TW463254B - Surface protective sheet for use in wafer back grinding and method of use thereof - Google Patents

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TW463254B
TW463254B TW088113999A TW88113999A TW463254B TW 463254 B TW463254 B TW 463254B TW 088113999 A TW088113999 A TW 088113999A TW 88113999 A TW88113999 A TW 88113999A TW 463254 B TW463254 B TW 463254B
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wafer
pressure
sensitive adhesive
adhesive layer
protection sheet
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TW088113999A
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Kazuhiro Takahashi
Kazuyoshi Ebe
Shinya Takyu
Original Assignee
Lintec Corp
Toshiba Corp
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Description

經濟部智慧財產局員工消費合"技£要 A7 B7 五'發明說明（1 ) [發明領域] 本發明係有關一種感壓黏著片，其係用於晶圓背面研 磨時保護電路表面。更特定言之，本發明係有關一種感廢 黏著片，其係用於其中將晶圓背面磨光藉以減低晶圓厚S 及最後促成其分割成個別晶片之晶圓操作程序中。 [發明背景] 近幾年來，已助長ic卡的擴展，且至今需要進一步 降低厚度。因此，過去為約350微米的半導體晶片厚度需 要減小到50至1 00微米或更低者。 電路圖形成後研磨晶圓背部為常用作業。在意欲將晶 圓研磨到，例如，100微米或更低之厚度時，晶圓強度會 減低，結果晶圓易破裂。尤其晶圓變脆，使得在晶圓中 即使略有缺陷，亦可能發生因該缺陷所造成的龜裂且該龜 裂會長得大到穿透晶圓由而極度降低晶片產率。 曰本專利公開公報第5(1993)_33541 1揭示一種製造 :導體aB片之方法’其中’為了遏止因上述龜裂成長所致 1破斷’係從晶圓表面形成具有既定深度之溝稽及隨後 研磨晶圓背面。 ;這種晶片製造方法中，可以利用，、签描作L Λ 為晶圓龜W h Α 了㈣以槽停止發生以作 绝裂成長之起點的缺陷現象。 ®分割成個方法中也會發生晶片破裂情形'就在晶 此連結的壯諸晶片係利用極薄的橋聯處於彼 m η #第6圖' 晶片與背面研磨機的主軸接 一一—_ ; ^加方向和所施加的研磨力大十而言斑不 :,'7 ~~---- ---------------------訂—-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) >Ui776 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 46325 4 Α7 _ Β7 五、發明說明（2 ) 接觸到主軸的鄰接晶片有異地接受研磨^這種力道差異會 促使晶片脫位且在薄橋聯上龜裂由是導致晶片破製。 尤其是使用傳統廣被採用的表面保護片時，因為該表 面保護片之感壓黏著劑相當地軟’使得晶片脫位程度變大 且可能發生晶片破裂。 [發明目的] 本發明係經由考慮上述先前技藝而定成的β本發明目 的為提供一種可應用於能夠以高產率製造極薄1C晶片之 方法中之表面保護片。 [發明概述] 本發明一目的，提供一種用於半導體晶片的表面保護 片’其係在包括於備有電路圊的半導體晶圓表面上形成溝 槽使得溝槽的切割深度小於該晶圓的厚度及研磨該晶圓背 面而使得晶圓厚度減小及使晶圓於最後分割成個別晶片之 程序中用於晶圓背面研磨。 上述表面保護片包括基材及疊置於其上之在4 0°C下 具至少1.0X1 05Pa的彈性模數之感壓黏著層。 較好該感壓黏著層係由能量輻射可硬化性感壓黏著劑 所構成。再者，該感壓黏著劑層較好具有至少10公斤/平 方厘朱之剪切剝離強度β 又再者，於本發明中，較好該表面保護片在40公斤/ 平方厘米具有0.1至5.0%之壓縮應變。 使用本發明表面保護片可以高產率製造極薄的1C晶 片0 — — —— — — — — — — — I «——— — —II 1111111( {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張反度適用中國國家標準規格（210 X 297公釐） 2 310776 A7 B7 圍 年日修正/更正/補充 五、發明説明0 ) 本發明另一目的提供一種研磨晶圓背面之方法，其包 括下述諸步驟： 在備有電路的半導體晶圓表面上形成溝槽使得該溝槽 的切割深度小於晶圓厚度， 將上述表面保護護片黏貼到該備有半導體電路的晶圓 表面上，及 研磨晶圓表面使該晶圓厚度減低且使該晶圓最後分割 成個別晶片3 [圖式簡要說明] 第1圖為本發明表面保護片之斷面圖： 第2至5圖顯示出使用本發明表面保護片（感壓黏著片 製造薄1C晶片所用的各程序步驟：及 第6圖顯示出在傳統背面研磨法中發生晶片破裂之機制。 [圖式符號簡單說明] (請先間讀背面之注意事項再塡寫本頁各攔) u. 產 局 1 基材 2 感壓黏著層 3 晶圓 4 溝槽 5 晶片 6 裝置用膠帶 7 龜裂 8 轉韩 9 磨石 10 表面保護片 [發明詳細說明1 至此，本發明將參照附圖加以詳細 說明 參見第〗圖 本發明表面保護片1 ( )係έ 疊置於其上的感 壓ίέ著層 Ί .. 基# 1並無 特別限制 且 ί以使用 各種 屬 含_忐旨獏作為基 及 例 六. 4 6325 4
五、發明說明（4 本發明中’由防水性及耐熱性等觀點來看，較妤使用合成 經濟部智慧时產局員工消費合作社印製 樹脂膜。合成樹脂膜實例包括聚烯烴例如聚乙烯、聚丙烯、 聚丁浠和聚甲基戊稀之膜；及其它聚合物的膜例如聚氣乙 烯、聚偏氣乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二p酸乙 二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚丁__ ^ 00取丁 一烯' 聚胺甲酸酯' 乙烯/乙酸乙烯酯共聚物、乙烯/(甲基）丙烯酸共聚物：乙 烯/(甲基）丙烯酸酯共聚物、離子鍵聚物、聚笨乙烯和聚 醯胺。 較好使用有一厚度且其揚氏模數在至公斤/ 厘米，尤其是3.0至500公斤/厘米範圍内的基材作為基 材卜 上述基材1的厚度通常在5至300微米，較妤1〇至 200微米的範圍内。該基材1可由單一層任何上述各種膜 或其積層想所構成。 有關臈積層體’該膜可彼此直接積層在一起，例如， 經由乾式積層或透過介質例如黏著劑而積層者。 基材1的上表面’亦即欲加上感壓黏著層2側的表面 可用電暈處理或可設有另一層例如底塗層（primer)以增加 該感壓黏著劑之黏附性。 當後述之感壓黏著層2係由能量輕射可硬化性感壓黏 著劑所構成時，該感壓黏著層2可用能量輻射予以照射。 於此情況中，構成基材1的膜需為透明者。 於本發明表面保護片10中，該感壓黏著層2係疊置 於上述基材1上。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） 310776 I J ^ ------^------f 1i {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟郜智慧財產局興工消費合泎il.ri'i-N A7 ____B7____ 五、發明說明（5 ) 該感壓黏著層2係由在4〇Χ下具有至少1 〇xi〇5pa， 較好1.0Xl05Pa至1.0Xl〇wPa的彈性模數之感壓性黏著 劑所構成。於半導體晶圓的背面研磨中’該表面保護片1〇 不僅涉及表面保護而且也用於固定晶圓。於背面研磨中， 產生研磨熱且該熱會傳導到該表面保護片導致該感壓 黏著層2所具溫度變成約20至60°c。一般感壓黏著劑易 於被熱所軟化，所以彼等的柔軟度會根據研磨進展而增 加，由此促成晶圓（晶片）移動。然而，在本發明中使用在 40C具有至少1.0 XI 〇5pa的彈性模數之感壓性黏著劑， 使得第6圖所示的行為可被抑制，由此遏止晶片破裂。在 40 C具有超過1.0 X l〇3pa的彈性模數之感壓黏著劑也可 以防止晶片破裂。然而，其使用也易造成難以維持感壓黏 著劑的其它性能。 上述彈性模數意指在晶圓被固持下研磨晶圓面時所測 量的彈性模數》例如，在使用其彈性模數會因用能量輻射 予以照射而改變的感壓性黏著劑（例如能量輻射可硬化性 感壓黏著劑）時，可在將該感壓黏著劑層2黏貼到晶園並 藉能量輻射照射使該感壓黏著劑層2硬化之後進行晶圓背 面研磨。於這種情況中’上述彈性模數意指在固持住晶圓 之下研磨晶圓背面時所測量的彈性模數，亦即，經能量輻 射 照射而硬化的感壓黏著劑層所具彈性模數„ 彈性模數可以用杻力剪切法(彈性模數G1)或張力壓縮 法t彈性棵數E .)予以測量：能量輻射可硬化感壓黏著劑在 能量轄射照射之前的彈性模數是用杻力剪切法測量.而其 .a巧.m:缥鼎 ：...'u： ^ 一· —- ----------------I----訂·1111 — i" (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6325 4 A7 ____— · _B7__ 五、發明說明（6 ) 在能量輕射照射之後係由張力壓縮法測量。於線型區内的 彈性模數G1和彈性模數Ει通常都會滿足關係式£1 = 3(}1 β 上述本發明所定義的彈性模數意指用張力壓縮法測得者。 在用扭力剪切法測量時，利用公式Ei = 3Gi予以轉換。 用於本發明中的感壓性黏著劑並沒有限制只要其展現 出上述彈性模數即可。例如，可使用以橡膠、丙烯酸、石夕 鋼和聚乙烯基醚為主的感壓黏著劑。於本發明中，較好使 用能量輻射可硬化性感壓黏著劑β再者，亦可使用能量賴 射可硬化及熱可發泡性感壓黏著劑。 雖然依材料類別而定，但感壓黏著層2的厚度通常約 3至100微米，較佳約1〇至50微米範圍内。 可使用多種感壓黏著劑作為上述感壓黏著劑。於本發 明中，較好使用能量輻射可硬化性感壓黏著劑β例如，較 妤使用曰本專利公報1(1989)-56112號和曰本專利公開公 報7(1995)-135189號中所列舉者作為能量輻射可硬化（光 可硬化，紫外光可硬化或電子束可硬化）感壓黏著劑，但 彼等絕非用來限制可用於本發明中的能量輻射可硬化感壓 黏著劑之範圍。 例如，在日本專利公開公報60(1985)-196,956和 60(1 985)-223,139號中所揭示的在其分子中具有至少兩個 光可聚合碳碳雙鍵而可經由光照射轉化成三次元綱絡構造 之低分子化合物即廣被作為欲摻加到能量輻射可硬化感壓 黏著劑t之能量輻射可聚合化合物。其特定實例包括三羥 甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四 r I- ^-------I ^---------^ . 1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公藿） 6 310776 經濟部智慧財產局員工消費合作钍印戈 A7 ----------B7 五、發明說明（7 ) 丙牌酸醋、二季戊四醇單經基五两稀酸醋、二季戊四醇六 丙烯酸醋、1，4.丁二醇二丙稀酸醋、以-己二醇二丙缔酸 醋、聚乙二醇二丙燁駿醋及市面上可得到之寡聚醋型婦酸 酯。 再者，除了上述丙烯酸酯化合物之外，也可以使用胺 甲s«_s曰丙晞酸酯寡聚物作為能量輻射可聚合化合物。