TW202412107A - 基板處理裝置、排氣系統及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

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日商國際電氣股份有限公司
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Abstract

提供能夠延長設於排氣系統的構件的維護週期的技術。 具備：處理基板的處理室；藉由具備將處理室的氛圍排氣的排氣管；設於前述排氣管，閉塞前述排氣管內的流路的第1閥部；與前述第1閥部在前述排氣管上近接，設於比該第1閥部還下游側，調整流通前述排氣管內的流路的氣體流量的第2閥部；及能夠對形成於前述第1閥部與前述第2閥部之間的排氣管內的流路空間供應預定氣體的氣體供應部。

Description

基板處理裝置、排氣系統及半導體裝置的製造方法
本揭示係有關於基板處理裝置、排氣系統及半導體裝置的製造方法。
作為半導體裝置的製造工程的一工程，進行對處理容器內的基板供應處理氣體，從包含排氣部的排氣系統排氣，處理基板的工程。因進行該工程，會有在處理容器內等附著預定量的副生成物的情形。例如，如同專利文獻1及專利文獻2，有在排氣部附著預定量的副生成物等，在預定的時點進行排氣部的維護的情形。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：特開2019-050246號公報 專利文獻2：特開2021-100047號公報
[發明所欲解決的問題]
本揭示提供能夠延長設於排氣系統的構件的維護週期的技術。 [解決問題的手段]
根據本發明的一態樣，提供一種技術，具備：處理基板的處理室； 將前述處理室的氛圍排氣的排氣管； 設於前述排氣管，閉塞前述排氣管內的流路的第1閥部； 與前述第1閥部在前述排氣管上近接，設於比該第1閥部還下游側，調整流通前述排氣管內的流路的氣體流量的第2閥部；及 能夠對形成於前述第1閥部與前述第2閥部之間的排氣管內的流路空間供應預定氣體的氣體供應部。 [發明的效果]
根據本揭示，能夠延長設於排氣系統的構件的維護週期的技術。
以下，主要參照圖1~5說明關於本揭示的一態樣。此外，以下說明中使用的圖式，都只是示意者，圖式中所示的各要素的尺寸的關係、各要素的比例等，未必與現實一致。又，複數圖式的相互間也一樣，各要素的尺寸的關係、各要素的比例等未必一致。
(1)基板處理裝置的構造 如圖1所示，處理爐202具有作為加熱機構(溫度調整部)的加熱器207。加熱器207為圓筒狀，藉由支持於保持板而垂直安裝。加熱器207，也作為使氣體以熱液進行活性化(激發)的活性化機構(激發部)作用。
在加熱器207的內側，與加熱器207以同心圓狀配設反應管203。反應管203，例如由石英(SiO 2)或碳化矽(SiC)等耐熱性材料構成，形成上端閉塞且下端開口的圓筒狀。在反應管203的下方，與反應管203以同心圓狀配設歧管209。歧管209，例如由不銹鋼(SUS)等金屬材料構成，形成上端及下端開口的圓筒形狀。歧管209的上端部，卡合至反應管203的下端部，支持反應管203。在歧管209與反應管203之間，設置作為密封構件的O型環220a。反應管203與加熱器207一樣垂直安裝。主要藉由反應管203與歧管209構成處理容器(反應容器)。在處理容器的筒中空部形成處理室201。處理室201，能夠收容作為基板的晶圓200。
在處理室201內，噴嘴249a、249b以貫通歧管209的側壁的方式設置。在噴嘴249a、249b分別連接氣體供應管232a、232b。
於氣體供應管232a、232c，從上游側依序分別設置流量控制器(流量控制部)即質量流量控制器(MFC) 241a、241b及開關閥即閥門243a、243b。在比氣體供應管232a、232b的閥門243a、243b還下游側，分別連接氣體供應管232c、232d。在氣體供應管232c、232d，從上游側依序分別設置MFC241c、241d及閥門243c、243d。
如圖2所示，噴嘴249a、249b以分別在於反應管203的內壁與晶圓200之間的平面視中圓環狀的空間，從反應管203的內壁的下部沿著上部，向晶圓200的積載方向上方向立起的方式設置。亦即，噴嘴249a、249b分別在配列晶圓200的晶圓配列區域的側方的將晶圓配列區域水平包圍的區域，以沿著晶圓配列區域的方式設置。在噴嘴249a、249b的側面，分別設置供應氣體的氣體供應孔250a、250b。氣體供應孔250a、250b，分別以向反應管203的中心的方式開口，能夠朝向晶圓200供應氣體。氣體供應孔250a、250b，從反應管203的下部到上部設置複數個。
從氣體供應管232a，作為處理氣體(原料氣體)，包含作為預定元素(主元素)的氣體，通過MFC241a、閥門243a、噴嘴249a向處理室201供應。
從氣體供應管232a，第2清理氣體，通過MFC241a、閥門243a、噴嘴249a向處理室201供應。
從氣體供應管232b，作為處理氣體(反應氣體)的氮化劑，通過MFC241b、閥門243b、噴嘴249b向處理室201供應。本說明書中使用的「劑」這個用語，包含氣體狀物質及液體狀物質之中的至少一者。液體狀物質包含噴霧狀物質。亦即，氮化劑包含氣體狀物質也可以、包含噴霧狀物質等的液體狀物質也可以、包含這兩者也可以。這在以下的說明中也一樣。
從氣體供應管232b，作為處理氣體(反應氣體)的氧化劑，通過MFC241b、閥門243b、噴嘴249b向處理室201供應。
從氣體供應管232c、232d，不活性氣體，分別通過MFC241c、241d、閥門243c、243d、氣體供應管232a、232b、噴嘴249a、249b向處理室201供應。作為不活性氣體，例如，能夠使用(N 2)氣體。不活性氣體作為淨化氣體、載體氣體作用。
主要藉由氣體供應管232a、MFC241a、閥門243a，分別構成處理氣體(原料氣體)供應系統、第2清理氣體供應系統。主要藉由氣體供應管232b、MFC241b、閥門243b，構成處理氣體(反應氣體)供應系統。主要藉由氣體供應管232c、232d、MFC241c、241d、閥門243c、243d，構成不活性氣體供應系統。又，主要藉由後述氣體供應管232e、MFC241e、閥門243e，構成第1清理氣體供應系統。
