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經濟部中央樣準局貝工消费合作社印製 A7 __B7 五、發明説明（1 ) 〔發明之背景〕 本發明係有關於在電漿下處理半導體晶圓等之基板用 之電漿處理裝置及電漿處理方法。 最近如1 6MDRAM或6 4MDRAM之高積體化 之半導體裝置，電路布線（配線）之線寬逐漸形成半微米 級或1 / 4微米級之精密級。對於如此之超細微加工，係 使用減壓CVD (化學汽相澱積）裝置，濺射裝置或蝕刻 裝置，灰化（A s h i n g )裝置等。例如在反應性離子蝕刻（ R I E )裝置，係以進行各向異性蝕刻，而去除部分之矽 晶圓W上之氧化矽（s i 0 2 ) 3，以形成如圖3所示之具 有垂直側壁5之接觸孔4。 然而，在實施各向異性蝕刻處理中，除了反應性離子 之外’於電漿中亦同時會產生化學性上爲活性之根（基） (活性種〉。而如此之活性根可與Si〇2產生反應，而 使S i 〇 2膜3被實施各向同性蝕刻。其結果，將形成如 圖1所示之具有彎曲（Bowing)形狀之周圍側壁5之接觸 孔4 ，或形成如圖2所示之具有推拔（Ta p e r，傾斜）形 狀之周圍側壁5之接觸孔4。爲此，將感應器上之晶圓予 以冷卻，以減少電漿輻射熱之影響，而予以抑制活性根之 產生。 另一方面，爲了獲取均匀之蝕刻率，有必要儘可能地 令處理中之晶圓表面予以保持成均勻之溫度。惟遍及整面 要使晶圓完全貼緊於感應器（下部電極）乙事，事實上極 爲困難，而且僅以固體間之相互接觸之熱傳導，並無法使 本紙張尺度適用中國國家標芈（CNS ) A4規格（21〇χ 297公釐） ^訂. 線 (請先閱讀背面之注意事項另填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（2 ) 晶圓之冷卻成爲極充分。如此之冷卻不夠充分之問題，並 非僅限於蝕刻裝置，亦在電漿CVD裝置或電漿灰化裝置 中會產生。在該等裝置，爲使處理室內形成數百托（Τογγ )至數毫托爲止之高眞空狀態，而晶圓會自感應器成爲空 絕熱，致使兩者間之熱交換成爲不佳。爲此，將導入氣體 於晶圓和感應器之相互間隙中，而由熱交換（用）氣體來 促進晶圓/感應器兩者間之熱交換，以令晶圓可迅速且均 勻地予以冷卻。 然而，如圖4所示，雖在晶圓中央區域形成概略均勻 之溫度分布，惟在晶圓周緣區域則形成不均勻之溫度分布 。通常，晶圓周緣區域一方因會形成較晶圓中央區域者更 髙的溫度，因此晶圓周緣區域將形成如圖1或圖2所示之 接觸孔側壁之垂直特性爲不良之各向異性之蝕刻。 再者，先前裝置之感應器，將感應器外徑形成較晶圓 直徑爲小，以形成不受到電漿之照射損傷。以如此之裝置 時，因並無法將突出於感應器外側之晶圓周緣部，冷卻成 如其他之部分，致使蝕刻率形成不均勻。 爲此，本發明之目的，係擬提供可使被處理基板之面 內溫度分布成爲相同，而可實施均勻且良好之處理的電漿 處理裝置及電漿處理方法者。 本發明之電漿處理裝置，係在電漿產生中，使用熱交 換氣體來增進由感應器所賦與被處理基板之冷卻效率的電 漿處理裝置，其特徵爲具備有： 第1通道，開口於感應器上面之周綠部： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ----------¾.----J.1 訂-------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 _B7___ 五、發明説明（3 ) 第1氣體供給機構，藉該第1通道來供熱交換氣體給 予形成在感應器和被處理基板之間的微小間隙用； 第1排氣機構，藉第1通道來予以排氣形成在感應器 和被處理基板之間的微小間隙內用； 第2通道，開口於感應器上面之中央部： 第2氣體供給機構，藉該第2通道來供熱交換氣體給 予形成在感應器和被處理基板之間的微小間隙用： 第2排氣機構，藉第2通道來予以排氣形成在感應器 和被處理基板之間的微小間隙內用；及 控制機構，個別予以控制第1及第2之氣體供給機構 以及第1及第2之排氣機構，以令由第2氣體供給機構及 第2排氣機構所產生於第2通道內之背壓形成較由第1氣 體供給機構及第1排氣機構所產生於第1通道內之背壓更 低0 有關本發明之電漿處理方法，係在電漿產生中，以使 用熱交換氣體來增進由感應器所賦與之被處理基板之冷卻 效率用之電漿處理方法，其特徵爲： 邊予以排氣形成於感應器和被處理基板之間之微小間 隙內，且邊從感應器上面之周緣部開口導入第1熱交換氣 體於前述間隙，並同時亦由感應器上面之中央部開口導入 第2熱交換氣體， 而且令前述第1熱交換氣體之背壓使之形成較前述第 2熱交換氣體之背壓更高。 触刻處理中之晶圓，將受到電漿輻射熱而使表面溫度 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4現格（210 X 297公釐） ---------1衣------—、玎-------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 _____B7 五、發明説明（4 ) 升高。例如，即使將感應器冷卻至一1 〇。(：之時，實際之 晶圓表面溫度會達到4 0〜5 0 °C。倘若該狀況下，僅予 以單純地提高熱交換氣體之背壓來提高冷卻能力之時，就 形成如圖4所示，晶圓周緣區域和晶圓中央（中心）區域 之溫度差愈形成爲大，而會產生不均勻之蝕刻。當逆流氣 體（Back Gao)以同樣之壓力來供給時，晶圓周綠區域， 無論怎樣溫度會形成較中央區域爲高。 爲此，使供晶圓中央區域之氣體供給系統和供晶圓周 緣之氣體供給系統形成個別之另一系統，且令晶圓中央區 域之氣體背壓予以形成較晶圓周緣區域之氣體背壓爲體， 以企圖性地將在晶圓中央區域之以氣體所進行之熱交換率 使之變小時，就可獲得如圖5所示之溫度分布。然而，從 晶圓中央至較狹窄之區域，雖會形成與晶圓周緣區域約相 同程度之溫度，惟在晶圓中間區域，就形成較其他之區域 爲低之溫度。尤其大尺寸之晶圓時，中間區域和周緣及中 央區域之溫度差會形成相當大之差異。 爲此，在晶圓中間區域，再追加另一系統之氣體供給 系統，以令晶圓中間區域之氣體背壓亦形成較晶圓周緣區 域之氣體背壓爲低之時，就可獲得如圖1〇及圖11所示 之概略成均勻之溫度分布。 〔實施例〕 以下，將參照所附上之圖式來對於本發明之種種實施 例加以說明。在第1實施例，將參照圖6〜圖1 1未對適 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ---------种衣----J-I訂-------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 294819 _____B7____ 五、發明説明（5 ) 用於電漿蝕刻裝置時加以說明。 第1實施例之裝置1 0係具備上部電極（簇射電極） 5 3及下部電極（感應器）1 4之反應性離子蝕刻（ R I E)裝置。該R I E裝置1 0具備有以鋁等之導電性 材料而形成圓筒狀之處理室（Process chamber) 1 1 ° 該處理室1 1被構成氣密之構造，並在其下部具有排氣管 1 2，而在上部具有處理（用）氣體供給管5 4。排氣管 1 2係連通於眞空泵（未圖示）之吸入側，以令處理室 1 1之內壓被抽眞空成例如1 〇-2To r r(托）以下之高 眞空度。又在處理室1 1內之底部配設有作爲下部電極之 感應器14,而感應器14本體係以鋁合金所構成。感應 器1 4上面貼附著靜電夾盤1 8,並由該夾盤來使晶圓W 以靜電吸附加以保持之結構。而感應器1 4上部之直徑形 成較晶圓之直徑爲小。 感應器1 4內部形成有流動液化氮等之冷媒用之冷媒 通道1 5。再者，對於該感應器1 4 ,藉阻隔（直流）電容器 1 6施加有高頻電源1 7,而在感應器1 4形成施加有 13. 56MHz之高頻電壓。 又在感應器1 4上面，以黏接劑貼附著與其同一外徑 之靜竃夾盤1 8。該靜電夾盤1 8之導電性金屬膜1 9係 以絕緣性膜2 0挾持者其兩面。導電性金屬膜係由銅箔等 所構成，而絕緣性膜2 0係由聚醯亞胺系樹脂薄膜等所構 成。該導電性金屬膜1 9連接有直流電源2 1 。 感應器1 4內形成有空間1 3 ，而4支升降（用）銷 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X 297公釐） . ----11II·------線 (請先閲讀背面之注意事項-S填寫本頁) 經濟部中央梂準局員工消费合作社印製 經濟部中央揉準局負工消费合作社印製 A7 ____B7_ 五、發明説明（6 ) 3 2配設於空間1 3內。空間1 3上部係藉4個縱向通道 2 4而開口於感應器1 4之上面。而升降銷3 2之個個係 由缸筒機構1支撑成可升降於縱向通道2 4之個個。缸筒 機構3 1之驅動（用）開關係被連接於控制器3 0之輸出 部。而構成當朝上方突出升降銷3 2時，晶圓W可由升降 銷3 2而被提髙於感應器1 4上方。 又石英製之聚焦環2 2被配設於感應器1 4之周圍， 以令所產生之電漿，形成可朝半導體晶圓W—方予以會聚 0 又在下部電極1 4上方，配設有隔著1 5〜2 Omm 之間隔而成相對面之上部電極5 3。該上部電極5 3上面 中央裝設有貫穿處理室11上面中央且連通於蝕刻氣體之 供給源（未圇示）之供給管5 4。又在上部電極5 3下面 整面形成有多數之氣孔。上部電極5 3係被接地著以維持 接地電位。 在第1氣體供給排氣（用）裝置2 7連通有氣體通道 2 5a ，2 5b ，而在第2氣體供給排氣（用）裝置2 8 連通有氣體通道2 6 a，2 6 b。第1氣體供給排氣裝置 ，具備有氣體供給源2 7 a，質量流控制器（MFC ) 2 7 b，可變閥2 7 c ，眞空泵2 7 d及壓力察覺器 2 7 e。第2氣體供給排氣裝置2 8 ，具備有氣體供給源 28a ，MFC28b ，可變閥28c ，眞空泵28d及 壓力察覺器2 8 e ，。而壓力察覺器2 7 e，2 8 e係個 別被連接於控制器3 Q之輸入部。氣體供給源2 7 a， 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） ----------^-----„-I訂-------# (請先閲讀背面之注意事項填寫本頁) 經濟部中央梂準局員工消費合作社印ιί A7 B7 五、發明説明（7 ) 28a，MFC27b，28b，可變閥 27c ，28c ’眞空泵2 7 d，2 8 d，係個別被連接於控制器3 〇之 輸出部。 氣體供給源2 7 a，2 8 a係收容有氦氣。當作熱傳 導性氣體，可舉出除了氦氣之外，例如氖，氬，氙等之惰 氣，或氮氣+氫氣，氮氣+氧氣等之反應性氣體。尤其， 擬使用反應性氣體之時，最好使從第1氣體供給排氣裝置 2 7所供給之反應性氣體，和從第2氣體供給排氣裝置 2 8所供給之反應性氣體有不相同，並在半導體晶圓W和 感應器1 4間之微細間隙中，可互相引起收熱反應者。因 收熱反應不僅僅可增進熱傳達率，亦可由來自晶圓W之收 熱而更可增進冷卻效率。但在作爲熱傳導性氣體來供給反 應性氣體之時，有需要選擇該等之氣體及所產生之氣體對 於電漿處理不產生影響之氣體者。 氣體通道2 5 a係藉MFC 2 7 b連通於第1氣體供 給源2 7 a。氣體通道2 5 b則藉可變閥2 7 c連通於第 1眞空泵2 7 d。而氣體通道2 6 a係藉MFC 2 8 b連 通於第2氣體供給源2 8 a，氣體通道2 6 b則藉可變閥 2 8 c連通於第2眞空泵2 8 d。各氣體通道2 5 a， 2 6 a，2 6 b，係在感應器1 4內部被形成互相不千涉 之狀態之獨立狀態，而且被形成亦對冷媒通道1 5不產生 干涉之獨立狀態於感應器14之內部。 在感應器1 4內埋設有3個溫度察覺器3 7 a ， 3 8 a ，3 9 a。第1溫度察覺器3 7 a係位於晶圓周緣 本紙張尺度適用中國國家棣準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐）-川 (請先閱讀背面之注意事項夬填寫本頁) -裝- 訂.丨 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（8 ) 部之正下面，第2溫度察覺器3 8 a係位於晶圓中間部之 正下面，而第3溫度察覺器3 8 a係位於晶圓中央部之正 下面。各溫度察覺器3 7 a，3 8 a，3 9 a係個別經由 檢測器3 7 b，3 8 b，3 9 b連接於控制器3 0之輸入 部。 如圖7及圖8 A所示，在靜電夾盤1 8周緣部形成有 4條圓弧狀之溝4 1 ，而在各溝4 1底部，個別予以形成 3個貫穿孔3 9之開口。氣體通道2 5 a係在感應器1 4 內部連通於水平通道2 3，並再連通於靜電夾盤1 8之貫 穿孔3 9。再者，靜電夾盤1 8之銅箔1 9之厚度係1 0 〜1 Ο Ομιώ，各聚醯亞胺膜2 0之厚度爲1 0〜1 0 0 ^ m 0 如圖7及圖8B所示，靜電夾盤18中央部有4個開 口之通道2 4 ，而在夾盤1 8中間部則有8個通道4 0之 開口。通道2 4 ，3 9 ，4 0之開口，該等直徑期盼爲 0. 1〜2. 0mm，而最好爲0. 5〜1. 2mm。又 開口數期盼愈多爲佳，作爲6吋直徑之晶圓及8时直徑之 晶圓而言，最好穿設8〜2 0 0個之開口。各群之開口期 盼排列成同心圓狀。再者，期盼中央區域之開口群和中央 區域之開口群之互相間之距離在於5 0 m m以內，又中央 區域之開口群和周緣區域之開口群的互相間距離亦期盼在 於5 0 m m以內。予以形成如此之理由，係在隔離各群開 口之互相之間的距離成5 0mm以上之時，將使由背面氣 體（B a c k g a s )所形成之熱交換效果變小，尤其，可使中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（ 210X 297公釐）_ 11 批衣----1J—1T------^ (請先閱讀背面之注意事項-S填寫本頁) A7 A7 經濟部中央橾準局負工消费合作社印製 * B7 ___ 五、發明説明（9 ) 央區域較其他之區域形成過度地被冷卻（過冷）。 接著，將參照圖9之下來說明有關使用上述裝置以處 理晶圓W之狀況。 搬入晶圓W於被抽眞空之處理室1 1內。此時之處理 室之內壓力係設定於數托（Torr)至1 0 0托之間。載置 8时直徑之晶圓W於感應器14上，並將其以靜電夾盤 1 8吸附保持（過程S 1 )。供液體氮氣於冷媒流道1 5 以冷卻感應器14 (過程S2)。感應器14之冷卻設定 溫度爲例如_ 1 〇 °C。 邊將處理室1 1內予以進行眞空排氣，邊從上部電極 5 3供給蝕刻氣體於處理室1 1內，並控制處理室內歷力 成1 0 — 2 T Q r Γ以下之穩定狀態（過程S 3 )。蝕刻氣體之 組成係形成如下列。

C H F 3 氣體......3 1 ]s c c M C F 4 氣體......3 ( 〕s c c M A r 氣體......6 ( 3 0 s c C 予以判定處理室內壓力是否到達1 〇 〇r r以下（過 程S 4 )。當處理室內壓力達到設定値之時，就對於下部 電極1 4施加頻率1 3. 5 6MHz之高頻電壓，以在處 理室內使之產生電漿（過程S 5)。 晶圓W之表面受到所產生之電漿的輻射熱而使表面^ 升至室溫以上之溫度（4 0〜1 〇 〇 °C )。此時，在晶圓 張尺度適用中國國家標準（CNS )八4>£格（210x 297公釐）_ — ---—___ 111 τ 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項-¾填寫本頁) A7 B7 經濟部中央搮準局貝工消費合作社印裝 五 發明説明（10 ) 1 1 W 之 背 面 側 之各區 域 9 個 別 供 給 背 面 氣 體 ( Back g a s ) 並 1 1 同 時 予 以 排 氣，以 維 持 兩 者 之 平 衡 0 實 施 背 面氣體 之 供 給 1 1 和 排 氣 之 平 衡調整 〇 以 令 晶 圓 周 緣 面 域 之 氣 體背壓 能 穩 定 1 於 方 請 1 I 1 0 2 5托之 範 圍 內 之 —* 定 値 〇 另 * 面，予 以 變 動 先 閱 1 I 晶 圓 中 間 區 域及中 央 區 域 之 氣 體 背 壓 ( 過 程 S 6 ) 0 在 該 讀 背 面 1 1 I 晶 圓 中 間 域及中 央 區 域 之 變 動 氣 體 壓 力 9 將以較 在 晶 圓 之 注 1 | 意 I 周 綠 區 域 之 一定氣 體 背 壓 爲 低 之 範 圍 予 以 變 動。在 各 15? 域 事 項, 1 1 之 氣 體 背 壓 ，期盼 以 如 下 列 條 件 來 加 以 控 制 0 填 寫 本 頁 1 裝 1 I 區 域 ; 晶圓周 緣 域 晶 圓 中 間 Id? 域及中 央 區 域 1 1 1 氣 體 背 壓 : 3 0托（成 一 定 ) 7 · 5〜12 . 5托（成 可 變 ) 1 1 I 25托（成 一 定 ) 7 · 5 ^ -12 . 5托（成 可 變 ) 1 訂 1 20托（成 — 定 ) 5 . 0〜1 0 . 0托（成 可 變 ) 1 1 1 5托（成 一 定 ) 5, 0 Λ -1 0 · 0托（成 可 變 ) 1 1 10托（成 一 定 ) 5 . 0 - -7 .5托（成可變） 1 | 線 圖 1 0 及圖1 1 係 橫 軸 作 爲 溫 度 檢 測 位 置，縱 軸 作 爲 1 1 I 檢 測 溫 度 而將供 予 各 區 域 之 氣 體 之 背 壓 5 個別加 以 改 變 1 1 來 個 別 調 査 周緣區 域 5 中 間 區 域 ， 中 央 T5S* 域 之溫度 的 溫 度 1 1 分 布 圖 0 各 條件係 使 處 理 室 內 壓 力 爲 3 0 0 毫托（ m m To Γ 1 1 ) 9 高 頻 施 加功率 爲 3 0 0 W ( 互 特 ) ， 晶 圓和上 部 電 極 1 1 之 相 互 間 之 距離爲 1 5 C m ， 靜 電 夾 盤 之 吸 持電流 爲 1 I 1 5 A > 感應器 溫 度 爲 — 1 0 °c 上 部 電 極之溫 度 爲 1 I 2 0 °C 處 理室內 壁 溫 度 爲 4 0 V ， R F ( 射頻） 功 率 之 1 1 1 通 度 尺 張 紙 本 準 標 家 國 Μ 公 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A7 ____ B7______ 五、發明説明（η ) 施加時間爲2分鐘。並將晶圓周緣區域之溫度的檢測位置 ，使之位於從晶圓外周端有1Omm之處。 在圖'1 0所示之一方，係使晶圓周緣區域之氣體背壓 維持2 5托之一定値。又圖1 〇所示之溫度分布曲線P 1 係形成晶圓中央區域之氣體背壓爲12. 5托，曲線P2 係形成晶圓中央區域之氣體背壓爲1 〇托，曲線P 3係使 晶圓中央區域之氣體背壓成爲7 . 5托，曲線P 4係使晶 圓中央區域之氣體背壓成爲5托，曲線P 5係使晶圓中央 區域之氣體背壓成爲2. 5托之時之結果。 另一方面，在圖1 1所示之一方’將維持晶圓周緣區 域之氣體背壓於2 0托之一定値。圖1 1所示之溫度分布 曲線P 6係使晶圓中央區域之氣體背壓成爲1 2 · 5托， 曲線P 7係使晶圓中央區域之氣體背壓成爲1 〇托，曲線 P 8係使晶圓中央區域之氣體背壓成爲7 . 5托，曲線 P 9係使晶圓中央區域之氣體背壓成爲5托，曲線P 1 0 係使晶圓中央區域之氣體背壓成爲2. 5托之時之結果。 從兩圖之內容可察明，當使晶圓周綠區域之氣體背壓成爲 2 5托（之一定値）時，晶圓中央區域之氣體背壓在 7. 5〜12. 5托（可變）爲最適宜之範圍，而在使晶 圓周緣區域之氣體背壓成爲2 0托（之一定値）時，晶圓 中央區域之氣體背壓在5. 0〜10. 0托（可變）爲最 適宜之範圍。 由於控制背壓氣體之背壓，而可使晶圓周綠區域成爲 室溫程度之溫度（2 0〜3 〇 °C )之同時，並亦可使晶圓 ---------裝----—丨訂「------線 (請先閱讀背面之注意事項Λ填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） 14 294819 A7 _B7 五、發明説明（) 中間逦域及中央區域之溫度成爲同樣程度。而此時，由氣 體所產生之在中間區域及中央區域之熱交換率會形成較周 綠區域之熱交換率爲小，故可抑制中間區域及中央區域之 過冷。反而從靜電夾盤18突出之晶圓周綠部一方，會較 其他部分被强有力之冷卻，其結果，可使晶圓W整體形成 極佳之平衡狀的冷卻。 以溫度察覺器3 7 a，3 8 a，3 9 a來檢測各區域 之溫度，以判定晶圓各部分是否維持於所定之處理溫度（ 過程S 7 )。倘若晶圓各部分之溫度判定爲N 0 (否）之 時，更予以變動在中間區域及中央區域之背壓氣體之壓力 。而在晶圓各部分之溫度判定爲YES (是）之時，將在 從產生電漿經過所定時間之後，停止給予感應器1 4之高 頻電壓之施加（過程S)。再予以停止處理氣體之供給（ 過程S 9 )。然後停止靜電夾盤1 8之供電，而由銷3 2 來使晶圓W從感應器1 4朝上方提高，以令晶圓W從處理 室1 1予以搬出（過程S 1 〇 )。其結果，晶圓W上之矽 氧化膜3，將均勻地予以進行各向異性之晶圓，而形成如 圖3所示之具有垂直側壁5之接觸孔4。 順便提出說明時，當晶圓表面以較室溫爲高之溫度帶 (4 0〜1 0 0°C)來進行各向異性蝕刻之時，就形成了 具有如圖1或圇2所示之埤曲形狀或斜面（推拔）形狀之 側壁5之接觸孔4。 再者，作爲替代氦氣構成從第1及第2之氣體供給排 氣機構2 7 ，2 8供給互相會產生反應之反應性氣體，例 先張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐）_ 1- ----------^------訂------^ (請先閱讀背面之注意事項县填寫本頁) 經濟部中央揉準局員工消费合作社印製

經濟部中央橾準局貝工消费合作社印$L A7 B7 五、發明説明（13 ) 如氮氣和氧氣亦可。若構成如此之時，該等氣體可在晶圓 W之正下面產生收熱反應，而使晶圓W之熱量被奪走，致 使更能在短時間內予以冷卻晶圓w，而可增進生產量。‘ 接著，將參照圖1 2〜圖1 4來說明第2實施例。再 者，第2實施例中，與上述第1實施例重複之部分，將予 以省略其說明。 此第2實施例之熱交換氣體之供給排出機構6 4 ， 6 5，係與上述第1實施例之該部分者爲相異者。在感應 器6 1內形成有第1氣體通道6 2及第2氣體通道6 3。 如圖1 3所示，第1及第2之氣體通道6 2 ，6 3 ， 係在感應器61中形成分岐，而均在感應器61上面之複 數處形成開口。第1及第2之氣體通道6 2 ，6 3，個別 連通於第1及第2之氣體供給排出機構6 4 ，6 5之配管 6 4 b，6 5 b。第1氣體供給排出機構6 4係具備氦氣 供給源6 4 a，質量流控制器6 4 c ，溫度調整用機構 6 9 ，壓力計6 4 e ，排氣系統之可變閥6 4 d。第2氣 體供給排出機構6 5係具備氦氣供給源6 5 a，質量流控 制器6 5 c ，溫度調整機構7 0 ，壓力計6 5 e ，排氣系 統之可變閥6 5 d。配管6 4 b，6 5 b係以例如不銹鋼 或因科鎳合金等之鎳合金所製成。 再者，替代從氣體供給源6 4 a，6 5 a所供給之作 爲熱交換氣體之氦氣而使用包含有處理氣體之混合氣體或 氬氣，氮氣，二氧化碳等亦可。又作爲可引起收熱反應之 氣體，亦可使用例如由（氮氣+氫氣）所形成之之混合氣 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4说格（2IOX2W公釐） 裝 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項名填寫本頁) 16 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作杜印震 五 發明説明（ 14 ) 體 ， 或 由 ( 氮 氣 + Μ 氣 ) 所 形 成 之 之 混 合 氣 體 作 爲 熱 交 換 1 1 氣 體 0 又 作 爲 可 引 起 發 熱 反 應 之 氣 體 > 亦 可 使 用 例 如 由 ( 1 I 氫 氣 + 氧 氣 ) 所 形 成 之 之 混 合 氣 體 ， 或 由 ( 一 氧 化 碳 氣 體 1 I + 氧 氣 ) 所 形 成 之 之 混 合 氣 體 作 爲 熱 交 換 氣 體 0 請 先 閱 1 1 I 如 ran 圖 1 3 所 示 9 感 應 器 6 1 周 綠 部 配 設 有 8 個 之 第 1 讀 背 1 1 開 P 6 7 > 而 該 等 開 Ρ 6 7 係 連 通 於 第 1 氣 體 通 道 6 2 0 之 注 1 I 意 I 又 感 應 器 6 1 之 中 間 部 及 中 央 部 配 設 有 總 計 1 6 個 之 第 2 事 項 ί 1 1 開 □ 6 8 9 而 該 等 開 □ 6 8 係 連 通 於 第 2 氣 JHti 體 通 道 6 3 〇 填 寫 本 1 裝 8 個 第 1 開 P 6 7 ( 周 緣 部 ) 和 8 個 第 2 開 □ 6 8 ( 中 頁 1 I 間 部 ) 及 8 個 第 2 開 □ 6 8 ( 中 央 部 ) ， 係 排 列 成 同 心 圓 1 I 狀 0 而 第 1 開 P 6 7 係 形 成 於 從 感 應 器 6 1 之 外 周 端 有 1 | 1 1 0 m m 之 位 置 5 第 1 及 第 2 之 開 □ 6 7 ， 6 8 之 直 徑 9 1 訂 最 好 在 於 0 1 2 0 m m 0 又 開 □ 數 愈 多 愈 佳 ， 最 好 1 1 爲 8 2 0 0 個 0 1 1 接 著 5 對 於 製 造 感 應 器 6 1 之 狀 態 加 以 說 明 〇 1 1 黏 貼 溫 度 檢 測 用 片 於 晶 圓 W 表 面 ， 而 載 置 該 晶 圓 W 於 線 I 感 應 器 6 1 上 1 並 以 靜 電 夾 盤 予 以 吸 附 保 持 0 該 溫 度 檢 測 1 I 用 片 > 係 包 含 有 響 應 於 各 溫 度 而 顯 出 顏 色 之 敏 熱 ( 感 熱 ) 1 1 1 色 素 並 予 以 形 成 爲 帶 狀 或 圓 形 狀 等 而 以 觀 察 溫 度 檢 測 1 1 用 片 之 各 部 分 所 呈 現 之 顏 色 來 判 別 晶 圓 W 之 溫 度 分 布 0 將 1 1 進 行 如 此 之 作 業 複 數 次 y 以 掌 握 由 感 應 器 6 1 所 進 行 之 晶 I 1 圓 W 之 冷 卻 狀 況 0 以 如 此 並 對 於 感 應 器 6 1 和 晶 圓 W 之 熱 ! | 交 換 爲 不 佳 之 部 分 1 多 設 開 Ρ 6 7 5 6 8 而 對 於 熱 交 換 1 I 良 好 之 部 分 則 少 設 開 □ 6 7 6 8 〇 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4現格（210X29?公釐）_ 經濟部中央標準局負工消费合作社印裝 A7 _B7_ 五、發明説明（i5 ) 如圖1 4所示，第1溫度調整機構6 9係具備有溫度 調整（用）構件6 9 a，和線圈6 9 b及溫度控制器（未 圖示）。溫度調整用機構6 9 a係由捆了多數支毛細管之 管束所形成，而裝置於配管6 4 b內。線圈6 9 b係纏繞 於配管6 4 b外側，圍繞著溫度調整用構件6 9 a之裝設 區域。溫度控制器係形成藉線圈6 9 b來調整溫度調整用 構件 69a。 當要冷卻氦氣之時，線圈6 9 b係被構成作爲循環冷 媒用之冷卻線圈。而在冷卻線圈6 9 b和配管6 4 b之間 ，介居存在有作爲熱交換媒介之矽油脂。 在溫度調整構件6 9 a，除了使用圖1 4所示之將毛 細管多數支予以捆起來者以外，亦可使用多孔性體。該溫 度調整用構件6 9 a，最好由耐蝕性，耐產生塵埃性（防 止塵埃產生）之材料，例如與配管6 4 b同樣之材料或石 英等所形成。 接著，對於動作加以說明。 將以質量流控制器6 4 c實施流量控制之氦氣供予第 1通道6 2 ，並同時以質量流控制器6 5 c實施流量控制 之氦氣供予第2通道6 3。將該等供給氣體之壓力，以可 變閥6 4d，6 5d及壓力計6 4 e，6 5 e而維持成一 定。藉第1及第2之開口部6 7 ，6 8繼續地供給氣體於 感應器6 1和晶圓W之相互間隙中。到達於第1通道6 2 之氣體，將由第1溫度調整用機構6 9而調整成1 5 °C之 溫度。另一方面，到達第2通道6 3之氣體’將由第2温 本紙伕尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 18 ---------批衣----1--訂·------線 (請先閱讀背面之注意事項i填寫本頁) 經濟部中央梂準局員工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明説明（16 ) 度調整用機構7 0而調整成3 7 °C之溫度。並以經由第1 開口 6 7及第2開口 6 8所供給之氣體來設定晶圓W之整 面能形成約5 °C之溫度。 以載置監控板（mcnitar wafer) MW於感應器6 1 上之狀態下，從第1氣體供給機構6 4供一定流量之氣體 給予第1氣體通道6 2。並同時亦從第2氣體供給機構 6 5供一定流量之氣體給予第2氣體通道6 3。 當監控板MW無法被均匀地冷卻時，將監控板MW之 溫度分布以紅外線察覺器予以實施監控之同時，並由質量 流控制器6 4 c，6 5 c予以個別調整氣體流量，或由第 1及第2之溫度調整用機構6 9 ，7 0來調整氣體溫度， 以探測可使監控板M W整面之溫度形成約5 °C之氣體流量 或溫度。 與監控板M W之溫度在高溫部分和低溫部分之溫度差 極爲大之時，就實施由可變閥6 4 d或6 5 d來提高氣體 壓力以加大熱交換率，或使用氛氣等之洽（enthalpy)爲 大之惰性氣體來增進熱輸送能力，或由第1及第2之溫度 調整用機構6 9 ，7 0來調整氣體溫度之其中之一，使之 能在短時間內來使監控板M W整面之溫度加以定水平。 又將監控板MW整面形成均勻溫度之當時之氣體流量 及調整氣體溫度之條件，設定登記於未圖示之控制裝置之 記憶裝置。 當要進行蝕刻處理時，對於處理室內以例如2 0 0 SCCM之流量來供給三氟乙烷（CHF3 )和一氧化碳 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210x^97]公釐）_ _ ' I I —裝 I — I 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項，-f.填寫本頁) 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印製 A7 ___B7 五、發明説明（17 ) (C0)之混合氣體（混合比爲CHF3 /C0=4 5/ 1 5 5 )，並將蝕刻氣體之氣壓設定成例如4 X 1 Ο _2τ-orr之眞空度。接著，以14 5 OW施加13. 5 6 MHz之高頻電壓於感應器61 ，而藉蝕刻氣體在感應器 6 1和上部電極5 3之間使之產生放電，以產生電漿。主 要將由電漿中之反應性離子而使晶圓W被實施各向異性之 蝕刻。晶圓W雖接受電漿輻射熱而欲上高溫度，惟由感應 器6 1所冷卻著，以致晶圓W之溫度上昇將被抑制。 依據上述之第2實施例，對於溫度較5 °C高之晶圓W 周緣部，供給大流量之氣體來提高背壓，以使該部分之溫 度下降到5 °C。另一方面，對於較5 °C爲低之晶圓W中央 部及中間部，則以小流量來供給氣體，以使氣體背壓下降 而提昇該部分之溫度至5 °C爲止。以如此將可使晶圓W整 面之溫度定水準於5 Ό。 又在本第2實施例，有時看情況，以第1及第2之溫 度調整用機構6 9 ，7 0來調整供給氣體之溫度，以定晶 圓W整面之溫度於5 °C水平。 接著，將參照圖1 5來對於第3實施例加以說明。對 於與上述第1及第2之實施例有公同之部分的說明，將予 以省略其說明。 此第3實施例之蝕刻裝置，係構成藉開口於感應器 8 1上面周綠部之通道8 2來供給氣體，並將該供給氣體 藉開口於感應器8 1上面之中央部及中間部之通道8 3來 加以排氣。供給通道8 2係連通於氣體供給機構8 4之氣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-20 ----------种衣------1T------^ (請先閱讀背面之注意事項丨填寫本頁) 經濟部中央樣準局員工消费合作社印裝 A7 _ _B7 五、發明説明（18 ) 體供給源8 4 a，而排氣通道8 3係連通於氣體排氣機構 8 5之氣體排氣裝置8 5 a。 氣體排氣機構具備控制裝置9 0。控制裝置9 0之輸 入部，以配線來連接著壓力計8 5 e，而控制裝置9 0之 輸出部，將可變閥8 4 d，8 5 d及質量流控制器8 4 c ，個別以配線予以連接著。 接著，對於第3實施例裝置之動作加以說明。 首先，以溫度調整用機構8 9調整供給氣體之溫度， 並用監控板MW進行溫度設定。從氣體排氣機構8 4供一 定流量之氣體給予通道8 2，而從複數之開口 8 7供氣體 給予監控板M W背面側。與此同時藉排氣開口 8 8予以排 氣。由而形成從周緣區域朝向中央區域之氣流。將背面氣 體之背壓以壓力計8 5 d來檢測，且傳遞其檢測信號至控 制裝置9 0 ，以控制質量流控制器8 4 c來使之形成最適 宜之氣體流量。而以如此被調整流量之氣體來調整監控板 MW之溫度。又對應於所需可將可變閥8 4 d，8 5 d之 打開度加以調整來調整氣體背壓。將此時之氣體溫度等予 以設定登記於控制裝置9 Q之記憶裝置。以如此地令監控 板MW整面之溫度略成均匀之後，方開始本來之蝕刻處理 〇 依照本實施例，監控板MW即使具有溫度分布之狀況 ，亦由熱交換氣體來積極地調整監控板MW之溫度’故可 使其整面之溫度定成水平。 又使背面氣體之壓力構成以排氣側之壓力計8 5 e來 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) Λ4规格（210X 297公釐） ---------裝----！訂------線 (請先閣讀背面之注意事項-?%寫本頁) A7 B7 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 五 發明説明（19 ) 1 | 檢 測 而 予 以 監 控 9 因 此 較 壓 力 計 配 設 於 氣 體 供 給 側 之 時 1 1 J 更 能 正 確 地 檢 測 監 控 板 Μ W 和 感 應 器 8 1 之 間 隙 的 內 壓 1 I 力 0 /-~V 1 I 接 著 9 將 參 照 圖 1 6 來 說 明 有 關 第 4 實 施 例 之 裝 置 〇 請 先 閱 1 I 於 此 第 4 實 施 例 9 與 上 述 第 1 至 第 3 之 實 施 例 有 公 共 之 部 讀 背 1¾ 1 1 1 分 > 將 予 以 省 略 說 明 0 1 I 意 1 I 此 第 4 實 施 例 之 裝 置 5 係 具 備 1 2 吋 直 徑 晶 圓 W 用 之 事 項 1 1 感 應 器 1 0 1 0 感 應 器 1 0 1 因 大 面 積 而 具 備 多 數 之 上 部 填 寫 本 1 裝 開 P 1 1 6 5 1 2 6 9 1 3 6 0 上 部 開 □ 1 1 6 係 形 成 於 頁 1 I 感 應 器 1 0 1 周 緣 部 上 部 開 Ρ 1 2 6 係 形 成 於 感 應 器 1 I 1 0 1 之 中 央 部 而 上 部 開 □ 1 3 6 係 形 成 於 感 應 器 1 0 1 1 I 1 之 中 間 部 0 第 1 群 之 開 Ρ 1 1 6 係 藉 內 部 通 道 1 1 3 連 1 訂 通 於 第 1 之 氣 體 供 給 排 氣 裝 置 1 1 0 第 2 群 之 開 □ 1 1 1 2 6 係 藉 內 部 通 道 1 2 3 連 通 於 第 2 之 氣 體 供 給 排 氣 裝 1 1 置 1 2 0 9 而 第 3 群 之 開 □ 1 3 6 係 藉 內 部 通 道 1 3 3 連 1 I 通 於 第 3 之 氣 體 供 給 排 氣 裝 置 1 3 0 〇 該 等 3 個 系 統 之 氣 線 I 體 供 給 排 氣 裝 置 1 1 0 5 1 2 0 1 3 0 係 與 上 述 之 第 2 1 1 I 實 施 例 者 爲 相 同 者 0 I 1 依 據 上 述 之 第 4 實 施 例 之 裝 置 因 可 對 3 個 系 統 之 氣 1 1 體 供 給 排 氣 裝 置 1 1 0 > 1 2 0 1 3 0 予 以 個 別 獨 立 地 1 1 來 控 制 5 以 在 每 各 區 域 能 實 施 極 精 細 之 熱 交 換 氣 體 背 壓 之 1 I 控 制 ， 因 此 9 即 使 爲 如 1 2 吋 直 徑 晶 圓 W 之 大 面 積 者 亦 1 I 可 實 施 溫 度 控 制 成 溫 度 差 極 小 之 溫 度 分 布 y 而 可 實 現 具 有 1 I 優 異 於 垂 直 特 性 之 側 壁 之 各 向 異 性 蝕 刻 0 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標羋（CNS)A4規格（2丨OX297公釐）_ 99 之 間 器 應 感 和 圓 晶 在 而 刻 蝕 性 異 向 各 J 施 明實 說示 單顯 簡係 之 1 式圖 圖 之 間 器 應 感 和 〇 圓 圖晶 面在 剖而 向刻 縱蝕 的性 孔異 觸向 接各 之施 時實 之示 大_顯 爲係 極 2 差圖 度 溫 A7 B7 五、發明説明（2〇 ) 於上述實施例，雖以蝕刻裝置爲實例來加以說明，惟 本發明之處理裝置並非僅限制於蝕刻裝置而已，同樣亦可 適用於其他之電漿CVD裝置，電漿灰化裝置等。 溫度差有相當大之時之接觸孔的縱向剖面圖。 圖3係顯示實施各向異性蝕刻而在晶圓和感應器間之 溫度差極爲小時之接觸孔的縱向剖面圖。 圖4係顯示以先前之裝置來冷卻半導體晶圓時之晶圓 各部分溫度的溫度分布圖。 圖5係以比較例子之裝置來冷卻半導體晶圓時之晶圓 各部分溫度的溫度分布圖。 圖6係顯示有關本發明第1實施例之電漿處理裝置之 整體的剖面透視圖。 圖7係顯示感應器（下部電極）從上方觀看之平面圖 〇 圖8 A及圖8 B係顯示個別放大感應器一部分之剖面 圖0 圖9係實施晶圓蝕刻處理時之流程圖。 圖1 〇係顯示以實施例之裝置來冷卻半導體晶圓時之 晶圓各部分溫度之溫度分布圖。 本紙張尺度適用中國國家橾芈（CNS ) Λ4規格（2I0X297公釐） ---------f------|,訂------0 (請先閱讀背面之注意事項4填寫本頁) 經濟部中央梂準局員工消费合作社印製 23 A7 B7 五、發明説明（21 ) 圖1 1係顯示以實施例之裝置來冷卻半導體晶圓時之 晶圓各部分溫度之溫度分布圖。 圖1 2係顯示第2實施例之感應器及背面氣體供給系 統之概要的剖面圖。 圖1 3係顯示第2實施例之感應器從上方觀看之平面 圖0 圖1 4係形成爲溫度調整用機構之一部分的配管之分 解斜視圖。 圖15係顯示第3實施例之感應器及背面氣體供給系 統之概要的剖面圖。 圖1 6係顯示第4實施例之感應器及背面氣體供給系 統之概要的剖面圖。 I I I - I 訂 II 線 (請先閱讀背面之注意事項4.填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 遗 度 尺 一張 紙 一本 j準 ί棟 I家 I國 國 i雜 一釐 ί公 7 9 2

Claims (1)

1. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 294819 cl ___D8 六、申請專利範圍 1 .—種電漿處理裝置，係在電漿產生中，使用熱交 換氣體來增進由感應器所賦與被處理基板之冷卻效率的電 漿處理裝置，其特徵爲具備有： 第1通道，開口於感應器上面之周緣部： 第1氣體供給機構，藉該第1通道來供熱交換氣體給 予形成在感應器和被處理基板之間的微小間隙用： 第1排氣機構，藉第1通道來予以排氣形成在感應器 和被處理基板之間的微小間隙內用； 第2通道，開口於感應器上面之中央部； 第2氣體供給機構，藉該第2通道來供熱交換氣體給 予形成在感應器和被處理基板之間的微小間隙用； 第2排氣機構，藉第2通道來予以排氣形成在感應器 和被處理基板之間的微小間隙內用：及 控制機構，個別予以控制第1及第2之氣體供給機構 以及第1及第2之排氣機構，以令由第2氣體供給機構及 第2排氣機構所產生於第2通道內之背壓形成較由第1氣 體供給機構及第1排氣機構所產生於第1通道內之背壓更 低。 2.如申請專利範圍第1項所述之電漿處理裝置，其 中，更具備有予以記憶使用仿眞晶圓（監控板）來求出溫 度和背壓之相互關係之資料的記憶機構， 而控制機構係依據從記憶機構所呼叫之資料來控制第 2氣體供給機構及第2排氣機構使之動作，以改變第2通 道內之背壓。 本紙張尺度適用中阀國家標率（CNS > Λ4現格（210X297公缝） I I I I 裝 I I I . 訂 線 (請先閱讀背面之注意事承，〃填寫本頁) 25 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印^ 六、 申請專利範 圍 1 I 3 如 丰 請 專 利 範 圍 第 1 項 所 述 之 電 漿 處 理 裝 置 9 其 1 1 中 ，更 具 有 檢 測 感 應 器 溫 度 用 之 溫 度 察 覺 器 9 而 控 制 機 構 1 1 係 依據 檢 測 溫 度 來 控 制 第 2 氣 體 供 給 機 構 及 第 2 排 氣 機 構 1 請 1 9 以改 變 第 2 通 道 內 之 背 壓 〇 先 聞 1 | 4 如 丰 請 專 利 範 圍 第 2 項 所 述 之 電 漿 處 理 裝 置 9 其 讀 背 1¾ 1 1 I 中 ，控 制 機 構 9 將 控 制 導 入 於 周 緣 TSF 域 之 熱 交 換 氣 體 之 背 之 注 意 I 1 I 壓 ，形 成 5 3 0 To r r ( 托 ) 範 圍 內 之 — 定 値 並 使 導 入 事 項 1 1 於 中央 T5S* 域 之 熱 交 換 氣 Μ必 體 之 背 壓 予 以 變 動 於 5 1 2 5 寫 本 1 裝 | To r r之 範 圍 內 0 頁 、_·〆 1 1 5 如 丰 請 專 利 範 圍 第 3項所述之電漿處理裝置， 其 1 | 中 ，控 制 機 構 ，將控制導入於周緣區域之熱交換氣體之背 1 1 壓 ，形 成 5 3 0 To r r ( 托 ) 範 圍 內 之 一 定 値 5 並 使 導 入 1 訂 1 於 中央 區 域 之 熱 交 換 氣 體 之 背 壓 予 以 變 動 於 5 1 2 5 1 1 To r r之 範 圍 內 0 1 1 6 如 串 請 專 利 範 圍 第 1 項 所 述 之 電 漿 處 理 裝 置 J 其 1 1 中 ，第 1 及 第 2 之 通 道 係 在 感 應 器 且 在 複 數 處 形 成 開 P 5 線 | 並 第1 開 □ 群 和 第 2 開 □ 群 排 列 成 同 心 圓 狀 於 感 應 器 上 面 1 1 I 7 如 串 請 專 利 範 圍 第 6 項 所 述 之 電 漿 處 理 裝 置 9 其 1 1 1 中 ，將 排 列 成 同 心 圓 狀 之 複 數 之 溝 形 成 於 感 應 器 上 面 之 周 1 1 緣 部， 並 在 該 等 溝 之 底 部 配 設 有 前 述 之 第 1 開 □ 0 1 1 8 如 串 請 專 利 範 圍 第 6 項 所 述 之 電 漿 處 理 裝 置 其 1 I 中 ，第 1 開 □ 群 和 第 2 開 □ 群 之 相 互 間 之 »· m. M. 爲 5 0 m m 1 I 以 內。 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐）_ 經濟部中央標準局員工消費合作杜印¾ A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 9 .如申請專利範圍第1項所述之電漿處理裝置，其 中，更具備有：開口於位在感應器上面周部緣部和中央部 之中間之中間部的第3通道；藉該第3通道供熱交換氣體 給予感應器和被處理基板間所形成之微小間隙之第3氣體 供給機構：及藉第3通道來實施形成於感應器和被處理基 板間之微小間隙內之排氣的第3排氣機構。 1 〇 .如申請專利範圍第1項所述之電漿處理裝置， 其中，從第1及第2之氣體供給機構所供給之熱交換氣體 係同樣組成（成分）。 1 1 .如申請專利範圍第1項所述之電漿處理裝置， 其中，從第1及第2之氣體供給機構所供給之熱交換氣體 係互爲不相同之組成。 1 2 . —種電漿處理裝置，係在電漿產生中，使用熱 交換氣體來增進由感應器所賦與被處理基板之冷卻效率的 電漿處理裝置，其特徵爲具備有： 第1通道，開口於感應器之被處理基板載置面周緣部 氣體供給機構，藉該第1通道來供熱交換氣體給予形 成在感應器和被處理基板之間的微小間隙之用； 第2通道，開口於感應器之被處理基板載置面中央部 » 排氣機構，藉該第2通道來實施形成於感應器和被處 理基板間之微小間隙內之排氣之用：及 排氣機構，將該排氣機構和氣體供給機構予以個別實 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4現格（210X 297公釐） ---------^----1-I.訂------線 (請先閱讀背面之注意事亨，-f..填寫本頁) 27 經濟部中央標準局員工消費合作社印裴 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範園 施動作之控制之用。 1 3.如申請專利範圍第1 2項所述之電漿處理裝置 ，其中，排氣機構具備有，用以檢測藉第2通道來實施排 氣之氣體壓力用之壓力檢測機構。 1 4 . 一種電漿處理方法，主要在電漿產生中，以使 用熱交換氣體來增進由感應器所賦與之被處理基板之冷卻 效率，其特徵爲： 邊予以排氣形成於感應器和被處理基板之間之微小間 隙內，且邊從感應器上面之周緣部開口導入第1熱交換氣 體於前述間隙，並同時亦由感應器上面之中央部開口導入 第2熱交換氣體， 而且令前述第1熱交換氣體之背壓使之形成較前述第 2熱交換氣體之背壓更高。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項所述之電漿處理方法 ，其中，將第1熱交換氣體之背壓設定於5〜3 OTorr之 範圍內之一定値，而第2熱交換氣體之背壓使之變動於5 〜1 2 . 5Torr之範圍內。 1 6 .如申請專利範圍第1 4項所述之電漿處理方法 ，其中，將電漿產生中之感應器之溫度控制成室溫以下。 1 7 .如申請專利範圍第1 4項所述之電漿處理方法 ，其中，設定電漿產生中之感應器於負1 〇°C以下之溫度 區域，而設定被處理基板表面於2 0〜7 0°C之溫度區域 Ο 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） ---------^-------1T------線， (請先閱讀背面之注意事淡4'填寫本頁) 28