TW419708B - Substrate transfer device - Google Patents

Substrate transfer device Download PDF

Info

Publication number
TW419708B
TW419708B TW088110310A TW88110310A TW419708B TW 419708 B TW419708 B TW 419708B TW 088110310 A TW088110310 A TW 088110310A TW 88110310 A TW88110310 A TW 88110310A TW 419708 B TW419708 B TW 419708B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
valve
space
scope
moved
Prior art date
Application number
TW088110310A
Other languages
English (en)
Inventor
Masayuki Toda
Masaki Kusuhara
Masaru Umeda
Michio Yagai
Original Assignee
Watanabe M & Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Watanabe M & Co Ltd filed Critical Watanabe M & Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of TW419708B publication Critical patent/TW419708B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67751Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a single workpiece
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/139Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

4 19 708_ 五、發明說明(1) 發明所屬技術領域 本發明係關於基體之搬移栽 , 係具有令在半導體產業或液曰:裝置,更砰細說明之, 於外部氣體地在氣流搬運事:、等使用之基體不會曝露 之内部空間之間移動之功‘内部空間和外部處理裝置 於可遮斷或置換基體周圍之裔二體之搬移載裝裝置,係關 室或搬運室之基體之搬移載裝裝置為所謂的載入上鎖 習知技術 習知在半導體等之製程’為了八 片)在各製程使用之製造裝置間移動了 &題(例如半導體晶 置。在這種搬運裝置上例如有將裝入’使用基體之搬運裝 放在搬運車後搬運之搬運裝置、用 了基體之卡匣治具堆 之搬運裝置。可是,目前i這些搬運逐片地搬運基體 之氣體係大氣中,未成為充分之高^ f處理基體之空間 利用將裝入了基體之卡匡治具裝入^閉=體空間。最近也 法,但是,未解決對於基體之來自容 $器後搬運之方 墊等之污染之問題。 '質、氣密用氣密 在解決此問題之方法上,例如提 承)在搬運路線内搬運基體之氣流搬運 用氣流(空氣軸 運裝置可使得搬運路線内變成密閉型^置。因這氣流搬 基體之周圍變成充分高潔淨之氣體空密閉系),可使得 運裝置之構造及動作之一例。 二0 °以下表示氣流搬 ' + <間隧道和成為
第4頁 (1)氣流搬運裂置包括在内部之潔 _ — 五、發明說明(2) 該隧道之入口、出口之開口部以及氣流搬運面。 (2) 在氣流搬運面設置支撐基體之周邊並上下動之頂 針,在隧道之入口利用外部處理裝置之交換手臂(例如機 械手臂之手指等)將基體放置於頂針上。 (3) 令頂針下降’藉著令基體搭乘由高純度氣體構成 之氣流而浮起,向隧道之出口搬運基體。 (4) 在隨道之出口,用頂針上升並支撐經氣流搬運後 在停止位置懸浮之基體後,外部處理裝置之交換手臂拿走 基體。 、 該氣流搬運裝置雖然具有可在裝置内無灰塵產生部地 在潔淨空間隧道内搬運基體之優點,但是在隧道之入口' 出口和其他之基體處理裝置交換時有如下之問題。 外部處理裝置之氣體自氣流搬運裝置之入口、出口侵 入氣流搬運随道内,污染隧道内之高純度氣體。 在外部處理裝置係真空裝置或減壓裝置之情況,因氣 流搬運隧道内之高純度氣體流出’侵入外部處理裝置内, 在乳流搬運功能或真空、減壓功能彳丨起障礙。 為了解決這種問題,習知在裝置間交換部設置在用内 外之氣體遮斷用之2個遮斷閥(閛門閥等)包圍之室内設置 了搬運用手臂(真空機械手臂等)之所謂的載入上鎖室。可 是’這些現況零件可說無法充分滿足幾乎不容許灰塵產 生、污染之超潔淨水準(雜質濃度為ppt等級之位準),而 且上述構造之載入上鎖室未必矸說是最適合氣流搬運裝置 之構造。
