JP3162144B2 - 薄板状基体搬送装置 - Google Patents
薄板状基体搬送装置Info
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- JP3162144B2 JP3162144B2 JP32805291A JP32805291A JP3162144B2 JP 3162144 B2 JP3162144 B2 JP 3162144B2 JP 32805291 A JP32805291 A JP 32805291A JP 32805291 A JP32805291 A JP 32805291A JP 3162144 B2 JP3162144 B2 JP 3162144B2
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Description
び薄板状基体搬送方法に係る。より詳細には、薄板状基
体を浮上させたまま静止状態を保持でき、かつ、静止状
態における薄板状基体の振動の振幅を0.2mm以内の
精度で行うことができ、薄板状基体の汚染を防止し得る
薄板状基体搬送装置及び薄板状基体搬送方法に関する。
板状基体を搬送するものであり、かかる超高清浄な雰囲
気下で薄板状基体を搬送することが可能な薄板状基体搬
送システムを、ウルトラクリーンフローティングトラフ
ィックシステム(UCFT)と称する。
は、軌道表面に溝を形成しておき、その溝に沿って流体
を噴射させることにより流体薄膜から溝内に流体を引き
込むようにして真空状態をつくり出し、これによりウエ
ハを真空吸引作用によって停止させる技術が知られてい
る(特公昭55−38828号公報)。
を有している。
てみると以下の諸々の問題点があることを本発明者は見
い出した。
することが困難であるということである。すなわち、例
えば、ウエハを成膜室へ導入する場合を考えると、ウエ
ハの静止位置は、所定の位置からのずれを±0.2mm
の精度内とすることが望まれる。
mmの精度を以て所定の位置に誘導することが必要であ
る。次に、ウエハを振動させることなくその所定の位置
に静止させることが必要である。
る精度をもって静止状態を保とうと試みたが、かかる精
度をもって静止状態を保つことは困難であった。また、
かかる精度を持って静止させることが可能な搬送装置は
なかった。
いて、半径方向、円周方向さらには水平方向で振動が生
じ、その振幅0.2mmをはるかに超えるものであっ
た。
搬送を行い、そのウエハに加工(成膜、エッチング等)
を行うと必ずしも所望の特性を有する加工を行うことが
できないことがわかった。例えば、酸化膜の形成を行っ
てもその膜の絶縁特性は良好ではなく、また、エッチン
グを行っても高い選択性を持ったエッチングを行うこと
ができなかった。その原因を本発明者は調査したとこ
ろ、不純物(パーテイクル、水分)等がウエハ表面に付
着しており、これが加工性を劣化せしめていることを解
明した。さらに幾多の調査を行ったところ、かかる不純
物はウエハ搬送中に付着することがわかった。特に、パ
ーティクルの発生が顕著に認められた。
ていた者ではなく、本発明者がはじめて知見したもので
ある。
mの精度を持って薄板状基体の静止状態を保つことが可
能であり、搬送中における薄板状基体への汚染を防止し
た薄板状基体搬送装置及び薄板状基体搬送方法を提供す
ることを目的とする。
の本発明の薄板状基体搬送装置は、薄板状基体を直線的
に進行させるための移送空間を有する移送ユニットと、
薄板状基体の動きを制御するための制御空間を有する制
御ユニットとを密閉状態で複数組み合わせてなり;当該
移送空間の下面に形成され、ガス供給系に接続されてい
る、薄板状基体を浮上させるための複数の浮上用噴出孔
と、当該移送空間の適宜の位置に設けられた、当該移送
空間内のガスを排気するための排気手段と、当該制御空
間の適宜の位置に設けられた、当該制御空間内のガスを
排気するための排気手段と、当該制御空間の下面のほぼ
中央部(以下この中央部を「制御中心」という)に形成
され、真空排気系に連通する吸引ホールと、当該制御空
間の下面の表面に形成された、当該吸引ホールから延び
る溝と、当該制御空間の下面に形成された、薄板状基体
の半径方向の位置を制御するための複数の半径方向制御
用噴出孔と、当該制御空間の下面に形成された、薄板状
基体の円周方向の位置を制御するための複数の円周方向
制御用噴出孔群と、当該制御空間の下面に形成された、
薄板状基体を浮上させるための複数の浮上用噴出孔と、
当該制御空間の下面に形成された、薄板状基体を停止な
いし次のユニットへ送出させるための複数の停止・送出
用噴出孔と、を少なくとも有し、前記溝は、薄板状基体
の中心が制御中心上にきたときにおける薄板状基体の周
縁の内部で閉じていることを特徴とする。
る。なお、本発明は、以下の実施例により限定されるも
のではないことは当然である。
ウエハ)搬送装置例の全体の構成を示す。
に、薄板状基体を直線的に進行させるための移送空間を
有する移送ユニット1と、薄板状基体の動きを制御する
ための制御空間を有する制御ユニット2とを複数組み合
わせてなっている。
2は、移送ユニットの一部を破枠した図である。
移送空間4によって構成されている。
により形成され、図面上左右は開口しており、この開口
部を介して隣接する制御ユニットあるいは移送ユニット
へ薄板状基体を移送する。
複数の浮上用噴出孔7が形成され浮上用噴出孔が形成さ
れている。浮上用噴出孔7のそれぞれはガス供給系8a
に接続されている。
体の進行方向(図面上AあるいはB)に直角であり、か
つ、上方を向いて開口している。なお、本例では、各浮
上用噴出孔7は、下面6と約22゜の角度をなして開口
している。もちろん、22゜に限定する必要はなく、ま
た、各浮上用噴出孔に付き同一の角度とする必要はな
く、例えば、中心線から遠くにある浮上用噴出孔の角度
を小さくし、中心線に近づくにつれ浮上用噴出孔の角度
を漸時大きくしていっても良い。
そのガスは、図2に示す矢印aで示す方向に噴出し、通
過中の薄板状基体の裏面にガスが当たり、薄板状基体が
沈下して下面6に接触することを防止している。
に連通する通気路(図示せず)が形成され、この通気路
を介して各浮上用噴出孔7とガス供給系8aとは接続さ
れている。
移送空間4内のガスを外部に排気するための排気手段9
aが設けられている。本例では、囲い材5の上部に設け
てある。排気手段9aはガス排気ライン10に接続され
ている。
板状基体の進行方向にほぼ直角で、かつ、上方を向いて
開口している噴出孔のみが形成されており、薄板状基体
の進行方向に平行あるいは斜めに開口している噴出孔は
存在しない。そのためウエハの浮上高さをより少ないガ
スにより確保可能であり、またウエハの移送速度をどの
移送区間においても加速度的なものではなく等速度的な
ものとすることができる。
制御ユニット2も、移送ユニット1と同様に基本的に
は、制御空間と基台3とからなる。制御空間は移送空間
と同様に囲い材と基台3の上面とにより形成されるが、
図3には図示していない。ただ、本例における制御空間
は、4方向に開口しており、図面上左右上下方向に薄板
状基体を搬送し得るように構成されている。
中心(薄板状基体を停止させようとする位置の中心)に
は吸引ホール11が設けられている。
続されており、真空排気ライン12はさらに超高清浄排
気ポンプ13につながっており、超高清浄排気ポンプ1
3を作動させることにより、真空排気ライン12を介し
て吸引ホールに負圧を与えることができる。
溝42(図3(a)において黒色部)が制御空間の下面
に形成されている。本例では、吸引ホール11を中心と
して対称的に溝42が掘り込まれている。
体の周縁14内で閉じていることである。すなわち、本
発明者は、±0.2mmという高い精度を以て薄板状基
体を停止及び静止(特に静止)させるためには、溝の形
状が重要な意味を持つことを見い出し、特に溝42がど
こまで延びているかということがポイントとなることを
見い出した。このように、溝42を薄板状基体の周縁内
で閉じることにより高い精度を以て停止させることが可
能となった。溝42を薄板状基体の周縁内で閉じると何
故に高い精度を以て停止させ得るのかということは明か
ではない。ただ、前述した従来技術においては、溝内に
ガスを噴出させることにより負圧状態をつくるものであ
るので、そのガスを逃がすために必然的に溝は外部と連
通せざるを得ず、そのためにガスによりつくられた真空
は安定しないため高い精度を以て停止及び静止させるこ
とができないのではないかと推測される。
板状基体の周縁14の一部にはオリエンテーションフラ
ット14aが形成されており、溝42はその部分におい
ても周縁内に収まるように設けられている。
所定の位置に停止した場合、吸収ホール11を介して真
空排気を行うことにより薄板状基体15は排気口上で静
止状態が保持される。
めには適宜の位置に光ファイバー管等の感知手段を設け
ておけば良い。
径方向制御用噴出孔と、円周方向制御用噴出孔と、停止
用噴出孔と、送出用射出噴出孔とが形成されている。
おいては浮上用噴出孔以外の噴出孔は図示を省略してあ
る。
わたり形成されている。
示した部分)は制御中心を向いて開口しており、また、
本例では、下面とはやはり22゜の角度をなしているが
もちろんこの角度に限定されるものではない。すなわ
ち、薄板状基体が制御中心上にあるときにその裏面にガ
スが当たるように開口し、薄板状基体が下面と接触する
のを防止し得るものであればよい。
に接続されている。
び図6に基づき説明する。
示してある。この半径方向制御用噴出孔16は半径方向
の位置ズレを修正するためのものである。
き、また、下面6に対して本例では22゜の角度をなし
て開口している。従って、半径方向制御用噴出孔16か
らガスを噴出させることにより薄板状基体を中心位置に
位置修正せしめることができる。
基体の周縁14のやや外側に形成されている。オリエン
テーションフラット14aの部分もやや外側に形成され
ている。例えば、150mmφの薄板状基体の場合、半
径方向の位置修正を迅速に行う上からはその周縁より1
〜3mm外側に設けることが好ましく、約2mmほど外
側に設けることがより好ましい。
17a’),(17b,17b’),(17c,17
c’),(17d,17d’)を一組として8つの噴出
孔が形成されている。もちろんこの数に限定されるもの
ではい。各組ごとに独立してそれぞれガス供給系8d,
8e,8f,8gに接続されている。例えば、所望の位
置から図面上右上方向にずれている場合には、右上の2
つの噴出孔(17a,17a’)からガスを噴出させれ
ば所望の位置に修正することができる。その際、他の噴
出孔からのガスの噴出は停止させるかあるいは右上の噴
出孔(17a,17a’)からのガス圧よりも小さなガ
ス圧で噴出させる。
に設けておけば、きわめて短時間に微小な位置ズレの修
正も可能となる。その配置位置は、薄板状基体の周縁上
とすることが、より精度の高い位置修正を行う上から好
ましく、特にオリエンテーションフラットを有する薄板
状基体の場合は、オリエンテーションフラットに対応し
て噴出孔(17a,17a’)を中心に近ずけて配置す
ることが好ましい。
説明する。
を行うためのものである。回転制御用噴出孔は、薄板状
基体の周縁内に形成されている。薄板状基体の半径の1
/4〜1/3の半径円周上に設けることがより高精度・
短時間の修正を行う上から好ましい。
口しており、時計回りに開口しているものと、反時計回
りに開口しているものがあり、時計方向に開口している
ものと、反時計方向に開口しているものとはそれぞれ別
個のガス供給系8h,8jに接続されている。
たい場合、ガス供給系8hをオンとし、時計方向に開口
している噴出孔からガスを噴出させれば良い。
(18a1,18b1),(18a2,18b2),(18
a3,18b3),(18a4,18b4)の間隔は(たと
えば18a1と18b1)の間隔としては、1〜5cmが
好ましく、また、回転制御用噴出孔の位置はウエハ直径
の70から80%以内が好ましい。この範囲とすること
によりより高精度の回転方向の制御が可能となる。
て説明する。図8(a)は平面図、図8(b)は図8
(a)の1−1断面図であり、2−2断面図と同じであ
る。図8(c)は図8(a)の3−3断面図であり、4
−4断面図と同じである。図8に示す例は、X軸ないし
Y軸方向での送出・停止を行う例である。また、送出・
停止用噴出孔の一部19a1,19a3は、X軸に対し線
対称の位置に2列に配列されている。送出・停止用噴出
孔の一部19a2,19a4は、Y軸に対し線対称の位置
に2列に配列されている。他の一部20a1,20a
3は、X軸上に直線状に配列されている。また、Y軸上
にも同様に20a2,20a4が配列されている。これら
の送出・停止用噴出孔のうち、19a1,19a3,はX
軸に平行で、制御中心側を向いて開口している。送出・
停止用噴出孔19a2,19a4はY軸に平行で、制御中
心側を向いて開口している。一方、送出・停止用噴出孔
20a1,20a3はX軸に平行で、制御中心と反対側の
方向を向いて開口しており、送出・停止用噴出孔20a
2,20a4はY軸に平行で、制御中心と反対側の方向を
向いて開口している。 送出・停止用噴出孔19a1,
20a3はガス供給系8jに、送出・停止用噴出孔19
a2,20a4はガス供給系8lにそれぞれ独立に接続さ
れている。また、送出・停止用噴出孔19a3, 20a
1はガス供給系8kに、送出・停止用噴出孔19a4,
20a2はガス供給系8mにそれぞれ独立に接続されて
いる。
から進行してきた場合、ガス供給系8jをオンにすれば
送出・停止用噴出孔19a1, 20a3からガスが噴出
し、薄板状基体の動きに対するブレーキとなり、薄板状
基体は停止する。なお、その際、他のガス供給系はオフ
にしておく。
る場合には、ガス供給系8kをオンにすれば、送出・停
止用噴出孔19a4, 20a2からガスが噴出し、薄板
状基体はY方向に送出される。なお、その際にも他のガ
ス供給系はオフにしておく。
1.0mm以下とすることが好ましく、0.8mm以下
とすることがより好ましい。1.0mm以下とした場
合、噴出孔1個あたりのガス量を安定して供給すること
ができ、また、当該ガス量の急激な増加を防止すること
ができる。
の、少なくともガスと接触する面は、加工変質層のな
い、Rmaxが1μm以下の鏡面仕上げ面とすることが好
ましい。かかる面とした場合その面からのガス放出(例
えば水分)を防止することができ、搬送用ガスへの不純
物の混入を防止することができ、搬送用ガスの不純物濃
度を数ppb以下に保つことが容易になる。
b以下の酸化性ガス中で加熱処理(好ましくは400℃
〜550℃)して形成された不動態膜の表面とした場合
には、その表面からのガス放出が極めて少なくなるのみ
ならず、耐摩耗性をも有しているので、搬送用ガスとの
接触によるパーティクルの発生を極めて少なくすること
ができる。なお、上記不動態膜の厚さは10nm以上が
好ましい。
循環系とした場合、循環ポンプあるいは真空排気ポンプ
内の摺動部がパーティクルの最大の発生源となるが、そ
の摺動面をステンレス鋼を不純物濃度が数ppb以下の
酸化性ガス中で加熱処理して形成されたRmaxが1μm
以下の鏡面仕上げ面の不動態膜の表面とすることにより
かかるパーティクルの発生を数ppb以下に抑制するこ
とができる。
明する。薄板状基体は、搬送中あるいは、それへの加工
後に帯電していることがある。帯電状態では、パーティ
クルの付着を招き易くなる。また、帯電したまま次の加
工行程に進むと所望の加工を行うことができない。例え
ば、薄板状基体にイオン注入を行おうとするとき、薄板
状基体が帯電していたのでは、所望の飛程距離でのイオ
ン注入を行うことができなくなる。
和を行うものである。図9にその構成を示す。搬送中に
帯電した薄板状基体の中和を行うために、本例では、イ
オン発生手段31が設けられている。イオン発生手段3
1は、例えば、紫外線照射ランプ32、金属メッシュ3
3(光電効果による電子放出部)、負イオン源ガス34
により構成すればよい。紫外線照射ランプ32から紫外
線を金属メッシュ33に照射すると、光電効果により電
子が発生する。この電子は負イオン源ガスと結合して負
イオンを発生させる。負イオンは負イオンガスの気流に
乗って移送ユニット内に導入され、帯電した薄板状基体
を中和する。なお、金属メッシュ33の金属としては、
紫外線を照射したときに光電効果により電子を放出し得
るものを、紫外線の波長との組み合わせによって適宜選
択すればよい。また、負イオン源ガスとしては、不純物
濃度が数ppb以下の例えば水素ガス、窒素ガス等を用
いればよい。なお、このように、帯電薄板状基体を負イ
オンにより中和を行うということは、搬送用ガスの流れ
を乱すことなく中和を行うことができることを意味す
る。すなわち、電子により中和を行おうとすると、電子
を薄板状基体に送るために大きなガス流量を必要とし、
搬送用ガスの流れを乱す恐れがある。けだし、電子は質
量が小さく、また、容易に内壁に流れ込んでしまうの
で、それに逆らう流れをつくらなければならず、かかる
流れをつくろうとすると必然的に大きな流量を必要とす
るからである。それに対し、負イオンの場合は、質量が
電子よりはるかに大きいため容易にガスの流れに乗り薄
板状基体に送られるので搬送用ガスの流れを乱すことは
ない。
ニットの上部に設けてあが、制御ユニットあるいは、制
御ユニットと移送ユニットの両方に設けてもよい。イオ
ン発生装置を設けたことによる搬送ガスの気流の乱れは
極めて小さいが、よりその影響を小さくする上からは移
送ユニットに設けることが好ましい。
合わせについて説明する。
は任意であり、例えば、図10(a),(b),(c)
に示すような組み合わせが可能である。
ット、メタルオーリング等により結合することが好まし
く、各部のリーク量は10-10[torr・l/s]以下とするこ
とが好ましい。
る。
空排気ホール11は、超高清浄な真空排気ポンプ13を
介してバッファタンク21に接続されている。また、移
送空間及び制御空間に設けられた排気手段もバッファタ
ンク21に接続されている。バッファタンク21に収積
されたガスは、バッファタンク21から超高清浄な循環
ポンプ22、フィルター23、ガス純化ユニット24を
通り高純度ガスとした後ガス供給系8a〜8mに供給さ
れる。ガス供給系8a〜8mベースガス供給管にガスを
供給するに際しては、上記経路を通った循環ガスに加
え、クリーンガスボンベ25から新たなガスを添加して
も良い。
物濃度10ppb以下)な不活性ガスを使用する。また、
噴出速度はいずれも200m/秒以下とする。200m
/秒以上とした場合は、ガスによるエロージョンが生
じ、パーティクルを発生させ、薄板状基体に対する加工
性を悪化せしめてしまう。
とともに、内部での不純物の発生を抑制しているため、
搬送用ガスの不純物濃度を絶えず数ppb以下に保つこ
とが可能となり、搬送行程中における薄板状基体の不純
物による汚染を防止することが可能となる。
の振動による影響を吸収するために、適宜の振動吸収装
置上に本装置を載置することが好ましい。 (操作手順例)以上述べた薄板状基体搬送装置は例え
ば、次のように操作すれば薄板状基体の移送を行うこと
ができる。
トに進入してきた薄板状基体をY方向に送出する場合を
例にとり説明する。
オンにする。また、ガス供給系8bをオンにする。な
お、ガス供給系8bは以降の手順中常時オンにしてお
く。
出孔19a1,20a3からガスが噴出し、そのガスのた
め薄板状基体は減速する。その際薄板状基体の速度を探
知し、その速度に応じたガス圧あるいはガス量でガスを
噴出させればおおよそ薄板状基体の中心を制御中心11
に一致させて薄板状基体を停止させることができる。ま
た、ガス供給系8j,8k,8l,8mのオン・オフを
あるいはガス噴出量の段階的調整を適宜繰り返すことに
よりほぼ薄板状基体の中心を制御中心11に一致させて
薄板状基体を停止させることができる。なお、その際の
ガスの噴出量は、薄板状基体の減速時にガス供給系8j
から噴出させたものよりも小さくすればよい。
供給系8j〜8mはオフにする。ガス供給系8cをオン
にすると半径方向制御用噴出孔16からガスが噴出し、
薄板状基体の中心は制御中心とほぼ完全に一致する。
給系8hないし8iからのガス量を調整することによ
り、薄板状基体の結晶方位等を勘案した回転方向の位置
の修正を行う。
清浄ポンプ13を駆動し吸引ホール11から真空吸引を
行う。吸引ホール11からの吸引のため薄板状基体は、
所定の位置で停止する。なお、この際ガス供給系8bは
オンの状態を維持しており、浮上用ガス噴出孔17から
ガスが制御中心に向かい絶えず噴出しているため薄板状
基体は浮上状態が保たれている。
た、再度ガス供給系8hないし8iのオン・オフを繰り
返すことにより薄板状基体の位置制御を行う。この時点
で、薄板状基体は、±0.2mm以下の精度を持って位
置制御される。
高清浄ポンプ13の駆動を停止する。ガス供給系8kを
オンにし、停止・送出用ガス噴出孔19a4,20a2か
らガスを噴出させ薄板状基体をY方向に送出する。一
方、その際、Y方向に存在する移送ユニットのガス供給
系8aもオンにし、薄板状基体を等速運動により移送ユ
ニットの移送空間を通過させ、次の制御ユニットに薄板
状基体を搬送する。
体の位置(方位を含め)の検出が必要であるが、適宜の
検出手段を設けておけばよい。
に示すようなポケット50を設けた場合について述べ
る。このようなポケット50を設けた場合には、図12
から図14に示すように、ウエハを搬送するためのガス
量を少なくすることができる。なお、図15〜図17
は、ポケットを設けない場合である。図12〜図17に
示すデーターは、図26(a)に示す装置により測定し
た。
図26(b)に示す装置により行った。その結果を図1
8〜図20に示す。
ッチ)を設けることが好ましい。
係を調べた。その結果を図22〜図24に示す。
るウエハを次ぎのユニットに送り出すし際おけるトータ
ルガス量、ガスのオン・オフのパルスについて調べた。
これは、図27に示すVXを測定することにより行っ
た。その結果を、図24及び図25に示す。
たまま±0.2mmの精度を持って薄板状基体の静止状
態を保つことが可能となり、かつ、搬送中における薄板
状基体への汚染を防止することができる。
る。
示す一部破枠斜視図である。
御ユニットの下面を示す斜視図である。(b)は、
(a)に示す溝部の拡大図である。
の浮上用噴射孔の配置を示す斜視図である。
の半径方向制御用噴射孔の配置を示す斜視図である。
の半径方向制御用噴射孔の配置を示す斜視図である。
の回転方向制御用噴射孔の配置を示す斜視図である。
御ユニットの停止・送出用噴射孔の配置を示す斜視図で
ある。(b)は(a)の1−1断面図である。(c)
は、(a)の3−3断面図である。
る。
例を示す概念図である。
におけるガス流量とウエハにかかる力との関係を示すた
めの図である。
におけるガス流量とウエハにかかる力との関係を示すた
めの図である。
におけるガス流量とウエハにかかる力との関係を示すた
めの図である。
におけるガス流量とウエハにかかる力との関係を示すた
めの図である。
合におけるガス流量とウエハにかかる力との関係を示す
ための図である。
合におけるガス流量とウエハにかかる力との関係を示す
ための図である。
合におけるガス流量とウエハにかかる力との関係を示す
ための図である。
におけるガス流量とウエハにかかる力(剪断力)との関
係を示すための図である。
におけるガス流量とウエハにかかる力(剪断力)との関
係を示すための図である。
におけるガス流量とウエハにかかる力(剪断力)との関
係を示すための図である。
におけるガス流量とウエハにかかる力との関係を示すた
めの図である。
すグラフである。
すグラフである。
ス量とウエハ速度(VX)との関係を示すグラフであ
る。
・オフパルスとウエハ速度(VX)との関係を示すグラ
フである。
るための装置概念図である。
ガス量乃至ガスのオン・オフパルストトとウエハ速度と
の関係を求めるための装置概念図である。
c’,17d,17d’微調整用噴射孔、 18a1,18b1,18a2,18b2,18a3,18
b3,18a4,18b4回転制御用噴出孔、 19a1,19a3,19a2,19a4,20a1,20
a3,20a2,20a4送出・停止用噴出孔、 21 バッファタンク、 22 超高清浄な循環ポンプ、 23 フィルター、 24 ガス純化ユニット、 25 クリーンガスボンベ、 31 イオン発生手段、 32 金属メッシュ、 33 負イオン源ガス、 42 溝、 50 ポケット。
Claims (14)
- 【請求項1】 薄板状基体を直線的に進行させるための
移送空間を有する移送ユニットと、薄板状基体の動きを
制御するための制御空間を有する制御ユニットとを密閉
状態で複数組み合わせてなり; 当該移送空間の下面に形成され、ガス供給系に接続され
ている、薄板状基体を浮上させるための複数の浮上用噴
出孔と、 当該移送空間の適宜の位置に設けられた、当該移送空間
内のガスを排気するための排気手段と、 当該制御空間の適宜の位置に設けられた、当該制御空間
内のガスを排気するための排気手段と、 当該制御空間の下面のほぼ中央部(以下この中央部を
「制御中心」という)に形成され、真空排気系に連通す
る吸引ホールと、 当該制御空間の下面の表面に形成された、当該吸引ホー
ルから延びる溝と、 当該制御空間の下面に形成された、薄板状基体の半径方
向の位置を制御するための複数の半径方向制御用噴出孔
と、 当該制御空間の下面に形成された、薄板状基体の円周方
向の位置を制御するための複数の円周方向制御用噴出孔
群と、 当該制御空間の下面に形成された、薄板状基体を浮上さ
せるための複数の浮上用噴出孔と、 当該制御空間の下面に形成された、薄板状基体を停止な
いし次のユニットへ送出させるための複数の停止・送出
用噴出孔と、 を少なくとも有し、 前記溝は、薄板状基体の中心が制御中心上にきたときに
おける薄板状基体の周縁の内部で閉じていることを特徴
とする薄板状基体搬送装置。 - 【請求項2】 前記移送空間の下面に形成された複数の
浮上用噴出孔は、薄板状基体の進行方向にほぼ直角で、
かつ、上方を向いて開口していることを特徴とする請求
項1記載の薄板状基体搬送装置。 - 【請求項3】 前記複数の半径方向制御用噴出孔は、薄
板状基体の中心が制御中心上にきたときにおける薄板状
基体の周縁上に形成されていることを特徴とする請求項
1記載の薄板状基体搬送装置。 - 【請求項4】 前記複数の半径方向制御用噴出孔は、薄
板状基体の中心が制御中心上にきたときにおける薄板状
基体の周縁と、薄板状基体の周縁よりわずかに外側に形
成されていることを特徴とする請求項3記載の薄板状基
体搬送装置。 - 【請求項5】 薄板状基体の周縁上に形成されている複
数の半径方向制御用噴出孔と、薄板状基体の周縁よりわ
ずかに外側に形成されている半径方向制御用噴出孔と
は、別個のガス供給系に接続されていることを特徴とす
る請求項4記載の薄板状基体搬送装置。 - 【請求項6】 円周方向制御用噴出孔群は、薄板状基体
の中心が制御中心上にきたときにおける薄板状基体の周
縁内に形成され、円周方向時計回り上方を向いて開口し
ている複数の噴出孔と、円周方向反時計回り上方を向い
て開口している複数の孔とからなり、時計回りに開口し
ている円周方向制御用噴出孔と、反時計回りに開口して
いる円周方向制御用噴出孔とは、別個のガス供給系に接
続されていることを特徴とする請求項1記載の薄板状基
体搬送装置。 - 【請求項7】 当該移送ユニット、制御ユニット及びガ
ス供給系の少なくともガスと接触する面は、加工変質層
のない、Rmaxが1μm以下の鏡面仕上げ面であるこ
とを特徴とする請求項1記載の薄板状基体搬送装置。 - 【請求項8】 当該鏡面仕上げ面は、ステンレス鋼を不
純物濃度が数ppb以下の酸化性ガス中で加熱処理して
形成された不動態膜の表面であることを特徴とする請求
項7記載の薄板状基体搬送装置。 - 【請求項9】 前記移送空間および/または制御空間に
は、光電効果により放出された電子によりイオンを発生
させるイオン発生手段が設けられていることを特徴とす
る請求項1記載の薄板状基体搬送装置。 - 【請求項10】 吸引ホールは、真空排気ポンプ、循環
ポンプ、フィルター及びガス純化装置を介してガス供給
系に接続され、移送ユニット及び制御ユニットの排気手
段は、循環ポンプ、フィルター及びガス純化装置を介し
てガス供給系に接続され、ガスの経路は待機からは閉じ
た系としたことを特徴とする請求項1記載の薄板状基体
搬送装置。 - 【請求項11】 真空排気ポンプ及び循環ポンプの搬送
ガスと接する部分は、不純物濃度が数ppb以下の酸化
性ガス中で加熱処理して形成されたRmaxが1μm以
下の鏡面仕上げ面を有する不動態膜が表面に形成された
ステンレス鋼よりなることを特徴とする請求項10記載
の薄板状基体搬送装置。 - 【請求項12】 各噴出孔の内径は、1.0mm以下で
あることを特徴とする請求項1記載の薄板状基体搬送装
置。 - 【請求項13】 前記噴出孔の周囲にポケット部を設け
たことを特徴とする請求項1乃至請求項12のいずれか
1項に記載の薄板状基体搬送装置。 - 【請求項14】 前記噴出孔に、基体進行方向に向かう
切欠を設けたことを特徴とする請求項1または13記載
の薄板状基体搬送装置。
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第14回超LSIウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム(平成3年10月28−30日)寄稿集2第23−35頁 |
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