TW303496B - - Google Patents
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Description
經濟部中央標準局員工消費合作社印装 303496 A7 ---- B7 五、發明説明(1 ) 技術領域 本發明的技術領域是絕緣趙上碎(silic〇n_〇n_insulat〇r, 下文簡稱S 01)電路領域,特別是動態隨機存取記憶體。 發明背景 SOI技術已經爲人研究很多年,且具有一些爲人所熟知 的優點,特別是增加的操作速度、更低的電容値、以及使 用更低電壓的可能性。 S 01技術的一個爲人所熟知的問題是,對連接至電晶體 本體之接觸的需求,以及製作接觸而不耗用太多空間的問 題。 發明摘述 本發明係關於結合自動對正本體接觸之使用的S 〇〗動態 隨機存取記憶體’該接觸藉由位於氧化物絕緣層之下的接 雜層互相連接。 附圖簡要説明 圖1至4以橫斷面圖示動態随機存取記憶體的一部分,顯 示出在製造程序中各個時點之相鄰的深溝槽電容器以及相 關的本體接觸和場屏蔽絕緣。 圖5顯示出記憶體陣列之一個片段的上視圖。 圖5 A顯示出記憶體陣列的輪廓圖形。 圖6顯示出對圖1_4的正交橫斷面。 較佳具體實施例説明 參考囷1,其處以橫斷面圖示在某些起始步驟施行後之根 據本發明之動態随機存取記憶體的一部分。諸如 偏壓 I II 装—— 訂—— 嫁 • % (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
303496 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(2 ) _ ~ 或場植入的傳統步驟稱之爲製備基板。具有用於(N_場效 電晶禮)電晶體之形成之η型基板30、及氧化物(;§丨〇2)層 20及ρ型SOI(或裝置)矽層1〇的SOI晶圓用作爲起始材料 。η型基板將用作爲η通道陣列中的傲存電容器平板。在一 個互補型具體實施例中,ρ型基板可與ρ型陣列(甚至可與 具有降低之儲存容量値的η型陣列)併用。 藉由佈植硼形成ρ +層32以在SOI背面氧化物20之下形成 層32。就100毫微米之氧化物層2〇和80毫微米之裝置層1〇 的例示性厚度而言,其適用於0.25微米基本標準技術,佈 植4x 1017 /立方厘米的硼濃度以形成層1〇。 具有約5 X 1〇19 /立方厘米之硼濃度和可在25至400毫微 米範圍中之厚度的層32,將用於提供本體接觸用的導線層 。η型基板作爲陣列中單元電容器的共通平板。 使用標準加工形成傳統的銲點氧化物(8毫微米)及氮化物 ,Si3N4,(200 毫微米)層。 使用深溝槽(deep trench,下文簡稱DT)軍幕以使晶圓形 成圖樣’並使用在應用材料公司5〇〇〇型(Applied Materials 5000)蚀刻工具中使用HBR和NF3作爲蝕刻劑的傳統離子 蚀刻製程(有時稱爲反應性離子蝕刻(reactive ion etching, 下文簡稱RIE))蝕刻單元電容器用的深溝槽10〇。傳統上來 説,深溝槽可具有在1和8微米之間的深度。 在深溝槽電容器中形成薄的節點介電物102 (例示性而言 ’藉由在爲人所知之製程中的快速熱氮化和再氧化而形成) 作爲電容器介電物。如果認爲較好的話,可使用其他的介 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 訂 本紙張尺度適财_获(CNS) 21()Χ29_7|^· 五、發明説明(3 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 電物。 溝槽填充有N +多結晶矽(多晶)j 10,其以諸如R丨E之任 何方便的方法使之凹陷至低於埋置之!> +層32和基板3〇間 之接合的高度。這界定絕緣環型柱的底部,其隔開平板3 〇 與電容器並隔開P +層32與電容器。多晶110形成電容器的 内電極,且基板30形成電容器陣列的共同電極。絕緣環型 柱防止P +層32和n基板30中的高電場產生。 將多晶填充物110之上的節點介電物1〇2去除,並以傳統 的化學氣相沉積製程沉積顯示爲Π4和116的環型柱氧化物, 接著以RIE去除溝槽上方部分之底部中的氡化物。 