JP6148363B2 - 処理液供給方法 - Google Patents

Description

この発明は、ノズルに処理液を供給する方法に関する。処理液を用いた処理の対象になる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの基板が含まれる。

半導体装置や液晶表示装置の製造工程には、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基
板などの基板に対して処理液を用いた処理を施す基板処理装置が用いられる。このような
基板処理装置には、複数枚の基板に対して一括して処理を施すバッチ型のものと、１枚ず
つの基板に対して処理を施す枚葉型のものとがある。
枚葉型の基板処理装置は、基板をほぼ水平に保持して回転させるスピンチャックと、こ
のスピンチャックに保持された基板に対して処理液を供給する処理液ノズルとを備えてい
る。

図６は、処理液の供給のための構成を示す図解的な図である。処理液ノズル１には、処
理液配管５が接続され、この処理液配管５には処理液バルブ６が介装されている。そして
、この処理液バルブ６の開閉によって、基板Ｗへの処理液１０の供給および供給停止を制
御するようになっている。
処理液ノズル１は、水平部２と、この水平部２から垂下した垂下部３とを有し、垂下部
３の下端が処理液吐出口４となっている。

処理液バルブ６と処理液ノズル１との間の処理液配管５からは、所定の分岐位置で吸引
配管７が分岐している。この吸引配管７は、吸引バルブ８を介して吸引装置に接続されて
いる。処理液バルブ６を閉じて処理液１０の供給を停止するときには、吸引バルブ８が開
かれ、処理液バルブ６よりも処理液ノズル１側の処理液配管５内の処理液が吸引される。
処理液の吸引は、処理液先端面が水平部２にある所定の待機位置に後退するまで行われる
。

特開２００５−２７７２１１号公報

この場合、処理液先端面が水平部２に後退した時点で吸引バルブ８が閉じられる。
ところで、処理液バルブ６を閉じる際には、処理液配管５の処理液１０の流通をいきな
り止めるので（流速の急速な変化が生じるので）、いわゆるウォーターハンマー現象が発
生し、処理液配管５の管内圧力が異常上昇するおそれがある。
ウォーターハンマー現象は、流体（すなわち処理液）の流れの運動エネルギーが圧力エ
ネルギーに変換され、その圧力エネルギーの逃げ道がない場合に生じる。図６に示す構成
では、処理液バルブ６を閉じた直後の状態では、処理液バルブ６と前記の分岐位置との間
の処理液配管２５内には処理液が満たされているとともに、吸引バルブ８よりも下流側の
吸引配管７内にも処理液が満たされているので、圧力エネルギーの逃げ場がない。そのた
め、処理液バルブ６を閉じ動作によって、処理液配管５にウォーターハンマー現象が発生
するおそれがある。そして、この場合、処理液配管５にはウォーターハンマー現象に起因
する振動が発生し、その振動が処理液ノズル１に伝播する。図７は、ウォーターハンマー
現象が発生した後の処理液ノズル１内の状態を示す図である。図７（ａ）は、この場合の
垂下部３内の状態を示す横断面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）の後の吸引状態を示
す処理液ノズル１の縦断面図である。

図７（ａ）に示すように、処理液ノズル１からの振動が処理液に伝わると、垂下部３の
下端部にある処理液１０が周方向に分散（ブレイク）して複数の液滴１０Ａを形成し、各
液滴１０Ａが当該垂下部３の内壁に付着するようになる。
その後、吸引バルブ８による吸引に伴って、処理液先端面は上昇するが、図７（ｂ）に
示すように、垂下部３の内壁に付着した処理液の液滴１０Ａは、その分散状態のまま残留
し、垂下部３の内壁に処理液の液滴１０Ａだけが付着するようになる。この場合、この液
滴１０Ａが垂下部３の内壁を伝って処理液吐出口４から落下し、基板Ｗ上にぼた落ちする
懸念がある。

処理液供給停止タイミング後に処理液の液滴１０Ａが基板Ｗ上にぼた落ちした場合には
、基板Ｗ上の処理液の液滴１０Ａは、乾燥のための基板Ｗの高速回転による遠心力を受け
て多数の微小液滴に***しつつ基板Ｗの表面を放射状に移動する。これにより、図８に示
すように、基板Ｗの上面に多数の筋状のパーティクルＰが放射状に形成される。
このような基板処理不良は、処理後の基板Ｗを検証して初めて発見されることが多く、
ロット単位で多数の処理不良基板が生じ、大きな損失を招くという問題がある。

ノズル（処理液ノズル）の振動に起因する処理液液滴のぼた落ちは、処理液供給配管（処理液配管）のウォーターハンマー現象を、その直接の原因としている。そのため、ノズルからの処理液のぼた落ちを抑制または防止するために、処理液供給配管におけるウォーターハンマー現象の発生を抑制または防止することが望ましい。
そこで、この発明の目的は、処理液供給配管におけるウォーターハンマー現象の発生を抑制または防止できる処理液供給方法を提供することである。

前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板を処理するための処理液を吐出するノズルと、このノズルに接続され、当該ノズルに処理液を供給する処理液供給配管と、前記処理液供給配管に介装され、前記ノズルへの処理液の供給およびその停止を切り換えるための処理液バルブと、この処理液バルブと前記ノズルとの間に設定された分岐位置で前記処理液供給配管に分岐接続され、前記処理液供給配管内の処理液を吸引して排出するための吸引配管と、この吸引配管内を吸引する吸引手段と、前記吸引配管に介装され、当該吸引配管を開閉するための吸引バルブとを備える基板処理装置において実行される処理液供給方法であって、前記処理液バルブが閉じられた状態で前記吸引バルブを開くことにより、前記吸引手段により、前記処理液バルブよりも下流側の前記処理液供給配管内および前記吸引バルブと前記分岐位置との間の前記吸引配管内を吸引し、前記処理液バルブよりも下流側の前記処理液供給配管および前記吸引バルブと前記分岐位置との間の前記吸引配管から処理液が排除された後に前記吸引バルブを閉じる吸引工程と、前記吸引工程の終了後、前記吸引バルブを閉じながら前記処理液バルブを開いて前記処理液供給配管に処理液を供給する吸引後供給工程とを含み、前記吸引配管への処理液の進入を阻止すべく、前記吸引後供給工程は、前記吸引バルブを閉じた状態を維持しながら実行する、処理液供給方法である。

請求項２記載の発明は、前記吸引工程の開始に先立って、前記処理液バルブを開いて前記処理液供給配管に処理液を供給する吸引前供給工程をさらに含む、請求項１記載の処理液供給方法である。

請求項３記載の発明は、前記吸引前供給工程は、前記処理液供給配管内の処理液を廃棄するためのプリディスペンスのために前記処理液供給配管に処理液を供給する、請求項２記載の処理液供給方法である。

請求項４記載の発明は、前記吸引工程は、前記吸引バルブの開成から所定時間が経過したことに基づいて前記吸引バルブを閉じる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の処理液供給方法である。

請求項５記載の発明は、前記吸引工程は、前記吸引バルブと前記分岐位置との間の前記吸引配管内の所定位置における処理液の不存在を処理液検出手段が検出したことに基づいて前記吸引バルブを閉じる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の処理液供給方法である。

本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を模式的に示す図である。 処理液配管および吸引配管内の状態を説明するための図である（その１）。 図１に示す基板処理装置により実施される吸引処理の一例を説明するためのフローチャートである。 処理液配管および吸引配管内の状態を説明するための図である（その２）。 図１に示す基板処理装置により実施される吸引処理の他の例を説明するためのフローチャートである。 処理液の供給のための従来技術の図解的な図である。 処理液配管にウォーターハンマー現象が発生した後の処理液ノズル内の状態を示す図である。 基板処理不良の一例を示す図である。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１００の構成を模式的に示す図である
。
この基板処理装置１００は、半導体ウエハ等の円形の基板Ｗに処理液を供給して基板Ｗを
処理するためのものである。この基板処理装置１００は、内部で基板Ｗが処理される処理
室５１と、この処理室５１に向けて処理液を供給するための処理液ユニット５２とを備え
ている。

処理室５１内には、スピンチャック１１と、処理液ノズル１２と、リンス液ノズル１３
と、ノズル保持機構１６とが収容されている。スピンチャック１１は、基板Ｗをほぼ水平
に保持して鉛直軸線まわりに回転可能なスピンベース１４と、このスピンベース１４を鉛
直軸線まわりに回転させる回転駆動機構１５とを含む。
ノズル保持機構１６は、ほぼ鉛直方向に沿って配置された回動軸１８と、この回動軸１
８に対して水平方向に沿って取り付けられた揺動アーム１９と、回動軸１８を鉛直軸線ま
わりに所定の回動角度範囲で往復回動させることによって揺動アーム１９を揺動させる揺
動駆動機構２０とを備えている。揺動アーム１９の先端部には、処理液ノズル１２が保持
されている。したがって、揺動駆動機構２０を作動させて、揺動アーム１９を水平面に沿
って揺動させることにより、処理液ノズル１２から供給される処理液の着液点は、スピン
チャック１１に保持された基板Ｗの回転中心および周端縁を含む円弧形状の軌跡２２を描
いて移動することになる。これによって、処理液ノズル１２は基板Ｗの上面全域をスキャ
ンしながら処理液を供給する。

処理液ユニット５２には、処理液供給機構１７が収容されている。処理液供給機構１７
は、処理液ノズル１２に処理液を供給する処理液配管（処理液供給配管）２５と、処理液
を貯留した処理液タンク２６と、処理液タンク２６から処理液を汲み出して処理液配管２
５へと送り込むポンプ２７とを備えている。処理液配管２５には、処理液の供給／停止を
切り換えるための処理液バルブ２８、処理液の流量を計測するための流量計２９、および
処理液配管２５に送り込まれる処理液の温度を調整するための温度調節器３０が介装され
ている。

処理液配管２５は、処理液ユニット５２を出て処理室５１に入り、この処理室５１内で
処理液ノズル１２に接続されている。処理液配管２５と処理液ノズル１２とは、別部品で
あってもよいし、処理液配管２５の先端部を処理液ノズル１２として用いてもよい。すな
わち、同一部品で処理液配管２５および処理液ノズル１２を構成することもできる。
処理液配管２５において温度調節器３０と処理液バルブ２８との間には、処理液を処理
液タンク２６へと帰還させるためのリターン配管３１が分岐接続されている。処理液バル
ブ２８が閉じられているときには、ポンプ２７によって汲み出された処理液は、温度調節
器３０を通り、さらにリターン配管３１を通って処理液タンク２６へと帰還されることに
よって循環される。この処理液の循環によって、処理液の温度を基板Ｗの処理に適した一
定の温度に保持することができる。

一方、処理液バルブ２８の下流側、この実施形態では流量計２９の下流側に設定された
分岐位置３６には、それよりも下流側の処理液配管２５内の処理液を吸引するための吸引
配管３２が分岐接続されている。この実施形態では、分岐位置３６は、処理液ユニット５
２内に設定されている。吸引配管３２には、吸引バルブ３３および流量調節バルブ２４が
分岐位置３６側からこの順に介装されており、吸引配管３２の先端（他端）が吸引装置（
吸引手段）３４へと接続されている。この実施形態では、吸引装置３４は常時作動状態と
されている。

吸引バルブ３３と分岐位置３６との間の吸引配管３２には、吸引配管３２内の処理液の
存否を所定の液検出位置４２で検出するための液検出センサ（処理液検出手段）４１が配
置されている。液検出センサ４１は、たとえば静電容量型のセンサによって構成されてお
り、吸引配管３２の外周壁（図示しない）に直付け配置または近接配置されている。液検
出センサ４１は、液検出位置４２の周囲の吸引配管３２内の処理液の存否を検出し、その
検出結果に応じた信号を出力するものである。液検出位置４２よりも処理液先端面が前進
している（処理液ノズル１２側にある）とき、処理液が検出され、一方、液検出位置４２
よりも処理液先端面が後退している（吸引装置３４側にある）とき、処理液が検出されな
いことになる。

基板処理装置１００の各部を制御するために、制御ユニット５５が備えられている。この制御ユニット５５には、液検出センサ４１の出力が与えられるようになっている。制御ユニット５５は、さらに、回転駆動機構１５、揺動駆動機構２０、吸引装置３４および温度調節器３０の動作を制御し、また、処理液バルブ２８および吸引バルブ３３を開閉制御し、流量計２９の出力をモニタし、流量調節バルブ２４を開度制御する。

スピンチャック１１の側方には、基板Ｗの処理に先立ち、処理液ノズル１２から処理液
をプリディスペンスするためのプリディスペンスポッド３８が配置されている。このプリ
ディスペンスポッド３８は、処理液ノズル１２からプリディスペンスされる処理液を受け
て、排液配管３９へと導くようになっている。処理液のプリディスペンスを行うことによ
り、処理液配管２５内に非温度調節状態の処理液が存在していれば、これを予め排出し尽
くした後に、処理液ノズル１２は、適切に温度調節された処理液を処理開始当初から基板
Ｗに供給できる。

次に、基板処理装置１００の動作について説明する。
未処理の基板Ｗは、基板搬送ロボット（図示しない）によって、処理室５１内へと搬入され、スピンチャック１１に受け渡される。基板搬送ロボットのハンドが処理室５１から退出した後、回転駆動機構１５によってスピンチャック１１のスピンベース１４が回転される。したがって、スピンチャック１１に保持された基板Ｗが鉛直軸線まわりに回転される。揺動アーム１９は、初期状態において、処理液ノズル１２をプリディスペンスポッド３８上に配置した退避位置にある。この状態で、処理液バルブ２８が一定時間だけ開かれることにより、処理液バルブ２８よりも上流側の処理液が処理液配管２５を介して処理液ノズル１２へと導かれ、処理液配管２５内は温度調節された状態の処理液で満たされる（吸引前供給工程）。

このプリディスペンスを終了すると、処理液バルブ２８が閉じられ、代わって、吸引バルブ３３が開かれる。これにより、常時作動状態とされている吸引装置３４の働きが有効化され、分岐位置３６と処理液ノズル１２との間の処理液配管２５内に存在する処理液が吸引して排除される（吸引工程）。吸引バルブ３３は、所定時間だけ開成状態とされた後に閉成される。その後、揺動駆動機構２０が作動され、揺動アーム１９がスキャン開始位置へと移動させられる。スキャン開始位置は、たとえば、処理液ノズル１２が基板Ｗの回転中心の直上に配置される位置であってもよいし、処理液ノズル１２が基板Ｗの周縁部の直上に配置される位置であってもよい。

この状態から、処理液バルブ２８が開かれる。それとともに、揺動駆動機構２０は、基板Ｗの回転中心およびその周端部を含む所定の揺動範囲（基板Ｗの半径に相当する範囲または直径に相当する範囲）にわたって処理液の着液点が移動するように、往復揺動させられる。これにより、処理液配管２５を介して処理液ノズル１２から吐出される処理液が基板Ｗの全域に導かれ、この基板Ｗの表面に対する処理が行われる（吸引後供給工程）。

処理液タンク２６に処理液としてふっ酸などの薬液を貯留し、この薬液を処理液ノズル
１２から基板Ｗ上に吐出した後には、揺動アーム１９は、上述の退避位置へと退避させら
れ、その後、リンス液ノズル１３から基板Ｗの回転中心に向けて純水（脱イオン水）その
他のリンス液が供給される。このリンス液は、回転状態の基板Ｗ上で遠心力を受けてその
全域へと広がり、基板Ｗ上の薬液を置換することになる。

こうして一定時間のリンス処理を行った後には、リンス液の供給を停止するとともに、
回転駆動機構１５によりスピンチャック１１を高速回転させて、基板Ｗの表面の液滴を振
り切るための乾燥処理が行われる。この乾燥処理の後、基板搬送ロボットにより、処理済
の基板Ｗが処理室５１から払い出される。
前述のようにプリディスペンスにおける処理液の吐出停止時には、吸引装置３４により
、処理液配管２５内の処理液が吸引される。図２は、プリディスペンス時における処理液
配管２５および吸引配管３２内の状態を説明するための図である。図３は、プリディスペ
ンス時における吸引処理の一例を説明するためのフローチャートである。

処理液バルブ２８が開かれると、処理液バルブ２８よりも上流側の処理液が、処理液配
管２５を流通して処理液ノズル１２へと導かれ、図２（ａ）に示すように、処理液ノズル
１２の処理液吐出口１２Ａから下方に向けて吐出される。
予め定めるプリディスペンス時間が経過すると、図２（ｂ）に示すように、制御ユニッ
ト５５は、処理液バルブ２８を閉じて、処理液ノズル１２の処理液吐出口１２Ａからの処
理液の吐出を停止するとともに、吸引バルブ３３を開く（ステップＳ１）。より詳しくは
、制御ユニット５５は、処理液バルブ２８の閉じ動作と同時に、吸引バルブ３３を開いて
いる。吸引バルブ３３の開成により、吸引装置３４の働きが有効になり、吸引バルブ３３
と分岐位置３６との間の吸引配管３２内、および処理液バルブ２８よりも下流側の処理液
配管２５（換言すると、処理液ノズル１２と処理液バルブ２８との間の処理液配管２５）
内が吸引される（図２（ｃ）参照）。その後、制御ユニット５５は、吸引時間Ｔ１の経過
を待機する（ステップＳ２）。吸引時間Ｔ１は、吸引装置３４による処理液配管２５内の
吸引により、処理液配管２５内の処理液先端面を処理液ノズル１２の処理液吐出口１２Ａ
から後退させて、吸引バルブ３３よりも吸引装置３４側に至らせるのに十分な時間に設定
されている。

前記吸引時間Ｔ１の経過後には、制御ユニット５５は、液検出センサ４１の出力信号を
監視する。液検出センサ４１の出力信号に基づいて、制御ユニット５５は、液検出位置４
２に処理液が存在するか否かを判断する（ステップＳ３）。処理液の存在が検出されると
、処理液バルブ２８よりも下流側の処理液配管２５または吸引バルブ３３と分岐位置３６
との間の吸引配管３２から処理液が完全に排除されていないとして、制御ユニット５５は
、さらに延長時間Ｔ２の経過を待機する（ステップＳ４）。延長時間Ｔ２は、吸引時間Ｔ
１よりも短い所定の時間に設定されている。延長時間Ｔ２の待機後、ステップＳ３の処理
に戻る。すなわち、処理液の存在が検出されなくなるまで、延長時間Ｔ２の待機が繰り返
される。

ステップＳ３において、液検出位置４２に処理液の存在が検出されないときには、処理
液バルブ２８よりも下流側の処理液配管２５内および吸引バルブ３３と分岐位置３６との
間の吸引配管３２内から全ての処理液が排除されたものと判断され、制御ユニット５５は
、吸引バルブ３３を閉じる（ステップＳ５。図２（ｄ）参照）。ステップＳ５で、吸引バ
ルブ３３が閉じられたと判断されると、吸引処理を終える。吸引処理の終了後には、処理
液ノズル１２よりも下流側の処理液配管２５および吸引バルブ３３と分岐位置３６との間
の吸引配管３２の内部に処理液は存在しない。

図４は、基板Ｗへの処理液供給時における処理液配管２５および吸引配管３２内の状態
を説明するための図である。
基板Ｗへの処理液供給時において、処理液の吐出のために処理液ノズル１２が開かれる
と、処理液バルブ２８よりも上流側の処理液が、処理液配管２５を流通して処理液ノズル
１２へと導かれ、図４（ａ）に示すように、処理液ノズル１２の処理液吐出口１２Ａから
下方に向けて吐出される。

このとき、処理液ノズル１２よりも下流側の処理液配管２５内に処理液が満されるよう
になるが、吸引バルブ３３が閉じ状態にあるために吸引配管３２の管内圧力が比較的高い
ので、処理液配管２５を流通する処理液が分岐位置３６から吸引配管３２側に進入するこ
とはない。すなわち、吸引バルブ３３と分岐位置３６との間の吸引配管３２内には、処理
液が存在しなくなる。換言すると、処理液配管２５および吸引配管３２において、吸引バ
ルブ３３と分岐位置３６との間の吸引配管３２内には空隙部分５０が設けられるようにな
る。

予め定める処理液供給時間が経過すると、図４（ｂ）に示すように、処理液バルブ２８
が閉じられる。この処理液ノズル１２を閉じる際に、処理液配管２５を流通する処理液の
流通がいきなり止められて、処理液の流速が急減速することがある。しかしながら、空隙
部分５０が圧力エネルギーの逃げ道としての役割を果たすので、処理液配管２５の管内圧
力が異常上昇することがほとんどない。すなわち、処理液配管２５におけるウォーターハ
ンマー現象の発生を抑制または防止することができる。これにより、処理液ノズル１２か
らの処理液のぼた落ちを抑制または防止することができ、基板処理不良を抑制または防止
することができる。

図５は、プリディスペンス時における吸引処理の他の例を説明するためのフローチャー
トである。
この場合、制御ユニット５５は、処理液バルブ２８を閉じて、処理液ノズル１２の処理
液吐出口１２Ａからの処理液の吐出を停止するとともに、吸引バルブ３３を開く（ステッ
プＳ１１）。吸引バルブ３３の開成により、吸引装置３４の働きが有効化され、吸引バル
ブ３３と分岐位置３６との間の吸引配管３２内、および処理液バルブ２８よりも下流側の
処理液配管２５内が吸引される。

その後、制御ユニット５５は、液検出センサ４１の出力信号を監視する。液検出センサ
４１の出力信号に基づいて、制御ユニット５５は、液検出位置４２に処理液が存在するか
否かを判断する（ステップＳ１２）。
液検出位置４２に処理液の存在が検出されないときには、処理液バルブ２８よりも下流
側の処理液配管２５内および吸引バルブ３３と分岐位置３６との間の吸引配管３２内から
全ての処理液が排除されたものと判断され、制御ユニット５５は、吸引バルブ３３を閉じ
る（ステップＳ１３）。

ステップＳ１２において、処理液の存在が検出されると、処理液バルブ２８よりも下流
側の処理液配管２５または吸引バルブ３３と分岐位置３６との間の吸引配管３２から処理
液が完全に排除されていないとして、処理液の存在が検出されなくなるまで、ステップＳ
１２の判断が繰り返される。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は他の形態でも実施することがで
きる。

たとえば、前述の実施形態では、吸引処理のステップＳ１，Ｓ１１（図３および図５参
照）において、処理液バルブ２８の閉じ動作と同期して吸引バルブ３３が開かれると説明
したが、処理液バルブ２８の閉成の後に吸引バルブ３３が開かれるようにしてもよい。
また、基板処理装置１００の構成から、液検出センサ４１の構成を取り除くこともでき
る。この場合、吸引処理において、吸引バルブ３３の開成後吸引時間Ｔ１の経過が待機さ
れた後、処理液バルブ２８よりも下流側の処理液配管２５内および吸引バルブ３３と分岐
位置３６との間の吸引配管３２内から全ての処理液が排除されたものとして、制御ユニッ
ト５５は吸引バルブ３３を閉じるようにしてもよい。

また、前述の実施形態では、吸引処理をプリディスペンス時に実行する場合を例に挙げ
たが、この吸引処理をプリディスペンス時だけでなく、基板Ｗへの処理液供給時（処理液
の吐出後）においても実行するようにしてもよい。
さらに、前述の実施形態では、スキャン型ノズルにこの発明が適用される例について説
明したが、この発明は、処理室内に固定配置される固定ノズルに対しても同様に適用する
ことができる。

その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能で
ある。

１２ ノズル
２５ 処理液配管（処理液供給配管）
２８ 処理液バルブ
３２ 吸引配管
３３ 吸引バルブ
３４ 吸引装置（吸引手段）
３６ 分岐位置
４１ 液検出センサ（処理液検出手段）
１００ 基板処理装置
Ｗ 基板

Claims (5)

1. 基板を処理するための処理液を吐出するノズルと、このノズルに接続され、当該ノズルに処理液を供給する処理液供給配管と、前記処理液供給配管に介装され、前記ノズルへの処理液の供給およびその停止を切り換えるための処理液バルブと、この処理液バルブと前記ノズルとの間に設定された分岐位置で前記処理液供給配管に分岐接続され、前記処理液供給配管内の処理液を吸引して排出するための吸引配管と、この吸引配管内を吸引する吸引手段と、前記吸引配管に介装され、当該吸引配管を開閉するための吸引バルブとを備える基板処理装置において実行される処理液供給方法であって、
   前記処理液バルブが閉じられた状態で前記吸引バルブを開くことにより、前記吸引手段により、前記処理液バルブよりも下流側の前記処理液供給配管内および前記吸引バルブと前記分岐位置との間の前記吸引配管内を吸引し、前記処理液バルブよりも下流側の前記処理液供給配管および前記吸引バルブと前記分岐位置との間の前記吸引配管から処理液が排除された後に前記吸引バルブを閉じる吸引工程と、
   前記吸引工程の終了後、前記吸引バルブを閉じながら前記処理液バルブを開いて前記処理液供給配管に処理液を供給する吸引後供給工程とを含み、
   前記吸引配管への処理液の進入を阻止すべく、前記吸引後供給工程は、前記吸引バルブを閉じた状態を維持しながら実行する、処理液供給方法。
2. 前記吸引工程の開始に先立って、前記処理液バルブを開いて前記処理液供給配管に処理液を供給する吸引前供給工程をさらに含む、請求項１記載の処理液供給方法。
3. 前記吸引前供給工程は、前記処理液供給配管内の処理液を廃棄するためのプリディスペンスのために前記処理液供給配管に処理液を供給する、請求項２記載の処理液供給方法。
4. 前記吸引工程は、前記吸引バルブの開成から所定時間が経過したことに基づいて前記吸引バルブを閉じる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の処理液供給方法。
5. 前記吸引工程は、前記吸引バルブと前記分岐位置との間の前記吸引配管内の所定位置における処理液の不存在を処理液検出手段が検出したことに基づいて前記吸引バルブを閉じる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の処理液供給方法。

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