SU777887A1 - Раствор дл травлени резистивных сплавов - Google Patents
Раствор дл травлени резистивных сплавов Download PDFInfo
- Publication number
- SU777887A1 SU777887A1 SU2651483A SU2651483A SU777887A1 SU 777887 A1 SU777887 A1 SU 777887A1 SU 2651483 A SU2651483 A SU 2651483A SU 2651483 A SU2651483 A SU 2651483A SU 777887 A1 SU777887 A1 SU 777887A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- acid
- etching
- solution
- ethylene glycol
- ammonium fluoride
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
(54) РАСТВОР ДЛЯ ТРАВЛЕНИЯ РЕЗИСТИВНЫХ СПЛАВОВ
1
Изобретение относитс к изготовлению тонкопленочных микросхем.
Наиболее близким по технической сущности вл етс раствор дл травлени резистивных сплавов, содержащий азотную кислоту, соли плавиковой кислоты и воДУ 1 Недостатком известного раствора вл етс неравномерность травлени , что приводит к повреждению ситадловых подложек.
Целью изобретени вл етс повыщение равномерности травлени .
Поставленна цель достигаетс тем, что раствор дл травлени резистивных сплавов , содержащий азотную кислоту, соли плавиковой кислоты и воду, дополнительно содержит метакриловую кислоту, лимонную кислоту и этиленгликоль, а в качестве соли плавиковой кислоты - фтористый аммоний, при следующем соотношении компонентов (вес. %):
Азотна кислота28-33
Метакрилова кислота15-20
Лимонна кислота2-7
Этиленгликоль20-27
Фтористый аммоний
(насыщенный раствор) остальное.
5 Примеры. Дл получени схемного рисунка провод т химическое травление тонкой пленки резистивного сплава марки PC 37-10, содержащей 37% хрома, 10% никел , остальное кремний. В качестве защитного сло используют фоторезист ФП-РН-7.
Составы травильных растворов и результаты травлени сведены в следующую таб15 лицу.
Температура травлени комнатна . После травлени подложки тщательно отмывают . Процесс травлени протекает равномерно , происходит полное вытравливание 20 сло тонкой пленки без повреждени ситалловой подложки во всех трех случа х.
Использование данного изобретени обеспечивает мольное равномерное вытравливание резистивного сплава без повреждени ситалловой подложки, а следовательно , получение тонкопленочных схем высокого качества.
г
I - . 3.--- Формула изобретени
Раствор дл травлени резистивных снлавов, содержащий азотную кислоту, соли илавиковой кислоты и воду, отличающийс тем, что, с целью повышени равномерности травлени , он дополнительно содержит метакриловую кислоту, лимонную кислоту и этиленгликоль, а в качестве соли плавиковой кислоты - фтористый аммоний , при следующем соотношении компонентов (вес. %):
Азотна кислота28-33
Метакрилова кислота15-20
f 1
1 i7788T
т
Таблица
Лимонна кислота2-7
Этиленгликоль20-27 Фтористый аммоний
(насыщенный раствор)остальное.
Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе
1. Гимпельсон В. Д., Радионов Ю. А. Тонкоплепочные микросхемы дл приборостроени и вычислительной техники, изд-во «Машиностроение, М., 1976, с. 153 (прототип ) .
Claims (2)
- Формула изобретенияРаствор для травления резистивных сплавов, содержащий азотную кислоту, соли плавиковой кислоты и воду, отличающийся тем, что, с целью повышения равномерности травления, он дополнительно содержит метакриловую кислоту, лимонную кислоту и этиленгликоль, а в качестве соли плавиковой кислоты — фтористый аммоний, при следующем соотношении компонентов (вес. %):Азотная кислота 28—33Метакриловая кислота 15—20Лимонная кислотаЭтиленгликольФтористый аммоний (насыщенный раствор)
- 2—720—27 остальное.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU2651483A SU777887A1 (ru) | 1978-07-25 | 1978-07-25 | Раствор дл травлени резистивных сплавов |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU2651483A SU777887A1 (ru) | 1978-07-25 | 1978-07-25 | Раствор дл травлени резистивных сплавов |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU777887A1 true SU777887A1 (ru) | 1980-11-07 |
Family
ID=20779990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU2651483A SU777887A1 (ru) | 1978-07-25 | 1978-07-25 | Раствор дл травлени резистивных сплавов |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU777887A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0773480A1 (en) * | 1995-11-13 | 1997-05-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Remover solution composition for resist and method for removing resist using the the same |
-
1978
- 1978-07-25 SU SU2651483A patent/SU777887A1/ru active
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0773480A1 (en) * | 1995-11-13 | 1997-05-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Remover solution composition for resist and method for removing resist using the the same |
| US5792274A (en) * | 1995-11-13 | 1998-08-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Remover solution composition for resist and method for removing resist using the same |
| US5905063A (en) * | 1995-11-13 | 1999-05-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Remover solution composition for resist and method for removing resist using the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4426253A (en) | High speed etching of polyimide film | |
| SU471402A1 (ru) | Травильный раствор | |
| JPS6039176A (ja) | エッチング剤組成物 | |
| JP2919959B2 (ja) | ホトレジストでパターン化された金属層のためのエッチング剤液 | |
| JPS58139430A (ja) | レジストの剥離法 | |
| SU777887A1 (ru) | Раствор дл травлени резистивных сплавов | |
| KR970703280A (ko) | 금속 산화물 석출물의 제조 방법(process for preparing precipitate of metal oxide) | |
| US3539408A (en) | Methods of etching chromium patterns and photolithographic masks so produced | |
| US3158517A (en) | Process for forming recesses in semiconductor bodies | |
| US4160691A (en) | Etch process for chromium | |
| US3650969A (en) | Compositions for removal of finish coatings | |
| US3537925A (en) | Method of forming a fine line apertured film | |
| JPS5941479A (ja) | 窒化チタン被膜の除去方法 | |
| US4266008A (en) | Method for etching thin films of niobium and niobium-containing compounds for preparing superconductive circuits | |
| US3617411A (en) | Process for etching a pattern of closely spaced conducting lines in an integrated circuit | |
| JPS5832498B2 (ja) | ハンドウタイソウチ ノ セイゾウホウホウ | |
| JPH0722383A (ja) | 無機薄膜のエッチング方法 | |
| US3532569A (en) | Aluminum etchant and process | |
| JPS5923403B2 (ja) | 透明導電膜の製造方法 | |
| SU673668A1 (ru) | Раствор дл одновременного обезжиривани , травлени и фосфатировани металлической поверхности | |
| CN109164686A (zh) | 一种正性光刻胶去胶清洗组合物及其应用 | |
| TW200401050A (en) | Exfoliating solution for nickel or nickel alloy | |
| JPS6053867B2 (ja) | ネガ型フオトレジストパタ−ンの形成方法 | |
| US4047971A (en) | Method for treating a glass surface | |
| JPS5823735B2 (ja) | 薄膜コンデンサ−ないし薄膜抵抗用のタンタルから成る層の製法 |