TW202006854A - 黏晶裝置及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

黏晶裝置及半導體裝置的製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202006854A
TW202006854A TW108104709A TW108104709A TW202006854A TW 202006854 A TW202006854 A TW 202006854A TW 108104709 A TW108104709 A TW 108104709A TW 108104709 A TW108104709 A TW 108104709A TW 202006854 A TW202006854 A TW 202006854A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
die
groove
end side
plate
Prior art date
Application number
TW108104709A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI713991B (zh
Inventor
山上孝
長谷部有弘
白倉昇
服部真也
Original Assignee
日商捷進科技有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商捷進科技有限公司 filed Critical 日商捷進科技有限公司
Publication of TW202006854A publication Critical patent/TW202006854A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI713991B publication Critical patent/TWI713991B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67712—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)
  • Supply And Installment Of Electrical Components (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

本發明的課題是在於提供一種可洗滌基板的背面的黏晶裝置。 其解決手段，黏晶裝置是具備： 搬送部，其係將具有複數列載置晶粒的區域的基板搬送於第一方向； 第一異物除去裝置，其係除去前述基板的第一面的異物； 第二異物除去裝置，其係除去與前述基板的前述第一面相反側的第二面的異物；及 接合頭，其係將拾取後的晶粒接合於前述基板。 前述第一異物除去裝置是在離開前述基板的位置具備板，在前述基板與前述板之間流動氣體，除去前述基板的前述第一面的異物。

Description

黏晶裝置及半導體裝置的製造方法
本案是有關黏晶裝置，可適用在例如具備洗滌基板的裝置的黏晶裝置。
在半導體裝置的製造工程的一部分有將半導體晶片(以下簡稱為晶粒)搭載於配線基板或引線架等(以下簡稱為基板)而組合封裝的工程，在組合封裝(package)的工程的一部分有從半導體晶圓(以下簡稱為晶圓)分割晶粒的工程(切割工程)及將分割後的晶粒搭載於基板上的接合(Bonding)工程。被使用在接合工程的半導體製造裝置為黏晶機(die bonder)等的黏晶裝置。
在晶粒往基板的接合雖使用黏著劑，但將晶粒黏著於基板時，一旦垃圾附著於基板的表面，則黏著劑的黏著力會降低，因此除去基板上的垃圾(以下稱為異物)是在安裝晶粒上極為重要。在專利文獻1中，提案將具有空氣的吹出孔與吸入孔為形成一體的洗滌噴嘴的異物除去裝置移動於與基板的移動方向正交的方向來除去基板上的異物。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2012-199458號公報
(發明所欲解決的課題)
然而，在專利文獻1中，雖可除去基板的表面的異物，但背面的異物是無法除去。 本案的課題是在於提供可洗滌基板的背面的黏晶裝置。 其他的課題及新穎的特徵是可由本說明書的記述及附圖明確得知。 (用以解決課題的手段)
若簡單說明本案之中具代表性者的概要，則如下述般。 亦即，黏晶裝置是具備： 搬送部，其係將具有複數列載置晶粒的區域的基板搬送於第一方向； 第一異物除去裝置，其係除去前述基板的第一面的異物； 第二異物除去裝置，其係除去與前述基板的前述第一面相反側的第二面的異物；及 接合頭，其係將拾取後的晶粒接合於前述基板。 前述第一異物除去裝置是在離開前述基板的位置具備板，在前述基板與前述板之間流動氣體，除去前述基板的前述第一面的異物。 [發明的效果]
若根據上述黏晶裝置，則可洗滌基板的背面。
以下，利用圖面來說明有關實施形態、變形例、比較例及實施例。但，在以下的說明中，有在同一構成要素附上同一符號省略重複的說明的情形。另外，圖面為了使說明更明確，相較於實際的形態，有關各部的寬度、厚度、形狀等，有模式性地表示的情形，但終究只是一例，不是限定本發明的解釋者。
利用圖1、2來說明有關本案發明者們針對基板的表面及背面的兩面的洗滌進行檢討的技術(比較例)。圖1是說明比較例的基板的表面的洗滌方法的圖面，圖1(A)是表示基板從吸附平台分離的狀態的剖面圖，圖1(B)是表示基板與吸附平台接觸的狀態的剖面圖。圖2是說明基板的彎曲的圖，圖2(A)是表示洗滌上彎曲的基板的表面時的剖面圖，圖2(B)是表示洗滌下彎曲的基板的背面時的剖面圖。
比較例的異物除去裝置9是具備洗滌噴嘴91。在洗滌噴嘴91是具備空氣供給配管91a及空氣排出配管91b。空氣排出配管91b是如圖1(B)所示般，配管徑會比空氣供給配管91a大。這是因為空氣排出配管91b作為異物搬送用使用。最接近基板S的面的是如圖1(B)所示般為噴嘴面91c。
此噴嘴面91c是平面視為矩形狀，在中央部設有複數個圓形的空氣吹出口91d，以環狀地包圍此空氣吹出口91d的周圍之方式設有複數個空氣吸入口91e。
藉此，藉由從空氣吹出口91d吐出的空氣來吹跑的異物是如以圖1(B)的箭號所示般藉由空氣吸入口91e來立即被吸引，最終被廢棄。
洗滌噴嘴91是上下作動，通常洗滌噴嘴91會下降至基板S的適正位置(例如基板S上2mm的位置)，在基板S的移動或更換時是上昇。又，洗滌噴嘴91是如圖1(B)所示般，如箭號C般，移動於基板S的寬度方向(Y方向)而進行異物的除去動作。
如圖1(A)所示般，藉由夾緊裝置(clamp)(基板搬送爪)51來將兩端藉由搬送引導裝置(滑運道、搬送道)52所支撐的基板S搬送於X方向至吸附平台AS上。使吸附平台AS上昇而使與基板S接觸，從吸附孔AH吸引，藉此將基板S固定於吸附平台AS。
使洗滌噴嘴91下降，相對於基板S的搬送方向(X方向)，使動作於垂直的方向(Y方向)，洗滌基板S的表面。
由於洗滌噴嘴91的前端會接近基板S的表面側，因此基板平坦化為必要。但，如圖2(A)所示般，基板S有上彎曲或下彎曲的情形，因此藉由真空吸附來將基板S固定於吸附平台AS。
若洗滌基板S的背面時，也在基板S的背面側設置洗滌噴嘴91，則由於噴嘴前端會接近，因此基板平坦化為必要。如圖2(B)所示般，基板S會有下彎曲或上彎曲的情形，因此檢討藉由真空吸附來將基板S固定於吸附平台AS，但基板S的表面側是有晶粒或晶粒設置場所，恐有將晶粒破損之虞，及恐有使異物附著於晶粒設置場所之虞，因此難以直接使基板S的表面接觸吸附於吸附平台AS而使基板平坦化。
並且，在基板S有彎曲時，難以以適當的位置關係將兩面同時以適當的和洗滌噴嘴91的位置關係來安定進行洗滌。
於是，在實施形態中，在離開基板的位置具備板，在基板與板之間流動氣體，進行基板的背面的洗滌。以下，說明有關幾個的實施形態。
＜第一實施形態＞ 利用圖3、4來說明有關第一實施形態的基板的洗滌。圖3是說明第一實施形態的基板背面用的異物除去裝置的圖，圖3(A)是平面圖，圖3(B)是圖3(A)的B1-B2線的剖面圖，圖3(C)是圖3(A)的C1-C2線的剖面圖。圖4是說明第一實施形態的基板表面用的異物除去裝置及背面用的異物除去裝置的圖，圖4(A)是平面圖，圖4(B)是圖4(A)的B1-B2線的剖面圖，圖4(C)是圖4(A)的C1-C2線的剖面圖。
基板背面用的異物除去裝置(第一異物除去裝置)100是具備可接觸於基板S的背面(第一面)側的板101。板101是在其上面側具備沿著基板寬度方向(Y方向)延伸的溝102。板101是具備：在溝102的一端從下方供給氣體的供給管103，及在溝102的另一端排出氣體的排出口104。供給管103是在溝102內彎曲成排出氣體於Y方向。以圖3的箭號所示般，異物除去裝置100是藉由從板101的一端的供給管103往另一端的排出口104供給流動縮小流路的高速的氣體(藉由白努利效應(Bernoulli effect))來使產生對基板S的吸引力，且藉由該氣體的流動來進行基板S的背面側的洗滌。由於基板S的背面的接觸位置是溝的細的境界部分，因此可儘可能減少接觸面積。
並且，在基板與溝的境界的部分接觸的部分是以和溝的境界的部分所配置的間隔不同的間距來搬送基板，藉此可洗滌。
與基板S的背面的洗滌並行，如圖4所示般，利用異物除去裝置9的洗滌噴嘴91來與圖1同樣地進行基板S的表面(第二面)的洗滌。在此，異物除去裝置100擔任圖1的吸附平台AS的任務。
如圖4所示般，基板S是在其表面具備被配置成格子狀的封裝區域P，封裝區域P是包含接合晶粒的區域(晶粒設置場所)。在此，在基板寬度方向(Y方向)排列成一列的封裝區域會對應於一個的基板洗滌區域。在圖4中，基板S是具有八個的基板洗滌區域，在一個的基板洗滌區域含有四個的封裝區域P。基板S是按每一個的基板洗滌區域搬送於X方向。
板101的X方向的長度(Lp)是比基板S的X方向的長度(Ls)更短，在圖4是三列的基板洗滌區域(三列的封裝區域)的長度。
溝102的寬度(X方向的長度(Wt))是以和封裝區域P的寬度(Wp)不同的寬度(間距)所構成。在圖4是Wt＞Wp。藉此，基板S的溝102的境界所位置的部分是在將基板S搬送至其次的基板洗滌區域時，可進行洗滌。設為比基板洗滌區域(基板搬送間距)長的板(背面吸引洗滌區域)的情況，設置可按每個溝進行氣體的供給的ON、OFF的機能。藉此，可停止對溝上未有基板S位置的溝供給氣體。
其次，利用圖5來說明有關基板S的表面及背面的洗滌動作。圖5是說明第一實施形態的異物除去裝置的洗滌動作的流程圖。
首先，將兩端藉由搬送引導裝置52所支撐的基板S搬送於X方向至板101上(步驟S31)。
其次，使板101上昇而使與基板S接觸，供給氣體至板101的溝102，吸附基板S的同時進行基板S的背面的洗滌(步驟S32)。
其次，以區域感測器或非接觸變位感測器等來確認基板S被吸附，彎曲消失的情形(步驟S33)，在基板S無彎曲時，與圖1的比較例同樣，例如使洗滌噴嘴91下降至基板S上2mm的位置，使動作於對基板S的搬送方向(X方向)垂直的方向(Y方向)，洗滌基板S的表面(步驟S34)。
其次，判斷基板S的表面的洗滌是否終了(步驟S35)，當洗滌終了時，停止往溝102的氣流，解除吸引，使板101下降，使洗滌噴嘴91上昇，將基板S搬送至其次的基板洗滌區域(步驟S36)。重複步驟S32～S36，洗滌至最後的基板洗滌區域(在圖4是第八個的基板洗滌區域)。
最後的基板洗滌區域的基板S的表面的洗滌終了時，停止往溝102的氣流，解除吸引，使板101下降，使洗滌噴嘴91上昇，將基板S搬送至接合平台(步驟S37)。
在第一實施形態中，可藉由在基板的背面側流動氣體來一邊吸引基板而矯正基板的彎曲，一邊以基板的背面側的氣流來進行基板的背面的洗滌。
＜第一實施形態的變形例＞ 以下，有關第一實施形態的代表性的變形例，舉幾個例示。在以下的變形例的說明中，對於具有與在上述的第一實施形態說明者同樣的構成及機能的部分，可使用與上述的第一實施形態同樣的符號。而且，有關如此的部分的說明是在技術上不矛盾的範圍內可適當援用上述的第一實施形態的說明。又，上述的實施形態的一部分及複數的變形例的全部或一部分是在技術上不矛盾的範圍內可適當地複合性地適用。
(第一變形例) 利用圖5來說明有關第一變形例的異物除去裝置。圖6是說明第一變形例的基板背面用的異物除去裝置的圖，圖5(A)是平面圖，圖5(B)是圖6(A)的B1-B2線的剖面圖，圖6(C)是圖6(A)的C1-C2線的剖面圖。
第一變形例的異物除去裝置100A是具備可接觸於基板S的背面的板101A。板101A的X方向的長度是與板101相同。板101A是在其上面側具備沿著基板寬度方向(Y方向)延伸的溝102A。溝102A是從一端往另一端慢慢地擴大寬度的構造，溝102A是左右交替地配置。板101是具備：在溝102A的一端從下方供給氣體的供給管103A，及在溝102A的另一端從下方排出氣體的排出口104A。如以圖5的箭號所示般，溝102A是藉由從寬度窄的側供給氣體往寬的側流動，使根據白努利的效應之吸引力產生，且以該氣流來進行基板S的背面的洗滌。背面的吸附力雖依該氣體所流動的場所的寬度、面積、深度等而產生不平衡，但藉由左右交替地配置從氣體供給側往排氣側的方向，可解消不平衡，可保持基板的左右的吸引力的平衡。
利用本變形例的洗滌裝置，與第一實施形態同樣地洗滌基板S的表面及背面。
(第二變形例) 利用圖7來說明有關第二變形例的異物除去裝置。圖7是說明第二變形例的基板背面用的異物除去裝置的圖，圖7(A)是平面圖，圖7(B)是圖7(A)的B1-B2線的剖面圖，圖7(C)是圖7(A)的C1-C2線的剖面圖。
第二變形例的異物除去裝置100B是在第一變形例的異物除去裝置100A的溝102A的供給管103A附近設置平面視三角形狀的突起105，藉由寬德效應(Coandă effect)來提高吸引效率者。
