TW439018B - Remover solution composition for resist and method for removing resist using the same - Google Patents

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^3901Q A7 B7 五、發明説明（ 1 ffi 本發明爲光阻劑用々备f祐· t 1 閱 | 讀 背ί 面 I ^ . I 事I 3 i 5 ' 未装 光阻劑之方法。更明確:離液组合物:及使用彼等以剥除 體元件（如積趙電路祝’本發明爲尤適用於製備丰導 土積體電路、液晶板元件）時，光 阻劑用之剥離液组合物， ^ 物及以彼等剥除光阻劑之方法，其 在低;m下（：溫）具高剝 — 巧到除政率，且不致腐蝕導電金屬膜， 女王性向且易於使用。 主明背景 訂 諸如積體電路、大型積體電路、液晶W件等半導體元 件#其氣備時’係將光阻劑均句的塗看於基質上之導電金 屬膜（如銘、鋼、或链合金），或絕緣膜（如二氧化夺膜）Γ 繼使光阻劑塗層曝光，或以電子束在光阻劑塗層上畫出圖 案’然後使光阻劑塗層顯像，以生成光阻劑圖案：以光阻 劑圖案爲罩撼’在導電金屬膜或絕緣摸上，選擇性触刻出 微Μ %路’然後使用剝離液除去不需要的光阻劑塗層。 ，剝除光阻劑所用之傳统光阻劑剝離液，包括以有機磺酸 爲主者(其以烷基苯磺酸爲主要成分），&以有機胺爲主者（ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 其以例如單乙醇胺之有機胺爲主要成）3以有機磺酸爲主之 剝離液，缺點爲含高毒性溶劑（如酚化合物或氣化苯），使 用此類剝離液，不但剝除效力差，且會造成環境問題，同 時亦會腐姓基質上之導電金屬膜a反之，以有機胺爲主之 剝離液，不但毒性低於以有機磺酸爲主者，且無需複雜之 廢水處理設備，並可有效的除去經例如乾式蝕刻、灰化 (ashing)、離子注入（i〇ri implantation)等處理後之變性膜， -4- 本紙浪尺度適用中國因家標準（CNS ) Α4规格 (210X297公釐） 經濟部中央榡準局員工消費合作社印製 4 3 90 1 8 A 7 ----- B7 五 '發明説明（2 ) ~—'’ ~ 同時爲基貝上（銘、銅等等，不具腐餘性。由於這些優點 ’目前廣泛使用以有機胺爲主之剝離液。 <近年來’ I備半導體元件或液晶板元件時，在如乾式 ㈣H離子注入等處理中，趨向使用激烈條件，而 =本有機㈣m爲具無機特性者5縱使採用以有機 胺馬王之剥離液’亦無法完全刺除這些變性膜s以有機胺 爲，之剝離液’另—缺點爲使用溫度爲60X：至13CTC之相 免円m ’其中所含之可燃性有機化合物有揮發著火之危險 :因此，通常需在防著火設備中進行剌除處理，所需成本 軼问。同時，現行技術中使用_以有機胺爲主之剝離液，進 饤剝離處理所f時間較長，無法滿足高產量（單位時間内處 :卯片數量)半導體元件’及液晶板元件生產需求。低溫( A /m )適用之刺離液’陳述於jp-A_64_88548號及 259066號（此處"JP_A" ’表示"未經審核之日本專利申請書 公告），二者皆含有機胺及水，故有剝除效能不足，及對 基質且高腐独性之缺點a 基於此原因，本發明人在JP_A_8_2〇2〇52號中，提出無上 述缺點之光阻劑用剝離液组合物，其含視需要加入氟化銨. 之氫氟酸（亦即緩衝之氫氟酸）、水溶性有機溶劑、及抗蝕 劑。但因上述光阻劑用之剝離液组合物中，含氩氟酸，對人 體並不十分安全，且處理不易。同時，由於上述组合物爲 酸性’其對週邊設施（包括連接剥離槽與剝離液儲槽之剝離 液進料設備）具腐蝕性。上述组合物之其它缺點，包括需對 光阻劑用之剝離液组合物產生之廢氣及廢水，進行複雜之 -5- 本紙張尺度賴辟；CNS )从祕（2i(Vx297公赛） -—- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本育) .展----- 訂

A7 BT --—- 五、發明説明（3 ) 處理。 1發明簡介 爲發展出無上述缺點之光阻劑用剝離液組合物，本發明 人進行深入研究：吾人發現含（a)氩氟酸與不含金屬之鹼類 形成之鹽類、（b)水溶性有機溶劑、（c)水，氫離子濃度指 數爲5至8之光阻劑用剝離液组合物，及使用彼等於低溫下 ’短時間内有效剝除光阻劑之方法，其毒性低，不會腐蝕 基貝上薄金屬膜、週邊設族等，且廢氣及廢水處理便利3 吾人進一步發現，在上述光阻劑用之剝離液組合物中，加 入（d)抗蝕劑，可有效的進—步-降低組合物之腐蝕性。本發 明完全基於吾人之發現。 本發明之目地’爲提供光阻劑用之剝離液組合物，其可 在低溫（室溫）下，於短時間内除去經例如乾式蝕刻法 '灰 化法、離子注入法處理，產生之變性膜，且決不會對基質 上金屬膜或週邊設施，造成腐蝕。 本發明之另一目地，爲提供安全性高、易於使用、且無 需複雜之廢氣或廢水處理之光阻劑用剥離液組合物。 符合本發明諸目地之光阻劑用剝離液組合物，其氫離子 濃度指數爲5至8，且含下述组成份：（昀氫氟酸血不含金 屬之鹼類形成之鹽類、（b)水溶性有機溶劑' (〇水、及視 需要選用之抗蝕劑成份（d)。 符合本發明諸目地之方法’其剥除光阻劑之步栽包括： (Π將光阻劑塗層於具金屬膜之基質上、（11)通過光罩圖案 使光阻劑塗層曝光，繼而使其顯像，生成光阻劑圖案、及 尽錄尺度ϋ中國石:鮮（CNS ) A4驗（21GX297公疫)'~--— - n^i - -- 1. ...... i !:1»- ! I ^ -Jw I -. i ,V5 .'· (诗先^讀背"之注意事項再填寫太頁) 經濟部中夬標隼局員工消費合作社印粟 經濟部中央樣孪局員工消费合作杜印裂 4 3 90 1 8 A7 _____ B7 五、發明説明（4 ) (ΠΙ)以光阻劑圖案爲摭罩，對基質進行乾式蝕刻，而後以 上述光阻劑用之剝離液組合物，除去不需要之光阻劑及變 性光阻劑膜3 主發明之詳細敍Β3 如W文所述，根據本發明，光阻劑用之剝離液組合物（此 後簡稱爲"本發明组合物"），含（a)氫氟酸與不含金屬之鹼 類形成之鹽類。本文中所稱”不含金屬之鹼類"，係指分子 中不含任何金屬者，其包括羥基胺、有機胺（如一級、二級 或二級之脂族、環脂族、芳族、及雜環胺類）、氨水、及低 瑗貌基四級銨鹽，本文中所稱”低碳烷基，f，係指含從1至4 個碳原子（C1至C 4)之烷基。羥基胺類之實例，包括羥基胺 及N，N -二乙基羥基胺=一級脂族胺之實例，包括單乙醇胺 、乙烯二胺、及2-(2-氨基乙基氨基）乙醇。二級脂族胺之 實例，包括乙二醇胺、二丙基胺、及2-乙基氨基乙醇。三 級脂族胺之實例，包括二甲基氨基乙醇及乙基二乙醇胺。 環脂族胺之實例，包括環己胺及二環己胺》芳族胺之實例 ’包括笨曱基胺、二苯甲基胺、及N-甲基笨甲基胺。雜環 胺之實例，包括IT比洛、IT比洛坑、P比洛燒嗣、P比咬、嗎琳、 對二氮雜笨、展咬、n -輕基乙基略咬、嗔唆、哇。含從 1至4個碳原子低碳烷基之四級胺鹽實例，包括四甲基銨氩 氧化物、及三甲基（2 -羥基乙基）-銨氫氧化物（膽鹼）。由於 氨水、單乙醇胺、四曱基按复氧化物，因易於講得且安全 ，故爲較佳之不含金屬驗類。於商品購彳于之氫I酸（I氟酸 濃度爲5 0至60%)，加入不含金屬之鹼類，使氩離子濃度指 本纸張尺度適用中g圉家標準；CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） -1 —I -I - - - - - - .i I ( I , . I.__ (讀先5¾¾背面之注意事一f再填寫本頁) 訂 43 如 1 8 A 7 B7 五、發明説明（5 數爲5至8 ’即可製得不含 ^^ 〇金屬疋驗類與氩氟酸生成之鹽。 當然，商品購得之氟化銨亦爲適用趟3 (請先闔讀背壳之^意事項再填寫太貪) 衣發明組合物之氫離子濃度指數，爲接近中性七至卜 使用接近中性之㈣分⑷，即可達此氩離子漢度指數。爲 達中性氩離子濃度指數，浒m s ^ 歎所用氫氟酸對不含金屬鹼類之比 例’隨所用鹼類而變，故雲格 * 文而h况而疋。例如以氨水爲鹼類 時’可將莫爾濃度相同之氫氟酸與氨水’以1/1等體積混 合，而使组成分（a)之氫離子濃度指數在中性範圍$。以乙 醇胺爲鹼類時，則需將莫爾濃度爲丨莫爾/公升之氫氟酸 麵毫升，與i莫耳單乙醇胺甚合，而使組成分㈤之氮離 子濃度指數在中性範圍内。使用氩離子濃度指數在上述範 圍内之组成分（a)，吾人可安全的使用本發明组合物，並維 持其對變性膜的剝除性，且防止組合物腐蝕基質上金屬獏 ，或包括剝離液進料器之週邊設施，同時，组成分（a)之低 氫氟酸含量’免除了在產生氩軋酸之光阻劑剝除製程中， 必需之複雜的廢氣與廢水處理。 經濟部中央搮準局員工消資合作社印装 本發明中’可與組成分（a)、（c)、及（d)互溶之任何有機 溶劑’皆可爲組成份（b )=傳統以有機胺爲主之剝離液組合 物中，使用之水溶性有機溶劑亦適用=水溶性有機溶劑之 實例，包括亞颯（如二甲基亞颯）、砜：如二甲基域、二乙 基颯、雙（2 -羥基乙基）躐、四亞甲基颯：醯胺（如Ν,Ν -二 曱基曱醯胺、Ν -甲基甲醯胺、Ν,Ν-二甲基乙醯胺、Ν·甲 基乙醯胺、Ν, Ν -二乙基乙醯胺）、内醯胺（如Ν -甲基-2 -吡 洛烷酮、Ν -乙基-2-吡咯烷酮、Ν -丙基-2 -吡咯烷酮、Ν- -8- 本纸張尺度適用中國國家標荜（CNS ) A4規格<:2I0X 29?公货） ^ ό 1 84Ήϋ 1 8 * A7 經濟部中央樣準局貝工消費合作.杜印製 B7 五、發明説明（6 ) ' 羥基甲基-2_吡咯烷酮、N_羥基乙基-2_吡咯垸酮）、乙撑 脲（如1，3-二甲基·2·乙撑脲、L3·二乙基_2_乙撐脲、 1，3-二異丙基·2_乙撐脲）、内酯（如内酯、J·戊内酯） 、及多元醇（如乙二醇、己二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚 、乙二醇單丁基醚、乙二醇單甲基醚醋酸酯、乙二醇單乙 基醚醋酸酯、二甘醇、二甘醇單甲基醚、二甘醇單乙基醚 、一甘醇單丁基謎），及此類衍生物。其間，二甲基亞碟、 ν，ν-二曱基甲醯胺' Ν，Ν-二甲基乙醯胺、Ν·甲基_2_吹 咯烷酮、Ν·甲基-2-吡咯烷酮、1,3 -二甲基_2_乙撑脲、乙 二醇、二甘醇單丁基醚，因爲雙性之光阻劑膜具剥除性， 故較佳。更明確的說’以含至少1 〇重量％乙二醇之水溶性 有機洛劑爲组成份（b)較佳’因含此組成份（b)之本發明組 合物，在剝除中空之光阻劑圖案時’對具金屬膜之基質腐 姑性極低。此時’可單以乙二醇爲组成份（b)，因乙二醇含 量愈高’抗腐蝕性愈佳3使用含4 〇至6 0重量％乙二醇，與 6 0至4 0重量％二甲基亞颯之混合物亦佳。 當冬發明组合物’含組成份（a)、（ b )、及（c)時，組成份 (a)之含量需爲從0.2至8重量％，較佳爲從0.5至5重量％ : 組成份（b)之含量爲從3〇至90重量％，較佳爲從40至70重 量％ :其它則爲组成份（c)。將各组成份之含量，調整至上 述範圍’可增進對變性膜之剝除能力、室溫下之剥除能力 、並降低對基質之腐蝕性。更明確的説，自基質上易腐蝕 金屬層（如基質上之鋁、鋁-矽、或鋁-矽-銅層），除去光阻 劑膜時’各組成份用量需在上述範圍内。如組成份（a)用量 -9- 桃狀紐财§財辟（CNS)A4^(2mx 297,^) (請先¾讀背面之注意事項再填寫本頁) .丨‘， 訂 經濟部中央標孪局員工消費合作社印製 A 7 _____B7__ 五、發明説明（7 ) ，低於上述範圍之下限，則會損及對變性膜之剝除性，但 若高於上限’則會腐蝕基質。 本發明组合物中’除含上述之組成份（a)至（c )外，尚可 包括組成份（d)。於本發明組合物加入組成份（d)，可更有 效的防止易腐蝕基質（如鋁、鋁·矽、及鋁-矽-銅基質）被腐 蝕’並不致損及對變性膜之剝除性3可做爲組成份（d)之抗 蝕劑實例’包括芳族羥基化合物、決屬醇、含羥基有機化 合物及其酸酐 '***化合物、及糖類。芳族烴基化合物之 實例’包括盼、甲粉、二甲苯齡、鄰苯二紛、間苯二驗、 對苯二酚、連苯三酚、1，2,4-苯三醇、水楊醇、對-羥基苯 甲醇、鄰-羥基笨甲醇、對-羥基苯乙醇、對-氨基酚、間-氨基酚、二氨基酚、氨基間苯二酚、對-羥基笨曱酸、鄰_ 羥基笨甲酸、2,4 -二羥基苯曱酸' 2,5 -二羥基苯曱酸、 3,4·二羥基苯甲酸、3,5-二羥基苯曱酸。其以鄰笨二酚較 佳。 炔屬醇之實例，包括2 -丁炔-1,4 -二醇、3，5-二甲基-1-己炔-3-醇、2-甲基-3· 丁炔-2-醇、3-甲基-1-戍块-3-醇 、3,6-二甲基-4-辛炔-3,6-二醇、2,4,7,9-四甲基〇-癸決· 4,7 -二醇、2,5-二甲基-3 -己炔-2,5-二醇3其以2 -丁炔-1,4-二醇較佳》 含羧基有機化合物及其酸酐之實例，包括甲酸、乙酸、 丙酸、丁酸、異丁酸、草酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸' 順式丁烯二酸、反式丁烯二酸、笨甲酸、鄰苯二甲酸、 1,2,3-笨三羧酸、乙醇皎、乳酸、蘋果酸、檸檬酸、醋酸酐 -10- 本纸張尺度適用中國囷家樣準（〇^)八4規格（21(^297公釐） I 「'- ; 1 - 11- 1- —I- I m^i - . m 1 H 1- - -1-- - - -- 1 一· J. . 牙 i (诗先聞讀背云之洼意事項再填寫本百二 8五、發明説明（8 AT B7 經濟部t央標隼局負工消費合作社印製 、鄰笨二甲酸酐、順式丁烯二酸酐、丁二酸酐、水楊酸β 其較佳爲甲酸、鄰苯二甲酸、苯甲酸、鄰苯二甲酸酐、及 水楊酸’尤佳爲鄰苯二甲酸、鄰苯二甲酸酐、及水楊酸。 三峻化合物之實例，包括笨並***、鄰-甲笨基***、間 -甲苯基***、對-甲笨基*** '羧基苯並***、；I -羥基苳 並三吐、硝基笨並***、及二羥基丙基苯並***。其以苯 並***較佳= 糖類之實例，包括D -山梨糖醇、***糖醇、甘露糖醇 、庶糖、及粉。其以D-山梨糖醇較佳。 上述之諸抗蝕劑’可單獨使用，或結合二種或二種以上 使用。 當本發明组合物，含组成份（&)至（£1)時，組成份之含 量需爲從0.2至8重量％，較佳爲從0 5至5重量％ :组成份（b) 之含量爲從4 0至8 0重量％，較佳爲從5 5至7 5重量％ :组成 伤（d)之含量爲從〇 . 5至1 5重量％，較佳爲從〇 . 5至〗〇重量0/〇 ，其它則爲组成份（c)。如各組成份之含量，在上述範圍之 外，則會損及组合物對變性膜之剝除能力，並使其腐蝕性 增加= 以鹼性水溶液顯像之任何光阻劑（包括正作用型及負作用 型），本發明组合物皆極適用3適用光阻劑之實例’包括（i ) 含葚醍二疊氮化物、酚醛清漆樹酯之正作用型光阻劑： 含曝光時酸生成化合物、經酸分解而在驗性水溶液中具高 溶解度之化合物、驗可溶樹脂之正作用型光阻劑：㈣含 曝光時酸生成化合物、經酸分解而在m容液中具高溶

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. -I I— I II A7 B7 五、發明説明（ 解度之含鹼可;客樹脂化合物之正用型光阻劑：（iv)含曝光時 酸生成化合物、交聯劑、鹼可溶樹脂之負作用型光阻劑: 但本發明组合物適用之光阻劑，並不限於此3 装. 本發明之光阻劑剝除法，包括將上述光阻劑组合物，施 於具金屬膜之基質上，生成光阻劑層；以一般方法經夫罩 圖案使光阻劑層曝光，繼使其顯像，而形成光阻劑圖案： 以尤踩劑圖案爲罩摭，採用已知方法乾式蝕刻基質：視需要 ’將蝕刻後基質予以進一步處理（例如灰化、離子注入等） :繼而以本發明组合物經浸漬或其它方法，與基質接觸， 剥除不需要之光阻劑及變性光阻劑摸。 本發明组合物，可在低溫（室溫）下，於短時間内剥除光 阻劑獏（縱使光阻劑膜已於激烈條件下變性），且對易腐蚀 基質（如鋁、鋁-矽、鋁-矽-銅基質）或週邊設袍，決不致造 成腐姑。同時，本發明組合物係中性且安全，使用便利！ 不致產生氫氟酸，而廢氣與廢水之處理簡單，爲本發明組 合物之另一優點。 參3?'實施例’吾人對本發明進一步説明，但衣發明並不 限於所述實施例中。 經濟部中央標牟局負工消費合作杜印製 貫施例1 - 7 於經蒸汽沉積約1.0微米厚鋁-矽-銅膜之矽晶片上，以旋 塗法绝以THMR-Ip3300(其爲含茬酿二疊氮化物，及驗醛清 漆樹脂之正作用型光阻劑，購自Tokyo Ohka Kogyo Co.， Ltd.)。塗層於9〇曝光前烘烤9〇秒，生成厚爲2.0微米之光 阻劑層。以NSR-2005il0D(NikonCorp製造）經光罩圖案， -12- 本紙張尺度適用中囷ϋ家標隼（CNS ) A4規格（210x29?公殘） 以(Π 8 - Α7 piO 1 8_ B7-__ 五、發明説明（1〇) 使光阻劑層曝光’繼以2.3 8重量％之氫氧化四甲基銨水溶 液顯像，生成光阻劑圖案。於120°C顯像後烘烤9 0秒。 經蒸汽沉積約1. 〇微米厚紹-s夕-銅膜，並具上述光阻劑圖 案之矽晶片’於壓力爲5托（torr)，階段溫度爲2 0 Ό時，以 氣/三氣化硼混合氣體爲蝕刻劑，在TSS_6〇〇〇蝕刻裝置中 (Tokyo OhkaKogyo Co.，Ltd‘製造），蝕刻 168秒 a 繼於壓力 爲2 0托，階段溫度爲2 0 °C時，以氧氣/三氟甲烷混合氣髏 ，進行後腐蝕處理3 0秒》待上述處理後，於壓力爲〇 3托， 階段溫度爲6(TC之條件下，以氧氣在丁(：八_24〇〇灰化装置中 (Tokyo 〇hka Kogyo Co.，Ltd.製造），進一步灰化處理 mo 秒 ί 於23Ό，將上述處理後之矽晶片，浸清於如表i所示組 成份之剥離液组合物5分鐘，進行剥離處理。各晶片於處 理後，以純水清洗，繼以掃描式電子顯微鏡照像，由像片 中孑估矽gB片上灰化殘餘物之剝除性（變性膜之剥除性）， 及鋁·矽-銅膜I腐蝕情形。各性質依後述標準評估3結果 示於下表1。 對_ fe組實施例1至4 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -...... 1^1 ____ _ n 1^1 I I 左-0^ m^i _ ------ : : I 1,J (請先&1讀背面之土意事項再填寫大二貝) 以與上述實施例相同（方法，評估變性膜之制除性及腐 独性形，但改變刺離液组合物之組成，其如^所示。測 試結果示於下表1。 本紙狀度通用中國国m( -13- 43901 8 a7 B7 五、發明説明（Μ ) 表1 光阻剤用之剌離液組合物之组成份(重量％) ' 變性膜 氫•子 组成汾(a) 組成汾(b) 組成汾(c) 組成汾(d) 之剝除性腐蝕濃度指數 實施例1 A * HF (l) DMSO (49) 水 (5〇) - 良好 良好 7.0 實施例2 A · HF .(2), DMSO (88). 水 (10) - 良好 良好 6.0 實施洌3 A ^ HF (0 NMP . (44) .•一-. 