TW201834037A - 晶圓的加工方法 - Google Patents

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Abstract

[課題]提供可在晶圓正面的元件區域已被保護膜覆蓋的狀態下進行電漿照射，而可以抑制元件的損壞之晶圓的加工方法。 [解決手段]一種晶圓的加工方法，包含：保護膜形成步驟，形成被覆晶圓的整個正面的保護膜；雷射光照射步驟，沿著切割道照射雷射光來去除功能層以使基板露出；保護膜檢測步驟，檢測雷射光照後之晶圓上的複數個元件區域的保護膜的被覆狀態；保護膜再形成步驟，在元件區域具有未被覆保護膜的部分的情況，再次形成保護膜以覆蓋各元件區域；電漿照射步驟，對晶圓進行電漿照射；及分割步驟，藉由沿著切割道的切削來分割晶圓。

Description

晶圓的加工方法
發明領域 本發明是有關於一種晶圓的加工方法，其為將在基板的正面所積層的功能層上以形成為格子狀的複數條切割道(street)所區劃出的複數個區域中各自形成有元件的晶圓，沿著切割道分割成晶片。
發明背景 在半導體元件的製造程序中，是在矽等基板的正面，設置積層有絕緣膜或功能膜的功能層來構成晶圓，並於功能層上形成以格子狀的切割道區劃的複數個元件。然後，沿著切割道分割晶圓以獲得複數個元件。當於晶圓的分割時進行使用了切削刀片的切削加工時，會因為基板和功能層的物理特性的不同等原因，而有在沿著切割道上的切割線的區域以外的區域，產生功能層的剝離(膜剝離)的疑慮。由於相較於基板，例如作為功能層而為代表性的Low-K膜(低介電常數絕緣體被覆)是比較脆弱的，所以在使用了切削刀片的分割時容易產生膜剝離。
作為其對策而被提出的技術方案為：在晶圓的正面形成保護膜，並沿著切割道照射雷射光線來進行雷射燒蝕，以將Low-K膜之類的功能層和基板的一部分去除(例如專利文獻1)。藉由雷射燒蝕所產生的碎屑可藉由保護膜來預防對元件的附著。於雷射燒蝕後去除保護膜，並使用切削刀片沿著切割道來分割成複數個元件。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2015-79790號公報
發明概要 發明欲解決之課題 如專利文獻1所示，當對晶圓進行沿著切割道的雷射燒蝕時，會因來自雷射光的熱輸入而對基板造成損壞。如此一來，在接下來的分割步驟中進行切削加工時，恐有以損壞處為起點於基板上的切割道的側面產生裂隙(側壁裂隙)之虞。作為其對策，已知的技述為：在雷射照射後對晶圓進行電漿處理(照射)，來去除由雷射照射所造成的損壞。
為了防止由電漿照射所形成的對晶圓上的元件的損壞，所期望的是，以在切割道區域以外的晶圓正面(特別是元件區域)上披覆有保護膜的狀態，來進行電漿照射。不過，會有在雷射燒蝕時藉由雷射照射而產生電漿，而在切割道區域以外的部分使保護膜局部破損之情況。當在此狀態下對晶圓進行電漿照射時，恐有對元件造成損壞之虞。
本發明是有鑒於此點而作成的發明，其目的在於提供一種晶圓的加工方法，其可做到在晶圓正面的元件區域已被保護膜覆蓋的狀態下進行電漿照射，而可以抑制元件的損壞。 用以解決課題之手段
根據本發明，可提供一種晶圓的加工方法，其是將在基板的正面所積層的功能層以形成為格子狀的複數條切割道所區劃出的複數個區域各自形成有元件的晶圓，沿著該切割道分割，該晶圓的加工方法之特徵在於具備： 保護膜形成步驟，在該晶圓正面供給水溶性樹脂，以形成被覆該晶圓整個正面的保護膜； 雷射光照射步驟，沿著該切割道並透過該保護膜來照射雷射光，以去除該功能層而使該基板露出； 保護膜檢測步驟，在實施該雷射光照射步驟之後，檢測該晶圓上之形成有複數個元件的區域是否被覆有保護膜； 保護膜再形成步驟，在該保護膜檢測步驟中檢測出的結果，於形成有該複數個元件的區域有未被覆該保護膜的部分的情況，再次形成保護膜以分別將形成有該複數個元件的區域覆蓋； 電漿照射步驟，在該保護膜再形成步驟之後，對該晶圓進行電漿照射；及 分割步驟，在該電漿照射步驟之後，沿著該切割道切削晶圓以將該晶圓分削成一個個的晶片。
根據此加工方法，由於即使在雷射光照射步驟中元件區域的保護膜已部分地被破壞的情況下，仍可於再形成保護膜以覆蓋複數個元件區域的每一個之後進行電漿照射，所以可以抑制對元件的損壞。從而，無論是雷射光照射步驟與電漿照射步驟的哪一個步驟，均可以藉由保護膜適當地保護晶圓上的元件，且可以獲得高品質的元件。
較佳的是，保護膜再形成步驟，是從保護膜檢測步驟後的晶圓正面去除保護膜，且已在晶圓正面供給水溶性樹脂之後，將相較於雷射光照射步驟所照射的雷射為輸出較小，而可僅將切割道内的保護膜去除的雷射光沿著切割道照射，以使切割道部分的基板露出。 發明效果
根據本發明，可在晶圓正面的元件區域已覆蓋有保護膜的狀態下進行電漿照射，而能夠獲得可以抑制元件的損壞的晶圓的加工方法。
用以實施發明之形態 以下，參照附加圖式來說明本實施形態。於圖1中所顯示的是，藉由本發明之晶圓的加工方法所加工的晶圓。圖1所示之晶圓W是以矽作為母材的半導體晶圓，並於圓板形狀之晶圓W的正面將IC或LSI等元件DV形成於藉由複數條切割道ST而區劃成格子狀的複數個區域中。如於圖1的圓形圈圍部分放大而顯示地，於各個元件DV的周緣部分，形成有在晶圓W的正面上突出的複數個凸塊BP(電極)。再者，本發明設為加工對象的晶圓只要可進行後述的雷射光照射或電漿照射即可，也可是採用圖1所示的形態以外的各種形態，且不只適用於半導體晶圓，也可以適用於光元件晶圓等。