胺甲 酸酯丙烯酸酯寡聚物可經由用以多元醇化合物例如聚酯或 聚醚化合物與聚異氰酸酯化合物例如2,4-甲苯二異氛酸 醋、2,6-f苯二異氰酸酯、13 —二甲苯二異氣酸酯、】，扣 二甲苯二異氟酸醋或二苯基甲二異氣酸酷反應所 得之異氱酸酯終端型胺尹酸酯預聚物與含羥基的丙烯酸酯 或甲基丙烯酸酯，例如，丙烯酸2_羥基乙酯、甲基丙烯 酸2-羥基乙酯、丙烯酸2_羥基丙酯、甲基丙烯酸2，羥基 丙酯、聚乙二醇丙烯酸酯或聚乙二醇甲基丙烯酸酯等反應 而得。 有關能量輻射可硬化感壓黏著劑中能量輻射可聚合化 合物對丙晞酸感壓黏著劑的摻合比例，較妤每重量份 丙烯酸感壓黏著使用50至200重量份，尤其5〇至15〇重 量份‘且更特別70至120重量份的能量輻射可聚合化合 物。於此情況中，所得感壓黏著片的初黏著強度大而在 用能量輻射照射該感壓黏著層時' 黏著強度即急劇地下 降·因此，晶片與丙烯酸型能量輻射可硬化感壓黏著層之 間剝離’而可取出晶片。 该丙烯酸型能量輻射可碩化感墼黏著層可由異有能量 iTi"?· r;' ^ΤΓΤΪ" " —-——-— 裝--------訂---------線 (請先sg讀背面之注意事項再填窵本頁) W0776 A7 46325 4 B7___ 五、發明說明（8 ) 輻射可聚合基作為側鏈的能量輻射可硬化共聚物所構成。 這種能量輻射可硬化共聚物同時展現出令人滿意的黏附性 及能量輻射硬化性。具有能量輻射可聚合基作為側鏈的能 量輻射可硬化共聚物詳述於例如日本專利公開公報 5(1993)-32,946與8(1996)-27,239號中.這種感壓黏著劑 可免除掉會降低彈性模數的低分子量物質之摻加，由是易 得到高彈性模數。 上述丙烯酸型能量輻射可硬化感壓黏著劑在以能量輻 射與照射前具有令人滿意的黏著強度，而在能量輻射照射 後黏著強度即極度地減低。亦即，以能量輻射照射前，可 經由令人滿意的黏著強度固持住晶片’而在以能量輕射照 射後，可容易地將晶片剝下。 上述感壓黏著劑層2的剪切剝離強度較好至少1〇公 斤/平方厘米，更好10至100公斤/平方厘米的範圍内， 且甚至更佳在10至50公斤/平方厘米的範圍内。針對能 量輻射可硬化感壓黏著劑而言’這種剪切剝離強度亦依有 沒有施以能量輻射照射而變異<»於本發明中，如同上文所 提的彈性模數一般’該剪切剝離強度意指在固持住晶圓之 下研磨晶圓背面時所測量者。該能量輻射可硬化感壓黏著 劑的黏著強度在以能量輻射照射後會極度降低，使得在研 磨步驟中可能發生剝離情形。然而，若剪切方向的應力（剪 切剝離強度）大，則研磨步驟中的剝離現象會受到抑制， 不論1 80°剝離強度為何皆然。所以，該剪切剝離強度在 上述範圍内時，於背面研磨過程中晶圓（晶片）會被牢固地 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 策·-------訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用t固囤家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 8 310776 經濟部智慧財產局員工消f合汴让s. t. A7 _____B7______ 五、發明說明（9 ) 保持住，由是可防止晶片破裂。 本發明表面保護片所具壓縮應變（compressive strain) 較好為0.1至5.0%，更佳者0.5至4.5%範圍内。 片材的壓縮應變是根據日本工業標準（JIS)K7208於40 公斤/平方厘米的荷重下測量。 當該片所具屋缩應變落於上述範圍内時，在接觸到錠 子且接受研磨的晶片與未接觸錠子的鄰近晶片之間的高度 差值即變得相當小’由是可防止晶片破裂（龜裂）。 上述發明表面保護片10係在晶圓背面研磨程序中用 以保護晶圍表面及暫時固定該晶圓之工具，其中包括提出 具有已傍妥丰導趙電路的表面和背面之具有預定厚度的晶 圓，從該晶圓表面形成具有小於晶圓厚度的切割深度之溝 槽及研磨該晶圓的背面使得晶圓厚度減低且使晶圓最後分 割成個別晶片。 更特定言之，該表面保護片10係用於包括下列諸步 驟的晶圓背面研磨程序中。 