TW317002B - - Google Patents

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317002 A7 B7 五、發明説明（1 ) 發明背景 發明領域 本發明係關於由液晶顯示裝置典型化之視頻影像或圖 樣影像之顯示裝置，和其製造方法。 相關背景技藝 圈1 1 A至1 1 E爲使用在當成習知顯示裝置之活性 矩陣型液晶顯示裝置中之活性矩陣棊底之製造方法。參考 圓式說明此種製造方法。首先，一 η型矽半導體基底1部 份的熱氧化以形成LOCOS (矽之局部氧化）氧化膜2 。LOCOS氧化膜2使用當成一掩模以離子植入雜質’ 藉以形成PWL 3。基底1再度熱氧化以形成閘氣化膜4 (圖 1 1 A ) » 在由摻雜以雜質之η型多晶矽所構成之閘電極5形成 後，在基底1之整個表面離子植入雜質以形成NLD6 ’ 其爲η型雜質區域。而後使用一定圖樣光阻物當成光罩而 離子植入雜質以形成源和汲區域7和7’ （圖11Β)。 經濟部中央揉準局負工消费合作社印製 ----------Γ --U — 广褚先閲请背面年淡意事項鼻填寫本頁) -Γ 一 P SG (磷矽玻璃；磷酸鹽玻璃）層8，其爲一中 介層膜，形成在基底1之全部表面上β在接觸孔在P SG 層8之部份上定圖樣後，這些接觸孔位在源和汲區域7和 7·之正上方，和一ΑΡ膜以濺鍍而形成在PSG層8’ 則Aj膜可定圖樣以形成ΑΡ電極9 (圇11C)。 PSG層11，其爲一中介層膜，乃形成在基底1之 全部表面上，厚度約1 〇，〇 〇 0A ’並定圖樣通孔（圖 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 一 4 - A7 B7 五、發明説明（2 ) 1 1 D )。 例如Ai，T i ，Ta或W之金靥材料或其化合物之 膜利用濺鍍而形成約5 Ο Ο 0A厚在基底1之p SG層 1 1之表面上，藉以由定圓樣而形成圖素電極1 2 (圖 1 1 E )。 除了使用此種矽基底之活性矩陣基底外，使用絕緣基 底之活性矩陣基底如圖12所示。 圖12爲美國專利第4，024，626號案所揭示 之液晶顯示裝置之活性矩陣基底之橫截面圖。圖中，參考 數字 120，131，132，133，135 和 136 分別表示一絕緣基底，一閘電極，一電位固定電極，一圖 素電容電極，一中介層膜，和一圚素電極。 在圖1 1 A至1 1 E所示之顯示裝置中，圖素電極 1 3之表面由底層之位準差異所影響，且因此變成不平坦 ，如圖1 1E所示。此外，由圖1 1E可知，基底需要切 出一具有和介於個別圖索電極間之圚素電極13之膜厚度 相同的深度之槽，以使它們互相絕緣。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印装 ------^--「-f .衣--^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) —f 當光撞擊在圓素電極1 3上時，由於表面之不規則， 入射光散射在表面上，因此光的反射效率變的相當差。此 外，表面的不規則性形成在液晶之封裝方法之定向膜磨擦 步驟中，定向失敗之原因。結果，會引起液晶之定向失敗 ，且由於對比之降低，會破壤顯示影像之品質。 此外，由於相關於介於個別圚素電極間之槽之部份並 未磨擦，會形成在液晶之定向中之失敗原因，且同時，側 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） -5 - 317002 A7 B7 五、發明説明（3 ) 向電場由介於伴隨表面不規則性之圖素電極間產生，其中 電場形成亮線之原因》顯示影像之對比由於亮線之發生而 顯著的破壞，如此會導致影像品質之降低。 即使在圖1 2所示之活性矩陣基底中，圖素電極 1 3 6可互相絕緣。因此，必需以和圖1 1 E所示相同的 方式切出凹槽，因此，會導致和上述相同缺點之基底。 發明概要 本發明之目的乃在提供一種顯示裝置，其可解決上述 之問題，和一種顯示裝置之製造方法》 本發明之另一目的乃在提供一種顯示裝置，其中在圖 素電極之表面上之不規則性已製成平滑，以避免由於不規 則性而引起之不規則反射，和在液晶顯示裝置之例中’由 不規則性而引起之定向失敗，且因此可形成具有髙影像品 質之顯示，和一種顯示裝置之製造方法· 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印製 (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明之另一目的乃在提供一種反射型顯示裝置，其 中圖素電極之表面是平坦的，且在圔素電極間實質不存在 位準差異，藉以增強光之反射效率，和一種顯示裝置之製 造方法。 依照本發明而可達成上述目的之顯示裝置之顯示裝置 之製造方法具有下述之構造。 本發明包括兩個観點之顯示裝置。 依照本發明之顯示裝置之第一觀點，於此提供一種顯 示裝置，包含一基底和多數的導電構件提供在該基底上， 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS〉A4規格（210X297公釐） -6 - 317002 A7 B7 五、發明説明（4 ) 每個導電構件具有實質平坦的表面並包含圖素，其中具有 實質平坦表面之絕緣構件提供在它們相關導電構件之端上 ，以使絕緣構件之實質平坦表面和導電構件之實質平坦表 面同範園》 依照本發明之顯示裝置之第二觀點，於此提供一種顯 示裝置，包含一活性矩陣基底，其中一開關電晶體用於每 一圖索電極，相對於活性矩陣基底之一電極基底，和保持 在基底間之一液晶，其中圖素電極之所有表面互相在相同 位準上，且每一圖素電極之一側壁之至少一部份和一絕緣 器接觸。 本發明亦包括兩觀點之顯示裝置之製造方法。 依照本致明之顯示裝置之製造方法之第一觀點，於此 提供一種顯示裝置之製造方法，包含一基底和多數導電構 件提供在該基底上，該導電構件具有實質平坦表面且包含 圓素，其中該導電構件藉由化學機械拋光而使其平滑^ 依照本發明之顯示裝置之製造方法之第二觀點，於此 提供一種顯示裝置之製造方法，該顯示裝置包含一活性矩 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印裝 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 陣基底，其中一開關電晶體提供於每一圖素電極，相對於 活性矩陣基底之一電極基底，和保持在基底間之液晶，其 中圖素電極之形成方法包括以化學機械拋光之一拋光$驟 〇 依照具有上述構造之本發明，可達成上述之目的。 依照本發明，圖素電極藉由良好使用化學機械抛光（ 以下簡稱CMP )之表面拋光而形成。因此，圖素電極之 本紙張尺度逍用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（5 ) 表面平滑的形成如同一鏡面，且同時，互相在相同的位準 上。再者，形成絕緣層，而後形成圖索電極之層在絕緣層 上，或一絕緣層形成在圖素電極之層上，其中孔已切出以 執行抛光步驟，藉此，介於圖素電極間之空間較佳的充填 以絕緣層以使不規則性完全平滑。因此，可避免由不規則 性所引起之定向失敗和不規則反射，以提供具有髙影像品 質之顯示影像。 圈式簡單說明 圖1 A至1 E爲使用在依照本發明之一實施例之顯示 裝置中之活性矩陣基底之製造方法。 圖2 A至2 C爲使用在依照本發明之實施例之顯示裝 置中之活性矩陣基底之製造方法。 圖3 A至3 D爲使用在依照本發明之另一實施例之顯 示裝置中之活性矩陣基底之製造方法。 圖4 A至4 C爲使用在依照本發明之另一實施例之顯 示裝置中之活性矩陣基底之製造方法。 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印裴 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖5爲使用在本發明之另一實施例之顯示裝置中之活 性矩陣基底之圖。 圖6 A至6 E爲使用在依照本發明之另一實施例之顯 示裝置中之活性矩陣基底之製造方法。 圖7 A和7 B爲使用在依照本發明之另一實施例之顯 示裝置中之活性矩陣基底之製造方法。 圖8 A至8 D爲使用在依照本發明之另一责施例之顯 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210ΧΪ97公釐） -8 - 317002 B7 A7 經濟部中央標準局男工消費合作社印製 五、發明説明（6 ) 示裝置中之活性矩陣基底之製造方法。 圖9 A至9 D爲使用在依照本發明之另一實施例之顯 示裝置中之活性矩陣基底之製造方法。 圚1 Ο A至1 0 C爲使用在依照本發明之另一實施例 之顯示裝置中之活性矩陣基底之製造方法。 圖1 1 A至1 1 E爲使用在習知顯示裝置中之活性矩 陣基底之製造方法。 圖1 2爲使用在另一習知顯示裝置中之活性矩陣基底 之製造方法。 較佳實施例之說明 依照本發明之顯示裝置和其製造方法具有上述之構造 〇 本發明之最大特點在於由圖素電極構成之導電構造之 表面以CMP拋光。