TWI677047B - 半導體製造裝置及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的課題是在於提供一種將半導體晶片(晶粒)精度佳地放置於最終被剝離的黏著薄板等的基板之半導體製造裝置。 　　其解決手段，半導體製造裝置係具備： 　　晶粒供給部； 　　拾取頭，其係從前述晶粒供給部拾取晶粒，上下反轉； 　　接合頭，其係從前述拾取頭拾取前述晶粒，以前述晶粒的電路形成面為下，在透明的基板的上面載置前述晶粒； 　　基準標記，其係用以識別將前述晶粒載置於前述基板時的前述晶粒的位置； 　　攝影機，其係從前述基板的下方攝取前述晶粒及前述基準標記；及 　　照明裝置，其係將前述晶粒及前述基準標記由斜下方照射光。

Description

半導體製造裝置及半導體裝置的製造方法
[0001] 本案是有關半導體製造裝置，例如可適用於扇出型晶圓級封裝用的晶粒放置。
[0002] 扇出型晶圓級封裝(Fan Out Wafer Level Package：FOWLP)是在超過晶片面積的廣領域形成再配線層的封裝。作為FOWLP的製法，有以密封樹脂來一併密封被配置於黏著薄板上的複數的半導體晶片，藉此形成具備複數的半導體晶片及覆蓋複數的半導體晶片的密封樹脂之密封體後，從密封體剝離黏著薄板，其次在密封體之貼附有黏著薄板的面上形成再配線層的方法為人所知(例如，日本特開2014-210909號公報(專利文獻1))。在專利文獻1中，黏著薄板是具備支撐體及被層疊於支撐體上的黏著劑層，半導體晶片會利用覆晶機(Flip Chip Bonder)或黏晶機(Die Bonder)來配置於黏著薄板上。 [先前技術文獻] [專利文獻] 　　[0003] 　　[專利文獻1]日本特開2014-210909號公報
(發明所欲解決的課題) 　　[0004] 本案的課題是在於提供一種在最終被剝離的黏著薄板等的基板精度佳放置(place)半導體晶片(晶粒)的半導體製造裝置。 (用以解決課題的手段) 　　[0005] 本案之中代表性者的概要簡單說明如下。 　　亦即，半導體製造裝置係具備： 　　晶粒供給部； 　　拾取頭，其係從前述晶粒供給部拾取晶粒，上下反轉； 　　接合頭，其係從前述拾取頭拾取前述晶粒，以前述晶粒的電路形成面為下，在透明的基板的上面載置前述晶粒； 　　基準標記，其係用以識別將前述晶粒載置於前述基板時的前述晶粒的位置； 　　攝影機，其係從前述基板的下方攝取前述晶粒及前述基準標記；及 　　照明裝置，其係將前述晶粒及前述基準標記由斜下方照射光。 [發明的效果] 　　[0006] 若根據上述半導體製造裝置，則可提升晶粒放置的精度。
[0008] 以下，利用圖面來說明有關實施例及變形例。但，在以下的說明中，有對於同樣的構成要素附上同樣的符號，省略重複說明的情形。另外，圖面為了使說明更為明確，相較於實際的形態，有時模式性地表示有關各部的寬度、厚度、形狀等，但終究為一例，並不是限定本發明的解釋者。 [實施例1] 　　[0009] 圖1是實施例1的覆晶機的概略上面圖。圖2是說明在圖1中從箭號A方向看時，拾取頭及接合頭(bonding head)的動作的圖。 　　[0010] 半導體製造裝置的覆晶機10是大致區分具有：晶粒供給部1、拾取部2、反轉機構部3、接合部4、搬送部5、基板供給部6K、基板搬出部6H、及監視控制各部的動作的控制裝置7。 　　[0011] 首先，晶粒供給部1是供給安裝於基板等的工件W的晶粒D。晶粒供給部1是具有：保持晶圓11的晶圓保持台12、從晶圓11頂起晶粒D之以點線所示的頂起單元13、及晶圓環供給部(未圖示)。晶粒供給部1是藉由未圖示的驅動手段來移動於XY方向，使拾取的晶粒D移動至頂起單元13的位置。晶圓環供給部是具有收納晶圓環的晶圓盒，依序將晶圓環供給至晶粒供給部1，更換成新的晶圓環。晶粒供給部1是以能夠從晶圓環拾取所望的晶粒之方式，將晶圓環移動至拾取點。晶圓環是固定有晶圓，可安裝於晶粒供給部1的治具。
拾取部2是具有：從晶粒供給部1吸附晶粒D的夾頭(collet)部22；在前端具備夾頭部22用以拾取晶粒D的拾取頭21；及使拾取頭21移動於Y方向的Y驅動部23。
拾取頭21是具有使夾頭部22昇降、旋轉及X方向移動之未圖示的各驅動部。藉由如此的構成，拾取頭21拾取晶粒，移動至反轉機構部3，被吸附於反轉機構部3。
反轉機構部3是如在圖2以虛線所示般，使拾取頭21旋轉180度，使晶粒D的表面(圖案形成面)反轉而朝向下面，形成將晶粒D交給接合頭41的姿勢。作為反轉機構部的其他的方法，有如在圖2的拉出圖所示般，將反轉機構部設於拾取頭21，使與拾取頭一起移動的方法，或設置可將晶粒的表背旋轉的平台單元，將拾取的晶粒D一旦載置於平台單元的方法等。
接合部4是從拾取頭21接受反轉的晶粒D，接合於被搬送來的工件W之上。
接合部4是具有：接合頭41，其係具備與拾取頭21同樣地將晶粒D吸附保持於前端的夾頭部42；Y驅動部43，其係使接合頭41移動於Y方向； 基板識別攝影機44，其係攝取工件W的位置識別標記(基準標記)PM(參照圖5)，識別接合位置；及後述的斜光照明裝置45(參照圖5)。
另外，亦可具備進行工件W的檢查之基板識別攝影機。藉由如此的構成，接合頭41是從拾取頭21接受反轉的晶粒D，根據晶粒識別攝影機33的攝像資料來修正拾取位置．姿勢，根據基板識別攝影機44的攝像資料來將晶粒D接合於工件W。
搬送部5是具備工件W會移動於X方向的搬送軌道51，52。搬送軌道51，52是被設成平行。藉由如此的構成，從基板供給部6K搬出工件W，沿著搬送軌道51，52來移動至接合位置，移動至接合後基板搬出部6H，將工件W交給基板搬出部6H。在將晶粒D接合於工件W中，基板供給部6K是搬出新的工件W，在搬送軌道51，52上待機。
圖3是表示晶粒供給部的主要部的概略剖面圖。
如圖3所示般，晶粒供給部1是具有：擴張環15，其係保持晶圓環14；支撐環17，其係將被保持於晶圓環14且黏著有複數的晶粒D的切割膠帶16定位於水平；及頂起單元13，其係用以將晶粒D頂起至上方。
為了拾取預定的晶粒D，頂起單元13是藉由未圖示的驅動機構來移動於上下方向，晶粒供給部1是形成移動於水平方向。
[0017] 晶粒供給部1是在晶粒D的頂起時，使保持晶圓環14的擴張環15下降。其結果，被保持於晶圓環14的切割膠帶16會被拉伸，晶粒D的間隔擴大。在如此的狀態下，藉由頂起單元13來從晶粒下方頂起晶粒D，藉此晶粒供給部1使晶粒D的拾取性提升。 　　[0018] 圖4是表示圖1的覆晶機的佈局的概略上面圖。覆晶機10是工件W被搬送於X方向，晶粒D被搬送於Y方向的裝置配置。 　　[0019] 在晶粒供給部1的X軸負方向側(圖面的左側)設有晶圓環供給部18，在Y軸正方向側(圖面的上側)設有接合位置BP。搬送軌道51，52是延伸於X軸方向，工件W會移動於X軸正方向(從圖面的左至右)，送至接合位置BP。晶圓環14是從晶圓環供給部18搬送於X軸正方向(從圖面的左至右)，送至晶粒供給部1。位置DP是拾取頭21從晶粒供給部1拾取晶粒D的位置。位置PP是接合頭41從拾取頭21拾取晶粒D的位置。接合位置BP是接合頭41將晶粒D載置於工件W的位置，位置WP是其次的工件W待機的位置。另外，雖在圖4中未被圖示，但在搬送軌道51，52的X軸負方向側(圖面的左側)配置有基板供給部6K，在X軸正方向側(圖面的右側)配置有基板搬出部6H。 　　[0020] 圖5是用以說明圖1的工件的構造及晶粒放置的剖面圖，表示接合位置的工件、晶粒、攝影機、照明的配置的圖。工件W是以具有位置識別標記PM的載體之玻璃基板101及被設於玻璃基板101之上的黏著劑102所構成，可搭載複數的晶粒。在玻璃基板101的下面側形成有配合封裝大小(Package size)的位置識別標記PM。工件W是最終從晶粒D剝離，玻璃基板101是再形成位置識別標記PM等而再度被使用。晶粒D是圖案形成面向下(面朝下)而被吸附於夾頭部42。基板識別攝影機44是被配置於晶粒D的正下面，通過玻璃基板101及黏著劑102來識別晶粒D的位置。因此，玻璃基板101及黏著劑102為透明。複數的斜光照明裝置45是分別將位置識別標記PM及晶粒D由斜下方來照射光。藉由斜光照明裝置45，可無玻璃基板的正反射，觀測位置識別標記PM及晶粒D的表面。 　　[0021] 控制裝置7是具備： 　　記憶體，其係儲存用以監視控制覆晶機10的各部的動作之程式(軟體)；及 　　中央處理裝置(CPU)，其係實行被儲存於記憶體的程式。 　　例如，控制裝置7是取入來自基板識別攝影機44及基板識別攝影機44的畫像資訊、接合頭41的位置等的各種資訊，控制接合頭41的接合動作等各構成要素的各動作。 　　[0022] 其次，利用圖6來說明有關實施例1的覆晶機的晶粒放置方法(半導體裝置的製造方法)。圖6是用以說明圖1的覆晶機的晶粒放置方法的流程圖。 　　[0023] 步驟S1：控制裝置7是藉由拾取頭21來從晶粒供給部1拾取晶粒D。 　　[0024] 步驟S2：控制裝置7是使拾取頭21反轉，以晶粒D的電路形成面的相反的面(背面)為上。 　　[0025] 步驟S3：控制裝置7是將晶粒D交接至接合頭41。亦即，接合頭41是從拾取頭21拾取晶粒D。 　　[0026] 步驟S4：控制裝置7是藉由基板識別攝影機44來識別玻璃基板101的位置識別標記PM。 　　[0027] 步驟S5：控制裝置7是藉由基板識別攝影機44來識別晶粒D的電路形成面(表面)的圖案。從下部隔著玻璃照射斜光照明，至即將放置之前識別晶粒D的邊緣。此時，最好同時･1視野的識別。 　　[0028] 步驟S6：控制裝置7是運算識別結果。識別位置識別標記PM，算出放置位置，識別晶粒D，算出晶粒位置。 　　[0029] 步驟S7：控制裝置7是根據運算結果來移動接合頭41，修正晶粒D的位置。 　　[0030] 步驟S8：控制裝置7是將晶粒D載置(放置)於工件W上。 　　[0031] 另外，在步驟S1之前，將用以保持貼附有從晶圓11分割的晶粒D的切割膠帶16之晶圓環14容納於晶圓環供給部18，搬入至覆晶機10。控制裝置7是從充填有晶圓環14的晶圓環供給部18將晶圓環14供給至晶粒供給部1。並且，準備工件W，搬入至覆晶機10。控制裝置7是以基板供給部6K將工件W載置於搬送軌道51，52。 　　[0032] 並且，在步驟S8之後，控制裝置7是以基板搬出部6H從搬送軌道51，52取出接合有晶粒D的工件W。從覆晶機10搬出工件W。然後，以密封樹脂來一併密封被配置於工件W的黏著劑102之上的複數的晶粒(半導體晶片)，藉此形成具備複數的半導體晶片及覆蓋複數的半導體晶片的密封樹脂之密封體後，從密封體剝離工件W，其次在密封體之貼附有工件W的面上形成再配線層而製造FOWLP。 　　[0033] ＜變形例＞ 　　以下，舉幾個有關代表性的變形例。在以下的變形例的說明中，對於具有和在上述的實施例說明者同樣的構成及機能的部分是可使用與上述的實施例同樣的符號。而且，有關如此部分的說明是可在技術上不矛盾的範圍內適當援用上述的實施例的說明。又，上述的實施例的一部分及複數的變形例的全部或一部分可在技術上不矛盾的範圍內適當地複合性地適用。 　　[0034] (變形例1) 　　圖7是表示變形例1的覆晶機的佈局的概略上面圖。在實施例1(圖1)中，工件W是被搬送於X方向，晶粒D是被搬送於Y方向的裝置配置，但在變形例1的覆晶機10A中，工件W及晶粒D皆是被搬送於X方向的裝置配置。 　　[0035] 在晶粒供給部1的Y軸負方向側(圖面的下側)設有晶圓環供給部18，在X軸正方向側(圖面的右側)設有接合位置BP。在晶粒供給部1的上方設有搬送軌道51，52，工件W會移動於X軸正方向(從圖面的左至右)，送至基板平台46。然後，基板平台46移動於Y軸正方向(從圖面之下至上)而將工件W搬送至接合位置BP。晶圓環14是從晶圓環供給部18搬送於Y軸正方向(從圖面之下至上)，送至晶粒供給部1。位置DP是拾取頭21從晶粒供給部1拾取晶粒D的位置。位置PP是接合頭41從拾取頭21拾取晶粒D的位置。位置BP是接合頭41將晶粒D載置於工件W的位置，位置WP是其次的工件W待機的位置。另外，雖在圖7中未圖示，但在搬送軌道51，52的X軸負方向側(圖面的左側)配置有基板供給部6K，在X軸正方向側(圖面的右側)配置有基板搬出部6H。 　　[0036] (變形例2) 　　圖8是表示變形例2的覆晶機的佈局的概略上面圖。在實施例(圖1)中，工件W是被搬送於X方向，晶粒D是被搬送於Y方向的裝置配置，但在變形例2的覆晶機10B中，工件W是被搬送於Y方向，晶粒D是被搬送於X方向的裝置配置。 　　[0037] 在晶粒供給部1的Y軸負方向側(圖面的下側)設有晶圓環供給部18，在X軸正方向側(圖面的右側)設有接合位置BP。工件W會從工件給排部61移動於Y軸正方向(從圖面之下至上)，送至基板平台46。然後，基板平台46是將工件W搬送至接合位置BP。接合後，基板平台46是將工件W搬送於Y軸負方向(從圖面之上至下)，工件W送至工件給排部61。晶圓環14是從晶圓環供給部18搬送於Y軸正方向(從圖面之下至上)，送至晶粒供給部1。位置DP是拾取頭21從晶粒供給部1拾取晶粒D的位置。位置PP是接合頭41從拾取頭21拾取晶粒D的位置。位置BP是接合頭41將晶粒D載置於工件W的位置，位置WP是其次的工件W待機的位置。在變形例2中，取代基板供給部6K及基板搬出部6H，而將工件給排部61配置於晶圓環供給部18的右鄰，因此比實施例1及變形例2更縮小黏晶機的平面積。 　　[0038] (變形例3) 　　圖9是用以說明變形例3的覆晶機的工件的構造及晶粒放置的剖面圖，表示接合位置的工件、晶粒、接合平台、攝影機、照明的配置的圖。在實施例1中，工件W是以玻璃基板所構成，但變形例3的覆晶機10C的工件W是以膠帶所構成。 　　[0039] 變形例3的工件W是以載體的膠帶103及被設於膠帶103之上的黏著劑102所構成，可搭載複數的晶粒。接合平台BS是以透明基板(玻璃基板)所構成，在接合平台BS的玻璃基板的下面側形成有位置識別標記PM。晶粒D是圖案形成面會向下(面朝下)而被吸附於夾頭部42。基板識別攝影機44是被配置於晶粒D的正下面，通過接合平台BS、膠帶103及黏著劑102來識別晶粒D的位置。因此，膠帶103及黏著劑102為透明。複數的斜光照明裝置45是分別將位置識別標記PM及晶粒D由斜下方照射光。藉由斜光照明裝置45，可無接合平台BS的玻璃基板的正反射，觀測位置識別標記PM及晶粒D的表面。 　　[0040] (變形例4) 　　圖10是用以說明變形例4的覆晶機的工件的構造及晶粒放置的剖面圖，表示接合位置的工件、晶粒、接合平台、攝影機、照明的配置的圖。變形例4的覆晶機10D的工件W是以和實施例1同樣玻璃基板104所構成，但與變形例3同樣地更在工件W的玻璃基板104之下設置以透明基板(玻璃基板)所構成的接合平台BS，在接合平台BS的玻璃基板的下面側形成有位置識別標記PM。藉此，在被晶粒放置的玻璃基板是不須形成位置識別標記PM，再生也變容易。 [實施例2] 　　[0041] 圖11是實施例2的黏晶機的概略上面圖。圖12是說明在圖11中從箭號A方向看時，拾取頭及接合頭的動作的圖。 　　[0042] 半導體製造裝置的黏晶機10E大致區分具有：晶粒供給部1、拾取部2E、中間平台部3E、接合部4E、搬送部5、基板供給部6K、基板搬出部6H、及監視控制各部的動作的控制裝置7。 　　[0043] 拾取部2E是具有： 　　拾取晶粒D的拾取頭21； 　　使拾取頭21移動於Y方向的拾取頭的Y驅動部23；及 　　使夾頭部22昇降、旋轉及X方向移動之未圖示的各驅動部。 　　拾取頭21是具有將被頂起的晶粒D吸附保持於前端的夾頭部22(圖12也參照)，從晶粒供給部1拾取晶粒D，載置於中間平台31。拾取頭21是具有使夾頭部22昇降、旋轉及X方向移動之未圖示的各驅動部。另外，實施例2的拾取部2是與實施例1不同，未具有將拾取頭21旋轉180度而反轉晶粒的表背之機能。 　　[0044] 中間平台部3E是具有：暫時性地載置晶粒D的中間平台31、及為了識別中間平台31上的晶粒D的平台識別攝影機32。 　　[0045] 接合部4E是從中間平台31拾取晶粒D，接合於被搬送而來的工件W上。 　　接合部4E是具有： 　　接合頭41，其係具備與拾取頭21同樣地將晶粒D吸附保持於前端的夾頭部42(圖12也參照)； 　　Y驅動部43，其係使接合頭41移動於Y方向； 　　基板識別攝影機44，其係攝取工件W的位置識別標記PM(參照圖5)，識別接合位置；及 　　斜光照明裝置45(參照圖5)。 　　另外，亦可具備進行工件W的檢查之基板識別攝影機。工件W的構成是亦可為實施例(圖5)、變形例3(圖9)及變形例4(圖10)的任一構成。藉由如此的構成，接合頭41是根據平台識別攝影機32的攝像資料來修正拾取位置･姿勢，從中間平台31拾取晶粒D，根據基板識別攝影機44的攝像資料來將晶粒D接合於工件W。 　　[0046] 其次，利用圖13來說明有關實施例2的黏晶機的晶粒放置方法(半導體裝置的製造方法)。圖13是用以說明圖11的黏晶機的晶粒放置方法的流程圖。 　　[0047] 步驟S1：控制裝置7是藉由拾取頭21來從晶粒供給部1拾取晶粒D。 　　[0048] 步驟S2D：控制裝置7是藉由拾取頭21來將晶粒D載置於中間平台31上。 　　[0049] 步驟S3D：控制裝置7是將晶粒D交接至接合頭41。亦即，接合頭41是從中間平台31拾取晶粒D。 　　[0050] 步驟S4：控制裝置7是藉由基板識別攝影機44來識別玻璃基板101的位置識別標記PM。 　　[0051] 步驟S5：控制裝置7是藉由基板識別攝影機44來識別晶粒D的邊緣。從下部隔著玻璃照射斜光照明，至即將放置之前識別晶粒D的邊緣。此時，最好同時･1視野的識別。 　　[0052] 步驟S6：控制裝置7是運算識別結果。識別位置識別標記PM，算出放置位置，識別晶粒D，算出晶粒位置。 　　[0053] 步驟S7：控制裝置7是根據運算結果，移動接合頭41，修正晶粒D的位置。 　　[0054] 步驟S8：控制裝置7是將晶粒D載置(放置)於工件W上。 　　[0055] 另外，比步驟S1還前面的動作是與實施例1的動作同樣。並且，接合後的工件W的取出搬出動作是與實施例1同樣。FOWLP是與實施例1同樣製造。 　　[0056] 在實施例及變形例中，當工件為玻璃基板時是在工件或確保透明性的平台附上所定的封裝大小的記號(位置識別標記)，當工件為膠帶時是在確保透明性的平台附上封裝大小的記號。藉此，隔著工件的識別･安裝為可能，至即將放置之前可識別･修正晶粒位置。因此，可在最終被剝離的玻璃或膠帶上精度佳地放置晶粒。若工件為玻璃，則可精度佳地製作位置識別標記，再利用也可能。 　　[0057] 並且，面朝下(Face Down)的情況是更可隔著玻璃識別晶粒表面的圖案來進行對位。藉此，可更高度保持放置的基準的精度。藉由放置的精度變佳，可容易形成FOWLP的再配線層。 　　[0058] 以上，根據實施例及變形例來具體地說明本發明者所研發的發明，但本發明並非限於上述實施例及變形例，當然可實施各種變更。 　　[0059] 例如，實施例是在玻璃基板的下面側形成位置識別標記PM而進行，但亦可以雷射光的照射等來暫時性地形成位置識別標記PM進行晶粒D的位置識別。藉此，在被晶粒放置的玻璃基板是不須形成位置識別標記PM，再生也變容易，隨品種更換等，晶粒大小或晶粒放置位置的變更也在雷射照射位置的資料變更等成為可能，可使作業簡略化。 　　[0060] 又，玻璃基板的下面側的位置識別標記PM，不是被晶粒放置的基板或以膠帶構成之工件的透明玻璃製的裝置平台，亦可使用形成每品種的透明玻璃製的位置識別標記PM之位置識別基板。藉此，在品種更換時，藉由更換此位置識別基板，可簡便地進行，自動更換等也變容易。 　　[0061] 另外，位置識別基板是亦可使用實施例的被晶粒放置的玻璃基板。
[0062]
1‧‧‧晶粒供給部
2‧‧‧拾取部
21‧‧‧拾取頭
22‧‧‧夾頭部
3‧‧‧反轉機構部
4‧‧‧接合部
41‧‧‧接合頭
42‧‧‧夾頭部
44‧‧‧基板識別攝影機
45‧‧‧斜光照明裝置
7‧‧‧控制裝置
10‧‧‧覆晶機
10E‧‧‧黏晶機
11‧‧‧晶圓
13‧‧‧頂起單元
D‧‧‧晶粒
W‧‧‧工件
101‧‧‧玻璃基板
102‧‧‧黏著劑
103‧‧‧膠帶
104‧‧‧玻璃基板
PM‧‧‧位置識別標記
BS‧‧‧接合平台
[0007] 　　圖1是實施例1的覆晶機的概略上面圖。 　　圖2是說明在圖1中從箭號A方向看時，拾取頭及接合頭的動作的圖。 　　圖3是表示圖1的晶粒供給部的主要部的概略剖面圖。 　　圖4是表示圖1的覆晶機的佈局的概略上面圖。 　　圖5是用以說明圖1的工件的構成及晶粒放置的剖面圖。 　　圖6是用以說明圖1的覆晶機的晶粒放置方法的流程圖。 　　圖7是表示變形例1的覆晶機的佈局的概略上面圖。 　　圖8是表示變形例2的覆晶機的佈局的概略上面圖。 　　圖9是用以說明變形例3的覆晶機的工件的構成及晶粒放置的剖面圖。 　　圖10是用以說明變形例4的覆晶機的工件的構成及晶粒放置的剖面圖。 　　圖11是實施例2的黏晶機的概略上面圖。 　　圖12是說明在圖11中從箭號A方向看時，拾取頭及接合頭的動作的圖。 　　圖13是用以說明圖11的黏晶機的晶粒放置方法的流程圖。

Claims (18)

  1. 一種半導體製造裝置，其特徵係具備：晶粒供給部；拾取頭，其係從前述晶粒供給部拾取晶粒，使上下反轉；接合頭，其係從前述拾取頭拾取前述晶粒，以前述晶粒的電路形成面為下，在基板的上面載置前述晶粒；基準標記，其係用以識別將前述晶粒載置於前述基板時的前述晶粒的位置；攝影機，其係從前述基板的下方攝取前述晶粒及前述基準標記；及照明裝置，其係將前述晶粒及前述基準標記由斜下方照射光，前述基板係以玻璃基板及被設在前述玻璃基板的上面的黏著劑所構成的透明的基板，前述基準標記係設在前述玻璃基板的下面側，前述攝影機係通過前述基板來攝取前述晶粒，且攝取前述基準標記。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體製造裝置，其中，前述照明裝置為複數的斜光照明裝置。
  3. 一種半導體製造裝置，其特徵係具備：晶粒供給部；拾取頭，其係從前述晶粒供給部拾取晶粒，使上下反轉；接合頭，其係從前述拾取頭拾取前述晶粒，以前述晶粒的電路形成面為下，在透明的基板的上面載置前述晶粒；基準標記，其係用以識別將前述晶粒載置於前述基板時的前述晶粒的位置；攝影機，其係從前述基板的下方攝取前述晶粒及前述基準標記；照明裝置，其係將前述晶粒及前述基準標記由斜下方照射光；及透明的平台，其係位於前述攝影機的上方，前述基板係具備膠帶及被設在前述膠帶的上面的黏著劑，前述基準標記係設在前述平台的下面。
  4. 如申請專利範圍第1或3項之半導體製造裝置，其中，更具備：儲存晶圓環的晶圓環供給部；基板供給部；及基板搬出部，前述晶圓環係從前述晶圓環供給部搬送於第一方向而送至前述晶粒供給部，前述基板係從前述基板供給部搬送於前述第一方向而送至接合位置，前述晶粒係搬送於與前述第一方向不同的第二方向而送至接合位置，載置有前述晶粒的前述基板係從前述接合位置搬送於前述第一方向而送至前述基板搬出部。
  5. 如申請專利範圍第1或3項之半導體製造裝置，其中，更具備：儲存晶圓環的晶圓環供給部；基板供給部；及基板搬出部，前述基板係從前述基板供給部搬送於第一方向而送至接合位置，前述晶粒係搬送於前述第一方向而送至接合位置，載置有前述晶粒的前述基板係從前述接合位置搬送於前述第一方向而送至前述基板搬出部，前述晶圓環係從前述晶圓環供給部搬送於與前述第一方向不同的第二方向而送至前述晶粒供給部。
  6. 一種半導體製造裝置，其特徵係具備：晶粒供給部；拾取頭，其係從前述晶粒供給部拾取晶粒，使上下反轉；接合頭，其係從前述拾取頭拾取前述晶粒，以前述晶粒的電路形成面為下，在透明的基板的上面載置前述晶粒；基準標記，其係用以識別將前述晶粒載置於前述基板時的前述晶粒的位置；攝影機，其係從前述基板的下方攝取前述晶粒及前述基準標記；照明裝置，其係將前述晶粒及前述基準標記由斜下方照射光；晶圓環供給部，其係儲存晶圓環；及基板給排部，前述晶粒係搬送於第一方向而送至接合位置，前述晶圓環係從前述晶圓環供給部搬送於與前述第一方向不同的第二方向而送至前述晶粒供給部，前述基板係從前述基板給排部搬送於第二方向而送至接合位置，載置有前述晶粒的基板係從前述接合位置搬送於與前述第二方向相反方向而送至前述基板給排部。
  7. 一種半導體製造裝置，其特徵係具備：晶粒供給部；拾取頭，其係從前述晶粒供給部拾取晶粒；中間平台，其係載置前述拾取頭所拾取的晶粒；接合頭，其係拾取被載置於前述中間平台的晶粒，以前述晶粒的電路形成面為上，在基板的上面載置前述晶粒；基準標記，其係用以識別將前述晶粒載置於前述基板時的前述晶粒的位置；攝影機，其係從前述基板的下方攝取前述晶粒及前述基準標記；及照明裝置，其係將前述晶粒及前述基準標記由斜下方照射光，前述基板係以玻璃基板及被設在前述玻璃基板的上面的黏著劑所構成的透明的基板，前述基準標記係設在前述玻璃基板的下面側。
  8. 如申請專利範圍第7項之半導體製造裝置，其中，前述照明裝置為複數的斜光照明裝置。
  9. 一種半導體製造裝置，其特徵係具備：晶粒供給部；拾取頭，其係從前述晶粒供給部拾取晶粒；中間平台，其係載置前述拾取頭所拾取的晶粒；接合頭，其係拾取被載置於前述中間平台的晶粒，以前述晶粒的電路形成面為上，在透明的基板的上面載置前述晶粒；基準標記，其係用以識別將前述晶粒載置於前述基板時的前述晶粒的位置；攝影機，其係從前述基板的下方攝取前述晶粒及前述基準標記；照明裝置，其係將前述晶粒及前述基準標記由斜下方照射光；及透明的平台，其係位於前述攝影機的上方，前述基板係具備膠帶及被設在前述膠帶的上面的黏著劑，前述基準標記係設在前述平台的下面。
  10. 一種半導體製造裝置，其特徵係具備：晶粒供給部；拾取頭，其係從前述晶粒供給部拾取晶粒；中間平台，其係載置前述拾取頭所拾取的晶粒；接合頭，其係拾取被載置於前述中間平台的晶粒，以前述晶粒的電路形成面為上，在透明的基板的上面載置前述晶粒；基準標記，其係用以識別將前述晶粒載置於前述基板時的前述晶粒的位置；攝影機，其係從前述基板的下方攝取前述晶粒及前述基準標記；照明裝置，其係將前述晶粒及前述基準標記由斜下方照射光；及透明的平台，其係位於前述攝影機的上方，前述基板係具備玻璃基板及被設在前述玻璃基板的上面的黏著劑，前述基準標記係設在前述平台的下面。
  11. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵係具備：(a)準備半導體製造裝置之工程，該半導體製造裝置係具備：攝取晶粒及基準標記的攝影機，和將前述晶粒及前述基準標記由斜下方照射光的照明裝置；(b)準備保持具有晶粒的切割膠帶的晶圓環之工程；(c)準備基板之工程，該基板係具備玻璃基板及被設在前述玻璃基板的上面的黏著劑，且將前述基準標記設在前述玻璃基板的下面側；(d)從前述晶圓環拾取前述晶粒之工程；及(e)將被拾取的前述晶粒載置於前述基板之工程，前述(e)工程，係一邊藉由前述攝影機來從前述基板的下方攝取被拾取的前述晶粒及前述基準標記，一邊將被拾取的前述晶粒載置於前述基板的上面。
  12. 如申請專利範圍第11項之半導體裝置的製造方法，其中，前述(d)工程係更具有使拾取的前述晶粒上下反轉之工程，前述(e)工程係拾取被上下反轉的前述晶粒，以前述晶粒的電路形成面為下，載置於前述基板。
  13. 如申請專利範圍第11項之半導體裝置的製造方法，其中，前述(d)工程係更具有將拾取的前述晶粒載置於中間平台之工程，前述(e)工程係拾取被載置於前述中間平台的前述晶粒，以前述晶粒的電路形成面為上，載置前述基板。
  14. 如申請專利範圍第12或13項之半導體裝置的製造方法，其中，前述(e)工程，係根據前述攝影機的識別結果來修正被拾取的前述晶粒的位置而載置於前述基板。
  15. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵係具備：(a)準備半導體製造裝置之工程，該半導體製造裝置係具備：攝取晶粒及設在接合平台的基準標記的攝影機，和將前述晶粒及前述基準標記由斜下方照射光的照明；(b)準備保持具有晶粒的切割膠帶的晶圓環之工程；(c)準備基板之工程，該基板係具備膠帶及被設在前述膠帶的上面的黏著劑：(d)從前述晶圓環拾取前述晶粒之工程；及(e)將被拾取的前述晶粒載置於前述基板之工程，前述(e)工程，係一邊藉由前述攝影機來從前述基板的下方攝取被拾取的前述晶粒及前述基準標記，一邊將被拾取的前述晶粒載置於前述基板的上面。
  16. 如申請專利範圍第15項之半導體裝置的製造方法，其中，前述(d)工程係更具有將拾取的前述晶粒上下反轉之工程，前述(e)工程係拾取被上下反轉的前述晶粒。
  17. 如申請專利範圍第15項之半導體裝置的製造方法，其中，前述(d)工程係更具有將拾取的前述晶粒載置於中間平台，前述(e)工程係拾取被載置於前述中間平台的前述晶粒。
  18. 如申請專利範圍第16或17項之半導體裝置的製造方法，其中，前述(e)工程，係根據前述攝影機的識別結果來修正被拾取的前述晶粒的位置而載置於前述基板。
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