上述各種供應系統之中，任一或全部的供應系統，作為閥門243a～243e及MFC241a～241e等積體化的積體型供應系統248也可以。積體型供應系統248，對氣體供應管232a～232e的各者分別連接，向氣體供應管232a～232e內的各種氣體的供應動作，亦即閥門243a～243e的開關動作及MFC241a～241e所致的流量調整動作等，藉由後述控制器121控制。
在反應管203的側壁下方，連接將處理室201的氛圍排氣的排氣管231。在排氣管231，經由作為檢出處理室201的壓力的壓力檢出器(壓力檢出部)的壓力感測器245、作為將排氣管231內的流路閉塞並遮斷的遮斷機構(以後稱為第1閥部(開關閥))的閘閥244a、及作為壓力調整器(以後稱為第2閥部(調整閥))的APC(Auto Pressure Controller)閥門244b，連接作為真空排氣裝置的真空泵246。閘閥244a與APC閥門244b以配管長(配管的流動方向的長度)遠離設置。此時，將閘閥244a與APC閥門244b設為全閉時，預定氣體會充滿形成於排氣管231內的空間。因為在形成於閘閥244a與APC閥門244b之間的排氣管內的空間充滿預定氣體即可，例如，閘閥244a與APC閥門244b之間遠離1m以上也可以。本說明書中，因為有實際的排氣管231超過數十m長的情形，有將4m(4000mm)以下表現成「近」(或「短」)、將1m以下表現成「近接」「最近」「接近」等極「近」(或「短」)的情形。有關於該配管長L將於後述。閘閥244a，在使APC閥門244b的閥為開狀態且使真空泵246作動的狀態下將閥進行開關，能夠進行處理室201的真空排氣及真空排氣停止。又，APC閥門244b，藉由將閘閥244a設為開狀態，且使真空泵246作動的狀態下將閥開關，能夠進行處理室201的真空排氣及真空排氣停止，再來藉由將閘閥244a設為開狀態且在使真空泵246作動的狀態下，基於由壓力感測器245檢出的壓力資訊調節閥開度，能夠調整處理室201的壓力。
排氣管231之中，至少在比閘閥244a還下游側的部位，比APC閥門244b還上游側的部位的排氣管231e，設置作為導入口的供應端口231p，能夠供應預定氣體。在作為氣體供應部的氣體供應管232e，從上游側依序設置MFC241e及閥門243e。本實施形態中，從氣體供應管232e，預定氣體之中第1清理氣體，經由MFC241e、閥門243e、供應端口231p向排氣管231e內及真空泵246內供應。此外，圖雖未示，但作為預定氣體能夠供應N 2氣體等不活性氣體。
如圖5所示，能夠對形成於排氣管231e內的氣體流通的空間(以後稱為流路空間)從供應端口231p供應第1清理氣體等預定氣體，特別是閘閥244a與APC閥門244b的排氣管231上的配置位置，盡可能地近接。亦即，藉由縮小流路空間，即便從供應端口231p導入的第1清理氣體是較少的流量，藉由調節APC閥門244b的閥開度，能夠在流路空間充滿第1清理氣體，能夠有效地除去附著於APC閥門244b(特別是閥)的副生成物，並將清理氣體的消耗抑制到最低。此外，有將閘閥244a與APC閥門244b總稱為閥部244的情形。
如圖5所示，為了使從供應端口231p導入的清理氣體有效地流至流路空間，供應端口231p，設於配置於閘閥244a的排氣管231的位置與APC閥門244b的排氣管231上的配置位置的正中(中心部)。又，同樣地，為了使從供應端口231p導入的清理氣體有效地流至流路空間，從供應端口231p導入的清理氣體的方向與流通排氣管231的氣體的方向成為垂直(正交)。接著，該等閘閥244a與APC閥門244b之間的配管長L為100mm以上。該下限100mm，為將包含該供應端口231p的清理氣體供應線連接至排氣管231時必要的最短距離。配管長L的上限，因為根據後述清理處理條件，無法一概地決定，但例如以與後述大氣壓恢復工程並行執行的後述第1清理處理的處理條件，若示出一例，則排氣管231之徑為200mm的情形中4m(4000mm)以下較佳、排氣管231之徑為100mm的情形中16m(16000mm)以下較佳。此外，根據膜種或清理氣體種，配管長L的上限也會變更。如同上述，本說明書中，4m以下的配管長L，與配管長L短相同。
此外，供應端口231p在排氣管231設置複數也可以，複數供應端口231p之中至少一個供應端口231p設於排氣管231e即可。例如，其他供應端口231p設於APC閥門244b的下游側也可以。主要藉由排氣管231、閘閥244a、APC閥門244b、壓力感測器245構成排氣系統。又，想成連接至排氣管231e的供應端口231p及真空泵246包含於排氣系統也可以。排氣系統也會稱為排氣系統(system)。
在歧管209的下方，設置能將歧管209的下端開口(亦即使晶圓200出入的開口部)氣密閉塞的作為第1蓋體的密封蓋219。密封蓋219例如由SUS等金屬製材料構成，形成圓盤狀。在密封蓋219的上面，設置與歧管209的下端抵接的作為密封構件的O型環220b。在密封蓋219的下方，設置使後述晶舟217旋轉的旋轉機構267。旋轉機構267的旋轉軸255，貫通密封蓋219連接至晶舟217。旋轉機構267，藉由使晶舟217旋轉而使晶圓200旋轉。密封蓋219，藉由設置於反應管203外部的作為升降機構的晶舟升降機115在垂直方向升降。晶舟升降機115，藉由使密封蓋219升降，作為將晶圓200在處理室201內外搬入及搬出(搬送)的搬送裝置(搬送機構)。又，在歧管209的下方，設置在使密封蓋219降下而將晶舟217從處理室201內搬出的狀態下，將歧管209的下端開口氣密閉塞的作為第2蓋體的閘門219s。閘門219s例如由SUS等金屬製材料構成，形成圓盤狀。在閘門219s的上面，設置與歧管209的下端抵接的作為密封構件的O型環220c。閘門219s的開關動作(升降動作及轉動動作等)藉由閘門開關機構115s控制。
