉移晶圓W專用之搬運臂，也可構成 .爲配設周邊緣曝光裝置7於轉接站S3之結構。再者，也可配設周邊緣曝光裝置7於第1處理單元 U 1之一區域，並分配塗敷單元4和反射防止膜形成單元 3及周邊緣曝光裝置7於第1處理單元U 1之處理部，該時也可配設轉接站S 3於第1處理單元U 1側，以確保工作者可進入於處理站S 2之相鄰於第2處理單元U 2側區本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格（210 X 297公釐） -22- 469520 A7 B7 五、發明說明¢0 ) --------------裝—— <請先閱讀背面之注意事項i4寫本I) 域的空間。在於如此之狀態時，晶圓w係以例如塗敷單元 4 —加熱部2 4 —冷卻部2 5 —周邊緣曝光裝置7-*轉接站S 3 —曝光裝置S 4之路線來搬運。甚至在於如此之結構，也可令轉接站S 3成爲小型化，並可確保工作者能進入於處理站S 2和曝光裝置S 4之間區域的工作空間。再者，本發明也可替代予以形成反射防止膜而適用於進行疏水化處理的場合，例如在於該場合，將疏水化處理部配設於網架單元R，並在此進行疏水化處理之後，進行塗敷抗蝕劑於塗敷單元4。又本發明對於做爲基板並不限定於晶圓W而已，也可爲液晶顯示用之玻璃基板。 -線· 依據本發明，將第1處理單元和第2處理單元成相對向來配設，且配設基板搬運機構於面臨於該等處理單元之列的位置，因而可確保工作區域於處理站，又可縮短處理站之從卡匣站朝裡面之距離。再者，依據本發明*周邊緣曝光裝置因配設於第1處理單元或第2處理單元，使得轉接站可做成小型化。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製以上所說明之實施形態，乃意圖徹底地明示本發明之技術內容者，但本發明並非僅限定於如此之具體例來狹義 .地被解釋者，而是能在本發明之精神及申請專利範圍所記載之範圍內，可實施種種之變更者。〔圖式之簡單說明〕圖1係顯示有關本發明之實施形態的塗敷、顯像裝置的外觀圖。本紙張尺度適用中囤國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） -23- 469520 A7 B7 五、發明說明¢1 圖2係顯圖3係顯圖4係顯圖5係顯圖6 A係顯示C Η P裝圖7係顯圖8係顯圖9係顯圖1 0 A 係平面圖。圖1 1係圖1 2係敷、顯像裝置圖1 3係示前述塗敷、顯像裝置的槪略平面圖。示前述塗敷、顯像裝置的槪略左側面圖。示前述塗敷、顯像裝置的槪略右側面圖。示網架單元之一例子的側面圖。顯示網架單元之其他例的側面圖，圖6 B係置的剖面圖。示塗敷單元的剖面圖。不晶圓搬運機構的斜視（立體）圖。示轉移單元的剖面圖。係顯示周邊緣曝光裝置的側面圖，圖1 0 B 顯示處理站的外觀圖。顯示用以說明本發明之其他實施形態用之塗的槪略平面圖》顯示習知之塗敷、顯像裝置的槪略平面圖。 --------------裝--- <請先)?3-讀背6.之注意事項产^寫本頁) -5 -線· 經濟部智慧財產局負工消費合作社印製

元單成形彳膜圓明止元元元晶站站說防單單單體匣理之射敷像移導卡處號反塗顯轉半：·· ' _ * * 0 Λ f * It—1 C3456WSS 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） -24- 46 95 2 0 A7 _B7 五、發明說明焊）構機置運站裝元搬接光單圓轉曝架晶 ::_ ·· 3 4 : A s s R Μ ---------------- Γ請it-閱讀背面之ii意事項(i寫本頁) --線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -25-

Claims

4 6 9 5 2 0 AS D8 六、申請專利範圍 1 種基板處理裝置，係具有：包括要載置容納複數基板的基板卡匣用之載置部，和對於被載置於該載置部之基板卡匣進行轉移基板用的轉移機構之卡匣站；及被連接於前述卡匣站，要處理從前述轉移機構所搬運之基板用之處理站，其特徵爲：前述處理站包括有：排列配設有複數之處理部於成正交（垂直相交）於卡匣站之長度方向的第1處理單元；以與構成前述第1處理單元之處理部形成爲對向來排列配設有複數之處理部的第2處理單元：被配置成面臨於第1處理單元之列的位置，而對於構成第1處理單元之處理部進行轉移基板的第1基板搬運機構：及被配置成面臨於第2 處理單元之列的位置，而對於構成第2處理單元之處理部進行轉移基板的第2基板搬運機構，前述處理站形成有工作區域於前述第1處理單元和第 2處理單元之間的相鄰於卡匣站之區域。 2 .如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中前述第1處理單元具有朝成正交於前述卡匣站長度方向的方向排列配置3個以上之處理部，前述第2處理單元具有排列配設成與構成前述第1處理單元的處理部相對向之3個以上的處理部，前述第1基扳搬運機構係被排列配設於面臨於前述第1處理單元之列的位置，而具有對於構成前述第1處理單元之處理部要進行轉移基板的2個以上之搬運機構，前述第2基板搬運機構係被，排列配設於面臨於前述第本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） *!-'!----I-----γ -裝--------訂·.!-------線(、 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -26- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^69520 六、申請專利範圍 2處理單元之列的位置，而具有對於構成前述第2處理單元之處理部要進行轉移基板的2個以上之搬運機構。 3 .如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中前述處理站具有要進行轉移基板用之轉移台於第1基板搬運機構和第2基板搬運機構之間。 4 .如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中前述第1處理單元及第2處理單元乃包括有要對於基板進行塗敷液之塗敷處理的處理部。 5 .如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中具有能與配設於前述處理站之卡匣站的相反側之曝光裝置相連接，且被連接於前述處理站之卡匣站的相反側，以進行轉移基板於處a站和曝光裝置之間的轉接站，而前述第1處理單元乃包括有對於基板要進行塗敷液之塗敷處理的處理部I至於前述第2處理單元乃包括有對於在前述曝光裝置被曝光之基板進行顯像處理的處理部。 6 .如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中前述處理站乃包括有對於在前述曝光裝置曝光成電路形成區域的基板，要對於基板之電路形成區域外側的周邊緣區域 .進行曝光的周邊緣曝光裝置，而該周邊緣曝光裝置乃配設於第1處理單元之一區域。 7 .如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中前述處理站乃包括有對於在前述曝光裝置曝光成電路形成區域的基板，要對於基板之電路形成區域外側的周邊緣區域進行曝光的周邊緣曝光裝置，而該周邊緣曝光裝置乃配設本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） '1---------「裝--------訂---------"- <請先閲讀背面之泫意事項再填寫本頁) 469520 A8B8C8D8 六、申請專利範圍於第2處理單元之一區域。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 8 ·如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中前述轉接站之寬度係較前述處理站之寬度爲狹窄，而由前述轉接站和前述處理站之寬度差所產生之間隙來確保要進出入於前述工作區域用之通道。 9·如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中前述卡匣站係對於前述處理站連接成可接觸分離之狀態》 1 0 .如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中前述卡匣站係以軸固定於前述處理站之一方側|並形成對於前述處理站可接觸分離成如門狀。 1 1 ·如申請專利範圍第1 0項之基板處理裝置，其中在於前述卡匣站之前述轉移機構具有朝前述卡匣站之寬度方向搬運基板的搬運機構，當前述卡匣站從前述處理站被分離時，前述搬運機構將暫時移動至前述卡匣站所被軸固定之一側。 1 2 .如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中前述轉移台乃被配置於上方》經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -28- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐）