JP2015095580A - 基板処理装置及び基板離脱方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板の破損を防止できる基板処理装置を提供すること。【解決手段】チャック電極を有し、基板を静電吸着する静電チャックと、チャック電極に接続され、チャック電極に電圧を印加する直流電圧源と、静電吸着された基板の裏面に供給される伝熱ガスを、伝熱ガス排気配管を介して排気する回転体を有する排気装置と、を有し、排気装置は、電力供給ラインを介して直流電圧源と接続され、排気装置に生じる回生電力を直流電圧源に供給する、基板処理装置が提供される。【選択図】図2
Description
本発明は、基板処理装置及び基板離脱方法に関する。
基板を静電吸着する静電チャックと、静電吸着された基板の裏面に供給される伝熱ガスと、を有する基板処理装置において、静電チャック上に載置された基板を、静電チャックから離脱することが可能な制御方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。
静電チャックには、チャック電極が設けられ、直流電圧源からチャック電極に電圧を印加することで、基板を載置台に静電吸着する。伝熱ガスは、基板全体の温度を均一にするために静電吸着された基板の裏面に供給される。
しかしながら、基板を載置台から離脱させる際、停電等により、直流電圧源に供給される電力が停止した場合、基板の裏面に残存する伝熱ガスの圧力により、静電チャック上に載置された基板が跳ね上がり、破損することがある。
そこで、本発明の一つの案では、基板の破損を防止できる基板処理装置を提供することを課題とする。
一つの案では、チャック電極を有し、基板を静電吸着する静電チャックと、チャック電極に接続され、チャック電極に電圧を印加する直流電圧源と、静電吸着された基板の裏面に供給される伝熱ガスを、伝熱ガス排気配管を介して排気する回転体を有する排気装置と、を有し、排気装置は、電力供給ラインを介して直流電圧源と接続され、排気装置に生じる回生電力を直流電圧源に供給する、基板処理装置が提供される。
一態様によれば、基板の破損を防止できる基板処理装置を提供できる。
以下、本発明の実施形態について添付の図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
(基板処理装置1の全体構成)
先ず、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1の全体構成について、図1を参照しながら説明する。
先ず、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1の全体構成について、図1を参照しながら説明する。
図1に示した基板処理装置1は、反応性イオンエッチング(RIE:Reactive Ion Etching)型の基板処理装置1として構成されている。基板処理装置1は、例えば、アルミニウム又はステンレス鋼等の金属製の円筒型チャンバ(処理容器10)を有しており、処理容器10は接地されている。処理容器10内では、被処理体にエッチング処理等のプラズマ処理が施される。
処理容器10内には、基板としての半導体ウエハ(以下、ウエハWと称呼する)を載置する載置台12が設けられている。載置台12は、例えば、アルミニウムからなり、絶縁性の筒状保持部14を介して処理容器10の底から垂直上方に延びる筒状支持部16に支持されている。筒状保持部14の上面には、載置台12の上面を環状に囲む、例えば、石英からなるフォーカスリング18が配置されている。
処理容器10の内側壁と筒状支持部16の外側壁との間には排気路20が形成されている。排気路20には環状のバッフル板22が取り付けられている。排気路20の底部には排気口24が設けられ、排気管26を介して回転体を有する排気装置28が接続されており、処理容器10内を所定の真空度まで減圧する。
排気装置28は、停電等により、基板処理装置1への電力供給が停止した場合に、排気装置28の回転体の減速時に生じる回転エネルギーを回生電力に変換することにより、基板処理装置1の各部に電力を供給する。排気装置28は、例えば、ターボ分子ポンプ(TMP:Turbo-Molecular Pump)等の回転体を有するものを用いることができる。
排気管26には、圧力調整バルブ27が設けられており、処理容器10内を真空引きしながら所定の圧力に維持できるようになっている。
具体的には、圧力調整装置92は、処理容器10内に設けられた圧力センサ91(後述の図4参照)によってモニタされた圧力の値を取得する。圧力調整装置92は、取得した圧力の値を自動演算して、圧力調整バルブ27を可変させることにより、処理容器10内の圧力を所定の値に維持する。
圧力調整バルブ27は、例えば、ゲートバルブ、バタフライバルブ等を用いることができる。圧力センサ91は、例えば、キャパシタンスマノメータ等を用いることができる。圧力調整装置92は、例えば、自動圧力制御装置(APC:Auto Pressure Controller)等を用いることができる。
処理容器10の側壁には、ウエハWの搬入時又は搬出時に開閉するゲートバルブ30が取り付けられている。
載置台12には、給電棒36及び整合器34を介してプラズマ生成用の高周波電源32が接続されている。高周波電源32は、例えば、60MHzの高周波電力を載置台12に供給する。このようにして載置台12は下部電極としても機能する。
処理容器10の天井部には、シャワーヘッド38が接地電位の上部電極として設けられている。高周波電源32からのプラズマ生成用の高周波電力は載置台12とシャワーヘッド38との間に容量的に供給される。
載置台12の上面には、ウエハWを静電吸着力で保持するための静電チャック40が設けられている。静電チャック40は導電膜からなるシート状のチャック電極40aを一対の誘電部材である誘電層部40b,40cの間に挟み込んだものである。
直流電圧源42は、スイッチ43を介してチャック電極40aに接続されている。静電チャック40は、直流電圧源42から電圧をオンされることにより、クーロン力でウエハWをチャック上に吸着保持する。
また、チャック電極40aへの電圧をオフする場合にはスイッチ43によって接地部44へ接続された状態となっている。以下、チャック電極40aへの電圧のオフはチャック電極40aが接地された状態を意味する。
また、直流電圧源42には、電力供給ライン45を介して排気装置28が接続されており、排気装置28に生じる回生電力が供給される。
伝熱ガス供給源52は、HeガスやArガス等の伝熱ガスをガス供給ライン53に通して静電チャック40上のウエハWの裏面に供給する。ガス供給ライン53は、排気ガスバルブ55が配設された伝熱ガス排気配管54を介して排気装置28に接続されている。排気装置28は、ガス供給ライン53及び伝熱ガス排気配管54を介してウエハWの裏面に供給される伝熱ガスを排気する。
天井部のシャワーヘッド38は、多数のガス通気孔56aを有する電極板56と、この電極板56を着脱可能に支持する電極支持体58とを有する。電極支持体58の内部にはバッファ室60が設けられている。バッファ室60のガス導入口60aにはガス供給配管64を介してガス供給源62が連結されている。係る構成により、シャワーヘッド38から処理容器10内に所望のガスが供給される。
載置台12の内部には、外部の図示しない搬送アームとの間でウエハWの受け渡しを行うためにウエハWを昇降させる支持ピン81が複数(例えば3本)設けられている。複数の支持ピン81は、連結部材82を介して伝えられるモータ84の動力により上下動する。処理容器10の外部へ向けて貫通する支持ピン81の貫通孔には底部ベローズ83が設けられ、処理容器10内の真空側と大気側との間の気密を保持する。
処理容器10の周囲には、環状又は同心状に延在する磁石66が上下2段に配置されている。処理容器10内において、シャワーヘッド38と載置台12との間のプラズマ生成空間には、高周波電源32により鉛直方向のRF電界が形成され、高周波の放電により、載置台12の表面近傍に高密度のプラズマが生成される。
載置台12の内部には冷媒管70が設けられている。この冷媒管70には、配管72、73を介してチラーユニット71から所定温度の冷媒が循環供給される。また、静電チャック40の内部にはヒータ75が埋設されている。ヒータ75には図示しない交流電源から所望の交流電圧がオンされる。
係る構成により、チラーユニット71による冷却とヒータ75による加熱によって静電チャック40上のウエハWの処理温度は所望の温度に調整される。
制御装置100は、基板処理装置1に取り付けられた各部、例えば、ガス供給源62、排気装置28、ヒータ75、直流電圧源42、スイッチ43、整合器34、高周波電源32、伝熱ガス供給源52、モータ84、チラーユニット71、圧力センサ91及び圧力調整装置92を制御する。また、制御装置100は、図示しないホストコンピュータ等とも接続されている。
制御装置100は、図示しないCPU(Central Processing Unit)、ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)を有し、CPUはこれらの記憶領域に格納された各種レシピに従ってプラズマ処理を実行する。レシピにはプロセス条件に対する装置の制御情報であるプロセス時間、処理室内温度(上部電極温度、処理室の側壁温度、ESC温度等)、圧力(ガスの排気)、高周波電力や電圧、各種プロセスガス流量、伝熱ガス流量等が記載されている。
係る構成の基板処理装置1において、エッチングを行なうには、先ず、ゲートバルブ30を開口して搬送アーム上に保持されたウエハWを処理容器10内に搬入する。次に、静電チャック40の表面から突出した支持ピン81により搬送アームからウエハWが持ち上げられ、支持ピン81上にウエハWが保持される。次いで、その搬送アームが処理容器10外へ出た後に、支持ピン81が静電チャック40内に下ろされることでウエハWが静電チャック40上に載置される。
ウエハW搬入後、ゲートバルブ30が閉じられ、ガス供給源62からエッチングガスを所定の流量で処理容器10内に導入し、排気装置28により処理容器10内の圧力を設定値に減圧する。さらに、高周波電源32から所定のパワーの高周波電力を載置台12に供給する。
また、直流電圧源42から電圧を静電チャック40のチャック電極40aにオンして、ウエハWを静電チャック40上に固定する。また、静電吸着されたウエハWの裏面に伝熱ガスを供給する。
シャワーヘッド38からシャワー状に導入されたエッチングガスは、高周波電源32からの高周波電力によりプラズマ化され、これにより、上部電極(シャワーヘッド38)と下部電極(載置台12)との間のプラズマ生成空間にてプラズマが生成される。生成されたプラズマ中のラジカルやイオンによってウエハWの主面がエッチングされる。
プラズマエッチング終了後、静電チャック40からウエハWを離脱させる際には、伝熱ガスの供給をオフし、不活性ガスを処理室内へ導入し処理室内を圧力センサ91及び圧力調整装置92を用いて所定の圧力に維持する。この状態で、プラズマ処理中にチャック電極40aへオンしていた電圧とは正負が逆の電圧を、チャック電極40aへオンした後に電圧をオフする。この処理により静電チャック40及びウエハWに存在する電荷を除電する除電処理が行われる。
その状態で、支持ピン81を上昇させてウエハWを静電チャック40から持ち上げ、ウエハWを静電チャック40から離脱させる。ゲートバルブ30を開口して搬送アームが処理室内10内に搬入された後、支持ピン81が下げられウエハWが搬送アーム上に保持される。次いで、その搬送アームが処理容器10外へ出て、次のウエハWが搬送アームにより処理室内10へ搬入される。この処理を繰り返すことで連続してウエハWが処理される。
以上、本実施形態に係る基板処理装置1の全体構成について説明した。次に、停電等により、基板処理装置1への電力供給が停止した場合の基板処理装置1による基板離脱方法について、図2〜6を参照しながら説明する。
(基板処理装置1の動作)
<第1実施形態>
図2に、第1実施形態に係る基板処理装置1の概略図を示す。図3に、第1実施形態に係る基板離脱方法を実行するためのフローチャートを示す。
<第1実施形態>
図2に、第1実施形態に係る基板処理装置1の概略図を示す。図3に、第1実施形態に係る基板離脱方法を実行するためのフローチャートを示す。
図3に示すように、第1実施形態に係る基板離脱方法は、排気装置28により排気可能な処理容器10内で、チャック電極40aを有し、基板を静電吸着する静電チャック40から基板を離脱させる。基板離脱方法は、排気装置28に生じる回生電力を直流電圧源42に供給することによりチャック電極40aに電圧を印加する工程(S1)と、静電吸着された基板の裏面に供給される伝熱ガスを、伝熱ガス排気配管54を介して排気装置28により排気する工程(S2)と、を含む。
各々の工程について、詳細に説明する。
例えば、停電等により、基板処理装置1への電力供給が停止(一次電源11が停止)すると、一次電源11から供給される電力で駆動している伝熱ガス供給源52は閉止され、直流電圧源42は停止する。また、排気装置28は、回転体の回転を減速させながら停止する。
[S1]
このとき、排気装置28は、減速時に生じる回転体の回転エネルギーを回生電力に変換し、電力供給ライン45を介して直流電圧源42に回生電力を供給する。直流電圧源42は、排気装置28により供給された回生電力を使用して、チャック電極40aに電圧を印加する。
このとき、排気装置28は、減速時に生じる回転体の回転エネルギーを回生電力に変換し、電力供給ライン45を介して直流電圧源42に回生電力を供給する。直流電圧源42は、排気装置28により供給された回生電力を使用して、チャック電極40aに電圧を印加する。
これにより、静電チャック40に載置されているウエハWは、静電チャック40に吸着した状態を維持する。
[S2]
次に、排気装置28は、回生電力を伝熱ガス排気配管54に配設された排気ガスバルブ55に供給することにより、排気ガスバルブを閉状態から開状態にする。これにより、排気装置28は、静電吸着されたウエハWの裏面に供給される伝熱ガスを、伝熱ガス排気配管54を介して排気する。
次に、排気装置28は、回生電力を伝熱ガス排気配管54に配設された排気ガスバルブ55に供給することにより、排気ガスバルブを閉状態から開状態にする。これにより、排気装置28は、静電吸着されたウエハWの裏面に供給される伝熱ガスを、伝熱ガス排気配管54を介して排気する。
なお、排気ガスバルブ55を開状態にすることにより、伝熱ガスを排気装置28により排気する形態を説明したが、これに限定されない。例えば、圧力調整機能を有する排気ガスバルブ55を用いて、排気ガスバルブ55を調整することにより、伝熱ガスを排気装置28により排気しても良い。
次に、第1実施形態に係る基板処理装置1を用いた基板離脱方法の効果について、静電チャック40の動作と共に説明する。
静電チャック40は、導電膜からなるシート状のチャック電極40aの表裏を誘電部材にて挟んだ構成を有する。基板処理においては、直流電圧源42からチャック電極40aに電圧をオンすることにより生じるクーロン力によって、基板を静電チャックに吸着させて基板処理を行う。その際には、静電吸着された基板の裏面に基板全体の温度を均一にするための伝熱ガスが供給されている。
また、基板処理後には、伝熱ガスの供給を停止し、所定の時間経過後に、チャック電極40aへの電圧をオフにする。
しかしながら、停電等により直流電圧源42に供給される電力が停止した場合、伝熱ガスの供給停止とチャック電極40aへの電圧オフがほとんど同じタイミングで生じることになる。
このとき、ガス供給ライン53には伝熱ガスが残存しており、(静電チャック40による基板の吸着力)<(基板の裏面に残存する伝熱ガスの圧力)となることにより、基板が静電チャック40から跳ね上がり、破損することがある。すなわち、基板の裏面に残存する伝熱ガスの圧力により、基板が静電チャック40から跳ね上がり、破損することがある。
一方、第1実施形態に係る基板離脱方法においては、停電等により直流電圧源42に供給される電力が停止した場合、排気装置28に生じる回生電力を直流電圧源42に供給することによりチャック電極40aに電圧を印加する状態を継続できる。これにより、(静電チャック40による基板の吸着力)>(基板の裏面に残存する伝熱ガスの圧力)となるため、基板の裏面に残存する伝熱ガスの圧力により、基板が跳ね上がることがない。
また、静電吸着された基板の裏面に供給される伝熱ガスを、伝熱ガス排気配管54を介して排気装置28により排気するため、基板の裏面に残存する伝熱ガスの圧力を強制的に下げることができる。
以上に説明したように、第1実施形態に係る基板離脱方法によれば、停電等により直流電圧源42に供給される電力が停止した場合でも、基板の裏面に残存する伝熱ガスの圧力により、基板(ウエハW)が跳ね上がり、破損することを防止できる。
また、熱として排気されていた排気装置28の回転体の回転エネルギーを回生電力として再利用しているため、無停電電源装置(UPS:Uninterruptible Power Supply)等を用いて外部から電力供給する必要が無い。
なお、この基板離脱方法は一例であり、各工程(S1とS2)の順序を変更することも可能である。
また、一次電源11から供給される電力が停止したことを受けて、第1実施形態に係る基板離脱方法による動作が実行される形態を説明したが、これに限定されない。
例えば、基板処理装置1は、排気装置28に生じる回生電力の供給を受けて動作可能な制御装置100を有し、制御装置100からの信号により上述の基板離脱方法による動作を制御しても良い。
<第2実施形態>
図4に、第2実施形態に係る基板処理装置1の概略図を示す。図5に、第2実施形態に係る基板離脱方法を実行するためのフローチャートを示す。
図4に、第2実施形態に係る基板処理装置1の概略図を示す。図5に、第2実施形態に係る基板離脱方法を実行するためのフローチャートを示す。
図5に示すように、第2実施形態に係る基板離脱方法は、第1実施形態で説明した工程S1及びS2に加えて、処理容器10内に不活性ガスを供給し、処理容器10を所定の圧力に維持する工程(S3)と、S1でチャック電極40aに印加した電圧と正負が逆の電圧をチャック電極40aに印加することにより基板の除電処理を行う工程(S4)と、チャック電極40aに印加されている電圧をオフする工程(S5)と、基板を支持ピン81で静電チャック40から離脱させる工程(S6)と、を含む。
図6は、停電等により、基板処理装置1への電力供給が停止(一次電源11が停止)した場合の第2実施形態に係る基板処理装置1の各部の動作タイミングの一例を示すタイミングチャートである。
図6において、(A)は排気装置28の回転体回転数であり、(B)は排気装置28から直流電圧源42に供給される電力であり、(C)はチャック電極40aに印加される電圧であり、(D)は排気ガスバルブ55の開閉状態であり、(E)はガス供給バルブ65の開閉状態であり、(F)は処理容器10内の圧力であり、(G)は支持ピン81の上昇又は下降のいずれかの状態を示すものである。
以下、図4〜6を参照しながら、各々の工程について、詳細に説明する。
第1実施形態の場合と同様に、停電等により、基板処理装置1への電力供給が停止(一次電源11が停止)すると、一次電源11から供給される電力で駆動している伝熱ガス供給源52は閉止され、直流電圧源42は停止する。また、排気装置28は、回転体の回転を減速させながら停止する(図6(A))。
[S1]
このとき、排気装置28は、減速時に生じる回転体の回転エネルギーを回生電力に変換し、電力供給ライン45を介して直流電圧源42に回生電力を供給する(図6(B))。直流電圧源42は、排気装置28により供給された回生電力を使用して、チャック電極40aへの電圧の印加を継続する(図6(C))。
このとき、排気装置28は、減速時に生じる回転体の回転エネルギーを回生電力に変換し、電力供給ライン45を介して直流電圧源42に回生電力を供給する(図6(B))。直流電圧源42は、排気装置28により供給された回生電力を使用して、チャック電極40aへの電圧の印加を継続する(図6(C))。
これにより、静電チャック40に載置されているウエハWは、静電チャック40に吸着した状態を維持する。
[S2]
次に、排気装置28は、回生電力を伝熱ガス排気配管54に配設された排気ガスバルブ55に供給することにより、排気ガスバルブ55を開状態にする(図6(D))。これにより、排気装置28は、静電吸着されたウエハWの裏面に供給される伝熱ガスを、伝熱ガス排気配管54を介して排気する。
次に、排気装置28は、回生電力を伝熱ガス排気配管54に配設された排気ガスバルブ55に供給することにより、排気ガスバルブ55を開状態にする(図6(D))。これにより、排気装置28は、静電吸着されたウエハWの裏面に供給される伝熱ガスを、伝熱ガス排気配管54を介して排気する。
なお、排気ガスバルブ55を開状態にすることにより、伝熱ガスを排気装置28により排気する形態を説明したが、これに限定されない。例えば、圧力調整機能を有する排気ガスバルブ55を用いて、排気ガスバルブ55を調整することにより、伝熱ガスを排気装置28により排気しても良い。
[S3]
次に、排気装置28は、回生電力をガス供給バルブ65に供給することにより、ガス供給バルブ65を開状態にする(図6(E))。ガス供給源62は、ガス供給バルブ65が配設されたガス供給配管64を介して、例えば、アルゴン(Ar)、窒素(N2)等の不活性ガスを処理容器10内に導入する。
次に、排気装置28は、回生電力をガス供給バルブ65に供給することにより、ガス供給バルブ65を開状態にする(図6(E))。ガス供給源62は、ガス供給バルブ65が配設されたガス供給配管64を介して、例えば、アルゴン(Ar)、窒素(N2)等の不活性ガスを処理容器10内に導入する。
また、排気装置28は、回生電力を圧力センサ91及び圧力調整装置92に供給する。圧力調整装置92は、処理容器10内に設けられた圧力センサ91によってモニタされた圧力の値を取得する。圧力調整装置92は、取得した圧力の値を自動演算して、圧力調整バルブ27を可変させることにより、処理容器10内の圧力を所定の値に維持する(図6(F))。
なお、処理容器10内の圧力は、100mTorr〜400mTorrであることが好ましく、200mTorr〜300mTorrであることが更に好ましい。これにより、後述する次工程(S4)での除電処理の効果が大きくなる。
[S4]
次に、排気装置28は、回生電力を制御装置100に供給する。処理容器10内が所定の圧力になった後、制御装置100は、S1でチャック電極40aに印加した電圧と正負が逆の電圧をチャック電極40aに印加するように、直流電圧源42を制御する(図6(C))。これにより、静電チャック40及びウエハWに蓄積されている電荷が除去され、静電チャック40からウエハWが離脱されやすくなる。
次に、排気装置28は、回生電力を制御装置100に供給する。処理容器10内が所定の圧力になった後、制御装置100は、S1でチャック電極40aに印加した電圧と正負が逆の電圧をチャック電極40aに印加するように、直流電圧源42を制御する(図6(C))。これにより、静電チャック40及びウエハWに蓄積されている電荷が除去され、静電チャック40からウエハWが離脱されやすくなる。
[S5]
次に、制御装置100は、スイッチ43をオフにし、チャック電極40aに印加されている電圧をオフする(図6(C))。
次に、制御装置100は、スイッチ43をオフにし、チャック電極40aに印加されている電圧をオフする(図6(C))。
[S6]
次に、排気装置28は、回生電力をモータ84に供給する。制御装置100は、支持ピン81を上昇させるようにモータ84を駆動させる(図6(G))。これにより、ウエハWは、静電チャック40から持ち上げられ、静電チャック40から離脱する。
次に、排気装置28は、回生電力をモータ84に供給する。制御装置100は、支持ピン81を上昇させるようにモータ84を駆動させる(図6(G))。これにより、ウエハWは、静電チャック40から持ち上げられ、静電チャック40から離脱する。
以上に説明したように、第2実施形態に係る基板離脱方法によれば、停電等により、直流電圧源42に供給される電力が停止した場合でも、基板の裏面に残存する伝熱ガスの圧力により、基板が跳ね上がり、破損することを防止できる。また、熱として排気されていた排気装置28の回転体の回転エネルギーを回生電力として再利用しているため、UPS等を用いて外部から電力供給する必要が無い。
更に、第2実施形態に係る基板離脱方法によれば、基板の除電処理及び基板の離脱までを自動処理によって行われるため、装置復旧時に必要となる手動操作を簡略化することができる。
なお、この基板離脱方法は一例であり、S1とS2との順序を変更することも可能である。
<第3実施形態>
図7に、第3実施形態に係る基板処理装置1の概略図を示す。
図7に、第3実施形態に係る基板処理装置1の概略図を示す。
図7に示すように、第3実施形態に係る基板処理装置1は、第1実施形態で説明した基板処理装置1の構成に加えて、蓄電池ユニット29を有する点で第1実施形態と異なる。
蓄電池ユニット29は、一次電源11、排気装置28及び直流電圧源42と接続されており、一次電源11から供給される電力を貯蔵(蓄電)し、必要に応じて放電することで、直流電圧源42に電力を供給する。
また、停電等により、基板処理装置1への電力供給が停止(一次電源11が停止)した場合、排気装置28に生じる回生電力は、蓄電池ユニット29を介して直流電圧源42に供給される。
蓄電池ユニット29としては、例えば、リチウムイオン電池、鉛蓄電池、NaS蓄電池、ニッケル水素電池等のバッテリを含むUPS等を用いることができる。
第3実施形態における基板離脱方法は、停電等により、基板処理装置1への電力供給が停止(一次電源11が停止)した場合に、直流電圧源42に供給される電力が、排気装置28に生じる回生電力と蓄電池ユニット29に貯蔵されている電力とである点を除いて第1実施形態の場合と同様であるため、説明は省略する。
以上に説明したように、第3実施形態に係る基板離脱方法によれば、停電等により、直流電圧源42に供給される電力が停止した場合でも、基板の裏面に残存する伝熱ガスの圧力により、基板が跳ね上がり、破損することを防止できる。
更に、第3実施形態に係る基板離脱方法によれば、一次電源11から供給される電力を蓄電池ユニット29に安定的に貯蔵することができる。これにより、基板処理装置1への電力供給が停止(一次電源11が停止)した際、排気装置28に生じる回生電力に加えて、蓄電池ユニット29に貯蔵された電力を供給することができるため、より長時間電力供給が可能となる。
なお、第3実施形態では、蓄電池ユニット29は、排気装置28と別に設けられている形態を説明したが、これに限定されず、蓄電池ユニット29は、排気装置28に組み込まれていても良い。
以上、基板処理装置1及び基板離脱方法を実施形態により説明したが、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。
本発明に係る基板処理装置1は、上述した容量結合型プラズマ処理装置に限られず、例えば、真空蒸着装置、スパッタリング装置、CVD(Chemical Vapor Deposition)装置等、回転体を有する排気装置を含む構成であれば良い。
また、本発明において処理される基板は、半導体ウエハに限られず、例えば、フラットパネルディスプレイ(FPD:Flat Panel Display)用の大型基板、EL素子又は太陽電池用の基板であっても良い。
1 基板処理装置
10 処理容器
28 排気装置
40 静電チャック
40a チャック電極
42 直流電圧源
45 電力供給ライン
54 伝熱ガス排気配管
55 排気ガスバルブ
81 支持ピン
W ウエハ
10 処理容器
28 排気装置
40 静電チャック
40a チャック電極
42 直流電圧源
45 電力供給ライン
54 伝熱ガス排気配管
55 排気ガスバルブ
81 支持ピン
W ウエハ
Claims (6)
- チャック電極を有し、基板を静電吸着する静電チャックと、
前記チャック電極に接続され、前記チャック電極に電圧を印加する直流電圧源と、
静電吸着された前記基板の裏面に供給される伝熱ガスを、伝熱ガス排気配管を介して排気する回転体を有する排気装置と、
を有し、
前記排気装置は、電力供給ラインを介して前記直流電圧源と接続され、前記排気装置に生じる回生電力を前記直流電圧源に供給する、
基板処理装置。 - 前記直流電圧源に供給される電力が停止した場合に、
前記排気装置に生じる前記回生電力を前記直流電圧源に供給する、
請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記直流電圧源に供給される電力が停止した場合に、
前記排気装置に生じる前記回生電力を、蓄電池ユニットを介して前記直流電圧源に供給する、請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記伝熱ガス排気配管には排気ガスバルブが配設され、
前記排気ガスバルブを調整することにより前記伝熱ガスを排気する、
請求項2又は3に記載の基板処理装置。 - 前記排気装置は、ターボ分子ポンプを含む、
請求項1乃至4の何れか一項に記載の基板処理装置。 - 回転体を有する排気装置により排気可能な処理容器内で、チャック電極を有し、基板を静電吸着する静電チャックから基板を離脱させるための基板離脱方法であって、
前記排気装置に生じる回生電力を直流電圧源に供給することによりチャック電極に電圧を印加する工程と、
静電吸着された前記基板の裏面に供給される伝熱ガスを、伝熱ガス排気配管を介して前記排気装置により排気する工程と、
を含む基板離脱方法。
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