第5頁 419708 五、發明說明(3) 發明要解決之課題 本發明係遮斷外部處¥驻 防止相互污染,而且也J 3 f和氣流搬運裝置之氣體而 生、低污染交換基體Ϊ二超潔淨水準之低灰塵產 提#最適人ά基體搬移载裝裝置,其目的在於 徒供被週〇逐片式虱流搬運裝置的。 解決課題之手段 本發明之第1種基體之相 # 筱之搬移載裝裝置,係關於具有令 基體不會曝路於外部齑骑认+友α , 冰却考® ^就體地在氣流搬運裝置之内部空間和 外部處理裝置之内部令„ t I f ,立# ΜΑ π 功能之基體之搬移載 ίίΐ 該移放裝置包括.1空容器,内部 ^ ^ 將该真空容器之内部水平地隔間成上部 空間和下部空間2室;„ π Λι? ^ ^ ^ M m 開口 4 ’和設於該上部空間之該外 部處理裝置之内部空問細. βΒ 間相通,開口部,和設於該下部空間 之該氣流搬運裝置之M + 之内4空間相通;圓形之開口部,設於 該間隔壁之中央;關命 成座’沿者該開口部之周緣設於上下兩 面:水平圓盤型之上部閥,配置於該上部空間内並可上下 動’水^ ^型之下部閥’ &置於該下部空間内並在放置 該基體後可上下動;令該上部閥整體上下動之裝置;以及 令該上部閥整體上下動之裝置。 本發明之第2種基體之搬移載裝裝置係、關於具有令 基體不會曝露於外部氣體地在氣流搬運裝置之内部空間和 外部處理裝置之内部空間之間移動之功能之基體之搬移載 裝裝置’其特徵在於該移放裝置包括:真空容器,内部可 減壓’間隔壁’將該真空容器之内部水平地隔間成上部空 ^1 11^ 第6頁 111¾¾&>«9708 五、發明說明(4) ' '
間和下部空間2室;開口部,和設於該上部空間之該氣流 搬運裝置之内部空間相通;開口部,和設於該下部空間之 該外部處理裝置之内部空間相通;圓形之開口部,設於該 間隔壁之中央;閥座,沿著該開口部之周緣設於上下兩 面·’水平圓盤型之上部閥,配置於該上部空間内並可上下 :丄水平圓盤型之下部閥’西己置於該下部空間内並在放置 二广體後可上下動;令該上部閥整體上下動之;以及 7该上部閥整體上下動之裝置D 含血ί上述構造構成之2種基體之搬移戟裝裝置都具有包 相〔、氧流搬運裝置之内部空間和外部處理裝置之内部空間 下^之入口和出口之真空容器,將水平圓盤形之上部閥和 間儲存於真空容器内’令基體位於上下閥所包圍之空 此,^為密閉空間後,可將該空間置換為真空或氣體。因 可得到遮斷外部處理裝置和氣流搬運裝置之氣體而防 相石 低-污染’而且也能以滿足超潔淨水準之低灰塵產生、 ' π染交換基體之基體之搬移載裝裝置。 發明之實施形態 以下和本發明之作用等一起說明本發明之實施形態。 (實施形態1 ) ^ 式 圖1〜3係表示本發明之第1種基體之搬移裁袈裝置之模 1 ^ $剖面圖。第1種基體之搬移载敦裝置在構造"上設於 部Ϊ空間開口部和外部處理裝置之内部空間相通、設π於下 a間開口部和氣流搬運裝置之内部空間相通。圖1表示
第7頁 419?〇β ------— 五、發明說明(5) 部閥遮斷移放裝置之上部空間和下部空間後基體自外 處理裝置移向移放裝置之上部空間之狀態,圖2表示在 移放裝置基體被上部閥和下部閥固住而閉密之狀態,圖3 表示用上部閥遮斷移放裝置之上部空間和下部空間後基體 放在下部閥之搬運面上之狀態。 。 在圖卜3,1係構成移放裝置之真空容器,2係真空容 " 之上4工間’ 3係真空谷器内之下部空間,4係將真空 容器之内部水平地隔成上部空間和下部空間2室之間隔 壁,5係和設於上部空間之外部處理裝置之内部空間相通 之開口部,6係和設於下部空間之氣流搬運裝置之内部空 ^相通之開口部,7係設於間隔壁之中央之圓形之開口 部’ 8係沿著開口部之周緣設於上面之閥 部之周緣設於下面之闕座Μ。係配置於=上 平圓盤型之上部闊’11係配置於下部空間内並放 上下動之水平圓盤型之下部間,12係令上部闕 整體上下動之裴置,13係令下部閥整體上下 係基體,1 5係和下部閥之基體背面相向之搬 t ,1 4 係在和下部閥之基體背面相向之搬運面所設 ^16和17 上下動之裝置,18係上部閥之氣體引入口 之令基體可 之閥座之接觸部,2 〇係和下部閥之閥座之接,和上部閥 圈,22係外部處理裝置,23係外部處理襞置之°卩’ 2 1係線 24係氣流搬運裝置,25係氣流搬運裝置^ 内部空間, 氣流搬運裝置之搬運面,27係氣流搬運奘s 二Μ,26係 端。 奴置之搬運面之末