溝槽的頂端填充有多晶120 (可以使Ν +或本質性多晶,視所 須要之埋置環帶外擴散的數量而定)並以諸如尺1£之任何方 便的方法使之凹陷’如此多晶120的頂端位於背面氧化物 2 0的限制之内。使環型柱氧化物丨14凹陷至與多晶ι2〇相同 的冰度。沉積一層本質性多晶填充物125並使之凹陷至S ο I 表面的高度。 使用環帶罩幕(strap mask,下文簡稱ST軍幕)以界定顯 示於圖1中之光阻内的圖樣,暴露出一對相鄰溝槽的一半 。其間的區域以氮化物加以保護,環帶由光阻和溝槽間之 氮化物的组合加以界定。該單元佈線的上視圖顯示於囷5 中,顯示出一組用數字525標示,表示動態隨機存取記憶 體單元之長度的箭頭;一個用數字530標示,表示在其内 將形成本體接觸之區域長度的箭頭;及一個用數字535標 示’表示顯示於圖1中之開口的箭頭。相對應箭頭顯示於 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝- -β 絲_ A7 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 五、發明説明(4 圖1中。 將環帶罩幕光阻210置於定位,進行rie操作,穿透過深 溝槽中的多晶矽125和環型柱氧化物丨16,通過背面氧化物 20的底部。環帶罩幕光阻和氮化物銲點2〇5形成這RIE的 罩幕,其界定電容器中心電極和電晶體之間的環帶連接。 參考圖2,剥除光阻210的結果接著沉積並平坦化四乙氧 基矽烷(tetraethoxy silane,下文簡稱TEOS),使用化學-機 械性拋光、蝕刻去除或任何其他方便的技術,至氮化物銲 點205的高度。較小區域的多晶125保留作爲單元的環帶, 藉由TEOS 220的圖形中心的區域隔開,該區域將包含在本 體接觸和埋置導電層32之間的連接。這種連接本體接觸至 埋置層的方法容許在八個微影術單位面積内製成折曲位元 線的動態随機存取記憶體單元。因此,不會有面積浪費與 根據本發明之本體接觸的使用有關。 由於陣列之外的輔助邏輯電路是互補型金屬氧化物丰導 趙,場屏蔽絕緣會因爲要使N場效電晶體和p場效電晶體 隔開的需求而佔去太多的面積。因此,使用標準加工形成 陣列以外之輔助電路迴路中的淺溝槽絕緣。 現在參考圖3,其處顯示出與圖1和2相同,在剝除銲點 層202和205 ;成長出犧牲氧化物2〇4(8毫微米);並沉積多 晶場屏蔽層260( 1〇〇毫微米)及場屏蔽覆蓋27〇(1〇〇毫微米) 之後的區域。氧化物204將也作爲場屏蔽之下的絕緣氧化 物以及主動區域中的犧牲氧化物。 圖3顯示出陣列主動區域已經用fS罩幕打開於場屏蔽26〇 -7- (紙張尺度適财關家縣(CNS ) Α4· ( 2Τόχ297公着 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁〕 -裝. 訂 絲 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 A7 B7 五、發明説明(5 ) 中之後的區域。FS罩幕在須要的地方打開場屏蔽,以在稍 後形成主動裝置區域、本體接觸和位元線接觸。顯示於圖 5中之主動區域開口 510的邊緣在圖3中以標示爲51〇的箭頭 表示。本體接觸的置入於每一背對背深溝槽配對之間是不 需要的。再次參考圖5,在圖形之頂端和底部縱列中的開 口 510以空白空間隔開,該空間以場絕緣加以覆蓋。如所 能見到,連接埋置導線層32與裝置層10的本體接觸構件不 鄰接於電晶禮本體。然而,它受到定位,如此,來自幾個 電晶體的電洞可流離那些電晶體本體而到達該構件,因此 該構件是埋置層32和電晶體本體之間的接觸。由於將有更 多的位置可用於場屏蔽連續性,藉由使本體接觸彼此交錯 ,可實現較低的場屏蔽有效面電阻係數。 熟諳此技藝者將認知到,相較於N +多晶的效果,p +多晶 的使用提供額外的1伏特内建偏壓以關閉絕緣區域。另外 ,任何穿透過絕緣氧化物的硼擴散將增進絕緣。 氮化物間隔物274已經藉由諸如LPCVD氮化物沉積的傳 統相應沉積製程形成於場屏蔽260的邊緣上。