藉由此種抛光，圖素電極之表面變成 平滑如同一鏡面，且所有的圓素電極之表面可形成相同的 位準。 CMP爲一種拋光方法，其中拋光之執行乃是以包含 在磨蝕劑中之化學成份藉由良好使用一化學蝕刻動作和總 涵在磨蝕劑中之機械磨擦操作而進行。關於CMP之一例 ，如，藉由包含在磨蝕劑中之化學成份與欲拋光和機械磨 擦之樣本表面之化學反應而形成反應產品，並以磨蝕劑和 一拋光布移去反應產品。CMP之方法如下所述。在欲抛 光之檫本安裝至一可榑動磨擦頭後，欲拋光之樣本表面壓 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) ’νβ T- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210X297公釐〉 -9 - A7 A7 經濟部中央梯準局貝工消费合作社印装 B7 五、發明説明（7 ) 抵一轉動台，藉以進行拋光。一墊（拋光布）叠在轉動台 之表面上，並拋光以使一磨蝕劑附著至墊。 市面上有許多可使用於CMP之裝置。在本發明中， 可適當的使用此種裝置。用於CMP之裝置之例包括 AVANTI472 (商檩名稱，由 IPEC/ PLANER公司所製造），CMP — E (商標名稱，由 Speed Fam 公司所製造），EP0-113 和 EPO — 1 1 4 (商檫名稱，由Ebara公司所製造）， Μ I RRA (商標名稱，由APPLIED MATERIALS公司所 製造），和6PS-SP (商標名稱，由 STRASBAUGH公 司所製造）。 關於磨蝕劑方面，可使用MSW — 1 000， XJ FW-8048H，XJ FW-8097B，和 XJFW— 8099 (商標名稱，Rodel 公司產）；8£111-SPERSE W - A 3 5 5 和 SEMI-SPERSE F E - 1 〇 (商標 名稱，Cobot 公司產品）；PLANERLITE- 5 1 0 1 ， PLANERLITE-RD-9 0 0 3 4 ’ PLANERLITE 5 1 0 2 ’ PLANERLITE- RD-9 3 0 3 5 * PLANERLITE- 5103* 和 PLANERLITE— RD- 9 3 0 3 6 (商標名稱，FUJIMI INCORPORATED 公司產品）；KLEB0S0L 2 0 Η 1 2 5 ’ KLEB0S0L- 3 0 Η 2 5 > KLEBOSOL-30H50 KLEB0S0L 3 0 N 1 2，KLEB0S0L- 3 0 N 2 5 和KLEB0S0L-30N50 (商標名稱，STI公司之產品）等。 關於抛光布，可使用IC—1000，1C 一 本紙張尺度逍用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) 衣. ΪΤ- _ 10 - 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（8 ) 1400，，IC-60，IC-53，IC-50， 1C—45， 1C—40， Suba 4 0 0 ， Suba 4 0 0 Η ，Suba 5 0 0 ， Suba 6 0 0 ， Suba 8 0 0 ， Μ H S 1 5 A > Μ H S 2 4 A > Μ H C 14A，MHC 1 4 B - Μ H C 1 5 A > Μ H C 26A，MHN 1 5 A > Μ Η N 2 4 A > Supreme R N — H * Supreme R N — R > Whitex W — H > Whitex W — S > UR — 100，XHGM-1158 和 XHGM— 1167 (商 標名稱，Rodel 公司產品）；Surfin XXX — 5 ，Surf-ii n 1 0 0 ， S u r f i n 2 6 0 S ， S u r f i n 0 0 0 ’ S u r f i n 194' Surfin 191' Surfin 1 9 2 5 Surfin 2 — X，S u r f i n 0 1 8 — 3，S u r f i n 0 1 8 — 0，S u r f i n 0 1 8 > Surfin 2 0 0 1 Surfin 0 2 6 * Surfin 0 2 4，Poli tex, Po1i tex DG, Poli tex Suprem 和 Unicorfam (商標名稱，FUJIMI INCORPORATED 公司產品 );SBL135，SBD1014，6EP09， RP301095，GQ8785，GQ9810， GQ9806，GQ9813，GQ1070， GQ1110，和 GQ1 300 (商標名稱，Teijin 公 司產品）：1000 ，1000R，1200， 1200R，1300，1400，20 0 0，2010 ，2020，4100，4300，4400，4500 ，4600，4800，4900，5100 和 5400 .. ΊΑ-衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本貰) 1T-