第8頁 419708 五、發明說明(6) ' '------ ,圖1〜3所示,構成基體之搬移載裝 之内部具有上下2個空間2、3 ,在上部 置之真工合以 之中段有亚 二間2和下部空間3 二圓二之間隔壁4,在間隔壁中央部設置圓形之開 1 圓形開口部7之周緣之上面8及下面9成兔„产 上部空間2健存水平圓盤型之上部閥1 〇,上部閱! ϋ人在 整:上:動之裝置12可上下動…部二下Λ 上α卩閥之閥座之接觸部1 9和間隔壁開口部7之 上。面閥座8密接’自下部空間3遮斷真空容器!之上部^空間 而,在下部空間3放置基體14後儲存可上下動之水平 f盤,之下部閥11。藉著用令下部閥整體上下動之裝置13 令下部閥11上下動,可接近氣流搬運裝置24 末尸。在下部闊u上升了之情況,和下部間之 觸部2 0和間隔壁開口部7之下面閥座g密接,自上部空間2 遮斷真空容器1之下部空間3。在此,令上部閥整體上下動 之裝置12和令下部閥整體上下動之裝置13設為可單獨動作 的。又’和令下部閥整體上下動之裝置13獨立地在和下部 閥之基體背面相向之搬運面15設置令基體可上下動之敦^ 1 6和1 7。例如〗6使用頂針,丨7使用伸縮囊。 之基體背面相向之搬運面15在構造上包括具有使基體 1 4洋起或著地、捕捉或發射基體、將基體對心、或使基體 水平旋轉或水平靜止之功能之氣體之噴射口(圖上未示)及 乂噴射口傳送指定之時序、流量以及壓力之氣體之繫φ (圖上未示)。 置
;41070 五、發明說明(7) — ~ 以下使用圖卜3詳細說明自外部處理裝置22向氣流搬 運裝置24移動基體之情況之移放裝置之動作。 在圖1,處於下部閥11上升(箭號方向)、和下部閥之 間座之接觸部2 0與間隔壁開口部7之下面閥座9密接之狀 態,自下部空間3遽斷真空容器i之上部空間2。在處於此 狀態之上部空間2内,經由和外部處理裝置“之内部空間 23相通之開口部5,夕卜部處理裝置”之交換手臂(圖 示)將基體14放在頂針16,藉著向外部脫離,將基體14自 广部處理裝置22之内部空間23移向真空容器i之上部空間 然後,頂針16下降時,同時上部閥1()下降,和上部闊 之閥座之接觸部19和間隔壁開口部7之上面間座8密接(圖 2)。結果,基體14密閉於上部閥1〇和下部叫之搬運心 之間。接著’經由上部_之氣體引人σ18將上部閥1〇和 下部閥11所包圍之密閉空間内真空排氣後,將氣氣引入密 閉空間内,密封成大氣壓力。 如圖3所不,下部閥丨丨下降(箭號方向)至搬運面Μ和 氣流搬運面之末知2 7同一高度為纟。其次,自設於下部閥 11 ^搬運面15之氣體噴射口(圖上未示)朝向基體“開始喷 射f起氣體氮。接著,藉著令頂針16下降至比搬運面“低 之高度’基體14就浮起而變成懸停狀態。然|,在氣流搬 f ^置24之搬運面26之末端27也開始喷射浮起氣體氮,再 藉著在下部閥11之搬運面15令喷出基體之發射氣體氛,將 基體14搬向氣流搬運裝置24之内部空間25。藉著以上之動
第10頁 4 »9 7 08
五、發明說明(8) 置24之基體之移 作’完成自外部處理裝置22往氣流搬運裝 動。 而,在將基體14自氣流搬運裝置24移向外部處理 22之情況之移放裝置之動作基本上和上述動作相反即可。 即,錯著使用在氣流搬運裝置24之搬運面26和下部 搬運面之浮起氣體I之喷射,令基體14自氣流搬運“ 24之内部空間向移放裝置之下部空間3内移動後’停止嘖 射浮起氣體,將基體丨4放在頂針16上。接著,下部閥丨丨 搬運面15上升,基體14密閉於上部閥1〇和下部閥丨丨之搬 面15之間。然後,經由上部閥1〇之氣體引入口18將上 10和下部閥Π所包圍之密閉空間内真空排氣,或者缺後= 入和係基體14之移動目的地之外部處理裝置22相同之 體。接¥,令上部閥10上升,令上部空間2和外部處理 置22之内部空間23連通,外部處理裝置22之交換手臂圖 上未不)拿走基體14,基體14之移動就完了。 (實施形態2 ) 圓4你衣…个種基體之搬移載裝裝置之 上之剖面圖。第2種基體之搬移栽敦裝置在構造上設於上^ 部空間開口部和氣流搬運裝置之内部空間相通、設於 :=口部和外部處理裝置之内部空間相通,這一點和; 施形態1所不第1種基體之搬移栽裴 不同。Α他方' 第1種基體之搬移載裝裝置—樣。、 面和 圖4,101係構成移放裝置之真空容器,102係真 器内之上部空間’103係真空容器内之下部空間,104:將