利用本變形例的異物除去裝置，與第一實施形態同樣洗滌基板S的表面及背面。
(第三變形例) 利用圖8來說明有關第三變形例的異物除去裝置。圖8是說明第三變形例的基板背面用的異物除去裝置的圖，圖8(A)是平面圖，圖8(B)是圖8(A)的B1-B2線的剖面圖，圖8(C)是圖8(A)的C1-C2線的剖面圖。
第三變形例的異物除去裝置100C是在第一變形例的異物除去裝置100A的板101A之與基板S的接觸面側設置複數個0.1～0.2mm的高度的銷(突起部)106，而使能在基板的吸引時保持基板的平坦度。在本例中，銷106是在基板寬度方向的兩端部各設五個，在中央部設七個，在兩端部與中央部之間各設三個。在包含本變形例的實施形態的白努利吸附中，即使在基板與吸引部之間有間隙，吸引力也會起作用，因此可藉由近接間隔的點接觸來只以銷一邊吸附一邊保持基板S的平坦度，將與基板S的背面的接觸部保持於最小限度(減低接觸面積)，將來自接觸部的異物附著形成最小限度(減低異物附著的潛能(potential))。
利用本變形例的異物除去裝置，與第一實施形態同樣洗滌基板S的表面及背面。
(第四變形例) 利用圖9來說明有關第四變形例的基板的洗滌。圖9是說明第四變形例的基板背面用的異物除去裝置的圖，圖9(A)是平面圖，圖9(B)是圖9(A)的B1-B2線的剖面圖，圖9(C)是圖9(A)的C1-C2線的剖面圖。
第四變形例的異物除去裝置100D是具備可接觸於基板S的背面的板101D。板101D是在其上面側具備沿著基板寬度方向(Y方向)延伸的溝102D。在此，板101D的X方向及Y方向的長度是與板101A的X方向及Y方向的長度相同。溝102D是寬度(X方向的長度)為一定，從一端往另一端慢慢地加深深度的構造，溝102D是左右交替地配置。板101D是具備：在溝102D的一端從下方供給氣體的供給管103D，及在溝102D的另一端從下方排出氣體的排出口104D。如以圖8的箭號所示般，溝102D是從深度淺的側供給氣體，往深的側流動，藉此使吸引力產生的同時進行基板S的背面的洗滌。溝102D是藉由左右交替地配置，可保持基板的左右的吸引力的平衡。
藉此，溝寬度會被均一化，容易按照晶粒的設置寬度來自由設定洗滌區域寬度。並且，吸引力的強度是可無關溝寬度(洗滌區域)以溝的深度及氣流的強度來調整。
利用本變形例的異物除去裝置，與第一實施形態同樣洗滌基板S的表面及背面。
(第五變形例) 利用圖10來說明有關第五變形例的基板的洗滌。圖10是說明第五變形例的基板背面用的異物除去裝置的圖，圖10(A)是平面圖，圖10(B)是圖10(A)的B1-B2線的剖面圖，圖10(C)是圖10(A)的C1-C2線的剖面圖，圖10(D)是白努利吸盤的剖面圖。
第五變形例的異物除去裝置100E是在基板S的背面側具備板101E。在此，板101E的X方向及Y方向的長度是與板101A的X方向及Y方向的長度相同。板101E是具備：交錯配置於其上面側，平面視圓形狀的白努利吸盤107，及交錯配置於白努利吸盤107之間，比白努利吸盤107的上面高0.1～0.2mm的銷(突起部)106E，及供給氣體至白努利吸盤107的供給口103E，以及將從白努利吸盤107噴出的氣體排出的排出口104E。基板S是以和銷106E接觸，不和白努利吸盤107接觸的方式設定銷106E的高度。亦即，基板S是藉由銷106E來保持。白努利吸盤107是從中央部的下方使氣體噴出，藉由流動於白努利吸盤107的上面與基板S的間隙的高速氣流所造成的白努利效應的負壓來使吸引力產生的同時進行基板S的背面側的洗滌。藉由銷(突起部)106E，在基板S的吸引時，可保持基板S的平坦度。
使用本變形例的異物除去裝置，與第一實施形態同樣地洗滌基板S的表面及背面。此情況，藉由白努利吸盤107的外周的氣流的流動的部分來進行洗滌，但一次的吸附是在白努利吸盤107的中央附近或白努利吸盤107間的氣流碰撞的部分發生氣流弱的部分(成為局部性的氣流的流動，發生洗滌效率差的場所，流動的異物的放出去處也變零亂)，但藉由每次使基板S移動進行吸附、洗滌，交錯地配置的白努利吸盤107被隨機地配置，因此可消除洗滌力弱的部分。
(第六變形例) 利用圖11來說明有關第六變形例的基板的洗滌。圖11是說明第六變形例的基板背面用的異物除去裝置的圖，圖11(A)是平面圖，圖11(B)是圖11(A)的B1-B2線的剖面圖，圖11(C)是圖11(A)的C1-C2線的剖面圖。
第六變形例的異物除去裝置100F是不使用第五變形例的異物除去裝置100E的銷106E，藉由白努利吸盤107，板101E與基板S是在非接觸的狀態下進行洗滌。另外，基板S的寬度方向的兩端部是藉由搬送引導裝置52來保持。
如圖10(D)所示般，白努利吸盤107是具有從中央部的下方噴出氣體的噴嘴107a，在噴嘴107a的周邊具有複數的凹部107b。如參考文獻所示般，當白努利吸盤107的上面(作動面)107c與基板S的間隙大時，噴嘴107a、凹部107b及作動面107c與基板S的間隙是分別實現執行噴嘴、真空室及擴散器(Diffuser)的機能，因此在凹部107b產生負壓，吸引基板S。一旦基板S被吸引，與作動面107c的間隙變小，則凹部107b實現壓力室型空氣緩衝(氣墊)的機能，凹部107b的壓力會急劇地上昇，拉開基板S。可將保持此凹部107b的均衡的壓力的作動面107c與基板S的距離以自動地保持的距離保持於非接觸的狀態。 [參考文獻]「採用『氣體垂直噴流方式』，使氣體流的摩擦損失減少『白努利吸盤』『浮動吸盤SA-C(SAN)型』理論解析」，URL http：//www.solarlab.co.jp/sacr 藉此，基板S是可保持固定的狀態，使交錯地配置白努利吸盤107的板101E以晶粒的間距(基板洗滌區域)以上的寬度來移動於前後(X方向)，可在非接觸狀態下均等地進行洗滌。另外，亦可藉由圓形地構成板使旋轉，在非接觸狀態下均等地進行洗滌。
利用本變形例的洗滌裝置，與第一實施形態同樣地洗滌基板S的表面及背面。但，在第一實施形態的洗滌動作的步驟S2或步驟S3中，如上述般使板101E移動。
(第七變形例) 利用圖12來說明有關第七變形例的基板的洗滌。圖12是說明第七變形例的基板背面用的異物除去裝置的圖，圖12(A)是平面圖，圖12(B)是圖12(A)的B1-B2線的剖面圖，圖12(C)是圖11(A)的C1-C2線的剖面圖。
第七變形例的異物除去裝置100G是具備：在第六變形例的異物除去裝置100F的板101E的白努利吸盤107以外的場所設置吸引口101a的板101G，及覆蓋板101G的側面及下面的漏斗狀的罩(cover)108。在此，板101G的X方向及Y方向的長度是與板101E的X方向及Y方向的長度相同。以氣流去除的異物是從罩108的排出口吸引。
利用本變形例的異物除去裝置，與第一實施形態同樣地洗滌基板S的表面及背面。但，在第一實施形態的洗滌動作的步驟S2或步驟S3中，如上述般藉由吸引機構經由吸引口101a來吸引異物。
亦可設置：在第五變形例的異物除去裝置100E的板101E的白努利吸盤107以外的場所設置吸引口，吸引以氣流去除的異物之機構。
若根據第一實施形態及其變形例，則可在矯正了基板的彎曲之狀態下進行基板的背面的洗滌。並且，可同時洗滌基板的表面及背面的雙方。進行基板的兩面的洗滌時，可縮短洗滌時間。而且，在基板的彎曲的矯正不須新的機構，可減低成本。又，由於在基板的表面的洗滌時不用真空吸附平台，因此可減低異物往基板的背面的附著。而且，基板的背面的洗滌也成為可能，可減低基板的背面的異物所造成接合時的孔隙等的發生。並且，可期待處理能力提升。
＜第二實施形態＞ 第一實施形態是一邊藉由白努利效應來吸附基板，一邊進行洗滌，但第二實施形態不是藉由白努利效應來吸附基板，而藉由吹氣(air blow)來進行洗滌。
利用圖13～15來說明有關第二實施形態的基板的洗滌。圖13是說明第二實施形態的異物除去裝置的基板的表面側的圖，圖13(A)是平面圖，圖13(B)是圖13(A)的B1-B2線的剖面圖，圖13(C)是圖13(A)的C1-C2線的剖面圖。圖14是說明第二實施形態的異物除去裝置的基板的背面側的圖，圖14(A)是平面圖，圖14(B)是圖14(A)的B1-B2線的剖面圖，圖14(C)是圖14(A)的C1-C2線的剖面圖。圖15是說明第二實施形態的異物除去裝置的基板的表面側及背面側的圖，圖15(A)是平面圖，圖15(B)是圖15(A)的B1-B2線的剖面圖，圖15(C)是圖15(A)的C1-C2線的剖面圖。
如圖13所示般，第二實施形態的異物除去裝置200是具備：覆蓋被搬送於搬送引導裝置52的基板S的上面的上罩(板)201U，及用以在上罩201U與基板S之間從搬送引導裝置52的附近流動氣體於Y方向的噴嘴203U。噴嘴203U是從上罩201U的上方延伸至基板S側，彎曲成與基板S平行地吹出氣體。基板搬送位置(高度)與上罩201U的間隔是設為2～5mm程度，上罩的X方向的長度，亦即基板S的通過部分的長度(Lc)是比基板長(Ls)長，最好與使用的基板的最大寬度同等的寬度。
如圖14所示般，第二實施形態的異物除去裝置200是具備：覆蓋被搬送於搬送引導裝置52的基板S的下面的下罩(板)201L，及用以在下罩201L與基板S之間從搬送引導裝置52的附近流動氣體於Y方向的噴嘴203L。噴嘴203L是從下罩201L的下方延伸至基板S側，彎曲成與基板S平行地吹出氣體。基板搬送位置(高度)與下罩201L之間隔是設為2～5mm程度，下罩的X方向的長度，亦即基板S的通過部分的長度(Lc)是比基板長(Ls)長，最好與使用的基板的最大寬度同等的寬度。
如圖15所示般，在異物除去裝置200的上罩201U與下罩201L之間，一邊將基板S搬送於X方向，一邊從一方的搬送引導裝置52的附近的噴嘴203U及噴嘴203L吹出氣體，在Y方向流動氣體，藉由從相反側的搬送引導裝置52的附近吸引的吹氣來進行基板S的表面及背面的洗滌。
＜第二實施形態的變形例＞ 以下，有關第二實施形態的代表性的變形例，舉幾個例示。在以下的變形例的說明中，對於具有與在上述的第二實施形態說明者同樣的構成及機能的部分，可使用與上述的第二實施形態同樣的符號。而且，有關如此的部分的說明是在技術上不矛盾的範圍內可適當援用上述的第二實施形態的說明。又，上述的第一實施形態或第二實施形態的一部分及第一實施形態或第二實施形態的複數的變形例的全部或一部分是在技術上不矛盾的範圍內可適當地複合性地適用。
(第八變形例) 圖16是說明第八變形例的異物除去裝置的基板的表面側及背面側的剖面圖。
在第二實施形態是設為藉由彎曲的噴嘴203U，203L來從上方或下方導入氣體，與基板平行地吹出氣體的構成，但第八變形例的異物除去裝置200A是取代噴嘴203U，203L，藉由下述的構成來吹出氣體。
在異物除去裝置200A中，從被設在一方的搬送引導裝置52的上方的氣體供給部203UA的氣體吹出口203a來吹出氣體至上罩201U與基板S之間，從設在該搬送引導裝置52的下方的氣體供給部203LA的氣體吹出口203b吹出氣體至下罩201L與基板S之間。藉由吹氣來從基板S的兩面除去的異物是藉由具備被設在另一方的搬送引導裝置52的上方的吸入口204a及被設在下方的吸入口204b之排氣部204來從排氣口204c排氣。
(第九變形例) 圖17是說明第九變形例的異物除去裝置的基板的表面側及背面側的剖面圖。
第九變形例的異物除去裝置200B是在第八變形例的異物除去裝置200A的上罩201U及下罩201L的基板S側的表面設置在與基板之間成為亂流般的突起205，使洗滌能力提升。亦可為溝來取代突起205。
(第十變形例) 圖18是說明第十變形例的異物除去裝置的基板的表面側及背面側的圖，圖18(A)是基板為上彎曲的情況的剖面圖，圖18(B)是基板為下彎曲的情況的剖面圖，圖18(C)是在基板無彎曲的情況的剖面圖。
在第二實施形態是從一方的搬送引導裝置52的附近吹出氣體，在Y方向流動氣體，藉由從相反側的搬送引導裝置52的附近吸引的吹氣來進行基板S的表面及背面的洗滌，但在第十變形例的異物除去裝置200C是構成由上罩201U的中央部的吹出口201a及下罩201L的中央部的吹出口201b進行吹氣，將該空氣從搬送引導裝置52所位置的側的兩端排氣。藉由來自基板中央部的兩面的吹氣，一邊調整(矯正)基板S的彎曲，以平坦的狀態搬送，一邊同時進行基板S的兩面的洗滌。
如圖18(A)所示般，當基板S為上彎曲時，增多上罩201U側的吹氣量，減少下罩201L側的吹氣量。如圖18(B)所示般，當基板S為下彎曲時，減少上罩201U側的吹氣量，增多下罩201L側的吹氣量。如圖18(C)所示般，在基板S無彎曲時，使上罩201U側的吹氣量與下罩201L側的吹氣量形成相同。
(第十一變形例) 圖19是說明第十一變形例的異物除去裝置的基板的表面側及背面側的剖面圖。
第十一變形例的異物除去裝置200D是在第十變形例的異物除去裝置200C的吹出口201a、201b設置非接觸位移感測器206，測定與基板S的間隔，判斷彎曲，以將上罩201U及下罩201L與基板S保持於預定的間隔之方式調整空氣量進行控制。另外，上罩201U及下罩201L的高度(位置)是亦可設為可自動調整，一邊以非接觸位移感測器206來確認與基板S的間隔，一邊縮小上罩201U及下罩201L的位置，使洗滌效率提升。
在第二實施形態及其變形例是在基板搬送路的上下賦予蓋(罩)，在與基板之間流動氣體，從基板的端部側吸引，進行搬送中的基板的洗滌。藉此，可在搬送區域的空間設置清靜區域，且以基板本身隔開基板的背面側與表面側。又，可一併洗滌基板全面，可拉長每面積的洗滌時間，可提升異物除去率。又，可同時在搬送中洗滌基板的表面及背面的雙方。可在搬送中進行洗滌，可削減洗滌噴嘴移動的時間，因此可縮短洗滌時間。又，洗滌中的除去異物的擴散會被防止，可防止異物再度附著於洗滌後的搬送中的基板。又，由於進行基板的背面的洗滌，因此可減低基板的背面的異物所造成接合時的孔隙等的發生。又，可將清靜空氣的流動的空間保持於適當的位置關係，可安定地維持最適的異物除去狀態。又，基板搬送時的彎曲也會被防止，可適當地保持上罩及下罩與基板的間隔，可防止接觸等，因此可使搬送故障減少。 [實施例]
圖20是表示實施例的黏晶機的概略的俯視圖。圖21是說明在圖20中由箭號A方向來看時，拾取頭及接合頭的動作的圖。
黏晶機10是大致區分具有：供給安裝於基板S的晶粒D的晶粒供給部1、拾取部2、中間平台部3、接合部4、搬送部5、基板供給部6、基板搬出部7及監視控制各部的動作的控制部8，該基板S是印刷了一個或複數的最終成為1封裝的製品區域(以下稱為封裝區域P)。Y軸方向為黏晶機10的前後方向，X軸方向為左右方向。晶粒供給部1會被配置於黏晶機10的前側，接合部4會被配置於後側。
首先，晶粒供給部1是供給安裝於基板S的封裝區域P的晶粒D。晶粒供給部1是具有：保持晶圓11的晶圓保持台12，及從晶圓11頂起晶粒D的以點線所示的頂起單元13。晶粒供給部1是藉由未圖示的驅動手段來移動於XY方向，使拾取的晶粒D移動至頂起單元13的位置。
拾取部2是具有：拾取晶粒D的拾取頭21，及使拾取頭21移動於Y方向的拾取頭的Y驅動部23，以及使夾頭22昇降、旋轉及X方向移動的未圖示的各驅動部。拾取頭21是具有將被頂起的晶粒D吸附保持於前端的夾頭22(圖21也參照)，從晶粒供給部1拾取晶粒D，載置於中間平台31。拾取頭21是具有使夾頭22昇降、旋轉及X方向移動的未圖示的各驅動部。
中間平台部3是具有：暫時性地載置晶粒D的中間平台31，及為了識別中間平台31上的晶粒D的平台識別攝影機32。
接合部4是從中間平台31拾取晶粒D，接合於被搬送至接合平台BS上來的基板S的封裝區域P上，或層疊於已被接合於基板S的封裝區域P上的晶粒上的形式接合。接合部4是具有：具備與拾取頭21同樣地將晶粒D吸附保持於前端的夾頭42(圖21也參照)的接合頭41，及使接合頭41移動於Y方向的Y驅動部43，以及攝取基板S的封裝區域P的位置識別標記(未圖示)，識別接合位置的基板識別攝影機44。 藉由如此的構成，接合頭41是根據平台識別攝影機32的攝像資料來修正拾取位置･姿勢，從中間平台31拾取晶粒D，根據基板識別攝影機44的攝像資料來將晶粒D接合至基板S。
搬送部5是具有：抓住基板S搬送的基板搬送爪51，及基板S所移動的搬送引導裝置52。基板S是以沿著搬送引導裝置52而設的未圖示的滾珠螺桿來驅動被設在搬送引導裝置52的基板搬送爪51的未圖示的螺帽，藉此移動於X方向。 藉由如此的構成，基板S是從基板供給部6沿著搬送引導裝置52來移動至接合位置，接合後，移動至基板搬出部7，將基板S交給基板搬出部7。
控制部8是具備：儲存監視控制黏晶機10的各部的動作的程式(軟體)的記憶體，及實行被儲存於記憶體的程式的中央處理裝置(CPU)。
異物除去裝置9是具有：進行空氣吹出及空氣吸入的洗滌噴嘴91，及將洗滌噴嘴91驅動於Y方向及Z方向的驅動部93。
其次，利用圖22、23來說明有關晶粒供給部1的構成。圖22是表示晶粒供給部的外觀立體圖的圖。圖23是表示晶粒供給部的主要部的概略剖面圖。
晶粒供給部1是具備：移動於水平方向(XY方向)的晶圓保持台12，及移動於上下方向的頂起單元13。 晶圓保持台12是具有： 保持晶圓環14的膨脹環15；及 將被保持於晶圓環14黏著複數的晶粒D的切割膠帶16定位於水平的支撐環17。 頂起單元13是被配置於支撐環17的內側。
晶粒供給部1是在晶粒D的頂起時，使保持晶圓環14的膨脹環15下降。其結果，被保持於晶圓環14的切割膠帶16會被拉伸，晶粒D的間隔擴大，藉由頂起單元13來從晶粒D下方頂起晶粒D，使晶粒D的拾取性提升。另外，隨著薄型化，將晶粒黏著於基板的黏著劑從液狀成為薄膜狀，在晶圓11與切割膠帶16之間貼附被稱為晶粒黏結薄膜(DAF；Die Attach Film)18的薄膜狀的黏著材料。在具有晶粒黏結薄膜18的晶圓11中，切割是對於晶圓11與晶粒黏結薄膜18進行。因此，在剝離工程中，從切割膠帶16剝離晶圓11與晶粒黏結薄膜18。晶粒黏結薄膜18是藉由加熱而硬化。
黏晶機10是具有：識別晶圓11上的晶粒D的姿勢的晶圓識別攝影機24，及識別被載置於中間平台31的晶粒D的姿勢的平台識別攝影機32，以及識別接合平台BS上的安裝位置的基板識別攝影機44。必須修正識別攝影機間的姿勢偏差的是參與接合頭41的拾取的平台識別攝影機32及參與接合頭41的往安裝位置的接合的基板識別攝影機44。
圖24是說明圖20的黏晶機的黏晶工程的流程圖。 在實施例的黏晶工程中，首先，控制部8是從晶圓盒取出保持晶圓11的晶圓環14而載置於晶圓保持台12，將晶圓保持台12搬送至進行晶粒D的拾取的基準位置(晶圓裝載)。其次，控制部8是從藉由晶圓識別攝影機24所取得的畫像，以晶圓11的配置位置會與該基準位置正確地一致的方式進行微調整。
其次，控制部8是使載置有晶圓11的晶圓保持台12以預定間距移動，保持於水平，藉此將最初被拾取的晶粒D配置於拾取位置(晶粒搬送)。晶圓11是預先藉由探針等的檢查裝置來按每個晶粒進行檢查，產生按每個晶粒顯示良、不良的地圖資料，記憶於控制部8的記憶裝置。成為拾取對象的晶粒D為良品或不良品的判定是依據地圖資料來進行。控制部8是當晶粒D為不良品時，使載置有晶圓11的晶圓保持台12以預定間距移動，其次將被拾取的晶粒D配置於拾取位置，跳過不良品的晶粒D。
控制部8是藉由晶圓識別攝影機24來攝取拾取對象的晶粒D的主面(上面)，從取得的畫像算出拾取對象的晶粒D離上述拾取位置的位移量。控制部8是根據此位移量來使載置有晶圓11的晶圓保持台12移動，將拾取對象的晶粒D正確地配置於拾取位置(晶粒確認(步驟S1))。
控制部8是以基板供給部6來將基板S載置於搬送引導裝置52(基板裝載)。控制部8是使基板S移動至接合位置(基板搬送)。
控制部8是為了除去基板的異物而洗滌基板S(基板洗滌(步驟S3))。基板洗滌，表面是利用異物除去裝置9，背面是利用第一實施形態、第一變形例～第七變形例的任一個的異物除去裝置，在實施形態如上述般進行。
控制部8是為了接合而在接合前以基板識別攝影機44來攝取基板而識別基板S的封裝區域P的位置進行定位(基板識別(步驟S4))。
控制部8是將拾取對象的晶粒D正確地配置於拾取位置之後，藉由包含夾頭42的接合頭41來從切割膠帶16拾取晶粒D(步驟S2)，根據步驟S4的基板識別結果來黏晶於封裝區域P或已被接合於封裝區域P的晶粒(步驟S5)。
控制部8是接合晶粒D之後，檢查該接合位置是否正確。控制部8為了檢查接合安裝結果，再度以基板識別攝影機44來攝取基板S的封裝區域P而進行基板S的封裝區域P的位置識別(步驟S6)。控制部8是以基板識別攝影機44來攝取晶粒D而進行晶粒D的位置識別(步驟S7)，由基板識別及晶粒識別結果來進行接合後的晶粒D的位置的檢查。控制部8是與事前登錄的接合位置作比較，進行數值輸出與檢查･判定。
以後，晶粒D會按照同樣的程序來1個1個接合於基板S的封裝區域P。一旦1個的基板的接合完了，則將基板S移動至基板搬出部7(基板搬送)，將基板S交給基板搬出部7(基板卸載)。
又，按照同樣的程序，晶粒D1個1個從切割膠帶16剝離。若去除不良品，全部的晶粒D的拾取完了，則將以晶圓11的外形來保持該等晶粒D的切割膠帶16及晶圓環14等卸載至晶圓盒。
以上，根據實施形態、變形例及實施例來具體地說明本發明者們所研發的發明，但本發明是不限於上述實施形態、變形例及實施例，當然亦可實施各種變更。
例如，在第一實施形態及其變形例中，亦可在板的氣流所流動的區域設置氣流會形成亂流之類的突起，使洗滌效率提升。
在第一實施形態及其變形例中，說明在基板的表面的洗滌使用異物除去裝置9的例子，但在基板的表面的洗滌亦可與基板的背面的洗滌同樣地使用第一實施形態及其變形例的異物除去裝置。此情況，基板的表面側的異物除去裝置的板的吸引力是設定成比基板的背面側的異物除去裝置的板弱。例如，減弱流至基板的表面側的異物除去裝置的板的氣流，或減緩溝的擴大，或減緩溝的深度的變化。
在第二實施形態是說明異物除去裝置洗滌基板的表面及背面的兩面的例子，但亦可只洗滌基板的表面或背面的任一方。
又，在實施例中，說明基板的表面是使用異物除去裝置9，背面是使用第一實施形態及其變形例的任一個的異物除去裝置的例子，但表面也亦可使用第一實施形態及其變形例的任一個的異物除去裝置。又，表面及背面是亦可使用第二實施形態及其變形例的任一個的異物除去裝置。又，亦可表面是使用第二實施形態及其變形例的任一個的異物除去裝置，背面是使用第一實施形態及其變形例的任一個的異物除去裝置。
又，在第二實施形態中，亦可在上罩及下罩設置空氣吹出口及吸引口，按各個的晶粒設置區域進行洗滌。
又，實施例為了縮短接合頭41的移動距離，縮短處理時間，而設置中間平台31，但亦可為不設中間平台31，直接以接合頭41來從晶圓拾取晶粒D的構成。
又，亦可設置旋轉夾頭的驅動部，作為可將拾取後的晶粒的上下反轉的反轉頭。
又，亦可為具備複數組包含拾取部、對準部和接合部的安裝部及搬送引導裝置之黏晶機，或亦可為具備複數組包含拾取部、對準部和接合部的安裝部，具備一個搬送引導裝置。
又，第二實施形態是在基板搬送中實施洗滌，但不限於此，例如，亦可在對於先行的基板的黏晶中的待機位置停止中進行洗滌。
5‧‧‧搬送部 52‧‧‧搬送引導裝置 9‧‧‧異物除去裝置 91‧‧‧洗滌噴嘴 100‧‧‧異物除去裝置 101‧‧‧板 102‧‧‧溝 103‧‧‧供給管 104‧‧‧排出口 S‧‧‧基板 P‧‧‧封裝區域
圖1是說明比較例的基板的表面的洗滌方法的圖面。 圖2是說明基板的彎曲的圖。 圖3是說明第一實施形態的基板背面用的異物除去裝置的圖。 圖4是說明第一實施形態的基板表面用的異物除去裝置及基板背面用的異物除去裝置的圖。 圖5是說明第一實施形態的異物除去裝置的洗滌動作的流程圖。 圖6是說明第一變形例的基板背面用的異物除去裝置的圖。 圖7是說明第二變形例的基板背面用的異物除去裝置的圖。 圖8是說明第三變形例的基板背面用的異物除去裝置的圖。 圖9是說明第四變形例的基板背面用的異物除去裝置的圖。 圖10是說明第五變形例的基板背面用的異物除去裝置的圖。 圖11是說明第六變形例的基板背面用的異物除去裝置的圖。 圖12是說明第七變形例的基板背面用的異物除去裝置的圖。 圖13是說明第二實施形態的異物除去裝置的基板表面側的圖。 圖14是說明第二實施形態的異物除去裝置的基板背面側的圖。 圖15是說明第二實施形態的異物除去裝置的基板表面側及背面側的圖。 圖16是說明第八變形例的異物除去裝置的基板表面側及背面側的剖面圖。 圖17是說明第九變形例的異物除去裝置的基板表面側及背面側的剖面圖。 圖18是說明第十變形例的異物除去裝置的基板表面側及背面側的剖面圖。 圖19是說明第十一變形例的異物除去裝置的基板表面側及背面側的剖面圖。 圖20是表示實施例的黏晶機的概略俯視圖。 圖21是從圖20的箭號A所見的概略側面圖。 圖22是表示圖20的晶粒供給部的外觀立體圖的圖。 圖23是表示圖20的晶粒供給部的主要部的概略剖面圖。 圖24是說明圖20的黏晶機的黏晶工程的流程圖。
9‧‧‧異物除去裝置
52‧‧‧搬送引導裝置
91‧‧‧洗滌噴嘴
100‧‧‧異物除去裝置
101‧‧‧板
103‧‧‧供給管
104‧‧‧排出口
S‧‧‧基板
P‧‧‧封裝區域

Claims (25)

  1. 一種黏晶裝置，其特徵係具備： 搬送部，其係將具有複數列載置晶粒的區域的基板搬送於第一方向； 第一異物除去裝置，其係除去前述基板的第一面的異物； 第二異物除去裝置，其係除去與前述基板的前述第一面相反側的第二面的異物；及 接合頭，其係將拾取後的晶粒接合於前述基板， 前述第一異物除去裝置係於離開前述基板的位置具備板，在前述基板與前述板之間流動氣體，除去前述基板的前述第一面的異物。
  2. 如申請專利範圍第1項之黏晶裝置，其中，前述第一異物除去裝置，係於前述基板與前述板之間流動前述氣體，吸附前述基板。
  3. 如申請專利範圍第2項之黏晶裝置，其中，前述板係具有第一溝及與前述第一溝鄰接的第二溝， 前述第一異物除去裝置，係於前述第一溝及前述第二溝之中，在與前述第一方向不同的第二方向流動前述氣體。
  4. 如申請專利範圍第3項之黏晶裝置，其中，在前述第一溝及前述第二溝中，從前述基板的一端側到另一端側，沿著前述第二方向來流動前述氣體。
  5. 如申請專利範圍第3項之黏晶裝置，其中， 前述第一溝係隨著從前述基板的一端側往前述基板的另一端側而溝寬度變寬， 前述第二溝係隨著從前述另一端側往前述一端側而溝寬度變寬， 前述第一異物除去裝置，係將前述氣體從前述溝寬度窄的側流至寬的側。
  6. 如申請專利範圍第5項之黏晶裝置，其中，前述第一溝及前述第二溝的各溝係於前述溝寬度窄的側具有平面視三角狀的突起部。
  7. 如申請專利範圍第5項之黏晶裝置，其中，前述第一異物除去裝置係於前述板的周邊及前述第一溝與前述第二溝之間的和前述基板對向的面具有與前述基板的前述第一面抵接的突起部。
  8. 如申請專利範圍第3項之黏晶裝置，其中， 前述第一溝係隨著從前述基板的一端側往前述基板的另一端側而溝深度變深， 前述第二溝係隨著從前述另一端側往前述一端側而溝深度變深， 前述第一異物除去裝置，係將前述氣體從前述溝深度淺的側流至深的側。
  9. 如申請專利範圍第2項之黏晶裝置，其中，前述第一異物除去裝置，係於前述板之與前述基板對向的面側具有被交錯地配置的複數的白努利吸盤。
  10. 如申請專利範圍第9項之黏晶裝置，其中，前述第一異物除去裝置，係具有被配置於前述板之與前述基板對向的面側的前述複數的白努利吸盤之間的突起部。
  11. 如申請專利範圍第9項之黏晶裝置，其中，前述第一異物除去裝置，係具有被配置於前述板之與前述基板對向的面側的前述複數的白努利吸盤之間的吸引口。
  12. 如申請專利範圍第1～11項中的任一項所記載之黏晶裝置，其中，前述第二異物除去裝置，係具備洗滌噴嘴，該洗滌噴嘴係形成有吹出孔及以包圍該吹出孔的方式形成有吸入孔， 使前述洗滌噴嘴移動於與前述第一方向不同的第三方向。
  13. 如申請專利範圍第12項之黏晶裝置，其中，前述板的前述第一方向的長度係比前述基板的前述第一方向的長度更短。
  14. 如申請專利範圍第1項之黏晶裝置，其中，前述第一異物除去裝置，係從前述基板的一端側到另一端側，在與前述第一方向不同的第二方向流動前述氣體。
  15. 如申請專利範圍第14項之黏晶裝置，其中，前述第二異物除去裝置係於離開前述基板的位置具備第二板，在前述基板與前述第二板之間流動氣體，除去前述基板的前述第二面的異物。
  16. 如申請專利範圍第15項之黏晶裝置，其中，前述第二異物除去裝置，係從前述基板的一端側到另一端側，在前述第二方向流動前述氣體。
  17. 如申請專利範圍第1項之黏晶裝置，其中，前述第一異物除去裝置係於前述板的中央部具備確認與前述基板的間隔之非接觸變位感測器，從前述基板的中央側到端部側流動前述氣體。
  18. 如申請專利範圍第17項之黏晶裝置，其中，前述第二異物除去裝置係於離開前述基板的位置具備第二板，在前述基板與前述第二板之間流動氣體，除去前述基板的前述第二面的異物。
  19. 如申請專利範圍第18項之黏晶裝置，其中，前述第二異物除去裝置係於前述板的中央部具備確認與前述基板的間隔之非接觸變位感測器，從前述基板的中央側到端部側，在與前述第一方向不同的第二方向流動前述氣體。
  20. 如申請專利範圍第14～19項之黏晶裝置，其中，前述第二異物除去裝置，係於前述基板的搬送中或在對於先行的基板的黏晶中的待機位置停止中進行洗滌。
  21. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵係具備： (a)將保持貼附有晶粒的切割膠帶的晶圓環夾具搬入之工程； (b)將基板搬入之工程； (c)將前述基板搬送於第一方向之工程； (d)洗滌前述基板之工程； (e)拾取前述晶粒之工程；及 (f)將拾取後的前述晶粒接合於前述基板或已被接合的晶粒上之工程， 前述(d)工程係具備： (d1)洗滌前述基板的背面之工程； (d2)洗滌前述基板的表面之工程；及 (d3)搬送前述基板之工程。
  22. 如申請專利範圍第21項之半導體裝置的製造方法，其中， 前述(d1)工程，係於前述基板與板之間流動氣體，以前述板來吸附前述基板的背面，洗滌前述基板的背面， 前述(d2)工程，係針對前述基板的表面，使形成有吹出孔及以包圍該吹出孔的方式形成有吸入孔的洗滌噴嘴移動於與前述第一方向不同的第二方向，而洗滌前述基板的表面的洗滌區域。
  23. 如申請專利範圍第22項之半導體裝置的製造方法，其中，前述(d3)工程，係將前述基板搬送至前述洗滌區域的其次的洗滌區域，進行前述(d1)工程及前述(d2)工程。
  24. 如申請專利範圍第21項之半導體裝置的製造方法，其中， 前述(d1)工程，係一邊搬送前述基板，一邊在前述基板與第一板之間從前述基板的一端側到另一端側，在與前述第一方向不同的第二方向流動氣體，而洗滌前述基板的背面， 前述(d2)工程，係一邊搬送前述基板，一邊在前述基板與第二板之間從前述基板的一端側到另一端側，在與前述第一方向不同的第二方向流動氣體，而洗滌前述基板的表面。
  25. 如申請專利範圍第21項之半導體裝置的製造方法，其中， 前述(d1)工程，係一邊搬送前述基板，一邊在前述基板與第一板之間從前述基板的中央側到端部側流動氣體，而洗滌前述基板的背面， 前述(d2)工程，係一邊搬送前述基板，一邊在前述基板與第二板之間從前述基板的中央側到端部側流動氣體，而洗滌前述基板的表面。
TW108104709A 2018-03-12 2019-02-13 黏晶裝置及半導體裝置的製造方法 TWI713991B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018043775A JP7065650B2 (ja) 2018-03-12 2018-03-12 ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
JP2018-043775 2018-03-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202006854A true TW202006854A (zh) 2020-02-01
TWI713991B TWI713991B (zh) 2020-12-21

Family

ID=67911893

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108104709A TWI713991B (zh) 2018-03-12 2019-02-13 黏晶裝置及半導體裝置的製造方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7065650B2 (zh)
KR (1) KR102185839B1 (zh)
CN (1) CN110265318B (zh)
TW (1) TWI713991B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7328848B2 (ja) * 2019-09-20 2023-08-17 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
KR102578464B1 (ko) * 2020-06-10 2023-09-14 세메스 주식회사 기판 이송 모듈 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치
JP2022034171A (ja) * 2020-08-18 2022-03-03 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンディング装置、クリーニングヘッドおよび半導体装置の製造方法
WO2022239570A1 (ja) * 2021-05-14 2022-11-17 ローム株式会社 支持ステージ、支持装置及び半導体装置の製造方法
CN115069684B (zh) * 2022-07-21 2022-10-28 山东睿芯半导体科技有限公司 芯片自动除尘设备
CN117059499B (zh) * 2023-08-24 2024-02-02 无锡凯扬自动化设备有限公司 一种半导体贴装焊接一体设备

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09321013A (ja) * 1996-05-29 1997-12-12 Olympus Optical Co Ltd 異物除去装置
JP2000107715A (ja) * 1998-10-07 2000-04-18 Sharp Corp 基板クリーニング装置
JP4363756B2 (ja) 2000-07-31 2009-11-11 東レエンジニアリング株式会社 チップ実装方法及びこれに用いられる基板洗浄装置
JP3674587B2 (ja) * 2002-01-22 2005-07-20 松下電器産業株式会社 電子部品実装方法
US20050126605A1 (en) 2003-12-15 2005-06-16 Coreflow Scientific Solutions Ltd. Apparatus and method for cleaning surfaces
JP4579071B2 (ja) 2005-07-06 2010-11-10 ヒューグルエレクトロニクス株式会社 基板用搬送除塵装置
WO2007007407A1 (ja) 2005-07-07 2007-01-18 Hugle Electronics Inc. スポットクリーナ
KR20080024548A (ko) * 2005-09-09 2008-03-19 휴글엘렉트로닉스가부시키가이샤 스폿 클리너
JP5380980B2 (ja) 2008-09-29 2014-01-08 セイコーエプソン株式会社 ワーク移動テーブルおよびこれを備えた液滴吐出装置
KR101229775B1 (ko) * 2008-12-26 2013-02-06 엘지디스플레이 주식회사 기판 세정장치
JP2010162445A (ja) * 2009-01-13 2010-07-29 Elfo-Tec:Kk 除塵洗浄方法及び装置
KR101281127B1 (ko) * 2011-03-22 2013-07-02 박봉선 비접촉 평판 이송장치
JP5889537B2 (ja) * 2011-03-23 2016-03-22 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダ
KR101322922B1 (ko) * 2011-09-21 2013-10-29 주식회사 나래나노텍 기판 부상 스테이지용 에어홀 구조, 에어홀 유닛, 및 이를 구비한 기판 부상 스테이지 및 기판 부상 장치
JP5440622B2 (ja) * 2012-01-27 2014-03-12 株式会社リコー 乾式クリーニング装置及び乾式クリーニング方法
JP5708754B2 (ja) * 2013-10-23 2015-04-30 株式会社リコー 乾式クリーニング装置
CN104319251B (zh) * 2014-10-29 2018-02-06 三星半导体(中国)研究开发有限公司 芯片拾取装置
JP6651327B2 (ja) 2015-10-15 2020-02-19 東レエンジニアリング株式会社 シート材のエアフロート装置
JP6067091B2 (ja) 2015-12-21 2017-01-25 ファスフォードテクノロジ株式会社 異物除去装置及びそれを備えたダイボンダ
TWI668061B (zh) * 2016-05-27 2019-08-11 日商新川股份有限公司 異物除去裝置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019160948A (ja) 2019-09-19
JP7065650B2 (ja) 2022-05-12
KR20190107571A (ko) 2019-09-20
KR102185839B1 (ko) 2020-12-02
TWI713991B (zh) 2020-12-21
CN110265318A (zh) 2019-09-20
CN110265318B (zh) 2023-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI713991B (zh) 黏晶裝置及半導體裝置的製造方法
JP4021614B2 (ja) 半導体素子のピックアップ用治具、半導体素子のピックアップ装置、半導体素子のピックアップ方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
KR101665249B1 (ko) 다이 본더 및 본딩 방법
TWI671846B (zh) 黏晶裝置及半導體裝置的製造方法
TWI676226B (zh) 半導體製造裝置及半導體裝置的製造方法
JP7233079B2 (ja) 部品実装システム、部品供給装置および部品実装方法
US20120079672A1 (en) Unit for removing foreign matter and apparatus and method for semiconductor packaging using the same
KR20140111581A (ko) 콜릿 클리닝 방법 및 그것을 사용한 다이 본더
JP6621771B2 (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
KR20170039836A (ko) 다이 본딩 장치
TWI697042B (zh) 切斷裝置以及半導體封裝的搬送方法
JP7333807B2 (ja) ボンディング設備におけるダイ移送のための装置及び方法
KR102649912B1 (ko) 본딩 모듈 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치
TWI741256B (zh) 黏晶裝置及半導體裝置的製造方法
TWI677047B (zh) 半導體製造裝置及半導體裝置的製造方法
JP2019192820A (ja) ワーク処理装置及びボール搭載装置
JP6042175B2 (ja) ピックアップ方法およびピックアップ装置
TWI808449B (zh) 晶粒接合裝置、清潔頭及半導體裝置的製造方法
JP2011192943A (ja) チップ搬送装置
JP2017059736A (ja) 半導体チップの実装装置
JP5953068B2 (ja) 電子部品の載置テーブルと同テーブルを備えたダイボンダ
JP5826701B2 (ja) チップ位置決め装置、チップ位置決め方法、およびダイボンダ
JP7328848B2 (ja) ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
JP6722614B2 (ja) ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
JP5447131B2 (ja) 電子部品取り付け状態検査装置及び電子部品取り付け状態検査方法