CN110534454A - 液处理装置、液处理方法和计算机可读取的存储介质 - Google Patents

液处理装置、液处理方法和计算机可读取的存储介质 Download PDF

Info

Publication number
CN110534454A
CN110534454A CN201910422709.3A CN201910422709A CN110534454A CN 110534454 A CN110534454 A CN 110534454A CN 201910422709 A CN201910422709 A CN 201910422709A CN 110534454 A CN110534454 A CN 110534454A
Authority
CN
China
Prior art keywords
guide member
treatment fluid
liberation port
nozzle
movement
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910422709.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110534454B (zh
Inventor
畠山真一
一野克宪
冈泽智树
西山雄太
川原幸三
渡边圣之
饭田成昭
下川大辅
飞松武志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN110534454A publication Critical patent/CN110534454A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110534454B publication Critical patent/CN110534454B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B15/00—Details of spraying plant or spraying apparatus not otherwise provided for; Accessories
    • B05B15/50—Arrangements for cleaning; Arrangements for preventing deposits, drying-out or blockage; Arrangements for detecting improper discharge caused by the presence of foreign matter
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

本发明对能够抑制处理液附着在喷嘴的下端面的液处理装置、液处理方法和计算机可读取的存储介质进行说明。液处理装置包括：处理液供给部，其构成为能够从位于基片的表面侧的喷嘴对表面供给处理液；引导部件，其构成为能够引导从喷嘴释放的处理液的液流；和控制部。喷嘴包括平坦的下端面，在该下端面设有用于释放处理液的释放口。控制部执行以下动作：控制处理液供给部，以使得在下端面靠近表面的状态下从释放口对表面实释放处理液的动作；和控制处理液供给部，以使得在引导部件位于释放口附近的状态下从释放口向引导部件虚释放处理液的动作。

Description

液处理装置、液处理方法和计算机可读取的存储介质
技术领域
本发明涉及液处理装置、液处理方法和计算机可读取的存储介质。
背景技术
专利文献1公开了一种液处理装置，其包括：基片保持部，其构成为能够在罩体之中保持基片；喷嘴，其构成为能够对基片供给处理液；和除液部，其构成为能够在罩体的外侧将从喷嘴滴落的处理液的液滴除去。利用专利文献1的装置，除液部在与喷嘴的下端面接触的同时对该下端面进行擦拭，由此防止处理液突然从喷嘴落下。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2010－186974号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明对能够抑制处理液附着于喷嘴的下端面的液处理装置、液处理方法和计算机可读取的存储介质进行说明。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个观点的液处理装置包括：处理液供给部，其构成为能够从位于基片的表面侧的喷嘴对表面供给处理液；引导部件，其构成为能够引导从喷嘴释放的处理液的液流；和控制部。喷嘴包括平坦的下端面，在该下端面设有用于释放处理液的释放口。控制部执行以下动作：控制处理液供给部，以使得在下端面靠近表面的状态下从释放口对表面实释放处理液的动作；和控制处理液供给部，以使得在引导部件位于释放口附近的状态下从释放口向引导部件虚释放处理液的动作。
发明效果
依照本发明的液处理装置、液处理方法和计算机可读取的存储介质，能够抑制处理液附着于喷嘴的下端面。
附图说明
图1是表示液处理装置的一例的概略构成图。
图2是以图1的受液部和引导部件为中心表示的概略截面。
图3是表示控制器的功能性构成的框图。
图4是表示控制器的硬件构成的框图。
图5是表示液处理步骤顺序的一例的流程图。
图6(a)～图6(e)是用于说明液处理步骤顺序的一例的图。
图7(a)是表示引导部件的另一例的概略截面，图7(b)是表示从上方观察图7(a)的引导部件的图。
图8(a)和图8(b)是用于说明液处理方法的另一例的图。
图9(a)和图9(b)是用于说明液处理方法的另一例的图。
图10(a)～图10(c)是表示引导部件的另一例的图。
图11是表示引导部件的另一例的图。
图12(a)和图12(b)是表示引导部件的另一例的图。
图13是表示引导部件的另一例的图。
图14(a)～图14(d)是表示喷嘴的另一例的图。
图15(a)和图15(b)是用于说明液处理方法的另一例的图。
附图标记说明
1……液处理装置，30……处理液供给部，35……驱动机构(驱动部)，40……受液部，50……溶剂供给部，70……引导部件，80……驱动机构(驱动部、旋转驱动部)，90……抽吸泵(吸引部)，Ctr……控制器(控制部)，N……喷嘴，S……下端面，W……晶片(基片)，Wa……表面。
具体实施方式
以下，参照附图，更详细地说明本发明的实施方式的一例。在以下说明中，对相同要素或具有相同功能的要素标注相同的附图标记，并省略重复的说明。
[液处理装置]
参照图1和图2，对液处理装置1的构成进行说明。液处理装置1如图1所示，构成为能够对晶片W(基片)的表面Wa供给处理液L1。处理液L1可以为能适用于晶片W的表面Wa的各种液体，例如，可以是能够成为感光性抗蚀膜的感光性抗蚀液，成为非感光性抗蚀膜的非感光性抗蚀液等。
晶片W可以呈圆板状，也可以呈多边形等圆形以外的板状。晶片W也可以具有切除了一部分而成的切缺部。切缺部例如可以是槽口(U字形、V字形等的槽)，也可以是以直线状延伸的直线部(所谓的定向平面)。晶片W例如也可以是半导体基片、玻璃基片、掩模基片、FPD(Flat Panel Display，平板显示器)基板等其他各种基片。晶片W的直径例如可以为200mm～450mm。
液处理装置1包括旋转保持部10、罩20、处理液供给部30、受液部40、溶剂供给部50、气体供给部60和控制器Ctr(控制部)。
旋转保持部10包括旋转部11、轴12和保持部13。旋转部11基于来自控制器Ctr的动作信号进行动作使轴12旋转。旋转部11为例如电动机等的动力源。保持部13设于轴12的顶端部。在保持部13上可以配置晶片W。保持部13例如为以通过吸附等来大致水平地保持晶片W的方式构成的吸附卡盘。
即，旋转保持部10具有如下功能：以晶片W的姿势为大致水平的状态使晶片W绕垂直于晶片W的表面Wa的轴线(旋转轴线)旋转的功能。在本实施方式中，旋转轴线由于通过呈圆形的晶片W的中心，所以也是中心轴线。
罩20设于旋转保持部10的周围。罩20作为能够承接为处理晶片W而供给到晶片W的液体的集液容器而发挥作用。罩20例如可以由聚丙烯(PP：polypropylene)、聚氯乙烯(PVC：polyvinyl chloride)、聚苯硫醚(PPS：Poly Phenylene Sulfide)树脂等形成。
处理液供给部30构成为能够对晶片W的表面Wa供给处理液L1。处理液供给部30包括液源31、泵32、阀33、喷嘴N、配管34和驱动机构35(驱动部)。
液源31作为处理液L1的供给源而发挥作用。泵32基于来自控制器Ctr的动作信号进行动作，从液源31吸引处理液L1，经由配管34和阀33将处理液L1送出到喷嘴N。阀33基于来自控制器Ctr的动作信号进行动作，在阀33的前后使配管34打开、闭塞。
配管34从上游侧依次连接着液源31、泵32、阀33和喷嘴N。驱动机构35基于来自控制器Ctr的动作信号进行动作，使喷嘴N向水平方向或上下方向移动。驱动机构35也可以为例如带编码器的伺服电机，控制喷嘴N的移动速度和移动位置。
喷嘴N能够由驱动机构35在晶片W的上方(罩20上方)与受液部40之间移动，以使得释放口Na(参照图2)去往晶片W的表面Wa。喷嘴N具有将从泵32送出的处理液L1从释放口Na向下方释放的功能。释放口Na设置于喷嘴N的平坦的下端面S。
受液部40作为承接虚释放时的处理液L1和溶剂L2的集液容器发挥作用。受液部40如图1和图2所示，包括壳体41、喷嘴42、排液管43和引导部件70。壳体41是上方开放的有底筒体。壳体41配置于在上下方向不与罩20重叠的位置(罩20)。喷嘴42设于壳体的侧壁面，构成为能够将溶剂L2释放到壳体41内。排液管43构成为能够将被释放到壳体41内的处理液L1和溶剂L2排出。
引导部件70为沿铅垂方向延伸的棒状体。引导部件70例如可以是圆柱，也可以是多棱柱。引导部件70固定于壳体41内。
溶剂供给部50构成为能够将溶剂L2供给到壳体41内。溶剂L2可以是各种有机溶剂(例如稀释剂)。溶剂供给部50包括液源51、泵52、阀53和配管54。
液源51作为溶剂L2的供给源发挥作用。泵52基于来自控制器Ctr的动作信号进行动作，从液源51吸引溶剂L2，经由配管54和阀53将溶剂L2送出到喷嘴42。阀53基于来自控制器Ctr的动作信号进行动作，在阀53的前后使配管54打开、闭塞。配管54从上游侧依次连接着液源51、泵52、阀53和喷嘴42。
气体供给部60构成为能够向喷嘴N的下端部供给气体。气体G可以是各种非活性气体，例如可以是氮气(N2气体)。气体供给部60包括气体源61、泵62、阀63、配管64和喷嘴65。
气体源61作为气体G的供给源发挥作用。泵62基于来自控制器Ctr的动作信号进行动作，从气体源61吸引气体G，经由配管64和阀63将气体G送出到喷嘴65。阀63基于来自控制器Ctr的动作信号进行动作，在阀63的前后使配管64打开、闭塞。
配管64从上游侧依次连接着气体源61、泵62、阀63和喷嘴65。喷嘴65以前端的释放口朝斜下方向的方式固定于壳体41内。喷嘴65具有将从泵62送出的气体G从释放口向斜下方向释放的功能。
控制器Ctr如图3所示，具有作为功能模块的读取部M1、存储部M2、处理液供给控制部M3、溶剂供给控制部M4和气体供给控制部M5。这些功能模块不过是为了方便而将控制器Ctr的功能划分成的多个模块，并非一定意味着要构成控制器Ctr的硬件分成这样的模块。各功能模块不限于通过执行程序来实现，也可以由专用的电路(例如逻辑电路)或者将逻辑电路集成而得的集成电路(ASIC：Application Specific Integrated Circuit，专用集成电路)来实现。
读取部M1具有从计算机可读取的存储介质RM读取程序的功能。存储介质RM存储有用于使液处理装置1的各部动作的程序。作为存储介质RM例如可以是半导体存储器、光盘、磁盘、磁光盘。
存储部M2具有存储各种数据的功能。存储部M2例如存储：在读取部M1中从存储介质RM读出的程序；处理晶片W时的各种数据(即所谓处理方案)；从操作者经由外部输入装置(未图示)输入的设定数据等。
处理液供给控制部M3具有控制处理液供给部30以使得从喷嘴N对晶片W的表面Wa释放处理液L1的功能。此时的处理液L1的释放动作也被称为“实释放”。处理液供给控制部M3具有控制处理液供给部30以使得从喷嘴N对壳体41内释放处理液L1的功能。此时的处理液L1的释放动作也称为“虚释放”。处理液供给控制部M3具有控制处理液供给部30以使得利用驱动机构35使喷嘴N在晶片W的上方与受液部40之间移动的功能。
溶剂供给控制部M4具有控制溶剂供给部50以使得从喷嘴42对壳体41内释放溶剂L2的功能。气体供给控制部M5具有控制气体供给部60以使得从喷嘴65对壳体41内释放气体G的功能。
控制器Ctr的硬件例如由一个或多个控制用的计算机构成。作为硬件上的构成，控制器Ctr具有例如图4所示的电路Ctr1。电路Ctr1可以由电路要素(电路，circuitry)构成。具体而言，电路Ctr1包括处理器Ctr2、内存Ctr3(存储部)、存储器Ctr4(存储部)和输入输出端口Ctr5。处理器Ctr2与存储器Ctr3及存储器Ctr4中的至少一者相配合来执行程序，进行经由输入输出端口Ctr5的信号的输入输出，由此构成上述的各功能模块。
在本实施方式中，液处理装置1具有一个控制器Ctr，不过也可具有由多个控制器Ctr构成的控制器组(控制部)。在液处理装置1具有控制器组的情况下，上述的功能模块分别可以由一个控制器Ctr实现，也可以由2个以上的控制器Ctr的组合实现。在控制器Ctr由多个计算机(电路Ctr1)构成的情况下，上述功能模块分别可以由一个计算机(电路Ctr1)实现，也可以由2个以上的计算机(电路Ctr1)的组合实现。控制器Ctr可以具有多个处理器Ctr2。在该情况下，上述功能模块分别可以由一个处理器Ctr2实现，也可以由2个以上的处理器Ctr2的组合实现。
[液处理方法]
接着，参照图5和图6(a)～图6(e)，对使用了液处理装置1的液处理方法进行说明。
首先，控制器Ctr控制处理液供给部30，以使得从喷嘴N将处理液L1实释放到晶片W的表面Wa(参照图5的步骤S1)。由此，处理液供给部30能够对晶片W的表面Wa进行供给。(参照图6(a))。
此时，在喷嘴N的下端面S可能会附着有处理液L1。特别是，当在使喷嘴N的下端面S靠近晶片W的表面Wa的状态下对表面Wa释放处理液L1时，处理液L1容易附着在下端面S(参照图6(a))。其中，“靠近”是指下端面S不接触表面Wa而是稍微与表面Wa隔开间隔的状态。下端面S与表面Wa之间的间隙例如可以为0.1mm～2.0mm，也可为1.0mm左右。
当对晶片W的表面Wa供给处理液L1的动作完成时，控制器Ctr控制处理液供给部30以使实释放后的喷嘴N移动到受液部40(参照图5的步骤S2)。由此，能够将实释放后的喷嘴N配置于壳体41内。
接着，控制器Ctr控制溶剂供给部50，以使得对喷嘴N的下端部供给溶剂L2(参照图5的步骤S3)。由此，附着于下端面S(特别是释放口Na的周围)的处理液L1被溶剂L2除去(参照图6(b))。从下端面S除去的处理液L1和供给到喷嘴N的溶剂L2在壳体41中被承接，通过排液管43排出到壳体41外。另一方面，有时被供给喷嘴N的下端部的溶剂L2有一些从释放口Na进入喷嘴N内部，或者溶剂L2残留于下端面S(参照同上)。
接着，控制器Ctr控制气体供给部60，以使得对喷嘴N的下端部供给气体G(参照图5的步骤S4)。由此，附着于下端面S的溶剂L2被气体G吹掉，能够从下端面S除去溶剂L2(图6(c))。但是，有时存在进入喷嘴N内部的溶剂L2依然残留的情况(参照同上)。
接着，控制器Ctr控制处理液供给部30，以使得在引导部件70位于释放口Na正下方的状态下从喷嘴N对引导部件70虚释放处理液L1(参照图5的步骤S5)。由此，残留于喷嘴N内部的溶剂L2与处理液L1一起从喷嘴N被排出。此时，处理液L1刚被释放口Na释放后就与引导部件70接触，因引导部件70的表面张力而在引导部件70的表面扩散并沿该表面流下(参照图6(d))。即，从释放口Na释放的处理液L1不被引导至下端面S而被引导至引导部件70一侧。
在虚释放停止时，控制器Ctr也可控制处理液供给部30，以使得吸引喷嘴N内的处理液L1(也称为“回吸”)。由此能够抑制处理液L1滞留在喷嘴N的释放口Na附近(参照图6(e))。
由此，完成用于从喷嘴N对下一个晶片W释放处理液L1的准备。之后，控制器Ctr控制处理液供给部30以使虚释放后的喷嘴N移动到保持于罩20内的旋转保持部10的晶片W的上方，并再次执行步骤S1之后的步骤。
[作用]
在以上的实施方式中，在引导部件70位于释放口Na附近的状态下，从释放口Na向引导部件70虚释放处理液L1。因此，从释放口Na释放的处理液L1沿引导部件70的表面流动而难以向周围扩散。因此，在虚释放后处理液难以附着在喷嘴N的下端面S。其结果是，无需在虚释放后从喷嘴N的下端面S除去处理液L1的麻烦，仅通过虚释放就能够抑制处理液L1附着在喷嘴N的下端面S。
在以上的实施方式中，在引导部件70位于释放口Na正下方的状态下，从释放口Na向引导部件70虚释放处理液L1。因此，处理液L1更易于沿引导部件70的表面流动。
[变形例]
本次公开的实施方式应该认为在所有方面均是例示性的而非限制性的。上述实施方式在不超出所附的权利要求及其主旨的情况下，可以以各种方式省略、置换、变更。
(1)如图7(a)和图7(b)所示，受液部40还可以包括构成为能够驱动引导部件70的驱动机构80(驱动部)。驱动机构80包括：在壳体41的内壁面之间支承引导部件70的支承臂81；和使支承臂81沿铅垂方向上下移动的移动导轨82。通过支承臂81在移动导轨82上沿铅垂方向上下移动，与支承臂81连接的引导部件70也同样沿铅垂方向上下移动。
也可以使用这样的驱动机构80，一边使引导部件70移动一边进行虚释放。具体而言，如图8(a)所示，在虚释放的最初，在以引导部件70位于释放口Na的正下方的方式配置了喷嘴N和引导部件70的状态下，从喷嘴N释放处理液L1。然后，如图8(b)所示，在处理液L1到达引导部件70之后，控制器Ctr控制驱动机构80，以使得引导部件70向下方移动。
然而，从释放口Na释放的处理液L1的液流在刚释放后最容易紊乱，而一旦开始从释放口Na释放处理液L1后，处理液L1的液流倾向于容易稳定。因此，利用驱动机构80使引导部件70移动以使得引导部件70相对于释放口Na下降，由此在处理液L1刚从释放口Na释放后用引导部件70引导处理液L1，并且之后碰撞到引导部件70而溅起的处理液L1变得难以附着到喷嘴的下端面S。由此，能够进一步抑制处理液L1附着在喷嘴N的下端面S。