水 (50) PC (5) 良好 良好 7.5 實施例4 iMEA · HF (1) DMI (50) 水 (48) BT (1) 良好 良好 S.0 實施洲5 MEA . HF (1) DMSO (70) 水 (24) PC (5) 良好 良好 7.0 實疤例6 TMAH -HF(2) DMSO (60) 水 (38) - 良好 良好 5.0 實袍例7 A HF (1) NMP (49) 水 T45) D-山梨糖酵(5) 良好 良好 7.0 對照組 實施例1 nh4f HF (1) - 水 (99) - 1好 不良 10 對照組 實施洌2 A - HF (2) - 水 (98) - 良好 不良 7.0 對照組 實施例3 - DMSO (50) 水 (45) PC (5) 不良 良好 7.9 對照組 實施洌4 TMAH -HF (2) 水 (98) 良好 不良 7.0 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T (註） 經濟部中央樣隼局員工消費合作杜印製 評比： 變性膜之剥除性 良好：剝除性滿意 不良：剝除不完全 腐蝕性 良好：無腐触 -14- 本紙張尺度適用中g II家標隼（CNS ) Α4規格（；! ！0χ 297公釐） 439018 A7 B7- 五、發明説明（12) 不良：被腐蝕 縮窝： A · HF ·· MEA · HF : TMAH HF DMSO : 氟化銨鹽 氫氟酸之單乙醇胺鹽 氫氟酸之氫氧化四曱基銨鹽 二甲基亞砜 DMI : NMP : BT ： PC : NH.F · HF ： 1,3-二甲基-2-乙撑脲 N-甲基-2 -吡咯烷酮 苯並*** 鄰苯二酚 · 酸性氟化銨 --U----^---11^--------訂 (锖先閱讀背面之注意事項再填寫本X ) 由表1可明顯看出，本發明光阻劑用之剝離液組合物，雖 爲中性’但可在低溫（室溫）下，於短時間内有效的剝除變 性膜，且不致腐蝕基質。 實施例8 於經蒸ϋ 積約1.0微米厚链-珍-銅膜之碎晶片上，以旋 經濟部中央標準局員工消費合作社印11 塗法塗層以THMR-iP3300(其爲含萘醌二疊氮化物，及酚醛 ί舍街酷之正作用型光阻劑，購自Tokyo Ohka Kogyo Co·, Ltd.)。塗層於90 C曝光前烘烤9〇秒，生成厚爲2〇微米之光 阻劑層》以收縮投影曝光裝置NSR_2〇〇5U〇D(Nik〇nC〇卬製 造）經光罩圖案，以I -射線（365纳米：n m )照射光阻劑層， 繼以2.38重量％之氫氧化四甲基銨水溶液顯像，生成中空 光阻劑圖案。 • 15 - 本纸乐尺度適用中gg家標準（CNS ) A·(規格（210 X 29了公变 經濟部中夬標率局員工消費合作社印製 A7 _____B7 五、發明説明（13) 經蒸汽沉積約1. 〇微米厚鋁-矽-銅膜，並具上述中空光阻 劑圖案之矽晶片’於整力爲5托（t〇rr)，階段溫度爲2 0 °C時 ’以氯/三氣化硼混合氣體爲蝕刻劑，在TSS_6000蝕刻裝置 中（Tokyo Ohka Kogyo Co‘，Ltd.製造），蝕刻 168秒。繼於譽 力爲20托’階段溫度爲20°C時，以氧氣/三氟甲烷混合氣 體，進行後腐蝕處理3 0秒。待上述處理後，於壓力爲ο」托 ’階段溫度爲60 C之條件下’以氧氣在tcA-2400灰化裝置 中（Tokyo Ohka Kogyo Co·，Ltd.製造），進一步灰化處理 15〇 秒3 於2 j C，將上述處理後之矽-晶片，浸清於組成份爲68.9 重量％乙二醇、3 0重量％水、1 · 0重量％氟化銨及〇丨重量％ 氟化氫之剝離液组合物中2 0分鐘，進行剥離處理3基質於 處理後，以純水清洗，繼以掃描式電子顯微鏡照像，由像 片中評估矽晶片上灰化殘餘物之剝除性（變性膜之剥除性） ，及鋁-矽-銅膜之腐蝕情形。測試結果顯示，光阻劑可有 效的被剝除，且不致腐蚀基質上蒸汽沉積金屬層3此例中 ’剥離液組合物之氫離子濃度指數爲8 〇。 實袍例g 使用與實施例8相同之剥除處理，但剝離液含68 9重量％ 一甲基亞颯/乙二醇（重量比】/丨）、3 〇重量％水、】〇重量％ 氟化銨、及0.1重量％氟化氫3測試結杲顯示，光阻劑膜可 有效，被剝给，且不致腐姓基質上蒸汽沉積金屬層。