TW453028B - Edge reflection type surface acoustic wave device - Google Patents

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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 453 02 8 A7 B7 五、發明說明（I ) 本發明之背_量 1本發明之.領域 本發明係一種使用切變水平形式之表面聲波的邊緣反 射型表面聲波裝置及邊緣反射型表面聲波濾波器，尤指一 種邊緣反射型表面聲波裝置及邊緣反射型1表面聲波濾波器 ，包括一分割式的指狀組合型轉換器(IDT)。 翌知枝術之說明 最近，使用如 Bleustein-Gulyaev-Shimizu (BGS)波或 Love波之切變水平形式表面聲波的邊緣反射型表面聲波裝 置已經引起注意。此類的邊緣反射型表面聲波裝置包括一 在表面聲波基底上提供之IDT，和一在兩相對之表面聲波 基底的邊緣間反射的SH形式表面聲波。因此，因爲不需 要在表面聲波行進方向IDT之外側提供一反射器，該表面 聲波裝置的尺寸能夠被減小。 在曰本未審查專利案第5-291869號中，一邊緣反射型 表面聲波裝置被提供，其中一 IDT被放置在一表面聲波基 底上，且該IDT被分成複數個次IDT部分。在此裝置中， 因爲該Π)Τ被分割使得複數個次IDT部分沿著表面聲波行 進方向被安排，阻抗能夠被提高而電容量也可以。 然而，在日本未審查專利案第5-291869號中描述之邊 緣反射型表面聲波裝置，當IDT被分成複數個次IDT部分 ，在頻率特性中會發生不想要的漣波（寄生響應）。因此， 爲了預防此漣波選擇IDT之成對電極手指數目是必須的。 換言之，因爲IDT之成對電極手指數目是有限的，要 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21CU 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) n I n n ϊ I I I I n I n i - Jl I el 1 -f 1 n f I - n n n - 1 n 453 02 8 ΚΙ _______Β7 五、發明說明（1 ) 獲得各種頻率特性，而沒有產生不想要的漣波是非常困難 的。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明之槪要 爲了克服以上所描述的問題，本發明較佳實施例提供 一使用一 SH形式表面聲波之邊緣反射型表面聲波裝置及 邊緣反射型表面聲波濾波器，其中一 IDT被分成複數個次 IDT部分，且在頻率特性中發生之不想要的漣波被最小化 ，甚至當IDT之成對電極手指數目被改變以獲得各種頻率 特性，使得極佳的共振特性和濾波器特性可被達成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在依據本發明較佳實施例的邊緣反射型表面聲波裝置 中，IDT被分成複數個次IDT部分，且相鄰次-IDT部分間 彼此最接近之電極手指是在相同的電位，使得激發在此電 極手指間不會發生。當假設在表面聲波行進方向IDT最外 部寬度是等於其餘電極手指的寬度時，相對之兩邊緣反射 型表面聲波基底被安排使得相對兩邊緣間距離不是λ〇/2之 整數倍，其由以表面聲波行進方向切割在最外部電指手指 之中央內側的位置之邊緣來達到。因此，由IDT的分割係 接近於相對兩邊緣間距離決定的模式之頻率，來獲得在 IDT之頻譜中（2Ν-2)模式的頻率，可得到不需要之漣波被 有效地最小化的結果。 因此，以分割式的IDT，提供具有極佳共振特性之邊 緣反射型表面聲波裝置是可能的，其中阻抗及電容量提高 ，且幾乎不會受到電極手指成對數目上的限制所影響。 另外，在依據本發明較佳實施例的每一邊緣反射型表 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗0 X 297公釐） 453 02 8 A7 ------ B7 五、發明說明（々） 面聲波裝置中，當邊緣的位置是在大約±0.036 ；U的範圍 時’滿足方程式（1)，不需要的漣波被抑制在大約0.5dB或 更低’甚至於具有更加改善共振特性的結果可被達到。 再且，當邊緣的位置是在大約±〇.〇18 A e的範圍時， 滿足方程式（1)，上述漣波的大小在大約0.2dB或更低，使 得甚至於更加改善共振特性可被達到。 再且，如果在表面聲波行進方向之最外部電極手指， 被安排使得最外部電極手指延伸至由表面聲波基底邊緣和 上表面所定義之邊緣，可以獲得類似的優點。 如以上所描述，本發明較佳實施例提供之邊緣反射型 表面聲波裝置，其中分割式IDT具有複數個次IDT部分被 放置在表面聲波基底上。然而，當複數個依據本發明較佳 實施例之邊緣反射型表面聲波裝置被準備，且安排以定義 一由耦合複數個邊緣反射型表面聲波裝置之濾波器，由分 開IDT，阻抗和電容量大幅地被提高。造成一個結果，具 有不同阻抗和電容量之邊緣反射型表面聲波裝置可以很容 易地獲得。因此，例如，當階梯型濾波器被製造，由使用 依據本發明較佳實施例之邊緣反射型表面聲波裝置，產生 —包括串式橋接（series-arm)共振器或並式橋接（parallel-arm) 共振器的合適架構 ，可以具有容易獲得極佳濾波器特 性的結果。 依據本發明較佳實施例之邊緣反射型表面聲波裝置， 可以當作一帶通濾波器使用。在這種情形，不需要之漣波 能夠被最小化且因此而或獲得極佳之濾波器特性。 6 本紙張尺^適用中國國家標i (CNS)A4規格（210 X 297公爱) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 --I--— — — — — — — 1.^- I ----ili!l.i II — — — — — — — — — 453 02 8 A7 R7 五、發明說明（& ) 爲闡示本發明，在圖式中係顯示目前較佳的數種形式 ，然而應理解本發明並不受限於所示之精確配置以及手段 0 附圖之簡略說明 圖一 A係爲本發明較佳實施例之邊緣反射型表面聲波 裝置的平面圖。 圖一 B係爲圖一 A所示邊緣反射型表面聲波裝置的破 開平面圖。 圖二係顯示當邊緣位置被設定爲Ομπι時（傳統上之位 置）時，獲得之邊緣反射型表面聲波裝置1的***損失-頻 率之特性。 圖三係顯示當邊緣位置被設定爲-1.2μιη時（-0.023 λ 〇) 時，獲得之邊緣反射型表面聲波裝置1的***損失-頻率之 特性。 圖四係顯示當邊緣位置被設定爲-1.5μπι時(-0.028 λ〇) 時，獲得之邊緣反射型表面聲波裝置1的***損失-頻率之 特性。 圖五係顯示當邊緣位置被設定爲-2.Ομπι時（-0.038 λ〇) 時，獲得之邊緣反射型表面聲波裝置1的***損失-頻率之 特性。 圖六係顯示當邊緣位置被設定爲-2.7μηι時（-0.051 λ0) 時，獲得之邊緣反射型表面聲波裝置1的***損失-頻率之 特性。 圖七係顯示當邊緣位置被設定爲-3·4μπι時(-0.064 λ 〇) 7 本紙張尺度ίϊ用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> ---I ---訂-----I---'^丨 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 53 02 8 A7 _ B7_ 五、發明說明（$ ) 時，獲得之邊緣反射型表面聲波裝置1的***損失-頻率之 特性。 圖八係顯示當邊緣位置被設定爲-3.9μιτι時（-0.073 A 〇) 時，獲得之邊緣反射型表面聲波裝置1的***損失-頻率之 特性。 圖九係顯示本發明另一較佳實施例具有一分成三部分 、〇激發形式IDT之邊緣反射型表面聲波裝置的平面圖。 圖十係顯示本發明另一較佳實施例具有一分成四部分 、〇激發形式IDT之邊緣反射型表面聲波裝置的平面圖。 圖十一係顯示本發明另一較佳實施例具有一分成雨部 分、雙激發形式1DT之邊緣反射型表面聲波裝置的平面圖 〇 圖十二係顯示本發明另一較佳實施例具有一分成三部 分、雙激發形式IDT之邊緣反射型表面聲波裝置的平面圖 〇 圖十三係顯示本發明另一較佳實施例具有一分成四部 分、雙激發形式IDT之邊緣反射型表面聲波裝置的平面圖 〇 圖十四係顯示本發明較佳實施例邊緣反射型表面聲波 裝置中，邊緣位置及共振頻率間的關係圖。 圖十五係顯示本發明較佳實施例邊緣反射型表面聲波 裝置中，邊緣位置及漣波出現位置間的關係圖。 圖十六係顯示具有分割式架構之IDT及具有非分割式 架構之IDT的頻譜圖。 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之泛意事項再填寫本頁)