通过利用驱动机构35移动喷嘴N以使得喷嘴N相对于引导部件70上升，也能够取得同样的效果。即，为了使引导部件70相对于释放口Na下降，也可以使喷嘴N和引导部件70中的至少一者构成为能够移动。
(2)也可以在虚释放结束时或即将结束之前，以一边吸引喷嘴N内的处理液L1(一边回吸)，一边使喷嘴N和引导部件70中的至少一者移动以使得引导部件70相对于释放口Na下降。在该情况下，通过吸引动作使喷嘴N内的处理液L1被引到喷嘴N的里侧，并且在引导部件70的表面流动的处理液L1随着引导部件70的相对移动而被引导部件70牵引。因此，在虚释放结束时，在喷嘴N的释放口Na中，处理液L1能够良好分开。由此，在虚释放后的喷嘴N内的处理液L1的液面每次虚释放处理时都变得容易处在固定的高度位置。其结果是，能够在晶片W的表面Wa上形成更均匀的厚度的膜。
(3)也可以为驱动机构80(旋转驱动部)还具有使引导部件70绕通过引导部件70的中心的铅垂轴线旋转的功能。在该情况下，也可以一边使引导部件70旋转一边进行虚释放。具体而言，如图9(a)所示，在虚释放的最初，在以引导部件70位于释放口Na的正下方的方式配置了喷嘴N和引导部件70的状态下，从喷嘴N释放处理液L1。然后，如图9(b)所示，在处理液L1到达引导部件70之后，控制器Ctr控制驱动机构80以使得引导部件70旋转。如此，因为从释放口Na向旋转的引导部件70释放处理液L1，所以有处理液L1变得容易被卷到引导部件70的表面的倾向。因此，从释放口Na释放的处理液L1更难以向周围扩散。由此，能够进一步抑制处理液L1附着到喷嘴N的下端面S。
(4)也可以为引导部件70的至少上端部呈凹凸形状。例如，如图10(a)所示，可以为在引导部件70的上端面设有多个突起。如图10(b)所示，可以为在引导部件70的上端缘设有多个悬臂片。如图10(c)所示，可以为在引导部件70的上端部设有沿铅垂方向延伸的多个槽。在这些情况下，引导部件70的上端部的表面积增加。因此，有更多的处理液与引导部件70接触，引导部件70的表面张力变得容易作用于处理液L1。由此，处理液L1变得更容易沿引导部件70的表面流动。
(5)也可以为引导部件70呈筒状。如图11所示，可以在筒状的引导部件70位于释放口Na的正下方的状态下从喷嘴N释放处理液L1。在该情况下也增加了引导部件70的表面积，因此处理液L1变得更容易沿引导部件70的表面流动。
如图12(a)所示，可以在筒状的引导部件70的上端接触下端面S的状态下从喷嘴N释放处理液L1。此时，可以将引导部件70的内径与释放口Na的开口直径设定为相同程度。从喷嘴N释放的处理液L1在引导部件70的内部流动而从引导部件70的下端释放，因此不再扩散到下端面S。因此，可防止处理液L1附着到喷嘴N的下端面S。此外，在该情况下，处理液L1也变得更容易沿引导部件70的表面(内周面)流动。
如图12(b)所示，可以将抽吸泵90(吸引部)连接到筒状的引导部件70。此时，可以为在抽吸泵90进行抽吸动作的状态下，在筒状的引导部件70的上端接触下端面S的状态下从喷嘴N释放处理液L1。在该情况下，从释放口Na释放的处理液L1通过筒状的引导部件70被抽吸泵90抽吸。因此，从释放口Na释放的处理液L1变得更难向周围扩散。由此，能够进一步抑制处理液L1附着到喷嘴N的下端面S。此外，在图12(b)中，示出了引导部件70的上端接触下端面S的情况，但引导部件70也可位于释放口Na的正下方。
(6)也可以如图13所示，在将外径比释放口Na小的引导部件70***释放口Na内部的状态下进行虚释放。在该情况下，处理液L1变得更容易沿引导部件70的表面(内周面)流动。
(7)也可以为对引导部件70的表面实施了提高表面润湿性的表面处理。例如，可以通过等离子体处理对引导部件70的表面赋予亲水性，也可以在引导部件70的表面形成具有亲水性的覆膜。在该情况下，处理液L1变得更容易沿引导部件70的表面流动。
(8)只要喷嘴N具有平坦的下端面S，在该下端面S形成有释放口Na，喷嘴N的形状就没有特别的限定。例如，如图14(a)和图14(b)所示，可以为喷嘴N的前端部被部分地切除。如图14(c)所示，可以在释放口Na的附近，将喷嘴N内的流路扩径。如图14(d)所示，也可以为喷嘴N是在水平方向上以直线状延伸的长条状喷嘴。在该情况下，引导部件70也可以与喷嘴N的缝隙状的释放口Na对应地呈平板状。
(9)也可以如图15(a)所示，在对实释放后的喷嘴N的下端部供给溶剂L2时，也将引导部件70配置在释放口Na的正下方。在该情况下，如图15(b)所示，溶剂L2变得容易被引导部件70引导至喷嘴N的释放口Na附近。因此，能够更有效地将附着于喷嘴N的下端面S的处理液L1除去。
(10)在上述实施方式中，是在从喷嘴N向晶片W的表面Wa实释放处理液L1之后，将溶剂L2供给到喷嘴N的下端部(参照图5的步骤S3)，但是也可以为在实释放之前向喷嘴N供给溶剂L2。或者也可以不向喷嘴N供给溶剂L2。
[例示]
例1.本发明的一例的液处理装置包括：处理液供给部，其构成为能够从位于基片的表面侧的喷嘴对表面供给处理液；引导部件，其构成为能够引导从喷嘴释放的处理液的液流；和控制部。喷嘴包括平坦的下端面，该下端面设有用于释放处理液的释放口。控制部执行以下动作：控制处理液供给部，以使得在下端面靠近表面的状态下从释放口对表面实释放处理液的动作；和控制处理液供给部，以使得在引导部件位于释放口附近的状态下从释放口向引导部件虚释放处理液的动作。
在例1的装置中，在引导部件位于释放口附近的状态下从释放口向引导部件虚释放处理液。因此，从释放口释放的处理液沿引导部件的表面流动而变得难以向周围扩散。由此，在虚释放后处理液变得难以附着在喷嘴的下端面。其结果，无需在虚释放后从喷嘴的下端面除去处理液的麻烦，仅通过虚释放就能够抑制处理液附着在喷嘴的下端面。
例2.也可以为在例1的装置中，控制处理液供给部以使得从释放口虚释放处理液的动作包括：控制处理液供给部，以使得在引导部件位于释放口正下方的状态下从释放口向引导部件虚释放处理液的动作；控制处理液供给部，以使得在筒状的引导部件与释放口连通地接触下端面的状态下从释放口向引导部件虚释放处理液的动作；或者控制处理液供给部，以使得在引导部件被***释放口内部的状态下从释放口向引导部件虚释放处理液的动作。在该情况下，处理液变得更容易沿引导部件的表面流动。