如圖5(A)到圖5(E)所示，晶圓W具有在矽等所構成的基板71的正面上積層有功能層72的構造。本實施形態的晶圓W具備有2層構造的功能層72。作為功能層72，可以選擇Low-K膜(低介電常數絕緣體被覆)及測試元件群組(Test Element Group，TEG)等的任意的功能層。從功能層72的正面突出有複數個凸塊BP。
接下來參照圖2，說明適合於實施有關於本實施形態之晶圓的加工方法的加工裝置的概要。以下所述的X軸方向、Y軸方向及Z軸方向，是對應於圖2所示的箭頭的方向。X軸方向與Y軸方向是沿水平面的方向，Z軸方向是相對於水平面垂直的上下方向。
圖2所示的雷射加工裝置1是搬送被加工物即晶圓W，並沿著切割道ST(圖1)照射雷射光線來施行雷射燒蝕加工的裝置。再者，所謂的燒蝕是指，當雷射光線的照射強度在規定之加工閾值以上時，會在固體表面轉換為電子的、熱的、光科學的及力學的能量，其結果，使中性原子、分子、正負離子、自由基、團簇(cluster)、電子、光急遽地釋放出，而使固體表面被蝕刻的現象。
如圖2所示，晶圓W是以形成有複數個元件DV的正面露出的狀態，而透過貼附於背面的膠帶T被框架F所支撐。將於框架F上對晶圓W進行支撐的構成設為晶圓單元U。
雷射加工裝置1具備有載置收容有晶圓單元U之片匣10的片匣載置區域2、相對於片匣10進行晶圓單元U的搬出及搬入之搬出入機構3、進行從片匣10搬出之晶圓單元U的搬送之搬送機構4、進行對晶圓W的正面的保護膜的形成與去除的保護膜形成去除設備5、進行從搬送機構4移交來之晶圓單元U的保持之保持台6、對保持台6上之晶圓W照射雷射光的雷射照射設備7、及檢測保持台6上之晶圓W正面的保護膜之狀態的保護膜檢測設備8。
於片匣10的内部形成有數數段狹槽(圖示省略)，而可於各狹槽收容晶圓單元U。片匣載置區域2可朝Z軸方向(上下方向)升降，且可以藉由升降片匣載置區域2，而將片匣10内的規定的狹槽設在對應於搬出入機構3的高度位置。
搬出入機構3具有可在X軸方向上移動的把持部11、以及在Y軸方向上間隔分開而朝X軸方向延伸的一對導引部12。把持部11可把持晶圓單元U的框架F，並可以藉由在已把持框架F的狀態下使把持部11朝X軸方向移動，而進行晶圓單元U之從片匣10内的拉出動作、以及晶圓單元U之往片匣10内的收納動作。又，可藉由在一對導引部12之間夾持框架F，而決定晶圓單元U在Y軸方向上的位置，並且引導晶圓單元U的X軸方向的移動。
於搬出入機構3和保護膜形成去除設備5之間設有搬送機構4。搬送機構4具備有以朝向Z軸方向的軸線為中心而可旋轉的旋繞軸13、從旋繞軸13的上端開始朝水平方向延伸的伸縮臂14、及設置在伸縮臂14的前端的吸附部15。旋繞軸13可沿Z軸方向上下活動，伸縮臂14可沿水平方向進行伸縮。藉由旋繞軸13的旋轉與伸縮臂14的伸縮，以改變吸附部15在包含X軸和Y軸的水平面內的位置，並藉由旋繞軸13的上下活動，以改變吸附部15在Z軸方向中的位置。吸附部15可從上方吸引保持晶圓單元U的框架F，並可藉由使已保持有晶圓單元U的狀態的吸附部15朝上述的各方向移動，而搬送晶圓單元U。
關於保護膜形成去除設備5，是參照圖3來進行說明。保護膜形成去除設備5具備有吸引保持晶圓單元U的下表面的旋轉台16、以及使晶圓單元U的框架F固定在旋轉台16上的複數個(4個)夾具17。旋轉台16是藉由旋轉驅動機構18，而可將朝向Z軸方向的旋動軸作為中心來旋轉。旋轉台16的周圍是被有底的圓筒狀框體19所包圍，且在框體19底部形成的排水口19a連接有排水管20。旋轉台16與旋轉驅動機構18，是透過升降機構21而以可在Z軸方向上移動的方式被支撐，且可以使其形成旋轉台16的上表面位於接近於框體19的上端部附近的狀態(圖2、圖3)、以及旋轉台16進入框體19的內側(在框體19內已下降)的狀態。
如圖3所示，於框體19内在包圍旋轉台16的位置設有樹脂供給噴嘴21、供水噴嘴22及空氣噴嘴23。此等的各個噴嘴21、22及23是設置在以朝向Z軸方向的軸為中心而可旋繞的支臂的前端。樹脂供給噴嘴21是朝向已保持在旋轉台16上的晶圓W滴下後述的液狀的水溶性樹脂之噴嘴。供水噴嘴22是朝向已保持在旋轉台16上的晶圓W供給保護膜去除用的洗淨水之噴嘴。空氣噴嘴23是朝向已保持在旋轉台16上的晶圓W噴出空氣之噴嘴。
回到圖2繼續進行雷射加工裝置1之說明。保持台6具備有吸引保持晶圓單元U的下表面的吸引部25。吸引部25具備朝向上方的圓形的保持面，且可以在這個保持面上受到吸引力來保持晶圓單元U。於吸引部25的周圍設有複數個(4個)固定晶圓單元U的框架F之夾具26。
保持台6是相對於支撐雷射加工裝置1整體的基台27，而被X軸方向驅動機構支撐成可在X軸方向上移動，並被Y軸方向驅動機構支撐成可在Y軸方向上移動。
X軸方向驅動機構具備有設置在基台27上且朝X軸方向延伸的一對導軌30、設置在基台27上且旋動軸為朝向X方向之滾珠螺桿31、以及設置在滾珠螺桿31的一端的馬達32。於一對導軌30上是將第1載台33以可朝X軸方向移動的方式支撐，並且將已形成在第1載台33内之未圖示的螺帽螺合於滾珠螺桿31。從而，當藉由馬達32來旋轉驅動滾珠螺桿31時，第1載台33即在導軌30上朝X軸方向移動。
Y軸方向驅動機構具備有設置在第1載台33上且朝Y軸方向延伸的一對導軌35、設置在第1載台33上且旋動軸為朝向Y方向之滾珠螺桿36、以及設置在滾珠螺桿36的一端的馬達37。於一對導軌35上是將第2載台38以可朝Y軸方向移動的方式支撐，並且將已形成在第2載台38内之未圖示的螺帽螺合於滾珠螺桿36。從而，當藉由馬達37來旋轉驅動滾珠螺桿36時，第2載台38即在導軌35上朝Y軸方向移動。
