JP2019096812A - 被加工物の加工方法 - Google Patents
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Abstract
Description
以下に、本発明に係る加工方法を実施して図1、2に示す被加工物WをデバイスDを備えるチップへと分割する場合の、加工方法の各ステップについて説明していく。
本実施形態においては、例えば、被加工物Wは、図3に示すように、表面W1aにエキスパンドシートT1が貼着される。適度な伸縮性を備える円形状のエキスパンドシートT1は、被加工物Wよりも大径となっている。エキスパンドシートT1の粘着面の外周部を円形の開口を備える環状フレームFに貼着することで、被加工物Wは、裏面W2bが上方に露出した状態でエキスパンドシートT1を介して環状フレームFに支持された状態になる。エキスパンドシートT1の被加工物Wに対する貼着等は、図示しないテープマウンタにおいて転動するローラによってエキスパンドシートT1を被加工物Wに押し付けてなされてもよいし、オペレータによる手作業でなされてもよい。例えば、環状フレームF及びエキスパンドシートT1は、後のプラズマエッチングステップで使用されるエッチングガス(例えば、SF6ガスやC4F8ガス)に対する耐性を備えているものを用いると好ましい。即ち、例えば、環状フレームFはSUSで形成されており、エキスパンドシートT1はポリオレフィン等で形成されていると好ましい。
環状フレームFによるハンドリングが可能となった被加工物Wは、図4に示すスピンコータ4に搬送される。スピンコータ4は、例えば、被加工物Wを保持する保持テーブル40と、保持テーブル40を回転させる回転手段42と、上端側に円形の開口を備え保持テーブル40を収容する有底円筒状のケーシング44とを備えている。
保持テーブル40の下方に配設された回転手段42は、保持テーブル40の底面側に上端が固定されたスピンドル420をモータ等の回転駆動源421がZ軸方向の軸心周りに回転させることで、保持テーブル40を所定の回転速度で回転させる
裏面W2bに保護膜層Jが形成された被加工物Wは、図5に示すレーザ加工装置1に搬送される。レーザ加工装置1は、例えば、被加工物Wを吸引保持するチャックテーブル10と、チャックテーブル10に保持された被加工物Wの保護膜層Jに対して吸収性を有する波長のレーザビームを照射するレーザビーム照射手段11とを少なくとも備えている。
レーザビーム照射手段11は、レーザビーム発振器119から発振されたレーザビームを、伝送光学系を介して集光器111の内部の集光レンズ111aに入光させることで、チャックテーブル10で保持された被加工物Wの保護膜層Jにレーザビームを正確に集光して照射できる。レーザビームの集光点位置は、図示しない集光点位置調整手段によりZ軸方向に調整可能となっている。
上記マスク形成ステップを実施した後、例えば、図7に示すプラズマエッチング装置9を用いて、マスクJ1を介して被加工物Wにプラズマエッチングを施して分断予定ラインSに沿ったエッチング溝を形成する。
ガス導入口911に接続されたガス供給部93には、例えばSF6、CF4、C2F6、C4F8等のフッ素系ガスがエッチングガスとして蓄えられている。
プラズマエッチング装置9は、図示しない制御部を備えており、制御部による制御の下で、ガスの吐出量や時間、高周波電力等の条件がコントロールされる。
仮に、例えば被加工物Wの裏面W2bに保護膜層Jを形成せずに、(3)マスク形成ステップにおいて、銅等の金属からなる膜W2自体をレーザビーム照射によってマスクにすると、プラズマエッチング中に図7に示すチャンバ92内が銅により汚染されてしまうが、本発明に係る加工方法においては該汚染を防ぐことができる。
プラズマエッチングが施された被加工物Wは、図9に示すエキスパンド装置5に搬送される。エキスパンド装置5は、例えば、エキスパンドシートT1の直径よりも大径の環状テーブル50を具備しており、環状テーブル50の開口50cの直径はエキスパンドシートT1の直径よりも小さく形成されている。環状テーブル50の外周部には、4つ(図示の例においては、2つのみ図示している)の固定クランプ52が均等に配設されている。固定クランプ52は、バネ等によって回転軸52cを軸に回動可能であり、環状テーブル50の環状の保持面50aと固定クランプ52の下面との間に環状フレームFを挟み込む。環状テーブル50は、例えば、エアシリンダ等からなる環状テーブル昇降手段55によって上下動可能となっている。
なお、環状テーブル50を下降させるのではなく、環状テーブル50を固定し拡張ドラム53の上昇させることで、エキスパンドシートT1を拡張するものとしてもよい。
エキスパンドされて残存部WKが分断された被加工物Wは、例えば、図12に示すようにスピンコータ4に搬送される。(2)保護膜層形成ステップにおいて使用したスピンコータ4は、被加工物Wの裏面W2bに保護膜層Jを形成する役割を果たす以外にも、被加工物Wの裏面W2b上からマスクJ1を洗浄除去する役割を果たすことが可能である。なお、被加工物Wは、スピンコータ4とは別の洗浄装置によってマスクJ1が洗浄除去されるものとしてもよい。
なお、マスクJ1がレジスト液で形成されたものである場合には、図7に示すプラズマエッチング装置9によりマスクJ1をアッシング(灰化)して除去する。
(1)被加工物の表面への支持部材の配設
本実施形態においては、被加工物Wは、図14に示すようにその表面W1aに支持部材T2が配設される。支持部材T2は、例えば、シリコンやガラス基板等からなり剛性を有するハードプレート又はPVC等の合成樹脂からなるシートであり、被加工物Wと略同径の円形の外形を備え、被加工物Wの表面W1aに接着剤を用いて貼着される。または、被加工物Wの表面W1a側に液状の合成樹脂等を供給した後、該合成樹脂を紫外線照射により硬化させたり加熱して硬化させたりすることで、支持部材T2を形成してもよい。
なお、被加工物Wの表面W1aへの支持部材T2の配設は、マスク形成ステップの実施後に行ってもよい。
支持部材T2が表面W1aに配設された被加工物Wに対して、保護膜層形成ステップ〜プラズマエッチングステップを実施形態1の加工方法と同様に施すことで、被加工物Wには、図15に示す被加工物Wと同様のエッチング溝M1が形成され表面W1a側が残存した残存部WKが形成される。
被加工物Wは図15に示すレーザ加工装置1に搬送され、被加工物Wが、支持部材T2側を下にしてチャックテーブル10の保持面10a上で吸引保持される。そして、レーザビームを残存部WKに照射するための基準となる一本の分断予定ラインSの位置が図示しないアライメント手段によって検出される。
残存部WKが分断された被加工物Wは、例えば、図12に示すスピンコータ4でマスクJ1が洗浄除去される。マスクJ1がレジスト液で形成されたものである場合には、図7に示すプラズマエッチング装置9によりマスクJ1がアッシング(灰化)され除去される。
例えば、プラズマエッチングを被加工物Wに施した後、エキスパンドによる分断ステップにおいて、X軸方向において被加工物Wを挟んで互いに対向した一対の第一挟持手段でエキスパンドシートを挟持するとともに、X軸方向に水平面において直交するY軸方向において被加工物Wを挟んで互いに対向した一対の第二挟持手段でエキスパンドシートを挟持し、一対の第一挟持手段を互いに離反するよう移動させるとともに一対の第二挟持手段を互いに離反するよう移動させることで、エキスパンドシートを四方向に拡張させて被加工物Wを分断してもよい。この場合には、プラズマエッチングステップを実施する前に行うエキスパンドシート貼着ステップにおいて、被加工物Wに貼着したエキスパンドシートを環状フレームに貼着しない。そして、その後に行うプラズマエッチング装置9への被加工物Wの搬送等及びエキスパンドシートの四方向拡張を行うエキスパンド装置への被加工物Wの搬送等は、例えば、非接触で被加工物Wを吸引保持することができるベルヌーイ搬送手段又は被加工物Wの被保持面を全面吸着できる吸着パッドを備える搬送手段を用いて実施する。そして、エキスパンドシート拡張後に、エキスパンドシートを環状フレームに貼着して被加工物Wのハンドリングを環状フレームを用いて行えるようにしてもよい。
T1:エキスパンドシート F:環状フレーム
4:スピンコータ 40:保持テーブル 401:固定クランプ 42:回転手段
44:ケーシング 45:ノズル 47:保護膜剤供給源 46:洗浄水ノズル 48:洗浄水供給源 J:保護膜層
1:レーザ加工装置 10:チャックテーブル 11:レーザビーム照射手段 111:集光器 119:レーザビーム発振器 J1:マスク
9:プラズマエッチング装置
90:静電チャック 900:支持部材 901:電極 91:ガス噴出ヘッド 910:ガス拡散空間 911:ガス導入口 912:ガス吐出口 92:チャンバ 920:搬入出口 921:ゲートバルブ 93:ガス供給部 94,94a:整合器 95,95a:高周波電源,バイアス高周波電源 96:排気口 97:排気装置 98:フレーム加熱防止ガード M1:エッチング溝 WK:残存部
5:エキスパンド装置 50:環状テーブル 52:固定クランプ 53:拡張ドラム 55:環状テーブル昇降手段
T2:支持部材
Claims (4)
- 板状物の裏面に膜が成膜され、複数の分断予定ラインが表面に設定されるとともに該表面の少なくとも該分断予定ライン上に積層体が積層された被加工物の加工方法であって、
被加工物の該膜上に保護膜剤を供給して保護膜層を形成する保護膜層形成ステップと、
該保護膜層形成ステップを実施した後、該分断予定ラインに対応した該保護膜層と該膜とを除去して被加工物の裏面にマスクを形成するマスク形成ステップと、
該マスク形成ステップを実施した後、該マスクを介して被加工物にプラズマエッチングを施して該分断予定ラインに沿ったエッチング溝を形成するプラズマエッチングステップと、を備え、
該プラズマエッチングステップでは該エッチング溝の下方に少なくとも該積層体を含む被加工物の表面側が残存した残存部を形成し、
該プラズマエッチングステップを実施した後、該残存部を該分断予定ラインに沿って分断する分断ステップを更に備えた、加工方法。 - 少なくとも前記プラズマエッチングステップを実施する前に被加工物の表面にエキスパンドシートを貼着するエキスパンドシート貼着ステップを備え、
前記分断ステップでは、該エキスパンドシートをエキスパンドすることで前記残存部を分断する、請求項1に記載の加工方法。 - 前記分断ステップでは、前記残存部に対して吸収性を有した波長のレーザビームを被加工物の裏面側から該残存部に照射して該残存部を分断予定ラインに沿って分断する、請求項1に記載の加工方法。
- 前記分断ステップを実施した後、前記マスクを除去するマスク除去ステップを更に備えた、請求項1に記載の加工方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021015938A (ja) * | 2019-07-16 | 2021-02-12 | 株式会社ディスコ | 水溶性の樹脂シート及びウェーハの加工方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001127011A (ja) * | 1999-10-26 | 2001-05-11 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウェーハの分割方法 |
JP2012248741A (ja) * | 2011-05-30 | 2012-12-13 | Panasonic Corp | プラズマ処理装置、搬送キャリア、及びプラズマ処理方法 |
JP2014523114A (ja) * | 2011-06-15 | 2014-09-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板キャリアを用いたハイブリッドレーザ・プラズマエッチングウェハダイシング |
JP2015095508A (ja) * | 2013-11-11 | 2015-05-18 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2015220240A (ja) * | 2014-05-14 | 2015-12-07 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2016021448A (ja) * | 2014-07-11 | 2016-02-04 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2016115787A (ja) * | 2014-12-15 | 2016-06-23 | 株式会社ディスコ | 被加工物の分割方法 |
JP2017041525A (ja) * | 2015-08-19 | 2017-02-23 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
JP2017163069A (ja) * | 2016-03-11 | 2017-09-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 素子チップの製造方法 |
JP2017529702A (ja) * | 2014-09-19 | 2017-10-05 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | プラズマダイシングのための近接接触カバーリング |
-
2017
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001127011A (ja) * | 1999-10-26 | 2001-05-11 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウェーハの分割方法 |
JP2012248741A (ja) * | 2011-05-30 | 2012-12-13 | Panasonic Corp | プラズマ処理装置、搬送キャリア、及びプラズマ処理方法 |
JP2014523114A (ja) * | 2011-06-15 | 2014-09-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板キャリアを用いたハイブリッドレーザ・プラズマエッチングウェハダイシング |
JP2015095508A (ja) * | 2013-11-11 | 2015-05-18 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2015220240A (ja) * | 2014-05-14 | 2015-12-07 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2016021448A (ja) * | 2014-07-11 | 2016-02-04 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2017529702A (ja) * | 2014-09-19 | 2017-10-05 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | プラズマダイシングのための近接接触カバーリング |
JP2016115787A (ja) * | 2014-12-15 | 2016-06-23 | 株式会社ディスコ | 被加工物の分割方法 |
JP2017041525A (ja) * | 2015-08-19 | 2017-02-23 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
JP2017163069A (ja) * | 2016-03-11 | 2017-09-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 素子チップの製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021015938A (ja) * | 2019-07-16 | 2021-02-12 | 株式会社ディスコ | 水溶性の樹脂シート及びウェーハの加工方法 |
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