TW202345220A - 晶片之製造方法 - Google Patents

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小田中健太郎
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日商迪思科股份有限公司
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Abstract

[課題]提供一種可讓利用電漿蝕刻來分割晶圓而製造晶片時之加工精度提升的晶片之製造方法，其中前述晶圓具有基板、與隔著絕緣膜設置於基板的正面側之複數個器件。 [解決手段]在藉由電漿蝕刻分割晶圓時所利用之遮罩的形成(保護膜形成步驟以及第2雷射光束照射步驟)之前，藉由將雷射光束從絕緣膜的正面側沿著複數個器件的交界來照射，而形成貫通絕緣膜之第1貫通路。在此情況下，可以將用於去除絕緣膜的期望的部分之雷射光束的照射條件、與用於形成遮罩，亦即用於去除保護膜的期望的部分之雷射光束的照射條件，各自設為理想的照射條件。其結果，變得可提升分割晶圓來製造晶片時的加工精度。

Description

晶片之製造方法
本發明是有關於一種將具有基板與隔著絕緣膜設置在基板的正面側之複數個器件的晶圓，沿著複數個器件的交界來分割而製造晶片的晶片之製造方法。
IC(積體電路，Integrated Circuit)等之器件的晶片是在行動電話以及個人電腦等的各種電子機器中不可或缺的構成要素。這樣的晶片可藉由例如將形成有複數個器件之晶圓沿著複數個器件的交界來分割而製造。
作為像這樣地分割晶圓之方法，已有以下之作法被提出：於以露出該交界的方式對晶圓的正面設置遮罩後，對此晶圓施行電漿蝕刻(參照例如專利文獻1)。此遮罩可藉由例如以下作法來形成：藉由包含吸光劑之保護膜覆蓋晶圓的正面後，從保護膜的正面側沿著該交界來照射雷射光束而去除保護膜的一部分。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2016-207737號公報
發明欲解決之課題
以晶片的高品質化為目的，會有從具有由半導體所構成之基板、與隔著由絕緣體所構成之膜(絕緣膜)而設置在基板的正面側之複數個器件的晶圓，亦即SOI(絕緣體覆矽，Silicon on Insulator)晶圓，來製造晶片之作法。並且，此SOI晶圓有時會如上述地利用電漿蝕刻來分割。
此情況下，大多會藉由為了形成電漿蝕刻用的遮罩而照射之雷射光束，來將絕緣膜的一部分和已設置於晶圓的正面之保護膜的一部分一起去除。再者，一般而言，此絕緣膜的一部分並非是藉由雷射光束的照射來直接地去除。
具體而言，因為絕緣體具有較大的能帶隙能量(band‐gap energy)，所以此雷射光束一般而言會穿透絕緣膜。另一方面，已穿透絕緣膜之雷射光束會被構成基板之半導體吸收。這種情況下，會在基板的正面附近產生雷射燒蝕。並且，伴隨於此雷射燒蝕，位於複數個器件的交界之絕緣膜的一部分會氣化而被去除。
不過，在絕緣膜較厚的情況及/或在基板的正面的寬廣的區域中產生雷射燒蝕的情況下，恐有要去除絕緣膜的期望的部分變得較困難或者絕緣膜的廣泛的部分被去除，亦即產生膜剝落之疑慮。
有鑒於這一點，本發明之目的在於提供一種可讓利用電漿蝕來分割晶圓而製造晶片時之加工精度提升的晶片之製造方法，其中前述晶圓具有基板、與隔著絕緣膜設置於基板的正面側之複數個器件。 用以解決課題之手段