4 S3 7 08 五、發明說明¢9) 真空容器之内部水平地隔成上部空間和下部空間2室之間 隔壁’ 1 0 5係和設於上部空間之外部處理裝置之内部空間 相通之開口部’ 1 0 6係和設於下部空間之氣流搬運裝置之 内部空間相通之開口部’ 1 〇 7係設於間隔壁之中央之圓形 之開口部,1 0 8係沿著開口部之周緣設於上面之閥座,1 〇 9 係沿著開口部之周緣設於下面之閥座,Π 〇係配置於上部 空間内並可上下動之水平圓盤型之上部閥,1 11係配置於 下部空間内並放置基體後可上下動之水平圓盤型之下部 闊’ 1 1 2係令上部閥整體上下動之裝置,n 3係令下部閥整 體上下動之裝置,11 4係基體,11 5係和下部閥之基體背.面 相向之搬運面’ 1 1 6和11 7係在和下部閥之基體背面相向之 搬運面所設置之令基體可上下動之裝置,118係上部閥之 氣體引入口 ’ 1 1 9係和上部閥之閥座之接觸部,} 2〇係和下 部閥之閥座之接觸部,1 2 1係線圈,1 2 2係外部處理裝置, 1 23係外部處理裝置之内部空間,1 24係氣流搬運裝置, 1 2 5係氣流搬運裝置之内部空間,1 2 0係氣流搬運裝置之搬 運面’127係氣流搬運裝置之搬運面之末端。 以下使用圖4詳細說明自外部處理裝置22向氣流搬運 裝置24移動基體之情況之移放裝置之動作。 首先’在和設於移放裝置之下部空間1 〇 3之外部處理 裝置12+2之内部空間23相通之開口部1〇6,將外部處理裝置 之父換手臂(圖上未示)***下部空間内將基體 4放位於比氣流搬運裝置124之末端a?下方之位置之設 ;下部閥ill之搬運面115之頂針116上。然後,交換手臂
4 19 7 08 五、發明說明(ίο) (圖上未示)自下部空間103向外部處理裝置122之内部空間 I 23脫離。 其次’下部閥111之搬運面11 5上升至和氣流搬運裝置 124之搬運面126同一高度為止’和間隔壁下面閥座1〇9密 接’自上部空間1 02遮斷下部空間1 〇3,將基體〗丨4密閉於 和上部閥11 0之間。接著’經由上部閥11 〇之氣體引入口 II 8將上部閥11 0和下部閥111所‘圍之密閉空間内真空排 氣後’將氮氣引入密閉空間内,密封成大氣壓力。 然後’上部閥11 〇上升’開始喷射下部閥丨丨1之搬運 面115之浮起氣體乳。接著,藉著令頂針η &下降至比搬運 面11 5低之南度’基體U 4就浮起而變成懸停狀態。然後, 在氣流搬運裝置124之搬運面126之末端127也開始噴射浮 起氣趙氮’再藉著在下部閥111之搬運面令喷出基體之 發射氣體氮,將基體114搬向氣流搬運裝置124之内部空間 125。藉著以上之動作,完成自外部處理裝置122往氣流搬 運裝置124之基體之移動。 而,在將基體114自氣流搬運裝置丨24移向外部處理裝 置1 2 2之情況之移放裝置之動作基本上和上述動作相反即 可。即’將基體11 4支撐在頂針11 6上後,上部閥丨】〇下降 而將基體114密閉,而且自下部空間1〇3遮斷上部空間 1 〇 2。然後,經由上部閥1 1 〇之氣體引入口 11 8將密閉空間 内真空化,或者封入和外部處理裳置122相同之氣體。接 著’令下部閥1 11下降,令下部空間丨〇 3和外部處理裝置 1 22之内部空間1 23連通’外部處理裝置丨22之交換手臂(圖
419708 五、發明說明(11) 上未示)拿走基體114,基體114之移動就完了。
如以上說明所示,實施形態丨所示第17C種基體 裝裝置在比氣流搬運裝置24之基體搬運水平高 搬移載 和外部處理裝置22之基體之交換,而在實施形離進^ 2種基體之搬移載裝裝置在比氣流搬運裝置124 = Z所不第 水平低之位置進行和外部處理裝置122之基體之A體搬運 點不同。藉著區分使用上述二種基體之搬移栽^廷 ^和外部處理裝置之基體之交換高度之整合得到寬的自Z 上述之實施形態,藉著自例如碳化矽(s丨c)、# (BN)、氮化銘(AIN)、高‘純度氧化紹⑷2〇3)等陶磁鼠^ 這些材料之表面被覆了鑽石薄膜的、或超高純度石去 硬合金選擇構成設於間隔壁之中央之圓形之開=部 部及閥座之材料,採用具有真空氣密性而且不會拍 運之產品之材料,確認了在移放裝置之内部空間之粒子 數、污染度達到超潔淨度水準(即,ppt等級之雜質濃 度)。可是,在可容許粒子數、污染度之氣流搬運裝置之 情況’在閥及間座之密封部使用由聚合物或合成樹脂構各 之密封塾等,應用本發明之構造當然也可。 又,在上述之實施形態’下部閥藉著在和下部閥n 之基體背面相向之搬運面1 5包括具有使基體丨4浮起或著 地、捕捉或發射基體、將基體對心、或使基體水平旋轉或 水平靜止之功能之氣體之噴射口及向該噴射口傳送指定之 時序、流量以及壓力之氣體之裝置,在邊令基體浮起邊令
