TW202329249A - 熱反射板 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 253
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 88
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 86
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 70
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 70
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 69
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 69
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 69
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 68
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 68
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 68
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 68
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 68
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 67
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 67
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 65
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 45
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 44
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910000629 Rh alloy Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910001029 Hf alloy Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 14
- 229910000575 Ir alloy Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910000691 Re alloy Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910000929 Ru alloy Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 abstract description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 69
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 37
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 36
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000000870 ultraviolet spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 4
- 229910002848 Pt–Ru Inorganic materials 0.000 description 3
- 210000002469 basement membrane Anatomy 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005457 Black-body radiation Effects 0.000 description 2
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N (r)-(6-ethoxyquinolin-4-yl)-[(2s,4s,5r)-5-ethyl-1-azabicyclo[2.2.2]octan-2-yl]methanol;hydrochloride Chemical compound Cl.C([C@H]([C@H](C1)CC)C2)CN1[C@@H]2[C@H](O)C1=CC=NC2=CC=C(OCC)C=C21 QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N 0.000 description 1
- 229910001257 Nb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001093 Zr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 210000004379 membrane Anatomy 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
本發明之目的在於提供一種熱反射板,其熱容較小,可節能化,具有高反射率,抑制對爐內之污染,且熱響應性佳。本發明之熱反射板係熱反射板100,其具有:板狀外裝1;及反射體5,其配置於板狀外裝1之內部,外周圍完全被板狀外裝1覆蓋,且對入射至板狀外裝1之一表面之紅外線進行反射;且反射體5係薄膜、板或箔,熱反射板100之1 mm
2中之板狀外裝及反射體之厚度方向的合計熱容為0.0004~0.0080(J/K)。
Description
本發明係關於一種熱反射板,其於例如半導體、電子零件之領域可用作對晶圓、基板等自低溫至高溫進行熱處理之各種熱處理裝置的熱反射板,加熱、冷卻之1循環所需之時間較短,且具有高反射率,因此熱處理裝置可節能化,又可抑制污染。
於半導體晶圓之製造或處理工序中,為對半導體晶圓賦予各種性質而進行熱處理作業。例如,將半導體晶圓收納於高純度石英製之爐芯管中,控制爐芯管內之環境來進行熱處理作業。用於該熱處理工序之熱處理裝置中,為了維持爐內之高溫與防止向爐床部散熱,而於爐內與爐床之間設置有保溫體(蓋體)以堵住爐開口部。
作為此種保溫體,有如下保溫體,其具有封閉熱處理室之開口部、相互分離積層且露出於熱處理室之石英板,該保溫體具有如下特徵,即,石英板之表面平滑且無氣泡,於石英板之內部形成有金薄膜,且金薄膜係藉由金蒸鍍而形成(例如參照專利文獻1)。
又,揭示有如下技術,即,於具有供石英管穿過中心之孔及供石英棒穿過之孔的石英板之上,利用網版印刷來塗佈向鉑(Pt)及氧化物(SiO、PbO等)之混合物中添加有機物並製成膏狀而成者,並將該膏狀物燒固,藉此形成包含電阻發熱體之例如厚度5~10微米之反射面(例如參照專利文獻2)。
揭示有如下技術,即,縱型熱處理爐之隔熱構造體由複數個支柱及複數片遮熱板構成,該些遮熱板於上下方向以特定間隔設置於該些支柱,且具有反射性(例如參照專利文獻3)。根據專利文獻3,遮熱板由反射膜、及覆蓋該反射膜之表面之透明石英層形成。作為形成該遮熱板之一種方法而有如下方法,即,使用供形成透明石英層之圓形之一對透明石英板,於其中一透明石英板之單面設置反射膜,將該反射膜夾入於該其中一透明石英板與另一透明石英板之間,且將兩透明石英板之周緣部熔接而進行密封及一體化。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2001-102319號公報
[專利文獻2]日本專利特開平9-148315號公報
[專利文獻3]日本專利特開平11-97360號公報
[專利文獻4]日本專利特開2019-217530號公報
[專利文獻5]日本專利4172806號公報
[專利文獻6]日本專利6032667號公報
[發明所欲解決之問題]
專利文獻1中,因具有防止金屬污染之保溫體而導致爐體之加熱、冷卻之響應變慢,其結果,熱處理循環耗費時間。又,石英板為防止金屬污染而需要對外周進行熔接,為使金屬膜面積於石英板面積中所占較多以保持較高之反射率,而需要極力減小石英板彼此之接合寬度。未進行此處理之專利文獻1中存在如下問題,即,於具有直至熱處理溫度為止之升溫曲線、溫度保持曲線、降溫曲線之熱處理工序中,使加熱、冷卻之響應變慢,相對於所需各曲線產生偏移,又,使熱處理1循環所需之時間變長,其結果產生生產效率之降低。
專利文獻2中,為用作反射板兼加熱器,而於中央利用石英管來設置加熱器導通部位,但會產生未藉由該構造而將一部分輻射熱完全隔斷之部位。為了更高之節能化而需要使反射面積率較多,再者使成為反射板及外裝之石英更薄而降低熱容。
專利文獻3中,採取利用石英板進行夾入並進行熔接之方法,但因受熱之影響而存在以薄膜形式實施時膜剝離之問題,亦難以減小熔接寬度。進而難以在將內部保持為真空之同時進行熔接,因高溫使用時之內壓上升而破壞薄膜之風險會無法避免。又,於流入透明石英來進行製作之方法中,對金屬薄膜實施此方法之情形時金屬薄膜無法避免熱性、物理性損傷,亦難以製作較薄之透明石英。又,專利文獻3中亦存在如下問題,即,遮熱板於熱處理工序中使加熱、冷卻之響應變慢,相對於所需各曲線產生偏移,又,使熱處理1循環所需之時間變長,其結果產生生產效率之降低。
本發明之目的在於提供一種熱反射板,其可較先前方法確保更多之反射面積率,熱容較小且可節能化,具有高反射率,且抑制爐內污染,熱響應性佳。
[解決問題之技術手段]
本發明者積極研究之結果發現,藉由使熱反射板之1 mm
2中之板狀外裝及反射體之厚度方向的熱容為特定範圍而解決上述問題,從而完成了本發明。即,本發明之熱反射板之特徵在於,其具有:板狀外裝;及反射體,其配置於該板狀外裝之內部,外周圍完全被該板狀外裝覆蓋,且對入射至該板狀外裝之一表面之紅外線進行反射;且上述反射體係薄膜、板或箔,上述熱反射板之1 mm
2中之板狀外裝及反射體之厚度方向之合計熱容為0.0004~0.0080(J/K)。
本發明之熱反射板中,上述反射體之至少包含反射面之表面層較佳為包含Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu,或包含含有選自由Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu所組成之群中之至少1種之合金。
本發明之熱反射板中,上述板狀外裝之材質較佳為氧化矽或矽。
本發明之熱反射板中,上述板狀外裝較佳為具有層合板構造,該層合板具有第1外裝板與第2外裝板對向配置且周緣部彼此沿周緣環狀連續接合而成之接合部。可使板狀外裝及反射體較薄,因此可使熱容變小。
本發明之熱反射板中,上述層合板構造較佳為具有空腔,該空腔設置於上述第1外裝板及上述第2外裝板之相對向之面之間,且於上述第1外裝板側及上述第2外裝板側中之至少一側藉由上述周緣部彼此之接合部封閉而成,且於該空腔內配置有上述反射體。由於反射體處於作為封閉空間之空腔內,因此由反射體引起之剝離方向之應力不易施加於周緣部彼此之接合部,可抑制由反射體之破損所致之爐內污染。進而可避免由板狀外裝與反射體之熱膨脹差所致之破損。
本發明之熱反射板中較佳為,至少於上述第1外裝板側具有上述空腔,於上述第1外裝板之上述空腔內之表面上具有形成為上述反射體之薄膜,該薄膜係積層膜,其自上述第1外裝板之上述空腔內之表面側依序具有基底膜、及作為包含上述反射面之表面層之反射膜,上述基底膜包含Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co或Ni,或包含含有選自由Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co及Ni所組成之群中之至少1種之合金,上述反射膜包含Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu,或包含含有選自由Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu所組成之群中之至少1種之合金,上述基底膜與上述反射膜具有不同之組成。於第1外裝板之空腔內之表面上形成有反射體,因此由反射體引起之剝離方向之應力不易施加於周緣部彼此之接合部,可抑制由反射體之破損所致之爐內污染。進而可避免由板狀外裝與反射體之熱膨脹差所致之破損。
本發明之熱反射板中較佳為,上述第1外裝板係平板,於上述第2外裝板側具有上述空腔,於上述第1外裝板之表面上具有形成為上述反射體之薄膜,該薄膜係積層膜,其自上述第1外裝板之表面側依序具有基底膜、及作為包含上述反射面之表面層之反射膜,上述基底膜包含Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co或Ni,或包含含有選自由Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co及Ni所組成之群中之至少1種之合金,上述反射膜包含Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu,或包含含有選自由Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu所組成之群中之至少1種之合金,上述基底膜與上述反射膜具有不同之組成。於作為平板之第1外裝板形成作為反射體之薄膜,因此可製成生產性優異之熱反射板。
本發明之熱反射板中較佳為,上述反射體係板或箔,且包含Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu,或包含含有選自由Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu所組成之群中之至少1種之合金。成為於空腔內收容有作為反射體之板或箔之狀態,不易產生板或箔之腐蝕。進而,由板或箔引起之剝離方向之應力不易施加於周緣部彼此之接合部。
本發明之熱反射板中較佳為,上述空腔內之壓力成為未達大氣壓之減壓。可抑制熱處理時空腔之內壓升高,從而可進一步抑制爐內污染。
本發明之熱反射板中較佳為,(1)上述第1外裝板具有設置於上述周緣部之堤部、及被該堤部包圍且構成上述空腔之凹部,上述第2外裝板係平板狀;或(2)上述第1外裝板係平板狀,上述第2外裝板具有設置於上述周緣部之堤部、及被該堤部包圍且構成上述空腔之凹部。藉由在第1外裝板設置凹部,而可以簡單構造於板狀外裝內設置空腔。或者,藉由在第2外裝板設置凹部,而可以簡單構造於板狀外裝內設置空腔。
本發明之熱反射板中較佳為,上述熱反射板具有至少1個支柱部,該支柱部在上述空腔內豎立設置於上述層合板構造之對向之面彼此之間。藉由支柱部而可提高層合板構造之接合強度。
本發明之熱反射板中,上述支柱部包含為柱狀或筒狀之形態。藉由設為柱狀或筒狀而可提高接合強度,並且可擴大反射體之面積。
本發明之熱反射板中較佳為,上述熱反射板具有複數個上述支柱部,該支柱部係筒狀,且各支柱部具有相互共有筒壁之一部分之三維空間填充構造。藉由設為三維空間填充構造而可提高接合強度,並且可擴大反射體之面積,進而可提高反射板自身之強度。
本發明之熱反射板中,上述三維空間填充構造包含為蜂窩構造、矩形格子構造、方形格子構造或菱形格子構造之形態。
本發明之熱反射板中較佳為,上述第1外裝板及上述第2外裝板之相對向之面相互為平坦面,上述反射體係形成於上述第2外裝板側之上述第1外裝板之表面中上述周緣部彼此之環狀的接合部之內側區域之薄膜,該薄膜係積層膜,其自上述第1外裝板之表面側依序具有基底膜、及作為包含上述反射面之表面層之反射膜,上述基底膜包含Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co或Ni,或包含含有選自由Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co及Ni所組成之群中之至少1種之合金,上述反射膜包含Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu,或包含含有選自由Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu所組成之群中之至少1種之合金,上述基底膜與上述反射膜具有不同之組成。可進一步抑制因反射體與第2外裝板之部分接觸而產生之干擾條紋。
本發明之熱反射板中較佳為,至少於上述第1外裝板側具有上述空腔,於上述第1外裝板之上述空腔內之表面上具有形成為上述反射體之薄膜,該薄膜係包含Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之膜、或包含50質量%以上之Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之合金膜。於為該些金屬膜或包含50質量%以上之該些金屬之合金膜時,形成為反射體之薄膜亦可為單層膜。
本發明之熱反射板中較佳為,上述第1外裝板係平板,於上述第2外裝板側具有上述空腔,於上述第1外裝板之表面上具有形成為上述反射體之薄膜,該薄膜係包含Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之膜、或包含50質量%以上之Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之合金膜。於為該些金屬膜或包含50質量%以上之該些金屬之合金膜時,形成為反射體之薄膜亦可為單層膜。
本發明之熱反射板中較佳為,上述第1外裝板及上述第2外裝板之相對向之面相互為平坦面,上述反射體係形成於上述第2外裝板側之上述第1外裝板之表面中上述周緣部彼此之環狀的接合部之內側區域之薄膜,該薄膜係包含Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之膜、或包含50質量%以上之Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之合金膜。於為該些金屬膜或包含50質量%以上之該些金屬之合金膜時,形成為反射體之薄膜亦可為單層膜。
本發明之熱反射板中較佳為,於上述第1外裝板側及上述第2外裝板側具有上述空腔,於上述第1外裝板之上述空腔內之表面上具有形成為上述反射體之薄膜,該薄膜係包含Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之膜、或包含50質量%以上之Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之合金膜。於為該些金屬膜或包含50質量%以上之該些金屬之合金膜時,形成為反射體之薄膜亦可為單層膜。
本發明之熱反射板中較佳為,上述反射體之厚度為0.01 μm以上且5 mm以下。可保持反射體對輻射熱之反射效率,並且可使熱反射板之熱容變小。
本發明之熱反射板中較佳為,上述周緣部彼此之接合部係表面活化接合部。可較一般之熔接方法而使接合寬度更短,從而更能使輻射熱向爐內反射。又,作為反射體之薄膜不易受到由接合製程所致之熱性、物理性損傷。又,可提高接合部之接合強度,熱反射板之壽命更長,又,耐蝕性提高,抑制爐內污染。
[發明之效果]
根據本發明,可提供一種熱反射板,其較先前方法可確保更多之反射面積率,熱容較小,可節能化,具有高反射率,抑制爐內污染,且熱響應性佳。
以下,對本發明示出實施方式來詳細地進行說明,但本發明不應限定於該些記載來解釋。只要可發揮本發明之效果,則實施方式亦可進行各種變化。
(反射體係薄膜之形態)
參照圖1及圖2對本實施方式之熱反射板進行說明。本實施方式之熱反射板100具有板狀外裝1及反射體5,該反射體5配置於板狀外裝1之內部,外周圍完全被板狀外裝1覆蓋,且對入射至板狀外裝1之一表面之紅外線進行反射。圖1中,朝向紙面之方向係紅外線之入射方向。圖2中,自上向下之方向係紅外線之入射方向。反射體5係薄膜,反射體5之至少包含反射面之表面層較佳為包含Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu,或包含含有選自由Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu所組成之群中之至少1種之合金。圖2中示出反射體5為積層膜之形態,於基底膜3之上形成有作為包含反射面之表面層之反射膜4。此時,較佳為反射體5未設置貫通孔、凹凸等而被該反射體之周緣包圍之整個表面為反射面。
本實施方式之熱反射板100之1 mm
2中之板狀外裝及反射體之厚度方向的合計熱容為0.0004~0.0080(J/K),較佳為0.0023~0.0070(J/K),更佳為0.0030~0.0060(J/K)。1 mm
2中之板狀外裝及反射體之厚度方向之熱容,相當於將熱反射板100之熱容除以紅外線之入射面之面積而得的值,該熱反射板100具有反射體5及完全覆蓋反射體5之外周圍之板狀外裝1。就紅外線入射面之面積而言,若以圖1及圖2為例來進行說明,則圖1中示出熱反射板100之整個紅外線入射面,但根據圖2,入射面存在觀察到反射體5之區域及觀察到周緣部彼此之接合部2之區域,此時紅外線入射面之面積係指包含該兩者之區域之面積,即係指於正面觀察反射體5時之板狀外裝1之整個板面之面積。若1 mm
2中之板狀外裝及反射體之厚度方向之合計熱容未達0.0004(J/K),則會因板狀外裝之厚度不足而產生破損,或因反射體之厚度不足而產生紅外線之透過,由此反射性能有可能降低,若超過0.0080(J/K),則合計熱容過大,於熱處理工序中使加熱、冷卻之響應變慢,相對於所需各曲線而產生偏移,又,使熱處理1循環所需之時間變長,其結果產生生產效率之降低。
再者,本實施方式中之熱反射板需要使1 mm
2中之板狀外裝及反射體之厚度方向的合計熱容滿足上述範圍。為了滿足該範圍,此外為了使爐體之熱響應性更良好,更佳為面內方向上之反射體相對於板狀外裝之面積比率較大及用於反射體之反射材料之反射率較高。例如雖然是根據使用之爐體及基板之大小來設計熱反射板,但熱反射板之大小較佳為設成直徑為50 mm以上之圓板形狀或一邊為50 mm以上之多邊形狀的板狀外裝。此外,較佳為儘量使熱反射板之厚度變薄,例如為1~3.4 mm,較佳為1~3 mm。此外,較佳為以成為儘量接近於上述圓板形狀或多邊形狀之面內方向之面積的面積,例如以反射面積率計為80%以上之方式設置反射體。此外,用於反射體之金屬材料或合金材料,較佳為選定具有較高之反射率、例如80%以上之反射率之金屬材料或合金材料。此處,「面內方向」之面係指熱反射板之包含反射面之板面。
熱反射板100中較佳為,板狀外裝1具有層合板構造,該層合板構造具有第1外裝板1a與第2外裝板1b對向配置且周緣部彼此沿周緣環狀連續接合而成之接合部。圖2中,第1外裝板1a與第2外裝板1b藉由周緣部彼此之接合部2而形成層合板構造。周緣部彼此之接合部2如圖1所示沿板狀外裝1之周緣環狀連續。圖1中,周緣部彼此之接合部2係透視第2外裝板1b時可視為第1外裝板1a與第2外裝板1b之邊界部,圖示為灰色區域。藉由設為層合板構造而可使板狀外裝變薄,從而使熱容變小。
於正面觀察反射體5時之板狀外裝1之形狀例如係圓形、橢圓形、長方形或正方形,較佳為圓形。又,於正面觀察反射體5時之氧化矽板1之外側板面,較佳為未設置貫通孔、凹凸等而為平坦面。圓形之直徑例如為5~50 cm。周緣部彼此之接合部2之環狀形狀之寬度例如為0.5~20 mm。板狀外裝1之壁厚較佳為1~3.4 mm,更佳為1~3 mm。第1外裝板1a之壁厚較佳為0.1~1.7 mm,更佳為0.5~1.5 mm。第2外裝板1b之壁厚較佳為0.1~1.7 mm,更佳為0.5~1.5 mm。於正面觀察反射體5時之反射體5相對於板狀外裝1之板面之反射面積率較佳為80%以上,更佳為87%以上,進而佳為90%以上。
板狀外裝1之材質較佳為氧化矽或矽。於材料強度、且不吸收紅外線而使之透過之方面而言,較佳為氧化矽,於熱容較小之方面而言,較佳為矽。氧化矽包含為結晶性氧化矽或非晶質氧化矽之形態。板狀外裝1之雜質濃度為100 ppm以下,較佳為90 ppm以下。再者,本實施方式於板狀外裝1之材質為矽之形態中,包含矽表面被氧化而成為氧化矽之形態。
熱反射板100中較佳為,層合板構造具有空腔12,該空腔12設置於第1外裝板1a及第2外裝板1b之相對向之面之間,且於第1外裝板1a側及第2外裝板1b側之至少一側藉由周緣部彼此之接合部2封閉而成,且於空腔12內配置有反射體5。空腔12具有設置於第1外裝板1a側之形態、設置於第1外裝板1a側及第2外裝板1b側之兩側之形態、及設置於第2外裝板1b側之形態。圖2中,示出空腔12設置於第1外裝板1a側之形態。該形態中,於第1外裝板1a之一表面設置有凹部,第2外裝板1b係無凹部之平板,藉由設為第1外裝板1a及第2外裝板1b之層合板構造,而將空腔12設置於第1外裝板1a側。其結果,空腔12僅設置於第1外裝板1a及第2外裝板1b之相對向之面之第1外裝板1a側,且藉由周緣部彼此之接合部2而封閉。由於反射體5位於作為封閉空間之空腔12內,因此由反射體引起之剝離方向之應力不易施加於周緣部彼此之接合部,可抑制由反射體之破損所致之爐內污染。進而可避免由板狀外裝與反射體之熱膨脹差所致之破損。
圖3中,示出跨及第1外裝板1a側及第2外裝板1b側之兩側來設置空腔12之形態。該形態中,於第1外裝板1a之一表面設置有凹部,於第2外裝板1b之一表面設置有凹部,以凹部彼此結合之方式製成第1外裝板1a及第2外裝板1b之層合板構造。其結果,空腔12設置於第1外裝板1a及第2外裝板1b之相對向之面的第1外裝板1a側及第2外裝板1b側之兩方。
圖4中,示出空腔12設置於第2外裝板1b側之形態。該形態中,第1外裝板1a係無凹部之平板,於第2外裝板1b之一表面設置有凹部,藉由設為第1外裝板1a及第2外裝板1b之層合板構造,而空腔12設置於第2外裝板1b側。其結果,空腔12僅設置於第1外裝板1a及第2外裝板1b之相對向之面的第2外裝板1b側。
空腔12之高度(圖2中,上下方向之長度)較佳為0.1 μm~5 mm,更佳為0.1 μm~1 mm。空腔12具有僅於第1外裝板1a側設置有凹部之形態、於第1外裝板1a側及第2外裝板1b側之兩方設置有凹部之形態及僅於第2外裝板1b側設置有凹部之形態之3種態樣,但任一形態中,均藉由凹部而於第1外裝板1a之周緣部及/或第2外裝板1b之周緣部形成堤部11。圖2之形態中,形成於第1外裝板1a之堤部11之頂面,與相向配置之第2外裝板1b之平板部分接合而形成周緣部彼此之接合部2。圖3之形態中,第1外裝板1a與第2外裝板1b之堤部11之頂面彼此接合而形成周緣部彼此之接合部2。又,圖4之形態中,形成於第2外裝板1b之堤部11之頂面,與相向配置之第1外裝板1a之平板部分接合而形成周緣部彼此之接合部2。凹部可藉由例如蝕刻法等形成。
本實施方式之熱反射板100中較佳為,如圖2所示,第1外裝板1a具有設置於周緣部之堤部11、及被堤部11包圍且構成空腔12之凹部,第2外裝板1b較佳為平板狀。藉由僅於第1外裝板1a設置凹部,而可以簡單構造於板狀外裝內設置空腔12。具有該形態之熱反射板除圖2以外,還有圖5、圖8、圖12或圖15所例示之熱反射板103、106、109、112。
本實施方式之熱反射板102中較佳為,如圖4所示,第1外裝板1a係平板狀,第2外裝板1b具有設置於周緣部之堤部11、及被堤部11包圍且構成空腔12之凹部。藉由僅於第2外裝板1b設置凹部,而可以簡單構造於板狀外裝內設置空腔12。具有該形態之熱反射板除圖4以外,還有圖7、圖11或圖14所例示之熱反射板105、108、111。
如圖2或圖3所示,本實施方式之熱反射板100、101中較佳為,至少於第1外裝板1a側具有空腔12,於第1外裝板1a之空腔12內之表面上具有形成為反射體5之薄膜,薄膜係積層膜,其自第1外裝板1a之空腔12內之表面側依序具有基底膜3、及作為包含反射面之表面層之反射膜4,基底膜3包含Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co或Ni,或包含含有選自由Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co及Ni所組成之群中之至少1種之合金,反射膜4包含Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu,或包含含有選自由Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu所組成之群中之至少1種之合金,基底膜3與反射膜4具有不同之組成。於第1外裝板之空腔內之表面上形成有反射體,因此由反射體所引起之剝離方向之應力不易施加於周緣部彼此之接合部,從而可抑制由反射體之破損所致之爐內污染。進而可避免由板狀外裝與反射體之熱膨脹差所致之破損。於反射體5為薄膜,且薄膜為積層膜之情形時,反射體5之至少包含反射面之表面層對應於反射膜4。作為積層膜之反射體5形成於第1外裝板1a之空腔12內之表面、即凹部之底面。作為積層膜之反射體5,較佳為以凹部底面之總面積之50~100%之面積形成,更佳為以80~100%之面積形成。反射體5之膜厚較佳為10~1500 nm,更佳為20~400 nm。
基底膜3較佳為包含Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co或Ni,或包含含有選自由Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co及Ni所組成之群中之至少1種之合金。該金屬或合金之熔點較高,且與板狀外裝之密接性優異。基底膜3較佳為例如濺鍍膜、塗佈膜、利用CVD(chemical vapor deposition,化學氣相沈積)、蒸鍍等獲得之薄膜。作為含有選自由Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co及Ni所組成之群中之至少1種的合金,較佳為以最多質量含有該些元素中之一種之合金,更佳為含有50質量%以上之Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co或Ni之合金,進而佳為含有60質量%以上之該些元素之合金,最佳為含有70質量%以上之該些元素之合金,例如係Ta-Mo系合金、Ta-Cr系合金或Cr-Co系合金。基底膜3之膜厚較佳為5~500 nm,更佳為10~100 nm。基底膜3提高反射膜4之密接性。
反射膜4較佳為沈積於基底膜3之表面。反射膜4較佳為包含Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu,或包含含有選自由Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu所組成之群中之至少1種之合金。該金屬或合金之熔點較高,且紅外線之反射率較高。又,與基底膜之反應性較少。反射膜4較佳為例如濺鍍膜、塗佈膜、利用CVD、蒸鍍等獲得之薄膜。作為包含由Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu所組成之群中之至少1種的合金,較佳為以最多質量含有該些元素中之一種之合金,更佳為含有50質量%以上之Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之合金,進而佳為含有60質量%以上之該些元素之合金,最佳為含有70質量%以上之該些元素之合金,例如係Ir-Pt系合金、Ir-Rh系合金或Pt-Ru系合金。反射膜4之膜厚較佳為5~1000 nm,更佳為10~300 nm。
作為製成積層膜時之基底膜3與反射膜4之較佳組合,基底膜3/反射膜4係Ta膜/Ir膜、Ta膜/Pt膜、Mo膜/Ir膜等。積層膜之膜厚較佳為10~1500 nm,更佳為20~400 nm。
如圖5或圖6所示,亦可為反射體5之厚度與空腔12之高度相等、即反射膜4與第2外裝板1b之表面接觸之形態。減少因反射膜4與第2外裝板部分性地接觸而產生之干擾條紋。基底膜3較佳為沈積於第1外裝板1a之空腔12內之表面(凹部之底面),反射膜4較佳為沈積於基底膜3之表面。反射膜4與第2外裝板1b之表面接觸,但較佳為不形成於第2外裝板1b之表面,即,並未進行沈積。
如圖4所示,本實施方式之熱反射板102中較佳為,第1外裝板1a係平板,於第2外裝板1b側具有空腔12,且於第1外裝板1a之表面上具有形成為反射體5之薄膜,薄膜係積層膜,其自第1外裝板1a之表面側依序具有基底膜3、及作為包含反射面之表面層之反射膜4,基底膜3包含Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co或Ni,或包含含有選自由Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co及Ni所組成之群中之至少1種之合金,反射膜4包含Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu所組成之群,或包含含有選自由Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu所組成之群中之至少1種之合金。圖4所示之形態於第1外裝板1a係平板、且在第2外裝板1b側具有空腔12之方面,與圖2或圖3所示之形態不同,但其他方面相同。於作為平板之第1外裝板1a形成作為反射體之薄膜,因此可製成生產性優異之熱反射板。
如圖7所示,亦可為反射體5之厚度與空腔12之高度相等、即反射膜4與第2外裝板1b之表面(凹部之底面)接觸的形態。可減少因反射膜4與第2外裝板部分性地接觸而產生之干擾條紋。基底膜3較佳為沈積於第1外裝板1a之表面,反射膜4較佳為沈積於基底膜3之表面。圖7所示之形態於第1外裝板1a係平板、且在第2外裝板1b側具有空腔12之方面,與圖5或圖6所示之形態不同,但其他方面相同。於作為平板之第1外裝板1a形成作為反射體之薄膜,因此可製成生產性優異之熱反射板。
如圖8、圖10~圖14所示,本實施方式之熱反射板106~111較佳為具有至少1個支柱部6,該支柱部6在空腔12內豎立設置於層合板構造之對向之面彼此之間。可藉由支柱部6而提高層合板構造之接合強度。例如圖8或圖12所示,作為支柱部6有如下形態,即,自第1外裝板1a之凹部之底面延伸且支柱部6之頂面與平板狀之第2外裝板1b之表面接合。由於支柱部6設為僅自第1外裝板1a之凹部之底面延伸之形態,因此例如僅於第1外裝板1a藉由利用蝕刻形成凹部而形成堤部11,此時,可與設堤部11為非蝕刻部位相同地,藉由設支柱部6為非蝕刻部位而形成支柱部6。又,例如圖10或圖13所示,作為支柱部6有如下形態,即,自第1外裝板1a之凹部之底面延伸,且自第2外裝板1b之凹部之底面延伸,支柱部6之頂面彼此接合。由於支柱部6設為自第1外裝板1a之凹部之底面及第2外裝板1b之凹部之底面這兩方延伸的形態,因此例如於第1外裝板1a及第2外裝板1b藉由利用蝕刻形成凹部而形成堤部11,此時,可與設堤部11為非蝕刻部位相同地,藉由設支柱部6為非蝕刻部位而形成支柱部6。進而,例如圖11或圖14所示,作為支柱部6有如下形態,即,自第2外裝板1b之凹部之底面延伸,且支柱部6之頂面與平板狀之第1外裝板1a之表面接合。由於設為支柱部6僅自第2外裝板1b之凹部之底面延伸的形態,因此例如僅於第2外裝板1b藉由利用蝕刻形成凹部而形成堤部11,此時,可藉由設支柱部6為非蝕刻部位而形成支柱部6。圖中,以接合部7表示支柱部6與第1外裝板1a或第2外裝板1b之接合部、或支柱部6彼此之接合部。
對於圖8、圖10~圖14所示之熱反射板106~111,反射體5與圖2~圖7所示之熱反射板100~105相同。此時,較佳為在形成於支柱部6之外側之反射體5未設置貫通孔、凹凸等,被位於支柱部6之外側的該反射體之內周及該反射體之周緣包圍之整個表面為反射面。
接下來,對支柱部6之形狀進行說明。本實施方式之熱反射板106~111中,支柱部6包含為柱狀或筒狀之形態。支柱部6之主軸之橫截面之形狀較佳為圓形、橢圓形或三角形以上之多邊形。三角形以上之多邊形時,較佳為正方形或正六邊形。進而,熱反射板較佳為如圖9所示具有複數個支柱部6,支柱部6為筒狀,且各支柱部6具有相互共有筒壁之一部分之三維空間填充構造。藉由設為三維空間填充構造,而可提高接合強度,並且可擴大反射體之面積,進而可提高反射板自身之強度。三維空間填充構造包含為蜂窩構造、矩形格子構造、方形格子構造或菱形格子構造之形態。圖9中,圖示具有蜂窩構造之支柱部之熱反射板100。蜂窩構造係將六角筒形無間隙地排列而成之構造,較佳為將正六角筒形無間隙地排列而成之構造。矩形格子構造係將剖面長方形之角筒形無間隙地排列而成之構造。方形格子構造係將剖面正方形之角筒形無間隙地排列而成之構造。菱形格子構造係將剖面菱形之角筒形無間隙地排列而成之構造。此處,於三維空間填充構造之支柱部6之筒狀之內側形成反射體5時,較佳為於形成後之反射體5未設置貫通孔、凹凸等,被位於支柱部6之筒狀之內側的該反射體之周緣包圍之整個表面為反射面。
本實施方式之熱反射板中較佳為,如圖20所示,第1外裝板1a及第2外裝板1b之相對向之面相互為平坦面,反射體5係形成於第2外裝板1b側之第1外裝板1a之表面中周緣部彼此之環狀之接合部2之內側區域的薄膜,薄膜係積層膜,其自第1外裝板1a之表面側依序具有基底膜、及作為包含反射面之表面層之反射膜,基底膜包含Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co或Ni,或包含含有選自由Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co及Ni所組成之群中之至少1種之合金,反射膜包含Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu,或包含含有選自由Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu所組成之群中之至少1種之合金,基底膜與反射膜具有不同之組成。再者,圖20中,省略反射體5為積層膜之形態之圖示。基底膜較佳為沈積於第1外裝板之表面,反射膜較佳為沈積於基底膜之表面。較佳為反射膜與第2外裝板之表面接觸,但並未形成於第2外裝板之表面,即,並未進行沈積。藉由設為該構造,可製成生產性優異之熱反射板。又,可使反射體更密接於第2外裝板,更可抑制干擾條紋。積層膜之膜厚較佳為10~500 nm。藉由使積層膜之膜厚變小,即便不設置空腔12,亦可藉由第1外裝板及第2外裝板之應力變形而設置周緣部彼此之環狀之接合部,從而積層膜之外周圍可被板狀外裝內完全覆蓋。反射體5之金屬或合金之選定理由與圖2~圖7所示之熱反射板100~105相同。
(形成為反射體之薄膜係特定金屬膜或包含特定金屬之合金膜之形態1)
本實施方式之熱反射板中較佳為,至少於第1外裝板側具有空腔,於第1外裝板之空腔內之表面上具有形成為反射體之薄膜,薄膜係包含Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之膜、或包含50質量%以上之Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之合金膜。於為包含Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之膜、或包含50質量%以上之Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之合金膜時,形成為反射體之薄膜亦可為單層膜。本實施方式之熱反射板於圖2、圖5、圖8或圖12中具有如下構造,即,將作為積層膜之反射體5置換為包含Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之膜、或包含50質量%以上之Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之合金膜。又,如圖3、圖6、圖10或圖13之板狀外裝1般亦可為如下形態,即,跨及第1外裝板1a側及第2外裝板1b側之兩側來設置空腔12。該形態中,於第1外裝板1a之一表面設置凹部,於第2外裝板1b之一表面設置凹部,以凹部彼此結合之方式製成第1外裝板1a及第2外裝板1b之層合板構造。其結果,空腔12設置於第1外裝板1a及第2外裝板1b之相對向之面的第1外裝板1a側及第2外裝板1b側之兩方。再者,本實施方式之熱反射板之紅外線之入射方向,亦可為自上向下之方向或自下向上之方向中之任一者。
(形成為反射體之薄膜係特定金屬膜或包含特定金屬之合金膜之形態2)
本實施方式之熱反射板中較佳為,第1外裝板係平板,於第2外裝板側具有空腔,且於第1外裝板之表面上具有形成為反射體之薄膜,薄膜係包含Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之膜、或包含50質量%以上之Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之合金膜。於為包含Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之膜、或包含50質量%以上之Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之合金膜時,形成為反射體之薄膜亦可為單層膜。本實施方式之熱反射板於圖4、圖7、圖11或圖14中具有如下構造,即,將作為積層膜之反射體5置換為包含Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之膜、或包含50質量%以上之Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之合金膜。再者,本實施方式之熱反射板之紅外線之入射方向,亦可為自上向下之方向或自下向上之方向中之任一者。
(形成為反射體之薄膜係特定金屬膜或包含特定金屬之合金膜之形態3)
本實施方式之熱反射板中較佳為,第1外裝板及第2外裝板之相對向之面相互為平坦面,反射體係形成於第2外裝板側之第1外裝板之表面中周緣部彼此之環狀之接合部之內側區域的薄膜,薄膜係包含Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之膜、或包含50質量%以上之Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之合金膜。於為包含Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之膜、或包含50質量%以上之Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之合金膜時,形成為反射體之薄膜亦可為單層膜。本實施方式之熱反射板於圖20中具有如下構造,即,將反射體5置換為包含Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之膜、或包含50質量%以上之Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之合金膜。再者,本實施方式之熱反射板之紅外線之入射方向,亦可為自上向下之方向或自下向上之方向中之任一者。
(形成為反射體之薄膜係特定金屬膜或包含特定金屬之合金膜之形態4)
本實施方式之熱反射板中較佳為,於第1外裝板側及第2外裝板側具有空腔,於第1外裝板之空腔內之表面上具有形成為反射體之薄膜,薄膜係包含Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之膜、或包含50質量%以上之Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之合金膜。於為包含Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之膜、或包含50質量%以上之Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之合金膜時,形成為反射體之薄膜亦可為單層膜。本實施方式之熱反射板於圖3、圖6、圖10或圖13中具有如下構造,即,將作為積層膜之反射體5置換為包含Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之膜、或包含50質量%以上之Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之合金膜。再者,本實施方式之熱反射板之紅外線之入射方向,亦可為自上向下之方向或自下向上之方向中之任一者。
形態1~4中,於包含50質量%以上之Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之合金膜中,Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之含有率分別較佳為50質量%以上,但更佳為60質量%以上,進而佳為70質量%以上。包含Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之膜、或包含50質量%以上之Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之合金膜較佳為以與作為積層膜之反射體5相同之膜厚形成,又,於凹部底面形成薄膜之面積比率較佳為以與作為積層膜之反射體5相同之範圍形成。
本實施方式之熱反射板中,周緣部彼此之接合部2較佳為表面活化接合部。進而,包含支柱部6之接合部7較佳為表面活化接合部。由於能夠以相對低溫進行接合,因此可對反射膜無熱性、物理性損傷地進行接合,又,藉由在將內部保持於真空之狀態下進行接合而可提高接合部之接合強度,熱反射板之壽命變長,又,耐蝕性提高,抑制爐內污染。表面活化接合部係指如下部位,即,使相接合之部位之至少一者為表面活化狀態後,藉由施加按壓將接合部位彼此結合來以原子級將表面組織一體化而接合。更佳為於使相接合之部位之兩方為表面活化狀態後,施加按壓來將接合部位彼此結合。板狀外裝彼此之接合中,亦可於製造矽皮膜之後設為表面活化狀態,其後施加按壓來將接合部位彼此結合。表面活化接合部有常溫活化接合部與電漿活化接合部。常溫活化接合部例如有使用高速原子束進行表面活化來接合之接合部、使用Si等活性金屬形成奈米密接層而進行表面活化來接合之接合部、使用離子束進行表面活化來接合之接合部。電漿活化接合部例如有使用氧電漿進行表面活化來接合之接合部、使用氮電漿進行表面活化來接合之接合部。藉由使周緣部彼此之接合部2為表面活化接合部,而可減少接合部處之洩漏,例如藉由將空腔內保持於真空,而可防止由高溫時之內壓上升所致之板狀外裝破損。至於形成表面活化接合部之方法,可參照例如專利文獻4~6。
本實施方式之熱反射板中,空腔12內之壓力較佳為未達大氣壓之減壓。空腔12內之壓力更佳為10
- 2Pa以下。可抑制熱處理時空腔12之內壓升高,可進一步抑制爐內污染。又,可抑制高溫時之反射膜之劣化。
(反射體係板之形態)
本實施方式之熱反射板112中較佳為,如圖15所示,反射體8係板,且包含Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu,或包含含有選自由Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu所組成之群中之至少1種之合金。作為含有選自由Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu所組成之群中之至少1種的合金,較佳為以最多質量含有該些元素之一種之合金,更佳為含有50質量%以上之Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之合金,進而佳為含有60質量%以上之該些元素之合金,最佳為含有70質量%以上之該些元素之合金,例如係Ir-Pt系合金、Ir-Rh系合金或Pt-Ru系合金。成為於空腔12內收容有作為反射體之板之狀態,板不易產生腐蝕。進而,由板引起之剝離方向之應力不易施加於周緣部彼此之接合部。作為板之反射體8,較佳為以凹部底面之總面積之50~100%之面積形成,更佳為以80~100%之面積形成。於反射體係板之形態中,熱反射板112之1 mm
2中之板狀外裝及反射體之厚度方向之合計熱容為0.0004~0.0080(J/K),較佳為0.0023~0.0070(J/K),更佳為0.0030~0.0060(J/K)。
(反射體係箔之形態)
本實施方式之熱反射板中較佳為,反射體係箔,且包含Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu,或包含含有選自由Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu所組成之群中之至少1種之合金(未圖示)。作為含有選自由Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu所組成之群中之至少1種的合金,較佳為以最多質量包含該些元素之一種之合金,更佳為含有50質量%以上之Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之合金,更佳為含有60質量%以上之該些元素之合金,最佳為含有70質量%以上之該些元素之合金,例如係Ir-Pt系合金、Ir-Rh系合金或Pt-Ru系合金。圖15中,成為將代替板而為箔之反射體8收容於空腔12內之狀態,箔不易產生腐蝕。進而,由箔引起之剝離方向之應力不易施加於周緣部彼此之接合部。作為箔之反射體較佳為以凹部底面之總面積之50~100%之面積形成,更佳為以80~100%之面積形成。即便於反射體係箔之形態中,熱反射板112之1 mm
2中之板狀外裝及反射體之厚度方向的合計熱容亦為0.0004~0.0080(J/K),較佳為0.0023~0.0070(J/K),更佳為0.0030~0.0060(J/K)。
本實施方式之熱反射板中,反射體之厚度較佳為0.01 μm~5 mm,更佳為0.02 μm~2 mm。可保持反射體之較高之反射效率,並且可使熱反射板之熱容變小。若反射體之厚度未達0.01 μm,則難以保持反射效率,若超過5 mm,則存在反射體之熱量過大之情形。而且,於反射體係薄膜之情形時,積層膜之膜厚較佳為10 nm以上且1500 nm以下,更佳為20 nm以上且400 nm以下。於反射體係板之情形時,板厚較佳為0.5 mm以上且5.0 mm以下,更佳為0.5 mm以上且2.0 mm以下。於反射體係箔之情形時,箔之厚度較佳為3 μm以上且2.0 mm以下,更佳為8 μm以上且1.0 mm以下。
本實施方式中,於具有空腔時,自空腔之高度(圖2中,上下方向之長度)減去反射體之厚度所得的值、即空腔內之高度方向之間隙較佳為200 μm以下,更佳為100 μm以下。若空腔內之高度方向之間隙超過200 μm,則由大氣壓所致之板狀外裝之變形變大,其結果,施加於接合部附近之應力變大,結合部有可能產生斷裂。
圖2~圖8、圖10~圖14中,紅外線之入射方向係自上向下之方向。圖15中,紅外線之入射方向亦可為自上向下之方向或自下向上之方向中之任一者。再者,熱處理裝置中,需要保溫體來保持被加熱基板之溫度,但本實施方式之熱反射板未必需要用於其之保溫體。於無保溫體之情形時,本實施方式之熱反射板於具有直至熱處理溫度為止之升溫曲線、溫度保持曲線、降溫曲線之熱處理工序中,不會使加熱、冷卻之響應變慢,不易相對於所需各曲線而產生偏移,又,不會使熱處理1循環所需之時間變長,其結果不會產生生產效率之降低。
[實施例]
以下,示出實施例對本發明更詳細地進行說明,但本發明不應限定於實施例來進行解釋。
(比較例1)
首先,準備外周300 mm、厚度4.0 mm之不透明石英。接下來,使用紫外可見分光光度計((股份))島津製作所製造 型號:UV-3100PC)來測定不透明石英之反射率。將測定出之反射率之結果示於圖21。於1000℃時,本比較例之不透明石英中可確認出在2000 nm以上之波長中具有5%以下之反射率。此時,比較例1之整個熱反射板之厚度為4.0000 mm,反射面積率為100.00%。接下來,算出上述不透明石英之1 mm
2中之板厚外裝及反射體之厚度方向的合計熱容,結果為0.0092(J/K)。
(實施例1)
(反射體係積層膜之形態)
製作圖2所示之熱反射板。首先,準備2片外周300 mm、厚度1.2 mm之板狀外裝而分別設為第1外裝板、第2外裝板。接下來,將自第1外裝板之外周至寬度10 mm殘留下來作為與第2外裝板之接合部,對此以外之部位進行蝕刻而設置深度1 μm之用於空腔之凹部。接下來,於第1外裝板之凹部底面藉由濺鍍法而將Ta形成50 nm之膜來作為基底膜,於基底膜之上藉由濺鍍法將Ir形成150 nm之膜來作為反射膜而形成反射體。接下來,使用紫外可見分光光度計((股份)島津製作所製造 型號:UV-3100PC)來測定反射體之反射率。將測定出之反射率之結果示於圖16。測定係將用於測定之光直接照射至反射體之表面來進行。又,使用(數1)算出1000℃時之物質輻射之黑體輻射之波長與輻射量之關係。將算出結果示於圖17。
[數1]
其中,h係普朗克常數(6.62607015×10
- 34J・s),k
B係玻耳茲曼常數(1.380649×10
- 23J/K),c係光速度(299792458m/s),λ係波長(nm)。圖17之結果可確認出,1000℃時需要反射輻射熱,於波長為2000 nm~2600 nm時輻射量較多。又,圖16之結果,於1000℃時,本實施例之反射體可確認出在2000 nm以上之波長中具有90%以上之反射率。接下來,為將形成有反射體之第1外裝板與平板狀之第2外裝板接合,而於真空度10
-2Pa以下之真空中將高速原子束照射至第1外裝板之接合部進行表面活化,且將第2外裝板壓抵於第1外裝板,藉此製作出熱反射板。此時,實施例1之整個熱反射板之厚度為2.4000 mm,反射面積率為93.33%。製作出熱反射板之後,算出1 mm
2中之板厚外裝及反射體之厚度方向之合計熱容,結果為0.0055(J/K)。將熱反射板升溫至1000℃時所需之熱量與熱容成比例,因此實施例1之熱反射板較比較例1之不透明石英,熱反射性更高,且可將耗電量削減40.22%。
(實施例2)
(反射體係積層膜之形態)
首先,準備2片外周300 mm、厚度1.2 mm之板狀外裝而分別設為第1外裝板、第2外裝板。接下來,遮蔽自第1外裝板之外周至寬度5 mm之量作為與第2外裝板之接合部。接下來,於遮蔽之第1外裝板之面藉由濺鍍法將Ta形成50 nm之膜來作為基底膜,於基底膜之上藉由濺鍍法將Ir形成150 nm之膜來作為反射膜,從而形成反射體。接下來,除去遮蔽物。反射體與實施例1之反射體相同,具有與圖16所示之反射特性相同之特性。接下來,為將形成有反射體之平板狀之第1外裝板與平板狀之第2外裝板接合,而於真空度10
-2Pa以下之真空中將高速原子束照射至第1外裝板之接合部進行表面活化,且將第2外裝板壓抵於第1外裝板,藉此製作出熱反射板。此時,實施例2之整個熱反射板之厚度為2.4002 mm,反射面積率為96.67%。製作出熱反射板之後,算出1 mm
2中之板厚外裝及反射體之厚度方向之合計熱容,結果為0.0055(J/K)。熱反射板升溫至1000℃時所需之熱量與熱容成比例,因此實施例2之熱反射板較比較例1之不透明石英,熱反射性更高,且可將耗電量削減40.22%。
(實施例3)
(反射體係積層膜之形態)
首先,準備2片外周300 mm、厚度1.2 mm之板狀外裝而分別設為第1外裝板、第2外裝板。接下來,遮蔽自第1外裝板之外周至寬度5 mm之量作為與第2外裝板之接合部。接下來,於遮蔽之第1外裝板之面藉由濺鍍法而將Ta形成50 nm之膜來作為基底膜,於上述基底膜之上藉由濺鍍法而將Ir形成150 nm之膜來作為反射膜,從而形成反射體。接下來,除去遮蔽物。反射體與實施例1之反射體相同,具有與圖16所示之反射特性相同之特性。接下來,為將形成有反射體之平板狀之第1外裝板與平板狀之第2外裝板接合而使氧電漿接觸於第1外裝板之接合部進行表面活化,且將第2外裝板壓抵於第1外裝板,藉此製作出熱反射板。此時,實施例3之整個熱反射板之厚度為2.4002 mm,反射面積率為96.67%。製作出熱反射板之後,算出1 mm
2中之板狀外裝及反射體之厚度方向之合計熱容,結果為0.0055(J/K)。將熱反射板升溫至1000℃時所需之熱量與熱容成比例,因此實施例3之熱反射板較比較例1之不透明石英,熱反射性更高,且可將耗電量削減40.22%。
(實施例4)
(反射體係積層膜、且具有蜂窩形狀之支柱部之形態)
製作圖12所示之熱反射板。首先,準備2片外周300 mm、厚度1.2 mm之板狀外裝而分別設為第1外裝板、第2外裝板。接下來,遮蔽自第1外裝板之外周至寬度10 mm之量,其後,於此以外之部位遮蔽相當於正六邊形之寬度10 mm(1邊之長度為5.77 mm)、壁柱厚度0.3 mm之蜂窩形狀之支柱部的部位之後,進行蝕刻而設置深度1 μm之用於空腔之凹部。接下來,於遮蔽之第1外裝板之凹部底面藉由濺鍍法將Ta形成50 nm之膜來作為基底膜,於基底膜之上藉由濺鍍法將Ir形成150 nm之膜來作為反射膜,從而形成反射體。接下來,除去遮蔽物。本實施例之反射體相對於實施例1之反射體而具有蜂窩構造。圖16所示之反射率表示整個表面為反射膜之形態之值時,具有本實施例之蜂窩構造之反射膜中,反射膜部分相對於整個表面之面積比率為94.34%,因此認為本實施例之反射特性具有對圖16所示之反射率乘以0.9434而得之反射率。接下來,為將形成有反射體之第1外裝板與平板狀之第2外裝板接合,而於真空度10
-2Pa以下之真空中將高速原子束照射至第1外裝板之接合部2及支柱部進行表面活化,且將第2外裝板壓抵於第1外裝板,藉此進行接合而製作出熱反射板。此時,實施例4之整個熱反射板之厚度為2.4000 mm,反射面積率為88.05%。製作出熱反射板之後,算出1 mm
2中之板狀外裝及反射體之厚度方向之合計熱容,結果為0.0055(J/K)。將熱反射板升溫至1000℃時所需之熱量與熱容成比例,因此實施例4之熱反射板較比較例1之不透明石英,熱反射性更高,且可將耗電量削減40.22%。
(實施例5)
(反射體係Pt箔之形態)
製作圖15所示之熱反射板。首先,準備2片外周300 mm、厚度1.2 mm之板狀外裝而分別設為第1外裝板、第2外裝板。接下來,將自第1外裝板之外周至寬度7 mm殘留下來作為與第2外裝板之接合部,對此以外之部位進行切削加工而設置深度0.2 mm之用於空腔之凹部。接下來,於第1外裝板之凹部底面配置外周284 mm、厚度100 μm之Pt箔而形成反射體。接下來,使用紫外可見分光光度計((股份)島津製作所製造 型號:UV-3100PC)來測定上述反射體之反射率。將測定出之反射率示於圖18。測定係將用於測定之光直接照射至反射體之表面來進行。圖18之結果,於1000℃時,本實施例之反射體中可確認出在2000 nm以上之波長中具有80%以上之反射率。接下來,為將配置有反射體之第1外裝板與平板狀之第2外裝板接合,而於真空度10
-2Pa以下之真空中將高速原子束照射至第1外裝板之接合部進行表面活化,且將第2外裝板壓抵於第1外裝板,藉此進行接合而製作出熱反射板。此時,實施例5之整個熱反射板之厚度為2.4000 mm,反射面積率為95.33%。製作出熱反射板之後,算出1 mm
2中之板狀外裝及反射體之厚度方向之合計熱容,結果為0.0056(J/K)。將熱反射板升溫至1000℃時所需之熱量與熱容成比例,實施例5之熱反射板較比較例1之不透明石英,熱反射性更高,且可將耗電量削減39.13%。
(實施例6)
(反射體係Mo膜之形態)
首先,準備2片外周300 mm、厚度1.2 mm之板狀外裝而分別設為第1外裝板、第2外裝板。接下來,遮蔽自第1外裝板之外周至寬度5 mm之量來作為與第2外裝板之接合部。接下來,於遮蔽之第1外裝板之面藉由濺鍍法將Mo形成200 nm之膜來作為反射體。接下來,除去遮蔽物。接下來,使用紫外可見分光光度計((股份))島津製作所製造 型號:UV-3100PC)來測定反射體之反射率。將測定出之反射率之結果示於圖19。測定係將用於測定之光直接照射至反射體之表面來進行。又,圖19之結果,於1000℃時,本實施例之反射體中可確認出在2000 nm以上之波長中具有80%以上之反射率。接下來,為將形成有反射體之第1外裝板與平板狀之第2外裝板接合,而於真空度10
-2Pa以下之真空中將高速原子束照射至第1外裝板之接合部進行表面活化,且將第2外裝板壓抵於第1外裝板,藉此製作出熱反射板。此時,實施例6之整個熱反射板之厚度為2.4002 mm,反射面積率為96.67%。製作出熱反射板之後,算出1 mm
2中之板狀外裝及反射體之厚度方向之合計熱容,結果為0.0055(J/K)。將熱反射板升溫至1000℃時所需之熱量與熱容成比例,因此實施例6之熱反射板較比較例1之不透明石英,熱反射性更高,且可將耗電量削減40.22%。
(實施例7)
(反射體係Mo膜、且石英板厚度為1.7 mm之形態)
首先,準備2片外周300 mm、厚度1.7 mm之板狀外裝而分別設為第1外裝板、第2外裝板。接下來,遮蔽自第1外裝板之外周至寬度5 mm之量作為與第2外裝板之接合部。接下來,於遮蔽之第1外裝板之面藉由濺鍍法將Mo形成200 nm之膜來作為反射體。接下來,除去遮蔽物。反射體與實施例6之反射體相同,具有與圖19所示之反射特性相同之特性。接下來,為將形成有反射體之第1外裝板與平板狀之第2外裝板接合,而於真空度10
-2Pa以下之真空中將高速原子束照射至第1外裝板之接合部進行表面活化,且將第2外裝板壓抵於第1外裝板,藉此製作出熱反射板。此時,實施例7之整個熱反射板之厚度為3.4002 mm,反射面積率為96.67%。製作出熱反射板之後,算出1 mm
2中之板狀外裝及反射體之厚度方向之合計熱容,結果為0.0079(J/K)。將熱反射板升溫至1000℃時所需之熱量與熱容成比例,因此實施例7之熱反射板較比較例1之不透明石英,熱反射性更高,且可將耗電量削減14.13%。
(實施例8)
(反射體係Mo膜、且石英板厚度為0.5 mm之形態)
首先,準備2片外周100 mm、厚度0.5 mm之板狀外裝而分別設為第1外裝板、第2外裝板。接下來,遮蔽自第1外裝板之外周至寬度5 mm之量作為與第2外裝板之接合部。接下來,於遮蔽之第1外裝板之面藉由濺鍍法而將Mo形成200 nm之膜來作為反射體。接下來,除去遮蔽物。反射體與實施例6之反射體相同,具有與圖19所示之反射特性相同之特性。接下來,為將形成有反射體之第1外裝板與平板狀之第2外裝板接合,而於真空度10
-2Pa以下之真空中將高速原子束照射至第1外裝板之接合部進行表面活化,且將第2外裝板壓抵於第1外裝板,藉此製作出熱反射板。此時,實施例8之整個熱反射板之厚度為1.0002 mm,反射面積率為90.00%。製作出熱反射板之後,算出1 mm
2中之板狀外裝及反射體之厚度方向之合計熱容,結果為0.0023(J/K)。將熱反射板升溫至1000℃時所需之熱量與熱容成比例,實施例8之熱反射板較比較例1之不透明石英,熱反射性更高,且可將耗電量削減75.00%。
1:板狀外裝
1a:第1外裝板
1b:第2外裝板
2:周緣部彼此之接合部
3:基底膜
4:反射膜
5:反射體
6:支柱部
7:包含支柱部之接合部
8:反射體
11:堤部
12:空腔
100~112:熱反射板
圖1係表示本實施方式之熱反射板之一例之俯視概略圖。
圖2係表示A-A剖面之第1例之概略圖。
圖3係表示A-A剖面之第2例之概略圖。
圖4係表示A-A剖面之第3例之概略圖。
圖5係表示A-A剖面之第4例之概略圖。
圖6係表示A-A剖面之第5例之概略圖。
圖7係表示A-A剖面之第6例之概略圖。
圖8係表示A-A剖面之第7例之概略圖。
圖9係表示支柱部具有蜂窩構造之形態之例之圖。
圖10係表示A-A剖面之第8例之概略圖。
圖11係表示A-A剖面之第9例之概略圖。
圖12係表示A-A剖面之第10例之概略圖。
圖13係表示A-A剖面之第11例之概略圖。
圖14係表示A-A剖面之第12例之概略圖。
圖15係表示A-A剖面之第13例之概略圖。
圖16係表示實施例1之反射體之反射率之曲線圖。
圖17係表示1000℃時之物質輻射之黑體輻射之波長與輻射量之關係的曲線圖。
圖18係表示實施例5之反射體之反射率之曲線圖。
圖19係表示實施例6之反射體之反射率之曲線圖。
圖20係表示A-A剖面之第14例之概略圖。
圖21係表示比較例1之不透明石英之反射率之曲線圖。
1:板狀外裝
1a:第1外裝板
1b:第2外裝板
2:周緣部彼此之接合部
3:基底膜
4:反射膜
5:反射體
11:堤部
12:空腔
100:熱反射板
Claims (21)
- 一種熱反射板,其特徵在於具有: 板狀外裝;及 反射體,其配置於該板狀外裝之內部,外周圍完全被該板狀外裝覆蓋,且對入射至該板狀外裝之一表面之紅外線進行反射; 上述反射體係薄膜、板或箔, 上述熱反射板之1 mm 2中之板狀外裝及反射體之厚度方向之合計熱容為0.0004~0.0080(J/K)。
- 如請求項1之熱反射板,其中上述反射體之至少包含反射面之表面層包含Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu,或包含含有選自由Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu所組成之群中之至少1種的合金。
- 如請求項1之熱反射板,其中上述板狀外裝之材質係氧化矽或矽。
- 如請求項1之熱反射板,其中上述板狀外裝具有層合板構造,該層合板構造具有第1外裝板與第2外裝板對向配置且周緣部彼此沿周緣環狀連續接合而成之接合部。
- 如請求項4之熱反射板,其中上述層合板構造具有空腔,該空腔設置於上述第1外裝板及上述第2外裝板之相對向之面之間,且於上述第1外裝板側及上述第2外裝板側中之至少一側藉由上述周緣部彼此之接合部封閉而成, 於該空腔內配置有上述反射體。
- 如請求項5之熱反射板,其中至少於上述第1外裝板側具有上述空腔, 於上述第1外裝板之上述空腔內之表面上具有形成為上述反射體之薄膜, 該薄膜係積層膜,其自上述第1外裝板之上述空腔內之表面側依序具有基底膜、及作為包含上述反射面之表面層之反射膜, 上述基底膜包含Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co或Ni,或包含含有選自由Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co及Ni所組成之群中之至少1種之合金, 上述反射膜包含Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu,或包含含有選自由Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu所組成之群中之至少1種之合金, 上述基底膜與上述反射膜具有不同之組成。
- 如請求項5之熱反射板,其中上述第1外裝板係平板, 於上述第2外裝板側具有上述空腔, 於上述第1外裝板之表面上具有形成為上述反射體之薄膜, 該薄膜係積層膜,其自上述第1外裝板之表面側依序具有基底膜、及作為包含上述反射面之表面層之反射膜, 上述基底膜包含Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co或Ni,或包含含有選自由Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co及Ni所組成之群中之至少1種之合金, 上述反射膜包含Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu,或包含含有選自由Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu所組成之群中之至少1種之合金, 上述基底膜與上述反射膜具有不同之組成。
- 如請求項5之熱反射板,其中上述反射體係板或箔,且包含Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu,或包含含有選自由Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu所組成之群中之至少1種之合金。
- 如請求項5之熱反射板,其中上述空腔內之壓力成為未達大氣壓之減壓。
- 如請求項5之熱反射板,其中(1)上述第1外裝板具有設置於上述周緣部之堤部、及被該堤部包圍且構成上述空腔之凹部,上述第2外裝板係平板狀;或 (2)上述第1外裝板係平板狀,上述第2外裝板具有設置於上述周緣部之堤部、及被該堤部包圍且構成上述空腔之凹部。
- 如請求項5之熱反射板,其中上述熱反射板具有至少1個支柱部,該支柱部在上述空腔內豎立設置於上述層合板構造之對向面彼此之間。
- 如請求項11之熱反射板,其中上述支柱部係柱狀或筒狀。
- 如請求項12之熱反射板,其中上述熱反射板具有複數個上述支柱部, 該支柱部係筒狀,且各支柱部具有相互共有筒壁之一部分之三維空間填充構造。
- 如請求項13之熱反射板,其中上述三維空間填充構造係蜂窩構造、矩形格子構造、方形格子構造或菱形格子構造。
- 如請求項4之熱反射板,其中上述第1外裝板及上述第2外裝板之相對向之面相互為平坦面, 上述反射體係薄膜,其形成於上述第2外裝板側之上述第1外裝板之表面中上述周緣部彼此之環狀之接合部的內側區域, 該薄膜係積層膜,其自上述第1外裝板之表面側依序具有基底膜、作為包含上述反射面之表面層之反射膜, 上述基底膜包含Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co或Ni,或包含合金,該包含含有選自由Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co及Ni所組成之群中之至少1種之合金, 上述反射膜包含Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu,或包含含有選自由Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu所組成之群中之至少1種之合金, 上述基底膜與上述反射膜具有不同之組成。
- 如請求項5之熱反射板,其中至少於上述第1外裝板側具有上述空腔, 於上述第1外裝板之上述空腔內之表面上具有形成為上述反射體之薄膜, 該薄膜係包含Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之膜,或包含50質量%以上之Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之合金膜。
- 如請求項5之熱反射板,其中上述第1外裝板係平板, 於上述第2外裝板側具有上述空腔, 於上述第1外裝板之表面上具有形成為上述反射體之薄膜, 該薄膜係包含Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之膜,或包含50質量%以上之Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之合金膜。
- 如請求項4之熱反射板,其中上述第1外裝板及上述第2外裝板之相對向之面相互為平坦面, 上述反射體係薄膜,其形成於上述第2外裝板側之上述第1外裝板之表面中上述周緣部彼此之環狀之接合部的內側區域, 該薄膜係包含Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之膜,或包含50質量%以上之Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之合金膜。
- 如請求項5之熱反射板,其中於上述第1外裝板側及上述第2外裝板側具有上述空腔, 於上述第1外裝板之上述空腔內之表面上具有形成為上述反射體之薄膜, 該薄膜係包含Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之膜,或包含50質量%以上之Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf、Mo、Al、Mg、Co、Ni、Fe、Sn、Ge、Au、Ag或Cu之合金膜。
- 如請求項1之熱反射板,其中上述反射體之厚度為0.01 μm以上且5 mm以下。
- 如請求項4之熱反射板,其中上述周緣部彼此之接合部係表面活化接合部。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021200022A JP7477491B2 (ja) | 2021-12-09 | 2021-12-09 | 熱反射板 |
JP2021-200022 | 2021-12-09 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202329249A true TW202329249A (zh) | 2023-07-16 |
Family
ID=86730207
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW111146132A TW202329249A (zh) | 2021-12-09 | 2022-12-01 | 熱反射板 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7477491B2 (zh) |
TW (1) | TW202329249A (zh) |
WO (1) | WO2023106132A1 (zh) |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3423131B2 (ja) * | 1995-11-20 | 2003-07-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び処理装置 |
JP4185194B2 (ja) | 1997-07-31 | 2008-11-26 | コバレントマテリアル株式会社 | カーボンヒータ |
JPH1197448A (ja) * | 1997-09-18 | 1999-04-09 | Kemitoronikusu:Kk | 熱処理装置とこれを用いた半導体結晶の熱処理法 |
JPH11340157A (ja) * | 1998-05-29 | 1999-12-10 | Sony Corp | 光照射熱処理装置および光照射熱処理方法 |
JP3467565B2 (ja) * | 1998-11-16 | 2003-11-17 | 坂口電熱株式会社 | 熱放射リフレクターを有する加熱炉 |
JP2001102319A (ja) | 1999-09-29 | 2001-04-13 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 熱処理装置 |
JP2002100462A (ja) | 2000-09-25 | 2002-04-05 | Ibiden Co Ltd | ホットプレート |
JP2010212160A (ja) | 2009-03-11 | 2010-09-24 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | ヒータ用反射板 |
-
2021
- 2021-12-09 JP JP2021200022A patent/JP7477491B2/ja active Active
-
2022
- 2022-11-25 WO PCT/JP2022/043587 patent/WO2023106132A1/ja unknown
- 2022-12-01 TW TW111146132A patent/TW202329249A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2023106132A1 (ja) | 2023-06-15 |
JP2023085792A (ja) | 2023-06-21 |
JP7477491B2 (ja) | 2024-05-01 |
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