根據本發明，可提供一種晶片之製造方法，是將具有基板與隔著絕緣膜設置在該基板的正面側之複數個器件的晶圓，沿著該複數個器件的交界來分割而製造晶片，前述晶片之製造方法具備以下步驟： 第1雷射光束照射步驟，以第1照射條件將雷射光束從該絕緣膜的正面側沿著該交界來照射，藉此形成貫通該絕緣膜且使該基板露出之第1貫通路； 保護膜形成步驟，在該第1雷射光束照射步驟之後，形成保護膜，以覆蓋該複數個器件、該絕緣膜與在該第1貫通路中露出之該基板； 第2雷射光束照射步驟，在該保護膜形成步驟之後，以和該第1照射條件不同的第2照射條件，將該雷射光束從該保護膜的正面側沿著該交界來照射，藉此形成第2貫通路，前述第2貫通路貫通已形成於該第1貫通路之該保護膜且使該基板露出；及 分割步驟，在該第2雷射光束照射步驟之後，從該保護膜的正面側施行電漿蝕刻，直到將該基板沿著該交界分割為止。
較佳的是，該絕緣膜是由該雷射光束可穿透之材料所構成。 發明效果
在本發明中，在藉由電漿蝕刻分割晶圓時所利用之遮罩的形成(保護膜形成步驟以及第2雷射光束照射步驟)之前，藉由將雷射光束從絕緣膜的正面側沿著複數個器件的交界來照射，而形成貫通絕緣膜之第1貫通路。亦即，在本發明中，在遮罩的形成之前，已將位於複數個器件的交界之絕緣膜的一部分去除。
在此情況下，可以將用於去除絕緣膜的期望的部分之雷射光束的照射條件、與用於形成遮罩，亦即用於去除保護膜的期望的部分之雷射光束的照射條件，各自設為理想的照射條件。其結果，在本發明中，變得可提升分割晶圓來製造晶片時的加工精度。
用以實施發明之形態
參照附加圖式來說明本發明的實施形態。圖1(A)是示意地顯示包含晶圓之框架單元之一例的立體圖，圖1(B)是示意地顯示圖1(A)所示之框架單元的剖面的剖面圖。圖1(A)以及圖1(B)所示之框架單元11包含可在晶片的製造上利用之晶圓13。
此晶圓13具有例如由矽(Si)等的半導體所構成之基板15。於此基板15的正面設置有例如由氧化矽(SiO 2)或氮化矽(Si 3N 4)等的絕緣體所構成之絕緣膜17。此絕緣膜17的厚度可為例如5μm~30μm。
此外，在晶圓13的正面側設置有相互獨立之複數個器件19。亦即，複數個器件19是隔著絕緣膜17而設置於基板15的正面側。並且，複數個器件19在絕緣膜17的正面配置排列成矩陣狀。亦即，複數個器件19的交界會延伸成格子狀。
又，在晶圓13的背面，亦即基板15的背面貼附有直徑比基板15更長之圓板狀的膠帶21的中央區域。此膠帶21具有例如具有可撓性之薄膜狀的基材層、與設置在基材層的一面(基板15側之面)的黏著層(糊層)。
具體而言，此基材層可由聚烯烴(PO)、聚丙烯(PP)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚氯乙烯(PVC)或聚苯乙烯(PS)等來構成。又，此黏著層可由紫外線硬化型之矽氧橡膠、丙烯酸系材料或環氧系材料等來構成。
又，在膠帶21的外周區域貼附有環狀的框架23，前述環狀的框架23形成有直徑比晶圓13更長之圓形的開口23a。此框架23是由例如鋁(Al)等之金屬所構成。
圖2是示意地顯示沿著複數個器件19的交界分割晶圓13來製造晶片的晶片之製造方法之一例的流程圖。在此方法中，首先是藉由從絕緣膜17的正面側照射雷射光束，而形成貫通絕緣膜17且使基板15露出之第1貫通路(第1雷射光束照射步驟：S1)。
圖3(A)是示意地顯示第1雷射光束照射步驟(S1)之情形的局部剖面側視圖，圖3(B)是示意地顯示第1雷射光束照射步驟(S1)後之晶圓13的局部放大剖面圖。此第1雷射光束照射步驟(S1)是利用例如圖3(A)所示之雷射加工裝置2來實施。
此雷射加工裝置2具有保持工作台4。此保持工作台4具有由陶瓷等所構成之圓板狀的框體6。此框體6具有圓板狀的底壁6a、與從此底壁6a的外緣部豎立設置之圓筒狀的側壁6b。亦即，在框體6的上表面側形成有藉由底壁6a以及側壁6b所界定之圓板狀的凹部。
並且，在已形成於框體6的上表面側之凹部固定有圓板狀的多孔板8，前述多孔板8具有和此凹部的直徑大致相等之直徑。此多孔板8可由例如多孔質陶瓷來構成。並且，當將框架單元11搬入雷射加工裝置2時，晶圓13會隔著膠帶21被放置在保持工作台4的上表面。
又，在保持工作台4的周圍設置有複數個夾具10。複數個夾具10沿著保持工作台4的圓周方向大致等間隔地設置。並且，當將框架單元11搬入雷射加工裝置2時，複數個夾具10會在比保持工作台4的上表面更低的位置上把持框架23。
又，保持工作台4的多孔板8是透過已形成於框體6的底壁6a之貫通孔而和噴射器等的吸引源(未圖示)連通。並且，若在已將框架單元11搬入雷射加工裝置2的狀態下使吸引源動作，吸引力即隔著膠帶21作用於晶圓13而將晶圓13保持於保持工作台4。
又，保持工作台4以及複數個夾具10已連結於水平方向移動機構(未圖示)。此水平方向移動機構具有例如滾珠螺桿以及馬達等。並且，若使此水平方向移動機構動作，保持工作台4以及複數個夾具10即沿著水平方向(例如前後方向及/或左右方向)移動。
此外，在保持工作台4的上方設置有雷射照射單元的頭部12。此雷射照射單元具有生成穿透絕緣膜17且可被基板15吸收之波長(例如355nm)的脈衝狀的雷射光束LB之雷射振盪器(未圖示)。此雷射振盪器是例如具有Nd：YAG等來作為雷射介質。
又，頭部12可容置聚光透鏡以及鏡子等的光學系統。並且，若以雷射振盪器生成雷射光束LB後，即可透過已容置於頭部12之光學系統，來朝向保持工作台4照射雷射光束LB。
又，頭部12已連結於鉛直方向移動機構(未圖示)。此鉛直方向移動機構具有例如滾珠螺桿以及馬達等。並且，若使此鉛直方向移動機構動作，頭部12即沿著鉛直方向移動。
並且，在第1雷射光束照射步驟(S1)中，是在已將晶圓13隔著膠帶21保持在保持工作台4的狀態下，讓雷射光束LB沿著複數個器件19的交界來照射。
具體而言，是一邊將從頭部12朝向晶圓13照射之雷射光束LB的聚光點定位在基板15的正面附近，一邊使保持工作台4移動成讓此雷射光束LB沿著複數個器件19的交界來照射於晶圓13(參照圖3(A))。
在此，在第1雷射光束照射步驟(S1)中，是將雷射光束LB的照射條件設定為適合於將絕緣膜17的期望的部分去除之條件。具體來說，此時之雷射光束LB是設定成：功率為例如3W~5W，代表性的是4W，又，頻率為例如1500kHz~2500kHz，代表性的是2000kHz。
此外，雷射光束LB是設定成：在平面視角下形成圓狀的聚光點，且此聚光點的直徑為例如8μm以下，較佳的是6μm以下。又，此時的保持工作台4的移動速度是設定成例如成為300mm/s~500mm/s，代表性的是400mm/s。
藉此，雷射光束LB會穿透絕緣膜17並被基板15吸收，且在基板15的正面附近產生雷射燒蝕。並且，伴隨於此雷射燒蝕，位於複數個器件19的交界之絕緣膜17的一部分會氣化而被去除。其結果，在晶圓13形成貫通絕緣膜17且使基板15的正面露出之第1貫通路25(參照圖3(B))。
在第1雷射光束照射步驟(S1)之後，將保護膜形成為覆蓋複數個器件19、絕緣膜17、與在第1貫通路25中露出之基板15(保護膜形成步驟：S2)。圖4(A)是示意地顯示保護膜形成步驟(S2)之情形的局部剖面側視圖，圖4(B)是示意地顯示保護膜形成步驟(S2)之後的晶圓13的局部放大剖面圖。
此保護膜形成步驟(S2)是利用例如圖4(A)所示之塗佈裝置14來實施。此塗佈裝置14具有保持工作台16與複數個夾具18，前述保持工作台16具有和上述之保持工作台4同樣的構造，前述複數個夾具18具有和上述之複數個夾具10同樣的構造。又，保持工作台16和上述之保持工作台4同樣地與噴射器等之吸引源(未圖示)連通。
又，保持工作台16以及複數個夾具18已連結於旋轉機構(未圖示)。此旋轉機構具有例如皮帶輪以及馬達等。並且，若使此旋轉機構動作，保持工作台16以及複數個夾具18即以通過保持工作台16的上表面的中心且沿著鉛直方向之直線作為旋轉軸來旋轉。
此外，在保持工作台16的上方設置有樹脂供給噴嘴20，前述樹脂供給噴嘴20對已保持在保持工作台16之包含於框架單元11的晶圓13的正面供給液狀樹脂L。此液狀樹脂L是包含例如聚乙烯吡咯啶酮(Polyvinylpyrrolidone)或聚乙烯醇(Polyvinyl Alcohol)等之水溶性樹脂、與丙二醇單甲基醚(Propylene Glycol Monomethyl Ether)等有機溶劑之溶液。
再者，水溶性樹脂為藉由使液狀樹脂L乾燥而形成之保護膜的主成分。又，有機溶劑使液狀樹脂L的表面張力降低，而使將液狀樹脂L塗佈於晶圓13時之塗佈不均減少。又，在液狀樹脂L亦可添加有阿魏酸(Ferulic Acid)等之光吸收劑。此光吸收劑會吸收上述之雷射光束LB而在保護膜中產生雷射燒蝕。
並且，在保護膜形成步驟(S2)中，是藉由所謂的旋轉塗佈法，而在已隔著膠帶21被保持於保持工作台16之晶圓13的正面形成保護膜。具體而言，是從樹脂供給噴嘴20對晶圓13的正面的中心附近供給預定量的液狀樹脂L(參照圖4(A))。然後，使保持工作台16以預定的速度(例如，1500rpm以上且3000rpm以下)旋轉。
藉此，可在晶圓13的正面的整個區域塗佈液狀樹脂L。具體而言，是將液狀樹脂L塗佈成覆蓋複數個器件19、絕緣膜17、與在該第1貫通路25中露出之基板15。並且，在停止保持工作台16的旋轉後，使此液狀樹脂L乾燥。其結果，可形成被覆晶圓13的正面之水溶性的保護膜27(參照圖4(B))。
在保護膜形成步驟(S2)之後，藉由從保護膜27的正面側照射雷射光束LB來形成第2貫通路，前述第2貫通路貫通已形成於第1貫通路25之保護膜27且使基板15露出(第2雷射光束照射步驟：S3)。圖5是示意地顯示第2雷射光束照射步驟(S3)之後的晶圓13的局部放大剖面圖。
此第2雷射光束照射步驟(S3)是利用例如圖3(A)所示之雷射加工裝置2來實施。並且，在第2雷射光束照射步驟(S3)中，是在已將晶圓13隔著膠帶21保持在保持工作台4的狀態下，讓雷射光束LB沿著複數個器件19的交界來照射。
具體而言，是一邊將從頭部12朝向晶圓13照射之雷射光束LB的聚光點定位在基板15的正面附近，一邊使保持工作台4移動成讓使此雷射光束LB沿著複數個器件19的交界來照射於晶圓13。
在此，在第2雷射光束照射步驟(S3)中，是將雷射光束LB的照射條件設定為適合於將保護膜27的期望的部分去除之條件。具體來說，此時之雷射光束LB是設定成：功率為例如0.5W~3W，代表性的是1W，又，頻率為例如100kHz~1500kHz，代表性的是500kHz。
此外，雷射光束LB是設定成：在平面視角下形成圓狀的聚光點，且此聚光點的直徑為例如8μm以下，較佳的是6μm以下。又，此時的保持工作台4的移動速度是設定成例如成為100mm/s~300mm/s，代表性的是200mm/s。
藉此，雷射光束LB會例如被包含於保護膜27之吸光劑吸收而在保護膜27中產生雷射燒蝕。其結果，可在晶圓13形成第2貫通路29，前述第2貫通路29貫通已形成於第1貫通路25之保護膜27且使基板15露出(參照圖5)。
在第2雷射光束照射步驟(S3)之後，從保護膜27的正面側施行電漿蝕刻，直到基板15沿著複數個器件19的交界被分割為止(分割步驟：S4)。圖6是示意地顯示為了實施分割步驟(S4)而被利用之電漿生成裝置之一例的圖。
圖6所示之電漿生成裝置22是由導電性材料所構成，且具有已接地之腔室24。在此腔室24形成有用於朝其內側搬入框架單元11，又，從其內側搬出框架單元11之搬入搬出口24a。
在此搬入搬出口24a設置有閘閥26，前述閘閥26可將腔室24的內部空間與外部空間遮斷、或使其連通。又，於腔室24形成有用於對其內部空間進行排氣之排氣口24b。
此排氣口24b已透過配管28等而和真空泵等之排氣裝置30連通。又，在腔室24的內表面設置有支撐構件32，此支撐構件32會支撐工作台34。
並且，於工作台34的上部設置有靜電夾頭(未圖示)。又，在工作台34的內部設置有位於靜電夾頭的下方之圓板狀的電極34a。此電極34a已透過整合器36連接於高頻電源38。
又，在腔室24的和工作台34的上表面相向之位置形成有圓板狀的開口，在此開口設置有透過軸承40被腔室24支撐之氣體噴出頭42。此氣體噴出頭42是由導電性材料所構成，且已透過整合器44而連接於高頻電源46。
又，於氣體噴出頭42的內部形成有空洞(氣體擴散空間)42a。又，於氣體噴出頭42的內側的部分(例如下部)，形成有連通氣體擴散空間42a與腔室24的內部空間之複數個氣體吐出口42b。又，於氣體噴出頭42的外側的部分(例如上部)，形成有用於將預定的氣體供給至氣體擴散空間42a之2個氣體供給口42c、42d。
此外，氣體供給口42c已透過配管48a等而和氣體供給源50a連通，前述氣體供給源50a供給例如C 4F 8等之氟碳化合物系氣體及/或SF 6等之氟化硫系氣體等。又，氣體供給口42d是透過配管48b等，而和例如供給Ar等的非活性氣體以及O 2氣體等之氣體供給源50b連通。
並且，在分割步驟(S4)中，可藉由例如所謂的波希法(Bosch Process)而沿著複數個器件19的交界來分割基板15。具體而言，首先是在閘閥26已使腔室24的內部空間與外部空間連通的狀態下，以膠帶21為下的方式來將框架單元11搬入到工作台34之上。
接著，藉由工作台34的靜電夾頭隔著膠帶21來保持晶圓13。接著，藉由排氣裝置30對腔室24的內部空間進行排氣來形成為真空狀態。接著，重複實施各向同性之電漿蝕刻、保護膜的形成與各向異性之電漿蝕刻，直到基板15沿著複數個器件19的交界被分割為止。
具體來說，此各向同性之電漿蝕刻可藉由例如以下作法來實施：在已對腔室24的內部空間從氣體供給源50a供給包含SF 6之氣體，且從氣體供給源50b供給Ar氣體之狀態下，從高頻電源46對氣體噴出頭42提供高頻電力。藉此，藉由在腔室24的內部空間中所生成之F系自由基等，而以各向同性的方式對在第2貫通路29中露出之基板15進行蝕刻。
又，此保護膜的形成可藉由例如以下作法來實施：在已對腔室24的內部空間從氣體供給源50a供給包含C 4F 8之氣體，且從氣體供給源50b供給包含Ar之氣體的狀態下，從高頻電源46對氣體噴出頭42提供高頻電力。藉此，在第2貫通路29中露出之基板15的正面會堆積CF自由基，而形成包含氟碳化合物之膜。
或者，此保護膜之形成亦可藉由以下作法來實施：在已對腔室24的內部空間從氣體供給源50b供給包含O 2以及Ar之氣體的狀態下，從高頻電源46對氣體噴出頭42提供高頻電力。藉此，構成在第2貫通路29中露出之基板15的材料(例如矽)與氧氣離子會產生反應，而可在此基板15的正面形成氧化膜。
又，此各向異性之電漿蝕刻可藉由例如以下作法來實施：在已對腔室24的內部空間從氣體供給源50a供給包含SF 6之氣體，且從氣體供給源50b供給Ar氣體之狀態下，從高頻電源38對已設置於工作台34的內部之電極34a提供高頻電力，且從高頻電源46對氣體噴出頭42提供高頻電力。藉此，可藉由將在腔室24的內部空間中所生成之F系離子等朝向工作台34加速，而以各向異性的方式來蝕刻基板15。
圖7是示意地顯示從在分割步驟(S4)中被分割之晶圓13所製造之晶片之一例的局部放大剖面圖。當以波希法沿著複數個器件19的交界來分割基板15時，即如圖7所示，從晶圓13製造出側面具有凹凸形狀之晶片31。
在圖2所示之方法中，在藉由電漿蝕刻分割晶圓13時所利用之遮罩的形成(保護膜形成步驟(S2)以及第2雷射光束照射步驟(S3))之前，藉由將雷射光束LB從絕緣膜17的正面側沿著複數個器件19的交界來照射，而形成貫通絕緣膜17之第1貫通路25。亦即，在圖2所示之方法中，在遮罩的形成之前，已將位於複數個器件19的交界之絕緣膜17的一部分去除。
在此情況下，可以將用於去除絕緣膜17的期望的部分之雷射光束LB的照射條件、與用於形成遮罩，亦即用於去除保護膜27的期望的部分之雷射光束LB的照射條件，各自設為理想的照射條件。其結果，在圖2所示之方法中，變得可提升分割晶圓13來製造晶片31時的加工精度。
再者，上述之內容為本發明之一態樣，本發明的內容並不限定於上述之內容。例如，在上述之分割步驟(S4)中，亦可不實施各向同性之電漿蝕刻與保護膜的形成，而藉由僅實施各向異性之電漿蝕刻，來沿著複數個器件19的交界分割基板15。
另外，上述之實施形態之構造及方法等，只要在不脫離本發明的目的之範圍內，皆可以合宜變更來實施。
2:雷射加工裝置 4,16:保持工作台 6:框體 6a:底壁 6b:側壁 8:多孔板 10,18:夾具 11:框架單元 12:頭部 13:晶圓 14:塗佈裝置 15:基板 17:絕緣膜 19:器件 20:樹脂供給噴嘴 21:膠帶 22:電漿生成裝置 23:框架 23a:開口 24:腔室 24a:搬入搬出口 24b:排氣口 25:第1貫通路 26:閘閥 27:保護膜 28,48a,48b:配管 29:第2貫通路 30:排氣裝置 31:晶片 32:支撐構件 34:工作台 34a:電極 36,44:整合器 38,46:高頻電源 40:軸承 42:氣體噴出頭 42a:氣體擴散空間 42b:氣體吐出口 42c,42d:氣體供給口 50a,50b:氣體供給源 L:液狀樹脂 LB:雷射光束 S1:第1雷射光束照射步驟 S2:保護膜形成步驟 S3:第2雷射光束照射步驟 S4:分割步驟
圖1(A)是示意地顯示包含晶圓之框架單元之一例的立體圖，圖1(B)是示意地顯示圖1(A)所示之框架單元的剖面的剖面圖。 圖2是示意地顯示沿著複數個器件的交界來分割晶圓而製造晶片的晶片之製造方法之一例的流程圖。 圖3(A)是示意地顯示第1雷射光束照射步驟之情形的局部剖面側視圖，圖3(B)是示意地顯示第1雷射光束照射步驟後之晶圓的局部放大剖面圖。 圖4(A)是示意地顯示保護膜形成步驟之情形的局部剖面側視圖，圖4(B)是示意地顯示保護膜形成步驟之後的晶圓的局部放大剖面圖。 圖5是示意地顯示第2雷射光束照射步驟之後的晶圓的局部放大剖面圖。 圖6是示意地顯示為了實施分割步驟而被利用之電漿生成裝置之一例的圖。 圖7是示意地顯示從在分割步驟中被分割之晶圓所製造之晶片之一例的局部放大剖面圖。
S1:第1雷射光束照射步驟
S2:保護膜形成步驟
S3:第2雷射光束照射步驟
S4:分割步驟

Claims (2)

  1. 一種晶片之製造方法，將具有基板與隔著絕緣膜設置在該基板的正面側之複數個器件的晶圓，沿著該複數個器件的交界來分割而製造晶片，前述晶片之製造方法具備以下步驟： 第1雷射光束照射步驟，以第1照射條件將雷射光束從該絕緣膜的正面側沿著該交界來照射，藉此形成貫通該絕緣膜且使該基板露出之第1貫通路； 保護膜形成步驟，在該第1雷射光束照射步驟之後，形成保護膜，以覆蓋該複數個器件、該絕緣膜與在該第1貫通路中露出之該基板； 第2雷射光束照射步驟，在該保護膜形成步驟之後，以和該第1照射條件不同的第2照射條件，將該雷射光束從該保護膜的正面側沿著該交界來照射，藉此形成第2貫通路，前述第2貫通路貫通已形成於該第1貫通路之該保護膜且使該基板露出；及 分割步驟，在該第2雷射光束照射步驟之後，從該保護膜的正面側施行電漿蝕刻，直到將該基板沿著該交界分割為止。
  2. 如請求項1之晶片之製造方法，其中該絕緣膜是由該雷射光束可穿透之材料所構成。
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