4tS?〇8 五、發明說明(12) 移動時可精密地控制基體。 此情況,最好具有基體之浮起或著地之功能之嘴射 口以相對於下部閥之搬運面2 2度之角度鑽孔*自該嘴射口 噴射之氣流之水平分力指向該下部閥之中心,分割成4象 限或3象限。又希望具有捕捉或發射基體之功能之嘴射口 以相對於下部閥之搬運面2 2度之角度鑽孔,自該噴射口嘴 射之氣流之水平分力排列成和與該氣流搬運裝置之内部处 間相通之氣流搬運路線平行。此外,具有基體之水平旋& 或水平靜止之功能之噴射口,藉著決定該基體之結晶^ 向後將基體放在令設於下部閥之搬運面之該基體可2下方 之裝置上之功能,在下部閥上下動之情況或基體之周 $ 壓或加壓之情況,也可將基體確實保持在下部閥上。 發 如 氣流搬 響彼此 裝裝置 體之差 置。又 閥及閥 閥及閥 之行進 產生灰 明之效 以上說 運裝置 之功能 。因而 異影響 ,本發 座使用 座係平 速度設 塵之密 面接觸構 為 響 果 明所示,若利用本發明 和其他外部處理裳置之 而且可置換基體周邊之 ’本發明之基體之搬移 ’可各易地結合氣流搬 明之基.體之搬移載褒裳 難發生塑性變形之超高 而且將自 s e c以下 ,可得到在逐片型之 間交換基體時,不影 氣體之基體之搬移載 載裝裝置不會受到氣 運裝置和外部處理裝 置’藉著在其内部之 硬度材質,其内部之 即將接觸至密接為止 因可達成接近不會 運轉。 封,可令以超潔淨水準
4 (08
圖式簡單說明 · 圖1係表示本發明之第丨榷基體之搬移栽裝裝 ^ 上之剖面圖,表示用下部閥遮斷移放裝置之上部处之模式 部空間後基體自外部處理裝置移向移放裝置之=間和下 狀態。 4空間之 圖2係表示本發明之第1種基體之搬移裁裝装 上之剖面圖’表示在移放裝置基體被上部閥和下之模式 而閉密之狀態。 。卩間圍住 圖3係表示本發明之第丨種基體之搬移栽裝裝 上之剖面圖,表示用上部閥遮斷移放裝置之上^处之模式 部空間後基體放在下部閥之搬運面上之狀態。 < 間和下 圖4係表示本發明之第2種基體之搬移栽敦數 上之剖面圖。 、之模式 符號說明 1構成移放裝置之真空容器 2真空容器内之上部空間 3真空容器内之下部空間 4將真空容器之内部水平地隔成上部空間和 2室之間隔壁 # &間 5和設於上部空間之外部處理裝置之内部* 開口部 之間相通之 6和設於下部空間之氣流搬運裝置之内部空 ^間相通之
第16頁 4ί9 7〇8 五、發明說明(14) 開口部 7設於間隔壁之中央之圓形之開口部 8 沿著開口部之周緣設於上面之閥座 9 沿著開口部之周緣設於下面之閥座 10 配置於上部空間内並可上下動之水平圓盤型之上 部閥 11配置於下部空間内並放i基體後可上下動之水平 圓盤型之下部閥 12令上部閥整體上下動之裝置 13令下部閥整體上下動之裝置 14基體 1 5和下部閥之基體背面相向之搬運面 1 6、1 7在和下部閥之基體背面相向之搬運面所設置 之令基體可上下動之裝置16、17 1 8上部閥之氣體引入口 1 9和上部閥之閥座之接觸部 20和下部閥之閥座之接觸部 21 線圈 22外部處理裝置 2 3 外部處理裝置之内部空間 24 氣流搬運裝置 2 5 氣流搬運裝置之内部空間 2 6 氣流搬運裝置之搬運面 27 氣流搬運裝置之搬運面之末端
第17頁 419709 五 '發明說明(15) 101構成移放裝置之真空容器 102 真空容器内之上部空間 103 真空容器内之下部空間 104 將真空容器之内部水平地隔成上部空間和下部空 間2室之間隔壁 通 相 間 空 部 内 之 置 裝 ίι 處 部 外 之 間 空 βΓ 土口 上 於 設 和 β— 立口 D 開 之 通 相 間 空 β— 内 之 置 裝 運 搬 流 氣 之 間 空 部 下 於 設 和 R— Λσ 口 開 之 7 8 9 0 ο ο ο 1 部座 口閥 開之 之面 形上 圓於 之設 央緣 中ffiypJ 之之 壁部 隔口 間開 於著 設沿 上 之 型 盤 圓 平 座水 閥之 之動 面下 下上 於可 設並 緣内 周間 之空 部部 口上 開於 著置 沿配 閥 Rr 立口 平 水 之 下 上 可 後 體 基 置 放 並 内 間 空 部 下 置部 配下 1之 U型 盤 圓 置置 裝裝 之之 下下 上上 體體 整整 閥閥 部部 上下體 令令基 2 3 4 Ί-i 1Α TJX 11 11 設 所 面 搬 運目 搠6 之S7 背1 向 1 II"體、 0Π M基16 面 -1 之1 背 置 L閥 體卩裝 基η之 之α動 二LT 部 上 下17可 和'1體 5 6基 1 1 令 t—- 11 > 之 置 閥 部 上 8 9 1Α 11 和 體 氣 之 之 閥 β— 立口 部 觸 接 D J 入之 ΪΙ/座 ;閥