此例 中，剥離液组合物之氫離子濃度指數爲 8.0。 參照上述本發明之詳細説明，及所述條件，熟此專業者 _ - 16- 本錄尺度朝公缓丨-^-——-- ---» n ...... 1 n ί -. - 4 -- -1-: I. - -- --- I _-·-—--I (請先閱讀背面之湓意事項再填艿本頁) 3 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 4 J 1 8iQJ_8_五、發明説明（14 A 7 B7 ，在不違悖本發明精神與範圍之條件下，對本發明所述進 行各種修正與改善是可行的。 -17- 本紙張尺度適用中国國家標準（CN—S ) Α4規格（210X297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填ί.νί--貝 裝 -δ

Claims (1)

1. 4 U 〇 1 8 - 第85113788號專利申請案 申請專利範圍修正本(9〇年3月；) Λ8 Β8 C8 C id 經濟部中央揉隼局貝工消費合作社印製 六、申請專利範圍公告本！ -----------... ^ 1· 一種光阻劑用之剝離液组合物，其pH值為5至8，且包含 下述组成份：（a)氫氟酸與不含金屬之鹼類形成之鹽0.2至 8重量％ ; (b)水溶性有機溶劑30至9〇重量％，其包含選自 二甲基亞颯' 1，3-二曱基-2-咪唑啉酮及二甘醇單丁基酸 所組成之群之至少一種溶劑；及（c)餘量之水。 2.根據申請專利範園第1項之光阻劑用之剝離液組合物，其 中組成份（a)為氫氟酸與至少一種選自羥基胺；一級、二 級、或三級之脂族、環脂族、芳族及雜環胺；氨水；及 CrC4低碳烷基四級銨鹽之不含金屬之鹼所形成之鹽。 根據申請專利範圍第1項之光阻劑用之剝離液组合物，其 中組成份（a)為氟化铵。 4.根據申請專利範圍第1項之光阻劑用之刹離液組合物，其 中组成份（b)為含至少1 〇重量％乙二醇之水溶性有機溶 劑。 5· —種光阻劑用之剥離液組合物，其pH值為5至8，且包含 下述組成份：（a)氫氟酸與不含金屬之鹼類形成之鹽；（b) 水溶性有機溶劑，其係選自二甲基亞磾、；!,3 _二甲基_2_ 咪唑啉酮及二甘醇單丁基醚所组成之群；（c)水；及⑷抗 腐蝕劑，其係選自芳族羥基化合物、炔屬醇、含羧基有 機化合物及其酸酐、***化合物、及糖類所組成之群； 其中該鹽之含量為0.2至8重量％，該溶劑之含量為40至80 重量％，該抗腐蝕劑之含量為0_5至15重量°/。，餘量則為 水。 根據申請專利範圍第5項之光阻劑用之剝離液組合物，其 本紙張尺度適用中國國家棣率（CNS) A4规格（2!ox297公釐） - - -I ^—^1 i ml nn ^^^1 ^^^1 ^^^1 ^^^1 (請先閲讀背面之注f項再填窝本頁) 經濟部中夬橾隼局員工消费合作社印装 B8 ___ C8 11----------D8 $ λ申請專利範圍 中組成份⑻為含至少10重量％乙二醇之水溶性有機溶 劑。 7. —種剝離光阻劑之方法’其包含下列步騾： (I) 於具金屬膜之基質上形成光阻劑層； (II) 通過光罩圖案使光阻劑層曝光，繼而使其顯像， 生成光阻劑圖案，及 (III) 以光阻劑圖案為遮罩，對基質進行乾式蝕刻，而 後以先阻劑用之剥離液組合物，除去不需要之光阻劑及 變性光阻劑膜； 其中光阻劑用之剝離液组合物，其pH值為5至8，且包含 下述組成份：（a)氫氟酸與不含金屬之鹼類形成之鹽〇2至 8重量。/。；⑻水溶性有機溶劑3〇至9〇重量％，該有機溶劑 係選自二甲基亞砜、13·二甲基_2_咪唑啉酮及二甘醇單 丁基醚所組成之群之至少一種；及（c)餘量之水。 8. —種剝離光阻劑之方法，其包含下列步騾： (I) 於具金屬膜之基質上形成光阻劑層； (II) 通過光罩圖案使光阻劑層曝光，繼而使其顯像， 生成光阻劑圖案，及 (III) 以光阻劑圖案為遮罩，對基質進行乾式蝕刻，而 後以光阻劑用之剝離液組合物，除去不需要之光阻劑及 變性光阻劑膜； 其中光阻劑用之剝離液組合物，其pH值為5至8，且包含 下述組成份：（a)氩氟酸與不含金屬之鹼類形成之鹽；（b) 水溶性有機溶劑，其係選自二甲基亞颯、丨，3_二曱基_ 2 _ _____-2- 本紙張尺度適用中國國家搮率（CNS U4規格（210X297公着）--- ^^^1 ^—v flm n n·^ I fli^i ，v9 (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) ϋ 1 8 Α8 Β8 C8 D8 申請專利範圍 味峻啦闕及二甘醇單丁基醚所組成之群：（c)水；及（d)抗 腐蚀劑，其係選自芳族羥基化合物、炔屬醇、含羧基有 機化合物及其酸酐、***化合物 '及糖類所組成之群； 其中該鹽之含量為〇,2至8重量％，該溶劑之含量為40至80 重量％ ’該抗腐蝕劑之含量為〇·5至15重量％，餘量則為 水〇 9·根據申請專利範圍第7項之剝離光阻劑之方法，其中組成 份（a)為氩氟酸與至少一種選自經基胺；一級 '二級、或 二級之脂族、環脂族、芳族及雜環胺；氨水；及^「(^低 碳烷基四級銨鹽之不含金屬之鹼所形成之鹽。 10. 根據申請專利範圍第7項之剝離光阻劑之方法，其中組成 份⑷為氟化銨。 11. 根據申請專利範圍第7項之方法，其中該水溶性有機溶劑 包含至少10重量％之乙二醇。 12·根據申請專利範圍米8項之剥離光阻劑之方法.，其中該水 溶性有機溶劑包含至少10重量％之乙二醇。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央揉率局貝工消費合作社印製 -3- 本纸張尺度適用中國國家樑準（〇奶）八4说格（21〇><297公嫠） 4 U 〇 1 8 - 第85113788號專利申請案 申請專利範圍修正本(9〇年3月；) Λ8 Β8 C8 C id 經濟部中央揉隼局貝工消費合作社印製 六、申請專利範圍公告本！ -----------... ^ 1· 一種光阻劑用之剝離液组合物，其pH值為5至8，且包含 下述组成份：（a)氫氟酸與不含金屬之鹼類形成之鹽0.2至 8重量％ ; (b)水溶性有機溶劑30至9〇重量％，其包含選自 二甲基亞颯' 1，3-二曱基-2-咪唑啉酮及二甘醇單丁基酸 所組成之群之至少一種溶劑；及（c)餘量之水。 2.根據申請專利範園第1項之光阻劑用之剝離液組合物，其 中組成份（a)為氫氟酸與至少一種選自羥基胺；一級、二 級、或三級之脂族、環脂族、芳族及雜環胺；氨水；及 CrC4低碳烷基四級銨鹽之不含金屬之鹼所形成之鹽。 根據申請專利範圍第1項之光阻劑用之剝離液组合物，其 中組成份（a)為氟化铵。 4.根據申請專利範圍第1項之光阻劑用之刹離液組合物，其 中组成份（b)為含至少1 〇重量％乙二醇之水溶性有機溶 劑。 5· —種光阻劑用之剥離液組合物，其pH值為5至8，且包含 下述組成份：（a)氫氟酸與不含金屬之鹼類形成之鹽；（b) 水溶性有機溶劑，其係選自二甲基亞磾、；!,3 _二甲基_2_ 咪唑啉酮及二甘醇單丁基醚所组成之群；（c)水；及⑷抗 腐蝕劑，其係選自芳族羥基化合物、炔屬醇、含羧基有 機化合物及其酸酐、***化合物、及糖類所組成之群； 其中該鹽之含量為0.2至8重量％，該溶劑之含量為40至80 重量％，該抗腐蝕劑之含量為0_5至15重量°/。，餘量則為 水。 根據申請專利範圍第5項之光阻劑用之剝離液組合物，其 本紙張尺度適用中國國家棣率（CNS) A4规格（2!ox297公釐） - - -I ^—^1 i ml nn ^^^1 ^^^1 ^^^1 ^^^1 (請先閲讀背面之注f項再填窝本頁)