TW202210606A - 有機電致發光裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明關於一種有機電致發光裝置，其包含一種包含電子傳輸主體材料和電洞傳輸主體材料之混合物，及關於一種包含一種該等主體材料之混合物之調配物及一種包含該等主體材料之混合物。該電子傳輸主體材料對應於一種式(1)化合物，其來自含有不對稱取代之嘧啶或三𠯤單元的稠合咔唑衍生物之類別。

Description

有機電致發光裝置
本發明關於一種有機電致發光裝置，其包含一種包含電子傳輸主體材料和電洞傳輸主體材料之混合物，及關於一種包含一種該等主體材料之混合物之調配物及一種包含該等主體材料之混合物。該電子傳輸主體材料對應於一種式(1)化合物，其來自含有不對稱取代之嘧啶或三𠯤單元的稠合咔唑衍生物之類別。
早已知道使用有機半導體作為有機功能材料的有機電致發光裝置(例如OLED-有機發光二極體或OLEC-有機發光電化學電池)之結構。除了螢光發光體，在此所使用的發光材料越來越多為呈現磷光而不是螢光的有機金屬錯合物。為了量子力學的原因，使用有機金屬化合物作為磷光發光體，可能使能量效率及功率效率增加多達四倍。然而，一般來說，仍然需要改良OLED，尤其是呈現三重態發光(磷光)之OLED，例如關於效率、操作電壓及壽命。 有機電致發光裝置的性質不只由所使用的發光體決定。在此也特別重要的尤其是所使用的其它材料，諸如主體材料和基質材料、電洞阻擋材料、電子傳輸材料、電洞傳輸材料和電子或激子阻擋材料，且此等之中尤其是主體或基質材料。對此等材料的改良可導致對有機電致發光裝置的顯著改良。 用於有機電子裝置之主體材料為熟習該項技術者所熟知的。術語"基質材料"經常也用在先前技術中意指用於磷光發光體之主體材料。此術語的使用也適用於本發明。在此期間，已經開發用於螢光電子裝置和用於磷光電子裝置二者之多種主體材料。 改良電子裝置(尤其是有機電致發光裝置)的性能數據之另一種方法為使用二或更多種材料(尤其是主體材料或基質材料)的組合。 US 6,392,250 B1揭示由電子傳輸材料、電洞傳輸材料和螢光發光體組成之混合物於OLED的發光層之用途。相較於先前技術，借助於此混合物可能改良OLED的壽命。 US 6,803,720 B1揭示包含磷光發光體和電洞傳輸材料及電子傳輸材料之混合物於OLED的發光層之用途。電洞傳輸材料和電子傳輸材料二者為小的有機分子。 WO2010136109和WO2011000455描述具有電子-和電洞-傳輸性質之茚并咔唑衍生物，其可使用於電致發光裝置之發光層及/或電荷傳輸層。 US20100187977描述吲哚并咔唑衍生物作為用於電致發光裝置之主體材料。 WO2011088877描述特定雜環化合物，其可使用於有機發光裝置中作為發光化合物，或作為主體材料或電洞傳輸材料。 WO2015014435和 WO2015051869描述用於電致發光裝置之化合物，其具有相互相反的電子傳導和電洞傳導基團。 US9771373描述作為用於電致發光裝置之發光層的主體材料之特定咔唑衍生物，其可與其他主體材料一起使用。 KR20160046077描述與其他主體材料和特定發光體一起在發光層中之特定三𠯤-二苯并呋喃-咔唑和三𠯤-二苯并噻吩-咔唑衍生物。該咔唑在此係經由氮原子鍵結至二苯并呋喃或二苯并噻吩單元。 US20170117488描述與作為其他主體材料的雙咔唑衍生物一起在發光層中之特定三𠯤衍生物。 KR20180012499描述與其他主體材料一起在發光層中之特定吲哚并咔唑衍生物。 然而，在使用此等材料的情況下或在使用該等材料之混合物的情況下，仍然需要改良，尤其是關於有機電致發光裝置的效率、操作電壓及/或壽命。
本發明所針對的問題因此為提供主體材料組合，其適合使用於有機電致發光裝置中，尤其是螢光或磷光OLED中，並導致良好的裝置性質，尤其是關於改良的壽命，以及所針對的問題為提供對應的電致發光裝置。 現已發現，在有機電致發光裝置之發光層中藉由至少一種式(1)化合物作為第一主體材料和至少一種式(2)電洞傳輸化合物作為第二主體材料之組合解決此問題且消除先前技術的缺點。該類材料組合使用於製造有機電致發光裝置中之發光層導致此等裝置之非常好的性質，尤其是關於壽命，尤其是具有相等或改良的效率及/或操作電壓。發光層中存在發光成分尤其也顯現該等優點，尤其是在與介於2與15重量%之濃度，尤其是介於8與12重量%之濃度的式(IIIa)發光體或式(I)至(VI)發光體組合的情況下。 本發明因此首先提供一種有機電致發光裝置，其包含陽極、陰極和至少一層含有至少一層發光層之有機層，其中該至少一層發光層含有至少一種式(1)化合物作為主體材料1和至少一種式(2)化合物作為主體材料2，
Figure 02_image001
Figure 02_image003
其中所使用的符號和標號如下： X          在各情況下為相同或不同且為CR0 或N，其中至少二個符號X為N； X2 在各情況下為相同或不同且為CH、CR1 或N，其中不超過2個符號X2 可為N； Y          在各情況下為相同或不同且係選自C(R)2 和NR； L     在各情況下為相同或不同且為單鍵或伸苯基； R*    在各情況下獨立地為D或具有6至18個環原子且可經部分或完全氘化之芳族或雜芳族環系統； R#    各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：D、F、Cl、Br、I、CN、NO2 、C(=O)R2 、P(=O)(Ar1 )2 、P(Ar1 )2 、B(Ar1 )2 、Si(Ar1 )3 、Si(R2 )3 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基或具有2至20個碳原子之烯基(彼等各自可經一或多個R2 基團取代，其中一或多個非相鄰的CH2 基團可經R2 C=CR2 、Si(R2 )2 、C=O、C=S、C=NR2 、P(=O)(R2 )、SO、SO2 、NR2 、O、S或CONR2 置換及其中一或多個氫原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換)、具有5至40個環原子且在各情況下可經一或多個R2 基團取代之芳族或雜芳族環系統、具有5至40個環原子且可經一或多個R2 基團取代之芳氧基或雜芳氧基、或具有5至40個環原子且可經一或多個R2 基團取代之芳烷基或雜芳烷基； R     在各情況下為相同或不同且係選自具有1至20個碳原子之直鏈烷基或具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、具有5至40個環原子之芳族或雜芳族環系統、或具有5至40個環原子之芳烷基或雜芳烷基；同時，二個取代基R可形成單環或多環的脂族、芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R2 基團取代； R1 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：CN、具有1至20個碳原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基、具有5至40個環原子之芳族或雜芳族環系統、具有5至40個環原子之芳氧基或雜芳氧基、或具有5至40個環原子之芳烷基或雜芳烷基；同時，鍵結至相同碳原子或鍵結至相鄰碳原子之二個取代基R1 可能形成單環或多環的脂族、芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R2 基團取代； R0 和R2 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：H、D、F、Cl、Br、I、CN、NO2 、N(Ar1 )2 、NH2 、N(R3 )2 、C(=O)Ar1 、C(=O)H、C(=O)R3 、P(=O)(Ar1 )2 、具有1至40個碳原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個碳原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基或具有2至40個碳原子之烯基或炔基(彼等各自可經一或多個R3 基團取代，其中一或多個非相鄰的CH2 基團可經HC=CH、R3 C=CR3 、C≡C、Si(R3 )2 、Ge(R3 )2 、Sn(R3 )2 、C=O、C=S、C=Se、C=NR3 、P(=O)(R3 )、SO、SO2 、NH、NR3 、O、S、CONH或CONR3 置換及其中一或多個氫原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換)、具有5至60個環原子且在各情況下可經一或多個R3 基團取代之芳族或雜芳族環系統、具有5至60個環原子且可經一或多個R3 基團取代之芳氧基或雜芳氧基、或此等系統的組合，其中隨意地二或多個相鄰的取代基R2 可形成單環或多環的脂族、芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R3 基團取代； R3 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：H、D、F、CN、具有1至20個碳原子之脂族烴基、或具有5至30個環原子之芳族或雜芳族環系統，其中一或多個氫原子可經D、F、Cl、Br、I或CN置換且其可經一或多個各自具有1至4個碳原子之烷基取代；同時，二或更多個相鄰的R3 取代基可能一起形成單環或多環的脂族環系統； Ar1 在各情況下為相同或不同且為具有5至30個環原子並可經一或多個非芳族R3 基團取代之芳族或雜芳族環系統；同時，鍵結至相同氮原子、磷原子或硼原子之二個Ar1 基團亦可以經由單鍵或選自N(R3 )、C(R3 )2 、O或S的橋而彼此橋聯； Ar2 和Ar3 在各情況下為不同； Ar2 在各情況下為聯苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑-N-基或咔唑-N-基-苯基，其可經一或多個R*基團取代； Ar3 在各情況下為具有5至40個環原子且可經一或多個R2 基團取代之芳基或雜芳基； A     在各情況下獨立地為式(3)或(4)之基團，
Figure 02_image005
Ar         在各情況下獨立地為具有6至40個環原子且可經一或多個R#基團取代之芳基、或具有5至40個環原子且可經一或多個R#基團取代之雜芳基； *          表示連接至式(2)之鍵結位置； a、b、c 在各情況下各自獨立地為0或1，其中在各情況下標號的總和a+b+c為1； e、f      在各情況下各自獨立地為0或1，其中在各情況下標號的總和e+f為1； n和m     在各情況下獨立地為0、1、2、3或4；及 q、r、s、t    在各情況下各自獨立地為0或1。 本發明另外提供一種製造有機電致發光裝置之方法及包含至少一種式(1)化合物和至少一種式(2)化合物之混合物、特定材料組合及含有該等混合物或材料組合之調配物。如下所述之對應的較佳實施態樣同樣形成本發明標的之部分。透過式(1)化合物和式(2)化合物之特定選擇達到令人驚訝且有利的效果。 本發明之有機電致發光裝置為例如有機發光電晶體(OLET)、有機場淬滅裝置(OFQD)、有機發光電化學電池(OLEC、LEC、LEEC)、有機雷射二極體(O-雷射)或有機發光二極體(OLED)。本發明之有機電致發光裝置尤其為有機發光二極體或有機發光電化學電池。本發明之裝置更佳為OLED。 含有發光層(其含有至少一種式(1)化合物和至少一種式(2)化合物的材料組合，如上所述或如下所述)的本發明裝置之有機層除了此發光層(EML)之外，較佳地包含電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)及/或電洞阻擋層(HBL)。本發明裝置可能包括來自此選自EML、HIL、HTL、ETL、EIL和HBL之群組的多層。然而，該裝置也可包含無機材料或完全由無機材料形成的其它層。 較佳的是含有至少一種式(1)化合物和至少一種式(2)化合物之發光層為磷光層，其特徵在於除了如上所述之式(1)和式(2)化合物的主體材料組合之外，其包含至少一種磷光發光體。發光體和較佳發光體的適當選擇係描述於下文中。 芳基在本發明的情況下含有6至40個環原子，較佳為碳原子。雜芳基在本發明的情況下含有5至40個環原子，其中該等環原子包括碳原子和至少一個雜原子，先決條件為碳原子和雜原子之總和合計為至少5。雜原子較佳係選自N、O及/或S。芳基或雜芳基在此係理解為意指簡單芳族環(即，苯基，衍生自苯)、或簡單雜芳族環(例如衍生自吡啶、嘧啶或噻吩)、或稠合芳基或雜芳基(例如衍生自萘、蒽、菲、喹啉或異喹啉)。具有6至18個碳原子之芳基因此較佳為苯基、萘基、菲基或聯伸三苯基，且作為取代基之芳基的連接沒有限制。芳基或雜芳基在本發明的情況下可具有一或多個R基團，其中取代基R係描述於下文中。 芳族環系統在本發明的情況下含有6至40個環原子，較佳為碳原子。芳族環系統也包括如上所述之芳基。具有6至18個環原子之芳族環系統較佳係選自苯基、聯苯基、萘基、菲基和聯伸三苯基。 雜芳族環系統在本發明的情況下含有5至40個環原子和至少一個雜原子。較佳雜芳族環系統具有10至40個環原子和至少一個雜原子。雜芳族環系統也包括如上所述之雜芳基。雜芳族環系統中之雜原子較佳係選自N、O及/或S。芳族或雜芳族環系統在本發明的情況下係理解為意指不一定只含有芳基或雜芳基，而是其中多個芳基或雜芳基也可能以非芳族單元(較佳為少於10%之非H的原子，例如碳、氮或氧原子或羰基)所中斷的系統。例如，系統諸如9,9’-螺二茀、9,9-二芳基茀、三芳基胺、二芳基醚、二苯乙烯等等因此也應視為在本發明的情況下的芳族或雜芳族環系統，且同樣地包括其中二或更多個芳基例如被直鏈或環狀烷基或被矽基所中斷之系統(例如，9,9-二烷基茀)。此外，其中二或更多個芳基或雜芳基彼此直接鍵結之系統(例如聯苯、聯三苯、聯四苯或聯吡啶)同樣地被涵蓋在芳族或雜芳族環系統的定義中。 具有5至40個環原子且可經由任何所欲位置連接至芳族或雜芳族系統之芳族或雜芳族環系統係理解為意指例如衍生自下列之基團：苯、萘、蒽、苯并蒽、菲、苯并菲、芘、
Figure 110119050-A0304-12-0000-3
(chrysene)、苝、丙二烯合茀(fluoranthene)、苯并丙二烯合茀(benzofluoranthene)、稠四苯、稠五苯、苯并芘、聯苯、亞聯苯(biphenylene)、聯三苯(terphenyl)、伸聯三苯(terphenylene)、茀、螺二茀、二氫菲、二氫芘、四氫芘、順-或反-茚并茀、順-或反-單苯并茚并茀、順-或反-二苯并茚并茀、三聚茚(truxene)、異三聚茚(isotruxene)、螺三聚茚、螺異三聚茚、呋喃、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吲哚并咔唑、茚并咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、啡啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、啡噻𠯤、啡㗁𠯤、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑(naphthimidazole)、菲并咪唑(phenanthrimidazole)、吡啶并咪唑(pyridimidazole)、吡𠯤并咪唑(pyrazinimidazole)、喹㗁啉并咪唑(quinoxalinimidazole)、㗁唑、苯并㗁唑、萘并㗁唑(naphthoxazole)、蒽并㗁唑(anthroxazole)、菲并㗁唑(phenanthroxazole)、異㗁唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、嗒𠯤、苯并嗒𠯤、嘧啶、苯并嘧啶、喹㗁啉、1,5-二氮雜蒽、2,7-二氮雜芘、2,3-二氮雜芘、1,6-二氮雜芘、1,8-二氮雜芘、4,5-二氮雜芘、4,5,9,10-四氮雜苝、吡𠯤、啡𠯤、啡㗁𠯤、啡噻𠯤、熒紅環(fluorubine)、㖠啶、氮雜咔唑、苯并咔啉、啡啉、1,2,3-***、1,2,4-***、苯并***、1,2,3-㗁二唑、1,2,4-㗁二唑、1,2,5-㗁二唑、1,3,4-㗁二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三𠯤、1,2,4-三𠯤、1,2,3-三𠯤、四唑、1,2,4,5-四𠯤、1,2,3,4-四𠯤、1,2,3,5-四𠯤、嘌呤、蝶啶、吲
Figure 110119050-A0101-12-0029-1
及苯并噻二唑。 縮寫Ar1 在各情況下為相同或不同且為具有5至30個環原子且可經一或多個非芳族R3 基團取代之芳族或雜芳族環系統；同時，鍵結至相同氮原子、磷原子或硼原子之二個Ar1 基團亦可經由單鍵或選自N(R3 )、C(R3 )2 、O和S的橋而彼此橋聯，其中R3 基團或取代基R3 具有如上或下所述之定義。較佳地，Ar1 為如上所述之具有6至40個碳原子之芳基。最佳地，Ar1 為可經一或多個非芳族R3 基團取代之苯基。Ar1 較佳為未經取代。 縮寫Ar2 在各情況下獨立地為聯苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑-N-基或咔唑-N-基-苯基，其可經一或多個R*基團取代，其中R*基團具有或取代基R*具有如上或下所述之定義。 縮寫Ar3 在各情況下每次獨立地為具有5至40個環原子且可經一或多個R2 基團取代之芳基或雜芳基，其中R2 基團或取代基R2 具有如上或下所述之定義。具有5至40個環原子之芳基和雜芳基所給出的詳細說明在此對應地適用。 縮寫Ar在各情況下獨立地為具有6至40個環原子且可經一或多個R#基團取代之芳基、或具有5至40個環原子且可經一或多個R#基團取代之雜芳基，其中芳基和雜芳基的詳細說明對應地適用，如上所述。R#基團或R#基團(等)具有如上所述或如下所述之定義。縮寫Ar在各情況下較佳地在各情況下獨立地為具有6至40個碳原子且可經一或多個R#基團取代之芳基、或具有5至40環原子且含有O或S作為雜原子之雜芳基，其可經一或多個R#基團取代，其中如上或下所述之芳基、雜芳基和R#的詳細說明對應地適用。 環狀烷基、烷氧基或烷硫基在本發明的情況下係理解為意指單環、雙環或多環基團。 在本發明的情況下，直鏈、支鏈或環狀C1 -至C20 -烷基係理解為意指(例如)甲基、乙基、正丙基、異丙基、環丙基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、環丁基、2-甲基丁基、正戊基、二級戊基、三級-戊基、2-戊基、新戊基、環戊基、正己基、二級己基、三級己基、2-己基、3-己基、新己基、環己基、1-甲基環戊基、2-甲基戊基、正庚基、2-庚基、3-庚基、4-庚基、環庚基、1-甲基環己基、正辛基、2-乙基己基、環辛基、1-雙環[2.2.2]辛基、2-雙環[2.2.2]辛基、2-(2,6-二甲基)辛基、3-(3,7-二甲基)辛基、金剛烷基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、1,1-二甲基-正己-1-基、1,1-二甲基-正庚-1-基、1,1-二甲基-正辛-1-基、1,1-二甲基-正癸-1-基、1,1-二甲基-正十二-1-基、1,1-二甲基-正十四-1-基、1,1-二甲基-正十六-1-基、1,1-二甲基-正十八-1-基、1,1-二乙基-正己-1-基、1,1-二乙基-正庚-1-基、1,1-二乙基-正辛-1-基、1,1-二乙基-正癸-1-基、1,1-二乙基-正十二-1-基、1,1-二乙基-正十四-1-基、1,1-二乙基-正十六-1-基、1,1-二乙基-正十八-1-基、1-(正丙基)環己-1-基、1-(正丁基)環己-1-基、1-(正己基)環己-1-基、1-(正辛基)環己-1-基和1-(正癸基)環己-1-基。 直鏈或支鏈C1 -至C20 -烷氧基係理解為意指例如甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、二級丁氧基、三級丁氧基、或2-甲基丁氧基。 直鏈C1 -至C20 -烷硫基係理解為意指例如S-烷基，例如甲硫基、1-硫乙基、1-硫-異丙基、1-硫-正丙基、1-硫-異丁基、1-硫-正丁基或1-硫-三級丁基。 具有5至40個環原子之芳氧基或雜芳氧基意指O-芳基或O-雜芳基，且意指芳基或雜芳基係經由氧原子鍵結，其中芳基或雜芳基係如上所述定義。 具有5至40個環原子之芳烷基或雜芳烷基意指如上所述之烷基係經芳基或雜芳基取代，其中芳基或雜芳基係如上所述定義。 磷光發光體在本發明的情況下為呈現從具有較高自旋多重性(即，自旋態＞1)的激發態，尤其是從激發三重態發光之化合物。在本申請案的情況下，所有具有過渡金屬或鑭系元素的發光錯合物都被視為磷光發光體。下文給出更精確的定義。 當將包含如上所述或下文描述為較佳之至少一種式(1)化合物和如上所述或下文描述為較佳之至少一種式(2)化合物的發光層之主體材料用於磷光發光體時，較佳的是當其三重態能量不顯著小於磷光發光體的三重態能量時。關於三重態能階，較佳的是T1 (發光體)–T1 (基質)≤0.2eV，更佳地≤0.15eV，最佳地≤0.1eV的情況。T1 (基質)在此為發光層中基質材料的三重態能階，此條件適用於二種基質材料中的各者，且T1 (發光體)為磷光發光體的三重態能階。若發光層含有超過二種基質材料，則上述關係較佳地也適用於每一種其他基質材料。 下列為存在於本發明裝置中之主體材料1及其較佳實施態樣的說明。式(1)之主體材料1的較佳實施態樣也適用於本發明之混合物及/或調配物。 在式(1)化合物中，符號Y為C(R)2 或NR。在式(1)化合物之一較佳實施態樣中，符號Y較佳為C(R)2 。 本發明因此另外提供如上所述之電致發光裝置，其中主體材料1中之Y為C(R)2 ，其中R在各情況下為相同或不同且係選自具有1至20個碳原子之直鏈烷基或具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、具有5至40個環原子之芳族或雜芳族環系統、或具有5至40個環原子之芳烷基或雜芳烷基，及其中二個取代基R可形成單環或多環的脂族、芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R2 基團取代。 在此實施態樣中，R較佳為具有1至4個碳原子之直鏈烷基或苯基、或二個取代基R與彼等所鍵結之碳一起形成具有3至6個碳原子之環烷基或螺茀基，其中所述環狀基團可經一或多個R2 基團取代。在此實施態樣中，R更佳為相同且為甲基或苯基，或二個取代基R形成環戊基、環己基或螺茀基。在此實施態樣中，R最佳為相同且為甲基，或二個取代基R形成螺茀基。 當C(R)2 基團中的二個取代基R形成經R2 取代之螺茀基時，此可以下列結構顯現：
Figure 02_image007
，其中#標記取代基C(R)2 的碳原子，且R2 具有上述或下述給出的定義。 其中Y較佳為C(R)2 之式(1)化合物可以式(1a)描述，
Figure 02_image009
其中Ar2 、Ar3 、R*、n、m、L、R和X具有上述所給出之定義或下文或上文中以較佳所給出之定義。 在式(1)化合物之一較佳實施態樣中，符號Y較佳為NR，其中R在各情況下為相同或不同且係選自具有1至20個碳原子之直鏈烷基或具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、具有5至40個環原子之芳族或雜芳族環系統、或具有5至40個環原子之芳烷基或雜芳烷基。 在此實施態樣中，R較佳為具有5至40個環原子之芳族或雜芳族環系統。在此實施態樣中，R更佳為苯基、1,3-聯苯基，或1,4-聯苯基。 本發明因此另外提供如上所述之電致發光裝置，其中主體材料1之Y為NR，和R具有上述所給出之定義。 其中Y較佳為NR之式(1)化合物可以式(1b)描述，
Figure 02_image011
其中Ar2 、Ar3 、R*、n、m、L、R和X具有上述所給出之定義或下文或上文中以較佳所給出之定義。 在式(1)、(1a)和(1b)之化合物或式(1)、(1a)和(1b)之主體材料的較佳實施態樣中，符號X為CR0 或N，其中至少一個X基團為N。 取代基
Figure 02_image013
因此具有下列定義，其中*表示經由L至咔唑的鍵結位置，及R0 、Ar2 和Ar3 具有上述所給出之定義或以較佳所給出之定義：
Figure 02_image015
。 在主體材料1中，X在三個情況下較佳為N。 本發明因此另外提供如上所述或描述為較佳之電致發光裝置，其中，在主體材料1中，符號X在三個情況下為N。 R0 在各情況下為相同或不同且較佳係選自下列之基團：H、D、CN、具有1至10個碳原子之直鏈或支鏈烷基或具有5至40個環原子且可經一或多個R3 基團取代之芳族或雜芳族環系統。R0 在各情況下較較佳為H、D 或未經取代之具有6至18個碳原子之芳族環系統。R0 在各情況下更佳為H。 在式(1)、(1a)和(1b)之化合物或式(1)、(1a)和(1b)之主體材料的較佳實施態樣中，連接子L為單鍵或伸苯基。在式(1)、(1a)和(1b)之化合物或式(1)、(1a)和(1b)之主體材料的較佳實施態樣中，連接子L較佳為一鍵或選自L-1、L-2和L-3之基團的連接子，
Figure 02_image017
。 在式(1)、(1a)和(1b)之化合物或式(1)、(1a)和(1b)之主體材料的較佳實施態樣中，連接子L更佳為一鍵或選自L-2和L-3之基團的連接子。在式(1)、(1a)和(1b)之化合物或式(1)、(1a)和(1b)之主體材料的較佳實施態樣中，連接子L最佳為一鍵。 在式(1)、(1a)和(1b)之化合物或式(1)、(1a)和(1b)之主體材料的較佳實施態樣中，n較佳為0、1或2，更佳為0，其中R*具有上述所給出或下述所給出之較佳定義。 在式(1)、(1a)和(1b)之化合物或式(1)、(1a)和(1b)之主體材料的較佳實施態樣中，m較佳為0、1或2，更佳為0，其中R*具有上述所給出或下述所給出之較佳定義。 R*在各情況下為相同或不同且較佳係選自D或具有6至18個環原子且可經部分或完全氘化之芳族或雜芳族環系統之基團。R*在各情況下較佳為苯基、1,3-聯苯基、1,4-聯苯基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基。R*在各情況下更佳為苯基、1,3-聯苯基、1,4-聯苯基或二苯并呋喃基。 式(1a)化合物為式(1)化合物之較佳實施態樣和主體材料1之較佳實施態樣。 在式(1)、(1a)和(1b)之化合物或式(1)、(1a)和(1b)之主體材料的較佳實施態樣中，Ar2 在各情況下較佳為聯苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑-N-基或咔唑-N-基-苯基，其可經一或多個較佳R*基團取代。在式(1)、(1a)和(1b)之化合物或式(1)、(1a)和(1b)之主體材料的較佳實施態樣中，Ar2 在各情況下更佳為二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或咔唑-N-基，其係未經取代或經苯基單取代。 在式(1)、(1a)和(1b)之化合物或式(1)、(1a)和(1b)之主體材料的較佳實施態樣中，Ar2 在各情況下更佳為聯苯基，其較佳係未經取代。 在式(1)、(1a)和(1b)之化合物或式(1)、(1a)和(1b)之主體材料的較佳實施態樣中，Ar2 在各情況下更佳為咔唑-N-基-苯基，其較佳係未經取代。 “Ar2 和Ar3 總是不同”的意義為至式(1)、(1a)和(1b)之基團的鍵聯位置不同，或Ar2 和Ar3 的結構不同。二個二苯并呋喃基的不同鍵聯位置(例如)亦具有式(1)、(1a)和(1b)之化合物經不對稱取代的效果。Ar2 和Ar3 的結構較佳不同於該結構。 在式(1)、(1a)和(1b)之化合物或式(1)、(1a)和(1b)之主體材料的較佳實施態樣中，Ar2 和Ar3 總是不同，且Ar3 較佳可選自下列基團Ar-1至Ar-19，其中R2 、R3 和Ar1 具有上述所給出或以較佳所給出之定義，及其中R2 、R3 或Ar1 不能使兩個雜原子彼此直接鍵結：
Figure 02_image019
Figure 02_image021
Figure 02_image023
。 虛線表示式(1)、(1a)或(1b)之基團的鍵結位置。 更佳地、Ar3 為Ar-1至Ar-12和Ar-17，其中R2 和Ar1 具有上述所指定或下述指定為較佳之定義。 式Ar-1至Ar-19之取代基中的R2 ，如上所述，較佳係選自下列之基團：H、D、CN、具有5至40個環原子且在各情況下可經一或多個R3 基團取代之芳族或雜芳族環系統。式Ar-1至Ar-19之取代基中的R2 ，如上所述，更佳為D、苯基或N-咔唑基。式Ar-13至Ar-16之取代基中的Ar1 ，如上所述，較佳為苯基。 在式(1)、(1a)和(1b)之化合物中的R3 ，如上所述或描述為較佳，較佳在各情況下係獨立地選自下列之基團：H、CN、具有5至40個環原子之芳族或雜芳族環系統其中一或多個氫原子可經D或CN置換。在式(1)、(1a)和(1b)之化合物中的R3 ，如上所述或描述為較佳，更佳在各情況下係獨立地選自H、苯基或氘化苯基。 在式(1)、(1a)和(1b)之化合物或式(1)、(1a)和(1b)之主體材料的較佳實施態樣中，Ar2 和Ar3 總是不同，及Ar3 更佳可選自Ar-1和Ar-2，其中R2 具有上述所給出或以較佳所給出之定義。 經由Y稠合的環之鍵聯不以任何方式限制且可經由任何可能的位置。式(1)的較佳化合物因此為式(1c)至(1h)之化合物：
Figure 02_image025
其中Ar2 、Ar3 、R*、n、m、L、X和Y具有上述所給出或描述為較佳所給出之定義。 根據本發明選擇並較佳地與至少一種式(2)化合物組合使用於本發明電致發光裝置中的式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)、(1f)、(1g)和(1h)之適當主體材料的實例為如下表1中所給出之結構。 表1：
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較佳與至少一種式(2)化合物組合使用於本發明電致發光裝置中的式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)、(1f)、(1g)和(1h)之特別適當的化合物為化合物E1至E54和E60至E69。 表2：
Figure 02_image215
Figure 02_image217
Figure 02_image219
式(1)化合物或來自表1之較佳化合物和化合物E1至E54和E60至E69之製備為熟習該項技術者已知的。化合物可藉由熟習此項技術者已知的合成步驟(例如溴化、Suzuki偶合、Ullmann偶合、Hartwig-Buchwald偶合、等等)製備。一種適當的合成方法概括地顯示於下述流程1中，其中所使用之符號和標號具有上述所給出之定義及L為伸苯基。 流程1：
Figure 02_image221
一種適當的合成方法係概括地顯示於下述流程2中，其中所使用之符號和標號具有上述所給出的定義及L為單鍵。 流程2：
Figure 02_image223
。 下列為本發明裝置中存在的主體材料2及其較佳實施態樣之說明。式(2)之主體材料2的較佳實施態樣也適用於本發明之混合物及/或調配物。 主體材料2為至少一種式(2)化合物
Figure 02_image225
其中所使用的符號和標號如下： A     在各情況下獨立地為式(3)或(4)之基團，
Figure 02_image227
X2 在各情況下為相同或不同且為CH、CR1 或N，其中不超過2個符號X2 可為N； *      表示連接至式(2)之鍵結位置； R1 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：CN、具有1至20個碳原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基、具有5至40個環原子之芳族或雜芳族環系統、具有5至40個環原子之芳氧基或雜芳氧基、或具有5至40個環原子之芳烷基或雜芳烷基；同時，鍵結至相同碳原子或鍵結至相鄰碳原子之二個取代基R1 可能形成單環或多環的脂族、芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R2 基團取代； Ar    在各情況下獨立地為具有6至40個環原子且可經一或多個R#基團取代之芳基、或具有5至40個環原子且可經一或多個R#基團取代之雜芳基； R#    在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：D、F、Cl、Br、I、CN、NO2 、C(=O)R2 、P(=O)(Ar1 )2 、P(Ar1 )2 、B(Ar1 )2 、Si(Ar1 )3 、Si(R2 )3 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基或具有2至20個碳原子之烯基(彼等各自可經一或多個R2 基團取代，其中一或多個非相鄰的CH2 基團可經R2 C=CR2 、Si(R2 )2 、C=O、C=S、C=NR2 、P(=O)(R2 )、SO、SO2 、NR2 、O、S或CONR2 置換及其中一或多個氫原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換)、具有5至40個環原子且在各情況下可經一或多個R2 基團取代之芳族或雜芳族環系統、具有5至40個環原子且可經一或多個R2 基團取代之芳氧基或雜芳氧基、或具有5至40個環原子且可經一或多個R2 基團取代之芳烷基或雜芳烷基； R2 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組： H、D、F、Cl、Br、I、CN、NO2 、N(Ar1 )2 、NH2 、N(R3 )2 、C(=O)Ar1 、C(=O)H、C(=O)R3 、P(=O)(Ar1 )2 、具有1至40個碳原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個碳原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基或具有2至40個碳原子之烯基或炔基(彼等各自可經一或多個R3 基團取代，其中一或多個非相鄰的CH2 基團可經HC=CH、R3 C=CR3 、C≡C、Si(R3 )2 、Ge(R3 )2 、Sn(R3 )2 、C=O、C=S、C=Se、C=NR3 、P(=O)(R3 )、SO、SO2 、NH、NR3 、O、S、CONH或CONR3 置換及其中一或多個氫原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換)、具有5至60個環原子且在各情況下可經一或多個R3 基團取代之芳族或雜芳族環系統、具有5至60個環原子且可經一或多個R3 基團取代之芳氧基或雜芳氧基、或此等系統的組合，其中隨意地二或多個相鄰的取代基R2 可形成單環或多環的脂族、芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R3 基團取代； R3 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：H、D、F、CN、具有1至20個碳原子之脂族烴基、或具有5至30個環原子之芳族或雜芳族環系統，其中一或多個氫原子可經D、F、Cl、Br、I或CN置換且其可經一或多個各自具有1至4個碳原子之烷基取代；同時，二或更多個相鄰的R3 取代基可能一起形成單環或多環的脂族環系統； Ar1 在各情況下為相同或不同且為具有5至30個環原子並可經一或多個非芳族R3 基團取代之芳族或雜芳族環系統；同時，鍵結至相同氮原子、磷原子或硼原子之二個Ar1 基團亦可以經由單鍵或選自N(R3 )、C(R3 )2 、O或S的橋而彼此橋聯； a、b、c 在各情況下各自獨立地為0或1，其中在各情況下標號的總和a + b + c為1；及 q、r、s、t 在各情況下各自獨立地為0或1。 在本發明之一個實施態樣中，就本發明裝置而言，選擇如上所述之式(2)化合物，其係與如上所述或描述為較佳之式(1)化合物，或與來自表1之化合物或化合物E1至E54和E60至E69，一起使用於發光層中。 在式(2)化合物中，a、b、c在各情況下各自獨立地為0或1，其中在各情況下標號的總和a + b + c為1。c較佳定義為1。 式(2)化合物可以下列式(2a)、(2b)和(2c)表示：
Figure 02_image229
Figure 02_image231
其中A、R1 、q、r、s和t具有上述所給出或下述所給出之定義。在此較佳者為式(2a)化合物。 本發明因此另外提供一種如上所述或描述為較佳之有機電致發光裝置，其中主體材料2對應於式(2a)、(2b)或(2c)之化合物。 式(2)化合物和式(2a)至(2c)之化合物或式(2)和(2a)至(2c)之較佳化合物中的R1 ，如上所述，在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：CN、具有1至20個碳原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基、具有5至40個環原子之芳族或雜芳族環系統、具有5至40個環原子之芳氧基或雜芳氧基、或具有5至40個環原子之芳烷基或雜芳烷基；同時，鍵結至相同碳原子或鍵結至相鄰碳原子之二個取代基R1 可能形成單環或多環的脂族、芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R2 基團取代。 若二或更多個R1 基團係鍵結至相鄰的碳原子，則單環或多環的脂族、芳族或雜芳族環系統較佳係選自(S-1)至(S-4)之基團，
Figure 02_image233
其中Ar1 和R2 具有上述所給出之定義或以較佳所給出之定義，及#表示至各個結構之其餘部分的鍵結位置，例如至(2)、(2a)、(2b)和(2c)之化合物中以X2 標示之相鄰位置。在此特佳者係選自(S-1)或(S-2)。 式(2)化合物和式(2a)至(2c)之化合物或式(2)和(2a)至(2c)之較佳化合物中的R1 ，如上所述，在各情況下為相同或不同且較佳係選自由下列所組成之群組：CN、具有1至20個碳原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基、具有5至40個環原子之芳族或雜芳族環系統、具有5至40個環原子之芳氧基或雜芳氧基、或具有5至40個環原子之芳烷基或雜芳烷基。取代基R1 在各情況下更佳獨立地為CN或具有6至40個碳原子之芳基，如上所述。R1 在各情況下更佳獨立地為苯基。 在式(2)、(2a)、(2b)及(2c)之化合物中，標號的總和q+r+s較佳為0、1或2，其中R1 具有上述所給出之定義。在式(2)、(2a)、(2b)及(2c)之化合物中，標號的總和q+r+s較佳為0或1，其中R1 具有上述所給出之定義。 在式(2)、(2a)、(2b)及(2c)之化合物中，q、r和s較佳為0或1。較佳地，若標號的總和q+r+s為1，則q為1。較佳地，q、r和s為0。 在式(4)中
Figure 02_image235
q、r和s為0或1，其中R1 具有上述所給出之定義。較佳地，式(4)中標號的總和q+r+s為0或1。在式(4)中，q、r和s更佳為0。 在式(3)中
Figure 02_image237
t在各情況下較佳獨立地為0或1。在式(3)中，t較佳為相同且為0。 在式(2)、(2a)、(2b)和(2c)之化合物或式(2)、(2a)、(2b)和(2c)之較佳化合物中，X2 在各情況下為相同或不同且為CH、CR1 或N，其中不超過2個符號X2 可為N。 在式(2)、(2a)、(2b)和(2c)之化合物或式(2)、(2a)、(2b)和(2c)之較佳化合物中，X2 較佳在各情況下為相同或不同且為CH、CR1 或N，其中不超過1個符號X2 為N。在式(2)、(2a)、(2b)和(2c)之化合物或式(2)、(2a)、(2b)和(2c)之較佳化合物中，X2 更佳在各情況下為相同或不同且在二個情況下為CH及在二個情況下為CR1 ，或在三個情況下為CH及在一個情況下為CR1 ，其中取代基R1 在各情況下獨立地具有上述所給出之定義。 Ar在各情況下獨立地為具有6至40個環原子且可經一或多個R#基團取代之芳基、或具有5至40個環原子且可經一或多個R#基團取代之雜芳基，其中R#基團具有上述所給出或下述以較佳所給出之定義。Ar在各情況下較佳獨立地為具有6至40個環原子且可經一或多個R#基團取代之芳基、或具有5至40個環原子且含有O或S作為雜原子之雜芳基，其可經一或多個R#基團取代，其中R#基團具有上述所給出或以較佳所給出之定義。 Ar在各情況下較佳為具有6至18個碳原子且可經一或多個R#基團取代之芳基、或可經一或多個R#基團取代之二苯并呋喃基或二苯并噻吩基，其中R#基團具有上述所給出或下述以較佳所給出之定義。Ar更佳為苯基、二苯并呋喃取代之苯基、二苯并噻吩取代之苯基、1,3-聯苯基、1,4-聯苯基、聯三苯基、聯四苯基、萘基、9,9-二甲基茀基、9,9-二苯基茀基、雙螺茀基、聯伸三苯基、二苯并呋喃基、苯基取代之二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或苯基取代之二苯并噻吩基。Ar最佳為苯基、1,3-聯苯基、1,4-聯苯基、萘-2-基或聯三苯-2-基(triphenyl-2-yl)。 在式(2)、(2a)、(2b)和(2c)之化合物或式(2)、(2a)、(2b)和(2c)之較佳化合物中，R#在各情況下為相同或不同且較佳係選自由D、CN和具有5至40個環原子且在各情況下可經一或多個R2 基團取代之芳族或雜芳族環系統所組成之群組。在式(2)、(2a)、(2b)和(2c)之化合物或式(2)、(2a)、(2b)和(2c)之較佳化合物中，R#在各情況下為相同或不同且更佳為未經取代之具有5至20個環原子之芳族環系統，較佳為苯基。 在本發明之一較佳實施態樣中，A符合如上所述或如描述為較佳具有取代基之式(4)。 在本發明之一較佳實施態樣中，A符合如上所述或如描述為較佳具有取代基之式(3)。 其中A符合式(3)且q、r、s和t為0的式(2)、(2a)、(2b)和(2c)之化合物可以式(2d)和(2e)表示：
Figure 02_image239
其中X2 和Ar具有上述所給出或以較佳所給出之定義。 本發明因此另外提供一種如上所述或描述為較佳之有機電致發光裝置，其中至少一種式(2)化合物對應於式(2d)化合物或式(2e)化合物。 在式(2)、(2a)、(2b)、(2c)、(2d)或(2e)之化合物之一較佳實施態樣中，式(3)和(4)之取代基各自在吲哚并[3,2,1-jk]咔唑之2位置或5位置彼此連接，如下述圖解形式所示，其中虛線表示至式(3)和(4)之取代基的鍵聯：
Figure 02_image241
。 根據本發明選擇且較佳與至少一種式(1)化合物組合使用於本發明電致發光裝置中的式(2)、(2a)、(2b)、(2c)、(2d)和(2e)之適當主體材料的實例為下表3中所給出之結構。 表3：
Figure 02_image243
Figure 02_image245
Figure 02_image247
Figure 02_image249
Figure 02_image251
Figure 02_image253
Figure 02_image255
較佳與至少一種式(1)化合物組合使用於本發明電致發光裝置中之特別適當的式(2)化合物為表4之化合物H1至H21。 表4：
Figure 02_image257
Figure 02_image259
Figure 02_image261
較佳與至少一種式(1)化合物組合使用於本發明電致發光裝置中之非常特別適當的式(2)化合物為H1、H3、H4、H5、H6、H7、H8、H11和H12。 式(2)化合物或較佳式(2)、(2a)、(2b)、(2c)、(2d)和(2e)之化合物及來自表3之化合物和化合物H1至H21的製備為熟習該項技術者已知的。化合物可藉由熟習此項技術者已知的合成步驟(例如溴化、Suzuki偶合、Ullmann偶合、Hartwig-Buchwald偶合、等等)製備。一種適當合成方法概括地顯示於下述流程2中，其中所使用之符號和標號具有上述所給出之定義。 流程2：
Figure 02_image263
。 上述式(1)之主體材料及其描述為較佳之實施態樣或來自表1之化合物和化合物E1至E54和E60至E69可根據需要在本發明裝置中與上述式(2)、(2a)、(2b)、(2c)、(2d)和(2e)之主體材料及其描述為較佳之實施態樣或來自表3之化合物或化合物H1至H21組合。 本發明同樣另外提供混合物，其包含至少一種式(1)化合物作為主體材料1和至少一種式(2)化合物作為主體材料2，
Figure 02_image265
Figure 02_image267
其中所使用的符號和標號如下： X      在各情況下為相同或不同且為CR0 或N，其中至少二個符號X為N； X2 在各情況下為相同或不同且為CH、CR1 或N，其中不超過2個符號X2 可為N； Y      在各情況下為相同或不同且係選自C(R)2 和NR； L       在各情況下為相同或不同且為單鍵或伸苯基； R*     在各情況下獨立地為D或具有6至18個環原子且可經部分或完全氘化之芳族或雜芳族環系統； R#     在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：D、F、Cl、Br、I、CN、NO2 、C(=O)R2 、P(=O)(Ar1 )2 、P(Ar1 )2 、B(Ar1 )2 、Si(Ar1 )3 、Si(R2 )3 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基或具有2至20個碳原子之烯基(彼等各自可經一或多個R2 基團取代，其中一或多個非相鄰的CH2 基團可經R2 C=CR2 、Si(R2 )2 、C=O、C=S、C=NR2 、P(=O)(R2 )、SO、SO2 、NR2 、O、S或CONR2 置換及其中一或多個氫原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換)、具有5至40個環原子且在各情況下可經一或多個R2 基團取代之芳族或雜芳族環系統、具有5至40個環原子且可經一或多個R2 基團取代之芳氧基或雜芳氧基、或具有5至40個環原子且可經一或多個R2 基團取代之芳烷基或雜芳烷基； R      在各情況下為相同或不同且係選自具有1至20個碳原子之直鏈烷基或具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、具有5至40個環原子之芳族或雜芳族環系統、或具有5至40個環原子之芳烷基或雜芳烷基；同時，鍵結至相同碳原子或鍵結至相鄰碳原子之二個取代基R可形成單環或多環的脂族、芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R2 基團取代； R1 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：CN、具有1至20個碳原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基、具有5至40個環原子之芳族或雜芳族環系統、具有5至40個環原子之芳氧基或雜芳氧基、或具有5至40個環原子之芳烷基或雜芳烷基；同時，鍵結至相同碳原子或鍵結至相鄰碳原子之二個取代基R1 可能形成單環或多環的脂族、芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R2 基團取代； R0 和R2 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：H、D、F、Cl、Br、I、CN、NO2 、N(Ar1 )2 、NH2 、N(R3 )2 、C(=O)Ar1 、C(=O)H、C(=O)R3 、P(=O)(Ar1 )2 、具有1至40個碳原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個碳原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基或具有2至40個碳原子之烯基或炔基(彼等各自可經一或多個R3 基團取代，其中一或多個非相鄰的CH2 基團可經HC=CH、R3 C=CR3 、C≡C、Si(R3 )2 、Ge(R3 )2 、Sn(R3 )2 、C=O、C=S、C=Se、C=NR3 、P(=O)(R3 )、SO、SO2 、NH、NR3 、O、S、CONH或CONR3 置換及其中一或多個氫原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換)、具有5至60個環原子且在各情況下可經一或多個R3 基團取代之芳族或雜芳族環系統、具有5至60個環原子且可經一或多個R3 基團取代之芳氧基或雜芳氧基、或此等系統的組合，其中隨意地二或多個相鄰的取代基R2 可形成單環或多環的脂族、芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R3 基團取代； R3 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：H、D、F、CN、具有1至20個碳原子之脂族烴基、或具有5至30個環原子之芳族或雜芳族環系統，其中一或多個氫原子可經D、F、Cl、Br、I或CN置換且其可經一或多個各自具有1至4個碳原子之烷基取代；同時，二或更多個相鄰的R3 取代基可能一起形成單環或多環的脂族環系統； Ar1 在各情況下為相同或不同且為具有5至30個環原子並可經一或多個非芳族R3 基團取代之芳族或雜芳族環系統；同時，鍵結至相同氮原子、磷原子或硼原子之二個Ar1 基團亦可以經由單鍵或選自N(R3 )、C(R3 )2 、O或S的橋而彼此橋聯； Ar2 和Ar3 在各情況下為不同； Ar2 在各情況下為聯苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑-N-基或咔唑-N-基-苯基，其可經一或多個R*基團取代； Ar3 在各情況下為具有5至40個環原子且可經一或多個R2 基團取代之芳基或雜芳基； A      在各情況下獨立地為式(3)或(4)之基團，
Figure 02_image269
Ar       在各情況下獨立地為具有6至40個環原子且可經一或多個R#基團取代之芳基、或具有5至40個環原子且可經一或多個R#基團取代之雜芳基； *         表示連接至式(2)之鍵結位置； a、b、c 在各情況下各自獨立地為0或1，其中在各情況下標號的總和a+b+c為1； e、f      在各情況下各自獨立地為0或1，其中在各情況下標號的總和e+f為1； n和m     在各情況下獨立地為0、1、2、3或4 ；及 q、r、s、t     在各情況下各自獨立地為0或1。 關於式(1)和(2)之主體材料和其較佳實施態樣的詳細說明因此也對應地適用於本發明之混合物。 用於本發明裝置的式(1)之主體材料與式(2)之主體材料的特佳混合物係藉由組合化合物E1至E54和E60至E69與來自表3之化合物而獲得。 用於本發明裝置的式(1)之主體材料與式(2)之主體材料的非常特佳混合物係藉由組合化合物E1至E54和E60至E69與化合物H1至H21而獲得，如下表5中所示。 表5：
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在本發明混合物中或在本發明裝置之發光層中如上所述或描述為較佳的式(1)之電子傳輸主體材料的濃度基於總混合物或基於發光層的總組成物係在從5重量%至90重量%之範圍，較佳地係在從10重量%至85重量%之範圍，更佳地係在從20重量%至85重量%之範圍，甚至更佳地係在從30重量%至80重量%之範圍，非常尤佳地係在從20重量%至60重量%之範圍，及最佳地係在從30重量%至50重量%之範圍。 在本發明混合物中或在本發明裝置之發光層中如上所述或描述為較佳的式(2)之電洞傳輸主體材料的濃度基於總混合物或基於發光層的總組成物係在從10重量%至95重量%之範圍，較佳地係在從15重量%至90重量%之範圍，更佳地係在從15重量%至80重量%之範圍，甚至更佳地係在從20重量%至70重量%之範圍，非常尤佳地係在從40重量%至80重量%之範圍，及最佳地係在從50重量%至70重量%之範圍。 本發明也關於一種混合物，除了上述主體材料1和2，如上所述或以較佳描述，尤其是混合物M1至M1344，也含有至少一種磷光發光體。 本發明也關於一種如上所述或以較佳描述之有機電致發光裝置，其中發光層，除了上述主體材料1和2，如上所述或以較佳描述，尤其是材料組合M1至M1344，也包含至少一種磷光發光體。 在本發明混合物中或在本發明裝置之發光層中如下所述或描述為較佳之磷光發光體的濃度基於總混合物或基於發光層的總組成物係在從1重量%至30重量%之範圍，較佳地係在從2重量%至20重量%之範圍，更佳地係在從4重量%至15重量%之範圍，甚至更佳地係在從8重量%至12重量%之範圍。 術語“磷光發光體”通常包含其中發光係透過從具有較高自旋多重性(即，自旋態＞1)之激發態的自旋禁止躍遷(spin-forbidden transition)，例如透過從三重態或具有甚至更高自旋量子數之狀態(例如五重態)躍遷的化合物。此較佳係理解為意指從三重態的躍遷。 適當磷光發光體(=三重態發光體)尤其為在適當激發時發光(較佳地係在可見光區域內)且也含有至少一種原子序大於20(較佳為大於38且少於84，更佳為大於56且少於80)的原子(尤其是具有此原子序的金屬)之化合物。所使用之較佳磷光發光體為含有銅、鉬、鎢、錸、釕、鋨、銠、銥、鈀、鉑、銀、金或銪之化合物，尤其是含有銥或鉑之化合物。在本發明的情況下，含有上述金屬的所有發光化合物被認為是磷光發光體。 通常，如使用於根據先前技術之磷光OLED及如熟習有機電致發光裝置領域之技術者已知的所有磷光錯合物皆適合。 上述發光體的實例可見於申請案WO 00/70655、WO 2001/41512、WO 2002/02714、WO 2002/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO 05/033244、WO 05/019373、US 2005/0258742、WO 2009/146770、WO 2010/015307、WO 2010/031485、WO 2010/054731、WO 2010/054728、WO 2010/086089、WO 2010/099852、WO 2010/102709、WO 2011/032626、WO 2011/066898、WO 2011/157339、WO 2012/007086、WO 2014/008982、WO 2014/023377、WO 2014/094961、WO 2014/094960、WO 2015/036074、WO 2015/104045、WO 2015/117718、WO 2016/015815、WO 2016/124304、WO 2017/032439、WO 2018/011186、WO 2018/001990、WO 2018/019687、WO 2018/019688、WO 2018/041769、WO 2018/054798、WO 2018/069196、WO 2018/069197、WO 2018/069273、WO 2018/178001、WO 2018/177981、WO 2019/020538、WO 2019/115423、WO 2019/158453和WO 2019/179909中。 根據本發明之較佳磷光發光體符合式(IIIa)，
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其中式(IIIa)中之符號和標號係定義如下： n+m為3，n為1或2，m為2或1， X為N或CR， R為H、D或具有1至10個碳原子之支鏈或直鏈烷基或具有1至10個碳原子之部分或完全氘化的支鏈或直鏈烷基或具有4至7個碳原子且可經氘部分或完全取代之環烷基。 本發明因此另外提供一種如上所述或描述為較佳之有機電致發光裝置，其特徵在於發光層，除了主體材料1和2，包含至少一種符合如上所述之式(IIIa)磷光發光體。 在式(IIIa)發光體中，n較佳為1及m較佳為2。在式(IIIa)發光體中，較佳地一個X係選自N且另一個X為CR。在式(IIIa)發光體中，至少一個R較佳與H不同。在式(IIIa)發光體中，較佳二個R與H不同且具有上述式(IIIa)中之發光體所給出的其他定義中之一者。 根據本發明之較佳磷光發光體符合式(I)、(II)和(III)
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Figure 02_image301
其中此等式(I)、(II)和(III)中之符號和標號係定義如下： R1 為H或D，R2 為H、D、或具有1至10個碳原子之支鏈或直鏈烷基或具有1至10個碳原子之部分或完全氘化的支鏈或直鏈烷基或具有4至10個碳原子且可經氘部分或完全取代之環烷基。 根據本發明之較佳磷光發光體符合式(IV)、(V)和(VI)：
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其中式(IV)、(V)和(VI)中之符號和標號係定義如下： R1 為H或D，R2 為H、D、F或具有1至10個碳原子之支鏈或直鏈烷基或具有1至10個碳原子之部分或完全氘化的支鏈或直鏈烷基或具有4至10個碳原子且可經氘部分或完全取代之環烷基。 磷光發光體的較佳實例係列於下表6中。 表6：
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在本發明的混合物中或在本發明裝置的發光層中，任何混合物M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10、M11、M12、M13、M14、M15、M16、M17、M18、M19、M20、M21、M22、M23、M24、M25、M26、M27、M28、M29、M30、M31、M32、M33、M34、M35、M36、M37、M38、M39、M40、M41、M42、M43、M44、M45、M46、M47、M48、M49、M50、M51、M52、M53、M54、M55、M56、M57、M58、M59、M60、M61、M62、M63、M64、M65、M66、M67、M68、M69、M70、M71、M72、M73、M74、M75、M76、M77、M78、M79、M80、M81、M82、M83、M84、M85、M86、M87、M88、M89、M90、M91、M92、M93、M94、M95、M96、M97、M98、M99、M100、M101、M102、M103、M104、M105、M106、M107、M108、M109、M110、M111、M112、M113、M114、M115、M116、M117、M118、M119、M120、M121、M122、M123、M124、M125、M126、M127、M128、M129、M130、M131、M132、M133、M134、M135、M136、M137、M138、M139、M140、M141、M142、M143、M144、M145、M146、M147、M148、M149、M150、M151、M152、M153、M154、M155、M156、M157、M158、M159、M160、M161、M162、M163、M164、M165、M166、M167、M168、M169、M170、M171、M172、M173、M174、M175、M176、M177、M178、M179、M180、M181、M182、M183、M184、M185、M186、M187、M188、M189、M190、M191、M192、M193、M194、M195、M196、M197、M198、M199、M200、M201、M202、M203、M204、M205、M206、M207、M208、M209、M210、M211、M212、M213、M214、M215、M216、M217、M218、M219、M220、M221、M222、M223、M224、M225、M226、M227、M228、M229、M230、M231、M232、M233、M234、M235、M236、M237、M238、M239、M240、M241、M242、M243、M244、M245、M246、M247、M248、M249、M250、M251、M252、M253、M254、M255、M256、M257、M258、M259、M260、M261、M262、M263、M264、M265、M266、M267、M268、M269、M270、M271、M272、M273、M274、M275、M276、M277、M278、M279、M280、M281、M282、M283、M284、M285、M286、M287、M288、M289、M290、M291、M292、M293、M294、M295、M296、M297、M298、M299、M300、M301、M302、M303、M304、M305、M306、M307、M308、M309、M310、M311、M312、M313、M314、M315、M316、M317、M318、M319、M320、M321、M322、M323、M324、M325、M326、M327、M328、M329、M330、M331、M332、M333、M334、M335、M336、M337、M338、M339、M340、M341、M342、M343、M344、M345、M346、M347、M348、M349、M350、M351、M352、M353、M354、M355、M356、M357、M358、M359、M360、M361、M362、M363、M364、M365、M366、M367、M368、M369、M370、M371、M372、M373、M374、M375、M376、M377、M378、M379、M380、M381、M382、M383、M384、M385、M386、M387、M388、M389、M390、M391、M392、M393、M394、M395、M396、M397、M398、M399、M400、M401、M402、M403、M404、M405、M406、M407、M408、M409、M410、M411、M412、M413、M414、M415、M416、M417、M418、M419、M420、M421、M422、M423、M424、M425、M426、M427、M428、M429、M430、M431、M432、M433、M434、M435、M436、M437、M438、M439、M440、M441、M442、M443、M444、M445、M446、M447、M448、M449、M450、M451、M452、M453、M454、M455、M456、M457、M458、M459、M460、M461、M462、M463、M464、M465、M466、M467、M468、M469、M470、M471、M472、M473、M474、M475、M476、M477、M478、M479、M480、M481、M482、M483、M484、M485、M486、M487、M488、M489、M490、M491、M492、M493、M494、M495、M496、M497、M498、M499、M500、M501、M502、M503、M504、M505、M506、M507、M508、M509、M510、M511、M512、M513、M514、M515、M516、M517、M518、M519、M520、M521、M522、M523、M524、M525、M526、M527、M528、M529、M530、M531、M532、M533、M534、M535、M536、M537、M538、M539、M540、M541、M542、M543、M544、M545、M546、M547、M548、M549、M550、M551、M552、M553、M554、M555、M556、M557、M558、M559、M560、M561、M562、M563、M564、M565、M566、M567、M568、M569、M570、M571、M572、M573、M574、M575、M576、M577、M578、M579、M580、M581、M582、M583、M584、M585、M586、M587、M588、M589、M590、M591、M592、M593、M594、M595、M596、M597、M598、M599、M600、M601、M602、M603、M604、M605、M606、M607、M608、M609、M610、M611、M612、M613、M614、M615、M616、M617、M618、M619、M620、M621、M622、M623、M624、M625、M626、M627、M628、M629、M630、M631、M632、M633、M634、M635、M636、M637、M638、M639、M640、M641、M642、M643、M644、M645、M646、M647、M648、M649、M650、M651、M652、M653、M654、M655、M656、M657、M658、M659、M660、M661、M662、M663、M664、M665、M666、M667、M668、M669、M670、M671、M672、M673、M674、M675、M676、M677、M678、M679、M680、M681、M682、M683、M684、M685、M686、M687、M688、M689、M690、M691、M692、M693、M694、M695、M696、M697、M698、M699、M700、M701、M702、M703、M704、M705、M706、M707、M708、M709、M710、M711、M712、M713、M714、M715、M716、M717、M718、M719、M720、M721、M722、M723、M724、M725、M726、M727、M728、M729、M730、M731、M732、M733、M734、M735、M736、M737、M738、M739、M740、M741、M742、M743、M744、M745、M746、M747、M748、M749、M750、M751、M752、M753、M754、M755、M756、M757、M758、M759、M760、M761、M762、M763、M764、M765、M766、M767、M768、M769、M770、M771、M772、M773、M774、M775、M776、M777、M778、M779、M780、M781、M782、M783、M784、M785、M786、M787、M788、M789、M790、M791、M792、M793、M794、M795、M796、M797、M798、M799、M800、M801、M802、M803、M804、M805、M806、M807、M808、M809、M810、M811、M812、M813、M814、M815、M816、M817、M818、M819、M820、M821、M822、M823、M824、M825、M826、M827、M828、M829、M830、M831、M832、M833、M834、M835、M836、M837、M838、M839、M840、M841、M842、M843、M844、M845、M846、M847、M848、M849、M850、M851、M852、M853、M854、M855、M856、M857、M858、M859、M860、M861、M862、M863、M864、M865、M866、M867、M868、M869、M870、M871、M872、M873、M874、M875、M876、M877、M878、M879、M880、M881、M882、M883、M884、M885、M886、M887、M888、M889、M890、M891、M892、M893、M894、M895、M896、M897、M898、M899、M900、M901、M902、M903、M904、M905、M906、M907、M908、M909、M910、M911、M912、M913、M914、M915、M916、M917、M918、M919、M920、M921、M922、M923、M924、M925、M926、M927、M928、M929、M930、M931、M932、M933、M934、M935、M936、M937、M938、M939、M940、M941、M942、M943、M944、M945、M946、M947、M948、M949、M950、M951、M952、M953、M954、M955、M956、M957、M958、M959、M960、M961、M962、M963、M964、M965、M966、M967、M968、M969、M970、M971、M972、M973、M974、M975、M976、M977、M978、M979、M980、M981、M982、M983、M984、M985、M986、M987、M988、M989、M990、M991、M992、M993、M994、M995、M996、M997、M998、M999、M1000、M1001、M1002、M1003、M1004、M1005、M1006、M1007、M1008、M1009、M1010、M1011、M1012、M1013、M1014、M1015、M1016、M1017、M1018、M1019、M1020、M1021、M1022、M1023、M1024、M1025、M1026、M1027、M1028、M1029、M1030、M1031、M1032、M1033、M1034、M1035、M1036、M1037、M1038、M1039、M1040、M1041、M1042、M1043、M1044、M1045、M1046、M1047、M1048、M1049、M1050、M1051、M1052、M1053、M1054、M1055、M1056、M1057、M1058、M1059、M1060、M1061、M1062、M1063、M1064、M1065、M1066、M1067、M1068、M1069、M1070、M1071、M1072、M1073、M1074、M1075、M1076、M1077、M1078、M1079、M1080、M1081、M1082、M1083、M1084、M1085、M1086、M1087、M1088、M1089、M1090、M1091、M1092、M1093、M1094、M1095、M1096、M1097、M1098、M1099、M1100、M1101、M1102、M1103、M1104、M1105、M1106、M1107、M1108、M1109、M1110、M1111、M1112、M1113、M1114、M1115、M1116、M1117、M1118、M1119、M1120、M1121、M1122、M1123、M1124、M1125、M1126、M1127、M1128、M1129、M1130、M1131、M1132、M1133或M1134、1135、M1136、M1137、M1138、M1139、M1140、M1141、M1142、M1143、M1144、M1145、M1146、M1147、M1148、M1149、M1150、M1151、M1152、M1153、M1154、M1155、M1156、M1157、M1158、M1159、M1160、M1161、M1162、M1163、M1164、M1165、M1166、M1167、M1168、M1169、M1170、M1171、M1172、M1173、M1174、M1175、M1176、M1177、M1178、M1179、M1180、M1181、M1182、M1183、M1184、M1185、M1186、M1187、M1188、M1189、M1190、M1191、M1192、M1193、M1194、M1195、M1196、M1197、M1198、M1199、M1200、M1201、M1202、M1203、M1204、M1205、M1206、M1207、M1208、M1209、M1210、M1211、M1212、M1213、M1214、M1215、M1216、M1217、M1218、M1219、M1220、M1221、M1222、M1223、M1224、M1225、M1226、M1227、M1228、M1229、M1230、M1231、M1232、M1233、M1234、M1235、M1236、M1237、M1238、M1239、M1240、M1241、M1242、M1243、M1244、M1245、M1246、M1247、M1248、M1249、M1250、M1251、M1252、M1253、M1254、M1255、M1256、M1257、M1258、M1259、M1260、M1261、M1262、M1263、M1264、M1265、M1266、M1267、M1268、M1269、M1270、M1271、M1272、M1273、M1274、M1275、M1276、M1277、M1278、M1279、M1280、M1281、M1282、M1283、M1284、M1285、M1286、M1287、M1288、M1289、M1290、M1291、M1292、M1293、M1294、M1295、M1296、M1297、M1298、M1299、M1300、M1301、M1302、M1303、M1304、M1305、M1306、M1307、M1308、M1309、M1310、M1311、M1312、M1313、M1314、M1315、M1316、M1317、M1318、M1319、M1320、M1321、M1322、M1323、M1324、M1325、M1326、M1327、M1328、M1329、M1330、M1331、M1332、M1333、M1334、M1335、M1336、M1337、M1338、M1339、M1340、M1341、M1342、M1343、M1344較佳係與式化(IIIa)合物或式(I)至(VI)化合物或來自表6之化合物組合。 本發明有機電致發光裝置中之發光層(其包含至少一種磷光發光體)較佳為紅外線-發光層或黃色-、橙色-、紅色-、綠色-、藍色-或紫外線-發光層，更佳為黃色-或綠色-發光層，及最佳為綠色-發光層。 黃色-發光層在此係理解為意指具有光致發光最大值(photoluminescence maximum)在540至570 nm範圍內之層。橙色-發光層係理解為意指具有光致發光最大值在570至600 nm範圍內之層。紅色-發光層係理解為意指具有光致發光最大值在600至750 nm範圍內之層。綠色-發光層係理解為意指具有光致發光最大值在490至540 nm範圍內之層。藍色-發光層係理解為意指具有光致發光最大值在440至490 nm範圍內之層。層之光致發光最大值在此係藉由在室溫下測量具有50 nm層厚度的層之光致發光光譜(photoluminescence spectrum)而確定，該層具有本發明式(1)和(2)之主體材料的組合和適當發光體。該層的光致發光光譜例如係用商業光致發光光譜儀記錄。 所選發光體的光致發光光譜通常係在室溫下以10-5 莫耳濃度的無氧溶液(oxygen-free solution)測量，適當溶劑為所選發光體可以所述濃度溶解於其中的任何溶劑。特別適當的溶劑通常為甲苯或2-甲基-THF，但也可為二氯甲烷。用商業光致發光光譜儀進行測量。三重態能量T1(以eV計)係從發光體的光致發光光譜測定。首先，測定光致發光光譜的峰最大值Plmax. (以nm計)。接著藉由：E(T1，以eV計)=1240/E(T1，以nm計)=1240/PLmax. (以nm計) 將峰最大值Plmax. (以nm計)轉換為eV。 較佳磷光發光體因此為紅外光發光體，較佳具有式(IIIa)、式(I)至(VI)或來自表6，其三重態能量T1 較佳為~1.9eV至~1.0eV。 較佳磷光發光體因此為紅色發光體，較佳具有式(IIIa)、式(I)至(VI)或來自表6，其三重態能量T1 較佳為~2.1eV至~1.9eV。 較佳磷光發光體因此為黃色發光體，較佳具有式(IIIa)、式(I)至(VI)或來自表6，其三重態能量T1 較佳為~2.3eV至~2.1eV。 較佳磷光發光體因此為綠色發光體，較佳具有式(IIIa)、式(I)至(VI)或來自表6，其三重態能量T1 較佳為~2.5eV至~2.3eV。 較佳磷光發光體因此為藍色發光體，較佳具有式(IIIa)、式(I)至(VI)或來自表6，其三重態能量T1 較佳為~3.1eV至~2.5eV。 較佳磷光發光體因此為式(IIIa)、式(I)至(VI)或來自表6之紫外光發光體，其三重態能量T1 較佳為~4.0eV至~3.1eV。 特佳磷光發光體因此為綠色或黃色發光體，較佳具有如上所述之式(IIIa)、式(I)至(VI)或來自表6，如上所述。 非常特佳磷光發光體因此為綠色發光體，較佳具有式(IIIa)、式(I)至(VI)或來自表6，其三重態能量T1 較佳為~2.5eV至~2.3eV。 最佳地，選擇如上所述之綠色發光體(較佳具有式(IIIa)、式(I)至(VI)或來自表6)用於本發明之組成物或本發明之發光層。 螢光發光體可能存在於本發明裝置之發光層中。較佳螢光發光體係選自芳基胺類。芳基胺或芳族胺在本發明的情況下係理解為意指含有三個直接鍵結至氮的經取代或未經取代之芳族或雜芳族環系統的化合物。較佳地，此等芳族或雜芳族環系統中之至少一者為稠合環系統，更佳地具有至少14個環原子。此等的較佳實例為芳族蒽胺、芳族蒽二胺、芳族芘胺、芳族芘二胺、芳族
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胺或芳族
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二胺。芳族蒽胺係理解為意指其中一個二芳胺基直接鍵結至蒽基(較佳地係在9位置)之化合物。芳族蒽二胺係理解為意指其中二個二芳胺基直接鍵結至蒽基(較佳地係在9,10位置)之化合物。芳族芘胺、芘二胺、
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胺及
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二胺係類似地定義，其中二芳胺基較佳地係在1位置或1,6位置鍵結至芘。其他較佳螢光發光體為茚并茀胺或茚并茀二胺，例如根據WO 2006/108497或WO 2006/122630、苯并茚并茀胺或苯并茚并茀二胺，例如根據WO 2008/006449、及二苯并茚并茀胺或二苯并茚并茀二胺，例如根據WO 2007/140847、及WO 2010/012328中所揭示的具有稠合芳基之茚并茀衍生物。 在本發明之另一較佳實施態樣中，有機電致發光裝置中之至少一層發光層，除了如上所述或描述為較佳之主體材料1和2之外，可包含其他主體材料或基質材料，稱為混合型基質系統(mixed-matrix system)。混合型基質系統較佳包含三或四種不同的基質材料，更佳地三種不同的基質材料(換言之，除了如上所述之主體材料1和2之外，一種其他基質材料)。可組合用作為混合型基質系統的基質成分之特別適當的基質材料係選自寬帶隙材料、雙極性主體材料、電子傳輸材料(ETM)和電洞傳輸材料(HTM)。 寬帶隙材料在本文中係理解為意指在US 7,294,849的揭示範圍內的材料，其特徵在於至少3.5eV的帶隙，該帶隙係理解為意指材料的HOMO和LUMO能量之間的間隙。 在本發明之一個實施態樣中，除了式(1)之電子傳輸主體材料和式(2)之電洞傳輸主體材料的組分以外，混合物不包含任何其他組分，即，功能性材料。此等本身即為用於製造發光層的材料混合物。此等混合物也稱為預混合系統，其係用作為發光層之主體材料的氣相沈積(vapour deposition)中之唯一材料來源且在氣相沈積中具有恆定的混合比。以此方式，可能以簡單且快速的方式達成具有均勻的成分分佈之層的氣相沈積而無需精確啟動多種材料來源。 在本發明之一替代實施態樣中，除了式(1)之電子傳輸主體材料和式(2)之電洞傳輸主體材料的組分以外，混合物亦包含如上所述之磷光發光體。在氣相沈積中適當混合比的情況下，此混合物也可用作為唯一的材料源，如上所述。 本發明裝置之發光層的成分或組分因此可藉由蒸氣沈積法或從溶液加工。為該目的如上所述或描述為較佳之主體材料1和2 (隨意地與如上所述或描述為較佳之磷光發光體)的材料組合係以含有至少一種溶劑之調配物提供。此等調配物例如可為溶液、分散液或乳液。為此目的，較佳的是使用二或更多種溶劑之混合物。 本發明因此另外提供一種調配物，其包含如上所述之本發明主體材料1和2的混合物，隨意地與如上所述或描述為較佳之磷光發光體組合，和至少一種溶劑。 適當且較佳的溶劑為(例如)甲苯、苯甲醚、鄰-、間-或對-二甲苯、苯甲酸甲酯、對稱三甲苯、四氫萘、藜蘆醚、THF、甲基-THF、THP、氯苯、二㗁烷、苯氧基甲苯(特別是3-苯氧基甲苯)、(-)-葑酮、1,2,3,5-四甲基苯、1,2,4,5-四甲基苯、1-甲基萘、2-甲基苯并噻唑、2-苯氧基乙醇、2-吡咯啶酮、3-甲基苯甲醚、4-甲基苯甲醚、3,4-二甲基苯甲醚、3,5-二甲基苯甲醚、苯乙酮、α-萜品醇、苯并噻唑、苯甲酸丁酯、異丙苯、環己醇、環己酮、環己基苯、十氫萘、十二烷基苯、苯甲酸乙酯、茚烷、苯甲酸甲酯、NMP、對-異丙基甲苯、苯基乙基醚、1,4-二異丙基苯、二苄基醚、二乙二醇丁基甲基醚、三乙二醇丁基甲基醚、二乙二醇二丁基醚、三乙二醇二甲基醚、二乙二醇單丁基醚、三丙二醇二甲基醚、四乙二醇二甲基醚、2-異丙基萘、戊基苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、1,1-雙(3,4-二甲基苯基)乙烷、六甲基茚烷或此等溶劑之混合物。 調配物在此也可包含至少一種同樣地使用於本發明裝置之發光層中的其他有機或無機化合物，尤其是其他發光化合物及/或其他基質材料。 根據較佳實施態樣和發光化合物，本發明裝置中的發光層較佳含有基於發光體和基質材料的總組成物為介於99.9體積%和1體積%之間，進一步較佳介於99體積%和10體積%之間，尤佳介於98體積%和60體積%之間，非常尤佳介於97體積%和80體積%之間的由根據較佳實施態樣的至少一種式(1)化合物和至少一種式(2)化合物所構成的基質材料。對應地，本發明裝置中的發光層較佳含有基於發光體和基質材料所構成之發光層的總組成物為介於0.1體積%和99體積%之間，進一步較佳介於1體積%和90體積%之間，更佳介於2體積%和40體積%之間，最佳介於3體積%和20體積%之間的發光體。若化合物係從溶液加工，較佳者為使用按重量%之對應量而非按體積%之上述所指明量。 根據較佳實施態樣和發光化合物，本發明裝置中的發光層較佳地含有按體積百分比的比為介於3：1和1：3之間，較佳介於1：2.5和1：1之間，更佳介於1：2和1：1之間的式(1)之基質材料和式(2)之基質材料。若化合物係從溶液加工，較佳者為使用按重量%之對應比而非按體積%之上述指明比。 本發明亦關於一種如上所述或描述為較佳之有機電致發光裝置，其中有機層包括電洞注入層(HIL)及/或電洞傳輸層(HTL)，其電洞注入材料和電洞傳輸材料為不含咔唑單元的單胺。電洞注入材料和電洞傳輸材料較佳包含含有茀基或雙螺茀基(bispirofluorenyl)但不含咔唑單元之單胺。 根據本發明使用於本發明裝置的發光層中之較佳單胺可以式(IVa)描述：
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其中式(IVa)中之符號和標號定義如下： Ar和Ar'  在各情況下獨立地為具有6至40個環原子之芳族環系統或具有7至40個環原子之雜芳族環系統，雜芳族環系統中不包括咔唑單元； n      在各情況下獨立地為0或1； m     在各情況下獨立地為0或1。 較佳地，式(IVa)中之至少一個Ar’為下列式(Va)或(Vb)之基團：
Figure 02_image351
其中式(Va)和(Vb)中之R在各情況下為相同或不同且係選自H、D、F、CN、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基，其中一或多個非相鄰的CH2 基團可經R2 C=CR2 、O或S置換及其中一或多個氫原子可經D、F、或CN置換，及其中二個R可形成環或多環，且*表示至式(IVa)的其餘部分之連接。 根據本發明使用於本發明裝置的有機層中之較佳單胺係描述於表7中。 表7：
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較佳電洞傳輸材料(與式(IVa)或來自表7之化合物組合或作為式(IVa)或來自表7之化合物的替代品)亦為可用於電洞傳輸層、電洞注入層或電子阻擋層中之材料，諸如茚并茀胺衍生物(例如根據WO 06/122630或WO 06/100896)、EP 1661888中所揭示之胺衍生物、六氮雜聯伸三苯(hexaaza triphenylene)衍生物(例如根據WO 01/049806)、具有稠合芳族系統之胺衍生物(例如根據US 5,061,569)、WO 95/09147中所揭示之胺衍生物、單苯并茚并茀胺(例如根據WO 08/006449)、二苯并茚并茀胺(例如根據WO 07/140847)、二氫吖啶衍生物(例如WO 2012/150001)。 本發明之有機電致發光裝置中的各層之順序較佳如下： 陽極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/電子注入層/陰極。 此種層的順序為較佳順序。同時，在此應再指出的是並非所述該等層全部都必須存在，及/或可另外存在其他層。 本發明之有機電致發光裝置可含有二或更多個發光層。發光層中之至少一者為本發明之發光層，其含有如上所述之至少一種式(1)化合物作為主體材料1和至少一種式(2)化合物作為主體材料2。更佳地，此等發光層在此情況下具有總計幾個介於380 nm與750 nm之間的發光最大值，使得總體結果為白色發光；換言之，可發螢光或發磷光且發藍光或黃光或橘光或紅光的各種發光化合物係使用於發光層中。尤佳的是三層系統，即具有三個發光層的系統，其中三層顯示藍色、綠色和橘色或紅色發光(關於基本構造參見例如WO 2005/011013)。應注意：為了產生白光，單獨使用之發射寬波長範圍的發光體化合物亦適合於代替多個發色之發光體化合物。 適當電荷傳輸材料如可用於本發明之有機電致發光裝置的電洞注入層或電洞傳輸層中或電子阻擋層中或電子傳輸層中，為例如Y. Shirota等人在Chem. Rev. 2007,107(4),953-1010中所揭示之化合物，或如根據先前技術使用在此等層中的其他材料。 使用於電子傳輸層之材料可為任何根據先前技術用作為電子傳輸層中的電子傳輸材料之材料。尤其適當的是鋁錯合物(例如Alq3 )、鋯錯合物(例如Zrq4 )、苯并咪唑衍生物、三𠯤衍生物、嘧啶衍生物、吡啶衍生物、吡𠯤衍生物、喹㗁啉衍生物、喹啉衍生物、㗁二唑衍生物、芳族酮、內醯胺、硼烷、二氮雜磷雜呃(diazaphosphole)衍生物及氧化膦衍生物。其他適當材料為上述化合物之衍生物，如JP 2000/053957、WO 2003/060956、WO 2004/028217、WO 2004/080975和WO 2010/072300中所揭示。 本發明之裝置的適當陰極為具有低功函數之金屬、金屬合金或由各種金屬所組成的多層結構，例如鹼土金屬、鹼金屬、主族金屬或鑭系元素(例如Ca、Ba、Mg、Al、In、Yb、Sm、等等)。另外適當的是由鹼金屬或鹼土金屬和銀所組成的合金，例如由鎂和銀所組成的合金。在多層結構之情況中，除了所述金屬之外，也可能使用具有較高功函數之其他金屬，例如Ag或Al，例如，在該情況中通常使用金屬之組合，諸如Ca/Ag、Mg/Ag或Ba/Ag。較佳亦可於金屬陰極與有機半導體之間引入具有高介電常數之材料的薄中間層。用於此目的之可用材料的實例為鹼金屬氟化物或鹼土金屬氟化物，但亦可為對應氧化物或碳酸鹽(例如LiF、Li2 O、BaF2 、MgO、NaF、CsF、Cs2 CO3 、等等)。為此目的也可能使用喹啉酸鋰(LiQ)。此層之層厚度較佳係介於0.5和5 nm之間。 較佳陽極為具有高功函數之材料。較佳地，陽極具有相對於真空為大於4.5eV之功函數。首先，具有高氧化還原電位之金屬適合此目的，例如Ag、Pt或Au。其次，金屬/金屬氧化物電極(例如Al/Ni/NiOx 、Al/PtOx )亦可為較佳的。就一些應用而言，至少一個電極必須為透明或部分透明，以使有機材料之照射(有機太陽能電池)或發光(OLED、O-雷射)成為可能。較佳陽極材料在此為導電性混合金屬氧化物。特佳者為氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。此外較佳者為導電性摻雜型有機材料，尤其是導電性摻雜型聚合物。此外，陽極也可由二或多層組成，例如ITO的內層和金屬氧化物(較佳氧化鎢、氧化鉬或氧化釩)的外層。 在製造過程中，將本發明之有機電致發光裝置適當地(根據應用)結構化，連接接點且最後密封，因為在水及/或空氣存在下本發明裝置的壽命縮短。 在本文中不限制本發明裝置的製造。可能藉由昇華方法塗覆一或多層有機層，包括發光層。在此情形下，該等材料係於真空昇華系統中在低於10-5 毫巴，較佳低於10-6 毫巴之初壓力下藉由氣相沈積施加。然而，在此情形下，初壓力也可能甚至更低，例如低於10-7 毫巴。 本發明之有機電致發光裝置較佳其特徵在於以OVPD (有機氣相沈積)方法或輔以載體-氣體昇華法施加一或多層。在此情形下，該等材料係在介於10-5 毫巴與1巴之間的壓力下施加。此方法的一特殊例子為OVJP (有機氣相噴墨印刷)方法，其中該等材料係藉由噴嘴直接施加且因此結構化(例如，M. S. Arnold et al., Appl. Phys. Lett. 2008,92,053301)。 本發明之有機電致發光裝置另外較佳特徵在於一或多層包含本發明組成物的有機層係例如以旋轉塗布或以任何印刷法，例如網版印刷、快乾印刷、噴嘴印刷或平版印刷，但是更佳為LITI (光誘導熱成像、熱轉移印刷)或噴墨印刷，從溶液製造。為此目的，需要可溶性主體材料1和2及磷光發光體。從溶液加工具有例如可以非常簡單和廉價的方式施加發光層的優點。此技術尤其適合於有機電致發光裝置的大量製造。 此外，混合方法也是可能的，其中，例如，從溶液施加一或多層及藉由氣相沈積施加一或多個其他層。 此等方法為熟習該項技術者一般已知的且可應用於有機電致發光裝置。 本發明因此另外提供一種製造如上所述或描述為較佳之本發明有機電致發光裝置之方法，其特徵在於發光層係藉由氣相沈積，尤其藉由昇華方法及/或藉由OVPD (有機氣相沈積)方法及/或輔以載體氣體昇華法、或從溶液，尤其藉由旋轉塗布或藉由印刷方法來施加。 在利用氣相沈積製造之情況下，原則上有二種方式，其中本發明之發光層可施加或氣相沈積至任何基板或前一層上。第一種，所使用之材料最初可各自裝入材料源中，及最終自不同的材料源蒸發(“共蒸發”)。第二種，可將各種材料預混合(預混合系統)且最初可將混合物裝入單一材料源中，最終從其蒸發(“預混合蒸發”)。以此方式，可能以一種簡單且快速的方式達到具有均勻的成分分佈之發光層的氣相沈積，而不需要精確啟動多種材料源。 本發明因此另外提供一種製造本發明裝置之方法，其特徵在於至少一種如上所述或描述為較佳之式(1)化合物和至少一種如上所述或描述為較佳之式(2)化合物係從氣相連續地或同時地自至少二種材料源(隨意地與至少一種如上所述或描述為較佳之磷光發光體一起)沈積，並形成發光層。 在本發明之一較佳實施態樣中，發光層係利用氣相沈積來施加，其中該組成物中之組分可預混合且從單一材料源蒸發。 本發明因此另外提供一種製造本發明裝置之方法，其特徵在於至少一種式(1)化合物及至少一種式(2)化合物係以混合物與至少一種磷光發光體從氣相連續地或同時地沈積，並形成發光層。 本發明另外提供一種製造如上所述或描述為較佳之本發明裝置之方法，其特徵在於至少一種如上所述或描述為較佳之式(1)化合物和至少一種式(2)化合物係與至少一種磷光發光體一起從溶液施加以形成發光層。 本發明之裝置特徵為下列超越先前技術之令人驚訝的優點： 如上所述，使用所述之主體材料1和2的材料組合尤其導致裝置壽命的增加，且具有其他可比的裝置性能數據。 應指出本發明中所述之實施態樣的變化係涵蓋在本發明範圍內。除非此被明確排除，否則本發明所揭示之任何特徵可與用於相同目的或相等或類似目的之替代性特徵交換。除非另外陳述，否則本發明中所揭示之任何特徵因此應視為來自通用系列之實例或視為相等或類似特徵。 本發明之所有特徵可以任何方式彼此組合，除非特定特徵及/或步驟是互斥的。這對於本發明的較佳特徵尤其如此。同樣地，非必要組合的特徵可單獨(而不是組合)使用。 以本發明揭示之技術教示可予以摘取及與其他實例組合。本發明係以下列實施例更詳細地說明，但並不意欲因此限制本發明。
一般方法： 在所有量子化學計算中，使用Gaussian16 (Rev. B.01)套裝軟體。中性單重態基態在B3LYP/6-31G(d)能階進行最佳化。在B3LYP/6-31G(d)能階測定B3LYP/6-31G(d)-最佳化基態能量的HOMO及LUMO值。接著藉由相同方法(B3LYP/6-31G(d))並用最佳化基態幾何來計算TD-DFT單重態及三重態激發(垂直激發)。使用SCF及梯度收斂的標準設定。從能量計算，獲得以哈崔單位(hartree units)表示之被兩個電子佔用的最終軌域(阿爾法occ.特徵值)之HOMO和第一未佔用軌域(阿爾法virt.特徵值)的LUMO，其中HEh和LEh分別表示以哈崔單位表示之HOMO能量和以哈崔單位表示之LUMO能量。此用以測定藉由循環伏安法測量校準之HOMO和LUMO值(以電子伏特表示)，如下：
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材料之三重態能階T1係定義為具有由量子化學能量計算得到的最低能量之三重態的相對激發能量(以eV計)。材料之單重態能階S1係定義為具有由量子化學能量計算得到的第二最低能量之單重態的相對激發能量(以eV計)。能量最低的單重態係稱為S0。本文中所述方法與所使用的套裝軟體無關且總是產生相同的結果。為此目的常用程式的實例為“Gaussian09”(Gaussian Inc.)和Q-Chem 4.1(Q-Chem，Inc.)。在本情況下，能量係使用套裝軟體“Gaussian16 (Rev. B.01)”計算。 實施例1：OLED的製造 下列實施例(參見表8至10)藉由與來自先前技術的材料組合比較而呈現本發明的材料組合於OLED中的應用。 實施例V1至V15和E1a至E5i和E6a至E15a之預處理： 將以厚度50 nm之結構化ITO (氧化銦錫)塗布之玻璃板在塗布之前先以氧電漿處理，接著以氬電漿處理。此等經電漿處理的玻璃板形成對其施加OLED的基板。 OLED基本上具有下列層結構：基板/電洞注入層(HIL)/電洞傳輸層(HTL)/電子阻擋(EBL)/發光層(EML)/隨意的電洞阻斷層(HBL)/電子傳輸層(ETL)/隨意的電子注入層(EIL)及最後的陰極。陰極係由厚度100 nm的鋁層形成。OLED的精確結構可見於表8中。製造OLED所需的材料，若彼等之前沒有被描述過，則顯示於表10中。OLED的裝置數據係列於表9中。實施例V1和V15為比較例。實施例E1a至E5i和E6a至E15a顯示本發明OLED之數據。 所有材料係於真空室中藉由熱氣相沈積施加。在此情況下，發光層總是由至少二種基質材料和發光摻雜劑(發光體)組成，發光摻雜劑(發光體)係藉由共蒸發以特定的體積比率加至基質材料中。以如E3：H3：TE2 (32%：60%：8%)的形式給出之詳細說明在本文中意指材料E3以32%的體積比例、H3以60%的比例及TE2以8%的比例存在於層中。類似地，電子傳輸層亦可由二種材料的混合物組成。 電致發光光譜係在1000 cd/m²之發光強度下測量，且由此計算CIE 1931 x和y色座標。表9中的參數U10係指10 mA/cm²電流密度所需之電壓。EQE10指示於10 mA/cm²達到的外部量子效率。壽命LT係定義為在以恆定電流密度j0 操作的過程中，發光強度從起始發光強度下降到某一比例L1經過的時間，以cd/m²表示，以順向模式測量。表9中L1=80%的數字意指LT欄中所報告之壽命對應於發光強度(cd/m²)降至其初始值的80%經過的時間。 本發明的混合物於OLED之用途 本發明的材料組合係使用於實施例E1a至Elk、E2a至E2k、E3a至E3k、E4a至E4k、E5a至E5i、E6a至E15a中作為綠色磷光OLED的發光層中之基質材料。作為與先前技術之比較，比較例V1至V15中使用材料E55、E56、E57、E58、E59和BCbz1至BCbz6。發光層中之E58與H9的組合係揭示於例如KR20180012499中。當比較本發明實施例與對應的比較例時，可明顯地看出本發明實施例各自顯示裝置壽命上的明顯優點，且展現出其他可比的OLED性能數據。 表8：OLED的結構
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表9：OLED的數據
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表10：所使用之OLED的材料之結構式，若之前尚未描述：
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E55和E56係描述於WO2015014435中；E57係描述於WO2011088877中；E58係描述於KR20180012499中；E59係描述於US20100187977中；E60係描述於US20170117488中。 除非另有說明，否則下列合成係在保護氣體氛圍下於乾燥溶劑中進行。該等溶劑和試劑可購自例如Sigma-ALDRICH或ABCR。中括弧內之個別數字或個別化合物所引用之數字係關於從文獻得知的化合物之CAS編號。 化合物的製備 E5 (117)：
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在惰性氛圍下將7,7-二甲基-5H-茚并[2,1-b]咔唑[CAS-1257220-47-5](28.34g，100.0mmol)初進料至600ml乾燥DMF中。在室溫下，逐漸添加氫化鈉懸浮液(60%，在石蠟油中) (4.19g，105.0mmol)，並將混合物在室溫下攪拌1h。隨後，小心添加2-氯-4-二苯并呋喃-3-基-6-苯基-1,3,5-三𠯤[2142681-84-1] (37.57g，105.0mmol)，並將反應混合物在室溫下攪拌過夜。滴加500ml的水，並將混合物攪拌另1小時，接著將固體利用抽氣過濾濾出，並用250 ml的水洗滌3次，用250 ml的乙醇洗滌3次。將粗製產物用甲苯/庚烷(3：1)在氧化鋁上進行鹼性熱萃取兩次，接著從乙酸乙酯再結晶三次及最後在高真空下昇華。產量：27.4g (45.3mmol，45%)；純度：以HPLC為＞99.9%。 可類似地製備下列化合物：純化也可使用管柱層析法，或使用其他標準溶劑(諸如乙醇、丁醇、丙酮、乙酸乙酯、乙腈、甲苯、二甲苯、二氯甲烷、甲醇、四氫呋喃、乙酸正丁酯、1,4-二㗁烷)之再結晶或熱萃取，或使用高沸點溶劑(諸如二甲亞碸、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮、等等)之再結晶進行。
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E38的合成：
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將7,7-二甲基-5H-茚并[2,1-b]咔唑[CAS-1257220-47-5](28.34g，100.0mmol)、2-[1,1'-聯苯]-4-基-4-(3-氯苯基)-6-苯基-1,3,5-三𠯤[2085262-87-7] (46.19g，110mmol)和三級丁醇鈉(19.22g，200mmol)在甲苯(900ml)中的初進料惰性化30min。隨後，依次添加XPhos (3.28g，6.88mmol)和Pd2 (dba)3 (1.26g，1.38mmol)並將反應混合物在回流下加熱16h。藉由用甲苯/水萃取將混合物進行後處理，將合併之有機相用Na2 SO4 乾燥，將濾液濃縮至乾。將殘餘物懸浮在乙醇(700ml)中並在回流下沸騰2 h。將固體利用抽氣過濾濾出，並用乙醇洗滌。將粗製產物用甲苯/庚烷(1：2)進行熱萃取三次，接著從乙酸乙酯再結晶兩次及最後在高真空下昇華。產量：34.6g (51.9mmol，52%)；純度：以HPLC為＞99.9%。 可類似地製備下列化合物。此處所使用的觸媒系統(鈀源和配位基)也可為Pd2 (dba)3 與SPhos[657408-07-6]或Pd(OAc)2 與S-Phos或Pd2 (dba)3 與Pt Bu3 或Pd(OAc)2 與Pt Bu3 (t Bu意指三級丁基)。純化也可使用管柱層析法、或使用其他標準溶劑(諸如乙醇、丁醇、丙酮、乙酸乙酯、乙腈、甲苯、二甲苯、二氯甲烷、甲醇、四氫呋喃、乙酸正丁酯、1,4-二㗁烷)之再結晶或熱萃取，或使用高沸點溶劑(諸如二甲亞碸、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮、等等)之再結晶進行。
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H3的合成
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將K3 PO4 (95.7g，451mmol)、三(鄰甲苯基)膦(2.33g，7.52mmol)和Pd(OAc)2 (840mg，3.76mmol)加至在惰性氛圍下的9-[1,1'-聯苯]-3-基-3-溴-9H-咔唑(59.88g，150.3 mmol)[CAS-1428551-28-3]、5-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜硼雜環戊烷-2-基)吲哚并[3,2,1-jk]咔唑(51.1g，147.3 mmol)[CAS-1454807-26-1]在甲苯(1200ml)、1,4-二㗁烷(1200 ml)和水(600 ml)中的初進料中，及將混合物在回流下攪拌32 h。冷卻後，將混合物用甲苯/水萃取進行後處理，將水相用甲苯萃取三次(每次500ml)，及將合併之有機相用Na2 SO4 乾燥。首先藉由在EtOH (1500ml)中攪拌萃取粗製產物。將利用抽氣過濾濾出之固體用熱的庚烷/甲苯進行萃取兩次，從DMAc再結晶兩次及最後在高真空下昇華。產量：40.5g (72.5mmol，48%)；純度：以HPLC為＞99.9%。 可類似地製備下列化合物。此處所使用的觸媒系統(鈀源和配位基)也可為Pd2 (dba)3 與SPhos[657408-07-6]、或肆(三苯基膦)鈀(0)或雙(三苯基膦)氯化鈀(II)[13965-03-2]。純化也可使用管柱層析法、或使用其他標準溶劑(諸如乙醇、丁醇、丙酮、乙酸乙酯、乙腈、甲苯、二甲苯、二氯甲烷、甲醇、四氫呋喃、乙酸正丁酯、1,4-二㗁烷)之再結晶或熱萃取，或使用高沸點溶劑(諸如二甲亞碸、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮、等等)之再結晶完成。
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Claims (15)

  1. 一種有機電致發光裝置，其包含陽極、陰極和至少一層有機層，該有機層含有至少一層發光層，其中該至少一層發光層含有至少一種式(1)化合物作為主體材料1和至少一種式(2)化合物作為主體材料2，
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    其中所使用的符號和標號如下： X   在各情況下為相同或不同且為CR0 或N，其中至少二個符號X為N； X2 在各情況下為相同或不同且為CH、CR1 或N，其中不超過2個符號X2 可為N； Y   在各情況下為相同或不同且係選自C(R)2 和NR； L   在各情況下為相同或不同且為單鍵或伸苯基； R* 在各情況下獨立地為D或具有6至18個環原子且可經部分或完全氘化之芳族或雜芳族環系統； R# 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：D、F、Cl、Br、I、CN、NO2 、C(=O)R2 、P(=O)(Ar1 )2 、P(Ar1 )2 、B(Ar1 )2 、Si(Ar1 )3 、Si(R2 )3 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基或具有2至20個碳原子之烯基(彼等各自可經一或多個R2 基團取代，其中一或多個非相鄰的CH2 基團可經R2 C=CR2 、Si(R2 )2 、C=O、C=S、C=NR2 、P(=O)(R2 )、SO、SO2 、NR2 、O、S或CONR2 置換及其中一或多個氫原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換)、具有5至40個環原子且在各情況下可經一或多個R2 基團取代之芳族或雜芳族環系統、具有5至40個環原子且可經一或多個R2 基團取代之芳氧基或雜芳氧基、或具有5至40個環原子且可經一或多個R2 基團取代之芳烷基或雜芳烷基； R   在各情況下為相同或不同且係選自具有1至20個碳原子之直鏈烷基或具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、具有5至40個環原子之芳族或雜芳族環系統、或具有5至40個環原子之芳烷基或雜芳烷基；同時，二個取代基R可形成單環或多環的脂族、芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R2 基團取代； R1 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：CN、具有1至20個碳原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基、具有5至40個環原子之芳族或雜芳族環系統、或具有5至40個環原子之芳氧基或雜芳氧基、或具有5至40個環原子之芳烷基或雜芳烷基；同時，鍵結至相同碳原子或鍵結至相鄰碳原子之二個取代基R1 可能形成單環或多環的脂族、芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R2 基團取代； R0 和R2 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：H、D、F、Cl、Br、I、CN、NO2 、N(Ar1 )2 、NH2 、N(R3 )2 、C(=O)Ar1 、C(=O)H、C(=O)R3 、P(=O)(Ar1 )2 、具有1至40個碳原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個碳原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基或具有2至40個碳原子之烯基或炔基(彼等各自可經一或多個R3 基團取代，其中一或多個非相鄰的CH2 基團可經HC=CH、R3 C=CR3 、C≡C、Si(R3 )2 、Ge(R3 )2 、Sn(R3 )2 、C=O、C=S、C=Se、C=NR3 、P(=O)(R3 )、SO、SO2 、NH、NR3 、O、S、CONH或CONR3 置換及其中一或多個氫原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換)、具有5至60個環原子且在各情況下可經一或多個R3 基團取代之芳族或雜芳族環系統、具有5至60個環原子且可經一或多個R3 基團取代之芳氧基或雜芳氧基、或此等系統的組合，其中隨意地二或多個相鄰的取代基R2 可形成單環或多環的脂族、芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R3 基團取代； R3 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：H、D、F、CN、具有1至20個碳原子之脂族烴基、或具有5至30個環原子之芳族或雜芳族環系統，其中一或多個氫原子可經D、F、Cl、Br、I或CN置換且其可經一或多個各自具有1至4個碳原子之烷基取代；同時，二或更多個相鄰的R3 取代基可能一起形成單環或多環的脂族環系統； Ar1 在各情況下為相同或不同且為具有5至30個環原子並可經一或多個非芳族R3 基團取代之芳族或雜芳族環系統；同時，鍵結至相同氮原子、磷原子或硼原子之二個Ar1 基團亦可以經由單鍵或選自N(R3 )、C(R3 )2 、O或S的橋而彼此橋聯； Ar2 和Ar3 在各情況下為不同； Ar2 在各情況下為聯苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑-N-基或咔唑-N-基-苯基，其可經一或多個R*基團取代； Ar3 在各情況下為具有5至40個環原子且可經一或多個R2 基團取代之芳基或雜芳基； A   在各情況下獨立地為式(3)或(4)之基團，
    Figure 03_image003
    Ar 在各情況下獨立地為具有6至40個環原子且可經一或多個R#基團取代之芳基、或具有5至40個環原子且可經一或多個R#基團取代之雜芳基； *   表示連接至式(2)之鍵結位置； a、b、c 在各情況下各自獨立地為0或1，其中在各情況下標號的總和a+b+c為1； e、f 在各情況下各自獨立地為0或1，其中在各情況下標號的總和e+f為1； n和m 在各情況下獨立地為0、1、2、3或4；及 q、r、s、t 在各情況下各自獨立地為0或1。
  2. 根據請求項1之有機電致發光裝置，其中該主體材料1中之符號Y為C(R)2 。
  3. 根據請求項1或2之有機電致發光裝置，其中該主體材料2符合式(2a)、(2b)或(2c)中之一者，
    Figure 03_image005
    其中所使用之符號和標號A、R1 、q、r和s係如請求項1中所定義。
  4. 根據請求項1至3中之一或多項之有機電致發光裝置，其中，在該主體材料1中，X在三個情況下為N。
  5. 根據請求項1至4中之一或多項之有機電致發光裝置，其為選自下列之電致發光裝置：有機發光電晶體(OLET)、有機場淬熄裝置(OFQD)、有機發光電化學電池(OLEC、LEC、LEEC)、有機雷射二極體(O-雷射)和有機發光二極體(OLED)。
  6. 根據請求項1至5中之一或多項之有機電致發光裝置，其中，除了發光層(EML)之外，其包含電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)及/或電洞阻擋層(HBL)。
  7. 根據請求項1至6中之一或多項之有機電致發光裝置，其中該發光層，以及該至少一種主體材料1和該至少一種主體材料2，含有至少一種磷光發光體。
  8. 根據請求項7之有機電致發光裝置，其中該磷光發光體符合式(IIIa)，
    Figure 03_image007
    其中式(IIIa)中之符號和標號係定義如下： n+m為3，n為1或2，m為2或1， X為N或CR， R為H、D或具有1至10個碳原子之支鏈或直鏈烷基或具有1至10個碳原子之部分或完全氘化的支鏈或直鏈烷基或具有4至7個碳原子且可經氘部分或完全取代之環烷基。
  9. 一種製造根據請求項1至8中之一或多項之裝置的方法，其特徵在於該發光層係藉由氣相沈積或從溶液施加。
  10. 根據請求項9之方法，其中該至少一種式(1)化合物及該至少一種式(2)化合物係由至少兩種材料來源且隨意地與該至少一種磷光發光體，連續或同時從氣相沈積，及形成該發光層。
  11. 根據請求項9之方法，其中該至少一種式(1)化合物及該至少一種式(2)化合物係以混合物形式，與該至少一種磷光發光體，連續或同時從氣相沈積，及形成該發光層。
  12. 根據請求項9之方法，其中該至少一種式(1)化合物及該至少一種式(2)化合物係與該至少一種磷光發光體一起從溶液施加以形成該發光層。
  13. 一種混合物，其包含至少一種式(1)化合物作為主體材料1和至少一種式(2)化合物作為主體材料2，
    Figure 03_image009
    其中所使用的符號和標號如下： X    在各情況下為相同或不同且為CR0 或N，其中至少二個符號X為N； X2 在各情況下為相同或不同且為CH、CR1 或N，其中不超過2個符號X2 可為N； Y   在各情況下為相同或不同且係選自C(R)2 和NR； L   在各情況下為相同或不同且為單鍵或伸苯基； R* 在各情況下獨立地為D或具有6至18個環原子且可經部分或完全氘化之芳族或雜芳族環系統； R# 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：D、F、Cl、Br、I、CN、NO2 、C(=O)R2 、P(=O)(Ar1 )2 、P(Ar1 )2 、B(Ar1 )2 、Si(Ar1 )3 、Si(R2 )3 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基或具有2至20個碳原子之烯基(彼等各自可經一或多個R2 基團取代，其中一或多個非相鄰的CH2 基團可經R2 C=CR2 、Si(R2 )2 、C=O、C=S、C=NR2 、P(=O)(R2 )、SO、SO2 、NR2 、O、S或CONR2 置換及其中一或多個氫原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換)、具有5至40個環原子且在各情況下可經一或多個R2 基團取代之芳族或雜芳族環系統、具有5至40個環原子且可經一或多個R2 基團取代之芳氧基或雜芳氧基、或具有5至40個環原子且可經一或多個R2 基團取代之芳烷基或雜芳烷基； R   在各情況下為相同或不同且係選自具有1至20個碳原子之直鏈烷基或具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、具有5至40個環原子之芳族或雜芳族環系統、或具有5至40個環原子之芳烷基或雜芳烷基；同時，二個取代基R可形成單環或多環的脂族、芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R2 基團取代； R1 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：CN、具有1至20個碳原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基、具有5至40個環原子之芳族或雜芳族環系統、具有5至40個環原子之芳氧基或雜芳氧基、或具有5至40個環原子之芳烷基或雜芳烷基；同時，鍵結至相同碳原子或鍵結至相鄰碳原子之二個取代基R1 可能形成單環或多環的脂族、芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R2 基團取代； R0 和R2 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：H、D、F、Cl、Br、I、CN、NO2 、N(Ar1 )2 、NH2 、N(R3 )2 、C(=O)Ar1 、C(=O)H、C(=O)R3 、P(=O)(Ar1 )2 、具有1至40個碳原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個碳原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基或具有2至40個碳原子之烯基或炔基(彼等各自可經一或多個R3 基團取代，其中一或多個非相鄰的CH2 基團可經HC=CH、R3 C=CR3 、C≡C、Si(R3 )2 、Ge(R3 )2 、Sn(R3 )2 、C=O、C=S、C=Se、C=NR3 、P(=O)(R3 )、SO、SO2 、NH、NR3 、O、S、CONH或CONR3 置換及其中一或多個氫原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換)、具有5至60個環原子且在各情況下可經一或多個R3 基團取代之芳族或雜芳族環系統、具有5至60個環原子且可經一或多個R3 基團取代之芳氧基或雜芳氧基、或此等系統的組合，其中隨意地二或多個相鄰的取代基R2 可形成單環或多環的脂族、芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個R3 基團取代； R3 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：H、D、F、CN、具有1至20個碳原子之脂族烴基、或具有5至30個環原子之芳族或雜芳族環系統，其中一或多個氫原子可經D、F、Cl、Br、I或CN置換且其可經一或多個各自具有1至4個碳原子之烷基取代；同時，二或更多個相鄰的R3 取代基可能一起形成單環或多環的脂族環系統； Ar1 在各情況下為相同或不同且為具有5至30個環原子並可經一或多個非芳族R3 基團取代之芳族或雜芳族環系統；同時，鍵結至相同氮原子、磷原子或硼原子之二個Ar1 基團亦可以經由單鍵或選自N(R3 )、C(R3 )2 、O或S的橋而彼此橋聯； Ar2 和Ar3 在各情況下為不同； Ar2 在各情況下為聯苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑-N-基或咔唑-N-基苯基，其可經一或多個R*基團取代； Ar3 在各情況下為具有5至40個環原子且可經一或多個R2 基團取代之芳基或雜芳基； A   在各情況下獨立地為式(3)或(4)之基團，
    Figure 03_image011
    Ar 在各情況下獨立地為具有6至40個環原子且可經一或多個R#基團取代之芳基、或具有5至40個環原子且可經一或多個R#基團取代之雜芳基； *   表示連接至式(2)之鍵結位置； a、b、c 在各情況下各自獨立地為0或1，其中在各情況下標號的總和a + b + c為1； e、f 在各情況下各自獨立地為0或1，其中在各情況下標號的總和e+f為1； n和m   在各情況下獨立地為0、1、2、3或4；及 q、r、s、t 在各情況下各自獨立地為0或1。
  14. 根據請求項13之混合物，其中該混合物由至少一種式(1)化合物、至少一種式(2)化合物和磷光發光體組成。
  15. 一種調配物，其包含根據請求項13或14之混合物和至少一種溶劑。
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