例3.也可以为在例1或例2的装置中，还包括构成为能够使喷嘴或者引导部件移动的驱动部，控制处理液供给部以使得从释放口虚释放处理液的动作包括：控制处理液供给部、驱动部，以使得一边为了从引导部件位于释放口附近的状态使引导部件相对于释放口下降而使喷嘴和引导部件中的至少一者移动，一边从释放口向引导部件虚释放处理液的动作。此处，从释放口释放的处理液的液流在刚释放后最容易紊乱，而一旦开始从释放口释放处理液后处理液的液流倾向于容易稳定。因此，如例3的装置那样，使喷嘴和引导部件中的至少一者移动以使得引导部件相对于释放口下降，由此在刚从释放口释放处理液后利用引导部件引导处理液，并且之后碰撞到引导部件而溅起的处理液变得难以附着在喷嘴的下端面。由此，能够进一步抑制处理液附着在喷嘴的下端面。
例4.也可以为在例1～例3的任一装置中，还包括构成为能够使引导部件旋转的旋转驱动部，控制处理液供给部以从释放口虚释放处理液的动作可以包括以下动作：控制处理液供给部和旋转驱动部，以使得在引导部件位于释放口附近的状态且引导部件旋转的状态下从释放口向引导部件虚释放处理液的动作。在该情况下，从释放口向旋转的引导部件释放处理液，因此有处理液变得容易被卷到引导部件的表面的倾向。因此，从释放口释放的处理液变得更难以向周围扩散。由此，能够进一步抑制处理液附着在喷嘴的下端面。
例5.也可以为在例1～例4的任一装置中，还包括构成为能够从呈筒状的引导部件的内部吸引流体的吸引部，控制处理液供给部以使得从释放口虚释放处理液的动作包括以下动作：控制处理液供给部和吸引部，以使得在引导部件位于释放口附近的状态且吸引部进行吸引动作的状态下从释放口向引导部件虚释放处理液。在该情况下，从释放口释放的处理液的至少一部分通过筒状的引导部件被吸引。因此，从释放口释放的处理液变得更难向周围扩散。由此，能够进一步抑制处理液附着在喷嘴的下端面。
例6.也可以为在例1～例5的任一装置中，引导部件的表面被实施了提高表面润湿性的表面处理。在该情况下，处理液变得更容易沿引导部件的表面流动。
例7.也可以为在例1～例6的任一装置中，引导部件的至少上端部呈凹凸形状。在该情况下，引导部件的上端部的表面积增加。因此，有更多的处理液与引导部件接触，引导部件的表面张力变得容易作用于处理液。由此，处理液变得更容易沿引导部件的表面流动。
例8.也可以为在例1～例7的任一装置中，还包括构成为能够对喷嘴供给溶剂的溶剂供给部，控制部还执行以下动作：控制所述溶剂供给部，以使得对实释放前或实释放后的所述释放口的周围供给溶剂的动作。此处，当对喷嘴供给溶剂时，有时会造成有一些溶剂从喷嘴的释放口被吸入喷嘴内部。于是，当直接从喷嘴向基片实释放处理液时，可能会在基片的表面形成的膜厚中产生不均。于是，通常在下一次实释放之前从喷嘴将处理液虚释放到例如排液容器等中，由此将溶剂从喷嘴内释放。但是，在虚释放时，存在从释放口释放的处理液的液流紊乱，处理液向释放口的周围扩散，处理液附着在喷嘴的下端面的情况。可是，依照例8，从释放口释放的处理液沿引导部件的表面流动而变得难以向周围扩散。因此，在虚释放后处理液更难附着于喷嘴的下端面。
例9.也可以为在例8的装置中，控制溶剂供给部的动作包括以下动作：控制溶剂供给部，以使得在引导部件位于释放口的正下方的状态下对实释放后的释放口的周围供给溶剂。在该情况下，在对喷嘴供给溶剂时引导部件位于释放口的正下方，因此变得容易由引导部件将溶剂引导至喷嘴的释放口附近。因此，能够更有效地将附着于喷嘴的下端面的处理液除去。
例10.也可以为在例1～例9的任一装置中，还包括构成为能够使喷嘴或引导部件移动的驱动部，控制部还能够执行以下动作：控制处理液供给部和驱动部，以使得为了使引导部件相对于释放口下降而使喷嘴和引导部件中的至少一者移动，并在虚释放结束时或者即将结束之前吸引喷嘴内的处理液。在该情况下，通过吸引动作使喷嘴内的处理液被牵引到喷嘴的里侧，另一方面在引导部件的表面流动的处理液随着引导部件的相对移动而被引导部件牵引。因此，在虚释放结束时，在喷嘴的释放口中，处理液能够良好地分开。由此，在虚释放后的喷嘴N内的处理液的液面每次虚释放处理时都变得容易处在固定的高度位置。其结果是，能够在基片的表面上形成更均匀的厚度的膜。
例11.本发明的另一例的液处理方法包括：在喷嘴的平坦的下端面靠近基片表面的状态下，从设于下端面的释放口对表面实释放处理液的步骤；和在引导部件位于释放口附近的状态下，从释放口向引导部件虚释放处理液的步骤。在该情况下，能够起到与例1的装置同样的作用效果。
例12.也可以为在例11的方法中，从释放口虚释放处理液的步骤包括：在引导部件位于释放口正下方的状态下，从释放口向引导部件虚释放处理液的步骤；在筒状的引导部件与释放口连通地接触下端面的状态下，从释放口向引导部件虚释放处理液的步骤；或者在引导部件被***释放口内部的状态下，从释放口向引导部件虚释放处理液的步骤。在该情况下，能够起到与例2的装置同样的作用效果。
例13.也可以为在例11或例12的方法中，从释放口虚释放处理液的步骤包括：为了从引导部件位于释放口附近的状态使引导部件相对于释放口下降而使喷嘴和引导部件中的至少一者移动，并从释放口向引导部件虚释放处理液的步骤。该情况下，能够起到与例3的装置同样的作用效果。
例14.也可以为在例11～例13的任一方法中，从释放口虚释放处理液的步骤包括：在引导部件位于释放口附近的状态且引导部件旋转的状态下，从释放口向引导部件虚释放处理液的步骤。在该情况下，能够起到与例4的装置同样的作用效果。
例15.也可以为在例11～例14的任一方法中，从释放口虚释放处理液的步骤包括：在呈筒状的引导部件位于释放口附近的状态且进行从引导部件的内部吸引流体的吸引动作的状态下，从释放口向引导部件虚释放处理液的步骤。在该情况下，能够起到与例5的装置同样的作用效果。
例16.也可以为在例11～例15的任一方法中，引导部件的表面被实施了提高表面润湿性的表面处理。在该情况下，能够起到与例6的装置同样的作用效果。
例17.也可以为在例11～例16的任一方法中，引导部件的至少上端部呈凹凸形状。在该情况下，能够起到与例7的装置同样的作用效果。
例18.也可以为在例11～例17的任一方法中，还包括对实释放前或实释放后的释放口的周围供给溶剂的步骤。在该情况下，能够起到与例8的装置同样的作用效果。
例19.也可以为在例18的方法中，供给溶剂的步骤包括：在引导部件位于释放口的正下方的状态下，对实释放后的释放口的周围供给溶剂的步骤。在该情况下，能够起到与例8的装置同样的作用效果。
例20.也可以为在例19的方法中，还包括：为了使引导部件相对于释放口下降而使喷嘴和引导部件中的至少一者移动，并在虚释放结束时或者即将结束之前吸引喷嘴内的处理液的步骤。在该情况下，能够起到与例9的装置同样的作用效果。
例21.计算机可读取的存储介质的一例存储有用于使液处理装置执行例11～例20的任一液处理方法的程序。在该情况下，能够起到与例11～例20的任一方法同样的作用效果。在本说明书中，计算机可读取的存储介质包括：非暂时性有形介质(non-transitorycomputer recording medium，非暂时性计算机存储介质)(例如，各种主存储装置或辅助存储装置)；传输信号(transitory computer recording medium，暂时性计算机存储介质)(例如，能够经由网络提供的数据信号)。

Claims (21)

1.一种液处理装置，其特征在于，包括：
处理液供给部，其构成为能够从位于基片的表面侧的喷嘴对所述表面供给处理液；
引导部件，其构成为能够引导从所述喷嘴释放的所述处理液的液流；和
控制部，
所述喷嘴包括平坦的下端面，在所述下端面设有用于释放所述处理液的释放口，
所述控制部执行以下动作：
控制所述处理液供给部，以使得在所述下端面靠近所述表面的状态下从所述释放口向所述表面实释放所述处理液的动作；和
控制所述处理液供给部，以使得在所述引导部件位于所述释放口附近的状态下从所述释放口向所述引导部件虚释放所述处理液的动作。
2.如权利要求1所述的装置，其特征在于：
控制所述处理液供给部以使得从所述释放口虚释放所述处理液的动作包括以下动作：
控制所述处理液供给部，以使得在所述引导部件位于所述释放口正下方的状态下从所述释放口向所述引导部件虚释放所述处理液的动作；
控制所述处理液供给部，以使得在筒状的所述引导部件与所述释放口连通地接触所述下端面的状态下从所述释放口向所述引导部件虚释放所述处理液的动作；或者
控制所述处理液供给部，以使得在所述引导部件被***所述释放口内部的状态下从所述释放口向所述引导部件虚释放所述处理液的动作。
3.如权利要求1或2所述的装置，其特征在于：
还包括构成为能够使所述喷嘴或者所述引导部件移动的驱动部，
控制所述处理液供给部以使得从所述释放口虚释放所述处理液的动作包括以下动作：
控制所述处理液供给部和所述驱动部，以使得一边为了从所述引导部件位于所述释放口附近的状态使所述引导部件相对于所述释放口下降而使所述喷嘴和所述引导部件中的至少一者移动，一边从所述释放口向所述引导部件虚释放所述处理液的动作。
4.如权利要求1或2所述的装置，其特征在于：
还包括构成为能够使所述引导部件旋转的旋转驱动部，
控制所述处理液供给部以使得从所述释放口虚释放所述处理液的动作包括以下动作：
控制所述处理液供给部和所述旋转驱动部，以使得在所述引导部件位于所述释放口附近的状态且所述引导部件旋转的状态下从所述释放口向所述引导部件虚释放所述处理液的动作。
5.如权利要求1或2所述的装置，其特征在于：
还包括构成为能够从呈筒状的所述引导部件的内部吸引流体的吸引部，
控制所述处理液供给部以使得从所述释放口虚释放所述处理液的动作包括以下动作：
控制所述处理液供给部和所述吸引部，以使得在所述引导部件位于所述释放口附近的状态且所述吸引部进行吸引动作的状态下从所述释放口向所述引导部件虚释放所述处理液的动作。
6.如权利要求1或2所述的装置，其特征在于：
所述引导部件的表面被实施了提高所述表面的润湿性的表面处理。
7.如权利要求1或2所述的装置，其特征在于：
所述引导部件的至少上端部呈凹凸形状。
8.如权利要求1或2所述的装置，其特征在于：
还包括构成为能够对所述喷嘴供给溶剂的溶剂供给部，
所述控制部还执行：控制所述溶剂供给部以使得对实释放前或者实释放后的所述释放口的周围供给溶剂的动作。
9.如权利要求8所述的装置，其特征在于：
控制所述溶剂供给部的动作包括以下动作：
控制所述溶剂供给部，以使得在所述引导部件位于所述释放口的正下方的状态下向实释放后的所述释放口的周围供给所述溶剂的动作。
10.如权利要求1或2所述的装置，其特征在于：
还包括构成为能够使所述喷嘴或者所述引导部件移动的驱动部，
所述控制部还能够执行以下动作：
控制所述处理液供给部和所述驱动部，以使得为了使所述引导部件相对于所述释放口下降而使所述喷嘴和所述引导部件中的至少一者移动，并在虚释放结束时或者即将结束之前吸引所述喷嘴内的所述处理液的动作。
11.一种液处理方法，其特征在于，包括：
在喷嘴的平坦的下端面靠近基片的表面的状态下，从设于所述下端面的释放口对所述表面实释放处理液的步骤；和
在所述引导部件位于所述释放口附近的状态下，从所述释放口向所述引导部件虚释放所述处理液的步骤。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于：
从所述释放口虚释放所述处理液的步骤包括：
在所述引导部件位于所述释放口正下方的状态下，从所述释放口向所述引导部件虚释放所述处理液的步骤；
在筒状的所述引导部件与所述释放口连通地接触所述下端面的状态下，从所述释放口向所述引导部件虚释放所述处理液的步骤；或者
在所述引导部件被***所述释放口内部的状态下，从所述释放口向所述引导部件虚释放所述处理液的步骤。
13.如权利要求11或12所述的方法，其特征在于：
从所述释放口虚释放所述处理液的步骤包括：
使所述喷嘴和所述引导部件中的至少一者移动以使得从所述引导部件位于所述释放口附近的状态使所述引导部件相对于所述释放口下降，并从所述释放口向所述引导部件虚释放所述处理液的步骤。
14.如权利要求11或12所述的方法，其特征在于：
从所述释放口虚释放所述处理液的步骤包括：
在所述引导部件位于所述释放口附近的状态且所述引导部件旋转的状态下，从所述释放口向所述引导部件虚释放所述处理液的步骤。
15.如权利要求11或12所述的方法，其特征在于：
从所述释放口虚释放所述处理液的步骤包括：
在呈筒状的所述引导部件位于所述释放口附近的状态且进行从所述引导部件的内部吸引流体的吸引动作的状态下，从所述释放口向所述引导部件虚释放所述处理液的步骤。
16.如权利要求11或12所述的方法，其特征在于：
所述引导部件的表面被实施了提高所述表面的润湿性的表面处理。
17.如权利要求11或12所述的方法，其特征在于：
所述引导部件的至少上端部呈凹凸形状。
18.如权利要求11或12所述的方法，其特征在于：
还包括对实释放前或实释放后的所述释放口的周围供给溶剂的步骤。
19.如权利要求18所述的方法，其特征在于：
所述供给溶剂的步骤包括：
在所述引导部件位于所述释放口的正下方的状态下，对实释放后的所述释放口的周围供给溶剂的步骤。
20.如权利要求11或12所述的方法，其特征在于：
还包括：使所述喷嘴和所述引导部件中的至少一者移动以使得所述引导部件相对于所述释放口下降，并在虚释放结束时或者即将结束之前吸引所述喷嘴内的所述处理液的步骤。
21.一种计算机可读取的存储介质，其特征在于：
存储有用于使液处理装置执行权利要求11或12所述的液处理方法的程序。
CN201910422709.3A 2018-05-24 2019-05-21 液处理装置、液处理方法和计算机可读取的存储介质 Active CN110534454B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-099572 2018-05-24
JP2018099572A JP7112884B2 (ja) 2018-05-24 2018-05-24 液処理装置、液処理方法、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110534454A true CN110534454A (zh) 2019-12-03
CN110534454B CN110534454B (zh) 2024-07-12

Family

ID=68659264

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910422709.3A Active CN110534454B (zh) 2018-05-24 2019-05-21 液处理装置、液处理方法和计算机可读取的存储介质

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7112884B2 (zh)
KR (1) KR20190134475A (zh)
CN (1) CN110534454B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7511466B2 (ja) 2020-03-30 2024-07-05 株式会社荏原製作所 洗浄部材の洗浄装置、基板洗浄装置及び洗浄部材アセンブリ

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0638239U (ja) * 1992-10-22 1994-05-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板の位置決め装置
JPH09122553A (ja) * 1995-11-07 1997-05-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板への塗布液塗布方法及び装置並びに該装置に用いられる塗布液溶剤容器
KR20030053302A (ko) * 2001-12-22 2003-06-28 동부전자 주식회사 반도체 공정용액 분사노즐용 잔류액 흡입장치
JP2005252045A (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Tokyo Electron Ltd 塗布膜形成装置および塗布膜形成方法
JP2005286221A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2011082495A (ja) * 2009-09-11 2011-04-21 Tokyo Electron Ltd 基板液処理装置及び処理液生成方法並びに処理液生成プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP2012235132A (ja) * 2012-06-19 2012-11-29 Tokyo Electron Ltd 液処理におけるノズル洗浄、処理液乾燥防止方法及びその装置
JP2014094356A (ja) * 2012-11-11 2014-05-22 Hirata Corp 塗布液充填方法、スリットノズル、吐出口閉口部材及びスリットノズルユニット
CN104137225A (zh) * 2012-02-27 2014-11-05 东京毅力科创株式会社 液体处理装置和液体处理方法
CN104437932A (zh) * 2013-09-18 2015-03-25 株式会社东芝 螺旋涂敷装置
JP2016072337A (ja) * 2014-09-29 2016-05-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3691665B2 (ja) * 1997-07-03 2005-09-07 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JPH1140484A (ja) * 1997-07-22 1999-02-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd ノズルキャップ、基板処理装置用カップおよび排液配管
JP3679904B2 (ja) * 1997-08-29 2005-08-03 大日本スクリーン製造株式会社 ノズル洗浄装置および該ノズル洗浄装置を備えた塗布装置
