CN116457920A - 氧化硅热反射板 - Google Patents

Abstract

本发明的目的在于提供一种具有高反射率，能够抑制对炉内的污染，且寿命较长的氧化硅热反射板。本发明的氧化硅热反射板是具有氧化硅板1及反射体5的氧化硅热反射板100，该反射体5配置在氧化硅板1的内部，外周围由氧化硅板1完全覆盖，且将入射到氧化硅板1的一表面的红外线反射；且反射体5为薄膜、板或箔，反射体5的至少包含反射面的表面层含有Ir、Pt、Rh、Ru、Re或Hf，或包含含有选自Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf及Mo中的至少任一种的合金。

Description

氧化硅热反射板

技术领域

本发明例如涉及一种氧化硅热反射板，该氧化硅热反射板在半导体电子零件领域中，能够用作在高温下对晶圆、衬底等进行热处理的各种热处理装置的热反射板，由于具有高反射率，所以能够实现热处理装置的节能化，且能够抑制污染。

背景技术

在半导体晶圆的制造或处理步骤中，为了对半导体晶圆赋予各种性质而进行热处理作业。例如将半导体晶圆收纳在高纯度石英制的炉芯管中，控制炉芯管内的气体氛围而进行热处理作业。在该热处理步骤所使用的热处理装置中，为了维持炉内的高温及防止向炉床部的散热，在炉内与炉床之间以堵住炉开口部的方式设有保温体(盖体)。

作为这种保温体，存在具有石英板的保温体，该石英板将热处理室的开口部封堵并相互分离地积层，且露出到热处理室，这种保温体具有如下特征：石英板表面平滑且无气泡，在石英板内部形成着金薄膜，金薄膜是通过金蒸镀而形成的(例如参照专利文献1)。

另外，公开了如下技术：在具有供石英管贯穿中心的孔及供石英棒贯穿的孔的石英板之上，通过丝网印刷来涂布将有机物添加到铂(Pt)与氧化物(SiO或PbO等)的混合物中并制成糊状所得的糊状物，将该糊状物烘烤硬化，由此形成包含电阻发热体的例如厚度5～10微米的反射面(例如参照专利文献2)。

也公开了如下技术，立式热处理炉的隔热构造体包含多根支柱、及沿上下方向以指定间隔设置在这些支柱的多片具有反射性的隔热板(例如参照专利文献3)。根据专利文献3，隔热板由反射膜、及被覆该反射膜的表面的透明石英层形成。作为形成该隔热板的一方法，有以下方法：使用形成透明石英层的圆形的一对透明石英板，在其中一透明石英板的单侧的面上设置反射膜，将该反射膜夹入所述一透明石英板与另一透明石英板之间，将两透明石英板的周缘部熔接而使它们密封及一体化。

背景技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2001-102319号公报

专利文献2：日本专利特开平9-148315号公报

专利文献3：日本专利特开平11-97360号公报

专利文献4：日本专利特开2019-217530号公报

专利文献5：日本专利4172806号公报

专利文献6：日本专利6032667号公报

发明内容

[发明要解决的问题]

专利文献1中使用金薄膜作为反射膜，但金的熔点为1064℃，在1500℃以上的热处理时，存在膜熔融、或者膜卷起或缩小的问题，实际使用时耐热性存在问题。

专利文献2中，由于要用作反射板兼加热器，所以在中央利用石英管来设置加热器导通部位，但会因该构造而产生一部分辐射热无法被完全阻断的部位。为了更高的节能化，必须获得较大的反射面积率，且使反射板更薄，使热容较小。

专利文献3中，采用了夹入在石英板之间并进行熔接的方法，但由于受到热的影响，所以在用薄膜实施该方法时会产生膜剥离的问题。进而，难以将内部保持为真空，无法避免因高温使用时的内压上升而导致薄膜破损的风险。另外，即使在浇铸透明石英来制作隔热板的方法中，对金属薄膜实施该方法时，也无法避免热性损坏、及物理性损坏。

本发明的目的在于提供一种氧化硅热反射板，其相比以往方法能够确保更多的反射面积率，且热容小，能够实现节能化，具有高反射率，能够抑制炉内的污染，寿命较长。

[解决问题的技术手段]

本发明者等人经过努力研究后发现，通过将以含有Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf或Mo的表面层作为反射面的反射体配置在氧化硅板的内部，能够解决所述问题，从而完成了本发明。即，本发明的氧化硅热反射板的特征在于具有：氧化硅板；及反射体，配置在该氧化硅板的内部，外周围由该氧化硅板完全覆盖，且将入射到该氧化硅板的一表面的红外线反射；且所述反射体为薄膜、板或箔，所述反射体的至少包含反射面的表面层含有Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf或Mo，或包含含有选自Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf及Mo中的至少任一种的合金。

本发明的氧化硅热反射板中，优选所述氧化硅板具有层合板构造，即，第1氧化硅板与第2氧化硅板对向配置，且周缘部彼此沿着周缘呈环状连续地接合。由于能使氧化硅板及反射体变薄，所以能使热容较小。

本发明的氧化硅热反射板中，优选所述层合板构造具有空腔，该空腔设置在所述第1氧化硅板与所述第2氧化硅板的相向的面之间，且在所述第1氧化硅板侧及所述第2氧化硅板侧的至少一侧通过所述周缘部彼此的接合部而密闭；且在该空腔内配置着所述反射体。由于反射体处于作为密闭空间的空腔内，所以由反射体引起的剥离的方向的应力不易施加到周缘部彼此的接合部，能够抑制由反射体破损所致的炉内的污染。进而能够避免由氧化硅板与反射体的热膨胀差所致的破损。

本发明的氧化硅热反射板中，优选至少在所述第1氧化硅板侧具有所述空腔，在所述第1氧化硅板的所述空腔内的表面上具有作为所述反射体而形成的薄膜，该薄膜为积层膜，该积层膜从所述第1氧化硅板的所述空腔内的表面侧起依序具有基底膜、及作为包含所述反射面的表面层的反射膜，所述基底膜含有Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co或Ni，或包含含有选自Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co及Ni中的至少任一种的合金，所述反射膜含有Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf或Mo，或包含含有选自Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf及Mo中的至少任一种的合金，所述基底膜与所述反射膜具有不同的组成。由于在第1氧化硅板的空腔内的表面上形成着反射体，所以由反射体引起的剥离的方向的应力不易施加到周缘部彼此的接合部，能够抑制由反射体破损所致的炉内的污染。进而能够避免由氧化硅板与反射体的热膨胀差所致的破损。

本发明的氧化硅热反射板中，优选所述第1氧化硅板为平板，在所述第2氧化硅板侧具有所述空腔，在所述第1氧化硅板的表面上具有作为所述反射体而形成的薄膜，该薄膜为积层膜，该积层膜从所述第1氧化硅板的表面侧起依序具有基底膜、及作为包含所述反射面的表面层的反射膜，所述基底膜含有Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co或Ni，或包含含有选自Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co及Ni中的至少任一种的合金，所述反射膜含有Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf或Mo，或包含含有选自Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf及Mo中的至少任一种的合金，所述基底膜与所述反射膜具有不同的组成。由于在为平板的第1氧化硅板上形成作为反射体的薄膜，所以能够制成生产性优异的氧化硅热反射板。

本发明的氧化硅热反射板中，优选所述反射体为板或箔，且含有Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf或Mo，或包含含有选自Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf及Mo中的至少任一种的合金。本发明的氧化硅热反射板成为在空腔内收容有作为反射体的板或箔的状态，不易发生板或箔的腐蚀。进而，由板或箔引起的剥离的方向的应力不易施加到周缘部彼此的接合部。

本发明的氧化硅热反射板中，优选所述空腔内的压力减小为小于大气压。能够在热处理时抑制空腔的内压升高，能够进一步抑制炉内的污染。

本发明的氧化硅热反射板中，优选(1)所述第1氧化硅板具有设置在所述周缘部的堤部、及由该堤部包围而构成所述空腔的凹部，所述第2氧化硅板为平板状，或(2)所述第1氧化硅板为平板状，所述第2氧化硅板具有设置在所述周缘部的堤部、及由该堤部包围而构成所述空腔的凹部。通过在第1氧化硅板设置凹部，能以简单的构造在氧化硅板内设置空腔。或者，通过在第2氧化硅板设置凹部，能以简单的构造在氧化硅板内设置空腔。

本发明的氧化硅热反射板中，优选所述氧化硅热反射板具有至少1根支柱部，该支柱部在所述空腔内竖立设置在所述层合板构造的对向的面彼此之间。能够利用支柱部来提高层合板构造的接合强度。

本发明的氧化硅热反射板中，所述支柱部包含柱状或筒状的形态。通过设为柱状或筒状，能够提高接合强度，且获得较宽的反射体的面积。

本发明的氧化硅热反射板中，优选所述氧化硅热反射板具有多根所述支柱部，该支柱部为筒状，且各支柱部具有相互共有一部分筒壁的三维空间填充构造。通过设为三维空间填充构造，能够提高接合强度，且能够获得较宽的反射体的面积，进而能够提高反射板自身的强度。

本发明的氧化硅热反射板中，优选所述三维空间填充构造包含蜂巢构造、矩形格子构造、方形格子构造或菱形格子构造的形态。

本发明的氧化硅热反射板中，优选所述第1氧化硅板与所述第2氧化硅板的相向的面彼此均为平坦面，所述反射体为薄膜，形成在所述第2氧化硅板侧的所述第1氧化硅板的表面中的、所述周缘部彼此的环状接合部的内侧区域，该薄膜为积层膜，该积层膜从所述第1氧化硅板的表面侧起依序具有基底膜、及作为包含所述反射面的表面层的反射膜，所述基底膜含有Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co或Ni，或包含含有选自Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co及Ni中的至少任一种的合金，所述反射膜含有Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf或Mo，或包含含有选自Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf及Mo中的至少任一种的合金，所述基底膜与所述反射膜具有不同的组成。能够进一步抑制因反射体与第2氧化硅板的局部接触而产生的干扰条纹。

本发明的氧化硅热反射板中，优选至少在所述第1氧化硅板侧具有所述空腔，在所述第1氧化硅板的所述空腔内的表面上具有作为所述反射体而形成的薄膜，该薄膜为Mo膜或含有50质量％以上的Mo的合金膜。在为Mo膜或含有50质量％以上的Mo的合金膜时，作为反射体而形成的薄膜也可以是单层膜。

本发明的氧化硅热反射板中，优选所述第1氧化硅板为平板，在所述第2氧化硅板侧具有所述空腔，在所述第1氧化硅板的表面上具有作为所述反射体而形成的薄膜，该薄膜为Mo膜或含有50质量％以上的Mo的合金膜。在为Mo膜或含有50质量％以上的Mo的合金膜时，作为反射体而形成的薄膜也可以是单层膜。

本发明的氧化硅热反射板中，优选所述第1氧化硅板与所述第2氧化硅板的相向的面彼此均为平坦面，所述反射体为薄膜，形成在所述第2氧化硅板侧的所述第1氧化硅板的表面中的、所述周缘部彼此的环状接合部的内侧区域，该薄膜为Mo膜或含有50质量％以上的Mo的合金膜。在为Mo膜或含有50质量％以上的Mo的合金膜时，作为反射体而形成的薄膜也可以是单层膜。

本发明的氧化硅热反射板中，优选在所述第1氧化硅板侧及所述第2氧化硅板侧具有所述空腔，在所述第1氧化硅板的所述空腔内的表面上具有作为所述反射体而形成的薄膜，该薄膜为Mo膜或含有50质量％以上的Mo的合金膜。在为Mo膜或含有50质量％以上的Mo的合金膜时，作为反射体而形成的薄膜也可以是单层膜。

本发明的氧化硅热反射板中，优选所述反射体的厚度为0.01μm以上5mm以下。能够保持反射体对辐射热的反射效率，能够减小氧化硅热反射板的热容。

本发明的氧化硅热反射板中，优选所述周缘部彼此的接合部是表面活化接合部。通过相比通常的熔接方法使接合宽度变短，能够进一步使辐射热向炉内反射。另外，作为反射体的薄膜不易受到接合处理所致的热性损坏及物理性损坏。另外，接合部的接合强度提高，氧化硅热反射板的寿命变得更长，且耐腐蚀性提升，炉内的污染得到抑制。

[发明的效果]

根据本发明，能够提供一种氧化硅热反射板，其相比以往方法能够确保更多的反射面积率，且热容小，能够实现节能化，能够抑制炉内的污染，寿命较长。

附图说明

图1是表示本实施方式的氧化硅热反射板的一例的俯视概略图。

图2是表示A-A截面的第1例的概略图。

图3是表示A-A截面的第2例的概略图。

图4是表示A-A截面的第3例的概略图。

图5是表示A-A截面的第4例的概略图。

图6是表示A-A截面的第5例的概略图。

图7是表示A-A截面的第6例的概略图。

图8是表示A-A截面的第7例的概略图。

图9是表示支柱部具有蜂巢构造的形态的例的图。

图10是表示A-A截面的第8例的概略图。

图11是表示A-A截面的第9例的概略图。

图12是表示A-A截面的第10例的概略图。

图13是表示A-A截面的第11例的概略图。

图14是表示A-A截面的第12例的概略图。

图15是表示A-A截面的第13例的概略图。

图16是表示实施例1的反射体的反射率的曲线图。

图17是表示1000℃下的物质辐射的黑体辐射的波长与辐射量的关系的曲线图。

图18是表示实施例5的反射体的反射率的曲线图。

图19是表示实施例6的反射体的反射率的曲线图。

图20是表示A-A截面的第14例的概略图。

具体实施方式

以下，示出实施方式来详细说明本发明，但本发明不应限定于这些记载来解释。只要发挥本发明的效果，则实施方式也可作各种变化。

(反射体为薄膜的形态)

参照图1及图2，对本实施方式的氧化硅热反射板进行说明。本实施方式的氧化硅热反射板100具有：氧化硅板1；及反射体5，配置在氧化硅板1的内部，外周围由氧化硅板1完全覆盖，且将入射到氧化硅板1的一表面的红外线反射。图1中，朝向纸面的方向为红外线的入射方向。图2中，从上朝下的方向为红外线的入射方向。反射体5为薄膜，反射体5的至少包含反射面的表面层含有Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf或Mo，或包含含有选自Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf及Mo中的至少任一种的合金。图2中，示出反射体5为积层膜的形态，在基底膜3之上形成着作为包含反射面的表面层的反射膜4。此时，反射体5优选不设置贯通孔或凹凸等，该反射体的周缘所包围的整个面为反射面。

在氧化硅热反射板100中，优选氧化硅板1具有层合板构造，即，第1氧化硅板1a与第2氧化硅板1b对向配置，周缘部彼此沿着周缘呈环状连续地接合。图2中，第1氧化硅板1a与第2氧化硅板1b通过周缘部彼此的接合部2而形成层合板构造。如图1所示，周缘部彼此的接合部2沿着氧化硅板1的周缘呈环状连续。图1中，透过第2氧化硅板1b观察时，能将周缘部彼此的接合部2视作第1氧化硅板1a与第2氧化硅板1b的交界部，且图示为灰色区域。通过设为层合板构造，能使氧化硅板变薄，因此能使热容较小。

在正面观察反射体5时的氧化硅板1的形状例如为圆形、椭圆形、长方形或正方形，优选圆形。另外，在正面观察反射体5时的氧化硅板1的外侧板面优选不设置贯通孔或凹凸等，而为平坦面。圆形的直径例如为5～50cm。周缘部彼此的接合部2的环状形状的宽度例如为0.5～20mm。氧化硅板1的壁厚优选0.1～20mm，更优选0.2～10mm。第1氧化硅板1a的壁厚优选0.05～10mm，更优选0.5～1.5mm。第2氧化硅板1b的壁厚优选0.05～10mm，更优选0.5～1.5mm。

氧化硅板1包含为晶质氧化硅板或非晶质氧化硅板的形态。氧化硅板1的杂质浓度为100ppm以下，优选90ppm以下。

在氧化硅热反射板100中，优选层合板构造具有空腔12，该空腔12设置在第1氧化硅板1a与第2氧化硅板1b的相向的面之间，且在第1氧化硅板1a侧及第2氧化硅板1b侧的至少一侧通过周缘部彼此的接合部2而密闭；且在空腔12内配置着反射体5。空腔12有如下形态：设置在第1氧化硅板1a侧；设置在第1氧化硅板1a侧及第2氧化硅板1b侧这两侧；及设置在第2氧化硅板1b侧。图2中表示将空腔12设置在第1氧化硅板1a侧的形态。该形态中，在第1氧化硅板1a的一表面设有凹部，第2氧化硅板1b为无凹部的平板，制成第1氧化硅板1a与第2氧化硅板1b的层合板构造，因此空腔12设置在第1氧化硅板1a侧。结果，空腔12仅设置在第1氧化硅板1a与第2氧化硅板1b的相向的面的第1氧化硅板1a侧，且通过周缘部彼此的接合部2而密闭。由于反射体5处于作为密闭空间的空腔12内，所以由反射体引起的剥离的方向的应力不易施加到周缘部彼此的接合部，能够抑制由反射体破损所致的炉内的污染。进而能够避免由氧化硅板与反射体的热膨胀差所致的破损。

图3中表示空腔12跨及第1氧化硅板1a侧及第2氧化硅板1b侧这两侧而设置的形态。该形态中，在第1氧化硅板1a的一表面设有凹部，在第2氧化硅板1b的一表面设有凹部，以凹部彼此拼合的方式，制成第1氧化硅板1a与第2氧化硅板1b的层合板构造。结果，空腔12设置在第1氧化硅板1a与第2氧化硅板1b的相向的面的第1氧化硅板1a侧及第2氧化硅板1b侧这两侧。

图4中表示空腔12设置在第2氧化硅板1b侧的形态。该形态中，第1氧化硅板1a为无凹部的平板，在第2氧化硅板1b的一表面设有凹部，制成第1氧化硅板1a与第2氧化硅板1b的层合板构造，因此空腔12设置在第2氧化硅板1b侧。结果，空腔12仅设置在第1氧化硅板1a与第2氧化硅板1b的相向的面的第2氧化硅板1b侧。

空腔12的高度(图2中为上下方向的长度)优选0.1μm～5mm，更优选0.1μm～1mm。空腔12有以下三种态样：仅在第1氧化硅板1a侧设置凹部的形态；在第1氧化硅板1a侧及第2氧化硅板1b侧这两侧设置凹部的形态；及仅在第2氧化硅板1b侧设置凹部的形态；但不管哪种形态，都是利用凹部在第1氧化硅板1a的周缘部及/或第2氧化硅板1b的周缘部形成堤部11。图2的形态中，形成在第1氧化硅板1a的堤部11的顶面与相向地配置的第2氧化硅板1b的平板部分接合，形成周缘部彼此的接合部2。图3的形态中，第1氧化硅板1a与第2氧化硅板1b的堤部11的顶面彼此接合，形成周缘部彼此的接合部2。另外，图4的形态中，形成在第2氧化硅板1b的堤部11的顶面与相向地配置的第1氧化硅板1a的平板部分接合，形成周缘部彼此的接合部2。凹部可利用例如蚀刻法等形成。

本实施方式的氧化硅热反射板100中，优选如图2所示，第1氧化硅板1a具有设置在周缘部的堤部11、及由堤部11包围而构成空腔12的凹部，第2氧化硅板1b为平板状。通过仅在第1氧化硅板1a设置凹部，能以简单的构造在氧化硅板内设置空腔12。具有这种形态的氧化硅热反射板除图2所例示者以外，还存在图5、图8、图12或图15所例示的氧化硅热反射板103、106、109、112。

本实施方式的氧化硅热反射板102中，优选如图4所示，第1氧化硅板1a为平板状，第2氧化硅板1b具有设置在周缘部的堤部11、及由堤部11包围而构成空腔12的凹部。通过仅在第2氧化硅板1b设置凹部，能以简单的构造在氧化硅板内设置空腔12。具有这种形态的氧化硅热反射板除图4所例示者以外，还存在图7、图11或图14所例示的氧化硅热反射板105、108、111。

如图2或图3所示，本实施方式的氧化硅热反射板100、101中，优选至少在第1氧化硅板1a侧具有空腔12，在第1氧化硅板1a的空腔12内的表面上具有作为反射体5而形成的薄膜，薄膜为积层膜，从第1氧化硅板1a的空腔12内的表面侧起依序具有基底膜3、及作为包含反射面的表面层的反射膜4，基底膜3含有Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co或Ni，或包含含有选自Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co及Ni中的至少任一种的合金，反射膜4含有Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf或Mo，或包含含有选自Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf及Mo中的至少任一种的合金，基底膜3与反射膜4具有不同的组成。由于在第1氧化硅板的空腔内的表面上形成着反射体，所以由反射体引起的剥离的方向的应力不易施加到周缘部彼此的接合部，能够抑制由反射体破损所致的炉内的污染。进而能够避免由氧化硅板与反射体的热膨胀差所致的破损。在反射体5为薄膜，且薄膜为积层膜的情况下，反射体5的至少包含反射面的表面层对应于反射膜4。作为积层膜的反射体5形成在第1氧化硅板1a的空腔12内的表面、即凹部的底面。作为积层膜的反射体5优选相对于凹部底面的总面积以50～100％的面积形成，更优选以80～100％的面积形成。反射体5的膜厚优选10～1500nm，更优选20～400nm。

基底膜3优选含有Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co或Ni，或包含含有选自Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co及Ni中的至少任一种的合金。这种金属或合金的熔点较高，且与氧化硅板的密接性优异。基底膜3优选例如溅镀膜、涂布膜、及通过CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)、蒸镀等获得的薄膜。作为含有选自Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co及Ni中的至少任一种的合金，优选以最大质量含有这些元素中的任一种的合金，更优选含有50质量％以上的Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co或Ni的合金，进而优选含有60质量％以上的Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co或Ni的合金，最优选含有70质量％以上的Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co或Ni的合金，例如为Ta-Mo系合金、Ta-Cr系合金或Cr-Co系合金。基底膜3的膜厚优选5～500nm，更优选10～100nm。基底膜3提高了反射膜4的密接性。

反射膜4优选沉积在基底膜3的表面。反射膜4优选含有Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf或Mo，或包含含有选自Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf及Mo中的至少任一种的合金。这种金属或合金的熔点较高，且红外线的反射率较高。另外，与基底膜的反应性较低。反射膜4优选例如溅镀膜、涂布膜、及通过CVD、蒸镀等获得的薄膜。作为含有选自Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf及Mo中的至少任一种的合金，优选以最大质量含有这些元素中的任一种的合金，更优选含有50质量％以上的Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf或Mo的合金，进而优选含有60质量％以上的Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf或Mo的合金，最优选含有70质量％以上的Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf或Mo的合金，例如为Ir-Pt系合金、Ir-Rh系合金或Pt-Ru系合金。反射膜4的膜厚优选5～1000nm，更优选10～300nm。

作为制成积层膜时的基底膜3与反射膜4的优选组合，基底膜3/反射膜4为Ta膜/Ir膜、Mo膜/Ir膜等。积层膜的膜厚优选10～1500nm，更优选20～400nm。

如图5或图6所示，也可以是反射体5的厚度与空腔12的高度相等，即，反射膜4与第2氧化硅板1b的表面接触的形态。因反射膜4与第2氧化硅板局部接触而产生的干扰条纹得以减少。基底膜3优选沉积在第1氧化硅板1a的空腔12内的表面(凹部的底面)，反射膜4优选沉积在基底膜3的表面。反射膜4优选与第2氧化硅板1b的表面接触，但不形成在第2氧化硅板1b的表面，即不沉积在第2氧化硅板1b的表面。

如图4所示，本实施方式的氧化硅热反射板102中，优选第1氧化硅板1a为平板，在第2氧化硅板1b侧具有空腔12，在第1氧化硅板1a的表面上具有作为反射体5而形成的薄膜，薄膜为积层膜，从第1氧化硅板1a的表面侧起依序具有基底膜3、及作为包含反射面的表面层的反射膜4，基底膜3含有Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co或Ni，或包含含有选自Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co及Ni中的至少任一种的合金，反射膜4含有Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf或Mo，或包含含有选自Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf及Mo中的至少任一种的合金。图4所示的形态与图2或图3所示的形态的不同点在于，第1氧化硅板1a为平板，在第2氧化硅板1b侧具有空腔12，除此以外的方面相同。由于在为平板的第1氧化硅板1a形成作为反射体的薄膜，所以能够制成生产性优异的氧化硅热反射板。

如图7所示，也可以是反射体5的厚度与空腔12的高度相等，即，反射膜4与第2氧化硅板1b的表面(凹部的底面)接触的形态。因反射膜4与第2氧化硅板局部接触而产生的干扰条纹得以减少。基底膜3优选沉积在第1氧化硅板1a的表面，反射膜4优选沉积在基底膜3的表面。图7所示的形态与图5或图6所示的形态的不同点在于，第1氧化硅板1a为平板，在第2氧化硅板1b侧具有空腔12，除此以外的方面相同。由于在为平板的第1氧化硅板1a形成作为反射体的薄膜，所以能够制成生产性优异的氧化硅热反射板。

如图8、图10～图14所示，本实施方式的氧化硅热反射板106～111优选具有至少1根支柱部6，该支柱部6在空腔12内竖立设置在层合板构造的对向的面彼此之间。能够利用支柱部6来提高层合板构造的接合强度。作为支柱部6，例如有如图8或图12所示，从第1氧化硅板1a的凹部的底面延伸，支柱部6的顶面与平板状的第2氧化硅板1b的表面接合的形态。由于设为支柱部6仅从第1氧化硅板1a的凹部的底面延伸的形态，因此例如通过仅对第1氧化硅板1a利用蚀刻来形成凹部，而形成堤部11，此时，可通过如下方式形成凹部，即，使堤部11为非蚀刻部位，同样使支柱部6为非蚀刻部位。另外，作为支柱部6，例如有如图10或图13所示，从第1氧化硅板1a的凹部的底面延伸，且从第2氧化硅板1b的凹部的底面延伸，且支柱部6的顶面彼此接合的形态。由于设为支柱部6从第1氧化硅板1a的凹部的底面及第2氧化硅板1b的凹部的底面这两者延伸的形态，因此例如通过对第1氧化硅板1a及第2氧化硅板1b利用蚀刻来形成凹部，而形成堤部11，此时，可通过如下方式形成凹部，即，使堤部11为非蚀刻部位，同样使支柱部6为非蚀刻部位。进而，作为支柱部6，例如有如图11或图14所示，从第2氧化硅板1b的凹部的底面延伸，且支柱部6的顶面与平板状的第1氧化硅板1a的表面接合的形态。由于设为支柱部6仅从第2氧化硅板1b的凹部的底面延伸的形态，因此例如通过仅对第2氧化硅板1b利用蚀刻来形成凹部，而形成堤部11，此时，能够通过使支柱部6为非蚀刻部位而形成凹部。图中，利用接合部7表示支柱部6与第1氧化硅板1a或第2氧化硅板1b的接合部、或支柱部6彼此的接合部。

图8、图10～图14所示的氧化硅热反射板106～111中的反射体5与图2～图7所示的氧化硅热反射板100～105中的反射体5相同。此时，在支柱部6的外侧形成的反射体5优选不设置贯通孔或凹凸等，位于支柱部6的外侧的该反射体的内周及该反射体的周缘所包围的整个面为反射面。

接着，对支柱部6的形状进行说明。本实施方式的氧化硅热反射板106～111中，包含支柱部6为柱状或筒状的形态。支柱部6的主轴的横截面的形状优选圆形、椭圆形或三角形以上的多边形。就三角形以上的多边形来说，优选正方形或正六边形。更优选，如图9所示，氧化硅热反射板具有多个支柱部6，支柱部6为筒状，且各支柱部6具有相互共有一部分筒壁的三维空间填充构造。通过设为三维空间填充构造，能够提高接合强度，且能够获得较宽的反射体的面积，进而能够提高反射板自身的强度。三维空间填充构造包含为蜂巢构造、矩形格子构造、方形格子构造或菱形格子构造的形态。图9中，图示了具有蜂巢构造的支柱部的氧化硅热反射板100。蜂巢构造是将六角形柱体无间隙地排列而成的构造，优选将正六角形柱体无间隙地排列而成的构造。矩形格子构造是将截面为长方形的角形柱体无间隙地排列而成的构造。方形格子构造是将截面为正方形的角形柱体无间隙地排列而成的构造。菱形格子构造是将截面为菱形的角形柱体无间隙地排列而成的构造。这处，在三维空间填充构造的支柱部6的筒状的内侧形成反射体5时，优选在形成后的反射体5未设置贯通孔或凹凸等，位于支柱部6的筒状的内侧的该反射体的周缘所包围的整个面为反射面。

本实施方式的氧化硅热反射板中，优选如图20所示，第1氧化硅板1a与第2氧化硅板1b的相向的面彼此均为平坦面，反射体5为薄膜，形成在第2氧化硅板1b侧的第1氧化硅板1a的表面中、周缘部彼此的环状接合部2的内侧的区域，薄膜为积层膜，从第1氧化硅板1a的表面侧起依序具有基底膜、及作为包含反射面的表面层的反射膜，基底膜含有Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co或Ni，或包含含有选自Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co及Ni中的至少任一种的合金，反射膜含有Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf或Mo，或包含含有选自Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf及Mo中的至少任一种的合金，基底膜与反射膜具有不同的组成。再者，图20中，省略了反射体5为积层膜的形态的图示。基底膜优选沉积在第1氧化硅板的表面，反射膜优选沉积在基底膜的表面。反射膜优选与第2氧化硅板的表面接触，但不形成在第2氧化硅板的表面，即不沉积在第2氧化硅板的表面。通过设为这种构造，能够制成生产性优异的氧化硅热反射板。另外，通过使反射体进一步与第2氧化硅板密接，能够进一步抑制干扰条纹。积层膜的膜厚优选10～500nm。通过使积层膜的膜厚变小，即使未设置空腔12，也能够通过第1氧化硅板及第2氧化硅板的应力变形来设置周缘部彼此的环状接合部，可利用氧化硅板完全覆盖积层膜的外周围。反射体5选定金属或合金的理由与图2～图7所示的氧化硅热反射板100～105相同。

(作为反射体而形成的薄膜为Mo膜或含有Mo的合金膜的形态1)

本实施方式的氧化硅热反射板中，优选至少在第1氧化硅板侧具有空腔，在第1氧化硅板的空腔内的表面上具有作为反射体而形成的薄膜，薄膜为Mo膜或含有50质量％以上的Mo的合金膜。在为Mo膜或含有50质量％以上的Mo的合金膜时，作为反射体而形成的薄膜也可以是单层膜。本实施方式的氧化硅热反射板在图2、图5、图8或图12中，具有将作为积层膜的反射体5置换为Mo膜或含有50质量％以上的Mo的合金膜所得的构造。另外，也可以是像图3、图6、图10或图13的氧化硅板1那样，空腔12跨及第1氧化硅板1a侧及第2氧化硅板1b侧这两侧而设置的形态。该形态中，在第1氧化硅板1a的一表面设有凹部，在第2氧化硅板1b的一表面设有凹部，以凹部彼此拼合的方式，制成第1氧化硅板1a与第2氧化硅板1b的层合板构造。结果，空腔12设置在第1氧化硅板1a与第2氧化硅板1b的相向的面的第1氧化硅板1a侧及第2氧化硅板1b侧这两侧。再者，本实施方式的氧化硅热反射板的红外线的入射方向可为从上朝下的方向或从下朝上的方向的任一者。

(作为反射体而形成的薄膜为Mo膜或含有Mo的合金膜的形态2)

本实施方式的氧化硅热反射板中，优选第1氧化硅板为平板，在第2氧化硅板侧具有空腔，在第1氧化硅板的表面上具有作为反射体而形成的薄膜，薄膜为Mo膜或含有50质量％以上的Mo的合金膜。在为Mo膜或含有50质量％以上的Mo的合金膜时，作为反射体而形成的薄膜也可以是单层膜。本实施方式的氧化硅热反射板在图4、图7、图11或图14中，具有将作为积层膜的反射体5置换为Mo膜或含有50质量％以上的Mo的合金膜所得的构造。再者，本实施方式的氧化硅热反射板的红外线的入射方向也可以是从上朝下的方向或从下朝上的方向的任一者。

(作为反射体而形成的薄膜为Mo膜或含有Mo的合金膜的形态3)

本实施方式的氧化硅热反射板中，优选第1氧化硅板及第2氧化硅板的相向的面彼此均为平坦面，反射体为薄膜，形成在第2氧化硅板侧的第1氧化硅板的表面中、周缘部彼此的环状接合部的内侧的区域，薄膜为Mo膜或含有50质量％以上的Mo的合金膜。在为Mo膜或含有50质量％以上的Mo的合金膜时，作为反射体而形成的薄膜也可以是单层膜。本实施方式的氧化硅热反射板在图20中具有将反射体5置换为Mo膜或含有50质量％以上的Mo的合金膜所得的构造。再者，本实施方式的氧化硅热反射板的红外线的入射方向也可以是从上朝下的方向或从下朝上的方向的任一者。

(作为反射体而形成的薄膜为Mo膜或含有Mo的合金膜的形态4)

本实施方式的氧化硅热反射板中，优选在第1氧化硅板侧及第2氧化硅板侧具有空腔，在第1氧化硅板的空腔内的表面上具有作为反射体而形成的薄膜，薄膜为Mo膜或含有50质量％以上的Mo的合金膜。在为Mo膜或含有50质量％以上的Mo的合金膜时，作为反射体而形成的薄膜也可以是单层膜。本实施方式的氧化硅热反射板在图3、图6、图10或图13中，具有将作为积层膜的反射体5置换为Mo膜或含有50质量％以上的Mo的合金膜所得的构造。再者，本实施方式的氧化硅热反射板的红外线的入射方向也可以是从上朝下的方向或从下朝上的方向的任一者。

在形态1～4中，含有Mo的合金膜的Mo的含有率优选50质量％以上，更优选60质量％以上，进而优选70质量％以上。Mo膜或含有50质量％以上的Mo的合金膜优选以与作为积层膜的反射体5相同的膜厚形成，另外，形成在凹部的底面的薄膜的面积比率优选以与作为积层膜的反射体5相同的范围形成。

本实施方式的氧化硅热反射板中，优选周缘部彼此的接合部2是表面活化接合部。进而，包含支柱部6的接合部7优选表面活化接合部。由于可在相对较低的温度下接合，所以可不对反射膜造成热性损坏及物理性损坏地接合，另外，通过将内部保持为真空来实施接合，接合部的接合强度提高，氧化硅热反射板的寿命变得更长，且耐腐蚀性提升，炉内的污染得到抑制。所谓表面活化接合部是指通过以下操作，以原子级使表面组织一体化而接合所得的部位，所述操作是指在使相接合的部位的至少一者成为表面活化状态后，对接合部位彼此施加按压而使它们接合。更优选在使相接合的部位两者均为表面活化状态后，对接合部位彼此施加按压而使它们接合。也可以是在氧化硅板彼此的接合中，制成硅皮膜后，使表面为活化状态，然后，对接合部位彼此施加按压而使它们接合。表面活化接合部包括常温活化接合部及等离子体活化接合部。常温活化接合部例如包括：利用高速原子束来使表面活化而接合的接合部、利用Si等活性金属形成纳米密接层来使表面活化而接合的接合部、及利用离子束来使表面活化而接合的接合部。等离子体活化接合部例如包括：利用氧等离子体使表面活化而接合的接合部、及利用氮等离子体使表面活化而接合的接合部。通过使周缘部彼此的接合部2为表面活化接合部，能够减少接合部处的泄漏，例如能够通过将空腔内保持为真空而防止由高温时的内压上升引起的氧化硅板的破损。关于形成表面活化接合部的方法，例如可参照专利文献4～6。

本实施方式的氧化硅热反射板中，优选空腔12内的压力减小为小于大气压。空腔12内的压力更优选10^-2Pa以下。能够在热处理时抑制空腔12的内压升高，能够进一步抑制炉内的污染。另外，能够抑制高温时的反射膜的劣化。

(反射体为板的形态)

本实施方式的氧化硅热反射板112中，优选如图15所示，反射体8为板，且含有Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf或Mo，或包含含有选自Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf及Mo中的至少任一种的合金。作为含有选自Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf及Mo中的至少任一种的合金，优选以最大质量含有这些元素中的任一种的合金，更优选含有50质量％以上的Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf或Mo的合金，进而优选含有60质量％以上的Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf或Mo的合金，最优选含有70质量％以上的Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf或Mo的合金，例如为Ir-Pt系合金、Ir-Rh系合金或Pt-Ru系合金。成为在空腔12内收容有作为反射体的板的状态，板不易发生腐蚀。进而，由板引起的剥离的方向的应力不易施加到周缘部彼此的接合部。作为板的反射体8优选相对于凹部的底面的总面积以50～100％的面积形成，更优选以80～100％的面积形成。

(反射体为箔的形态)

本实施方式的氧化硅热反射板中，优选反射体为箔，且含有Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf或Mo，或包含含有选自Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf及Mo中的至少任一种的合金(未图示)。作为含有选自Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf及Mo中的至少任一种的合金，优选以最大质量含有这些元素中的任一种的合金，更优选含有50质量％以上的Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf或Mo的合金，更优选含有60质量％以上的Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf或Mo的合金，最优选含有70质量％以上的Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf或Mo的合金，例如为Ir-Pt系合金、Ir-Rh系合金或Pt-Ru系合金。图15中为如下状态：将为箔而非板的反射体8收容在空腔12内，箔不易发生腐蚀。进而，由箔引起的剥离的方向的应力不易施加到周缘部彼此的接合部。作为箔的反射体优选相对于凹部的底面的总面积以50～100％的面积形成，更优选以80～100％的面积形成。

本实施方式的氧化硅热反射板中，反射体的厚度优选0.01μm～5mm，更优选0.02μm～2mm。能够保持反射体的较高的反射效率，且能够减小氧化硅热反射板的热容。若反射体的厚度小于0.01μm，则有时难以保持反射效率，若超过5mm，则反射体的热量有时变得过大。而且，在反射体为薄膜的情况下，积层膜的膜厚优选10nm以上1500nm以下，更优选20nm以上400nm以下。在反射体为板的情况下，板厚优选0.5mm以上5.0mm以下，更优选0.5mm以上2.0mm以下。在反射体为箔的情况下，箔的厚度优选3μm以上2.0mm以下，更优选8μm以上1.0mm以下。

本实施方式中，具有空腔时，从空腔的高度(图2中为上下方向的长度)减去反射体的厚度所得的值、即空腔内的高度方向的间隙优选200μm以下，更优选100μm以下。当空腔内的高度方向的间隙超过200μm时，由大气压引起的氧化硅板的变形变大，结果，有施加到接合部附近的应力变大，而导致结合部产生破裂的担忧。

图2～图8、图10～图14中，红外线的入射方向为从上朝下的方向。图15中，红外线的入射方向也可以是从上朝下的方向或从下朝上的方向的任一者。

实施例

以下，示出实施例来进一步详细说明本发明，但本发明不应限定于实施例来解释。

(实施例1)

(反射体为积层膜的形态)

制作图2所示的氧化硅热反射板。首先，准备2片外周300mm、厚度1.2mm的氧化硅板，分别作为第1氧化硅板、第2氧化硅板。接着，将第1氧化硅板的从外周起宽度10mm的部分残留作为与第2氧化硅板的接合部，对除此以外的部位进行蚀刻，设置用以形成深度1μm的空腔的凹部。接着，在第1氧化硅板的凹部的底面，通过溅镀法将Ta成膜50nm来作为基底膜，在基底膜之上通过溅镀法将Ir成膜150nm来作为反射膜，而形成反射体。接着，使用紫外可见分光光度计(岛津制作所股份有限公司制造型号：UV-3100PC)来测定反射体的反射率。将测得的反射率的结果示于图16中。测定是对反射体的表面直接照射用于测定的光而进行。另外，利用(数1)来计算1000℃下的物质所辐射的黑体辐射的波长与辐射量的关系。将算出结果示于图17中。

[数1]

其中，h为普朗克常数(6.62607015×10^-34J·s)，k_B为玻耳兹曼常数(1.380649×10^-23J/K)，c为光速(299792458m/s)，λ为波长(nm)。根据图17的结果能确认，在1000℃时需要反射辐射热，波长为2000nm～2600nm时辐射量较多。另外，根据图16的结果能确认，在1000℃时，就本实施例的反射体来说，在2000nm以上的波长时具有90％以上的反射率。接着，为了将形成着反射体的第1氧化硅板与平板状的第2氧化硅板接合，在真空度10^-2Pa以下的真空中，对第1氧化硅板的接合部照射高速原子束而使表面活化，并将第2氧化硅板压抵在第1氧化硅板上，由此制作氧化硅热反射板。

(实施例2)

(反射体为积层膜的形态)

首先，准备2片外周300mm、厚度1.2mm的氧化硅板，分别作为第1氧化硅板、第2氧化硅板。接着，将从第1氧化硅板的外周起宽度5mm的部分作为与第2氧化硅板的接合部而遮蔽。接着，在遮蔽的第1氧化硅板的面通过溅镀法将Ta成膜50nm来作为基底膜，在基底膜之上通过溅镀法将Ir成膜150nm来作为反射膜，而形成反射体。接着，去除遮蔽。反射体与实施例1的反射体相同，具有与图16所示的反射特性相同的特性。接着，为了将形成着反射体的平板状的第1氧化硅板与平板状的第2氧化硅板接合，在真空度10^-2Pa以下的真空中，对第1氧化硅板的接合部照射高速原子束而使表面活化，并将第2氧化硅板压抵在第1氧化硅板上，由此制作氧化硅热反射板。

(实施例3)

(反射体为积层膜的形态)

首先，准备2片外周300mm、厚度1.2mm的氧化硅板，分别作为第1氧化硅板、第2氧化硅板。接着，将从第1氧化硅板的外周起宽度5mm的部分作为与第2氧化硅板的接合部而遮蔽。接着，在经遮蔽的第1氧化硅板的面通过溅镀法将Ta成膜50nm来作为基底膜，在所述基底膜之上通过溅镀法将Ir成膜150nm来作为反射膜，而形成反射体。接着，去除遮蔽。反射体与实施例1的反射体相同，具有与图16所示的反射特性相同的特性。接着，为了将形成着反射体的平板状的第1氧化硅板与平板状的第2氧化硅板接合，使氧等离子体接触第1氧化硅板的接合部而使表面活化，并将第2氧化硅板压抵在第1氧化硅板上，由此制作氧化硅热反射板。

(实施例4)

(反射体为积层膜，且具有蜂巢状的支柱部的形态)

制作图12所示的氧化硅热反射板。首先，准备2片外周300mm、厚度1.2mm的氧化硅板，分别作为第1氧化硅板、第2氧化硅板。接着，将从第1氧化硅板的外周起宽度10mm的部分遮蔽，然后，在除此以外的部位，对正六边形的宽度10mm(一边的长度为5.77mm)、壁柱厚度0.3mm的蜂巢状的相当于支柱部的部位进行遮蔽后，进行蚀刻，从而设置用以形成深度1μm的空腔的凹部。接着，在经遮蔽的第1氧化硅板的凹部的底面通过溅镀法将Ta成膜50nm来作为基底膜，在基底膜之上通过溅镀法将Ir成膜150nm来作为反射膜，而形成反射体。接着，去除遮蔽。本实施例的反射体相对于实施例1的反射体来说具有蜂巢构造。图16所示的反射率表示整个面均为反射膜的形态的值，关于本实施例的具有蜂巢构造的反射膜，反射膜部分相对于整个面的面积比率为94.34％，因此认为本实施例的反射特性具有对图16所示的反射率乘以0.9434所得的反射率。接着，为了将形成着反射体的第1氧化硅板与平板状的第2氧化硅板接合，在真空度10^-2Pa以下的真空中，对第1氧化硅板的接合部2及支柱部照射高速原子束而使表面活化，并将第2氧化硅板压抵在第1氧化硅板，由此使它们接合而制作氧化硅热反射板。

(实施例5)

(反射体为Pt箔的形态)

制作图15所示的氧化硅热反射板。首先，准备2片外周300mm、厚度1.2mm的氧化硅板，分别作为第1氧化硅板、第2氧化硅板。接着，将从第1氧化硅板的外周起宽度7mm的部分残留作为与第2氧化硅板的接合部，对除此以外的部位进行切削加工，设置用以形成深度0.2mm的空腔的凹部。接着，在第1氧化硅板的凹部的底面配置外周284mm、厚度100μm的Pt箔，形成反射体。接着，使用紫外可见分光光度计(岛津制作所股份有限公司制造型号：UV-3100PC)来测定所述反射体的反射率。将测得的反射率示于图18中。测定是对反射体的表面直接照射用于测定的光而进行。根据图18的结果能确认，在1000℃时，就本实施例的反射体来说，在2000nm以上的波长时具有80％以上的反射率。接着，为了将配置着反射体的第1氧化硅板与平板状的第2氧化硅板接合，在真空度10^-2Pa以下的真空中，对第1氧化硅板的接合部照射高速原子束而使表面活化，并将第2氧化硅板压抵在第1氧化硅板，由此使它们接合而制作氧化硅热反射板。

(实施例6)

(反射体为Mo膜的形态)

首先，准备2片外周300mm、厚度1.2mm的氧化硅板，分别作为第1氧化硅板、第2氧化硅板。接着，将从第1氧化硅板的外周起宽度5mm的部分作为与第2氧化硅板的接合部而遮蔽。接着，在被遮蔽的第1氧化硅板的面通过溅镀法将Mo成膜200nm来作为反射体。接着，去除遮蔽。接着，使用紫外可见分光光度计(岛津制作所股份有限公司制造型号：UV-3100PC)来测定反射体的反射率。将测得的反射率的结果示于图19中。测定是对反射体的表面直接照射用于测定的光而进行。另外，根据图19的结果能确认，在1000℃时，就本实施例的反射体来说，在2000nm以上的波长时具有80％以上的反射率。接着，为了将形成着反射体的第1氧化硅板与平板状的第2氧化硅板接合，在真空度10^-2Pa以下的真空中，对第1氧化硅板的接合部照射高速原子束而使表面活化，并将第2氧化硅板压抵在第1氧化硅板上，由此制作氧化硅热反射板。

[符号的说明]

100～112 氧化硅热反射板

1 氧化硅板

1a 第1氧化硅板

1b 第2氧化硅板

2 周缘部彼此的接合部

3 基底膜

4 反射膜

5 反射体

6 支柱部

7 包含支柱部的接合部

8 反射体

11 堤部

12 空腔。

Claims (19)

1.一种氧化硅热反射板，其特征在于具有：

氧化硅板；及

反射体，配置在该氧化硅板的内部，外周围由该氧化硅板完全覆盖，且将入射到该氧化硅板的一表面的红外线反射；且

所述反射体为薄膜、板或箔，

所述反射体的至少包含反射面的表面层含有Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf或Mo，或包含含有选自Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf及Mo中的至少任一种的合金。

2.根据权利要求1所述的氧化硅热反射板，其中所述氧化硅板具有层合板构造，即，第1氧化硅板与第2氧化硅板对向配置，且周缘部彼此沿着周缘呈环状连续地接合。

3.根据权利要求2所述的氧化硅热反射板，其中所述层合板构造具有空腔，该空腔设置在所述第1氧化硅板与所述第2氧化硅板的相向的面之间，且在所述第1氧化硅板侧及所述第2氧化硅板侧的至少一侧通过所述周缘部彼此的接合部而密闭；且

在该空腔内配置着所述反射体。

4.根据权利要求3所述的氧化硅热反射板，其中至少在所述第1氧化硅板侧具有所述空腔，

在所述第1氧化硅板的所述空腔内的表面上具有作为所述反射体而形成的薄膜，

该薄膜为积层膜，该积层膜从所述第1氧化硅板的所述空腔内的表面侧起依序具有基底膜、及作为包含所述反射面的表面层的反射膜，

所述基底膜含有Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co或Ni，或包含含有选自Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co及Ni中的至少任一种的合金，

所述反射膜含有Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf或Mo，或包含含有选自Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf及Mo中的至少任一种的合金，

所述基底膜与所述反射膜具有不同的组成。

5.根据权利要求3所述的氧化硅热反射板，其中所述第1氧化硅板为平板，

在所述第2氧化硅板侧具有所述空腔，

在所述第1氧化硅板的表面上具有作为所述反射体而形成的薄膜，

该薄膜为积层膜，该积层膜从所述第1氧化硅板的表面侧起依序具有基底膜、及作为包含所述反射面的表面层的反射膜，

所述基底膜含有Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co或Ni，或包含含有选自Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co及Ni中的至少任一种的合金，

所述反射膜含有Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf或Mo，或包含含有选自Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf及Mo中的至少任一种的合金，

所述基底膜与所述反射膜具有不同的组成。

6.根据权利要求3所述的氧化硅热反射板，其中所述反射体为板或箔，且含有Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf或Mo，或包含含有选自Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf及Mo中的至少任一种的合金。

7.根据权利要求3至6中任一项所述的氧化硅热反射板，其中所述空腔内的压力减小为小于大气压。

8.根据权利要求3至7中任一项所述的氧化硅热反射板，其中(1)所述第1氧化硅板具有设置在所述周缘部的堤部、及由该堤部包围而构成所述空腔的凹部，所述第2氧化硅板为平板状，或，

(2)所述第1氧化硅板为平板状，所述第2氧化硅板具有设置在所述周缘部的堤部、及由该堤部包围而构成所述空腔的凹部。

9.根据权利要求3至8中至少任一项所述的氧化硅热反射板，其中所述氧化硅热反射板具有至少1根支柱部，该支柱部在所述空腔内竖立设置在所述层合板构造的对向的面彼此之间。

10.根据权利要求9所述的氧化硅热反射板，其中所述支柱部为柱状或筒状。

11.根据权利要求10所述的氧化硅热反射板，其中所述氧化硅热反射板具有多根所述支柱部，

该支柱部为筒状，且各支柱部具有相互共有一部分筒壁的三维空间填充构造。

12.根据权利要求11所述的氧化硅热反射板，其中所述三维空间填充构造为蜂巢构造、矩形格子构造、方形格子构造或菱形格子构造。

13.根据权利要求2所述的氧化硅热反射板，其中所述第1氧化硅板与所述第2氧化硅板的相向的面彼此均为平坦面，

所述反射体为薄膜，形成在所述第2氧化硅板侧的所述第1氧化硅板的表面中的、所述周缘部彼此的环状接合部的内侧区域，

该薄膜为积层膜，该积层膜从所述第1氧化硅板的表面侧起依序具有基底膜、及作为包含所述反射面的表面层的反射膜，

所述基底膜含有Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co或Ni，或包含含有选自Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co及Ni中的至少任一种的合金，

所述反射膜含有Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf或Mo，或包含含有选自Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf及Mo中的至少任一种的合金，

所述基底膜与所述反射膜具有不同的组成。

14.根据权利要求3所述的氧化硅热反射板，其至少在所述第1氧化硅板侧具有所述空腔，

在所述第1氧化硅板的所述空腔内的表面上具有作为所述反射体而形成的薄膜，

该薄膜为Mo膜或含有50质量％以上的Mo的合金膜。

15.根据权利要求3所述的氧化硅热反射板，其中所述第1氧化硅板为平板，

在所述第2氧化硅板侧具有所述空腔，

在所述第1氧化硅板的表面上具有作为所述反射体而形成的薄膜，

该薄膜为Mo膜或含有50质量％以上的Mo的合金膜。

16.根据权利要求2所述的氧化硅热反射板，其中所述第1氧化硅板与所述第2氧化硅板的相向的面彼此均为平坦面，

所述反射体为薄膜，形成在所述第2氧化硅板侧的所述第1氧化硅板的表面中的、所述周缘部彼此的环状接合部的内侧区域，

该薄膜为Mo膜或含有50质量％以上的Mo的合金膜。

17.根据权利要求3所述的氧化硅热反射板，其中在所述第1氧化硅板侧及所述第2氧化硅板侧具有所述空腔，

在所述第1氧化硅板的所述空腔内的表面上具有作为所述反射体而形成的薄膜，

该薄膜为Mo膜或含有50质量％以上的Mo的合金膜。

18.根据权利要求1至17中任一项所述的氧化硅热反射板，其中所述反射体的厚度为0.01μm以上5mm以下。

19.根据权利要求3至18中任一项所述的氧化硅热反射板，其中所述周缘部彼此的接合部为表面活化接合部。