JP2024013951A - 被加工物の加工方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】被加工物の加工方法において、洗浄液で被加工物に被覆された保護膜の除去や被加工物や被加工物を支持する支持部材やフレームの洗浄を十分に実施する。【解決手段】被加工物の加工方法は、ウェーハ110の表面111を保護膜114で被覆する保護膜被覆ステップと、この保護膜114を分割予定ライン112に沿って部分的に除去する保護膜除去ステップと、プラズマ状態の第1のガス71を供給し分割予定ライン112に沿ってウェーハ110を複数のチップ113に分割する分割ステップと、分割ステップによって疎水化したチップ113の表面1131と、側面1132と、露出した粘着テープ130と、フレーム120との少なくともいずれかに、プラズマ状態の第2のガス72を供給し親水化させる親水化ステップと、親水化ステップの後に、洗浄液66によって保護膜114を除去するとともにフレームユニット100を洗浄する洗浄ステップと、を備える。【選択図】図3D
Description
本発明は、プラズマ状態のガスを用いる被加工物の加工方法に関する。
従来、プラズマ状態のガスを用いてウェーハを加工する際には、デバイスを守るためにウェーハに保護膜を被覆しており、加工後に洗浄液で洗浄して保護膜を除去している(例えば、特許文献1及び2参照)。
ところで、プラズマエッチングが、被加工物を複数のチップ(デバイス)に分割する場合や、複数のチップを区画する加工溝に残存する加工歪み及び加工屑を除去する場合などに用いられることがある。
これらの場合、使用するガスの種類によっては、デバイスを保護する保護膜、分割されたチップの側面、ウェーハを支持する支持部材の露出部分などの表層が改質され疎水化する場合がある。また保護膜を使用しない場合は、チップの表面や側面、支持部材の表面の表層が改質され疎水化する。その結果、保護膜を洗浄液で除去する際に、保護膜を十分に除去することができない問題や、チップや支持部材が洗浄液によって十分に洗浄することが出来ないという問題があった。
本発明の目的は、洗浄液で被加工物に被覆された保護膜の除去や被加工物や被加工物を支持する支持部材やフレームの洗浄を十分に実施することができる被加工物の加工方法を提供することである。
1つの態様では、被加工物の加工方法は、フレームの開口に支持部材を介して被加工物が支持されたフレームユニットにおいて、被加工物の表面を保護膜で被覆する保護膜被覆ステップと、該保護膜を分割予定ラインに沿って部分的に除去する保護膜除去ステップと、プラズマ状態の第1のガスを供給し該分割予定ラインに沿って被加工物を複数のチップに分割する分割ステップと、該分割ステップによって疎水化した該チップの表面と、側面と、露出した該支持部材と、該フレームと、の少なくともいずれかに、プラズマ状態の第2のガスを供給し親水化させる親水化ステップと、親水化ステップの後に、洗浄液によって該保護膜を除去するとともに該フレームユニットを洗浄する洗浄ステップと、を備える。
他の1つの態様では、被加工物の加工方法は、フレームの開口に支持部材を介して被加工物が支持されたフレームユニットにおいて、被加工物の表面を保護膜で被覆する保護膜被覆ステップと、表面から分割予定ラインに沿って被加工物に加工溝を形成し複数のチップに分割する加工溝形成ステップと、プラズマ状態の第1のガスを供給し、該加工溝に残存する加工歪みと加工屑とを除去するプラズマエッチングステップと、該プラズマエッチングステップによって疎水化した該チップの表面と、側面と、露出した該支持部材と、該フレームと、の少なくともいずれかに、プラズマ状態の第2のガスを供給して親水化させる親水化ステップと、親水化ステップの後に、洗浄液によって該保護膜を除去するとともに該フレームユニットを洗浄する洗浄ステップと、を備える。
前記態様によれば、洗浄液で被加工物に被覆された保護膜の除去や、被加工物や被加工物を支持する支持部材やフレームの洗浄を十分に実施することができる。
以下、本発明の第1及び第2実施形態に係る被加工物の加工方法について、図面を参照しながら説明する。
<第1実施形態>
図1は、第1実施形態におけるフレームユニット100を示す斜視図である。
図1は、第1実施形態におけるフレームユニット100を示す斜視図である。
図1に示すフレームユニット100は、被加工物の一例であるウェーハ110と、フレーム120と、支持部材の一例である粘着テープ130とを備える。
ウェーハ110は、円盤形状を呈し、例えばシリコン(Si)等の材料からなる基板の表面111上に、IC(Integrated Circuit)等のデバイスであるチップ113が形成されている。このチップ113は、格子状に形成された分割予定ライン112によって区画される。
ウェーハ110は、環状のフレーム120の底面に貼り付けられた粘着テープ130によって、フレーム120の円形の開口121において支持されている。換言すると、ウェーハ110を一例とする被加工物は、フレーム120の開口121に、粘着テープ130を一例とする支持部材を介して支持されている。例えば、粘着テープ130は、可撓性及び非粘着性を有する基材層と、この基材層に積層され可撓性及び粘着性を有する粘着層とを含むとよい。但し、粘着テープ130を一例とする支持部材は、粘着層を含まない熱可塑性の樹脂で構成されたシートなどであってもよい。このシートとしては、ポリオレフィン系シート、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシート、ポリスチレンシートなどが好ましく、フレーム120やウェーハ110には熱圧着で貼着されるとよい。また、支持部材は、最初からシート形状である必要は無く、粉体や液体をウェーハ110の一方の面に供給し、熱圧着、押圧、スピンコートなどによりウェーハ110の一方の面を覆うシート状に成形してもよい。なお、被加工物や支持部材の材料、形状等は、適宜決定されればよい。
図2は、第1実施形態におけるエッチング装置1を示す全体模式図である。
図2に示すエッチング装置1は、後述する分割ステップ(図3C参照)及び親水化ステップ(図3D参照)に用いられる。図2に示すように、エッチング装置1のチャンバー11の側壁12には、フレームユニット100の搬入及び搬出用に搬入出口13が形成されている。側壁12の外壁面には、搬入出口13を開閉するようにシャッター機構21が取り付けられている。シャッター機構21は、シリンダ22の上端にシャッター23が連結されており、シリンダ22によってチャンバー11が外壁面に沿って昇降されることで搬入出口13が開閉される。搬入出口13がシャッター23によって閉じられると、チャンバー11内に密閉空間が形成される。また、チャンバー11内には、電界を形成する下部電極ユニット31と上部電極ユニット41とが上下方向で対向して配設されている。
下部電極ユニット31は、チャンバー11の底壁14を貫通する導電性の支柱部32の上端に設けられている。下部電極ユニット31は、導電性の保持テーブル33の上面に、ポーラス材で形成された円板状の保持板34を取り付けて構成されている。保持板34は、保持テーブル33及び支柱部32内の吸引路35を通じて吸引源36に接続されている。また、下部電極ユニット31内には、冷却部37から送り出された冷却水が通る冷却路38が形成されている。エッチング時には、保持テーブル33に発生する熱が冷却水に伝達されて異常な温度上昇が抑えられている。
上部電極ユニット41は、チャンバー11の上壁15を貫通する導電性の支柱部42の下端に設けられている。上部電極ユニット41は、チャンバー11内にエッチングガスを導入する導電性の噴出テーブル43の下面に、ポーラス材で形成された円板状の拡散板材44を取り付けて構成される。拡散板材44は、噴出テーブル43と支柱部42との内部に亘って設けられた流路45を通じて、第1のガス源48及び第2のガス源49に接続されている。
第1のガス源48は、バルブ50を介して流路45に接続されており、例えば、SF6、CF4、C2F6,C2F4、CHF3、C4F8などのフッ素系ガスを供給する。第2のガス源49は、バルブ51を介して流路45に接続されており、例えば、O2、H2O、N2、H2、Arを含むガスなどを供給する。なお、第1のガス源48及び第2のガス源49は、互いに異なる流路を介してチャンバー11内にガスを供給してもよい。
支柱部42の上端側は、チャンバー11から上方に突出しており、チャンバー11の上壁15に設けられたボールねじ式の昇降駆動機構46に連結されている。この昇降駆動機構46が駆動されることで、上部電極ユニット41が下部電極ユニット31に対して離隔又は接近され、保持テーブル33上のウェーハ110に対して噴出テーブル43の高さが適切な位置に調整される。
下部電極ユニット31及び上部電極ユニット41の間で高周波電圧が印加されることで、第1のガス及び第2のガスが、イオンやラジカルが存在するプラズマ状態となる。チャンバー11には、保持テーブル33の下方に排出口53が形成されており、排出口53には減圧部54が接続されている。この減圧部54によってチャンバー11内のエアやエッチングガスが吸引されることで、チャンバー11内が負圧状態になるまで減圧される。
制御部(コントローラ)200は、エッチング装置1の各部の動作を制御する演算処理装置として機能するプロセッサ(例えばCPU:Central Processing Unit)と、メモリとを有する。このメモリは、例えば、所定の制御プログラムが予め記録されている読み出し専用半導体メモリであるROM(Read Only Memory)、プロセッサが各種の制御プログラムを実行する際に必要に応じて作業用記憶領域として使用される随時書き込み読み出し可能な半導体メモリであるRAM(Random Access Memory)などである。例えば、プロセッサは、所定のプログラムを読み出して実行することによって、エッチング装置1の各部の動作を制御する。制御部200の数は特に制限されず、複数の制御部200のそれぞれが、互いに異なる動作の制御を行ってもよい。
なお、上述のエッチング装置1は、望ましい一例であり、後述する分割ステップ及び親水化ステップを行い得るものであれば、適宜変更可能である。
図3A~図3Eは、本第1実施形態に係る被加工物の加工方法の各ステップを説明するための説明図である。
まず、図3Aに示すように、上述のフレームユニット100において、ウェーハ110の表面111が保護膜114で被膜される(保護膜被膜ステップ)。このステップでは、フレームユニット100は、例えば、保護膜被膜装置の保持テーブル61上で吸引保持された状態で、この保持テーブル61の鉛直方向を回転中心とした回転によって、回転する。そして、フレームユニット100が回転しながら、ウェーハ110の表面111上に水溶性樹脂が塗布される。この水溶性樹脂が硬化すると、ウェーハ110上に保護膜114が形成される。なお、保護膜114は、水溶性樹脂以外の樹脂などからなるものであってもよいが、後述する洗浄ステップでの除去の容易さの観点から、株式会社ディスコ製の“HOGOMAX(登録商標)”シリーズなどの水溶性樹脂からなることが望ましい。
次に、図3Bに示すように、保護膜114が分割予定ライン112(図1参照)に沿って部分的に除去される(保護膜除去ステップ)。このステップでは、フレームユニット100は、例えば、レーザ加工装置のチャックテーブル62に搬送され、チャックテーブル62の吸引及びクランプによって保持される。このチャックテーブル62は、水平移動可能であるとともに、鉛直方向を回転中心とした回転が可能であるとよい。レーザ照射部63は、ウェーハ110の分割予定ライン112にレーザビームを照射し、集光させる。これにより、ウェーハ110の分割予定ライン112に沿う部分で保護膜114が除去される。このとき、上記のレーザビームによって、分割予定ライン112に沿って、保護膜114のみならず、その下部のウェーハ110の一部も溝状に除去される。なお、保護膜114の部分的な除去は、ブレードなどで行ってもよく、上述の手法に限られない。
次に、図3Cに示すように、プラズマ状態の第1のガス71を供給することによって、分割予定ライン112に沿ってウェーハ110が複数のチップ113に分割される(分割ステップ)。
この分割ステップでは、フレームユニット100は、図2に示すエッチング装置1のチャンバー11に搬入され、保持テーブル33によって吸引保持される。そして、シャッター23が閉じられ、上部電極ユニット41が下部電極ユニット31に近づけられて電極間距離が調整される。減圧部54によってチャンバー11内の圧力が負圧状態になるまで減圧処理が開始されると、冷却路38は冷却水が通水され、保持テーブル33は冷却水により冷却される。
エッチング装置1は、チャンバー11内が負圧にされた状態で、第1のガス源48から流路45を通って供給される第1のガスを、上部電極ユニット41からウェーハ110に向けて噴射する。この状態で、上部電極ユニット41及び下部電極ユニット31間に高周波電圧が印加されることでウェーハ110が図3Cに示す第1のガス71が供給される。これにより、ウェーハ110の保護膜114が除去された分割予定ライン112に沿って、ウェーハ110が複数のチップ113に分割される。なお、第1のガス源48が第1のガスを供給しているときには、第1のガス源48に接続されたバルブ50が開き、第2のガス源49に接続されたバルブ51は閉じている。
次に、図3Dに示すように、上述のプラズマ状態の第1のガス71の供給によって、例えば、フッ素が付着してフッ素樹脂膜が形成されることで疎水化した、チップ113の表面1131と、側面1132と、露出した粘着テープ130と、フレーム120とが、プラズマ状態の第2のガス72が供給されることによって親水化される(親水化ステップ)。なお、ウェーハ110の表面111には、保護膜114が形成されているため、フッ素系樹脂膜の形成などによって保護膜114の表層の改質により疎水化する。一方、チップ113の側面1132の一部などの保護膜114が被膜されていない領域については、この領域自体がフッ素系樹脂膜の形成などによって表層の改質により疎水化する。第2のガス72は、表面を酸化させる、極性基(例えばOH基)を付ける、表面の有機物を除去するなどによって各部(チップ113の表面1131と側面1132と粘着テープ130とフレーム120)を親水化させる。なお、親水化は、少なくとも上記の各部のいずれかに行われればよい。この親水化ステップでは、上述のプラズマ状態の第1のガス71の供給が完了すると、図2に示す第1のガス源48に接続されたバルブ50が閉じ、第2のガス源49に接続されたバルブ51が開く。そして、エッチング装置1は、チャンバー11内が負圧にされた状態のまま、第2のガス源49から流路45を通って供給される第2のガスを、上部電極ユニット41からウェーハ110に向けて噴射する。この状態で、上部電極ユニット41及び下部電極ユニット31間に高周波電圧が印加されることでウェーハ110へ向けて図3Dに示すプラズマ状態の第2のガス72が供給される。これにより、第1のガス71によるプラズマエッチングでフッ素が付着して疎水化した、チップ113の上面である表面1131と、チップ113の周囲の側面1132と、粘着テープ130の表面(例えば、分割予定ライン112に沿う部分、及び、チップ113とフレーム120との間の部分)と、フレーム120が親水化される。この親水化は、上述のとおり、酸化すること、極性基が付くこと、有機物が除去されることなどによって実現されるが、酸素プラズマを用いたアッシングの場合は、例えば、フッ素が結び付いた有機物をCO2やCOF2などに気化させることなどによって生じるものといえる。なお、チャンバー11の内部において、フレーム120と、粘着テープ130の一部とが、カバー73(図3Dに破線で図示)で覆われている場合には、粘着テープ130のうちカバー73で覆われていない部分が、第2のガス72で親水化する。カバー73は、フレーム120を取り囲むように平面視において円環状を呈し、内部には下方から不活性ガスが充填され、第1のガス71の進入(フッ素の付着)を防ぐものであるとよい。
第2のガス72の供給が完了すると、第2のガス源49に接続されたバルブ51が閉じ、上部電極ユニット41及び下部電極ユニット31への高周波電圧の印加が停止され、高周波電力の供給が停止される。また、上部電極ユニット41からのガスの噴射は停止され、上部電極ユニット41は下部電極ユニット31から離される。そして、減圧部54による減圧処理が終了し、冷却路38への冷却水の通水が停止する。また、シャッター23が開かれ、フレームユニット100がチャンバー11外に搬出される。
次に、図3Eに示すように、親水化ステップの後に、洗浄液66によって保護膜114(図3D参照)が除去されるとともにフレームユニット100が洗浄される(洗浄ステップ)。この洗浄ステップでは、フレームユニット100は、例えば、洗浄装置の保持テーブル64に搬送され、この保持テーブル64上で吸引保持された状態で、この保持テーブル64の鉛直方向を回転中心とした回転によって回転する。そして、フレームユニット100が回転しながら、洗浄液供給ノズル65から例えば純水や界面活性材を含む純水である洗浄液66がウェーハ110上に供給される。これにより、保護膜114が除去される。
以上説明した第1実施形態では、被加工物の加工方法は、フレーム120の開口121に粘着テープ130(支持部材の一例)を介してウェーハ110(被加工物の一例)が支持されたフレームユニット100において、ウェーハ110の表面111を保護膜114で被覆する保護膜被覆ステップ(図3A参照)と、この保護膜114を分割予定ライン112に沿って部分的に除去する保護膜除去ステップ(図3B参照)と、プラズマ状態の第1のガス71を供給し分割予定ライン112に沿ってウェーハ110を複数のチップ113に分割する分割ステップ(図2及び図3C参照)と、この分割ステップによって疎水化したチップ113の表面1131と、側面1132と、露出した粘着テープ130と、フレーム120と、の少なくともいずれかに、プラズマ状態の第2のガス72を供給し親水化させる親水化ステップ(図2及び図3D参照)と、親水化ステップの後に、洗浄液66によって保護膜114を除去するとともにフレームユニット100を洗浄する洗浄ステップ(図3E参照)と、を備える。
ところで、第1のガス71を用いたプラズマエッチングによってウェーハ110が複数のチップ113に分割される際には、チップ113の表面1131及び側面1132や、粘着テープ130が、例えば、上述のようにフッ素などが被膜され表層が改質することによって、疎水化する。このように、チップ113の表面1131及び側面1132、粘着テープ130、並びにフレーム120が疎水化しても、これらの疎水化した部分は、プラズマ状態の第2のガス72によって例えば、表面が酸化すること、極性基が付くこと、表面の有機物が除去されることなどによって親水化する。そのため、親水化ステップの後に行われる洗浄ステップにおいて、洗浄液66によって保護膜114を除去しやすくなる。また、保護膜114が形成されていない領域においても親水化されているため、洗浄液66による洗浄が有効に行われる。よって、本第1実施形態によれば、ウェーハ110に被覆された保護膜114の除去や、ウェーハ110や粘着テープ130やフレーム120の洗浄を十分に実施することができる。
また、本第1実施形態では、保護膜114は、水溶性樹脂である。そのため、洗浄ステップにおいて、洗浄液66によって保護膜114をより一層除去しやすくなる。
<第2実施形態>
図4は、第2実施形態におけるエッチング装置2を示す全体模式図である。
図4は、第2実施形態におけるエッチング装置2を示す全体模式図である。
図4に示すエッチング装置2は、上述の図2に示すエッチング装置1、すなわちチャンバー11の内部でガスをプラズマ化するいわゆるダイレクトプラズマ方式のエッチング装置1とは異なり、チャンバー11の外部でガスをプラズマ化するいわゆるリモートプラズマ方式のエッチング装置2である。なお、図2に示すエッチング装置1と共通にすることができる構成については、図4に同一の符号を付して説明を省略する。
エッチング装置2は、後述するプラズマエッチングステップ(図5C参照)及び親水化ステップ(図5D参照)に用いられる。エッチング装置2は、図2に示すエッチング装置1の上部電極ユニット41と、支柱部42と、昇降駆動機構46とを備えず、代わりに、供給管81と、電極82と、高周波電源83と、分散部材84とを備える。また、エッチング装置2の保持テーブル33等は、図2に示すエッチング装置1とは異なり、下部電極ユニット31としては機能しなくなる。
図4に示すように、供給管81は、上述の第1のガス源48及び第2のガス源49と、エッチング装置2のチャンバー11の上壁15とに連結され、チャンバー11の内部にガスを供給する。
供給管81のうちチャンバー11の上方の部分には、供給管81を流れる第1のガスや第2のガスに高周波電圧を加えるための電極82が配置されている。この電極82には、高周波電源83が接続されている。電極82が供給管81を流れるガスに高周波電圧を作用させることで、このガスを、イオンやラジカルが存在するプラズマ状態に変化させる。プラズマ状態のガスは、供給管81からチャンバー11に供給される。
チャンバー11の上壁15の内側(すなわち、チャンバー11内の空間側)には、分散部材84が取り付けられている。この分散部材84は、供給管81から供給されるプラズマ状態のガスを、フレームユニット100の上方でウェーハ110の全体に行き渡りやすく分散させるものであるとよい。
なお、上述のエッチング装置2は、望ましい一例であり、後述するプラズマエッチングステップ及び親水化ステップを行い得るものであれば、適宜変更可能である。
図5A~図5Eは、本第2実施形態に係る被加工物の加工方法の各ステップを説明するための説明図である。
まず、図5Aに示すように、上述のフレームユニット100において、ウェーハ110の表面111が保護膜114で被膜される(保護膜被膜ステップ)。この保護膜被覆ステップは、図3Aを参照しながら説明した保護膜被膜ステップと同様にすることができる。
次に、図5Bに示すように、ウェーハ110の表面111から分割予定ライン112(図1参照)に沿ってウェーハ110に加工溝115が形成され、ウェーハ110が複数のチップ113に分割される(加工溝形成ステップ)。このステップでは、フレームユニット100は、例えば、レーザ加工装置のチャックテーブル62に搬送され、チャックテーブル62の吸引及びクランプによって保持される。このチャックテーブル62は、水平移動可能であるとともに、鉛直方向を回転中心とした回転が可能であるとよい。レーザ照射部63は、ウェーハ110の分割予定ライン112にレーザビームを照射し、集光させる。これにより、ウェーハ110の分割予定ライン112に沿う部分で加工溝115が形成される。なお、加工溝115の形成によるチップ113の分割は、例えば、ブレードを用いた切削などにより行ってもよく、上述の手法に限られない。