保持台6是被支撐在第2載台38上。也就是，伴藉於藉由X軸方向驅動機構所進行的第1載台33的X軸方向的移動、及藉由Y軸方向驅動機構進行的第2載台38的Y軸方向的移動，來改變保持台6的位置。
配備有從基台27上表面突出的立壁部27a朝X軸方向突出的箱形的罩殼40，於罩殼40的前端部設置有雷射照射設備7的照射頭41。
關於雷射照射設備7，參照圖4來說明。如圖4所示，於罩殼40内設置有雷射振盪器42、附設於雷射振盪器42的重複頻率設定設備43以及脈衝寬度調整設備44、與功率調整設備45。雷射振盪器42是藉由重複頻率設定設備43與脈衝寬度調整設備44來振盪產生已設定成規定的頻率與脈衝寬度的雷射光線(脈衝雷射光線)LB。藉由功率調整設備45可調整雷射光線LB的輸出。
如圖4所示，雷射照射設備7在已固定於罩殼40的前端部之照射頭41內具備有方向轉換鏡46和聚光透鏡47。從雷射振盪器42所振盪產生且已藉由功率調整設備45進行輸出調整的雷射光線LB，是藉由方向轉換鏡46而朝向下方進行方向轉換，並藉由聚光透鏡47聚光。如此構成的雷射照射設備7，是從照射頭41朝向已保持在保持台6上的晶圓W，並沿Z軸方向的光軸來照射雷射光線LB。
再者，在圖2所示的雷射加工裝置1中，是藉由X軸方向驅動機構與Y軸方向驅動機構，使保持台6朝X軸方向及Y軸方向移動，雖然雷射照射設備7是設成不移動的構成，但只要保持台6與雷射照射設備7存有在X軸方向與Y軸方向上相對地移動的關係即可，並不限定於圖2的構成。例如，亦可設成保持台6只朝Y軸方向移動，而雷射照射設備7朝X軸方向移動的構成。
回到圖2繼續雷射加工裝置1之說明。於罩殼40的前端部設置有攝像單元48，該攝像單元48是在與雷射照射設備7相鄰的位置，拍攝保持在保持台6上之晶圓W。攝像單元48是進行可見光區域的攝像之裝置，且藉由以攝像單元48拍攝晶圓W，並檢測形成在晶圓W上之目標圖案(未圖示)的圖像，可以進行以目標圖案為基準調整晶圓W(晶圓單元U)的位置、方向等的校準。
如圖2所示，保護膜檢測設備8具備有紅外線照射部50與紅外線攝像部51。紅外線照射部50是藉由省略圖示的驅動機構，而以可相對於罩殼40朝X軸方向與Y軸方向移動的方式被支撐，且可朝向已保持在保持台6上的晶圓W照射紅外線。紅外線攝像部51是在罩殼40的前端部與雷射照射設備7相鄰而設置。紅外線攝像部51具有可拍攝紅外線的反射光的受光部，且可以在位於保持台6的中心部上方的狀態下，廣角地拍攝保持台6上的晶圓W的整體來取得紅外線圖像。關於藉由保護膜檢測設備8進行的保護膜檢測，容後敘述。
如圖2所示，於雷射加工裝置1上設置有統合控制裝置各部的控制設備60。控制設備60是以實行各種處理的處理器所構成。對於控制設備60，可輸入來自保護膜檢測設備8的檢測結果等。
有別於以上所說明的雷射加工裝置1，實施本發明實施形態之晶圓的加工方法，是使用進行對晶圓W的電漿照射之電漿照射裝置、以及沿切割道ST將晶圓W切削加工以使其分割成一個個的元件DV的切削裝置。
關於電漿照射裝置是概念地顯示於圖5(D)。圖5(D)所示的電漿照射裝置80具備於内部形成密閉空間的裝置殼體81，並於裝置殼體81内將上部電極82與下部電極83於上下方向上相向而設置。可以利用未圖示的高頻電壓施加設備，在上部電極82與下部電極83之間施加高頻電壓。又，上部電極82在相向於下部電極83的下表面側具有複數個噴出口，且可以從未圖示的氣體供給設備使所供給的電漿化用氣體從氣體噴出口噴出。下部電極83具有載置並保持晶圓W的保持部。當在從上部電極82的噴出口供給電漿化用氣體的狀態下，藉由高頻電壓施加設備在上部電極82與下部電極83之間施加高頻電壓時，會使電漿化用氣體電漿化，並使已電漿化的活性物質作用於下部電極83上的晶圓W。
關於切削裝置，是概念地顯示於圖5(E)。圖5(E)所示的切削裝置85，具備有吸附保持晶圓W的保持部、進行對保持於保持部上的晶圓W的切削加工之圓板狀的切削刀片86。切削刀片86是藉由馬達87，而以與晶圓W的板面平行地延伸的旋動軸88為中心被旋轉驅動。雖然省略圖示，但設置有使切削刀片86相對於晶圓W的位置改變的驅動機構，且可以藉由一邊使切削刀片86旋轉一邊移動，而沿切割道ST對晶圓W進行切削加工。
接著，說明本實施形態之晶圓的加工方法。此加工方法是大致分成包含：圖5(A)所示之保護膜形成步驟到雷射光照射步驟、圖5(B)所示之保護膜檢測步驟、圖5(C)所示之保護膜再形成步驟、圖5(D)所示之電漿照射步驟、及圖5(E)所示之分割步驟。
在圖2所示之雷射加工裝置1中，已收容於片匣10的晶圓單元U，是藉由搬出入機構3的把持部11夾持框架F而從片匣10中拉出。晶圓單元U是在藉由導引部12來決定位置之後，藉由搬送機構4搬送到保護膜形成去除設備5，而進行保護膜形成步驟。
在保護膜形成去除設備5(參照圖3)中的保護膜形成步驟中，是以將晶圓W的正面朝向上方的狀態，將晶圓單元U載置於旋轉台16上，並藉由夾具17來固定框架F。並且，使旋轉台16在Z軸方向上下降而在已收容於框體19内的狀態下，一邊從樹脂供給噴嘴21朝向晶圓W的正面(中央附近)滴下液狀樹脂，一邊藉由旋轉驅動機構18使旋轉台16旋轉。於是，藉由離心力使液狀樹脂朝向晶圓W的周緣部擴散，而形成被覆晶圓W的整個面的保護膜70(參照圖5(A))。
形成保護膜70用的液狀樹脂是水溶性樹脂，且可以使用例如聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)或聚乙二醇(PEG)等。在之後的雷射照射步驟中，為了提高從雷射照射設備7所照射的雷射光線LB的吸収性，亦可在形成保護膜70的水溶性樹脂中加入阿魏酸(ferulic acid)等吸收劑、或使氧化鈦(TiO2 )等過渡金屬氧化物的微粒子分散。過渡金屬氧化物的微粒子宜設成1到數十nm左右的大小。再者，保護膜70的材質或添加物並不限定於上述的例子，也可以因應於所使用的雷射光線的波長區等而進行適當選擇。
當完成保護膜形成步驟(在保護膜形成去除設備5中之對晶圓W的正面的保護膜70的形成)時，是藉由搬送機構4將晶圓單元U搬送到保持台6。在保持台6中，是藉由吸引部25吸引晶圓單元U，並且藉由夾具26固定框架F。並且，驅動Y軸方向驅動機構的馬達37來使保持台6朝Y軸方向移動，以將晶圓單元U搬送到雷射照射設備7的下方。
接著，可使用攝像單元48拍攝保持台6上的晶圓W，並參照晶圓W上的目標圖案來進行校準，該校準是調整晶元單元U相對於雷射照射設備7之位置、方向等。
在實施雷射照射步驟之前，檢測保護膜70是否被覆於晶圓W的整個正面。此雷射照射前的保護膜檢測步驟，是利用如圖2所示之保護膜檢測設備8來進行。保護膜檢測設備8是從紅外線照射部50對晶圓W的正面照射紅外線，並藉由紅外線攝像部51接收來自晶圓W的正面的紅外線的反射光來進行攝像。由於紅外線照射部50是一邊朝X軸方向與Y軸方向移動一邊對晶圓W的整個正面照射紅外線，且紅外線攝像部51可廣角地拍攝晶圓W的整個正面，所以可使用紅外線照射部50與紅外線攝像部51，取得晶圓W的整個正面的紅外線圖像。
保護膜70相較於形成於晶圓W的正面的元件DV(包含凸塊BP)，紅外線的吸収率較高(反射率較低)。因此，在晶圓W的正面有未被覆有保護膜70的部分之情況下，以紅外線攝像部51取得的紅外線圖像中，會包含存在保護膜70而紅外線反射較少的區域、以及未被覆保護膜70而紅外線反射較多的區域。在保護膜檢測設備8中，可以根據在這些區域間的光的強度差(對比)來進行圖像處理，以檢測晶圓W的正面之中未被覆有保護膜70的區域。由於雷射加工用的保持台6是利用吸引部25與夾具26而強固地保持晶圓單元U，所以難以產生晶圓單元U的振動等，而能夠以較高的檢測精度來檢測保護膜70的狀態。
在雷射光照射前的檢測步驟中，在檢測出保護膜70並未被覆於晶圓W的整個正面的情況下，即不前進到雷射光照射步驟，而使晶圓單元U返回到保護膜形成去除設備5，並進行前述的保護膜形成步驟。
在雷射光照射前的檢測步驟中，當確認為保護膜70已被覆於晶圓W的整個正面時，會實行雷射光照射步驟。在雷射光照射步驟中，是一邊使用X軸方向驅動機構與Y軸方向驅動機構使晶圓W移動，一邊進行來自雷射照射設備7的雷射光照射，且沿著晶圓W的切割道ST進行雷射燒蝕。例如，對於朝Y軸方向延伸的切割道ST，是一邊藉由Y軸方向驅動機構將晶圓W朝Y軸方向加工進給一邊進行雷射光照射，而對於朝X軸方向延伸的切割道ST，是一邊藉由X軸方向驅動機構將晶圓W朝X軸方向加工進給一邊進行雷射光照射。
圖5(A)是顯示雷射燒蝕用的雷射光照射步驟之圖。從雷射照射設備7所照射出的雷射光線LB，是沿著晶圓W的切割道ST照射。雷射光線LB是穿透被覆於晶圓W的正面的保護膜70聚光於晶圓W的正面，而去除切割道ST上的功能層72、及其下方的基板71的一部分(參照圖5(B))。亦即，可在切割道ST上形成雷射加工溝。此時，即使在功能層72或基板71的去除之時，因為熱能的集中而產生碎屑，仍可藉由保護膜70預防碎屑對晶圓W的正面的附著，進而可以防止由碎屑的附著所造成的的元件DV的品質降低。尤其是，本實施形態的晶圓W是在元件DV上形成有複數個微小的凸塊BP，因此一旦附著碎屑時，碎屑的去除是困難的，所以藉由保護膜70形成的碎屑附著防止是極為有效的。
不過，在雷射光照射步驟中，在由雷射光線LB的照射所產生的電漿的作用等原因之下，在雷射燒蝕的目標(即切割道ST)以外的區域中有保護膜70受到破壞的可能性。圖5(B)所顯示的是覆蓋元件DV區域之保護膜70已部分地被破壞的狀態，從保護膜70已破壞的部分中露出有凸塊BP。再者，在圖5(B)中雖然作為露出部分而以凸塊BP來例示說明，但也有依保護膜70的破壞狀況，而使凸塊BP以外的晶圓W的正面部分露出的情況。
在圖5(A)所示的雷射光照射步驟之後，是實行如圖5(B)所示之檢測是否產生保護膜70的破壞的保護膜檢測步驟。雷射光照射後的保護膜檢測步驟，是與先前所述的雷射光照射前的保護膜檢測步驟相同，而可利用圖2所示的保護膜檢測設備8來進行。亦即，從紅外線照射部50對晶圓W的正面照射紅外線，且藉由紅外線攝像部51接收來自晶圓W的正面的紅外線的反射光來進行攝像，以取得晶圓W的整個正面的紅外線圖像。對此紅外線圖像進行圖像處理，可判別存在保護膜70而紅外線反射較少的區域、以及未被覆保護膜70而紅外線反射較多的區域。在雷射光照射後的保護膜檢測步驟中，是特別針對晶圓W的正面之中除了切割道ST以外的各元件DV的區域，來檢測是否有未被覆有保護膜70的部分。因為是與雷射光照射前的保護膜檢測步驟同樣，藉由雷射加工用的保持台6而強固地保持晶圓單元U並實行檢測步驟，所以能夠以較高的精度來檢測保護膜70的狀態。
在雷射光照射後的保護膜檢測步驟中所取得的保護膜70的被覆狀態之檢測資料，是傳送到控制設備60(圖2)。藉由此檢測資料，在已檢測為晶圓W的各元件DV的區域均全部被覆有保護膜70(未產生保護膜70的破損)的情況下，控制設備60會令其實行後述的電漿照射步驟。另一方面，在已檢測為晶圓W的各元件DV區域中存在未被覆保護膜70的部分的情況下，控制設備60會實行如下所述的保護膜再形成步驟。