I tt--------訂--------I 453 028 A7 B7 五、發明說明（b) 圖十七係顯示爲傳統上具有非分割式架構之IDT邊緣 反射型表面聲波裝置的平面圖。 圖十八係顯示電極手指成對數目和能夠抑制漣波邊緣 位置間之關係圖。 圖十九係顯示當使用具有一分成兩部分、0激發形式 IDT且電極手指成對數目爲9.5時，邊緣位置和獲得之漣 波大小之間的關係圖。 圖二十係顯示當使用具有一分成兩部分、雙激發形式 IDT且電極手指成對數目爲9.5時，邊緣位置和獲得之漣 波大小之間的關係圖。 圖二十一係顯示當使用具有一分成兩部分、〇激發形 式IDT且電極手指成對數目爲15.5時，邊緣位置和獲得之 漣波大小之間的關係圖。 圖二十二係顯示當使用具有一分成兩部分、雙激發形 式IDT且電極手指成對數目爲15.5時，邊緣位置和獲得之 漣波大小之間的關係圖。 圖二十三係顯示當使用具有一分成兩部分、〇激發形 式IDT且電極手指成對數目爲21.5時，邊緣位置和獲得之 漣波大小之間的關係圖。 圖二十四係顯示當使用具有一分成兩部分、雙激發形 式IDT且電極手指成對數目爲21.5時，邊緣位置和獲得之 漣波大小之間的關係圖。 圖二十五係顯示本發明較佳實施例之邊緣反射型表面 聲波裝置，在反射特性之相位特性中出現的漣波大小和在 9 (靖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線丨 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 4 53 02 8 ___B7 五、發明說明（9 ) 傳輸特性之***損失-頻率特性出現的漣波大小之間的關係 圖。 圖二十六係顯示本發明較佳實施例具有一分成兩部分 、0激發形式IDT之邊緣反射型表面聲波裝置，當漣波大 小在大約0.5dB或更低及在大約0.2dB或更低的範圍時， 獲得之邊緣位置圖。 圖二十七係顯示本發明較佳實施例具有一分成兩部分 、雙激發形式IDT之邊緣反射型表面聲波裝置，當漣波大 小在大約〇.5dB或更低及在大約0.2dB或更低的範圍時， 獲得之邊緣位置之視圖。 圖二十八係顯示本發明較佳實施例表面聲波濾波器一 階梯型濾波器之電路圖。 圖二十九係顯示本發明較佳實施例之邊緣反射型表面 聲波濾波器的平面圖。 元件符號說明· 1、 21、31、41、51 ' 61 ' 71、81 :邊緣反射型表面 聲波裝置 2、 22 :表面聲波基底 2a :上表面 2b、2c、82b、82c :邊緣 3、 33、43、53、63、83 : IDT(指狀組合型轉換器） 4、 5、34、35、44 ' 45、54、55 ' 64、65、84 :次-IDT部份 4a、44a、4b、5a ' 5b :梳狀電極 ίο 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

I — — — — — — 訂---------I 經濟部智慧財產局員工消费合作杜印勒衣 1 ϋ · 53 02 8 A7 __B7___ 五、發明說明（2 ) 6、6a、7、7a、7A、8、8a、9、9a、45a :電極手指 10 :匯流條 D:表面聲波基底之相對邊緣對及IDT之相對的第二 最外部電極手指間的距離 較佳實施例之說明 稍後，將參閱附圖詳細解釋本發明較佳實施例。 圖一 A和圖一 B係爲本發明較佳實施例之邊緣反射型 表面聲波裝置的平面圖及部份地放大平面圖。 一依據該較佳實施例之邊緣反射型表面聲波裝置1包 括一實質矩形表面聲波基底2»該表面聲波基底2最好由 在壓電基底或絕緣基底上疊置壓電薄膜來形成。一壓電基 底可以用石英、LiNb03、LiTa03或一如鉛鈦酸鹽鉻酸鹽陶 瓷之壓電陶瓷來製成。當該壓電薄膜放置在絕緣基底之上 ，一如礬土之絕緣材質製成之基底定義一絕緣基底能夠被 使用當作基底，且一ZnO薄膜或Ta205薄膜能夠被使用當 作壓電薄膜。 當表面聲波基底由使用一壓電陶瓷材質來製成，表面 聲波基底2是以實質平行於IDT之電極手指延伸的方向來 極化處理，其將在以下描述之。 另外，當表面聲波基底由疊置一壓電薄膜或一絕緣基 底來產生，IDT可以放置在壓電薄膜上表面或下表面之上 〇 在本發明之實施例中，一 IDT 3最好由在表面聲波基 底2上疊置如鋁之金屬薄膜來形成，且由如光蝕刻法之合 11 (請先閱讀背面之注意If項再填寫本頁) ~--------訂---------線| 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 53 02 8 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 __B7_ 五、發明說明（1 ) 適方法來執行。 IDT 3被分成兩次<IDT部份4和5沿著表面聲波行進 方向串聯連接。該次-IDT部份4最好包括一對梳狀電極4a 及4b，且次-IDT部份5最好包括一對梳狀電極5a及5b。 梳狀電極4a有複數個電極手指6及6a，而梳狀電極4b有 複數個電極手指7及7a。複數個電極手指6及6a和複數 個電極手指7及7a被安排彼此爲叉指狀組合。 次-IDT部份5最好如IDT4有實質相同的架構及安排 ，其中梳狀電極5a有複數個電極手指8及8a，而梳狀電 極5b有複數個電極手指9及9a。 爲了不會在次-IDT部份4和5間產生激發，次-IDT部 份4之電極手指6a和次-IDT部份5之電極手指8a彼此很 接近，連接至匯流條10。換言之，電極手指6a和8a被安 排在它們以相同電位相連接的方式= IDT 3在表面聲波行進方向最外部的電極手指爲電極 手指7a和9a。表面聲波基底2有一對邊緣2b和2c在基 底2相對兩端。外部電極7a和9a分別位於邊緣2b和上表 面2a及邊緣2c和上表面2a之上。 該邊緣反射型表面聲波裝置1，如圖一 A所示，被由 在梳狀電極4b和5b間外加交流電壓，一 SH-形式表面聲 波被激發來驅動。例如BGS波、Love波及Leaky波之 SH-形式表面聲波可以被產生。要注意的是，在邊緣反射 型表面聲波裝置1中，交流電壓最好被跨接外加在次-IDT 4部份及次-IDT 5串聯上。這是因爲邊緣反射型表面聲波 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

----I---訂--—------I -n n —λ n .

J— I I n ϋ ϋ I 53 ⑽ 8 A7 B7 五、發明說明（π) 裝置具有低電容量和高阻抗。 因爲激發之SH-形式表面聲波以實質垂直於IDT 3電 極手指的方向行進，在邊緣2b及2c間反射，基於SH·形 式表面聲波之共振特性可以被引出。 通常，在傳統的邊緣反射型表面聲波裝置中，當激發 之SH-形式表面聲波之波長爲;1〇時，在表面聲波行進方向 最外部電極手指之寬度爲；U/8，其餘電極手指之寬度爲；ί 〇/4 ’且電極手指之間的間隙寬度爲λ 。因此，在表面聲 波裝置的生產中，一對彼此相對之邊緣由切割表面聲波基 底來定義，使得電極手指有相等寬度的型式後，最外部電 極手指之寬度爲；U/8。 爲了產生共振所需要的駐波，眾所周知地在傳統之邊 緣反射型SAW裝置，壓電基底之相對邊緣間距離必定是入 〇/2的整數倍。 相對於傳統架構需求，在本發明較佳實施例之表面聲 波裝置1中，表面聲波基底之相對邊緣對及IDT之相對的 第二最外部電極手指間的距離D被設定爲不同於λ。/2的一 個値，且不是λ。/2的整數倍，其是切變水平表面聲波 之波長。本發明較佳實施例之創作者發現如果習知技術;I 〇/2整數倍的安排被使用於分割式的IDT，在頻率特性中不 想要的寄生成份會被產生。 尤其特別地，在本發明較佳實施例中，如果在基底2 被分割以定義終端邊緣2a、2c以前，我們假設最外部電極 手指之寬度相等於其餘電極手指之寬度，該基底在表面聲 13 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------線— 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 5 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

02 Q ^ A7 __B7__ 五、發明說明（〇 ) 波行進方向被分割，使得邊緣2a及2c位於最外部電極手 指中央內側。這將由參閱圖一 B來描述之。在表面聲波裝 置1的生產中，IDT 3被安排在表面聲波基底之上使得IDT 3有相等寬度之電極手指。在這之後，該表面聲波基底被 分割以定義邊緣2b及2c，以如以上所描述邊緣2b和2c 位置的方式。即是，基底2被分割使得邊緣2a、2c間的距 離不爲λο/2的整數倍。換言之，當邊緣2b當成一例子， 如圖一 B所顯示，在分割基底之前，一如其它電極6和7 有相同寬度之電極手指7A定義一最外部電極手指。在這 種情形，表面聲波基底2沿著單點虛線B被分割，該單點 虛線B是在單點虛線A之內側，該單點虛線A爲電極手指 7A在表面聲波行進方向中央線。因而，形成邊緣2b。邊 緣2c也由相同的方式來形成。 邊緣2b及邊緣2c的位置可以由從IDT第二最外部電 極手指之距離來表示。尤其特別地，在邊緣反射型表面聲 波裝置1，邊緣2b和第二最外部電極手指6a中央線之間 的距離D及邊緣2c和第二最外部電極手指8a中央線之間 的距離被設定爲小於;U/2的一個値。 在本發明較佳實施例之邊緣反射型表面聲波裝置i中 ，因爲如上所描述IDT 3被分開以產生兩次-IDT部分3和 4，如曾描述之日本未審查專利第5-291869號習知技術的 情形，阻抗被大幅地提高而電容量大幅地減小。 再且，儘管如日本未審查專利第5-291869號所描述之 習知技術，有一個可能就是頻率特性中不想要之漣波會發 14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) -------訂----I----線— A7 B7 五、發明說明（A) 生，本發明較佳實施例中邊緣2b和2c在如上述之位置。 造成一個結果，在頻率特性中出現之不想要的漣波有效地 最小化和極佳的共振特性會被達成。此原因將基於一實驗 例子詳細地被描述。 本發明之創作者在IDT分開以產生複數個次-IDT部分 之表面聲波基底裝置1中，由各種改變邊綠2b和2c之位 置，以量測在傳輸特性中***損失-頻率特性。結果如圖二 至圖八中所示。在這種情形下，如圖二至圖八中所示等效 於邊緣反射型表面聲波裝置的特性，其中激發之BGS波的 波長λ«爲大約53.08μπι，IDT 3中整個電極手指成對數目 爲2L5，且其中電極手指交叉寬度大約是6.〇λ0。 邊緣2b和2c的位置由各種改變如圖一 Β中所示之單 點虛線A和B間的距離而做成不同。換言之，當如上述最 外部電極手指寬度等於其餘電極手指寬度所獲得，該單點 虛線A等於是表面聲波傳輸方向最外部電極手指之中央位 置’且單點虛線B是等於由切割產生之邊緣的位置。因此 ’該位置指定了邊緣2b和2c實際形成的位置，即是，邊 緣之位置可由従傳統上邊緣反射型表面聲波裝置的邊緣之 距離來表不。注意，當邊緣2b及2c位於最外部電極手指 之假設中央位置的外部時，値爲正數。 造成一個結果’圖二^示之特性指出邊緣位置被設定 爲0的一種情形’如習知技術的情況。另外，圖三中所示 之特性指出邊緣位置被設定爲-1 ·2μπι(-{).〇23人G)的一種情 形’且圖四中所示之特性指出邊緣位置被設定爲_1.5μηι(_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公楚） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁}

j I 1 n n I I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^53 028 Α7 Β7 五、發明說明（A ) 0.028 λ〇)的一種情形。圖五中所示之特性指出邊緣位置被 設定爲_2.〇μηι(-0·038又〇)的一種情形，且圖/、中所不之特 性指出邊緣位置被設定爲-2.7μπι(-().()51久〇)的一種情形， 圖七中所示之特性指出邊緣位置被設定爲-3.4μιη(-0·〇64 λ 0)的一種情形，且圖四中所示之特性指出邊緣位置被設定 爲-3·9μπι(-0.073 λ〇)的一種情形。 如圖二中所示，具有共振頻率大約47.65MHz之邊緣 反射型表面聲波裝置，由箭頭C指出一大漣波在大約 45.9MHz附近出現。相對地，如圖三至圖八中所示特性， 可發現共振頻率附近出現之漣波C!至C4小得許多。造成 一個結果，本發明較佳實施例之邊緣反射型表面聲波裝置 中，可確定的，當切割基底前最外部電極手指寬度等於其 餘電極手指寬度時，邊緣2b及2c在寬度方向中央內側的 位置被切割，使得基底相對兩端之間距離不爲λ〇/2且因此 ，極佳共振特性可達到。 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製 (請先閱讀背面之注意事·項再填寫本頁) 所以’作爲邊緣反射型表面聲波裝置1之替代型式， 本發明較佳實施例之創作者創作邊緣反射型表面聲波裝置 如圖九至圖十三所示，其中IDT分開的數目及分割的型式 做各種改變’使得在邊緣反射型表面聲波裝置中，邊緣位 置和共振特性間的關係能夠被檢驗。 在邊緣反射型表面聲波裝置1中，提供兩次-IDT部份 4及5和次-IDT部份4和5中，且彼此最接近之電極手指 以相同電位相連接的一架構被提供。爲了簡化敘述，就分 割邊緣反射型表面聲波裝置1的方法，一兩部分分割〇激 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規袼（210 X 297公釐） 53〇2q A7 ____ B7___ 五、發明說明（a) 發型式被使用。 在圖九中所示邊緣反射型表面聲波裝置21，一 IDT 23 被放置在一表面聲波基底2上。IDT 23被分成三部份以定 義三個次-IDT部汾24至26 ^另外，電極手指24a及25a ，係爲次-IDT部份24和25間彼此最接近，且都連接至匯 流條27。造成一個結果，在電極手指24a及25a之間沒有 表面聲波被激發。類似地，電極手指25b及20a，係爲在 次-IDT部份25和26間彼此最接近，且都連接至匯流條28 。使得他們以相同電位相連接。造成一個結果，在電極手 指25b及26a之間沒有表面聲波被激發。因此，分割邊緣 反射型表面聲波裝置21中IDT的方法係爲一分成三部分 、〇激發型式。 在圖十中所示，邊緣反射型表面聲波裝置31，一 IDT 33被分成四部份以定義四個次-IDT部份34至37。類似以 上的情形，在相鄰次-IDT部份之間電極手指彼此最接近， 且以相同電位相連接使得IDT 33係爲一分成四部分，0激 發型式。 在圖十一中所示，邊緣反射型表面聲波裝置41，一 IDT 43被放置在一表面聲波基底2上。該IDT 43沿著表 面聲波行進方向具有兩次-IDT部份44及45。造成一個結 果，就表面聲波裝置1中的情形，IDT 43係爲分成兩部份 型式。然而，在次-IDT部份44及45之間電極手指44a及 45a彼此最接近’且與不同電位相連接。換言之，電極手 指44a係連接至匯流條46，且電極手指4Sa係連接至匯流 17 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先M讀背面之注意事·項再填_寫本頁) --------訂---------線— 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 453 〇28 A7 B7 五、發明說明（) 條47。如圖中所示’匯流條46及47被安排接收一交流電 壓以驅動邊緣反射型表面聲波裝置41。 (請先閲讀背面之注意事·項再琰寫本頁) 另外，一共同匯流條48係位於沿著相對於匯流條46 及47之邊緣。因此，一外加於電極手指44a及45a間的電 壓如外加於相鄰電極手指間的電壓的兩倍。此一分割式架 構係爲雙激發型式。因此，如圖~ί一中所示分割邊緣反射 型表面聲波裝置41中IDT 43的方法，係爲一分成兩部分 ，雙激發型式。 在圖十二中所示，邊緣反射型表面聲波裝置51，一 IDT 53被分成三部份以定義複數個次-IDT部份54至56。 類似的情形，因爲外加於相鄰次-IDT部份彼此最接近之最 外部電極手指的電壓兩倍於外加於其餘電極手止之間的電 壓，該邊緣反射型表面聲波裝置51具有一分成三部分、雙 激發型式分割架構。 經濟部智慧財產局MK工消費合作社印製 在圖十三中所示，邊緣反射型表面聲波裝置61，一 IDT 63具有一分成四部分、雙激發型式之分割架構。換言 之，該IDT 63被分成四部份以定義次-IDT部份64至67。 另外，如圖十一中所不分成兩部分、雙激發型式的情形， 外加於相鄰次-IDT部份彼此最接近之最外部電極手指的電 壓，兩倍於外加於其餘電極手指之間的電壓。 在圖十一至圖十三中，儘管表面聲波基底2之邊緣2b 和2c係位於最外部電極手指外部邊緣的外側，最外部電極 手指可以延伸至由邊緣及2(：和上表面2a所定義之邊緣 〇 18 /纸張尺度巾晒家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐) 453 〇2 q B7 五、發明說明（上） 圖十四及圖十五顯示當在邊緣反射型表面聲波裝置1 中改變邊緣的位置時，所獲得共振頻率的改變。圖十五顯 示一指出當邊緣位置改變時，所獲得最接近共振頻率之大 漣波出現的頻率位置的改變。從圖十四及圖十五很明顯， 在邊緣反射型表面聲波裝置1中，邊緣位置愈向負的方向 偏移，則共振頻率及漣波出現的頻率位置愈高。這是因爲 ，邊緣位置愈向負的方向偏移，邊緣2b及2c之間的距離 將愈短，因而共振頻率增加。因此，可以考慮，增加共振 頻率，接近共振頻率低頻側漣波出現的位置也往高頻位置 移動。 如上所描述，在邊緣反射型表面聲波裝置1中，當邊 緣的位置被設定在由如圖一 B中所示單點虛線A指定的位 置內側，接近於共振頻率低頻側之一大漣波被最小化。該 結果的原因將會被解釋。 在具有傳統非分割式IDT之邊緣反射型表面聲波裝置 71(圖十七）中，在接近於以上描述的頻率沒有大漣波。這 是因爲一由表面聲波基底相對邊緣之間距離所決定之模式 不會出現漣波，因爲在IDT之頻譜中最接近主瓣一衰減極 點之頻率位置，符合由表面聲波基底相對邊緣之間距離所 決定之模式之共振頻率。 圖十六顯示係描述當IDT未被分割且使用邊緣反射型 表面聲波裝置1，獲得之一 IDT的頻譜圖(在每一種情況中 有50MHz之中央頻率和11 _5對）。尤其特別地，IDT 3係 爲分成兩部分、〇激發型式’且如圖九至圖十三中每一邊 19 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公f ) (請先閱讀背面之注意事·項再填，寫本頁) ---1----訂---------線— 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 453〇28 Α7 Β7 五、發明說明ΟΊ ) 緣反射型表面聲波裝置被使用。圖十六中’ 一實線D指出 IDT未被分割之邊緣反射型表面聲波裝置71的IDT頻譜。 另外，在分成兩部分、0激發型式的情形中’ 一斷續線E 指出圖一中所示邊緣反射型表面聲波裝置1的iDT之頻譜 。在分成三部分、〇激發型式，一橫雙點虛線F ’指出圖九 中所示邊緣反射型表面聲波裝置21的1DT之頻譜。在圖 十中所示具有分成四部分、0激發型式之邊緣反射型表面 聲波裝置31，一橫三點虛線G ’指出的IDT之頻譜。 —斷續線Η指出分成兩部分、雙激發型式之IDT頻譜 (圖十一）。一橫單點虛線〖指出分成三部分、雙激發型式之 IDT頻譜(圖十二）。另外，一斷續線J指出分成四部分、雙 激發型式之63頻譜(圖十三）。 另外，圖十六中，由圓Κ包圍住之部分指出主瓣低頻 側最接近主瓣之一衰減極點。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事·項再填冩本頁) -線· 從圖十六很明顯的’在〇激發型式中，無關於分割的 數目，可以發現由於分割(相對於IDT未分割的情形），最 接近主瓣低頻側上之衰減極點移到高頻側上。在雙激發型 式IDT的情形被提供，無關於分割的數目，當和未分割的 情形做比較，可以發現以上描述之衰減極點位置下降到低 頻側上。 換言之，當兩相對邊緣間距離被設定等於未分割的情 形，由於以上IDT中頻譜由分割造成的衰減極點，重要地 出現由兩相對邊緣之間距離決定的模式振盪如之前提及的 漣波C。 20 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公蹵） 45恤8 A7 B7 五、發明說明（β) 相對的，在邊緣反射表面聲波裝置1中，其中之IDT 3係一分成兩部分及〇激發型式，當邊緣2b及2c如圖一 (a)中所示從由單點虛線A指示的位置往內地下降至由單點 虛線B指示的位置時1由兩相對邊緣間距離決定之模式的 頻率係移至高頻側上，因其由兩相對邊緣間距離決定之模 式的頻率符合IDT頻譜上之衰減極點或靠近之，導致減少 了以上的漣波C。 無關於分割的數目，當使用一具有雙激發型式之分割 架構的IDT，且和IDT未分割的情形來比較時，IDT頻譜 上衰減極點被移至低頻側上。因此，當邊緣的位置決定了 兩相對邊緣間距離變寬時，重要地出現由兩相對邊緣之間 距離決定的共振頻率符合IDT頻譜上之衰減極點或靠近之 ，如以上所描述的情形，以上之漣波被大幅地抑制及最小 化。 即是，如圖一 A所示，當具有一分割式架構之ID丁係 爲雙激發型式，壓電基底2之相對邊緣間距離最好被決定 使得從邊緣2b’至最外部電極手指6a中央的距離D被設定 爲大於λ〇/2的一個値。同樣的，其他邊緣(未顯示)間的距 離及第二最外部電極手指8a中央的距離，被設定爲大於入 〇/2的一個値。 如前述之觀點，本發明較佳實施例之創作者創作各種 邊緣反射型表面聲波裝置，有分成兩部分’ 0激發型式之 IDT、分成三部分，〇激發型式之idt、分成四部分，〇激 發型式之IDT、分成兩部分’雙激發型式之iDT、分成三 21 ί紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2. 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) — — — — — — — « - - - - - - - I f 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 S3〇28 A7 B7 五、發明說明（A ) 部分，雙激發型式之IDT及分成四部分，雙激發型式之 IDT，基於如上所述量測共振特性的考慮邊緣位置做各種 改變。造成一個結果，當提供〇激發型式之IDT時，和 IDT未分割的情形做比較，邊緣位置位於內側，且提供雙 激發型式之IDT時，和IDT未分割的情形做比較’邊緣位 置位於外側，可確定之前提及之漣波C可以被抑制。 再且，本發明較佳實施例之創作者試驗在每一具有如 以上描述各種型式的分割式IDT反射型表面聲波裝置中， 依據電極手指成對數目上述之漣波大小如何做改變。結果 煩請參閱圖十八至圖二十七所描述。 圖十八係描述每一反射型表面聲波裝置中，電極手指 成對數目和能夠抑制漣波邊緣位置間之關係圖。在圖十八 中，實線K指不出當使用分成兩部分，0-激發型式、分成 三部分，0-激發型式及分成四部分，0-激發型式時獲得的 結果。換言之’在〇-激發型式之分割架構中，無論分割的 數目’電極手指成對數目和能夠抑制漣波邊緣位置間之關 係是相同的。 相對的’在雙-激發型式之分割架構被使用時，依據分 割數目的關係是不同的。在分成兩部分，雙激發型式的情 形，獲得由斷續線L指不的結果。在分成三部分，雙激發 型式的情形’獲得由斷續線Μ指示的結果。而在分成四部 分’雙激發型式的情形，獲得由斷續線Ν指示的結果。 然而，可以發現，在雙激發型式的情形中，無關於分 割的數目’當電極手指數目增加’能夠抑制健波邊緣位置 22 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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五、發明說明（/ ) 453028 係比未分割的情形彼此較接近。換言之，可以發現，當電 極手指數目減少，能夠抑制健波邊緣k置係需要比未分割 的情形更往外側的。 相對的，在〇-激發型式的情形中’無論分割的數目’ 邊緣2b及2c之位置係需要更往內側的。 圖十八中漣波能夠被抑制的位置係由如圖十九至圖二 十四而獲得的結果。換言之’圖十九係描述在具有一分成 兩部分、〇激發形式之邊緣反射型表面聲波裝置1中’且 電極手指成對數目爲9.5的情形時’邊緣位置和獲得之漣 波大小之間的關係圖。在這種狀況下’可以發現當邊緣的 位置近似於-0.03 λ〇時’漣波是最小的°換言之’關於圖 十八中所示之實線Κ，爲了有效地抑制接近電極手指成對 數目爲9.5的區域之漣波，依據圖十九可發現邊緣的位置 需要被設定爲近似_〇.〇3 λ 〇。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之泫意事項再填寫本頁) 另外，圖二十係描述在具有一分成兩部分、雙激發形 式之邊緣反射型表面聲波裝置1中’且電極手指成對數目 爲9.5的情形時，邊緣位置和獲得之漣波大小之間的關係 圖。依據圖二十可發現漣波能夠被有效地抑制之邊緣位置 係爲近似0.03 λ〇。 再且，圖二^^一係描述在具有一分成兩部分、0激發 形式IDT之邊緣反射型表面聲波裝置1中，且電極手指成 對數目爲15.5情形下的結果。圖二十二係描述在具有一分 成兩部分、雙激發形式IDT之邊緣反射型表面聲波裝置41 中，且電極手指成對數目爲15.5情形下的結果。另外，圖 23 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 53 02 8 A7 _______B7____ 五、發明說明（/) 二十三係描述在具有一分成兩部分、0激發形式IDT之邊 緣反射型表面聲波裝置1中，且電極手指成對數目爲2L5 情形下的結果。圖二十四係描述在具有一分成兩部分、雙 激發形式IDT之邊緣反射型表面聲波裝置41中，且電極 手指成對數目爲21.5情形下的結果。 儘管漣波大小在圖十九至二十四反射特性中由相位頻 率特性來顯示，如圖二十五所示，在相位頻率特性中出現 的漣波大小和在傳輸特性之***損失-頻率特性出現的漣波 大小之間有一相關性。 因此，如上所述，可發現圖二中所示***損失-頻率特 性中的漣波能夠由相位頻率特性中出現之漣波能夠被抑制 的邊緣位置類似地被抑制。 再且，本發明較佳實施例之創作者基於圖十八所示結 果，在***損失-頻率特性中，獲得一漣波大小大約在 0.5dB或更低的範圍，即獲得一漣波大小大約在〇.2dB或 更低的範圍。結果如圖二十六和二十七中所示。 圖二十六係描述在一具有分成兩部分，〇_激發彩式 IDT之邊緣反射型表面聲波裝置1中，當電極手指成對數 目改變時，漣波C大小在大約〇.5dB或更低及在大約 0.2dB或更低的範圍，所獲得之邊緣位置圖。 換言之’在圖二十六中，當邊緣的位置被決定在位於 斷續線〇及P間區域邊緣的形式，漣波C大小在大約 0.5dB或更低’且當邊緣的位置被決定在位於斷續線q及 R間區域邊緣的形式，漣波C大小在大約0.2dB或更低。 24 本纸張又度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -I----1訂--------線 — 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 453〇2q A7 B7 五、發明說明（，） 因此，可發現最好，在具有一分成兩部分，〇-激發形 式IDT之邊緣反射型表面聲波裝置的情形中，如圖二十六 中所示斷續線〇及P間位置被使用來當做邊緣位置’且更 好地，斷續虛線Q及R間位置被使用來當做邊緣位置’上 述的漣波能夠被有效地抑制° 儘管圖二十六係描述IDT爲分成兩部分’ 激發型式 ，相同的結果可以在分成三部分，〇-激發型式0_及分成四 部分，〇-激發型式的情形下獲得° 圖二十六中由破折虛線〇及P圍繞的範圍和由斷續線 Q及R圍繞的範圍可以基於下列的方程式（1)來描述。a _ /0(H) N ⑴ 又。 2/尸 2 換言之，當delta函數模型被使用時，一未分割之IDT 的頻譜S(f)可由下列方程式(2)來獲得。 S(f)=\A{t)e-JW,dt^A(i)e

IN (2) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 在f〇等於v/λ Q的情形，v係基底之音速’ λ 〇則爲由 IDT決定之波長’ Α⑴等於cos(i?t) ’而Ν是電極手指成對 數目。 由於基底之相對兩邊緣間距離2N之模式頻率由下列 方程式(3)來決定。 flh (3)

-IΫ\ * I-----I ί a — — — — —— — — - , f - .— I l I I —i ,--I I _ t I 25 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 3 8 A7 _B7_ 五、發明說明（一） 在方程式(3)中，λ2Ν係2N模式之波長，L爲相對兩 邊緣間之距離。 因此，當成漣波的2Ν-2模式之頻率由下列方程式(4) 來獲得，且它符合未分割IDT頻譜之衰減極點頻率fp。 f v 一 v = = Λ(Λ^1) _ /〇 ⑷ flN'2 ^-2 ~ Ν — N _h Ν ( } Ν-\ 然而，當IDT被分割時，方程式（2)之A(i)不等於 C〇S(i7〇。造成一個結果，IDTIDT的頻譜會改變。因此，如 上所描述，2N-2模式之頻率不符合衰減極點頻率fp而出現 漣波。爲了抑制此漣波，如上所描述，可考慮相對兩邊緣 間距離需要被改變使得2N-2模式頻率符合衰減極點頻率fp 。當之前提及基底邊緣的量被下降時，換言之，圖一(b)中 .所示單點虛線A及B間距離被設定爲，由公式L+2a指示 之基底邊緣間距離。 因此，在方程式(4)中，當L被L+2a代替，且f2N-2等 於fp，方程式(4)可被解以獲得一値如下所示。 = = (5) 2Λ 2 2/, 2 因此，當方程式（5)中獲得之結果被由IDT之波長又〇 標準化，可獲得下列方程式（1)。 _^ = /〇(^-1)_ iV ⑴ 几。2/,2 在方程式（1)中，邊緣位置改變的量可由IDT成對數目 和f〇/fp的函數來獲得。 在方程式(2)中，IDT之頻譜S(f)係f的一函數，且同 26 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線丨 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 巧〇2 8 A7 _________B7 ___ 五、發明說明（A ) 時，爲f/f〇的函數。換言之，當分割的方法及電極手指成 對數目是固定時，IDT之頻譜的頻率軸可以由標準化， 其中fo和fp比率fQ/fp的値是固定的。因此，可發現當電極 手指成對數目固定時，方程式（1)的解爲固定値。 因此，可看出，當邊緣間的距離由方程式（1)獲得的値 來改變時，換言之，當之前提及的邊緣位置被改變，（2N-2)模式的漣波可有效地抑制》 因爲圖二十六中所示之實線W滿足方程式（1) ’在圖 二十六中，可發現，最好如由方程式（1)指出的値在±0.036 λ〇的範圍，出現在低頻側上大漣波，比起主瓣可以被設定 在大約0.5dB或更低。再且，可發現更好地，如由方程式 (1)指出的値在±0.018λ〇的範圍，漣波的大小可以被設定 在大約0.2dB或更低，更佳的共振特性被達成。 即是，最好邊緣位置被設定滿足不等式（6)，且更佳地 邊緣位置被設定滿足不等式(7)。 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 文-------- <1

MN-l) N u 2fP 2丄 〇.〇18<A，。㈣j 2/尸 2 Λ0 十 0.036 2/, 2 + 0.018 ⑹⑺ 訂---------線— 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 這些不等式可以被由從第二最外部電極手指6a或8a 之中央線的距離D來表示成不等式(8)及(9)。 ^^2 + 0,464 < 2/ 2 ~N ~- — + 0.482 < 2Λ 2 Αί^1)_^ + 〇.536 2Λ 2 -<^^—^- — + 0.518 Λ 2fP 2 (8) (9) 圖二十七係描述在具有一分成兩部分、雙激發形式 IDT之邊緣反射型表面聲波裝置中，電極手指成對數目和 27 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 453〇28 Α7 Β7 五、發明說明（/) 能夠抑制漣波之邊緣位置間的關係。位於斷續線S及T間 的範圍係漣波大小在〇.5dB或更低的範圍。在該情形中， 類似地，因爲實線X滿足方程式（1)，在〇-激發型式之IDT 的情形，當邊緣的位置被決定使得它們如方程式（1)的値在 ± 0.036入0的範圍，更佳地，如滿足方程式⑴的値在士 〇·〇18 λ ο，獲得滿意的共振特性。 儘管滿足方程式（1)的値視分割的數目而定，在形成分 成三部分雙激發型式及分成四部分雙激發型式之IDTs，類 似地，如中央滿足方程式（1)的値，當邊緣位置被設定在土 0.036 λ〇，且更佳地，如滿足方程式⑴的値在±〇.〇18 λ0， 達到更佳的共振特性。 另外，本發明較佳實施例之邊緣反射型表面聲波裝置 不只是被用在上述表面聲波共振器，也可用在表面聲波濾 波器。 例如，當一如圖二十八所示之電路圖指示的階梯型濾 波器被製造’本發明較佳實施例中邊緣反射型表面聲波裝 置使用之串式橋接共振器S1至S3及並式橋接共振器Ρ1 至Ρ3可以被定義。在該情形，必須使串式橋接共振器及並 式橋接共振器間電容量不同。根據本發明較佳實施例中， 電容量可以容易地由IDT分割的數目不同而變得不同。 另外’本發明較佳實施例提供之邊緣反射型表面聲波 裝置，複數個邊緣反射型表面聲波裝置被提供在單一表面 聲波基底上以定義一由縱向耦合或橫向耦合複數個邊緣反 射型表面聲波共振器之表面聲波濾波器。圖二十九係顯示 28 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---I---訂---------I . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 —___B7__ 五、發明說明（>) 該表面聲波爐波器的一例。 在圖二十九中所示之一表面聲波濾波器81中，邊緣反 射型表面聲波共振器83及84被放置在一表面聲波基底82 上。該邊緣反射型表面聲波共振器83及84被以實質垂直 於表面聲波行進之方向彼此接近地安排，由其該橫向親合 之邊緣反射型表面聲波濾波器被定義。 邊緣反射型表面聲波濾波器81中，類似地，依據本發 明較佳實施例具有較少漣波之滿意特性，可由決定相對兩 邊緣82b及82c之位置來獲得。 再且’在以上較佳實施例中，儘管只有IDT被分割的 例子被顯示，這不只是本發明可應用的情況。每一分割式 次-IDT部份之成對數目可以不同。 雖然已經揭示本發明之較佳實施例， 實行在此揭示之原理的各種模式係視爲在下列申請專利範 圍之範疇中。因此，應理解本發明之範疇並不受限於申請 專利範圍中所述以外者。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-I i I I — 訂---------I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 度 疋 張 紙 本 格 規 A4 s) N (c 29 29'

Claims (1)

1. 453〇2δ | D8 六、申請專利範圍 1. 一種邊緣反射型表面聲波裝括： 一具有相對邊緣之表面聲波及 至少一指狀組合型轉換器配置在表面聲波基底上且安 排以產生一切變水平型表面聲波使得該切變水平型表面聲 波在相對邊緣間反射； 其中指狀組合型轉換器包括電極手指及沿著表面聲波 行進方向被分成複數個次-IDT部分，相鄰次-IDT部分間彼 此最接近之電極手指係相同電位，以便於相鄰之次-IDT部 分間不會產生激發；且 其中，由分割表面以定義相對邊緣且假設在指狀組合 轉換器之表面聲波行進方向最外部電極手指之寬度相等於 其餘電極手指之寬度，由分割位;聲波行進方向最外 部電極手指中央內側的表面以定邊緣。 2. —種邊緣反射型表面聲波括： 一具有相對邊緣之表面聲波έΐ7;及 至少一指狀組合型轉換器配置在表面聲波基底上且安 排以產生一切變水平型表面聲波使得該切變水平型表面聲 波在相對邊緣間反射； 其中指狀組合型轉換器包括電極手指及沿著表面聲波 行進方向被分成複數個次-IDT部分，相鄰次_1£>丁部分間彼 此最接近之電極手指係連接至不同電位’以便於相鄰之次一 IDT部分間激發；且 其中，由分割表面以定義相對邊緣且假設在指狀組合 轉換器之表面聲波行進方向最外部電極手指之寬度相等於 1 1本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210<297公Θ (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 訂---------線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4S3 A8 Βδ C8 D8 六、申請專利範圍 其餘電極手指之寬度，由分割位於表面聲波行進方向最外 部電極手指中央外側的表面以定義相對邊緣。 3. 如申請專利範圍第1項所述之邊緣反射型表面聲波 裝置，其中，當由相對邊緣定義之分割表面位置相對於表 面聲波行進方向最外部電極手指中央位置被設定爲，一由 IDT頻譜獲得之中央頻率及波長分別被設爲f〇及，IDT 頻譜中衰減極點的位置被設爲fP，且指狀組合型轉換器之 整個電極手指成對數目被設爲N，邊緣的位置%为約士0.036 1〇的範圍，其^^滿足方程式（1)的一個|^|"/ ± = MN-V)_n^ ⑴4,/' 2fp 2' •.… 4. 如申請專利g圍第3項所述之邊緣反射型表面聲波 裝置，其中邊緣的位置是在大約的範圍，其係 爲滿足方程式（1)的一‘ (1) a 2fP

   (請先閲讀背面之泫意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印*'1^ 5. 如申請專利範圍第4項所述之邊緣反射型表面聲波 裝置，其中該對相對邊緣的位置是被設定滿足方程式（1)的 —個値。 6. 如申請專利範圍第1項所述之邊緣反射型表面聲波 裝置，其中表面聲波行進方向最外部電極手指被安排該電 極手指延伸至由表面聲波基底邊緣及上表面定義之邊緣。 7. —種邊緣反射型表面聲波濾波器，包括複數個如申 請專利範圍第1項所述之邊緣反射型表面聲波裝置，其中 複數個邊緣反射型表面聲波裝置彼此耦合以定義一濾波器 訂---------線· 本紙張心度適用中國S家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 00 2 ο 3 5 4 A8B8C8D8 六、申請專利範圍 8. 如申請專利範圍第7項所述之邊緣反射型表面聲波 濾波器，其中該濾波器係爲一帶通濾波器。 9. 如申請專利範圍第2項所述之邊緣反射型表面聲波 裝置，其中，當由相對邊緣定義之分割表面位置相對於表 面聲波行進方向最外部電極手指中央位置被設定爲，SH-型式表面聲波之波長被設爲，一由IDT頻譜獲得之中央 頻率被設爲f〇，IDT頻譜中衰減極點的位置被設爲fp，且 指狀組合型轉換器之整個電極手指成對數目被設爲N，邊 緣的位置是夜大約±0.036又〇的範圍，其係爲滿足方程式 (1)的一個 fil ± = MN'. 乂。_

   ⑴ 10.如申請專利範圍第9項所述之一種邊緣反射型表面 約±0.018 λ0的範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 聲波裝置，其中邊緣的位置是 其係爲滿足方程^|_的一個値 Λ 2/p 11. 如申請專4!_第10項所述之邊緣反射型表面聲 波裝置，其中該對"Bit邊緣的位置是被設定滿足方程式（1) 的一個値。 12. 如申請專利範圍第2項所述之邊緣反射型表面聲波 裝置，其中表面聲波行進方向最外部電極手指被安排該電 極手指延伸至由表面聲波基底邊緣及上表面定義之邊緣、 13. —種邊緣反射型表面聲波濾波器，包括複數個如申 (l) 訂---------線- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 請專利範圍第2項所述之邊緣反射型表面聲波裝置，其中 複數個邊緣反射型表面聲波裝置彼此耦合以定義一濾波器 Q 14. 如申請專利範圍第13項所一種邊緣反射型表 面聲波濾波器，其中該濾波器係爲濾波器。 15. —種邊緣反射型表面聲波^^括： 一具有相對邊緣之表面聲波基及 至少一具有複數個電極手指之指狀組合型轉換器(IDT) 並且安排在表面聲波基底上使得該由IDT所激發之切變水 平型表面聲波實質以垂直於表面聲波基底之相對邊緣對的 方向行進，且由邊緣反射，該指狀組合型轉換器被分割成 複數個串聯連接且沿著實質垂直於相對邊緣之次-IDT部分 > 其中表面聲波基底之相對邊緣對及IDT之相對的第二 最外部電極手指間的距離D被設定爲不同於λ 〇/2的一個値 ，其係切變水平型表面聲波之波長。 16. 如申請專利範圍第15項所述之邊緣反射型表面聲 波裝置，其中相鄰次-IDT部分間彼此最接近之電極手指係 彼此電氣連接^且距離D被設疋爲小於λ〇/2的一個値。 17. 如申請專利範圍第15項所述之射型表面聲 波裝置，其中距離D滿足下列不等式： Λ(^^_^ + 〇464< — <^^- —+ 0.536/^ 2fP 2 Λ 1fP 2 正 f3: 其中，中央頻率及波長分別被設爲，IDT頻譜 中衰減極點的位置被設爲fP’且指狀組合型轉換器之整個 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格 (210 X 297公釐） <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -------訂---------I 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 rvs rc 2 ο 3 5 4 A8BSC8D8 申請專利範圍 電極手指成對數目被設爲N。 18. 如申請專利範圍第17項所述之邊緣反射型表面聲 波裝置，其中距離D滿足下列不等式：Ai^u+0.482 A/m〇.518。 2fP 2 4 2fp 2 19. 如申請專利範圍第16項所述之邊參反射型表面聲 波裝置，其中距離D滿足下列不等式：

   Αί^)_^ + 〇.464<^<Α^)^ + 〇.5 2 乂0 Ifp 其中，中央頻率及波;被設爲:¾友λ〇，IDT頻譜 中衰減極點的位置被設爲且指狀組合型轉換器之整個 電極手指成對數目被設爲 其中，中央頻率及丨度別被設爲fQ及λ q ’ IDT頻譜 中衰減極點的位置被設爲fP’且指狀組合型轉換器之整個 電極手指成對數目被設爲N。 20.如申請專利範圍第19項所述之邊緣反射型表面聲 波裝置，其中距離D滿足下列不等式： 上0.482<仝<^^4+0.518。 2Λ Ifρ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ------ 1 I 訂·------J ί 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2Ι〇χ 297公釐）