作為基板支持具的晶舟217，將複數片，例如25～200片晶圓200，以水平姿勢，且中心相互對齊的狀態在垂直方向整列被多段支持的方式，亦即空出間隔配列的方式構成。晶舟217例如藉由石英及SiC等耐熱性材料構成。在晶舟217的下部，例如由石英或SiC等耐熱性材料構成的隔熱板218被多段支持。
在反應管203內，設置作為溫度檢出器的溫度感測器263。藉由基於由溫度感測器263檢出的溫度資訊調整向加熱器207的通電狀況，處理室201內的溫度成為所期望的溫度分佈溫度感測器263沿著反應管203的內壁設置。
如圖3所示，控制部(控制機構)即控制器121，作為具備CPU(Central Processing Unit)121a、RAM (Random Access Memory)121b、記憶裝置121c、I/O端口121d的電腦構成。RAM121b、記憶裝置121c、I/O端口121d，通過內部匯流排121e，與CPU121a能進行資料交換。在控制器121，連接例如作為觸控面板等構成的輸出入裝置122。
記憶裝置121c，例如以快閃記憶體、HDD (Hard Disk Drive)等構成。在記憶裝置121c內，將控制基板處理裝置的動作的控制程式、記載後述基板處理的步驟及條件等的製程配方、及記載後述清理處理的步驟及條件等的清理配方等以可讀出的方式儲存。製程配方、清理配方分別為使後述基板處理、清理處理中的各步驟在控制器121執行，以得到預定的結果的方式進行組合者，作為程式發揮機能。以下，有將製程配方、清理配方、及控制程式等總稱，單稱為程式的情形。又，也會將製程配方及清理配方單稱為配方。在本說明書中，使用程式這個詞時，有僅包含配方單體的情形、僅包含控制程式單體的情形、或包含該等兩者的情形。RAM121b，作為將由CPU121a讀出的程式及資料等暫時保持的記憶體區域(工件區域)構成。
I/O端口121d，連接至上述MFC241a～241e、閥門243a～243e、壓力感測器245、閘閥244a、APC閥門244b、真空泵246、溫度感測器263、加熱器207、旋轉機構267、晶舟升降機115、閘門開關機構222等。
CPU121a，從記憶裝置121c讀出控制程式執行，因應來自輸出入裝置122的操作指令的輸入等從記憶裝置121c讀出配方。CPU121a，以依照讀出的配方的內容的方式，控制MFC241a～241e所致的各種氣體的流量調整動作、閥門243a～243e的開關動作、閘閥244a的開關動作、基於APC閥門244b的開關動作及壓力感測器245的APC閥門244b所致的壓力調整動作、真空泵246的啟動及停止、基於溫度感測器263的加熱器207的溫度調整動作、旋轉機構267所致的晶舟217的旋轉及旋轉速度調節動作、晶舟升降機115所致的晶舟217的升降動作、閘門開關機構115s所致的閘門219s的開關動作等。
控制器121，能夠藉由將儲存於外部記憶裝置(例如，HDD等磁碟、CD等光碟、MO等磁光碟、USB記憶體等半導體記憶體)123的上述程式安裝於電腦構成。記憶裝置121c及外部記憶裝置123，作為電腦可讀取的記錄媒體構成。以下，也將該等總稱，單稱為記錄媒體。在本說明書中使用記錄媒體這個詞時，有僅包含記憶裝置121c即單體的情形、僅包含外部記憶裝置123單體的情形、或包含該等兩者的情形。此外，向電腦的程式提供，不使用外部記憶裝置123，而使用網際網路及專用線路等通信手段也可以。
(2)基板處理工程 使用圖4說明關於使用上述基板處理裝置，作為半導體裝置的製造工程的一工程，在作為基板的晶圓200上形成膜的順序例。在以下的說明中，構成基板處理裝置的各部的動作藉由控制器121控制。該點在後述第1、第2清理處理中也一樣。
本實施形態的成膜序列中，將非同時進行對處理容器內的晶圓200供應處理氣體(原料氣體)的步驟1、對處理容器內的晶圓200供應處理氣體(氮化劑)的步驟2、對處理容器內的晶圓200供應處理氣體(氧化劑)的步驟3的循環進行預定次數(n次，n為1以上的整數)。
在本說明書中使用「晶圓」這個詞時，有表示晶圓自身的情形、或表示晶圓及形成於其表面的預定的層及膜等的層積體的情形。在本說明書中使用「晶圓的表面」這個詞時，有表示晶圓自身的表面的情形、或表示形成於晶圓上的預定的層等的表面的情形。在本說明書中記載成「在晶圓上形成預定層」時，有表示在晶圓其自身的表面直接形成預定層的情形、或表示形成於晶圓上的層等之上形成預定層的情形。在本說明書中，使用「基板」這個詞時，也有與使用「晶圓」這個詞時同義的情形。
(晶圓進料～晶舟載入) 複數片晶圓200被裝填(晶圓進料)至晶舟217後，藉由閘門開關機構115s閘門219s被迫移動，將歧管209的下端開口開放(閘門開啟)。之後，如圖1所示，支持複數片晶圓200的晶舟217，藉由晶舟升降機115持起而向處理室201搬入(晶舟載入)。在該狀態下，密閉蓋219成為經由O型環220b將歧管209的下端密封的狀態。
(壓力調整及溫度調整) 處理室201內，亦即晶圓200存在的空間以成為所期望的壓力(真空度)的方式，藉由真空泵246進行真空排氣(減壓排氣)。此時，處理室201的壓力以壓力感測器245測定，基於該測定到的壓力資訊將APC閥門244b進行回饋控制。此外，在真空排氣前，預先將閘閥244a開放。又，以處理室201的晶圓200成為所期望的處理溫度的方式，藉由加熱器207加熱。此時，以處理室201成為所期望的溫度分佈的方式，基於溫度感測器263檢出的溫度資訊將向加熱器207的通電狀況進行回饋控制。又，開始旋轉機構267所致的晶圓200的旋轉。真空泵246的運轉、晶圓200的加熱及旋轉，都到至少對晶圓200的處理結束為止的期間持續進行。本說明書中的處理溫度表示晶圓200的溫度或處理室201內的溫度，處理壓力表示處理室201內的壓力。該等在以下的說明中都一樣。
(成膜處理) 之後，依序實施接著的步驟1~3。
[步驟1] 在該步驟中，對處理室201的晶圓200供應原料氣體。
具體上，打開閥門243a，向氣體供應管232a內流通處理氣體(原料氣體)。原料氣體，藉由MFC241a進行流量調整，通過噴嘴249a向處理室201內供應，藉由排氣口231排氣。此時，對晶圓200供應原料氣體。此時，打開閥門243c、243d，向氣體供應管232c、232d內流通不活性氣體也可以。
作為本步驟中的處理條件，例示： 原料氣體供應流量：1～2000sccm、較佳為10～1000 sccm 不活性氣體供應流量(每個氣體供應管)：0～10000 sccm各氣體供應時間：1～120秒、較佳為1～60秒 處理溫度：250～800℃、較佳為400～700℃ 處理壓力：1～2666Pa、較佳為67～1333Pa。 此外，本說明書中的「1～2000sccm」這種數值範圍的表記，代表下限值及上限值包含於該範圍內。因此，例如「1～2000sccm」代表「1sccm以上2000sccm以下」。關於其他數值範圍也一樣。又，在供應流量包含0sccm的情形，0sccm表示不供應該物質(氣體)的例子。這在以下的說明中也一樣。
藉由在上述條件下對晶圓200供應原料氣體，在晶圓200的最表面上，作為第1層形成包含預定元素的層。
在晶圓200上形成第1層後，關閉閥門243a，停止向處理室201內的原料氣體的供應。接著，將處理室201進行真空排氣，將殘留於處理室201的氣體等從處理室201排除。此時，打開閥門243c、243d，向處理室201供應不活性氣體。不活性氣體作為淨化氣體作用。作為淨化氣體，除了N 2氣體以外，能夠使用例如Ar氣體、He氣體、Ne氣體、Xe氣體等各種稀有氣體。作為不活性氣體，例如能夠使用其等之中1以上。
該點在後述步驟2中也一樣。
[步驟2] 步驟1結束後，對處理室201的晶圓200，亦即在晶圓200上形成的第1層供應處理氣體(反應氣體(氮化劑))。
具體上，將閥門243b～243d的開關控制，以與步驟1中的243a、243c、243d的開關控制一樣的順序進行。反應氣體，藉由MFC241b進行流量調整，通過噴嘴249b向處理室201供應，從排氣口231排氣。此時，對晶圓200供應反應氣體。
作為本步驟中的處理條件，例示： 反應氣體供應流量：100～10000sccm 處理壓力：1～4000Pa、較佳為1～3000Pa。 其他處理條件設為與步驟1中的處理條件一樣。
藉由在上述條件下對晶圓200供應反應氣體，能夠使在步驟1中形成於晶圓200上的第1層的至少一部分改質(例如氮化)。藉此使第1層改質，在晶圓200上形成第2層。
在晶圓200上形成第2層後，關閉閥門243b，停止向處理室201的反應氣體的供應。接著，藉由與步驟1一樣的處理順序，將在處理室201殘留的氣體等從處理室201排出。 [步驟3] 步驟2結束後，對處理室201的晶圓200，亦即在晶圓200上形成的第2層供應反應氣體(氧化劑)。
具體上，將閥門243b～243d的開關控制，以與步驟1中的243a、243c、243d的開關控制一樣的順序進行。反應氣體，藉由MFC241b進行流量調整，通過噴嘴249b向處理室201供應，從排氣口231排氣。此時，對晶圓200供應反應氣體。
作為本步驟中的處理條件，例示： 反應氣體供應流量：100～10000sccm 處理壓力：1～4000Pa、較佳為1～3000Pa。 其他處理條件設為與步驟1中的處理條件一樣。
藉由在上述條件下對晶圓200供應反應氣體，能夠使在步驟2中形成於晶圓200上的第2層的至少一部分改質(氧化)。藉此使第2層改質，在晶圓200上例如形成矽氧氮化層(SiON層)。
在晶圓200上形成第3層後，關閉閥門243b，停止向處理室201的反應氣體的供應。接著，藉由與步驟1一樣的處理順序，將在處理室201殘留的氣體等從處理室201排出。
[預定次數實施] 將步驟1~3非同時，亦即，將使其不同步而實施的循環進行預定次數(n次，n為1以上的整數)，能夠在晶圓200上形成預定組成及預定膜厚的膜。重複複數次上述循環較佳。亦即，藉由使每1循環時形成的第3層的厚度比所期望的膜厚還薄，層積第3層形成的膜的膜厚成為所期望的膜厚為止，重複複數次上述循環較佳。
(後淨化及大氣壓恢復) 成膜處理結束後，從氣體供應管232c、232d的各者將不活性氣體向處理室201供應，從排氣管231排氣。藉此，處理室201被淨化，在處理室201殘留的氣體及反應副生成物從處理室201被除去(後淨化)。處理室201的氛圍被置換成不活性氣體(不活性氣體置換)，將APC閥門244b設為全閉(完全關閉)。之後，藉由持續向處理室201的不活性氣體的供應，處理室201的壓力恢復成常壓(大氣壓恢復)。
(晶舟卸載～晶圓卸除) 之後，藉由晶舟升降機115使密封蓋219下降，將歧管209的下端開口，且處理完的晶圓200在支持於晶舟217的狀態下從歧管209的下端向反應管203的外部被搬出(晶舟卸載)。晶舟卸載之後，閘門219s被迫移動，歧管209的下端開口通過O型環220c藉由閘門219s被密閉(閘門關閉)。處理完的晶圓200，被搬出至反應管203的外部後，藉由晶舟217取出(晶圓卸除)。
(3)第1清理處理 實施上述基板處理(分批處理)，亦即實施成膜處理後，至少在排氣系統的內部附著副生成物。亦即，在包含排氣管231e的排氣管231的內壁、APC閥門244b及真空泵246內部等構件的表面等，有副生成物附著。
附著於排氣系統的內部的副生成物，以附著於排氣系統的內部的狀態重複實施分批處理時，因分批處理的次數會有固著(Fix)的情形。固著的副生成物，即便向排氣系統的內部供應清理氣體也難以蝕刻，從排氣系統的內部的除去有變困難的傾向。特別是在排氣管231之徑為100mm～200mm的範圍內主要使用的蝶形型APC閥門，因為副生成物的附著而無法關閉，而有發信錯誤的信號(警告)進行維護的必要。其中，本實施形態中，將上述的成膜處理在數分批，較佳為進行每1分批，亦即副生成物在排氣系統的內部固著前，不經由處理容器內，向排氣系統直接供應清理氣體，清理排氣系統內。此外，分批處理的次數是指從晶圓進料到晶圓卸除為止的基板處理的實施次數。其中，本說明書中，將對排氣系統的內部進行的該清理處理稱為「第1清理處理」。
清理排氣系統(第1清理處理)時，在將閘閥244a作為全閉狀態下，藉由打開閥門243e，向形成於氣體供應管232e內的流路空間，流通第1清理氣體。第1清理氣體，藉由MFC241e進行流量調整，在調整APC閥門244b的閥的狀態下，經由供應端口231p向排氣管231e排氣管231的內部及真空泵246的內部供應，特別是接觸排氣管231e的內壁、APC閥門244b的表面、及真空泵246內部的構件的表面等。此時，在第1清理氣體與副生成物之間產生熱化學反應(蝕刻反應)，從排氣系統除去副生成物。此外，進行該處理時，真空泵246作為停止的狀態也可以、又作為作動的狀態也可以。
又，此時，經由供應端口231p供應第1清理氣體的期間，APC閥門244b的開度，以第1清理氣體成為充滿流路空間的程度的排氣傳導的預定值維持固定(壓力一定)。藉此，因為APC閥門244b未動作，能夠對APC閥門244b的表面全體均等使第1清理氣體接觸，能夠將附著於APC閥門244b(特別是閥)的副生成物藉由第1清理氣體有效除去。
此外，作為能夠在流路空間使清理氣體充滿的條件，作為閥開度的全閉(開度0%)為最小的條件是理想的。藉此，能夠形成流路空間相對於處理室201側的排氣管231及真空泵246側的排氣管231也閉塞的空間(閉塞空間)，因為能夠使清理氣體接觸APC閥門244b，能夠除去附著於APC閥門244b的副生成物。
本實施形態中，使用的蝶形型APC在構造上，不可能完全全閉(開度0%)，但能夠在流路空間充滿清理氣體的閥開度的最小條件是閥開度的設定為0%(全閉)。是圖5所示的閥V0的狀態。又，作為閥開度最大的條件，從供應端口231p導入的清理氣體氣流不撞擊(不碰撞)APC閥門244b(特別是閥的裏面(裏側))的程度的開度較佳。本實施形態中，圖5所示的閥V1的狀態，亦即以排氣管231內的流動方向為基準到閥的旋轉角45度為止，是用來使清理氣體充滿的容許範圍。又，本實施形態中，到閥的旋轉角15度為止從供應端口231p導入的清理氣體不會被直接吹送至閥的裏面(裏側)。亦即，用以使清理氣體充滿的閥的旋轉角度為0度以上45度、較佳為0度以上15度以下。本實施形態中，若開度比圖5所示的V1的狀態還更多，則清理氣體在充滿流路空間前接觸APC閥門244b(特別是閥)的一部分，會過度滿清理APC閥門244b的一部分，有成為粒子的原因之虞。
此外，如同上述因為實質上全閉是不可能的，將設定作為開度0%的情形，因APC閥門244b的機差會產生清理的結果不同的情形。具體上，為了使閥動作，開度0%的設定時的排氣管231的內壁與閥的兩端的間隙為必要，將該間隙維持一定幾乎是困難的。因此，作為能夠使在流路空間充滿清理氣體的APC閥門244b的開度的條件，藉由在0%以上數%以下設定開度，能夠將機差極為降低。例如，開度為大於2%且4%以下。此外，本實施形態中，APC閥門244b的閥的開度(或閥的旋轉角度)，因應流路空間的容積與清理氣體的流量決定。因此，上述閥的開度(閥的旋轉角度)的條件僅為一例。
進行第1清理處理的頻率，比進行後述第2清理處理的頻率還高。例如，進行第1清理處理的頻率如同上述作為每數分批、較佳為每1分批，將進行第2清理處理的頻率作為每300～500分批。藉由將第1清理處理以這種高頻率進行，能夠在副生成物固著於設在排氣系統的構件前的不良狀態下進行蝕刻。接著，能夠將附著於設在排氣系統的構件的副生成物，從排氣部內容易且確實，亦即高效率且有效地除去。
第1清理處理，在成膜處理結束後到開始下個成膜處理前的期間進行較佳。亦即，第1清理處理，在分批處理的實施期間中進行較佳。因此，成膜處理的結束後，藉由將第1清理處理在附著於排氣部內的副生成物固著前快速進行，能夠從排氣部內將副生成物更確實地除去。
第1清理處理，能夠在處理容器內收容晶圓200的狀態下進行。具體上，第1清理處理，在處理容器內收容晶圓200後，開始成膜處理前的期間(搬入後/成膜前的期間)進行。又，第1清理處理，也能夠在成膜處理結束後，將進行成膜處理後的晶圓200從處理容器內搬出前的期間(成膜後/搬出前的期間)進行。又，也能夠進行第1清理處理，同時進行成膜處理。 因此，能夠提升產率。
又，第1清理處理，也能夠在成膜處理結束後，將進行成膜處理後的晶圓200從處理容器內搬出後的狀態，亦即在處理容器內未收容晶圓200的狀態下進行。具體上，也能夠將第1清理處理，在將進行成膜處理後的晶圓200從處理容器內搬出後，將以下個成膜處理處理的晶圓200收容於處理容器內前的期間(搬出後/搬入前的期間)進行。若將第1清理處理在搬出後/搬入前的期間進行，能夠有效活用成膜處理間的待機期間(例如晶圓卸除及晶圓進料所需的期間)。
如此，第1清理處理，能夠在處理容器內收容晶圓200的狀態、及未在處理容器內收容晶圓200的狀態之中的任何狀態下進行。該等任何情形中也一樣，在不開放歧管209的下端開口，以密封蓋219及閘門219s等蓋體密閉的狀態下，進行第1清理處理。又，該等任何情形中也一樣，在將設於比設置排氣管231e的供應端口231p的部分還上游側的排氣閥門(亦即閘閥244a)設為全閉的狀態下，進行第1清理處理。藉由在將閘閥244a設為全閉的狀態下進行第1清理處理，能夠防止向排氣系統供應的清理氣體向處理容器內逆流。又，藉由在將歧管209的下端開口密閉的狀態下進行第1清理處理，萬一向排氣系統供應的清理氣體向處理容器內逆流的情形，也能夠防止清理氣體向處理容器外的放出(洩漏)。如此，藉由雙重進行歧管209的下端開口及APC閥門244b的各者的開關控制(安全控制)，能夠提高第1清理處理的安全性。
如圖4所示，本實施形態的基板處理序列中，使第1清理處理在上述後淨化結束後開始，在開始晶舟卸載前結束。亦即，將第1清理處理與大氣壓恢復並行進行。此時，因為成膜處理的結束後，第1清理處理快速開始，能夠使從排氣部內將副生成物的除去容易且確實地進行。又，因為在開始第1清理處理的時點，亦即開始大氣壓恢復時，如同上述將閘閥244a設為全閉的狀態，又將密封蓋219的下端開口設為密閉的狀態，也能夠使第1清理處理安全進行。
作為本步驟中的處理條件，例示： 第1清理氣體供應流量：3000～6000sccm 氣體供應時間：3～10分 排氣系統內的溫度：50～100℃ 排氣系統內的壓力：1330Pa(10Torr)～101300Pa(大氣壓)。
(4)第2清理處理 重複實施上述基板處理(分批處理)，亦即重複實施成膜處理時，在處理容器的內部，例如反應管203的內壁、噴嘴249a、249b的表面、晶舟217的表面等，包含薄膜的堆積物會累積。亦即，包含該薄膜的堆積物，附著於加熱後的處理室201內的構件的表面並累積。該等堆積物之量，亦即累積膜厚，在到達於堆積物產生剝離或落下前的預定量(厚度)後，將處理容器內進行清理。本說明書中，將對處理容器進行的該處理稱為「第2清理處理」。以下，說明本實施例中的第2清理處理的一例。
(晶舟載入) 上述分批處理，亦即從晶圓進料到晶圓卸除為止的基板處理例如進行300～500次後，藉由閘門開關機構115s使閘門219s被迫移動，開放歧管209的下端開口(閘門開啟)。之後，未裝填晶圓200的空晶舟217，藉由晶舟升降機115抬起搬入處理室201內。在該狀態下，密閉蓋219成為經由O型環220b將歧管209的下端密封的狀態。
(壓力調整及溫度調整) 以處理室201內成為預定壓力的方式，藉由真空泵246進行真空排氣。真空泵246至少到第2清理處理結束為止的期間維持常時作動的狀態。又，以處理室201內成為預定的溫度的方式，藉由加熱器207加熱。又，開始旋轉機構267所致的的晶舟217旋轉。加熱器207的處理室201內加熱、晶舟217的旋轉，至少到後述清理步驟結束為止的期間持續進行。但是，晶舟217不旋轉也可以。
(清理步驟) 接著，向重複進行上述成膜處理後的處理容器內供應第2清理氣體。在該步驟中，在關閉閥門243b的狀態下，將閥門243a、243c、243d的開關控制，以成膜處理的步驟1中的閥門243a、243c、243d的開關控制同樣的順序進行。第2清理氣體，藉由MFC241a進行流量調整，經由氣體供應管232a、噴嘴249a向處理室201內供應。
向處理室201供應的第2清理氣體，通過處理室201內從排氣管231排氣時，接觸處理室201的構件的表面，例如反應管203的內壁、噴嘴249a、249b的表面、晶舟217的表面、歧管209的內壁、密封蓋219的上面等。此時，在第2清理氣體與堆積物之間產生熱化學反應(蝕刻反應)，其結果，從處理室201除去堆積物。
(後淨化及大氣壓恢復步驟) 清理步驟結束後，關閉閥門243a，停止向處理室201內的第2清理氣體的供應。接著，藉由與成膜處理的後淨化同樣的處理順序，將處理室201淨化(後淨化)。此時，藉由重複閥門243c、243d的開關動作，間斷地進行處理室201內的淨化也可以(循環淨化)。之後，處理室201的氛圍被置換成不活性氣體(不活性氣體置換)，處理室201的壓力恢復成常壓(大氣壓恢復)。
(晶舟卸載) 之後，藉由晶舟升降機115使密封蓋219下降，將歧管209的下端開口，且將空晶舟217從歧管209的下端向反應管203的外部搬出(晶舟卸載)。晶舟卸載之後，閘門219s被迫移動，歧管209的下端開口通過O型環220c藉由閘門219s被密閉。該等一連工程結束後，使上述成膜處理再度開始。
(變形例) 將上述第1清理處理，分為第1排氣清理工程與第2排氣清理工程的2個清理工程，能夠進行排氣管231(特別是排氣系統)的有效清理。
雖以上述第1清理處理也能夠除去排氣系統的副生成物，但例如將APC閥門244b在開狀態下供應第1清理氣體時，為了調整APC閥門244b的開度而APC閥門244b動作，會有第1清理氣體未全面均等地接觸APC閥門244b的全面而流通排氣系統的情形。藉此，有無法將附著於APC閥門244b的表面的副生成物均等除去之虞。
第1排氣清理工程中，在將閘閥244a作為全閉狀態下，打開閥門243e，向氣體供應管232e內經由供應端口231p流通第1清理氣體。接著，將APC閥門244b的開度固定在預定值，將形成於氣體供應管232e內的流路空間藉由第1清理氣體充滿。藉此，因為能夠使第1清理氣體到達APC閥門244b的表面全體，能夠除去附著於APC閥門244b的表面的副生成物。此外，若能夠使第1清理氣體充滿閉塞空間即可，APC閥門244b的開度非全閉(0)也可以。又，在排氣管231上，因為閘閥244a及APC閥門244b的配置越近，則流路空間越小，能夠縮短在第1排氣清理工程供應第1清理氣體的時間。又，設置複數供應端口231p也可以。藉此，能夠縮短第1清理氣體充滿流路空間的時間。例如，第1清理氣體的流量成為預定的流量、或第1清理氣體的供應時間成為預定的時間時，移行至第2排氣清理工程。
第2排氣清理工程中，繼續將閘閥244a作為全閉，打開閥門243e，向氣體供應管232e內經由供應端口231p流通第1清理氣體的狀態下，將開度設為比預定值還大，將APC閥門244b設為清理氣體未充滿流路空間的程度的開狀態。此時，調整APC閥門244b的開度的同時供應第1清理氣體也可以，但將APC閥門244b設為全開較佳。藉此，因為能夠將更多第1清理氣體的流量供應至APC閥門244b以後的排氣系統，能夠除去附著於排氣管231e的內壁、APC閥門244b的表面、及真空泵246內部的構件的表面等的副生成物。又，重複進行第1排氣清理工程與第2排氣清理工程也可以。
作為清理氣體，能夠使用包含鹵素元素的氣體，更能夠使用包含氟元素的氣體。例如，能夠使用氟(F 2)氣體、氟化氯(ClF 3)氣體、氟化氮(NF 3)氣體、氟化氫(HF)氣體等。作為清理氣體，例如能夠使用其等之中1以上。
其中，作為原料氣體，除了六氯二矽烷(Si 2Cl 6，略稱：HCDS)氣體以外，能夠使用一氯矽烷(SiH 3Cl，略稱：MCS)氣體、二氯矽烷(SiH 2Cl 2，略稱：DCS)氣體、三氯矽烷(SiHCl 3，略稱：TCS)氣體、四氯矽烷(SiCl 4，略稱：STC)氣體、八氯丙矽烷(Si 3Cl 8，略稱：OCTS)氣體等的氯矽烷氣體。又，作為原料氣體，能夠使用、四氟矽烷(SiF 4)氣體、四溴矽烷(SiBr 4)氣體、四碘矽烷(SiI 4)氣體等。又，作為原料氣體，能夠使用氯矽烷氣體、氟矽烷氣體、溴矽烷氣體、碘矽烷氣體等各種鹵代矽烷氣體等。作為原料氣體，例如能夠使用其等之中1以上。
又，作為原料氣體，能夠使用雙(二乙基氨)矽烷(SiH 2[N(C 2H 5) 2] 2，略稱：BDEAS)氣體、雙(叔丁基氨基)矽烷(SiH 2[NH(C 4H 9)] 2，略稱：BTBAS)氣體、三(二乙基氨)矽烷(SiH[N(C2H5) 2] 3，略稱：3DEAS)氣體、三(二甲基氨)矽烷(SiH[N(CH 3) 2] 3，略稱：3DMAS)氣體、四(二乙基氨)矽烷(Si[N(C 2H 5) 2] 4，略稱：4DEAS)氣體、四(二甲基氨)矽烷(Si[N(CH 3) 2] 4，略稱：4DMAS)氣體等各種氨矽烷氣體。作為原料氣體，例如能夠使用其等之中1以上。
又，上述實施形態中，作為不活性氣體，說明關於使用N 2氣體之例，但不限於此，使用Ar氣體、He氣體、Ne氣體、Xe氣體等稀有氣體也可以。作為不活性氣體，例如能夠使用其等之中1以上。但是，此時有準備稀有氣體源的必要。
反應氣體為氮化劑的情形，作為氮化劑，除了氨(NH 3)氣體以外，能使用二亞胺(N 2H 2)氣體、聯胺(N 2H 4)氣體、N 3H 8氣體、包含該等化合物的氣體等。作為氮化劑，例如能夠使用其等之中1以上。
反應氣體為氧化劑的情形，作為氧化劑，除了O 2氣體以外，能夠使用亞氧化氮(N 2O)氣體、一氧化氮(NO)氣體、二氧化氮(NO 2)氣體、臭氧(O 3)氣體、過氧化氫(H 2O 2)氣體、水蒸氣(H 2O)氣體、一氧化碳(CO)氣體、二氧化碳(CO 2)氣體等。作為氧化劑，例如能夠使用其等之中1以上。
(5)本實施形態所致的效果 根據本實施形態，得到以下所示的一或複數效果。
(a)藉由將進行第1清理處理的頻率，設為比進行第2清理處理的頻率還高，能夠將附著於排氣系統內的副生成物，在該副生成物固著前的不良狀態進行蝕刻。接著，能夠將附著於排氣系統的副生成物，從排氣系統容易且確實除去。其結果，能夠使設於排氣系統的構件的維護頻率降低。例如，能夠使進行真空泵246的交換作業的頻率，設為比進行第2清理處理的頻率還低。
(b)將第1清理處理，以每數分批，較佳為在每1分批，在成膜處理結束後到開始下個成膜處理前的期間進行，能夠更確實得到上述效果。
(c)將第1清理處理，以每數分批，較佳為在每1分批，在成膜處理結束後，到將進行成膜處理後的晶圓200從處理容器內搬出前的期間進行，能夠更確實得到上述效果。
(d)第1清理處理中，對形成於比閘閥244a還下游側的部位，比APC閥門244b還上游側的部位即排氣管內的流路空間供應清理氣體，使該流路空間充滿清理氣體，因為能夠使APC閥門244b的表面全體接觸清理氣體，能夠將附著於APC閥門244b的附著物除去。
(e)本實施形態中，因為使閘閥244a與APC閥門244b近接，亦即使閘閥244a配置於排氣管231的位置與APC閥門244b配置於排氣管231的位置接近，第1清理處理中，能夠成為使導入至形成於該排氣管231內的流路空間的清理氣體充滿的構造。因此，因為該種構成，能夠使導入至流路空間的清理氣體有效地接觸APC閥門244b，能夠將附著於APC閥門244b的附著物除去。
(f)本實施形態中，設置導入至形成於該排氣管231內的流路空間的導入口(供應端口231p)。亦即，因為能夠對形成於比閘閥244a還下游側的部位，比APC閥門244b還上游側的部位即排氣管231內的流路空間供應清理氣體，在第1清理處理中，藉由調整APC閥門244b的開度，能夠成為不使清理氣體直接接觸APC閥門244b的裏面(裏側)，在流路空間容易充滿清理氣體的構造。因此，因為該種構造，能夠使導入至流路空間的清理氣體有效地接觸APC閥門244b，能夠將附著於APC閥門244b的附著物除去。
(g)藉由將第1清理處理，分為第1排氣清理工程與第2排氣清理工程的2個清理工程，能夠進行排氣管231(特別是排氣系統)的有效清理。
(其他實施形態) 以上，雖具體說明本揭示的實施形態，但本揭示不限於上述各實施形態，在不逸脫其要旨的範圍內能進行各種變更。
如圖6所示，在APC閥門244b的下游側設置經由供應端口231P對排氣管231供應預定氣體的第2氣體供應部。從該供應端口231P也能夠供應清理氣體。根據該構造，因為能夠適宜變更經由供應端口231p與供應端口231P供應至排氣管231的氣體的流量、氣體的供應時間、氣體種等，能夠將附著於排氣系統的副生成物，從排氣系統容易且確實地除去。又，本態樣中也一樣，得到與上述態樣一樣的效果。
又，作為包於反應氣體中的反應物，不限於作為氮化劑的氮含有氣體及作為氧化劑的氧含有氣體，使用與來源反應進行膜處理的氣體形成其他種類的薄膜也無妨。再來，使用3種類以上的處理氣體進行成膜處理也可以。
上述態樣中，說明關於使用一次處理複數片基板的分批式基板處理裝置形成膜之例。本揭示不限於上述態樣，例如使用一次處理1片或複數片基板的葉片式基板處理裝置形成膜的情形也能夠適用。又，上述態樣中，說明關於使用具有熱牆型的處理爐的基板處理裝置形成膜之例。本揭示不限於上述態樣，例如使用具有冷牆型的處理爐的基板處理裝置形成膜的情形也能夠適用。
使用該等基板處理裝置的情形中也一樣，能夠以上述態樣及變形例相同的處理順序、處理條件進行各處理，得到與上述態樣及變形例一樣的效果。
又，例如，在上述各實施形態，作為基板處理裝置進行的處理以半導體裝置中的成膜處理為例，但本揭示不限於此。亦即，除了成膜處理以外，形成氧化膜、氮化膜的處理、形成包含金屬的膜的處理也可以。再來，不管基板處理的具體內容，不只是成膜處理，也能夠適用於退火處理、氧化處理、氮化處理、擴散處理、光蝕刻處理等其他基板處理。
再來，本揭示也能夠適用其他基板處理裝置，例如退火處理裝置、氧化處理裝置、氮化處理裝置、曝光裝置、塗佈裝置、乾燥裝置、加熱裝置、利用電漿的處理裝置等的其他基板處理裝置。又，本揭示混合該等裝置也可以。
又，本實施形態中，雖說明關於半導體製程，但本揭示不限於此。例如，對液晶裝置的製造工程、太陽能電池的製造工程、發光裝置的製造工程、玻璃基板的處理工程、陶瓷基板的處理工程、導電性基板的處理工程等的基板處理也能夠適用本揭示。
此外，某實施形態的構造的一部分也可以置換成其他實施形態的構造，此外，某實施形態的構造也可以加入其他實施形態的構造。又，有關各實施形態的構造的一部分，也可以進行其他構造的追加、刪除、置換。亦即，上述態樣及變形例能夠適宜組合使用。此時的處理順序、處理條件，例如能夠與上述態樣及變形例的處理順序、處理條件一樣。
201:處理室 231:排氣管 232e:氣體供應管(氣體供應部) 244a:第1閥部(開關閥、閘閥) 244b:第2閥部(調整閥、APC閥門)
[圖1]本揭示的一實施形態適用的基板處理裝置的縱型處理爐的概略構造圖，將處理爐部分以縱剖面圖表示的圖。 [圖2]本揭示的一實施形態適用的基板處理裝置的縱型處理爐的概略構造圖，將處理爐部分以圖1的A-A線剖面圖表示的圖。 [圖3]本揭示的一實施形態適合使用的基板處理裝置的控制器的概略構造圖，將控制器的控制系統以方塊圖表示的圖。 [圖4]表示本揭示的一實施形態的基板處理序列的圖。 [圖5]本揭示的一實施形態適合使用的基板處理裝置的排氣系統的概略構造圖。 [圖6]本揭示的一實施形態適合使用的基板處理裝置的排氣系統的概略構造圖。
115:晶舟升降機
115s:閘門開關機構
121:控制器
200:晶圓
201:處理室
202:處理爐
203:反應管
207:加熱器
209:歧管
217:晶舟
218:隔熱板
219:密封蓋
219s:閘門
220a:O型環
220b:O型環
220c:O型環
231:排氣管
231e:排氣管
231p:導入口的供應端口
232a:氣體供應管
232b:氣體供應管
232c:氣體供應管
232d:氣體供應管
232e:氣體供應管(氣體供應部)
241a:質量流量控制器(MFC)
241b:質量流量控制器(MFC)
241c:MFC
241d:MFC
241e:MFC
243a:閥門
243b:閥門
243c:閥門
243d:閥門
243e:閥門
244a:第1閥部(開關閥、閘閥)
244b:第2閥部(調整閥、APC閥門)
245:壓力感測器
246:真空泵
248:積體型供應系統
249a:噴嘴
249b:噴嘴
250a:氣體供應孔
250b:氣體供應孔
255:旋轉軸
263:溫度感測器
267:旋轉機構

Claims (20)

  1. 一種基板處理裝置，具備：處理基板的處理室； 將前述處理室的氛圍排氣的排氣管； 設於前述排氣管，閉塞前述排氣管內的流路的第1閥部； 與前述第1閥部在前述排氣管上近接，設於比該第1閥部還下游側，調整流通前述排氣管內的流路的氣體流量的第2閥部；及 能夠對形成於前述第1閥部與前述第2閥部之間的排氣管內的流路空間供應預定氣體的氣體供應部。
  2. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述第1閥部，能夠遮斷設於比前述第1閥部還上游側的排氣管與比前述第1閥部還下游側的前述流路空間。
  3. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述第1閥部為開關閥； 前述第2閥部為能夠進行開度的控制的調整閥。
  4. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述第2閥部的開度，決定成能夠使供應至前述流路空間的前述預定氣體充滿。
  5. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述第2閥部的開度，決定成供應至前述流路空間的前述預定氣體的氣流不直接衝擊前述第2閥部的裏側。
  6. 如請求項5記載的基板處理裝置，其中，前述第2閥部的旋轉角度為0度以上15度以下。
  7. 如請求項4記載的基板處理裝置，其中，前述第2閥部的開度比0%還大，且為2%以上4%以下。
  8. 如請求項4記載的基板處理裝置，其中，前述第2閥部的開度，因應前述流路空間的容積與前述預定氣體的流量決定。
  9. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述第2閥部的開度，在前述預定氣體供應至前述流路空間的期間為一定。
  10. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述預定氣體的方向與流通前述排氣管的氣體的方向垂直。
  11. 如請求項10記載的基板處理裝置，其中，將前述預定氣體導入前述流路空間的導入口，能向前述流路空間的中心供應前述預定氣體。
  12. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述第1閥部與前述第2閥部之間的配管長為100mm以上。
  13. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述預定氣體為清理氣體。
  14. 如請求項13記載的基板處理裝置，其中，前述氣體供應部，以預定的流量或預定的時間，將前述清理氣體供應至前述流路空間。
  15. 如請求項14記載的基板處理裝置，其中，前述第2閥部，在前述清理氣體的流量成為預定的流量、或前述清理氣體的供應時間成為預定的時間時，增加前述第2閥部的開度。
  16. 如請求項13記載的基板處理裝置，其中，更設置複數將前述清理氣體導入的導入口； 能夠從各導入口向前述流路空間供應前述清理氣體。
  17. 如請求項1記載的基板處理裝置，更具有：對前述第2閥部的下游側供應不活性氣體的第2氣體供應部； 前述第2氣體供應部能夠供應清理氣體。
  18. 如請求項1記載的基板處理裝置，具備：能夠分別控制從前述氣體供應部供應的氣體種類、氣體流量、氣體供應時間的控制部。
  19. 一種排氣系統，具備：將處理室的氛圍排氣的排氣管； 設於前述排氣管，閉塞前述排氣管內的流路的第1閥部； 與前述第1閥部在前述排氣管上近接，設於比該第1閥部還下游側，調整流通前述排氣管內的流路的氣體流量的第2閥部；及 能夠對形成於前述第1閥部與前述第2閥部之間的排氣管內的流路空間供應預定氣體的氣體供應部。
  20. 一種半導體裝置的製造方法，具有：藉由具備將處理室的氛圍排氣的排氣管； 設於前述排氣管，閉塞前述排氣管內的流路的第1閥部； 與前述第1閥部在前述排氣管上近接，設於比該第1閥部還下游側，調整流通前述排氣管內的流路的氣體流量的第2閥部；及 能夠對形成於前述第1閥部與前述第2閥部之間的排氣管內的流路空間供應預定氣體的氣體供應部； 的排氣系統進行排氣，同時處理配置於前述處理室的基板的工程。
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