在保護膜再形成步驟中，是將晶圓單元U從保持台6搬送到保護膜形成去除設備5。在保護膜形成去除設備5中，是從供水噴嘴22向晶圓W的正面供給洗淨水，以將殘留在晶圓W的正面上的保護膜70暫時去除。由於保護膜70是水溶性樹脂所構成，所以容易藉由洗淨水沖洗。此時，在先前的雷射光照射步驟所產生的碎屑也會和保護膜70一起被沖洗。洗淨水是從框體19的底面的排水口19a經過排水管20而排出。洗淨完畢後，從空氣噴嘴23噴出空氣以去除殘留在晶圓W上的水滴。
接著，進行對晶圓W的正面上的保護膜70的再形成。與前述的保護膜形成步驟同樣，藉由在晶圓W的正面上滴下水溶性的液狀樹脂並使旋轉台16旋轉，可再形成全面地被覆晶圓W的正面的保護膜70。利用保護膜形成去除設備5而再形成的保護膜70，是形成為在晶圓W的正面中，不只各元件DV的區域，連切割道ST上的區域也被覆的形態。
在保護膜再形成步驟中，是進一步將在晶圓W的整個正面再形成保護膜70的狀態之晶圓單元U，從保護膜形成去除設備5搬送到保持台6。並且，如圖5(C)所示，從雷射照射設備7照射雷射光線LBs，並藉由雷射燒蝕僅去除保護膜70之中於切割道ST上再形成的部分。此時照射的雷射光線LBs，是藉由功率調整設備45設定輸出，以使得輸出變得比在之前的雷射光照射步驟中所照射的雷射光線LB更小。更詳細地說，雷射光線LBs是在不破壞基板71或功能層72、或不使其產生成為覆蓋元件DV區域之保護膜70的破壞原因之電漿的情形下，設定為僅可去除切割道ST内的保護膜70的輸出。
於雷射光線LBs的照射後，使用保護膜檢測設備8，再次進行前述之保護膜檢測步驟，檢測晶圓W的各元件DV之區域的整體是否被覆有保護膜70(且也檢測切割道ST上的保護膜70是否已去除)。在假設已檢測出在元件DV的區域上的保護膜70的破損的情況下，會因應需要而進行再次的保護膜再形成步驟。再者，判定為需要進行保護膜再形成步驟的保護膜70的破損程度(檢測的閾値)，可以任意地設定。
經過以上的各步驟，可得到如圖5(C)所示，在切割道ST部分未被覆保護膜70而使基板71正面露出，並且複數個元件DV區域的整體已被保護膜70被覆的狀態之晶圓W。再者，在雷射光照射後的初次的(未經過保護膜再形成步驟)的保護膜檢測步驟中，已檢測為並無在各元件DV的區域中的保護膜70的破損的情況下，可一開始就獲得圖5(C)所示的被覆狀態之晶圓W。
接著，實行圖5(D)所示的電漿照射步驟。在電漿照射步驟中，是將各元件DV區域已被保護膜70被覆的狀態之晶圓W，從雷射加工裝置1搬送到電漿照射裝置80。在電漿照射裝置80中，是將晶圓W保持在裝置殼體81内的下部電極83的保持部上，且作動氣體供給設備(未圖示)來使電漿化用氣體從上部電極82的複數個噴出口朝向晶圓W噴出。在已如此供給電漿化用氣體的狀態下，從高頻電壓施加設備(未圖示)在上部電極82與下部電極83之間施加高頻電壓。如此一來，電漿化用氣體即電漿化並在上部電極82與下部電極83之間的空間產生電漿。藉由電漿而產生的活性物質可作用於晶圓W之中已露出的切割道ST之處，而可將切割道ST的内部改質(蝕刻)，以去除由之前的雷射光照射所形成的損壞。這時，因為保護膜70已對各元件DV形成被覆，所以可以抑制電漿照射對元件DV的損壞。
電漿照射步驟完成後，即去除晶圓W上的保護膜70。保護膜70的去除可以將晶圓W(晶圓單元U)搬送到保護膜形成去除設備5的旋轉台16，並從供水噴嘴22朝向晶圓W的正面供給洗淨水而進行。或者，亦可使用保護膜形成去除設備5以外的洗淨設備來去除保護膜70。
在保護膜70的去除後，實行圖5(E)所示的分割步驟。分割步驟是將晶圓W搬送到切削裝置85而進行。在切削裝置85中，是使晶圓W吸附保持在保持部上，且將切削刀片86對準於切割道ST。然後，一邊藉由馬達87旋轉切削刀片86，一邊使切削刀片86與晶圓W在各切割道ST的形成方向上相對地移動，藉此切削基板71，而使其從晶圓W分割成複數個元件DV。
因為切割道ST上的功能層72已藉由圖5(A)所示的雷射燒蝕(雷射光照射步驟)而去除，所以在進行分割步驟中的切削加工之時，難以產生功能層72的膜剝離。又，因為藉由圖5(D)所示的電漿照射步驟，可藉由電漿蝕刻將晶圓W的各切割道ST的内部(雷射加工溝的内表面)改質，所以可以在進行分割步驟中的切削加工之時，抑制各切割道ST的側面部分的裂隙(側壁裂隙)的產生。
如以上，依據本實施形態的晶圓的加工方法，可在沿著晶圓W的切割道ST照射雷射光而進行雷射燒蝕之後，檢測晶圓W上的保護膜70的被覆狀態，並在元件DV的形成區域出現了未被覆有保護膜70的部分的情況下，在元件DV的形成區域再形成保護膜70。因此，可以在用於使切割道ST的内表面改質的電漿照射步驟中，藉由保護膜70確實地保護元件DV的形成區域。又，可以在接續於電漿照射步驟而進行的晶圓W的分割步驟中，預防功能層72的膜剝離，並且抑制切割道ST中的側壁裂隙的產生。
再者，本發明並不受限於上述實施之形態，且可進行各種變更而實施。在上述實施形態中，關於在附加圖式中所圖示的大小與形狀等，並不受限於此，並可在發揮本發明的效果的範圍內作適當變更。
例如，在保護膜再形成步驟中，取代如上述實施形態地在包含切割道ST的晶圓W的整個正面形成保護膜70，而僅以在元件DV的區域中不存在保護膜70之處(已被破壞之處)為對象，來點狀分散地再形成保護膜70亦可。具體來說，是從藉由保護膜檢測設備8所取得的晶圓W的紅外線圖像的圖像資訊中，辨識在元件DV上未存在有保護膜70的非被覆部之位置，並使該位置資訊儲存到控制設備60(圖2)等所具備的儲存部。然後，利用可像噴墨方式之形式選擇性地對微細區域供給水溶性樹脂的保護膜再形成設備，並根據已儲存在儲存部的位置資訊，僅對元件DV上的非被覆部供給水溶性樹脂來使其再形成保護膜。根據此保護膜再形成方法，可以省略圖5(C)所示的雷射光線LBs之再照射(用於去除切割道ST上的保護膜70的雷射照射)。
上述之實施形態的保護膜檢測設備8雖然是取得紅外線圖像來檢測保護膜70的被覆狀態之設備，但用於保護膜檢測的設備也可以是此設備以外的設備。作為一個例子，亦可為對晶圓的正面照射紅外線以外的波長的激發光，並檢測來自保護膜的的螢光，藉此檢測保護膜的有無。在雷射燒蝕所使用的加工用雷射之波長為紫外線區域的情況下，可以利用紫外線波長的激發光。
作為保護膜檢測設備的進一步不同的形態，也可為朝晶圓的正面噴射水蒸氣，並根據光的散射狀況來檢測出保護膜的被覆區域與非被覆區域之形態。因為由水溶性樹脂所構成的保護膜具有親水性，所以已附著有水蒸氣的情況下不會成為水滴而殘留。另一方面，在未存在有保護膜的非被覆區域中可形成由水滴所形成的凹凸。如此一來，由於在產生有藉由水滴的凹凸所進行的光的散射之處(非被覆區域)及未產生有光的散射之處(被覆區域)，會形成光的強度差，因此可以藉由拍攝晶圓的正面並取得圖像資訊，來檢測保護膜的有無。
又，雖然說明了本發明的實施形態，但作為本發明的其他實施形態，亦可為將上述實施形態或變形例整體地或者部分地組合而成之形態。
又，本發明之實施形態並不限定於上述之實施形態，且亦可在不脫離本發明之技術思想的主旨的範圍內進行各種變更、置換、變形。此外，若能經由技術之進步或衍生之其他技術而以其他的方式來實現本發明之技術思想的話，亦可使用該方法來實施。從而，專利請求的範圍涵蓋了可包含在本發明之技術思想範圍內的所有的實施態樣。
如以上所說明，本發明即使是在雷射光照射步驟中已在切割道以外的區域產生有保護膜的非被覆部分之情況下，仍可做到以晶圓的正面的元件區域已被保護膜被覆的狀態來進行電漿照射，而具有能夠抑制元件的損壞之效果，尤其是對沿著已在基板的正面區劃形成的切割道來分割複數個元件的晶圓的加工方法特別有用。
1‧‧‧雷射加工裝置
3‧‧‧搬出入機構
4‧‧‧搬送機構
5‧‧‧保護膜形成去除設備
6‧‧‧保持台
7‧‧‧雷射照射設備
8‧‧‧保護膜檢測設備
10‧‧‧片匣
11‧‧‧把持部
12‧‧‧導引部
13‧‧‧旋繞軸
14‧‧‧伸縮臂
15‧‧‧吸附部
16‧‧‧旋轉台
17、26‧‧‧夾具
18‧‧‧旋轉驅動機構
19‧‧‧框體
19a‧‧‧排水口
20‧‧‧排水管
21‧‧‧升降機構
21‧‧‧樹脂供給噴嘴
22‧‧‧供水噴嘴
23‧‧‧空氣噴嘴
25‧‧‧吸引部
27‧‧‧基台
27a‧‧‧立壁部
30、35‧‧‧導軌
31、36‧‧‧滾珠螺桿
32、37‧‧‧馬達
33‧‧‧第1載台
38‧‧‧第2載台
40‧‧‧罩殼
41‧‧‧照射頭
42‧‧‧雷射振盪器
43‧‧‧重複頻率設定設備
44‧‧‧脈衝寬度調整設備
45‧‧‧功率調整設備
46‧‧‧方向轉換鏡
47‧‧‧聚光透鏡
48‧‧‧攝像單元
50‧‧‧紅外線照射部
51‧‧‧紅外線攝像部
60‧‧‧控制設備
70‧‧‧保護膜
71‧‧‧基板
72‧‧‧功能層
80‧‧‧電漿照射裝置
81‧‧‧裝置殼體
82‧‧‧上部電極
83‧‧‧下部電極
85‧‧‧切削裝置
86‧‧‧切削刀片
87‧‧‧馬達
88‧‧‧旋動軸
BP‧‧‧凸塊
DV‧‧‧元件
F‧‧‧框架
LB、LBs‧‧‧雷射光線
ST‧‧‧切割道
T‧‧‧膠帶
U‧‧‧晶圓單元
W‧‧‧晶圓
X、Y、Z‧‧‧方向
圖1是顯示藉由本實施形態的晶圓的加工方法所加工之晶圓的立體圖。 圖2是適合於實施有關於本實施形態之晶圓的加工方法之加工裝置的概要立體圖。 圖3是將構成加工裝置的保護膜形成去除設備進行部分地截面觀看之狀態的立體圖。 圖4是概念地顯示構成加工裝置的雷射照射設備之圖。 圖5是從(A)到(E)的順序來顯示本實施形態的晶圓的加工方法之各步驟的示意圖。

Claims (2)

  1. 一種晶圓的加工方法，是將在基板的正面所積層的功能層以形成為格子狀的複數條切割道所區劃出的複數個區域各自形成有元件的晶圓，沿著該切割道分割，該晶圓的加工方法之特徵在於具備： 保護膜形成步驟，在該晶圓正面供給水溶性樹脂，以形成被覆該晶圓整個正面的保護膜； 雷射光照射步驟，沿著該切割道並透過該保護膜來照射雷射光，以去除該功能層而使該基板露出； 保護膜檢測步驟，在實施該雷射光照射步驟之後，檢測該晶圓上之形成有複數個元件的區域是否被覆有該保護膜； 保護膜再形成步驟，在該保護膜檢測步驟中檢測出的結果，於形成有該複數個元件的區域有未被覆該保護膜的部分的情況，再次形成保護膜以分別將形成有該複數個元件的區域覆蓋； 電漿照射步驟，在該保護膜再形成步驟之後，對該晶圓進行電漿照射；及 分割步驟，在該電漿照射步驟之後，沿著該切割道切削晶圓以將該晶圓分割成一個個的晶片。
  2. 如請求項1之晶圓的加工方法，其中，該保護膜再形成步驟，是從該保護膜檢測步驟後的晶圓正面去除該保護膜，且已在該晶圓正面供給水溶性樹脂之後，將相較於該雷射光照射步驟所照射的雷射為輸出較小，且可僅將該切割道内的保護膜去除的雷射光沿著該切割道照射，以使該切割道部分的基板露出。
TW106138105A 2016-12-12 2017-11-03 晶圓的加工方法 TWI821164B (zh)

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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7154697B2 (ja) * 2018-08-13 2022-10-18 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法
US11081392B2 (en) * 2018-09-28 2021-08-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Dicing method for stacked semiconductor devices
TW202028212A (zh) 2018-10-11 2020-08-01 日商小野藥品工業股份有限公司 Ｓｔｉｎｇ促效化合物
JP7355618B2 (ja) * 2018-12-04 2023-10-03 株式会社ディスコ ウエーハ分割装置
TWI812848B (zh) * 2019-04-05 2023-08-21 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理系統及基板處理方法
JP7450426B2 (ja) 2020-03-24 2024-03-15 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法
CN111703624B (zh) * 2020-06-30 2022-04-22 东莞市汇铭洋光电有限公司 一种镜片及其加工方法
US11688600B1 (en) * 2021-12-03 2023-06-27 Pulseforge, Inc. Method and apparatus for removing particles from the surface of a semiconductor wafer
JP2024003578A (ja) 2022-06-27 2024-01-15 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2024048066A (ja) 2022-09-27 2024-04-08 株式会社ディスコ デバイスウェーハの加工方法

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5393706A (en) * 1993-01-07 1995-02-28 Texas Instruments Incorporated Integrated partial sawing process
US5435876A (en) * 1993-03-29 1995-07-25 Texas Instruments Incorporated Grid array masking tape process
US5597767A (en) * 1995-01-06 1997-01-28 Texas Instruments Incorporated Separation of wafer into die with wafer-level processing
US6686291B1 (en) * 1996-05-24 2004-02-03 Texas Instruments Incorporated Undercut process with isotropic plasma etching at package level
US6762124B2 (en) * 2001-02-14 2004-07-13 Avery Dennison Corporation Method for patterning a multilayered conductor/substrate structure
KR101030056B1 (ko) * 2003-11-14 2011-04-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정표시장치 제조방법
US7129114B2 (en) * 2004-03-10 2006-10-31 Micron Technology, Inc. Methods relating to singulating semiconductor wafers and wafer scale assemblies
US7417305B2 (en) * 2004-08-26 2008-08-26 Micron Technology, Inc. Electronic devices at the wafer level having front side and edge protection material and systems including the devices
JP4018096B2 (ja) * 2004-10-05 2007-12-05 松下電器産業株式会社 半導体ウェハの分割方法、及び半導体素子の製造方法
JP4571850B2 (ja) * 2004-11-12 2010-10-27 東京応化工業株式会社 レーザーダイシング用保護膜剤及び該保護膜剤を用いたウエーハの加工方法
JP2008103433A (ja) * 2006-10-18 2008-05-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2008277414A (ja) * 2007-04-26 2008-11-13 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