次に、図5Cに示すように、プラズマ状態の第1のガス71を供給することによって、加工溝115に残存する加工歪みと加工屑とが除去される(プラズマエッチングステップ)。
このプラズマエッチングステップでは、フレームユニット100は、図4に示すエッチング装置2のチャンバー11に搬入され、保持テーブル33によって吸引保持される。そして、シャッター23が閉じられ、減圧部54によってチャンバー11内の圧力が負圧状態になるまで減圧処理が開始されると、冷却路38は冷却水が通水され、保持テーブル33は冷却水により冷却される。
エッチング装置2では、チャンバー11内が負圧にされた状態で、高周波電源83が電極82に高周波電圧を供給し、第1のガス源48から供給管81を通って供給されるフッ素系ガスを、プラズマ化する。プラズマ化された第1のガス71(図5C参照)は、分散部材84によって分散され、ウェーハ110に向けて噴射される。この第1のガス71の噴射によって、ウェーハ110がプラズマエッチングされる。これにより、ウェーハ110の加工溝115に残存する加工歪みと加工屑とが除去される。なお、第1のガス源48がフッ素系ガスを供給しているときには、第1のガス源48に接続されたバルブ50が開き、第2のガス源49に接続されたバルブ51は閉じている。
次に、図5Dに示すように、プラズマエッチングステップによって、例えばフッ素が付着してフッ素樹脂膜が形成されることで疎水化したチップ113の表面1131と側面1132と、露出した粘着テープ130と、フレーム120との少なくともいずれかが、上述の第1実施形態と同様に、プラズマ状態の第2のガス72によって親水化される(親水化ステップ)。この親水化ステップでは、上述のウェーハ110のプラズマエッチングが完了すると、図4に示す第1のガス源48に接続されたバルブ50が閉じ、第2のガス源49に接続されたバルブ51が開く。そして、高周波電源83が電極82に高周波電圧を供給し、第2のガス源49から供給管81を通って供給されるフッ素系ガスを、プラズマ化する。これにより、ウェーハ110へ向けて図5Dに示す第2のガス72が供給される。そして、プラズマエッチングで疎水化した、チップ113の上面である表面1131と、チップ113の周囲の側面1132と、粘着テープ130の表面(例えば、分割予定ライン112に沿う部分、及び、チップ113とフレーム120との間の部分)と、フレーム120との少なくともいずれかが、例えば、表面が酸化すること、極性基が付くこと、表面の有機物が除去されることなどによって親水化される。なお、チャンバー11の内部において、フレーム120と、粘着テープ130の一部とが、カバー73(図5Dに破線で図示)で覆われている場合には、粘着テープ130のうちカバー73で覆われていない部分が、第2のガス72によって、親水化する。
第2のガス72の供給が完了すると、第2のガス源49に接続されたバルブ51が閉じ、電極82への高周波電圧の印加が停止され、高周波電力の供給が停止される。また、減圧部54による減圧処理が終了し、冷却路38への冷却水の通水が停止する。また、シャッター23が開かれ、フレームユニット100がチャンバー11外に搬出される。
次に、図5Eに示すように、親水化ステップの後に、洗浄液66によって保護膜114(図5D参照)が除去されるとともにフレームユニット100が洗浄される(洗浄ステップ)。この洗浄ステップは、図3Eを参照しながら説明した洗浄ステップと同様にすることができる。
以上説明した第2実施形態では、被加工物の加工方法は、フレーム120の開口121に粘着テープ130(支持部材の一例)を介してウェーハ110(被加工物の一例)が支持されたフレームユニット100において、ウェーハ110の表面111を保護膜114で被覆する保護膜被覆ステップ(図5A参照)と、表面111から分割予定ライン112に沿ってウェーハ110に加工溝115を形成し複数のチップ113に分割する加工溝形成ステップ(図5B参照)と、プラズマ状態の第1のガス71を供給し、加工溝115に残存する加工歪みと加工屑とを除去するプラズマエッチングステップ(図4及び図5C参照)と、このプラズマエッチングステップによって疎水化したチップ113の表面1131と、側面1132と、露出した粘着テープ130と、フレーム120との少なくともいずれかに、プラズマ状態の第2のガス72を供給して親水化させる親水化ステップ(図4及び図5D参照)と、親水化ステップの後に、洗浄液66によって保護膜114を除去するとともにフレームユニット100を洗浄する洗浄ステップ(図5E参照)と、を備える。
これにより、チップ113の表面1131及び側面1132や、粘着テープ130や、フレーム120の少なくともいずれかに例えばフッ素が被膜され表層が改質することによって疎水化しても、上述の第1実施形態と同様に、これらの疎水化した部分は、プラズマ状態の第2のガス72によって、例えば、表面が酸化すること、極性基が付くこと、表面の有機物が除去されることなどによって親水化する。そのため、親水化ステップの後に行われる洗浄ステップにおいて、洗浄液66によって保護膜114を除去しやすくなる。また、保護膜114が形成されていない領域においても親水化されているため、洗浄液66による洗浄が有効に行われる。よって、本第2実施形態によっても、上述の第1実施形態と同様に、ウェーハ110に被覆された保護膜114の除去や、ウェーハ110や粘着テープ130やフレーム120の洗浄を十分に実施することができる。
また、本第2実施形態においても、保護膜114は、水溶性樹脂である。そのため、洗浄ステップにおいて、洗浄液66によって保護膜114をより一層除去しやすくなる。
なお、本発明に係る被加工物の加工方法は、上述の第1及び第2実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。また、添付図面に図示されている各構成要素は、本発明の効果を発揮できる範囲内で適宜変更可能である。
以上説明したように、本発明の被加工物の加工方法は、洗浄液で被加工物に被覆された保護膜の除去や被加工物や被加工物を支持する支持部材やフレームの洗浄を十分に実施することができる。そのため、フッ素系のプラズマエッチングなどを用いて加工される被加工物としてウェーハを用いる場合などに有用である。
1,2:エッチング装置
61:保持テーブル
62:チャックテーブル
63:レーザ照射部
64:保持テーブル
65:洗浄液供給ノズル
66:洗浄液
71:第1のガス
72:第2のガス
73:カバー
100:フレームユニット
110:ウェーハ
111:表面
112:分割予定ライン
113:チップ
1131:表面
1132:側面
114:保護膜
115:加工溝
120:フレーム
121:開口
130:粘着テープ
61:保持テーブル
62:チャックテーブル
63:レーザ照射部
64:保持テーブル
65:洗浄液供給ノズル
66:洗浄液
71:第1のガス
72:第2のガス
73:カバー
100:フレームユニット
110:ウェーハ
111:表面
112:分割予定ライン
113:チップ
1131:表面
1132:側面
114:保護膜
115:加工溝
120:フレーム
121:開口
130:粘着テープ
Claims (3)
- フレームの開口に支持部材を介して被加工物が支持されたフレームユニットにおいて、被加工物の表面を保護膜で被覆する保護膜被覆ステップと、
該保護膜を分割予定ラインに沿って部分的に除去する保護膜除去ステップと、
プラズマ状態の第1のガスを供給し該分割予定ラインに沿って被加工物を複数のチップに分割する分割ステップと、
該分割ステップによって疎水化した該チップの表面と、側面と、露出した該支持部材と、該フレームと、の少なくともいずれかに、プラズマ状態の第2のガスを供給し親水化させる親水化ステップと、
親水化ステップの後に、洗浄液によって該保護膜を除去するとともに該フレームユニットを洗浄する洗浄ステップと、を備えることを特徴とする被加工物の加工方法。 - フレームの開口に支持部材を介して被加工物が支持されたフレームユニットにおいて、被加工物の表面を保護膜で被覆する保護膜被覆ステップと、
表面から分割予定ラインに沿って被加工物に加工溝を形成し複数のチップに分割する加工溝形成ステップと、
プラズマ状態の第1のガスを供給し、該加工溝に残存する加工歪みと加工屑とを除去するプラズマエッチングステップと、
該プラズマエッチングステップによって疎水化した該チップの表面と、側面と、露出した該支持部材と、該フレームと、の少なくともいずれかに、プラズマ状態の第2のガスを供給して親水化させる親水化ステップと、
親水化ステップの後に、洗浄液によって該保護膜を除去するとともに該フレームユニットを洗浄する洗浄ステップと、を備えることを特徴とする被加工物の加工方法。 - 該保護膜は水溶性樹脂であることを特徴とする請求項1または2に記載の被加工物の加工方法。
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