第18頁 419T0B_ 五、發明說明(16) 1 2 0和下部閥之閥座之接觸部 1 21 線圈 1 2 2外部處理裝置 1 23 外部處理裝置之内部空間 124 氣流搬運裝置 1 2 5 氣流搬運裝置之内部空間 1 2 6 氣流搬運裝置之搬運面 127 氣流搬運裝置之搬運面之末端
第19頁

Claims (1)

  1. 4Ϊ9708_ 六、申請專利範圍 1. 一種基體之搬移載裝裝置,具有令基體不會曝露於 外部氣體地在氣流搬運裝置之内部空間和外部處理裝置之 内部空間之間移動之功能之基體,其特徵在於: 該移放裝置包括: 真空容器,内部可減壓; 間隔壁,將該真空容器之内部水平地隔間成上部空間 和下部空間2室; 開口部,和設於該上部空間之該外部處理裝置之内部 空間相通; 部 下置 内 上放 之 可在 置 並並 裝;内内 運 面間間 搬 ;兩空 空 流 央下部 部 及 氣 中上上 下 以 該 之於該 該 ·, 之 壁設於 於 置 間 隔緣置 置 裝。 空 間周配 配 之置 部 該之, , 動裝 下 於部閥 閥 下之 該 設口部 部 上動 於 ,開上 下·,體下 設 部該之 之動整上 和 口著型 型下閥體 , 開沿盤 盤上部整 部 ·,之,圓 圓可上閥 口通形座平 平後該部 開相圓閥水 水體令上 間 ‘,基該 空 動該令
    於之 露置 曝裝 會理 不處 體部 基外 令和 有間 具空 ’ 部 置内 裝之 第20頁 4t9 7〇g___ 六、申請專利範圍 真空容器,内部可減壓; 間隔壁,將該真空容器之内部水平地隔間成上部空間 和下部空間2室; 開口部,和設於該上部空間之該氣流搬運裴置之内部 空間相通; 開口部’和設於該下部空間之該外部處理较置之内部 空間相通; 圓形之開口部,設於該間隔壁之中央; 閥座,沿著該開口部之周緣設於上下兩面; 水平圓盤型之上部閥,配置於該上部空間内並可上下 動; 水平圓盤型之下部閥,配置於該下部空間内並在放置 該基體後可上下動; 令該上部閥整體上下動之裝置;以及 令該上部閥整體上下動之裝置。 3‘如申請專利範圍第1或2項之基體之搬移載装裝置, 其中和該下部閥之基體背面相向之搬運面具有令該基體上 下動之裝置。 4. 如申清專利範圍第丨或2項之基體之搬移裁裝裝置, 其中構成f : 口』之周緣部及該閥座之材料係自陶磁、用 鑽石薄膜被覆之陶磁、或超硬合金選擇。 5. =申^專利範圍第4項之基體之搬 中該陶磁係碳化矽(SiC)、g〆 化铭(M2⑻之其中之—。氣化鐵Μ)、I化⑽1Ν)、氧 六、申請專利範圍 ' ---一 6. 如申請專利範圍第1或2項之基體之搬移栽裝裝 置,其中令該上部閥及下部閥和該閥座密接時,該上部閥 及下部閥之行進速度自即將接觸至密接為止 #m/sec以下。 丨正 拿窗 7. 如申請專利範圍第1或2項之基體之搬移載裝裝置, 其中該下部閥包括: 氣體之喷射口,在和基體背面相向之搬運面具有使基 體浮起或著地、捕捉或發射基體、將基體對心、或使基體 水平旋轉或水平靜止之功能;以及向該喷射口傳送指定之 時序、流量以及壓力之氣體之裝置。 8. 如申請專利範圍第7項之基體之搬移載裝裝置,其 中具有使該基體浮起或著地之功能之喷射口以相對於該下 部閥之搬運面22度之角度鑽孔,自該喷射口喷射之氣流之 水平分力指向該下部閥之中心,分割成4象限或3象限。 9. 如申請專利範圍第7項之基體之搬移載裝裝置,其 中具有捕捉或發射該基體之功能之喷射口以相對於該下部 閥之搬運面22度之角度鑽孔,自該喷射口喷射之氣流之水 平分力排列成和與該氣流搬運裝置之内部空間相通之氣流 搬運路線平行。 ” & 10. 如申請專利範圍第7項之基體之搬移載裝裝置,其 中具有該基體之水平旋轉或水平靜止之功能之噴射口,具 有決定該基體之結晶軸方向後將基體放在令設於下部閥之 搬運面之該基體可上下動之裝置上之功能。
    I
    第22頁