US20100013036A1 (en) 2008-07-16 2010-01-21 Carey James E Thin Sacrificial Masking Films for Protecting Semiconductors From Pulsed Laser Process
JP5324180B2 (ja) * 2008-10-07 2013-10-23 株式会社ディスコ レーザ加工方法およびレーザ加工装置
US8524537B2 (en) * 2010-04-30 2013-09-03 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming protective coating material over semiconductor wafer to reduce lamination tape residue
JP2012023085A (ja) * 2010-07-12 2012-02-02 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスウエーハの加工方法
JP5890996B2 (ja) * 2010-11-25 2016-03-22 日東電工株式会社 光学フィルム用粘着剤層、粘着剤層付光学フィルム、画像表示装置および光学フィルムの剥離方法
US8507363B2 (en) * 2011-06-15 2013-08-13 Applied Materials, Inc. Laser and plasma etch wafer dicing using water-soluble die attach film
US9786541B2 (en) * 2011-09-30 2017-10-10 Lintec Corporation Dicing sheet with protective film forming layer and chip fabrication method
JP2013102039A (ja) * 2011-11-08 2013-05-23 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハの加工方法
US8940619B2 (en) * 2012-07-13 2015-01-27 Applied Materials, Inc. Method of diced wafer transportation
US20140057414A1 (en) * 2012-08-27 2014-02-27 Aparna Iyer Mask residue removal for substrate dicing by laser and plasma etch
JP6166034B2 (ja) * 2012-11-22 2017-07-19 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
US20150011073A1 (en) * 2013-07-02 2015-01-08 Wei-Sheng Lei Laser scribing and plasma etch for high die break strength and smooth sidewall
US9224650B2 (en) * 2013-09-19 2015-12-29 Applied Materials, Inc. Wafer dicing from wafer backside and front side
JP2015065386A (ja) * 2013-09-26 2015-04-09 株式会社ディスコ 保護膜検出装置
JP6162018B2 (ja) * 2013-10-15 2017-07-12 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
US20150243559A1 (en) * 2014-02-27 2015-08-27 Jungrae Park Hybrid wafer dicing approach using temporally-controlled laser scribing process and plasma etch
JP6393583B2 (ja) * 2014-10-30 2018-09-19 株式会社ディスコ 保護膜検出装置及び保護膜検出方法
JP2016115800A (ja) * 2014-12-15 2016-06-23 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2016157892A (ja) * 2015-02-26 2016-09-01 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6478728B2 (ja) * 2015-03-11 2019-03-06 株式会社ディスコ 保護膜検出方法
JP2016207737A (ja) * 2015-04-17 2016-12-08 株式会社ディスコ 分割方法
EP3376527A4 (en) * 2015-11-09 2019-05-08 Furukawa Electric Co., Ltd. INTEGRATED MASK SURFACE PROTECTION FILM

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