場絕緣的邊 緣和覆蓋顯現在圖3中的侧邊。 現在參考囷4,其處顯示出圖1-3中的區域,加上完整的 動態隨機存取記憶醴單元。以角形括弧表示,標示爲450 的區域是以圖5中之4-4所指示的橫斷面。角形括旅525對 應於一個動態随機存取記憶髏單元,自背對背溝槽之間的 中間處延伸至穿透位元線接觸的中間處,其在圖5中以箭 頭525指示。 .ft ________ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公嫠) ---------装-------ΪΤ------0 ♦ · (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) s〇S496 A7 B7 五、發明説明(6 ) 圖4顯示出去除主動區域中露出之犧牲氧化物204 ;成長 傳統閘極氧化物206,例示性而言,達8毫微米的厚度;沉 積第一閘極導電性多晶層310(也稱作爲閘極接觸層)至幾乎 完全與場絕緣層260加上覆蓋270及氮化物覆蓋層320相同 的厚度;且如下文所説明地處理它們以提供改良之平面性 的結果。 將含有輔助電路迴路之陣列以外的區域遮蔽住,並將氛 化物覆蓋層320自陣列中的閘極接觸層3 10剝除。化學機械 性抛光(chemical-mechanical polish,下文簡稱 CMP)操作 降低層3 10的厚度至場屏蔽260加上覆蓋270的厚度,其使 用場屏蔽覆蓋270作爲拋光停止物。這個操作的結果是同 時位於陣列之内和之外的共同表面272。在陣列之外,由 於該層尚未爲人形成圖樣,它是均勻的,且在陣列之内, 有多晶3 10的圖樣嵌入場屏蔽260的主動陣列空孔中。這種 嵌入導體的圖樣稱之爲嵌紋。 其次,將氮化物覆蓋320自陣列以外之電路迴路中的多晶 310去除。將第二閘極導電性多晶層315(或其他的導電性 層)沉積於較低的多晶之上,並將氮化物覆蓋322沉積於它 之上。這在將是閘極的區域之上留下多晶複合閘極導電性 層310-315,並在場屏蔽260(及場覆蓋270)之上留下單—多 晶層315。層310和315之間的層界在圖4中以點線指示,以 數字272表示的虚線指出場覆蓋之上表面272的高度。 將層3 22、3 15和3 10加以蚀刻以界定同時位於阵列之内和 之外的閘極、字組線(以及,選擇性地,局部互連)。嵌紋 ________ 本紙張尺度逋用中國國家棣準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) ' ------ ---------裝------、玎------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 -------B7__ 五、發明説明(7 ) 閘極接觸製程藉由使閘極導體高度在輔助電路迴路中和在 陣列中等高來解決由於陣列中相對於輔助電路中之閘極導 體高度的景深問題。在將氮化物間隔物325形成於閘極的 邊緣上之後’施行傳統的源極和汲極1 7及1 9佈植。由於透 過場屏蔽空孔5 10佈植源極和没極,佈植物爲空孔以外的 場屏蔽阻擋住。如由角形括弧525所指示,動態随機存取 *己憶體單元延伸自共通擴散19(共通於一對單元),穿過閘 極並通過溝槽電容器1〇〇的邊緣。藉由來自多晶12〇和電極 1 7的擴散,在任何方便的時間,例示而言,在退火及氧化 步驟期間,將環帶125製成導電性。 其次’在氮化物覆蓋335沉積之後,沉積並平坦化鱗碎酸 鹽玻璃(phospho-silicate glass,下文簡稱PSG)或其他的介 電層330。使用本體接觸軍幕打開氮化物覆蓋335,並將 PSG 330及閘極氧化物206蝕刻至SOI 10的表面。現在,形 成另外的氮化物間隔物327於用來形成本體接觸之空孔的 露出侧壁上。這保證,在最壞情形的對正和薄膜誤差條件 之下,本體接觸將不會對電容器節點短路。 用於連接埋置層和SOI層10中之本體之本體接觸的自動 對正本體接觸空孔藉由蝕刻穿過S〇i 1〇和背面氧化物2〇 ’向下至P埋置層32而形成。已經形成的本趙接觸空孔填 充有P +多晶3 5。藉由諸如RIE之任何方便的方法,使p +多 晶35凹陷至SOI 10的表面。這形成層32和層1〇中之電晶體 本體之間的本體接觸。由於圖5中的橫斷面4_4已經由穿過 電晶趙之主動區域空孔的軸來截取,所以來自電晶體本 ---^----^------ir------0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -10- 五、發明説明(8 kl B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裂 的電流流動垂直於圖4中的紙張平面。參考圖5,可見到, 電洞將自閘極之下的區域,以角形括弧312表示,流出, 通過電極17和溝槽電容器1〇〇,以標示有那些數字的角形 括弧表示,在圖5中向上或向下到達本體接觸35。 其次,將本體接觸35之上的空孔填充諸如氧化物的合適 絕緣體340 ^將氮化物覆蓋335剝除,並使用傳統的加工以 完成該電路。諸如製作接觸至位元和字組線,形成陣列中 和輔助電路迴路中之互連的傳統步驟將稱之爲完成該電路 。如在該技藝中爲人所知,形成自層3丨5的閘極接觸是陣 列的字組線(選擇性地以位於圖4中所顯示之諸導線上方的 低電阻係數導線加以輔助)’且位元線將以直角延伸至字组 線。位元線接觸,在圖5中顯示爲方框519,將形成於圖4 中的擴散19之上,位元線(圖5中的515)將形成於位元線接 觸之上。圖5中的點線325表示圖4中的氮化物間隔物325, 並指出多晶閘極接觸層的通路。同樣地,點狀方框丨〇〇指 示深溝槽100。 另外,圖5概略地顯示出根據本發明之積體電路5〇〇的全 視圖,於其中將輸入/輸出輔助電路迴路顯示爲方塊502 ,其包括傳統的輸入/輸出緩衝器、解碼器、感測放大器 之類。圖形的上方部分詳細地顯示出電路5 〇〇之記憶體陣 列505的一小部分。 現在參考圖6,其顯示出沿著圖5中之線6-6的正交橫斷 面,其圖示以氧化物204加以絕緣之場屏蔽260、嵌段多晶 310和字組線多晶315之間的關係。在圖6之左方和右方的 11 - 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4規格(210X297公釐) f請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} •裝· -、*!. 絲- 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 3〇3496 A7 ______B7 五、發明説明(9 ) TEOS 220位於鄰接至含有閘極接觸310之單元之諸單元的 溝槽電容器中。 自電源匯流線至埋置P +層32的接觸,穿過其而製成本體 接觸,可每隔5 12字組線或任何其他適合於特殊電路之層 電阻係數及其他參數的間隙而製成。場屏蔽接觸製作於記 憶體陣列之外。 熟諳此技藝者將認知到’藉由在層3 10的沉積之前,形成 接觸3 5用的空孔,然後去除可能在閘極堆疊的囷樣化期間 ,造成接觸3 5和閘極接觸3 10間之短路的多晶,可自諸如 310的早先層形成本體接觸35。在本方法中所需要的額外 步驟藉由因本發明而變得可能的密度改良而使其正當化。 各種的材料、沉積方法和蚀刻劑不是關鍵性的,熟諳此 技藝者將很容易就能夠修改所列舉的步驟或替換對等物。 所指出的厚度和摻雜劑意圖用於例示性的電路,在該電路 中陣列供應電壓是2伏特,對場屏蔽施加-1.5伏特偏壓且對 埋置層32施加-1伏特偏壓,而基板3〇是接地。字組線升壓 至3.5伏特,位元線在2伏特下操作。熟諳此技藝者將很容 易認知到,本發明的不同具體實施例,諸如不同的偏壓値 ’具有η -或是p -型層1 〇的p場效電晶體陣列,可在見到所 附的敎示時製成,且下列的申請專利範圍無意受限於所揭 不的具體實施例。 本紙張尺度適用中國®家榡準(CNS)八4赌(21〇χ297公酱) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 •絲
Claims (1)
- ABCD 經濟部中央標準局負工消費合作社印裝 六、申請專利範圍 1. 一種形成具有記憶體陣列之S 01動態隨機存取記憶體的 方法,該記憶體在記憶體陣列中具有電晶體本體接觸, 包含步驟有: 製備SOI晶圓,其具有半導電性基板,位於該基板之 上的半導體裝置層以及位於該基板和該裝置層之間的絕 緣層; 形成位於該絕緣層之下且鄰接該絕緣層的埋置導電層 » 形成一组電容器於該記憶體陣列中; 形成場屏蔽,其具有場屏蔽上表面且與該記憶體陣列 中的該裝置層隔開; 形成一組並列的主動區域空孔於該場屏蔽中,每一個 空孔具有一個主動區域軸心; 形成一組電晶體於該裝置層中且位於該主動區域空孔 之下,其具有電晶體本體; 形成一組本體接觸空孔,其向下延伸穿過該裝置層, 到達該主動區域空孔之一個本體接觸次組合中的該埋置 導電層;及 形成一組導電構件,其連接該本體接觸次組合中的該 埋置導電層和該裝置層,因此,該組導電構件中的導電 構件在該電晶體本體和該埋置導電層之間形成本體接觸 0 2. 根據申請專利範固第1項之形成SOI動態随機存取記憶 體的方法,其中: • 13 _ 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4規格(2丨OX;297公釐) "~~' ' I 裝—— I I訂 I 錄 (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁)申請專利範圍 經濟部中央揉準局負工消費合作社印製 在該記憶體陣列中形成一組電容器的該步驟包含:形 成一組深溝槽穿過該裝置層和該絕緣層並延伸進入該基 板的步驟;且 形成一組電容器於該组深溝槽中。 3. 根據申請專利範圍第2項之形成SOI動態隨機存取記憶 體的方法,其中: 該形成一組電晶體的步驟包括,形成一組導電性閘極 接觸於該组主動區域空孔之内並使閘極接觸上表面與該 場屏蔽上表面共平面的步驟。 4. 根據申請專利範園第3項之形成SOI動態隨機存取記憶 禮的方法,更包括形成字組線的步驟,其沿著垂直於該 主動區域軸心的軸心連接很多的該閘極接觸,該字組線 沉積於該閘極接觸上表面和該場屏蔽上表面上。 5. 根據申請專利範圍第1項之形成s 〇 I動態隨機存取記憶 體的方法,其中該形成電容器和電晶體的諸步驟包括: 在該主動區域空孔之内,沿著該主動區域轴心形成至少 兩個動態隨機存取記憶體單元,每一個單元含有—個電 容器及一個連接至該電容器的電晶體,該等電容器以該 裝置層中的本體接觸區域沿著該主動區域軸心隔開。 6. 根據申請專利範圍第5項之形成SOI動態随機存取記憶 體的方法’其中該本體接觸次組合中形成一組本體接觸 空孔的該步驟包括:形成自動對正本體接觸空孔穿過該 裝置層中之該本體接觸區域的步驟。 7. 根據申請專利範圍第2項之形成SOI動態隨機存取記憶 -14. 本紙張尺度逋用中國國家橾準(CNS ) Α4规格(210Χ297公釐) -----^----^------,ιτ------錄 (請先閲讀背面之注^^項再填寫本頁) 圍範利 專請 中 ABCD 經濟部中央棣準局貝工消費合作社印製 趙的方法’其中該等形成電容器和電晶體的步驟包括: 在琢主動區域空孔之内,沿著該主動區域軸心形成至少 兩個動態隨機存取記憶體單元,每一個單元含有一個電 容器及一個連接至該電容器的電晶體,該等電容器以該 裝置層中的本體接觸區域沿著該主動區域軸心隔開。 根據申請專利範園第7項之形成S ΟI動態隨機存取記憶 體的方法,其中該本體接觸次組合中形成一組本體接觸 空孔的步骤包括:形成自動對正本體接觸空孔穿過該裝 置層中之該本體接觸區域的步驟。 一種形成具有記憶體陣列之s 〇 I動態隨機存取記憶體的 方法,該記憶體陣列含有第一極性的電晶體和包含該第 —極性電晶體的互補型金氧半導體輔助電路迴路和相反 於該第一極性之第二極性的電晶體,在該陣列之内的那 些該第一極性電晶體具有本髏接觸,包含步驟有: 製備SOI晶圓,具有半導電性基板,位於該基板之上 的半導體裝置層以及位於該基板和該装置層之間的絕緣 層; 形成位於該絕緣層之下且鄰接該絕緣層的埋置導電層 形成一組電容器於該記憶體陣列中; 同時形成第一閘極多晶層於該陣列之外以及形成場屏 蔽,該場屏蔽具有場屏蔽上表面且與該記憶體陣列中的 該裝置層隔開; 形成一組並列的主動區域空孔於該場屏蔽中,每一個 -15- 本紙張尺度適用中困國家揉準(CNS > A4规格(210X297公釐) -----;----^------1T------^ (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 3〇349β β! " " _D8 六、申請+利:-- 空孔具有一個主動區域軸心; 同時形成具該第一極性的第一組電晶體於該裝置層中 且位於該主動區域空孔之下,以及形成具該第一極性的 第二組電晶體於該輔助電路迴路中的該裝置層中; 形成一組本體接觸空孔,其向下延伸穿過該裝置層, 到達該主動區域空孔之一個本體接觸次組合中的該埋置 導電層;及 形成一陣列組的導電構件,連接該本體接觸次組合中 的該埋置導電層和該裝置層,因此,該組導電構件中的 導電構件在具第一極性之該電晶體和該埋置導電層中的 一組電晶體本體之間形成本體接觸。 10·根據申請專利範園第9項之形成s〇I動態随機存取記憶 體的方法,其中: 在該1己憶體陣列中形成一組電容器的該步驟包含,形 成一組深溝槽穿過該裝置層和該絕緣層並延伸進入該基 板的步驟;且 形成一組電容器於該組深溝槽中。 11·根據申請專利範園第i 〇項之形成S OI動態隨機存取記憶 體的方法,其中: 該形成一組電晶體的步驟包括:沉積第一閘極導電層 於該陣列之内和之外,由該第一閘極導電層形成一组導 電性閘極接觸於該组主動區域空孔之内並使閘極接觸上 表面與該場屏蔽上表面以及與該陣列外之第一閘極接觸 導電層上表面共平面的步驟。 -16 - 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS > A4规格(210XM7公釐) 裝 訂 I I絲 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ABCD 經濟部中央標準局負工消費合作社印装 ~、申請專利範圍 12·根據申請專利範圍第1 1項之形成S 0 I動態隨機存取記憶 體的方法’更包括沉積第二閘極導電層於該陣列之内和 之外’因此在該陣列之外形成複合閘極導電層; 將該第二閘極導電層形成圖樣以形成字組線,沿著 垂直於該陣列中之該主動區域轴心的軸心連接很多的該 閘極接觸’該字组線沉積於該陣列中之該閘極接觸上表 面和該場屏蔽上表面上,並將複合閘極導電層形成圖樣 以在該陣列之外形成電晶體閘極。 13. 根據申請專利範圍第9項之形成S0I動態隨機存取記憶 體的方法,其中該等形成電容器和電晶體的步驟包括: 在該主動區域空孔之内,沿著該主動區域軸心形成至少 兩個動態隨機存取記憶體單元,每一個單元含有一個電 容器及一個連接至該電容器的電晶體,該等電容器以該 裝置層中的本體接觸區域沿著該主動區域軸心隔開。 14. 根據申請專利範固第1 3項之形成S ΟI動態隨機存取記憶 體的方法,其中在該本體接觸次組合中形成一組本體接 觸空孔的該步驟包括:形成自動對正本體接觸空孔穿過 該裝置層中之該本體接觸區域的步驟。 15. 根據申請專利範圍第1 0項之形成S ΟI動態隨機存取記憶 體的方法’其中該等形成電容器和電晶體的步驟包括: 在該主動區域空孔之内,沿著該主動區域軸心形成至少 兩個動態隨機存取記憶體單元,每一個單元含有一個電 容器及一個連接至該電容器的電晶體,該等電容器以該 裝置層中的本體接觸區域沿著該主動區域軸心隔開。 -17- 本紙張;適用中國國家揉準(CNS )八4*1格(21〇><297公釐) J----券-- (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) -3 -銷-申請專利範團 16·根據申請專利範圍第1 骑认、4 禾5頁 <形成SOI動態随機存取記憶 體的方法,其中該本體接魅、 ^ -J, 趙接觸次組合中形成一組本體接觸 ^. )成自動對正本體接觸空孔穿過該 裝置層中(該本體接觸區域的步驟。 I II I I裝 訂 I 線 - - (請先閲讀背面之注寒項再填寫本頁) 經濟部中央梯準局貝工消费合作社印製 -18- 本紙張尺度逋用中國國家梂準(CNS ) A4B ( 210Χ297公釐)
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