第一步驟··經由沿著分隔眾多線路所用的界道（streets) 將晶圓3表面切割而形成具有預定深度之溝槽4(參看第2 圖）3 第二步驟：黏貼本發明表面保護片1〇由而覆蓋晶圓 3的所有表面（參看第3圖）a 第三步驟：研磨晶圓背部因而移除上 旦達到合意厚度由是完成分割成個別晶片5之步驟 第4圖I。 ------------------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝--------訂---------線----------- '107'^ 46325 4 A7 ____B7 _ 五、發明說明（) 其後，當該感壓黏著層2係由能量輻射可硬化感壓黏 著劑所構成時，以能量輻射照射該感壓黏著層2藉以減低 黏著強度。於該晶片的研磨表面貼上感染黏著膠帶（裝置 用膠帶如日本專利公開公報5(1993)-335411中所述者），並 剝該表面保護片10(參看第5圖）。從該感壓黏著膠帶摘取 晶片並將其安置在既定基座。 當感壓黏著層2係由軟質能量輻射可硬化感壓黏著劑 所構成時’在上述第二步驟中以能量輻射從基材側照射該 感壓黏著層2而可控制該感壓黏著層2所具彈性模數到上 述範圍内。於此情況t ’在分割成個別晶片5後即不需再 以能量輻射照射。 上述程序易以高產率製得薄1C晶片。 [發明功效] 從上文顯然可知’本發明表面保護片可以高產率製造 極薄的1C晶片。 實施例 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明將參照下列非用以限制本發明範圍的諸實施例 予以更詳細地闡明。 諸實施例與比較例中，彈性模數、剪切剝離強度、片 材壓縮應變和龜裂發生率係用下述諸方法測量者。 翌·性模數 (υ彈性模數g1(扭力剪切法）
試片：8毫米直徑與3毫米高的圓柱體 測量裝置：DYNAMIL ANALYZER RDA II 本紙張尺度適用中國國家標华（CNS)A4規格（21ΰχ 297公餐） 10 310776 經濟部智慧財產局員工消費合作让郎軚 A： B7 五、發明說明（ii ) (REOMETRIC SCIENTIFIC F.E. LTD.所製）；及 測量頻率：1 Hz 以扭力剪切法測量彈性模數時，將G1值乘以3以轉 換為E1值。 (2)彈性模數E1(張力壓縮法） 試片：50毫米（長度）X4毫米（寬度）X0.5毫米（厚度） 測量裝置：RHEOVIBRON DDV-II-EA(Orientec 公司 所製），及 測量頻率：11Hz。 前切剝離強疳 試片：15毫米（寬度）X J 〇〇毫米（長度），及 測量裝置：INSTRON型號4204(Instron公司所製）。 上述試片利用1公斤滾筒黏貼到鏡面晶圓上使試片與 晶圓彼此黏附的面積為15毫米χΐ5毫米。 用個別扣具固持住試片與晶圓，並以5〇毫米/分的頭 速沿垂直方向（剪切方向）剝離以進行測量。 片材的壓縮應樂 壓縮應變係根據日本王#標準UIS) K?2Q8以下列方 式測量。 將10毫米毫米的片彼此堆疊以裂備5毫米厚的 樣品沿厚度方向將荷重施加到樣品.利肖INSTRON型 號4〇〇4(inStron公司所製⑽5毫口分的測量速率測得壓 縮荷重，變形西複 抑 ' 曲線值言算出在40公斤.平方厘米 壓縮荷重τ的壓縮應變 . ^ 1)0>76 ----------------------訂---------線 {琦先閱讀背面之注幸？事項再填寫本頁} 亀裂發生率（％)= X 100 4 6 3 2 5 4 A7 B7 五、發明說明（12 ) 象裂發生率 ' 將6吋直徑和700微米厚的矽晶圓黏貼到切分片 (dicing sheet)上（Adwill D-628，Lintec 公司所製），並使用 35微米厚的刀片以DAD 2H/6T(Disco公司所製）於使得切 割深度為400微米且晶片尺寸為10毫米見方之條件下形 成溝槽。其後，將實施例和比較例中製成的感壓黏著片黏 貼到晶圓所具有溝槽表面之上》剝掉切分片，利用 DFG840(Disco公司所製）進行研磨直到晶圓厚度變成80 微米為止。實施例4中，該研磨步驟前，先用能量輻射（紫 外射線）照射該感壓黏著片。於實施例1至3和比較例申， 係在研磨步驟完成後用能量輻射（紫外射線）照射該感壓黏 著劑片。於實施例5中，不進行能量輻射（紫外射線）對感 壓黏著劑片的照射。剝掉該感壓黏著劑片，並於經分開的 晶片中，計數有龜裂晶片的數目。用下式計算龜裂發生率： 亀裂晶片數目 總晶片數目 實施例 以60重量份丙烯酸丁酯，1〇重量份甲基丙烯酸甲酯 和30重量份丙烯酸2-羥基乙酯製得之具有重量平均分子 量300,000之丙烯酸系共聚物的25%乙酸乙酯溶液1〇〇重 量份，與7.0重量份的異氰酸甲基丙烯醯氧基乙基酯反應 而得能量輻射可硬化共聚物。將0·5重量份的聚異氰酸酯 化合物（Coronate L，日本聚胺基用酸醋工業股份有限公 司所製）及1.0重量份的光聚合起始劑（Irgaeure 184, ciba . .—政--------訂---------線 (靖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規恪（210^297公釐） 12 310776 經濟部智慧財產局目'工消費合作社";-契 Λ7 ___B7____________ 五、發明說明（13 ) 專業化學株式會社所製）與以固趙、含量計為i〇〇重量份的 該能量輻射可硬化共聚物混合，藉而得到能量輻射可硬化 感壓黏著劑。 以該能量輻射可硬化感壓黏著劑塗覆H0微米厚的聚 乙烯膜（揚氏模數X厚度=14.3公斤/厪米）使得乾燥後塗層 厚度為20微米。乾燥係在i〇〇t下進行一分鐘，由是得 到感壓黏著片。 使用此感壓黏著片實施上文所提檢驗。結果列於表1 中 〇 實施例2 重複實施例1的相同程序，但於該能量輻射可硬化共 聚物係經由55重量份丙烯酸丁酯、10重量份的甲基丙烯 酸甲酯、5重量份丙烯酸甲酯和30重量份的丙烯酸2 -羥 基乙酯製得之具有重量平均分子量300,000的丙烯酸系共 聚物之25 %乙酸乙酷溶液100重量份與7.0重量份的異氰 酸甲基丙烯醯氧乙基酯反應而得者。結果列於表〗中。 實施例3 重複實施例1的相同程序，但該能量輻射硬化性共聚 物係經由50重量份丙烯酸丁酯、20重量份曱基丙烯酸甲 酯和30重量份數的丙烯酸2 -羥基乙酯製得具有重量平均 分子量300,000的丙烯酸系共聚物之25%乙酸乙酯溶液 100重量份與7.0重量份的異氦酸甲基丙烯醯氧乙基酯反 應而得者」結果列於表1中： 實施例4 ---------------------訂'--------線 f請先閱讀背*之注意事項再填寫本頁) A7 46325 4 __B7 五、發明說明（i4 ) 90重量份丙烯酸丁酯和10重量份丙烯酸2 -羥基乙酯 製得具有重量平均分子量300,〇〇〇之丙烯酸系共聚物ι〇〇 重量份：120重量份具有重量平均分子量7〇〇〇的胺基甲 酸酯丙烯酸酯募聚物（商品名：SEIKABEAM PU-4，為大 曰精化工業株式會社所製）’作為含有不會與上述丙烯酸 系共聚物反應的不飽和基之成分；10重量份聚異氰酸酯 化合物（Coronate L，由日本聚胺基甲酸酯工業股份有限 公司所製），和0.4重量份光聚合起始劑（irgacure 184，為 Ciba專業化學株式會社所製）混合在一起，由是得到能量 輻射可硬化感壓黏著劑。使用此感廢黏著劑，以實施例1 中的相同方式製備感壓黏著片，但在研磨步琢前進行能量 輻射照射β 使用此感壓黏著片進行上文所提檢驗。結果列於表1 中 〇 管施例5 重複實施例1的相同程序，但使用20重量份聚異氟 酸醋化合物（Coronate L)與1〇〇重量份以固體含量計算的 以80重量份丙烯酸異丁酯、η重量份甲基丙烯酸尹酯和 5重量份丙烯酸2-羥基乙酯製得具有重量平均分子量 5 0 0,〇〇0之丙烯酸系共聚物混合所得丙烯酸型可移除的感 壓黏著劑取代實施例1的能量輻射可硬化感壓黏著劑。結 果列於表1 _。 比較例1 重複實施例1的相同程序，但該能量輻射硬化性共聚 <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 政--------訂---------線 經濟部智婪財產局員工消費合作社印製 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 297公釐） 14 310776 A7 五 '發明說明（15 ) 物係由80重量份丙烯酸2-乙基己酯和20重量份丙烯酸2 羥基乙酯製得具有重量平均分子量3 00,000的丙烯酸系共 聚物之25%乙酸乙酯溶液1〇〇重量份，與4.7重量份異氰 酸甲基丙烯醯氧乙基酯反應所得者=結果列於表1中。 比較例2 重複實施例1的相同程序，但該能量輻射可硬化共聚 物係由60重量份丙烯酸丁酯、1〇重量份曱基丙烯酸甲酯 和30重量份丙烯酸2-羥基乙酯製得具有重量平均分子量 300,000的丙烯酸系共聚物之25 %乙酸乙酯溶液100重量 份’與3.0重量份異氰酸甲基丙烯醯氣乙基酯反應而得 者。結果列於表1中。 比較例3 使用未經能量輻射照射過的實施例4感壓黏著片進朽 檢驗3結果列於表1中。
I -------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： 經濟部智慧財產局員工肩費合作社_ 感壓黏著劑的 彈性模數 (40°C)(Pa) 貪施例1 1.07 X 105 實施例Θ 1.10X 105 貪施例3 1.48X 105 _實施例4 4.55 X 108 實施例5 | 6.71 X 106 比較例 比較例 2.00 X 10" 比較例 表 剪切制離強度 (公斤/平方厘米） 堯裂發生_ (%) 8.66 X 10^ ΤΤδ xur
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Claims (1)

  1. 8 0^88 AKCD 46325 4 六、申請專利範圍 1· 一種用於半導體晶圓的表面保護片’其係在包括於備 有電路的半導體晶圓表面上形成溝槽使得該溝槽的切 割深度小於晶圓厚度及磨光該晶圓背部使得晶圓厚度 減低且使該晶圓最後分成個別晶片之程序令用於晶圓 背部磨光之中者’該表面保護片包括基材及疊置其上 之在40°c具有至少ι·〇χ i〇5Pa彈性模數之感壓黏著 層。 2_如申請專利範圍第】項之表面保護片，其中該感壓黏 著層係由能量輻射可硬化感壓黏著劑所構成者。 3. 如申請專利範圍第1或2項之表面保護片，其中該感 壓黏著層具有至少10公斤/平方厘米之剪切剝離強度。 4. 如申請專利範圍第1或2項之表面保護片，其具有在 40公斤/平方厘米下為〇丨至5.0%之壓縮應變。 5. 如申請專利範圍第3項之表面保護片，其具有在4〇公 斤/平方厘米下為0.1至5.0%之壓縮應變。 6. —種研磨晶圓背面之方法，其包括下列諸步驟： 在備有電路的半導體晶圓之表面上形成溝槽使得 該溝槽的切割深度小於該晶圓的厚度， 在備有半導體電路的該晶圓表面上黏貼一表面保 護片’其包括基材及疊置其上的在40°C下具有至少1.0 Xl〇5Pa的彈性模數之感壓黏著層，及 研磨該晶圓背面，使得該晶圓厚度降低且使該晶 圖於最後分成個別晶片。 7. 如申請專利範圍第6項之方法，其中該感壓黏著層係 冬紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 310776 -J--------訂----------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員X消費合作杜印製 16 六、夺請專利範圍 由能量輻射可硬化感麈黏著劑所構成，且在將該表面 保護片黏貼到備有半導體電路的該晶圓表面後，以能 量輻射照射該感壓黏著層使得該感壓黏著劑層在4 01 下具有至少1 〇 X 105pa之彈性模數。 8.如f請專利範圍第7項之方法，其令該經能量輕射照 射的感壓黏著層具有至少1 0公斤/平方厘米之剪切剝 離強度。 9'如申請專利範圍第7或8項之方法，其中，以能量輻 射照射後，該表面保護片具有在40公斤/平方厘米了 為0.1至5.0%之壓縮應變。
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