A 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11 - A7 B7 五、發明説明（9 ) (商標名稱，NAPCON公司產品）等》 本發明可使用至一顯示裝置，其中除了液晶顯示裝置 外，藉由施加電壓以改變鏡之角度而顯示影像。 以下藉由實施例特別說明本發明。但是，本發明並不 限於道些實施例。 例 經濟部中央揉準局負工消費合作社印装 於依照本發明之顯示裝 顯示裝置。圖2C爲 P S G (磷矽玻璃 當成絕緣構件， 導電構件13和絕緣構 參考圖1 A至1 E和圈 造方法。爲了方面說明 2 C典型的顯示具有圖 是，例如可用以驅動圖 之週邊囅動電路亦可和 同基底上· 先，具有雜質濃度爲1 體基底1部份的熱氧化 )氧北膜2。L 0 C 0 入硼在約1 012cm-2 爲具有約1 0 le_c m_ 1再度熱氧化以形成具

置，以下說 液晶顯示裝 )構件1 1 該導電構件 件1 1之表 2 A 至 2 C 起見，圖1 素部份之顯 素部份之開 圖素部份之 明一反 置之典 提供在 1 3由 面以C 說明液 A至1 裝置 關電晶 形成步 射型活性 型圖》參 導電構件 圖素電極 Μ Ρ拋光 晶顯示裝 Ε和圖 之中央部 體之移位 驟同時形 0 15c m-3或更低之η型 以形成LOCOS (矽之局 S氧化膜2使用當成光罩以 之劑量，藉以形成PWL 3雜質濃度之P型雜質區域 有1 0 0 0A或更小厚度之 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS )八4規格（210X2.97公釐） ------1--Ί-Γ -衣！ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ΤΓ-------f -12 - % 317002 A1 經濟部中央梯準局員工消費合作社印策 五、 發明説明 (10 ) 1 氧 化 膜 之 閘 氧 化 膜 4 ( 圖 1 A ) 0 ]1 1 在 形 成 以 摻 雜 澳 度 約 1 0 2 Ο C m -3 之磷之η型多晶 I 矽 44k 稱 成 之 閘 電 極 5 之 後 磷 以 1 0 1 2 C m _2 之劑童離子 1 I 植 入 在 基 底 之 全 部 表 面 上 以 形 成 Ν L D 6 ，其 爲 具有約 請 先 閲 1 1 I 1 0 1 Θ ( :m _ 3 雜 質 浪 度 之 η 型 雜 質 區 域。 隨後 以 約 讀 背 1 1 1 1 0 15 C m -2 之劑量離子植入磷 使用圖樣光阻物當成 之 注 韋 * 1 Ί 掩 模 以 形 成 具 有 約 1 0 1 〇 C m -3 雜質濃度之源和汲區 $ 項 再 1 T I 域 7 和 7 • ( 圖 1 B ) 0 填 寫 本 一 Ρ S G 層 8 其 爲 中 間 層 膜 形 成在 基底 1 之全部 頁 1 1 表 面 上 0 P S G 層 8 可 利 用 Ν S G ( 未 摻雜 矽酸 鹽 玻璃） 1 I / B P S G ( 硼 磷 矽 酸 鹽 玻 璃 ) 或 Τ E 0 S (四 乙 氧基矽 I 1 I ) 層 取 代 0 在 接 觸 孔 定 圓 樣 在 P S G 層 8之 部份 上 後，（ 訂 I 該 接 觸 孔 剛 好 位 在 源 和 汲 面 域 7 和 7 • 上方 )， 且 以濺鍍 1 1 I 在 P S G 層 8 上 形 成 A 膜 .， 則 A β 膜 可定 QD 禅 圖懷 以 形成 1 1 I A 9. 電 極 9 ( 圖 1 C ) 〇 爲 了 改 善 A 電極 9和 源 和汲區 1 域 7 和 7 • 之 歐 姆 接 觸 特 性 所 需 的 是 使例 如T i / • 1 T i Ν 之 屏 蔽 金 屬 形 成 在 介 於 A 又 電 極 9和 源和 汲 區域7 1 1 和 7 間 〇 r 1 1 3 0 0 0 A 厚 之 電 漿 S i N 膜 1 0 形成 在基 底 1之全 I I i 部 表 面 上 而 後 在 其 上 形 成 約 1 0 0 0 0 A厚 之 P S G 1 層 1 1 ( 圖 1 D ) 0 1 1 I Ρ S G 層 1 1 使 用 電 漿 S i N 膜 1 0當 成用 於 乾蝕劑 1 1 I 之 阻 上 層 而 定 圖 樣 以 及 留 下 圖 素 互 相 分離 之區 域 。而後 1 1 » 以 乾 蝕 刻 和 汲 區 域 7 - 接 觸 之 A 5 電 極9 之正 上 方而定 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -13 - Α7 Β7 ------_·---j— .^ .衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) J17002 五、發明説明（11 ) 束）沈積而形成10000Α或 在基底1上（圖2Α)。關於圖 使用例如入5，丁1，丁3’或 之化合物膜。 表面以CMP拋光（圖2Β)。 和園素電極之膜厚度分別爲 磨損之深度不小於X A，但小於 之進行乃使用由Ebara公司製 標名稱）當成用於CMP之裝置 圖樣通孔1 2 (圖1 E ) 以濺鍍或EB (電子 更厚之圖索電極13之膜 素電極1 3之膜方面，可 W之金屬膜，或這些金靥 圖素電極13之膜之 假設PSG層11之厚度 10000A 和 XA，則 X + 1 0 0 0 0 A。 更特別而言，C Μ P 造之ΕΡΟ— 114 (商 和由FUJΙΜΙ公司製造之 1 0 2 (商標名稱）當成磨蝕劑 1T- ，由 Rodel 公司製造之 SUPREME R N — H ( D 5 1 ) 商標名稱）當成拋光布， PLANERLITE5 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 1 ’駿 定向膜15進一步形成在由上述方法所形成之活性矩 陣基底之表面上。而後，膜之表面受到例如磨擦處理之定 向處理，在已處理之矩陣基底和相對基底經由一間隔器（ 未顯示）黏在一起後，液晶1 在介於基底間之空間 中，以提供一液晶顯示裝置（圖。在此實施例中， 相對基底乃藉由安排濾色器2 1 矩陣2 2，由 ITO等形成之一共同電極23和一定向膜15’在一透 明基底20上而構成。 以下說明依照此實施例之反射型液晶顯示裝置之驅動 本紙張尺度逍用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -14 - 9. 經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（12 ) 方法》 一訊號電位以一形成在基底1上之晶片基礎之如移位 暫存器之週邊電路施加至一源區域7，且同時，一閘電位 施加至一閘電極5以形成開關電晶體之圖素ON狀態，藉 以供應一訊號電荷至汲區域7’ 。訊號電荷儲存在P-η 接面之空乏餍電容中，以經由一 A 5電極9提供圖素電極 1 3 —電位。當圓索電極1 3之電位達到所需電位時，切 除施加至閘電極5之電位以使形成開關電晶體之圖素 OFF狀態》由於訊號電荷儲存在p_n接面電容中，圖 素電極1 3之電位固定直到開關電晶體之下一個圖素受到 驅動。如圖2 C所示包含在介於基底1和相對基底2 0之 空間中之液晶1 4以圖素電極1 3之固定電位驅動》 在依照此實施例之活性矩陣基底中，如圖2 C所示， 圖素電極1 3之表面是平滑的，且絕緣層充填在互相相鄰 之圖素電極之空間中》因此，形成在其上之定向膜1 5之 表面亦變成平滑和均勻。因此，可避免由於入射光之散射 而引起光之使用效率之降低，由於在磨擦失敗而引起對比 之降低，和由於在圖索電極之間之位準差異所產生之側向 電場而引起之亮線，（其會因爲之前之不規則性而引起） ，藉此可改善所顯示影像之品質。 例2 以下說明具有和例1不同之活性矩陣基底之液晶顯示 裝置。參考圖3 A至3 D說明活性矩陣基底之製造方法。 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -<衣， 1T- -15 - - 317002 at B7 ' 五、發明説明（13 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -* T- 首先，以和例1相同的方式在η型半導體基底1上形 成LOCOS氧化膜2，PWL3和閘氣化膜4 (圖3Α )β 使用圖樣光阻物當成光罩以藉由離子植入植入約 1 015cm-2劑量之磷，藉以形成具有約1 〇10cm_3 雜質濃度之源和汲區域7和7 ’和η型雜質區域3 1，其 皆形成圖素電容。而後，形成由η型多晶矽構成之閘電極 5和圖素電容電極30，其皆形成圖素電容（圖3Β)。 在P SG層8形成在基底1上後，在P SG層8之源 和汲區域7和7’和圖素電容電極30上之部份鑽孔出接 觸孔，且Αί膜以濶鍍形成在P SG層上，則Α5膜可定 圖樣以形成AJ2電極9。每個連接至汲極7’之Αί電極 9電連接圖素電容電極3 0至汲極7 ’（圖3 C )。 而後爲和例1相同的處理以形成一活性矩陣基底（圖 3D)。每個圖素電極13電連接至汲極7’ 。 經濟部中央梂準局員工消費合作社印製 在此實施例中，每個圖素電容由閘氧化膜4 ’圖素電 容電極3 0和具有約1 0lecm_3雜質濃度之η型雜質 區域3 1所構成。由於閘氧化膜4使圖素電容電極3 0和 η型雜質區域3 1絕緣，因此會形成具有小漏電流之電容 。如上所述，在圖素電容中之漏電流變成極小’因此’可 避免圖素電極1 3之電位上的變化，藉此可實現具有髙對 比和髙影像品質之反射型液晶顯示裝置。此外’由於Η素 電容電極3 0會降低在圖素中之位準差異’則&CMP整 平更爲容易。 本纸張A度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -16 _ A7 B7 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印裝 五、 發明説明 (14 ) 1 1 · 例 3 1 1 以 下 以 圓 4 A 至 4 C 說 明 在 此 實 施 例 中 之 反 射 型 液 晶 1 顯 示 裝 置 之 活 性 矩 陣 基 底 之 製 造 方 法 和 例 1 和 例 2 之 不 同 請 1 處 0 先 閏 1 I 8 1 | 閘 極 5 一 Ρ S G 層 8 A 電 極 9 以 和 例 1 相 同 背 1 1 之 t 1 的 方 式 形 成 在 基 底 1 上 ( ran 圖 3 A ) 且 電 漿 S i N 膜 1 0 注 意 1 1 事 1 形 成 在 其 上 0 而 後 以 濺 駿 形 成 1 0 0 0 0 A 或 更 厚 之 圖 項 再 素 電 極 1 3 0 哄 寫 本 -4- 頁 1 而 後 在 基 底 1 之 整 個 表 面 上 形 成 不 小 於 圚 素 電 極 s_^ 1 I 1 3 之 厚 度 之 P S G 層 1 1 ( 圚 4 Β ) 〇 1 1 基 底 1 之 表 面 以 和 例 1 相 同 的 方 式 以 C Μ P 拋光 藉 1 · 1 以 使 表 面 平 滑 e 假 設 圖 素 電 極 之膜 厚 度 和 P S G 層 1 1 之 訂- 1 厚 度 分 別 爲 X A 和 Υ A 則 以 C Μ Ρ 之 磨 擦 深 度 不 小 於 1 | Y A 但 小 於 X + Υ A 〇 在 其 上 進 一 步 形 成 一 定 向 膜 1 5 1 I ( hart 圖 4 C ) 〇 1 在 此 資 施 例 中 在 圖 素 電 極 1 3 之 定 圖 樣 和 形 成 後 t c 1 介 於 電 極 間 之 空 間 充填 以 P S G 1 1 0 而 後 以 C Μ Ρ 曝 1 1 磨 圖 素 電 極 1 3 以 使 其 表 面 平 滑 和 鏡 面 精 加 工 且 同 時 9 ，1 1 它 們 電 絕 緣 和 互 相 分 雜 呢 〇 由 於 以 C Μ Ρ 之 圖 素 電 極 1 3 和 I « P S G 1 1 之 磨 蝕 率 互 相 不 同 C Μ Ρ 之 端 點 可 輕 易 的 偵 I : 測 藉 此 可 使 C Μ Ρ 處 理 穩 定 且 產 置 可 增 加 〇 1 1 例 4 1 1 1 依 照 此 實 施 例 之 活 性 矩 陣 基 底 之 m 截 面 部 份 如 圖 5 所 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） -17 - 經濟部中央樣準局貞工消費合作社印裝 * A7 __B7_^_ 五、發明説明（15 ) 示。依照此實施例，保護膜4 0提供在活性矩陣基底上’ 依照例1。匹配定向膜15之保護膜40之選擇提供了定 向膜1 5之定向之最佳化，因此，可改善液晶之定向特性 ，且可實現具有高影樣品質之顯示。此外，由於保護膜 4 0保護圖素電極1 3，如此可使圖素電極13免於刮傷 。無庸赘言的，依照此實施例之保護膜4 0可應用至例1 ，2 和 3 〇 a 例5 以下參考圖6A至6E，和圖7A和7B說明使用在 此實施例之透射型液晶顯示裝置中之活性矩陣基底之製造 方法。 真有約2 0 0 0A高之島型半導體區域5 1形成多晶 矽或非晶矽在例如石英基底之透明基底5 0上（圖6A) 〇 在厚度爲1 0 0 0A或更小之多晶矽或非晶矽膜形成 在透明基底5 0之表面，且以約1 012cm_2之劑量離 子植入BF2後，膜定圖樣以形成TFT (薄膜電晶體） 5 2 (圚 6 B )。 以熱氧化形成3 0 0A或更厚之閘氧化膜4，以形成 由多晶矽所構成之閘電極5、以離子植入形成NLD區域 6，源和汲區域7和7’（圖6C)。 在當成中間曆膜之P S G層8形成後，切割接觸孔， 和A5膜形成在P SG層8中，並定圖樣以形成A5電極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） nn- nn n^i nn ^^^1 n^— i^i— £ *^$ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1T- -18 - A7 B7 五、發明説明（16 ) 9 (圖 6 D )。 當成中間層膜之P SG層5 3，和用於TF T之光屏 蔽層54,以所述順序形成（圖6E)。關於光屏蔽層 54，可使用厚約2000A之Ti ，Ta，W之膜，其 在後績之熱處理中不會發生火花，且具有良好的光屏蔽特 性。即使在圇7 F中光屏蔽餍5 4定圚樣，並藉由連接至 一週邊電路而固定在一確定電位，光屏蔽層5 4亦可電連 接，藉以形成具有圖素電極1 3之圖素電容。 而後進行和例1相同的處理以形成一電漿S i N膜 10和一PSG層11，定圓樣PSG層11，依照此_ 樣而鑽孔通孔，和形成用於圓素電極1 3之膜。用於圖素 電極1 3之材料可選自例如I TO之透明材料，藉以構成 透射型液晶顯示裝置。 經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 替代的，當使用A5，Ti或Ta之金屬材料或其化 合物時，可構成反射型液晶顯示裝置。而後以和例1相同 的方式以CMP執行表面拋光，以使圖素電極1 3平滑， 且同時，曝露PSG層11，藉此，個別圇素電極13電 絕緣和互相隔離（圖7B)。 此實施例中亦可應用在例3中之以CMP之整平處理 和在例4中之保護膜。 例6 應用至依照此實施例之液晶顯示裝置之活性矩陣基底 之製造方法如圖8Α至8D，圖9Α至9D和圖1 〇Α至 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4规格（210 X 297公釐），λ A7 A7 經濟部中央梯準局貝工消費合作社印裂 B7 五、發明説明（l7 ) 1 0 C所示。 L 0 C 0 S氧化膜2形成在η型半導體基底1之兩側 ，一 4000Α或更薄之Lp (低壓）一 SiN膜60形 成在相關於圖素部份之L 0 C Ο S氧化膜2之部份上’ 和形成一PWL3C圖8A)。 以和例1相同的處理而使週邊電路形成在半導體基底 上，並以和例5中形成TFT之方法相同的方法使圖素部 份之開關電晶體形成在Lp — S i N膜60上（圖8B) 〇 形成PSG層8以形成A5電極9 (圖8C)。 而後形成？30層53和一光屏蔽層54(圖80) 〇 使光屏蔽層定圖樣，以使其只留在圖素部份中之每個 TFT之上方（圖9A)。 形成約3000A厚之電漿SiN膜10 (圇9B) ，且形成約10000A或更厚之PSG靥11 ，以使在 週邊電路上之P S G層1 1之髙度變成髙於光屏蔽靨5 4 (圖 9 C )。 定圖樣PSG層11，並定圓樣在基底1背側上之 LOCOS氧化層2，以移去剛好在圔素部份下方之 L 0 C Ο S氧化膜2 (圖9D)。所形成圖素電極13之 膜之厚度大於PSG層11之厚度（圖10A)。當以和 例5相同的方式選擇圖素電極1 3之材料時，依照此實施 例之液晶顯示裝置可執行爲一反射型或一透射型。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 杯 20 - 經濟部中央梯準局員工消费合作社印裝 317002 at B7 五、發明説明（18 ) 以和例1相同的方式，以CMP執行表面拋光，以使 圖素電極1 3平滑，且同時，個別圚素電極1 3互相竃絕 緣和隔離（圖10B)。假設圖素電極之膜厚度和PSG 層1 1之厚度分別爲XA和YA，由CMP所磨蝕之深度 不小於X A，但小於X + Y A。 當此實施例應用至透射型時，則構裝一液晶，製造一 晶胞，而後基底1在圖素部份之下方的部份以用於S i之 鹸性蝕刻溶液（例如TMAH (四甲基氫氧化銨）溶液或 KOH溶液）蝕刻，以形成一底部切除部份61(圓 . 1 0 C )。當顯示裝置構造成反射型時，亦需要此處理。 在此實施例中，週邊電路以單晶矽形成，因此可輕易 以髙速驅動。另一方面，圖素部份之開關電晶體在薄膜上 構成透射型。因此，可實際的提供如所示之具有髙解析度 和髙影像品質透射型液晶顯示裝置，以在對角線上每 0. 60寸至少300，000圖素。如上所述，可適當 的選擇圖素電極之材料，藉此，可構造成一反射型液晶顯 示裝置，並降低其成本。 依照本發明，如上所述，於此可構成一顯示裝置，其 圓素電極之表面是均勻的，且介於圖素電極間之位準差異 亦是平滑的。在反射型液晶顯示裝置之例中，其光之反射 效率和對比例是髙的，且因此具有髙品質之顯示影像。在 顯示裝置構成液晶顯示裝置之例中，可改善定向膜之定向 特性，此外，在個別圖索電極間不會產生側向電場，因此 ，可防止會降低影像品質之亮線之發生，藉以防止對影像 本紙張又度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) T- -Ci ~ 317002 at Β7 五、發明説明（19 ) 品質之破壞。 雖然本發明己相關於現今視爲較佳之實施例而做說明 ，但是，必需了解的是，本發明並不受限於所述之實施例 。相反的，本發明欲涵蓋包括在申請專利範圍之精神和範 疇內之各種修改和等效安排。下述申請專利範圍之範疇應 依最廣的方式解釋，以涵蓋所有的修飾例如等效構造和功 能。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、v# 丁· 經濟部中央標準局負工消费合作社印裝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -22 -

Claims (1)

1. A8 B8 C8 D8 317002 六、申請專利範圍 1 一種顯示裝置，包含一基底和多數的導電構件提 供在該基底上’每個導電構件具有實質平坦的表面並包含 圖素，其中具有實質平坦表面之絕緣構件提供在它們相關 導電構件之端上，以使絕緣構件之實質平坦表面和導電構 件之實質平坦表面同範圍。 2.如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該導電 構件包含電極。 3 _ —種顯示裝置，包含一活性矩陣基底，其中一開 關電晶體用於每一圖索電極， 極基底，和保持在基底間之一 相對於活性矩陣基底之一電 液晶，其中圖素電極之所有 (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 表面互相在相同位 一部份和一絕緣器 準上，且每一圖素電極之一側壁之至少 接觸。 利範圍第 電晶體由單 利範圍第3 成。 利範圍第3 訂 f 經濟部中央梯準局貞工消費合作社印裝 4 矩陣基 5 由多晶 6 性矩陣 7 性矩陣 8 電構件 包含圖 .如申請專 底上之開關 .如申請專 矽半導體構 .如申請專 基底藉由使 .如申請專 基底藉由使 .一種顯示 提供在該基 素，其中該 用一單晶矽 利範圍第3 用一透明基 裝置之製造 底上，該導 導電構件藉 項之裝置，其中安排在活性 晶矽半導體構成。 項之裝置，其中開關電晶體 、4或5項之裝置，其中活 半導體基底構成。 、4或5項之裝置，其中活 底而構成。 方法，包含一基底和多數導 電構件具有實質平坦表面且 由化學機械抛光而使其平滑 本紙張尺度逍用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -23 - A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 9. 如申請專利範圔第8項之方法，其中該導電構件 包含電極。 (請先閲讀背面之注意事項再樓寫本頁) 10. —種顯示裝置之製造方法，該顯示裝置包含一 活性矩陣基底，其中一開關電晶體提供於每一圖素電極， 相對於活性矩陣基底之一電極基底，和保持在基底間之液 晶，其中圖素電極之形成方法包括以化學機械拋光之一拋 光步驟。 τ 11.如申請專利範圍第10項之方法，其中在圖素 電極下方之第一絕緣層定圖樣後，以用於圖素電極之材料 之一膜形成在活性矩陣基底之全部表面上，且用於圖素電 極之膜以化學機械拋光拋光以形成圖素電極之表面。 1 2 .如申請專利範圍第1 〇項之方法，其中在圖素 電極下方之第1絕緣層定圇樣後，以用於圚素電極之材料 之一膜形成在活性矩陣基底之全部表面上且隨後定圖樣， 而後進一步形成一第二絕緣層，和第二絕緣層以化學機械 拋光拋光以移去在圖素電極上之第二絕緣靥部份，且同時 拋光圖素電極之表面。 經濟部中央標準局男工消費合作社印袈 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -24 -