TW202012055A - 液處理裝置、液處理方法、及電腦可讀取的記錄媒體 - Google Patents

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Abstract

[課題]本揭示說明可以抑制處理液之附著於噴嘴之下端面的液處理裝置、液處理方法、及電腦可讀取的記錄媒體。 [解決手段]液處理裝置，係具備：處理液供給部，構成為從位於基板之表面側的噴嘴將處理液供給至表面；引導構件，構成為引導從噴嘴吐出的處理液之流動；及控制部。噴嘴包含設置有吐出處理液的吐出口之平坦的下端面。控制部係執行以下控制：在下端面接近表面的狀態下，以從吐出口使處理液真吐出至表面的方式對處理液供給部進行控制；及在引導構件位於吐出口之附近之狀態下，以從吐出口使處理液朝向引導構件進行虛擬吐出的方式對處理液供給部進行控制。

Description

液處理裝置、液處理方法、及電腦可讀取的記錄媒體
本揭示關於液處理裝置、液處理方法、及電腦可讀取的記錄媒體。
專利文獻1揭示之液處理裝置具備以下：於杯體之中以保持基板的方式而構成的基板保持部；對基板供給處理液的方式而構成的噴嘴；及於杯體之外側以除去從噴嘴下垂的處理液之液滴的方式而構成的液收集部。依據專利文獻1之裝置，液收集部接觸噴嘴之下端面之同時拂拭該下端面，據此，防止處理液從噴嘴突然掉落。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]特開2010-186974號公報
[發明所欲解決之課題]
本揭示對可以抑制處理液之附著於噴嘴之下端面之液處理裝置、液處理方法、及電腦可讀取的記錄媒體進行說明。 [用以解決課題的手段]
本揭示之一個觀點的液處理裝置，係具備：處理液供給部，構成為從位於基板之表面側的噴嘴將處理液供給至表面；引導構件，構成為引導從噴嘴吐出的處理液之流動；及控制部。噴嘴包含設置有吐出處理液的吐出口之平坦的下端面。控制部執行以下控制：在下端面接近表面的狀態下，以從吐出口使處理液真吐出至表面的方式對處理液供給部進行控制；及在引導構件位於吐出口之附近之狀態下，以從吐出口使處理液朝向引導構件進行虛擬吐出的方式對處理液供給部進行控制。 [發明效果]
依據本揭示的液處理裝置、液處理方法、及電腦可讀取的記錄媒體，可以抑制處理液之附著於噴嘴之下端面。
以下，參照圖面詳細說明本揭示的實施形態之一例。以下之說明中，針對具有同一要素或同一功能的要素使用同一符號，並省略重複之說明。
[液處理裝置] 參照圖1及圖2對液處理裝置1之構成進行說明。如圖1所示，液處理裝置1構成為對晶圓W(基板)之表面Wa供給處理液L1。處理液L1可以是適用於晶圓W之表面的各種液體，例如可以是成為感光性阻劑膜的感光性阻劑液、成為非感光性阻劑膜的非感光性阻劑液等。
晶圓W可以是呈圓板狀，或呈多角形等圓形以外之板狀亦可。晶圓W具有局部性切口的切口部亦可。切口部例如可以是凹槽(U字形、V字形等之溝)，亦可以是直線狀延伸的直線部(所謂定向・平面)。晶圓W例如為半導體基板、玻璃基板、光罩基板、FPD(Flat Panel Display)基板等之其他各種基板。晶圓W之直徑例如為200mm~450mm左右。
液處理裝置1具備：旋轉保持部10；杯20；處理液供給部30；液承受部40；溶劑供給部50；氣體供給部60；及控制器Ctr(控制部)。
旋轉保持部10具有，旋轉部11；軸12；及保持部13。旋轉部11係依據來自控制器Ctr之動作信號而動作使軸12旋轉。旋轉部11例如為電動馬達等之動力源。保持部13設置於軸12之前端部。保持部13上可以配置晶圓W。保持部13例如為藉由吸附等可以將晶圓W保持為大致水平而構成的吸盤。
亦即，旋轉保持部10具有在晶圓W之姿勢為大致水平之狀態下，使晶圓W繞著與晶圓W之表面Wa垂直的軸(旋轉軸)旋轉的功能。本實施形態中，旋轉軸通過呈圓形狀的晶圓W之中心，因此亦為中心軸。
杯20設置於旋轉保持部10之周圍。杯20作為承接為了晶圓W之處理而供給至晶圓W的液體之集液容器之功能。杯20例如可以由聚丙烯(PP：polypropylene)、聚氯乙烯(PVC：polyvinyl chloride)、聚苯硫醚(PPS：Poly Phenylene Sulfide)樹脂等形成。
處理液供給部30構成為對晶圓W之表面Wa供給處理液L1。處理液供給部30具有：液源31；泵32；閥33；噴嘴N；配管34；及驅動機構35(驅動部)。
液源31作為處理液L1之供給源之功能。泵32係依據來自控制器Ctr之動作信號而動作，從液源31吸取處理液L1，經由配管34及閥33將處理液L1送出至噴嘴N。閥33依據來自控制器Ctr之動作信號而動作，於閥33之前後將配管34設為開啟及關閉。
配管34，從上游側依順將液源31、泵32、閥33及噴嘴N連接。驅動機構35係依據來自控制器Ctr之動作信號而動作，使噴嘴N於水平方向或上下方向移動。驅動機構35例如為附有編碼器之伺服馬達，對噴嘴N之移動速度及移動位置進行控制亦可。
噴嘴N係以吐出口Na(參照圖2)朝向晶圓W之表面Wa的方式，藉由驅動機構35可以在晶圓W之上方(杯20上方)與液承受部40之間移動。噴嘴N具有從吐出口Na將由泵32送出的處理液L1朝向下方吐出之功能。吐出口Na設置於噴嘴N之平坦的下端面S。
液承受部40作為承接虛擬吐出時之處理液L1及溶劑L2之集液容器之功能。如圖1及圖2所示，液承受部40包含：框體41；噴嘴42；排液管43；及引導構件70。框體41為上方開放的有底筒體。框體41配置於在上下方向不與杯20重疊的位置(杯20之外方)。噴嘴42設置於框體之側壁面，構成為使溶劑L2朝框體41內吐出。排液管43構成為將吐出至框體41內的處理液L1及溶劑L2進行排出。
引導構件70係沿著垂直方向延伸的棒狀體。引導構件70例如為圓柱亦可，為多角柱亦可。引導構件70被固定於框體41內。
溶劑供給部50構成為對框體41內供給溶劑L2。溶劑L2可以是各種有機溶劑(例如稀釋劑)。溶劑供給部50具有：液源51；泵52；閥53；及配管54。
液源51作為溶劑L2之供給源之功能。泵52係依據來自控制器Ctr之動作信號而動作，從液源51吸取溶劑L2，經由配管54及閥53將溶劑L2送出至噴嘴42。閥53係依據來自控制器Ctr之動作信號而動作，在閥53之前後將配管54設為開啟及關閉。配管54係從上游側依順將液源51、泵52、閥53及噴嘴42連接。
氣體供給部60構成為朝向噴嘴N之下端部供給氣體。氣體G可以是各種惰性氣體，例如為氮氣體(N2 氣體)亦可。氣體供給部60具有：氣體源61；泵62；閥63；配管64；及噴嘴65。
氣體源61作為氣體G之供給源之功能。泵62係依據來自控制器Ctr之動作信號而動作，從氣體源61吸取氣體G，經由配管64及閥63將氣體G送出至噴嘴65。閥63係依據來自控制器Ctr之動作信號而動作，於閥63之前後將配管64設為開啟及關閉。
配管64係從上游側依順將氣體源61、泵62、閥63及噴嘴65連接。噴嘴65係以使前端之吐出口朝向斜下方的方式被固定於框體41內。噴嘴65具有使泵62送出的氣體G從吐出口朝向斜下方吐出之功能。
如圖3所示，控制器Ctr中作為功能模組而具有讀取部M1、記憶部M2、處理液供給控制部M3、溶劑供給控制部M4、及氣體供給控制部M5。彼等之功能模組，僅是為了方便而將控制器Ctr之功能區隔為複數個模組者，未必意味著一定要將構成控制器Ctr的硬體分類為這樣的模組。各功能模組不限定於藉由程式之執行而實現者，藉由專用之電氣電路(例如邏輯電路)，或將其集成的積體電路(ASIC：Application Specific Integrated Circuit)而實現者亦可。
讀取部M1具有從電腦可讀取的記錄媒體RM讀取程式之功能。記錄媒體RM記錄有使液處理裝置1之各部動作的程式。作為記錄媒體RM例如有半導體記憶體、光記錄碟片、磁氣記錄碟片、光磁氣記錄碟片。
記憶部M2具有記憶各種資料之功能。記憶部M2例如記憶著讀取部M1中從記錄媒體RM讀出的程式、處理晶圓W時之各種資料(所謂處理配方)、經由外部輸入裝置(未圖示)而從作業員輸入的設定資料等。
處理液供給控制部M3具有以從噴嘴N對晶圓W之表面Wa吐出處理液L1的方式對處理液供給部30進行控制之功能。此時之處理液L1之吐出動作亦稱為「真吐出」。處理液供給控制部M3具有以從噴嘴N向框體41內吐出處理液L1的方式對處理液供給部30進行控制之功能。此時之處理液L1之吐出動作亦稱為「虛擬吐出」。處理液供給控制部M3具有藉由驅動機構35使噴嘴N在晶圓W之上方與液承受部40之間移動而對處理液供給部30進行控制之功能。
溶劑供給控制部M4具有以從噴嘴42向框體41內吐出溶劑L2的方式對溶劑供給部50進行控制之功能。氣體供給控制部M5具有以從噴嘴65向框體41內吐出氣體G的方式對氣體供給部60進行控制之功能。
控制器Ctr之硬體例如由一個或複數個控制用之電腦構成。控制器Ctr，作為硬體上之構成例如具有圖4所示電路Ctr1。電路Ctr1可以由電氣電路要素(circuitry)構成。具體而言，電路Ctr1具有處理器Ctr2；記憶體Ctr3(記憶部)；儲存器Ctr4(記憶部)；及輸出入埠Ctr5。處理器Ctr2，係和記憶體Ctr3及儲存器Ctr4之至少一方從動並執行程式，藉由執行經由輸出入埠Ctr5的信號之輸出入，而構成上述各功能模組。
本實施形態中，液處理裝置1具備一個控制器Ctr，但具備由複數個控制器Ctr構成的控制器群(控制部)亦可。液處理裝置1具備控制器群之情況下，上述之功能模組分別由一個控制器Ctr來實現亦可，由2個以上之控制器Ctr之組合來實現亦可。控制器Ctr由複數個電腦(電路Ctr1)構成之情況下，上述之功能模組分別由一個電腦(電路Ctr1)來實現亦可，由2個以上之電腦(電路Ctr1)之組合來實現亦可。控制器Ctr具有複數個處理器Ctr2亦可。該情況下，上述之功能模組分別由一個處理器Ctr2來實現亦可，由2個以上之處理器Ctr2之組合來實現亦可。
[液處理方法] 接著，參照圖5及圖6對使用液處理裝置1的液處理方法進行說明。
首先，控制器Ctr以從噴嘴N朝向晶圓W之表面Wa真吐出處理液L1的方式對處理液供給部30進行控制(參照圖5之步驟S1)。據此，處理液供給部30被供給至晶圓W之表面Wa(參照圖6(a))。
此時，於噴嘴N之下端面S會有附著處理液L1。特別是，在噴嘴N之下端面S接近晶圓W之表面Wa的狀態下處理液L1被吐出至表面Wa時，於下端面S容易附著處理液L1(參照圖6(a))。又，「接近」係指下端面S未接觸表面Wa而與表面Wa僅分離些微距離之狀態。下端面S與表面Wa之間隙例如可以為0.1mm~2.0mm左右，1.0mm左右亦可。
處理液L1對晶圓W之表面Wa之供給結束後，控制器Ctr以使真吐出後之噴嘴N移動至液承受部40的方式對處理液供給部30進行控制(參照圖5之步驟S2)。據此，真吐出後之噴嘴N被配置於框體41內。
接著，控制器Ctr以對噴嘴N之下端部供給溶劑L2的方式對溶劑供給部50進行控制(參照圖5之步驟S3)。據此，藉由溶劑L2除去附著於下端面S(特別是吐出口Na之周圍)的處理液L1(參照圖6(b))。從下端面S被除去的處理液L1及供給至噴嘴N的溶劑L2係被承接於框體41中，通過排液管43排出框體41外。另一方面，供給至噴嘴N之下端部的溶劑L2，會有少量從吐出口Na進入噴嘴N內部，或者溶劑L2殘存於下端面S之情況(同樣參照圖6(b))。
接著，控制器Ctr以對噴嘴N之下端部供給氣體G的方式對氣體供給部60進行控制(參照圖5之步驟S4)。據此，藉由氣體G吹散附著於下端面S的溶劑L2，從下端面S將溶劑L2除去(參照圖6(c))。但是，進入噴嘴N內部的溶劑L2乃然會有殘存(同樣參照圖6(c))。
接著，在引導構件70位於吐出口Na之正下方的狀態下，控制器Ctr以從噴嘴N朝向引導構件70虛擬吐出處理液L1的方式對處理液供給部30進行控制(參照圖5之步驟S5)。據此，噴嘴N內部殘存的溶劑L2連同處理液L1從噴嘴N被排出。此時，處理液L1在從吐出口Na吐出之後立即接觸引導構件70，藉由引導構件70之表面張力在引導構件70之表面擴展之同時沿著該表面流下(參照圖6(d))。亦即，從吐出口Na吐出的處理液L1，並非往下端面S，而是被引導至引導構件70側。
虛擬吐出停止時，控制器Ctr以吸取噴嘴N內之處理液L1的方式對處理液供給部30進行控制亦可(亦稱為「倒吸」)。據此，可以抑制噴嘴N之吐出口Na附近之處理液L1之滯留(參照圖6(e))。
藉由以上，結束從噴嘴N對次一晶圓W吐出處理液L1之準備。之後，控制器Ctr以使虛擬吐出後之噴嘴N移動至杯20內之旋轉保持部10保持的晶圓W之上方的方式對處理液供給部30進行控制之同時，再度執行步驟S1以後亦可。
[作用] 以上之實施形態中，引導構件70位於吐出口Na之附近之狀態下，從吐出口Na使處理液L1朝向引導構件70進行虛擬吐出。因此，從吐出口Na吐出的處理液L1，沿著引導構件70之表面流動而難以擴展至周圍。因此，虛擬吐出後噴嘴N之下端面S難以附著處理液。結果，虛擬吐出後無需進行從噴嘴N之下端面S除去處理液L1的作業，僅藉由虛擬吐出，即可抑制處理液L1之附著於噴嘴N之下端面S。
以上之實施形態中，在引導構件70位於吐出口Na之正下方之狀態下，從吐出口Na使處理液L1朝向引導構件70進行虛擬吐出。因此，處理液L1更容易沿著引導構件70之表面流動。
[變形例] 此次揭示的實施形態全部僅為例示，並非用來限制本發明者。上述之實施形態，在不脫離添附之申請專利範圍及其主旨之情況下，可以各種形態進行省略、置換、變更。
(1)如圖7所示，液承受部40進一步包含以驅動引導構件70而構成的驅動機構80(驅動部)亦可。驅動機構80包含：將引導構件70在與框體41之內壁面之間進行支撐的支撐臂部81；及使支撐臂部81沿著垂直方向上下移動的移動軌條82。藉由支撐臂部81在移動軌條82上沿著垂直方向上下移動，則連接於支撐臂部81的引導構件70亦同樣沿著垂直方向上下移動。
使用這樣的驅動機構80，邊移動引導構件70邊進行虛擬吐出亦可。具體而言，如圖8(a)所示，在虛擬吐出之最初，以使引導構件70位於吐出口Na之正下方的方式配置噴嘴N及引導構件70的狀態下，從噴嘴N吐出處理液L1。如圖8(b)所示，處理液L1到達引導構件70之後，控制器Ctr以使引導構件70朝下方移動的方式對驅動機構80進行控制。
但是，從吐出口Na吐出的處理液L1之流動在剛吐出之後最容易紊亂，一旦來自吐出口Na之處理液L1之吐出開始之後，處理液L1之流動呈容易穩定之趨勢。因此，藉由驅動機構80移動引導構件70以使引導構件70相對於吐出口Na下降，來自吐出口Na之處理液L1在剛吐出之後藉由引導構件70引導處理液L1，之後與引導構件70碰撞而跳轉的處理液L1變為難以附著於噴嘴之下端面S。因此，更能夠抑制處理液L1之附著於噴嘴N之下端面S。
藉由驅動機構35移動噴嘴N以使噴嘴N相對於引導構件70上升亦可以獲得同樣之效果。亦即，以使引導構件70相對於吐出口Na下降的方式，使噴嘴N及引導構件70之至少一方可以移動而構成亦可。
(2)在虛擬吐出之終了時或剛終了之前，對噴嘴N內之處理液L1進行吸取之同時，(進行倒吸之同時)，以使引導構件70相對於吐出口Na下降的方式移動噴嘴N及引導構件70之至少一方亦可。該情況下，藉由吸取動作使噴嘴N內之處理液L1被拉向噴嘴N之內側，另一方面，在引導構件70之表面流動的處理液L1伴隨著引導構件70之相對移動而被拉向引導構件70。因此，虛擬吐出之終了時，於噴嘴N之吐出口Na中處理液L1被良好分斷。因此，虛擬吐出後之噴嘴N內的處理液L1之液面，按每一次虛擬吐出處理而容易對齊在一定之高度位置。結果，可以在晶圓W之表面Wa形成均勻的厚度之膜。
(3)驅動機構80(旋轉驅動部)進一步具有使引導構件70繞通過引導構件70之中心的垂直軸而旋轉之功能亦可。該情況下，一邊使引導構件70旋轉一邊進行虛擬吐出亦可。具體而言，如圖9(a)所示，在虛擬吐出之最初，以使引導構件70位於吐出口Na之正下方的方式配置噴嘴N及引導構件70的狀態下，從噴嘴N吐出處理液L1。接著，如圖9(b)所示，處理液L1到達引導構件70之後，控制器Ctr以使引導構件70旋轉的方式對驅動機構80進行控制。據此，從吐出口Na朝向旋轉的引導構件70吐出處理液L1，處理液L1成為容易捲入引導構件70之表面之趨勢。因此，從吐出口Na吐出的處理液L1變為更難向周圍擴展。因此，更能夠抑制處理液L1之附著於噴嘴N之下端面S。
(4)引導構件70之至少上端部呈凹凸形狀亦可。例如，如圖10(a)所示，於引導構件70之上端面設置複數個突起亦可。如圖10(b)所示，於引導構件70之上端緣設置複數個懸臂片亦可。如圖10(c)所示，於引導構件70之上端部設置沿著垂直方向延伸的複數個溝亦可。彼等之情況下，引導構件70之上端部之表面積增加。因此，更多之處理液接觸引導構件70，引導構件70之表面張力容易作用於處理液L1。因此，處理液L1沿著引導構件70之表面更加容易流動。
(5)引導構件70為筒狀亦可。如圖11所示，筒狀之引導構件70位於吐出口Na之正下方之狀態下從噴嘴N吐出處理液L1亦可。該情況下，引導構件70之表面積亦增加，處理液L1沿著引導構件70之表面更加容易流動。
如圖12(a)所示，筒狀之引導構件70之上端頂接下端面S的狀態下從噴嘴N吐出處理液L1亦可。此時，將引導構件70之內徑設為和吐出口Na之開口徑相同左右亦可。從噴嘴N吐出的處理液L1流入引導構件70之內部而從引導構件70之下端排出，不會擴散至下端面S。因此，可以防止處理液L1之附著於噴嘴N之下端面S。又，該情況下，處理液L1沿著引導構件70之表面(內周面)更容易流動。
如圖12(b)所示，於筒狀之引導構件70連接吸取泵90(吸取部)亦可。此時，在吸取泵90進行吸取動作之狀態下，在筒狀的引導構件70之上端頂接於下端面S的狀態下從噴嘴N吐出處理液L1亦可。該情況下，從吐出口Na吐出的處理液L1通過筒狀之引導構件70被吸取泵90吸取。因此，從吐出口Na吐出的處理液L1更難擴散至周圍。因此，更能夠抑制處理液L1之附著於噴嘴N之下端面S。又，圖12(b)係表示引導構件70之上端頂接下端面S之模樣，引導構件70位於吐出口Na之正下方亦可。
(6)如圖13所示，將外徑小於吐出口Na之引導構件70插通於吐出口Na之內部的狀態下，進行虛擬吐出亦可。該情況下，處理液L1沿著引導構件70之表面(內周面)更容易流動。
(7)對引導構件70之表面實施提高表面之潤濕性的表面處理亦可。例如，藉由電漿處理賦予引導構件70之表面親水性亦可，將具有親水性的被膜形成於引導構件70之表面亦可。該情況下，處理液L1沿著引導構件70之表面更加容易流動。
(8)噴嘴N具有平坦的下端面S，於該下端面S形成吐出口Na，噴嘴N之形狀並未特別限定。例如圖14(a)及圖14(b)所示，噴嘴N之前端部具有局部性切口亦可。如圖14(c)所示，於吐出口Na之附近，將噴嘴N內之流路擴徑亦可。如圖14(d)所示，噴嘴N為於水平方向直線狀延伸的長條狀噴嘴亦可。該情況下，引導構件70亦和噴嘴N之夾縫狀之吐出口Na對應而呈平板狀亦可。
(9)如圖15(a)所示，對真吐出後之噴嘴N之下端部供給溶劑L2時，使引導構件70配置於吐出口Na之正下方亦可。該情況下，如圖15(b)所示，溶劑L2藉由引導構件70容易被引導至噴嘴N之吐出口Na附近。因此，附著於噴嘴N之下端面S的處理液L1可以更有效地除去。
(10)上述實施形態中，從噴嘴N使處理液L1朝向晶圓W之表面Wa真吐出之後，對噴嘴N之下端部供給溶劑L2(參照圖5之步驟S3)，但是對噴嘴N之溶劑L2之供給亦可以在真吐出之前進行。或者，不進行對噴嘴N之溶劑L2之供給亦可。
[例示] 例1.本揭示之一例的液處理裝置，係具備：處理液供給部，構成為從位於基板之表面側的噴嘴將處理液供給至表面；引導構件，構成為引導從噴嘴吐出的處理液之流動；及控制部。噴嘴包含設置有吐出處理液的吐出口之平坦的下端面。控制部係執行以下控制：在下端面接近表面的狀態下，以從吐出口使處理液真吐出至表面的方式對處理液供給部進行控制；及在引導構件位於吐出口之附近之狀態下，以從吐出口使處理液朝向引導構件進行虛擬吐出的方式對處理液供給部進行控制。
例1之裝置中，在引導構件位於吐出口之附近之狀態下，以從吐出口使處理液朝向引導構件進行虛擬吐出。因此，從吐出口吐出的處理液沿著引導構件之表面流動而難以擴散至周圍。因此，虛擬吐出後處理液難以附著於噴嘴之下端面。結果，虛擬吐出後無需進行從噴嘴之下端面除去處理液的作業，僅藉由虛擬吐出即可以抑制處理液之附著於噴嘴之下端面。
例2.例1之裝置中，從吐出口使處理液進行虛擬吐出的方式對處理液供給部進行的控制，可以包含以下之控制：在引導構件位於吐出口之正下方之狀態下，以從吐出口使處理液朝向引導構件進行虛擬吐出的方式對處理液供給部進行控制；在筒狀之引導構件與吐出口連通的方式頂接於下端面的狀態下，以從吐出口使處理液朝向引導構件進行虛擬吐出的方式對處理液供給部進行控制；或者在引導構件插通於吐出口之內部的狀態下，以從吐出口使處理液朝向引導構件進行虛擬吐出的方式對處理液供給部進行控制。該情況下，處理液更容易沿著引導構件之表面流動。
例3.例1或例2之裝置還具備：驅動部，構成使噴嘴或引導構件移動；以從吐出口使處理液進行虛擬吐出的方式對處理液供給部進行的控制，可以包含：使從引導構件位於吐出口之附近之狀態至引導構件相對於吐出口下降的方式使噴嘴及引導構件之至少一方移動之同時，以從吐出口使處理液朝向引導構件進行虛擬吐出的方式對處理液供給部及驅動部進行控制。但是，從吐出口吐出的處理液之流動在剛吐出之後最容易紊亂，一旦來自吐出口之處理液之吐出開始之後，處理液之流動呈容易穩定之趨勢。因此，如例3之裝置般，藉由以使引導構件相對於吐出口下降的方式移動噴嘴及引導構件之至少一方，在來自吐出口之處理液之剛吐出之後藉由引導構件引導處理液，其後與引導構件碰撞而跳轉的處理液變為難以附著於噴嘴之下端面。因此，更能夠抑制處理液之附著於噴嘴之下端面。
例4.例1~例3之任一之裝置還具備：旋轉驅動部，構成為使引導構件旋轉；以從吐出口使處理液進行虛擬吐出的方式對處理液供給部進行的控制，可以包含：在引導構件位於吐出口之附近之狀態下而且引導構件旋轉的狀態下，以從吐出口使處理液朝向引導構件進行虛擬吐出的方式對處理液供給部及旋轉驅動部進行控制。該情況下，從吐出口使處理液朝向旋轉的引導構件吐出，因此具有處理液容易捲入引導構件之表面之趨勢。因此，從吐出口吐出的處理液更難擴散至周圍。因此，更能夠抑制處理液之附著於噴嘴之下端面。
例5.例1~例4之任一之裝置還具備：吸取部，構成為從呈筒狀的引導構件之內部吸取流體；以從吐出口使處理液進行虛擬吐出的方式對處理液供給部進行的控制，可以包含：在引導構件位於吐出口之附近之狀態下而且吸取部進行吸取動作之狀態下，以從吐出口使處理液朝向引導構件進行虛擬吐出的方式對處理液供給部及吸取部進行控制。該情況下，從吐出口吐出的處理液之至少一部分通過筒狀之引導構件被吸取。因此，從吐出口吐出的處理液更難擴散至周圍。因此，更能夠抑制處理液之附著於噴嘴之下端面。
例6.例1~例5之任一之裝置中，對引導構件之表面實施提高表面之潤濕性的表面處理亦可。該情況下，處理液更加容易沿著引導構件之表面流動。
例7.例1~例6之任一之裝置中，引導構件之至少上端部呈凹凸形狀亦可。該情況下，引導構件之上端部之表面積增加。因此，更多之處理液接觸引導構件，引導構件之表面張力容易作用於處理液。因此，處理液更加容易沿著引導構件之表面流動。
例8.例1~例7之任一之裝置中，還具備：溶劑供給部，構成為對噴嘴供給溶劑；控制部另執行，以對真吐出前或真吐出後之上述吐出口之周圍供給溶劑的方式來控制上述溶劑供給部亦可。但是，將溶劑供給至噴嘴之際，會有少量溶劑從噴嘴之吐出口進入噴嘴內部。於該狀態下從噴嘴朝向基板真吐出處理液時，形成於基板之表面的膜厚有可能產生不均勻。於此，通常在次一真吐出之前從噴嘴使處理液例如朝向排液容器等虛擬吐出，據此，從噴嘴內將溶劑排出。但是，在虛擬吐出之際，從吐出口吐出的處理液之流動紊亂，處理液擴散至吐出口之周圍，噴嘴之下端面有可能附著處理液。但是，依據例8，從吐出口吐出的處理液沿著引導構件之表面流動而難以擴散至周圍。因此，虛擬吐出後處理液更難附著於噴嘴之下端面。
例9.例8之裝置中，對溶劑供給部進行的控制，可以包含：在引導構件位於吐出口之正下方之狀態下，以對真吐出後之吐出口之周圍供給溶劑的方式對溶劑供給部進行控制。該情況下，溶劑被供給至噴嘴之際引導構件位於吐出口之正下方，因此溶劑藉由引導構件容易被引導至噴嘴之吐出口附近。因此，更能有效地除去附著於噴嘴之下端面的處理液。
例10.例1~例9之任一之裝置，還具備：驅動部，構成為使噴嘴或引導構件移動；控制部可以包含：以使引導構件相對於吐出口下降的方式移動噴嘴及引導構件之至少一方，且在虛擬吐出之終了時或剛終了之前對噴嘴內之處理液進行吸取的方式對處理液供給部及驅動部進行控制。該情況下，藉由吸取動作使噴嘴內之處理液被拉向噴嘴之內側，另一方面，在引導構件之表面流動的處理液伴隨著引導構件之相對移動而被拉向引導構件。因此，在虛擬吐出之終了時，噴嘴之吐出口中處理液被良好地分斷。因此，虛擬吐出後之噴嘴內的處理液之液面容易按每一次虛擬吐出處理對齊在一定之高度位置。結果，於基板之表面可以形成更均勻的厚度之膜。
例11.本揭示之另一例的液處理方法，包含：在噴嘴之平坦的下端面接近基板之表面的狀態下，從設於下端面的吐出口使處理液真吐出至表面的步驟；及在引導構件位於吐出口之附近之狀態下，從吐出口使處理液朝向引導構件虛擬吐出的步驟。該情況下，可以達成和例1之裝置同樣之作用效果。
例12.例11之方法中，從吐出口使處理液虛擬吐出的步驟，可以包含：在引導構件位於吐出口之正下方之狀態下，從吐出口使處理液朝向引導構件虛擬吐出的步驟；以筒狀之引導構件與吐出口連通的方式頂接於下端面的狀態下，從吐出口使處理液朝向引導構件虛擬吐出的步驟；或在引導構件插通於吐出口之內部的狀態下，從吐出口使處理液朝向引導構件虛擬吐出的步驟。該情況下，可以達成和例2之裝置同樣之作用效果。
例13.例11或例12之方法中，從吐出口使處理液虛擬吐出的步驟，可以包含：從引導構件位於吐出口之附近之狀態以使引導構件相對於吐出口下降的方式來移動噴嘴及引導構件之至少一方，且從吐出口使處理液朝向引導構件虛擬吐出的步驟。該情況下，可以達成和例3之裝置同樣之作用效果。
例14.例11~例13之任一之方法中，從吐出口使處理液虛擬吐出的步驟，可以包含：在引導構件位於吐出口之附近之狀態下而且在引導構件旋轉的狀態下，從吐出口使處理液朝向引導構件虛擬吐出的步驟。該情況下，可以達成和例4之裝置同樣之作用效果。
例15.例11~例14之任一之方法中，從吐出口使處理液虛擬吐出的步驟，可以包含：在呈筒狀的引導構件位於吐出口之附近之狀態下而且進行從引導構件之內部吸取流體的吸取動作之狀態下，從吐出口使處理液朝向引導構件虛擬吐出的步驟。該情況下，可以達成和例5之裝置同樣之作用效果。
例16.例11~例15之任一之方法中，對引導構件之表面實施提高表面之潤濕性的表面處理亦可。該情況下，可以達成和例6之裝置同樣之作用效果。
例17.例11~例16之任一之方法中，引導構件之至少上端部呈凹凸形狀亦可。該情況下，可以達成和例7之裝置同樣之作用效果。
例18.例11~例17之任一之方法，可以進一步包含：對真吐出前或真吐出後之吐出口之周圍供給溶劑。該情況下，可以達成和例8之裝置同樣之作用效果。
例19.例18之方法中，供給溶劑的步驟，可以包含：在引導構件位於吐出口之正下方之狀態下，對真吐出後之吐出口之周圍供給溶劑。該情況下，可以達成和例8之裝置同樣之作用效果。
例20.例19之方法，可以進一步包含：以使引導構件相對於吐出口下降的方式來移動噴嘴及引導構件之至少一方，且在虛擬吐出之終了時或剛終了之前對噴嘴內之處理液進行吸取的步驟。該情況下，可以達成和例9之裝置同樣之作用效果。
例21.電腦可讀取的記錄媒體之一例，係記錄有使液處理裝置執行例11~例20之任一之液處理方法之程式。該情況下，可以達成和例11~例20之任一之方法同樣之作用效果。本說明書中，電腦可讀取的記錄媒體包含非暫態的電腦記錄媒體(non-transitory computer recording medium)(例如各種主記憶裝置或補助記憶裝置)或傳播信號(transitory computer recording medium)(例如可以經由網路提供的資料信號)。
1:液處理裝置 30:處理液供給部 35:驅動機構(驅動部) 40:液承受部 50:溶劑供給部 70:引導構件 80:驅動機構(驅動部；旋轉驅動部) 90:吸取泵(吸取部) Ctr:控制器(控制部) N:噴嘴 S:下端面 W:晶圓(基板) Wa:表面
[圖1]圖1係表示液處理裝置之一例的概略構成圖。 [圖2]圖2係表示以圖1之液承受部及引導構件作為中心的概略剖面。 [圖3]圖3係表示控制器之功能構成的方塊圖。 [圖4]圖4係表示控制器之硬體構成的方塊圖。 [圖5]圖5係表示液處理順序之一例的流程圖。 [圖6]圖6係說明液處理順序之一例之圖。 [圖7]圖7(a)係表示引導構件之另一例的概略剖面，圖7(b)係從上方觀察圖7(a)之引導構件的圖。 [圖8]圖8係說明液處理方法之另一例之圖。 [圖9]圖9係說明液處理方法之另一例之圖。 [圖10]圖10係表示引導構件之另一例的面。 [圖11]圖11係表示引導構件之另一例的面。 [圖12]圖12係表示引導構件之另一例的面。 [圖13]圖13係表示引導構件之另一例的面。 [圖14]圖14係表示噴嘴之另一例之圖。 [圖15]圖15係說明液處理方法之另一例之圖。
41:框體
42:噴嘴
65:噴嘴
70:引導構件
L1:處理液
L2:溶劑
N:噴嘴
S:下端面
W:晶圓(基板)
Wa:表面
Na:吐出口
G:氣體

Claims (21)

  1. 一種液處理裝置，係具備： 處理液供給部，構成為從位於基板之表面側的噴嘴將處理液供給至上述表面； 引導構件，構成為引導從上述噴嘴吐出的上述處理液之流動；及 控制部； 上述噴嘴包含設置有吐出上述處理液的吐出口之平坦的下端面； 上述控制部係執行以下控制： 在上述下端面接近上述表面的狀態下，以從上述吐出口使上述處理液真吐出至上述表面的方式對上述處理液供給部進行控制；及 在上述引導構件位於上述吐出口之附近之狀態下，以從上述吐出口使上述處理液朝向上述引導構件進行虛擬吐出的方式對上述處理液供給部進行控制。
  2. 如申請專利範圍第1項之液處理裝置，其中 從上述吐出口使上述處理液進行虛擬吐出的方式對上述處理液供給部進行的控制，係包含以下之控制： 在上述引導構件位於上述吐出口之正下方之狀態下，以從上述吐出口使上述處理液朝向上述引導構件進行虛擬吐出的方式對上述處理液供給部進行控制； 在筒狀之上述引導構件與上述吐出口連通的方式頂接於上述下端面的狀態下，以從上述吐出口使上述處理液朝向上述引導構件進行虛擬吐出的方式對上述處理液供給部進行控制；或 在上述引導構件插通於上述吐出口之內部的狀態下，以從上述吐出口使上述處理液朝向上述引導構件進行虛擬吐出的方式對上述處理液供給部進行控制。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之液處理裝置，其中 還具備：驅動部，構成為使上述噴嘴或上述引導構件移動； 以從上述吐出口使上述處理液進行虛擬吐出的方式對上述處理液供給部進行的控制，係包含：使從上述引導構件位於上述吐出口之附近之狀態至上述引導構件相對於上述吐出口下降的方式來移動上述噴嘴及上述引導構件之至少一方之同時，以從上述吐出口使上述處理液朝向上述引導構件進行虛擬吐出的方式對上述處理液供給部及上述驅動部進行控制。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之液處理裝置，其中 還具備：旋轉驅動部，構成為使上述引導構件旋轉； 以從上述吐出口使上述處理液進行虛擬吐出的方式對上述處理液供給部進行的控制，係包含：在上述引導構件位於上述吐出口之附近之狀態下而且上述引導構件旋轉的狀態下，以從上述吐出口使上述處理液朝向上述引導構件進行虛擬吐出的方式對上述處理液供給部及上述旋轉驅動部進行控制。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之液處理裝置，其中 還具備：吸取部，構成為從呈筒狀的上述引導構件之內部吸取流體； 以從上述吐出口使上述處理液進行虛擬吐出的方式對上述處理液供給部進行的控制，係包含：在上述引導構件位於上述吐出口之附近之狀態下而且上述吸取部進行吸取動作之狀態下，以從上述吐出口使上述處理液朝向上述引導構件進行虛擬吐出的方式對上述處理液供給部及上述吸取部進行控制。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之液處理裝置，其中 對上述引導構件之表面實施提高上述表面之潤濕性的表面處理。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之液處理裝置，其中 上述引導構件之至少上端部呈凹凸形狀。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之液處理裝置，其中 還具備：溶劑供給部，構成為對上述噴嘴供給溶劑； 上述控制部進一步執行：以對真吐出前或真吐出後之上述吐出口之周圍供給溶劑的方式來控制上述溶劑供給部。
  9. 如申請專利範圍第8項之液處理裝置，其中 對上述溶劑供給部進行的控制，係包含：在上述引導構件位於上述吐出口之正下方之狀態下，以對真吐出後之上述吐出口之周圍供給上述溶劑的方式對上述溶劑供給部進行控制。
  10. 如申請專利範圍第1或2項之液處理裝置，其中 還具備：驅動部，構成為使上述噴嘴或上述引導構件移動； 上述控制部進一步包含：以使上述引導構件相對於上述吐出口下降的方式來移動上述噴嘴及上述引導構件之至少一方，而且在虛擬吐出之終了時或剛終了之前對上述噴嘴內之上述處理液進行吸取的方式對上述處理液供給部及上述驅動部進行控制。
  11. 一種液處理方法，包含： 在噴嘴之平坦的下端面接近基板之表面的狀態下，從設置於上述下端面的吐出口使處理液真吐出至上述表面的步驟；及 在引導構件位於上述吐出口之附近之狀態下，從上述吐出口使上述處理液朝向上述引導構件虛擬吐出的步驟。
  12. 如申請專利範圍第11項之液處理方法，其中 從上述吐出口使上述處理液虛擬吐出的步驟，係包含： 在上述引導構件位於上述吐出口之正下方之狀態下，從上述吐出口使上述處理液朝向上述引導構件虛擬吐出的步驟； 以筒狀之上述引導構件與上述吐出口連通的方式頂接於上述下端面的狀態下，從上述吐出口使上述處理液朝向上述引導構件虛擬吐出的步驟；或 在上述引導構件插通於上述吐出口之內部的狀態下，從上述吐出口使上述處理液朝向上述引導構件虛擬吐出的步驟。
  13. 如申請專利範圍第11或12項之液處理方法，其中 從上述吐出口使上述處理液虛擬吐出的步驟，係包含：從上述引導構件位於上述吐出口之附近之狀態以使上述引導構件相對於上述吐出口下降的方式來移動上述噴嘴及上述引導構件之至少一方，且從上述吐出口使上述處理液朝向上述引導構件虛擬吐出的步驟。
  14. 如申請專利範圍第11或12項之液處理方法，其中 從上述吐出口使上述處理液虛擬吐出的步驟，係包含：在上述引導構件位於上述吐出口之附近之狀態下而且在上述引導構件旋轉的狀態下，從上述吐出口使上述處理液朝向上述引導構件虛擬吐出的步驟。
  15. 如申請專利範圍第11或12項之液處理方法，其中 從上述吐出口使上述處理液虛擬吐出的步驟，係包含：在呈筒狀的上述引導構件位於上述吐出口之附近之狀態下而且進行從上述引導構件之內部吸取流體的吸取動作之狀態下，從上述吐出口使上述處理液朝向上述引導構件虛擬吐出的步驟。
  16. 如申請專利範圍第11或12項之液處理方法，其中 對上述引導構件之表面實施提高上述表面之潤濕性的表面處理。
  17. 如申請專利範圍第11或12項之液處理方法，其中 上述引導構件之至少上端部呈凹凸形狀。
  18. 如申請專利範圍第11或12項之液處理方法，其中 進一步包含：對真吐出前或真吐出後之上述吐出口之周圍供給溶劑。
  19. 如申請專利範圍第18項之液處理方法，其中 供給上述溶劑的步驟，係包含：在上述引導構件位於上述吐出口之正下方之狀態下，對真吐出後之上述吐出口之周圍供給上述溶劑的步驟。
  20. 如申請專利範圍第11或12項之液處理方法，其中 進一步包含：以使上述引導構件相對於上述吐出口下降的方式來移動上述噴嘴及上述引導構件之至少一方之同時，在虛擬吐出之終了時或剛終了之前對上述噴嘴內之上述處理液進行吸取的步驟。
  21. 一種電腦可讀取的記錄媒體，係記錄有使液處理裝置執行如申請專利範圍第11或12項之液處理方法的程式。
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