TW088110310A 1998-06-19 1999-06-21 Substrate transfer device TW419708B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17316698A JP4275769B2 (ja) 1998-06-19 1998-06-19 基体の移載装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW419708B true TW419708B (en) 2001-01-21

Family

ID=15955334

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW088110310A TW419708B (en) 1998-06-19 1999-06-21 Substrate transfer device

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6394733B1 (zh)
JP (1) JP4275769B2 (zh)
KR (1) KR100634206B1 (zh)
TW (1) TW419708B (zh)
WO (1) WO1999066550A1 (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6347919B1 (en) * 1999-12-17 2002-02-19 Eaton Corporation Wafer processing chamber having separable upper and lower halves
US6455098B2 (en) * 2000-03-09 2002-09-24 Semix Incorporated Wafer processing apparatus and method
US7037063B2 (en) * 2002-04-18 2006-05-02 Display Manufacturing Services Co., Ltd. Substrate floating apparatus and method of manufacturing liquid crystal display apparatus using the same
EP1661161A2 (en) * 2003-08-07 2006-05-31 Sundew Technologies, LLC Perimeter partition-valve with protected seals
KR100558558B1 (ko) * 2004-01-26 2006-03-10 삼성전자주식회사 멀티챔버 프로세스장치
JP4069980B2 (ja) * 2004-02-24 2008-04-02 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成装置
JP2008192642A (ja) * 2007-01-31 2008-08-21 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
US8216376B1 (en) * 2009-01-15 2012-07-10 Intermolecular, Inc. Method and apparatus for variable conductance
JP4523661B1 (ja) * 2009-03-10 2010-08-11 三井造船株式会社 原子層堆積装置及び薄膜形成方法
US10731246B2 (en) * 2014-07-28 2020-08-04 Gatan, Inc. Ion beam sample preparation and coating apparatus and methods
DK178352B1 (da) * 2015-02-27 2016-01-04 Intelligent Systems As Transport- og lagersystem til servicering af et antal behandlings og plejeområder på et hospital, samt fremgangsmåde til drift heraf.
JP6561700B2 (ja) * 2015-09-04 2019-08-21 シンフォニアテクノロジー株式会社 ガス注入装置
US10358721B2 (en) * 2015-10-22 2019-07-23 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor manufacturing system including deposition apparatus
CN110556308B (zh) * 2018-06-01 2021-12-17 北京北方华创微电子装备有限公司 阀门保护机构、工艺腔室及半导体设备
WO2020148456A1 (en) * 2019-01-18 2020-07-23 Tricoya Technologies Ltd A system and a method for transferring solid particles from a first environment at a first gas pressure to a second environment at a second gas pressure
US11527424B2 (en) 2020-03-20 2022-12-13 Applied Materials, Inc. Substrate transfer systems and methods of use thereof

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1097770A (en) * 1977-02-28 1981-03-17 Robert L. Judge Controls for semiconductor wafer orientor
NL8401777A (nl) * 1984-06-04 1986-01-02 Bok Edward Gasslot voor in- en uitgang van tunnel, waarin verplaatsing en processing van wafers geschiedt met behulp van media onder double-floating conditie.
JP2613035B2 (ja) * 1986-12-05 1997-05-21 日本電信電話株式会社 基板吸着固定装置
JPS63225028A (ja) * 1987-03-16 1988-09-20 Hitachi Ltd 搬送装置
DE69024504D1 (de) * 1990-04-30 1996-02-08 Ibm Plasma-reaktionskammer mit leitenden diamant-beschichteten oberflächen
JP3162144B2 (ja) * 1990-11-16 2001-04-25 株式会社渡邊商行 薄板状基体搬送装置
JP2550787B2 (ja) * 1991-03-12 1996-11-06 富士通株式会社 半導体装置の製造装置
JP2821088B2 (ja) * 1994-03-24 1998-11-05 川崎製鉄株式会社 ウェーハ載置台
JPH08139155A (ja) * 1994-11-11 1996-05-31 Hitachi Ltd ウエハ搬送装置
US5558717A (en) * 1994-11-30 1996-09-24 Applied Materials CVD Processing chamber
JP3796782B2 (ja) * 1995-11-13 2006-07-12 アシスト シンコー株式会社 機械的インターフェイス装置
US6048154A (en) * 1996-10-02 2000-04-11 Applied Materials, Inc. High vacuum dual stage load lock and method for loading and unloading wafers using a high vacuum dual stage load lock
US5820329A (en) * 1997-04-10 1998-10-13 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus with low particle generating wafer clamp
US6059507A (en) * 1997-04-21 2000-05-09 Brooks Automation, Inc. Substrate processing apparatus with small batch load lock
US6000905A (en) * 1998-03-13 1999-12-14 Toro-Lira; Guillermo L. High speed in-vacuum flat panel display handler

Also Published As

Publication number Publication date
KR100634206B1 (ko) 2006-10-16
JP4275769B2 (ja) 2009-06-10
KR20010071542A (ko) 2001-07-28
WO1999066550A1 (fr) 1999-12-23
JP2000012650A (ja) 2000-01-14
US6394733B1 (en) 2002-05-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW419708B (en) Substrate transfer device
CN105431933B (zh) 衬底运送器
TWI541931B (zh) 連結系統
TWI651802B (zh) 夾持裝置及使用此夾持裝置之基板運入運出裝置與基板處理裝置
TWI531021B (zh) 連結搬運系統
JPH081923B2 (ja) クリーン搬送方法及び装置
JP4012190B2 (ja) 密閉容器の蓋開閉システム及び開閉方法
US20090196714A1 (en) Device for the transport, storage, and transfer of substrates
JPH11150178A (ja) クリーンボックス、クリーン搬送方法及び装置
JPH06191639A (ja) 偏平物品の取扱い装置
US6467626B1 (en) Wafer storing method and storing container therefor and wafer transferring method for transferring wafer to the storing container
JP5867754B2 (ja) イエロールームシステム
JP3082389B2 (ja) クリーンルーム用保管庫
JPH07122618A (ja) 真空処理装置
KR20060026851A (ko) 처리 장치
JP3355697B2 (ja) 可搬式密閉コンテナおよびガスパージステーション
JP2982461B2 (ja) クリーンルーム用保管庫
EP0626724B1 (en) System for transferring wafer
JP6061269B2 (ja) 搬送容器の開閉装置
KR100774711B1 (ko) 반도체 제조용 에피택셜 장비의 파티클 제거 장치 및 제거방법
JPH02184333A (ja) ロードロック装置を備えた処理装置
TW201941344A (zh) 真空處理裝置的運轉方法
JPH06181249A (ja) 基板搬送システム
JPH07130831A (ja) 半導体ウエハの収納・搬送装置
JPH0419304B2 (zh)

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees