TW202107699A - 顯示基板及其製備方法、顯示面板、顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

一種顯示基板及其製備方法、顯示面板、顯示裝置。顯示基板（100）包括襯底基板（10）和重複單元（11），重複單元（11）包括多個子畫素（12），包括第一子畫素（G1）和第二子畫素（G2），第一子畫素（G1）的發光元件（120a）發出的光的顏色和第二子畫素（G2）的發光元件（120b）發出的光的顏色相同，第一子畫素（G1）的發光元件（120a）的第一發光電壓施加電極（1201a）的形狀和第二子畫素（G2）的發光元件（120b）的第一發光電壓施加電極（1201b）的形狀不相同，每個子畫素（12）包括發光元件（120）和驅動發光元件（120）發光的畫素電路（121），第一子畫素（G1）的發光元件（120a）的第一發光電壓施加電極（1201a）在襯底基板（10）上的正投影與第一子畫素（G1）的畫素電路（121a）的驅動電路（122a）的控制端在襯底基板（10）上的正投影至少部分重疊，第二子畫素（G2）的發光元件（120b）的第一發光電壓施加電極（1201b）在襯底基板（10）上的正投影與第二子畫素（G2）的畫素電路（121b）的驅動電路（122b）的控制端在襯底基板（10）上的正投影至少部分重疊。

Description

顯示基板及其製備方法、顯示面板、顯示裝置
本公開的實施例涉及一種顯示基板及其製備方法、顯示面板、顯示裝置。
隨著主動矩陣有機發光二極體(Active-matrix organic light-emitting diode，AMOLED)在顯示領域的迅猛發展，人們對顯示效果的要求越來越高。由於具有顯示品質高等優點，高解析度顯示裝置的應用範圍也越來越廣。通常，可通過減小畫素的尺寸和減小畫素間的間距來提高顯示裝置的解析度。
本公開至少一些實施例提供一種顯示基板，包括襯底基板和設置在所述襯底基板上的多個重複單元，每個所述重複單元包括多個子畫素，每個所述子畫素包括發光元件和驅動所述發光元件發光的畫素電路，所述畫素電路包括驅動電路，所述發光元件包括第一發光電壓施加電極、第二發光電壓施加電極和設置在所述第一發光電壓施加電極和所述第二發光電壓施加電極之間的發光層，所述多個子畫素包括第一子畫素和第二子畫素，所述第一子畫素的發光元件發出的光的顏色和所述第二子畫素的發光元件發出的光的顏色相同，所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極的形狀和所述第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極的形狀不相同，所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極在所述襯底基板上的正投影與所述第一子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊，所述第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極在所述襯底基板上的正投影與所述第二子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極在所述襯底基板上的正投影的面積和所述第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極在所述襯底基板上的正投影的面積不相同。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，所述第一子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端在所述襯底基板上的正投影和所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極在所述襯底基板上的正投影的重疊部分的面積為第一面積，所述第二子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端在所述襯底基板上的正投影和所述第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極在所述襯底基板上的正投影的重疊部分的面積為第二面積，所述第一面積和所述第二面積的比值滿足以下關係式：
Amin≤AR1/AR2≤Amax，
其中，AR1表示所述第一面積，AR2表示所述第二面積，Amin表示最小比值閾值，且為90%，Amax表示最大比值閾值，且為110%。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，所述第一子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端在所述襯底基板上的正投影位於所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極在所述襯底基板上的正投影內；所述第二子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端在所述襯底基板上的正投影位於所述第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極在所述襯底基板上的正投影內。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，所述第一子畫素的發光元件的發光層在所述襯底基板上的正投影與所述第二子畫素的發光元件的發光層在所述襯底基板上的正投影是連續的。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，所述畫素電路還包括第一發光控制電路和第二發光控制電路，所述驅動電路包括控制端、第一端和第二端，且被配置為為所述發光元件提供驅動所述發光元件發光的驅動電流；所述第一發光控制電路與所述驅動電路的第一端和第一電壓端連接，且被配置為實現所述驅動電路和所述第一電壓端之間的連接導通或斷開，所述第二發光控制電路與所述驅動電路的第二端和所述發光元件的第一發光電壓施加電極電連接，且被配置為實現所述驅動電路和所述發光元件之間的連接導通或斷開。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，所述第一子畫素的畫素電路還包括第一寄生電路，所述第二子畫素的畫素電路還包括第二寄生電路，所述第一寄生電路與所述第一子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端和所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極電連接，且被配置為基於所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極的電壓控制所述第一子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端的電壓，所述第二寄生電路與所述第二子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端和所述第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極電連接，且被配置為基於所述第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極的電壓控制所述第二子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端的電壓。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，所述第一寄生電路包括第一電容，所述第一電容包括第一極和第二極，所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極包括輔助電極塊，所述輔助電極塊在所述襯底基板上的正投影與所述第一子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊，所述輔助電極塊作為所述第一電容的第一極，所述第一子畫素的驅動電路的控制端複用為所述第一電容的第二極。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極還包括第一驅動電極塊，所述第一驅動電極塊和所述輔助電極塊電連接，所述第一驅動電極塊在所述襯底基板上的正投影、所述第一子畫素的發光元件的發光層在所述襯底基板上的正投影和所述第一子畫素的發光元件的第二發光電壓施加電極在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，所述第二寄生電路包括第二電容，所述第二電容包括第一極和第二極，所述第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極包括第二驅動電極塊，所述第二驅動電極塊在所述襯底基板上的正投影與所述第二子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊，所述第二驅動電極塊在所述襯底基板上的正投影、所述第二子畫素的發光元件的發光層在所述襯底基板上的正投影和所述第二子畫素的發光元件的第二發光電壓施加電極在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊，所述第二驅動電極塊複用為所述第二電容的第一極，所述第二子畫素的驅動電路的控制端複用為所述第二電容的第二極。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，所述第一驅動電極塊的形狀與所述第二驅動電極塊的形狀相同，所述第一驅動電極塊在所述襯底基板上的正投影的面積與所述第二驅動電極塊在所述襯底基板上的正投影的面積相同。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，在所述每個重複單元中，所述第一子畫素和所述第二子畫素沿第一方向排列，所述第一方向平行於所述襯底基板的表面，在所述第一方向上，所述輔助電極塊位於所述第一驅動電極塊的遠離所述第二子畫素的發光元件的一側。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，所述輔助電極塊在所述襯底基板上的正投影與所述第一子畫素的發光元件的發光層在所述襯底基板上的正投影不重疊。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極還包括第一連接電極塊，在所述第一方向上，所述第一連接電極塊位於所述第一驅動電極塊的遠離所述第二子畫素的發光元件的一側，所述第一連接電極塊位於所述輔助電極塊和所述第一驅動電極塊之間，且與所述輔助電極塊和所述第一驅動電極塊均電連接。
例如，本公開一些實施例提供的顯示基板還包括中間層，在垂直於所述襯底基板的表面的方向上，所述畫素電路位於所述中間層和所述襯底基板之間，所述發光元件位於所述中間層的遠離所述襯底基板的一側，所述中間層包括第一過孔，所述第一連接電極塊延伸至所述第一過孔且通過所述第一過孔與所述第一子畫素的畫素電路電連接。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，所述第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極還包括第二連接電極塊，所述第二連接電極塊與所述第二驅動電極塊電連接，在所述第一方向上，所述第二連接電極塊位於所述第二驅動電極塊的遠離所述第一子畫素的發光元件的一側。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，所述中間層包括第二過孔，所述第二連接電極塊延伸至所述第二過孔且通過所述第二過孔與所述第二子畫素的畫素電路電連接。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，所述第一連接電極塊通過所述第一過孔與所述第一子畫素的畫素電路的第二發光控制電路電連接，所述第二連接電極塊通過所述第二過孔與所述第二子畫素的畫素電路的第二發光控制電路電連接。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，所述畫素電路包括主動半導體層、閘極金屬層和源汲極金屬層，在垂直於所述襯底基板的方向上，所述主動半導體層位於所述襯底基板與所述閘極金屬層之間，所述閘極金屬層位於所述主動半導體層和所述源汲極金屬層之間，所述第一連接電極塊通過所述第一過孔延伸到所述第一子畫素的畫素電路的源汲極金屬層，所述第二連接電極塊通過所述第二過孔延伸到所述第二子畫素的畫素電路的源汲極金屬層。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，所述多個子畫素還包括第三子畫素和第四子畫素，在所述每個重複單元中，所述第三子畫素和所述第四子畫素沿第二方向排列，且在所述第二方向上，所述第一子畫素和所述第二子畫素位於所述第三子畫素和所述第四子畫素之間，所述第二方向平行於所述襯底基板的表面，且所述第一方向和所述第二方向相互垂直。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，所述第三子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極包括彼此電連接的第三驅動電極塊和第三連接電極塊，所述第四子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極包括彼此電連接的第四驅動電極塊和第四連接電極塊，所述中間層包括第三過孔和第四過孔，所述第三連接電極塊延伸至所述第三過孔且通過所述第三過孔與所述第三子畫素的畫素電路電連接，所述第四連接電極塊延伸至所述第四過孔且通過所述第四過孔與所述第四子畫素的畫素電路電連接。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，在所述每個重複單元中，在所述第一方向上，所述第三連接電極位於所述第三驅動電極塊的遠離所述輔助電極塊的一側，在所述第二方向上，所述第三連接電極位於所述第三驅動電極塊的靠近所述第四驅動電極塊的一側，在所述第一方向上，所述第四連接電極位於所述第四驅動電極塊的遠離所述輔助電極塊的一側，在所述第二方向上，所述第四連接電極位於所述第四驅動電極塊的靠近所述第三驅動電極塊的一側。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，所述第三連接電極塊通過所述第三過孔與所述第三子畫素的畫素電路的第二發光控制電路電連接，所述第四連接電極塊通過所述第四過孔與所述第四子畫素的畫素電路的第二發光控制電路電連接。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，所述多個重複單元沿第二方向排列以形成多個重複單元組，所述多個重複單元組沿所述第一方向排列，在所述第一方向上，所述第一連接電極塊、所述第二連接電極塊、所述第三連接電極塊和所述第四連接電極塊位於相鄰兩個重複單元組之間，在所述第一方向上，所述輔助電極塊的至少一部分位於在所述輔助電極塊遠離所述第一驅動電極塊的一側且與所述輔助電極塊所在的重複單元組相鄰的重複單元組中的相鄰兩個重複單元之間。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，所述第一子畫素和所述第二子畫素均為綠色子畫素，所述第三子畫素為紅色子畫素，所述第四子畫素為藍色子畫素。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，所述畫素電路還包括資料寫入電路、儲存電路、閾值補償電路和重置電路，所述資料寫入電路與所述驅動電路的第一端電連接，且被配置為在掃描信號的控制下將資料信號寫入所述儲存電路；所述儲存電路與所述驅動電路的控制端和所述第一電壓端電連接，且被配置為儲存所述資料信號；所述閾值補償電路與所述驅動電路的控制端和第二端電連接，且被配置為對所述驅動電路進行閾值補償；所述重置電路與所述驅動電路的控制端和所述發光元件的第一發光電壓施加電極電連接，且配置為在重置控制信號的控制下對所述驅動電路的控制端和所述發光元件的第一發光電壓施加電極進行重置。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，所述驅動電路包括驅動電晶體，所述驅動電路的控制端包括所述驅動電晶體的閘極，所述驅動電路的第一端包括所述驅動電晶體的第一極，所述驅動電路的第二端包括所述驅動電晶體的第二極，所述資料寫入電路包括資料寫入電晶體，所述儲存電路包括第三電容，所述閾值補償電路包括閾值補償電晶體，所述重置電路包括第一重置電晶體和第二重置電晶體，所述第一發光控制電路包括第一發光控制電晶體，所述第二發光控制電路包括第二發光控制電晶體，所述重置控制信號包括第一子重置控制信號和第二子重置控制信號，所述資料寫入電晶體的第一極與所述驅動電晶體的第一極電連接，所述資料寫入電晶體的第二極被配置為接收所述資料信號，所述資料寫入電晶體的閘極被配置為接收所述掃描信號；所述第三電容的第一極與所述第一電壓端電連接，所述第三電容的第二極與所述驅動電晶體的閘極電連接；所述閾值補償電晶體的第一極與所述驅動電晶體的第二極電連接，所述閾值補償電晶體的第二極與所述驅動電晶體的閘極電連接，所述閾值補償電晶體的閘極被配置為接收補償控制信號；所述第一重置電晶體的第一極被配置為接收第一重置信號，所述第一重置電晶體的第二極與所述驅動電晶體的閘極電連接，所述第一重置電晶體的閘極被配置為接收所述第一子重置控制信號；所述第二重置電晶體的第一極被配置為接收第二重置信號，所述第二重置電晶體的第二極與所述發光元件的第一發光電壓施加電極電連接，所述第二重置電晶體的閘極被配置為接收所述第二子重置控制信號；所述第一發光控制電晶體的第一極與所述第一電壓端電連接，所述第一發光控制電晶體的第二極與所述驅動電晶體的第一極電連接，所述第一發光控制電晶體的閘極被配置為接收第一發光控制信號，所述第二發光控制電晶體的第一極與所述驅動電晶體的第二極電連接，所述第二發光控制電晶體的第二極與所述發光元件的第一發光電壓施加電極電連接，所述第二發光控制電晶體的閘極被配置為接收第二發光控制信號。
本公開一些實施例還提供一種顯示面板，包括根據上述任一項所述的顯示基板。
本公開一些實施例還提供一種顯示裝置，包括根據上述任一項所述的顯示面板。
例如，本公開一些實施例提供的顯示裝置還包括：驅動晶片，所述驅動晶片與所述顯示面板電連接，且所述驅動晶片位於每個所述重複單元中的第一子畫素的遠離第二子畫素的一側。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示裝置中，在每個所述重複單元中，所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極在所述襯底基板上的正投影的面積大於所述第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極在所述襯底基板上的正投影的面積。
本公開一些實施例還提供一種用於製備根據上述任一項所述的顯示基板的製備方法，包括：提供所述襯底基板，在所述襯底基板上形成所述多個重複單元，其中，每個所述重複單元包括多個子畫素，每個所述子畫素包括畫素電路和發光元件，所述發光元件包括第一發光電壓施加電極、第二發光電壓施加電極和設置在所述第一發光電壓施加電極和所述第二發光電壓施加電極之間的發光層，所述多個子畫素包括第一子畫素和第二子畫素，所述第一子畫素的發光元件發出的光的顏色和所述第二子畫素的發光元件發出的光的顏色相同，所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極的形狀和所述第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極的形狀不相同，所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極在所述襯底基板上的正投影與所述第一子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊，所述第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極在所述襯底基板上的正投影與所述第二子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊。
本公開一些實施例還提供一種顯示基板，包括襯底基板和設置在所述襯底基板上的多個重複單元，每個所述重複單元包括多個子畫素，每個所述子畫素包括發光元件和驅動所述發光元件發光的畫素電路，所述畫素電路包括驅動電路，所述發光元件包括第一發光電壓施加電極、第二發光電壓施加電極和設置在所述第一發光電壓施加電極和所述第二發光電壓施加電極之間的發光層，所述多個子畫素的驅動電路在所述襯底基板上陣列排列，所述多個子畫素包括第一子畫素和第二子畫素，所述第一子畫素的發光元件發出的光的顏色和所述第二子畫素的發光元件發出的光的顏色相同，所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極包括輔助電極塊、第一驅動電極塊和第一連接電極塊，所述第一驅動電極塊、所述輔助電極塊和所述第一連接電極塊彼此電連接，所述第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極包括第二驅動電極塊和第二連接電極塊，所述第二驅動電極塊和所述第二連接電極塊電連接，所述輔助電極塊位於所述第一子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端的遠離所述襯底基板的一側，所述第二驅動電極塊位於所述第二子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端的遠離所述襯底基板的一側。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，所述第一驅動電極塊的形狀和所述輔助電極塊的形狀不相同，所述第一驅動電極塊的形狀與所述第二驅動電極塊的形狀相同，所述第一驅動電極塊在所述襯底基板上的正投影的面積與所述第二驅動電極塊在所述襯底基板上的正投影的面積相同。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，所述第一連接電極塊的形狀與所述第二連接電極塊的形狀相同，所述第一連接電極塊在所述襯底基板上的正投影的面積與所述第二連接電極塊在所述襯底基板上的正投影的面積相同。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，所述第一子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端和所述第二子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端沿第一方向排列，在所述第一方向上，所述第一驅動電極塊位於所述第一子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端靠近所述第二子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端的一側。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，在所述第一方向上，所述第一驅動電極塊位於所述第一子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端和所述第二子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端之間。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，在所述第一方向上，所述第一連接電極塊位於所述第一驅動電極塊的遠離所述第二子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端的一側。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，在所述第一方向上，所述第一連接電極塊位於所述第一子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端和所述第二子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端之間。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，在所述第一方向上，所述第一連接電極塊位於所述第一驅動電極塊和所述輔助電極塊之間。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，在所述第一方向上，所述第二連接電極塊位於所述第二子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端的遠離所述第一子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端的一側，所述第二驅動電極塊位於所述第二連接電極塊和所述第一驅動電極塊之間。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，所述第一子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端的中心和所述第一驅動電極塊的中心之間的距離大於所述第二子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端的中心和所述第二驅動電極塊的中心之間的距離。
本公開一些實施例還提供一種顯示基板，包括襯底基板和設置在所述襯底基板上的多個重複單元，每個所述重複單元包括多個子畫素，每個所述子畫素包括發光元件和驅動所述發光元件發光的畫素電路，所述發光元件包括第一發光電壓施加電極、第二發光電壓施加電極和設置在所述第一發光電壓施加電極和所述第二發光電壓施加電極之間的發光層，所述畫素電路包括驅動電路、第二發光控制電路和重置電路，所述第二發光控制電路電連接至第二發光控制信號線、所述驅動電路的第二端、所述發光元件的第一發光電壓施加電極，且被配置為在所述第二發光控制信號線提供的第二發光控制信號的控制下實現所述驅動電路和所述發光元件之間的連接導通或斷開，所述重置電路電連接至所述驅動電路的控制端和第一重置控制信號線，且配置為在所述第一重置控制信號線提供的第一子重置控制信號的控制下對所述驅動電路的控制端進行重置，所述第二發光控制信號線和所述第一重置控制信號線沿第一方向排列，所述多個子畫素包括第一子畫素和第二子畫素，所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極在所述襯底基板上的正投影和與所述第二子畫素的畫素電路的重置電路連接的第一重置控制信號線在所述襯底基板上的正投影、與所述第一子畫素的畫素電路的第二發光控制電路連接的第二發光控制信號線在所述襯底基板上的正投影均至少部分重疊，所述第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極在所述襯底基板上的正投影和與所述第二子畫素的畫素電路的第二發光控制電路連接的第二發光控制信號線在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，所述畫素電路還包括資料寫入電路，所述資料寫入電路電連接至所述驅動電路的第一端和第一掃描信號線，且被配置為在所述第一掃描信號線提供的掃描信號的控制下將資料信號寫入所述驅動電路的控制端，在所述第一方向上，所述第一掃描信號線位於所述第二發光控制信號線和所述第一重置控制信號線之間，所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極和所述第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極沿所述第一方向排列，在所述第一方向上，與所述第二子畫素的畫素電路的資料寫入電路連接的第一掃描信號線位於所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極和所述第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極之間。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，所述重置電路還與第一重置電源信號線電連接，所述重置電路配置為在所述第一重置控制信號線提供的第一子重置控制信號的控制下根據所述第一重置電源信號線提供的第一重置信號對所述驅動電路的控制端進行重置，在所述第一方向上，所述第一重置電源信號線位於所述第一重置控制信號線的遠離所述第二發光控制信號線的一側，所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極在所述襯底基板上的正投影還和與所述第二子畫素的畫素電路的重置電路連接的第一重置電源信號線在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，所述第二發光控制信號線、所述第一重置控制信號線、所述第一掃描信號線和所述第一重置電源信號線均沿第二方向延伸，所述第二方向與所述第一方向相互垂直。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，所述第二發光控制信號線、所述第一重置控制信號線、所述第一掃描信號線和所述第一重置電源信號線彼此平行。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極包括輔助電極塊、第一驅動電極塊和第一連接電極塊，所述第一驅動電極塊、所述輔助電極塊和所述第一連接電極塊彼此電連接，且沿所述第一方向排列，所述第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極包括第二驅動電極塊和第二連接電極塊，所述第二驅動電極塊和所述第二連接電極塊電連接，且沿所述第一方向排列，在所述第一方向上，所述第一連接電極塊和所述輔助電極塊均位於所述第一驅動電極塊的遠離所述第二驅動電極塊的一側，所述第一連接電極塊位於所述輔助電極塊和所述第一驅動電極塊之間，所述第二連接電極塊位於所述第二驅動電極塊的遠離所述第一驅動電極塊的一側，所述第一驅動電極塊在所述襯底基板上的正投影和與所述第二子畫素的畫素電路的重置電路連接的第一重置控制信號線在所述襯底基板上的正投影、與所述第二子畫素的畫素電路的重置電路連接的第一重置電源信號線在所述襯底基板上的正投影均至少部分重疊，所述第一連接電極塊在所述襯底基板上的正投影和與所述第一子畫素的畫素電路的第二發光控制電路連接的第二發光控制信號線在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊，在所述第一方向上，所述輔助電極塊位於與所述第一子畫素的畫素電路的第二發光控制電路連接的第二發光控制信號線的遠離所述第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極的一側，所述第二連接電極塊在所述襯底基板上的正投影和與所述第二子畫素的畫素電路的第二發光控制電路連接的第二發光控制信號線在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊，在所述第一方向上，所述第二驅動電極塊位於與所述第二子畫素的畫素電路的第二發光控制電路連接的第二發光控制信號線和與所述第二子畫素的畫素電路的資料寫入電路連接的第一掃描信號線之間。
例如，在本公開一些實施例提供的顯示基板中，所述第一子畫素的發光元件發出的光的顏色和所述第二子畫素的發光元件發出的光的顏色相同，所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極的形狀和所述第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極的形狀不相同。
具體實施方式
為了使得本公開實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本公開實施例的附圖，對本公開實施例的技術方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例是本公開的一部分實施例，而不是全部的實施例。基於所描述的本公開的實施例，本領域普通技術人員在無需創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本公開保護的範圍。
除非另外定義，本公開使用的技術術語或者科學術語應當為本公開所屬領域內具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語並不表示任何順序、數量或者重要性，而只是用來區分不同的組成部分。“包括”或者“包含”等類似的詞語意指出現該詞前面的元件或者物件涵蓋出現在該詞後面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“連接”或者“相連”等類似的詞語並非限定於物理的或者機械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的。“上”、“下”、“左”、“右”等僅用於表示相對位置關係，當被描述物件的絕對位置改變後，則該相對位置關係也可能相應地改變。
為了保持本公開實施例的以下說明清楚且簡明，本公開省略了部分已知功能和已知部件的詳細說明。
圖1為一種畫素排列結構中的畫素重複單元的結構示意圖，如圖1所示，一種畫素排列結構包括多個畫素重複單元400，多個畫素重複單元400沿方向405和方向406陣列排列。每個畫素重複單元400包括紅色子畫素401、藍色子畫素402、第一綠色子畫素403和第二綠色子畫素404。如圖1所示，紅色子畫素401和藍色子畫素402沿405方向排列，第一綠色子畫素403和第二綠色子畫素404沿方向406排列，且在方向405上，第一綠色子畫素403和第二綠色子畫素404位於紅色子畫素401和藍色子畫素402之間。
在對圖1所示的畫素排列結構中的各個子畫素進行點燈檢測的過程中，由於第一綠色子畫素403和第二綠色子畫素404的亮度不一致，從而導致亮點汲檢的問題，即部分綠色子畫素無法被檢測到。根據實驗結果可知，第一綠色子畫素403的亮度比第二綠色子畫素404的亮度高，從而出現第一綠色子畫素403發亮，而第二綠色子畫素404發暗的現象。
每個子畫素中，發光元件的陽極和驅動電晶體的閘極之間存在寄生電容，該寄生電容會影響發光元件的發光亮度，且寄生電容越大，發光亮度越弱；寄生電容越小，發光亮度越強。通過對畫素排列結構進行分析可知，在該畫素排列結構中，用於驅動第一綠色子畫素403的畫素電路中的驅動電晶體的閘極未被第一綠色子畫素403的發光元件中的陽極遮擋，而用於驅動第二綠色子畫素404的畫素電路中的驅動電晶體的閘極被第二綠色子畫素404的發光元件中的陽極遮擋。由此，第一綠色子畫素403的驅動電晶體的閘極和發光元件之間不存在寄生電容，或者第一綠色子畫素403的驅動電晶體的閘極和發光元件之間的寄生電容小於第二綠色子畫素404的驅動電晶體的閘極和發光元件之間的寄生電容，即第一綠色子畫素403的驅動電晶體的閘極和發光元件之間的寄生電容和第二綠色子畫素404的驅動電晶體的閘極和發光元件之間的寄生電容存在較大的差異，從而導致每個重複單元中的第一綠色子畫素403和第二綠色子畫素404的亮度差異，嚴重影響顯示效果。
本公開至少一些實施例提供一種顯示基板及其製備方法、顯示面板、顯示裝置，在該顯示基板中，第一子畫素的發光元件覆蓋第一子畫素的驅動電晶體的閘極，第二子畫素的發光元件也覆蓋第二子畫素的驅動電晶體的閘極，從而減小第一子畫素的發光元件和驅動電晶體的閘極之間的寄生電容和第二子畫素的發光元件和驅動電晶體的閘極之間的寄生電容的差異，使第一子畫素和第二子畫素的畫素亮度均達到一致，從而提高顯示均勻性和顯示效果，解決顯示面板的畫素亮度差異的問題。另外，該顯示基板結構簡單，易於設計製造，成本較低。
下面結合附圖對本公開的幾個實施例進行詳細說明，但是本公開並不限於這些具體的實施例。
圖2為本公開一些實施例提供的一種顯示基板的示意性框圖，圖3A為本公開一些實施例提供的一種顯示基板的平面示意圖，圖3A為本公開一些實施例提供的一種畫素電路的結構示意圖，圖3B為本公開一些實施例提供的一種第一子畫素的畫素電路的結構示意圖，圖3C為本公開一些實施例提供的一種第二子畫素的畫素電路的結構示意圖。
例如，如圖2所示，本公開的實施例提供的顯示基板100包括襯底基板10和設置在襯底基板10上的多個重複單元11，每個重複單元11包括多個子畫素12。每個子畫素12包括發光元件120和畫素電路121，畫素電路121用於驅動發光元件120發光，畫素電路121包括驅動電路122。
例如，顯示基板100可以應用於顯示面板，例如主動矩陣有機發光二極體（AMOLED）顯示面板等。顯示基板100可以為陣列基板。
例如，襯底基板10可以為玻璃基板、石英基板、塑膠基板等合適的基板。
例如，每個子畫素12的發光元件120包括第一發光電壓施加電極、第二發光電壓施加電極和設置在第一發光電壓施加電極和第二發光電壓施加電極之間的發光層。
例如，多個子畫素12包括第一子畫素G1和第二子畫素G2。
例如，如圖3A所示，畫素電路121還包括第一發光控制電路123和第二發光控制電路124。驅動電路122包括控制端、第一端和第二端，且被配置為為發光元件120提供驅動發光元件120發光的驅動電流。例如，第一發光控制電路123與驅動電路122的第一端和第一電壓端VDD連接，且被配置為實現驅動電路122和第一電壓端VDD之間的連接導通或斷開，第二發光控制電路124與驅動電路122的第二端和發光元件120的第一發光電壓施加電極電連接，且被配置為實現驅動電路122和發光元件120之間的連接導通或斷開。
例如，如圖3B和圖3C所示，第一子畫素G1的畫素電路121a還包括第一寄生電路125a，第二子畫素G2的畫素電路121b還包括第二寄生電路125b。例如，第一寄生電路125a與第一子畫素G1的畫素電路121a的驅動電路122a的控制端和第一子畫素G1的發光元件120a的第一發光電壓施加電極電連接，且被配置為基於第一子畫素G1的發光元件120a的第一發光電壓施加電極的電壓控制第一子畫素G1的畫素電路121a的驅動電路122a的控制端的電壓。第二寄生電路125b與第二子畫素G2的畫素電路121b的驅動電路的控制端和第二子畫素G2的發光元件120b的第一發光電壓施加電極電連接，且被配置為基於第二子畫素G2的發光元件120b的第一發光電壓施加電極的電壓控制第二子畫素G2的畫素電路121b的驅動電路122b的控制端的電壓。
需要說明的是，畫素電路121還可以包括寄生電路，而圖3A中未示出該寄生電路，例如，圖3A未示出了第一子畫素G1的畫素電路中的第一寄生電路和第二子畫素G2的畫素電路中的第二寄生電路。
例如，如圖3A所示，畫素電路121還包括資料寫入電路126、儲存電路127、閾值補償電路128和重置電路129。資料寫入電路126與驅動電路122的第一端電連接，且被配置為在掃描信號的控制下將資料信號寫入儲存電路127；儲存電路127與驅動電路122的控制端和第一電壓端VDD電連接，且被配置為儲存資料信號；閾值補償電路128與驅動電路122的控制端和第二端電連接，且被配置為對驅動電路122進行閾值補償；重置電路129與驅動電路122的控制端和發光元件120的第一發光電壓施加電極電連接，且配置為在重置控制信號的控制下對驅動電路122的控制端和發光元件120的第一發光電壓施加電極進行重置。
例如，如圖3A所示，驅動電路122包括驅動電晶體T1，驅動電路122的控制端包括驅動電晶體T1的閘極，驅動電路122的第一端包括驅動電晶體T1的第一極，驅動電路122的第二端包括驅動電晶體T1的第二極。
例如，如圖3A所示，資料寫入電路126包括資料寫入電晶體T2，儲存電路127包括第三電容C2，閾值補償電路128包括閾值補償電晶體T3，第一發光控制電路123包括第一發光控制電晶體T4，第二發光控制電路124包括第二發光控制電晶體T5，重置電路129包括第一重置電晶體T6和第二重置電晶體T7，重置控制信號可以包括第一子重置控制信號和第二子重置控制信號。
例如，如圖3A所示，資料寫入電晶體T2的第一極與驅動電晶體T1的第一極電連接，資料寫入電晶體T2的第二極被配置為與資料線Vd電連接以接收資料信號，資料寫入電晶體T2的閘極被配置為與第一掃描信號線Ga1電連接以接收掃描信號；第三電容C2的第一極與第一電壓端VDD電連接，第三電容C2的第二極與驅動電晶體T1的閘極電連接；閾值補償電晶體T3的第一極與驅動電晶體T1的第二極電連接，閾值補償電晶體T3的第二極與驅動電晶體T1的閘極電連接，閾值補償電晶體T3的閘極被配置為與第二掃描信號線Ga2電連接以接收補償控制信號；第一重置電晶體T6的第一極被配置為與第一重置電源端Vinit1電連接以接收第一重置信號，第一重置電晶體T6的第二極與驅動電晶體T1的閘極電連接，第一重置電晶體T6的閘極被配置為與第一重置控制信號線Rst1電連接以接收第一子重置控制信號；第二重置電晶體T7的第一極被配置為與第二重置電源端Vinit2電連接以接收第二重置信號，第二重置電晶體T7的第二極與發光元件120的第一發光電壓施加電極電連接，第二重置電晶體T7的閘極被配置為與第二重置控制信號線Rst2電連接以接收第二子重置控制信號；第一發光控制電晶體T4的第一極與第一電壓端VDD電連接，第一發光控制電晶體T4的第二極與驅動電晶體T1的第一極電連接，第一發光控制電晶體T4的閘極被配置為與第一發光控制信號線EM1電連接以接收第一發光控制信號；第二發光控制電晶體T5的第一極與驅動電晶體T1的第二極電連接，第二發光控制電晶體T5的第二極與發光元件120的第一發光電壓施加電極電連接，第二發光控制電晶體T5的閘極被配置為與第二發光控制信號線EM2電連接以接收第二發光控制信號；發光元件120的第二發光電壓施加電極與第二電壓端VSS電連接。
例如，如圖3B所示，對於第一子畫素G1，第一寄生電路125a包括第一電容C11，第一電容C11包括第一極CC3a和第二極CC4a。第一電容C11的第一極CC3a與第一子畫素G1的發光元件120a的第一發光電壓施加電極電連接，第一電容C11的第二極CC4a與第一子畫素G1的畫素電路121a的驅動電晶體T1的閘極電連接。
例如，如圖3C所示，對於第二子畫素G2，第二寄生電路125b包括第二電容C12，第二電容C12包括第一極和第二極。第二電容C12的第一極與第二子畫素G2的發光元件120b的第一發光電壓施加電極電連接，第二電容C12的第二極與第二子畫素G2的畫素電路121b的驅動電晶體T1的閘極電連接。
例如，第一電容C11的電容值和第二電容C12的電容值可以相同，從而可以使第一子畫素G1和第二子畫素G2的畫素亮度均達到一致，提高顯示均勻性和顯示效果。
例如，第一電壓端VDD和第二電壓端VSS之一為高壓端，另一個為低壓端。例如，如圖3A所示的實施例中，第一電壓端VDD為電壓源以輸出恒定的第一電壓，第一電壓為正電壓；而第二電壓端VSS可以為電壓源以輸出恒定的第二電壓，第二電壓為負電壓等。例如，在一些示例中，第二電壓端VSS可以接地。
例如，對於第一子畫素G1，如圖3B所示，第一子畫素G1的畫素電路121a還包括資料寫入電路126a、儲存電路127a、閾值補償電路128a和重置電路129a；對於第二子畫素G2，如圖3C所示，第二子畫素G2的畫素電路121b還包括資料寫入電路126b、儲存電路127b、閾值補償電路128b和重置電路129b。第一子畫素G1的畫素電路121a和第二子畫素G2的畫素電路121b中的各個電路中的各個元件的連接關係以及作用等均與上面對圖3A描述的示例相類似，重複之處在此不再贅述。
例如，如圖3A所示，掃描信號和補償控制信號可以相同，即，資料寫入電晶體T2的閘極和閾值補償電晶體T3的閘極可以電連接到同一條信號線，例如第一掃描信號線Ga1，以接收相同的信號（例如，掃描信號），此時，顯示基板100可以不設置第二掃描信號線Ga2，減少信號線的數量。又例如，資料寫入電晶體T2的閘極和閾值補償電晶體T3的閘極也可以分別電連接至不同的信號線，即資料寫入電晶體T2的閘極電連接到第一掃描信號線Ga1，閾值補償電晶體T3的閘極電連接到第二掃描信號線Ga2，而第一掃描信號線Ga1和第二掃描信號線Ga2傳輸的信號相同。
需要說明的是，掃描信號和補償控制信號也可以不相同，從而使得資料寫入電晶體T2的閘極和閾值補償電晶體T3可以被分開單獨控制，增加控制畫素電路的靈活性。
例如，如圖3A-3B所示，第一發光控制信號和第二發光控制信號可以相同，即，第一發光控制電晶體T4的閘極和第二發光控制電晶體T5的閘極可以電連接到同一條信號線，例如第一發光控制信號線EM1，以接收相同的信號（例如，第一發光控制信號），此時，顯示基板100可以不設置第二發光控制信號線EM2，減少信號線的數量。又例如，第一發光控制電晶體T4的閘極和第二發光控制電晶體T5的閘極也可以分別電連接至不同的信號線，即，第一發光控制電晶體T4的閘極電連接到第一發光控制信號線EM1，第二發光控制電晶體T5的閘極電連接到第二發光控制信號線EM2，而第一發光控制信號線EM1和第二發光控制信號線EM2傳輸的信號相同。
需要說明的是，當第一發光控制電晶體T4和第二發光控制電晶體T5為不同類型的電晶體，例如，第一發光控制電晶體T4為P型電晶體，而第二發光控制電晶體T5為N型電晶體時，第一發光控制信號和第二發光控制信號也可以不相同，本公開的實施例對此不作限制。
例如，第一子重置控制信號和第二子重置控制信號可以相同，即，第一重置電晶體T6的閘極和第二重置電晶體T7的閘極可以電連接到同一條信號線，例如第一重置控制信號線Rst1，以接收相同的信號（例如，第一子重置控制信號），此時，顯示基板100可以不設置第二重置控制信號線Rst2，減少信號線的數量。又例如，第一重置電晶體T6的閘極和第二重置電晶體T7的閘極也可以分別電連接至不同的信號線，即第一重置電晶體T6的閘極電連接到第一重置控制信號線Rst1，第二重置電晶體T7的閘極電連接到第二重置控制信號線Rst2，而第一重置控制信號線Rst1和第二重置控制信號線Rst2傳輸的信號相同。需要說明的是，第一子重置控制信號和第二子重置控制信號也可以不相同。
例如，在一些示例中，第二子重置控制信號可以與掃描信號相同，即第二重置電晶體T7的閘極可以電連接到第一掃描信號線Ga1以接收掃描信號作為第二子重置控制信號。
例如，第一重置電源端Vinit1和第二重置電源端Vinit2可以為直流參考電壓端，以輸出恒定的直流參考電壓。第一重置電源端Vinit1和第二重置電源端Vinit2可以為高壓端，也可以為低壓端，只要其能夠提供第一重置信號和第二重置信號以對驅動電晶體T1的閘極和發光元件120的第一發光電壓施加電極進行重置即可，本公開對此不作限制。
需要說明的是，圖3A-3B所示的畫素電路中的驅動電路122、資料寫入電路126、儲存電路127、閾值補償電路128和重置電路129僅為示意性的，驅動電路122、資料寫入電路126、儲存電路127、閾值補償電路128和重置電路129等電路的具體結構可以根據實際應用需求進行設定，本公開的實施例對此不作具體限定。
例如，按照電晶體的特性，電晶體可以分為N型電晶體和P型電晶體，為了清楚起見，本公開的實施例以電晶體為P型電晶體（例如，P型MOS電晶體）為例詳細闡述了本公開的技術方案，也就是說，在本公開的描述中，驅動電晶體T1、資料寫入電晶體T2、閾值補償電晶體T3、第一發光控制電晶體T4、第二發光控制電晶體T5、第一重置電晶體T6和第二重置電晶體T7等均可以為P型電晶體。然而本公開的實施例的電晶體不限於P型電晶體，本領域技術人員還可以根據實際需要利用N型電晶體（例如，N型MOS電晶體）實現本公開的實施例中的一個或多個電晶體的功能。
需要說明的是，本公開的實施例中採用的電晶體可以為薄膜電晶體或場效應電晶體或其他特性相同的開關器件，薄膜電晶體可以包括氧化物半導體薄膜電晶體、非晶矽薄膜電晶體或多晶矽薄膜電晶體等。電晶體的源極、汲極在結構上可以是對稱的，所以其源極、汲極在物理結構上可以是沒有區別的。在本公開的實施例中，為了區分電晶體，除作為控制極的閘極，直接描述了其中一極為第一極，另一極為第二極，所以本公開的實施例中全部或部分電晶體的第一極和第二極根據需要是可以互換的。
需要說明的是，除了設置位置以外，第一子畫素G1的畫素電路121a中的各個電路（例如，驅動電路122a、第一發光控制電路123a、第二發光控制電路124a、資料寫入電路126a、儲存電路127a、閾值補償電路128a、重置電路129a等）的連接關係、結構和類型等分別與第二子畫素G2的畫素電路121b中的對應的各個電路（例如，驅動電路122b、第一發光控制電路123b、第二發光控制電路124b、資料寫入電路126b、儲存電路127b、閾值補償電路128b、重置電路129b等）的連接關係、結構和類型等均相同，也就是說，例如，第一子畫素G1的畫素電路121a中的驅動電路122a的結構和類型等均與第二子畫素G2的畫素電路121b中的驅動電路122b的結構和類型等相同。且，第一子畫素G1的畫素電路121a中的各個電路與第二子畫素G2的畫素電路121b中的對應的各個電路可以採用同一工藝同時製備，例如，第一子畫素G1的畫素電路121a中的驅動電路122a與第二子畫素G2的畫素電路121b中的驅動電路122b採用同一構圖工藝同時製備得到。
值得注意的是，如圖3B所示，與第一子畫素G1的畫素電路121a中的各個電路電連接的各條信號線分別為第一掃描信號線Ga1a、第二掃描信號線Ga2a、第一重置控制信號線Rst1a、第二重置控制信號線Rst2a、第一重置電源端Vinit1a、第二重置電源端Vinit2a、第一發光控制信號線EM1a、第二發光控制信號線EM2a、資料線Vd。如圖3C所示，與第二子畫素G2的畫素電路121b中的各個電路電連接的各條信號線分別為第一掃描信號線Ga1b、第二掃描信號線Ga2b、第一重置控制信號線Rst1b、第二重置控制信號線Rst2b、第一重置電源端Vinit1b、第二重置電源端Vinit2b、第一發光控制信號線EM1b、第二發光控制信號線EM2b、資料線Vd。
需要說明的是，在本公開實施例中，子畫素的畫素電路除了可以為圖3A所示的7T2C（即七個電晶體、一個電容和一個寄生電容）的結構之外，還可以為包括其他數量的電晶體的結構，如6T2C結構或者9T2C結構，本公開實施例對此不作限定。
圖4A-4E為本公開一些實施例提供的一種畫素電路的各層的示意圖。下面結合附圖4A-4E描述畫素電路中的各個電路在背板上的位置關係，圖4A-4E所示的示例以第一子畫素G1的畫素電路121a為例。如圖3B所示，該第一子畫素G1的畫素電路121a包括圖3B所示的驅動電晶體T1、資料寫入電晶體T2、閾值補償電晶體T3、第一發光控制電晶體T4、第二發光控制電晶體T5、第一重置電晶體T6和第二重置電晶體T7、第一電容C11、第三電容C2，圖4A-4E還示出了連接到第一子畫素G1的畫素電路121a的第一掃描信號線Ga1a、第二掃描信號線Ga2a、第一重置控制信號線Rst1a、第二重置控制信號線Rst2a、第一重置電源端Vinit1a的第一重置電源信號線Init1a、第二重置電源端Vinit2a的第二重置電源信號線Init2a、第一發光控制信號線EM1a、第二發光控制信號線EM2a、資料線Vd、第一電壓端VDD的第一電源信號線VDD1、第二電源信號線VDD2，第一電源信號線VDD1和第二電源信號線VDD2彼此電連接。需要說明的是，在圖4A至4E所示的示例中，第一掃描信號線Ga1a和第二掃描信號線Ga2a為同一條信號線，第一重置電源信號線Init1a和第二重置電源信號線Init2a為同一條信號線，第一重置控制信號線Rst1a和第二重置控制信號線Rst2a為同一條信號線，第一發光控制信號線EM1a和第二發光控制信號線EM2a為同一條信號線。
例如，圖4A示出了該畫素電路121a的主動半導體層310。主動半導體層310可採用半導體材料圖案化形成。主動半導體層310可用於製作上述的驅動電晶體T1、資料寫入電晶體T2、閾值補償電晶體T3、第一發光控制電晶體T4、第二發光控制電晶體T5、第一重置電晶體T6和第二重置電晶體T7的主動層，各主動層可包括源極區域、汲極區域和源極區域和汲極區域之間的通道區。例如，各電晶體的主動層一體設置。
例如，主動半導體層310可採用非晶矽、多晶矽、氧化物半導體材料等製作。需要說明的是，上述的源極區域和汲極區域可為摻雜有n型雜質或p型雜質的區域。
例如，畫素電路121a的閘極金屬層可以包括第一導電層和第二導電層。在上述的主動半導體層310上形成有閘極絕緣層（未示出），用於保護上述的主動半導體層310。圖4B示出了該畫素電路121a的第一導電層320，第一導電層320設置在閘極絕緣層上，從而與主動半導體層310絕緣。第一導電層320可以包括第三電容C2的第二極CC2a、第一掃描信號線Ga1a、第二掃描信號線Ga2a、第一重置控制信號線Rst1a、第二重置控制信號線Rst2a、第一發光控制信號線EM1a、第二發光控制信號線EM2a、以及驅動電晶體T1、資料寫入電晶體T2、閾值補償電晶體T3、第一發光控制電晶體T4、第二發光控制電晶體T5、第一重置電晶體T6和第二重置電晶體T7的閘極。
例如，如圖4A和圖4B所示，資料寫入電晶體T2的閘極可以為第一掃描信號線Ga1a與主動半導體層310交疊的部分，第一發光控制電晶體T4的閘極可以為第一發光控制信號線EM1a/第二發光控制信號線EM2a與主動半導體層310交疊的第一部分，第二發光控制電晶體T5的閘極可以為第一發光控制信號線EM1a/第二發光控制信號線EM2a與主動半導體層310交疊的第二部分，第一重置電晶體T6的閘極為第一重置控制信號線Rst1a/第二重置控制信號線Rst2a與主動半導體層310交疊的第一部分，第二重置電晶體T7的閘極為第一重置控制信號線Rst1a/第二重置控制信號線Rst2a與主動半導體層310交疊的第二部分，閾值補償電晶體T3可為雙閘結構的薄膜電晶體，閾值補償電晶體T3的第一個閘極可為第二掃描信號線Ga2a與主動半導體層310交疊的部分，閾值補償電晶體T3的第二個閘極可為從第二掃描信號線Ga2a突出的突出部（例如，如圖4B所示，該突出部為從第二掃描信號線Ga2a沿第二掃描信號線Ga2a遠離第一發光控制信號線EM1a/第二發光控制信號線EM2a的一側突出的部分）與主動半導體層310交疊的部分；如圖3B和4B所示，驅動電晶體T1的閘極可為第一電容C11的第二極CC4a和第三電容C2的第二極CC2a，也就是說，驅動電晶體T1的閘極、第一電容C11的第二極CC4a和第三電容C2的第二極CC2a為一體結構。
需要說明的是，圖4A中的各虛線矩形框示出了第一導電層320與主動半導體層310交疊的各個部分。
例如，如圖4B所示，第一掃描信號線Ga1a/第二掃描信號線Ga2a、第一重置控制信號線Rst1a/第二重置控制信號線Rst2a和第一發光控制信號線EM1a/第二發光控制信號線EM2a沿第一方向X排列。第一掃描信號線Ga1a/第二掃描信號線Ga2a位於第一重置控制信號線Rst1a/第二重置控制信號線Rst2a和第一發光控制信號線EM1a/第二發光控制信號線EM2a之間。
例如，在第一方向X上，第一電容C11的第二極CC4a（即第三電容C2的第二極CC2a）位於第一掃描信號線Ga1a/第二掃描信號線Ga2a和第一發光控制信號線EM1/a第二發光控制信號線EM2a之間。從第二掃描信號線Ga2a突出的突出部位於第二掃描信號線Ga2a的遠離第一發光控制信號線EM1a/第二發光控制信號線EM2a的一側。
例如，如圖4A所示，在第一方向X上，資料寫入電晶體T2的閘極、閾值補償電晶體T3的閘極、第一重置電晶體T6的閘極和第二重置電晶體T7的閘極均位於驅動電晶體T1的閘極的第一側，第一發光控制電晶體T4的閘極、第二發光控制電晶體T5的閘極均位於驅動電晶體T1的閘極的第二側，例如，圖6A-6E所示的示例中，第一子畫素G1的畫素電路121a的驅動電晶體T1的閘極的第一側和第二側為在第一方向X上驅動電晶體T1的閘極的彼此相對的兩側，例如，如圖4A-4E所示，第一子畫素G1的畫素電路121a的驅動電晶體T1的閘極的第一側可以為驅動電晶體T1的閘極的上側，第一子畫素G1的畫素電路121a的驅動電晶體T1的閘極的第二側可以為驅動電晶體T1的閘極的下側。
例如，在一些實施例中，如圖4A-4E所示，在第二方向Y上，資料寫入電晶體T2的閘極和第一發光控制電晶體T4的閘極均位於驅動電晶體T1的閘極的第三側，閾值補償電晶體T3的第一個閘極、第二發光控制電晶體T5的閘極和第二重置電晶體T7的閘極均位於驅動電晶體T1的閘極的第四側，例如，圖4A-4E所示的示例中，第一子畫素G1的畫素電路121a的驅動電晶體T1的閘極的第三側和第四側為在第二方向Y上驅動電晶體T1的閘極的彼此相對的兩側，例如，如圖4A-4E所示，第一子畫素G1的畫素電路121a的驅動電晶體T1的閘極的第三側可以為第一子畫素G1的畫素電路121a的驅動電晶體T1的閘極的右側，第一子畫素G1的畫素電路121a的驅動電晶體T1的閘極的第四側可以為第一子畫素G1的畫素電路121a的驅動電晶體T1的閘極的左側。
例如，在上述的第一導電層320上形成有第一絕緣層（未示出），用於保護上述的第一導電層320。圖4C示出了該畫素電路120a的第二導電層330，第二導電層330包括第三電容C2的第一極CC1a、第一重置電源信號線Init1a、第二重置電源信號線Init2a、第二電源信號線VDD2。第二電源信號線VDD2與第三電容C2的第一極CC1a一體形成。第三電容C2的第一極CC1a與第三電容C2的第二極CC2a至少部分重疊以形成第三電容C2。
例如，在上述的第二導電層330上形成有第二絕緣層（未示出），用於保護上述的第二導電層330。圖4D示出了該畫素電路121a 的源汲極金屬層340，源汲極金屬層340包括資料線Vd和第一電源信號線VDD1。
圖4E為上述的主動半導體層310、第一導電層320、第二導電層330和源汲極金屬層340的層疊位置關係的示意圖。如圖4D和4E所示，資料線Vd通過閘極絕緣層、第一絕緣層和第二絕緣層中的至少一個過孔（例如，過孔381a）與主動半導體層310中的資料寫入電晶體T2的源極區域相連。第一電源信號線VDD1通過閘極絕緣層、第一絕緣層和第二絕緣層中的至少一個過孔（例如，過孔382a）與主動半導體層310中對應的第一發光控制電晶體T4的源極區域相連。第一電源信號線VDD1通過第二絕緣層中的至少一個過孔（例如，過孔3832a）與第二導電層330中的第三電容C2的第一極CC1a相連。第一電源信號線VDD1還通過第二絕緣層中的至少一個過孔（例如，過孔3831a）與第二導電層330中的第二電源信號線VDD2相連。
例如，如圖4D和4E所示，源汲極金屬層340還包括第一連接部341a、第二連接部342a和第三連接部343a。第一連接部341a的一端通過閘極絕緣層、第一絕緣層和第二絕緣層中的至少一個過孔（例如，過孔384a）與主動半導體層310中對應的閾值補償電晶體T3的汲極區域相連，第一連接部341a的另一端通過第一絕緣層和第二絕緣層中的至少一個過孔（例如，過孔385a）與第一導電層320中的驅動電晶體T1的閘極（即第三電容C2的第二極CC2a）相連。第二連接部342a的一端通過第二絕緣層中的一個過孔（例如，過孔386a）與第一重置電源信號線Init1a/第二重置電源信號線Init2a相連，第二連接部342a的另一端通過閘極絕緣層、第一絕緣層和第二絕緣層中的至少一個過孔（例如，過孔387a）與主動半導體層310中的第二重置電晶體T7的汲極區域相連。第三連接部343a通過閘極絕緣層、第一絕緣層和第二絕緣層中的至少一個過孔（例如，過孔388a）與主動半導體層310中的第二發光控制電晶體T5的汲極區域相連。
例如，在上述的源汲極金屬層340上形成有中間層（未示出），用於保護上述的源汲極金屬層340。各個子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極可設置在中間層遠離襯底基板的一側。
例如，如圖4A-4E所示，在第一方向X上，第一掃描信號線Ga1a、第二掃描信號線Ga2a、第一重置控制信號線Rst1a、第二重置控制信號線Rst2a、第一重置電源信號線Init1a和第二重置電源信號線Init2a均位於第一子畫素G1的畫素電路121a的驅動電晶體T1的閘極的第一側，第一發光控制信號線EM1a、第二發光控制信號線EM2a均位於第一子畫素G1的畫素電路121a的驅動電晶體T1的第二側。
例如，第一掃描信號線Ga1a、第二掃描信號線Ga2a、第一重置控制信號線Rst1a、第二重置控制信號線Rst2a、第一發光控制信號線EM1a、第二發光控制信號線EM2a、第一重置電源信號線Init1a和第二重置電源信號線Init2a均沿第二方向Y延伸，資料線Vd沿第一方向X延伸。
例如，第一電源信號線VDD1沿第一方向X延伸，第二電源信號線VDD2沿第二方向Y延伸。第一電壓端VDD的信號線在顯示基板上網格化佈線，也就是說，在整個顯示基板上，第一電源信號線VDD1和第二電源信號線VDD2呈網格狀排列，從而第一電壓端VDD的信號線的電阻較小、壓降較低，進而可以提高第一電壓端VDD提供的電源電壓的穩定性。
例如，第一掃描信號線Ga1a、第二掃描信號線Ga2a、第一重置控制信號線Rst1a、第二重置控制信號線Rst2a、第一發光控制信號線EM1a、第二發光控制信號線EM2a位於同一層，第一重置電源信號線Init1a、第二重置電源信號線Init2a和第二電源信號線VDD2位於同一層。第一電源信號線VDD1和資料線Vd位於同一層。
需要說明的是，每個畫素電路中的驅動電路、第一發光控制電路、第二發光控制電路、資料寫入電路、儲存電路、閾值補償電路和重置電路等的位置排列關係不限於圖4A-4E所示的示例，根據實際應用需求，可以具體設置驅動電路、第一發光控制電路、第二發光控制電路、資料寫入電路、儲存電路、閾值補償電路和重置電路的位置。
圖5A為本公開一些實施例提供的一種顯示基板的平面示意圖；圖5B為本公開一些實施例提供的一種重複單元的平面示意圖；圖6A為本公開一些實施例提供的另一種重複單元的平面示意圖；圖6B為本公開一些實施例提供的一種顯示基板的佈局圖；圖6C為圖6B中線L1-L1'的截面結構示意圖；圖6D為圖6B中線L2-L2'的截面結構示意圖；圖6E為本公開一些實施例提供的又一種顯示基板的平面示意圖。
例如，如圖5A所示，在本公開的一些實施例中，顯示基板10中的畫素排列結構可以為GGRB畫素排列結構，以增加包含該顯示基板10的顯示面板的PPI（pixel per inch，每英寸的畫素數），從而在顯示解析度相同的情況下，增大顯示面板的視覺解析度。例如，每個重複單元11包括四個子畫素，四個子畫素分別為第一子畫素G1、第二子畫素G2、第三子畫素R和第四子畫素B，且該四個子畫素可以採用GGRB的排列方式。需要說明的是，在圖5A中僅示出了兩個完整的重複單元11，但本公開不限於此，顯示基板10上包括有多個重複單元11，且多個重複單元11沿第一方向X和第二方向Y陣列排列。
例如，如圖5A所示，區域31至40可以為襯底基板10上各個子畫素的畫素電路所在區域，例如，區域31至35位於第一列，區域36至40位於第二列；區域31和36位於第一行，區域32和37位於第二行，區域33和38位於第三行，區域34和39位於第四行，區域35和40位於第五行。例如，在圖5A所示的示例中，在虛線圈出的重複單元11中，第一子畫素G1的畫素電路位於區域32，第二子畫素G2的畫素電路位於區域37，第三子畫素R的畫素電路位於區域38，第四子畫素B的畫素電路位於區域36。
需要說明的是，在本公開中，“行”可以表示各個畫素電路所在區域對應的行，“列”可以表示各個畫素電路所在區域對應的列。
例如，發光元件120被配置為在工作時接收發光信號（例如，可以為電流信號），並發出與該發光信號相對應強度的光。發光元件120可以為發光二極體，發光二極體例如可以為有機發光二極體（OLED）或量子點發光二極體（QLED）等，但本公開的實施例不限於此。
例如，如圖6C所示，發光元件120包括第一發光電壓施加電極1201、第二發光電壓施加電極1202和設置在第一發光電壓施加電極1201和第二發光電壓施加電極1202之間的發光層1203。例如，如圖6C所示，第一子畫素G1的發光元件包括第一發光電壓施加電極1201a、第二發光電壓施加電極1202和發光層1203a，第二子畫素G2的發光元件包括第一發光電壓施加電極1201b、第二發光電壓施加電極1202和發光層1203a。
例如，如圖6C所示，第一子畫素G1的發光元件的第一發光電壓施加電極1201a在襯底基板10上的正投影與第一子畫素G1的畫素電路的驅動電路的控制端1221a在襯底基板10上的正投影至少部分重疊，第二子畫素G2的發光元件的第一發光電壓施加電極1201b在襯底基板10上的正投影與第二子畫素G2的畫素電路的驅動電路的控制端1221b在襯底基板10上的正投影至少部分重疊。
例如，第一子畫素G1的發光元件的第一發光電壓施加電極1201a和第二子畫素G2的發光元件的第一發光電壓施加電極1201b可以位於同一層，第一子畫素G1的發光元件的第二發光電壓施加電極1202和第二子畫素G2的發光元件的第二發光電壓施加電極1202可以一體設置。
例如，第一子畫素G1的發光元件的發光層1203a在襯底基板10上的正投影與第二子畫素G2的發光元件的發光層1203a在襯底基板10上的正投影是連續的，也就是說，第一子畫素G1的發光元件的發光層1203a和第二子畫素G2的發光元件的發光層1203a可以由高精細金屬掩模（FMM）板中的一個開孔製作，可以有效降低FMM的工藝難度。例如，第一子畫素G1的發光元件的發光層1203a和第二子畫素G2的發光元件的發光層1203a為一個整體。
例如，每個子畫素的發光層1203的材料可以根據每個子畫素的發光元件120發射光的顏色的不同進行選擇。每個子畫素的發光層1203的材料包括螢光發光材料或磷光發光材料等。例如，在一些實施例中，第一發光電壓施加電極1201為陽極，第二發光電壓施加電極1202為陰極，第一發光電壓施加電極1201和第二發光電壓施加電極1202均採用導電材料製備。需要說明的是，在一些示例中，第一發光電壓施加電極1201和發光層1203之間設置有第一有機層，第二發光電壓施加電極1202和發光層1203之間設置有第二有機層。第一有機層和第二有機層用於起平坦作用，可以被省略。
例如，在每個重複單元11中，第一子畫素G1的發光元件120a發出的光的顏色和第二子畫素G2的發光元件120b發出的光的顏色相同，也就是說，第一子畫素G1和第二子畫素G2為相同顏色的子畫素。例如，第一子畫素G1和第二子畫素G2為敏感顏色子畫素，當顯示基板100採用紅綠藍（RGB）顯示模式時，上述的敏感顏色為綠色，即第一子畫素G1和第二子畫素G2均為綠色子畫素。例如，第三子畫素R可以為紅色子畫素，第四子畫素B可以為藍色子畫素。
例如，每個重複單元11中的四個子畫素可以形成兩個虛擬畫素，重複單元11中的第三子畫素R和第四子畫素B分別被所述兩個虛擬畫素共用。多個重複單元11中的子畫素形成畫素陣列，在畫素陣列的行方向上，子畫素密度是虛擬畫素密度的1.5倍，在畫素陣列的列方向上，子畫素密度是虛擬畫素密度的1.5倍。
例如，第一子畫素G1和第二子畫素G2分別屬於兩個虛擬畫素。
需要說明的是，第一，由於第三子畫素R和第四子畫素B是被相鄰的兩個虛擬畫素共用，因而每個虛擬畫素的邊界也是非常模糊的，因而，本公開實施例並不對每個虛擬畫素的形狀進行限定。第二、虛擬畫素的劃分與驅動方式相關，虛擬畫素的具體劃分方式可以根據實際的驅動方式確定，本公開對此不作具體限制。
例如，如圖6C所示，第一子畫素G1的畫素電路的驅動電路的控制端1221a在襯底基板10上的正投影位於第一子畫素G1的發光元件120a的第一發光電壓施加電極1201a在襯底基板10上的正投影內；第二子畫素G2的畫素電路的驅動電路的控制端1221b在襯底基板10上的正投影位於第二子畫素G2的發光元件120b的第一發光電壓施加電極1201b在襯底基板10上的正投影內。也就是說，第一子畫素G1的發光元件120a的第一發光電壓施加電極1201a在襯底基板10上的正投影完全覆蓋第一子畫素G1的畫素電路的驅動電路的控制端1221a在襯底基板10上的正投影，第二子畫素G2的發光元件120b的第一發光電壓施加電極1201b在襯底基板10上的正投影完全覆蓋第二子畫素G2的畫素電路的驅動電路的控制端1221b在襯底基板10上的正投影，例如，第一子畫素G1的發光元件120a的第一發光電壓施加電極1201a在襯底基板10上的正投影的面積可以大於第一子畫素G1的畫素電路的驅動電路的控制端1221a在襯底基板10上的正投影的面積，第二子畫素G2的發光元件120b的第一發光電壓施加電極1201b在襯底基板10上的正投影的面積可以大於第二子畫素G2的畫素電路的驅動電路的控制端1221b 在襯底基板10上的正投影的面積。
例如，如圖3B所示，當第一子畫素G1的畫素電路的驅動電路122a包括驅動電晶體T1時，第一子畫素G1的畫素電路的驅動電路122a的控制端1221a為第一子畫素G1的畫素電路的驅動電晶體T1的閘極，則第一子畫素G1的發光元件120a的第一發光電壓施加電極在襯底基板10上的正投影與第一子畫素G1的驅動電晶體T1的閘極在襯底基板10上的正投影至少部分重疊；如圖3C所示，當第二子畫素G2的畫素電路的驅動電路122b包括驅動電晶體T1時，第二子畫素G2的畫素電路的驅動電路122b的控制端1221b為第二子畫素G2的畫素電路的驅動電晶體T1的閘極，第二子畫素G2的發光元件120b的第一發光電壓施加電極在襯底基板10上的正投影與第二子畫素G2的驅動電晶體T1的閘極在襯底基板10上的正投影至少部分重疊。
例如，第一子畫素G1的驅動電晶體T1的閘極在襯底基板10上的正投影位於第一子畫素G1的發光元件120a的第一發光電壓施加電極在襯底基板10上的正投影內；第二子畫素G2的驅動電晶體T1的閘極在襯底基板10上的正投影位於第二子畫素G2的發光元件120b的第一發光電壓施加電極在襯底基板10上的正投影內。
例如，如圖6C所示，第一子畫素G1的畫素電路的驅動電路的控制端1221a在襯底基板10上的正投影和第一子畫素G1的發光元件的第一發光電壓施加電極1201a在襯底基板10上的正投影的重疊部分的面積為第一面積AR1，第二子畫素G2的畫素電路的驅動電路的控制端1221b在襯底基板10上的正投影和第二子畫素G2的發光元件的第一發光電壓施加電極1201b在襯底基板10上的正投影的重疊部分的面積為第二面積AR2，第一面積AR1和第二面積AR2的比值滿足以下關係式：
Amin≤AR1/AR2≤Amax，
其中，AR1表示第一面積，AR2表示第二面積，Amin表示最小比值閾值，且為90%，Amax表示最大比值閾值，且為110%。
例如，在一些示例中，第一面積AR1可以大於等於第二面積AR2，此時，最小比值閾值Amin可以為90%，最大比值閾值Amax也可以為100%；在另一些示例中，第一面積AR1可以小於第二面積AR2，此時，最小比值閾值Amin也可以為95%，最大比值閾值Amax也可以為105%。本公開的實施例對最小比值閾值和最大比值閾值的具體值不作具體限制，只要保證第一面積AR1和第二面積AR2之間的差異較小（例如，小於10%），進而可以保證第一子畫素G1的發光元件的第一發光電壓施加電極1201a和第一子畫素G1的驅動電路的控制端1221a之間的寄生電容（即圖3B所示的第一電容C11）和第二子畫素G2的發光元件的第一發光電壓施加電極1201b和第二子畫素G2的驅動電路的控制端1221b之間的寄生電容（即圖3C所示的第二電容C12）之間的差異也較小（例如，小於10%），從而提高包含該顯示基板100的顯示面板的顯示效果即可。例如，第一面積AR1和第二面積AR2的比值處於上述最小比值閾值和最大比值閾值之間時，即使在低灰階（如64灰階）下，即在人眼識別能力較高的情況下，使用者也可能並無法看出第一子畫素G1和第二子畫素G2之間的亮度差異，有效改善顯示面板的顯示效果，提升使用者體驗。
例如，如圖5A和5B所示，第一子畫素G1的發光元件120a的第一發光電壓施加電極1201a的形狀與第二子畫素G2的發光元件的第一發光電壓施加電極1201b的形狀不相同。例如，在一些示例中，第一子畫素G1的發光元件的第一發光電壓施加電極1201a的形狀可以為八邊形，第二子畫素G2的發光元件的第一發光電壓施加電極1201b的形狀可以為五邊形。
例如，在每個重複單元11中，第一子畫素G1的發光元件的第一發光電壓施加電極1201a在襯底基板10上的正投影的面積和第二子畫素G2的發光元件的第一發光電壓施加電極1201b在襯底基板10上的正投影的面積不相同，第一子畫素G1的發光元件的第一發光電壓施加電極1201a在襯底基板10上的正投影的面積大於第二子畫素G2的發光元件的第一發光電壓施加電極1201b在襯底基板10上的正投影的面積。
例如，如圖5B所示，第一子畫素G1的發光元件120a的第一發光電壓施加電極1201a包括輔助電極塊Ae，輔助電極塊Ae在襯底基板10上的正投影與第一子畫素G1的畫素電路的驅動電路的控制端1221a在襯底基板10上的正投影至少部分重疊。例如，在一些示例中，第一子畫素G1的畫素電路的驅動電路的控制端1221a在襯底基板10上的正投影位於輔助電極塊Ae在襯底基板10上的正投影內。
例如，第一子畫素G1的驅動電晶體T1的閘極在襯底基板10上的正投影位於第一子畫素G1的發光元件120a的第一發光電壓施加電極的輔助電極塊Ae在襯底基板10上的正投影內。
例如，輔助電極塊Ae作為第一電容C11的第一極CC3，第一子畫素G1的驅動電路122a的控制端1221a複用為第一電容C11的第二極CC4，也就是說，輔助電極塊Ae即為第一電容C11的第一極CC3，第一子畫素G1的驅動電路122a的控制端1221a（即第一子畫素G1的驅動電晶體T1的閘極）即為第一電容C11的第二極CC4。
例如，如圖5B所示，輔助電極塊Ae的形狀可以為矩形，且輔助電極塊Ae在襯底基板10上的正投影的形狀與輔助電極塊Ae的形狀相同，即也為矩形。但本公開不限於此，輔助電極塊Ae的形狀也可以為五邊形、六邊形、橢圓形等。
例如，如圖5B所示，第一子畫素G1的發光元件120a的第一發光電壓施加電極1201a還包括第一驅動電極塊De1，第一驅動電極塊De1和輔助電極塊Ae電連接。
例如，如圖5B所示，第一驅動電極塊De1的形狀可以為五邊形，且第一驅動電極塊De1在襯底基板10上的正投影的形狀與第一驅動電極塊De1的形狀相同，即也為五邊形。五邊形可以是由一個三角形和一個矩形組成。
例如，在5B所示的示例中，第一驅動電極塊De1和輔助電極塊Ae一體設置，由此，第一發光電壓施加電極1201a的形狀可以為八邊形，且該八邊形可以是由一個五邊形和一個矩形組成。
需要說明的是，在另一些示例中，第一驅動電極塊De1和輔助電極塊Ae也可以分別單獨設置，只要第一驅動電極塊De1和輔助電極塊Ae能夠彼此電連接即可。
例如，第一驅動電極塊De1和輔助電極塊Ae可以由同一構圖工藝同時形成。
例如，如圖6C所示，第一驅動電極塊De1和輔助電極塊Ae位於同一層。
例如，如圖6C所示，第一驅動電極塊De1在襯底基板10上的正投影、第一子畫素G1的發光元件的發光層1203a在襯底基板10上的正投影和第一子畫素G1的發光元件的第二發光電壓施加電極1202在襯底基板10上的正投影至少部分重疊。
例如，在一些實施例中，顯示基板上所有子畫素的發光元件的第二發光電壓施加電極均一體設置，也就是說，第二發光電壓施加電極1202整層覆蓋在整個襯底基板10上，即第二發光電壓施加電極1202可以為一個面狀電極。例如，如圖6C所示，對於第一子畫素G1和第二子畫素G2，面狀的第二發光電壓施加電極1202與第一子畫素G1的發光元件的第一發光電壓施加電極1201a交疊的部分可以表示為第一子畫素G1的發光元件的第二發光電壓施加電極1202，面狀的第二發光電壓施加電極與第二子畫素G2的發光元件的第一發光電壓施加電極1201b交疊的部分可以表示為第二子畫素G2的發光元件的第二發光電壓施加電極1202。第一子畫素G1的發光元件的第二發光電壓施加電極1202和第二子畫素G2的發光元件的第二發光電壓施加電極1202一體設置。
例如，如圖6C所示，第一子畫素G1的發光元件的發光層和第二子畫素G2的發光元件的發光層一體設置。對於第一子畫素G1和第二子畫素G2，發光層1203a與第一子畫素G1的發光元件的第一發光電壓施加電極1201a交疊的部分可以表示為第一子畫素G1的發光元件的發光層，發光層1203a與第二子畫素G2的發光元件的第一發光電壓施加電極1201b交疊的部分可以表示為第二子畫素G2的發光元件的發光層。
例如，如圖6C所示，顯示基板100還包括畫素界定層160，位於各個子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極遠離襯底基板10的一側且包括第一開口，第一開口暴露第一子畫素G1的發光元件的第一發光電壓施加電極1201a和第二子畫素G2的發光元件的第一發光電壓施加電極1201b，第一子畫素G1的發光元件的發光層1203a和第二子畫素G2的發光元件的發光層1203a的至少部分位於第一開口內並覆蓋第一發光電壓施加電極1201a和第一發光電壓施加電極1201b的被暴露的部分，第一開口與第一發光電壓施加電極1201a交疊的部分區域為第一子畫素G1的有效發光區，第一開口與第一發光電壓施加電極1201b交疊的部分區域為第二子畫素G2的有效發光區。
需要說明的是，在本公開的實施例中，每個發光元件的發光層可以包括電致發光層本身以及位於電致發光層兩側的其他公共層，例如，空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層以及電子傳輸層等等，但是在本公開的附圖中，僅示出了發光層中的電致發光層，而沒有示出其他公共層。
例如，在一些示例中，第一驅動電極塊De1在襯底基板10上的正投影和第一子畫素G1的發光元件的第二發光電壓施加電極1202在襯底基板10上的正投影也可以不完全重疊，例如，第一驅動電極塊De1在襯底基板10上的正投影位於第一子畫素G1的發光元件的第二發光電壓施加電極1202在襯底基板10上的正投影內，第一子畫素G1的發光元件的發光層1203a在襯底基板10上的正投影也可以位於第一子畫素G1的發光元件的第二發光電壓施加電極1202在襯底基板10上的正投影內。
需要說明的是，在第一驅動電極塊De1在襯底基板10上的正投影、第一子畫素G1的發光元件的發光層1203a在襯底基板10上的正投影和第一子畫素G1的發光元件的第二發光電壓施加電極1202在襯底基板10上的正投影的投影重疊的區域內，對於第一子畫素G1，第一子畫素G1的發光元件的發光層的對應於畫素界定層160的第一開口的部分用於發光。
例如，如圖5B所示，第二子畫素G2的發光元件120b的第一發光電壓施加電極1201b包括第二驅動電極塊De2。第二驅動電極塊De2在襯底基板10上的正投影與第二子畫素G2的畫素電路的驅動電路的控制端1221b在襯底基板10上的正投影至少部分重疊。例如，在一些示例中，第二子畫素G2的畫素電路的驅動電路的控制端1221b在襯底基板10上的正投影可以位於第二驅動電極塊De2在襯底基板10上的正投影內。例如，第二子畫素G2的驅動電晶體T1的閘極在襯底基板10上的正投影位於第二子畫素G2的發光元件120b的第一發光電壓施加電極的第二驅動電極塊De2在襯底基板10上的正投影內。
例如，第二驅動電極塊De2可以複用為第二電容C12的第一極，第二子畫素G2的驅動電路122b的控制端1221b複用為第二電容C12的第二極，也就是說，第二驅動電極塊De2即為第二電容C12的第一極，第二子畫素G2的驅動電路122b的控制端1221b（即第二子畫素G2的驅動電晶體T1的閘極）即為第二電容C12的第二極。
例如，如圖5B所示，第一驅動電極塊De1的形狀與第二驅動電極塊De2的形狀可以相同，即，第二驅動電極塊De2的形狀也可以為五邊形。第二驅動電極塊De2在襯底基板10上的正投影的形狀與第二驅動電極塊De2的形狀相同，即也為五邊形。
例如，第一驅動電極塊De1在襯底基板10上的正投影的面積與第二驅動電極塊De2在襯底基板10上的正投影的面積相同。
需要說明的是，在一些實施例中，第一驅動電極塊De1的形狀與第二驅動電極塊De2的形狀也可以為矩形或菱形等。第一驅動電極塊De1的形狀與第二驅動電極塊De2的形狀也可以不相同，本公開對此不作限制。
例如，如圖6C所示，第二驅動電極塊De2在襯底基板10上的正投影、第二子畫素G2的發光元件的發光層1203a在襯底基板10上的正投影和第二子畫素G2的發光元件的第二發光電壓施加電極1202在襯底基板10上的正投影均至少部分重疊。
例如，在一些示例中，第二驅動電極塊De2在襯底基板10上的正投影和第二子畫素G2的發光元件的第二發光電壓施加電極1202在襯底基板10上的正投影也可以不完全重疊，例如，第二驅動電極塊De2在襯底基板10上的正投影位於第二子畫素G2的發光元件的第二發光電壓施加電極1202在襯底基板10上的正投影內。
需要說明的是，在第二驅動電極塊De2在襯底基板10上的正投影、第二子畫素G2的發光元件的發光層1203a在襯底基板10上的正投影和第二子畫素G2的發光元件的第二發光電壓施加電極1202在襯底基板10上正投影的投影重疊的區域內，對於第二子畫素G2，第二子畫素G2的發光元件的發光層的對應於畫素界定層160的第一開口的部分用於發光。
例如，如圖5A和5B所示，在每個重複單元11中，第一子畫素G1和第二子畫素G2沿第一方向X排列，第一方向X平行於襯底基板10的表面。例如，在第一方向X上，輔助電極塊Ae位於第一驅動電極塊De1的遠離第二子畫素G2的發光元件的一側，也就是說，如圖5B所示，在第一方向X上，第一驅動電極塊De1位於輔助電極塊Ae和第二驅動電極塊De2之間。
例如，如圖6C所示，輔助電極塊Ae在襯底基板10上的正投影與第一子畫素G1的發光元件的發光層1203a在襯底基板10上的正投影不重疊。例如，在一些示例中，輔助電極塊Ae在襯底基板10上的正投影與第一子畫素G1的發光元件的發光層1203a在襯底基板10上的正投影完全不重疊。
例如，如圖6A和6B所示，第一子畫素G1的發光元件的第一發光電壓施加電極還包括第一連接電極塊Ce1，在第一方向X上，第一連接電極塊Ce1位於第一驅動電極塊De1的遠離第二子畫素G2的發光元件的一側，第一連接電極塊Ce1位於輔助電極塊Ae和第一驅動電極塊De1之間，且與輔助電極塊Ae和第一驅動電極塊De1均電連接。
例如，在一些實施例中，第一連接電極塊Ce1、輔助電極塊Ae和第一驅動電極塊De1均一體設置。需要說明的是，在另一些示例中，第一連接電極塊Ce1、輔助電極塊Ae和第一驅動電極塊De1也可以分別單獨設置，只要第一連接電極塊Ce1、輔助電極塊Ae和第一驅動電極塊De1能夠彼此電連接即可。
例如，第一連接電極塊Ce1用於連接第一驅動電極塊De1與第一子畫素G1的畫素電路。
例如，如圖6C所示，第一連接電極塊Ce1、輔助電極塊Ae和第一驅動電極塊De1位於同一層。第一連接電極塊Ce1、輔助電極塊Ae和第一驅動電極塊De1可以由同一構圖工藝同時形成。
例如，第一連接電極塊Ce1的形狀可以為規則形狀，例如，矩形、菱形等；第一連接電極塊Ce1的形狀也可以為不規則形狀。
例如，如圖6A和6B所示，在一些示例中，輔助電極塊Ae的形狀和第一連接電極塊Ce1的形狀均為矩形，且在第二方向Y上，輔助電極塊Ae的寬度小於第一連接電極塊Ce1的寬度，即輔助電極塊Ae和第一連接電極塊Ce1形成階梯狀。在第二方向Y上，第一連接電極塊Ce1的寬度小於第一驅動電極塊De1的最大寬度。
例如，第一驅動電極塊De1具有五個內角，五個內角可以包括兩個直角、兩個鈍角和一個銳角，第一連接電極塊Ce1從第一驅動電極塊De1的銳角所在的一側沿第一驅動電極塊De1的遠離第二子畫素G2的發光元件的方向延伸。
例如，在一些實施例中，第一連接電極塊Ce1在襯底基板10上的正投影與第一子畫素G1的發光元件的發光層1203a在襯底基板10上的正投影不重疊，且第一連接電極塊Ce1在襯底基板10上的正投影與第一子畫素G1的畫素電路的驅動電路的控制端1221a在襯底基板10上的正投影也不重疊。但本公開不限於此，第一連接電極塊Ce1在襯底基板10上的正投影與第一子畫素G1的畫素電路的驅動電路的控制端1221a在襯底基板10上的正投影也可以部分重疊。需要說明的是，當第一連接電極塊Ce1在襯底基板10上的正投影與第一子畫素G1的畫素電路的驅動電路的控制端1221a在襯底基板10上的正投影部分重疊時，第一連接電極塊Ce1在襯底基板10上的正投影與第一子畫素G1的畫素電路的驅動電路的控制端1221a在襯底基板10上的正投影之間的重疊部分的面積小於輔助電極塊Ae在襯底基板10上的正投影與第一子畫素G1的畫素電路的驅動電路的控制端1221a在襯底基板10上的正投影之間的重疊部分的面積。
例如，如圖6C和6D所示，顯示基板100還包括中間層101。在垂直於襯底基板10的表面的方向上，每個子畫素的畫素電路121位於中間層101和襯底基板10之間，發光元件120位於中間層101的遠離襯底基板10的一側，也就是說，中間層101位於發光元件120和襯底基板10之間。
例如，在一些實施例中，所有子畫素的發光元件所在的層構成第一功能層組，所有子畫素的畫素電路所在的層構成第二功能層組，也就是說，在垂直於襯底基板10的表面的方向上，第一功能層組位於中間層101的遠離襯底基板10的一側，第二功能層組位於中間層101的靠近襯底基板10的一側，即第二功能層組位於中間層101和襯底基板10之間，中間層101位於第一功能層組和第二功能層組之間。中間層101位於第一功能層組和第二功能層組之間。例如，圖3A所示的驅動電路122、資料寫入電路126、儲存電路127、閾值補償電路128和重置電路129等均位於第二功能層組中。例如，第一子畫素G1的畫素電路121a中第一寄生電路125a和第二子畫素G2的畫素電路121b中第二寄生電路125b也位於第二功能層組中。
需要說明的是，在本公開的實施例中，第一功能層組可以包括多個子層，例如，第一功能層組可以包括第一子畫素G1的發光元件的第一發光電壓施加電極1201a所在的子層、第一子畫素G1的發光元件的第二發光電壓施加電極1202所在的子層、第一子畫素G1的發光元件的發光層1203a所在的子層。類似地，第二功能層組也可以包括多個子層，例如，第二功能層組可以包括第一子畫素G2的畫素電路中的各個元件所在的子層，當畫素電路包括電晶體時，第二功能層組可以包括電晶體的閘極所在的子層、源汲極所在的子層、主動層所在的子層、閘極絕緣層所在的子層等。
例如，中間層101可以為一平坦層。例如，如圖6C和6D所示，在垂直於襯底基板10的表面的方向上，第一子畫素G1的發光元件的第一發光電壓施加電極1201a設置在第一子畫素G1的發光元件的發光層1203a的靠近中間層101的一側，第一子畫素G1的發光元件的第二發光電壓施加電極1202設置在第一子畫素G1的發光元件的發光層1203a的遠離中間層101的一側。
例如，如圖6C所示，中間層101包括第一過孔h1，第一連接電極塊Ce1延伸至第一過孔h1處且通過第一過孔h1與第一子畫素G1的畫素電路電連接，例如，第一連接電極塊Ce1通過第一過孔h1與第一子畫素G1的畫素電路的第二發光控制電路124a電連接。例如，第一連接電極塊Ce1可以覆蓋並填充第一過孔h1。
例如，在第一子畫素G1中，第一連接電極塊Ce1通過第一過孔h1與第一子畫素G1的畫素電路的第二發光控制電晶體T5的第二極電連接。
例如，如圖4A-4E所示，畫素電路121可以包括主動半導體層310、閘極金屬層（包括第一導電層320和第二導電層330）和源汲極金屬層340，在垂直於襯底基板10的方向上，主動半導體層310位於襯底基板10與閘極金屬層之間，閘極金屬層位於主動半導體層310和源汲極金屬層340之間，例如，閘極金屬層的第一導電層320位於主動半導體層310和閘極金屬層的第二導電層330之間，閘極金屬層的第二導電層330位於閘極金屬層的第一導電層320和源汲極金屬層340之間。
例如，在本公開中，每個子畫素的畫素電路121中的各個電晶體（例如，驅動電晶體T1、資料寫入電晶體T2、閾值補償電晶體T3、第一發光控制電晶體T4、第二發光控制電晶體T5、第一重置電晶體T6和第二重置電晶體T7等）的主動層均位於主動半導體層310內，畫素電路121中的各個電晶體的閘極均位於閘極金屬層的第一導電層320內，畫素電路121中的各個電晶體的源極和汲極均位於源汲極金屬層340內。
例如，第一連接電極塊Ce1通過第一過孔h1延伸到畫素電路的源汲極金屬層。
例如，第二子畫素G2的發光元件的第一發光電壓施加電極還包括第二連接電極塊Ce2，第二連接電極塊Ce2與第二驅動電極塊De2電連接。例如，在一些實施例中，第二連接電極塊Ce2與第二驅動電極塊De2一體設置。需要說明的是，在另一些示例中，第二連接電極塊Ce2與第二驅動電極塊De2也可以分別單獨設置，只要第二連接電極塊Ce2與第二驅動電極塊De2能夠彼此電連接即可。
例如，第二連接電極塊Ce2用於連接第二驅動電極塊De2與第二子畫素G2的畫素電路。
例如，如圖6A和6B所示，在第一方向X上，第二連接電極塊Ce2位於第二驅動電極塊De2的遠離第一子畫素G1的發光元件的一側，也就是說，如圖6A和6B所示，在第一方向X上，第二驅動電極塊De2位於第二連接電極塊Ce2和第一驅動電極塊De1之間。
例如，如圖6C所示，第二連接電極塊Ce2與第二驅動電極塊De2位於同一層。第二連接電極塊Ce2與第二驅動電極塊De2可以由同一構圖工藝同時形成。
例如，第二連接電極塊Ce2的形狀可以為規則形狀，例如，矩形、菱形等；第二連接電極塊Ce2的形狀也可以為不規則形狀。
例如，在一些示例中，在第二方向Y上，第二連接電極塊Ce2的寬度小於第二驅動電極塊De2的最大寬度。例如，第二驅動電極塊De2具有五個內角，五個內角可以包括兩個直角、兩個鈍角和一個銳角，第二連接電極塊Ce2從第二驅動電極塊De2的銳角所在的一側沿第二驅動電極塊De2的遠離第一子畫素G1的發光元件的方向延伸。
例如，在一些示例中，第一連接電極塊Ce1的形狀和第二連接電極塊Ce2的形狀可以相同。
例如，在一些實施例中，第二連接電極塊Ce2在襯底基板10上的正投影與第二子畫素G2的發光元件的發光層1203a在襯底基板10上的正投影不重疊，且第二連接電極塊Ce2在襯底基板10上的正投影與第二子畫素G2的畫素電路的驅動電路的控制端1221b在襯底基板10上的正投影也不重疊。但本公開不限於此，第二連接電極塊Ce2在襯底基板10上的正投影與第二子畫素G2的畫素電路的驅動電路的控制端1221b在襯底基板10上的正投影也可以部分重疊。需要說明的是，當第二連接電極塊Ce2在襯底基板10上的正投影與第二子畫素G2的畫素電路的驅動電路的控制端1221b在襯底基板10上的正投影部分重疊時，第二連接電極塊Ce2在襯底基板10上的正投影與第二子畫素G2的畫素電路的驅動電路的控制端1221b在襯底基板10上的正投影之間的重疊部分的面積小於第二驅動電極塊De2在襯底基板10上的正投影與第二子畫素G2的畫素電路的驅動電路的控制端1221b在襯底基板10上的正投影之間的重疊部分的面積。
例如，與第一子畫素G1類似，在垂直於襯底基板10的表面的方向上，第二子畫素G2的發光元件的第一發光電壓施加電極1201b設置在第二子畫素G2的發光元件的發光層1203a的靠近中間層101的一側，第二子畫素G2的發光元件的第二發光電壓施加電極1202設置在第二子畫素G2的發光元件的發光層1203a的遠離中間層101的一側。
例如，如圖6C所示，中間層101包括第二過孔h2，第二連接電極塊Ce2延伸至第二過孔h2處且通過第二過孔h2與第二子畫素G2的畫素電路電連接，例如，第二連接電極塊Ce2通過第二過孔h2與第二子畫素G2的畫素電路的第二發光控制電路124b電連接。例如，第二連接電極塊Ce2可以覆蓋並填充第二過孔h2。
例如，在第二子畫素G2中，第二連接電極塊Ce2通過第二過孔h2與第二子畫素G2的畫素電路121b的第二發光控制電晶體T5的第二極電連接。
例如，第二連接電極塊Ce2通過第二過孔h2延伸到畫素電路的源汲極金屬層。
例如，如圖5A所示，在每個重複單元11中，第三子畫素R和第四子畫素B沿第二方向Y排列，且在第二方向Y上，第一子畫素G1和第二子畫素G2位於第三子畫素R和第四子畫素B之間，第二方向Y平行於襯底基板10的表面，且第一方向X和第二方向Y相互垂直。
例如，在每個重複單元11內，第一子畫素G1的中心和第二子畫素G2的中心的連線為第一中心線，第三子畫素R的中心和第四子畫素B的中心的連線為第二中心線。第一中心線的長度短於第二中心線的長度。例如，第一中心線和第二中心線相互垂直平分，且第一中心線與第一方向X大致平行，第二中心線與第二方向Y大致平行。
例如，第三子畫素R的發光元件包括第一發光電壓施加電極、第二發光電壓施加電極和發光層，如圖6D所示，第四子畫素B的發光元件包括第一發光電壓施加電極1201d、第二發光電壓施加電極1202d和發光層1203d。需要說明的是，對於第三子畫素R，面狀的第二發光電壓施加電極1202與第三子畫素R的發光元件的第一發光電壓施加電極交疊的部分可以表示為第三子畫素R的發光元件的第二發光電壓施加電極；對於第四子畫素B，面狀的第二發光電壓施加電極與第四子畫素B的發光元件的第一發光電壓施加電極交疊的部分可以表示為第四子畫素B的發光元件的第二發光電壓施加電極。也就是說，第一子畫素G1的發光元件的第二發光電壓施加電極、第二子畫素G2的發光元件的第二發光電壓施加電極、第三子畫素R的發光元件的第二發光電壓施加電極、第四子畫素B的發光元件的第二發光電壓施加電極為一個整體。
例如，第三子畫素R的發光元件的第一發光電壓施加電極在襯底基板10上的正投影與第三子畫素R的畫素電路的驅動電路的控制端在襯底基板10上的正投影可以至少部分重疊。
例如，第四子畫素B的發光元件的第一發光電壓施加電極1201d在襯底基板10上的正投影與第四子畫素B的畫素電路的驅動電路的控制端在襯底基板10上的正投影也可以至少部分重疊。例如，如圖6D所示，第四子畫素B的畫素電路的驅動電路的控制端1221d在襯底基板10上的正投影位於第四子畫素B的發光元件的第一發光電壓施加電極1201d在襯底基板10上的正投影內。
例如，如圖6A和6B所示，第三子畫素R的發光元件的第一發光電壓施加電極包括彼此電連接的第三驅動電極塊De3和第三連接電極塊Ce3，第四子畫素B的發光元件的第一發光電壓施加電極1201d包括彼此電連接的第四驅動電極塊De4和第四連接電極塊Ce4。例如，第三子畫素R的畫素電路的驅動電路的控制端1221c在襯底基板10上的正投影與第三驅動電極塊De3在襯底基板10上的正投影至少部分重疊；如圖6D所示，第四子畫素B的畫素電路的驅動電路的控制端1221d在襯底基板10上的正投影和第四驅動電極塊De4在襯底基板10上的正投影至少部分重疊，例如，第四子畫素B的畫素電路的驅動電路的控制端1221d在襯底基板10上的正投影位於第四驅動電極塊De4在襯底基板10上的正投影內。
例如，第三連接電極塊Ce3用於連接第三驅動電極塊De3與第三子畫素R的畫素電路；第四連接電極塊Ce4用於連接第四驅動電極塊De4與第四子畫素B的畫素電路。
例如，第三子畫素R的畫素電路還包括第三寄生電路，第四子畫素B的畫素電路還包括第四寄生電路。第三寄生電路包括第四電容，第四寄生電路包括第五電容。第三驅動電極塊De3複用為第四電容的第一極，第三子畫素R的驅動電路的控制端複用為第四電容的第二極；第四驅動電極塊De4複用為第五電容的第一極，第四子畫素B的驅動電路的控制端複用為第五電容的第二極。
例如，第三驅動電極塊De3的形狀可以為規則的六邊形，第四驅動電極塊De4的形狀也可以為規則的六邊形。第三連接電極塊Ce3的形狀可以為不規則的六邊形，第四連接電極塊Ce4的形狀也可以為不規則的六邊形。
需要說明的是，在一些實施例中，第三驅動電極塊De3和第四驅動電極塊De4的形狀也可以為矩形或長橢圓形等。本公開對第三驅動電極塊De3、第三連接電極塊Ce3、第四驅動電極塊De4和第四連接電極塊Ce4的形狀不作具體限制。
例如，第三連接電極塊Ce3可以為從六邊形的第三驅動電極塊De3的一條側邊（例如，六邊形的右下側的側邊）向外凸出的部分；第四連接電極塊Ce4可以為從六邊形的第四驅動電極塊De4的一條側邊（例如，六邊形的左下側的側邊）向外凸出的部分。
需要說明的是，各子畫素的驅動電極塊的面積可以根據發光材料的發光效率具體設置，例如發光材料的發光效率較高，則子畫素的驅動電極塊的面積可以較小；而發光材料的發光效率較低，則子畫素的驅動電極塊的面積可以較大。例如，在一些實施例中，第三驅動電極塊De3的面積小於第四驅動電極塊De4的面積。第三驅動電極塊De3的面積大於第一驅動電極塊De1的面積，第三驅動電極塊De3的面積大於第二驅動電極塊De2的面積。
例如，在一些實施例中，第三驅動電極塊De3和第三連接電極塊Ce3一體設置，第四驅動電極塊De4和第四連接電極塊Ce4也一體設置。需要說明的是，在另一些示例中，第三驅動電極塊De3和第三連接電極塊Ce3也可以分別單獨設置，只要第三驅動電極塊De3和第三連接電極塊Ce3能夠彼此電連接即可，同理，第四驅動電極塊De4和第四連接電極塊Ce4也可以分別單獨設置，只要第四驅動電極塊De4和第四連接電極塊Ce4能夠彼此電連接即可。
例如，第三驅動電極塊De3和第三連接電極塊Ce3位於同一層。如圖6D所示，第四驅動電極塊De4和第四連接電極塊Ce4位於同一層。
例如，與第一子畫素G1和第二子畫素G2類似，在垂直於襯底基板10的表面的方向上，第三子畫素R的發光元件的第一發光電壓施加電極設置在第三子畫素R的發光元件的發光層的靠近中間層101的一側，第三子畫素R的發光元件的第二發光電壓施加電極設置在第三子畫素R的發光元件的發光層的遠離中間層101的一側；如圖6D所示，在垂直於襯底基板10的表面的方向上，第四子畫素B的發光元件的第一發光電壓施加電極1201d設置在第四子畫素B的發光元件的發光層1203d的靠近中間層101的一側，第四子畫素B的發光元件的第二發光電壓施加電極1202d設置在第四子畫素B的發光元件的發光層1203d的遠離中間層101的一側。
例如，如圖6B所示，中間層101包括第三過孔h3，第三連接電極塊Ce3延伸至第三過孔h3處且通過第三過孔h3與第三子畫素R的畫素電路電連接。例如，第三連接電極塊Ce3可以覆蓋並填充第三過孔h3。
例如，如圖6D所示，中間層101包括第四過孔h4，第四連接電極塊Ce4延伸至第四過孔h4處且通過第四過孔h4與第四子畫素B的畫素電路電連接。例如，第四連接電極塊Ce4可以覆蓋並填充第四過孔h4。
例如，第三連接電極塊Ce3通過第三過孔h3延伸到畫素電路的源汲極金屬層；第四連接電極塊Ce4通過第四過孔h4延伸到畫素電路的源汲極金屬層。
例如，第三連接電極塊Ce3通過第三過孔h3延伸到畫素電路的源汲極金屬層，以與位於畫素電路的源汲極金屬層的第三子畫素R的第二發光控制電晶體的第二極電連接。例如，第四連接電極塊Ce4通過第四過孔h4延伸到畫素電路的源汲極金屬層，以與位於畫素電路的源汲極金屬層的第四子畫素B的第二發光控制電晶體的第二極電連接。
例如，如圖6A和6B所示，在每個重複單元11中，在第一方向X上，第三連接電極塊Ce3位於第三驅動電極塊De3的遠離第一子畫素G1的輔助電極塊Ae的一側，在第二方向Y上，第三連接電極塊Ce3位於第三驅動電極塊De3的靠近第四驅動電極塊De4的一側，也就是說，在圖6A和6B所示的示例中，第三連接電極塊Ce3位於第三驅動電極塊De3的右下側，即第三子畫素R的發光元件的第一發光電壓施加電極1201c的形狀可以為Q字鏡像對稱的形狀。
例如，如圖6A和6B所示，在每個重複單元11中，在第一方向X上，第四連接電極塊Ce4位於第四驅動電極塊De4的遠離第一子畫素G1的輔助電極塊Ae的一側，在第二方向Y上，第四連接電極塊Ce4位於第四驅動電極塊De4的靠近第三驅動電極塊De3的一側，也就是說，在圖6A和6B所示的示例中，第四連接電極塊Ce4位於第四驅動電極塊De4的左下側，即第四子畫素B的發光元件的第一發光電壓施加電極1201d的形狀可以為Q形。
例如，第三連接電極塊Ce3通過第三過孔h3與第三子畫素R的畫素電路的第二發光控制電路124c電連接，例如，第三連接電極塊Ce3通過第三過孔h3與第三子畫素R的畫素電路的第二發光控制電晶體的第二極電連接。
例如，如圖6D所示，第四連接電極塊Ce4通過第四過孔h4與第四子畫素B的畫素電路的第二發光控制電路124d電連接，例如，第四連接電極塊Ce4通過第四過孔h4與第四子畫素B的畫素電路的第二發光控制電晶體的第二極電連接。
例如，如圖6B所示，在圖6D所示的源汲極金屬層340上形成有中間層（未示出），各個子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極設置在中間層上。第一子畫素G1的發光元件的第一發光電壓施加電極的第一連接電極塊Ce1、第一驅動電極塊De1和輔助電極塊Ae、第二子畫素G2的發光元件的第一發光電壓施加電極的第二連接電極塊Ce2、第二驅動電極塊De2、第三子畫素R的發光元件的第一發光電壓施加電極的第三連接電極塊Ce3、第三驅動電極塊De3、第四子畫素B的發光元件的第一發光電壓施加電極的第四連接電極塊Ce4、第四驅動電極塊De4均設置在中間層上，第一子畫素G1的第一連接電極塊Ce1通過第一過孔h1與第一子畫素G1的畫素電路121a中的第二發光控制電晶體T5連接，第二子畫素G2的第二連接電極塊Ce2通過第二過孔h2與第二子畫素G2的畫素電路121b中的第二發光控制電晶體T5連接，第三子畫素R的第三連接電極塊Ce3通過第三過孔h3與第三子畫素R的畫素電路中的第二發光控制電晶體T5連接，第四子畫素B的第四連接電極塊Ce4通過第四過孔h4與第四子畫素B的畫素電路中的第二發光控制電晶體T5連接。
例如，第一子畫素G1的輔助電極塊Ae在襯底基板上的正投影與第一子畫素G1的畫素電路121a中的驅動電晶體的閘極在襯底基板上的正投影至少部分重疊，第二子畫素G2的第二驅動電極塊De2在襯底基板上的正投影與第二子畫素G2的畫素電路121b中的驅動電晶體的閘極在襯底基板上的正投影至少部分重疊，第三子畫素R的第三驅動電極塊De3在襯底基板上的正投影與第三子畫素R的畫素電路中的驅動電晶體的閘極在襯底基板上的正投影至少部分重疊，第四子畫素B的第四驅動電極塊De4在襯底基板上的正投影與第四子畫素B的畫素電路中的驅動電晶體的閘極在襯底基板上的正投影至少部分重疊。
需要說明的是，圖6E示出了各個子畫素的驅動電極塊、各第一子畫素的輔助電極塊和各個子畫素的連接電極塊，圖6E還示出了與各個連接電極塊對應的過孔。需要說明的是，各個子畫素的連接電極塊可以覆蓋並填充對應的過孔，例如，第一連接電極塊覆蓋並填充第一過孔h1，第二連接電極塊覆蓋並填充第二過孔h2，第三連接電極塊覆蓋並填充第三過孔h3，第四連接電極塊覆蓋並填充第四過孔h4，然而，為了示出各個過孔的位置，在圖6E中各個過孔位於對應的連接電極塊上方。
例如，如圖6E所示，在第二方向Y上，各過孔排列為多列過孔，每列過孔中的各個過孔按照第三過孔h3、第一過孔h1、第四過孔h4和第二過孔h2的順序排列，即第三過孔h3、第一過孔h1、第四過孔h4和第二過孔h2為一個排列週期HT1，在該排列週期HT1中，第一過孔h1對應位於第二列且與該第一過孔h1相鄰的第一子畫素G1，第二過孔h2對應位於第一列且與該第二過孔h2相鄰的第二子畫素G2，第三過孔h3對應位於第一列且與該第三過孔h3相鄰的第三子畫素R，第四過孔h4對應位於第一列與該第四過孔h4相鄰的第四子畫素B。
例如，在第二方向Y上，每列過孔中的各個過孔位於同一條直線上，即每個排列週期HT1中的第一過孔h1、第三過孔h3、第二過孔h2和第四過孔h4位於同一條直線上，且各個排列週期HT1也位於同一條直線上。
例如，在第二方向Y上，任意相鄰的兩個過孔之間的距離為第一固定距離d1，也就是說，如圖6E所示，在排列週期HT1中，第一過孔h1和第四過孔h4之間的距離為第一固定距離d1，第一過孔h1和第三過孔h3之間的距離也為第一固定距離d1，第二過孔h2和第三過孔h3之間的距離也為第一固定距離d1，第二過孔h2和第四過孔h4之間的距離也為第一固定距離d1。需要說明的是，“相鄰的兩個過孔”表示該兩個過孔之間不存在過孔，第一固定距離d1可以表示在第二方向Y上相鄰的兩個過孔的中心之間的距離。
例如，如圖6E所示，在第一方向X上，各第一過孔h1和各第二過孔h2排列為多個第一過孔行，各第三過孔h3和各第四過孔h4排列為多個第二過孔行，在第二方向Y上，第一過孔行和第二過孔行交替排列，也就是說，多個第一過孔行可以為奇數行，而多個第二過孔行則為偶數行。在每個第一過孔行中，各第一過孔h1和各第二過孔h2交替排列且位於同一條直線上，在每個第二過孔行中，各第三過孔h3和各第四過孔h4也交替排列且位於同一條直線上。
例如，在第一方向X上，任意相鄰的第一過孔h1和第二過孔h2之間的距離為第二固定距離d2，任意相鄰的第三過孔h3和第四過孔h4之間的距離為第三固定距離d3，第二固定距離d2和第三固定距離d3相等。需要說明的是，第二固定距離d2可以表示在第一方向X上相鄰的第一過孔h1的中心和第二過孔h2的中心之間的距離，第三固定距離d3可以表示在第一方向X上相鄰的第三過孔h3的中心和第四過孔h4的中心之間的距離。
例如，多個重複單元11沿第二方向Y排列以形成多個重複單元組，多個重複單元組沿第一方向X排列。如圖6E所示，在第一方向X上，第一連接電極塊、第二連接電極塊、第三連接電極塊和第四連接電極塊位於相鄰兩個重複單元組之間，在第一方向X上，輔助電極塊的至少一部分位於在輔助電極塊遠離第一驅動電極塊的一側且與輔助電極塊所在的重複單元組相鄰的重複單元組中的相鄰兩個重複單元之間。例如，在一些實施例中，第P個重複單元組位於第一列，第P+1個重複單元組位於第二列。對於位於第P+1個重複單元組中的重複單元，輔助電極塊Ae的至少一部分位於在輔助電極塊Ae遠離第一驅動電極塊De1的一側且與輔助電極塊Ae所在的重複單元組（即第P+1個重複單元組）相鄰的重複單元組（即第P個重複單元組）中的相鄰兩個重複單元之間，例如，如圖6E所示，位於第二列的重複單元中的輔助電極塊Ae的至少一部分延伸至第一列，且位於第一列的相鄰兩個重複單元之間，例如，位於第二列的重複單元中的輔助電極塊Ae的至少一部分位於第一列的相鄰的第三子畫素R和第四子畫素B之間。
例如，如圖6C所示，第一子畫素G1的第二發光控制電路124a的第二發光控制電晶體包括第二極1241a（例如，汲極）和主動層1242a。第一子畫素G1的驅動電路的驅動電晶體包括閘極1221a（即驅動電路122a的控制端）和主動層1222a。需要說明的是，圖6C沒有示出第一子畫素G1的第二發光控制電晶體的閘極和第一極、第一子畫素G1的驅動電晶體的第一極和第二極等。
例如，主動半導體層310和第一導電層320之間設置有閘極絕緣層，即如圖6C所示，在第一子畫素G1的驅動電晶體的閘極1221a和主動層1222a之間設置有閘極絕緣層131，閘極絕緣層131覆蓋在整個顯示基板100上，由此，第二發光控制電晶體的閘極和主動層之間也設置有閘極絕緣層131。第一子畫素G1的驅動電晶體的閘極1221a設置在閘極絕緣層131的遠離襯底基板10的一側。如圖6C所示，在閘極絕緣層131的遠離襯底基板10的一側還設置有與第一子畫素G1的第一發光控制電路連接的第一發光控制信號線EM1a和第二發光控制電路連接的第二發光控制信號線EM2a。
例如，如圖6C所示，第一連接電極塊Ce1在襯底基板10上的正投影和與第一子畫素G1的畫素電路的第二發光控制電路連接的第二發光控制信號線EM2a（即與第一子畫素G1的第一發光控制電路連接的第一發光控制信號線EM1a）在襯底基板10上的正投影至少部分重疊。
例如，如圖6C所示，在第一子畫素G1的驅動電晶體的閘極1221a上還設置有第一絕緣層132，在第一絕緣層132的遠離襯底基板10的一側設置有第一子畫素G1的第三電容C2的第一極CC1a。在第三電容C2的第二極CC2a的遠離襯底基板10的一側設置有第二絕緣層133。第一子畫素G1的第二發光控制電晶體的第二極1241a設置在第二絕緣層133的遠離襯底基板10的一側，且通過貫穿第二絕緣層133、第一絕緣層132和閘極絕緣層131的過孔388a與第二發光控制電晶體的主動層1242a電連接。例如，第一絕緣層132和第二絕緣層133也覆蓋在整個顯示基板100上。
例如，在第二絕緣層133的遠離襯底基板10的一側還設置有第一子畫素G1的第一連接部341a，第一子畫素G1的第一連接部341a通過貫穿第二絕緣層133、第一子畫素G1的第三電容C2的第一極CC1a和第一絕緣層132的過孔385a與第一子畫素G1的驅動電晶體的閘極1221a電連接。第一連接部341a在襯底基板10上的正投影和第一子畫素G1的驅動電晶體的閘極1221a在襯底基板10上的正投影至少部分重疊，也就是說，第一連接部341a在襯底基板10上的正投影、第一子畫素G1的驅動電晶體的閘極1221a在襯底基板10上的正投影和輔助電極塊Ae在襯底基板10上的正投影至少部分重疊。
需要說明的是，對於第一子畫素G1，在垂直於襯底基板10的方向上，第一電容C11的第一極CC3a（即輔助電極塊Ae）和第二極CC4a（即第一子畫素G1的驅動電晶體的閘極1221a）之間，還設置有第一子畫素G1的第三電容C2的第一極CC1a、第一子畫素G1的第一連接部341a等金屬層，因此，在輔助電極塊Ae和第一子畫素G1的第一連接部341a之間也可能存在寄生電容，在輔助電極塊Ae和第一子畫素G1的第三電容C2的第一極CC1a之間也可能存在寄生電容，在第一子畫素G1的第三電容C2的第一極CC1a和第一子畫素G1的第一連接部341a之間也可能存在寄生電容，在第一子畫素G1的驅動電晶體的閘極1221a和第一子畫素G1的第一連接部341a之間也可能存在寄生電容，在第一子畫素G1的驅動電晶體的閘極1221a和第一子畫素G1的第三電容C2的第一極CC1a之間也可能存在寄生電容，這些寄生電容的位置和大小等與顯示基板的具體版圖（Layout）結構相關，對此，本公開不作詳細描述。
例如，第一子畫素G1的第二發光控制電晶體的第二極1241a、第一連接部341a均位於畫素電路的源汲極金屬層340中，第一子畫素G1的驅動電晶體的閘極1221a和第一發光控制信號線EM1a/第二發光控制信號線EM2a均位於畫素電路的第一導電層320中，第一子畫素G1的第三電容C2的第一極CC1a位於畫素電路的第二導電層330中，第一子畫素G1的第二發光控制電晶體的主動層1242a和驅動電晶體的主動層1222a位於畫素電路的主動半導體層310中。
例如，第一連接電極塊Ce1通過第一過孔h1延伸到畫素電路的源汲極金屬層340，以與位於畫素電路的源汲極金屬層340中的第一子畫素G1的第二發光控制電晶體的第二極1241a電連接。
例如，如圖6C所示，在垂直於襯底基板10的方向上，在第一連接電極塊Ce1和襯底基板10之間設置有與第二子畫素G2的畫素電路連接的第一重置電源信號線Init1b/第二重置電源信號線Init2b、第二子畫素G2的第二連接部342b的至少部分和過孔386b，第二子畫素G2的第二連接部342b通過該過孔386b與第一重置電源信號線Init1b/第二重置電源信號線Init2b電連接。
例如，第一重置電源信號線Init1b/第二重置電源信號線Init2b位於畫素電路的第二導電層330中。
例如，如圖6C所示，在垂直於襯底基板10的方向上，在第一驅動電極塊De1和襯底基板10之間設置有與第二子畫素G2的畫素電路連接的第一重置控制信號線Rst1a/第二重置控制信號線Rst2a、第二子畫素G2的第二連接部342b的至少部分、第二子畫素G2的第一連接部341b的至少部分、過孔387b、過孔384b、第二子畫素G2的第一重置電晶體T6的第二極1291b（也為第二子畫素G2的閾值補償電晶體T3的第二極）、第二子畫素G2的第一重置電晶體T6的第一極1292b（也為第二子畫素G2的第二重置電晶體T7的第一極），第二子畫素G2的第二連接部342b通過過孔387b與第二子畫素G2的第一重置電晶體T6的第一極1292b電連接，第二子畫素G2的第一連接部341b通過過孔384b與第二子畫素G2的第一重置電晶體T6的第二極1291b電連接。
例如，如圖6C所示，第二子畫素G2的第二發光控制電路124b的第二發光控制電晶體包括第二極1241b（例如，汲極）和主動層1242b。第二子畫素G2的驅動電路的驅動電晶體包括閘極1221b（即驅動電路122b的控制端）和主動層1222b。需要說明的是，圖6C沒有示出第二子畫素G2的第二發光控制電晶體的閘極和第一極、第二子畫素G2的驅動電晶體的第一極和第二極等。
例如，在第二子畫素G2的驅動電晶體的閘極1221b和主動層1222b之間也設置有閘極絕緣層131。在第二子畫素G2的驅動電晶體的閘極1221b上也設置有第一絕緣層132。在第一絕緣層132的遠離襯底基板10的一側設置有第二子畫素G2的第三電容C2的第一極CC1b。第二子畫素G2的第二發光控制電晶體的第二極1241b設置在第二絕緣層133的遠離襯底基板10的一側，且通過貫穿第二絕緣層133、第一絕緣層132和閘極絕緣層131的過孔388b與第二子畫素G2的第二發光控制電晶體的主動層1242b電連接。
例如，如圖6C所示，在閘極絕緣層131的遠離襯底基板10的一側還設置有與第二子畫素G2的第一發光控制電路連接的第一發光控制信號線EM1b和第二發光控制電路連接的第二發光控制信號線EM2b。
例如，如圖6C所示，第二連接電極塊Ce2在襯底基板10上的正投影和與第二子畫素G2的畫素電路的第二發光控制電路連接的第二發光控制信號線EM2b（即與第二子畫素G2的第一發光控制電路連接的第一發光控制信號線EM1b）在襯底基板10上的正投影均至少部分重疊。
例如，如圖6C所示，在閘極絕緣層131的遠離襯底基板10的一側還設置有與第二子畫素G2的資料寫入電晶體電連接的第一掃描信號線Ga1b和與第二子畫素G2的閾值補償電晶體電連接的第二掃描信號線Ga2b。
例如，在第二絕緣層133的遠離襯底基板10的一側還設置有第二子畫素G2的第一連接部341b，第二子畫素G2的第一連接部341b通過貫穿第二絕緣層133、第二子畫素G2的第三電容C2的第一極CC1b和第一絕緣層132的過孔385b與第二子畫素G2的驅動電晶體的閘極1221b電連接。第二子畫素G2的第一連接部341b在襯底基板10上的正投影和第二子畫素G2的驅動電晶體的閘極1221b在襯底基板10上的正投影至少部分重疊，也就是說，第一連接部341b在襯底基板10上的正投影、第二子畫素G2的驅動電晶體的閘極1221b在襯底基板10上的正投影和第二驅動電極塊De2在襯底基板10上的正投影至少部分重疊。
需要說明的是，對於第二子畫素G2，在垂直於襯底基板10的方向上，第二電容C12的第一極CC1b（即第二驅動電極塊De2）和第二極（即第二子畫素G2的驅動電晶體的閘極1221b）之間，還設置有第二子畫素G2的第三電容C2的第一極CC1b、第二子畫素G2的第一連接部341b等金屬層，因此，在第二驅動電極塊De2和第二子畫素G2的第一連接部341b之間也可能存在寄生電容，在第二驅動電極塊De2和第二子畫素G2的第三電容C2的第一極CC1b之間也可能存在寄生電容，在第二子畫素G2的第三電容C2的第一極CC1b和第二子畫素G2的第一連接部341b之間也可能存在寄生電容，在第二子畫素G2的驅動電晶體的閘極1221b和第二子畫素G2的第一連接部341b之間也可能存在寄生電容，在第二子畫素G2的驅動電晶體的閘極1221b和第二子畫素G2的第三電容C2的第一極CC1b之間也可能存在寄生電容，這些寄生電容的位置和大小等與顯示基板的具體版圖（Layout）結構相關，對此，本公開不作詳細描述。
例如，第二子畫素G2的第二發光控制電晶體的第二極1241b、第一連接部341b均位於畫素電路的源汲極金屬層340中，第二子畫素G2的驅動電晶體的閘極1221b和第一發光控制信號線EM1b/第二發光控制信號線EM2b位於畫素電路的第一導電層320中，第二子畫素G2的第三電容C2的第一極CC1b位於畫素電路的第二導電層330中，第二子畫素G2的第二發光控制電晶體的主動層1242b和驅動電晶體的主動層1222b位於畫素電路的主動半導體層310中。
例如，第二連接電極塊Ce2通過第二過孔h2延伸到畫素電路的源汲極金屬層340，以與位於畫素電路的源汲極金屬層340的第二子畫素G2的第二發光控制電晶體的第二極1241b電連接。
例如，如圖6B和圖6C所示，第二子畫素G2的第一發光電壓施加電極在襯底基板上的正投影與第二子畫素G2的畫素電路對應的主動半導體層在襯底基板上的正投影的重疊部分的形狀可以包括“幾”字形，該“幾”字形對應的主動半導體層部分包括第二子畫素G2的畫素電路的驅動電晶體的主動層。在垂直於襯底基板的方向上，第二子畫素G2的畫素電路對應的主動半導體層的與第二子畫素G2的第一發光電壓施加電極交疊的部分可以包括第二子畫素G2的畫素電路的驅動電晶體的主動層。此外，第二子畫素G2的畫素電路對應的主動半導體層的與第二子畫素G2的第一發光電壓施加電極交疊的部分還可以包括第二子畫素G2的畫素電路的第二發光控制電晶體T5的汲極區域。
例如，如圖6B和圖6C所示，第二子畫素G2的第一發光電壓施加電極在襯底基板上的正投影與第二子畫素G2的畫素電路對應的源汲極金屬層在襯底基板上的正投影部分重疊。在垂直於襯底基板的方向上，第二子畫素G2的畫素電路對應的源汲極金屬層的與第二子畫素G2的第一發光電壓施加電極交疊的部分包括第一連接部的一部分（即第一連接部的與第二子畫素G2的畫素電路的驅動電晶體的閘極交疊的部分）和第三連接部（即第二子畫素G2的畫素電路的第二發光控制電晶體T5的汲極）、第一電源信號線VDD1的一部分等。
例如，如圖6B和圖6C所示，在垂直於襯底基板的方向上，第二子畫素G2的畫素電路對應的主動半導體層的與第一子畫素G1的第一發光電壓施加電極交疊的部分可以包括第二子畫素G2的畫素電路中的重置電路129b中的第一重置電晶體T6和第二重置電晶體T7的主動層、汲極區域、第一子畫素G1的畫素電路中的驅動電晶體的主動層（“幾”字形）的一部分、第一子畫素G1的畫素電路的第二發光控制電晶體T5的汲極區域等。
例如，如圖6B和圖6C所示，第一子畫素G1的第一發光電壓施加電極在襯底基板上的正投影與第一子畫素G1的畫素電路對應的源汲極金屬層在襯底基板上的正投影、第二子畫素G2的畫素電路對應的源汲極金屬層在襯底基板上的正投影均部分重疊。例如，在垂直於襯底基板的方向上，第二子畫素G2的畫素電路對應的源汲極金屬層的與第一子畫素G1的第一發光電壓施加電極交疊的部分包括第一連接部的一部分（即第一連接部的與閾值補償電晶體的汲極區域交疊的部分）、第二連接部（即第二子畫素G2的畫素電路的第二重置電晶體的汲極和第一重置電源信號線之間的連接部）和第一電源信號線VDD1的一部分等。第一子畫素G1的畫素電路對應的源汲極金屬層的與第一子畫素G1的第一發光電壓施加電極交疊的部分包括第一連接部的一部分（即第一連接部的與第一子畫素G1的畫素電路的驅動電晶體的閘極交疊的部分）和第三連接部（即第一子畫素G1的畫素電路的第二發光控制電晶體的汲極）等。例如，如圖6D所示，第四子畫素B的第二發光控制電路124d的第二發光控制電晶體包括第二極1241d（例如，汲極）和主動層1242c。第三子畫素R的驅動電路的驅動電晶體包括閘極1221d（即驅動電路122d的控制端）和主動層1222d。需要說明的是，圖6D沒有示出第四子畫素B的第二發光控制電晶體的閘極和第一極、第四子畫素B的驅動電晶體的第一極和第二極等。
例如，如圖6D所示，在第四子畫素B的驅動電晶體的閘極1221d和主動層1222d之間設置有閘極絕緣層131，在第四子畫素B的驅動電晶體的閘極1221d上也設置有第一絕緣層132。在第一絕緣層132的遠離襯底基板10的一側設置有第四子畫素B的第三電容C2的第一極CC1d。第四子畫素B的第二發光控制電晶體的第二極1241d設置在第二絕緣層133的遠離襯底基板10的一側，且通過貫穿第二絕緣層133、第一絕緣層132和閘極絕緣層131的過孔388d與第四子畫素B的第二發光控制電晶體的主動層1242d電連接。
例如，如圖6D所示，在閘極絕緣層131的遠離襯底基板10的一側還設置有與第四子畫素B的第一發光控制電路連接的第一發光控制信號線EM1d和第二發光控制電路連接的第二發光控制信號線EM2d。例如，如圖6B和圖6C所示，對於位於第二列的第四子畫素B，與該第四子畫素B對應的第一發光控制信號線EM1d和第二發光控制信號線EM2d為同一條信號線，且該第一發光控制信號線EM1d/第二發光控制信號線EM2d和與位於第二列的第二子畫素G2對應的第一發光控制信號線EM1b/第二發光控制信號線EM2b也為同一條信號線。
例如，如圖6D所示，第四連接電極塊Ce4在襯底基板10上的正投影和與第四子畫素B的畫素電路的第二發光控制電路連接的第二發光控制信號線EM2d（即與第四子畫素B的第一發光控制電路連接的第一發光控制信號線EM1d）在襯底基板10上的正投影均至少部分重疊。
例如，如圖6D所示，在閘極絕緣層131的遠離襯底基板10的一側還設置有與第四子畫素B的資料寫入電晶體電連接的第一掃描信號線Ga1d和與第四子畫素B的閾值補償電晶體電連接的第二掃描信號線Ga2d。例如，如圖6B和圖6C所示，對於位於第二列的第四子畫素B，與該第四子畫素B對應的第一掃描信號線Ga1d和第二掃描信號線Ga2d為同一條信號線，且該第一掃描信號線Ga1d/第二掃描信號線Ga2d和與位於第二列的第二子畫素G2對應的第一掃描信號線Ga1b/第二掃描信號線Ga2b也為同一條信號線。
例如，在第二絕緣層133的遠離襯底基板10的一側還設置有第四子畫素B的第一連接部341d，第四子畫素B的第一連接部341d通過貫穿第二絕緣層133、第四子畫素B的第三電容C2的第一極CC1d和第一絕緣層132的過孔385d與第四子畫素B的驅動電晶體的閘極1221d電連接。第四子畫素B的第一連接部341d在襯底基板10上的正投影和第四子畫素B的驅動電晶體的閘極1221d在襯底基板10上的正投影至少部分重疊，也就是說，第一連接部341d在襯底基板10上的正投影、第四子畫素B的驅動電晶體的閘極1221d在襯底基板10上的正投影和第四驅動電極塊De4在襯底基板10上的正投影至少部分重疊。
需要說明的是，對於第四子畫素B，在垂直於襯底基板10的方向上，第四驅動電極塊De4和第四子畫素B的驅動電晶體的閘極1221d之間，還設置有第四子畫素B的第三電容C2的第一極CC1d、第四子畫素B的第一連接部341d等金屬層，因此，在第四驅動電極塊De4和第四子畫素B的第一連接部341d之間也可能存在寄生電容，在第四驅動電極塊De4和第四子畫素B的第三電容C2的第一極CC1d之間也可能存在寄生電容，在第四子畫素B的第三電容C2的第一極CC1d和第四子畫素B的第一連接部341d之間也可能存在寄生電容，在第四子畫素B的驅動電晶體的閘極1221d和第四子畫素B的第一連接部341d之間也可能存在寄生電容，在第四子畫素B的驅動電晶體的閘極1221d和第四子畫素B的第三電容C2的第一極CC1d之間也可能存在寄生電容，這些寄生電容的位置和大小等與顯示基板的具體版圖（Layout）結構相關，對此，本公開不作詳細描述。
例如，如圖6D所示，在襯底基板10上設置有與第四子畫素B的畫素電路連接的第一重置電源信號線Init1d/第二重置電源信號線Init2和過孔386d；在垂直於襯底基板10的方向上，在第四驅動電極塊Ce1和襯底基板10之間設置有第四子畫素B的第二連接部342d的至少部分，第四子畫素B的第二連接部342d通過該過孔386d與第一重置電源信號線Init1d/第二重置電源信號線Init2d電連接。
例如，如圖6D所示，在垂直於襯底基板10的方向上，在第四驅動電極塊De4和襯底基板10之間設置有與第四子畫素B的畫素電路連接的第一重置控制信號線Rst1d/第二重置控制信號線Rst2d、第四子畫素B的第二連接部342d的至少部分、第四子畫素B的第一連接部341d、過孔387d、過孔384d、第四子畫素B的第一重置電晶體T6的第二極1291d（也為第四子畫素B的閾值補償電晶體T3的第二極）、第四子畫素B的第一重置電晶體T6的第一極1292d（也為第四子畫素B的第二重置電晶體T7的第一極），第四子畫素B的第二連接部342d通過過孔387d與第四子畫素B的第一重置電晶體T6的第一極1292d電連接，第四子畫素B的第一連接部341d通過過孔384d與第四子畫素B的第一重置電晶體T6的第二極1291d電連接。
例如，第四子畫素B的第二發光控制電晶體的第二極1241d、第一連接部341d均位於畫素電路的源汲極金屬層340中，第四子畫素B的驅動電晶體的閘極1221d和第一發光控制信號線EM1d/第二發光控制信號線EM2d位於第四子畫素B的畫素電路的第一導電層320中，第四子畫素B的第三電容C2的第一極CC1d和第一重置電源信號線Init1d/第二重置電源信號線Init2d位於畫素電路的第二導電層330中，第四子畫素B的第二發光控制電晶體的主動層1242d和驅動電晶體的主動層1222d位於畫素電路的主動半導體層310中。
例如，第四連接電極塊Ce4通過第四過孔h4延伸到畫素電路的源汲極金屬層，以與位於畫素電路的源汲極金屬層的第四子畫素B的第二發光控制電晶體的第二極1241d電連接。
例如，第三子畫素R的畫素電路和第四子畫素B的畫素電路中的各個電路（例如，驅動電路、第一發光控制電路、第二發光控制電路、儲存電路、重置電路、閾值補償電路、資料寫入電路等）的連接關係與圖3A所示的示例相同。
本公開的實施例還提供一種顯示基板。如圖2所示，顯示基板100包括襯底基板10和設置在襯底基板10上的多個重複單元11，每個重複單元11包括多個子畫素12。每個子畫素12包括發光元件120和畫素電路121，畫素電路121用於驅動發光元件120發光，畫素電路121包括驅動電路122。
例如，如圖5A所示，多個子畫素12的驅動電路122在襯底基板10上陣列排列，例如，區域31至40可以為襯底基板10上各個子畫素的驅動電路所在區域，在圖5A所示的示例中示出了兩列五行的驅動電路。例如，在圖3A所示的示例中，在虛線圈出的重複單元11中，第一子畫素G1的畫素電路的驅動電路位於區域32，第二子畫素G2的畫素電路的驅動電路位於區域37，第三子畫素R的畫素電路的驅動電路位於區域38，第四子畫素B的畫素電路的驅動電路位於區域36。
需要說明的是，在本公開中，“行”可以表示各個畫素電路所在區域對應的行，“列”可以表示各個畫素電路所在區域對應的列。
例如，每個子畫素的發光元件120包括第一發光電壓施加電極、第二發光電壓施加電極和設置在第一發光電壓施加電極和第二發光電壓施加電極之間的發光層。例如，在一些實施例中，第一發光電壓施加電極為陽極，第二發光電壓施加電極為陰極。
例如，如圖5A和6A所示，多個子畫素12包括第一子畫素G1和第二子畫素G2。例如，第一子畫素G1的發光元件發出的光的顏色和第二子畫素G2的發光元件發出的光的顏色相同，例如，第一子畫素G1和第二子畫素G2均為綠色子畫素。
例如，如圖6A所示，第一子畫素G1的發光元件的第一發光電壓施加電極和第二子畫素G2的發光元件的第一發光電壓施加電極沿第一方向X排列。
例如，如圖6A所示，第一子畫素G1的發光元件的第一發光電壓施加電極1201a包括輔助電極塊Ae、第一驅動電極塊De1和第一連接電極塊Ce1，輔助電極塊Ae、第一驅動電極塊De1和第一連接電極塊Ce1彼此電連接。
例如，如圖6A所示，第二子畫素G2的發光元件的第一發光電壓施加電極1201b包括第二驅動電極塊De2和第二連接電極塊Ce2，第二驅動電極塊De2和第二連接電極塊Ce2電連接。
例如，第一子畫素G1的發光元件的第一發光電壓施加電極1201a的面積和第二子畫素G2的發光元件的第一發光電壓施加電極1201b的面積不相同，例如，第一子畫素G1的發光元件的第一發光電壓施加電極1201a的面積大於第二子畫素G2的發光元件的第一發光電壓施加電極1201b的面積。
例如，如圖6B所示，輔助電極塊Ae位於第一子畫素G1的畫素電路的驅動電路的控制端的遠離襯底基板10的一側，第二驅動電極塊De2位於第二子畫素G2的畫素電路的驅動電路的控制端的遠離襯底基板10的一側。例如，輔助電極塊Ae的形狀與第二驅動電極塊De2的形狀不相同，也就是說，位於第一子畫素G1的畫素電路的驅動電路的控制端的遠離襯底基板10的一側的第一子畫素G1的陽極部分的形狀與位於第二子畫素G2的畫素電路的驅動電路的控制端的遠離襯底基板10的一側的第二子畫素G2的陽極部分的形狀不相同。
例如，如圖3A所示，每個子畫素的畫素電路121的驅動電路122包括驅動電晶體T1。輔助電極塊Ae位於第一子畫素G1的畫素電路的驅動電晶體T1的閘極的遠離襯底基板10的一側，第二驅動電極塊De2位於第二子畫素G2的畫素電路的驅動電晶體T1的閘極的遠離襯底基板10的一側。
例如，輔助電極塊Ae在襯底基板上的正投影與第一子畫素G1的畫素電路的驅動電晶體T1的閘極在襯底基板上的正投影至少部分重疊，第二驅動電極塊De2在襯底基板上的正投影與第二子畫素G2的畫素電路的驅動電晶體T1的閘極在襯底基板上的正投影至少部分重疊。
例如，輔助電極塊Ae在襯底基板上的正投影與第一子畫素G1的畫素電路的驅動電晶體T1的閘極在襯底基板上的正投影的重疊部分的面積為第一面積，第二驅動電極塊De2在襯底基板上的正投影與第二子畫素G2的畫素電路的驅動電晶體T1的閘極在襯底基板上的正投影的重疊部分的面積為第二面積，第一面積和第二面積的比值滿足以下關係式：
Amin≤AR1/AR2≤Amax，
其中，AR1表示第一面積，AR2表示第二面積，Amin表示最小比值閾值，且為90%，Amax表示最大比值閾值，且為110%。
例如，如圖6A和圖6B所示，第一驅動電極塊De1的形狀和輔助電極塊Ae的形狀不相同，第一驅動電極塊De1的形狀與第二驅動電極塊De2的形狀相同，例如，第一驅動電機塊De1的形狀和第二驅動電極塊De2的形狀均可以為五邊形，輔助電極塊Ae的形狀可以為矩形。但本公開不限於此，第一驅動電機塊De1的形狀和第二驅動電極塊De2的形狀也可以為矩形等，輔助電極塊Ae的形狀也可以為五邊形、六邊形、橢圓形等。
例如，第一驅動電極塊De1在襯底基板10上的正投影的面積與第二驅動電極塊De2在襯底基板10上的正投影的面積相同。
例如，如圖6A和圖6B所示，第一連接電極塊Ce1的形狀與第二連接電極塊Ce2的形狀也可以相同，例如，第一連接電極塊Ce1的形狀與第二連接電極塊Ce2的形狀均可以為矩形。
例如，第一連接電極塊Ce1在襯底基板10上的正投影的面積與第二連接電極塊Ce2在襯底基板10上的正投影的面積相同。
需要說明的是，在本公開的一些實施例中，第一連接電極塊Ce1的形狀與第二連接電極塊Ce2的形狀也可以不相同，和/或，第一連接電極塊Ce1在襯底基板10上的正投影的面積與第二連接電極塊Ce2在襯底基板10上的正投影的面積也可以不相同。
例如，如圖6B所示，第一子畫素G1的畫素電路的驅動電路的控制端和第二子畫素G2的畫素電路的驅動電路的控制端沿第一方向X排列，也就是說，第一子畫素G1的畫素電路的驅動電晶體T1的閘極和第二子畫素G2的畫素電路的驅動電晶體T1的閘極沿第一方向X排列。
例如，如圖6B所示，在第一方向X上，第一驅動電極塊De1位於第一子畫素G1的畫素電路的驅動電路的控制端靠近第二子畫素G2的畫素電路的驅動電路的控制端的一側。例如，在一些示例中，如圖6B所示，在第一方向X上，第一驅動電極塊De1位於第一子畫素G1的畫素電路的驅動電路的控制端和第二子畫素G2的畫素電路的驅動電路的控制端之間。
例如，如圖6B所示，在第一方向X上，第一連接電極塊Ce1位於第一驅動電極塊De1的遠離第二子畫素G2的畫素電路的驅動電路的控制端的一側。例如，在第一方向X上，第一連接電極塊Ce1位於第一子畫素G1的畫素電路的驅動電路的控制端和第二子畫素G2的畫素電路的驅動電路的控制端之間。也就是說，在第一方向X上，第一連接電極塊Ce1和第一驅動電極塊De1均位於第一子畫素G1的畫素電路的驅動電路的控制端和第二子畫素G2的畫素電路的驅動電路的控制端之間。
例如，在第一方向X上，第一連接電極塊Ce1位於第一驅動電極塊De1的遠離第二驅動電極塊De2的一側，也就是說，第一驅動電極塊De1位於第一連接電極塊Ce1和第二驅動電極塊De2之間。
例如，在第一方向X上，第一連接電極塊Ce1位於第一驅動電極塊De1和輔助電極塊Ae之間，也就是說，輔助電極塊Ae位於第一連接電極塊Ce1的遠離第一驅動電極塊De1的一側。
例如，在第一方向X上，第二連接電極塊Ce2位於第二子畫素G2的畫素電路的驅動電路的控制端的遠離第一子畫素G1的畫素電路的驅動電路的控制端的一側。
例如，在第一方向X上，第二驅動電極塊De2位於第二連接電極塊Ce2和第一驅動電極塊De1之間，即第二連接電極塊Ce2位於第二驅動電極塊De2的遠離第一驅動電極塊De1的一側。
例如，如圖5A所示，多個子畫素12還包括第三子畫素R和第四子畫素B。例如，第三子畫素R的發光元件的第一發光電壓施加電極和第四子畫素B的發光元件的第一發光電壓施加電極沿第二方向Y排列。第一方向X和第二方向Y相互垂直。
例如，如圖6A所示，第三子畫素R的發光元件的第一發光電壓施加電極包括第三驅動電極塊De3和第三連接電極塊Ce3，第三驅動電極塊De3和第三連接電極塊Ce3彼此電連接。例如，第三驅動電極塊De3在襯底基板上的正投影與第三子畫素R的畫素電路的驅動電路的控制端在襯底基板上的正投影至少部分重疊。
例如，如圖6A所示，第四子畫素B的發光元件的第一發光電壓施加電極包括第四驅動電極塊De4和第四連接電極塊Ce4，第四驅動電極塊De4和第四連接電極塊Ce4彼此電連接。例如，如圖6B示，第四驅動電極塊De4位於第四子畫素B的畫素電路的驅動電路的控制端的遠離襯底基板10的一側，例如，第四驅動電極塊De4在襯底基板上的正投影與第四子畫素B的畫素電路的驅動電路的控制端在襯底基板上的正投影至少部分重疊。
例如，在第一方向X上，第一子畫素G1的畫素電路的驅動電路的控制端（即驅動電晶體的閘極）的中心和第一驅動電極塊De1的中心之間的距離大於第二子畫素G2的畫素電路的驅動電路的控制端的中心和第二驅動電極塊De2的中心之間的距離。
需要說明的是，在本公開中，“中心”可以表示元件的物理形狀的幾何中心。在對畫素排列結構進行設計時，驅動電晶體的閘極、發光元件的陽極等元件一般會設計為規則的形狀，比如，矩形、六邊形、五邊形、梯形或其他形狀。在進行設計時，元件（例如，驅動電晶體的閘極或發光元件的陽極等）的中心可以是上述規則形狀的幾何中心。然而，在實際製造工藝中，所形成的驅動電晶體的閘極、發光元件的陽極等元件的形狀一般會與上述設計的規則形狀有一定的偏差。例如，上述規則的形狀的各個角可能會變成圓角，因此，驅動電晶體的閘極、發光元件的陽極等元件的形狀可以為圓角圖形。此外，實際製造的驅動電晶體的閘極、發光元件的陽極等元件的形狀還可能會與設計的形狀有其他的變化。例如，設計為六邊形的子畫素的形狀在實際製造中可能變成近似橢圓形。因此，驅動電晶體的閘極、發光元件的陽極等元件的中心也可能並非製作形成的子畫素的不規則形狀的嚴格的幾何中心。在本公開的實施例中，元件的中心可以與元件的形狀的幾何中心有一定的偏移量。此外，“中心”也可以表示元件的重心。
本公開的實施例還提供一種顯示基板。如圖2所示，顯示基板100包括襯底基板10和設置在襯底基板10上的多個重複單元11，每個重複單元11包括多個子畫素12。每個子畫素12包括發光元件120和畫素電路121，畫素電路121用於驅動發光元件120發光。
例如，每個子畫素的發光元件包括第一發光電壓施加電極、第二發光電壓施加電極和設置在第一發光電壓施加電極和第二發光電壓施加電極之間的發光層。
例如，如圖3A所示，每個子畫素的畫素電路121包括驅動電路122、第二發光控制電路124和重置電路129。
例如，第二發光控制電路124電連接至第二發光控制信號線EM2、驅動電路122的第二端、發光元件120的第一發光電壓施加電極，且被配置為在第二發光控制信號線EM2提供的第二發光控制信號的控制下實現驅動電路122和發光元件120之間的連接導通或斷開。
重置電路129電連接至驅動電路122的控制端和第一重置控制信號線Rst1，且配置為在第一重置控制信號線Rst1提供的第一子重置控制信號的控制下對驅動電路122的控制端進行重置。
例如，第二發光控制信號線EM2和第一重置控制信號線Rst1沿第一方向X排列。如圖4B所示，對於第一子畫素G1，與該第一子畫素G1的第二發光控制電路連接的第二發光控制信號線EM2a和與該第一子畫素G1的重置電路連接的第一重置控制信號線Rst1a沿第一方向X排列。
例如，如圖5A所示，多個子畫素12包括第一子畫素G1和第二子畫素G2。例如，第一子畫素G1的發光元件發出的光的顏色和第二子畫素G2的發光元件發出的光的顏色相同，第一子畫素G1的發光元件的第一發光電壓施加電極的形狀和第二子畫素G2的發光元件的第一發光電壓施加電極的形狀不相同。
例如，如圖6B所示，第一子畫素G1的發光元件的第一發光電壓施加電極在襯底基板上的正投影和與第二子畫素G2的畫素電路的重置電路連接的第一重置控制信號線Rst1b在襯底基板上的正投影、與第一子畫素G1的畫素電路的第二發光控制電路連接的第二發光控制信號線EM2a在襯底基板上的正投影均至少部分重疊，第二子畫素G2的發光元件的第一發光電壓施加電極在襯底基板上的正投影和與第二子畫素G2的畫素電路的第二發光控制電路連接的第二發光控制信號線EM2b在襯底基板上的正投影至少部分重疊。
例如，如圖3A所示，重置電路129還電連接至發光元件的第一發光電壓施加電極和第二重置控制信號線Rst2，且配置為在第二重置控制信號線Rst2提供的第二子重置控制信號的控制下對發光元件的第一發光電壓施加電極進行重置。例如，在一些實施例中，第一重置控制信號線Rst1和第二重置控制信號線Rst2為同一條信號線。
例如，如圖3A所示，每個子畫素的畫素電路121還包括資料寫入電路126，資料寫入電路126電連接至驅動電路122的第一端和第一掃描信號線Ga1，且被配置為在第一掃描信號線Ga1提供的掃描信號的控制下將資料信號寫入驅動電路122的控制端。
例如，在第一方向X上，第一掃描信號線Ga1位於第二發光控制信號線EM1和第一重置控制信號線Rst1之間，如圖4B所示，對於第一子畫素G1，與該第一子畫素G1的資料寫入電路連接的第一掃描信號線Ga1a位於與該第一子畫素G1的第二發光控制電路連接的第二發光控制信號線EM2a和與該第一子畫素G1的重置電路連接的第一重置控制信號線Rst1a之間。
例如，如圖6A所示，第一子畫素G1的發光元件的第一發光電壓施加電極和第二子畫素G2的發光元件的第一發光電壓施加電極沿第一方向X排列。
例如，如圖6B所示，在第一方向X上，與第二子畫素G2的畫素電路的資料寫入電路連接的第一掃描信號線Ga1b位於第一子畫素G1的發光元件的第一發光電壓施加電極和第二子畫素G2的發光元件的第一發光電壓施加電極之間。
例如，每個子畫素的重置電路129還與第一重置電源信號線電連接，重置電路129配置為在第一重置控制信號線提供的第一子重置控制信號的控制下根據第一重置電源信號線提供的第一重置信號對驅動電路1222的控制端進行重置。
例如，每個子畫素的重置電路129還與第二重置電源信號線電連接，重置電路129配置為在第二重置控制信號線提供的第二子重置控制信號的控制下根據第二重置電源信號線提供的第二重置信號對發光元件的第一發光電壓施加電極進行重置。例如，在一些實施例中，第一重置電源信號線和第二重置電源信號線為同一條信號線。
例如，在第一方向X上，第一重置電源信號線位於第一重置控制信號線的遠離第二發光控制信號線的一側，也就是說，第一重置控制信號線位於第一重置電源信號線和第二發光控制信號線之間。如圖4E所示，對於第一子畫素G1，在第一方向X上，與該第一子畫素G1的重置電路連接的第一重置電源信號線Init1a位於與該第一子畫素G1的重置電路連接的第一重置控制信號線Rst1a的遠離與該第一子畫素G1的第二發光控制電路連接的第二發光控制信號線EM2a的一側，即第一重置控制信號線Rst1a位於第一重置電源信號線Init1a和第二發光控制信號線EM2a之間。
例如，第二發光控制信號線、第一重置控制信號線、第一掃描信號線和第一重置電源信號線均沿第二方向延伸，第二方向與第一方向相互垂直。例如，第二發光控制信號線、第一重置控制信號線、第一掃描信號線和第一重置電源信號線彼此平行，例如，大致平行。如圖4E所示，對於第一子畫素G1，與該第一子畫素G1的第二發光控制電路連接的第二發光控制信號線EM2a、與該第一子畫素G1的重置電路連接的第一重置控制信號線Rst1a、與該第一子畫素G1的資料寫入電路連接的第一掃描信號線Ga1a和與該第一子畫素G1的重置電路連接的第一重置電源信號線Init1a均沿第二方向Y延伸，且彼此大致平行。
需要說明的是，在本公開中，“延伸”表示各條信號線（例如，第二發光控制信號線、第一重置控制信號線、第一掃描信號線和第一重置電源信號線）大體上的走線方向，各條信號線在微觀上可能並不是直線，而是呈波浪狀沿第二方向Y延伸。
例如，如圖6B所示，第一子畫素G1的發光元件的第一發光電壓施加電極在襯底基板上的正投影還和與第二子畫素G2的畫素電路的重置電路連接的第一重置電源信號線Rst1b在襯底基板上的正投影至少部分重疊。
例如，如圖6A所示，第一子畫素G1的發光元件的第一發光電壓施加電極包括輔助電極塊Ae、第一驅動電極塊De1和第一連接電極塊Ce1，輔助電極塊Ae、第一驅動電極塊De1和第一連接電極塊Ce1彼此電連接，且沿第一方向X排列。第二子畫素G2的發光元件的第一發光電壓施加電極包括第二驅動電極塊De2和第二連接電極塊Ce2，第二驅動電極塊De2和第二連接電極塊Ce2電連接，且沿第一方向X排列。
例如，在第一方向X上，第一連接電極塊Ce1和輔助電極塊Ae塊均位於第一驅動電極塊De1的遠離第二驅動電極塊De2的一側，第一連接電極塊Ce1位於輔助電極塊Ae和第一驅動電極塊De1之間，第二連接電極塊Ce2位於第二驅動電極塊De2的遠離第一驅動電極塊De1的一側。
例如，如圖6B所示，第一驅動電極塊De1在襯底基板上的正投影和與第二子畫素G2的畫素電路的重置電路連接的第一重置控制信號線Rst1b在襯底基板上的正投影、與第二子畫素G2的畫素電路的重置電路連接的第一重置電源信號線Init1b在襯底基板上的正投影均至少部分重疊，第一連接電極塊Ce1在襯底基板上的正投影和與第一子畫素G1的畫素電路的第二發光控制電路連接的第二發光控制信號線EM1a在襯底基板上的正投影至少部分重疊。在第一方向上，輔助電極塊Ae位於與第一子畫素G1的畫素電路的第二發光控制電路連接的第二發光控制信號線EM1a的遠離第二子畫素G2的發光元件的第一發光電壓施加電極的一側。
例如，如圖6B所示，第二連接電極塊Ce2在襯底基板上的正投影和與第二子畫素G2的畫素電路的第二發光控制電路連接的第二發光控制信號線EM1b在襯底基板上的正投影至少部分重疊，在第一方向X上，第二驅動電極塊De2位於與第二子畫素G2的畫素電路的第二發光控制電路連接的第二發光控制信號線EM1b和與第二子畫素G2的畫素電路的資料寫入電路連接的第一掃描信號線Ga1b之間。
本公開的實施例還提供一種顯示面板。圖7為本公開一些實施例提供的一種顯示面板的局部結構示意圖。例如，如圖7所示，顯示面板700包括上述任一實施例所述的顯示基板100。
例如，如圖7所示，多個重複單元11沿第二方向Y排列以形成多個重複單元組，圖7示出了兩個重複單元組，且兩個重複單元組分別為第P個重複單元組和第P+1個重複單元組，第P個重複單元組和第P+1個重複單元組為相鄰的兩個重複單元組，例如，P為大於等於1的正整數。多個重複單元組沿第一方向X排列。也就是說，顯示基板100中的多個重複單元11沿第一方向X和第二方向Y呈陣列排列。
需要說明的是，參考上面的圖5A和圖6E，第P個重複單元組位於第一列，第P+1個重複單元組位於第二列，圖7中並沒有示出各個子畫素的發光元件的連接電極塊。
例如，第P個重複單元組中的重複單元的第一子畫素G1和第二子畫素G2的中心的連線的延長線和第P+1個重複單元組中的重複單元的第一子畫素G1和第二子畫素G2的中心的連線的延長線不重合。例如，第P個重複單元組中的重複單元的第一子畫素G1和第二子畫素G2的中心的連線的延長線穿過第P+1個重複單元組中相鄰兩個重複單元之間的間隔的中心，類似地，第P+1個重複單元組中的重複單元的第一子畫素G1和第二子畫素G2的中心的連線的延長線穿過第P個重複單元組中相鄰兩個重複單元之間的間隔的中心。
例如，顯示面板700可以為液晶顯示面板或有機發光二極體（OLED）顯示面板等。例如，當顯示面板700為液晶顯示面板時，顯示基板100可以為陣列基板，也可以為彩膜基板。當顯示面板700為有機發光二極體顯示面板時，顯示基板100可以為陣列基板。
例如，顯示面板700可以為矩形面板、圓形面板、橢圓形面板或多邊形面板等。另外，顯示面板700不僅可以為平面面板，也可以為曲面面板，甚至球面面板。
例如，顯示面板700還可以具備觸控功能，即顯示面板600可以為觸控顯示面板。
例如，顯示面板700可以應用於手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記型電腦、數位相框、導航儀等任何具有顯示功能的產品或部件中。
本公開的實施例還提供一種顯示裝置，圖8A為本公開一些實施例提供的一種顯示裝置的示意性框圖，圖8B為本公開一些實施例提供的一種顯示裝置的結構示意圖。
例如，如圖8A所示，本公開實施例提供的顯示裝置800包括顯示面板801，顯示面板801包括顯示基板802，顯示面板801為上述任一實施例所述的顯示面板700，顯示基板802為上述任一實施例所述的顯示基板100。
例如，如圖8A所示，顯示裝置800還可以包括驅動晶片803，驅動晶片803與顯示面板801電連接。
例如，驅動晶片803位於每個重複單元11中的第一子畫素G1的遠離第二子畫素G2的一側。如圖8B所示，顯示基板802上的每個重複單元11中的第一子畫素G1和第二子畫素G2沿第一方向X排列，在第一方向X上，驅動晶片803位於每個重複單元11中的第一子畫素G1的遠離第二子畫素G2的一側。也就是說，在第一方向X上，第一子畫素G1與驅動晶片803之間的距離小於第二子畫素G2與驅動晶片803之間的距離。例如，在圖8B所示的示例中，相對於第二子畫素G2，第一子畫素G1更靠近顯示面板801的上側，從而驅動晶片803可以位於顯示面板801的上側。
例如，驅動晶片803可以為半導體晶片，且可以包括資料驅動器。驅動晶片803中的資料驅動器用於驅動顯示面板801中的多條資料線，例如，資料驅動器可以向多條資料線提供資料信號。
例如，顯示裝置800可以為手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記型電腦、數位相框、導航儀等任何具有顯示功能的產品或部件。
需要說明的是，對於該顯示裝置800的其它組成部分（例如控制裝置、圖像資料編碼/解碼裝置、閘極驅動器、定時控制器、時脈電路等）均為本領域的普通技術人員應該理解具有的，在此不做贅述，也不應作為對本發明的限制。
本公開的實施例還提供一種用於製備根據上述任一實施例所述的顯示基板的製備方法，圖9為本公開一實施例提供的一種顯示基板的製備方法的示意性流程圖。
例如，如圖9所示，顯示基板的製備方法可以包括：
S10：提供襯底基板，
S11：在襯底基板上形成多個重複單元。
例如，在步驟S11中，每個重複單元包括多個子畫素，每個子畫素包括畫素電路和發光元件，發光元件包括第一發光電壓施加電極、第二發光電壓施加電極和設置在第一發光電壓施加電極和第二發光電壓施加電極之間的發光層，多個子畫素包括第一子畫素和第二子畫素，第一子畫素的發光元件發出的光的顏色和第二子畫素的發光元件發出的光的顏色相同，第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極的形狀和第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極的形狀不相同，第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極在襯底基板上的正投影與第一子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端在襯底基板上的正投影至少部分重疊，第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極在襯底基板上的正投影與第二子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端在襯底基板上的正投影至少部分重疊。
例如，在步驟S11中，在形成第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極時，通過一次構圖工藝形成第一驅動電極塊和輔助電極塊，且輔助電極塊在襯底基板上的正投影與第一子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端在襯底基板上的正投影至少部分重疊，例如，第一子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端在襯底基板上的正投影位於輔助電極塊在襯底基板上的正投影內。例如，在本公開的實施例中，一次構圖工藝可以包括：光刻塗覆、曝光、顯影、刻蝕和光刻膠剝離等操作。
需要說明的是，當第一發光電壓施加電極包括第一連接電極塊時，在形成第一驅動電極塊和輔助電極塊的同時，還可以形成第一連接電極塊。
例如，在步驟S11中，在形成第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極時，形成第二驅動電極塊，且第二驅動電極塊在襯底基板上的正投影與第二子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端在襯底基板上的正投影至少部分重疊，例如，第二子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端在襯底基板上的正投影位於第二驅動電極塊在襯底基板上的正投影內。
需要說明的是，當第二發光電壓施加電極包括第二連接電極塊時，可以通過一次構圖工藝形成第二驅動電極塊和第二連接電極塊。
值得注意的是，關於重複單元的詳細說明可以參考上述顯示基板的實施例中的相關描述，重複之處在此不再贅述。
對於本公開，還有以下幾點需要說明： （1）     本公開實施例附圖只涉及到與本公開實施例涉及到的結構，其他結構可參考通常設計。 （2）     為了清晰起見，在用於描述本發明的實施例的附圖中，層或結構的厚度和尺寸被放大。可以理解，當諸如層、膜、區域或基板之類的元件被稱作位於另一元件“上”或“下”時，該元件可以“直接”位於另一元件 “上”或“下”，或者可以存在中間元件。 （3）     在不衝突的情況下，本公開的實施例及實施例中的特徵可以相互組合以得到新的實施例。
以上所述僅為本公開的具體實施方式，但本公開的保護範圍並不局限於此，本公開的保護範圍應以所述申請專利範圍的保護範圍為准。
400:畫素重複單元 405、406:方向 401:紅色子畫素 402:藍色子畫素 403:第一綠色子畫素 404:第二綠色子畫素 100、802:顯示基板 10:襯底基板 11:重複單元 12:子畫素 120:發光元件 121、121a、121b:畫素電路 122、122a、122b:驅動電路 123、123a、123b:第一發光控制電路 124、124a、124b、124d:第二發光控制電路 126、126a、126b:資料寫入電路 127、127a、127b:儲存電路 128、128a、128b:閾值補償電路 129、129a、129b:重置電路 T1:驅動電晶體 T2:資料寫入電晶體 T3:閾值補償電晶體 T4:第一發光控制電晶體 T5:第二發光控制電晶體 T6:第一重置電晶體 T7:第二重置電晶體 VDD:第一電壓端 VSS:第二電壓端 Vd:資料線 Ga1、Ga1a、Ga1b:第一掃描信號線 Ga2、Ga2a、Ga2b:第二掃描信號線 Vinit1、Vinit1a、Vinit1b:第一重置電源端 Rst1、Rst1a、Rst1b:第一重置控制信號線 Vinit2、Vinit2a、Vinit2b:第二重置電源端 Rst2、Rst2a、Rst2b:第二重置控制信號線 EM1、EM1a、EM1b:第一發光控制信號線 EM2、EM2a、EM2b:第二發光控制信號線 C11:第一電容 C12:第二電容 C2:第三電容 125a:第一寄生電路 125b:第二寄生電路 CC1a、CC1b、CC1d、 CC3a、1241a、1241b:第一極 CC2a、CC4a、1291b、1241d:第二極 310:主動半導體層 X:第一方向 Y:第二方向 320:第一導電層 330:第二導電層 340:源汲極金屬層 VDD1:第一電源信號線 VDD2:第二電源信號線 341a、341b、341d:第一連接部 342a、342b、342d:第二連接部 343a:第三連接部 381a~388a、3831a、3832a、384b~388b、384d~388d:過孔 31~40:區域 1201、1201a、1201b、1201d:第一發光電壓施加電極 1202、1202d:第二發光電壓施加電極 1203、1203a、1203d:發光層 G1:第一子畫素 G2:第二子畫素 R:第三子畫素 B:第四子畫素 Ae:輔助電極塊 De1:第一驅動電極塊 De2:第二驅動電極塊 De3:第三驅動電極塊 De4:第四驅動電極塊 Ce1:第一連接電極塊 Ce2:第二連接電極塊 Ce3:第三連接電極塊 Ce4:第四連接電極塊 h1:第一過孔 h2:第二過孔 h3:第三過孔 h4:第四過孔 1221a、1221b:控制端 1222a、1222b、1242a、1242b、1222d、1242d:主動層 160:畫素界定層 131:閘極絕緣層 132:第一絕緣層 133:第二絕緣層 101:中間層 1221d:閘極 HT1:排列週期 D1:第一固定距離 d2:第二固定距離 d3:第三固定距離 700、801:顯示面板 800:顯示裝置 803:驅動晶片 S10、S11:步驟
為了更清楚地說明本公開實施例的技術方案，下面將對實施例的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本公開的一些實施例，而非對本公開的限制。
圖1為一種畫素排列結構中的畫素重複單元的結構示意圖； 圖2為本公開一些實施例提供的一種顯示基板的示意性框圖； 圖3A為本公開一些實施例提供的一種畫素電路的結構示意圖； 圖3B為本公開一些實施例提供的一種第一子畫素的畫素電路的結構示意圖； 圖3C為本公開一些實施例提供的一種第二子畫素的畫素電路的結構示意圖； 圖4A -4E為本公開一些實施例提供的一種畫素電路的各層的示意圖； 圖5A為本公開一些實施例提供的一種顯示基板的平面示意圖； 圖5B為本公開一些實施例提供的一種重複單元的平面示意圖； 圖6A為本公開一些實施例提供的另一種重複單元的平面示意圖； 圖6B為本公開一些實施例提供的一種顯示基板的佈局圖； 圖6C為圖6B中線L1-L1'的截面結構示意圖； 圖6D為圖6B中線L2-L2'的截面結構示意圖； 圖6E為本公開一些實施例提供的又一種顯示基板的平面示意圖； 圖7為本公開一些實施例提供的一種顯示面板的局部結構示意圖； 圖8A為本公開一些實施例提供的一種顯示裝置的示意性框圖； 圖8B為本公開一些實施例提供的一種顯示裝置的結構示意圖； 圖9為本公開一實施例提供的一種顯示基板的製備方法的示意性流程圖。
10:襯底基板
11:重複單元
31~40:區域
1201、1201a、1201b:第一發光電壓施加電極
G1:第一子畫素
G2:第二子畫素
R:第三子畫素
B:第四子畫素
X:第一方向
Y:第二方向

Claims (49)

  1. 一種顯示基板，包括襯底基板和設置在所述襯底基板上的多個重複單元， 其中，每個所述重複單元包括多個子畫素，每個所述子畫素包括發光元件和驅動所述發光元件發光的畫素電路， 所述畫素電路包括驅動電路， 所述發光元件包括第一發光電壓施加電極、第二發光電壓施加電極和設置在所述第一發光電壓施加電極和所述第二發光電壓施加電極之間的發光層， 所述多個子畫素包括第一子畫素和第二子畫素，所述第一子畫素的發光元件發出的光的顏色和所述第二子畫素的發光元件發出的光的顏色相同，所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極的形狀和所述第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極的形狀不相同， 所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極在所述襯底基板上的正投影與所述第一子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊， 所述第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極在所述襯底基板上的正投影與所述第二子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的顯示基板，其中，所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極在所述襯底基板上的正投影的面積和所述第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極在所述襯底基板上的正投影的面積不相同。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述的顯示基板，其中，所述第一子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端在所述襯底基板上的正投影和所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極在所述襯底基板上的正投影的重疊部分的面積為第一面積，所述第二子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端在所述襯底基板上的正投影和所述第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極在所述襯底基板上的正投影的重疊部分的面積為第二面積， 所述第一面積和所述第二面積的比值滿足以下關係式： Amin≤AR1/AR2≤Amax， 其中，AR1表示所述第一面積，AR2表示所述第二面積，Amin表示最小比值閾值，且為90%，Amax表示最大比值閾值，且為110%。
  4. 如申請專利範圍第1-3項中任一項所述的顯示基板，其中，所述第一子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端在所述襯底基板上的正投影位於所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極在所述襯底基板上的正投影內； 所述第二子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端在所述襯底基板上的正投影位於所述第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極在所述襯底基板上的正投影內。
  5. 如申請專利範圍第1-4項中任一項所述的顯示基板，其中，所述第一子畫素的發光元件的發光層在所述襯底基板上的正投影與所述第二子畫素的發光元件的發光層在所述襯底基板上的正投影是連續的。
  6. 如申請專利範圍第1-5項中任一項所述的顯示基板，其中，所述畫素電路還包括第一發光控制電路和第二發光控制電路， 所述驅動電路包括控制端、第一端和第二端，且被配置為為所述發光元件提供驅動所述發光元件發光的驅動電流； 所述第一發光控制電路與所述驅動電路的第一端和第一電壓端連接，且被配置為實現所述驅動電路和所述第一電壓端之間的連接導通或斷開， 所述第二發光控制電路與所述驅動電路的第二端和所述發光元件的第一發光電壓施加電極電連接，且被配置為實現所述驅動電路和所述發光元件之間的連接導通或斷開。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的顯示基板，其中，所述第一子畫素的畫素電路還包括第一寄生電路，所述第二子畫素的畫素電路還包括第二寄生電路， 所述第一寄生電路與所述第一子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端和所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極電連接，且被配置為基於所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極的電壓控制所述第一子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端的電壓， 所述第二寄生電路與所述第二子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端和所述第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極電連接，且被配置為基於所述第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極的電壓控制所述第二子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端的電壓。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的顯示基板，其中，所述第一寄生電路包括第一電容，所述第一電容包括第一極和第二極， 所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極包括輔助電極塊，所述輔助電極塊在所述襯底基板上的正投影與所述第一子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊， 所述輔助電極塊作為所述第一電容的第一極，所述第一子畫素的驅動電路的控制端複用為所述第一電容的第二極。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的顯示基板，其中，所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極還包括第一驅動電極塊，所述第一驅動電極塊和所述輔助電極塊電連接， 所述第一驅動電極塊在所述襯底基板上的正投影、所述第一子畫素的發光元件的發光層在所述襯底基板上的正投影和所述第一子畫素的發光元件的第二發光電壓施加電極在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的顯示基板，其中，所述第二寄生電路包括第二電容，所述第二電容包括第一極和第二極， 所述第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極包括第二驅動電極塊，所述第二驅動電極塊在所述襯底基板上的正投影與所述第二子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊， 所述第二驅動電極塊在所述襯底基板上的正投影、所述第二子畫素的發光元件的發光層在所述襯底基板上的正投影和所述第二子畫素的發光元件的第二發光電壓施加電極在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊， 所述第二驅動電極塊複用為所述第二電容的第一極，所述第二子畫素的驅動電路的控制端複用為所述第二電容的第二極。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的顯示基板，其中，所述第一驅動電極塊的形狀與所述第二驅動電極塊的形狀相同，所述第一驅動電極塊在所述襯底基板上的正投影的面積與所述第二驅動電極塊在所述襯底基板上的正投影的面積相同。
  12. 如申請專利範圍第10或11項所述的顯示基板，其中，在所述每個重複單元中，所述第一子畫素和所述第二子畫素沿第一方向排列，所述第一方向平行於所述襯底基板的表面， 在所述第一方向上，所述輔助電極塊位於所述第一驅動電極塊的遠離所述第二子畫素的發光元件的一側。
  13. 如申請專利範圍第8-12項中任一項所述的顯示基板，其中，所述輔助電極塊在所述襯底基板上的正投影與所述第一子畫素的發光元件的發光層在所述襯底基板上的正投影不重疊。
  14. 如申請專利範圍第12項所述的顯示基板，其中，所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極還包括第一連接電極塊， 在所述第一方向上，所述第一連接電極塊位於所述第一驅動電極塊的遠離所述第二子畫素的發光元件的一側，所述第一連接電極塊位於所述輔助電極塊和所述第一驅動電極塊之間，且與所述輔助電極塊和所述第一驅動電極塊均電連接。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的顯示基板，還包括中間層， 其中，在垂直於所述襯底基板的表面的方向上，所述畫素電路位於所述中間層和所述襯底基板之間，所述發光元件位於所述中間層的遠離所述襯底基板的一側， 所述中間層包括第一過孔，所述第一連接電極塊延伸至所述第一過孔且通過所述第一過孔與所述第一子畫素的畫素電路電連接。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的顯示基板，其中，所述第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極還包括第二連接電極塊，所述第二連接電極塊與所述第二驅動電極塊電連接， 在所述第一方向上，所述第二連接電極塊位於所述第二驅動電極塊的遠離所述第一子畫素的發光元件的一側。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的顯示基板，其中， 所述中間層包括第二過孔，所述第二連接電極塊延伸至所述第二過孔且通過所述第二過孔與所述第二子畫素的畫素電路電連接。
  18. 如申請專利範圍第16或17項所述的顯示基板，其中，所述第一連接電極塊通過所述第一過孔與所述第一子畫素的畫素電路的第二發光控制電路電連接，所述第二連接電極塊通過所述第二過孔與所述第二子畫素的畫素電路的第二發光控制電路電連接。
  19. 如申請專利範圍第16-18項中任一項所述的顯示基板，其中，所述畫素電路包括主動半導體層、閘極金屬層和源汲極金屬層，在垂直於所述襯底基板的方向上，所述主動半導體層位於所述襯底基板與所述閘極金屬層之間，所述閘極金屬層位於所述主動半導體層和所述源汲極金屬層之間， 所述第一連接電極塊通過所述第一過孔延伸到所述第一子畫素的畫素電路的源汲極金屬層， 所述第二連接電極塊通過所述第二過孔延伸到所述第二子畫素的畫素電路的源汲極金屬層。
  20. 如申請專利範圍第16-19項中任一項所述的顯示基板，其中，所述多個子畫素還包括第三子畫素和第四子畫素， 其中，在所述每個重複單元中，所述第三子畫素和所述第四子畫素沿第二方向排列，且在所述第二方向上，所述第一子畫素和所述第二子畫素位於所述第三子畫素和所述第四子畫素之間， 所述第二方向平行於所述襯底基板的表面，且所述第一方向和所述第二方向相互垂直。
  21. 如申請專利範圍第20項所述的顯示基板，其中，所述第三子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極包括彼此電連接的第三驅動電極塊和第三連接電極塊，所述第四子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極包括彼此電連接的第四驅動電極塊和第四連接電極塊， 所述中間層包括第三過孔和第四過孔，所述第三連接電極塊延伸至所述第三過孔且通過所述第三過孔與所述第三子畫素的畫素電路電連接，所述第四連接電極塊延伸至所述第四過孔且通過所述第四過孔與所述第四子畫素的畫素電路電連接。
  22. 如申請專利範圍第21項所述的顯示基板，其中，在所述每個重複單元中， 在所述第一方向上，所述第三連接電極位於所述第三驅動電極塊的遠離所述輔助電極塊的一側，在所述第二方向上，所述第三連接電極位於所述第三驅動電極塊的靠近所述第四驅動電極塊的一側， 在所述第一方向上，所述第四連接電極位於所述第四驅動電極塊的遠離所述輔助電極塊的一側，在所述第二方向上，所述第四連接電極位於所述第四驅動電極塊的靠近所述第三驅動電極塊的一側。
  23. 如申請專利範圍第21或22項所述的顯示基板，其中，所述第三連接電極塊通過所述第三過孔與所述第三子畫素的畫素電路的第二發光控制電路電連接， 所述第四連接電極塊通過所述第四過孔與所述第四子畫素的畫素電路的第二發光控制電路電連接。
  24. 如申請專利範圍第21-23項中任一項所述的顯示基板，其中，所述多個重複單元沿第二方向排列以形成多個重複單元組，所述多個重複單元組沿所述第一方向排列， 在所述第一方向上，所述第一連接電極塊、所述第二連接電極塊、所述第三連接電極塊和所述第四連接電極塊位於相鄰兩個重複單元組之間， 在所述第一方向上，所述輔助電極塊的至少一部分位於在所述輔助電極塊遠離所述第一驅動電極塊的一側且與所述輔助電極塊所在的重複單元組相鄰的重複單元組中的相鄰兩個重複單元之間。
  25. 如申請專利範圍第20-24項中任一項所述的顯示基板，其中，所述第一子畫素和所述第二子畫素均為綠色子畫素，所述第三子畫素為紅色子畫素，所述第四子畫素為藍色子畫素。
  26. 如申請專利範圍第6-25項中任一項所述的顯示基板，其中，所述畫素電路還包括資料寫入電路、儲存電路、閾值補償電路和重置電路， 所述資料寫入電路與所述驅動電路的第一端電連接，且被配置為在掃描信號的控制下將資料信號寫入所述儲存電路； 所述儲存電路與所述驅動電路的控制端和所述第一電壓端電連接，且被配置為儲存所述資料信號； 所述閾值補償電路與所述驅動電路的控制端和第二端電連接，且被配置為對所述驅動電路進行閾值補償； 所述重置電路與所述驅動電路的控制端和所述發光元件的第一發光電壓施加電極電連接，且配置為在重置控制信號的控制下對所述驅動電路的控制端和所述發光元件的第一發光電壓施加電極進行重置。
  27. 如申請專利範圍第26項所述的顯示基板，其中，所述驅動電路包括驅動電晶體，所述驅動電路的控制端包括所述驅動電晶體的閘極，所述驅動電路的第一端包括所述驅動電晶體的第一極，所述驅動電路的第二端包括所述驅動電晶體的第二極， 所述資料寫入電路包括資料寫入電晶體，所述儲存電路包括第三電容，所述閾值補償電路包括閾值補償電晶體，所述重置電路包括第一重置電晶體和第二重置電晶體，所述第一發光控制電路包括第一發光控制電晶體，所述第二發光控制電路包括第二發光控制電晶體，所述重置控制信號包括第一子重置控制信號和第二子重置控制信號， 所述資料寫入電晶體的第一極與所述驅動電晶體的第一極電連接，所述資料寫入電晶體的第二極被配置為接收所述資料信號，所述資料寫入電晶體的閘極被配置為接收所述掃描信號； 所述第三電容的第一極與所述第一電壓端電連接，所述第三電容的第二極與所述驅動電晶體的閘極電連接； 所述閾值補償電晶體的第一極與所述驅動電晶體的第二極電連接，所述閾值補償電晶體的第二極與所述驅動電晶體的閘極電連接，所述閾值補償電晶體的閘極被配置為接收補償控制信號； 所述第一重置電晶體的第一極被配置為接收第一重置信號，所述第一重置電晶體的第二極與所述驅動電晶體的閘極電連接，所述第一重置電晶體的閘極被配置為接收所述第一子重置控制信號； 所述第二重置電晶體的第一極被配置為接收第二重置信號，所述第二重置電晶體的第二極與所述發光元件的第一發光電壓施加電極電連接，所述第二重置電晶體的閘極被配置為接收所述第二子重置控制信號； 所述第一發光控制電晶體的第一極與所述第一電壓端電連接，所述第一發光控制電晶體的第二極與所述驅動電晶體的第一極電連接，所述第一發光控制電晶體的閘極被配置為接收第一發光控制信號， 所述第二發光控制電晶體的第一極與所述驅動電晶體的第二極電連接，所述第二發光控制電晶體的第二極與所述發光元件的第一發光電壓施加電極電連接，所述第二發光控制電晶體的閘極被配置為接收第二發光控制信號。
  28. 一種顯示面板，包括如申請專利範圍第1-27項中任一項所述的顯示基板。
  29. 一種顯示裝置，包括：如申請專利範圍第28項所述的顯示面板。
  30. 如申請專利範圍第29項所述的顯示裝置，還包括：驅動晶片， 其中，所述驅動晶片與所述顯示面板電連接，且所述驅動晶片位於每個所述重複單元中的第一子畫素的遠離第二子畫素的一側。
  31. 如申請專利範圍第29項所述的顯示裝置，其中，在每個所述重複單元中，所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極在所述襯底基板上的正投影的面積大於所述第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極在所述襯底基板上的正投影的面積。
  32. 一種用於製備如申請專利範圍第1-27項中任一項所述的顯示基板的製備方法，包括： 提供所述襯底基板， 在所述襯底基板上形成所述多個重複單元，其中，每個所述重複單元包括多個子畫素，每個所述子畫素包括畫素電路和發光元件，所述發光元件包括第一發光電壓施加電極、第二發光電壓施加電極和設置在所述第一發光電壓施加電極和所述第二發光電壓施加電極之間的發光層，所述多個子畫素包括第一子畫素和第二子畫素，所述第一子畫素的發光元件發出的光的顏色和所述第二子畫素的發光元件發出的光的顏色相同，所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極的形狀和所述第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極的形狀不相同，所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極在所述襯底基板上的正投影與所述第一子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊，所述第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極在所述襯底基板上的正投影與所述第二子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊。
  33. 一種顯示基板，包括襯底基板和設置在所述襯底基板上的多個重複單元， 其中，每個所述重複單元包括多個子畫素，每個所述子畫素包括發光元件和驅動所述發光元件發光的畫素電路，所述畫素電路包括驅動電路，所述發光元件包括第一發光電壓施加電極、第二發光電壓施加電極和設置在所述第一發光電壓施加電極和所述第二發光電壓施加電極之間的發光層， 所述多個子畫素的驅動電路在所述襯底基板上陣列排列， 所述多個子畫素包括第一子畫素和第二子畫素，所述第一子畫素的發光元件發出的光的顏色和所述第二子畫素的發光元件發出的光的顏色相同， 所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極包括輔助電極塊、第一驅動電極塊和第一連接電極塊，所述第一驅動電極塊、所述輔助電極塊和所述第一連接電極塊彼此電連接， 所述第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極包括第二驅動電極塊和第二連接電極塊，所述第二驅動電極塊和所述第二連接電極塊電連接， 所述輔助電極塊位於所述第一子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端的遠離所述襯底基板的一側， 所述第二驅動電極塊位於所述第二子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端的遠離所述襯底基板的一側。
  34. 如申請專利範圍第33項所述的顯示基板，其中，所述第一驅動電極塊的形狀和所述輔助電極塊的形狀不相同，所述第一驅動電極塊的形狀與所述第二驅動電極塊的形狀相同，所述第一驅動電極塊在所述襯底基板上的正投影的面積與所述第二驅動電極塊在所述襯底基板上的正投影的面積相同。
  35. 如申請專利範圍第33或34項所述的顯示基板，其中，所述第一連接電極塊的形狀與所述第二連接電極塊的形狀相同，所述第一連接電極塊在所述襯底基板上的正投影的面積與所述第二連接電極塊在所述襯底基板上的正投影的面積相同。
  36. 如申請專利範圍第33-35項中任一項所述的顯示基板，其中，所述第一子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端和所述第二子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端沿第一方向排列， 在所述第一方向上，所述第一驅動電極塊位於所述第一子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端靠近所述第二子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端的一側。
  37. 如申請專利範圍第36項所述的顯示基板，其中，在所述第一方向上，所述第一驅動電極塊位於所述第一子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端和所述第二子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端之間。
  38. 如申請專利範圍第37項所述的顯示基板，其中，在所述第一方向上，所述第一連接電極塊位於所述第一驅動電極塊的遠離所述第二子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端的一側。
  39. 如申請專利範圍第38項所述的顯示基板，其中，在所述第一方向上，所述第一連接電極塊位於所述第一子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端和所述第二子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端之間。
  40. 如申請專利範圍第38或39項所述的顯示基板，其中，在所述第一方向上，所述第一連接電極塊位於所述第一驅動電極塊和所述輔助電極塊之間。
  41. 如申請專利範圍第36-40項中任一項所述的顯示基板，其中，在所述第一方向上，所述第二連接電極塊位於所述第二子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端的遠離所述第一子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端的一側， 所述第二驅動電極塊位於所述第二連接電極塊和所述第一驅動電極塊之間。
  42. 如申請專利範圍第33-41項中任一項所述的顯示基板，其中，所述第一子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端的中心和所述第一驅動電極塊的中心之間的距離大於所述第二子畫素的畫素電路的驅動電路的控制端的中心和所述第二驅動電極塊的中心之間的距離。
  43. 一種顯示基板，包括襯底基板和設置在所述襯底基板上的多個重複單元， 其中，每個所述重複單元包括多個子畫素，每個所述子畫素包括發光元件和驅動所述發光元件發光的畫素電路， 所述發光元件包括第一發光電壓施加電極、第二發光電壓施加電極和設置在所述第一發光電壓施加電極和所述第二發光電壓施加電極之間的發光層， 所述畫素電路包括驅動電路、第二發光控制電路和重置電路， 所述第二發光控制電路電連接至第二發光控制信號線、所述驅動電路的第二端、所述發光元件的第一發光電壓施加電極，且被配置為在所述第二發光控制信號線提供的第二發光控制信號的控制下實現所述驅動電路和所述發光元件之間的連接導通或斷開， 所述重置電路電連接至所述驅動電路的控制端和第一重置控制信號線，且配置為在所述第一重置控制信號線提供的第一子重置控制信號的控制下對所述驅動電路的控制端進行重置， 所述第二發光控制信號線和所述第一重置控制信號線沿第一方向排列， 所述多個子畫素包括第一子畫素和第二子畫素， 所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極在所述襯底基板上的正投影和與所述第二子畫素的畫素電路的重置電路連接的第一重置控制信號線在所述襯底基板上的正投影、與所述第一子畫素的畫素電路的第二發光控制電路連接的第二發光控制信號線在所述襯底基板上的正投影均至少部分重疊， 所述第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極在所述襯底基板上的正投影和與所述第二子畫素的畫素電路的第二發光控制電路連接的第二發光控制信號線在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊。
  44. 如申請專利範圍第43項所述的顯示基板，其中，所述畫素電路還包括資料寫入電路， 所述資料寫入電路電連接至所述驅動電路的第一端和第一掃描信號線，且被配置為在所述第一掃描信號線提供的掃描信號的控制下將資料信號寫入所述驅動電路的控制端， 在所述第一方向上，所述第一掃描信號線位於所述第二發光控制信號線和所述第一重置控制信號線之間， 所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極和所述第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極沿所述第一方向排列， 在所述第一方向上，與所述第二子畫素的畫素電路的資料寫入電路連接的第一掃描信號線位於所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極和所述第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極之間。
  45. 如申請專利範圍第43或44項所述的顯示基板，其中，所述重置電路還與第一重置電源信號線電連接， 所述重置電路配置為在所述第一重置控制信號線提供的第一子重置控制信號的控制下根據所述第一重置電源信號線提供的第一重置信號對所述驅動電路的控制端進行重置， 在所述第一方向上，所述第一重置電源信號線位於所述第一重置控制信號線的遠離所述第二發光控制信號線的一側， 所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極在所述襯底基板上的正投影還和與所述第二子畫素的畫素電路的重置電路連接的第一重置電源信號線在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊。
  46. 如申請專利範圍第45項所述的顯示基板，其中，所述第二發光控制信號線、所述第一重置控制信號線、所述第一掃描信號線和所述第一重置電源信號線均沿第二方向延伸，所述第二方向與所述第一方向相互垂直。
  47. 如申請專利範圍第45或46項所述的顯示基板，其中，所述第二發光控制信號線、所述第一重置控制信號線、所述第一掃描信號線和所述第一重置電源信號線彼此平行。
  48. 如申請專利範圍第45-47項中任一項所述的顯示基板，其中，所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極包括輔助電極塊、第一驅動電極塊和第一連接電極塊，所述第一驅動電極塊、所述輔助電極塊和所述第一連接電極塊彼此電連接，且沿所述第一方向排列， 所述第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極包括第二驅動電極塊和第二連接電極塊，所述第二驅動電極塊和所述第二連接電極塊電連接，且沿所述第一方向排列， 在所述第一方向上，所述第一連接電極塊和所述輔助電極塊均位於所述第一驅動電極塊的遠離所述第二驅動電極塊的一側，所述第一連接電極塊位於所述輔助電極塊和所述第一驅動電極塊之間，所述第二連接電極塊位於所述第二驅動電極塊的遠離所述第一驅動電極塊的一側， 所述第一驅動電極塊在所述襯底基板上的正投影和與所述第二子畫素的畫素電路的重置電路連接的第一重置控制信號線在所述襯底基板上的正投影、與所述第二子畫素的畫素電路的重置電路連接的第一重置電源信號線在所述襯底基板上的正投影均至少部分重疊， 所述第一連接電極塊在所述襯底基板上的正投影和與所述第一子畫素的畫素電路的第二發光控制電路連接的第二發光控制信號線在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊， 在所述第一方向上，所述輔助電極塊位於與所述第一子畫素的畫素電路的第二發光控制電路連接的第二發光控制信號線的遠離所述第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極的一側， 所述第二連接電極塊在所述襯底基板上的正投影和與所述第二子畫素的畫素電路的第二發光控制電路連接的第二發光控制信號線在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊， 在所述第一方向上，所述第二驅動電極塊位於與所述第二子畫素的畫素電路的第二發光控制電路連接的第二發光控制信號線和與所述第二子畫素的畫素電路的資料寫入電路連接的第一掃描信號線之間。
  49. 如申請專利範圍第43-48項中任一項所述的顯示基板，其中，所述第一子畫素的發光元件發出的光的顏色和所述第二子畫素的發光元件發出的光的顏色相同，所述第一子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極的形狀和所述第二子畫素的發光元件的第一發光電壓施加電極的形狀不相同。
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