JP3652596B2 (ja) * 1999-10-25 2005-05-25 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP5442232B2 (ja) * 2008-10-01 2014-03-12 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 薬液吐出用ノズルの待機ポット及び薬液塗布装置並びに薬液塗布方法
JP2010186974A (ja) 2009-02-13 2010-08-26 Tokyo Electron Ltd 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0638239U (ja) * 1992-10-22 1994-05-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板の位置決め装置
JPH09122553A (ja) * 1995-11-07 1997-05-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板への塗布液塗布方法及び装置並びに該装置に用いられる塗布液溶剤容器
KR20030053302A (ko) * 2001-12-22 2003-06-28 동부전자 주식회사 반도체 공정용액 분사노즐용 잔류액 흡입장치
JP2005252045A (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Tokyo Electron Ltd 塗布膜形成装置および塗布膜形成方法
JP2005286221A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2011082495A (ja) * 2009-09-11 2011-04-21 Tokyo Electron Ltd 基板液処理装置及び処理液生成方法並びに処理液生成プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
CN104137225A (zh) * 2012-02-27 2014-11-05 东京毅力科创株式会社 液体处理装置和液体处理方法
JP2012235132A (ja) * 2012-06-19 2012-11-29 Tokyo Electron Ltd 液処理におけるノズル洗浄、処理液乾燥防止方法及びその装置
JP2014094356A (ja) * 2012-11-11 2014-05-22 Hirata Corp 塗布液充填方法、スリットノズル、吐出口閉口部材及びスリットノズルユニット
CN104437932A (zh) * 2013-09-18 2015-03-25 株式会社东芝 螺旋涂敷装置
JP2016072337A (ja) * 2014-09-29 2016-05-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019204892A (ja) 2019-11-28
CN110534454B (zh) 2024-07-12
TW202012055A (zh) 2020-04-01
JP7112884B2 (ja) 2022-08-04
KR20190134475A (ko) 2019-12-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102566736B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
US9508569B2 (en) Substrate liquid processing apparatus
KR102557222B1 (ko) 기판 액 처리 장치, 처리액 공급 방법 및 기억 매체
CN107799438B (zh) 基板处理装置和喷嘴清洗方法
US10589305B2 (en) Substrate treating apparatus, and method of controlling the substrate treating apparatus
JP6272138B2 (ja) 塗布処理装置
US9922849B2 (en) Substrate liquid processing apparatus having nozzle with multiple flow paths and substrate liquid processing method thereof
JP6224515B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
CN104051301B (zh) 基板处理装置以及喷出头待机方法
CN109698145B (zh) 喷嘴待机装置、液处理装置及其运转方法和存储介质
KR20160012076A (ko) 현상 장치
CN110534454A (zh) 液处理装置、液处理方法和计算机可读取的存储介质
TW201718110A (zh) 處理液供給裝置及處理液供給裝置的控制方法
JP2018147979A (ja) 基板処理装置
JP6914050B2 (ja) 基板処理装置
JP4347734B2 (ja) 基板処理装置
CN115472526A (zh) 基板处理方法和基板处理装置
JP3453022B2 (ja) 現像装置
JP7519244B2 (ja) 液処理装置及び液処理装置の運転方法
TWI840356B (zh) 液處理裝置、液處理方法、及電腦可讀取的記錄媒體
KR102414891B1 (ko) 기판 액 처리 장치
JP2007096156A (ja) カバー膜除去装置
JP2023056612A (ja) 処理液収容容器、基板処理装置及び基板処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant